Cap6 PerfisDeResistividade

Universidade Federal do Rio Grande do Norte UFRN
Departamento de Engenharia de Petrleo
Disciplina:
Perfilagem de poos - PTR0403
Professor:
German Garabito
Natal-RN, Semestre 2016.2

Programa da disciplina
5. Perfis eltricos de resistividade
5.1. Princpios bsicos
5.1.1. Distribuio radial de resistividades no poo
5.1.2. Classificao dos perfis de resistividade
5.1.3. Aplicaes
5.2. Medies de resistividade
5.3. Sondas no focalizadas
5.3.1. Configuraes normal e lateral
5.3.2. Resistividade aparente
5.3.3. Raio de investigao
5.3.4. Correes ambientais
5.3.5. Exemplos de perfis normal e lateral
5.3.6. Microperfil
5.4. Sondas focalizadas
5.4.1. Lateroperfis LL3, LL7, LL8
5.4.2. Duplo lateroperfil DLL
5.4.3. Perfil focalizado esfrico (SFL)
5.4.4. Microperfis - MLL, PL, MSFL
5.5. Exemplos de aplicaes
Disciplina: Perfilagem de Poos DPET/UFRN Prof. German Garabito

5. Perfis de resistividade
Resistividade eltrica dos materiais
A lei de Ohm estabelece que para determinado condutor mantido

temperatura constante a voltagem aplicada nos terminais do condutor
proporcional corrente eltrica que o percorre:
V=RI ou R = V/ I (1)
V diferena de potencial em Volts (V);
I corrente eltrica em Ampere (A);
R resistncia eltrica em Ohm ().
Devido dificuldade que os eltrons livres encontram para se deslocar, h

uma resistncia passagem de corrente eltrica no condutor, que pode
ser medida atravs da resistncia eltrica do condutor.
A resistncia eltrica pode ser entendida como a dificuldade de se

estabelecer uma corrente eltrica num determinado condutor
Os fatores que influenciam na resistncia eltrica de um condutor so:
Geometria do condutor (comprimento L (m) e rea transversal S (m2))
Tipo de material
Temperatura
L
R V
S
Resistividade
L I

V RI I
S rea S
Comprimento L
V S S
R (2)
I L L
Sendo resistividade eltrica do condutor expressa em ohm-m2/m ou

ohm-m; -m, que depende do tipo material de e da sua temperatura.
A condutividade eltrica de um material a habilidade de permitir o
fluxo de corrente eltrica atravs dela.
A condutividade, , definida como o reciproco da resistividade, , dada
por:
1 I L
(1)
V S
As unidades so:
Siemens m
1
mSiemens m
ou
1000
[ohm m] [ohm m]
Tanto a resistividade como a condutividade podem ser medidos

diretamente pelos perfis geofsicos de poo.
A resistividade eltrica de uma formao geolgica sua habilidade de

impedir o fluxo de corrente eltrica atravs dela.
A resistividade de uma formao depende:
Presena de fluidos (gua da formao e hidrocarbonetos)
Salinidade da gua da formao
Temperatura da gua da formao
Volume de gua saturada nos poros
Geometria dos poros
Morfologia e tipos de minerares argilosos

Resistividade eltrica
dos materiais
Valores tpicos de
resistividade de alguns
elementos, minerais,
rochas e fluidos.
Fonte: Serra, (2007)

Resistividades e condutividades de minerais e Variaes das resistividades em

rochas ( Telford et al., ; Aktaraki, 2008) rochas e alguns sedimentos.
Medidas de resistividade da formao so de particular importncia para
a avaliao da saturao de hidrocarboneto, em particular da zona no
invadida do reservatrio.
Com base no arranjo dos eletrodos, podem ser medidas as resistividades
da formao de diferentes zonas:
Zona infiltrada ou lavada, Rxo

Zona de transio ou invadida, Ri
Zona no invadida ou virgem, Rt
Combinaes dessas resistividades com medies de porosidade, , e

resistividade da gua da formao, Rw, permitem o clculo da saturao de
agua, Sw, tanto na zonas rasas ou profundas da formao.
A comparao dos dois valores de saturao fornece uma ideia da

mobilidade do fluido e, como consequncia, permitira a avaliao da
produtividade do reservatrio.
Zoneamento radial do fluido no poo e resistividades
Rm Resistividade da lama de perfurao

