Practicas de Electronica Analogica*

* Dr. JUAN M. GOMBA - Investigador Asistente de CONICET - Instituto de F

sica Arroyo
Seco - UNCPBA

1
Indice
1. Conducci
on el
ectrica 4

2. Conductores 4

3. Dispositivos Semiconductores 5
3.1. Diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.2. Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2.1. Potencia maxima de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

4. Conversor Digital-Anal ogico 12

4.1. Red R-2R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

5. Gua 1 15

6. Gua 2: Laboratorio 17

7. Gua 3 19

8. Material de Consulta 21

2
 El objetivo fundamental de este texto es brindar a los alumnos elementos de
electronica analogica que les permitan comprender como funcionan las compuer-
tas l
ogicas utilizadas en el curso. Los contenidos pertenecen al espacio curricular
Electronica Digital, materia del segundo ano de la carrera Ingeniera en Sistemas
de la Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires.
Los alumnos han cursado Electricidad y Magnetismo y no poseen conoci-
mientos sobre semiconductores. Las clases practicas consisten en cuatro encuen-
tros de dos horas cada una. La mitad del tiempo se dedica a la resoluci on de
problemas y la otra mitad al armado de circuitos. Dada la escasa disponibilidad
de tiempo, el siguiente material no busca hacer hincapie en aspectos teoricos que
pueden encontrarse ampliamente en la bibliografa, sino que pretende1 ofrecer
aspectos eminentemente practicos.
Agradezco las sugerencias y aportes realizadas por el Ing. Jose Marone, que
permitieron mejorar el contenido de las Guas de problemas.

1y probablemente no logre.

3
1. Conducci
on el
ectrica
Para poder entender los fenomenos de conductibilidad electrica se recurre al
concepto de niveles y bandas de energa. Las energas permitidas para los electro-
nes dependen de la distancia interatomica. En un atomo aislado, los electrones
pueden tener s olo ciertas cantidades discretas de energa, como se muestra en
la Fig. 1. Cuando se tiene un conglomerado de atomos cercanos entre s de ma-
nera tal que el conjunto conforma un cristal, la energa puede tomar cualquier
valor dentro de ciertos intervalos permitidos (denominados bandas). Los elec-
trones llenan las bandas de menor energa. La u ltima banda completa de
electrones se denomina banda de valencia (BV) y la inmediata superior banda
de conduccion (BC).

Figura 1: Estructura de las bandas de energa para un cristal de carbono (dia-

mante) y uno de silicio. Las zonas grises indican las zonas de energas permitidas.
Para una distancia interatomica r > 0, 9 nm, se observan los niveles discretos
de energa (
atomo aislado).

Las caractersticas electricas dependen de la facilidad con la que los elec-

trones pueden alcanzar la BC. Si la BC posee al menos un electron (y por
definicion no est
a completa), o si las bandas BV y BC est an solapadas estamos
en presencia de un conductor (ver Fig.2). Si la banda de conducci on est
a vaca,
la conductibilidad dependera de la diferencia entre el lmite superior de la BV
y el inferior de la BC: en un diamante esta diferencia es de 5, 3 eV (aislante), y
en un cristal de silicio es de 1, 14 eV (semiconductor )(Ver Fig. 1).

2. Conductores
La relaci
on tensi
on-corriente en una resistencia viene dada por la ley de
Ohm:
V = IR (1)

4
Figura 2: Estructura de bandas de un conductor: a) La BC posee algunos elec-
trones responsables de la conductividad. b) Las BC y BV est
an solapadas.

donde V es la diferencia de potencial aplicada e I es la corriente que circula por

la resistencia. Para un conductor cilndrico, la resistencia R viene dada por

R = L/A (2)

donde L es la longitud de la resistencia, A es el area transversal a la direccion

de la corriente y es la resistividad, una cantidad que depende del material de
la resistencia. A modo de ejemplo, el Cobre a temperatura ambiente posee una
resistividad de 1, 7 106 cm.

