Professional Documents
Culture Documents
159
Parte 2:
Fabricacin y Caracterizacin de electrodos de dixido de estao
dopado
Captulo 1. Introduccin
161
Introduccin
163
Parte 2
164
Introduccin
con su gran estabilidad ms que con sus propiedades electrocatalticas para la reaccin
deseada, ya que slo se consigue reducir el sobrepotencial andico en 0.1V. Por tanto el
xito industrial de estos materiales hay que achacrselo a sus prolongados tiempos de
vida til en la reaccin de produccin de cloro, que llega a ser de hasta 10 aos, ms que
a una mejora real en la electrocatlisis del proceso.
Desde 1971 los cientficos han estudiado con profundidad estos electrodos con el
fin de comprender y mejorar sus propiedades electrocatalticas, empleando una gran
variedad de tcnicas experimentales, tanto electroqumicas, como otras ms
caractersticas de la Ciencia de Materiales: Difraccin de Rayos X (DRX),
Espectroscopa Fotoelectrnica de Rayos X (XPS), Microscopa Electrnica de Barrido
(SEM), Espectroscopa de Masas de Iones Secundarios (SIMS), etc.
Como hemos visto, los electrodos de Ti activados con RuO2 fueron los
inicialmente utilizados en la produccin de cloro y son a los que mayor atencin se
presta en la literatura cientfica [7-23]. Sin embargo, han surgido otras posibles
aplicaciones de los electrodos DSA que han generado considerable inters durante los
ltimos 30 aos. En la mayora de los casos se han utilizado estos nodos como
contrareaccin de otro proceso catdico de inters (electrodepsito de metales,
electrogalvanizado, proteccin de la corrosin...). En estos procesos la reaccin andica
en disolucin acuosa es principalmente la produccin de oxgeno. La composicin del
nodo ms empleado en estas aplicaciones es Ti/IrO2 [24-32], sin embargo estos nodos
(comnmente denominados DSAs de oxgeno) tienen un tiempo de vida
considerablemente menor en la produccin de oxgeno, que sus homlogos de RuO2 en
la produccin de cloro.
Por todo lo expuesto el RuO2 y el IrO2 son los xidos metlicos ms estudiados
por los electroqumicos. Estos dos xidos presentan algunos aspectos en comn, como
es su buena conductividad (de tipo metlico) y su estructura cristalina, estructura tipo
rutilo. Esta estructura cristalina es adoptada por muchos dixidos de un buen nmero de
metales tanto del bloque p (Sn, Pb, Ge, Te y Si) como metales de transicin de las series
3d, 4d y 5d (Ti, Cr, Mn, Nb, Ru, Rh, Ta, Ir, Pt y algunos ms).
165
Parte 2
Los xidos de estos metales pueden clasificarse como conductores metlicos, con
excepcin de los xidos de Ge, Sn, Te, Si, Ti, V, Mn, Pb y Nb [33]. Sin embargo
algunos de estos dixidos metlicos presentan una conductividad suficiente por s
mismos para poder ser usados como electrodos (caso del PbO2 y MnO2) o pueden
doparse apropiadamente para que aumenten su conductividad. Cabe remarcar que a este
grupo de xidos pertenecen los xidos metlicos ms ampliamente utilizados en el
campo de la electroqumica y por tanto han sido muy estudiados: RuO2, PbO2 y MnO2.
[34]. La estructura cristalina tpica del rutilo, de simetra tetragonal, se presenta en la
figura 2.1.
166
Introduccin
formado por los cationes metlicos. La distancia ms corta entre metal y metal se da a lo
largo del eje c de la celdilla unidad.
En muchos de los electrodos DSA los xidos conductores de metales nobles (Ru e
Ir, principalmente) se combinan con otros xidos no conductores de metales que
aumentan su estabilidad y actividad electrocataltica, a la par que disminuyen el precio
del electrodo. Estos xidos promotores suelen ser los xidos de Ti, Ta, V, Zr o Sn [10,
17, 20, 21, 32, 35]. Un punto clave que explica en muchos casos la mejora de las
propiedades de la capa del xido mixto electrocataltico es la similitud entre las
estructuras cristalinas de los diversos xidos, que como hemos indicado es tipo rutilo.
Esta similitud promueve que se formen disoluciones slidas ms estables tanto qumica
como electroqumicamente, o aumentan grandemente la dispersin del metal noble [3,
17, 20, 28, 35] mejorando sus propiedades electrocatalticas.
167
Parte 2
168
Introduccin
o Promotor estabilizante de electrodos DSA. [9, 12, 16, 17, 20, 22,
32, 88-90].
Gracias a sus propiedades elctricas, electrocatalticas y a su inercia qumica el
SnO2 se utiliza como estabilizante de nodos DSA en detrimento del TiO2 que vena
siendo utilizado habitualmente.
169
Parte 2
Los principales requisitos que tiene que cumplir un material electrdico para
poder ser usado en aplicaciones tecnolgicas son [93]:
1. Elevada rea superficial.
2. Alta conductividad elctrica.
3. Buenas propiedades electrocatalticas.
4. Estabilidad mecnica y electroqumica prolongada.
5. Elevada selectividad.
6. Disponibilidad y bajo coste.
7. Inocuidad.
Aunque todas estas propiedades combinadas son necesarias en las aplicaciones
tecnolgicas de un electrodo, alguno de estos puntos requieren alguna atencin especial,
dependiendo de la aplicacin del electrodo. Los puntos (2) y (4) son aquellos que tienen
ms inters cuando se quiera trabajar con densidades de corriente elevadas, sin embargo
es el punto (3) el ms estudiado desde un punto de vista fundamental.
Los electrodos de dixido de estao son preparados generalmente mediante
descomposicin trmica de disoluciones alcohlicas de un cloruro de estao. Los
electrodos as preparados pueden contener Sn metlico, subxidos de estao y un
porcentaje de cloro incorporado a la red cristalina que acta como dopante. Aunque se
han podido estudiar las reacciones de produccin de Cl2 y O2 en estos electrodos, el
comportamiento de estas capas de SnO2 es tpico de semiconductores.
El comportamiento electroqumico y las propiedades fsico-qumicas del electrodo
tipo soporte/SnO2 han sido estudiados por diversos autores [94-97]. Uno de estos
estudios fue desarrollado en el Departamento de Qumica Fsica de la Universidad de
170
Introduccin
171
Parte 2
172
Introduccin
Caracterizacin electroqumica
El comportamiento electroqumico de los electrodos de Ti/SnO2 fue estudiado
mediante voltametra cclica.
Los electrodos preparados a partir de una disolucin precursora SnCl4 x5H2O
(10% en peso)/EtOH presentan un elevado sobrepotencial para la reaccin de
produccin de oxgeno (se alcanza un potencial de hasta 3V/ERH sin que aparezcan
corrientes relacionadas con la oxidacin del disolvente o del electrolito). Con el fin de
comprobar la facilidad del proceso de transferencia de carga de estos electrodos, se
estudi el sistema Fe2+/Fe3+. La respuesta voltamtrica de este electrodo frente al par
Fe2+/Fe3+ se muestra en la figura 2.3.a. La ausencia de picos redox en el voltagrama
indica que no se producen adecuadamente los procesos de transferencia de carga a causa
de la baja conductividad de la superficie.
Con el fin de aumentar la conductividad del electrodo se introdujo en la disolucin
precursora un dopante adecuado para el SnO2. Cuando se utiliz como dopante fluoruro
(aadiendo a la disolucin precursora NH4F 1% en peso, 48% atmico) tampoco se
obtuvo una respuesta satisfactoria del par Fe2+/Fe3+. El voltagrama obtenido (fig. 2.3.b)
no muestra picos bien definidos para el proceso redox.
El dopante ms adecuado para este tipo de electrodos result ser el antimonio.
Cuando se preparan electrodos a partir de una disolucin precursora SnCl4 x5H2O (10%
en peso) + SbCl3 (0.1-1% en peso, 1-13% atmico) /EtOH la respuesta voltamtrica del
par Fe2+/Fe3+ mejora grandemente, como muestran las figuras 2.3.c y d. En la tabla 2.2
se muestran los valores de la separacin entre los potenciales de pico andico y catdico
para los distintos electrodos estudiados en disolucin H2SO4 0.5M + FeSO4 0.05M. En
esta tabla queda perfectamente ilustrado como el electrodo de dixido de estao tiene un
carcter semiconductor, con una separacin grande entre la banda de conduccin y la
banda de valencia que impide una buena transferencia de carga entre la interfase
electrodo-electrolito.
173
Parte 2
b)
a)
c) d)
Tabla 2.2: Separacin entre picos catdico y andico del par redox Fe2+/Fe3+
para distintos electrodos en los voltagramas adquiridos a 100 mV s-1 [98].
Composicin nominal del electrodo Epico
(% atmico) (mV)
Ti/SnO2
Ti/SnO2- F(48%) 850
Ti/SnO2- Sb(1.4%) 208
Ti/SnO2- Sb(13%) 104
Pt 120
Au 64
174
Introduccin
175
Parte 2
176
Introduccin
177
Parte 2
precursora hasta un 2.1% en peso de H2PtCl6 el tiempo de vida del electrodo aumenta
considerablemente hasta las 500-800 horas a 40 mA cm-2. Un aumento mayor de la
concentracin de platino en la disolucin precursora no mejora la estabilidad del
depsito, adems de modificar sustancialmente las propiedades electrocatalticas del
depsito de SnO2 [97].
Los electrodos Ti/SnO2-Sb presentan un elevado sobrepotencial para la reaccin
de oxidacin de cloruros a Cl2 y para la reaccin de produccin de O2. El mayor inters
tecnolgico se encuentra en el uso de estos electrodos en la oxidacin andica de
compuestos orgnicos o en la produccin electroqumica de ozono [94].
En esta Tesis se van a estudiar las mejores condiciones para la preparacin de
electrodos tipo DSA de SnO2 dopado. El comportamiento electroqumico ha sido
caracterizado mediante voltametra cclica y medidas de la pendiente de Tfel de la
reaccin de produccin de oxgeno. La estabilidad de los electrodos ha sido comprobada
en la reaccin de produccin de oxgeno en medio cido a distintas densidades de
corriente.
Adems de las tcnicas electroqumicas los electrodos de SnO2 han sido
caracterizados con una variedad de tcnicas experimentales con el fin de determinar los
mecanismos de desactivacin, as como las mejores condiciones de preparacin.
Las tcnicas experimentales empleadas han sido Microscopa Electrnica de
Barrido (SEM), Energa Dispersiva de Rayos X (EDX), Difraccin de Rayos X (XRD),
Espectroscopa Fotoelectrnica de Rayos X (XPS), Espectroscopa de masas de iones
secundarios (SIMS), Espectroscopa de Estructura Fina de Absorcin de Rayos X
(XAFS).
178
Referencias de la parte 2.
Captulo 1
179
20 L Nanni, S Polizzi, A Benedetti, A De Battisti, J Electrochem. Soc. 146 (1999)
220-225.
21 J Kristf, S Daolio, A De Battisti, C Piccirillo, J Mihaly, E Horvath, Langmuir 15
(1999) 1498-1502.
22 KW Kim, EH Lee, JS Kim, KH Shin, KH Kim, Electrochim Acta 46 (2001) 915-
921.
