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GUIA PRACTICA DE MONTAJE

El valor de una resistencia se indica con el cdigo de colores que la misma


presenta en su encapsulado.

COLOR PRIMER CIFRA SEGUNDA CIFRA FACTOR DE


MULT. TOLERANCIA
Negro - 0 -
-
Marrn 1 1
101 1%
Rojo 2 2
102 2%
Naranja 3 3
103 -
Amarillo 4 4
104 -
Verde 5 5
105 0.5%
Azul 6 6
106 -
Violeta 7 7 -
-
Gris 8 8
- -
Blanco 9 9 -
-
Oro - -
10-1 5%
Plata - -
10-2 10%
Ninguno - - -
20%
CLASES DE RESISTENCIAS
La integracin de resistencias es posible por la aparicin de
materiales y tecnologas que permiten reducir el consumo de energa
elctrica, disminuyendo notablemente la potencia disipada y por lo
tanto, el calor emitido por el circuito, que como se sabe se calcula por
ley de ohm:

Tensin en bornes: = V = I x R

Potencia: P = V x I o P = I2 x R

Resistencias Piro lticas


Las resistencias piro lticas se encuentran actualmente muy
difundidas y presentan una mejor repuesta a las altas frecuencias
introduciendo menos ruido en el circuito, sin embargo el selenoide
formado en proceso de fabricacin introduce inductancias en el
circuito que hay que tener en cuenta en el diseo. Si se supera la
tensin mxima recomendada, puede saltar un arco voltaico entre
espiras contiguas, su precisin y tolerancia puede llegar al 2%.

Resistencias de pelcula metlica


Dentro de esta categora de resistencias de pelculas y para alta
precisin se fabrican utilizando tcnicas similares a las piro lticas,
resistencias de pelcula metlica de cromo/molibdeno, o las aun mas
estables de aleaciones de plomo-oro y de cromo nquel, en las que la
resistividad es funcin de la composicin, y su capacidad de
disipacin trmica, del espesor.

Asimismo, y sin salirnos de este tipo de resistencias, podemos


mencionar las resistencias de xidos metlicos, cuyas caractersticas
bsicas son similares a las mencionadas anteriormente, pero con
mayor espesor de pelcula.
Resistencias bobinadas
En caso de necesitar de carga cuya potencia deba ser mayor de 4W,
suelen utilizarse las resistencias bobinadas, que estn constituidas
como su propio nombre lo indica por un hilo metlico arrollado sobre
un ncleo aislante.

Este hilo se fabrica con diferentes aleaciones segn sea la resistencia


por metro lineal deseado y su capacidad trmica, las ms conocidas
son las aleaciones de nquel-cromo y de nquel-cobre, cuya precisin y
estabilidad las hace tiles como resistencia patrn en algunos casos.

CAPACITORES
Capacitores Cermicos
Se fabrican metalizando las superficies cermicas con una suspensin
de oxido de plata.

Las cermicas tienen un amplio rango de caractersticas elctricas,


por lo cual son los materiales dielctricos ms verstil y con
constantes dielctrica que oscilan entre 6 y 10000.

Capacitores de polister
Se fabrican con una pelcula de polister por condensacin de glicol
etileno y acido tereftalatico, tambin son conocidos como capacitores
de MYLAR, SCOTCHPAR,CELANAR. Es transparente y flexible, el
rango de valores abarca de 1nF a 10uF con tolerancias de 10% a
2%.

La mxima tensin que pueden soportar es de 1000 a 2000v.


Capacitores de Plstico
Estn construido por una delgada capa material sinttico que se
caracteriza por su baja porosidad, bajo contenido de humedad, alta
rigidez dielctrica, entre estos se destaca el de poliestireno que son
capacitores de precisin para instrumentacin y propsitos generales.
El rango de capacidad abarca de 1nF a 0.47uF.