3. Dispositivos Semiconductores
La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes
y la de los metales. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores
mas frecuentemente utilizados en la fabricacion de diodos y transistores. Ambos
atomos, cuando est an aislados, poseen cuatro electrones en su ultima capa de
energa, es decir, son tetravalentes.
Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrnseco)
a una temperatura de cero grados Kelvin, los electrones de la red ocupar an
todos los estados de energa posibles dentro de la BV. De esta manera, al no
quedar estados libres dentro de esta banda, y al verse imposibilitados de pasar
a la banda de conducci on donde s hay estado libres, el material se comporta
como un aislante. Si se incrementa la temperatura, algunos electrones tendr an
una probabilidad no nula (la distribuci on de probabilidad que corresponde es la
de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podra conducir.
Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente, como los que men-
cionamos previamente, al que se le agrega una peque na dosis de atomos (impu-
rezas) de atomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo). A este tipo de materiales
los denominaremos tipo n. La estructura de bandas se modifica, apareciendo un
nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducci on.
Un electron que ocupa este nivel de energa facilmente puede saltar a la banda
de conducci on.

5
 De la misma manera, podemos ahora considerar un semiconductor puro te-
travalente al que se le agrega una peque na dosis de atomos (impurezas) de
atomos tetravalentes (por ejemplo Boro). A este tipo de materiales los deno-
minaremos tipo p. La estructura de bandas se modifica, apareciendo un nuevo
nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. Con
alta probabilidad, un electron en la banda de valencia puede ocupar ese estado
en la banda prohibida, dejando un estado libre en la BV. Ahora, los electrones
en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducci on.

3.1. Diodos
Un diodo es un dispositivo no lineal de dos terminales. Posee la propiedad de
conducir corriente en un solo sentido (corriente directa). Esta fabricado sobre
una pastilla semiconductora a la cual se le agregan impurezas para formar un
a
nodo tipo p y un catodo tipo n (ver Fig. 3).

Figura 3: Esquema de un diodo y su correspondiente smbolo circuital.

La corriente I que atraviesa un diodo cuando se le aplica una diferencia de

potencial V , viene dada por

I = I0 (exp(V /(VT ) 1) (3)

donde I0 es la corriente inversa de saturacion y es una constante que depende
del material ( = 2 para el silicio y = 1 para el germanio). VT es el equivalente
en tensi
on de la temperatura y viene dado por
/q
VT = kT (4)

donde k = 1,38 1023 J/K es la constante de Boltzmann y q = 1, 6 1019 C

es la carga electrica del electron.
La curva caracterstica de un diodo se muestra en la Fig. 4. Cuando el po-
tencial aplicado en el anodo es mayor que el del catodo, diremos que el diodo
est
a polarizado en directa. N otese que a partir de una dada diferencia de po-
tencial aplicada V , el diodo comienza a conducir. Para un diodo de silicio,

6
Figura 4: Curva caracterstica del diodo. La diferencia de potencial V aplicada
se refiere al potencial en el
anodo respecto del catodo.

V = 0, 6V y para uno de germanio V = 0, 2V . Cuando el potencial del anodo

es inferior al del catodo (polarizacion inversa), la corriente que circula es des-
preciable e igual a I0 : a los fines practicos diremos que el diodo no conduce en
este estado. En la figura se aprecia la tensi on de ruptura inversa para la cual el
diodo se destruye2 .

3.2. Transistor
El transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo semiconductor de
tres terminales construido como dos uniones PN similares a las del diodo. Exis-
ten dos clases de transistores de acuerdo a como este construido: NPN y PNP.
La Fig. 5 muestra el esquema de los transistores y su simbologa.

Figura 5: Transistores NPN y PNP. Se indican el nombre de las terminales : base

(B), colector (C) y emisor (E). N
otese que la direccion de la flecha identifica el
tipo de transistor.

A diferencia de lo que sucede en el diodo, en donde existe una relacion unvo-

ca entre la corriente que circula por el dispositivo y la diferencia de potencial, el
2 Los diodos Zener funcionan en el r
egimen de ruptura, pero no ser
an tratados aqu.

