SEMICONDUCTORES

Materia:
Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Carrera:
Ingeniera En Sistemas Computacionales
 ndice
Conductores .................................................................................................................................... 3
Aislantes ........................................................................................................................................... 4
Semiconductores ........................................................................................................................... 5
Elementos......................................................................................................................................... 7
Elementos de conductores ...................................................................................................... 7
Elementos de aislantes ................................................................................................................. 7
Estructura atmica ..................................................................................................................... 8
Semiconductores Intrnsecos ..................................................................................................... 8
Semiconductores Extrnsecos.................................................................................................... 9
Ejemplo de semiconductores ................................................................................................... 10
Transistores ............................................................................................................................... 10

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Conductores
Los conductores son materiales (generalmente metales), cuya estructura
electrnica les permite conducir la corriente elctrica a bajas temperaturas o
temperatura ambiente; su resistividad al paso de la corriente elctrica es muy baja.

Es aquel material en el cual puede haber flujo de electrones sin restriccin alguna,
no ofrece resistencia a los electrones para que transiten por l. Adems de que este
tipo de material no es necesario que se descomponga para que el flujo de
electrones se lleve a cabo.

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Figuras: Representan las banda prohibida, brecha de bandas o brecha energtica.

Aislantes
Los aislantes son materiales con una resistencia tan alta, que no es posible la
conduccin elctrica a travs de ellos. Un caso extremo, de este tipo de materiales,
es el diamante. Este tipo de material tiene una resistencia tan elevada que es
imposible para los electrones transitar por l.

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Figuras: Representan las banda prohibida, brecha de bandas o brecha energtica.

Semiconductores
Los semiconductores se encuentran situados entre los conductores y los aislantes,
ya que a temperaturas muy bajas difcilmente conducen la corriente elctrica y ms
bien se comportan como aislantes pero, al elevar su temperatura o al ser sometidos
a un campo elctrico externo, su comportamiento cambia al de los conductores.

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 Los semiconductores son elementos
que se encuentran entre los aislantes y
conductores, ya que dependiendo de
diversos factores como lo son; el
campo magntico, campo elctrico, la
presin, radiacin y como se mencion
anteriormente la temperatura, pueden
actuar como aislando o como un
material conductor, ofreciendo o no
resistencia al paso de los electrones.

Figuras: Representan las banda prohibida, brecha de bandas o brecha energtica.

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Elementos
Elementos de conductores
Cobre: Este se emplea ms a seguido ya que es el metal ms econmico en el
mercado y un buen conductor de electricidad este se emplea en instalaciones
domesticas entre otros usos.
Oro: Se emplea en forma de hilo muy fino para unir los contactos de los chips de
circuitos integrados y microprocesadores a los contactos que los unen con las
patillas exteriores de esos elementos elctricos.
Plata: Se utiliza para revestir los contactos elctricos de algunos tipos de rels
diseados para interrumpir el flujo de grandes cargas de corriente en Amper.
Aluminio: se emplea para fabricar cables gruesos, sin forro.

Elementos de aislantes
El aislante elctrico se produce cuando se cubre un elemento de una instalacin
elctrica con un material que no es conductor de la electricidad, es decir, un material
que resiste el paso de la corriente a travs del elemento que recubre y lo mantiene
en su trayectoria a lo largo del conductor. Dicho material se denomina aislantes
elctricos.

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Estructura atmica
Los conductores son, generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen
pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos
con facilidad. De esta forma, cuando varios tomos de un metal, se acercan los
electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan desordenadamente entre
una verdadera red de tomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en
gran medida el paso de la corriente elctrica.

Los aislantes, en cambio, estn formados por tomos con muchos electrones en
sus ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos
fcilmente y a no establecer una corriente de electrones. De ah su alta resistencia.
Las propiedades elctricas de conduccin de los materiales son determinadas por
el nmero de valencia.

Semiconductores Intrnsecos
Un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese
caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al
atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conduccin.
A temperatura de ambiente, estos cristales tienen
electrones que absorben la energa que necesitan
para pasar a la banda de conduccin, quedando un
hueco de electrn en la banda de valencia.

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Un elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y
varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce
el ncleo del tomo. Esos electrones libres saltan a la banda
de conduccin y all funcionan como electrones de
conduccin, pudindose desplazar libremente de un
tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina,
siempre que el elemento semiconductor se estimule con
el paso de una corriente elctrica.