Rmc Resistividade do reboco de lama
Rmf Resistividade da lama filtrada
Rxo Resistividade da zona lavada
Rt Resistividade da zona no invadida
Rw Resistividade da agua da formao
Sxo Saturao de agua da zona lavada
Sw Saturao de agua da zona no invadida
Distribuio radial de resistividades no poo
Perfis de resistividade para uma

formao saturada com agua.
a) Lama com agua no salgada

b) Lama com agua salgada
Distribuio radial de resistividades no poo
Perfis de resistividade para uma

formao saturada com hidrocarboneto e
gua.
a) Lama de perfurao com gua no

salgada (Rmf >> Rw)
b) Lama de perfurao com gua

salgada (Rmf ~ Rw)
Principais aplicaes dos perfis de resistividade
Identificao de zonas porosa-permeveis

Determinao de zonas com hidrocarboneto e zonas com gua
Clculo da saturao
A saturao de gua da formao, Sw, pode ser determinada a partir da

relao Archie:
1 1
a Rw n
Rw n
S w m FR
Rt Rt
a Fator de tortuosidade
m Fator de cimentao
n Exponente de saturao
Rw Resistividade da gua da formao
Porosidade
Rt Resistividade da formao (perfis de resistividade profundos)
Classificao dos perfis de resistividade e condutividade
Fonte: Asquith, G., and D. Krygowski (2004)

Considera-se um eletrodo A num meio

homogneo infinito, emitindo uma
corrente com intensidade I, e um
eletrodo B na superfcie.
A corrente irradiada uniformemente

em todas as direes e as superfcies
equipotenciais so esferas concntricas
com relao ao ponto A.
Sendo V(r) o potencial a uma distancia r,

ento, a diferena de potencial dV entre
dois equipotenciais separadas por dr
dada por:
dV = ( R I / 4 r2 ) dr (3)
em que R denota a resistividade do meio.
Integrando dV entre r e infinito (potencial zero), obtm-se

dr RI 1 RI 1 1 RI
V RI (4)
r 4 r 2 4 r r 4 r 4 r
Portanto, a resistividade expressa por:

R = 4 r (V / I ) (5)
A partir de (3) pode ser obtido o campo eltrico, H, como:
H = dV / dr = RI / 4 r2 (6)
Colocando em evidencia a resistividade obtm-se:
R = (4 r2 / I )(dV / dr) (7)
Segundo as equaes (5) e (7) as resistividades podem ser medidas de

duas maneiras, ou seja, por meio de dois tipos de arranjos de eletrodos:
normal e lateral.
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Configurao Normal:
Para um meio homogneo, o

potencial VM medido em M,
usando a eq. (5) resulta:
VM = R I / 4 AM
Como I mantido constante, VM

proporcional a R, assim 4 AM
o coeficiente da ferramenta
normal KN:
R = KN ( V / I )
Portanto, do registro ou
Configurao normal. a) principio da ferramenta
medio continua de VM resulta
normal e b) configurao real.
o perfil de resistividade.
- Normal Curta (SN), espaamento AM = 16 = 40,65 cm

- Normal Longa (LN), espaamento AM = 64 = 162,56 cm
Configurao Lateral e Inversa:
A diferena de potencial V, entre as
superfcies equipotenciais esfricas em
M e N pode ser obtida de:
VM = RI / 4 AM
VN = RI / 4 AN
Somando ambos obtm-se V como:
V =VM - VN = R I (MN / 4 AMAN)
O coeficiente da ferramenta lateral KL

dada por:
KL = 4 AM AN / MN Configurao lateral. a) principio da ferramenta

assim lateral e b) configurao real. O espaamento
entre AO (ou MO para a inversa) em geral 18,8
R = KL (V / I )
(47,75 cm) Fonte: Serra, (2007)
Para I constante a resistividade proporcional a V.
Resistividade aparente
A resistividade medida no corresponde a resistividade da formao
virgem devido a diversos fatores como: extenso finita, heterogeneidade
causada pelas formaes adjacentes, fluido do poo, zonas de invaso, etc.
As superfcies equipotenciais no so mais esferas, mas a seguinte relao
geral ainda valida:
Ra = K ( V / I )
Em que Ra a resistividade aparente (ou medida), V igual a V para a
configurao normal e igual a V para a configurao lateral. K o
coeficiente geomtrico para a configurao de eletrodos utilizada.
Aps a correo de Ra pelo efeito do poo (Ra)c, uma boa aproximao de Rt
pode ser obtida considerando as zonas invadida e virgem em serie:
(Ra)c= Ji Rxo + ( 1 - Ji ) Rt
em que Ji o fator pseudo-geomtrico correspondente a prof. de invaso.