7
transistor posee tres par
ametros a variar cuando se desea caracterizar su salida:
on colector-emisor Vce 3 . El
la corriente de base Ib , la de colector Ic , y la tensi
fabricante proporciona un gr afico con las curvas caractersticas de salida como
la que se muestra en la Fig.6. Para obtener dichas curvas se sigue el siguiente
procedimiento: se fija una corriente de base, por ejemplo Ib = 0 mA, y se grafica
Ic a medida que se aumenta la tensi on Vce desde 0 hasta cierto valor (20 V en
este ejemplo). El proceso se repite para diferentes valores de Ib . A la izquierda
de cada curva aparece el valor de Ib correspondiente.

Figura 6: Curvas caractersticas de salida de un transistor NPN. Sobre cada

curva se coloca el valor de la corriente de base Ib correspondiente

Para comprender como funciona un transistor en un circuito, se analiza

que sucede cuando se coloca una carga Rc a su salida, como se muestra en
la Fig. 7.

Figura 7: Transistor polarizado en configuraci

on com
un (el emisor es com
un a
los circuitos de entrada y salida)

Las variables Ic y Vce pueden relacionarse utilizando la ley de Kirchoff. Ma-

tematicamente:
Vcc = Ic Rc + Vce (5)
3V es la diferencia de potencial entre el colector y el emisor, Vce Vcolector Vemisor
ce

8
de donde
Ic = (Vcc Vcc )/Rc (6)
Se puede trazar esta relaci on sobre las curvas caractersticas de salida. Dado
que la Ec. 6 es una relacion lineal entre Ic y Vce , dos puntos son suficientes para
determinarla, por ejemplo, en las intersecciones con los ejes: (Ic = 0; Vce = Vcc )
e (Ic = Vcc /Rc ; Vce = 0). La lnea resultante es habitualmente denominada recta
de carga. Para poder trazar una recta sobre las curvas caractersticas de la Fig.
6, elegiremos a modo de ejemplo valores particulares para Vcc = 15 V y Rc = 1, 5
K. Los puntos de intersecci on con los ejes vienen dados por (Ic = 0; Vce = 15
V) e (Ic = 10 mA;Vce = 0). Las curvas caractersticas y la recta de carga est an
trazadas en la Fig. 8.

Figura 8: Curvas caractersticas de salida de un transistor y recta de carga para

Vcc = 15 V y Rc = 1, 5 K.

Notese que una vez trazada la recta de carga, Ic y Vce quedan determinadas
si se conoce IB . Por ejemplo, si Ib = 50 A, Ic = 3, 75 mA y Vce = 10 V ;
si Ib = 150 A, Ic = 7, 5 mA y Vce = 3, 75 V . El par (Ic ; Vce ) se denomina
punto de trabajo. Como siempre debe cumplirse la ley de Kirchoff, este punto
se encuentra sobre la recta de carga. Esta posibilidad de controlar Ic mediante
Ib es frecuentemente utilizada para plantear una analoga entre un transistor y
un grifo: el caudal de agua (Ic ) es controlado por la apertura de una llave(Ib ).
Es facil analizar ahora que sucedera al variar la tensi
on de entrada Vbb : si
Vbb = 0, entonces Ib 0. El punto de trabajo es el que intercepta la recta de
carga con la caracterstica Ib = 0. En ese caso la tensi on Vce Vcc e Ic = 0.
Dado que no circula corriente por el colector, a estado se lo denomina corte.
A medida que se aumenta Vbb , aumentara tambien Ib . El punto de trabajo se
desplazara entonces sobre la recta de carga. Observese que un aumento de Ib
implica un incremento proporcional de Ic . Matem aticamente

