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Ic = IL = 1 A
2. disee un amplificador para una carga de a ohms, potencia de consumo 2 watt, entrega
1,56 watt.3 PTS
calculando la eficiencia =( 1,56 /2 )x100 = 78 % un amplificador clase AB es adecuado
Tiene 78 % de eficiencia, supongamos ultimo digito de cedula 1, la carga RL es 1 ohm,
2
Po = 1,56 watt, Po =IL RL/ 2 ; IL = (2.Po /RL) = 1,76 A =
Ic VL = 1,76 A.1ohm = 1,76 v; generalmente hfe = 100
Calculamos la corriente IB = IC/ hfe = 17,6 ma,
asumimos VCC = 12 V calculamos R2
R2 =201 OMHS, c =1000 f
-14
3. determine la potencia de bit para un sistema de a kbps , NRZ, BER 10 3PTS
Si a = 1
Horario 2: 10 pm a 11:10 pm
c =1000 f
2. disee un amplificador para una carga de a ohms, potencia de consumo 2 watt, entrega 1
watt.2pts
Calculando la eficiencia =( 1 /2)x100 = 50 % un
amplificador clase A es adecuado tiene 50 % de
eficiencia. Supongamos ultimo digito 1
2
Po = 1 watt , Po = IL .RL /2 , IL = (2.Po /RL) = 1,41 A =
Ic Se debe cumplir IC .RL = Vcc
Vcc = 1,41 A. 1 ohm = 1,41 v
Generalmente los transistores tienen hfe =
100 IB = IC / hfe = 14,1 ma
IB = (Vbb - Vbe ) / RB ,Asumimos VBB , 2 V y calculamos
RB = 92,19 Ohms ,c =1000 f; L =1mh
-16
3. determine la potencia de bit para un sistema de a kbps ,NRZ, BER 10 2PTS
Si a = 1
Para NRZ ,B= R = 1 khz
Tomamos temperatura ambiente 25 c ,t =25 + 273 =298 k
-19
Calculamos el ruido trmico N =k.T.B = 4,11 X 10 watt
De la tabla seleccionamos modulacin ASK extrapolamos y obtenemos
Aproximadamente 18 db para Eb/ N, 18 = 10 Log (Eb / N ) Eb / N = 63,09 , despejamos y
calculamos Eb.
Solucin 1er examen virtual unidad 1- 2
Si fh2 MHZ ,ancho de banda 1200 khz ,determine los valores del el circuito de sintonizacin
=( Po/pi) x100 ,determinamos la eficiencia del amplificador , = (980 mwatt/ 1watt ) x100 = 98
% por lo cual es un amplificador clase C por la eficiencia .
2) calcule para IL 100 ma ,si RL 10 ohm ,los elementos del mismo, calcule la potencia
mxima consumida por el amplificador .
2 2
Calculando Po = IL .RL = (100ma) . 10ohm /2= 0,05 watt, para un amplificador clase AB como
el de la figura = 78 % =( Po/pi) x100,con lo cual ,Pi= 0,05/ 0,78 = 0,064 watt
VL = IL .RL= 100ma. 10ohm = 1V
Icmax = 100 ma si asumimos hfe = 100 ,IB = 100 ma / 100 = 1ma ,calculando el valor de R2
R2 = (Vcc /2 VL VBE ) / IB =( 6 - 1 0,7 ) / 1 ma = 4,3kohm
Consiste en que la seal de entrada al pasar por nivel cero la seal de salida presenta distorsin
y es incapaz de seguir la entrada, como consecuencia de presentarse una tensin VBE =0,7 v,
esto se mejora colocando una fuente de potencial de igual valor que anule este nivel de tensin
,generalmente diodos de silicio de o, 7v
-10
4) se tiene BER 1X10 ,Eb 0,2 watt ,determine la velocidad de transmisin bps ,si es NRZ
.explique. Asuma condiciones promedio de temperatura.
-10
Tomando que tiene modulacin ASK para un BER de 1X10
1. Determine los parmetros circuitales del amplificador, para que Rl si tiene un valor de
a0 ohm ,pueda consumir una corriente mxima de a Amperios, determine la potencia
de entrada Pi ,el amplificador debe tener mxima eficiencia .
Vcc / 2
IB = --------------------------
R2
Para que los transistores estn operativos se debe cumplir que IB > 0
Por lo tanto ( Vcc / 2 ) > VBE + VL, es decir ( Vcc / 2 ) >> 10,7 voltios
IB = Icmax / hfe ,se puede asumir el hfe, un valor promedio es 50 ,Con lo cual IB = 1 / 50 = 20 ma ,
12,5 - 0,7 10
R2 =-
3
20 x 10 -
R2 = 90 ohmios
La forma es colocar una fuente de tensin de o,7 v ,que contrarreste la tensin VBE que es igual a
O,7 V ,esto se resuelve colocando diodos entre la seal de entrada y la base del transistor de
cada etapa .