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Electrnica I
Autores:
Arica - Chile
2015
1
Contenido
INTRODUCCIN ............................................................................................................................................15
DESCRIPCIN DE LA ASIGNATURA ...............................................................................................................16
PROGRAMA DE LA ASIGNATURA..................................................................................................................17
1. CAPTULO 1 Introduccin Fsica de Semiconductores .........................................................................21
1.1 Introduccin a los semiconductores ............................................................................................21
1.2 La Fsica de los Semiconductores .......................................................................................................21
1.2.1 Estructura Atmica de los materiales .........................................................................................21
1.3 Bandas de Energa ..............................................................................................................................23
1.3.1 Bandas de Conduccin y Valencia ...............................................................................................24
1.4 Conductores, Semiconductores y Aisladores .....................................................................................25
1.5 Enlace Covalente ................................................................................................................................26
1.6 Dopado (contaminado) ......................................................................................................................28
1.7 Portadores Mayoritarios y Minoritarios.............................................................................................30
1.8 La Juntura P-N ....................................................................................................................................31
1.8.1 Potencial de barrera ....................................................................................................................32
1.8.2 Polarizacin Directa .....................................................................................................................33
1.8.3 Polarizacin Inversa.....................................................................................................................35
2. CAPTULO 2 EL DIODO DE UNIN .........................................................................................................37
2.1 Introduccin ......................................................................................................................................37
2.2 Caracterstica V-I del Diodo de Unin ..............................................................................................38
2.2.1 La ecuacin de Schockley. ...........................................................................................................39
2.3 Modelos del diodo. ............................................................................................................................41
2.3.1 Modelo Ideal del Diodo ...............................................................................................................41
2.3.2 Modelo del Diodo lineal por tramos. ..........................................................................................43
2.4 Equivalente de pequea seal del diodo. ..........................................................................................49
2.5 Aproximacin a un Diodo real ............................................................................................................57
2.5.1 Forma iterativa (hacer una tabla) (se podra hacer en planilla Excel).........................................57
2.5.2 En forma grfica, a partir de la simulacin en PSpice (modelo SPICE del diodo). ......................57
2.5.3 En forma matemtica ya sea analtica o computacional. ...........................................................58
2.5.4 Ejemplo de respuesta para pequea seal considerando el diodo real. .................................63
2.5.5 Ejemplo de respuesta al linealizar...............................................................................................64
2.5.6 Respuesta real de un diodo. (Sin linealizacin en torno al punto de operacin). ...................65
2
3 CAPTULO 3 Transistor de Unin Bipolar .............................................................................................67
3.1 Introduccin .......................................................................................................................................67
3.2 Relaciones de Corriente y voltaje en un BJT ......................................................................................67
3.3 Caractersticas en Emisor Comn. ......................................................................................................70
3.4 Amplificacin mediante el BJT ...........................................................................................................71
3.5 Modelos circuitales para el BJT. .........................................................................................................73
3.5.1 Modelo en la regin Activa. ........................................................................................................73
3.5.2 Modelo en la regin de Saturacin. ............................................................................................73
3.5.3 Modelo en la regin de Corte. ....................................................................................................73
3.5.4 Modo Inverso. .............................................................................................................................74
3.6 Anlisis en Continua de Circuitos con BJT. .........................................................................................76
3.7 Circuitos de Polarizacin de BJT .........................................................................................................77
3.7.1 Polarizacin Fija. ..........................................................................................................................77
3.7.2 Polarizacin con Realimentacin. ...............................................................................................80
3.7.3 Circuito de Autopolarizacin. ......................................................................................................82
3.7.4 Polarizacin por divisor de Tensin. ...........................................................................................83
3.8 Modelos de Pequea seal para el BJT. .............................................................................................85
3.8.1 Regiones de Operacin. ..............................................................................................................85
3.8.2 El modelo rpi-beta. ......................................................................................................................86
3.8.3 Circuito equivalente de pequea seal para el BJT. ...................................................................88
3.8.4 Modelo de Parmetros hbridos de EmisorComn. ..................................................................89
3.9 Configuracin de Emisor Comn. .......................................................................................................90
3.10 Relacin entre el modelo de parmetros h y el modelo r . ........................................................95
3.11 El modelo pi-hbrido. ........................................................................................................................96
3.12 Amplificador en configuracin Emisor Comn...............................................................................100
3.12.1 Anlisis en continua. ...............................................................................................................100
3.12.2 Anlisis en Alterna (Con RE1=0.)...............................................................................................101
3.13 Seguidor de Emisor (configuracin colector comn). ....................................................................103
3.14 Concepto de recta de carga en continua y alterna. .......................................................................108
4 CAPTULO 4 Transistores de Efecto de Campo (FET) .........................................................................112
4.1 Introduccin. ....................................................................................................................................112
4.2 El Transistor de Efecto de Campo de Unin canaln (JFETn). .......................................................112
4.3 Curvas caractersticas del JFET de canal N (JFETn).........................................................................113
4.3.1 Regin de Corte. ........................................................................................................................115
3
4.3.2 Regin Triodo. ..........................................................................................................................116
4.3.3 Regin de Saturacin o Estrangulamiento (pinchoff). ............................................................116
4.3.4 Lmite entre las regiones de Triodo y Saturacin. .....................................................................117
4.3.5 Corriente de saturacin con polarizacin nula (IDSS). ................................................................117
4.3.6 Ruptura. .....................................................................................................................................119
4.4 MOSFETs (Metal oxide Semiconductor FET). ...................................................................................120
4.4.1 MOSFET de deplexin. ..............................................................................................................120
4.4.2 MOSFET de Mejoramiento (Enhancement MOSFET). ...............................................................121
4.5 Los circuitos de Polarizacin. ...........................................................................................................125
4.5.1 Polarizacin fija. ........................................................................................................................125
4.5.2 Circuito de Autopolarizacin (self bias)....................................................................................127
4.5.3 Circuito de Polarizacin fija y Autopolarizacin ( por divisor de voltaje) ...............................131
4.6 Circuito equivalente de pequea seal del FET. ..............................................................................135
4.7 Circuito equivalente ms completo. ................................................................................................136
4.8 Transconductancia y resistencia de drain. .......................................................................................137
4.9 Anlisis del Circuito equivalente de pequea seal. ........................................................................140
4.9.1 Amplificador de Source-comn ( fuente comn). ...................................................................140
4.9.2 Amplificador Seguidor de Source ( drain comn). ..................................................................142
5 CAPTULO 5 Amplificadores Operacionales y Comparadores ............................................................150
a. Introduccin. ..................................................................................................................................150
5.2 Modelo del amplificador de Voltaje.................................................................................................150
5.3 Amplificador Diferencial ...................................................................................................................151
5.4 Amplificador Operacional Bsico .....................................................................................................153
7.4.1 Descripcin AO 741. ..................................................................................................................154
5.4 Modelo, de primer orden, del Amplificador Operacional. ...............................................................155
5.5 Modelo del AO Ideal.........................................................................................................................156
5.5.1 Ganancia en Lazo Abierto..........................................................................................................156
5.5.2 Funcin de Transferencia EntradaSalida.................................................................................157
5.6 Circuitos con AO ideales ...................................................................................................................158
5.7 Respuesta en frecuencia. .................................................................................................................167
5.7.1 Esquema tpico de compensacin de un AO. ............................................................................168
5.8 No idealidades del AO. .....................................................................................................................170
5.8.1 Respuesta en frecuencia en lazo abierto (AO 741) ...................................................................170
5.8.2 Respuesta en frecuencia en lazo cerrado (AO 741) ..................................................................171
4
5.8.3 Razn de Rechazo de modo comn (CMRR) .............................................................................172
5.8.4 Corrientes y resistencias de Entrada .........................................................................................172
5.8.5 Resistencia de Entrada ..............................................................................................................173
5.9 Aplicaciones No-lineales del Amplificador Operacional. .................................................................173
5.10 Comparadores ................................................................................................................................178
5.10.1 Comparador con Histresis. ....................................................................................................179
5.10.2 Multivibrador Astable. ............................................................................................................180
5.10.3 Generador triangular...............................................................................................................181
5.10.4 Circuito Monoestable. .............................................................................................................183
6 CAPTULO 6 Realimentacin..............................................................................................................184
6.1 Introduccin. ....................................................................................................................................184
6.2 Efecto de la realimentacin en la Ganancia. ....................................................................................184
6.2 Topologas de Realimentacin. ........................................................................................................187
6.2.1 Topologas de realimentacin de voltaje/error de tensin. .....................................................187
6.2.2 Topologas de realimentacin de corriente/error de corriente. ...............................................188
6.2.3 Topologas de realimentacin de tensin/error de corriente. .................................................188
6.2.4 Topologas de realimentacin de corriente/error de tensin. .................................................189
6.3 Efecto de las conexiones de la realimentacin en las resistencias de puerta del Amplificador. .....190
6.3.1 Resistencia de entrada en la conexin con mezclado de entrada en serie. .............................190
6.3.2 Resistencia de entrada de la conexin de mezclado de entrada en paralelo. ..........................191
6.3.3 Resistencia de salida de la conexin con muestreo de salida en serie. ....................................192
6.3.4 Resistencia de salida de la conexin con muestreo de salida en paralelo................................193
6.4 Mtodo de Anlisis de un amplificador realimentado.....................................................................195
6.5 Realimentacin negativa, otros aspectos. .......................................................................................204
6.5.1 Variaciones incrementales en la ganancia. ...............................................................................204
6.5.2 Ampliacin del ancho de Banda con la realimentacin negativa .............................................205
6.5.3 Ejemplo de respuesta en frecuencia con simulacin. ...............................................................206
BIBLIOGRAFA .............................................................................................................................................209
ANEXOS ......................................................................................................................................................210
Anexo 1 Condiciones de entrada a la asignatura. .....................................................................................210
Anexo 2: Tabla peridica de los elementos. ..............................................................................................216
Anexo 3 RESUMEN Qu es un Semiconductor? .......................................................................................217
Anexo 4: Obtencin del parmetro coeficiente de emisin (n) a partir de dos mediciones de i y v. ........222
Anexo 5: Modelacin diodo ideal en Spice. ...............................................................................................224
5
Anexo 6: Anlisis de pequea Seal ...........................................................................................................227
LABORATORIOS PROPUESTOS ....................................................................................................................230
Laboratorio: Diodos de Unin ................................................................................................................230
Laboratorio: Amplificacin con BJT ........................................................................................................235
Laboratorio: Amplificadores Operacionales y Comparadores ...............................................................237
ANEXO LABORATORIOS ..........................................................................................................................240
PAUTAS SOBRE INFORMES DE LABORATORIO ...................................................................................240
PPT FUNDAMENTOS DE OSCILOSCOPIO PARA ESTUDIANTES DE INGENIERA ELCTRICA ................242
PPT EQUIPOS DE LABORATORIO EN LA EIEE ......................................................................................242
PPT OTRAS EXPERIENCIAS DE LABORATORIO ....................................................................................242
PRUEBAS ANTERIORES ...............................................................................................................................243
RESUMEN PRESENTACIONES DE PPT .........................................................................................................295
6
NDICE DE FIGURAS
9
Figura 3.26 Circuito equivalente hbrido. ................................................................................................96
Figura 3.27 Modelo hbrido con rx =0, r=, ro =, y los condensadores reemplazados por circuitos
abiertos. Este modelo aproximado de baja frecuencia es equivalente al modelo r de la fig. 3.25.