23 JC Forti, P Olivi, AR de Andrade, Electrochim. Acta 47 (2001) 913-920.
24 PCS Hayfield, Platinum Metals Rev. 42 (1998) 116-122.
25 R Ktz, S Stucki, Electrochim. Acta 31 (1986) 1311-1316.
26 C Angelinetta, S Trasatta, LD Atanasoska, RT Atanasoski, J Electroanal. Chem.
214 (1986) 535-546.
27 C Angelinetta, M Falciola, S Trasatti, J. Electroanal. Chem. 205 (1986) 347-353.
28 G Lodi, A De Battisti, G Bordin, C De Asmundis, A Benedetti, J Electroanal.
Chem. 277 (1990) 139-150.
29 GP Verseci, J Rolewicz, Ch. Comninellis, J Hinden, Thermochim. Acta 176
(1991) 31-47.
30 Y Takasu, S Onoue, K Kameyama, Y Murakami, K Yahihozawa, Electrochim .
Acta 39 (1994) 1993-1997.
31 AJ Terezo, EC Pereira, Electrochim. Acta 45 (1994) 4351-4358.
32 CP De Pauli, S Trasatti, J Electroanal. Chem. 396 (1995) 161-168.
33 JM Honig, en Electrodes of Conductive Metallic Oxides, Part A, editado por S.
Trasatti, Elsevier SPC, Nueva York (1980).
34 S Trasatti, G Lodi, en Electrodes of Conductive Metallic Oxides, Part A, editado
por S. Trasatti, Elsevier SPC, Nueva York (1980).
35 Ch Comninellis, GP Verseci, J App. Electrochem. 21 (1991) 335-345.
36 TP Chow, M Ghezzo, BJ Baliga, J Electrochem. Soc. 129 (1982) 1040-1045.
37 B Grzeta, E Tkalcec, C Goebbert, M Takeda, M Takahashi, K Nomura, M Jaksic,
J Phys. Chem. Solids 63 (2002) 765-772.
38 R Ktz, S Stucki, B Carcer, J App. Electrochem. 21 (1991) 14-26.
180
39 B Correa Lozano, Tesis doctoral n 1297, Departamento de Qumica, Escuela
Politcnica Federal de Lausana (EPFL) Suiza. (1994).
40 V Vasu, A Subrahman, Thin Solid Films 193-194 (1990) 973-980.
41 KL Chopra, S Major, DK Pandya, Thin Solid Films 102 (1983) 1-46
42 M Ippommatsu, H Oshishi, H Sasaki, T Matsumoto, J App. Phys. 69 (1991) 8369-
8374.
43 L Yuancheng, P Xiaoren, X Sujiang, Z Dechun, L Yongmei, Vacuum 43 (1992)
1075-1077.
44 WY Chung, DD Lee, BK Sohn, Thin Solid Films 221 (1992) 304-310.
45 M Labeau, B Gautheron, J Pea, M Vallet-Reg, JM Gonzlez-Calbet, Solid State
Ionics 63-65 (1993) 159-163.
46 Y Shimizu, Y Nakamura, M Egashira, Sensors and Actuators B 13-14 (1993) 128-
131.
47 MC Kim, KH Song, SJ Park, J Mater. Res. 8 (1993) 1368-1372.
48 GE Poirier, RE Cavicchi, S Semancik, J Vac. Sci. Tech. A 11 (1993) 1392-1395.
49 J Watson, K Ihokura, GSV Coles, Meas. Sci. Technol. 4 (1993) 711-719.
50 C Pijolat, L Bruno, R Lalauze, Ann. Chim. Fr. 20 (1995) 449-452.
51 C Terrier, JP Chatelon, R Berjoan, JA Roger, Thin Solid Films 263 (1995) 37-41.
52 G Fang, Z Liu, Z Zhang, KL Yao, Phys. Stat. Sol. 156 (1996) 81-85.
53 TD Senguttuvan, LK Malhotra, Thin Solid Films 289 (1996) 22-28.
54 YJ Lin, CJ Wu, Surf. Coat. Technol. 88 (1996) 239-247.
55 W Liu, X Cao, Y Zhu, L Cao, Sensors and Actuators B 66 (2000) 219-221
56 OK Varghese, LK Malhotra, J App. Phys. 87 (2000) 7457-7465.
57 M Gaidi, JL Hazeman, I Matko, B Chenevier, M Rumyantseva, A Gaskov, M
Labeau, J Electrochem. Soc. 147 (2000) 3131-3138.
58 A Licciulli, S Mazzarelli, G De, P Siciliano, L Vasanelli, R Rella, J Sol-Gel Sci.
Technol. 21 (2001) 195-201.
59 JW Strojek, T Kuwana, J Electroanal. Chem. 16 (1968) 471-483.
60 TP Chow, M Ghezzo, BJ Baliga, J Electrochem. Soc. 129 (1982) 1040-1045.
181
61 J Meisheimer, D Ziegler, Thin Solid Films 129 (1985) 35-47.
62 DW Lane, JA Coath, KD Rogers, BJ Hunnikin, HS Beldon, Thin Solid Films 221
(1992) 262-266.
63 M Collison, EF Bowden, Anal. Chem. 64 (1992) 1470-1476
64 M Collison, EF Bowden, Langmuir 8 (1992) 2552-2559.
65 M Gugliemi, E Menegazzo, M Paolizzi, G Gasparro, D Ganz, J Ptz, MA
Aegerter, L Hubert-Pfalzgraf, C Pascual, A Durn, HX Willems, M Van Bommel,
L Bttgenbach, L Costa, J Sol-Gel Sci. Technol. 13 (1998) 679-683.
66 L Abello, B Bochu, A Gaskov, S Koudryatseva, G Lucazeau, M Roumyatseva, J
Solid State Chem. 135 (1998) 78-85.
67 S Shanti, C Subraiman, P Ramasamy, J Crystal Growth 197 (1999) 858-864.
68 H Kim, HA Laitinen, J Electrochem. Soc. 122 (1975) 53-58.
69 H Takagi, M Awano, K Nakamura, T Samada, S Sakaguchi, Interceram 39 (1990)
50-51.
70 F Prado, G Meyer, J Saura, J Phys.: Condens. Mater. 5 (1993) A351-A352.
71 A Smith, JM Laurent, DS Smith, JP Bonnet, RR Clemente, Thin Solid Films 266
(1995) 20-30.
72 T Ntz, M Haase, J Phys. Chem. B 104 (2000) 8430-8437.
73 M Fantini, I Torriani, Thin Solid Films 138 (1986) 255-265.
74 DR Schryer, BT Upchurch, BD Sidney, J Catal. 130 (1991) 314-317.
75 SD Gardner, GB Hoflund, BT Upchurch, DR Schryer, EJ Kielin, J Schryer, J
Catal. 129 (1991) 114-120.
76 SD Gardner, GB Hoflund, DR Schryer, BT Upchurch, J Phys. Chem. 95 (1991).
835-838.
77 A Boulahouache, G Kons, HG Lintz, P Schulz, App. Catal. A 91 (1992) 115-123.
78 JE Drawdy, GB Hoflund, MR Davidson, BT Upchurch, DR Schryer, Surf
Interface anal. 19 (1992) 559-564.
79 G Gkagac, BJ Kennedy, JD Cashion, LJ Brown, J Chem. Soc. Faraday Trans. 89
(1993) 151-157.
182
80 Y Teraoka, T Harada, T Iwasaki, T Ikeda, S Kagawa, Chem. Lett. (1993) 773-776.
81 F Berger, E Beche, R Berjoan, D Klein, A Chambaudet, App. Surf. Sci. 93 (1996)
9-16.
82 PA Sermon, TJ Walton, Solid State Ionics 101-103 (1997) 673-676.
83 T Brousse, R Retoux, U Herterich, DM Schleich, J Electrochem. Soc. 145 (1998)
1-4.
84 J Santos-Pea, T Brousse, L Snchez, J Morales, DM Schleich, J Power Sources
97-98 (2001) 232-234.
85 N Li, CR Martin, J Electrochem. Soc. 148 (2001) A164-A170.
86 NL Wu, JY Hwang, PY Liu, CY Han, SL Kuo, KH Liao, MH Lee, SY Wang, J
Electrochem. Soc. 148 (2001) A550-A553.
87 Y Idota, M Mishima, Y Miyaki, T Kubota, T Miyasaka (Fuji Photo Film Co., Ltd.,
Japan). Eur. Pat. Appl. (1995), 48 pp.
88 A Aramata, I Toyoshima, M Enyo, Electrochim Acta 37 (1992) 1317-1320.
89 Y Murakami, H Ohkawauchi, M Ito, K Yahikozawa, Y Takasu, Electrochim. Acta
39 (1994) 2551-2554.
90 YE Roginskaya, OV Morozova, Electrochim. Acta 40 (1995) 817-822.
91 Ver la parte 3 de esta Tesis Doctoral y las referencias all citadas.
92 G Fti, D Gandini, Ch Comninellis, Current Topics in Electrochemistry 5 (1997)
71-91.
93 S Trasatti, Electrochim. Acta 29 (1984) 1503-1512.
94 R Ktz, S Stucki, B Carcer, J App. Electrochem. 21 (1991) 21-27.
95 B Correa-Lozano, Ch. Comninellis, A De Battisti, J App. Electrochem. 26 (1996)
683-688.
96 L Lipp, D Pletcher, Electrochim. Acta 42 (1997) 1091-1099.
97 F Vicent, E Moralln, C Quijada, JL Vzquez, A Aldaz, J App. Electrochem. 28
(1998) 607-612.
98 FR Vicent, Tesis de licenciatura. Universidad de Alicante 1995.
183
99 JM Herrmann, JL Portefaix, M Forissier, F Figueras, P Pichat, J Chem. Soc.,
Faraday Trans. 1 (1979) 1346.
100 E Shanti, V Dutta, A Banerjee, KL Chopra, J App. Phys. 51 (1980) 6243-6251.
101 GN Martelli, R Ornelas, G Faita, Electrochim. Acta 39 (1994) 1551.
102 SR Morrison, en Electrochemistry at Semiconductor and Oxidized Metal
Electrodes, Plenum Press Ed. Londres (1984).
103 F Beck, Electrochim. Acta 34 (1989) 811-822.
104 B Correa-Lozano, Ch. Comninellis, A de Battisti, J. App. Electrochem. 27 (1997)
970-974.
184
Parte 2:
Fabricacin y Caracterizacin de electrodos de dixido de estao
dopado
Captulo 2. Tcnicas de
Caracterizacin
185
Tcnicas de caracterizacin
Voltametra cclica
La propia tcnica de voltametra cclica ya ha sido explicada en detalle en la
primera parte de la Tesis Doctoral. En esta tcnica se hace variar linealmente el
potencial de un electrodo de trabajo a una determinada velocidad de barrido entre dos
lmites de potencial mientras se registra la respuesta en corriente del sistema.
Los experimentos presentados en esta parte de la Tesis han sido realizados
empleando un aparato Autolab PGSTAT 20, controlado por un software GPES Eco-
Chimie BL. El contraelectrodo utilizado fue un hilo de platino y el electrodo de
referencia fue un electrodo de calomelanos saturado (E= 0.24V /ENH). Todos los
187
Parte 2
188
Tcnicas de caracterizacin
siendo Cdc la capacidad de la doble capa. Por tanto la corriente capacitativa depende
linealmente de la velocidad de barrido para un electrodo dado. Si se quiere realizar una
medida de la capacidad de la doble capa de un electrodo ser necesario realizar medidas
voltamtricas a diferentes velocidades de barrido en una zona de potenciales donde no
se produzcan reacciones de transferencia de carga faradica.
