Transistor de unin bipolar

C Colector, de extensin mucho mayor.

Ic La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin

epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-
emisor est polarizada en directa, mientras que la base-
colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por

B el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay

poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al
colector. El transistor posee tres estados de operacin: es-

IB
tado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

1 Historia
IE
E
Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar jun-

ction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo elec-
trnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite aumentar la corrien-
te y disminuir el voltaje, adems de controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin
de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gra-
cias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen cier-
tos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conoci- Replica del primer transistor de punto de contacto, hoy en un
museo de la actual Lucent Technologies
dos y se usan generalmente en electrnica analgica aun-
que tambin en algunas aplicaciones de electrnica digi-
tal, como la tecnologa TTL o BICMOS. El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor di-
Un transistor de unin bipolar est formado por dos recto del transistor de unin, fue inventado en diciembre
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen
por una regin muy estrecha. De esta manera quedan for- y Walter Houser Brattain bajo la direccin de William
madas tres regiones: Shockley, cuya primera patente solicitaron los dos pri-
meros nombrados, el 17 de junio de 1948,[1] a la cual
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este
[2][3][4]
fuertemente dopada, comportndose como un me- dispositivo. El transistor bipolar de unin, inven-
tal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona tado por Shockley en 1948,[5] fue durante tres dcadas el
como emisor de portadores de carga. dispositivo favorito en el diseo de circuitos discretos e
integrados. Hoy en da, el uso de los BJTs ha declinado en
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos
emisor del colector. digitales integrados.

1
2 3
2 Estructura
Estructura de un transistor de unin bipolar del tipo PNP.
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin
de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo
N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.
Corte transversal simplicado de un transistor de unin bipolar
NPN en el cual se aprecia como la unin base-colector es mucho
ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el
colector y est compuesta de material semiconductor li-
geramente dopado y de alta resistividad. El colector ro-
dea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los
electrones inyectados en la regin de la base escapar de
ser colectados, lo que hace que el valor resultante de
se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al
transistor una gran .
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros tran-
sistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto
signica que intercambiando el colector y el emisor ha-
cen que el transistor deje de funcionar en modo activo
y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que
la estructura interna del transistor est usualmente opti-
mizada para funcionar en modo activo, intercambiar el
colector con el emisor hacen que los valores de y en
modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se
podran obtener en modo activo; muchas veces el valor
de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de sime-
tra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre
el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado,
mientras que el colector est ligeramente dopado, permi-
tiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa
en la unin colector-base antes de que esta colapse. La
unin colector-base est polarizada en inversa durante la
operacin normal. La razn por la cual el emisor est alta-
mente dopado es para aumentar la eciencia de inyeccin
de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados
por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la
base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de
los portadores inyectados en la unin base-emisor deben
provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales
muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a
que son diseados simtricamente, lo que signica que no
hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo
y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los termi-
nales base-emisor genera que la corriente que circula en-
tre el emisor y el colector cambie signicativamente. Este
efecto puede ser utilizado para amplicar la tensin o co-
rriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como
fuentes de corriente controladas por tensin, pero son ca-
racterizados ms simplemente como fuentes de corrien-
te controladas por corriente, o por amplicadores de co-
rriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio,
pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos
de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de
arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicacio-
nes de alta velocidad.
3 Principio de Funcionamiento
En una conguracin normal, la unin base-emisor se po-
lariza en directa y la unin base-colector en inversa.[6]
Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-
base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos
los portadores que llegaron son impulsados por el cam-
po elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos dio-
3.2 Parmetros Alfa y Beta del transistor de unin bipolar 3

Ib5 de colector es veces la corriente de la base. No obstan-

Ic
te, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y
Ib4 conabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos
Ib3 del transistor como el modelo Ebers-Moll.
pendiente 1/
pendiente
Ib2
3.2 Parmetros Alfa y Beta del transistor
Ib1 de unin bipolar

Una forma de medir la eciencia del BJT es a travs de la

Ib
Vce
pendiente rbe
Vbe
Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.
dos con la regin del nodo compartida. En una operacin
tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y
la unin base-colector est polarizada en inversa. En un
transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva
es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitien-
do a los electrones excitados trmicamente inyectarse en
la regin de la base. Estos electrones vagan a travs de
la base, desde la regin de alta concentracin cercana al
emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados porta- F =
dores minoritarios debido a que la base est dopada con
material P, los cuales generan huecos como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructi-
vamente delgada, para que los portadores puedan difun- F = F
dirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida
til del portador minoritario del semiconductor, para mi-
nimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la 4 Tipos de Transistor de
base debe ser menor al ancho de difusin de los electro-
nes.
proporcin de electrones capaces de cruzar la base y al-
canzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor
y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor.
La ganancia de corriente emisor comn est representa-
da por F o por h . Esto es aproximadamente la tasa de
corriente continua de colector a la corriente continua de
la base en la regin activa directa y es tpicamente ma-
yor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de
corriente base comn, F . La ganancia de corriente ba-
se comn es aproximadamente la ganancia de corriente
desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta
tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que
oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms preci-
samente determinados por las siguientes relaciones (para
un transistor NPN):
IC
IE
IC
F =
IB
F =
F
1 F F + 1
Unin Bi-
polar