...........................................................................................................................................................98
Figura 3.28 Amplificador en Emisor comn. .............................................................................................100
Figura 3.29 a) Configuracin Seguidor de Emisor.....................................................................................103
Figura 3.30 Circuito amplificador de base comn. ....................................................................................105
Figura 3.31 .................................................................................................................................................106
Figura 3.32 .................................................................................................................................................106
Figura 3.33 .................................................................................................................................................107
Figura 3.34 Amplificador para ejemplificar las rectas de carga.................................................................108
Figura 3.35 Recta de carga en continua para la entrada. ............................................................................109
Figura 3.36 Recta de carga de continua para la salida. ..............................................................................109
Figura 3.37 Voltaje CE y de salida para diferentes amplitudes en la seal de entrada. .............................111
Figura 3.38 Anlisis armnico del voltaje CE y de salida. ........................................................................111
Figura 4.1 JFET canaln (JFETn) (a) Estructura fsica simplificada. (b) Smbolo circuital. ..................112
Figura 4.2 La regin de deplexin (no conductiva) se hace ms gruesa mientras se aumenta la polarizacin
inversa entre gate y source. ..............................................................................................................113
Figura 4.3 Circuito utilizado para determinar las caractersticas de drain de un JFETn. .........................113
Figura 4.4 Corriente de drain (iD) versus voltaje drain-source (vDS) cuando el voltaje entre gate-source
(vGS) es cero. ....................................................................................................................................114
Figura 4.5 JFETn para vGS=0. (a) El canal se hace ms angosto a medida que vDS aumenta. (b) La
corriente (iD) est restringida a una banda muy angosta, para vDS >|VP|. .........................................114
Figura 4.6 Caractersticas tpicas de drain de un FET de canal N..............................................................115
Figura 4.7 Caracterstica de iD versus vGS en la regin de saturacin para un JFETn. .............................116
Figura 4.8 Caractersticas iDvDS del JFETn con IDSS =18mA y VP=3V. .............................................118
Figura 4.9 Caractersticas iDvGS del JFETn con IDSS =18mA y VP=3V. .............................................119
Figura 4.10 Si vGD excede el voltaje de ruptura VB la corriente de drain se incrementa rpidamente. ......119
Figura 4.11 MOSFETn de deplexin. a) Estructura fsica. b) Smbolo circuital. ....................................120
Figura 4.12 MOSFETn de mejoramiento. a) Estructura fsica. b) Smbolo circuital...............................121
Figura 4.13 Corriente de drain versus vGS en la regin de saturacin para dispositivos de canal n. ..........122
Figura 4.14 Caracterstica iD versus vGS del MOSFETn de mejoramiento del ejemplo. ..........................123
Figura 4.15 Caracterstica de drain del MOSFETn de mejoramiento del ejemplo. .................................124
Figura 4.16 Circuito de polarizacin fija JFET-n..........................................................................................125
Figura 4.17 Caracterstica iDvGS de dispositivos de la misma denominacin con variaciones extremas
entre sus parmetros. La polarizacin con un VGSQ fijo resulta en grandes variaciones de IDQ. ......126
Figura 4.18 Circuito de autopolarizacin, JFET-n. ......................................................................................127
Figura 4.19 Anlisis grfico del circuito de auto-polarizacin. Las variaciones de parmetros entre
dispositivo y dispositivo son mucho menores que para el caso de polarizacin fija. ......................128
Figura 4.20 Circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin. a) Circuito original. ...............................131
Figura 4.21 Solucin grfica para el circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin. Ntese que para
dispositivos con variaciones extremas de sus parmetros, las variaciones en IDQ son ms
independientes del dispositivo si Vgg es grande..............................................................................132
Figura 4.22 Circuito equivalente de pequea seal del FET. .....................................................................136
10
Figura 4.23 Circuito equivalente de pequea seal que considera la dependencia de la corriente id del
voltaje vDS. .......................................................................................................................................137
Figura 4.24 Determinacin de gm y rd para el transistor 2N42222A en el punto Q dado por VGSQ=0.5V y
VDSQ=10V. .......................................................................................................................................139
Figura 4.25 Amplificador source-comn fuente comn. ........................................................................140
Figura 4.26 Equivalente de pequea seal para el amplificador sourcecomn a frecuencias medias. ...140
Figura 4.27 Circuito utilizado para "medir" la impedancia de salida. ........................................................141
Figura 4.28 Amplificador Seguidor de source. ..........................................................................................142
Figura 4.29 Equivalente de alterna del circuito seguidor de fuente (Sourcefollower). ............................143
Figura 4.30 Circuito equivalente para "medir" la impedancia de salida. ...................................................144
Figura 4.31 .................................................................................................................................................145
b) El valor del resistor para obtener ID=3mA. Figura 4.32..................................................................145
Figura 4.33 .................................................................................................................................................146
Figura 4.34 .................................................................................................................................................146
Figura 4.35 .................................................................................................................................................147
Figura 4.36 .................................................................................................................................................147
Figura 4.37 Circuito multietapa ..................................................................................................................147
Figura 5.1 Modelo circuital de primer orden del amplificador de voltaje..................................................150
Figura 5.2 Diagrama en bloque amplificador diferencial...........................................................................151
Figura 5.3 Equivalente del amplificador diferencial considerando la ganancia de modo diferencial y de
modo comn.....................................................................................................................................152
Figura 5.4 Caso tpico de existencia de voltaje de modo comn. [Hambley, 94] ......................................153
Figura 5.5 Smbolo electrnico o esquemtico para el AO, tambin se detalla que estos AO deben estar
polarizados por fuentes externas. .....................................................................................................153
Figura 5.6 Esquemtico y detalle conexiones del integrado en la hoja de datos del fabricante (datasheet).
.........................................................................................................................................................154
Figura 5.7 Diagrama esquemtico simplificado AO 741. .........................................................................154
Figura 5.8 Modelo circuital del AO, aproximacin de primer orden. ........................................................155
Figura 5.9 Modelo ideal del AO.................................................................................................................156
Figura 5.10 Regiones de operacin de un amplificador. ............................................................................157
Figura 5.11 Circuito AO con realimentacin negativa. Amplificador Inversor. ........................................158
Figura 5.12 Amplificador inversor con entrada senoidal. ..........................................................................159
Figura 5.13 Seguidor o buffer. ...................................................................................................................159
Figura 5.14 Amplificador de voltaje no-inversor y tierra flotante. ............................................................159
Figura 5.15 Amplificador no-inversor. ......................................................................................................160
Figura 5.16 Amplificador no-inversor, con tierra flotante. ........................................................................160
Figura 5.17Adaptador de impedancias para fuente de corriente. ...............................................................160
Figura 5.18 Sumador. .................................................................................................................................161
Figura 5.19 Amplificador no-inversor. ......................................................................................................161
Figura 5.20 Restador o amplificador diferencial. .......................................................................................161
Figura 5.21 Circuito restador, con impedancia de entrada infinita. ...........................................................162
Figura 5.22 Restador como en Sedra, 2011................................................................................................162
Figura 5.23 Cto. ejercicio 1. .......................................................................................................................163
Figura 5.24 Cto. ejercicio 2. .......................................................................................................................163
Figura 5.25 Cto. ejercicio 3. .......................................................................................................................163
11
Figura 5.26 Cto. ejercicio 4. .......................................................................................................................164
Figura 5.27 Amplificador no inversor, carga flotante. ...............................................................................164
Figura 5.28 Conversor de tensin a corriente (carga aterrizada)................................................................164
Figura 5.29 Derivador. ................................................................................................................................165
Figura 5.30 Integrador................................................................................................................................165
Figura 5.31Integrador con compensacin. ................................................................................................165
Figura 5.32 Ejemplos de compensaciones para el Integrador y el derivador. ............................................166
Figura 5.33 Resolucin de una ecuacin integro-diferencial usando slo integradores. ...........................166
Figura 5.34 Respuesta en frecuencia tpica de los amplificadores operacionales. .....................................167
Figura 5.35 Modelo circuital simplificado que muestra el condensador de compensacin. ......................167
Figura 5.36 Modelo de respuesta en frecuencia del AO. ..........................................................................168
Figura 5.37 Circuito resultante donde queda fijada la frecuencia de corte. ...............................................168
Figura 5.38 Respuesta en frecuencia AO 741. ...........................................................................................169
Figura 5.39 AO 741 respuesta en frecuencia en lazo abierto. ...................................................................170
Figura 5.40 Respuesta en Magnitud y fase del AO 741 en lazo abierto. ...................................................170
Figura 5.41 AO 741 respuesta en frecuencia en lazo cerrado. ...................................................................171
Figura 5.42Respuesta en Magnitud y fase del AO 741 en lazo cerrado.....................................................171
Figura 5.43 Amplificadores en modo diferencial y comn. .......................................................................172
Figura 5.44 Diversas manifestaciones de las resistencias de entrada de un AO. .......................................173
Figura 5.45 Seguidor y Seguidor positivo. .................................................................................................173
Figura 5.46 Circuito rectificador de media onda de precisin. ..................................................................174
Figura 5.47 Circuito equivalente del ejercicio anterior. .............................................................................174
Figura 5.48 Variante del rectificador de media onda. ................................................................................174
Figura 5.49 rectificador de media onda de precisin, negativo. .................................................................175
Figura 5.50 Rectificador de onda completa de precisin. ..........................................................................175
Figura 5.51 Rectificador de Onda completa de precisin. .........................................................................176
Figura 5.52 Rectificador de onda completa con desplazamiento. ..............................................................177
Figura 5.53 rectificador de media onda. .....................................................................................................177
Figura 5.54 Esquemtico del Comparador con las salidas posibles. ..........................................................178
Figura 5.55 Comparador con Salida de colector abierto. ...........................................................................178
Figura 5.56 Comparador con histresis y su caracterstica de salida. ........................................................179
Figura 5.57 Comparador con histresis, un caso prctico. .........................................................................179
Figura 5.58 Multivibrador Astable. ............................................................................................................180
Figura 5.59 Respuesta generador Astable. .................................................................................................180
Figura 5.60 Generador triangular. ..............................................................................................................181
Figura 5.61 Respuesta generador Triangular. ............................................................................................182
Figura 5.62 Circuito Monoestable. .............................................................................................................183
Figura 5.63 respuesta temporal del circuito Monoestable. .........................................................................183
Figura 6.1 Diagrama de bloques de un amplificador realimentado (Ntese que las variables x pueden ser
de voltaje o corriente). .....................................................................................................................185
Figura 6.2 Amplificador de voltaje (A0) realimentado por una red resistiva. .......................................186
Figura 6.3 Realimentacin de tensin/error de tensin (serie/paralelo). ....................................................187
Figura 6.4 Realimentacin de corriente/error de corriente (paralelo/serie). ..............................................188
Figura 6.5 Realimentacin de voltaje/error de corriente (paralelo/paralelo). ............................................188
Figura 6.6 Realimentacin de corriente/error de tensin (serie/serie). ......................................................189
12
Figura 6.7 Efecto de la realimentacin en la resistencia de entrada para las topologas serie/paralelo y
serie/serie. ........................................................................................................................................190
Figura 6.8 Efecto de la realimentacin en la resistencia de entrada para las topologas paralelo/serie y
paralelo/paralelo. ............................................................................................................................191
Figura 6.9 Efecto de la realimentacin en la resistencia de salida para las topologas paralelo/serie y
serie/serie. ........................................................................................................................................192
Figura 6.10 Efecto de la realimentacin en la resistencia de salida para las topologas serie/paralelo y
paralelo/paralelo...............................................................................................................................193
Figura 6.11 Amplificador de voltaje realimentado. ...................................................................................194
Figura 6.12 Equivalente del circuito realimentado original, en este caso se considera el efecto de la
realimentacin. .................................................................................................................................195
Figura 6.13 Circuito realimentado del ejemplo 6.3. ...................................................................................197
Figura 6.14 Circuito equivalente en alterna del circuito de la fig. 5.26. ..................................................198
Figura 6.15 Circuito realimentado del ejemplo 6.4. ...................................................................................198
Figura 6.16 Circuito equivalente bsico sin realimentacin. .....................................................................199
Figura 6.17 Circuito equivalente bsico sin realimentacin. .....................................................................200
Figura 6.18 Circuito equivalente para determinar la impedancia de salida. ..............................................201
Figura 6.19 Circuito realimentado en continua y alterna. ..........................................................................202
Figura 6.20 Diagrama en bloques bsico de la realimentacin negativa. ..................................................204
Figura 6.21 Sistema multi-realimentado. ...................................................................................................206
Figura 6.22 Otro sistema multi-realimentado.............................................................................................206
Figura 6.23 Circuito en lazo abierto. ..........................................................................................................206
Figura 6.24 El circuito anterior en lazo cerrado. ........................................................................................207
Figura 6.25 Caracterstica de transferencia Vo-VS en lazo abierto. ..........................................................207
Figura 6.26 Caracterstica de transferencia Vo-Vs en lazo cerrado. ..........................................................208
Figura 6.27 Respuestas en frecuencia en lazo abierto y cerrado. ...............................................................208
13
INDICE DE TABLAS
14
INTRODUCCIN
La asignatura electrnica I es fundamental en la formacin de los alumnos de ingeniera elctrica
y electrnica. En efecto, en esta asignatura se integran los conocimientos de matemticas, fsica y
de anlisis de circuitos para fundamentar conceptos, teoras, principios y resolver problemas
fundamentales de la electrnica.
Con las actividades de perfeccionamiento realizadas por el suscrito, es decir, el Postgrado con la
U. Autnoma de Barcelona y el Magister en Didctica con la U. de Tarapac se est en condiciones
de mayor propiedad de realizar un manual de buenas prcticas donde se incluyan una didctica
coherente con el aprendizaje significativo en el alumno. El desafo es mejorar el proceso de
enseanza-aprendizaje, para obtener de parte de los alumnos un aprendizaje significativo, es decir,
mejores logros de aprendizaje; y por parte del profesor, la satisfaccin de realizar todo lo que este
a su alcance para mejorar el proceso.
