1 O que so materiais intrnsecos e extrnsecos?

Existem vrios tipos de materiais semicondutores. Os mais comuns e mais utilizados so o

silcio (Si) e o germnio (Ge). Este dois elementos caracterizam-se por serem tetravalentes, ou
seja, por possurem quatro eltrons na camada de valncia e eles se estabilizam quando
possuem 8 eltrons na camada de valncia. Por serem tetravalentes, cada um de seus tomos
pode realizar quatro ligaes covalentes com outros quatro tomos.

Define-se material intrnseco como sendo o cristal com elevado nvel de pureza formado por
tomos com quatro eltrons na camada de valncia. Neste cristal todos os tomos possuem
quatro ligaes covalentes com seus tomos vizinhos. Dessa forma cada tomo passa a ter 8
eltrons na ultima camada. Nenhum eltron sobra ou falta, pois todos pertencem a dois
tomos de semicondutor.

As caractersticas de um material semicondutor podem ser alteradas significativamente pela

adio de tomos especficos de impureza ao material semicondutor relativamente puro. Tais
impurezas, embora apenas adicionadas na proporo de uma parte em 10 milhes, podem
alterar a estrutura de banda a ponto de modificar totalmente as propriedades eltricas do
material.

Denomina-se dopagem o processo de adicionar impurezas ao cristal semicondutor. Impurezas

so materiais com tomos trivalentes ou pentavalentes, isto , com 3 ou 5 eletrons na camada
de valencia.

Um material semicondutor que tenha sido submetido ao processo de dopagem chamado de

material extrnseco.

Um material do tipo n criado pela introduo de elementos de impureza que tm cinco

eltrons de valncia. As quatro ligaes covalentes ainda esto presentes. H, porm, um
quinto eltron adicional devido ao tomo de impureza, o qual est dissociado de qualquer
ligao covalente em especial. Esse eltron restante, fracamente ligado ao seu tomo de
origem (antimnio), relativamente livre para se mover dentro do recm-formado material do
tipo n, uma vez que o tomo de impureza inserido doou um eltron relativamente livre para
a estrutura

O material do tipo p formado pela dopagem de um cristal puro com tomos de impureza que
possuem trs eltrons de valncia. Agora o nmero de eltrons insuficiente para completar
as ligaes covalentes da trelia recm-formada. O espao vazio resultante chamado de
lacuna. A lacuna resultante aceitar prontamente um eltron livre

2 Descreva as caractersticas em termos de nvel de energia dos materiais condutores,

semicondutores e isolantes.

Num material isolante existe uma grande banda de energia entre a banda de conduo e a
banda de valncia denominada banda proibida. Deste modo, necessria uma grande
quantidade de energia para um eltron passar da banda de valncia para a banda de conduo
e a temperatura ambiente pouqussimos eltrons estaro disponveis para conduzir corrente
eltrica.

No material condutor existe uma sobreposio das bandas de valncia e de conduo, assim
todos os eltrons da banda de valncia j esto na banda de conduo de forma que, ao
ficarem sujeitos a um campo eltrico, facilmente se deslocam pelo metal, constituindo uma
corrente eltrica.

J o material semicondutor tem uma banda proibida de valor intermedirio de modo que a
temperatura ambiente alguns eltrons estaro disponveis para a conduo de corrente
eltrica.

3 O que corrente de difuso e corrente de deriva?

Corrente de difuso originada a partir do movimento aleatrio dos portadores de carga de

modo a reequilibrar a distribuio dos portadores.

Corrente de deriva originada a partir da aplicao de um campo eltrico.

4 O que so portadores majoritrios e minoritrios?

Quando num cristal intrnseco acrescentada uma quantidade de tomos de um material

pentavalente, um dos eltrons da camada de valncia de cada tomo fica sem participar das
ligaes. Tornando-se eltron livre. Desta forma, o nmero de eltrons livres maior que o
nmero de lacunas, ou seja, neste semicondutor os eltrons livres so portadores majoritrios
e as lacunas so portadores minoritrios.

????

No estado intrnseco, o nmero de eltrons livres no Ge e no Si resultante apenas dos

poucos eltrons na banda de valncia que adquiriram energia suficiente de fontes trmicas ou
de luz para quebrar a ligao covalente ou das poucas impurezas que no puderam ser
removidas. Os espaos vazios deixados para trs na estrutura de ligao covalente
representam nossa quantidade bem limitada de lacunas. Em um material do tipo n, o nmero
de lacunas no se alterou significativamente a partir desse nvel intrnseco. O resultado lquido
, portanto, que o nmero de eltrons supera o de lacunas. Por esse motivo:

Em um material do tipo n, o eltron chamado de portador majoritrio e a lacuna de portador

minoritrio.
No caso do material do tipo p, o nmero de lacunas muito maior do que o nmero de e
ltrons. Portanto: Em um material do tipo p, a lacuna o portador majoritrio e o eltron o
portador minoritrio.

5 Descreva o processo de polarizao direta e polarizao reversa de uma juno pn.

Se um potencial externo de V volts for aplicado juno p-n de modo que o terminal positivo
seja ligado ao material do tipo n e o terminal negativo ao material do tipo p, o nmero de ons
positivos descoberto na regio de depleo do material do tipo n aumentar devido ao grande
nmero de eltrons livres atrados para o potencial positivo da tenso aplicada. Por razes
semelhantes, o nmero de ons negativos descoberto aumentar no material do tipo p.