Ic = Ib (7)

donde es un factor de amplificacion sin dimensiones que, dependiendo del

transistor, puede ir desde algunas decenas hasta algo mas de mil. Esta zona de

9
trabajo se la denomina activa. La Ec. 7 deja de ser cierta cuando alcanzamos
la region de saturaci
on: notese que a partir de cierto valor de Ib (para nuestro
ejemplo Ib = 300 A) un aumento de Ib no implica un aumento correspondiente
de Ic . Por lo tanto puede asegurarse que se ha alcanzado el estado de saturacion
cuando
Ic < Ib (8)
En saturacion Vce es muy cercano al cero, tpicamente Vce = 0, 1V .
Las tres zonas de trabajo del transistor pueden ser discriminadas seg
un la
polarizacion de las junturas base-colector (BC) base-emisor (BE):
En la zona de corte, ambas junturas est
an polarizados inversamente,

En activa, la juntura BE est

a en directa y la BC permanece en inversa

En la zona de saturacion ambas junturas est

an polarizadas en forma di-
recta.

Esta informacion se resume en el cuadro 1. En electronica digital se trabaja

conmutando entre el corte y la saturacion.

BE BC
Corte I I
Activa D I
Saturacion D D

Cuadro 1: Polarizaciones de las junturas base-emisor (BE) y base-colector (BC).

I: Polarizacion Inversa - D: Polarizacion Directa.

El dispositivo descrito anteriormente es la configuraci on mas simple de una

compuerta inversora: al aplicar un potencial alto en la entrada, de manera de
obtener una corriente de base que sature al transistor(Ib > 300 A en nuestro
ejemplo), la diferencia de potencial Vce (salida) es cercana a 0V . Es decir, se
aplica un 1 logico e n la entrada y se obtiene un 0 a la salida. Inversamente,
si se aplica una tension nula en la entrada, la corriente de base sera nula y la
tensi
on de salida (Vce ) sera practicamente Vcc : se aplica un 0 l
ogico y se obtiene
un 1.

Ejemplo 1: Indique en que zona est a trabajando el transistor de la Fig.7 si

Rb = 43 K, Rc = 500 , Vcc = 10 V , Vbb = 5 V y = 100.
N
otese que en este caso, el transistor no puede estar en corte, porque eviden-
temente la tension en la base es mayor que en el emisor. Quedan entonces dos
posibilidades, que este trabajando en la zona activa o que este en saturacion.
El primer metodo de resoluci on que desarrollaremos aqu se basa en suponer a
priori que el transistor est
a en la zona activa y determinar cual es el signo de
la diferencia de potencial Vcb entre el colector y la base. Bajo esta hip otesis es
valido asumir que

Ic = Ib

Vbe = 0,7V por ser una juntura en directa.

10
 El objetivo es conocer cual es la polarizacion de la juntura BC para deter-
minar si est
a polarizada en directa o en inversa, y as saber si el transistor se
encuentra saturado o en la zona activa, respectivamente. Las tensiones en la
malla de entrada satisfacen la siguiente relaci
on:

5V = Ib Rb + Vbe (9)

de donde Ib = 0, 1mA. Luego, se estima la corriente de colector utilizando

la Eq.7, obteniendo Ic = 10mA. Se plantea la malla de salida

10V = Ic Rc + Vcb + Vbe (10)

y resulta Vcb = 1, 3V . Como Vcb > 0, la tensi

on del colector es mayor que
la tensi
on de la base y por lo tanto la juntura est
a en inversa debido a que el
transistor es NPN. Se concluye entonces que el transistor est
a trabajando en la
zona activa.

Ejemplo 2: Se puede resolver el mismo ejercicio anterior suponiendo que el

transistor est
a saturado. En ese caso se asume que

Vce 0,1V (ver curvas caractersticas, en saturacion la tensi

on es cercana
a cero)

Vbe 0,7V

Se calcular
an las corrientes Ib e Ic . Si se cumple la desigualdad (8) se
podr
a asegurar que el transistor est
a saturado.
La corriente de base ya ha sido calculada en el ejemplo anterior (Ib = 0, 1
mA). La segunda malla puede plantearse de la siguiente forma

10V = Ic Rc + Vce (11)

donde se ha considerado directamente el salto del potencial Vce (comparar con
la Ec. (10)). La corriente de colector resultante es Ic = 19, 8 mA. Como es
de esperarse, la desigualdad (8) no se satisface y por lo tanto el transistor no
est
a saturado.