Para lograr el objetivo de mejorar los logros de aprendizaje, lo que redundar en mejorar
el ndice de aprobacin y el promedio del curso, adems, de las clases y ayudantas propias de cada
asignaturas. Se complementara con talleres de simulacin computacional, y actividades didcticas
que contribuyan a mejorar el desempeo acadmico de los estudiantes de la asignatura. Esto
debera ser realizado a la par de elaborar un procedimiento de evaluacin pertinente, vlida y
fiable. Adems, las evaluaciones deben ser continuas y con resultados acotados en el tiempo, que
sean una retroalimentacin efectiva para que el estudiante haga las correcciones necesarias. Tal
como lo dice Biggs (2011) un buen sistema de enseanza debe estar enmarcado de manera que
exista una correspondencia entre los objetivos del curso, las actividades de aprendizaje, as como
el proceso de evaluacin. Todo esto considera que el estudiante debera estar ms implicado en el
proceso para lo cual se requiere que realice todas las actividades sugeridas y que por lo tanto tenga
una buena asistencia al curso, tal como cita Navo (2012, p13) el alumnado tiene que construir su
aprendizaje mediante el esfuerzo y la implicacin activa en el propio proceso de aprender. Los
alumnos deben valorar el aprender, desarrollar un pensamiento crtico, enfrentarse con curiosidad
y creatividad en la resolucin de problemas, con compromiso tico, Bain (2004).
Este dossier es un compendio de notas y apuntes que se han ido desarrollando a lo largo de los
cursos, se considera un apoyo a las actividades de estudio que desarrolle el estudiante para su
proceso de aprendizaje, el cual debera ser sistemtico y comprometido para lograr una implicacin
activa en el estudiante en su formacin de ingeniero.
15
DESCRIPCIN DE LA ASIGNATURA
Presentacin
La electrnica es la base de todos los dispositivos actuales como radios, televisores,
telfonos y computadores, resultan familiares al utilizarse diariamente. Pero otros que tambin
estn presentes a diario, no son tan evidentes. Algunos sistemas electrnicos controlan la mezcla
del combustible y el instante del encendido para maximizar el rendimiento y minimizar las
emisiones de gases no deseadas en los motores de los automviles.
16
PROGRAMA DE LA ASIGNATURA
UNIVERSIDAD DE TARAPAC
PROGRAMA DE ASIGNATURA
17
o Obtener e interpretar la Respuesta en Frecuencia de amplificadores analticamente y
mediante simulacin.
o Comprobar en laboratorio los principios tericos fundamentales, complementado con
simulacin utilizando software especializado.
3.- CONTENIDOS
18
5. Comparadores principios y aplicaciones.
Diferencias entre comparadores y amplificadores operacionales. Modelo del
comparador. Detector de cruce por cero. Disparador de Schmitt. Generadores de onda
cuadrada astable y mono-estable, triangular, etc.
4.- BIBLIOGRAFA
Bsica:
19
5. EVALUACIN
Evaluacin (%)
Bonificacin por asistencia
PRUEBA 1 20
PRUEBA 2 20
%Asistencia Nota
EXAMEN 25 Examen
+
Laboratorio (100% asistencia) 15
90 1
TaCo (Tareas+Controles) 20
80 %A <90 0.5
<80 0
DIRECCIN DE DOCENCIA
20
1. CAPTULO 1 Introduccin Fsica de Semiconductores
1.1 Introduccin a los semiconductores
Los ms importantes e interesantes dispositivos electrnicos usados actualmente son construidos
de materiales semiconductores. Los dispositivos electrnicos, tales como diodos, transistores,
tiristores, termistores, celdas fotovoltaicas, fototransistores, foto-resistores, lser y circuitos
integrados (ICs) son hechos de materiales semiconductores.
De todos los dispositivos semiconductores, el diodo de unin es la base, y por eso tiene un papel muy
importante en la tecnologa moderna. Prcticamente cada sistema electrnico, desde el equipo de
audio hasta el computador usa diodos de una u otra forma.
El diodo puede ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual es sensible a la
polaridad. Es decir la corriente en el diodo puede fluir en una direccin solamente (descripcin ideal).
El diodo semiconductor, algunas veces llamado diodo de estado slido, tiene muchas ventajas
importantes sobre el diodo de vaco. El diodo de estado slido es mucho ms pequeo, barato, y muy
confiable. Actualmente los diodos de vaco son usados en muy raras ocasiones.
rbitas de e-
Ncleo
Figura 1.2 Modelo bi-dimensional simple de un tomo. Compuesto de un ncleo de carga positiva y e- que
circulan en rbitas organizadas en capas.
Capa Mximo n e-
K 2
L 8
M 18
N 32
O 50
P 72
Q 98
22
Nota: este es un modelo extremadamente simple del tomo, sin embargo, es funcional para
explicar el funcionamiento del diodo en conduccin y cuando est apagado.
Por ejemplo, el Germanio (Ge) que tiene peso atmico 32 tiene sus tres primeras capas completas y
la cuarta capa incompleta, Figura 1.3 a y b. Por otro lado, el Silicio (Si) cuyo peso atmico es 14 tiene
sus dos primeras capas completas y la tercera incompleta.
K 2 2 2 2 2 2
L 8 8 8 8 8 8
M 18 4 18 1 7 18
N 4 8 1
Ncleo Ncleo
K
L Capa de
M Valencia
N (Capa de
Valencia)
Figura 1.3 Descripcin simplificada del tomo de Germanio, Ge (32 e- ). a) Distribucin por capas, las capas
K, L y M estn completas, ltima capa (N) incompleta. b) Detalle de la capa de Valencia (capa N en este caso),
la cual contiene 4 electrones.
23
A medida que el radio de la rbita aumenta, el nivel de energa tambin aumenta. Las capas
externas tienen mayores niveles de energa que las capas internas. Por esto la energa de la banda de
valencia (la capa externa de un tomo) es la ms alta para un elemento particular.
Como se dijo anteriormente, las rbitas de los electrones estn en un radio especfico y
espacios vacos separan las diferentes capas. El espacio en el cual no son posible rbitas de e- es
llamado espacio de energa prohibida o Banda de Energa Prohibida (B. E. P.).
As, las capas de electrones son separadas por espacios de energa prohibidas. Claramente, si
un e- cambia su rbita, tambin cambia su nivel de energa. Una reduccin en el radio de la rbita del
e- hace que la energa del e- disminuya y la diferencia de energas ser liberada en forma de energa
radiada.
Para mover el electrn a una rbita mayor (digamos de la capa K a la L, por ejemplo) se
requiere una cantidad de energa discreta. Esto se puede realizar suministrando energa al tomo en
forma de calor o energa mediante un voltaje elctrico.
E
Banda de Conduccin
(B.E. P)
Banda de Valencia
(capa M, 4 niveles completos, 14 vacos)
(B.E. P)
8 niveles de Energa
(capa L, 8 niveles completos)
(B.E. P)
Baja Energa asociada con las capas internas
(pequeos radios de rbitas)
(B.E. P) (capa K, 2 niveles completos)
Figura 1.4 Distribucin de las capas de Energa en el tomo de Silicio a temperatura ambiente. Se observa
que las capas K y L estn completas, y la capa M est incompleta y por ser la ms externa es la capa de
Valencia.
24
elctrica. Ellos son los e- de conduccin (estn en la banda de Conduccin) tambin referidos como
portadores.
E [eV]
1.9
B. de C.
1.8
B. E. P.
0.6
B. de V.
0.5
Figura 1.5 Diagrama de Energa de un elemento cualquiera, en el que se indican los valores asociados a su
banda de Conduccin y la de Valencia.
El concepto de espacio de energa puede ser mostrado con el ejemplo numrico de la figura 6.
En sta se puede observar que las energas asociadas a las bandas externas son:
Energa Banda de Valencia 0.5-0.6 eV
Energa Banda de Conduccin 1.8-1.9 eV
Banda de E. Prohibida 0.6-1.8 eV
para mover un e- de la B. de V. a la B. de C. se requiere un
mnimo de 1.2eV
(eV: Electrn-Volt 1)
1.4 Conductores, Semiconductores y Aisladores
La conductividad elctrica est directamente relacionada a la densidad de e- libres.
Por ejemplo un buen conductor tiene una densidad de e- libres de 1023/cm3, y un aislador de
10/cm . Los semiconductores con una densidad entre 108/cm3 - 1014/cm3.
3
1
1eV=1.610-19 J 1J= 1CoulombVolt
25
Conductores, semiconductores y aisladores pueden ser clasificados por su gap de energa. Un
conductor tiene un gap de 0.05 eV o menos; el semiconductor es alrededor de 0.7 eV a 1.4 eV, mientras
los aisladores tienen un gap de 8 eV ms. (El semiconductor Silicio tiene un gap de 1.1 eV, el
Germanio 0.7 eV; el Ge es mejor conductor con una concentracin de e- 1000 veces mayor que la del
Si). Resulta ms difcil obtener un e- libre del Si que del Ge debido a que los cristales del Si tienen un
espaciamiento reticular ms pequeo.
En los materiales, los electrones se pueden elevar a niveles de energa ms altos por medio de la
aplicacin de calor, que provoca vibracin de la red cristalina del material. Los materiales que son
aislantes a temperatura ambiente pueden volverse conductores cuando la temperatura se eleva lo
suficiente. Esto provoca que algunos electrones se muevan a una banda de energa mayor, donde
quedan disponibles para conduccin.
E
Banda de Conduccin
Barrera de Energa
Espaciamiento
Banda de Valencia
atmico del cristal
C Si Ge Sn
Figura 1.6 Diagrama de bandas de Energa para distintos tipos de materiales. Se observa que mientras menor
es el espaciamiento atmico del Cristal, se requiere ms energa para mover los e- desde la banda de Valencia
a la de Conduccin.
El tipo de diagrama de energas de la figura 1.6 se utiliza para ilustrar la cantidad de energa
necesaria para que los electrones alcancen la banda de conduccin. El eje de abscisas de esta grfica
es el espaciamiento atmico del cristal. A medida que aumenta el espaciamiento, el ncleo ejerce
menos fuerza en los electrones de valencia. El eje est marcado con el espaciamiento atmico para
cuatro materiales. El Carbono (C) es un aislante en forma cristalina (diamante). El Silicio (Si) y el
Germanio (Ge) son semiconductores, y el Estao (Sn) es un conductor. La barrera de Energa mostrada
en la figura representa la cantidad de energa externa requerida para mover los electrones de valencia
hacia la banda de conduccin [4].
26
1
1+
2 3 Notacin utilizada::
2+ 3+
2 3 10 1+ : Ncleo (el nmero identifica el tomo)
1 2 3
1 : Electrn de Valencia (el nmero
4 5
6
prximo al e- indica el tomo
al cual pertenece)
4 5 6
4+ 5+ 6+
5 6 11
4 5 6
7 8 9
7 8
9
7+ 8+ 9+
8 9 12
7 8 9
15
14 13
Figura 1.7 Representacin bi-dimensional simplificada del enlace covalente en un cristal. Detalle de la
estructura cristalina estable formada por un elemento de cuatro electrones de valencia. Se muestra slo los e-
de la capa de valencia (y el ncleo del tomo correspondiente), que son los que forman el enlace inter-atmico.
1 2 3
1+ 2+ 3+
2 3 10
1 2 3
4 5 6
4 5 6
4+ 5+ 6+
5 6 11
4 6
hueco 5
+
7 8 e- libre 9
7 8
9
7+ 8+ 9+
8 9
12
Figura 1.8 Generacin par electrn-hueco. Cuando un e- llega a ser libre (por ejemplo, mediante energa
calrica) "deja" o "produce" un hueco en su lugar.
27
1.6 Dopado (contaminado)
En la construccin de semiconductores, la concentracin de e- libres debe ser cuidadosamente
controlada y no se debe permitir que sea dependiente de la temperatura. Este control es realizado por
la incorporacin cuidadosa de cantidades discretas de impurezas en la estructura atmica del
semiconductor. Este proceso es conocido como dopado. Dependiendo del tipo de impurezas usados,
el proceso de dopado resulta en un incremento de la concentracin de huecos, e- libres en el
semiconductor original.
Si inyectamos en la estructura atmica tomos que tienen cinco e- de valencia (fsforo,
arsnico, antimonio), la estructura cristalina contendr un e- (por cada impureza inyectada al tomo)
que no son parte del enlace covalente. Este electrn es fcilmente movido de su rbita hacia la banda
de conduccin y llega a ser un e- libre. Luego, la energa del gap ha sido substancialmente reducido
por el proceso de dopado. Un semiconductor, que ha sido inyectado con impurezas donadoras, es
llamado de material tipo N (negativo debido al gran nmero de e- libres).
2+
5 electrn extra
4 5
4+ 5+ 6+
5 6
Atomo Donador
8
(5e- de Valencia)
8+
Figura 1.9 Detalle del enlace covalente entre un material donador (tomo n5 con 5 e- de valencia) y un
material con 4 e- de valencia (tomos 2, 4, 6 y 8). El enlace covalente estable es de 8e- y est completo y sobra
1 e- por lo que este material tiene una mayor densidad de e- libres.
2+
hueco
4 5
4+ 5+ 6+
5 6
Atomo Aceptador
8 (3e- de Valencia)
8+
Figura 1.10 Detalle del enlace covalente entre un material Aceptador (tomo n5 con 3 e- de valencia) y un
material con 4 e- de valencia (tomos 2, 4, 6 y 8). El enlace covalente estable de 8e- no est completo (falta 1
e- por cada enlace).
