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Indice
1. Conducci
on el
ectrica 4
2. Conductores 4
3. Dispositivos Semiconductores 5
3.1. Diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.2. Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2.1. Potencia maxima de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
5. Gua 1 15
6. Gua 2: Laboratorio 17
7. Gua 3 19
8. Material de Consulta 21
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El objetivo fundamental de este texto es brindar a los alumnos elementos de
electronica analogica que les permitan comprender como funcionan las compuer-
tas l
ogicas utilizadas en el curso. Los contenidos pertenecen al espacio curricular
Electronica Digital, materia del segundo ano de la carrera Ingeniera en Sistemas
de la Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires.
Los alumnos han cursado Electricidad y Magnetismo y no poseen conoci-
mientos sobre semiconductores. Las clases practicas consisten en cuatro encuen-
tros de dos horas cada una. La mitad del tiempo se dedica a la resoluci on de
problemas y la otra mitad al armado de circuitos. Dada la escasa disponibilidad
de tiempo, el siguiente material no busca hacer hincapie en aspectos teoricos que
pueden encontrarse ampliamente en la bibliografa, sino que pretende1 ofrecer
aspectos eminentemente practicos.
Agradezco las sugerencias y aportes realizadas por el Ing. Jose Marone, que
permitieron mejorar el contenido de las Guas de problemas.
1y probablemente no logre.
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1. Conducci
on el
ectrica
Para poder entender los fenomenos de conductibilidad electrica se recurre al
concepto de niveles y bandas de energa. Las energas permitidas para los electro-
nes dependen de la distancia interatomica. En un atomo aislado, los electrones
pueden tener s olo ciertas cantidades discretas de energa, como se muestra en
la Fig. 1. Cuando se tiene un conglomerado de atomos cercanos entre s de ma-
nera tal que el conjunto conforma un cristal, la energa puede tomar cualquier
valor dentro de ciertos intervalos permitidos (denominados bandas). Los elec-
trones llenan las bandas de menor energa. La u ltima banda completa de
electrones se denomina banda de valencia (BV) y la inmediata superior banda
de conduccion (BC).
2. Conductores
La relaci
on tensi
on-corriente en una resistencia viene dada por la ley de
Ohm:
V = IR (1)
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Figura 2: Estructura de bandas de un conductor: a) La BC posee algunos elec-
trones responsables de la conductividad. b) Las BC y BV est
an solapadas.
R = L/A (2)
3. Dispositivos Semiconductores
La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes
y la de los metales. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores
mas frecuentemente utilizados en la fabricacion de diodos y transistores. Ambos
atomos, cuando est an aislados, poseen cuatro electrones en su ultima capa de
energa, es decir, son tetravalentes.
Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrnseco)
a una temperatura de cero grados Kelvin, los electrones de la red ocupar an
todos los estados de energa posibles dentro de la BV. De esta manera, al no
quedar estados libres dentro de esta banda, y al verse imposibilitados de pasar
a la banda de conducci on donde s hay estado libres, el material se comporta
como un aislante. Si se incrementa la temperatura, algunos electrones tendr an
una probabilidad no nula (la distribuci on de probabilidad que corresponde es la
de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podra conducir.
Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente, como los que men-
cionamos previamente, al que se le agrega una peque na dosis de atomos (impu-
rezas) de atomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo). A este tipo de materiales
los denominaremos tipo n. La estructura de bandas se modifica, apareciendo un
nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducci on.
Un electron que ocupa este nivel de energa facilmente puede saltar a la banda
de conducci on.
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De la misma manera, podemos ahora considerar un semiconductor puro te-
travalente al que se le agrega una peque na dosis de atomos (impurezas) de
atomos tetravalentes (por ejemplo Boro). A este tipo de materiales los deno-
minaremos tipo p. La estructura de bandas se modifica, apareciendo un nuevo
nivel de energa en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. Con
alta probabilidad, un electron en la banda de valencia puede ocupar ese estado
en la banda prohibida, dejando un estado libre en la BV. Ahora, los electrones
en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducci on.
3.1. Diodos
Un diodo es un dispositivo no lineal de dos terminales. Posee la propiedad de
conducir corriente en un solo sentido (corriente directa). Esta fabricado sobre
una pastilla semiconductora a la cual se le agregan impurezas para formar un
a
nodo tipo p y un catodo tipo n (ver Fig. 3).
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Figura 4: Curva caracterstica del diodo. La diferencia de potencial V aplicada
se refiere al potencial en el
anodo respecto del catodo.
3.2. Transistor
El transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo semiconductor de
tres terminales construido como dos uniones PN similares a las del diodo. Exis-
ten dos clases de transistores de acuerdo a como este construido: NPN y PNP.
La Fig. 5 muestra el esquema de los transistores y su simbologa.