11
3.2.1. Potencia m
axima de salida
El fabricante suele ofrecer una cartilla tecnica con la corriente y potencia
maxima de salida que soporta el transistor, Imax y Pmax , respectivamente. Si se
superan estas cantidades el dispositivo se destruira, y por lo tanto debe tenerse
muy en cuenta al momento de dise nar un circuito. En particular, la potencia de
salida de un transistor viene dada por el producto

P = Ic Vce (12)

Si se fija P = Pmax y se grafica esta relaci on hiperbolica sobre las curvas

caractersticas de salida del transistor, la recta de carga no debe intersecarse
con esta hiperbola, a menos que se desee destruir el dispositivo (ver Fig. 9).

30
PMAX = 60 mW

20
Ic [mA]

10 37.5 mW

25 mW

0
0 5 10 15
VCE [V]

Figura 9: Potencia maxima de salida. Se muestran las curvas correspondientes

para Pmax = 25, 37,5 y 60 mW: esta u ltima es entonces una potencia adecuada
dado que la recta de carga no debe intersecar la curva de potencia maxima.

4. Conversor Digital-Anal
ogico
Entre los dispositivos mas ampliamente utilizados en electronica digital po-
demos mencionar a los convertidores Digital/Anal ogico (D/A). Como su nombre
lo indica, el dispositivo tiene como mision transformar una expresion o informa-
ci
on binaria a valores anal ogicos equivalentes. Es posible configurar un conver-
sor que posea estas caractersticas con el simple uso de resistencias, como por
ejemplo, el denominado red R 2R. Otra implementaci on posible es la red de
resistencias ponderadas, que se propone como experiencia en la gua 2.

4.1. Red R-2R

La Figura 10 muestra un conversor R 2R de tres entradas. La tensi on de
salida Vs en funcion de sus entradas puede obtenerse mediante el uso de la leyes

12
Figura 10: Esquema de un conversor digital - anal
ogico R-2R de tres entradas.

de Kirchoff:

i2 = i1 + i3 (13)
i3 = i0 + i4 (14)

Las corrientes pueden ser inferidas a partir de la ley de Ohm:

E0 V 0
i0 = (15)
2R
E1 V 1
i1 = (16)
2R
V1 V0
i3 = (17)
R
V0
i4 = (18)
2R
La corriente i2 puede ser escrita de diversas formas:

E2 V s
i2 = (19)
2R
Vs V1
i2 = (20)
R
E2 V 1
i2 = (21)
3R
(22)

Reemplazando i1 (Ec. (16)), i2 (Ec. (19)) e i3 (Ec. (17)) en la Ec. (13) se

obtiene

E2 Vs + E1 = 3V1 2V0 (23)

13
mientras que reemplazando i3 (Ec. (17)), i0 (Ec. (15)) e i4 (Ec. (18)) en la Ec.
(14) se obtiene

4V0 = 2V1 + E0 (24)

De las Ec. (23) y (24) podemos eliminar V0 y despejar entonces V1 en funcion
de las tensiones de entrada y salida, resultando

V1 = (E2 + E1 + E0 /2 Vs )/2 (25)

Por otra parte, es facil ver que de las Ec. (20) y (21) puede despejarse V1 ,
obteniendose

V1 = (3Vs E2 )/2 (26)

Finalmente de las dos u
ltimas ecuaciones puede eliminarse V1 y despejar la
tensi
on Vs como
4E2 + 2E1 + E0
Vs = (27)
8
Es posible generalizar este resultado para un n
umero n de entradas, resultando

2n1 En + ... + 2E1 + E0

Vs = (28)
2n

14
Guas de Problemas
5. Gua 1
1. Dispositivos lineales versus no lineales. Grafique como vara la corriente
entre bornes de una resistencia y un diodo, al variar la tensi on desde
1V a 1V con un paso V = 0,2V . Para realizar los gr aficos emplee
la relaci
on teorica corrrespondiente presentada en las clases teoricas (la
Figura 11 muestra el esquema del circuito que debiera emplearse si se
deseara realizar una medici on experimental). Polarice el diodo en forma
inversa cuando sea necesario. La resistencia es de 1 K. El diodo es de
silicio (Si), y su corriente inversa de saturacion es de 1 nA ( = 2).
Describa las diferencias encontradas. Considere que la temperatura de
trabajo es la normal del ambiente (300K).