28
Introduciendo impurezas con tres electrones de valencia (boro, aluminio, galio, indio) Se
puede controlar la concentracin de huecos, ya que cada impureza trivalente agrega un hueco a la
estructura atmica. Estas impurezas son llamadas tomos aceptadores, debido a que producen un
exceso de huecos "libres" que pueden aceptar e-. Este tipo de dopado produce un material llamado
tipo P (positivo debido al exceso de portadores positivos).
El proceso de dopado modifica substancialmente la distribucin de energa en el slido. Sin
agregar donadores, cada e- que deja la B. de V. y llega a ser un e- libre (electrn de alta energa) deja
tras de s un hueco, h+ (ausencia de un e- ). As, en un material semiconductor puro (intrnseco), la
concentracin de huecos iguala la de e-. La energa promedio del electrn est precisamente en la
mitad del gap de energa. El material tipo N tiene un exceso de e- libres. De aqu la energa promedio
es ms cercana a la banda de Conduccin, mientras en el material tipo P, la energa promedio est ms
cercana al nivel de la energa de Valencia.
E Ec (E. conduccin) E Ec
n n
e e
r r
g Ea (E. promedio) g
Ea
a a
Ev (E. valencia)
Ev
E
n Ec (E. conduccin)
e
r
g
Ea (E. promedio)
a
Ev (E. valencia)
Figura 1.11 Niveles de Energa y Energa promedio (Ea). a) Semiconductor Puro. n de e- n de h+.
b) Tipo N. n de e- > n de h+. c) Tipo P. n de e- < n de h+.
30
1.8 La Juntura P-N
Es posible construir un cristal juntando un material tipo p con un tipo n. Un cristal p-n se
conoce comnmente como diodo.
Figura 1.13 Distribucin de e- y h+ en la vecindad de la juntura p-n. a) Antes que la difusin tenga lugar. b)
Despus que se produce la difusin.
Debido a su mutua repulsin, todos los electrones libres en el lado n tienden a difundirse
esparcirse en todas direcciones algunos se difunden a travs de la unin hasta que se logra el equilibrio.
Cuando un e- libre deja la regin n, al momento de su salida crea un tomo cargado
positivamente (in positivo) en la regin n. Cuando este e- entra en la regin p, rpidamente caer en
un hueco. Cuando esto sucede el hueco desaparece y el tomo asociado se carga negativamente (in
negativo).
(El in positivo se forma porque el tomo que tena e- libres pero era elctricamente neutro, ya que
est dopado y por cada enlace covalente existe 1 e- libre, los cuales son portadores mayoritarios, y el
material con el que se "dopo" tiene un ncleo con la cantidad de protones tales que el tomo es neutro.
Por ejemplo, el Ge que tiene 4e- de valencia dopado con Fsforo (P) que tiene 5e- de valencia forma
un enlace covalente de 8e- y 1e- libre, es decir, p+(Ge + P) = e-(Ge + P) (incluye el e- libre)
tomo neutro).
31
Cada vez que un e- se difunde a travs de la juntura se crea un par de iones. Estos iones estn
fijos en el cristal pues forman la estructura de los enlaces covalentes, por lo que no pueden moverse
como los e- libres y los huecos.
A medida que el nmero de iones crece, la regin cerca de la unin se agota de e- libres y
huecos. A esta regin se la llama capa de deplexin agotamiento.
Por otro lado, los portadores de carga se mueven aleatoriamente en el cristal debido a la
agitacin trmica. Las colisiones con el enrejado hacen que los portadores de carga cambien su
direccin frecuentemente. En efecto, la direccin de la trayectoria despus de una colisin es casi
perfectamente aleatoria - cualquier direccin es probablemente como cualquier otra. Sin campo
elctrico aplicado, la velocidad media de los portadores de carga en cualquier direccin es cero.
Si se aplica un campo elctrico, se ejerce fuerza sobre los portadores de cargas libres. (Para
huecos la fuerza es en la misma direccin que el campo elctrico, mientras que para electrones la
fuerza es opuesta al campo.) Entre las colisiones, los portadores de carga son acelerados en direccin
de la fuerza. Cuando los portadores colisionan con el enrejado, su trayectoria otra vez es aleatoria. De
esta manera los portadores de carga no se mantienen acelerados. El resultado neto es una velocidad
constante (en promedio) en la direccin de la fuerza.
El voltaje producido a travs de la unin depende de la energa promedio del electrn de las
regiones P y N. Esto se aclara cuando examinamos el diagrama de energa de la unin, fig. 1.14. El
equilibrio producido a travs de la unin hace que la energa promedio de los electrones sea la misma
para los dos materiales.
32
Figura 1.14 Diagrama de energa de los materiales antes del contacto.
Figura 1.15 Realineamiento de los niveles de energa despus del contacto de los materiales.
33
Figura 1.16 Diodo polarizado directo. El voltaje de la batera es mayor que el voltaje producido en la regin
de deplexin al estar en contactos los dos materiales.
Descripcin del proceso que ocurre durante la polarizacin directa del diodo:
Durante la polarizacin directa del diodo, el terminal negativo de la fuente repele los e- libres
en la regin n hacia la unin. Estos electrones energizados deben cruzar la unin y caer en los huecos.
La recombinacin ocurre a diferentes distancias de la unin, dependiendo del tiempo en que un e-
pueda evitar la cada en un hueco. La posibilidad de que la recombinacin ocurra cerca de la unin es
alta.
A medida que los e- libres caen en los huecos, se convierten en e- de valencia. Luego, viajando
como e- de valencia, continan hacia la izquierda a travs de los huecos en el material P. Cuando los
e- de valencia alcanzan el terminal izquierdo del cristal, la abandonan y fluyen hacia el terminal
positivo de la fuente.
La secuencia de un solo e-, desde el momento en que este se mueve del terminal negativo de
la fuente al terminal positivo, es el siguiente:
1.- Despus de salir del terminal negativo, se introduce por el extremo derecho del cristal.
2.- Viaja a travs de la regin n como electrn libre.
34
3.- Cerca de la unin se recombina y se convierte en e- de valencia.
4.- Este viaja a travs de la regin p como e- de valencia.
5.- Despus de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo de la
fuente.
Figura 1.17 Diodo polarizado inverso. El voltaje de la batera es mayor que el voltaje producido en la regin
de deplexin al estar en contactos los dos materiales.
35
100 a 200mA (tpico para un diodo de Germanio). Para diodos de Silicio, Is es tpicamente de slo
unos pocos pA.(10-12).
Descripcin del proceso que ocurre durante la polarizacin inversa del diodo:
Durante la polarizacin inversa del diodo, los e- salientes dejan ms iones positivos de la unin,
y los huecos salientes dejan ms iones negativos. Por lo tanto, la capa de agotamiento se ensancha.
Cuando mayor sea la polarizacin inversa, mayor es la capa de agotamiento; sta detiene su
crecimiento cuando su diferencia de potencial es igual al voltaje de la fuente. Cuando esto ocurre, los
electrones y huecos detienen su movimiento. A pesar de esto existe una corriente muy pequea
denominada corriente de fuga que es debida a los portadores minoritarios. La corriente de fuga (
corriente inversa de saturacin) Is es solo de unos pocos mA para el Ge y de unos pocos pA (10-12)
para el Si.
Durante la polarizacin inversa una carga que sale del terminal positivo de la fuente se
encuentra con un "gran obstculo" que es el potencial de barrera el cual puede tener valores muy
prximos al voltaje de la batera. Por esto, la cantidad de cargas que logran atravesar la "barrera" es
muy escasa, y por esto, se forma una corriente muy pequea llamada de fuga.
36
2. CAPTULO 2 EL DIODO DE UNIN
2.1 Introduccin
El diodo es un dispositivo bsico pero muy importante que tiene dos terminales, el nodo y el
ctodo. Como se estudi en el captulo1, el diodo se forma de la unin de un material tipo P y otro N.
Basados en un anlisis principalmente cuantitativo se establecen dos modos de operacin para la unin
P-N, figura 2.1a:
Polarizacin directa, con una sustancial conduccin de corriente. Cuya intensidad es determinada
por la carga.
Polarizacin inversa, con una conduccin despreciable de corriente.
P N
K A K
A
nodo Ctodo
+ VD - ID=IF + VD - ID=IS
Figura 2.2 Polarizacin del diodo. a) Directa, la corriente queda determinada por los parmetros del diodo y
la caracterstica de la carga. b) Inversa, la corriente que circula es de fuga y es prcticamente despreciable.
37
2.2 Caracterstica V-I del Diodo de Unin
Una medicin de las corrientes directa e inversa del diodo (ID) como una funcin del voltaje
directo e inverso (VD= VAK) entrega la caracterstica grfica de la fig. 2.3. La operacin del diodo puede
ser dividida en tres regiones2.
La regin B, el voltaje directo aplicado es menor al voltaje de barrera del diodo. El resultado es
una mezcla de corrientes de difusin y de corrimiento (de portadores mayoritarios y minoritarios,
respectivamente). La corriente neta (muy pequea) es la diferencia de corriente entre los
portadores mayoritarios y minoritarios.
nodo ctodo
+ vD=vAK
vD
2
La descripcin realizada es simplificada. Las tres regiones se solapan un poco con respecto a
las corrientes de corrimiento y difusin. Tambin, adems de las corrientes de difusin y de
corrimiento existen otras. Sin embargo, las de difusin y corrimiento son las componentes ms
importantes.
38
2.2.1 La ecuacin de Schockley.
Bajo ciertas suposiciones simplificadoras, y consideraciones tericas resulta la siguiente
relacin para la corriente iD y el voltaje en el diodo vD de unin:
v
i D = I s exp D 1
nVT
Esta es conocida como ecuacin de Schockley es una aproximacin matemtica de la caracterstica
del diodo. Donde IS es la corriente de saturacin y tiene un valor del orden de 10-14 A para diodos
de unin de pequea seal a 300K. El parmetro n es el coeficiente de emisin y depende de la
construccin del diodo y usualmente vara entre 1 y 2. El voltaje VT es llamado el voltaje termal y
su expresin es:
VT = kT/q = 0.0259 V a 300 K
Donde:
k=1.3810-23 J/K : Constante de Boltzmann.
q=1.610-19 C : carga del electrn.
Aun cuando la ecuacin de Schockley no es precisa en todo el rango de los diodos de unin,
se pueden derivar las siguientes consideraciones:
Tambin con polarizacin directa de al menos unas milsimas de volt, la parte exponencial de la
ecuacin de Schockley es mucho mayor que 1, y con buena precisin se tiene
v
iD I S exp D
n VT
39
Ejercicio 2.1 A una temperatura de 300K, un diodo de unin tiene iD=0.1mA para vD=0.6V.
Considere que n=1 y utilice VT= 0.026. Encuentre el valor de la corriente de saturacin IS. Luego
evale la corriente del diodo a vD=0.65V y vD=0.7V (Sugerencia: utilice la forma aproximada de
la ecuacin de Schockley, ec. 2.3)
Ejercicio 2.2 Considere un diodo polarizado directamente, de manera que se puede aplicar la
ecuacin de Schockley aproximada. Considere que n=1 y VT= 0.026. a) Cunto debe incrementarse
vD para que la corriente se duplique. b) Y para que la corriente aumente en un factor de 10.
Resp.: a) vD=18mV, vD=59.9mV.
A altos niveles de corrientes, la resistencia ohmica de los semiconductores que forman las
junturas llega a ser significativa. Esto se puede modelar agregando una resistencia RS al diodo
modelado por la ecuacin de Schockley. De esta manera, la versin modificada de la ecuacin (2.2)
queda,
iD
v D = n VT ln(1 + ) + RS i D
Is
Para diodos tpicos de pequea seal RS tiene valores comprendidos entre 10 y 100.
Ocasionalmente, se utiliza la ecuacin de Schockley para obtener resultados analticos de
circuitos electrnicos, sin embargo, ms tiles son los modelos ms simples que se ven a
continuacin.
Ejercicio 2.3: Un diodo de unin p-n tiene parmetros IS =10-10 y n=2. Determine la corriente del
diodo a la temperatura ambiente si el voltaje aplicado al diodo es 0.6V; 0.7V y 0.75V.
Respuesta: 16 A; 120 A y 327A.
Ejercicio 2.5: Para el ejercicio 2.3, estime el valor de vD que se requiere para producir una corriente
en el diodo de aproximadamente 1mA.
Respuesta: 0.806V
40
Ejercicio 2.6: Como el voltaje directo de diodos de silicio de pequea seal decrece alrededor de
2mV/K. Determine el voltaje de un diodo a 1mA y a una temperatura de 175C. Este diodo tiene
un voltaje de 0.600V a una corriente de 1mA y a una temperatura de 25C.
2.3 Modelos del diodo.
41
Ejemplo 2.1: En el circuito mostrado en la
fig. 2.5a utilice el modelo del diodo ideal para
determinar su respuesta.