El valor de la capacidad de la doble capa depende tanto del rea del electrodo
como del material electrdico por lo que podemos definir una capacidad especfica del
material tal que:
C dc = C e A
siendo Ce la capacidad especfica del material electrdico y A el rea real del electrodo.
Con el fin de determinar la capacidad especifica de diversos xidos metlicos
Levine y Smith desarrollaron una teora proponiendo un modelo de doble capa interna
[1]. En el mismo se asuma la adsorcin de iones H+ o OH procedentes del electrolito
sobre la superficie electrdica, que contiene una distribucin discreta de cargas. En este
trabajo se midi la capacidad especfica de diversos xidos metlicos cerca del potencial
de carga cero, y obtuvieron valores de Ce= 8 F cm-2 para el SiO2, y Ce= 60 F cm-2
para el TiO2 [1].
En otro trabajo, Siviglia y col. [2] establecieron un valor de capacidad especfica
de 80 F cm-2 en electrodos RuO2+IrO2 que presenta una estructura tipo rutilo. Burke y
Murphy [3] establecieron un valor de Ce de 142 F cm-2 para los electrodos con
estructura tipo rutilo de Ti/RuO2. Estos valores de capacidad especfica han sido
empleados por otros autores en la medida electroqumica de coeficientes de rugosidad
de diversos electrodos de xidos metlicos [4, 5].
Algunos estudios de la capacidad especfica del dixido de estao y de otros
xidos metlicos fueron llevados a cabo por Ahmed [6]. En este estudio se obtenan
valores de capacidad especfica en el rango de 10-70 F cm-2 dependiendo del pH de la
disolucin. En un trabajo ms actual llevado a cabo por Wu y col. [7] se realiz un
estudio de la capacidad especfica de un condensador electroqumico de SnO2 dopado
189
Parte 2
ste sera el caso de un electrodo activo, que sufre reacciones redox en estado slido y
por tanto la corriente de la doble capa estara determinada por fenmenos pseudo-
capacitativos. En el caso de los electrodos llamados no activos [10], como es el caso
del dixido de estao, la carga de la doble capa est determinada igualmente por
procesos de difusin de protones en disolucin que compensan la carga introducida en
el electrodo durante el barrido de potencial, pero sin producirse reacciones redox
superficiales.
Se ha observado que la carga voltamtrica depende de la velocidad de barrido [3,
11]. Se ha sealado que esta dependencia de la q* con la velocidad de barrido est
relacionada con la existencia de regiones superficiales menos accesibles que quedan
excluidas de las reacciones de transferencia de carga a medida que aumenta la velocidad
190
Tcnicas de caracterizacin
de barrido, como por ejemplo poros, juntas de grano, grietas, etc. [12]. Esto genera una
dificultad en la difusin de protones a estas zonas del electrodo durante las medidas
voltamtricas. Por tanto es posible dividir la carga voltamtrica total ( qT ) en dos
contribuciones: una carga interna, relacionada con los sitios electroactivos menos
accesibles ( qi ) y otra carga que denominaremos externa relacionada con los sitios
qT = qi + q e (1)
191
Parte 2
1/2
En la figura 2.5 se muestran medidas de la q* frente a , obtenidas en las
medidas voltamtricas con electrodos de RuO2 en disolucin acuosa. En esta figura se
observa una relacin lineal entre ambas magnitudes, lo que confirma que el proceso est
controlado por la difusin de especies electroactivas, H+ o OH, dependiendo del medio.
1
De la ordenada en el origen ( = 0 ) se puede obtener el valor de qe , es decir la carga
relacionada con la superficie externa del xido ( q = q e ). Al ser un proceso
controlado por difusin, el valor de q* se incrementa al disminuir la velocidad de
barrido y el valor de q* puede ser extrapolado a = 0 empleando una formulacin
apropiada.
192
Tcnicas de caracterizacin
1
Se ha considerado que el valor recproco de la carga aumenta linealmente
q ( )
1 1
= + K ' (3)
q ( ) q 0
rango de apropiado. Por tanto, extrapolando para 1/2= 0, se puede obtener el valor de
qT = q0 . Este mtodo de determinacin de la morfologa electroqumica ha sido
193
Parte 2
194
Tcnicas de caracterizacin
195
Parte 2
196
Tcnicas de caracterizacin
diferentes interacciones, de forma que solo los que estn muy prximos a la superficie
tienen alguna probabilidad de escapar del material y llegar a nuestro detector. Por tanto,
la seal de secundarios procede de la misma superficie y de una pequesima zona por
debajo de ella, en torno a unos pocos nanmetros.
197
Parte 2
dimetro de este volumen de interaccin, pero se puede asegurar que este dimetro no
es menor de una micra.
El equipo utilizado es un microscopio electrnico de barrido Hitachi S-3000N que
tiene acoplado un detector EDX Rontec, pertenecientes a los Servicios Tcnicos de
Investigacin de la Universidad de Alicante.
198
Tcnicas de caracterizacin
199
Parte 2
200
Tcnicas de caracterizacin
Cuando una superficie slida es bombardeada con un haz de iones con una energa
de varios keV, se produce una perturbacin y excitacin del slido en cierta
profundidad, lo que provoca una emisin de electrones secundarios, fotones y de
fragmentos cargados y neutros. El anlisis de masa de los fragmentos cargados
procedentes de la muestra slida (iones negativos o positivos) se denomina
espectrometra de iones secundarios.
Este sistema es capaz de medir bajas concentraciones del orden de 1012 y 1016
tomos cm-3 dependiendo del elemento. Tiene por tanto una elevada sensibilidad y se
puede utilizar para obtener perfiles en profundidad de la composicin qumica en una
capa depositada. Para ello es preciso que la velocidad de erosin de la capa sea
constante. Esto se consigue si se dispone de una fuente de iones estable. El haz de iones
primarios tiles en esta tcnica incluye Cs+, O2+, Ar+, Ga+... Las velocidades de erosin
tpicas varan entre 0.5 y 5 nm/s y dependen de la intensidad del haz primario, el
material a analizar y la orientacin cristalina del mismo. La superficie de la muestra
debe ser plana, ya que de lo contrario, se promediaran varias profundidades. La
resolucin espacial se reduce a medida que alcanzamos profundidades mayores ya que
es complicado mantener plana la superficie erosionada.
El SIMS es una poderosa tcnica analtica que permite detectar contaminantes
superficiales, caracterizar elementos implantados en un material o realizar perfiles de
concentracin en un gran nmero de materiales, como capas finas, semiconductores,
aleaciones, cermicas, cristales, etc.
Durante el anlisis de una superficie con esta tcnica el haz primario de iones
penetra en el material objeto de estudio, producindose colisiones del haz con los
tomos del material. Al penetrar en la muestra el haz primario pierde rpidamente
energa cintica. La eyeccin de material fuera del slido se produce slo si la energa
cintica del tomo que penetra es mayor que la energa de enlace dentro del slido, es
por ello que la energa cintica de los tomos emitidos es dbil (1-10 eV de media).
201
Parte 2
202
Tcnicas de caracterizacin
Las especies inicas generadas fueron identificadas resolviendo las seales m/z
superpuestas del espectrmetro de masas mediante un programa de simulacin de los
patrones isotpicos.
203
Parte 2
XAS. Por este motivo el espectro XANES se ve muy afectado por el estado de
oxidacin del elemento que absorbe la radiacin.
Otro parmetro que afecta a la forma de los espectros XANES es la simetra de las
especies que rodean al tomo que absorbe la radiacin, ya que sta afecta a los orbitales
ms externos del tomo emisor. En diversos trabajos se ha utilizado el espectro XANES
en la determinacin del estado de oxidacin de catalizadores soportados [25-27] as
como para determinar la cristalinidad de las especies presentes [28, 29].
En un espectro EXAFS, la energa absorbida por un tomo determinado
procedente de la radiacin de Rayos X se emplea en la excitacin de los electrones, y se
produce la emisin de un electrn desde dicho tomo. Este electrn emitido interacciona
con los tomos que constituyen la esfera de coordinacin del tomo excitado. La
interferencia cuntica entre la funcin de onda del electrn emitido inicialmente y la
funcin de onda de este mismo electrn tras interaccionar con los tomos vecinos
produce una modulacin del coeficiente de absorcin, que se denomina oscilaciones
EXAFS. Dicha modulacin depende de la simetra y caractersticas del entorno qumico
del tomo que sufre la absorcin.
204
Tcnicas de caracterizacin
205
Parte 2
Los experimentos de XAS fueron llevados a cabo en la estacin BL-7C del Photon
Factory en el National Laboratory for High Energy Physics (KEK-PF) de Tsukuba
(Japn). Se utiliz un doble cristal de Si (111) con el fin de obtener una radiacin
monocromtica de Rayos X (2.5 GeV). Los espectros de absorcin fueron registrados
en modo de transmisin, a temperatura ambiente a distintos rangos de energa con el fin
de estudiar diversos elementos presentes en los electrodos.
206
Referencias de la Parte 2
Captulo 2
207
21 RA Young en The Rietveld Method Oxfod University Press Inc., Nueva York
(1993).
22 BE Warren en X-Ray Diffraction Addison-Wesley Longman Inc., Boston (1969)
23 A Tolstogouzov, S Daolio, C Pagura, Surf. Sci. 441 (1999) 213-222.
24 A Tolstogouzov, S Daolio, C Pagura, CL Greenwood, Int. J Mass Spectrom. 241
(2002) 327-337.
25 G Meitzner, GH Via, FW Lytle, SC Fung, JH Sinfelt, J Phys. Chem. 92 (1988)
2925-2932.
26 M Gaidi, M Labeau, B Chenevier, JL Hazamann, Sens. Actuators B 48 (1998)
277-284.
27 MC Romn-Martnez, D Cazorla-Amors, H Yamashita, S De Miguel, OA
Scelza, Langmuir 16 (2000) 1123-1131.
28 SH Choi, JS Lee, J Catal. 1993 (2000) 176-185.
29 VM Jimnez, A Caballero, A fernndez, JP Espins, M Ocaa, AR Gonzlez-
Elipe, Solid State Ionics 116 (1999) 117-127.
30 FW Lytle, RB Greegor, EC Marques, VA Biebsheimer, DR Sandtrom, JA
Horsley, GH Via, JH Sinfelt en Catalysis Characterization Science. Surface and
Solid State Chemistry, ML Deviney y JL Gland Ed., ACS, Washington (1985).
31 D Bazin, H Dexpert, P Lagarde en Topics in Current Chemistry Vol 45, Springer-
Verlag Ed., Berln (1988).
32 NS Chiu, SH Bauer, MLF Johnson, J Catal. 98 (1986) 32.
208
Parte 2:
Fabricacin y Caracterizacin de electrodos de dixido de estao
dopado
Captulo 3. Experimental
209
Experimental
Para la elaboracin de los electrodos se utiliz como soporte titanio metal en hilo
(dimetro 0.5 mm), en placas (espesor 0.5 mm) de Goodfellow (pureza 99.6%) y en
titanio expandido suministrado por INAGASA (Barcelona). Las distintas disoluciones
empleadas en la fabricacin de los electrodos han sido preparadas empleando los
siguientes reactivos: SnCl4 x 5H2O Aldrich, SbCl3 Fluka p.a., etanol absoluto Merck
p.a., HCl 30% Merck p.a., cido oxlico dihidratado Prolabo Normapur.