Para determinar Rt pela relao acima necessrio conhecer Rxo .
Raio de investigao da sonda Normal
Considerando um meio homogneo e

isotrpico, o raio de investigao
da ferramenta normal
aproximadamente igual a dois vezes
o espaamento AM.
Raio de investigao para a configurao

normal:
a) Posio dos eletrodos
b) Contribuio das varias zonas em funo Fonte: from Desbrandes (1868), In Serra, (2007)
da distancia a partir da sonda.
Raio de investigao da sonda Lateral
O raio de investigao na ferramenta lateral aproximadamente igual a
distancia AO (ou MO para a configurao inversa), com a maior parte do
sinal que vem da parte mais afastada da esfera.
Raio de investigao para a configurao

lateral:
a) Posio dos eletrodos no poo.
b) Contribuio das varias zonas em
funo da distancia a partir da sonda.
Fonte: from Desbrandes (1868), In Serra, (2007)

Raio de investigao
A profundidade de investigao em meios heterogneos no pode ser
descrita considerando uma simples esfera.
O volume do material que contribui ao sinal depende muito das condies
do poo e/ou resistividade das zonas heterogneas, como: dimetro do
poo, reboco da lama, formao invadida e virgem.
Portanto, o raio de investigao depende do meio e da configurao de
eletrodos:
Em geral, o raio de investigao maior que o espaamento entre o

arranjo de eletrodos.
Para uma dada configurao de eletrodos, o raio de investigao pode

ser pequena quando a formao mais resistiva que a lama.
Para um dado espaamento, a configurao normal tem um raio de

investigao maior que a configurao lateral ou inversa.
Correes ambientais
A resistividade aparente medida pela sonda pode ser expressa como:
Ra = f ( Rm , dh , Rmc , hmc , Rxo , di , Rt , h , Rs )
Portanto, para obter Rt necessrio corrigir Ra por todos os efeitos

ambientais.
As correes ambientais podem ser realizados utilizando formulas ou

grficos disponveis para:
Correo do poo
Correo da zona de invaso
Espessura da camada
outros
Correes ambientais - Exemplo
Grfico para correo do dimetro

do poo considerando zero de
invaso e espessura infinita da
camada, aplicvel para as
ferramentas lateral e/ou inversa de
188 e normal curta de 16.
Fonte: Courtesy of Slumberger, In Serra, (2007)

Apresentao do perfil Normal
Fonte: Adaptado de Doll el al., em

Ellis & Singer, 2008.
Sonda short normal e respostas em duas situaes: Espessura da camada maior a

AM e menor AM. Sendo e a espessura da camada e d o dimetro do poo.
Apresentao do perfil Normal
Influencia da espessura da camada e resistividades nas repostas do perfil normal.

(a) camadas com alta resistividade e (b) camadas com baixa resistividade
Fonte: Schlumberger (1989)
Apresentao do perfil Lateral
Fonte: Cortesia Schlumberger., em

Ellis & Singer, 2008.
Sonda Lateral e respostas em duas situaes: Espessura da camada maior a AO e

menor AO. O o ponto mdio entre M e N, h a espessura da camada.
Apresentao do perfil Lateral
Fonte: Schlumberger (1989)
Influencia da espessura da camada e resistividades nas repostas do perfil normal.

