PROGRAMA DE INGENIERA MECATRNICA

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA - UNAB

CURVA CARACTERSTICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

M.Sc. Hernando Gonzlez Acevedo

INTEGRANTES

Carlos Pea

Frank Quijada

Carlos Melgarejo

MATERIAL NECESARIO

Transistor NPN 2N2222A

Equipo: Multimetro digital, fuentes de alimentacin

TRABAJO PREVIO

Realice las simulaciones en PROTEUS, correspondiente a cada uno de los puntos de la gua de
laboratorio.
Investigar que significa cada uno de los siguientes parmetros de la hoja tcnica de un transistor
NPN: mxima corriente de colector (ICMAX), factor de amplificacin o ganancia (HFE o Beta),
mximo voltaje colector emisor (VCEMAX), mximo voltaje base emisor (VBEMAX) y mxima
potencia de disipacin (PD)

ICMAX
Hace referencia a la corriente que se evidencia en el colector en el momento en que el voltaje de C
(colector) y el voltaje en E (emisor) sean cero, es decir, la diferencia de potencial en los dos puntos
(VCE) es nula comportndose como un corto circuito y que por el cual fluir una corriente de
magnitud mxima denominada ICMAX
BETA
Es un parmetro que nos relaciona la ganancia de corriente decolector respecto a la corriente de
base; entre mayor sea este parmetro, mayor eficiencia presenta el transistor ya que a una pequea
corriente de base se producir una mayor corriente de colector.

VCEMAX
Hace referencia a la mxima diferencia de potencial vista entre el colector y emisor o mximo Vce y
se presenta cuando se abre el circuito entre el colector y el emisor produciendo un flujo de corriente
nulo y como consecuencia el Vce ser de igual magnitud al Vcc (voltaje de alimentacin).
VBEMAX
La unin entre la base y el emisor de un transistor puede ser evaluada como un diodo comn de
silicio, es decir, su comportamiento se asemeja al del diodo y por tal razn se conoce que existe un
voltaje mnimo para que exista flujo de corriente entre sus terminales; de igual manera, existe un
valor mximo de voltaje entre base y emisor (Vbe) por medio del cual, al ser alcanzado y superado,
la corriente fluir de manera no controlada entre los terminales al igual que un diodo de silicio.
PDMAX
 La potencia de disipacin de un transistor est dada por la siguiente ecuacin

Representa la potencia que puede disipar el transistor referida a los valores de voltaje colector
emisor (Vce) y corriente de colector (Ic). El termino PDMAX hace referencia a la potencia mxima
capaz de disipar el transistor y equivale a cuando el voltaje colector-emisor es mximo (cuando en
ellos se abre el circuito) por la corriente de colector mxima (cuando se cortocircuita el colector con
el emisor)

PROCEDIMIENTO

1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base, colector) y con la
utilizacin del multmetro realice la prueba del estado de este.

Mxima corriente de colector (ICMAX) 800mA

Factor de amplificacin o ganancia (HFE o Beta) Min 75 Max 300
Mximo voltaje colector emisor (VCEMAX) 30-40 V
Mximo voltaje base emisor (VBEMAX) 6V
Mxima potencia de disipacin (PD) 500mW

2. Implemente el circuito de la figura 1.

3. Fije la fuente VA en 10 voltios y ajuste la tensin de la fuente V B para obtener los valores de corriente
de base (IB microamperios) en los rangos que se indican en la siguiente tabla.
Tabla 1. Caracterstica voltaje VBE corriente IB

4. Graficar los valores obtenidos en la tabla del punto anterior, en los ejes de I B vs VBE (curva
caracterstica de entrada del transistor NPN)

5. Implemente el circuito de la figura 2.

6. Para el circuito de la figura 2, ajuste el voltaje de la fuente V A para que el voltaje colector emisor (V CE)
tome cada uno de los valores indicados en la tabla. Registre el valor de la corriente de colector (I C),
para cada valor de la corriente de base (IB), la cual se fija a partir de la fuente VB.

Tabla 2. Caracterstica voltaje VCE corriente IC

7. Graficar los valores obtenidos de las curvas I B en los ejes de I C vs VCE (curva caracterstica de salida
del transistor NPN)

IC

8. A partir de los valores de la tabla 2, calcule la ganancia del transistor
IB
Tabla 3. Caracterstica voltaje VCE
PREGUNTAS

En qu condiciones se activa un transistor NPN?

Cuando Existen corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se
encuentra polarizada en directa y la colector-base en inversa.

Cmo podramos determinar cules son los terminales de un transistor NPN utilizando un
multmetro digital?

Se toma la punta positiva del multmetro digital y se toca la punta sobre una de las puntas del
transistor, despus con la punta negativa se tocan las otras dos puntas del transistor. La punta que
marque con los otros 2 terminales, ser la base; de las otras 2 puntas la que marque menor
resistencia con la base, ser el colector y la otra punta del transistor ser el emisor.

Determine la ganancia promedio del transistor NPN en la zona activa, a partir de la tabla 3, y
compare este valor con el dato que se encuentra en el datasheet.

Ya que los valores de Beta se encuentran entre 75-300 los datos calculados si se encuentran en este
intervalo

Conclusiones

Los datos obtenidos en la tabla 2 deja verla relacin que tiene la corriente del colector con el
voltaje entre el colector y el emisor, se observa que, si se aumenta el voltaje VCE, la
corriente del colector se ve afectada teniendo un aumento pequeo, adems si al circuito
realizado (figura 2) se le aumenta la corriente de base, la corriente del colector tambin se ve
afectada aumentando de manera considerable.

En la tabla 3 observamos como a medida que la corriente de base y la corriente de colector

aumentan, el valor de ganancia del transistor disminuye.