4.1 Transistores NPN

3.1 Control de tensin, carga y corriente
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en
La corriente colector-emisor puede ser vista como con- los cuales las letras N y P se reeren a los portado-
trolada por la corriente base-emisor (control de corrien- res de carga mayoritarios dentro de las diferentes regio-
te), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto nes del transistor. La mayora de los transistores bipolares
es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base- usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad
emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial del electrn es mayor que la movilidad de los huecos
usual de una unin PN (es decir, un diodo). en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corrien- y velocidades de operacin.
te es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Los transistores NPN consisten en una capa de material
Esto signica que la corriente de colector es aproxima- semiconductor dopado P (la base) entre dos capas de
damente veces la corriente de la base. Algunos circui- material dopado N. Una pequea corriente ingresando a
tos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base- la base en conguracin emisor-comn es amplicada en
emisor es aproximadamente constante, y que la corriente la salida del colector.
4 5 REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR

La echa en el smbolo del transistor NPN est en la ter-

minal del emisor y apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est
en funcionamiento activo.

4.2 Ejemplo prctico de uso de un transis-

tor bipolar NPN

En este grco se muestra el resultado obtenido, sobre la recta de

polarizacin en color verde con los valores mximos de Vce e Ic,
indicando la corriente, y la tensin necesaria para polarizar al
transistor

rias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos

transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de
las circunstancias.
Ejemplo de uso de un transistor del tipo NPN. Los transistores PNP consisten en una capa de mate-
rial semiconductor dopado N entre dos capas de material
En el ejemplo particular mostrado en la imagen, hay un dopado P. Los transistores PNP son comnmente opera-
transistor del tipo NPN cuyo punto funcionamiento Q (de dos con el colector a masa y el emisor conectado al termi-
la expresin inglesa Quiescent Point, punto esttico) en nal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
corriente continua es desconocido. Hallar el punto Q con- carga elctrica externa. Una pequea corriente circulan-
siste en calcular la corriente que atraviesa el colector del do desde la base permite que una corriente mucho mayor
dispositivo (IC) y la tensin colector-emisor (VCE). circule desde el emisor hacia el colector.
La corriente que atraviesa la base (IB), con referencia al La echa en el transistor PNP est en el terminal del emi-
diagrama se calcula as: sor y apunta en la direccin en la que la corriente conven-
VBB 0.7V cional circula cuando el dispositivo est en funcionamien-
IB = RB
to activo.
Reemplazando los datos:
5V 0.7V
IB = 500k = 8, 6A
Seguidamente, se calcula la corriente de colector, recor- 5 Regiones operativas del transis-
dando que su valor es igual a la corriente de la base, mul-
tiplicada por el parmetro : tor
IC = IB = 100 8, 6 A = 0, 86 mA
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regio-
Finalmente, se halla el valor de la tensin Colector- nes operativas, denidas principalmente por la forma en
Emisor: que son polarizados:
VCE = VCC RC IC
= 12 0, 86 mA 2K Regin activa directa en cuanto a la polaridad:
= 10, 28V
corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector=
Ib
4.3 PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con Cuando un transistor no est ni en su regin
las letras P y N rerindose a las cargas mayorita- de saturacin ni en la regin de corte entonces
 5

est en una regin intermedia, la regin acti-
va. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que se encuen-
tren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea
es utilizar el transistor como un amplicador
de seal.
Como se puede ver, la regin activa es til para la elec-
trnica analgica (especialmente til para amplicacin
de seal) y las regiones de corte y saturacin, para la elec-
trnica digital, representando el estado lgico alto y bajo,
respectivamente.
6 Teora y Modelos Matemticos

Regin inversa: 6.1 Anlisis en continua

Al invertir las condiciones de polaridad del 6.1.1 El modelo Ebers-Moll

funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo in- Las corrientes continuas en el emisor y el colector en ope-
verso. En este modo, las regiones del colector racin normal son determinadas por:
y emisor intercambian roles. Debido a que la
mayora de los BJT son diseados para maxi-
mizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parmetro beta en modo inverso es drstica-
mente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie =

0)
Modelo Ebers-Moll para transistores NPN
En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimen-
tacin del circuito. (como no hay corriente
circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley
de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

De forma simplicada, se puede decir que el la

unin CE se comporta como un circuito abier-
to, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP
cuando:

corriente de colector corriente de emisor = corriente m-

xima, (Ic Ie = Imx) ( VBE )
IE = IES e VT 1
En este caso la magnitud de la corriente depen- ( VBE )
de del voltaje de alimentacin del circuito y de IC = T IES e VT 1
las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se pre- La corriente interna de base es principalmente por difu-
senta cuando la diferencia de potencial entre el sin y
colector y el emisor desciende por debajo del
valor umbral VCE, . Cuando el transistor es- [ ]
ta en saturacin, la relacin lineal de amplica- qDp pbo VVEB
Jp (Base) = e T
cin I =I (y por ende, la relacin I=(+1)I W
) no se cumple.
Dnde:
De forma simplicada, se puede decir que la
unin CE se comporta como un cable, ya que IE es la corriente de emisor.
la diferencia de potencial entre C y E es muy
prxima a cero. IC es la corriente de colector.
6 6 TEORA Y MODELOS MATEMTICOS

T es la ganancia de corriente directa en congura- IS es la corriente de saturacin inversa (en el orden

cin base comn. (de 0.98 a 0.998) de 1015 a 1012 amperios)

IES es la corriente de saturacin inversa del diodo VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente 26

base-emisor (en el orden de 1015 a 1012 amperios) mV a temperatura ambiente 300 K).

VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente 26 VBE es la tensin base-emisor.

mV a temperatura ambiente 300 K). VBC es la tensin base-colector.
VBE es la tensin base emisor.

W es el ancho de la base. 6.2 Modelo en pequea seal

6.2.1 Parmetros h
La corriente de colector es ligeramente menor a la co-
rriente de emisor, debido a que el valor de T es muy
cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una peque-
a variacin de la corriente base-emisor genera un gran
cambio en la corriente colector-emisor. La relacin entre
la corriente colector-emisor con la base-emisor es llama-
da ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico pa-
ra pequeos transistores bipolares. En una conguracin
tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs
de la unin base-emisor para controlar la corriente entre
emisor-colector. est relacionada con a travs de las Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN.
siguientes relaciones: Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC
respectivamente.

IC Otro modelo comnmente usado para analizar los circui-

T =
IE tos BJT es el modelo de parmetro h. Este modelo es un
circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y per-
IC mite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y
F =
IB puede ser usado para desarrollar modelos ms exactos.
T F Como se muestra, el trmino x en el modelo represen-
F = T = ta el terminal del BJT dependiendo de la topologa usa-
1 T F + 1
da. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la
Jp (Base)
Eciencia del emisor: = JE imagen toman los valores especcos de:
Otras ecuaciones son usadas para describir las tres co-
rrientes en cualquier regin del transistor estn expresa- x = 'e' debido a que es una conguracin
das ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el mo- emisor comn.
delo de transporte de un transistor de unin bipolar. Terminal 1 = Base
( VBE VBC ) ( VBC )
Terminal 2 = Colector
iC = IS e VT e VT ISR e VT 1
( VBE ) ( VBC ) Terminal 3 = Emisor
iB = ISF e VT 1 + ISR e VT 1 i = Corriente de Base (i )
( VBE VBC ) ( VBE ) i = Corriente de Colector (i )
iE = IS e VT e VT + ISF e VT 1 V = Tensin Base-Emisor (VBE)
Dnde: V = Tensin Colector-Emisor (VCE)

iC es la corriente de colector. Y los parmetros h estn dados por:

iB es la corriente de base. h = h - La impedancia de entrada del transistor

(correspondiente a la resistencia del emisor r).
iE es la corriente de emisor.

F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a h = h - Representa la dependencia de

500) la curva IBVBE del transistor en el va-
lor de VCE. Es usualmente un valor muy
R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a pequeo y es generalmente despreciado
20) (se considera cero).
 7

h = h - La ganancia de corriente [4] Patent US2600500: Semiconductor signal translating de-