(a) camadas com alta resistividade e (b) camadas com baixa resistividade
Apresentao dos perfis Normal e Lateral
a) Camada resistiva e com espessura

maior que a distancia de separao
entre eletrodos (h > AM ou h > AO)
b) Camada resistiva e com espessura

menor que a distancia de separao
entre eletrodos (h < AM ou h < AO)
c) e d) Camadas condutivas com

espessuras pouco maiores que a
distancia de separao entre eletrodos
(h < AM ou h < AO)
e) Camada com muito alta resistividade

e espessura maior que a separao
entre eletrodos ( h > AM ou h > AO)

5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento curto
Porque o conhecimento da resistividade Rxo importante?
- Para a correo da resistividade de zonas profundas devido influencia

da zona invadida, quando a invaso moderada a profunda.
- Alguns mtodos requerem do conhecimento da razo Rxo/Rt. para o

clculo da saturao de gua na zona virgem.
- Em formaes limpas, o clculo do fator de formao, F, e da

porosidade, , pode ser realizado a partir do conhecimento de Rxo e Rmf,
presumindo Sxo ser estimado ou fixado como 100%.
Para medir Rxo a ferramenta deve ter uma profundidade de investigao

rasa, porque a zona lavada pode-se estender somente alguns poucos
centmetros da parede do poo.
Portanto, para que as medidas no sejam afetadas pela lama de

perfurao, usa-se a ferramenta microlog com eletrodos num patim que
deslocado sobre a parede do poo
A sonda microlog composta

por trs eletrodos em forma
de botes que so montados
num patim de borracha
preenchida com leo.
Os micrologs so registrados
simultaneamente com os
eletrodos separados de 1
por 1 micro-inversa (R1x1) e
2 micro-normal (R2). Microlog Fotografia e representao
esquemtica de um patim hidrulico (Fonte:
Courtesy of Schlumberger, In Serra, 2007)
Exemplo de micro-perfis (microlog) normal e

inversa num reservatrio poroso e permevel.
A separao entre micro-normal e micro-inverso

em frente do reboco do poo indica, em geral,
uma zona porosa e permevel.
Exemplos de micro perfis:
Perfil micro-normal (MNOR),

linha tracejada, mede a
resistividade da zona lavada.
Perfil micro-inverso (MINV), linha

continua, mede a resistividade do
reboco da lama presente no
poo.
Reboco e permeabilidade so
indicados pela separao
positiva que acontece onde o
perfil MNOR mostra maior
resistividade que o perfil MINV.
5. Analise de perfis de resistividade
Classificao dos perfis de resistividade
Fonte: Asquith, G., and D. Krygowski (2004)

5.2. Lateroperfis (laterologs)
As ferramentas de resistividade no focalizadas podem ser bastante
afetadas pelas condies do poo e as formaes adjacentes.
- Em camadas finas (com espessura
aprox. igual ao espaamento dos
eletrodos) a resistividade aparente
uma pobre estimativa do valor
real, por causa da influencia das
camadas adjacentes.
- Os limites das camadas so difceis
de definir com preciso.
- Os efeitos das condies do poo

(coluna de lama, dimetro, etc) e zona
invadida so, em geral, bastante
significativos.
- Os grficos ou equaes disponveis
para correes ambientais so
raramente 100% efetivos.
O principio da focalizao
consiste em forar a emisso de
corrente focalizada, I0, para a
formao por meio de eletrodos
guard ou de monitoramento
simetricamente distribudos.
Todas as correntes dos

eletrodos focalizantes retornam
a um eletrodo localizado longe
de A0.
O ponto de medio para todas

as ferramentas focalizadas
corresponde ao centro do
eletrodo A0.
Tipos de lateroperfis:
Lateroperfil-3 (LL3)
Duplo Lateroperfil (DLL -> LLd e LLs)
Perfil focalizado esfrico (SFL)
Micro-perfis
- As sondas LL3, LL7, LL8 so obsoletas
- A sonda DLL contem as sondas LLd e LLs que podem ser registradas
simultaneamente.
5.2. Resoluo vertical e profundidade de investigao de Lateroperfis
Resoluo vertical
A definio da espessura mnima da

camada corresponde espessura do
disco de corrente focalizado, I0, ou
ainda igual a distancia 01 O2.

5.2. Resoluo vertical e profundidade de investigao de Lateroperfis
Profundidade de investigao
O raio de investigao dos laterologs
depende de dois fatores:
- comprimento dos eletrodos
focalizantes e
- contraste de resistividade das
zonas virgem e invadida.
Exemplos:
Leituras de zonas rasas, Rxo, so
realizados com MFSL.
Leituras de zonas rasas, prximas de 0,51 1,02 2,02
Rxo, so realizados com LLs e LL8.

