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UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER 1

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PROGRAMA DE INGENIERA ELECTRNICA
ELECTRNICA III Versin: 1.0

Informe de laMauricio
prcticaHernndez de laboratorio N1:
Jhon Castro 1161104
1160690
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Amplificador multietapaI. con etapa de


Potencia

Herramientas de laboratorio osciloscopio,
Multmetro digital, Fuente DC y generador de
INTRODUCCIN seales componentes necesarios para alimentar y

E xisten amplificadores de varios tipos como los de realizar mediciones al circuito electrnico.
corriente, y de voltaje que son tiles a la hora de
IV. DESARROLLO DE LA PRCTICA
aumentar en un factor n, sin embargo, en algunas
aplicaciones es muy utilizado el acoplamiento con una etapa
de potencia, as pues a la hora de disear un amplificador es I. DISEO ETAPA DE POTENCIA
importante tener en cuenta la cantidad de potencia que debe
entregar a una carga determinada, pues en algunos casos se
habla de cantidades grandes de potencia. 186
V p 7.6V
Por este motivo se proceder a disear e implementar un
circuito amplificador de voltaje acoplado con una etapa de VCC / V EE 12V
potencia que permita cumplir con los requerimientos del
R L 20
laboratorio.
VP
Se describirn cada uno de los pasos de diseo, adems de
I CQMAX 0.38 A
RL
comprobar el funcionamiento del circuito.
I CQMAX
I BQMAX 2.043mA

VCC
I. OBJETIVOS V EE VD VP
R2 2 2 1.811K R1
Disear un amplificador de voltaje teniendo en
I BQMAX
cuenta los parmetros de diseos expuestos en la
gua de trabajo.
Implementar un amplificador de voltaje con etapa de Z in R f R2 || R f R2 || R L 733.4
potencia como salida.
2
Identificar las variaciones del circuito ante cambios I CQMAX * RL
en las condiciones ambientales. P 1.444W
Analizar el comportamiento del circuito mediante el 2
software de simulacin OrCAD Pspice 16.6. El circuito de la etapa de potencia, se logra ver simulado
con sus respectivos componentes en la figura 1.
II.PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Cul es la mejor configuracin a utilizar para cumplir con
los requerimientos de la prctica?

III. HERRAMIENTAS UTILIZADAS


Orcad Capture 16.6 Software de simulacin de
circuitos electrnicos utilizado para la elaboracin
de esquemticos permitiendo estudiar sus
principales caractersticas.

Transistores 2N222A, TIP41C y TIP42C,


utilizados para las diferentes etapas del
amplificador.

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Figura 2. Etapa seguidora


Figura 1. Etapa de potencia
III. DISEO ETAPAS INVERSORAS
II. DISEO ETAPA SEGUIDORA
Emisor 4 etapa
Sea :
R L 720 Arbitrariamente :
R E 720 RC 3 K
RE AV 7
R AC 360
2 RC
RE 428.6
R DC 720 AV
VCC RC
I CQ 21.33mA R AC 1.929 K
R DC R AC 2
R B 0.1 * 1 * R E 10.872 K R DC 3.429 K
VCC * R B VCC
R1 41.3471K I CQ 4.48mA
V BB R DC R AC
RB I CQ
R2 14.7506 K I 10 * 298.67 A
V BB
1
2 * VCC 0.7 RE * I CQ
R2 8.7723K
VT I
r 175.8
I CQ 2 * VCC I * R2
R1 71.5848 K
Z in R B || r 1 R E 9.885 K I
R B R1 || R2 7.8147 K
El circuito de la etapa seguidora, se observa de forma
simulada en la figura 2. Ahora teniendo en cuenta el efecto de carga:
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9.885 K Arbitrariamente :
AV 7 * 5.37
3K 9.885 K RC 15.254 K
Z in R B || r 1 R R 7 K AV 8
RC
En la figura 3, se observa el circuito simulado de RE 1.9067 K
la tercera etapa, la cual es una inversora. AV
RC
R AC R E 9.5338 K
2
R DC 17.1607 K
VCC
I CQ 0.899mA
R DC R AC
I CQ
I 10 * 59.937 A

0.7 RE * I CQ
R2 40.2801K
I
2 * VCC I * R2
R1 360.1374 K
I
R B R1 || R2 36.2281K

Ahora teniendo en cuenta el efecto de carga:


Figura 3. Etapa inversora

Emisor 3 etapa 7 K
AV 8 * 2.5164
7 K 15.254 K
Z in R B || r 1 R R 32.2305 K

Emisor 2 etapa

Para esta etapa se utiliz nicamente una fuente de


12V, pues no es necesaria la implementacin de otra.

Ahora, a diferencia de las etapas posteriores se tuvo


en cuenta la mxima transferencia de potencia para la
realizacin del diseo.

