You are on page 1of 125

ELECTRONICA I

Contenido
CAPITULO I: INTRODUCCION............................................................................4
1.1 Electrnica Clsica..................................................................................4
1.1.1 Electrnica Analgica.......................................................................4
1.1.2 Electrnica Digital.............................................................................5
1.2 Electrnica de Potencia...........................................................................6
1.3 Energa Elctrica.....................................................................................6
1.4 Corriente Elctrica DC.............................................................................7
1.5 Elemento bsicos de electrnica............................................................9
1.5.1 Resistencia.......................................................................................9
1.5.2 Capacitor.........................................................................................12
1.5.3 Inductor...........................................................................................15
CAPITULO II: DIODOS...................................................................................17
2.1 Tubos de vaco......................................................................................17
2.2 Materiales semiconductores..................................................................20
2.2.1 Estructura del tomo.......................................................................20
2.2.2 Teora de bandas............................................................................21
2.3 El diodo..................................................................................................23
2.3.1 Polarizacin directa:.......................................................................23
2.3.2 Polarizacin inversa:.......................................................................24
2.3.3 Smbolo...........................................................................................24
2.3.4 Ejemplo de funcionamiento:...........................................................24
2.3.5 Curvas caractersticas....................................................................25
2.4 El Diodo como elemento de un circuito.................................................26
2.5 Diodo Ideal............................................................................................27
2.5.1 Primera representacin..................................................................27
2.5.2 Segunda representacin.................................................................29
2.5.3 Tercera representacin...................................................................30
2.5.4 Cuarta representacin. Diodo Ideal................................................31
2.6 Circuitos con Diodo...............................................................................32
2.6.1 Rectificador de media onda............................................................33
2.7 Transformadores...................................................................................36
2.8 Rectificador de onda completa..............................................................39
2.9 Rectificador de onda completa en Puente............................................40
2.9.1 Filtro de Choque.............................................................................42
2.9.2 Filtro de con Condensador a la entrada.........................................43
2.10 Circuitos con diodos de pequea seal.............................................44
2.10.1 Limitador positivo.........................................................................44
2.10.2 Circuito fijador..............................................................................46
2.10.3 Limitador polarizado....................................................................46
2.10.4 Cambiador de nivel.....................................................................48
2.10.5 Detector pico a pico.....................................................................50
2.10.6 Multiplicador de Voltaje...............................................................50
2.11 Diodos Zener......................................................................................51
2.12 Otros diodos.......................................................................................54
CAPITULO III: TRANSISTORES BIPOLARES................................................56
3.1 Polarizacin...........................................................................................56
3.2 Caractersticas de los transistores........................................................57
3.2.1 Alfa..................................................................................................58
3.2.2 Beta.................................................................................................58
3.3 Conexin de Emisor Comn.................................................................59
3.4 La Recta de Carga................................................................................61
3.5 Tipos de circuitos...................................................................................65
3.6 Polarizacin de Emisor..........................................................................65
3.6.1 Transistor con polarizacin de base como excitador de LED........66
3.6.2 Transistor con polarizacin de emisor como excitador de LED.....67
3.6.3 Ejemplo de circuitos con led...........................................................67
3.7 Polarizacin por divisor de tensin.......................................................68
3.8 Desplazamiento del punto Q.................................................................73
3.9 Polarizacin de emisor con doble fuente..............................................76
3.10 Polarizacin con realimentacin de emisor.......................................77
3.11 Polarizacin con realimentacin de colector.....................................78
3.12 Polarizacin con realimentacin de colector y emisor.......................79
3.13 Transistores PNP...............................................................................79
CAPITULO IV: TRANSISTORES EN PEQUENA SENAL...............................82
4.1 Condensador de acoplamiento.............................................................82
4.2 Condensador de desacople..................................................................84
4.3 Amplificador de tensin.........................................................................84
4.4 Amplificador con Polarizacin por Divisor de Tensin (PDT)...............85
4.5 Funcionamiento en pequea seal.......................................................87
4.6 Modelos de transistores........................................................................89
4.6.1 Modelo T.........................................................................................89
4.6.2 Modelo .........................................................................................90
4.7 Circuito equivalente en alterna..............................................................90
4.7.1 Amplificador con polarizacin de base...........................................90
4.7.2 Amplificador con divisor de tensin................................................92
4.8 Impedancias de entrada y salida..........................................................96
4.9 Amplificadores encapsulados................................................................98
4.10 Etapas en cascada...........................................................................101
4.11 Amplificador EC con Resistencia de Emisor sin desacoplar...........104
CAPITULO IV: AMPLIFICADORES DE POTENCIA.....................................107
5.1 Amplificador clase A............................................................................108
5.2 Amplificador Clase B............................................................................111
5.2.1 Circuitos acoplados por Transformador........................................112
5.2.2 Circuitos de simetra complementaria..........................................113
5.3 Amplificadores clase C........................................................................114
5.4 Amplificador Clase D...........................................................................115
5.5 Conexin Darlington............................................................................116
CAPITULO I: INTRODUCCION
El mundo moderno est influenciado por el desarrollo de la electrnica. Este
rpido crecimiento se ha acelerado por los nuevos materiales que se han
desarrollado, pero la electrnica ya estaba presente en el mundo desde finales
del siglo XIX.
Pese a este rpido crecimiento, los elementos bsicos de la electrnica no han
sufrido cambios. Se puede hacer una clasificacin de la electrnica como
electrnica clsica, electrnica orgnica, etc. En el presente curso se hablar
nicamente de la electrnica clsica.
1.1Electrnica Clsica

En esta clasificacin no se atiende a la forma o materiales de los elementos


que se utilizan para desarrollar la electrnica, si no que se enfoca en la manera
en que se trata la informacin. Es decir que podemos usar diodos de estado
slido o diodos de tubos de vaco para obtener el mismo resultado. Sin
embargo si se consideran dos subdivisiones:
1.1.1 Electrnica Analgica

Esta electrnica se relaciona directamente con el medio ambiente, su forma de


operar es continua en el tiempo dependiendo de los valores que tomen las
seales de entrada y de salida. Los elementos utilizados en esta son los
tradicionalmente conocidos como:
Resistencias
Capacitores
Inductores
Transistores
Tiristores
Relees, etc
Los circuitos que se crean con estos elementos sirven para trabajar con
seales que pueden tener voltajes desde nano voltios hasta unas pocas
decenas de voltios, cosa similar podemos decir de las corrientes que ellos
manejan.
Esta es la electrnica utilizada en la mayora de los equipos que se usan en la
vida moderna como televisores, radios, electrodomsticos, etc. Estn basados
en el principio de operacin de los transistores y como estos pueden servir para
amplificar seales o para operar como interruptores.
Por lo general se polariza con pequeos voltajes de DC (5 a 30 Voltios) y toma
seales alternas continuas de poco voltaje para elevarlas a voltajes similares a
los de su polarizacin. Es decir que ingresa una seal continua y entrega una
seal similar a su salida.
1.1.2 Electrnica Digital

Si bien con la electrnica analgica es posible lograr cierto nivel de control


lgico, a medida que la complejidad de las acciones a toma se incrementa, los
circuitos analgicos se vuelven ineficientes. Para ayudar con estas operaciones
lgicas se desarroll la electrnica digital, la cual se apoya en la lgica
Booleana para resolver problemas mucho ms complejos.
La electrnica digital opera en valores fijos de voltaje DC (5, 9 o 12 voltios),
para su polarizacin, pero los procesa en forma discreta. Para esto asigna el
valor lgico 1 a un voltaje y el 0 a otro voltaje. Este es el principio de cdigo
binario que se utiliza en toda la electrnica digital.

Esta electrnica opera a nivel lgico y para poder obtener informacin del
medio que la rodea o para presentarla en ese medio, requiere de la electrnica
analgica para que le sirva de medio de conversin.
Uno de los casos ms evidentes es el de los computadores actuales, los cuales
tienen gran capacidad de procesamiento lgico de video (por ejemplo los
juegos de computadoras), pero para que el usuario pueda utilizarlos requieren
de controles analgicos (joysticks, mandos remotos, pedales, volantes, etc) que
sirven de entrada al sistema.
Existe una gran cantidad de dispositivos desarrollados para este tipo de
electrnica, los que van desde compuertas lgicas hasta procesadores
especializados de alta velocidad.
En resumen, a ellos ingresa informacin en forma discreta y entrega
informacin discreta. No procesan seales y evitan el uso de dispositivos de
acoplamiento magntico (transformadores).
1.2Electrnica de Potencia

Como vimos, la electrnica clsica se enfoca en el manejo de situaciones en


que se requiere procesar pequeas seales o informacin digital, esto quiere
decir que trabajar con voltajes muy pequeos hasta un mximo de unas
decenas de voltios y principalmente en DC. Pero en nuestro entorno, la energa
elctrica que manejamos va desde los 120V alternos hasta los Mega voltios
(millones de voltios). Estos niveles de voltaje y corriente no pueden ser
manejados en los dispositivos tradicionalmente usados por la electrnica
clsica.
Tradicionalmente enfocada en la industria, esta electrnica se ha desarrollado
en la bsqueda de la mejor forma de controlar velocidades de motores,
temperatura de calentadores, Control de lneas de transmisin, mandos a
distancia, fuentes de energa DC, Inversores, etc. Para esto es necesario la
capacidad de variacin de la amplitud del voltaje o de la frecuencia de la seal.
Los elementos ms utilizados son los transformadores y los interruptores
(tiristores, triacks, etc.). Los elementos que menos se utilizan son los
transistores.
La entrada a un circuito de potencia es la energa elctrica que se quiere
controlar, esta energa sufre algn grado de transformacin antes de ser
entregada a los dispositivos que la van a utilizar. Dado que en la industria los
voltajes que ms se utilizan son los Alternos, veremos rpidamente las dos
formas principales de energa elctrica.
1.3Energa Elctrica

Se define energa elctrica a la diferencia de concentracin de cargas


elctricas (electrones) entre dos puntos. Esta diferencia de potencial se mide
en Voltios y es una indicacin de cuantos ms electrones libres existen en un
punto con relacin a otro punto. Un ejemplo puede ser una nube que se
encuentra cargada elctricamente con respecto a tierra; no es necesario que
exista un rayo entre la nube y la tierra para decir que existe energa. Mas bien
el rayo lo que hace es llevar electrones de un punto al otro para tratar de
nivelar la diferencia de potencial.
En la grfica, los vasos comunicantes estn interconectados por una llave.
Cuando esta llave est cerrada, el exceso del vaso 1 no puede viajar hacia el
vaso 2 pese a la diferencia de potencial que existe entre los dos.
Si conectamos un conductor entre los dos puntos elctricos, en el ejemplo sera
equivalente a abrir la llave, los electrones fluiran por el conductor (llave) hacia
el vaso 2 para nivelar la diferencia de potencial. Este Flujo de electrones es lo
que se conoce como corriente elctrica. Mientras menos abierta este la llave,
menos ser la cantidad de agua (electrones) que fluyen de un lado al otro, esto
es lo que se conoce como resistencia del conductor.
Entonces, dado que a una misma diferencia de potencial (V) la corriente ser
mayor si la resistencia (R) es menor, se puede decir que la corriente (I) es
directamente proporcional al voltaje e inversamente proporcional a la
resistencia del medio.
I=V/R (1)
Escribindolo de otra forma
V=I*R (2)
1.4Corriente Elctrica DC

Como se pudo ver, la corriente elctrica no es ms que la cantidad de


electrones que fluyen a travs de un conductor que une dos puntos con
diferencia de potencial V.
Este es el principio de funcionamiento de una batera, en ella fluyen electrones
desde el punto de mayor potencial al de menor potencial. Este tipo de corriente
elctrica, que viaja en un solo sentido, es lo que conocemos como Corriente
Directa o Corriente Continua (DC o CC).

En esta grfica se puede ver que el voltaje es constante a lo largo del tiempo.
Existen dos tipos de fuente de DC, una de voltaje constante (a) y otra de
corriente constante (b).

La primera de ellas, mantendr constante su voltaje de salida sin importar el


valor de la resistencia que se coloque, para lograrlo variar su corriente a fin de
que el producto de I*R se mantenga constante e igual a V. Por el contrario, en
una fuente de corriente constante, I se mantendr constante mientras V vara
segn la resistencia R que se coloque, de forma que se mantenga que I=V/R.
XMM1

S1

Key = A

R1
XMM2
V1 100k
20 %
12 V Key=A

El circuito de la grfica anterior, permite medir el voltaje (XMM2) y la corriente


(XMM1) que actan en la carga R1 (potencimetro). Se puede obtener el valor
de la corriente y el voltaje a medida que se cambia el valor del potencimetro
en pasos de un 10%.
XMM1

S1

Key = A

R1
XMM2
I1 100k
80 %
1mA Key=A

Repetir la prueba con el circuito pero con una fuente de corriente constante.
Se debe anotar que lo ms usual es contar con fuentes de voltaje constante.
La corriente DC funciona muy bien para equipos electrnicos, pero presenta
problemas al momento de transportar energa dc desde el sitio de generacin
hasta el sitio de consumo.
1.5Elemento bsicos de electrnica

Existe un gran nmero de elementos que se usan en electrnica, los cuales


varan no solo por su aplicacin sino que tambin varan sus caractersticas
tcnicas.
Los principales elementos en la electrnica clsica analgica son:
1.5.1 Resistencia

La resistencia o resistor, son dispositivos que se oponen al flujo de la corriente


elctrica a travs de ellos.
Resistencia elctrica es toda oposicin que encuentra la corriente a su paso
por un circuito elctrico cerrado, atenuando o frenando el libre flujo de
circulacin de las cargas elctricas o electrones. Cualquier dispositivo o
consumidor conectado a un circuito elctrico representa en s una carga,
resistencia u obstculo para la circulacin de la corriente elctrica
A.- Electrones fluyendo por un buen conductor elctrico, que ofrece
baja resistencia. B.- Electrones fluyendo por un mal conductor.
Elctrico, que ofrece alta resistencia a su paso. En ese caso los
electrones chocan unos contra otros al no poder circular libremente
y, como consecuencia, generan calor.