Solucin:
S D1 off y D2 on:
El circuito equivalente resulta el de la
fig. 2.5b. Resolviendo iD2=0.5mA. Pero
si planteamos la LVK en la trayectoria
de los dos diodos tenemos,
vD1 E1 + E2=0
vD1=10 3 =+7 V Esto no
es consistente con la suposicin que D1
es OFF (ya que s vD1 0 D1 ON)
Por esto se debe probar otra suposicin.
S D1 on y D2 off:
El circuito equivalente resulta el de la
fig. 2.5c. Resolviendo iD1=1mA. Pero si
planteamos la LVK en la trayectoria de
los dos diodos tenemos,
E1 iD1R1 + vD2 E2=0
vD2=3 10 +1m4k =3V
Este valor es consistente con la
suposicin que D2 es OFF (ya que s vD2 Figura 2.5 D1 on; D2 off.
< 0 D2 off)
42
Ejercicio 2.9. Determinar el estado del diodo y
determinar el valor de V0 en fig. 2.7.
R1= R2= R3=5k
E1=10V E2=6V
Desarrollo:
S D1 on:
........................................... Figura 2.7 Circuito ejercicio 2.9.
iD1=(5-6)/(R3+R1||R2) <0 !!!!!
Si D1 off:
VA=5V y VK=6
vD1= VA- VK=-1 <0 Coherente con el hecho que el diodo est apagado.
Algunas veces se requiere un modelo ms preciso que la suposicin de diodo ideal pero
sin recurrir a la resolucin de ecuaciones no-lineales o tcnicas grficas. La caracterstica v-i
puede ser aproximada por segmentos de lneas rectas. De esta manera es posible modelar cada
seccin de la caracterstica del diodo con una resistencia en serie con una fuente de voltaje
constante. En las distintas secciones de la caracterstica se utilizan diferentes valores de resistencias
y voltajes.
De esta forma el diodo puede ser representado en forma razonablemente precisa mediante
un modelo lineal por tramos.
43
el Silicio) y los diodos en corte por circuitos abiertos. Para verificar la suposicin de conduccin
se necesita que la corriente de la fuente, iD sea positiva. Para verificar la suposicin de corte se
necesita que vD 0.7V, no que vD 0 como para el diodo ideal.
Figura 2.8 Aproximacin de primer orden del diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin de su voltaje
umbral V . b) Smbolo del diodo e indicacin de sentidos de corriente y voltaje. c) Aproximacin del diodo,
utilizando un diodo ideal y modelando su voltaje umbral con una fuente de continua. d) El modelo del diodo
en estado de conduccin (ON) y en estado de noconduccin (OFF). Notacin: ? :denota que la variable
queda determinada por el resto del circuito.
2.3.2.2 Modelo con tensin umbral y resistencia directa (modelo de 2do orden)
Una mejor aproximacin se obtiene al agregarle una resistencia en serie que modela la cada
de tensin durante la conduccin, fig. 2.9a. De esta manera se obtiene una buena aproximacin a
la curva real durante la conduccin directa. Este modelo aumenta la precisin, pero tambin
incrementa la complejidad del anlisis manual.
Figura 2.9 Aproximacin de 2do orden para el diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin utilizada.
b) Modelo circuital de aproximacin del diodo. c) El modelo del diodo en estado de conduccin (ON) y en
estado de noconduccin (OFF).
44
2.3.2.3 Modelo con tensin umbral, resistencia directa e inversa (lineal por tramos).
Tambin es posible modelar el voltaje de ruptura inversa (VBR, PIV) agregando otra rama
que solamente se activa cuando el voltaje inverso supera el voltaje VBR, como se indica en la fig.
2.10a.
Es posible seguir desarrollando otras aproximaciones lineales por tramos cada vez ms precisas,
pero no tienen mucho valor prctico. Generalmente, el modelo del diodo ideal entrega muy buenos
resultados. El anlisis de circuitos con diodos utilizando el modelo lineal por tramos es similar a
cuando se usa el modelo ideal, excepto que ahora hay tres regiones por cada diodo. En muchos
casos simples se puede determinar la regin por inspeccin, pero tambin se puede utilizar
aproximacin por prueba y error para determinar el estado de cada diodo. Tambin, esta
aproximacin se puede utilizar para modelar un diodo Zener, en donde VZ=VBR y RZ=Rr.
Figura 2.10 Aproximacin lineal por tramos para el diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin
utilizada. b) Modelo circuital de aproximacin del diodo. c) El modelo del diodo en estado de conduccin
(ON) y en estado de noconduccin (OFF).
45
Ejemplo 2.3: Repetir el ejemplo anterior considerando el
modelo de 2do orden con Rf=10.
Del ejemplo anterior se puede observar que los circuitos con diodos pueden ser resueltos en forma
matemtica y en forma grfica. Muchas veces la solucin grfica es ms prctica y en circuitos
nolineales es ms sencilla.
46
Ejercicio 2.11: Considere un diodo zener con los siguientes
parmetros rZ=12, VZ=6V, Rf=10, V=0.6V, E=10V,
R=2k. Determine V0 en el circuito de la fig. 2.13, cuando:
a)RL=10k b) RL=1k
(Sugerencia: Asegrese que la respuesta sea consistente con la
eleccin del circuito equivalente para el diodo los distintos
circuitos equivalentes son vlidos slo para rangos especficos
de voltaje y corriente del diodo. La respuesta debe estar en un
rango vlido para el circuito equivalente utilizado. Figura 2.13 Circuito ejemplo 2.2.
Resp.: a) V0=6.017V b) V0=3.333V
Ejercicio 2.12. En la fig. 2.13 y considerando los diodos ideales y dado que R=2.5k, RA=1k,
VCC=VEE=5V. Determine la corriente por la resistencia y el voltaje en el terminal x con respecto a
tierra.
Figura 2.14
Resp.: a) 2mA, 0V; b) 0mA, 5V; c) 0mA, -5V; d) 2mA, 0V; e) 3mA, +3V; f) 4mA, +1V
Resp.:
a) ID1 =1 mA V0 =0 (D1 y D2 on)
b) ID1 =0 V0 =3.3V (D1 off y D2 on)
Figura 2.15
47
Ejercicio 2.14: Considere que los diodos son modelados
con parmetros IS = 10-14 y n=2. Utilizando SPICE
determine las corrientes en los diodos y V0.
Figura 2.16
V0
V2
V1 Vin
V2
48
2.4 Equivalente de pequea seal del diodo.
En electrnica existen muchos ejemplos de circuitos en los cuales fuentes de alimentacin
continuas polarizan un dispositivo no lineal en un punto de operacin y una pequea seal alterna
es inyectada en el circuito. El anlisis de estos circuitos se puede dividir en dos partes. Primero, se
analiza el circuito en continua para encontrar su punto de operacin. En este anlisis de condiciones
de polarizacin, se debe tratar con los aspectos no lineales del dispositivo. En la segunda parte del
anlisis, se considera el anlisis de pequea seal. Como cualquier caracterstica no-lineal se puede
considerar lineal en un tramo pequeo, para el anlisis de alterna se utiliza un circuito equivalente
de pequea seal para el dispositivo no lineal.
Frecuentemente, el principal inters en el diseo de estos circuitos es lo que sucede a la
seal alterna. La fuente de alimentacin continua polariza el dispositivo en un punto de operacin
adecuado. Por ejemplo, en una radio porttil, el principal inters es la seal que esta siendo recibida,
demodulada, amplificada, y entregada al parlante. Las corrientes continuas suministradas por la
batera son requeridas por los dispositivos para realizar su funcin sobre las seales alternas.
El circuito equivalente de pequea seal es un importante anlisis aproximado que se aplica
a muchos tipos de circuitos electrnicos.
En el caso del diodo, el circuito equivalente de pequea seal consiste en una resistencia.
Consideremos un diodo conectado a una seal compuesta de una componente continua y una
pequea componente alterna como se indica en la fig. 2.17. Supongamos que el voltaje continuo
de alimentacin produce el punto de operacin punto Q indicado en la caracterstica esttica del
diodo de la fig. 2.18. Luego una pequea seal alterna en el circuito "balancea" el punto instantneo
de operacin ligeramente arriba y abajo del punto Q.
Figura 2.17 Circuito conceptual utilizado para determinar el equivalente de pequea seal del diodo.
Para una seal alterna lo suficientemente pequea, la caracterstica es prcticamente una recta.
Luego se puede escribir
di
iD D vD
dvD Q
donde iD es el pequeo cambio en la corriente del diodo en torno al punto Q producido por la
seal alterna, vD es el cambio en el voltaje del diodo en torno al punto Q, y (diD/dvD)Q es la
pendiente de la caracterstica del diodo evaluada en el punto Q. Ntese que la pendiente tiene
unidades de resistencia inversa conductancia (Siemens, S).
Como se muestra en la ec. 2.6, se puede determinar la resistencia equivalente del diodo para
pequeas seales alternas como el recproco de la pendiente de la curva caracterstica. La corriente
del diodo de unin est dada por la ecuacin de Schockley (ec. 2.1)
[ ( ) 1]
i D = I S exp
vD
nVT
Para condiciones de polarizacin directa con VDQ al menos varias veces ms grande que VT, el
trmino 1 dentro de la ecuacin de Schockley es despreciable. Luego
I DQ I S exp ( ) V DQ
n VT
Tomando el recproco y sustituyendo en la ec. 2.6, tenemos la resistencia de pequea seal del
diodo en el punto Q:
n VT
rd =
I DQ
Como resumen, para seales que producen pequeos cambios en torno al punto Q, se puede tratar
el diodo simplemente como una resistencia lineal. El valor de la resistencia est dada por la ec.
2.13 considerando que el diodo est polarizado directo.
Si en la fig. 2.18 el punto en el cual la tangente intersecta al eje vD se denota por VD0, la
ecuacin de la recta tangente se puede escribir como:
1
iD = ( v D VD 0 )
rd
Esta ecuacin es un modelo para la operacin del diodo para pequeas variaciones alrededor de la
polarizacin o punto Q. Este modelo puede ser representado por el circuito equivalente de la fig.
2.19 (este modelo fue presentado en el punto 2.2, fig. 2.8), en el cual se tiene
vD = VD0 + iD rd
vD = VD0 + ( ID + id )rd
vD = VDQ + idrd
51
Luego, como se esperaba, la seal de voltaje a travs del diodo es
dada por
vd = id rd
Figura 2.20 Anlisis utilizando el equivalente de pequea seal del diodo. a) Circuito con diodo nolineal.
b) El diodo se reemplaza por un equivalente lineal3 considerando que las variaciones de seal son
pequeas. c) Anlisis para la componente continua. d) Anlisis para la componente alterna.
Para ilustrar la aplicacin del modelo de pequea seal del diodo, consideremos el circuito de la
fig. 2.20a. Aqu la seal de entrada consta de dos componentes, una componente alterna (vS ) en
serie con una componente continua (VDD ). Cuando vS =0, la corriente continua se denota por IDQ y
el voltaje continuo del diodo por VDQ.
Para determinar la corriente de pequea seal id y la seal de voltaje a travs del diodo vd. Se
reemplaza el diodo por el modelo de la fig. 2.19, y se obtiene el equivalente de la fig. 2.20b.
Planteando LVK para este circuito se tiene
3
El equivalente lineal, permite aplicar el principio de superposicin y por esto el anlisis se hace
separadamente para las dos fuentes utilizadas. Primero, un anlisis en continua cuando la alimentacin es
continua (VDD), y segundo, un anlisis en alterna para la componente de pequea seal (vS).
52
Separando las componentes continuas y alternas en ambos lados de la ecuacin, para la componente
continua se tiene:
VDD = IDR + VDQ (2.18)
la cual se representa por el circuito de la fig. 2.20d. Se puede concluir que la aproximacin de
pequea seal permite separa el anlisis en continua del anlisis de seal o de alterna. El anlisis
para la componente alterna (seal) se realiza eliminando todas las fuentes continuas y
reemplazando el diodo por su resistencia equivalente de pequea seal rd. Del circuito equivalente
de pequea seal, la seal de voltaje del diodo puede ser encontrada simplemente del circuito de la
fig. 2.20d, como:
rd
vd = vS (2.20)
R + rd
Solucin:
Considerando, primero, el anlisis para la componente continua y
suponiendo VDQ 0.7V
Figura 2.21 ejemplo 2.4.
IDQ= (VinCC VDQ )/R=0.93mA
Como este valor es muy cercano a 1mA, el voltaje continuo del diodo es muy cercano al valor
supuesto. En este punto de operacin, la resistencia dinmica del diodo rd es:
n VT
rd = =53.8
IDQ
El valor peak-to-peak del voltaje alterno en el diodo se determina aplicando LVK
rd
vd = 2 =10.7mV (la amplitud de la componente ac de Vin es 1V, luego su
R + rd
valor peak-to-peak es 2)
De esta manera, la amplitud de la seal sinusoidal a travs del diodo es 5.35mV. Por esto, la
expresin del voltaje del diodo es:
vD(t)=0.7 + 5.35103sen(250t) [V]
53
Ejercicio 2.16: determine los valores de rd para un diodo con corrientes de polarizacin de 0.1, 1,
y 10mA. Considere n=1.
