TRANSISTOR IGBT

1. (Transistor bipolar de puerta aislada)

DEFINICIN:

Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como

interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.

Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los

transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de
baja saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para
la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras
que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

2. SMBOLO

Fig. 1

Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E)

3. ESTRUCTURA DEL IGBT

El dispositivo presenta una estructura de capas constituida por tres

uniones o culturas (J1, J2, J3), como se puede observar en la (fig. 2) aunque la
J3 se encuentra cortocircuitada externamente por la metalizacin del terminal
de emisor. En consecuencia la aplicacin de una tensin positiva o negativa
entre los terminales de colector y emisor no da lugar a corriente alguna, dada la
polarizacin inversa de la unin PN. En ambos casos la regin N de esa unin
es la misma, es decir, la contigua a la de colector, de modo que la fuerte
impurificacin de esta obliga a construir la regin N suficientemente ancha y
con bajo dopado, para que el transistor pueda soportar elevadas tensiones en
modo de no conduccin.

FIG.2 ESTRUCTURA DEL IGBT

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz

y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de
altas y medias energas como fuente conmutada, control de la traccin en
motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en
muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas
corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000
voltios.

4. CIRCUITO EQUIVALENTE.

El transistor IGBT puede representarse funcionalmente por el modelo de

transistores equivalentes y, dado el camino principal de la corriente, su regin
de operacin est en funcin de la correspondiente al MOSFET horizontal de
entrada, que puede controlarse exactamente mediante la tensin de puerta.
 (a) (b)

Fig. 3 Muestra el circuito equivalente de un IGBT

Circuitos equivalentes para un IGBT: (a) circuito equivalente ms

completo mostrando los transistores que comprenden un tiristor parsito, (b)
circuito equivalente aproximado vlido para condiciones normales de
operacin.

La corriente por la Terminal del colector del transistor IGBT, Ic, coincide
con la de emisor del transistor equivalente PNP, fluye bsicamente por la base
de este ultimo y no por el colector siendo soportada por el canal de conduccin
del MOSFET horizontal y constituyendo la trayectoria de corriente dominante
por la estructura. En su trayectoria vertical por la regin N, el dbil dopado de
esta ltima determina una cierta cada hmica representada por la resistencia
Rn.

La conduccin lateral a travs de la regin P del flujo de huecos

inyectado en el colector del transistor PNP, que constituye la trayectoria
minoritaria de la corriente, y que da lugar a una cada hmica por la resistencia
Rp.

La estructura de capas conlleva la existencia de un segundo transistor,

NPN, conectado con el PNP, y cuyos terminales de colector, base y emisor
corresponden a las regiones semiconductoras N-, P y N+, donde estas dos
ltimas se encuentran cortocircuitadas externamente por el terminal de emisor
del IGBT. Por otra parte, como la unin J2 esta inversamente polarizada, se
incluye su capacidad de transicin C. En consecuencia, el modelo completo
con dos transistores bipolares corresponde a una estructura de tiristor.

La entrada en conduccin de T2 determina la activacin del transistor

parsito, con la consiguiente saturacin de ambos transistores, de modo que el
IGBT resulta prcticamente cortocircuitado entre colector y emisor (tensin
tpica del orden de 1V); en estas condiciones el MOSFET no conduce y, por lo
tanto, no existe control externo de la estructura desde el terminal de puerta, lo
que se conoce como fenmeno de Latch up, y puede suponer la destruccin
del IGBT si el circuito exterior no limita suficientemente la corriente.

El disparo indeseado del tiristor equivalente se produce por la entrada en

conduccin del transistor T2, en correspondencia con una cada de tensin en
Rp igual al valor de conduccin de la unin base-emisor, lo que puede suceder
por una parte cuando el IGBT conduce una corriente excesiva.

MODELO GRFICO.
 EL IGBT requiere un valor lmite VGS (TH) para el estado de cambio de
encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este
valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de
estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de
15 V, y la corriente ID se auto- limita.

5. DESCRIPCIN DEL FUNCIONAMIENTO.

Consideremos que el IGBT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto
significa que no existe ningn voltaje aplicado a la compuerta gate. Si un voltaje
VGS es aplicado al gate. El IGBT enciende inmediatamente, y hay una corriente
de conduccin ID y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La
corriente ID persiste para el tiempo en el que la seal de voltaje persiste en
gate. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada
positivamente con respecto a la terminal S. La seal de encendido es un voltaje
positivo VG que es aplicado al gate. Este voltaje, si es aplicado como un pulso
de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo de encendido
sea menor a 1s. Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una
seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la
disipacin de potencia en el gate es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje V G de la
terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo
puede tomar apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar
en el rango de los 50 kHz.
El IGBT requiere un valor lmite V GS para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 volts. Arriba de este valor el
voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 volts. Como el voltaje de estado
de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 volts,
y la corriente ID se auto limita. El IGBT se aplica en controles de motores
elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a
niveles de potencia que exceden los 50 Kw.