Normalmente los electrones tratan de circular por el circuito elctrico de una


forma ms o menos organizada, de acuerdo con la resistencia que encuentren
a su paso. Mientras menor sea esa resistencia, mayor ser el orden existente
en el micromundo de los electrones; pero cuando la resistencia es elevada,
comienzan a chocar unos con otros y a liberar energa en forma de calor. Esa
situacin hace que siempre se eleve algo la temperatura del conductor y que,
adems, adquiera valores ms altos en el punto donde los electrones
encuentren una mayor resistencia a su paso.
Todos los materiales y elementos conocidos ofrecen mayor o menor resistencia
al paso de la corriente elctrica, incluyendo los mejores conductores. Los
metales que menos resistencia ofrecen son el oro y la plata, pero por lo costoso
que resultara fabricar cables con esos metales, se adopt utilizar el cobre, que
es buen conductor y mucho ms barato.
Con alambre de cobre se fabrican la mayora de los cables conductores que se
emplean en circuitos de baja y media tensin. Tambin se utiliza el aluminio en
menor escala para fabricar los cables que vemos colocados en las torres de
alta tensin para transportar la energa elctrica a grandes distancias.
Entre los metales que ofrecen mayor resistencia al paso de la corriente
elctrica se encuentra el alambre nicromo (Ni-Cr), compuesto por una aleacin
de 80% de nquel (Ni) y 20% de cromo (Cr). Ese es un tipo de alambre
ampliamente utilizado como resistencia fija o como resistencia variable
(restato), para regular la tensin o voltaje en diferentes dispositivos elctricos.
Adems se utilizan tambin resistencias fijas de alambre nicromo de diferentes
dimetros o grosores, para producir calor en equipos industriales, as como en
electrodomsticos de uso muy generalizado.
Otro elemento muy utilizado para fabricar resistencias es el carbn. Con ese
elemento se fabrican resistencias fijas y reostatos para utilizarlos en los
circuitos electrnicos. Tanto las resistencias fijas como los potencimetros se
emplean para regular los valores de la corriente o de la tensin en circuitos
electrnicos, como por ejemplo, las corrientes de baja frecuencia o
audiofrecuencia, permitiendo controlar, entre otras cosas, el volumen y el tono
en los amplificadores de audio.
El ohm es la unidad de medida de la resistencia que oponen los materiales al
paso de la corriente elctrica y se representa con el smbolo o letra griega ""
(omega). La razn por la cual se acord utilizar esa letra griega en lugar de la
O del alfabeto latino fue para evitar que se confundiera con el nmero cero.
De acuerdo con la Ley de Ohm, un ohm (1) es el valor que posee una
resistencia elctrica cuando al conectarse a un circuito elctrico de un volt (1 V)
de tensin provoca un flujo de corriente de un amper (1 A). La frmula general
de la Ley de Ohm es la siguiente:
E
I=
R

La resistencia elctrica, por su parte, se identifica con el smbolo o letra ( R ) y


la frmula para despejar su valor, derivada de la frmula general de la Ley de
Ohm, es la siguiente:
E
R=
I

La temperatura influye directamente en la resistencia que ofrece un conductor


al paso de la corriente elctrica. A mayor temperatura la resistencia se
incrementa, mientras que a menor temperatura disminuye.
Sin embargo, tericamente toda la resistencia que ofrecen los metales al paso
de la corriente elctrica debe desaparecer a una temperatura de 0 K (cero
grado Kelvin), o "cero absoluto", equivalente a 273,16 C (grados Celsius), o
459,69 F (grados Fahreheit), punto del termmetro donde se supone
aparece la superconductividad o "resistencia cero" en los materiales
conductores.
En el caso de los metales la resistencia es directamente proporcional a la
temperatura, es decir si la temperatura aumenta la resistencia tambin
aumenta y viceversa, si la temperatura disminuye la resistencia tambin
disminuye; sin embargo, si hablamos de elementos semiconductores, como el
silicio (Si) y el germanio (Ge), por ejemplo, ocurre todo lo contrario, pues en
esos elementos la resistencia y la temperatura se comportan de forma
inversamente proporcional, es decir, si una sube la otra baja su valor y
viceversa.
1.5.2 Capacitor

Un capacitor o condensador (nombre por el cual tambin se le conoce), se


asemeja mucho a una batera, pues al igual que sta su funcin principal es
almacenar energa elctrica, pero de forma diferente.
a. Carga/descarga de una batera

En una batera a plena carga, la disponibilidad de energa se obtiene por medio


de una reaccin qumica que ocurre en su interior cuando le conectamos algn
dispositivo consumidor de electricidad.
Antes de agotar la carga, el tiempo de actividad de una batera depende de los
siguientes factores:
1.- Capacidad en ampere-hora (A-h) o miliampere-hora (mA-h) que posea para
almacenar energa elctrica.
2.- Consumo en watt o en miliwatt del consumidor de corriente elctrica que
tenga conectado.
3.- Tiempo que mantengamos el consumidor conectado a la misma.
En el caso de las bateras recargables, una vez agotada la carga se puede
recuperar de nuevo conectndola a un cargador de corriente directa apropiada
para cada tipo especfico. En dependencia del tamao, voltaje o tensin de
trabajo y capacidad en A-h que sta posea, la recuperacin de la carga puede
demorar entre una y varias horas.
b. Carga/descarga de un capacitor

El capacitor constituye un componente pasivo que, a diferencia de la batera,


se carga de forma instantnea en cuanto la conectamos a una fuente de
energa elctrica, pero no la retiene por mucho tiempo. Su descarga se produce
tambin de forma instantnea cuando se encuentra conectado en un circuito
elctrico o electrnico energizado con corriente. Una vez que se encuentra
cargado, si ste no se emplea de inmediato se autodescarga en unos pocos
minutos
c. Estructura tpica de un capacitor

Como ya qued apuntado anteriormente, la propiedad fundamental de un


capacitor o condensador es acumular cargas elctricas. Su estructura ms
simple consta de dos chapas o lminas metlicas denominadas armaduras,
enfrentadas y separadas entre s por un material aislante o dielctrico, que
puede ser aire, papel, mica, cermica, plstico u otro tipo de aislamiento.

La capacidad de carga o capacitancia de los capacitores se mide en faradio o


farad en el sistema internacional de medidas (SI) y se representa por la letra
F en honor a Michael Faraday. Un farad equivale a una carga de 1 coulomb*
(C), cuando a un capacitor se le aplica 1 volt (V) de tensin elctrica. La
representacin matemtica sera la siguiente:
1C
1 F=
1V

La capacidad en farad (F) es directamente proporcional a la cantidad de carga


elctrica que puede almacenar un capacitor para diferentes valores de tensin
aplicada y almacenada entre sus chapas. Matemticamente esta relacin se
puede representar por medio de la siguiente frmula:
C=Q .V

De donde:
C = Capacidad (o capacitancia), en farad (F).
Q = Cantidad de carga elctrica almacenada, en coulomb.
V = Diferencia de potencial, en volt, entre las placas.
As como la resistencia ofrece oposicin a la corriente en un circuito de c.c., la
oposicin a la c.a. se llama Reactancia, as la capacitancia presenta oposicin
a la c.a. denominada Reactancia capacitiva, se simboliza Xc. As como la
resistencia elctrica se mide en Ohmios tambin la Xc se mide en Ohmios, y se
sustituye por la R en la Ley de Ohm:
E
R=
I

Entonces tenemos que


E
Xc=
I

y se usa para calcular la oposicin que presenta un capacitor al paso de la c.a.


La reactancia de un capacitor es inversamente proporcional a la capacitancia y
a la frecuencia del voltaje aplicado, expresado en frmula, tenemos:
1
Xc=
2 fC

Donde f es la frecuencia del voltaje aplicado al capacitor y C es la


capacitancia en faradios.
Ahora bien, en un circuito de c.c. la oposicin a la corriente se llama
Resistencia, pero en un circuito de c.a. se le llama Impedancia, que se
simboliza con la letra Z y se mide tambin en Ohms y se usa la Ley de Ohm
para calcularla, sustituyendo la R por Z , tenemos:
E
Z=
I

Tambin podemos calcular la Impedancia de un circuito capacitivo mediante la


frmula:

Z = X 2c + R 2

El ngulo de fase es la diferencia en grados entre el tiempo en que dos ondas


senoidales pasan por el eje cero, se dice que en un circuito puramente
capacitivo el voltaje se atrasa a la corriente en 90: o lo que es lo mismo, la
corriente se adelanta al voltaje en 90.
Si la informacin que se tiene es la corriente en el condensador i C, siendo la
carga acumulada la integral de corriente en el tiempo, resultan las dos
relaciones de corriente y voltaje en un condensador:

1
C c
v c= i dt

d vc
ic =
dt

El circuito equivalente de varios capacitores en serie ser el siguiente.

Para capacitores en paralelo


1.5.3 Inductor

Una BOBINA es un dispositivo electrnico que se usa para almacenar la


energa en forma de campo magntico.
Una bobina est formada por un arrollamiento de alambre de forma que el
campo magntico generado por una espira afecte a las espiras vecinas de
forma que los campos magnticos de todas las espiras se sumen o
contrarresten para formar una distribucin espacial de campo magntico
alrededor de la bobina y que depende de su forma, nmero de espiras y de
capas y del material en el ncleo de la bobina.

Smbolo:

L es el smbolo de inductancia que es la caracterstica de una bobina que mide


la influencia de cada diferencial de longitud del alambre de la bobina sobre el
resto de la bobina, se mide en Henrios (H).
La reactancia inductiva (XL) es la capacidad que tiene un inductor para reducir
la corriente en un circuito de corriente alterna.
De acuerdo con la Ley de Lenz, la accin de un inductor es tal que se opone a
cualquier cambio en la corriente. Como la corriente alterna cambia
constantemente, un inductor se opone de igual manera a ello, por lo que
reduce la corriente en un circuito de corriente alterna.
A medida que aumenta el valor de la inductancia, mayor es la reduccin de la
corriente. De igual manera, como las corrientes de alta frecuencia cambian ms
rpido que las de baja, mientras mayor sea la frecuencia mayor ser el efecto
de reduccin. Donde la capacidad de un inductor para reducirla es
directamente proporcional a la inductancia y a la frecuencia de la corriente
alterna. Este efecto de la inductancia (reducir la corriente), se puede comparar
en parte al que produce una resistencia. Sin embargo, como una resistencia
real produce energa calorfica al circular una corriente elctrica por ella, para
diferenciarlas se le denomina reactancia inductiva al efecto provocado por la
inductancia.
X L=2 fL

Otras frmulas importantes:


di
V L =L
dt

1
L L
iL = v dt
CAPITULO II: DIODOS
Hasta este momento los elementos que se han presentado, operan con un
valor fijo. Estos elementos no pueden ser controlados por el diseador ni por
las condiciones cambiantes del circuito.
El primer desarrollo en la lnea de controlar el flujo de energa se realiz en
1904 cuando se desarrolla el DIODO o vlvula mediante la utilizacin de tubos
de vaco.
1.6Tubos de vaco.

Si bien los inicios de la electrnica se pueden datar varios miles de aos atrs
con la proposicin de la teora del tomo en la antigua Grecia, su partida
practica se puede fechar en el siglo XXIX cuando en 1897 el fsico ingles J.J.
Thomson descubri la existencia de una partcula cargada elctricamente.
Sus estudios permitieron determinar que esta partcula con carga negativa era
la carga, positiva o negativa, ms pequea que se poda encontrar en la
naturaleza. Varios aos despus, demostr que al calentar una superficie
metlica se lograba hacer que estas cargas se desprendieran de la superficie
del metal recalentado.
A partir de aqu fue solo cuestin de tiempo y experimentacin que se
demostrara que al conectar una batera a la placa calentada se generaba un
flujo de electrones que partan desde la batera y atravesaban el espacio
existente entre la placa calentada (ctodo) y la placa receptora (nodo). Como
una forma de evitar que la superficie de la placa del nodo se deteriorara por la
oxidacin generada por la accin del aire, se decidi colocar las dos placas
(nodo y ctodo) en un tubo en el cual se ha extrado todo el aire. Con este
cambio se desarroll el primer diodo.
Como se puede ver, la batera A solo sirve para calentar la placa del ctodo
mediante una resistencia que debe ponerse al rojo. Por su parte, la batera B
es la que forma el circuito de conduccin. Si la se desconecta la batera A, no
habr flujo de corriente entre las placas y por lo tanto actuar como un circuito
abierto.
Si se calienta el ctodo, saltaran electrones desde el ctodo al nodo,
apareciendo como un corto circuito. Para que este circuito se mantenga es
necesario que la batera B entregue electrones al ctodo. A su vez, los
electrones que llegan al nodo, se entregan al borne positivo de la batera B de
forma que se cierra el circuito.
En 1903 Flemming fue el primero en encontrarle una aplicacin a este tubo, el
reemplazo la batera B por una fuente de corriente alterna. En este caso el tubo
de vaco permita el paso de la corriente cuando el voltaje en B era positivo,
pero no permitir el paso de corriente cuando el voltaje era negativo.
Este dispositivo fue llamado Diodo o Vlvula y permita el flujo de la corriente
en un solo sentido. La cantidad de corriente que circulaba dependa
nicamente de la temperatura del ctodo (la temperatura de ctodo debe ser
constante) y del nivel y polaridad del voltaje de la fuente B.
En 1906 Lee de Forest, buscando la manera de tener control sobre la corriente
que fluye en el diodo, instal una rejilla entre el ctodo y el nodo. El dispositivo
as creado se denomin Audion, pero posteriormente se conoci como Trodo.

El valor de esta corriente depende, por tanto, de dos factores: del valor del
voltaje de la seal en la rejilla y del voltaje de la batera del nodo. Ahora bien,
si el valor del voltaje de la rejilla cambia, entonces la corriente en el nodo
tambin cambiar. Por otro lado, aumentando el valor del voltaje de la batera
se puede lograr, dentro de ciertos lmites, que se incremente la corriente en el
nodo. En consecuencia, el voltaje a travs de la carga, que depende de la
corriente que circula por el circuito del nodo, ser mayor que el voltaje que
hay en la rejilla. As, el triado logra incorporar la seal y amplificar su
intensidad. Adems, la rejilla controla la corriente que circula a travs del
nodo, sirviendo de elemento de control.
Entre 1910 y 1915 se inventaron circuitos muy ingeniosos que transforman el
voltaje constante suministrado por una batera, en una corriente alterna con
frecuencias muy altas, mucho mayores que las logradas con mquinas
elctricas rotatorias. Estos dispositivos se llaman osciladores. Con ellos se
incorpor de forma muy satisfactoria una seal a una onda electromagntica.
Este logro dio lugar al nacimiento de la radio.
Posteriormente y con la finalidad de lograr un mayor control y estabilidad de
los dispositivos, se desarrollaron tubos con rejillas adicionales, lo permiti la
creacin del Tetrodo y el Pentodo.
La rejilla adiciona, rejilla de pantalla, se adicion con la finalidad de eliminar el
efecto de capacitancia parasita que apareca entre la placa y la rejilla de
control. El tubo resultante se llam Tetrodo.