Resp.: 250; 25; 2.5
Ejercicio 2.17: Para un diodo que conduce 1mA con una cada directa de 0.7V y con n=1,
determine la ecuacin de la recta tangente en IDQ=1mA
Resp.: iD=(1/25)(vD 0.675)
Ejercicio 2.18: Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin inversa de 1nA y n=2. Suponga
operacin a temperatura ambiente. Determine:
a) la corriente del diodo cuando se le aplica un voltaje positivo de 0.6V.
b) el voltaje que se debe aplicar a travs del diodo para aumentar su corriente en un factor de
10.
c) el voltaje que se debe aplicar a travs del diodo para aumentar su corriente en un factor de
100.
Ejercicio 2.19: Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin inversa de 1nA y n=1.95.
Determine el porcentaje de cambio en la corriente del diodo para un cambio en la temperatura
desde 27 a 43C a voltajes del diodo iguales a:
a) 1V.
b) 0.5V.
c) 0.8V.
Resp.: a) 535% b) 249.8% c) 184.4%
Ejercicio 2.20: Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin inversa de 8nA y n=2. Determine
la corriente del diodo como una funcin del tiempo. Use la tcnica de lnea de carga.
Figura 2.22
54
Ejercicio 2.21: Los diodos tienen los siguientes parmetros rd1=20, rr1=, V1=0.2V, rd2=10, rr2=, V2=0.6V.
La fuente de voltaje tiene 200V. Determine la corriente en los diodos cuando: a) R=20k b)
R=4k
Figura 2.23
Ejercicio 2.22 Determine los valores peak del voltaje en RL, dibuje un ciclo de la forma de onda de la fig.
Figura 2.24
Ejercicio 2.23 Los diodos del circuito se modelan como rd=0, rr=, V=0.7V. Dibuje la caracterstica de
transferencia para 0 Vi 30V. Indique todas las pendientes y nveles de tensin.
Figura 2.25
55
Ejercicio 2.24 El potencimetro de la fig. 2.26 es puesto de manera que el nodo del diodo est a 2V. Si
el valor de Vs es de 14 Vpp, y la cada del diodo cuando conduce es de 0.7V. Cul son los voltajes peak en
la carga?
Figura 2.26
56
2.5 Aproximacin a un Diodo real
Ejercicio: resuelva considerando que el diodo se modela ID
de acuerdo a la ec. de Schockley con n=1.984, Is=14.11n +
vD
E = I D R1 + VD : Recta de carga del circuito
nvVD
I D = I S e T 1 : Caracterstica aproximada del diodo
_
(Ec. de Schockley)
Para obtener la solucin de estas dos ecuaciones tenemos:
n=1.984, Is=14.11n Figura 2.27 Circuito con diodo.
2.5.1 Forma iterativa (hacer una tabla) (se podra hacer en planilla Excel).
De aqu se observa que VD=0.71V se acerca bastante a la solucin (se puede seguir iterando hasta
hacer que el error sea inferior a un mnimo, por ejemplo 0.3mA)
2.5.2 En forma grfica, a partir de la simulacin en PSpice (modelo SPICE del diodo).
Figura 2.28 Caracterstica diodo, Recta de carga y recta tangente al punto de operacin.
57
2.5.3 En forma matemtica ya sea analtica o computacional.
Determinado el punto de operacin (Q: (IDQ , VDQ)) (14.49mA, 710mV) se puede linealizar.
n VT 1.984 26
rd = = = 3.56
I DQ 14.49
Por lo tanto la ecuacin (recta) de la tangente al punto de operacin (en azul) sera:
VD = rd I D + VD 0 VD = 3.56 I D + 0.66 (Ntese que sta ecuacin es vlida slo para ID >0)
En la siguiente grfica est el detalle, adems se agreg la ecuacin de Schockley (en amarillo)
con Is=14.11n y n=1.984.
58
Por lo tanto el punto de operacin lo obtenemos interceptando dos rectas; la linealizada y la
recta de carga:
VD = 3.56 I D + 0.66
1 = I D 20 + VD
( E = I D R1 + VD ) : recta de carga.
IDQ=14.43mA, VDQ=0.71V
Desarrollo:
E VD 3 0.7
ec.(1) I D = = = 2.3 mA Figura 2.32 Cto. con diodo.
R 1k
La ecuacin del diodo debera darnos el mismo valor, para que fuera solucin,
entonces
4
Ntese que esto puede ser comprendido mejor usando el anlisis grfico, es decir,
usando el concepto de recta de carga (como se ha desarrollado en clases)
59
= ln ( + 1)= 0.799V
Con este nuevo valor de VD, en ec. (1) ID=2.201mA y en ec. (2) ID=2.219mA y de ec. (2.1)
VD=0.7987V, se observa que se converge rpidamente a la solucin.
{Tambin se podra haber resuelto con las ecuaciones aproximadas, comprobando los supuestos,
e n VT >> 1 luego
VD
Usando SPICE para graficar estos resultados, se muestra la ecuacin del diodo (segn ecuacin
de Schokley), y las rectas de carga del circuito para E=3V y E=1V.
Figura 2.33 Ecuacin de Schocley y las rectas de cargas cuando E=1 y E=3.
60
Ej.: Se desea determinar los valores de R e IS. Se hacen
las siguientes mediciones:
Desarrollo:
LVK E = I D R + vD Figura 2.34 Circuito medido.
Reemplaando los datos
1V= 0.2mR + vD1 (1)
2V= 0.5mR + vD2 (2)
VD
Como ln ( ) cuando VD>>nVT (dado que si VD>>nVT I D = I S (e nVT
1)
VD
nVT
I D I S e ) reemplazando en (1) y (2)
}
1=0.2mR + 0.026{ln ( 0.2m) ln ( I S ) (ln: logaritmo natural)
IS=2.910-10 A
R=3.25k
Ej. En el circuito con diodos que se indica determine VD, ID y la resistencia dinmica en el punto
de operacin.
(a) Si el diodo es ideal (b) Si el diodo se modela con un diodo
ideal y una fuente de tensin de 0.7V (di+E) (c) Si el diodo se
modela con un diodo ideal, una fuente de 0.7V y una resistencia
dinmica (di+E+rd) considere Is=2.682nA, N=1.836 (d) Si el
diodo se modela con la ecuacin de Schockley (e) interprete el
desarrollo con simulacin que se incluye.
61
Parte de la respuesta de 1d) e)5
Figura 2.36 Obtencin del punto de operacin con ecuacin de Schockley y caracterstica del diodo.
5
Para pegar estos graficos desde Orcad PSpice a Office Word, en pantalla de despliegue de datos
(PSpice A/D) hacer click en: Windows Copy to clipboard change white to black OK
62
2.5.4 Ejemplo de respuesta para pequea seal considerando el diodo real.
Se muestra lo que ocurre al usar la caracterstica real del diodo, es decir, con su caracterstica
no-lineal.
Para VAMPL=0.1 y 0.3V y usando el diodo real se obtiene la siguiente respuesta en Orcad:
Ntese que la respuesta est distorsionada, especialmente cuando la amplitud es 0.3V. Esto es
porque se est trabajando cerca del codo de la caracterstica del diodo y la amplitud es tal que
abarca una zona amplia y no-lineal por lo cual se distorsiona la salida.
63
2.5.5 Ejemplo de respuesta al linealizar.
En continua sera:
IDQ=14.43mA, VDQ=0.71V
Vs
En alterna: id = id=4.24mA para Vs=0.1V
rd + R1
id=12.73mA para Vs=0.3V
por lo tanto la respuesta total seria: iD = I DQ + id = 14.43+4.24sen(t) [mA] para Vs=0.1V
14.43+12.73sen(t) [mA] para Vs=0.3V
Y para el voltaje del diodo
64
b) Use el diodo 1N914 obtenga respuesta
real y linealizada para E=1V y E=3V
Tabla 2.2 Puntos de operacin y resistencia dinmica para diferentes valores de la fuente
Vdc ID VD REQ
0.4 1.14E-05 3.89E-01 4.32E+03
0.6 1.03E-04 4.97E-01 4.66E+02
0.8 2.60E-04 5.40E-01 1.81E+02
66
3 CAPTULO 3 Transistor de Unin Bipolar
3.1 Introduccin
Bsicamente un transistor bipolar de unin es un dispositivo de tres terminales que, entre
otras cosas, puede amplificar una seal de entrada. La principal caracterstica es que una corriente
de salida es controlada por una corriente en la puerta de entrada. En este captulo se estudian la
modelacin en continua y los diversos modelos en alterna del BJT. Se analizan circuitos en
aplicaciones como amplificadores. Nuevamente, se hace un uso intensivo de la linealizacin en los
puntos de operacin, y por lo tanto se analiza el transistor como si fuera un dispositivo lineal.
Las capas se denominan el emisor, la base y el colector, como se muestra en la fig. 3.1a. El
smbolo circuital para un transistor npn es mostrado en la fig. 3.1b, incluyendo las direcciones de
referencia para las corrientes.
67
En operacin normal de un BJT como amplificador, la unin basecolector est
inversamente polarizada y la unin baseemisor est directamente polarizada. En el siguiente
desarrollo se considera que las uniones estn polarizadas de esta forma, a menos que se diga lo
contrario.
Por supuesto, la ley de corriente de Kirchhoff requiere que la corriente que sale del transistor
sea igual a la suma de las corrientes que entran. Luego, refirindonos a la fig. 3.1b, tenemos
iE =iC + iB
(Esta ecuacin es verdadera independientemente de las condiciones de polarizacin de las uniones.)
Los valores para estn en el rango entre 0.99 a 0.999, siendo muy tpico 0.99. La ecuacin (3.2)
indica que la corriente de emisor es suministrada parcialmente a travs del terminal de base y
parcialmente a travs del de colector. Sin embargo, como es casi la unidad, la mayora de la
corriente de emisor es suministrada por el colector.
68
Para vBE mayor que unas pocas dcimas de volt, el trmino exponencial dentro del parntesis es
mucho mayor que la unidad. Entonces el 1 dentro del parntesis puede ser despreciado. Tambin
se define la corriente de escala o corriente de saturacin inversa de la unin base-emisor como
IS = IES (3.5)
Resolviendo la ec. (3.3) para iC, sustituyendo en la ec. (3.2), y despejando la corriente de
base, se obtiene
iE =(1 )iE (3.7)
Como es ligeramente menor a la unidad, slo una muy pequea fraccin de la corriente de emisor
es suministrada por la base. Utilizando la ec. (3.1) para sustituir iE, tenemos
iB = (1 ) I ES [ exp( vV ) 1]
BE
T (3.8)
Se define el parmetro como la razn de la corriente de colector a la corriente de base.
Tomando la razn de las ecs. (3.4) y (3.8) resulta
iC
= = (3.9a)
iB 1
+1
tambin, = (3.9b)
El rango de los valores para va desde 10 a 1000, y es muy comn el valor =100. Se puede
escribir
iC = iB (3.10)
Ntese que generalmente es muy grande comparado a la unidad, es decir la corriente de colector
es una versin amplificada de la corriente de base. Las relaciones de corrientes en un transistor npn
son ilustradas en la fig. 3.3.
Figura 3.3 Relaciones de corriente en un transistor npn. Slo una pequea fraccin de la corriente de
emisor fluye en la base (considerando que la unin colector-base es inversamente polarizada y la base-
emisor est directamente polarizada).
69
Ejercicio 3.1 Dado un transistor con =50, IES= 1014 A, vCE =5V, e iE =10mA. Suponga que
VT=26mV. Encuentre vBE, vBC, iB, iC y .
Resp.:
vBE =0.718V, vBC =4.28V, iB=0.2mA, iC =9.80mA, =0.980.
Ejercicio 3.4 Repita el ejercicio anterior si se tiene iC=19.8mA e iE=20mA. Determine los valores
de iB, , y .
La configuracin de emisor comn para un BJT npn se muestra en la fig. 3.4. La batera
VBB polariza positivamente la juntura base-emisor. La batera VCC tambin polariza directamente
el colector respecto del emisor. Note que el voltaje a travs de la unin basecolector est dado por
vBC=vBE vCE (3.11)
70
Luego, si vCE es mayor que vBE, el voltaje basecolector vBC es negativo. Esta es la forma comn
de operacin del transistor como amplificador.
Las caractersticas de emisor comn del transistor son graficadas para las corrientes iB e
iC respecto a los voltajes vBE y vCE, respectivamente. Caractersticas representativas para un
dispositivo de silicio se muestran en la fig. 3.5.