Capacitores de papel
Estos se fabrican arrollando dos hojas de papel y dos lminas muy
delgadas de aluminio, o bien metalizando el papel con aluminio o cinc
para realizar los de pelcula.

El papel y las lminas de aluminio pueden enrollarse de tal forma que


haga a estos capacitores de tipo inductivos y antinductivos.

El papel normalmente tiene un contenido de humedad de casi un 10%


en peso la sustancias que se utilizan para humedecer son ceras,
aceites minerales, aceites de ricino, askarel.

El capacitor de papel tiene capacidades que abarcan desde 0.001uF


a 100uF con tensiones de 50 a 1000v.

El coeficiente de temperatura es positivo y no lineal.


Capacitores de mica
Estos presentan una excelente estabilidad, rigidez dielctrica, buen
factor de merito Q, constante dielctrica, longevidad, resistencia a la
humedad.

Se fabrican apilandos placas de hojas de aluminio y laminas delgada


de mica en capas alternadas conectadas entre si.

Tienen un rango de capacidad entre 1pF y 1uF con tensiones entre


50v y 60.000v.

EQUIVALENCIAS ENTRE UNIDADES


Para resistencias

K = 1 x 103 Kilohm

M = 1 x 106 Megaohm

1000 = 1K = 1 x 103 (se lee 1 Kilohm)

10000 = 10K = 1x 104 (se lee 10 Kilohm)

100000 = 100K = 1 x 105 (se lee 100 Kilohm)

1000000 = 1M = 1 x106 (se lee 1 Megaohm)

10000000 = 10M = 1 x 107 (se lee 10 Megaohm)

Para capacitores

pF = 1x 10-12 picofaradio

nF= 1 x 10-9 nanofaradio

uF= 1 x 10-6 microfaradio

100pF = 100 x 10-12 f = 0,0000000001 f (se lee 100 picofaradios)


1000pF = 1000 x 10-12f = 1 x 10-9 f = 0,000000001 f (se lee 1000
picofaradios o 1 nanofaradio)

10nF = 10 x 10-9f = 0,00000001f (se lee 10 nanofaradios)

100nF = 100 x10-9f = 0.0000001f (se lee 100 nanofaradios)

1uF = 1 x 10-6f = 0,000001f (se lee 1 microfaradio)

10uF = 10 x 10-6f = 0,00001f (se lee 10 microfaradios)

100uF = 100 x 10-6f = 0,0001f (se lee 100 microfaradios)

Ejemplos de equivalencias

1500000 equivale a 1.5M

0.47K equivale a 470

0.15M equivale a 150K

0.1uF equivale a 100nF

0.01uF equivale a 10nF

0.001uF equivale a 1nF

En los capacitores cermicos y polister generalmente su valor en el


cuerpo del componente se expresa como un numero de 3 cifras
donde la tercer cifra es el factor de multiplicacin, ejemplo 104 =
100000 (100nF), 223 = 22000 (22nF)

150nF 4,7nF

Montaje de una placa de circuito impreso

Es aconsejable que al realizar un circuito impreso y finalizado este se


revisen si se tocan pistas adyacentes, si todo esta bien se debe
serigrafiar la placa con el metodo conveniente del que se disponga
( marcador o de transferencia). Siempre se comenzara a soldar los
componentes pasivos mas pequeos y de menor altura, esto es
puentes de alambres, resistencias y pequeos condensadores del tipo
disco o ceramicos, despues siguen los zocalos para integrados, luego
transistores respetando sus patas (base-emisor-colector), reles y
condensadores electroliticos respetando su polaridad, los disipadores
de calor si los hay deberan colocarse en ultimo lugar.