Los reactivos y disoluciones empleadas en voltametra se prepararon de acuerdo al
procedimiento descrito en la parte 1 de esta Tesis.
211
Parte 2
212
Experimental
213
Parte 2
figura 2.10.a se muestran los valores de carga de xido por rea geomtrica de electrodo
(cm-2) en funcin del nmero de procesos de pirlisis efectuados. A primera vista se
observa un aumento proporcional de la carga de xido con el nmero de procesos de
pirlisis, aunque hay una dispersin en los resultados. Destaca la mayor
irreproducibilidad de las cargas de xido obtenidas cuando se realizan 30 procesos de
pirlisis. La figura 2.10.b muestra el valor medio de carga de xidos de estao junto con
unas barras de error que representan la desviacin tpica obtenida en los distintos
resultados. Se observa una relacin lineal, en la que la carga de la capa aumenta
linealmente con el nmero de pirlisis entre 5 y 20.
La carga de xidos aumenta 0.09 mg cm-2 tras cada proceso de pirlisis. Sin
embargo cuando se realiza un mayor nmero de procesos adems de incrementarse la
dispersin de las medidas no se obtiene un aumento proporcional de la cantidad de
xidos depositada. Por tanto, esto indica que a partir de un valor crtico de pirlisis no
se est produciendo un depsito efectivo de xidos. Se observa que hay una masa crtica
de xidos de estao que puede ser depositada sobre el soporte de titanio. Si se supera
214
Experimental
215
Parte 2
caso de 2.6 m. El hecho de que se detecte titanio cuando se realizan menos procesos de
pirlisis no indica que el soporte de titanio no se encuentre recubierto de manera
uniforme y continua, si no que puede indicar tambin que el material depositado tiene
un espesor menor de 2 m.
Es destacable observar como un aumento del nmero de etapas de depsito
superior a 20 empeora el recubrimiento del sustrato. Cuando se realizan ms de 30
procesos de pirlisis aumenta la cantidad de titanio detectado por EDX. Por tanto se est
produciendo una prdida del espesor de la capa al realizar ms de 20 pirlisis, lo que
indica que se ha podido desprender parte de la capa adherida al sustrato al aumentar su
masa.
216
Referencias de la Parte 2.
Captulo 3
217
Parte 2:
Fabricacin y Caracterizacin de electrodos de dixido de estao
dopado
Captulo 4. Caracterizacin
Electroqumica
219
Caracterizacin electroqumica
221
Parte 2
a)
222
Caracterizacin electroqumica
histresis tambin se observa en los otros dos ciclos voltamtricos con V=0.1V. La
pequea diferencia en corriente se puede achacar a algn fenmeno pseudocapacitativo
debido a alguna reaccin redox superficial del electrodo que se da cuando se realiza el
voltagrama en todo el rango (0.3-1.1V), reaccin que no se da en los voltagramas con
V=0.1V.
223
Parte 2
capacitativo. Las pendientes de las rectas en valor absoluto dan el valor de la capacidad
a dicho potencial que es en este caso 1.31 mF cm-2 a 0.55V.
224
Caracterizacin electroqumica
electrodos con estructura tipo rutilo [4]. Se observa que la capacidad disminuye al
aumentar el potencial en los tres electrodos estudiados. Este comportamiento de los
electrodos de SnO2-Sb ha sido puesto de manifiesto por otros autores [5] y es
caracterstico de los semiconductores.
225
Parte 2
una barrera de potencial cuyo valor solo depende de las posiciones iniciales de la banda
de conduccin (EC en la figura 2.15) y del nivel de Fermi de la disolucin (EF, redox en la
figura) y es independiente de la concentracin de impurezas dopantes o portadores de
carga (N). La extensin de la regin de carga espacial (W) depende de la constante
dielctrica del material y de la concentracin de impurezas dopantes. Valores tpicos del
espesor de la regin espacial son 5-100 nm.
Figura 2.15: Esquema del curvado que sufren las bandas de conduccin y de
valencia cuando se introduce un electrodo semiconductor en una disolucin.
226
Caracterizacin electroqumica
227
Parte 2
228
Caracterizacin electroqumica
229
Parte 2
A) B)
Figura 2.19: Evolucin de la carga
voltamtrica (andica y catdica) frente
a la velocidad de barrido medida en el
voltagrama estabilizado entre 0.3 y
1.1V/SCE en disolucin H2SO4 0.5M.
A) Electrodo S-10, B) Electrodo S-20,
C)
C) Electrodo S-30.
230
Caracterizacin electroqumica
la disolucin (p. ej. protones) hacia zonas del electrodo poco accesibles, como poros o
grietas, la llamada superficie interna [13]. Es por ello que a velocidades de barrido bajas
se favorece que toda la superficie electroquimicamente activa funcione intercambiando
carga (en este caso carga de origen capacitativo) con la disolucin. De esta forma
realizando una representacin grfica adecuada de la carga voltamtrica frente a la
velocidad de barrido, si extrapolamos para =0, obtendremos qT , que es proporcional al
rea electroactiva total.
En la grfica de la figura 2.20 se muestra la variacin de 1/q* en funcin de 1/2
para los electrodos de Ti/SnO2-Sb (S-10, S-20, S-30). Se observa un comportamiento
lineal en todo el rango de . El valor de q* en el origen, es decir qT , para los electrodos
de SnO2 se muestra en la tabla 2.5.
231
Parte 2
232
Caracterizacin electroqumica
233
Parte 2
Electrodos Ti/SnO2-Sb-Pt
Una serie de electrodos de SnO2-Sb se han dopado con platino. El efecto de la
introduccin de platino sobre el voltagrama es evidente como se muestra en la figura
2.22.
Este voltagrama es muy distinto al obtenido con electrodos sin platino (fig. 2.13) y
como rasgos voltamtricos ms destacables se observa que la reaccin de produccin de
oxgeno se produce a potenciales menos positivos que con los electrodos no dopados
234
Caracterizacin electroqumica
con platino, como era de esperar. Adems se observa en el barrido en sentido positivo
una corriente de oxidacin a potenciales ms positivos que 0.7V/ECS, debido a la
formacin de xidos superficiales de platino. En el sucesivo barrido en sentido negativo
se observa un pico de reduccin de los xidos de platino centrado en 0.4V. Con el fin de
compararlos con los electrodos de Ti/SnO2-Sb, se ha realizado un estudio voltamtrico
similar, obtenindose voltagramas entre 0.3 y 1.1V/ECS. En la figura 2.23 se comparan
los voltagramas de 2 electrodos Ti/SnO2-Sb-Pt de distinta composicin nominal (SP0-
10 y SP1-10) con el voltagrama de un electrodo Ti/SnO2-Sb (S-10).
Se observa una mayor carga voltamtrica en los electrodos que contienen platino.
Al aumentar la cantidad nominal de platino en la capa de xidos, la carga voltamtrica
tambin se incrementa. Esto es debido principalmente a los procesos redox superficiales
que se dan en los electrodos que contienen platino, aunque no puede descartarse el que
235
Parte 2
236
Caracterizacin electroqumica
Se observa que la corriente de los voltagramas con V=0.1V es mucho menor que
la corriente del voltagrama en el rango completo entre 0.3 y 1.1V/ECS, en el que se
aprecia claramente el pico de reduccin de los xidos de platino marcado como (I). En
este caso se aprecia claramente que la diferencia en corriente entre el voltagrama
completo (entre 0.3-1.1V) y los voltagramas con V=0.1V es bsicamente debida a las
reacciones redox que se producen en la superficie del electrodo en el caso de los
electrodos que contienen platino. De esta forma asumiremos que el electrodo no sufre
modificacin qumica superficial dentro del rango de potenciales empleado y, por tanto,
se podr realizar una medida correcta de la capacidad del electrodo. Para el clculo de
capacidad se ha procedido de manera similar que el apartado anterior.
237
Parte 2
Se muestran en la tabla 2.7 los valores de portadores de carga (N) y del potencial
de banda plana (EBP) para estos electrodos que contienen platino, obtenidos mediante
las representaciones de Mott-Schottky (no mostradas). Se observan valores de
portadores de carga que son de 2 a 3 veces mayores que en los electrodos que no
contienen platino. Esto indica que los electrodos Ti/SnO2-Sb-Pt tienen una mayor
conductividad, por la presencia de partculas de platino. Hay que tener en cuenta que
para el clculo de N se ha considerado que la constante dielctrica del material es la del
SnO2 (=14) [16] y la posible presencia de partculas metlicas de platino puede hacer
que esto no sea as. Los valores de potencial de banda plana en estos electrodos son
menos positivos (entre 0 y -0.3V/ECS) que en el caso de los electrodos sin platino
(entre 0.2- 0.3V, para electrodos Ti/SnO2-Sb). La explicacin a este fenmeno no es
sencilla ya que no podemos ahora considerar que la superficie sea homognea, por la
presencia del platino. Hay que considerar que el potencial de carga cero del platino
policristalino se establece entre -0.1 y 0.1 V/ECS [17]. Teniendo en cuenta los
0
potenciales de reduccin estndar para el platino ( E PtO2 / Pt
= 1.00 V) y para el xido de
238
Caracterizacin electroqumica
0
estao ( E SnO / Sn 2 +
= 0.094 V) podemos considerar a las partculas de platino como un
2
que en el caso de obtencin de la carga total. El descenso de carga que observamos para
velocidades de barrido elevadas, puede tener su origen en la cada hmica no
compensada en la capa de xidos como sucede con los electrodos tipo S. Sin embargo,
en los electrodos que contienen platino hay un factor adicional que produce una
disminucin ficticia de la carga voltamtrica y es la irreversibilidad de la oxidacin-
reduccin de la superficie de platino.
239
Parte 2
A)
B)
240
Caracterizacin electroqumica
A)
B)
241
Parte 2
incremento del rea activa electroqumica con respecto a los electrodos que no
contienen platino. Este incremento del rea activa puede deberse, no slo a una aumento
de la porosidad sino, principalmente, a un incremento de carga debido a fenmenos
pseudo-capacitativos, que afectarn al clculo de la carga total.
242
Caracterizacin electroqumica
para la carga total con la carga de dicho pico. Al aumentar la velocidad de barrido la
carga de este pico ( q Pt ) disminuye, como muestra la figura 2.28.a para un electrodo
En la tabla 2.8 se muestran los valores de q Pt ,T para los diversos electrodos que
b)
a)
243
Parte 2
proporcional al rea activa total y a la porosidad. En el caso de los electrodos tipo SP1
no se observa esta relacin y el rea de platino es prcticamente independiente del rea
electroactiva. Esto puede ser interpretado como una mejor dispersin de pequeas
partculas de platino en los depsitos de SnO2 en los electrodos tipo SP0, mientras que
las partculas de platino en electrodos tipo SP1 son de un mayor tamao (o menor
superficie externa) y por lo tanto tienen una peor dispersin en la capa de xidos de
SnO2 que, sin embargo, presentan una porosidad similar a la de los electrodos tipo SP0.