Por ltimo, el Pentodo se cre al adicionar una tercera rejilla, su funcin era la
de eliminar los electrones de baja velocidad que se generaban por el
calentamiento del nodo. Su funcin permiti lograr amplificadores de audio
con mayor fidelidad.
Las funciones desempeadas por estos dispositivos son actualmente cubiertas
por los diodos y transistores modernos, estos dispositivos han reemplazado
casi en su totalidad a los tubos de vaco. Sin embargo existen todava algunas
aplicaciones en las que se deben usar todava los tubos de vaco; los mas
conocidos son:
Magnetrn, generador de microondas
TRC, usado en las pantallas de televisores, recientemente
reemplazados.
Giratron, utilizado en la generacin de Rayos X
1.7Materiales semiconductores.

A mediados del siglo XX se desarrollaron experimentos con materiales que bajo


ciertas circunstancias cambiaban su capacidad de conduccin elctrica. A
continuacin se explica su forma de operacin y por qu resultaron tan
significativos para el desarrollo de la electrnica.
1.7.1 Estructura del tomo

Cmo es bien sabido, el tomo est compuesto de ncleo que contiene sub-
partculas tales como el protn (con carga positiva) y los neutrones sin carga.
En su periferia, orbitando alrededor del ncleo estn los electrones con mucha
menor masa que las partculas del ncleo (unas 2000 veces menor).
Estos electrones pueden ser de dos tipos:
1. Electrones ligados al ncleo: orbitan capas interiores del tomo, cerca de
este y muy difcilmente pueden escapar del mismo.
2. Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores del tomo, en niveles
superiores de energa y pueden escapar en determinadas condiciones del
tomo. Del mismo modo, el tomo acepta en tales niveles electrones externos.
Los electrones de valencia determinan las propiedades qumicas de los
materiales.
Son los electrones de valencia los que determinan tambin las propiedades
elctricas de un material y as tenemos:
1. Materiales conductores (metales): Los metales tienen estructura cristalina,
esto es, los ncleos de los tomos que componen un metal estn
perfectamente ordenados y los electrones de valencia de los mismos estn tan
dbilmente atados a sus respectivos tomos que cada uno de ellos es
compartido por todos los tomos de las estructura. Es por ello que en el metal
se forma una nube electrnica cuyos electrones son compartidos por toda la
estructura y ninguno de ellos est atado particularmente alguno de los tomos.
2. Material aislante: Los electrones de valencia estn ligados fuertemente a sus
respectivos ncleos atmicos. Los electrones de uno de sus tomos no son
compartidos con otros tomos.
3. Materiales semiconductores: Estos materiales se comportan como aislantes
a bajas temperaturas pero a temperaturas ms altas se comportan como
conductores. La razn de esto es que los electrones de valencia estn
ligeramente ligados a sus respectivos ncleos atmicos, pero no lo suficiente,
pues al aadir energa elevando la temperatura son capaces de abandonar el
tomo para circular por la red atmica del material. En cuanto un electrn
abandona un tomo, en su lugar deja un hueco que puede ser ocupado por
otro electrn que estaba circulando por la red.
Los materiales semiconductores ms conocidos son: Silicio (Si) y Germanio
(Ge), los cuales poseen cuatro electrones de valencia en su ltimo nivel. Por
otra parte, hay que decir que tales materiales forman tambin estructura
cristalina.
Hay que destacar que, para aadir energa al material semiconductor, adems
de calor, tambin se puede emplear luz
1.7.2 Teora de bandas

Esta teora explica el comportamiento de los materiales al paso de la corriente


desde una perspectiva ms cientfica.
Se define Banda de Valencia (BV) al conjunto de energa que poseen los
electrones de valencia.
Banda de Conduccin (BC) al conjunto de energa que poseen los electrones
para desligarse de sus tomos. Los electrones que estn en esta banda
pueden circular por el material si existe una tensin elctrica que los empuje
entre dos puntos.
En base a estos dos conceptos tenemos tres casos:
a Conductor:

En este caso la Energa de la banda de valencia es mayor que la de los


electrones de la banda de conduccin. As pues, las bandas se superponen y
muchos electrones de valencia se sitan sobre la de conduccin con suma
facilidad y, por lo tanto con opcin de circular por el medio.
d. Aislante:

En este caso la energa de la banda de conduccin es mucho mayor que la


energa de la banda de valencia. Existe una brecha entre la banda de valencia
y la de conduccin de modo que, los electrones de valencia no pueden acceder
a la banda de conduccin que estar vaca. Es por ello que el aislante no
conduce. Slo a temperaturas muy altas, estos materiales son conductores.
e. Semiconductores:

En este caso, la banda de conduccin sigue siendo mayor que la banda de


valencia, pero la brecha entre ambas es mucho ms pequea, de modo que,
con un incremento pequeo de energa, los electrones de valencia saltan a la
banda de conduccin y puede circular por el medio. Cuando un electrn salta
desde la banda de valencia a la de conduccin deja un hueco en la banda de
valencia que, aunque parezca extrao, tambin se considera portador de
corriente elctrica.
En resumen: en los semiconductores hay dos tipos de portadores de corriente
elctrica:
- Los electrones: con carga negativa
- Los huecos con carga positiva.
A los materiales semiconductores puros se les conoce como semiconductores
intrnsecos.
Semiconductores extrnsecos, son materiales semiconductores puros
contaminados con impurezas en mnimas proporciones (una partcula entre un
milln). A este proceso de contaminacin se le denomina dopaje. Segn el tipo
de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:
Tipo N:
En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5, como son
Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos, fuerzo al quinto
electrn de este tomo a vagar por el material semiconductor, pues no
encuentra un lugar estable en el que situarse. Al conjunto de estos electrones
se les llama electrones mayoritarios. Al material tipo N se le denomina tambin
donador de electrones.
Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de
valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce este
tomo en el material, queda un hueco donde debera ir un electrn. Este hueco
se mueve fcilmente por la estructura como si fuese un portador de carga
positiva. En este caso, los huecos son portadores mayoritarios.
Al material tipo P se le denomina donador de huecos (o aceptador de
electrones).
1.8El diodo

El diodo es un componente electrnico que consiste simplemente en la unin


de dos cristales semiconductores extrnsecos, uno tipo N y otro tipo P.

Al unirlos, parte del exceso de electrones del tipo N pasa al cristal de tipo P, y
parte de los huecos del tipo P pasan al cristal tipo P, crendose en la unin una
franja llamada zona de transicin que tiene un campo elctrico que se
comporta como una barrera que se opone al paso de ms electrones desde la
zona N hacia la zona P y de huecos desde la zona P a la zona N.
1.8.1 Polarizacin directa:
En este caso se conecta el polo positivo al cristal P y el polo negativo al cristal
N, esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms estrecha,
rompiendo la barrera y permitiendo libremente el paso de la corriente. Esto
hace que el diodo conduzca.
1.8.2 Polarizacin inversa:

En este caso el polo positivo se conecta al cristal N y el polo negativo al cristal


P. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms ancha, reforzando
la barrera que impide el paso de la corriente. En este caso el diodo no conduce.
En resumen: un diodo es tal que permite el paso de la corriente en un sentido
(cuando tiene polarizacin directa) y no lo permite en el otro sentido
(polarizacin inversa).
1.8.3 Smbolo

El contacto que se corresponde con el cristal semiconductor tipo P se llama


nodo (terminal positivo) y se simboliza con un pequeo tringulo y el cristal
semiconductor tipo N se llama ctodo (terminal negativo) y se simboliza con
una pequea lnea vertical.

Los diodos vienen forrados de una cpsula de plstico (normalmente negra) y


un anillo de color blanco que indica el ctodo.
1.8.4 Ejemplo de funcionamiento:

Polarizacin directa: en este caso, deja pasar la corriente porque el nodo est
conectado al polo positivo y el ctodo al polo negativo. Es por eso que la
lmpara funcionara.
Polarizacin inversa: en este caso, deja pasar la corriente porque el ctodo
est conectado al polo negativo y el ctodo al polo positivo. Es por eso que la
lmpara no funcionara.

1.8.5 Curvas caractersticas

Cada modelo de diodo que da un fabricante tiene asociada la llamada curva


caracterstica, que mide la intensidad de corriente que atraviesa el diodo en
funcin de la tensin que hay entre los dos extremos de la misma.
La curva presenta dos regiones:
Polarizacin directa (Tensin positiva): Se corresponde con la zona
derecha de la grfica segn el eje de tensin (V). De entrada el diodo no
empieza a conducir, pero cuando alcanza cierto valor (de 0,3 a 0,8 V
segn modelo) conduce con facilidad, ofreciendo una resistencia mnima
al paso de la corriente.
Esta tensin a partir de la cual conduce el diodo en polarizacin directa
se llama tensin umbral (V). En la grfica V= 0,8 V.
Polarizacin inversa (tensin negativa): En este caso, ya se dijo que el
diodo no deja pasar la corriente. Se corresponde con la zona izquierda
de la grfica segn el eje de tensin (V). En realidad, si la tensin es
muy elevada, el diodo si deja pasar la corriente. Este valor de tensin se
llama tensin de ruptura (Vr). Normalmente Vr= 50 V
Resumen:
1. El diodo acta como un interruptor cerrado en polarizacin directa (deja
pasar corriente) y como un interruptor abierto en polarizacin inversa (no
deja pasar corriente).
2. En realidad, el diodo slo deja pasar la corriente en directa slo si se
supera la tensin umbral (que es pequea).
3. El diodo, en principio, no deja pasar la corriente en inversa, pero la
realidad es que a partir de la tensin de ruptura (que es alta) deja
pasarla.
1.9El Diodo como elemento de un circuito

Dado el siguiente circuito:

V i=V +V 0

En la resistencia
V 0=iR L
En el diodo

i=I S {e v / V 1 }
T

Sistema de ecuaciones no lineales. Se resuelve por mtodos iterativos.

El punto A interseccin de la recta de carga con la curva del diodo es el punto


de funcionamiento.
1.10 Diodo Ideal

Para poder realizar el anlisis de circuitos con diodos es necesario representar


al diodo en su forma funcional que ms se adapte al anlisis que se quiere
realizar. Las formas ms utilizadas son las siguientes:
1.10.1 Primera representacin
En negro se puede apreciar la curva real del diodo y en rojo su aproximacin
idealizada. Se puede ver que existen tres zonas de funcionamiento cuyos
puntos en el eje x son los puntos 0 y V .

a Polarizacin inversa

Es la zona comprendida desde hasta 0 en el eje horizontal de voltaje. En


1
esta zona la recta idealizada es una recta con pendiente R r . Donde Rr es la

resistencia inversa.

Es decir que cuando el diodo este en polarizacin inversa, podr ser sustituido
por una resistencia Rr.

f. Polarizacin directa menor que V

Este tramo corresponde a una aplicacin de voltaje directo desde 0V hasta un


mximo igual al voltaje de umbral V . Este voltaje de umbral vara
dependiendo del material y de otras caractersticas de construccin del diodo.
Por lo general se sita en 0,7V para los diodos de Silicio y en 0,2 para los de
Germanio.
Se puede apreciar que en ese tramo la curva idealizada tiene un valor de cero,
entonces:

En esta zona reemplazaremos el diodo por un circuito abierto\


g. Polarizacin directa en conduccin

Comprende todos los voltajes mayores que V . En esta zona el diodo

conduce y su curva caracterstica es casi vertical. Para su idealizacin


asumiremos que es una recta ligeramente inclinada a la izquierda con una
pendiente igual a 1/ Rf que corta al eje x en el punto V .

En estos casos, el diodo se reemplaza por una resistencia R f en serie con una
fuente de voltaje V .

1.10.2 Segunda representacin

Se puede apreciar que en este caso, la curva idealizada (en rojo) solo tiene dos
zonas que se deben analizar. Esto se debe a que se considera que la
resistencia del diodo en polarizacin inversa es extremadamente grande.
a Zona de no conduccin

Cuando el diodo se encuentra en polarizacin inversa, o cuando est


polarizado directamente pero su voltaje es menor que el voltaje de umbral
V , se considera al diodo como un circuito abierto.
h. Zona de conduccin

Cuando el voltaje de polarizacin es mayor V se representa al diodo por


una resistencia Rf y una fuente de poder DC.

1.10.3 Tercera representacin

En este caso se supone que la resistencia inversa Rr es infinita y que la


resistencia directa Rf es prcticamente cero. Nuevamente se consideran dos
zonas de operacin.

a Zona de no conduccin
Cuando el diodo se encuentra en polarizacin inversa, o cuando est
polarizado directamente pero su voltaje es menor que el voltaje de umbral
V , se considera al diodo como un circuito abierto.

i. Zona de conduccin

Cuando el voltaje de polarizacin es mayor V se representa al diodo por


una fuente de poder DC.

1.10.4 Cuarta representacin. Diodo Ideal

El diodo se considera un corto en la zona de conduccin y un circuito abierto en


la zona de no conduccin, pero adicionalmente se considera que el diodo se
cambia de un estado a otro en 0V. Es decir que el voltaje de umbral es cero.

a Zona de no conduccin
Cuando el diodo se encuentra en polarizacin inversa, o cuando est
polarizado directamente pero su voltaje es menor que el voltaje de umbral
V , se considera al diodo como un circuito abierto.

j. Zona de conduccin

Cuando el voltaje de polarizacin es mayor 0 se representa al diodo por un


corto circuito.

En condiciones ideales se considera que el diodo acta como un interruptor.

1.11 Circuitos con Diodo

Para resolver el circuito de la grfica, aplicamos la ley de tensiones de Kirchhoff


v S=V D + v 0

v S=V D + I D R

Para este sistema tendremos que la corriente del diodo ser:


v SV D
I D=
R

Como se puede apreciar, en la solucin de este circuito se tom el cuarto


modelo del diodo en conduccin ya que no se considera resistencia interna
pero si un voltaje VD que debe ser superado para iniciar la conduccin.

1.11.1 Rectificador de media onda

En el circuito rectificador de media de la grfica, se aplica un voltaje de entrada


de tipo sinusoidal. La caracterstica principal es que la mitad de la onda es
positiva y la otra mitad es negativa. El circuito solo permite el paso de la parte
positiva de la onda.
En el voltaje de salida Vout solo se presentan las partes positivas de la onda.
En la explicacin anterior se ha considerado el uso de un diodo ideal, en el
caso de que este no fuera ideal, se debe considerar la cada de potencial en el
diodo conforme se muestra en la siguiente grfica.