del transistor. Este parmetro es general- vice with controlled carrier transit times (en ingls). Uni-
mente referido como hFE o como la ga- ted States Patent Oce. Consultado el 13 de marzo de
nancia de corriente continua (DC) en las 2016.
hojas de datos. [5] Patent US2569347: Circuit element utilizing semicon-
h = h - La impedancia de salida del ductive material (en ingls). United States Patent Oce.
transistor. Este trmino es usualmente es- Consultado el 30 de marzo de 2016.
pecicado como una admitancia, debien- [6] Transistor de unin bipolar, p. 189, en Google Libros
do ser invertido para convertirlo a impe-
dancia.
9 Enlaces externos
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en mi-
nscula y por ende representan que las condiciones de
Curvas caractersticas del transistor
anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para con-
diciones de corriente continua estos subndices son expre- Cmo funcionan los transistores? por William
sados en maysculas. Para la topologa emisor comn, un Beaty (en ingls) (en espaol)
aproximado del modelo de parmetro h es comnmente
utilizado ya que simplica el anlisis del circuito. Por esto Lnea del tiempo histrica de los transistores (en in-
los parmetros h y h son ignorados (son tomados como gls)
innito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse
que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anli-
sis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis
de seales de altas frecuencias este modelo no es utiliza-
do debido a que ignora las capacitancias entre electrodos
que entran en juego a altas frecuencias.

7 Vase tambin
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Electrnica.

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timedia sobre Transistor de unin bipolar.
Commons

Transistor

Transistor Uniunin (UJT)

Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

8 Referencias
[1] Patent US2524035: Three-electrode circuit element uti-
lizing semiconductive materials (en ingls). United Sta-
tes Patent Oce. Consultado el 13 de marzo de 2016.

[2] Patent US2569347: Circuit element utilizing semicon-

ductive material (en ingls). United States Patent Oce.
Consultado el 13 de marzo de 2016.

[3] Patent US2502479: Semiconductor amplier (en in-

gls). United States Patent Oce. Consultado el 13 de
marzo de 2016.
8 10 ORIGEN DEL TEXTO Y LAS IMGENES, COLABORADORES Y LICENCIAS

10 Origen del texto y las imgenes, colaboradores y licencias

10.1 Texto
Transistor de unin bipolar Fuente: https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar?oldid=99101380 Colaborado-
res: Ramjar, Murphy era un optimista, Cinabrium, Digigalos, Petronas, RobotQuistnix, ALE!, GermanX, Matiasasb, Paintman, CEM-
bot, Davius, FrancoGG, Leandroidecba, Jcabfer, Isha, Tarantino, Gusgus, VanKleinen, Kved, Gsrdzl, Muimota, Humberto, Marvelshine,
Phirosiberia, Plux, Aibot, VolkovBot, Technopat, Matdrodes, Shooke, AlleborgoBot, Muro Bot, Srbanana, Sealight, SieBot, Loveless,
Macarrones, BOTarate, 121marco, Carabs, Jacquard, Tirithel, CharlieM, HUB, SPQRes, Eduardosalg, Leonpolanco, Petruss, Antonio
maza, Aipni-Lovrij, UA31, AVBOT, Flakinho, Louperibot, Josemanuel Navas, MALM RINO, Arjuno3, Luckas-bot, Plugger~eswiki,
Ciudadano001, Max adam, Kb99, Ortisa, Xqbot, Jkbw, Charlest, Igna, Botarel, AstaBOTh15, Rojasyesid, Halfdrag, PatruBOT, Humanoc,
GrouchoBot, Gauri, EmausBot, JA Galn Baho, Kgsbot, MerlIwBot, Travelour, MetroBot, Invadibot, El Tio San, Makecat-bot, Legobot,
Gustavo Miguel Figueres, Hans Topo1993, Tecinfor, Ltblaze, Danielcastillo2, Jarould, Wizard-Lizard y Annimos: 147

10.2 Imgenes
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www.electronicagonzalez.com Artista original: Marvelshine
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Archivo:Bipolar_Junction_Transistor_PNP_Structure.png Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/f9/Bipolar_
Junction_Transistor_PNP_Structure.png Licencia: Public domain Colaboradores: No machine-readable source provided. Own work as-
sumed (based on copyright claims). Artista original: No machine-readable author provided. MovGP0 assumed (based on copyright claims).
Archivo:Caracterstica_idealizada_de_un_transistor_bipolar.svg Fuente: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/8/8a/
Caracter%C3%ADstica_idealizada_de_un_transistor_bipolar.svg Licencia: CC-BY-SA-3.0 Colaboradores:
Caractristiques_idalises_d'un_transistor_bipolaire.svg Artista original: Caractristiques_idalises_d'un_transistor_bipolaire.svg: Yves-
Laurent
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to be slightly warped.) Artista original: SVG version was created by User:Grunt and cleaned up by 3247, based on the earlier PNG version,
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3.0 Colaboradores: Trabajo propio Artista original: Ricardhyty
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Transistor_NPN.svg Licencia: CC BY-SA 3.0 Colaboradores: Trabajo propio Artista original: Anthony David Atencio Moscote
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