La caracterstica de salida de emisor comn mostrada en la fig. 3.5b son grficas de iC versus
vCE para valores constantes de iB (iC versus vCE parmetrizado por iB). El transistor ilustrado tiene
=100. Mientras la unin colectorbase es polarizada inversa (vBC<0 o equivalentemente, vCE >
vBE), se tiene que
iC = iB =100 iB
A medida que vCE es menor que vBE, la unin basecolector se polariza directamente, y
eventualmente la corriente de colector cae como se muestra en el costado izquierdo de la
caracterstica de salida (fig. 3.5b).
Si nos referimos a la fig. 3.5a y notamos que un cambio muy pequeo en el voltaje
baseemisor vBE puede resultar en un cambio apreciable de la corriente de base iB, particularmente
si la unin baseemisor est polarizada directa, de manera que alguna corriente (por ejemplo,
40uA) est fluyendo antes que se haga el cambio en vBE. Considerando que vCE es ms que unas
pocas dcimas de volt, este cambio en la base produce un cambio mucho ms grande en la corriente
de colector iC (debido a que iC= iB). En circuitos apropiados, el cambio en la corriente de colector
es convertido en un cambio de voltaje mucho mayor que el cambio inicial en vBE. De esta manera
el BJT puede amplificar una seal aplicada a la unin baseemisor.
71
Figura 3.5 a) Caractersticas de entrada (iB vs. vBE) para una configuracin emisor comn de BJT NPN.
Ntese que una pequea variacin vBE produce una gran variacin en iB en la zona indicada. Tambin la
pendiente iB/vBE es el reciproco de la resistencia de la unin entre baseemisor. b) Caractersticas de
salida (iC vs. vCE) para una configuracin emisor comn de BJT NPN.
72
Ejemplo 3.1. Determinar el valor de en la caracterstica mostrada en la fig. 3.5b.
Solucin:
El valor de puede ser encontrado mediante la relacin entre iC e iB, considerando que vCE
es bastante alto de manera que la unin colectorbase est polarizada inversa. Por ejemplo, cuando
vCE=2V e iB=10uA, la caracterstica de salida da iC=1mA. Luego
= iC / iB =1mA/10uA=100
Tambin cuando vCE=2V e iB=40uA iC=4mA =100.
(Para algunos dispositivos, resultan valores ligeramente diferentes para diferentes puntos de la
caracterstica de salida.)
73
0.5 V son aplicados, la corriente es despreciable, y por esto se utiliza el modelo en la regin de
corte.) Las restricciones para los voltajes en la regin de corte se muestran en la figura.
3.5.4 Modo Inverso.
Cuando la juntura colectorbase es polarizada inversamente y la unin baseemisor se
polariza directa, se dice que el transistor est operando en el modo normal o directo. Algunas
veces hay situaciones en las cuales la unin basecolector es polarizada directa y la unin
baseemisor es polarizada inversa. Esto es opuesto a la situacin normal, y se dice que el transistor
est operando en modo inverso. La operacin en modo inverso es el mismo que en el normal, pero
con el emisor intercambiado. Muchos dispositivos no son simtricos, de modo que y toman
valores diferentes para el modo inverso en relacin al normal. Este modo de operacin es raro de
encontrar en aplicaciones, por lo que se detallarn slo los otros tres modos.
Figura 3.6 Modelos a grandes seales del BJT pnp y npn. (Nota: los valores mostrados son apropiados
para dispositivos de silicio tpicos de pequea seal a una temperatura de 300K). a) Regin Activa. b)
Regin de Saturacin c) Regin de Corte.
74
Figura 3.7 Regiones de operacin sobre las caractersticas de un BJT NPN. a) Caractersticas de salida.
b) Caractersticas de entrada.
Ejemplo 3.2: Dado un transistor npn con =100. Determine las regiones de operacin s:
a) IB=50 A e IC=3mA; b) IB=50 A y VCE=5V; c) VBE= 2V y VCE= 1V.
Solucin:
a) Como IB e IC son positivos, el transistor est en la regin activa o en saturacin.
En la regin activa se debe cumplir que IC = IB, sin embargo no se cumple est relacin
para los valores dados, entonces el transistor no est en la regin activa.
En la regin de saturacin se debe cumplir la restriccin IC < IB, la cual se satisface, por
lo que el transistor est en saturacin.
c) Se tiene VBE < 0 y VBC =VBE VCE =1V < 0. Por esto ambas uniones estn polarizadas
inversamente, por lo tanto, est en corte.
Ejercicio 3.5: Para un transistor npn con =100. Determine las regiones de operacin s:
a) VBE =0.2V y VCE =5V b) IB =50A e IC =2mA; c) VCE = 5V e IB =50A
75
3.6 Anlisis en Continua de Circuitos con BJT.
Solucin:
Como en la base hay aplicada una tensin positiva elevada, se puede suponer que el
transistor est en saturacin. Sin embargo, si se sustituye el transistor por su modelo en saturacin
y se utiliza el equivalente de Thevenin, se obtiene la fig. 3.8b. De este circuito se obtiene que IB es
negativa, lo cual contradice la hiptesis de saturacin y sugiere el corte.
En efecto, en el circuito de la fig. 3.8b el equivalente de Thevenin visto desde los terminales de
base (b) con respecto a tierra es:
Vth=VbbRb/(Rs+Rb)=0.196V
Rth=Rs||Rb=RsRb/(Rs+Rb)=9.82k
Como el resultado anterior sugiere el corte, entonces del circuito 3.8c, se tiene:
VBE=Vth=0.196V (IB=0) y VCE=VCC =15V (IC=0)
76
Figura 3.8 a) Circuito original. b) Circuito equivalente si se supone el transistor en saturacin. c) Circuito
equivalente si se supone el transistor en corte.
Se analizaran varios circuitos de polarizacin. Algunos de estos son tan inestables que ellos
no pueden usarse en aplicaciones de amplificadores. Sin embargo, ellos son tiles para aplicaciones
digitales o de conmutacin donde la estabilidad de la polarizacin no es muy importante.
77
Ejemplo 3.4: El circuito de la fig. 3.9 tiene un transistor de silicio con =100 y VCC=20V, RC=1k.
Debe ser polarizado con ICQ=10mA. Determine RB.
Solucin:
Planteando LVK a travs del circuito de colector, tenemos,
VCC ICRC VCE =0
Est ecuacin se conoce como la recta de carga de colector.
Figura 3.10 Caracterstica de salida, iC vs. vCE, en la cual se indica la recta de carga de colector para el
circuito del ejemplo 3.4.
78
Ejemplo 3.5 En el ejemplo anterior suponer que cambia a 300. (Esto ocurre a menudo cuando
se cambia el transistor).
Solucin:
No se sabe el valor de ICQ, ya que no sabemos el estado del transistor. Sin embargo, tanto
en saturacin como en la regin activa VBEQ =0.7V
Del circuito de base, se tiene que
IBQ = (VCC VBEQ)/ RB =100 A
Si suponemos que est en la regin activa IC = IB=300100 =30mA. Luego, de la recta de carga
de colector,
VCEQ= VCC ICQRC=20 30m1k=10V
Como VCEQ <0.2V el transistor no est en la regin activa.
Ahora, si suponemos que est en saturacin, reemplazando el modelo del transistor en saturacin,
y planteando la ecuacin de colector,
ICQ= (VCC VCEsat)/RC=(20 0.2)/1k=19.8mA
y del circuito de base,
IBQ= (VCC VBEQ)/RB=(20 0.7)/193k=100A
Como IB=300100=30mA > IC =19.8mA se satisfacen las condiciones para la saturacin (es
decir, IB>IC e IB >0).
Figura 3.11 Con =300 el circuito del ejemplo 3.4 opera en saturacin, IBQ=100 A, ICQ=19.8mA,
VCEQ=VCEsat=0.2V.
79
3.7.2 Polarizacin con Realimentacin.
Una manera muy simple de introducir esta realimentacin en el circuito de polarizacin fija
es agregando una resistencia de emisor RE, llamada la resistencia de realimentacin de emisor, fig.
3.12. Aqu, un aumento en IC provoca un aumento en VE, el cual es el voltaje a travs de RE, y por
lo tanto como IB=(VCC VBE VE)/RB est disminuye. El descenso en IB compensa el aumento en
IC.
80
Generalmente se elige RE de modo que su voltaje, VE=IERE sea mayor a VBE (por ejemplo,
3 veces ms grande). De modo que, RE=3VBE/IEQ 3VBE/ICQ.
Esta expresin permite seleccionar RE directamente para un ICQ dado.
Ejemplo 3.6: En el circuito de la fig.3.12 se tiene RE=2k, RB=470k, RC=2 k, VCC=15V, =100
y el transistor es de silicio. Determine el punto Q. Repita s =200.
Solucin:
De la ecuacin (3.12) se tiene que
ICQ =( VCC VBE)/[ RB/ + RE ]=(15 0.7)/6.7k=2.13mA
Planteando LVK a travs del circuito de colector se tiene,
VCC ICRC VCE IERE=0
VCEQ= VCC ICQ(RC + RE /) , =/(+1)=0.9901
=15 2.13m4020=6.44V
Cuando =200
ICQ =(15 0.7)/4350=3.29mA
y VCEQ=15 3.29m4010= +1.807V (sigue en la R. activa)
Ejercicio 3.8: Disee un circuito de polarizacin con realimentacin de modo que ICQ=4mA.
VCC=30V, =50.
Resp.: RE=525 (VE=3VBE) ; RB=340k (S VCEQ=20V RC2k)
81
3.7.3 Circuito de Autopolarizacin.
Solucin:
Si se considera VE=3VBE=30.7=2.1V
Como, IE =IC ( +1)/=IC/
IEQ=5m1.01=5.05mA
RE 3VBE/ICQ=2.1/5m=420
82
3.7.4 Polarizacin por divisor de Tensin.
Un circuito que evita la variacin del punto de operacin es el mostrado en la fig. 3.14. Las
resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensin que provee un voltaje casi constante en la base
(VBQ) del transistor (independientemente del del transistor). Como se vio en el ejemplo 3.6, un
voltaje constante en la base resulta en valores casi constantes para IC y VCE. Debido a que la base
no est directamente conectada a tierra o a la alimentacin, es posible acoplar una seal alterna a
la base mediante un condensador de acoplamiento.
Figura 3.14 Circuito de polarizacin por divisor de tensin de 4 resistencias. a) Circuito original. b)
Circuito original descompuesto en un circuito de base y otro de colector. c) Equivalente de Thevenin del
circuito original.
Ejemplo 3.8: En un circuito de polarizacin por divisor de tensin se tiene: R1=12k, R2=3k,
RE=470, RC=1.2k, VCC=15V, transistor de silicio. Determine el punto Q cuando 1=100 y
2=300.
Solucin:
Vth=VCCR2 /(R1 + R2)=153k/15k=3V
Rth=R1||R2= R1R2 /(R1 + R2)=12k3k/15k=2.4k
Luego, cuando 1=100
IB1Q=( Vth VBE)/[Rth +( 1+1)RE]=( 3 0.7)/[2.4k + 101470]=46.12 A
IC1Q=1IB1Q=10046.12=4.61mA
IE1Q=IC1Q /1=4.61m/0.99=4.66mA
VCE1Q=VCC IB1Q[ 1RC + (1+1)RE]=15 46.12[ 1001.2k + 101470]=7.28V
cuando 2=300
IB2Q=( 3 0.7)/[2.4k + 301470]=15.99 A
IC2Q=2IB2Q=30015.99=4.80mA
IE2Q=IC2Q /2=4.80m/0.997=4.81mA
VCE2Q= 15 15.99[ 3001.2k + 301470]=6.98V
Podemos observar que para 1=100 IC1Q= 4.61mA, y para 2=300 IC2Q= 4.80mA. Es decir, para
un cambio de 1:3 en , la corriente de colector cambia en un +4.12%. Similarmente, VCEQ cambio
en un 4.12%.
Ejemplo 3.9: Dado el circuito de la fig. 3.15 donde =100, Silicio, RE=1k, R1=8.2k R2=1.8k,
VCC=5V y VEE=5V. Determine el punto Q.
Solucin:
Vth= 51.8k/10k=0.9V
Rth= 1.8k8.2k/10k=1.476k
84
IEQ=ICQ /=5.12mA
Figura 3.16 Circuito del ejemplo 3.8. Figura 3.15 Circuito del ejemplo 3.9.
Ejercicio 3.9: Para el circuito de la fig. 3.16 donde =100, Silicio, RE=390, R1=22k R2=4.7k,
RC=2.2k, VCC=10V y VEE=5V. Determine el punto Q.
Resp.: ICQ=4.5mA, VCEQ=3.345V.
Ejercicio 3.10: Disee un circuito de polarizacin por divisor de tensin con los siguientes
parmetros: =100, Silicio, ICQ=5mA, VCC=20V y VCEQ=10V. Utilice resistencias estndar de 10%
de tolerancia.