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transistor posee tres par
ametros a variar cuando se desea caracterizar su salida:
on colector-emisor Vce 3 . El
la corriente de base Ib , la de colector Ic , y la tensi
fabricante proporciona un gr afico con las curvas caractersticas de salida como
la que se muestra en la Fig.6. Para obtener dichas curvas se sigue el siguiente
procedimiento: se fija una corriente de base, por ejemplo Ib = 0 mA, y se grafica
Ic a medida que se aumenta la tensi on Vce desde 0 hasta cierto valor (20 V en
este ejemplo). El proceso se repite para diferentes valores de Ib . A la izquierda
de cada curva aparece el valor de Ib correspondiente.
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de donde
Ic = (Vcc Vcc )/Rc (6)
Se puede trazar esta relaci on sobre las curvas caractersticas de salida. Dado
que la Ec. 6 es una relacion lineal entre Ic y Vce , dos puntos son suficientes para
determinarla, por ejemplo, en las intersecciones con los ejes: (Ic = 0; Vce = Vcc )
e (Ic = Vcc /Rc ; Vce = 0). La lnea resultante es habitualmente denominada recta
de carga. Para poder trazar una recta sobre las curvas caractersticas de la Fig.
6, elegiremos a modo de ejemplo valores particulares para Vcc = 15 V y Rc = 1, 5
K. Los puntos de intersecci on con los ejes vienen dados por (Ic = 0; Vce = 15
V) e (Ic = 10 mA;Vce = 0). Las curvas caractersticas y la recta de carga est an
trazadas en la Fig. 8.
Notese que una vez trazada la recta de carga, Ic y Vce quedan determinadas
si se conoce IB . Por ejemplo, si Ib = 50 A, Ic = 3, 75 mA y Vce = 10 V ;
si Ib = 150 A, Ic = 7, 5 mA y Vce = 3, 75 V . El par (Ic ; Vce ) se denomina
punto de trabajo. Como siempre debe cumplirse la ley de Kirchoff, este punto
se encuentra sobre la recta de carga. Esta posibilidad de controlar Ic mediante
Ib es frecuentemente utilizada para plantear una analoga entre un transistor y
un grifo: el caudal de agua (Ic ) es controlado por la apertura de una llave(Ib ).
Es facil analizar ahora que sucedera al variar la tensi
on de entrada Vbb : si
Vbb = 0, entonces Ib 0. El punto de trabajo es el que intercepta la recta de
carga con la caracterstica Ib = 0. En ese caso la tensi on Vce Vcc e Ic = 0.
Dado que no circula corriente por el colector, a estado se lo denomina corte.
A medida que se aumenta Vbb , aumentara tambien Ib . El punto de trabajo se
desplazara entonces sobre la recta de carga. Observese que un aumento de Ib
implica un incremento proporcional de Ic . Matem aticamente
Ic = Ib (7)
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trabajo se la denomina activa. La Ec. 7 deja de ser cierta cuando alcanzamos
la region de saturaci
on: notese que a partir de cierto valor de Ib (para nuestro
ejemplo Ib = 300 A) un aumento de Ib no implica un aumento correspondiente
de Ic . Por lo tanto puede asegurarse que se ha alcanzado el estado de saturacion
cuando
Ic < Ib (8)
En saturacion Vce es muy cercano al cero, tpicamente Vce = 0, 1V .
Las tres zonas de trabajo del transistor pueden ser discriminadas seg
un la
polarizacion de las junturas base-colector (BC) base-emisor (BE):
En la zona de corte, ambas junturas est
an polarizados inversamente,
BE BC
Corte I I
Activa D I
Saturacion D D
Ic = Ib
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El objetivo es conocer cual es la polarizacion de la juntura BC para deter-
minar si est
a polarizada en directa o en inversa, y as saber si el transistor se
encuentra saturado o en la zona activa, respectivamente. Las tensiones en la
malla de entrada satisfacen la siguiente relaci
on:
5V = Ib Rb + Vbe (9)
Vbe 0,7V
Se calcular
an las corrientes Ib e Ic . Si se cumple la desigualdad (8) se
podr
a asegurar que el transistor est
a saturado.
La corriente de base ya ha sido calculada en el ejemplo anterior (Ib = 0, 1
mA). La segunda malla puede plantearse de la siguiente forma
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3.2.1. Potencia m
axima de salida
El fabricante suele ofrecer una cartilla tecnica con la corriente y potencia
maxima de salida que soporta el transistor, Imax y Pmax , respectivamente. Si se
superan estas cantidades el dispositivo se destruira, y por lo tanto debe tenerse
muy en cuenta al momento de dise nar un circuito. En particular, la potencia de
salida de un transistor viene dada por el producto
P = Ic Vce (12)
30
PMAX = 60 mW
20
Ic [mA]
10 37.5 mW
25 mW
0
0 5 10 15
VCE [V]
4. Conversor Digital-Anal
ogico
Entre los dispositivos mas ampliamente utilizados en electronica digital po-
demos mencionar a los convertidores Digital/Anal ogico (D/A). Como su nombre
lo indica, el dispositivo tiene como mision transformar una expresion o informa-
ci
on binaria a valores anal ogicos equivalentes. Es posible configurar un conver-
sor que posea estas caractersticas con el simple uso de resistencias, como por
ejemplo, el denominado red R 2R. Otra implementaci on posible es la red de
resistencias ponderadas, que se propone como experiencia en la gua 2.