Leituras de zonas profundas, Fator geomtrico integrado
prximas de Rt, so realizados com as
sondas LLd, LL3 e LL7.
5.2. Lateroperfis
O eletrodo A0 emite corrente varivel I0
atravs da formao para um eletrodo remoto.
Os eletrodos A1-A1 foram as linhas de

corrente de A0 para dentro da formao.
O potencial V0 de A0 mantido igual al

potencial de A1-A1 por meio da variao da
corrente I0 .
Assim A1-A0-A1 formam superfcies

equipotenciais de forma que a corrente I0 flui
perpendicularmente, como um disco, com
espessura 0-0 (12 in ou 30,48 cm).
A intensidade I0 medida inversamente

proporcional resistividade da formao:
Fonte: Ellis & Singer, (2008)
R = K V0 / I0
5.2. Lateroperfis
Influencia de formaes condutivas com alto contraste nas medidas de

resistividade aparente com a ferramenta LL3:
(a) a corrente passa atravs da lama para a camada inferior condutiva,
(b) efeito de uma camada fina condutiva.
5.2. Lateroperfis
Composto por um eletrodo central A0 e trs
pares de eletrodos M1-M2, M1-M2 e A1-A1.
Uma corrente constante I0 emitida de A0

para um eletrodo de retorno remoto.
Uma corrente de focalizao IB flui a partir dos

eletrodos A1-A1 , e ela ajustada para manter
com o mesmo potencial os eletrodos de
monitoramento M1-M1 e M2-M2.
A corrente emitida de A0 forada pelos

equipotenciais para fluir na formao em
forma de um disco perpendicular sonda.
Em geral, a espessura entre O-O 32 in

(81,28 cm) e a distancia entre A1-A1 80 in
(203,0 cm).
Sendo I0 constante, o potencial medido em
um dos eletrodos M proporcional
resistividade da formao.
5.2. Lateroperfis
Exemplo:
Faixa 2 - Lateroperfil-3 (LL3) que mede a

resistividade da formao Rt .
Valor de resistividade:
21 ohm-m na profundidade de 3948 ft
Faixa 3 Mircro-lateroperfil (MLL) que mede a

resistividade da zona lavada Rxo.
Valor de resistividade:
8 ohm-m na profundidade de 3948 ft
Fonte: Asquith & Krygowski (2012)

5.2. Lateroperfis
Exemplo:
Faixa 1 Perfis GR, Caliper, Bit Size, SP
Faixa 2 Perfis de resistividade: Short

Normal, Long Normal, LL3 e RMF.
Fonte: http://www.pacificsurveys.com/images/02_ll3a.jpg
5.4. Perfil com focalizao esfrica
O perfil focalizado esfrico tambm foi projetado para compensar o efeito do
poo, e tem sido adotado para medidas de resistividades rasas e intermediarias.
Linhas de corrente aproximadas e superfcies Configurao de eletrodos para um arranjo

equipotenciais para a sonda Normal Curta focalizado esfrico. Cortesia Schlumberger.
Fonte: Ellis & Singer, 2008.

Consiste de 1 eletrodo central A0 e 8
eletrodos simetricamente distribudos,
conectados em pares M0-M0, A1-A1, M1-
M1 e M2-M2.
Uma corrente varivel, I0, transmitida
de A0 para manter com os mesmos
potenciais os eletrodos M1-M1 e M2-M2.
Uma corrente de focalizao, Ia, flui entre
A0 e A1-A1 para manter a diferencia de
potencial entre M0-M0 e M1-M1 igual a
um nvel de referencia fixo Vref.
Dessa forma, as superfcies B e C
mantem-se com uma diferencia de
potencial constante igual a Vref.
A corrente varivel I0 forada para fluir
na formao, fazendo que as superfcies
equipotenciais entre B e C sejam
aproximadamente esfricos.
A intensidade de corrente I0
inversamente proporcional resistividade Fonte: Serra, (2007)
da formao.
http://www.kgs.ku.edu/Dakota/vol1/petro/petro06.htm
Faixa 1: Potencial espontneo. Perfil eltrico focalizado (SFL), Perfil de induo media (ILM) e
perfil de induo profunda (ILD). Fonte: KGS Jones #1.
5.2. Lateroperfis
Tipos de lateroperfis:
Perfil focalizado esfrico (SFL)
Duplo Lateroperfil (DLL -> LLd e LLs)
Micro-perfis
5.3. Duplo lateroperfil - DLL
14 ft ~ 4.27 m