Soldadura

Se tratara de utilizar un soldador de estao de 15 a 30 Watts con


punta fina tipo lapiz, el estao con nucleo de resina (60/40). Antes de
insertar los componentes se limpiaran los terminales de los mismos y
se doblaran a la distancia exacta de los orificios de la placa, esto es
para resistencias y capacitores electroliticos. Se introducira los
terminales de los componentes en la placa, sujetaremos ligeramente,
soldamos, cortaremos lo que sobra de los terminales con alicate de
corte evitando forzar y desprender filetes de cobre . Esperamos uno o
dos segundos para que el estao adhiera bien y se solidifique. Se
debe procurar en todo momento no sobrecalentar algunos
componentes,en especial semiconductores y sobretodo circuitos
integrados. Para desoldar se utiizara un desoldador comun del tipo
aspirador metalico o plastico con punta de teflon.

Para distinguir valores grandes y pequeos en los componentes se


utiliza la siguiente nomenclatura de prefijos.

E = Exa =1018 a = atto = 10-18

P = Peta =1015 f = femto = 10-15

T = Tera =1012 p = pico = 10-12

G = Giga = 109 n = nano = 10-9

M = Mega = 106 = micro = 10-6

K = Kilo =103 m = mili = 10-3

h = hecto = 102 c = centi = 10-2

da = deca = 101 d = deci = 10-1

En algunos esquemas elctricos se suele utilizar el punto decimal en


lugar del prefijo contrariando las normativas IEC, por ejemplo:

4K7 = 4.7K 33 = 3.3F


Nomenclatura de los transistores
Transistores fabricados en EEUU codificacin 2N, y 1N para los diodos,
ejemplo 2N2055, 1N4007 etc.

En Europa se utiliza otro tipo de codificacin (alfanumrica) que


detalla no solo el tipo de material del transistor, sino adems su
aplicacin bsica.

Se utilizan comnmente dos o tres letras, seguidas de dos o tres


nmeros.

La primer letra indica el material utilizado.

A = Germanio

B = Silicio

C = Arsenato de galio

R = Materiales compuestos

La segunda letra indica el tipo de aplicacin que debe tener el


transistor.

C = Baja potencia - baja frecuencia para la banda de audio.

D = Media - alta potencia y baja frecuencia para la banda de


audio.

F = Baja potencia alta frecuencia, para selectores,


mezcladores, FI etc.

L = Alta potencia alta frecuencia para selectores,


mezcladores, FI etc.

S = baja potencia para circuitos de conmutacin

U = Alta Potencia para circuitos de conmutacin.

Ejemplo el BD135 es un transistor de media alta potencia para baja


frecuencia o banda de audio.

En Japn se utiliza la codificacin 2S para clasificar los transistores


mientras que la segunda letra determina su polaridad y aplicacin o
uso.

A = PNP de alta frecuencia


B = PNP de baja frecuencia

C = NPN de alta frecuencia

D = NPN de baja frecuencia

En algunos transistores se omite la codificacin 2S, por ejemplo el


2SC830 queda solo como C830.

Terminologa para definir los parmetros del transistor

Transistor Number: (Numero del transistor) Es su codificacin


especifica.

Polarity/Material: (Polaridad/Material) Define si el transistor es NPN


o PNP, y el material utilizado G=germanio, S=silicio

Package: Envoltura o Encapsulado, determina el encapsulado del


mismo.

Lead: (terminales) Muestra la disposicin de los pines (base, emisor,


colector)

VCBMax: Tension mxima entre colector-base. (Nunca se debe hacer


funcionar el transistor con la tensin mxima sino al 75% del mismo,
esto por seguridad)

VCEMax: Tensin mxima de colector-emisor, este es uno de los


parmetros principales del transistor, gralte. define la fuente de
alimentacin que debe usarse en el diseo del circuito.

VEBMax: Tensin mxima entre emisor-base, otra caracterstica


importante en el diseo de circuitos con transistor, indica cuanto
soporta la juntura emisor-base inversamente polarizada, sea el
transistor en corte.

ICMax: Corriente mxima de colector. Especifica la mxima corriente


de colector que circula de este hacia el emisor.

