Professional Documents
Culture Documents
- Semiconductor intrnsecos
Los semiconductores son aqellos materiales cuyas condcutividades
elctricas se encuentran entre las de los metales altamente confuctores y
la de los aislantes, pobremente conductoes. Los semiconductores
intrincecos son semiconducrores puros cuya conductividad elctrica
esta determianda por sus propiedades conductoras innatas. Los
elementos silicio y germanio puro son materuales semiconductores
itrinsecos. Estos elementos, que estn en el grupo 4 de la tabla
periodoca, poseen la estructura cubica del diamante con enlaces
covalentes altamente direccionales
En esta representacin los crculos son los iones positivos de los atomos Si o
Ge, y los pares de lneas que se unen inidican electrones de valencia
enlazantes. Los electrones de enlace son incapases de moverse a travs de lka
red cristalina y de condicor la electricidad, a menos que se comunoque
suficiente energa apora exitales desde su posicin de enlace. Cuando se aplica
una cantdad cirtica de energa a un electroin de valencia para exitarle desde sui
posicin de enlace, se convierte enun electron de conduccon lirbre y deja tras
de si un hueco cargado psitivamente en la red cristalina.
Trabsoirete de caga elexctricfa en la red cristaslina del silicio puro.
En el proceso de conduccin elctrica rn un semiconductor como el silicio
puro o el germanio, ambos electrones y hucos son portsadores de carga y se
mueven enujun campo elctrico cargado. Los electrpones de cnduccion tienen
una carga negativa y son atrados al polo positivo de un circuito elecxtrico. Un
hueco tiene una cpaa positiva igual en magnitud a la caga del electron.
El movimiento de un huevi enb un campo elet4ico se representa d la siguiente
manera:
Donde
n = numero de electrones de conduccin por unidad de volumen
p = numero de huecs de conduccin por unidad de volumen
19
q = vaolor absoluto de la carga del electron o hueco 1.6 x 10 C
Las cantidades vn/E y vp/E son llamadas movilidades del electron y del hueco,
dado que miden la velocidad de deriva de los electrones y huecos en
semiconducorws en un campo elctrico aplicado. Los smbolos
n y p se usan para las movilidades de electron y hueco, respectivamente.
La situacin de las movilidades por vn/E y vp/E en la ecuacin anterior permite
que la continuidad elctrica de un semiconductir se exprese como
=nq n + pq p
Donde:
Eg = banda de vacio de la energa
Eav = energa media a travez de la banda de vacio
K= constante de boltzmann
T= temperatura K
Para semicnoductores tales como silicio puro y germanio, Eav se encuentra a
mitad de camno de la brecha, o Eg/2. Asi lka ecuacin se concvierte en
ni e( E E /2)/ KT
g g
E g /2 KT
ni e
O tambin:
Eg
ln =ln 0
2 kT
Semiconductores Extrinsecos
Los semiconductores extrnsecos son slouciones solidas substitucinales muy
diluidas en las que los atomos de las impurezas soluto poseen caacteristicas de
valencia diferentes de lared atmica que actua como disolvente. Las
concentraciones de atomos de impureaas aadidos a estro semiconductes se
encuentra normalmente entre 100 y 100 ppm
Semiconductores extrnsecos tipo n (tipo negativo)
Considerando el enlace covalente del cristal de silicio mostrado en la figura a.
Si un atomo impureza del grupo VA, por ejemplo, el fosforo, sustituyw a un
atomo de silicio que e sun atomo del grupo IVA, habr un electron de as que
no es necesario para foirmar el enlace covalete tetraedrciop del cristaol de
silicio. Este electro extra esta unido ligeramente por el nucle de fosforo
cargado positivamente .
Cuando bajo la accin de uun campo elctrico, el electron extra se convierte
en un electron libre valido para la conduccin, el atomo de fosforo remanente
se ioniza y adquiere una xcarga positiva (figura b)
a) La adicin de un tomo de impureza de fsforo pentavalente a la red de
silicio tetravalente proporciona un quinto electrn que est unido
dbilmente al tomo de fsforo base. Slo una pequea cantidad de
energa (0.044 eV) hace que este electrn sea mvil y conductor. b)
Bajo un campo elctrico aplicado el electrn de exceso se vuelve
conductivo y es atrado a la terminal positiva del circuito elctrico. Con
la prdida del electrn adicional, el tomo de fsforo se ioniza y
adquiere una carga +1