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Transistor
Diodos
Circuito integrado
LEDS
Detetores de infravermelho
Clulas solares, etc.
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CAMPOS DE APLICAO DOS
DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES
A- METAIS
Os eltrons de valncia no esto ligados a nenhum
tomo especfico (esto livres)
H atrao entre os eltrons livres (de valncia) e os ons
positivos (ncleo mais eltrons de valncia)
Os metais tm elevada condutividade eltrica devido aos
eltrons estarem livres para moverem-se (alta mobilidade).
No entanto, a agitao trmica reduz o livre percurso
mdio dos eltrons, a mobilidade dos mesmos e como
consequncia a condutividade.
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EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA
DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE
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EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA
DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE
B- SEMICONDUTORES
Todos os semicondutores tm ligao covalente, com
4 eltrons de valncia. Os semicondutores compostos
(grupos III-V e II-VI) tm 4 eltrons de valncia em
mdia.
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Distribuio Eletrnica
A distribuio dos eltrons dos tomos em nveis e subniveis de energia
geralmente feita por meio do Diagrama de Pauling .
Os eltrons se distribuem na eletrosfera do tomo em nveis e
subniveis diferentes
Exemplo de distribuio eletrnica
Distribuio eletrnica do tomo de bromo (Z = 35):
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GAP DE ENERGIA (BANDA PROIBIDA)
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NVEL DE DE ENERGIA DE FERMI
definido como o nvel de energia abaixo do
qual todos os estados de energia esto
ocupados a 0K.
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CONDUTOR
Os eltrons no
preenchem todos os
estados possveis da
banda de valncia e por
isso a conduo ocorre
na banda de valncia. Nvel de Fermi
(SEMICONDUTOR INTRNSECO)
Onde p o nmero de buracos por metro cbico e h sempre menor que e para semicondutores.
Para semicondutores intrnsecos, cada eltron promovido atravs da lacuna (gap) de banda, deixa pra trs
Um buraco na banda de valncia. Assim:
n=p
e
Semicondutor intrnseco
As condutividades intrnsecas temperatura ambiente e as mobilidades de
eltron e de buraco para vrios metais semicondutores esto tambm
representados na tabela a seguir:
Semicondutor intrnseco exerccio 1
Ex 14.4 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos
Materiais
Resoluo exerccio 1
Sendo o material intrnseco, concentraes de eltron e de buraco
sero as mesmas e, portanto, a partir da equao,
Semicondutor intrnseco exerccio 2
Calcular o nmero de tomos de Si
por metro cbico. A densidade do
Si 2.330 kg/m3 (2,33 g/cm3) e
sua massa atmica 28,08 g/mol
Ex 14.5 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos
Materiais
Resoluo exerccio 2
Semicondutor intrnseco exerccio 3
Ex 14.6 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos Materiais
Resoluo exerccio 3
BORO UM DOPANTE
TIPO P PARA O SILCIO
PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA
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SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P
49
(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)
Impurezas tipo "n" ou doadores.
proporcionam eltrons extra
Exemplo: Dopagem do Si
(valncia 4) com Fsforo
(valncia 5)
50
(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)
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Efeito da dopagem sobre as concentraes de portadores em
semicondutores extrnsecos
np = 2
Onde ni a concentrao intrnseca de portadores em um semicondutor, que constante a uma
dada temperatura (relao vlida para condutores intrnsecos e extrnsecos)
Na + n = Nd + p
Densidade de carga em semicondutores extrnsecos
2 2 Concentrao de portadores
=
minoritrios:
= 2,25 x 1011 lacunas/m3
Semicondutores extrnsecos exerccio 1
Ex 14.7 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos Materiais
Resoluo exerccio 1
Semicondutores extrnsecos exerccio 2
Ex 14.8 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos Materiais
Resoluo exerccio 2
Efeito da concentrao total de impurezas
ionizadas sobre a mobilidade dos portadores de
carga no Si temperatura ambiente
A figura ao lado mostra que as
mobilidades dos eltrons e lacunas
no Si temperatura ambiente
passam por um mximo a
concentraes baixas de impurezas
e ento decrescem com o aumento
desta concentrao, atingindo um
mnimo a concentraes altas. O
exerccio a seguir mostra como a
neutralizao de um tipo de
portador de carga por outro leva a
uma mobilidade menor dos
portadores majoritrios Fig 14.26 Smith, W. D
Efeito da temperatura sobre a condutividade
eltrica de semicondutores extrnsecos
A condutividade eltrica de um
semicondutor extrnseco como o Si
contendo tomos de impurezas
dopados afetada pela temperatura.
Em temperaturas mais baixas, o
nmero de tomos de impurezas
ativados (ionizados) por unidade
volumtrica determina a
condutividade eltrica do Si.
medida que a temperatura aumenta,
mais e mais tomos de impurezas so
ionizados e, assim, a condutividade Fig 14.27 Smith, W. D
eltrica do Si extrnseco aumenta
com a temperatura na fase extrnseca
Semicondutores extrnsecos - Exerccio 3
Ex 14.9 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos Materiais
Resoluo exerccio 3
Semicondutores extrnsecos
CONSIDERAES GERAIS
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OPERAO DO DIODO
(JUNO P-N)
Dispositivos eletrnicos como transistors, circuitos
integrados, chips, etc... usam a combinao de
semicondutores extrnsecos tipo p e tipo n .
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JUNO P-N
-Quando uma voltagem aplicada
como no esquema abaixo, os
dois tipos de cargas se movero
em direo juno onde se
recombinaro. A corrente
eltrica ir fluir.
-Como no esquema abaixo, a
voltagem causar o movimento
de cargas para longe da juno.
A corrente no ir fluir no
dispositivo.
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Juno P-N - Efeitos de polarizao direta e
polarizao inversa
Juno P-N - Grfico Corrente/Voltagem