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resueltos y propuestos
de Transistores BJT
Citando o recurriendo a una ecuacin de un ejercicio se har lo siguiente para responder dicha pregunta
= = 0 +
= =
Vce=Vcc
Ic
= + ()
La corriente de colector
tendr pendiente negativa,
abrir en este valor, que de
Pendiente negativa echo es la corriente mxima
en el colector o simplemente Esta grafica es del colector, pero bien
Vcc es un valor de saturacin se puede aplicar lo mismo al emisor,
conocido por ende es 0 esto pasa cuando tenemos una
una constante, pero De la ecuacin del punto Q configuracin de colector comn como
cuando Vce=0, observe se vera en el ejercicio N6
lo siguiente =
Ejercicio N1, verificar el punto de operacin del siguiente arreglo con
transistor BJT cdigo: 2N3904
Emisor comn Primero para verificar el punto Q hay que saber cuanto es
el valor de Ic pero hemos visto que Ic depende de la
corriente de base por ende calculemos dicha corriente.
= , 10 0,7 R.1
= = = 0,93
10
Este Beta (), fue medido en el programa Ahora bien para saber si el Q estar en saturacin o no,
multisim mediante una herramienta BJT podemos comprobar el valor de Icc o corriente del
analizer microchips, en la cual daba el valor colector mximo
real del beta para las condiciones del
20
circuito mostrado = = = 20 C.1
1
Observe que Ic es aproximadamente Ic(sat) Noten que el valor mnimo del voltaje colector se hace
mas pequeo cuando la Ib aumenta y en consecuencia
Ic lo hace y Vce disminuye como se noto en la R.3
Por tanto esta red estar en saturacin
Comprobemos si los valores son los adecuados con la
Calculando el Vce simulacin en multisim 12.0
= R.3
= 20 .
= 20 19,88 . 1 Ic
() =
Ib
Recta de carga
Vce
Ejercicio N2, verificar el punto de operacin del siguiente
arreglo con transistor BJT cdigo: 2N3904
Hallar Ib para as determinar el Q de
Polarizacin por estabilizacin por resistencia de emisor
operacin
+ 2,2. + + 200. = 0
= ,
(2,2 + 200( + 1)=1
1 0,3
= = = 8,30 R.4
2,2 + 200(168,9 + 1) 36.180
() 10
min = = = 50
200
a) Cul es el Vce cuando Vent =0 V
b) Qu valor mnimo de Ib se requiere para Con este valor de corriente podemos hallar
llevar a saturacin este transistor si la resistencia en la base RB
200?
c) Calcule el valor mximo de Rb cuando 5 0,7
= = = 86
Vent=5 V () 50
Ejercicio N4, hallar la potencia disipada en el transistor y
hallar el punto Q
Circuito equivalente
Hallando Vce
=
= 15 . + .
= 15 0,221 . 1 4,42 + 0,221 . 500
= 15 0,22 0,11
= 14,67
: = +
VBB=12 v
+
-
2
= . Hallando Ib
1 + 2
50
= 12. 3,53 0,7
50 + 120 = =
= , + 1 + . 35,29 + 1 + 150 . 1,5
=
= . = 150 10 = ,
12
= = = ,
5
Hallando el Vce
a)Recta de carga
= = . + .
Regin activa
= ,
Con:
Ic=1,5 mA )
Vce=2,25 V = .
Ic(sat)=2,4 mA = 1,5 . 2,25
Vcc=12 V () = 3,375
LVK
c) Saturacin
. + . + 1 = 0
Despejando Ib
1 20 0,7
= =
+ + 1 . 240 + 197 + 1 . 2
=
Recta de carga + . 20 = 0
Despejando Ie
20
=
Cuando Vce=0, Ie es mxima (saturacin)
20 20
() = = =
2
Bibliografa:
Robert Boylestand 10ma
Halle el punto de operacin Q edicin
Thomas Floyd 10ma edicin
Asignatura: electrnica I
Preparador: Haddad Luis
Carrera: ingeniera en telecomunicaciones
Centro de estudio: U.N.E.F.A
Ncleo: Naguanagua