Semiconductores Extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos, por su parte, son semiconductores intrnsecos a
los que les agregan impurezas, esos elementos semiconductores permiten el paso
de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible el
dopaje

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Ejemplo de semiconductores
Transistores
En la dcada de los aos 40, ms exactamente en 1947, fue cuando varios
investigadores de los Laboratorios Bell llevaron a cabo el desarrollo del primer
semiconductor de germanio. A este le dieron en llamar transistor y pas a ser un
elemento fundamental dentro del mundo de la electrnica desde ese mismo
momento.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una

seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

B = Base
C = Colector
E = Emisor

Simbologa del componente.

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Unin PN
La unin de un semiconductor tipo P donde hay huecos libres y un semiconductor
tipo N donde hay electrones libres.
En la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos huecos en espera
de ser rellenados por electrones.

Si ahora los unimos, los electrones del material N, que estn ms cerca de la franja
de la unin, sern atrados por los huecos de la zona P que estn tambin ms
cerca de la unin. Estos electrones pasarn a rellenar los huecos de las impurezas
ms cercanos a la franja de unin. Un tomo de impureza de la zona P, que era
neutro, ahora tiene un electrn ms llegado de la zona N para formar enlace en el
hueco que tena. Este tomo de impureza ahora quedar cargado negativamente
(un electrn ms) y se convertir un anin o ion negativo.
As mismo un tomo de impureza de la zona N quedar cargado positivamente por
que se le ha ido un electrn y se convertir un catin positivo. Esto provoca que en
la franja de la unin PN tengamos por un lado carga negativa y por el otro positiva.
Negativa en la zona P, que antes de la unin era neutra y positiva en la zona N, que
antes tambin era neutra. Esta franja con cationes y aniones se llama regin de
agotamiento o zona de difusin.

Llega un momento que un nuevo electrn de la zona N intente pasar a la zona P y

se encontrar con la carga negativa de la regin de agotamiento en P (los iones

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negativos formados), que le impedirn el paso (cargas iguales se repelen). En este
momento se acabar la recombinacin electrn-hueco y no habr ms conduccin
elctrica.
Adems la zona N que antes era neutra ahora tendr carga positiva, ya que han se
han ido de ella electrones, y la zona P, que antes tambin era neutra, ahora ser
negativa, ya que ha recogido los electrones que abandonaron la otra zona. La unin
PN deja de ser elctricamente neutra.

Aun as la parte N, fuera de la regin de agotamiento, seguir teniendo electrones

libres que no formaron enlaces con tomos de semiconductor puro, y la parte P
seguir teniendo huecos. Ahora podemos decir que el conjunto de la unin PN
como una pila de unos 0,3V o 0,6V dependiendo si el semiconductor puro son
tomos de germanio o silicio respectivamente. Esta supuesta "pila" tendr su carga
positiva en la zona N y la carga negativa en la zona P. A esta unin ya la podemos
llamar diodo, que es como se conoce en electrnica.
Para pasar los electrones de la zona N a la zona P, necesitaremos suministrarles
energa suficiente para que atraviesen la regin de agotamiento, es decir energa
para que sean capaces de saltar esa barrera o superar la tensin producida o vencer
la fuerza de repulsin de los iones negativos de la zona P, de lo contrario, no habr
conduccin. Vamos a suministrar esta energa conectando la unin o el diodo a una
fuente de energa, por ejemplo una pila o fuente de alimentacin.