TJmax: Temperatura mxima de la juntura. Esta temperatura deber


estar entre 60 y 100 para los transistores de germanio y 125 y
200 para los de silicio, se deber respetar el lmite de del valor
mximo por seguridad.

PTOTMax: Potencia total mxima de disipacin de calor. Otro de los


parmetros importantes de diseo. Se sabe que el producto de la
tensin por la corriente es la potencia, por ejemplo para un transistor
de Vce= 700v y Ic= 7,5A da una potencia de 5250W, esta potencia
terica alta en la practica no se da ya que el transistor esta concebido
para funcionar en modo conmutado (corte y saturacin).

FTMIN: frecuencia de transicin mnima. Este parmetro se da para la


cual el transistor alcanza esta frecuencia con ganancia unitaria, esto
es que ha medida que se aumenta la frecuencia, la ganancia del
transistor disminuir.

CCBMax: Capacidad mxima entre colector-base. Este parmetro esta


en relacin directa con la frecuencia de transicin a la que funcionara
el transistor, cuanto menor sea la capacidad mayor ser la frecuencia
a la que podr trabajar el transistor.

hFE: Ganancia en configuracin emisor comn. Es la relacin entre la


corriente de colector y la corriente aplicada a la base-emisor,
especificada normalmente como un valor absoluto.

Clculos para tener en cuenta con los disipadores de calor en


transistores

La diferencia entre la temperatura de la unin y la ambiental (TJ Ta)


es igual al producto de la resistencia trmica entre unin y ambiente
(Rthj a) por la potencia disipada (P).

T J Ta = P x Rthj a

Sumando este valor a la temperatura ambiente obtenemos la


temperatura de la unin, que deber siempre ser inferior al valor
mximo (Tj (max)) de 150C a 200C para el silicio. Si el clculo muestra
que Tj ser excesiva debemos utilizar un radiador trmico que
aumente la resistencia trmica. El nuevo valor se calcula como suma
de tres trminos: resistencia trmica entre unin y capsula (Rthj mb),
entre capsula y radiador (Rthmb h) y entre radiador y ambiente (Rthh a).
Tambin debemos incluir el efecto de la mica, si fuese el caso (Rthi).
As la resistencia trmica del radiador a emplear vendr dada por:

Rthh a = Tj(max) Ta / P Rthj mb Rthmb h - Rthi

La resistencia trmica de los radiadores es suministrada por el propio


fabricante. Los radiadores deben montarse verticalmente para
mejorar la disipacin.
Instrumentos de medicin Analgicos y Digitales

Especificaciones de los instrumentos


Es lo que indica el fabricante respecto de un instrumento. Estos datos
son la informacin de las especificaciones tcnicas que puedan
permitir el mejor aprovechamiento del instrumento.

Aspectos a considerar

a) Tipo y magnitud que se desea medir

Cuando hablamos de tipo, hacemos referencia a si la seal a medir es


una tensin, una corriente, una resistencia, etc. Cuando decimos
magnitud, hacemos referencia al valor de la escala, por ejemplo x1,
x10, x100, etc.

b) Resistencia interna de la fuente de seal

Lo ptimo seria que el instrumento tenga una resistencia interna cuyo


lmite terico sea opuesto al parmetro a medir. Por ejemplo si
queremos medir una corriente, que posea resistencia interna nula y si
queremos medir una tensin que posea resistencia interna infinita.

Ancho de banda o tiempo de crecimiento de la seal

Es el rango que puede ser medido con el instrumento en cuestin.


Existe una relacin que vincula en inversamente proporcional el
ancho de banda del instrumento con su tiempo de crecimiento

B K / tc

B: Ancho de banda

K: Constante que depende del instrumento

Tc: Tiempo de crecimiento

Rango de un instrumento: Es la indicacin que se da a plena


escala, si es un instrumento de multirrango se dar cada valor
mximo de escala. En instrumentos digitales tambin existe el
sobrerrango.
Si por ejemplo debe abarcar desde 0.001v a 100v en plena escala, y
ser de 1x y 3x, su indicacin deber ser doble escala poseyendo 11
rangos.