En ltimo lugar comparamos los dos mtodos electroqumicos de medida del rea
de los electrodos (medida de la capacidad y de la carga voltamtrica total). En la figura
2.29 (marcados con ) se representan los valores del factor de rugosidad obtenida con
las medidas de capacidad frente a la carga voltamtrica total ( qT ) proporcional al rea
activa, para todos los electrodos tipo S y SP.
244
Caracterizacin electroqumica
factor de rugosidad calculado con las medidas de capacidad, se obtiene una relacin
lineal entre ambas magnitudes, como muestran los datos marcados como crculos en la
figura 2.29.
Por tanto el valor de capacidad de los electrodos da una mejor informacin sobre
el rea geomtrica real de electrodos con distinta composicin nominal, siempre y
cuando la fase mayoritaria en la superficie del electrodo sea el dixido de estao. Los
valores de la carga voltamtrica total proporcionan una informacin de tipo geomtrico
pero adems hay una contribucin importante debida a la naturaleza qumica o
electroqumica de las especies que existen en la capa de xidos, por lo que estrictamente
no se puede decir que la carga voltamtrica total sea proporcional al rea real de la capa
de xidos, ya que se requiere una anlisis ms detallado de las distintas contribuciones
del voltagrama [18].
En la figura 2.30 se muestran los diagramas de potencial frente a log (j) para 3
electrodos de Ti/SnO2 dopado de distinta composicin nominal (S-10, SP0-10, SP1-10).
Las curvas de polarizacin han sido obtenidas en medio H2SO4 0.5M en la zona de
potenciales donde se produce la reaccin de desprendimiento de oxgeno. Se puede
observar claramente como al aumentar la cantidad nominal de platino en la capa se
produce una mayor actividad electrocataltica para dicha reaccin, ya que para un
245
Parte 2
determinado valor de corriente aplicada el potencial del electrodo es mayor para los
electrodos tipo S que para los electrodos que contienen platino.
246
Caracterizacin electroqumica
Tfel (b) obtenidos con los electrodos estudiados. Se puede observar en todos los casos
valores entre 100 y 140 mV dec-1. Estos valores pueden considerarse prximos a 120
mV dec-1, lo cual indica que el mecanismo de la reaccin electroqumica es similar,
siendo el paso determinante de la velocidad la adsorcin de un radical OH sobre un sitio
activo (S) de la superficie, segn la reaccin:
S + H2O S-OH + H+ + e
247
Parte 2
a) b)
248
Caracterizacin electroqumica
249
Parte 2
250
Caracterizacin electroqumica
251
Parte 2
252
Caracterizacin electroqumica
Se observa que la forma del voltagrama no est muy modificada en esa zona de
potenciales, y la distorsin que se observa tras la desactivacin puede ser debido a un
incremento de la resistencia al paso de corriente por el electrodo, en cualquiera de las
zonas indicadas.
De la misma forma que con los electrodos nuevos, se puede realizar un estudio de
las corrientes del voltagrama frente a la velocidad de barrido con el fin de determinar la
capacidad del electrodo desactivado. La figura 2.35 muestra el diagrama j vs. obtenido
al potencial de 0.55V medido del voltagrama obtenido entre 0.5 y 0.6V (V=0.1V),
donde se puede observar un incremento lineal de la corriente con la velocidad de
barrido. Esto indica que las corrientes obtenidas son de origen capacitativo.
253
Parte 2
capacidad obtenido con el electrodo nuevo S-10. Este resultado puede resultar
sorprendente, pero indica que tras realizar la prueba de estabilidad el electrodo ha
aumentado su factor de rugosidad y en la zona de potenciales estudiada no ha perdido
todas sus propiedades conductoras. Como ya se indic en el captulo introductorio una
de las posibles causas de la desactivacin de estos electrodos es la formacin de un
xido de titanio no conductor. Sin embargo si este xido es lo suficientemente delgado
puede permitir el paso de cargas a su travs por efecto tnel.
En la figura 2.36 se muestra el voltagrama obtenido si aumentamos el lmite
andico de potencial. Podemos observar a potenciales entre 0.3 y 1.4V un
comportamiento similar al del electrodo nuevo, aunque se observa una pequea
modificacin de la forma del voltagrama, posiblemente debida a una mayor resistencia
al paso de corriente. La diferencia fundamental entre el voltagrama del electrodo nuevo
y del desactivado se da potenciales ms positivos que 1.4V, observndose un
desplazamiento de la reaccin de formacin de oxgeno hacia potenciales ms positivos
y una disminucin de la carga relacionada con la doble capa capacitativa.
254
Caracterizacin electroqumica
255
Parte 2
Esta disminucin est relacionada con el descenso del rea electroactiva. Esto
puede ser debido a que parte de la capa de xidos electrocatalticos se ha desprendido
del soporte a causa de la generacin de burbujas de oxgeno o bien debido a una
desactivacin de algunas zonas del electrodo por la formacin de especies no
electroactivas. Si se realiza un estudio voltamtrico de la capacidad entre 0.3 y 1.1V a
distintas velocidades de barrido se observa otra diferencia fundamental de este
electrodo. En la figura 2.38.a se muestran los voltagramas obtenidos a velocidades
elevadas (= 1000 mV s-1). Se puede observar que la forma de los voltagramas es muy
distinta de la obtenida con un electrodo recin preparado (fig. 2.13), sobre todo los que
tienen V= 0.1V presentan un perfil caracterstico de un electrodo con una gran
resistencia al paso de corriente.
b)
a)
256
Caracterizacin electroqumica
257
Parte 2
se observa que existe una relacin lineal entre j y slo a velocidades de barrido ()
bajas.
a) b)
Los resultados obtenidos con otros electrodos tipo SP0-20 y SP0-30 presentan un
comportamiento similar a ste, pero hay que indicar que la resistencia al paso de
corriente es an ms evidente en estas capas ms gruesas. Adems para el electrodo
preparado con 30 procesos de pirlisis (SP0-30) se observa una fuerte disminucin de la
corriente de la doble capa, similar a lo que suceda con un electrodo tipo S-30 lo que
indica una prdida de rea electroqumicamente activa. Muy similar es el
comportamiento obtenido con los electrodos de tipo SP1 desactivados.
En los siguientes apartados se muestra la caracterizacin fsico-qumica de
diversos electrodos, realizada con el fin de estudiar el efecto de los tomos dopantes y
determinar las causas ms probables de la desactivacin de los mismos.
258
Referencias de la Parte 2
Captulo 4
259
Parte 2:
Fabricacin y Caracterizacin de electrodos de dixido de estao
dopado
Captulo 5. Caracterizacin
Fsico-Qumica
261
Caracterizacin fsico-qumica
263
Parte 2
a) b)
Figura 2.41.a: Fotografas SEM de dos electrodos de SnO2-Sb con y sin platino
preparados con 20 pirlisis en soporte de vidrio adquiridas a 5000 aumentos. a)
Electrodo de SnO2-Sb (tipo S-20); b) Electrodo de SnO2-Sb-Pt (tipo SP1-20).
En este ltimo caso se observan grietas mucho ms grandes que en el electrodo sin
platino. Las placas son de un tamao menor, de entre 1 y 7 m. Otro hecho destacable
es la presencia de una mayor cantidad de platino en los bordes de las placas. Efectos
muy similares sobre la morfologa han sido observados por otros autores cuando se
introduce un metal noble como el Ru en la capa de xidos de Sn. Esto viene a indicar
que la segregacin del Ru a lo largo de la grieta se produce despus de que sta se halla
formado [9]. El efecto segregante del platino tambin se observa en otros electrodos
DSA, como se muestra en la referencia [7] con electrodos del tipo Ti/Ir0.3Ti(0.7-x)PtxO2
(x=0-0.7), donde se observa que la introduccin de platino en la capa de xidos
promueve un aspecto ms granular del depsito.
Seguidamente mostramos las imgenes obtenidas con electrodos de SnO2 dopado
sobre un soporte de titanio. La figura 2.42 muestra una micrografa del metal soporte
(titanio) al que ha sido sometido a un tratamiento trmico similar al que se realiza
durante la fabricacin de un electrodo Ti/SnO2. La superficie de titanio se caracteriza
por presentar una estructura altamente desordenada y una gran rugosidad con crteres
angostos de 2-4 micras de dimetro. Cuando, sobre un soporte de titanio, se deposita
264
Caracterizacin fsico-qumica
En la figura 2.44 se muestra el espectro EDX de este electrodo obtenido con una
magnificacin de 2000 aumentos. Se detecta el Sn y Sb correspondientes a la
composicin de la capa de xidos electrocatalticos. Se observa adems una seal
265
Parte 2
266
Caracterizacin fsico-qumica
267
Parte 2
una morfologa similar a la de los electrodos tipo S-10 y por microanlisis EDX se
detecta una cantidad de titanio del 28%.
Tras realizar los ensayos de tiempo de vida til a 1 A cm-2 se comprob la
morfologa de estos electrodos. Un electrodo tipo S-10 tras ser polarizado andicamente
y sufrir la desactivacin total muestra una morfologa similar a la de un electrodo S-10
nuevo, aunque por EDX se detecta en algunas zonas una mayor proporcin de titanio
que en el electrodo nuevo. Esto puede ser debido a una disminucin del espesor de la
capa o a un crecimiento de un xido de titanio, que eventualmente puede introducirse en
la capa de xidos de estao. En la figura 2.47 se muestra la micrografa de un electrodo
tipo S-20 desactivado en la que se observa una morfologa muy similar a la de un
electrodo nuevo aunque se aprecia un agrietamiento mayor de la superficie, y se observa
que el tamao de las placas es mucho menor (1-6 m).
268
Caracterizacin fsico-qumica
a) b)
Figura 2.48: a) Imagen SEM obtenida en la deteccin de electrones retrodispersados a
50 aumentos de un electrodo S-30 que ha sufrido desactivacin andica. b) Imagen
SEM obtenida con electrones secundarios a 2000 aumentos de una de las placas de
SnO2-Sb que se observan en la figura a) sobre el soporte de titanio.
269
Parte 2
del soporte de titanio muestran una morfologa sin grietas similar a la que presenta un
electrodo tipo S-10 (fig. 2.43). Sin embargo al fondo de los valles del soporte el
deposito presenta un aspecto agrietado con una morfologa similar a la que presenta un
electrodo tipo S-20. Esto parece indicar que hay una mayor cantidad de depsito al
fondo de los valles del titanio.
a) b)
Figura 2.49: Micrografa adquirida a 500 aumentos (a) y a 5000 aumentos (b) de
un electrodo Ti/SnO2-Sb-Pt (tipo SP0-10).
270
Caracterizacin fsico-qumica
a) b)
Figura 2.51: Imagen SEM adquirida a 500 aumentos (a) y a 5000 aumentos (b) de
un electrodo Ti/SnO2-Sb-Pt (tipo SP0-20).
271
Parte 2
272
Caracterizacin fsico-qumica
a) b)
Figura 2.52: Imagen SEM adquirida a 500 aumentos (a) y a 5000 aumentos (b) de
un electrodo Ti/SnO2-Sb-Pt (tipo SP0-10) que ha sufrido desactivacin andica.
a) b)
Figura 2.53: Imagen SEM adquirida a 500 aumentos (a) y a 5000 aumentos (b) de
un electrodo Ti/SnO2-Sb-Pt (tipo SP0-30) que ha sufrido desactivacin andica.