5.3. Duplo lateroperfil - DLL
Consiste de 8 eletrodos simetricamente

distribudos e conectados em pares A2-A2, A1-
A1, M2-M2 e M1-M1, e um eletrodo central, A0,
com corrente focalizada I0.
DLLd (deep) - usa eletrodos de retorno

remotos para a corrente principal e tambm
para os eletrodos das correntes focalizantes.
DLLs (shalow) - usa os eletrodos A2-A2 como

retorno para as correntes de focalizao de
A1-A1.
A ferramenta DLL opera simultaneamente com

frequncias de 35 Hz para DLLd e 280 Hz
para DLLs.
A medio da resistividade realizada por um

sistema denominado de potencia constante,
em que a corrente I0 e a voltagem V0 mudam,
Fonte: Serra, (2007) e so medidas de forma a permanecer
constante o produto entre elas I0V0.
5.3. Duplo lateroperfil

Efeito Delaware. Leituras LLD com aumento Efeito Groningen. Leituras anmalas altas LLD,
gradual anmalo da resistividade (em similares ao efeito Delaware, que iniciam abaixo
reservatrios com baixa resistividade) que (~100ft ou 30,48m) de uma camada espessa
comeam abaixo (~80ft ou 24,38m) de altamente resistiva. Correntes confinadas no poo
camadas espessas resistivas (anidrita). causam um potencial negativo no eletrodo de
referencia N.
5.6. Principio da medio dos Lateroperfis
A seguinte relao geral tambm valida para medies com Lateroperfis:
Ra = KLL ( V / I )
Sob os seguintes modos de operao:
1. Quando a corrente I constante (LL3 e LL7), ento V

ser diretamente proporcional resistividade.
2. Quando o potencial V constante (LL8, SFL), ento I

ser inversamente proporcional a resistividade.
3. Quando V e I so variveis (LLD e LLS) ento deve-se

medir tanto V como I, que devem resultar num valor
constante (potencia constante).
5.6. Microperfis de resistividade focalizados
Os microperfis tm objetivo de:
- reduzir os efeitos do poo,

- realizar medies com profundidades de investigao rasas (2 a 5 cm)
Tipos de microperfis:
Microlaterolog (MLL)
Proximity log (PL)
MicroSFL (MSFL)
O efeito do reboco nos microperfis pode ser ainda significativo e devem ser aplicadas
as correes correspondentes.
Microlaterolog (MLL) O principio de funcionamento igual ao LL7.

O arranjo dos eletrodos montado sobre um
patim de borracha preenchido com leo.
O eletrodo central A0 rodeado por trs anis

concntricos de botes, constituindo os
eletrodos M1, M2 e A1.
Uma corrente constante I0 emitida por A0.
Pelo eletrodo A1 transmitida uma corrente

varivel e automaticamente ajustada de forma
que a diferencia de potencial entre os
eletrodos de monitorao M1 e M2 seja
mantida igual a zero, forando assim o fluxo
do feixe de corrente I0 perpendicular face do
patim.
Fonte: Serra, (2007) Sendo I0 constante, o potencial V0 de M1 ou

M2 proporcional resistividade da formao.
O MLL utilizado em poos com baixa
resistividade do fluido de perfurao e
espessura moderada do reboco (< 3/98 in).
Proximity log (PL)

Desenhada para diminuir o efeito do reboco,
proporciona maior penetrao radial e utiliza
um sistema de corrente potente.
O principio de funcionamento igual ao LL3,

mas com eletrodos retangulares concntricos
montados sobre um patim slido de borracha
(com maior rea que o patim do MLL)
O sistema automaticamente focalizado

pelos eletrodos de monitorao.
A resoluo vertical aproximada de 6 in (15,24

cm).
Perfil focalizado micro-esfrico (MSFL)
O principio de funcionamento igual ao SFL,

mas montado em um patim de borracha
flexvel.
O perfil MSFL tem as seguintes vantagens

sobre MLL e PL:
Menor sensibilidade ao reboco de lama

que o microperfil MLL.
Leituras mais rasas que do perfil PL.
Direita: Sonda mostrando o patim do MFSL e

os braos do Caliper. Esquerda: Arranjo de
eletrodos MFSL. Fonte: Serra (2007)
Exemplo 3: perfis MSFL e DDL.
A separao entre os perfis LLs e LLd e

tambm com o perfil MSFL, pode indicar a
presena de formaes permeveis com
hidrocarbonetos.
Este perfil indica a presena de gs numa

formao com 15% de porosidade.
(Fonte: Cortesia de Rider (1966) em ...)