0,001

0,003

0,01

0,03

0,1

0,3

10

30

100

Exactitud: Es el grado de aproximacin que existe entre el valor


medido y el valor verdadero. Se especifica en trminos de error,
gralte. Como un porcentaje del valor a plena escala. Supongamos un
instrumento cuyo valor de fondo de escala sea de 1v y cuyo error de
exactitud sea del 2%
Al indicarse un error de 2% a fondo de escala, significa que el mayor
error del instrumento en cualquier lugar de la escala es del 2% del
valor de fondo de escala. Esto indica que mientras mas lejos es la
medicin respecto del fondo de la escala aumentara el error relativo,
siendo mayor al acercarse a cero. En algunos instrumentos la
exactitud es distinta para distintos rangos, lo que es especificado por
el fabricante, por ejemplo:

2% PE P/rangos de 10-2 a 10-8 A PE: Plena Escala

4%PE p/rangos de 3 . 10-9 a 10-10 A

En otros casos la indicacin del fabricante se realiza con un valor fijo


correspondiente al fondo de la escala ms un valor variable que
depende de la lectura propiamente dicha.

1% PE + 1% de la lectura

Resolucin: Se establece por la menor divisin de la escala es decir


por la menor seal observable.
Estabilidad: Se suele expresar tambin como corrimiento de cero,
da una idea de la estabilidad de la lectura del instrumento respecto
de su variacin con la temperatura. Se suele expresar para tiempo
corto o para tiempo largo dependiendo en cada caso del fabricante.

a) 10mV en 24hs
b) 1,5mV/C despus de una hora de calentamiento.

Tiempo de Repuesta

Es el tiempo que requiere un instrumento para llegar a estar dentro


de los lmites de exactitud especificada.

Tiempo de crecimiento

Es el tiempo que demora el instrumento en llegar de 10% al 90% del


valor final ante la aplicacin de una seal escaln.
El tiempo de crecimiento esta relacionado con el ancho de banda del
instrumento atraves de la siguiente expresin:

Tc = 0,35 / B

B : Ancho de banda (Hz)

Tc : Tiempo de crecimiento (s)

Caractersticas de entrada

Segn la informacin del fabricante se puede expresar como


resistencia de entrada o como impedancia de entrada.

Ri = 10K/v Fondo de escala Ri/100v = 1M


1v-----------10K X = 100v . 10K = 1M

100v-------- X

Cuando se habla de impedancia se considera a la resistencia en


paralelo con un capacitor.

Al tener la impedancia de entrada una capacidad en paralelo significa


que su valor depende de la frecuencia. En 1KHz la impedancia
dominante sigue siendo del orden de 1M. Pero para 1MHz, por
ejemplo, la reactancia del capacitor se hace comparable al valor de la
resistencia.

f: Hz 1K 1M
Xc: 16M 16K
Zin: 0,94M 15,6K

Regulacin de lnea

Se indica este dato cuando el instrumento se encuentra con


alimentacin elctrica exterior, por ejemplo la tensin de red 220vca.
Esta referencia se indica frente a variaciones de la lectura debido a
variaciones en tensin de lnea. Si el fabricante no la especifica, se
supone que el instrumento no es afectado.

Coeficiente de temperatura

Son variaciones en la lectura respecto de cambios de temperatura,


ambiente exterior al instrumento. No tienen en cuenta los cambios
bruscos en temperatura, sino los normales. Se puede especificar de
distintas formas:

a) 20ppm/C entre 20 Hz y 10 KHz.


b) Entre 10C y 40C 0,02% de la lectura

Instrumentos digitales
Las caractersticas que difieren de un instrumento digital de otro son
las siguientes

a) Nmeros de dgitos se hace referencia a la cantidad de dgitos


enteros, por ejemplo 3 dgitos estn representado de la
siguiente forma:
Cuando se aumenta el rango se lo hace con el agregado de un 1
delante de los dgitos de lectura.