Figura 11: Circuitos para registrar la variacion de la tensi

on y la corriente en
una resistencia (izquierda) y en un diodo (derecha). Con la letra A se indica un
ampermetro y con la letra V un voltmetro.

2. Proponga y calcule una configuraci on para alimentar a un diodo emisor de

luz (LED) con una fuente de 5V , considerando que la tensi on requerida
entre bornes del LED es de 1, 8V para una corriente de 4mA. Para el
circuito resultante determine el gr
afico de la recta de carga y en el mismo
indique el punto de trabajo del diodo.

3. a) Determinar en que region (corte, activa, saturacion) se encuentra

el transistor de la Figura 12. Considere un transistor de silicio de
= 100.
b) Sin hacer ningun calculo, estime que suceder
a si se aumenta la co-
rriente de base. Luego repita el analisis del circuito anterior, cam-
biando la resistencia de base por una de 50 K.

c) Idem a los incisos a) y b), pero anadiendo una resistencia de 2 K
al emisor.

15
 Figura 12: Transistor polarizado.

4. A partir de las caractersticas del transistor BC547, hallar los valores de

las resistencias Rc y Rb para que el circuito de la Figura 13 funcione como
una compuerta inversora. Se requiere una corriente de colector de 50 mA.
La tensi on de alimentacion y del nivel logico es de 5V . Verifique que el
rango de trabajo se encuentre bajo la lnea de potencia maxima.

Figura 13: Determine los valores de Rc y Rb para que el transistor funcione

en conmutacion. A la derecha se muestra un esquema del transistor BC547.
Datos: NPN, Pmax = 250 mW , Icmax = 100 mA, hF E () = 100.

5. a) Si al circuito de la Figura 13 se le intercala un LED entre el nodo del

colector y la resistencia Rc, calcule cuales deben ser los valores de Rc
y Rb para que el circuito continue funcionando como un conmutador.
Se requiere ic = 40 mA y una cada de tensi on en el LED de 1,8 V .
b) El LED encendera cuando a la entrada tengamos un 1 o un 0 l ogico?
Por que?
6. a) Disene un conversor digital-analogico de tres bits utilizando una red
de resistencias ponderadas, considerando que la tensi on de salida va-
ria de 0 a V . Deducir la funcion tensi
on de salida analogica.
b) Cual es el valor incremental (resolucion) en la tensi
on de salida?

16
6. Gua 2: Laboratorio
1. Utilizando un multmetro, halle los par
ametros caractersticos de los si-
guientes elementos.

Resistencias

Diodos (Tensi
on umbral )

Leds (Tensi
on umbral )

Transistores (Factor )

Bateras (Tensi
on)

2. Sobre la base del ejercicio 2 del practico 1, arme el circuito y compare las
tensiones y corriente que circula con los valores calculados. El punto de
trabajo es el mismo que el calculado?. Por que?.

Te
orico Experimental
Vd (polarizado)
Id
Rd

3. a) Con el transistor BC547 que le sera entregado debe armar una com-
puerta inversora como la que se muestra en la Figura 13. Mida los
par
ametros del transistor que considere necesarios. Luego de calcular
y dise
nar el circuito solicite el resto de los elementos que necesite.
b) Una vez armado, verifique que funcione correctamente. Registre las
tensiones de entrada y salida, como as tambien las VBE , VBC y
VCE . Concluya si efectivamente se han alcanzado oportunamente los
estados de corte y saturacion.