\
Por su parte, el voltaje DC se define como el promedio de la energa
almacenada en un ciclo de la seal.
T
1
V dc = V out dwt
T 0

Si el voltaje de entrada viene dado por la ecuacin


V =V p Sen wt

El periodo de esta seal T es 2 , pero al momento de realizar la integral, los

lmites son desde 0 hasta ya que luego de este ngulo la seal se


estabiliza en 0 voltios.

1
V dc = V Sen wt dwt
2 0 p

1
V dc = V ( cos wt )0
2 p

1
V dc = V ( 1(1 ) )
2 p

2
V dc = V
2 p

Vp
V dc =

V dc =0,318 V p

Este ser el valor de voltaje que se obtendr si se coloca un voltmetro dc en la


resistencia de carga.

Por otra parte, se conoce como voltaje RMS v rms , conocido tambin como

voltaje eficaz, es la medida de voltaje ms utilizada ya que es la que aparece


directamente en un multmetro al realizar la medicin en alterna. Este valor se
define por la frmula.


T
1 2
v rms =
T 0
f ( x ) dx


Si f ( t )=v p Sen ( w t ) donde w t= entonces

2
1
v rms = v 2 Se n2 ( ) d
2 0 p


2
v
v rms = p
2
1cos
2
2
d
0


2 2
v 1 1
v rms = p d cos 2 d
2 0 2 0 2

v rms =
vp
2 2 1
+ ( Sen 4 Sen 0)
2 4

vp
v rms =
2

vp
v rms =
2

O dicho de otra forma


v p =2 v rms

En este caso, la frecuencia de la seal de salida es igual a la de la seal de


entrada.
Ahora si, la expresin para el voltaje utilizado en los hogares sera
v ( t )= 2 v rms sen ( 2 ft )

Dado que el voltaje rms es de 120Voltios, tendremos que el voltaje de pico ser
169,7 voltios. El estudiante deber comprobar estos valores mediante la
medicin del voltaje usando un multmetro y un osciloscopio.
La ecuacin para el voltaje alterno de 120 v rms 60 Hz ser
v ( t )=169,7 sen ( 120 t )
1.12 Transformadores

Cuando circula una corriente elctrica por un conductor, alrededor de este


conductor se crea un campo magntico. Este es el principio utilizado para la
creacin de electroimanes muy usados en los relees mecnicos, se hace
circular una corriente DC por un conductor enrollado alrededor de un ncleo de
hierro y esto convierte al ncleo en un electro imn.

Pero tambin es sabido que si hacemos que otro conductor atraviese las lneas
de fuerza de un campo magntico, se inducir una corriente en el conductor.
Este principio es el utilizado en los generadores elctricos, en el cual se hace
girar, por algn ingenio mecnico, una cierta cantidad de conductores elctricos
dentro del campo magntico generado por imanes permanentes.
En este caso el campo magntico es constante y el conductor se hace girar
dentro de este campo. Pero gracias a la corriente alterna, es posible mantener
esttico el conductor y hacer que el campo magntico sea el que se mueva,
este efecto permite crear una maquina esttica denominada Transformador.

El transformador consiste en un conductor enrollado alrededor de un ncleo de


hierro (ver grfico) por el cual circular una corriente elctrica alterna, este se
denominar Primario. En el otro extremo del ncleo se embobinar otro
conductor en el cual se inducir corriente gracias al campo variable creado;
este segundo embobinado se llama Secundario.
El siguiente grfico muestra un esquema de operacin de un transformador.

(3)
La cantidad de voltaje y corriente que se inducen en el secundario tiene
relacin con la cantidad de vueltas de cada bobina. Es muy fcil elevar o
reducir el voltaje o la corriente mediante la utilizacin de un transformador. De
la ecuacin (3) se obtiene que:
Vs = Vp (Ns / Np) (4)
Is = Ip (Np / Ns) (5)
Donde Np corresponde al nmero de vueltas que tiene la bobina del primario
del transformador y Ns la bobina del secundario.
Si llamamos T a la relacin del Transformacin, que viene dada por Np / Ns,
entonces tendremos de (4) y (5)
Vs = Vp / T (6)
Is = Ip T (7)
De (6) y (7) podemos ver que la transformacin es inversa para el voltaje y
directa para la corriente. En otras palabras, si usamos el transformador para
elevar el voltaje en el secundario, al mismo tiempo disminuiremos la corriente
del secundario.
Esto tiene lgica si consideramos que por la ley de conservacin de la energa,
la potencia de entrada al transformador (Primario) debe ser igual a la potencia
de salida del mismo (Secundario).
Pp = Ps (8)
Vp Ip = Vs Is (9)
De esta forma, en el sitio de generacin se puede elevar mucho el voltaje
(63Kv) con corrientes muy pequeas y al llegar al sitio de consumo reducirlo a
niveles de voltaje manejables por los sistemas locales (220v) con corrientes
ms altas.
1.13 Rectificador de onda completa

A diferencia del rectificador de media onda, en el que se desperdicia la mitad


negativa de la onda, este rectificador pretende utilizar las dos porciones. Para
esto se invierte la parte negativa de la onda a fin de que se presente en la
carga como un voltaje positivo.
El siguiente circuito muestra un rectificador de onda completa de dos diodos.

Lo primero que debe notarse es que la referencia de tierra aparece en la mitad


del devanado del secundario, y que de igual forma la carga se conecta
directamente a tierra. Esto hace que la se la seal sinusoidal este oscilando
entre Vp y Vp.
Gracias a esto, la mitad positiva del ciclo circula por el diodo D1 y de all a la
resistencia de carga RL. Luego, por medio de la conexin de tierra, esta
corriente fluye al tab central del secundario y completa el circuito.
Lo que se obtiene es que en la carga se presenten positivos los picos positivos
de la seal. De igual forma, cuando la parte negativa del voltaje aparece en el
devanado, la corriente fluye por D2 y de all a la resistencia de carga y
nuevamente por tierra al tab central del secundario.

Esta ruta hacer circular la energa del ciclo negativo en el mismo sentido de la
del ciclo positivo a travs de la resistencia de carga RL. De esta forma se ha
realizado la rectificacin de la seal ya que para la carga todos los picos de
voltaje son positivos.

Algo que se debe notar aqu es que la frecuencia de la seal de salida es el


doble de la frecuencia de la seal de entrada ya que al invertir los ciclos
negativos tenemos dos ciclos positivos en el mismo intervalo de tiempo en el
que antes tenamos solo un ciclo. Es decir que si la frecuencia de entrada es de
60Hz, la frecuencia de salida ser de 120hz.
Nuevamente debe recordarse que se han usado diodos ideales en este
rectificador. En el caso de usar diodos reales debe tomarse en cuenta el voltaje
de umbral del diodo, lo que har que el voltaje de pico disminuya en ese valor.
V p=V max V diodo
1.14 Rectificador de onda completa en Puente

Este es un rectificador similar al que se acaba de presentar, con la diferencia


que en este se utilizan 4 diodos en lugar de dos. Con el uso de estos diodos
adicionales se elimina la necesidad de contar con un transformador con tab
central en el secundario.

Este puede usarse con un transformador de aislamiento o directamente


conectado a la fuente de seal alterna.
Al igual que el circuito anterior, este circuito invierte la parte negativa de la onda
a fin de generar un tren de pulsos positivos que pasen por la resistencia de
carga Rl. Los diodos trabajan en pares, en la parte positiva conducen D1 y D2.
En la parte negativa del ciclo de la onda, conducirn los diodos D3 y D4. Se
debe tener el cuidado de considerar el efecto de las cadas de potencial cuando
se trabaja con diodos reales. Por ejemplo, si la cada de potencial en cada
diodo es de 0,7v, la disminucin del voltaje de pido sera de -1,4v. De igual
forma el voltaje de umbral se incrementa a ese valor.

El resultado es un tren de pulsos positivos similar al del caso anterior.


Al igual que con el rectificador de media onda, en este rectificador es necesario
determinar la cantidad de voltaje DC generado. Debe recordarse que en el
rectificador de media onda se tena que
Vp
V dc =

Dado que en este circuito se duplica la cantidad de picos positivos en el mismo


periodo de tiempo, el voltaje DC ser el doble del caso anterior, lo que ser
2V p
V dc =

El rectificador de onda completa en puente puede formarse directamente con
cuatro diodos o en su defecto, adquirirse como un solo integrado con cuatro
pines.
1.14.1 Filtro de Choque

Una bobina tiene la caracterstica de oponerse al cambio en la corriente, por lo


que tiende a reducir la corriente alterna. El Filtro de Choque est constituido
por una bobina en serie con la seal y un capacitor en paralelo con la carga.

Dado que las reactancias inductivas y capacitivas son:


1
X L=2 fL y X C =
2 fC

Se debe lograr que Xc sea mucho menor que R L a la frecuencia a la que se


desee filtrar. A esa frecuencia especfica, generalmente 120hz, la resistencia de
carga puede ignorarse ya que todo la corriente alterna fluir por Xc. En cambio
a la frecuencia de la corriente DC (frecuencia dc = 0) el Xc ser infinita y toda la
corriente DC fluir por la carga.
Por su parte la reactancia inductiva X L actuar como un corto circuito a
frecuencias muy bajas, pero a frecuencias altas su reactancia ser muy alta
impidiendo o reduciendo el paso de corriente alterna.
Lo ideal es lograr que a la frecuencia de filtrado X L sea mucho mayor que XC. Si
se logra esta relacin, se puede decir que si
XC
V out = V
X L+ X C

Entonces
XC
V out V
XL

Desafortunadamente a las frecuencias de operacin de corriente alterna usada


es de 60hz, por lo que los inductores y capacitores a ser usados deberan ser
muy grandes (fsicamente).
Para reducir el tamao de las fuentes se ideo la fuente conmutada, la cual
convierte la energa alterna en dc para luego volver a convertirla en alterna
pero de alta frecuencia, Esta seal de alta frecuencia es rectificada y filtrada
antes de salir los otros equipos.

1.14.2 Filtro de con Condensador a la entrada

En este caso se coloca un diodo y un capacitor a la entrada de la corriente


alterna.

En tanto el diodo permite que solo circule la parte positiva de la onda, el


capacitor se carga hasta un voltaje igual a Vin, pero luego no tiene por donde
descargarse, lo que hace que el voltaje se mantenga estable.

Esta salida se mantendra estable mientras no tenca una ruta de descarga el


capacitor. En la siguiente grafica se puede apreciar que esa ruta de descarga la
ofrece precisamente la resistencia de carga RL.
Es posible mantener la estabilidad de la seal de salida si se logra que la
constante de tiempo RLC sea mucho ms grande que el periodo de la seal de
entrada.
Una manera de mejorar esta respuesta es disminuyendo el ciclo de la seal,
esto se puede lograr con un rectificador de onda completa.

1.15 Circuitos con diodos de pequea seal

En los circuitos anteriores se utilizaron diodos de potencia ya que se trabaja


con niveles de corrientes altos. Para pequeas seales se utilizan diodos de
menor potencia, pero mayor velocidad de reaccin.
1.15.1 Limitador positivo

Este es un circuito que acta como un filtro, permitiendo nicamente el paso de


la porcin positiva o negativa de la onda.

En el parte positiva del ciclo, la corriente circula por el diodo, es por esto que se
requiere de una resistencia Rs que proteja al diodo. En la parte negativa del
ciclo, la corriente circula por la resistencia R L.
En alguna situaciones, principalmente cuando el voltaje de entrada es
pequeo, se debe tener en cuenta el voltaje de umbral del diodo. En este caso
la grafica del voltaje en la carga quedara de la siguiente forma
En este caso el voltaje de umbral es de 0,7V.
Si en el circuito anterior se invierte la polaridad del diodo se obtiene un limitador
negativo, es decir que slo permitir el paso de la parte positiva de la onda.

1.15.2 Circuito fijador

El propsito de este circuito es limitar la cantidad de voltaje que pasa a travs


de l. Los dos diodos colocados en contra paralelo limitan el paso de voltaje a
un mximo de 1,4volts de pico a pico.
La seal que ingresa a este circuito es de 15mv y se obtiene la misma seal en
la salida. El propsito es evitar que voltajes mayores ingresen a etapas ms
sensibles.
1.15.3 Limitador polarizado

En el circuito limitador positivo y negativo el voltaje de umbral de 0,7v era el


lmite del voltaje de entrada, en algunos circuitos se necesita que ese voltaje
sea ms alto, para esto se polariza con una batera del voltaje deseado.

En el primer circuito el voltaje positivo que puede pasar no ser mayor a


V+0,7v. v. El segundo circuito limita negativamente en V -0,7. Estos dos
circuitos pueden combinarse para limitar el voltaje de entrada en ambos
sentidos.

Los voltajes v1 y v2 no necesariamente deben ser iguales. Este tipo de


circuitos requieren que se conecten fuentes de distintos valores en un mismo
equipo, lo que no resulta prctico.
Existen distintas formas de lograr el voltaje de polarizacin que se requiere
para cada circuito. En el siguiente grafico el voltaje de corte se logra por la
suma de los voltajes de umbral de cada uno de los diodos.
En este caso el voltaje limitador ser de 2,1Voltios. El voltaje de entrada ser
recortado en 2,1v, en tanto que los voltajes negativos no tienen limitacin.
Otra forma de polarizacin es mediante la utilizacin de un divisor de tensin.

El voltaje de polarizacin es el voltaje limitador positivo de este circuito y viene


dado por
R2
V polarizacion = V
R 1+ R 2 dc

En este caso la limitacin de voltaje se tendr en V polarizacion + 0,7v.


El siguiente es un ejemplo de utilizacin de diodos como limitadores en
circuitos prcticos.
Primero se debe recordar que los capacitores de acoplamiento funcionan como
circuitos abiertos en anlisis de DC, es decir, para polarizacin. Analizando en
DC, el diodo D2 tiene una cada mxima de voltaje de 0,7V, lo que obliga a que
en el punto de unin de las resistencias de 1Khom el voltaje sea de 0,7V.
Sumando los voltajes en el circuito formado por D 2, R2, D1 y R3, se tiene que el
voltaje en el punto de unin de R 2 con D1 es aproximadamente 0,7V. Lo que
quiere decir que el diodo est listo para entrar en conduccin ante cualquier
pequea seal de entrada. Es decir que se ha eliminado el voltaje de umbral
para la seal de entrada.

Sin este circuito la salida del sistema seria de la forma V 0 ya que se debe restar
el voltaje de umbral. El circuito logra que la seal de salida sea igual a la seal
de entrada en su parte positiva.
1.15.4 Cambiador de nivel

Las seales alternas normalmente tienen como nivel de referencia los cero
voltios; el cambiador de nivel lo que hace es trasladar ese nivel de referencia
verticalmente.