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Los electrones del polo negativo de la batera repelen los electrones (portadores
mayoritarios) de la zona N, dndoles ms fuerza para atravesar la barrera o regin
de agotamiento y esta disminuye. Adems, en este caso, se agregan electrones
procedentes de la pila en la zona N aumentando los portadores mayoritarios. Se ha
disminuido el potencial positivo de esta zona inyectando electrones y por lo tanto ha
disminuido la zona de difusin, por lo que los electrones de N ya pueden pasar a la
zona P.
En la zona P, la carga positiva repele los huecos haciendo que estos se acerquen
a la regin de agotamiento y atraigan an ms a los electrones de la zona N. En
este caso metemos huecos en la zona P aumentando los portadores mayoritarios y
disminuyendo el potencial Negativo que tena. Igualmente en este caso hemos
disminuido el potencial de la zona de difusin. Lo que sucede, en definitiva, es que
se disminuye el ancho de la zona de agotamiento que haba en la unin (disminucin
de la tensin de la regin) y esto provoca que sea ms fcil pasar a los electrones
de la zona N a la P para rellenar los huecos. Ahora los electrones inyectados por la
pila tendrn la suficiente energa para atravesar la regin de agotamiento y pasar a
la zona P producindose corriente elctrica por el semiconductor PN mientras se
tenga la pila conectada.
En definitiva el diodo, unin PN o semiconductor PN, como queramos llamarlo, se
comporta como un conductor de la corriente elctrica en polarizacin directa.

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Polarizacin Inversa
En este tipo de conexin el polo positivo de la pila se conecta al N y el negativo al
P.

Llegar un momento que todos los electrones rellenen los huecos de la Zona P y si
metemos ms (aumentando la tensin de la fuente de alimentacin) estos ltimos
quedarn como electrones libres en la zona P. En la zona N tambin estamos
metiendo huecos que los ocuparn los electrones libres que tena esta zona. Al
meter ms huecos y que se rellenen todos con los electrones libres que tena, los
siguientes huecos que metamos quedarn libres esperando electrones para ser
rellenados.
En estas condiciones, los electrones libres que estamos inyectando en la zona P
mediante la fuente de alimentacin, sern atrados por los huecos inyectados en la
zona N y atravesarn la regin de agotamiento con mucha energa. Adems los
iones negativos formados en P les dan ms energa en su repulsin. Tienen tanta
energa que incluso antes de ocupar un hueco pueden chocar con un tomo de la
zona P y romper los enlaces existente, liberando ms electrones y estos a su vez
romper otros enlaces de otros tomos, liberando ms electrones todava. Es un
efecto en cadena, en el que se produce una avalancha de electrones en unos pocos
instantes y que hace que se rompa la unin PN por que se genera una gran cantidad
de corriente. Se estropeara el diodo. La tensin a la que se llega al efecto avalancha
se llama tensin de ruptura.

Efecto Avalancha
En polarizacin directa, al poner la unin a una pequea tensin (tensin umbral).
Se comporta como un conductor, a mayor tensin, mayor corriente circular por el
circuito. En polarizacin inversa no es conductor hasta que no se llaga a la zona de
ruptura. En ese momento puedes comprobar en la grfica, que aumenta mucho la
intensidad, aunque no aumentemos la tensin. Esto produce que el diodo se queme.
De todas formas, hay algunos diodos que aprovecha este efecto avalancha
controlado para su funcionamiento, como es el caso del diodo zener.

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Diodo
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede
encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican en
versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio.

Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados
por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el
diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

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Principio de operacin de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el
semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando
una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en
el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a travs del material P
ms all de los lmites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material
P son empujados con una tensin negativa al lado del material N y los huecos fluyen
a travs del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa
al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado
P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se
mueven y en consecuencia no hay corriente. El diodo se puede hacer trabajar de 2
maneras diferentes:

Polarizacin directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del
diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con
mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.

Polarizacin inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la
flecha del diodo), o sea del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa
el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto.

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Otro tipo de diodos son los Diodos Led, que emiten luz cuando estn polarizados
directamente, pero la mayora de los diodos se utilizan como rectificadores de
corriente, un puente de diodos (varios diodos conectados) puede rectificar una
corriente alterna en una continua.

Este rectificador de diodos es muy utilizado en las Fuentes de Alimentacin. Una

onda senoidal alterna a la entrada se convierte en una onda continua rectificada por
los diodos.

Aplicaciones del diodo

Los diodos tienen muchas aplicaciones, pero una de las ms comunes es el proceso
de conversin de corriente alterna (C.A.) a corriente continua (C.C.). En este caso
se utiliza el diodo como rectificador.

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Referencias
http://www.areatecnologia.com/electronica/el-diodo.html
http://www.areatecnologia.com/electronica/union-pn.html
https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm
http://depa.fquim.unam.mx/amyd/archivero/condsemicondais2_27505.pdf
https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
Urea Gonzlez Andrs, (2017). Elementos conductores y no conductores.

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