273
Parte 2
274
Caracterizacin fsico-qumica
a) b)
Figura 2.56: Imagen SEM adquirida a 500 aumentos (a) y a 2000 aumentos (b) de
un electrodo Ti/SnO2-Sb-Pt (tipo SP1-30) que ha sufrido desactivacin andica.
275
Parte 2
Tras ser desactivado por polarizacin andica, este electrodo presenta una
morfologa muy distinta. En la figura 2.56 se muestran dos micrografas de un electrodo
SP1-30 desactivado. Se observa la aparicin de unas fracturas y los bordes de estas
fracturas se encuentran levantados como se aprecia ms claramente en la figura 2.56.b,
lo que es indicativo de que parte de la capa se ha desprendido del soporte por la accin
de las burbujas de O2 durante la electrolisis.
Sumario
276
Caracterizacin fsico-qumica
277
Parte 2
278
Caracterizacin fsico-qumica
hkl 2 Intensidad
279
Parte 2
280
Caracterizacin fsico-qumica
a)
Figura 2.59:
Deconvolucin y
ajuste a funciones
pseudo-Voigt de
b)
los distintos picos
del difractograma
de la figura 2.56.
Las unidades del
eje de abcisas
corresponden a
unidades de
s
s=[2sen()]/
c)
281
Parte 2
Desde un punto de vista cualitativo, los difractogramas son muy similares a los
obtenidos con los otros electrodos que no contienen platino. Se observan picos debidos
a la presencia de platino metlico, observndose claramente las reflexiones
correspondientes a los planos (200) y (220) del metal platino. La reflexin
correspondiente a la faceta (100) con 2= 39.765, se encuentra enmascarada por uno de
los picos de difraccin del titanio. No se observan picos correspondientes a otras
posibles fases de platino como xidos del metal noble.
Con los resultados obtenidos se ha realizado un clculo de los parmetros de la
celdilla unidad del SnO2, asumiendo que este material posee una estructura tetragonal
caracterstica de los compuestos con estructura tipo rutilo (a = b c). En el caso de
282
Caracterizacin fsico-qumica
283
Parte 2
Tabla 2.13: Posicin (2) e intensidad relativa (I) de los picos de difraccin
obtenidos para diversos electrodos de Ti/SnO2 dopado. La intensidad de los picos se
ha normalizado considerando la del pico (110) igual a 100. Aparece subrayada la
faceta relativamente ms abundante para cada electrodo.
(110) (101) (211) (220) (310) (112) (301)
Plano
Tipo de 2 I 2 I 2 I 2 I 2 I 2 I 2 I
electrodo
Casiterita 26.61 100 33.89 75 51.78 57 54.76 14 61.87 11 64.72 12 65.94 14
S-10 26.70 100 33.99 52 52.42 108 54.43 13 62.37 8 65.03 8 66.10 3
S-20 26.62 100 33.94 78 52.08 65 54.47 12 62.27 13 64.67 10 65.93 8
S-30 26.72 100 34.04 58 52.23 54 54.52 16 62.69 11 64.84 6 66.13 10
SP0-10 26.91 100 34.19 63 52.50 179 54.44 36
SP0-30 27.03 100 34.38 58 52.57 62 54.96 9 62.78 10 65.25 6 66.43 8
SP1-10 27.10 100 34.33 68 52.67 125 54.99 14 62.69 11 65.60 4 67.17 9
SP1-30 27.03 100 34.30 69 52.31 42 53.46 13 62.85 8 65.60 9 67.02 9
284
Caracterizacin fsico-qumica
probable que el Sb est incorporado como Sb5+ a la red cristalina, aunque esto debe ser
comprobado mediante otras tcnicas.
285
Parte 2
L =
L p (L)dL
v
p ( L)dL
v
v
En este caso concreto se observa una menor dispersin del tamao de cristalita en
las muestras que no contienen platino, aunque el tamao medio de cristalita en la
direccin perpendicular al plano (110) sea muy similar en ambos casos.
En la tabla 2.15 se muestra el clculo del tamao medio de cristalita obtenido en la
direccin perpendicular de los diversos planos del SnO2. El valor de tamao promedio
de cristalita para los diversos electrodos ha sido realizado calculando la media de los
distintos valores obtenidos. Se puede observar en la tabla que, en la mayora de los
286
Caracterizacin fsico-qumica
Tabla 2.15: Tamao medio de cristalita de SnO2 medido a partir del ensanchamiento
de los distintos picos de difraccin. Aparece subrayado el valor de tamao de
cristalita ms pequeo, que corresponde al pico de difraccin de mayor anchura a
mitad de altura para cada electrodo.
De forma similar en los electrodos que contienen platino hemos realizado una
determinacin del tamao de cristalita de platino. Las reflexiones utilizadas en la
determinacin del tamao de cristalita han sido las correspondientes al plano (200) y al
(220), que son las nicas que pueden observarse con claridad. El tamao medio de
cristalita de Pt obtenido en los diversos electrodos elaborados se muestra en la tabla
2.16. En los electrodos que tienen una mayor cantidad de platino se observa un mayor
tamao de cristalita. El tamao medio de las cristalitas oscila entre 50 y 120 . El
tamao de estas cristalitas de Pt dispersadas en la matriz de casiterita es del mismo
287
Parte 2
orden de magnitud que las obtenidas por otros autores [17] con un procedimiento de
depsito qumico en fase vapor (CVD) realizado a 540 C sobre soportes de almina o
silicio. Segn estos autores, la presencia de SnO2 impide el crecimiento de las partculas
Pt, pero recprocamente el tamao de las cristalitas de SnO2 no se ve afectado por la
presencia de platino.
288
Caracterizacin fsico-qumica
s
Figura 2.63: Deconvolucin y
ajuste a funciones pseudo-Voigt
de distintos picos del
difractograma de la figura
anterior entre 2=22-37.7. Las
unidades del eje de abcisas
corresponden a unidades de
s=[2sen()]/.
s
289
Parte 2
290
Caracterizacin fsico-qumica
291
Parte 2
A diferencia de lo que sucede con electrodos sin platino (tipo S), no se observan
modificaciones importantes en la intensidad de los picos correspondientes al SnO2. Sin
embargo, s se detecta una disminucin de la intensidad de los picos correspondientes a
la fase de platino metlico. Tras el tratamiento electroqumico no se observa la aparicin
de nuevos picos correspondientes a distintas fases. Es probable que el platino haya
292
Caracterizacin fsico-qumica
sufrido oxidacin, pero no ha podido ser detectada una nueva fase de xido de platino
con esta tcnica.
En la tabla 2.18 se muestran los valores de tamao de cristalita de SnO2 medida
con el ensanchamiento de los picos de difraccin en los electrodos que han sufrido
desactivacin andica. En el caso de los electrodos que no contienen platino (tipo S) se
observa se observa una pequea disminucin del tamao medio de cristalita de SnO2, en
comparacin con los electrodos nuevos (tabla 2.15). Por el contrario, en el caso de los
electrodos que contienen platino apenas se observa una modificacin en el tamao de la
cristalita de SnO2. Donde s que se observa una modificacin es en el tamao de la
cristalita de platino, donde tras sufrir la desactivacin andica se advierte un tamao
medio de cristalita algo inferior que la que tienen los electrodos recin preparados (tabla
2.16).
Sumario
Mediante difraccin de Rayos X se ha podido comprobar que las capas de SnO2
dopado presentan una estructura tipo rutilo (casiterita). El tamao de la celdilla unidad
del SnO2-Sb es algo menor que la tabulada para el SnO2 puro. Esto sugiere que el Sb se
293
Parte 2
incorpora a la red cristalina del SnO2 formndose una disolucin slida. Cuando se
introduce platino aparece una nueva fase cristalina correspondiente a la presencia de
platino metlico. No se aprecia ninguna modificacin del tamao de la celdilla unidad
del SnO2-Sb.
Al realizar los tratamientos de desactivacin andica se producen modificaciones
en la capa de SnO2. En los electrodos que no contienen platino se produce una
disminucin de la intensidad de los picos de SnO2. Esta disminucin est relacionada
con la reduccin del espesor de la capa de xidos o con una perdida de cristalinidad del
depsito. Se observa adems una reduccin en el tamao promedio de cristalita. En los
electrodos desactivados aparecen algunos picos de difraccin que estn relacionados
con el crecimiento de una capa de xidos de titanio con estructura tipo rutilo.
En los electrodos desactivados que contienen platino se aprecia una disminucin
del tamao promedio de la cristalita de platino respecto a la de los electrodos nuevos,
sin embargo no hay modificaciones importantes en la estructura de la capa de SnO2. En
estos electrodos no se aprecia el crecimiento de una nueva fase de xidos de titanio o
platino. Esto puede ser debido a que los picos de difraccin de estas especies solapan
con los del SnO2.
294
Caracterizacin fsico-qumica
295
Parte 2
296
Caracterizacin fsico-qumica
297
Parte 2
20) donde se pueden apreciar los picos solapados correspondientes a los niveles de Sb
3d5/2 y dos picos correspondientes a niveles O 1s. A energas prximas a 540 eV
aparece el pico correspondiente al nivel Sb 3d3/2.
298
Caracterizacin fsico-qumica
299
Parte 2
300
Caracterizacin fsico-qumica
301
Parte 2
302
Caracterizacin fsico-qumica
b)
a)
En los electrodos que contienen platino la relacin (O)/(Sn+Sb) pasa de 4.2 a 7.8
tras la polarizacin andica. La proporcin entre los picos de oxgeno de especies
hidroxiladas y oxgeno enlazado a metal (IOH/IMO) aumenta tambin en este caso y pasa
de 0.61 a 0.79 tras la desactivacin. Se observa un incremento en la proporcin de las
especies hidroxiladas menor en este caso que en los electrodos Ti/SnO2-Sb, por lo que
la presencia de platino en la capa previene parcialmente la formacin de la capa de
hidrxidos e hidratos de Sn. El mayor aumento se produce en la cantidad de especies de
oxgeno directamente enlazadas a un metal. En este caso debe estar favorecindose la
formacin de xidos de platino, que previenen la hidratacin de la capa de xidos de
estao.
Sumario
303
Parte 2
304
Caracterizacin fsico-qumica
Este tcnica da una informacin muy valiosa ya que permite conocer las
modificaciones que han sufrido los electrodos en las capas internas. Es por ello que es
complementaria a la tcnica de XPS que slo da una informacin superficial. El hecho
de que estos electrodos sean porosos hace que puedan sufrir grandes modificaciones en
el seno de la capa de xidos a causa del tratamiento electroqumico. Con esta tcnica se
pueden detectar clusters mixtos de pocos tomos por lo que es una herramienta til para
determinar la presencia de aleaciones o disoluciones slidas. Otra ventaja fundamental
de esta tcnica es la posibilidad de hacer perfiles de concentracin en el seno de la capa
de xidos con el fin de detectar el crecimiento o formacin de nuevas fases de xidos en
la capa electroactiva [45-49].
a) b)
m/z m/z
305
Parte 2
Titanio (Ti). Las seales detectadas relacionadas con este metal son muy
intensas indicando un mal recubrimiento del soporte, una elevada
rugosidad del soporte o un fenmeno de interdifusin del soporte en la
capa de xidos [50]. Adems de los cluster que forma con el Sn y el Sb se
detectan, entre otras, las especies: TiOx+, TiO2H+, Ti2Ox+, Ti3O+, TixOy-..