Los IGBTs son dispositivos lineales, esto hace que tengan la facilidad
de ser controlados en todo momento, este control es realizado por una seal de
voltaje en la entrada haciendo que sean de bajo consumo de potencia. Estos
semiconductores tienen ventaja sobre los transistores BJT, ya que poseen
mayor velocidad de conmutacin, no as sobre los MOSFET, debido a que la
velocidad de estos, est arriba de los 100KHZ, sin embargo, los IGBT tienen
mayor capacidad de manejo de potencia.
Respecto a los transistores bipolares de potencia el IGBT incorpora sus
caractersticas de colector a emisor, siendo de todas ellas la cada de tensin
en plena conduccin el parmetro ms significativo por su bajo valor. Esta
cada de tensin en conduccin tan baja mejora en gran medida la
caracterstica del MOSFET por lo que, en aquellas aplicaciones donde la
velocidad de conmutacin ms lenta de los IGBT frente a los MOSFET no es
ningn impedimento, los IGBT estn siendo ampliamente utilizados,
desplazando al MOSFET y al BJT.
La diferencia principal con el MOSFET estriba en la utilizacin de un
semiconductor P fuertemente dopado en lugar de un N como elemento de
partida. La estructura corresponde a un transistor de canal N, resultando otro
de canal P si se cambian los tipos de dopado de todas las capas.
El IGBT puede ser considerado como un transistor bipolar con un
MOSFET de puerta, as a los terminales de fuente y drenaje se les denomina
ms propiamente, emisor y colector.

6. CIRCUITO DE APLICACIN TPICO

El IGBT es un dispositivo controlado por voltaje y requiere un voltaje de

compuerta para establecer la conduccin colector-emisor, en muchas
aplicaciones el circuito de la compuerta necesita ser aislado del circuito de
control para mejorar la inmunidad al ruido, estos requerimientos pueden
alcanzarse mediante transformadores u opto-acopladores

Fig. 5 circuito tpico para el control de la compuerta del IGBT

Estos dispositivos son empleados en equipos que se denominan convertidores
estticos de potencia, clasificados en:

Rectificadores: Convierten corriente alterna en corriente continua.

Inversores: Convierten corriente continua en corriente alterna.

Cicloconversores: Convierten corriente alterna en corriente alterna

(modificando alguno de los parmetros tales como frecuencia, fase
amplitud).
Convertidores DC/DC: Convierten corriente continua en corriente
continua. (modificando su nivel de salida respecto a la entrada)

7. COSTOS

DISPOSITIVOS DE MAYOR Y MENOR CAPACIDAD

capacidad
de velocidad de
dispositivo potencia conmutacin
BJT/MD media media
MOSFET baja rpida
GTO alta lenta
IGBT media media
MCT media media
Tabla 1 comparacin de dispositivos

Solo pueden compararse pocos aspectos entre dispositivos, ya que

deberan considerarse varios parmetros simultneamente y porque todos ellos
estn evolucionando constantemente, sin embargo pueden hacerse
observaciones cualitativas entre ellos como las que aparecen en la tabla 1.

VCES
Dispositivo (V) IC (A)
CM50DY-24H 1200 50
CM150DY-24H 1200 150
IRG4PC50U 600 55
BSM25GD120DN2 600 200
BSM25GD120DN2E3224 1700 800
Tabla 2 capacidades de IGBT `s

Dispositivo costo ($)

CM50DY-24H 14,5
IRG4PC50U 19
CM150DY-24H 115
BSM25GD120DN2 1390
BSM25GD120DN2E3224 1720,5
Tabla 3 costo de los IGBT `s
 8. PRCTICA PROPUESTA

CONVERTIDOR DC-DC TIPO BUCK BOOST

OBJETIVO. Determinar las formas de onda de la corriente y voltaje en la

operacin buck y boost.

MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR

2 dispositivos IGBT MPS7O6A

2 resistencias de 1k

1 capacitor de 470 f

2 diodos 1N4009

2 fuentes de voltaje variable

3 inductores de 1mH

1 osciloscopio

CIRCUITO A ARMAR
A continuacin se muestra el desarrollo la operacin buck y la operacin boost.