Lo cual es equivalente a
Un efecto similar se puede lograr con un circuito cambiador de nivel compuesto
por un diodo y un capacitor

El capacitor se carga con el ciclo positivo de la seal de entrada, una vez


cargado el capacitor actuar como una batera. Para esto se hace que el
tiempo de descarga del capacitor sea, por lo menos, 100 mayor que el periodo
de la seal de entrada, des esta manera el capacitor no podr descargarse.
El cambiador negativo se logra de la misma forma invirtiendo el diodo y el
capacitor.

1.15.5 Detector pico a pico

Un rectificador de media onda con un capacitor de entrada genera una onda de


salida que se mantiene casi constante al voltaje de pico.
Si este rectificador se realiza con diodos de pequea seal, el dispositivo se
llama detector de pico ya que al medirlo con un voltmetro DC lo que se obtiene
es el valor del voltaje de pico de la seal alterna de entrada.
Se debe recordar que un multmetro midiendo voltaje AC de una seal alterna
sinusoidal, lo que entrega es el valor RMS de ese voltaje, pero esto es vlido
solo si la seal es sinusoidal, para seales irregulares es preferible medir el
voltaje de pico y para esto se usa el detector de pico.
Dado que hay seales muy dbiles, en ocasiones es mejor medir el voltaje pico
a pico, en este caso se toma el cambiador de nivel positivo y se le adiciona una
etapa de un rectificador de media onda con un condensador de entrada.

Con un multmetro DC se puede medir la salida y se obtendr el voltaje de pico


a pico de la seal de entrada.
Es importante recordar que el tiempo de carga de los capacitores debe ser por
lo menos 100 veces mayor que la frecuencia de la seal.
1.15.6 Multiplicador de Voltaje

Como se pudo ver en el detector de pico a pico, la seal que se obtiene a la


salida es una seal dc igual al doble del voltaje de pico, si este circuito se
realiza con diodos rectificadores y a frecuencias de 60hz, lo que se logra es un
duplicador de tensin.
Esta elevacin de tensin se puede seguir incrementando adicionando etapas
de diodo y capacitor.

Este tipo de multiplicadores se utilizan cuando se deben lograr niveles de


voltajes muy elevados. Para voltajes ms bajos se pueden utilizar
transformadores. El problema es que si se quiere usar un transformador para
lograr voltajes de un par de miles de voltios, se requieren relaciones de bobinas
muy grandes, lo que hacen demasiado voluminosos e imprcticos a los
transformadores.
1.16 Diodos Zener

El diodo Zener opera como un diodo normal en la zona de polarizacin directa.


En la zona de polarizacin inversa acta como un cortocircuito hasta llegar al
voltaje de ruptura, en ese momento acta como una fuente de voltaje.
Lo que esto quiere decir es que en polarizacin inversa el Zener limita la
cantidad de voltaje del circuito.

Esta forma de operar del diodo Zener est limitado por la cantidad de corriente
que circule por l. La corriente mxima es -I zm
Usualmente nombra al diodo Zener como Regulador de voltaje, esto se debe a
que en polarizacin inversa mantiene su voltaje pese a las variaciones que se
produzcan en la seal de entrada.
El diodo Zener se puede utilizar en distintos tipos de circuitos. Como
recortadores de onda para generar ondas cuadradas.

Regaladores de voltaje para obtener voltajes mltiples de una misma fuente.

Limitador de voltaje, por ejemplo para usar un rel o un capacitor de 6 voltios


en un sistema de 12voltios.
1.17 Otros diodos

Diodos LED

Pantalla de diodos

Fotodiodo

Optoacoplador

Varicap
Varistores
El varistor es un diodo de corriente constante (el zener es un diodo de voltaje
constante). Este diodo conduce en ambos sentidos pero nicamente cuando
hay grandes niveles de voltaje o corriente.

Diodos Tnel
CAPITULO III:TRANSISTORES BIPOLARES
El transistor fue el desarrollo fundamental que permiti alcanzar los niveles
actuales de la tecnologa. El Tetrodo brindo la idea de cmo se quera controlar
el flujo de electrones entre las dos placas y este fue el principio utilizado en la
bsqueda de un dispositivo de estado slido que pudiera desempear las
mismas funciones.
En 1951 el equipo de investigadores liderado por William Schockley desarrollo
el primer transistor de contacto.
El transistor se forma al unir tres capas de materiales semiconductores con
dopajes positivos y negativos.

En la grfica se representa un transistor NPN. La capa N corresponde a un


semiconductor dopado con materiales con exceso de electrones. La capa P
representa a un semiconductor dopado con material con falta de un electrn en
su capa de valencia.
El cambiar el orden de las capas genera un transistor PNP.
1.18 Polarizacin

Polarizacin es el proceso de energizar el transistor para que acte se site en


un punto base de operacin.
En la grfica se puede apreciar la polarizacin de un transistor NPN. Como
nomenclatura se utilizan letras maysculas para describir voltajes y corrientes
en DC.
V BB Voltaje de Base

V CC Voltaje de Colector

RB Resistencia de Base

RC Resistencia de Colector

V BE =V B V E Voltaje Base-Emisor

V CE =V C V E Voltaje Colector-Emisor

1.19 Caractersticas de los transistores

Los transistores NPN tienen flujos de corrientes conforme a lo mostrado en el


grfico.

Donde
IC es la corriente de Colector
IB es la corriente de Base
IE es la corriente de Emisor
Como se puede ver, en este transistor la corriente del emisor es igual a la suma
de las corrientes de base y de colector.
I E =I C + I B

Generalmente la corriente de base es 100 veces ms pequea que la corriente


de base. En esos casos se puede decir
I E IC
Ahora, analizando la situacin de los voltajes se tiene que
V CE =V BE +V CB

Si en lugar de analizar un transistor NPN se estuviera analizando un PNP, las


sumas de corriente y voltajes cambiaran.

1.19.1 Alfa

Representa uno de los parmetros del transistor y viene dado por la relacin
entre la corriente de colector y la corriente de emisor.
dc=I C / I E

Cabe notar que el subndice dc se usa para indicar que es la relacin de las
corrientes de polarizacin. El valor de alfa es muy cercano a uno, usualmente
0,99.
1.19.2 Beta

Este representa la relacin entre la corriente de colector y la corriente de base


dc =I C / I B
Tambin se conoce como la Ganancia de la corriente. La ganancia de corriente
puede variar dependiendo del tipo y aplicacin del transistor. Sus valores
fluctan entre 20 y 300. En las hojas de datos de los transistores se la puede
encontrar como hfe.
dc es un valor caracterstico del transistor que puede ser hallado en su hoja
tcnica.
1.20 Conexin de Emisor Comn

La configuracin de Emisor comn hace referencia a que el Emisor est


conectado a tierra al igual que las fuentes de colector y base (V CC y VBB). Esto
forma dos mallas, una de base y otra de colector.
En este caso, como el emisor se encuentra conectado a tierra, el voltaje V E es
igual a cero y por lo tanto.
V BE =V B

V CE =V C

Aplicando la ley de voltajes en la malla de base se obtendr


V
( BBV B )/ R B
I B=

La conexin entre la Base y el Emisor se considera un diodo, cuya cada de


voltaje se puede considerar 0 para diodos ideales o 0,7V en el caso de que los
voltajes de polarizacin (VBB y VCC) sean relativamente pequeos.
La curva caracterstica del transistor se obtiene graficando la Corriente de
colector (IC) como funcin del voltaje colector-emisor (V CE) mientras se
mantiene un valor constante de corriente de base I B.
Por ejemplo, se puede variar el valor de V BB o de RB para obtener un valor de IB
igual a 10A.
Luego se hace variar el voltaje de colector VCC para cambiar la cada de
potencial entre Colector y Emisor (V CE) y obtener los valores de I C en cada
caso.
En la grfica se puede apreciar que la corriente de Colector se mantiene
constante para valores de VCE entre ,3 y40 Voltios.
Si el voltaje VCE supera los 40 voltios, el colector entra en zona de Ruptura. Si
esto ocurre, el transistor puede daarse.
La zona comprendida entre unos pocos decimales de voltios y 40 voltios, es
decir la zona horizontal de la grfica, es la que se llama Zona Activa. Esta es la
zona de operacin normal del transistor y es de suma importancia ya que es la
zona utilizada para amplificacin.
Por ltimo, la zona situada entre cero y pocas dcimas de voltio,(zona
inclinada) se conoce como la zona de Saturacin.
Se pueden obtener ms curvas para distintos valores de I B. Por ejemplo para el
caso que se defina IB = 2V, se obtendrn los la valores de I C para distintos
valores de VCE, para este caso el valore de IB ser de 2mA. Estas mediciones
se repiten para valores de I B incrementados 10 A en cada nueva medicin,
obtenindose la siguiente curva.
Recordando que la relacin de la IC con la IB nos da la ganancia de corriente
en DC, en este caso se tendra que
6
10 x 10 =100

I 1 x 103
dc = C =
IB

En la grfica se puede apreciar que existe una lnea de Corriente de Base


correspondiente a 0 Amperios, esta se denomina Zona de Corte. Lo que quiere
decir es que a pesar de que la corriente de base es cero, todava existe una
pequea corriente de colector.
1.21 La Recta de Carga

El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas


elctricas lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las
seales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un
aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas
denominadas fuentes de alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de
alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en
continua necesarias para que el transistor opere en la regin lineal y
suministrar energa al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en
potencia (amplificacin). Los valores de corrientes y tensiones en continua en
los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele
expresar por la letra Q (Quiescent operating point).
Los puntos extremos de la recta de carga se calculan a partir de la ecuacin de
la maya del colector donde:

V CC =I C RC +V CE
El caso extremo para la recta de carga es en el que el voltaje VCE es
prcticamente cero, es decir que es un corto y fluye la mayor cantidad de
corriente por el transistor.
V CC =I C RC

V CC
IC =
RC

Esta corriente es llamada tambin Corriente de Saturacin.


Para el otro extremo, se considera que el voltaje CE es el ms alto, para ello se
considera que el transistor acta como un circuito abierto y por lo tanto no fluye
corriente, por ende el voltaje que aparece entre los terminales del colector y
emisor ser el voltaje de polarizacin VCC.
V CC =I C RC +V CE

V CC =0+V CE

V CC =V CE

Este voltaje se conoce como Voltaje de Corte.


Una vez calculados los puntos, se grafican sobre las curvas I C vs VCE. El punto
donde intercepten la curva de la corriente de base ser el punto de equilibrio.
Para calcular la corriente de base, se considera la malla de base. Sabemos que
V CC =I B R B +V BE

Considerando que los voltajes de polarizacin son mucho mayores que la cada
en el diodo Base-Emisor, se asume el diodo como ideal y por lo tanto V BE = 0.
V CC =I B R B

Y por lo tanto
V CC
I B=
RB

Ejemplo.
Suponiendo que se tiene el siguiente circuito, con R B = 1M con una ganancia
hfe de 100

V CC
I B=
RB

15
I B=
1 x 106

I B=15 A

De la malla del colector se obtiene que


V CC =I C RC +V CE

15=I C 3 x 103 +V CE

En este caso se presentan dos incgnitas, I C y VCE. Pero se conoce que la


ganancia hfe (equivalente a ) es de 100
IC
dc =
IB
I C = dc I B

6
I C =100 x 15 x 10

I C =1,5 mA

Luego podemos decir que

15=1,5 x 103 3 x 103 +V CE

V CE =154,5

V CE =10,5

La interseccin de los puntos (10,5 , 1,5) es el punto Q. Pero en este caso se


obtuvo calculndolo. Tambin pudo ser determinado grficamente, para esto
suponga que se cuenta con la curva caracterstica I C vs VCE.
V CC
IC =
RC

El punto extremo de corriente ser (Corriente de Saturacin)


15
IC =
3 x 103

I C =5 mA

Y el voltaje de Corte es VCC, es decir 15v.


Todas las rectas horizontales que corta la recta de carga son el posible punto
de trabajo Q. Lo que se debe determinar es cul es la corriente de base
correcta.
El punto de trabajo se puede ubicar en una de las siguientes cuatro zonas de
polarizacin del transistor, Activa, de Ruptura, de Corte o de Saturacin, e
incluso puede fluctuar entre ellas.

En este punto se puede notar que si se cambia el valor de V CC se lograra que la


recta de carga se desplace en forma paralela arriba o abajo del punto actual.
Pero si se vara el valor de la resistencia R C el cambio se producir nicamente
en el lado de la corriente, lo cual cambia la inclinacin de la recta de carga.

Por otra parte, el cambio del valor de la resistencia R B cambiar la lnea de


corte horizontal. Por tal motivo es importante la correcta polarizacin del
transistor.
1.22 Tipos de circuitos

Existen dos tipos bsicos de circuitos con transistores, los circuitos


amplificadores y los conmutadores.
Los circuitos amplificadores, como su nombre lo indica, elevan el voltaje o la
corriente de entrada, a niveles similares a los voltajes usados para polarizacin.
La forma de la seal de salida se mantiene igual a la forma de la seal de
entrada, variando nicamente su amplitud. Para este tipo de circuitos se debe
ubicar el punto de trabajo Q aproximadamente en la mitad de la grfica, sobre
el tramo horizontal de una de las lneas de corriente de base.
Si el punto Q se encuentra desplazado del centro, lo ms seguro es que la
seal de salida sea distorsionada.
Los Circuitos Conmutadores, tienen la funcin de operar como un interruptor,
permitiendo el paso de seal o bloquendolo. No tienen inters en la
amplificacin de la seal de entrada ni en mantener su informacin. Estos
circuitos hacen que el punto Q se alterne entre la zona de saturacin y la zona
de corte.
1.23 Polarizacin de Emisor

En la polarizacin de emisor se cambia la resistencia de la base al emisor.


Como se puede ver, la fuente VBB se aplica directamente a la base.

