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II. MATERIALES
Una fuente de corriente continua variable
Un multmetro (Digital)
Resistencia de 100
EL DIODO
DIODO IDEAL
Polarizacin
Cuando las terminales de un material semiconductor extrnseco se encuentran
sometidas a un diferencia de potencial (se dice que se encuentra en estado
polarizado), entonces se establece un campo elctrico en el interior del material
lo que ocasiona que las partculas formadoras del material tipo p sea atrado
hacia el potencial ms negativo, mientras que las partculas del material tipo n
son atradas hacia la terminal con potencial ms positivo, este hecho es un
principio fundamental de la electricidad: cargas distintas se atraen, cargas
opuestas se repelen.
En este caso no existe ninguna presin (potencial) que obligue a los portadores
a fluir, por lo que no existe conduccin elctrica en ninguna direccin.
Una fuente de voltaje en las terminales del diodo con polaridad positiva
aplicada en la parte P del diodo y polaridad negativa en la parte N del diodo
(ver figura 2.2) ocasiona que el diodo se active y pase al estado de conduccin,
al reducir la regin de agotamiento.
Figura 2.2
unin p-n bajo
polarizacin
directa
Figura 2.3
Unin p-n bajo
polarizacin
inversa
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
Caracterstica Si Ge
hasta 200
Tmax menor a 100 C
C
Vt 0.7 V 0.3 V
Siendo Vt el potencial mnimo necesario en las terminales del diodo para iniciar
la conduccin, cuando este se encuentra polarizado en directa y se denomina
potencial de conduccin, de umbral o de disparo.
Figura 2.7
Comparacin entre
diodos
semiconductores de Si
y de Ge
Como es sabido la relacin entre voltaje y corriente R=V/I dada por la ley de
Ohm se denomina resistencia, particularmente en un diodo el valor de esta
depende del punto de operacin (siempre y cuando este se site en la regin
de rpido crecimiento de la curva, es decir en las cercanas de Vt=0.7 volts
para Si y 0.3 V para Ge) y el tipo de seal aplicada.
El valor de rB vara entre 0.1 ohms para dispositivos de alta potencia, hasta 2
ohms para diodos de baja potencia de propsito general.
Estas son hojas de datos tcnicos detallados de las caractersticas del diodo,
los lmites de potencia, voltaje, frecuencia, temperatura etc
Puesto que:
IV. PROCEDIMIENTO:
V. RESULTADOS OBTENIDOS
R directa() R inversa(M)
244.5 0.039 M
TABLA 2
Vcc(v.) 0.143 0.168 0.206 0.267 0.368 0.474 0.750 1.067 1.279 1.491 1.807 2.325
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.131 0.148 0.166 0.184 0.203 0.215 0.233 0.245 0.252 0.257 0.262 0.270
Vcc(v.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0 1.990 3.98 5.99 7.98 9.9 12 14.98 19.66
R directa() R inversa(M)
444.6 0.042 M
Vcc(v) 0.19 0.22 0.28 0.40 0.58 0.78 1.26 1.77 2.08 2.42 2.88
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0
Vd(v) 0.163 0.202 0.243 0.319 0.417 0.518 0.734 0.950 1.085 1.218 1.393
TABLA 5
TABLA 6
Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.982 2.00 3.96 6.94 7.96 9.920 11.86 14.79 17.88 19.76
1 3 0 0
Id(uA) 0 1 1.2 1.5 2 2.2 2.5 3 3.5 4.3 4.6