As, pues, los valores hallados son:


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RC 32.2305K AV 6 0.978
R E 3.2231K AV 5 0.992
R1 725.5891K AV 4 5.37
R2 96.2886 K AV 3 2.464
r 17.1225 K AV 3 4.829
Z in 72.735 K AV 3 5.723
I CQ 0.2190 mA Luego
AVT 354.77
Emisor 1 etapa
VALORES
Para esta etapa se utiliz nicamente una fuente de VARIABLE
12V, pues no es necesaria la implementacin de otra.
TERICO SIMULADO EXPERIMENTAL
Ahora, a diferencia de las etapas posteriores se tuvo IcQ1 0.1mA 0.09mA 0.097mA
en cuenta la mxima transferencia de potencia para la VCE1 4.1207v 4.25v 3.95v
realizacin del diseo.
IcQ2 0.219mA 0.2mA 0.18mA
As, pues, los valores hallados son: VCE2 4.2356v 4.63v 4.3vv
IcQ3 0.899mA 0.835mA 0.808mA
RC 72.735 K VCE3 8.57v 9.67v 10.17v
R E 6.0613K IcQ4 4.48mA 4.08mA 3.933mA
R1 1.6214 M
I CQ 0.1mA VCE4 8.64v 10.1v 9.93v
R2 196.99 K
IcQ5 21.333mA 21.7mA 20.92mA
r 37.8828K
VCE5 8.6424v 8.30v 8.44v
Z in 150 K
IcQ6 0.38A 0.37A 0.34545A
Sin embargo como los valores de ganancia fueron VCE6 12v 12v 11.8v
hallados mediante la aproximacin:
RC IcQ7 0.38A 0.37A 0.34545A
AV
RE VCE7 12v 12v 11.9v
Entonces, se proceder a hallar los valores Tabla 1. Valores simulados, analticos y tericos
verdaderos de cada uno de los circuitos mediante la Para hallar el valor de los capacitores de baja frecuencia:
frmula:

RC || RL CS
1
26.53F 33F
AV 40
r 1 RE 2 * 150 K
1000
Por lo cual:
1
C1 55.1587 F 56 F
40
2 * 72.135 K
1000
1
C2 12.345F 22F
40
2 * 32.345 K
100
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1 innecesario de potencia.
C3 5.68F 33F
40
2 * 7 K Al disear la etapa de potencia, se establece la
10 utilizacin de diodos generales, se concluy que el uso
1 de estos diodos se hace necesario ya que actan como
C4 40.25F 47 F
40 medio de proteccin al direccionar la corriente, puesto
2 * 9.885K que en esta etapa las corrientes estn en el orden de los
100
Amperios, dichos diodos permitirn la proteccin de los
1 otros componentes implementados en el circuito como
C5 54.252F 330F
40
2 * 733.4
los transistores que no son de potencia, las diferentes
10 resistencias y los equipos de laboratorio.
1
C6 198.94F 330F En el momento de realizar el montaje fsico, se debe
2 * 20 * 40 utilizar una resistencia de salida (RL) especial acorde a la
etapa de potencia puesto que las resistencias con las que
Ahora, para el capacitor de alta frecuencia: se ha trabajado normalmente resisten mximo 1W,
sabiendo esto, se implement una resistencia de 22 a
1 5W, ya que la potencia promedio a disipar ser de
CL 63.66nF 47 pF
2 * 30 *100k 1.444W.

V. CONCLUSIONES Al observar los resultados experimentales, se pudo


concluir que realizando el diseo correctamente teniendo
en cuenta las mximas transferencias de potencia entre
Se reconocieron los criterios necesarios para el diseo etapas, la salida de la etapa de potencia va a ser
de una etapa de potencia de clase AB, como por ejemplo prcticamente la misma salida que la de la cuarta etapa
el voltaje pico de salida, la potencia y corriente mxima. (ltima etapa inversora) y en consecuencia tambin igual
a la salida de la quinta etapa (etapa seguidora), as que
Se fortalecieron los conocimientos bsicos para el se puede decir que esas dos ltimas etapas no interfieren
diseo de amplificadores emisor y colector comn. sobre la seal de voltaje del amplificador multietapa.
Se reforzaron los diferentes mtodos de anlisis y REFERENCIAS
diseo para los amplificadores multietapa, realizando as
los respectivos clculos matemticos, las diferentes [1] Datasheet transistor NPN 2N222A
simulaciones y el montaje final en fsico. [2] Datasheet transistor TIP41C
[3] Datasheet transistor TIP42C
[4] Ing. Jos Alejo Rangel Roln, Guas de laboratorio Electrnica III
Para la implementacin de una etapa de potencia es [5] Savant, C. Roden, M, Carpenter, G. 1992. Diseo electrnico. Adisson
necesario contar con un tipo de transistor especial, que Wesley Iberoamericana.
tenga la capacidad de disipar la potencia (en forma de
calor) para no causar daos en el circuito.

Si la potencia en forma de calor que el transistor de


potencia debe disipar es de un valor cercano a T j, es
necesaria la implementacin de un disipador de calor
que ayude a que la temperatura del transistor sea estable,
con el fin de prevenir daos en el material
semiconductor.

No es necesario usar las dos fuentes de alimentacin


en DC (VCC y VEE) para todo el circuito, ya que
realizando nuestro anlisis, se detect que slo es
necesario hacer uso de las dos a partir de la tercera
etapa, dejando as las dos primeras etapas alimentadas
con una sola fuente DC (V CC) evitando el consumo
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ANEXO A. INFORMACIN ADICIONAL


CIRCUITO AMPLIFICADOR

Anexo 1. Circuito Amplificador multietapa con etapa de Potencia.

DOMINIO DEL TIEMPO

Anexo 2. Ganancia en el dominio del tiempo.


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DOMINIO DE LA FRECUENCIA

Anexo 3. Ganancia en el dominio de la frecuencia.

Anexo 4. Impedancia de entrada.


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Anexo 5. Impedancia de salida.

Anexo 6. Voltaje de salida del amplificador multietapa con etapa de potencia.

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