En este caso, en la malla de base, considerando que la cada de voltaje en el


diodo base emisor no es cero, se tiene que:
V E =V BB V BE

Una vez obtenida el voltaje de emisor por la malla de base, se puede calcular la
corriente de emisor IE.
VE
I E=
RE

Si no se especifica la ganancia de corriente. Se asume que I E es igual a IC,


V CC =V R +V CE +V E
C

V CC =I C RC +V CE + I C RE

Luego
V CE =V CC (I C RC + I C R E )

V CE =V CC I C (RC + R E )

Como se aprecia, en ningn momento se utiliza la ganancia de corriente , por


lo tanto la variacin de la corriente de entrada no afecta la corriente de colector
y por lo tanto el punto Q es fijo.
1.23.1 Transistor con polarizacin de base como excitador de
LED

En un circuito como este es necesario que el transistor est polarizado en


Saturacin fuerte. Para esto la resistencia de la base debe ser por lo menos 10
veces ms grande que la resistencia del capacitor.
En saturacin fuerte se puede decir que el V CE es igual a 0 y que la corriente de
Colector es igual a la corriente del emisor.
Suponiendo que la cada de potencial en el diodo LED es de 2V, entonces
V E =V CC V D

Entonces
15 v2 v
IC =
RC

En este caso
I C =8,67 mA

1.23.2 Transistor con polarizacin de emisor como excitador de


LED
De la malla de base se tiene que
V E =V BB V BE

El diodo base-emisor puede considerarse como un diodo con una cada de


0,7v; en este caso se asume que la cada en este diodo es 0 ya que el voltaje
de polarizacin es muy grande comparativamente.
V E =V BB =15 v

Por lo tanto,
15 v
IC =
1,5 k

I C =10 mA

1.23.3 Ejemplo de circuitos con led

Este circuito controla el indicador de energa de algn equipo electrnico.


Cuando el fusible est en buen estado, la base del transistor se polariza por
intermedio de R1, como el transistor opera en la zona de saturacin, este
conduce haciendo que el led ver de encienda.
Cuando el fusible se quema (se abre), la polarizacin de base desaparece y el
transistor deja de conducir entre emisor y base, esto hace que la corriente
circule por el LED rojo.
Los diodos D1 y D2 se colocan para igualar la resistencia del acoplamiento de
diodos del transistor.
1.24 Polarizacin por divisor de tensin

Este es uno de los formatos de polarizacin ms comnmente usado en


electrnica.
Como se puede apreciar en la malla de base, se ha creado un divisor de
tensin entre las resistencias R1 y R2, tomando como fuente de voltaje V CC.

En este caso al resolver la malla de la base se obtiene que


R1 + V R 2

V CC =V

Pero se puede apreciar que VR2 es igual a VB


V R =V R +V CC
2 1

V CC =I R1+ I R2

Se determina que
V CC
I =
R 1 + R2

Luego el voltaje en la base ser


V B =I R2
R2
V B= V
R 1+ R 2 CC

Ejemplo sin (anlisis aproximado)

Nuevamente en la maya de base se tiene que


V B =V BE +V E

Luego
V E =V BE +V B

Dependiendo del voltaje de polarizacin se podra


desprecia el valor de VBE y considerarlo cero, pero como
VCC es menor que 15v se considera VBE igual a 0,7v.
R2
V E= V V BE
R 1+ R 2 CC

Y por lo tanto, dado que IC = IE


R2
V V BE
R1 + R2 CC
IC =
RE

Para este ejemplo se tendr que:


R
R



( 1+ R2 )
R2 V cc V BE
I C =

Sustituyendo valores
10 k +2,2 k 1 k

2,2 k10 v0,7 v (12,2 k )
IC =

22 v8,54 v
IC = =1,1mA
12,2 k

Ejemplo ii (anlisis exacto)

Se obtiene la resistencia equivalente o resistencia de Thevenin del divisor de


tensin.
R1 R 2
RTH =
R1 + R2

Con este dato se puede reemplazar el divisor por su circuito equivalente


Es posible reemplazar la maya de la base por una resistencia de entrada R IN
vista desde el transistor.

En todo circuito se busca que la resistencia de fuente RS sea por lo menos 100
veces ms pequea que la resistencia de carga RL.
RS < 0,01 R L

Para este caso la resistencia de fuente es la resistencia de Thevenin R TH y la


resistencia de carga es RIN.
RTH <0,01 R

Con esta relacin se logra que la tensin en la base se mantenga constante.


Dado que IE=IC=IB , se puede decir que
R = R E

Reemplazando en la ecuacin anterior


RTH <0,01 R E

Volviendo al ejemplo se tiene que


22 k
RTH = =1,8 K
12,2

Por su parte, la resistencia de entrada de base ser


R = R E=200 K

Lo cual cumple con la regla de diseo de que R E sea al menos 100 veces
mayor a RIN. Luego la corriente de emisor ser igual a

R2
ETH = V
R1 + R2 CC

R1 R 2
RTH =
R1 + R2

Donde el voltaje de Thevenin ETH corresponde al voltaje del divisor de tensin


en R2.

Viendo desde el lado del equivalente de Thevenin


V B =ETH R TH I B

Del lado del transistor


V E =V B V BE

I E R E=V BV BE
Reemplazando el VB
I E R E=ETH RTH I BV BE

Dado que IE aproximadamente igual a IB


R TH I E
I E R E=ETH V BE

RTH I E
I E RE+ =ETH V BE

RTH
I E (R E + )=ETH V BE

ETH V BE
I E=
R
R E + TH

Regresando al ejemplo ii y reemplazando los valores


2,2 k
ETH = 10 v=1,8 v
12,2 k

22 k
RTH = =1,8 k
12,2

1,8 v 0,7 v
I E=
1,8 k
1k+
200

1,1 v
I E= =1,09 mA
1,009 k

Lo que es aproximado al valor obtenido en el anlisis simple.


1.25 Desplazamiento del punto Q

En el circuito con polarizacin por divisin de tensin, se puede desplazar el


punto de operacin variando el valor de la resistencia de Emisor ya que los
cambios en la corriente de base no le afectan.
Si se realiza el clculo con RE = 1K se obtiene el punto de equilibrio Q ya que:
2,2 k
V B= 10 v
10 k + 2,2 k

V B =1,8 v

V E =V B 0,7 v

V E =1,8 v 0,7 v

V E =1,1 v

Luego la corriente de emisor ser


I E =V E /R E

I E =1,1 v /1 K

I E =1,1mA

Con esta corriente ya se puede calcular el voltaje de colector emisor.


V CC =I E R C +V CE + I E R E

R

RE
C +

V CE =V CC I E
3,6 K

1K
+

V CE =10 v1,1 mA

V CE =4,94 v

Como se aprecia, al incrementar la resistencia del emisor R E, la corriente del


emisor IE disminuye y el voltaje colector emisor VCE se incrementa.
Si la resistencia de emisor se incrementa a 2.2K se obtendr
I E =1,1 v /2,2 K

I E =0,5 mA

3,6 K

2,2 K
+

V CE =10 v0,5 mA

V CE =7,1 v

Este es el punto denominado Qh en la grfica.


Por su parte si la resistencia RE se disminuye a 510.
I E =2,15 mA V CE =1,16 v

En general, el punto de operacin puede desplazarse al cambiar los valores de


la resistencia de colector, (R1, R2, R3 son valores diferentes para Rc). Como
se puede ver VCE mximo permanece constante y la recta de carga pivotea
sobre este punto.
Si se mantienen constantes todos los valores de resistencias y se vara el
voltaje de polarizacin de colector VCC, la recta de carga se desplazar en
paralelo.
Todas las formas anteriores de desplazamiento se logran con modificaciones
en la malla del colector. Pero tambin es posible lograrlo al cambiar la cantidad
de corriente que circula en la base.

1.26 Polarizacin de emisor con doble fuente

En estos circuitos se aplica un voltaje positivo de polarizacin en el colector y


un voltaje negativo en el emisor.

En estos casos el voltaje de base se considera prcticamente cero, por lo que


se el voltaje de emisor se asume en -0,7v. Es importante determinar la cada de
voltaje en la resistencia del emisor ya que esta ser la que establezca la
corriente de emisor.
En este tipo de polarizacin, la corriente de emisor se obtiene directamente del
ramal de la resistencia de emisor. Dado que el voltaje de base es cero,
entonces el voltaje de emisor ser -0,7v.
Partiendo de este punto se obtiene
V B =V BE +V E

V E =V BE +V B

Pero VB = 0
V E =V BE =0.7 v

Entonces la cada de voltaje en la resistencia de


colector viene dada por
V =V E (2 v)

V =0,7 v(2 v )

V =1,3 v

Y por lo tanto la corriente de emisor ser


1,3 v
I E= =1,3 mA
1k

Como la corriente de emisor es igual a la corriente de colector, se obtiene que


V RC =1,3 mA ( 3,6 k )=4,68 v

Realizando la suma de voltajes desde el colector al emisor se obtiene (la


nomenclatura para designar la fuente de -2V en este caso es V EE)
V CC V RC V CE V E =0

Luego
V CE =10 v4,68 v (0,7 v )

V CE =6,02 v

1.27 Polarizacin con realimentacin de emisor

Como se aprecia es un punto intermedio entre la polarizacin por base con la


de emisor. Se puede ver que las ecuaciones de sus principales indicadores son
similares a las ya obtenidas.
V CC V BE
I E=
R
RE+ B

V E =I E R E

V B =0,7+V E

V C =V CC I C RC

V CE =V C V E

Este tipo de polarizacin no se popularizo debido a


que el valor de RE no puede ser lo suficientemente grande como para hacer al
circuito inmune a los cambios de la ganancia .

El ejemplo anterior muestra como un cambio en la ganancia altera


significativamente la corriente de colector.
1.28 Polarizacin con realimentacin de colector

Es un circuito similar al de polarizacin por base, nicamente cambia en el


hecho de que se conecta antes de la resistencia de colector, es decir que el
Voltaje de colector igual al VBB voltaje de polarizacin de base.

El efecto que se obtiene es el siguiente: Si por accin del calor, la corriente de


colector IC se incrementa, esto hace que la cada de voltaje en la resistencia de
colector VRC se incremente tambin, lo cual a su vez causa que el voltaje
colector emisor VCE disminuya. Pero ya que en este circuito V CE es igual a VC e
igual a VBB, entonces la corriente de base IB disminuye y dado que IC es igual a
IB, entonces se genera una reduccin de la IC.
Para que el punto de operacin Q este en la mitad de la zona activa, se
requiere que
RB = RC

1.29 Polarizacin con realimentacin de colector y emisor

Es una variante de los anteriores, de igual forma no es muy usual pues no logra
la estabilidad requerida.

1.30 Transistores PNP

En todos los circuitos que se han presentado se han utilizado transistores NPN.
El transistor PNP es una variante que invierte el orden de los materiales
semiconductores que lo forman.

Se puede apreciar que los nombres de los terminales se mantienen, pero la


direccin de la flecha del emisor se ha invertido, lo cual es una seal de la
inversin que sufre el flujo de las corrientes en estos transistores con relacin a
los NPN.
Toda la teora que se aplic en el estudio de los NPN sirve para los clculos en
los PNP, lo que se debe tener en cuenta es que en este caso se utilizarn
fuentes negativas.

Para facilitar la realizacin de los clculos, el circuito de la grfica puede ser


modificado de forma que se usen fuentes positivas.

Se puede apreciar que se invirti la imagen y que las tierras pasaron a ser
fuentes positivas y las fuentes negativas pasaron a ser tierras.
CAPITULO IV:TRANSISTORES EN PEQUENA SENAL
Hasta este momento se ha estudiado al transistor en su forma pasiva, por
decirlo de alguna manera. Con el voltaje DC solo se pretende lograr que el
transistor se configure para operar en un rango de voltaje y corrientes de
entrada y de salida, pero esta preparacin se hace en espera de que permita
procesar las seales alternas que pueden ingresar a l.
Por pequea seal se entienden ondas de voltaje o corriente que varan con el
tiempo. Pese a que estas seales pueden ser aleatorias, para este anlisis se
consideraran como una onda sinusoidal.
Lo primero que debe considerarse es que toda seal puede considerarse como
un voltaje dc al cual se le suma una parte alterna o variable.

1.31 Condensador de acoplamiento

El condensador es un dispositivo cuya Reactancia (resistencia al paso de la


corriente) es inversamente proporcional a la frecuencia de la corriente y viene
dado por:
1
XC=
2 fC

En un circuito RC con una fuente de voltaje alterno

Se obtendra la impedancia total del circuito mediante la frmula:

Z = X 2C + R2
En este circuito, cuando la frecuencia de la corriente de entrada es lo
suficientemente alta, la reactancia capacitiva X C ser tan pequea que puede
considerarse cero en comparacin con R. En estas circunstancias la
impedancia Z del sistema ser igual a R, es decir que el capacitor puede ser
reemplazado por un cortocircuito.

Se considera que esto ocurre cuando la reactancia capacitiva XC es menos de


un dcimo del valor de la resistencia R.
Por otra parte, si la frecuencia de la seal de entrada es cero, es decir es un
voltaje DC, la reactancia capacitiva se hace infinita y el capacitor se considera
como un circuito abierto.

En un circuito de seal bien diseado, se calcula el valor de los capacitores de


acoplamiento para que permitan el paso de la seal y bloqueen el paso de DC.
Esta propiedad se utilizara para interconectar distintas etapas de amplificacin
sin que la seal sufra distorsiones. La siguiente grafica muestra la forma en que
se utiliza el condensador de acoplamiento en la interconexin de circuitos.
1.32 Condensador de desacople

Esta misma propiedad de los capacitores se utiliza para desacoplar ciertos


elementos al trabajar con seales alternas.
En este caso los capacitores se conectan en paralelo al dispositivo que se
desea desacoplar, el otro extremo se conecta a tierra.

Cuando llega la seal alterna el circuito se convierte en

1.33 Amplificador de tensin

Un amplificador de tensin es un dispositivo que genera un incremento entre el


voltaje de entrada y su voltaje de salida. Su capacidad de amplificacin viene
dada por:
V Out
A=
V

Por ejemplo, el siguiente dispositivo el voltaje de salida ser

V Out = A V

V Out=0,4 V

1.34 Amplificador con Polarizacin por Divisor de Tensin (PDT)

El siguiente circuito amplificador tiene una polarizacin en DC tipo Divisor de


Tensin. Para poder analizarlo en Dc es necesario considerar que los
capacitores de acoplamiento en DC funcionan como circuito abierto.

Al desacoplar los capacitores de tendr


En estas condiciones se calculan los valores de voltaje en cada uno de los
puntos crticos del sistema, por ejemplo
V2,2 K
V B =10
10 K +2,2 K

V B =1,8 V

I E =(1,8 V 0,7V )/1 K

I E =1,1mA

V RC =3,6 K1,1 mA

V RC =3,96V

V C =10 V V RC

V C =10 V 3,96 V

V C =6,04 V

V CE =6,04 V (1,8 V 0,7 V )

V CE =4,94 V

Estos son los voltajes dc que aparecen en cada uno de los puntos indicados
debido a la polarizacin del transistor. Si por medio de un capacitor de
acoplamiento, ingresamos un voltaje alterno (seal) a la base del amplificador,
los voltajes en estos puntos sern el resultado de la suma del voltaje DC con el
alterno de la seal de entrada.