Esta tcnica tiene una elevada sensibilidad para determinadas especies que suelen
ser contaminantes introducidos en la preparacin de estos electrodos. Es por ello que se
han detectado tambin especies de hierro, metales alcalinos, boro, hidrocarburos, cloro,
flor, silicio, etc.
Analizamos en primer lugar los iones positivos obtenidos con el bombardeo de la
superficie del electrodo Ti/SnO2-Sb con el haz de O2+. En la figura 2.74 se muestra un
perfil en profundidad de las especies inicas positivas y negativas detectadas en la
cmara de espectroscopa procedentes del soporte de titanio. Se puede observar que,
aunque el electrodo est bien recubierto, aparecen desde el inicio del proceso de
bombardeo seales caractersticas de titanio. Adems la interfase entre la capa de xidos
activas y el soporte de titanio metal no est bien definida. Esto es debido a dos efectos:
(i) la superficie es muy rugosa y se estn extrayendo iones de distintas profundidades
del crter creado por el haz de O2+, (ii) hay especies de titanio que se encuentran
306
Caracterizacin fsico-qumica
Figura 2.74:
a) Perfil de concentracin
en profundidad de iones
positivos de titanio: Ti+,
TiO+ y Ti2+ para un
electrodo Ti/SnO2-Sb. La
lnea discontinua indica la
interfase capa de xidos-
metal soporte.
b) Perfil de concentracin
en profundidad de iones
negativos de titanio: TiO-,
TiO2- y TiO3 para un
electrodo Ti/SnO2-Sb. La
lnea discontinua indica la
interfase capa de xidos-
metal soporte.
307
Parte 2
casi tres ordenes de magnitud menor. La seal de Ti2+ permanece estable durante los 8
primeros minutos de bombardeo, transcurridos los cuales, comienza a aumentar su
intensidad. Otro hecho destacable que se produce tras este mismo tiempo de bombardeo
es el aumento de la intensidad de la seal de Ti+ que supera la de TiO+. Por tanto todo
parece indicar que tras ese tiempo se empieza a producir la extraccin directa de
especies procedentes del soporte de titanio. En la figura 2.74 se marca con una lnea
discontinua esa interfase.
Se ha podido comprobar que el metal de titanio es capaz de difundir en la capa de
xidos ya que se puede detectar un cluster de composicin SnTiO+ (m/z= 200). En la
figura 2.75 se muestra el perfil de concentracin de los clusters Sn2O+ y SnTiO+ en
funcin del tiempo de bombardeo.
En el caso del cluster bimetlico (SnTiO+) al inicio del bombardeo se detecta una
pequea cantidad de este in que aumenta en intensidad progresivamente hasta alcanzar
308
Caracterizacin fsico-qumica
a) b)
309
Parte 2
310
Caracterizacin fsico-qumica
Figura 2.77:
a) Perfil de concentracin
en profundidad de los
iones Sn+, (SnOH+
+SbO+), SnO+ y O para
un electrodo Ti/SnO2-Sb.
b) Perfil de concentracin
en profundidad de los
iones OH+ y OH para un
electrodo Ti/SnO2-Sb .
311
Parte 2
312
Caracterizacin fsico-qumica
concentracin de esta especie muestra una seal relativamente alta de este fragmento
C2 en superficie que decrece rpidamente con el bombardeo. Esto indica que la
superficie externa est contaminada posiblemente a causa de la manipulacin del
electrodo previo a su anlisis en la cmara de UHV-SIMS.
Respecto a la seal de cloruro hay que remarcar que en la elaboracin del depsito
se han empleado sales precursoras que contienen cloro, por lo que la presencia de esta
especie es inherente al mtodo de preparacin e indicara una descomposicin
incompleta del precursor o el atrapamiento de estos iones en la capa al realizar los
sucesivos procesos de pirlisis. Se observa que la concentracin de cloro disminuye
bruscamente al inicio del bombardeo, lo que indica que es un contaminante que puede
proceder de la manipulacin del electrodo, sin embargo la concentracin de Cl se
estabiliza tras un minuto de bombardeo y comienza a incrementarse alcanzndose una
meseta entre 3 y 8 minuto de bombardeo. A partir de la zona marcada como interfase
313
Parte 2
comienza a decrecer la concentracin de Cl. Este perfil muestra como las especies de
cloruro procedentes de la disolucin precursora permanecen en la capa de xidos. Las
concentraciones ms altas de estos cloruros se obtienen en las inmediaciones del soporte
de Ti. Recordemos que durante la reaccin de hidrlisis de la sal estao se genera HCl:
SnCl4 + 2H2O SnO2 + 4HCl
314
Caracterizacin fsico-qumica
315
Parte 2
Esto indica que hay una mayor cantidad de especies hidroxiladas en el exterior de
la capa de xidos y disminuye a medida que profundizamos. Desafortunadamente para
316
Caracterizacin fsico-qumica
317
Parte 2
figura 2.83. Se puede observar que en el caso del electrodo nuevo la cantidad de
especies hidroxiladas puede considerarse uniforme a lo largo de la capa electroactiva,
mientras que en el caso del electrodo que ha sufrido desactivacin andica, el perfil de
la especie SnOH+ es muy distinto. En la parte ms externa de la capa aparece una seal
relativa similar en ambos electrodos, sin embargo al ir hacia el seno de la capa de
xidos se observa un fuerte decrecimiento de la seal relativa a esta especie en el caso
del electrodo desactivado. Por tanto podemos considerar que al realizarse el proceso de
desactivacin andica las especies oxo-hidroxiladas de estao estn siendo eliminadas y
probablemente transformadas a xido de estao en el interior de la capa de xidos.
SnOH+/Sn+
Figura 2.83: Evolucin
en profundidad de la seal
relativa SnOH+ /Sn+ para
un electrodo Ti/SnO2-Sb
(tipo S-30) antes y
despus de sufrir
desactivacin por
polarizacin andica
Tambin han sido estudiados con esta tcnica los electrodos que contienen platino.
En un electrodo Ti/SnO2-Sb-Pt tipo SP0 se detectan las mismas especies inicas que en
los electrodos tipo S con la adicin de seales relacionadas con la presencia de platino.
Se han detectado los iones positivos Pt+, PtO+, PtSn+, PtSnO+, sin embargo las especies
negativas presentan una mayor intensidad de iones: Pt, PtO, PtO2. Como hemos
empleado un haz primario de O2+ se podra producir la reaccin de las partculas con el
318
Caracterizacin fsico-qumica
haz de oxgeno. Por ello, los experimentos de SIMS han sido repetidos utilizando como
haz primario Ar+ en vez de O2+. Los resultados obtenidos con ambos haces son muy
similares, aunque las seales obtenidas con el haz de argon son algo menores. Esto
indica que el in empleado en el bombardeo apenas tiene influencia en los resultados
posiblemente porque el sustrato analizado est altamente oxidado. Presentamos, por
tanto los resultados obtenidos con el haz de O2+.
Para el electrodo Ti/SnO2-Sb-Pt tipo SP0 realizamos un anlisis similar al ya
presentado para los electrodos que no contienen platino. En la figura 2.84 se muestra el
perfil de concentracin de las especies inicas positivas del titanio procedentes del
soporte.
319
Parte 2
Figura 2.85:
a) Perfil de concentracin
en profundidad de iones
positivos Sn+ y Sb+ para
un electrodo Ti/SnO2-Sb-
Pt (tipo SP0).
b) Relacin de intensidad
de los iones Sb+/Sn+ para
un electrodo Ti/SnO2-Sb-
Pt (tipo SP0).
La lnea discontinua
indica la interfase capa de
xidos-metal soporte.
320
Caracterizacin fsico-qumica
321
Parte 2
322
Caracterizacin fsico-qumica
323
Parte 2
324
Caracterizacin fsico-qumica
seales de PtO2-/Sn+ (figura 2.91.a) y PtO2-/Pt+ (figura 2.91.b). Se puede observar que la
seal relativa de PtO2 es mayor en el caso del electrodo desactivado que en el electrodo
nuevo. Esto es debido a que el platino metal ha sido parcialmente oxidado. El perfil de
PtO2 indica que en las zonas ms externas de la capa de xidos (tiempo de bombardeo
entre 0 y 3 minutos) la cantidad de platino oxidado es menor que en capas ms
profundas. Tras 3 minutos de bombardeo la cantidad relativa de PtO2 aumenta hasta
alcanzar un mximo en la zona comprendida entre 4 y 6 minutos de bombardeo.
Transcurrido ese tiempo la seal relativa del xido de platino decrece hasta estabilizarse
tras 10 minutos de bombardeo sobre el electrodo.
a) b)
325
Parte 2
Sin embargo la seal de Ti2+ empieza a aumentar antes de la zona marcada como
interfase. Habr que confirmar la posicin concreta de la interfase atendiendo a otras
seales, como veremos seguidamente.
326
Caracterizacin fsico-qumica
Figura 2.93:
a) Perfil de concentracin
en profundidad de los
iones Sn+ y Sb+ para un
electrodo Ti/SnO2-Sb-Pt
(tipo SP1).
327
Parte 2
En las figuras 2.93.a, b y c se muestran las tendencias seguidas por las seales de
Sn+ y Sb+ al realizar el bombardeo de la superficie y las seales relacionadas con la
presencia de oxo-hidrxidos en la capa de xidos activos. Se observa una tendencia
similar a la obtenida en casos anteriores. La posicin de la interfase xidos de Sn
/soporte queda confirmada con la figura 2.93.a, ya que las seales de Sn+ y Sb+
comienzan a decrecer continuamente transcurridos unos 25 minutos de bombardeo.
Donde se observa una tendencia distinta es en las seales relativas a las especies
de platino. En la figura 2.94 se muestra la variacin de la intensidad relativa de las
seales de Pt+ y PtO2 normalizadas con la seal de Sn+.
328
Caracterizacin fsico-qumica
329
Parte 2
Pt+/Sn+ PtO2/Sn+
b)
a)
330
Caracterizacin fsico-qumica
Sumario
331
Parte 2
Esto sugiere el crecimiento y difusin de una capa de xidos de este metal a causa de la
polarizacin andica.
En los electrodos Ti/SnO2-Sb sin platino desactivados se observa una disminucin
en la cantidad de especies hidroxiladas en el seno de la capa de xidos de estao en
comparacin con los electrodos nuevos. Por el contrario, en los electrodos que
contienen platino y que han sufrido desactivacin andica se advierte un aumento de las
especies hidroxiladas en el interior de la capa de xidos, adems de un incremento de
las seales correspondientes a xidos de platino.
332
Caracterizacin fsico-qumica
333
Parte 2
b)
a)
c)
334
Caracterizacin fsico-qumica
335
Parte 2
intensidad del pico a 1.59 , en el caso del electrodo S-20 la relacin de intensidades es
menor (I3.55/I1.59)= 0.4.
b) SnO en polvo
c) Placa de Sn metal
336
Caracterizacin fsico-qumica
a)
b)
Figura 2.100: Espectros
FT-EXAFS del borde Sn-
K de: a) patrn de SnO2;
b) Electrodos Ti/SnO2-Sb
(tipo S-20) antes y
despus de sufrir
desactivacin por
polarizacin andica.