4. a) Incorpore al circuito anterior un LED de la misma forma en que se

indica en el ejercicio 5 del practico 1. Verifique que funcione correcta-
mente. Se condicen estos resultados con el funcionamiento previsto
en el inciso b) del ejercicio mencionado?.
b) Es interesante ver que si adicionamos un elemento en serie a la re-
sistencia de base, la intensidad de la luz emitida por el LED vara.
Compruebelo intercalando diferentes materiales en serie con esta re-
sistencia y luego explique la razon de este comportamiento usando
un grafico que muestre la recta de carga y las caractersticas de salida
de un transistor.

5. Conversor Digital- Analogico + Divisor de Tensi on: Se requiere un dispo-

sitivo que convierta una se
nal digital de 2 bits en una salida anal
ogica, de
acuerdo al siguiente cuadro:

17
 Entrada Digital Salida Digital
00 0V
01 1V
10 2V
11 3V
Disene y construya el dispositivo utilizando una red de resistencias pon-
deradas. Nota: El nivel logico es de 3V y se dispone de una fuente de
5V .
6. Resistencias en modo PULL-UP / PULL-DOWN
Descripci on Las resistencias de tipo pull-up y pull-down, se utilizan para
definir valores de tensi on en ciertos puntos de un circuito y evitar los
valores inciertos com unmente en las entradas de un componente. El valor
de la resistencia debe ser suficientemente alto como para que el puerto de
lectura pueda asumir los valores de intensidad que se establecen. Veamos
un ejemplo: Supongamos que tenemos un registro de desplazamiento como
el de la siguiente figura

Consideremos, incialmente, que ninguna de las resistencias pull-up o pull-

down se encuentra conectada. Como es de esperar el valor en el registro
es incierto luego de cierto n umero de pasos. Este tipo de condiciones en
electronica digital son inaceptables. Para evitar estas incertezas se utilizan
resistencias en modo pull-up y pull-down para fijar un valor de tensi on
deseado, como se muestra en la figura anterior (se debe conectar una u
otra resistencia, no ambas a la vez).
Teniendo en cuenta esta breve descripcion, resuelva los siguientes items
a) Suponga que existen dos modulos sumadores de 4 bits como los de
la figura, como conectara la se
nal CIN para que funcionen correcta-
mente por separado y a su vez puedan acoplarse para formar uno de
8 bits.

b) Dise
ne un circuito de N entradas y una salida (que pueden estar
conectadas o no), el cual al detectar un 1 l
ogico en alguna de las
entradas ponga en alto su salida.

18
7. Gua 3
1. Para cada una de las siguientes compuertas, explique cualitativamente el
funcionamiento del circuito y complete una tabla con los valores l
ogicos
de entrada y salida. Se
nale las resistencias Pull-Up y Pull-Down

a) b) R2 >> R1

c)
d)

e)
2. Se requiere el diseno de un sistema que convierta la entrada digital (2
dgitos binarios) en una salida luminosa que consiste en una seria de 3
LED, como se muestra en la figura.

19
3. Un dispositivo A mide el nivel de aceite de una maquina industrial y en-
trega la lectura en un n
umero binario de 4 dgitos. Se requiere el dise
no de
un dispositivo B, cuya entrada sea la salida de A, que alerte encendiendo
un led amarillo cuando la entrada es mayor o igual a 4, y uno rojo cuando
es mayor o igual a 9. La entrada al dispositivo es un binario de 4 dgitos.
Dise
nar el circuito l
ogico e implementar cada una de las compuertas.

20
8. Material de Consulta
Referencias
[1] J. Millman. Electr
onica; fundamentos y aplicaciones. Hispano-Europea, Bar-
celona, 1979. Solicitarlo por: 621.38. M653-2. Disponible en acceso directo.

[2] Santiago Olvera Peralta. Electronica Analogica. Paraninfo, Madrid, 1999.

Solicitarlo por: 621.38. OL52. Disponible en acceso directo.

[3] M. Alonso y E. Finn. Fsica. Fondo Educativo Interamericano, Bogota,

1971. Solicitarlo por: 530, AL454,3. Disponible en mostrador.

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