O efeito lquido, portanto, ser um alargamento da regio de depleo. Esse alargamento

estabelecer uma barreira grande demais para ser superada pelos portadores majoritrios,
efetivamente reduzindo o fluxo deles a zero.

No entanto, o nmero de portadores minoritrios que entram na regio de depleo no

mudar, resultando em vetores de fluxo de portadores minoritrios da mesma magnitude,
sem tenso aplicada.

A corrente existente sob condio de polarizao reversa chamada de corrente de saturao

reversa e representada por Is. A corrente de saturao reversa raramente tem mais do que
alguns microampres e comumente em nA, exceto para dispositivos de alta potncia.

A condio de polarizao direta estabelecida mediante a aplicao do potencial positivo ao

material do tipo p e do potencial negativo ao material do tipo n.

A aplicao de um potencial de polarizao direta VD forar os eltrons no material do tipo

n e as lacunas no material do tipo p a se recombinarem com os ons prximos fronteira e a
reduzirem a largura da regio de depleo.

O fluxo resultante de portadores minoritrios de eltrons do material do tipo p para o do tipo

n (e das lacunas do material do tipo n para o do tipo p) no se alterou em magnitude (uma vez
que o nvel de conduo controlado principalmente pelo nmero limitado de impurezas no
material), mas a reduo na largura da regio de depleo resultou em um intenso fluxo de
majoritrios atravs da juno.

medida que a tenso aplicada aumentar em magnitude, a regio de depleo continuar a

diminuir em largura at que uma torrente de eltrons possa passar atravs da juno,
resultando em um aumento exponencial na corrente.
6) Explique, em termos de nvel de energia, as diferenas entre as magnitudes das
resistividades de materiais condutores, semicondutores e isolantes.

7) Explique o por qu da diferena entre os coeficientes de temperatura dos materiais

condutores e semicondutores. (tambm explicar em termo de nvel de energia)

Uma diferena importante e interessante entre semicondutores e condutores a sua reao

aplicao de calor. No caso dos condutores, a resistncia aumenta medida que o calor
aumenta. Isso ocorre porque os nmeros dos portadores em um condutor no aumentam de
modo significativo em funo da temperatura, mas seu padro de vibrao sobre uma posio
relativamente fixa torna cada vez mais difcil um fluxo contnuo de portadores por todo o
material. Materiais que reagem dessa maneira so tidos como de coeficiente de temperatura
positivo.

J os materiais semicondutores exibem um aumento do nvel de condutividade mediante a

aplicao de calor. medida que a temperatura sobe, um nmero crescente de eltrons de
valncia absorve energia trmica suficiente para quebrar a ligao covalente e contribuir com
o nmero de portadores livres. Portanto, materiais semicondutores tm um coeficiente de
temperatura negativo.

8) Trace as curvas caractersticas do FET e mosfet intensificao canal N

9) O que um material extrnseco? Explique, em termos de bandas de energia, qual o efeito

da dopagem em um material semicondutor.

10) Descreva o efeito Zener e o efeito avalanche.

Os diodos quando reversamente polarizados possuem um corrente de fuga divido aos

portadores minoritrios, porm essa corrente tem valores muito pequenos para serem
consideradas. Entretanto quando a diferena de potencial entre os terminais do diodo
reversamente polarizado atingem uma valor da tenso de ruptura, ocorre um aumento abruto
da corrente reversa e a destruio do dispositivo devido a elevada dissipao de energia
(efeito Joule).

Nos diodos zener ocorre a mesma coisa, porm esse componente semicondutor fortemente
dopado o que torna a tenso de ruptura (Vz) bem menor que nos diodos convencionais, da
mesma forma a rea da juno aumentada o que facilita a dissipao da potncia.

Ao polarizar um diodo zener com uma tenso reversa igual a Vz h o rompimento das ligaes
covalentes no semicondutor, esse efeito se chama ruptura zener e depende do grau de
dopagem do material semicondutor.

Com o aumento da tenso reversa sobre o diodo tambm h um aumento da velocidade das
cargas eltrica no semicondutor. Esse aumento de velocidade faz com que os choques dos
eltrons livres contra a rede cristalina produzem energia suficiente para libertar eltrons da
camada de valncia (ionizao). O Eltron que foi libertado tambm acelerado libertando
outros eltrons, isso da origem a uma reao em cadeia conhecida como efeito avalanche.
11) Explique porque a dopagem de um cristal de silcio altera sua resistividade.

A dopagem de um cristal gera, por causa de tomos aceitadores ou doadores, lacunas ou

eltrons livres no material, agora, extrnseco. Essa dopagem cria um nvel intermedirio de
energia, o que faz com que os eltrons da banda de valncia cheguem mais facilmente banda
de conduo, fazendo com que aumente o numero de portadores de carga. Dessa forma, h
mais portadores e, portanto, maior facilidade de conduo de corrente eltrica.

12) Quais so os conceitos fundamentais que definem a resistividade de um cristal

semicondutor?

A resistividade em um cristal semicondutor depende dos fatores mobilidade dos eltrons

livres, densidade dos eltrons livres, mobilidade das lacunas e densidade das lacunas. As
mobilidades so medidas em [cm2/V.s] e representam a facilidade do portador em se mover.
As densidade so medidas em 1/cm3 e representam a quantidade de portadores por volume. A
expresso da resistividade em um semicondutor dada por:

1
=
q(p.p + n.n)

= resistividade
q mdulo da carga eltrica do eltron
n concentrao de eltrons livres
p concentrao de lacunas
n mobilidade dos eltrons livres (1350 cm2/(V.s))
p mobilidade das lacunas (500 cm2/(V.s))