Esta lectura corresponde a un instrumento de 3 dgitos.

b) Rangos de medidas
c) Exactitud
d) Velocidad de lectura
e) Rechazo de modo normal y de modo comn.

Este ltimo es la influencia de los ruidos o seales indeseadas sobre


la seal normal. Se expresa en decibeles gralte. Los instrumentos
digitales varan entre 3 y 6 dgitos.

Las desventajas principales que presenta un instrumento digital son:

a) Necesidad de una fuente de energa adicional para alimentar al


display.
b) Vida til limitada por envejecimiento del display de cuarzo
liquido.

Como ultima ventaja adicional, se aprovecha el manejo digital de la


seal para crear nuevas funciones que facilitan el trabajo con el
instrumento por ejemplo la funcin HOLD (retencin), la que permite
mantener la indicacin en el display despus de haber hecho la
medicin.

DIVISION DE LOS VOLTIMETROS DIGITALES SEGN LA TECNICA


PARA CONVERTIR LA SEAL ANALOGICA EN DIGITAL
Con los cuatros circuitos se puede lograr un multimetro digital, la
precisin del mismo depende de la precisin de las resistencias que
deben ser del 1% al menos que se indique otra cosa, hay valores que
no se consiguen en el mercado por lo que habr que asociar valores
en serie o paralelo para dar con el valor correcto.
Valores instantneos de una onda senoidal

Al periodo se lo designa con la letra T (tiempo) y al nmero de ciclos


por segundo se lo denomina frecuencia y se lo representa con la letra
f.

El valor mximo o de cresta se adquiere cuando la onda alcanza el


T para valor (+) o el T para valor (-).

El valor instantneo de una onda se puede saber mediante la formula:

e= . sen

Ejemplo: Una tensin alterna tiene una amplitud de 200v. determinar


el valor instantneo para un angulo de 30.

e= 200v . 0,5 = 100v

Una corriente alterna tiene un valor instantneo de 2A a 1/6 del


periodo de origen. Calcular el valor mximo.

i= . sen

= t / T. 360 = 1/6 . 360 = 60

Sen60 = 0,8

= i / sen = 2A / 0,8 = 2,5A

Valor Medio

Si tomamos un ciclo complete de variacin de la corriente y queremos


saber cual es el promedio de los sucesivos valores que toma la media,
veremos que es cero, pues hay valores (+) y (-). Por tal motivo al
referirnos al valor medio se considerara solo medio ciclo, que
transcurre en 1/2T , desde el punto cero hasta el punto A, la corriente
toma los sucesivos valores que corresponden a la mitad superior del
ciclo. El valor medio es el promedio de todos estos valores. Para
visualizar el valor medio, trazaremos un rectngulo (CDA) que
encierra un rea igual a la comprendida entre la curva y la porcin
(OA) del eje del tiempo. La altura de ese rectngulo es el valor medio
pedido. Para calcularlo hay que determinar el rea encerrada entre la
curva y el eje (OA) y dividirlo por la base.

Un procedimiento seria dividir el rea de medio ciclo en pequeas


franjas verticales y calcular la superficie de cada una de ellas y
sumarlas a cada una de ellas. Este resultado seria aproximado.
Estimando la subdivisin se llega al siguiente resultado.

Vm = Im Valor medio Corriente media

E=I Valor mximo Corriente mxima

/ 2 = es la base vm = .N . e / N

Im = 0.636 . Imax.

Em = 0.636 . Emax
Ejemplos

Cual es valor de pico o maximo de una tensin media de 210v.

Emax = Emedia . 1.57 = Emax = 210v . 1.57 = 329,7v

Cual es el valor eficaz de una tensin pico a pico de 5v.

Eef = Epp . 0,354 = Eef = 5v . 0,354 = 1,77v

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