Exemplo 2: perfil MSFL
Na figura o perfil MSFL fornece medidas

dentro de uma faixa estreita, ou seja, tem
pouca variao.
Os perfis LLD and LLS mostram uma

inverso com relao ao perfil MSFL
Este comportamento se deve ao fato que

o perfil MSFL mede somente a
resistividade da formao saturada com a
lama infiltrada.
5.3. Duplo lateroperfil DLL
Correo de Rxo e Rt devido a zona de
invaso:
Exemplo de perfis de resistividade:
Perfil duplo laterolog (LLd e LLs) e perfil

focalizado micro-esfrico.
Resistividades na profundidade 9324ft:
LLd = 16 ohm-m resistividade da zona

profunda
LLs = 10 ohm-m resistividade da zona

rasa
MSFL = 4,5 ohm-m resistividade na zona

lavada

5.3. Duplo lateroperfil
Correo de Rxo e Rt devido a zona de
invaso:
Correo da resistividade LLd para Rt
LLD = RLLD = 16,6 ohm-m

LLS = RLLS = 10,0 ohm-m
MSFL = RMFSL = 4,5 ohm-m
RLLD / RMSFL = RLLD / Rxo = 3,6
RLLD / RLLS = 1,6
Rt /RLLD = 1,32
Correo de Rt
dj = 43 in
Rt = (Rt/RLLD) RLLD Rt / Rxo = 4,8
Rt = 1,32 16.6 ohm-m = 21,9 ohm-m
Correo de Rxo considerando o dimetro de

zona de invaso dj = 43 in.
Rxo = Rt / (Rt / Rxo)
Rxo = 21,9 ohm-m / 4,8 = 4,6 ohm-m
Referncias
Asquith G. and Krygowski D., 2004, Basic Well Log Analysis, AAPG
Methods in Exploration Series, No. 16., Tulsa, Oklahoma.
Ellis, V. D., and Singer, M, J., 2008, Well Logging for Earth Scientists, 2nd
Edition. Springer, The Netherlands.
Schlumberger, 1989, Log Interpretation Principles / Applications,
Schlumberger Wireline & Testing, Texas.
Serra, O., 2007, Well Logging. Vol. 1 Data Acquisition and Applications.
TECHNIP, France.
Universidade Federal do Rio Grande do Norte UFRN
Departamento de Engenharia de Petrleo
Disciplina:
Perfilagem de poos - PTR0403
Professor:
German Garabito
Natal-RN, Semestre 2015.2

Programa da disciplina
5. Perfis eltricos de resistividade
5.1.1. Distribuio radial de resistividades no poo
5.1.2. Classificao dos perfis de resistividade
5.1.3. Aplicaes
5.3. Sondas no focalizadas
5.3.1. Configuraes normal e lateral
5.3.2. Resistividade aparente
5.3.3. Raio de investigao
5.3.4. Correes ambientais
5.3.5. Exemplos de perfis normal e lateral
5.3.6. Microperfil
5.4. Sondas focalizadas
5.4.1. Lateroperfis LL3, LL7, LL8
5.4.2. Duplo lateroperfil DLL
5.4.3. Perfil focalizado esfrico (SFL)
5.4.4. Microperfis - MLL, PL, MSFL
5.5. Interpretao de perfis
Disciplina: Perfilagem de Poos DPET/UFRN Prof. German Garabito