El caso de la resistencia de emisor es un caso especial ya que all se encuentra


un capacitor de desacoplamiento, dado que este acta como un cortocircuito a
la frecuencia de la seal, el emisor se encuentra conectado directamente a
tierra y por lo tanto su voltaje ser de cero todo el tiempo.
1.35 Funcionamiento en pequea seal

En la siguiente grafica se presenta la variacin de la corriente de emisor como


funcin de los cambios del voltaje base emisor.

El punto de trabajo quiescente es el punto medio y corresponde al que se


calcula con la polarizacin en DC. Al incrementarse el valor de la seal de
entrada el punto de trabajo se desplaza hacia arriba y cuando se desplaza para
abajo, el punto de trabajo tambin se desplaza para abajo.
El problema se presenta cuando la seal es muy grande. Dado que la funcin
de la corriente de emisor con respecto a VBE no es lineal, si las seales son
muy grandes se producen distorsiones en la forma de la onda.

Con la finalidad de evitar las distorsiones, se deben utilizar seales de entada


pequeas y usar varias etapas de amplificacin. Esto se debe a que si la seal
es lo suficientemente pequea, la funcin parecer una recta para la seal.

La corriente de emisor, como se ha mostrado en las grficas, se compone de


una parte constante de corriente DC (I EQ) y una variable o alterna (i E), de forma
que:
I E =I EQ +i E

Para minimizar la distorsin el valor de la corriente alterna de pico a pico debe


ser menor al diez por ciento de la corriente de DC.
i EPP <0,1 I EQ

En general todos los amplificadores que satisfacen esta relacin se denominan


amplificadores de pequea seal. Estos amplificadores son utilizados en las
primeras etapas de los equipos de sonido. Son aquellos que se conectan
directamente a los dispositivos de entrada como micrfonos y antenas
receptoras. Su funcin principal es amplificar la seal eliminando cualquier
peligro de distorsin de la misma.
De forma similar el voltaje de base emisor tiene dos componentes
V BE =V BEQ + v be

Esta relacin se presenta tambin como resistencia ya que


r ' e =v be /i e

Esta es conocida como resistencia para seal del diodo emisor. La comilla
indica que la resistencia se encuentra dentro del transistor.
Mediante pruebas realizadas se ha determinado que la resistencia interna se
puede calcular, considerando que
1. el voltaje base emisor alterno es de 25mv,
2. la corriente de emisor en alterna es prcticamente igual a la de DC.
25 mv
r 'e =
IE

1.36 Modelos de transistores

Para poder realizar el anlisis de los transistores con respecto a seales


alternas, es necesario contar con un modelo de circuito que represente la forma
de operacin del transistor en alterna.
1.36.1 Modelo T

En este modelo se reemplaza la unin Base Emisor por la resistencia interna


re. en tanto que el colector se reemplaza por una fuente de corriente i c.
El modelo en s parece un T recostada sobre uno de sus lados.
La impedancia de entrada de base se puede calcular con la corriente de base y
la cada de voltaje en la resistencia r e.
v be
Z (base)=
ib

1.36.2 Modelo

Partiendo de la impedancia de entrada de base


ie r 'e
Z (base)=
ib

Dado que la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de


emisor, entonces.
Z (base)= r ' e

Con esto, el modelo del transistor se puede representar como


1.37 Circuito equivalente en alterna

Para el anlisis en DC se abrieron todos los capacitores de acoplamiento y


desacoplamiento, de forma tal que el sistema se pudo analizar sin considerar la
accin de la corriente alterna proveniente de la seal.
Para el anlisis de la seal en alterna, es necesario eliminar la influencia de los
voltajes DC, para esto se cortocircuitan todos los capacitores de acoplamiento
y desacoplamiento y las fuentes de dc se cortocircuitan a tierra.
1.37.1 Amplificador con polarizacin de base

La siguiente grafica muestra un amplificador con polarizacin de base. En este


la seal de entrada se conecta a la base del transistor mediante un capacitor
de acoplamiento. De igual forma, la carga est conectada a la salida mediante
otro capacitor de acoplamiento.

Para realizar el anlisis en DC se realiza la apertura de todos los capacitores.


Esto permite que se realice el clculo de la corriente de emisor que es
fundamental para encontrar la resistencia interna r e.
Para este circuito VE es cero, por lo que el voltaje de base V B ser de 0,7v
luego
V CC0,7
I b=
RB

Pero la corriente de colector es:


I C = I B

Y dado que la corriente de colector es la misma que la corriente de emisor:


25 mv
r 'e =
IB

Con estos datos se puede armar el modelo para anlisis de alterna. Para esto
se cortocircuitan todos los capacitores de acoplamiento y las fuentes de DC.
Simplificando el diagrama

Por ltimo, se reemplaza el transistor por su equivalente o modelo .

1.37.2 Amplificador con divisor de tensin

Tomando como ejemplo el divisor de tensin ya analizado


Se tiene su equivalente en DC al abrir todos los capacitores

En este circuito se tiene que el voltaje de base es:


V CC R 2
V B=
R 1+ R 2
Si se considera que el voltaje de polarizacin es mucho mayor que los 0,7 que
deberan caer en el diodo base emisor, se puede considerar que el voltaje de
emisor es igual al voltaje de la base. En este caso se tendr que:
R
( 1+ R2 )R E
V R
I E= CC 2

Y por lo tanto
R
25 mV ( 1+ R2 )R E
V CC R2
r 'e =

Ya con el dato de la resistencia y de la corriente de emisor, la cual es igual a la


corriente de colector, se puede presentar el modelo equivalente para alterna.
Debe notarse que al cortocircuitar los capacitores, la resistencia de emisor
desaparece ya que se encuentra en paralelo con el capacitor de
desacoplamiento. En este diagrama se hace la transformacin al modelo .

Otra opcin para la transformacin y de igual validez es utilizar el modelo T

En estos modelos debe recordarse que las corrientes i c, ib e ie corresponden a


las corrientes en alterna.
En ambos casos se puede decir que la ganancia del amplificador es la relacin
entre el voltaje de salida (vout) contra el voltaje de entrada (vin).
v out
A=
v

Se debe recordar que


ic
=
ib

Dado que Vin, R1, R2 y r e estn en paralelo, se puede escribir


v =i b r ' e

Por su parte el voltaje de salida ser el resultado del paso de la corriente ic por
el paralelo de las resistencias RC y RL.
Rc R L
v out =i c ( Rc + R L )
Por lo que la ganancia quedar
Rc RL

A=i c
( R c+ R L )
ib r' e

Dado que
i b=i c

Rc R L

A= i b
( Rc + R L )
ib r ' e

Entonces
Rc R L

A=
( R c+ R L )
r'e

Rc RL
A=
(R c + R L ) r ' e

Para simplificar la ecuacin, a la resistencia generada por el paralelo de RL y


RC se la denomina resistencia alterna de colector r c .
rc
A=
r'e

Esta ecuacin se aplica para todos los amplificadores de emisor comn. Algo
que debe hacerse notar en estos amplificadores es que el voltaje de salida
tiene un desfase de 180 con el voltaje de salida.

1.38 Impedancias de entrada y salida

E siguiente circuito representa un amplificador tpico de emisor comn.


Normalmente se puede considerar que la fuente de voltaje de entrada tiene una
resistencia interna RG, pero esta puede considerarse igual a cero para el
anlisis.

Viendo el amplificador desde la izquierda, desde el punto de vista de la seal


que ingresa al amplificador, se presenta una impedancia Z i. Esta es la
resistencia que la fuente de la seal ve como impedancia del amplificador.
La impedancia de entrada es el resultado del paralelo entre R1, R2
(denominada R) y r e (impedancia de entrada de base).
R1 R2
R' =
R 1+ R 2

Luego
Z = r ' e R '
Ejemplo.
En el siguiente circuito realizar el anlisis de DC y AC tomando en
consideracin que el transistor tiene =50 y que la resistencia interna de la
fuente de entrada Rg es de 600.

En DC tenemos un divisor de tensin con el cual sabemos que el voltaje de


base es
10 v
V B =2.2 K ( 12,2 K)

V B =1,8 v

Luego la corriente de emisor ser


1,8 v 0,7 v
I E=
1k

I E =1.1mA

Luego la resistencia interna ser


25 mv
r 'e =
1.1mA

r 'e =22,72

La resistencia de colector en alterna es


10 K3,6 K
rc=
13,6 k

r c =2.65 k

La ganancia de tensin del sistema es


rc
A=
re '

2,65 k
A=
22,72

A=117

Por lo que el voltaje de salida sera


v out =A v

Pero para calcular el voltaje de entrada hay que realizar el divisor de tensin
entre la resistencia de entrada de la etapa Zin y la resistencia de fuente Rg
Z etapa=10 k 2,2 k Z base

Donde Zin de la base es la veces la resistencia interna del transistor


Z base= r e '

Z base=5022,72

Z base=1,14 k

Luego
Z etapa=10 k 2,2 k 1,14 k

Z etapa=698

mv698
=2
698 +600
v

=1,08 mv
v

Entonces
v out =1171,08 mv

v out =126 mv

1.39 Amplificadores encapsulados

Cada una de las etapas se puede analizar como una capsula independiente de
dos entradas y dos salidas.
Donde Z Th =R0=Z 0

Y AvNL es la ganancia o amplificacin de voltaje o tensin.


Vo
A vNL =
Vi

El equivalente para esta capsula amplificadora de tensin ser

Si a este sistema le adicionamos una carga, el equivalente ser

Se sabe que el voltaje de salida depende de la ganancia del mdulo, entonces


RL
V o= A vNL V i ( R o+ RL )
Y dado que la ganancia de voltaje en la carga viene dada por
Vo
A vL=
Vi

RL
A vL= A vNL ( Ro + R L )
Por su parte la ganancia de corriente en la carga sera
Io
A iL=
Ii

V o / R L
A iL=
I i /Z i

V o Z i
A iL=
V i RL

Zi
A iL=A vL
RL

Ahora se considerar el modulo sin carga, pero con la conexin de una fuente
de seal.

Como se puede ver, ahora el voltaje de entrada es el resultado de un divisor de


tensin entre la resistencia de fuente Rs y la resistencia o impedancia de
entrada Ri.
V s Ri
V i=
Rs + Ri

Dado que
V o= A vNL V i

Entonces
V s Ri
V o= A vNL
R s+ R i

Si se define la ganancia de voltaje de seal como


Vo
A vs =
Vs

Entonces
Ri
A vs = A vNL
Rs + R i

Ahora se analiza el caso en que se encuentran conectadas tanto la fuente de


entrada como la resistencia de carga.

Los clculos hechos por separado para entrada y salida siguen siendo vlidos,
lo que interesa ahora es la ganancia total.
Vo
A vs =
Vs

Luego
Ri RL
A vs = A
R s + Ri Ro + R L vNL

Por su parte la ganancia de corriente quedar se haba calculado como


Zi
A iL=A vL
RL

Pero calculando la ganancia de corriente de seal


Ri + Rs
A is =A vs
RL

1.40 Etapas en cascada


Colocar etapas en cascada lo que significa es unir dos o ms etapas de
amplificacin. Generalmente este acople se realiza por intermedio de
capacitores de acoplamiento.
En la siguiente figura se muestran dos etapas de amplificacin acopladas por
medio de capacitores

Para el anlisis en DC se abren todos los capacitores y cada amplificador se


calcula por separado. En el anlisis en AC se deben cortocircuitar los
capacitores y las fuentes de poder se deben conectar a tierra, al mismo tiempo
se reemplazan los transistores por su equivalente T o .

En esta imagen ya se han simplificado las resistencias de polarizacin para


reemplazarlas por las impedancias de entrada a cada etapa.
La ganancia en la primera etapa ser
rc
A 1= '
re

Rc Z etapa
A 1= '
re

Y la ganancia de la segunda etapa


Rc R L
A 2=
r 'e

La ganancia total viene dada por


A T =A 1 A 2

Si se ve el sistema como una unidad constituida por distintos mdulos o


capsulas

Se puede decir que la ganancia total de voltaje es la multiplicacin de la


ganancia de cada una de las etapas.
A vT = A v 1 A v2 .. A vn

Y la ganancia de corriente es
Zi 1
A iT =A vT
RL

Ejemplo.
El sistema de dos etapas de la figura emplea una configuracin de transistor en
emisor seguidor previa a una configuracin en base comn para garantizar que
el porcentaje mximo de la seal aplicada aparezca en las terminales de
entrada del amplificador en base comn. En la figura, se dan los valores sin
carga de cada sistema, excepto Zi y Zo para el emisor seguidor, los cuales son
valores con carga.
Determine:
a. La ganancia con carga para cada etapa.
b. La ganancia total para el sistema, Av y Avs
c. La ganancia de corriente total para el sistema.

Para el primer amplificador.


Zi2
V o 1=V i 1 A vNL 1 ( Z i 2+ Z o 1 )
V o1 26
A v 1=
V i1
=(1) (
26 +12 )
A v 1=0,684

En el segundo amplificador
RL
V o 2=V i 2 A vNL 2 ( RL +Z o 2 )
V o2 RL
A v 2=
V i2
= AvNL 2 (
R L+ Z o 2 )
A v 2=240 ( 8,2k8,2+ 5,1k
k
)
A v 2=147,97

La ganancia total de voltaje


A vT =0,684147,97

A vT =101,2

La ganancia total de seal ser


V o2
A vT =
V i1

V o2
A vT =
Zi1
V s( )
Zi 1 + R s

Y dado que la ganancia de fuente As total es la relacin entre el voltaje de


salida final sobre la seal de fuente
V o2
A sT =
Vs

Entonces en la ecuacin de Avt reemplazamos Vo2/Vs por Ast y luego


despejamos Ast, con lo que nos queda.
Z i1
A sT = AvT ( Zi 1 + R s )
A sT =101,2 ( 1010k +1k k )
A sT =92

Por su parte la ganancia de corriente viene dada por


Z i1
A iT =A vT ( )
RL

A iT =101,2 ( 8,210 kk )
A iT =123,41

1.41 Amplificador EC con Resistencia de Emisor sin desacoplar

La ganancia de tensin de un amplificador en emisor comn es sensible a las


variaciones de temperatura, a los cambios en las corrientes de polarizacin en
dc o al cambio de un transistor por un reemplazo aunque este sea de la misma
marca y modelo. Estos cambios hacen que exista variaciones en los valores de
y de re .

