UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SANMARCO
FACULTAD DE INGENIERA
ELECTRNICA, ELCTRICA Y
TELECOMUNICACIONES

CURSO: LABORATORIO DE ELECTRNICA

DE POTENCIA I

TEMA: EXPERIENCIA N1 EL SCR

PROFESOR: DRA. TERESA NEZ ZIGA

ALUMNOS: GALA TAIPE JORDAN

12190130
 ELECTRNICA DE POTENCIA I

2017-I

EXPERIENCIA N1
EL SCR
I. OBJETIVO:

1. Familiarizarse con el SCR (rectificador de silicio).

2. Determinar experimentalmente algunas de sus caractersticas.

II. MATERIALES Y EQUIPO:

1. SCR (C106M o BT151) u otro cualquiera.

2. Resistencia de 5-50 a 13-30 watts.
3. Resistencias variadas.
4. Potencimetros.
5. Multmetro.
6. Mili ampermetro.
7. Transformador e 200V/9V.

III. PROCEDIMIENTO:
CUESTIONARIO:
1. HAGA UNA INTRODUCCIN TERICA DE LOS SCR.
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un
dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn.
Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre
nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional

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ELECTRNICA DE POTENCIA I

(sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la

vez.

Figura 1: Smbolo del SCR.

Este semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro est en
corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conduccin directa).
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente slo
durante los semiciclos positivos de la fuente de AC. El semiciclo positivo es el semiciclo en
que el nodo del SCR es ms positivo que el ctodo. Esto significa que el SCR no puede
estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de
la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa,
evitando el paso de cualquier corriente a la carga.
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conduccin
del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace
conductor no slo cuando la tensin en sus bornes se hace positiva (tensin de nodo mayor
que tensin de ctodo), sino cuando siendo esta tensin positiva, se enva un impulso de
cebado a puerta.

2. INDIQUE EL MODELO EQUIVALENTE CON TRANSISTORES.

Un SCR se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP,
Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura.
La corriente del colector IC de un SCR se relaciona, en general, con la corriente del emisor
IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic = IE + ICBO.. (1)
La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la
corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede
determinar a partir de la ecuacin (1):
IC1 = IA + ICBO1.. (2)

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ELECTRNICA DE POTENCIA I

a) Estructura bsica b) Circuito equivalente

Fig. Modelo de tiristor de dos terminales.

Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma
similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 = 2IK + ICBO2 (3)
Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a
Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos:
IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2. (4)
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior
en funcin de IA obtenemos:
IA = 2IG + ICBO1 + ICBO2. (5)

3. QU ES LA TENSIN DE DISPARO V gk Y LA CORRIENTE DE

MANTENIMIENTO I H ?
V
Tensin de disparo ( gk) : Es el voltaje necesario que se aplica a la compuerta para

que el SCR entre en conduccin. Este impulso debe durar un tiempo suficiente para que se
active el dispositivo y la corriente de nodo alcance hasta un valor denominado corriente de
retencin condicionada o corriente de enganche.

Corriente de mantenimiento ( I H ): Tambin llamada corriente de sostenimiento, es

el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del estado de conduccin a la regin
de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas.

4. SIMULE CON PSPICE U OTRO SIMULADOR CADA UNO DE LOS

CIRCUITOS DE ESTA EXPERIENCIA Y PRESENTE RESULTADOS, PARA
SABER QU ES LO QUE OBSERVARA EN LA PRCTICA.

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ELECTRNICA DE POTENCIA I

CIRCUITO FIGURA 2

R3
100

R1
1k

RV3
5k

21%
U1
SW1 SCR

SW-SPST

Condiciones para el diseo:

I H =5 mA
I =1 mA
V =0.6 V
El propsito de R2 es mantener una resistencia fija en la terminal de la compuerta, aun
cuando RV 1 sea cero. Esto es necesario para proteger la compuerta contra sobrecargas.
Esta resistencia tambin determina el ngulo de retardo de disparo mnimo

Con el switch abierto el voltaje nodo-ctodo es aproximadamente igual a la fuente AC ya

que el dispositivo no est en conduccin porque la magnitud del voltaje de la fuente AC es
mucho menor que el voltaje necesario entre nodo y ctodo con polarizacin directa para
que SCR entre en encendido sin necesidad de corriente en la compuerta.

Con el switch cerrado, para un valor instantneo de voltaje AC, el SCR entra en conduccin
consideramos RV 1 =0 y R2 =1k para limitar la corriente

Entonces se cumple:
V AC = I ( R1 + R2 ) + V
Reemplazando:
V AC = (1mA)*(1k) + 0.6V
Por lo tanto:
V AC = 1.6V

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ELECTRNICA DE POTENCIA I

Entonces se tiene lo siguiente;

1.6
sen ( )=
12.72
Por lo tanto:
=7.22
Consideremos el potencimetro con un valor de 1K, se tiene:
V AC = I ( R1 + R2 ) + V

Reemplazando:
V AC = (1mA)*(6K) + 0.6V

Se obtiene:
V AC = 6.6V
Entonces se tiene lo siguiente:
6 .6
sen ( )=
12.72
Por lo tanto:
=3 1.25

El ngulo para nuestro diseo vara entre 7.22 y 31.25

Pero tericamente para este circuito el ngulo de disparo vara entre 0 y 90
Una desventaja de este circuito de disparo sencillo est en que el ngulo de retardo de
disparo.

CIRCUITO FIGURA 3

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ELECTRNICA DE POTENCIA I

R3
100

R1
1k

RV3

21%
10k

U1
SW1 SCR

SW -SPST

C1
100uF

Condiciones para el diseo:

I =1 mA
V =0.6 V
I H =5 mA
Para nuestro circuito el valor del capacitor es de:
C=100 uF
Ahora obtenemos que:
R2=1 k Y RV 1=10 K
Por lo tanto:
t=( R2 + RV 1 )C=1100 ms

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ELECTRNICA DE POTENCIA I

CIRCUITO FIGURA 4

RV1
50%

1k

SW1
R3 RV3
100 40% 10k
SW-SPST

B1 R1
12V 100
U1

SCR
R2
100

Condiciones para el diseo:

I H =5 mA
I =1 mA
V =0.6 V
El potencimetro de 1K sirve para obtener la corriente I H .
El potencimetro de 10K sirve para generar la corriente I g .

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ELECTRNICA DE POTENCIA I

Con el switch abierto no hay corriente de compuerta, el SCR no conduce y el voltaje

nodo-ctodo es aproximadamente 12V, la corriente I = 0 y el V d =0 (potencimetro =
0)

Con el switch cerrando y conforme se va aumentando la magnitud del potencimetro 2 el

SCR entra en conduccin en este instante se cumple:
V d =V + I gR2
Reemplazando:
V =I 2R 3
Pero:
0.6 V
I2 = =6 mA
100
Tambin:
I g=I + I 2

I g=1 mA +12 mA
Por lo tanto:
I g=7 mA
Reemplazando en la ecuacin anterior:
V d =V + I gR2
V d =0.6 V +(7 mA100 )
Por lo tanto:
V d =1.3V
Si se abre el switch el SCR no vara su estado de conduccin pero el voltaje V d toma el
valor de 12V, la corriente I g=0 y el voltaje V gk =0
La corriente que fluye por el nodo (I) lo determina el circuito esta corriente debe ser
mayor que la corriente de mantenimiento I H para que el SCR siga en estado de
conduccin. Se cumple:
12V =I ( R1 ) +1 V
12V =I ( 10 0 ) +1V
11 V
I= =110 mA
10 0