Interpretao de perfis de resistividade
Rocha com baixa porosidade -

permeabilidade
Folhelho

permeabilidade
Folhelho
Folhelho com matria orgnica
Rocha com porosidade e

permeabilidade
Folhelho
Rocha com porosidade-

permeabilidade
Folhelho
Fonte: Selley (1998)


permeabilidade
Folhelho

permeabilidade
Folhelho
Folhelho com matria orgnica
Rocha com porosidade e

permeabilidade
Folhelho
Rocha com porosidade-

permeabilidade
Folhelho
Fonte: Selley (1998)

Hidrocarboneto
gua
Referncias
Asquith G. and Krygowski D., 2004, Basic Well Log Analysis, AAPG
Methods in Exploration Series, No. 16., Tulsa, Oklahoma.
Ellis, V. D., and Singer, M, J., 2008, Well Logging for Earth Scientists, 2nd
Edition. Springer, The Netherlands.
Schlumberger, 1989, Log Interpretation Principles / Applications,
Schlumberger Wireline & Testing, Texas.
Serra, O., 2007, Well Logging. Vol. 1 Data Acquisition and Applications.
TECHNIP, France.

Cap6 PerfisDeResistividade

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Cap6 PerfisDeResistividade

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Universidade Federal do Rio Grande do Norte UFRN

Departamento de Engenharia de Petrleo

Perfilagem de poos - PTR0403

Natal-RN, Semestre 2016.2

Disciplina: Perfilagem de Poos DPET/UFRN Prof. German Garabito

A lei de Ohm estabelece que para determinado condutor mantido

Devido dificuldade que os eltrons livres encontram para se deslocar, h

A resistncia eltrica pode ser entendida como a dificuldade de se

Sendo resistividade eltrica do condutor expressa em ohm-m2/m ou

Tanto a resistividade como a condutividade podem ser medidos

A resistividade eltrica de uma formao geolgica sua habilidade de

A resistividade de uma formao depende:

Presena de fluidos (gua da formao e hidrocarbonetos)

Salinidade da gua da formao

Temperatura da gua da formao

Volume de gua saturada nos poros

Geometria dos poros

Morfologia e tipos de minerares argilosos

Fonte: Serra, (2007)

Resistividades e condutividades de minerais e Variaes das resistividades em

Zona infiltrada ou lavada, Rxo

Combinaes dessas resistividades com medies de porosidade, , e

A comparao dos dois valores de saturao fornece uma ideia da

Zoneamento radial do fluido no poo e resistividades

Rm Resistividade da lama de perfurao

Perfis de resistividade para uma

a) Lama com agua no salgada

Perfis de resistividade para uma

a) Lama de perfurao com gua no

b) Lama de perfurao com gua

Identificao de zonas porosa-permeveis

A saturao de gua da formao, Sw, pode ser determinada a partir da

Fonte: Asquith, G., and D. Krygowski (2004)

Considera-se um eletrodo A num meio

A corrente irradiada uniformemente

Sendo V(r) o potencial a uma distancia r,

Integrando dV entre r e infinito (potencial zero), obtm-se

Portanto, a resistividade expressa por:

A partir de (3) pode ser obtido o campo eltrico, H, como:

Segundo as equaes (5) e (7) as resistividades podem ser medidas de

Para um meio homogneo, o

Como I mantido constante, VM

- Normal Curta (SN), espaamento AM = 16 = 40,65 cm

Somando ambos obtm-se V como:

V =VM - VN = R I (MN / 4 AMAN)

O coeficiente da ferramenta lateral KL

KL = 4 AM AN / MN Configurao lateral. a) principio da ferramenta

em que Ji o fator pseudo-geomtrico correspondente a prof. de invaso.

Considerando um meio homogneo e

Raio de investigao para a configurao

Raio de investigao para a configurao

Fonte: from Desbrandes (1868), In Serra, (2007)

Em geral, o raio de investigao maior que o espaamento entre o

Para uma dada configurao de eletrodos, o raio de investigao pode

Para um dado espaamento, a configurao normal tem um raio de

Ra = f ( Rm , dh , Rmc , hmc , Rxo , di , Rt , h , Rs )

Portanto, para obter Rt necessrio corrigir Ra por todos os efeitos

As correes ambientais podem ser realizados utilizando formulas ou

Grfico para correo do dimetro

Fonte: Courtesy of Slumberger, In Serra, (2007)

Fonte: Adaptado de Doll el al., em

Sonda short normal e respostas em duas situaes: Espessura da camada maior a