OPERACIN BUCK

La operacin Buck consiste en conmutar el semiconductor T2,

transfiriendo as energa desde la fuente Vdc (de mayor tensin) a la fuente V2
(que en este circuito reemplaza a los ultra capacitores). Al cerrarse T2 pasa
corriente a travs de ste y de la inductancia Ls en el sentido de las flechas
(como aparece en el circuito a armar); en ese instante parte de la energa se
transfiere a la fuente V2, una pequea fraccin se disipa en R2 y otra parte se
carga en la inductancia Ls. Cuando se abre T2 la energa que se carg en la
inductancia Ls se descarga en V2, a travs del diodo D1, obligando a la
corriente a continuar en la direccin de Ib.

OPERACIN BOOST

La operacin Boost consiste en conmutar el semiconductor T1 para

transferir energa desde V2 a Vdc. Esto se logra cargando la inductancia Ls al
producir un cortocircuito de corta duracin a travs de sta cuando se cierra
T1. Luego se abre T1 y la energa contenida en la inductancia pasa a travs del
diodo D2 y se descarga en las bateras. La transferencia de energa se logra
debido a que, al interrumpir violentamente la corriente por la inductancia, el alto
di/dt induce una tensin en sta, que sumada a la tensin de V2 superan la
tensin en Vdc haciendo entrar en conduccin al diodo D2.

GRFICAS DE OPERACIN BUCK

 GRFICAS DE OPERACIN BOOST

CONCLUSIONES

En el circuito se pudo observar y simular como se transfiere energa de

la fuente Vdc hacia la fuente V2 cuando se disparaba el elemento
semiconductor T1 y cuando se transfera energa de V2 hacia Vdc a travs del
disparo de T2.
 9. REFERENCIAS CONSULTADAS.

Muhammad h. Rashid
1995
Electrnica de potencia circuito dispositivo y aplicaciones
Prentice Hall
Segunda edicin
16 captulos
Mxico
702 Pg.

Salvador Segui Chilet

Carlos Snchez Daz
Fco. J. Gimeno Sales
Salvador Orst Grau
2004
Electrnica de potencia fundamentos bsicos
Alfaomega
Primera edicin
4 captulos
Mxico
319 Pg.

Electrnica de potencia: TCNICAS DE POTENCIA

Juan Andrs Gualda
Pedro Manuel Martnez Martnez.
S. Martnez
No. de pginas: 492
No. de captulos: 15
Segunda emisin
ALFAOMEGA:
1995
 10. CUESTIONARIO

Preguntas

1.- Qu es un transistor IGBT?

2.- Dibuj el smbolo del IGBT?

3.- Mencion el funcionamiento del IGBT

4.- Cul es la nica forma de apagar el IGTB?

5.- Cul es el valor limite Vgs que requiere el IGBT para el cambio de
encendido a apagado?

6.- En dnde se aplican los IGBT?

7.- Cmo se controla la velocidad de encendido?

8.- Mencione otras denominaciones conocidas para el IGBT

9.- Mencione rangos tpicos de operacin de un IGBT

10 - Cuntas geometras estructurales puede tener un IGBT?

PREGUNTAS Y RESPUESTAS

1.- Qu es un transistor IGBT?

Respuesta: Dispositivo semiconductor de potencia hibrido que generalmente

se utiliza como interruptor.

2.- Dibuj el smbolo del IGBT?

3.- Mencion el funcionamiento del IGBT

Respuesta: La seal de encendido es un voltaje positivo V G que es aplicado al

gate. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15
volts, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1s.

4.- Cul es la nica forma de apagar el IGTB?

Es por la conmutacin forzada de la corriente, exactamente en la misma forma
que un tiristor convencional.

5.- Cul es el valor limite Vgs que requiere el IGBT para el cambio de
encendido a apagado?

Respuesta: 4 volts

6.- En dnde se aplica los IGTB?

Respuesta: En dispositivos de electrnica de potencia

7.- Cmo se controla la velocidad de encendido?

Respuesta: La velocidad de encendido del IGBT puede controlarse mediante la

razn de cambio del voltaje compuerta-fuente.

8.- Mencion otras denominaciones conocidas para el IGBT

Respuesta: GEMFET, COMFET (conductivity-modulated field effect transistor),

IGT (insulated gate transistor) y MOSFET de forma bipolar.

9.- Mencione rangos tpicos de operacin de un IGBT

Respuesta: Los IGBT estn disponibles comercialmente en rangos de voltaje

hasta de 1700 V, corrientes de encendido de 100 a 400 amperios, temperaturas
de unin de hasta 150 grados centgrados y tiempos de apagado de 1
microsegundo o menos. Se esperan alcanzar valores de hasta 2500 V.

10 - Cuntas geometras estructurales puede tener un IGBT?

Respuesta: Dos, la estructura NPT (non-punch-through) y la PT (punch-

through).