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Figura 10: Esquema de un conversor digital - anal
ogico R-2R de tres entradas.
de Kirchoff:
i2 = i1 + i3 (13)
i3 = i0 + i4 (14)
E0 V 0
i0 = (15)
2R
E1 V 1
i1 = (16)
2R
V1 V0
i3 = (17)
R
V0
i4 = (18)
2R
La corriente i2 puede ser escrita de diversas formas:
E2 V s
i2 = (19)
2R
Vs V1
i2 = (20)
R
E2 V 1
i2 = (21)
3R
(22)
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mientras que reemplazando i3 (Ec. (17)), i0 (Ec. (15)) e i4 (Ec. (18)) en la Ec.
(14) se obtiene
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Guas de Problemas
5. Gua 1
1. Dispositivos lineales versus no lineales. Grafique como vara la corriente
entre bornes de una resistencia y un diodo, al variar la tensi on desde
1V a 1V con un paso V = 0,2V . Para realizar los gr aficos emplee
la relaci
on teorica corrrespondiente presentada en las clases teoricas (la
Figura 11 muestra el esquema del circuito que debiera emplearse si se
deseara realizar una medici on experimental). Polarice el diodo en forma
inversa cuando sea necesario. La resistencia es de 1 K. El diodo es de
silicio (Si), y su corriente inversa de saturacion es de 1 nA ( = 2).
Describa las diferencias encontradas. Considere que la temperatura de
trabajo es la normal del ambiente (300K).
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Figura 12: Transistor polarizado.
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6. Gua 2: Laboratorio
1. Utilizando un multmetro, halle los par
ametros caractersticos de los si-
guientes elementos.
Resistencias
Diodos (Tensi
on umbral )
Leds (Tensi
on umbral )
Transistores (Factor )
Bateras (Tensi
on)
2. Sobre la base del ejercicio 2 del practico 1, arme el circuito y compare las
tensiones y corriente que circula con los valores calculados. El punto de
trabajo es el mismo que el calculado?. Por que?.
Te
orico Experimental
Vd (polarizado)
Id
Rd
3. a) Con el transistor BC547 que le sera entregado debe armar una com-
puerta inversora como la que se muestra en la Figura 13. Mida los
par
ametros del transistor que considere necesarios. Luego de calcular
y dise
nar el circuito solicite el resto de los elementos que necesite.
b) Una vez armado, verifique que funcione correctamente. Registre las
tensiones de entrada y salida, como as tambien las VBE , VBC y
VCE . Concluya si efectivamente se han alcanzado oportunamente los
estados de corte y saturacion.
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Entrada Digital Salida Digital
00 0V
01 1V
10 2V
11 3V
Disene y construya el dispositivo utilizando una red de resistencias pon-
deradas. Nota: El nivel logico es de 3V y se dispone de una fuente de
5V .
6. Resistencias en modo PULL-UP / PULL-DOWN
Descripci on Las resistencias de tipo pull-up y pull-down, se utilizan para
definir valores de tensi on en ciertos puntos de un circuito y evitar los
valores inciertos com unmente en las entradas de un componente. El valor
de la resistencia debe ser suficientemente alto como para que el puerto de
lectura pueda asumir los valores de intensidad que se establecen. Veamos
un ejemplo: Supongamos que tenemos un registro de desplazamiento como
el de la siguiente figura
b) Dise
ne un circuito de N entradas y una salida (que pueden estar
conectadas o no), el cual al detectar un 1 l
ogico en alguna de las
entradas ponga en alto su salida.
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7. Gua 3
1. Para cada una de las siguientes compuertas, explique cualitativamente el
funcionamiento del circuito y complete una tabla con los valores l
ogicos
de entrada y salida. Se
nale las resistencias Pull-Up y Pull-Down
a) b) R2 >> R1
c)
d)
e)
2. Se requiere el diseno de un sistema que convierta la entrada digital (2
dgitos binarios) en una salida luminosa que consiste en una seria de 3
LED, como se muestra en la figura.
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3. Un dispositivo A mide el nivel de aceite de una maquina industrial y en-
trega la lectura en un n
umero binario de 4 dgitos. Se requiere el dise
no de
un dispositivo B, cuya entrada sea la salida de A, que alerte encendiendo
un led amarillo cuando la entrada es mayor o igual a 4, y uno rojo cuando
es mayor o igual a 9. La entrada al dispositivo es un binario de 4 dgitos.
Dise
nar el circuito l
ogico e implementar cada una de las compuertas.
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8. Material de Consulta
Referencias
[1] J. Millman. Electr
onica; fundamentos y aplicaciones. Hispano-Europea, Bar-
celona, 1979. Solicitarlo por: 621.38. M653-2. Disponible en acceso directo.
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