337
Parte 2
338
Caracterizacin fsico-qumica
En los electrodos que contienen platino tambin han sido realizados anlisis
EXAFS de las absorciones Sn-K, Sb-K y Pt-LIII. En la figura 2.103 se muestra el
339
Parte 2
espectro FT-EXAFS medido en el borde K del estao de un electrodo tipo SP1-20 antes
y despus de sufrir desactivacin por polarizacin andica. En el electrodo nuevo
aparece el pico principal a 1.59 , correspondiente a la primera esfera de coordinacin
Sn-O. Sin embargo no se aprecian picos a mayores distancias que indiquen la presencia
de una segunda esfera de coordinacin. Por tanto la presencia del platino hace que las
partculas o cristalitas sean de menor tamao en este electrodo. Cuando el electrodo ha
sufrido la desactivacin por polarizacin andica el espectro FT-EXAFS (figura 2.103)
no presenta diferencias significativas respecto al espectro del electrodo nuevo. De nuevo
se aprecia el pico a 1.59 correspondiente a la primera esfera de coordinacin del Sn,
pero no se pueden observar picos claros pertenecientes a esferas de coordinacin
superiores.
En la figura 2.104 se muestran los espectros obtenidos para el borde Sb-K para
ambos electrodos Ti/SnO2-Sb-Pt nuevo y desactivado. Para el electrodo nuevo se
observa el pico ms importante a 1.48 , correspondiente a la primera esfera de
coordinacin Sb-O, en la misma posicin que en los electrodos tipo S.
340
Caracterizacin fsico-qumica
polarizacin andica.
341
Parte 2
Al igual que sucede en los espectros EXAFS Sn-K, no aparecen picos asignables a
las siguientes esferas de coordinacin del Sb, lo que confirma que la presencia de Pt
reduce el tamao de la cristalita. Cuando el electrodo ha sufrido desactivacin por
polarizacin andica se observa un pico principal a 1.33 , que es una distancia menor
que la medida en el electrodo nuevo. Esto indica que el entorno local de Sb ha variado a
causa de la polarizacin andica. El acortamiento de la distancia de enlace de la primera
esfera de coordinacin indica una modificacin del compuesto de Sb en la capa de
xidos de estao. No se ha podido determinar la naturaleza qumica de este compuesto
al no haber podido realizar el espectro de otros patrones de Sb (Sb2O5, Sb2O3,...)
Por ltimo tambin ha sido analizado el borde Pt-LIII de estos electrodos. El
espectro FT-EXAFS de un electrodo SP1-20 se muestra en la figura 2.105. El espectro
obtenido es muy similar al espectro caracterstico de una placa de platino metlico, con
un pico importante a 2.60 , correspondiente al enlace Pt-Pt. Este resultado indica la
presencia de partculas de platino de gran tamao.
Un electrodo tipo SP1-20 que ha sufrido la desactivacin por polarizacin andica
tiene un espectro FT-EXAFS de Pt muy similar a este, lo que indica que el tratamiento
de desactivacin no afecta en demasa al tamao de las partculas de platino, ni modifica
en exceso el entorno qumico de este metal.
Sumario
342
Conclusiones
Conclusiones de la Parte 2
343
Conclusiones
344
Conclusiones
resultados obtenidos con DRX. En los electrodos que han sufrido desactivacin se
aprecia una prdida en el ordenamiento local alrededor de los tomos de Sn y Sb.
345
Referencias de la parte 2
Captulo 5
346
18 GB Hoflund, AL Grogan, DA Asbury, DR Schryer, Thin Solid Films 169 (1989)
69-77.
19 W Liu, X Cao, Y Zhu, L Cao, Sens. Actuators B 66 (2000) 219-221.
20 WE Morgan, WJ Stec, JR Van Wazer, Inorg. Chem. 12, (1973) 953-955.
21 C Terrier, JP Chatelon, R Berjoan, JA Roger, Thin Solid Films 263 (1995) 37-
41.
22 C Terrier, JP Chatelon, JA Roger, R Berjoan, C Dubois, J Sol-Gel Sci Technol.
10 (1997) 75-81.
23 C Terrier, JP Chatelon, JA Roger, Thin Solid Films 295 (1997) 95-100.
24 M Gugliemi, E Menegazzo, M Paolizzi, G Gasparro, D Ganz, J Ptz, MA
Aegerter, L Hubert-Pfalzgraf, C Pascual, A Durn, HX Willems, M Van
Bommel, L Bttgenbach, L Costa, J Sol-Gel Sci. Technol. 13 (1998) 679-683.
25 S Shanti, C Subramanian, P Ramasamy, J Cryst. Growth 197 (1999) 858-864.
26 IM Kodintsev, S Trasatti, M Rubel, A Wieckowski, N Kaufer, Langmuir 8
(1992) 283-290.
27 LA da Silva, VA Alves, SC de Castro, JFC Boodts, Colloids and Surfaces A 170
(2000) 119-126.
28 K Endo, Y Katamya, T Miura, T Kishi, J Appl. Electrochem. 32(2002) 173-178.
29 R Ktz, S Stucki, B Carcer, J Appl. Electrochem. 21 (1991) 21-27.
30 F Vicent, E Moralln, C Quijada, JL Vzquez, A Aldaz, F Cases, J Appl.
Electrochem. 28 (1998) 607-612.
31 G Hopfengartner, D Borgmann, I Rademacher, G Wedler, E Hums, GW
Spitznagel, J Electron Spectros. Rel. Phenom. 63 (1993) 91-116.
32 K Hamrin, G Johansson, A Fahlman, C Nordling, J Phys. Chem. Solids, 30,
(1969) 1835-1847.
33 VI Nefedov, D Gati, BF Dzhurinskii, NP Sergushin, YV Salyn, Russ. J Inorg.
Chem., 20 (1975) 2307-2314.
34 D Leinen, A Fernandez, JP Espinos, JP Holgado, AR Gonzalez-Elipe, Appl.
Surf. Sci., 68 (1993) 453-459
35 PA Grutsch, MV Zeller, TP Fehlner, Inorg. Chem., 12 (1973) 1431-1433.
347
36 CD Wagner, WM Riggs, LE Davis, JF Moulder, en Handbook of X-ray
photoelectron spectroscopy, Ed. Perking-Elmer Corporation, Physical
Electronics Division.
37 MJ Tricker, Inorg. Chem., 13 (1974) 742-744.
38 D Briggs, MP Seah, en Pratical Surface Analysis. Ed. John Willey & Sons. Vol.
1, 2 edicin, 1993.
39 R Bertoncello, A Casagrande, M Casarin, A Glisenti, E Lanzoni, L Mirenghi, E
Tondello, Surf. Interface Anal., 18 (1992) 525-531.
40 TL Barr, J Phys. Chem., 82, (1978) 1801-1810.
41 C Jones, E Sammann, Carbon, 28 (1990) 509-514.
42 AS Lim, A Atrens, Appl. Phys. A, 51 (1990) 411-418.
43 S Jin, A Atrens, Appl. Phys. A, 42 (1987) 149-165.
44 Y Okazaki, T Tateishi, Y Ito, Mat. Trans., 38 (1997) 78-84.
45 GB Hoflund, DF Cox, F Ohuchi, PH Holloway, HA Laitinen, Appl. Surf. Sci. 14
(1982-83) 281-296.
46 R Amadelli, Ab Velichenko, E Tondello, L Armelao, S Daolio, M Fabrizio, Int.
J Mass Spectrom. 179/180 (1998) 309-317.
47 S Daolio, B Facchin, C Pagura, A De Battisti, S Gelosi, Inorg. Chim. Acta 235
(1995) 381-390.
48 R Amadelli, L Armelao, E Tondello, S Daolio, M Fabrizio, C Pagura, A
Velichenko, Appl. Surf. Sci. 142 (1999) 200-203.
49 C Piccirillo, S Daolio, J Kristof, J Mihaly, B Facchin, M Fabrizio, Int. J Mass
Spectrom. Ion Proc. 161 (1997) 141-149.
50 M Gaidi, JL Hazemann, I Matko, B Chevenier, M Rumyantseva, A Gaskov, M
Labeau, J Electrochem. Soc. 147 (2000) 3131-3138.
51 J Kristof, J Mihaly, S Daolio, A De Battisti, L Nanni, C Piccirillo, J Electroanal.
Chem. 434 (1997) 99-104.
52 S Daolio, B Facchin, C Pagura, A De Battisti, A Barbieri, J Kristof, J Mater.
Chem., 4 (1994) 1255-1258.
348
53 A Licciulli, S Mazzarelli, G De, P Siciliano, L Vasanelli, R Rella, J Sol-Gel Sci.
Technol. 21 (2001) 195-201.
54 D Totir, Y Mo, S Kim, MR Antonio, DA Scherson, J Elecrochem. Soc. 147
(2000) 4595-4597.
55 Y Mo, IC Stafa, WB Cai, J Dong, P Carey, DA Scherson, J Phys. Chem. B 106
(2002) 3681-3686.
56 Y Mo, MR Antonio, DA Scherson, J Phys. Chem. B 104 (2000) 9777-9779.
57 T Arikawa, Y Takasu, Y Murakami, K Askura, Y Iwasaka, J Phys. Chem. 102
(1998) 3736-3741.
58 G Meitzner, GH Via, FW Lytle, SC Fung, JH Sinfelt, J Phys. Chem. 92 (1988)
2925-2932.
59 SH Choi, JS Lee, J Catal. 193 (2000) 176-185.
60 MC Romn-Martnez, D Cazorla-Amors, H Yamashita, S de Miguel, OA
Scelza, Langmuir 16 (2000) 1123-1131.
61 VM Jimnez, JP Espins, A Caballero, L Contreras, A Fernndez, A Justo, AR
Gonzlez-Elipe, Thin Solid Films 353 (1999) 113-123.
62 V Briois, CV Santilli, SH Pulcinelli, GES Brito, J Non-Cristalline Sol. 191
(1995) 17-28.
63 V Briois, SH Pulcinelli, CV Santilli, J Mat. Sci. Lett. 20 (2001) 555-557.
64 GES Brito, V Briois, SH Pulcinelli, CV Santilli, J Sol-Gel Sci. Technol. 8 (1997)
269-274.
65 V Briois, P Serrini, L Chiavacci, SH Pulcinelli, CV Santilli, Recent Res. Devel.
Non-Crystalline Solids 1 (2001) 31-35.
66 P Serrini, V Briois, MC Horrillo, A Traverse, L Manes, Thin Solid Films 304
(1997) 113-122.
67 VM Jimnez, A Caballero, A Fernndez, JP Espins, M Ocaa, AR Gonzlez-
Elipe, Solid State Ionics 116 (1999) 117-127.
68 M Gaidi, M Labeau, B Chenevier, JL Hazemann, Sens. Actuators B 48 (1998)
277-284.
349
69 J Rockemberger, U zum Felde, M Tischer, L Trger, M Haase, H Weller, J
Chem Phys. 112 (2000) 4296-4304.
70 SR Davis, AV Chadwick, JD Wrigth, J Phys. Chem. B 101 (1997) 9901-9908.
71 CV Santilli, SH Pulcinelli, GES Brito, V Briois, J Phys. Chem. B 103 (1999)
2660-2667.
350