Para lograr una mayor estabilidad de la ganancia en estos circuitos, se deja


parte de la resistencia de emisor sin desacoplar.

Cuando se realiza el anlisis en alterna, la resistencia de emisor ser R E+re,


pero en alterna slo aparecer re en el emisor. El voltaje que aparece en
alterna en re se opone a los cambios en la ganancia de tensin, por esta razn,
a esta resistencia se le llama Resistencia de Realimentacin.
En el circuito se puede ver que el voltaje de base emisor depende del voltaje de
entrada VB y del voltaje de emisor VE
V BE =V B V E

Pero en este caso el voltaje de emisor en alterna ser


V E =I E r e

Y dado que la corriente de emisor es igual a la corriente de colector, cualquier


incremento en la corriente de colector genera un incremento en el voltaje de
emisor, lo que a su vez causa una reduccin en el voltaje base emisor
provocando una disminucin en la corriente de colector.
El equivalente en alterna del circuito ser

En este caso se usa el modelo T del transistor. El voltaje de entrada ser


V =i e (r e +r ' e )

El voltaje de salida es el voltaje en el paralelo de Rc y Rl llamada tambin r c


v o =i c (r c )

Luego, la ganancia o amplificacin del circuito es


vo
A=
v

ic ( r c )
A=
i e ( r e +r 'e )

Dado que la corriente de colector y de emisor se asumen iguales


rc
A=
( r e +r ' e )

Como se puede apreciar, la ganancia depende de las variaciones que pueda


sufrir re. Pero si se logra que re sea mucho mayor que r e, entonces
rc
A=
re

Lo que hace al sistema inmune a los cambios de la resistencia interna del


transistor. Pero esta resistencia no solo afecta a la ganancia, sino que ayuda a
que la impedancia de entrada de la base sea ms grande, ya que
Z base=v / ib

i e ( r e +r ' e )
Z base=
ib

i e ( r e +r ' e )
Z base=
ic

Y como corriente de emisor es igual a la de colector

Z base= ( r e + r ' e )

Nuevamente, si se hace que re mucho mayor,


Z base= r e

En general, esta resistencia de emisor sin desacoplar elimina las distorsiones


que se pueden producir, no solo en pequea seal, sino que tambin las
elimina para seales grandes.
CAPITULO IV:AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Los amplificadores de potencia son aquellos destinados a funcionar en las


etapas finales de un equipo. En este caso la seal ya se ha amplificador lo
suficiente para no ser deteriorada por los efectos de la distorsin.
Por su funcionamiento se clasifican como:
Clase A: En esta clase, el transistor siempre opera en la zona activa, se trata
de ubicar el punto de operacin en la mitad de la recta de carga para que la
seal pueda ser amplificada en todo su periodo.

Clase B: Estos amplificadores se trabajan sobre la mitad del ciclo, es decir, un


transistor se configura con su punto Q en la zona de corte para que acepte solo
la parte positiva de la seal y destina toda su recta de trabajo a amplificarla. La
otra mitad la amplificar otro transistor configurado para trabajar con la parte
negativa.

Clase C: En este caso solo se amplifica una parte de la seal, es decir que la
seal se puede dividir en mltiples partes para su amplificacin.

Otra forma de clasificacin de los amplificadores es por su forma de acoplar


sus etapas. Estas son:
Por condensador: es el tipo de acoplamiento que ya se revis en la seccin
anterior. Los capacitores aslan la seal alterna de la de dc, pero elctricamente
forman parte del mismo circuito.

Por Transformador: en este caso se utilizan transformadores de acoplamiento


magntico (1:1) sin amplificacin. Su funcin es la de transmitir la seal alterna
de una etapa a otra aislando elctricamente las etapas.

Acoplamiento directo: en este caso no se separan las etapas, sino que se


conectan directamente entre s. Esto hace que se transmite tanto los niveles de
AC como de DC. Por eso se los llama tambin acoplamiento de corriente
continua.

2.1Amplificador clase A

Como se manifest, el amplificador de potencia acta sobre todo el periodo de


la seal de entrada. Para esto el punto de equilibrio se configura
aproximadamente en la mitad de la recta de carga.
Como se puede ver en la grfica, en el colector del transistor circula corriente
durante todo el periodo de la seal. Un ejemplo de esta clase de amplificador
se aprecia en la siguiente grfica.

Adicionalmente a la ganancia de voltaje y de corriente, se puede definir un


parmetro de ganancia de potencia G.
Po
G=
Pi

Donde la potencia de salida viene dada por

v 2rms
Po=
RL

Pero el voltaje rms es el voltaje efectivo que se puede medir a la salida del
amplificador.
v pp=2 2 v rms

2
v pp
Po=
8 RL
Esta potencia pico a pico es la potencia mxima del amplificador, no es una
potencia sostenible por mucho tiempo ya que en pocos segundos daara el
circuito. Al revisar amplificadores debe tenerse en cuenta la potencia rms que
es la potencia normal de operacin.
Estos amplificadores clase A son usados para equipos que deben generar poca
potencia, normalmente unos cuantos cientos de miliwatts.
Volviendo al ejemplo, el circuito equivalente en alterna ser

La impedancia de entrada es
Z i=10 k 2,2 k 3 k

Z i=1,13 k

La potencia de entrada es

( 50 mv )2
Pi =
81,13 k

Pi=0,277 W

La potencia de salida se calcula encontrando el punto de operacin Q para el


voltaje VCE.
En el circuito, el voltaje de base viene dado por

V B =10 v ( 10 2,2 k
k +2,2 k )
=1,803 v

Luego
V E =V B 0,7 v=1,103 v

De donde se obtiene que la corriente de emisor


1,103
I E= =1,622 mA
680

El voltaje de colector emisor se calcula


V CE =10 v1,622 mA ( 3,6 k ) 1,103
V CEQ =3,057 v

Este es el voltaje del punto de operacin Q. Para que este sea un amplificador
tipo A el punto Q debe estar en la mitad de la zona activa, por lo que el voltaje
de pico a pico mximo debe ser el doble del V CEQ
V pp=2( 3,057 )=6,114 v

La potencia mxima de salida ser

( 6,114 v )2
Po= =0,9941 mW
84,7 k

Luego la ganancia de potencia es

994,1 W
G= =3588,81
0,277 W

2.2Amplificador Clase B

Estos son los circuitos de amplificacin ms utilizados gracias a su buena


respuesta en potencia. En estos amplificadores se divide la seal a la mitad y
se amplifican por separado para luego unirse en la carga como una sola seal
amplificada.

La potencia que se entrega a la carga se extrae de la polarizacin de DC que


se hace al amplificador. Luego
Pdc =V cc I dc

Por la importancia de la polarizacin se han definido dos formas de hacerlo, la


primera con dos fuentes de voltaje de +Vcc y Vcc, la segunda es utilizar una
sola fuente de voltaje Vcc.
En cualquiera de los dos casos, la corriente promedio dc extraa de la fuente
viene dada por.
2
I dc= I
P

Donde Ip es la corriente de pico.


La potencia de salida en alterna viene dada por.

V 2L ( rms )
Poac =
RL

La eficiencia se mide como


Poac
= 100
P dc

La figura muestra un transformador con derivacin central para proporcionar


seales de fase opuesta. Si el transformador es exactamente de derivacin
central, las dos seales son de igual manera de fase opuesta de la misma
magnitud.

Otro circuito utilizado para separar seales se basa en un transistor BJT.


2.2.1 Circuitos acoplados por Transformador

El circuito de la figura utiliza un transformador con derivacin central para


producir seales de polaridad opuesta a las entradas de dos transistores y un
transformador de salida para excitar la carga en un modo de operacin push-
pull que describimos a continuacin.
Durante el primer semiciclo de operacin, se hace que el transistor Q1
conduzca, en tanto que el transistor Q2 se apaga. La corriente I1 a travs del
transformador da como resultado el primer semiciclo de la seal entregada a la
carga. Durante el segundo semiciclo de la seal de entrada, Q2 conduce, en
tanto que Q1 permanece apagado, y la corriente I2 a travs del transformador
produce el segundo semiciclo de la carga. Entonces toda la seal desarrollada
a travs de la carga vara durante el ciclo completo de la operacin de la seal.

2.2.2 Circuitos de simetra complementaria

Al usar transistores complementarios (npn y pnp) podemos obtener una salida


de ciclo completo a travs de una carga con los semiciclos de operacin de
cada transistor, como se muestra en la figura.
En tanto se aplique una sola seal de entrada a la base de ambos transistores
de tipo opuesto, conducirn durante los semiciclos opuestos de la entrada. El
transistor npn se polarizar para que conduzca por el semiciclo positivo de la
seal, con un semiciclo de la seal a travs de la carga como se muestra en la
figura.

Durante el semiciclo negativo de la seal, el transistor pnp se polariza para que


conduzca cuando la entrada se haga negativa, como se muestra en la figura.

2.3Amplificadores clase C

Para los amplificadores tipo B se requeran de transistores en contrafase, pero


en los amplificadores clase C se requieren de circuitos resonantes para la
carga. Por esto, la mayora de amplificadores clase C son amplificadores
sintonizados.
La grfica muestra un amplificador sintonizado de RF de clase C.
La tensin de entrada se aplica a la base del Transistor lo que hace q aparezca
una tensin amplificada en el colector. La seal de salida es una onda
amplificada e invertida en el colector, la cual se acopla a la carga R L.
Debido al circuito tanque ( circuito RL en paralelo), la seal de salida es
mxima a la frecuencia de resonancia fr.
1
f r=
2 LC

En el resto de frecuencias la respuesta de ganancia es menor conforme a lo


que se muestra en el siguiente diagrama.

Este tipo de amplificadores son usados para la amplificacin de canales de


radio o Tv.
En DC el circuito equivalente es
Donde Rs es la resistencia equivalente del circuito tanque.

En alterna el circuito equivalente


2.4 Amplificador Clase D

Un amplificador clase D est diseado para que opere con seales digitales o
de pulsos. Con
Este tipo de circuito se logra una eficiencia de ms de 90%, lo que lo hace
bastante deseable en amplificadores de potencia. Se necesita, sin embargo,
convertir cualquier seal de entrada en una forma de onda pulsante antes de
utilizarla para excitar una carga de gran potencia y luego volver a convertir la
seal en una seal senoidal a fin de recuperar la seal original.

La figura muestra un diagrama de bloques de la unidad requerida para


amplificar la seal clase D y luego convertirla de nuevo en una seal senoidal
mediante un filtro pasobajas. Como los dispositivos transistorizados de los
amplificadores utilizados para generar la salida estn bsicamente apagados o
encendidos, proporcionan corriente slo cuando estn encendidos, con poca
prdida de potencia por su bajo voltaje de encendido. Como la mayor parte de
la potencia aplicada al amplificador se transfiere a la carga, la eficiencia del
circuito en general es muy alta. Los dispositivos de potencia MOSFET han sido
los preferidos como dispositivos de control del amplificador clase D.
2.5Conexin Darlington

La conexin Darlington consiste en la conexin de dos transistores en cascada


Puede realizarse con dos transistores independientes o como un solo chip con
los dos transistores incluidos dentro. La ganancia total es
= 1 2

Otro tipo de conexin Darlington es la Darlington complementaria, en esta


configuracin se conecta un transistor PNP con uno NPN.

CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET


Como lo mencionamos antes, el JFET es un dispositivo de tres terminales con una
terminal
capaz de controlar la corriente entre las otras dos. En nuestro anlisis del transistor BJT
se
emple el transistor npn en la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con
una seccin
dedicada a cmo utilizar un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal
n ser el dispositivo importante, con prrafos y secciones dedicados a cmo utilizar un
JFET de canal p.
La construccin bsica del JFET de canal n se muestra en la figura 6.3. Observe que la
parte
principal de la estructura es el material tipo n, el cual forma el canal entre las capas
incrustadas
de material p. La parte superior del canal tipo n est conectada mediante un contacto
hmico a un material conocido como drenaje (D), en tanto que el extremo inferior del
mismo
material est conectado mediante un contacto hmico a una terminal conocida como
fuente
(S). Los dos materiales tipo p estn conectados entre s y a la terminal de compuerta
(G).
En esencia, por consiguiente, el drenaje y la fuente estn conectados a los extremos del
canal
tipo n y la compuerta a las dos capas de material tipo p. Sin potenciales aplicados, el
JFET
tiene dos uniones p-n en condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de
empobrecimiento
en cada unin, como se muestra en la figura 6.3, la cual se asemeja a la misma
regin de un diodo en condiciones sin polarizacin. Recuerde tambin que una regin de
empobrecimiento
no contiene portadores libres, y por consiguiente es incapaz de conducir.
En la figura 6.5 se aplica un voltaje positivo VDS a travs del canal y la compuerta est
conectada
directamente a la fuente para establecer la condicin VGS _ 0 V. El resultado son una
compuerta y una fuente al mismo potencial y una regin de empobrecimiento en el
extremo
bajo de cada material p similar a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la
figura
6.3. En el instante en que se aplica VDD (_VDS), los electrones son atrados hacia el drenaje
y se establece la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura 6.5. La
trayectoria del flujo de carga revela claramente que las corrientes a travs del drenaje y
la
fuente son equivalentes (ID _ IS). En las condiciones de la figura 6.5, el flujo de la carga
est
relativamente desinhibido y limitado slo por la resistencia del canal n entre la fuente y
el
drenaje.

En la figura 6.10 se aplica un voltaje negativo de _1 V entre la compuerta y la fuente de


un
bajo nivel de VDS. El efecto del VGS de polarizacin negativa es establecer regiones de
empobrecimiento
similares a las obtenidas con VGS _ 0 V, pero a niveles ms bajos de VDS. Por consiguiente,
el resultado de la aplicacin de polarizacin negativa a la compuerta es alcanzar el nivel
de saturacin a un nivel ms bajo de VDS como se muestra en la figura 6.11 para VGS__1
V.
El nivel de saturacin resultante para ID se redujo y de hecho continuar hacindolo a
medida
que VGS se haga ms y ms negativo. Observe tambin en la figura 6.11 cmo el voltaje
de
estrangulamiento se sigue reduciendo de manera parablica conforme VGS se hace ms y
ms
negativo. Con el tiempo, VGS cuando VGS__Vp sea lo bastante negativo para establecer un
nivel
de saturacin que bsicamente sea de 0 mA, y para todo propsito prctico el
dispositivo
se haya apagado. En suma:
El nivel de VGS que produce ID _ 0 mA est definido por VGS _ Vp, con Vp
convirtindose en
un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje positivo para JFET
de canal p.

You might also like