Resp.: RE=420, R2=4.2k, R1=27k (25.8k) y RC=1.5k (1.58k)
85
el plano vBC-vBE. Generalmente, se utilizan modelos que son vlidos slo en una nica regin de
operacin. En circuitos de amplificadores, los BJT operan en la regin activa directa,
generalmente llamada regin activa. A menudo, las variaciones de seales son pequeas, y se
puede modelar el transistor con un circuito equivalente lineal.
vBC
Regin
Regin de
Activa Inversa
Saturacin
vBE
Regin Regin
Corte Activa
Ocasionalmente, hay aplicaciones en las cuales los roles del emisor y colector son
intercambiados, y entonces el dispositivo opera en la regin activa inversa. La operacin en la
regin activa inversa es similar a la regin activa directa, excepto que el tiende a ser pequeo
(cercano a 1). Ms an, la respuesta en frecuencia y velocidad de conmutacin son mucho ms
pobres para un dispositivo operando en la regin activa inversa comparado a la directa. Si se
comprende la operacin del transistor en la regin activa directa, este conocimiento puede ser
transferido a la regin activa inversa mediante el intercambio del emisor y el colector.
En circuito digitales y aplicaciones del transistor como conmutador, a menudo el dispositivo
est en la regin de corte o en la regin de saturacin. Las transiciones lgicas hacen que el
dispositivo vare desde corte, a travs de la regin activa, hacia la regin de saturacin, o viceversa.
Para obtener una buena precisin en el anlisis de circuitos de conmutacin, se deben utilizar
modelos no-lineales de gran seal que consideran los efectos de almacenamiento de carga.
Las corrientes y voltajes del punto Q (seales continuas) son denotados por smbolos en
maysculas con subndices en mayscula. De este modo IBQ es la corriente de base en continua si
la seal de entrada es nula.
86
minscula. Luego ib(t) denota la componente de seal de la corriente de base. Como la corriente de
base total es la suma del valor en el punto Q y la componente de seal, tenemos:
iB(t)=IBQ + ib(t) (3.14)
Figura 3.18 Ilustracin de la corriente de base total iB(t), la corriente del punto Q IBQ , y la corriente de
pequea seal ib(t). Esta misma ilustracin se puede aplicar a casi cualquier variable total de un
amplificador.
Como interesa las seales pequeas donde la magnitud de vbe(t) es mucho ms pequea que
VT en todo instante. [vbe(t) es de unos pocos milivolt o menos.
87
En general, para |x|<<1, se cumple la siguiente aproximacin:
exp(x) 1+x
Donde r=VT/IBQ, entonces para variaciones de pequea seal alrededor del punto Q, la unin
baseemisor del transistor se puede modelar como una resistencia r dada por
r=VT/IBQ (3.22)
Sustituyendo IBQ=ICQ/, se tiene una frmula alternativa
r=VT/ICQ (3.23)
Con lo que quedan determinados los parmetros del modelo r.
A temperatura ambiente, VT 26mV. Un valor tpico de es 100, y una corriente de
polarizacin para un amplificador de pequea seal es ICQ=1mA. Esto da r=2600 .
Por otro lado, la corriente total de colector es veces la corriente de base total.
iC(t)= iB(t) (3.24)
Como las corrientes totales son la suma del valor del punto Q y las componentes de seal, tenemos,
ICQ + ic(t)= IBQ +ib(t) (3.25)
Las ecuaciones (3.21) y (3.26) relacionan las corrientes y voltajes de pequea seal en un
BJT. Es conveniente representar el BJT por su circuito equivalente de pequea seal mostrado
en la fig. 3.19.
Por supuesto que el transistor pnp tiene exactamente el mismo circuito equivalente que el
npn an las direcciones de referencia para las seales de corriente son las mismas. La resistencia
r es dada por la ecuacin (3.23) para ambos tipos de transistores. (Se supone que ICQ tiene
referencia saliendo del colector para el pnp y tiene valor positivo).
Este modelo es vlido para seales pequeas, es decir para pequeas variaciones de voltaje
y corriente alrededor del punto de polarizacin (punto Q) en la regin activa. Es un modelo de baja
frecuencia que no considera las capacidades de la unin. Tambin ignora los efectos secundarios
88
tales como la modulacin del ancho de la base. Sin embargo, este modelo simple es a menudo lo
suficientemente preciso para un diseo inicial.
Otro modelo de pequea seal para el BJT es el modelo hbrido h. Este modelo se basa
en los parmetros h de las redes de dos puertas, conocidos como los parmetros hbridos.
En general, los modelos de los dispositivos activos pueden ser determinados sobre la base
de considerarlos como cuadripolos y en este caso no interesa el comportamiento fsico del
dispositivo. Por lo tanto, bajo este criterio existen diversos modelos del transistor, tales como el de
parmetros z, y h. Debido a que un transistor se puede considerar como una red de dos puertas y
por razones de medicin de sus parmetros se utiliza el modelo h para el transistor bipolar.
En estas ecuaciones las variables independientes son las corrientes de entrada i1 y la tensin de
salida v2. En un transistor estas variables representan pequeas variaciones alrededor del punto de
reposo (de este modo los parmetros del transistor pueden considerarse constante.)
En la teora de circuitos con transistores, los subndices numricos son sustituidos por letras
que indican la naturaleza del parmetro, luego las ecuaciones generales de las redes de dos puertas
se modifican convenientemente de la siguiente manera:
v1=hii1 + hrv2 (3.28)
i2=hfi1 + hov2
89
Figura 3.20 Red de dos puertas que modela un transistor bipolar en pequea seal.
El circuito equivalente asla los circuitos de entrada y salida, siendo considerada su interaccin
por dos fuentes controladas; adems, las dos partes del circuito tienen una forma tal que es fcil
distinguir los circuitos de alimentacin y de carga. El circuito de entrada es un equivalente de
Thevenin y el de salida un circuito equivalente de Norton.
El significado de los parmetros h puede obtenerse a partir de las ecuaciones, entonces:
v1
hi = : Impedancia de entrada con la salida en cortocircuito []
i1 v2 = 0
v1
hr = : Ganancia de tensin inversa en circuito abierto.
v2 i1 = 0
i2
ho = : Admitancia de salida con la entrada en circuito abierto [S ]
v2 i1 = 0
i2
hf = : Ganancia de corriente directa en cortocircuito.
i1 v2 = 0
En general, los parmetros son diferentes para cada configuracin (conexin) y se obtienen a
partir de los circuitos equivalentes para emisor comn, colector comn y base comn.
Figura 3.21 Circuito equivalente de parmetros h para la configuracin de emisor-comn. (Ntese que
hie es impedancia, hoe es conductancia)
Ntese que hie tiene unidades de resistencia, hre y hfe son adimensional, y hoe es una
conductancia.
Partiendo de las ecuaciones (3.29) y (3.30), podemos expresar cada parmetro como una
derivada parcial, evaluada en el punto de operacin. Por ejemplo, si ponemos ib=0 en la ecuacin
(3.29) y resolviendo para el parmetro hre, tenemos
vbe
hre = (3.31)
vce ib =0
Debido a que vbe, vce, e ib representa pequeos cambios alrededor del punto Q, se tiene
vBE
hre = (3.32)
vCE i B = I BQ
91
De esta manera se puede encontrar el valor de hre haciendo pequeos cambios en vCE manteniendo
constante iB, y tomando la razn del cambio resultante en vBE al cambio en vCE. En otras palabras,
hre es la derivada parcial de vBE con respecto a vCE.
Figura 3.22 Obtencin del parmetro hre ganancia de tensin inversa del transistor, a partir de la
caracterstica de entrada del BJT.
Debido a su bajo valor, en general, el parmetro hre se puede despreciar (ya que por su
pequeo valor, equivale a un coci en el modelo) sin afectar mayormente los clculos. Hay que tener
presente que los modelos en ingeniera siempre son aproximados, y la eleccin del modelo ms
apropiado depende fundamentalmente de la aplicacin.
El valor de hie se obtiene haciendo pequeos cambios en iB manteniendo constante vCE, y tomando
la razn del cambio resultante en vBE al cambio en iB. En otras palabras, hie es la derivada parcial
de vBE con respecto a iB. En la fig. 3.23 se describe el significado en forma grfica del parmetro.
92
Figura 3.23 Obtencin del parmetro hie impedancia de entrada con la salida en coci, a partir de las
caractersticas de entrada del transistor.
El parmetro hie esta relacionado a la etapa de entrada del transistor, en particular a la unin
baseemisor. Luego, como esta unin polarizada directamente representa en cierta forma un diodo,
entonces la relacin vbe/ib representa la resistencia dinmica rd de esta unin, medida en el punto
Q, fig. 3.23.
Es decir,
hie= vbe/ib |punto Q = VT/IBQ ( VT/ICQ) (3.34)
Como se puede observar, este parmetro depende principalmente de ICQ y su valor est
comprendido, generalmente, entre 200 y 2k.
El valor de hfe se obtiene haciendo pequeos cambios en iB manteniendo constante vCE, y tomando
la razn del cambio resultante en iC al cambio en iB. En otras palabras, hfe es la derivada parcial de
iC con respecto a iB. En la fig. 3.24a se describe el significado en forma grfica del parmetro.
93
Figura 3.24 a) Obtencin del parmetro hfe ganancia de corriente directa del transistor, a partir de las
caractersticas de salida del transistor. b) Obtencin del parmetro hoe admitancia de salida del
transistor, a partir de las caractersticas de salida del transistor.
El valor de hoe se obtiene haciendo pequeos cambios en vCE manteniendo constante iB, y tomando
la razn del cambio resultante en iC al cambio en vCE. En otras palabras, hoe es la derivada parcial
de iC con respecto a vCE. En la fig. 3.24b se describe el significado en forma grfica del parmetro.
94
Como se puede ver de la grfica, el parmetro hoe es la pendiente de la caracterstica de colector
en el punto Q. En la prctica este parmetro de conductancia es menor a 1mS (milliSiemens), es
decir, representa una resistencia mayor a 10k (R=1/G). Por esto, en muchos casos este
parmetro se considera nulo, lo cual significa un circuito abierto en el circuito equivalente.
Finalmente, considerando que hre y hoe son muy pequeos el circuito equivalente de la fig.
3.21 se puede reducir al siguiente.
Figura 3.25 Circuito equivalente de parmetros h con hre=0 y hoe=0. Este circuito es equivalente
al modelo r .
Como una aproximacin, se puede hacer hre y hoe igual a cero. (Como hoe es una
conductancia, hacindola igual a cero representa un circuito abierto.) Con estos cambios, el circuito
de parmetros h se reduce al mostrado en la fig. 3.25. El cual es equivalente al modelo r de la
fig. 3.19.
De esta forma se tiene,
hie r (3.37)
y
hfe . (3.38)
En general, en electrnica no se hace mucho uso del modelo completo del equivalente de
parmetros h en el anlisis o diseo. Sin embargo la hoja datos del fabricante contiene informacin
acerca de los parmetros h. Por ejemplo, la hoja de datos del transistor 2N2222A entrega los valores
de los parmetros h en dos puntos de operacin.
95
3.11 El modelo pi-hbrido.
En la fig. 3.26 se muestra un circuito equivalente de pequea seal para el BJT conocido como el
modelo hbrido. Este modelo es un modelo fsico del transistor, es decir, sus parmetros estn
relacionados con su fsica interna. La resistencia rx, llamada la resistencia de baseextendida,
considera la resistencia hmica de la regin de base. Tpicamente, es pequea comparada a r ,
variando entre 10 y 100 para dispositivos de pequea seal. Este valor es casi independiente del
punto de operacin.
El valor de r es muy grande varios megahoms son tpicos. Por simplicidad, a menudo se
reemplaza por un circuito abierto. A altas frecuencias, estos es an ms justificado debido a que r
es "cortocircuitado" por la impedancia mucho ms baja de C.
La resistencia ro considera (aproximadamente) la pendiente ascendente de la caracterstica
de salida del transistor. De esta manera tiene aproximadamente el mismo rol que hoe del circuito
equivalente de parmetros h. Es decir, se puede escribir
ro 1/ hoe (3.40)
96
(Desafortunadamente, el uso de smbolos no est estandarizado dentro de la comunidad
electrnica). Por ejemplo, la hoja de datos del transistor 2N2222A entrega un valor mximo de Cobo
de 8pF para VCBQ =10V.
Algunas veces la constante de tiempo del circuito RC entre los terminales de base y colector
es dada en la hoja de datos. Por ejemplo la hoja de datos del transistor 2N2222A entrega este valor
denominado como rbCC. Esta constante de tiempo es aproximadamente igual a rxC.
Considerando que C es conocido, se puede utilizar el valor de la constante de tiempo para
encontrar rx.
gmv = ib (3.42)
97
Figura 3.27 Modelo hbrido con rx =0, r=, ro =, y los condensadores reemplazados por circuitos
abiertos. Este modelo aproximado de baja frecuencia es equivalente al modelo r de la fig. 3.25.
Ejemplo 3.10 Utilice la hoja de datos del transistor 2N2222A para determinar el circuito
equivalente hbrido para un transistor tpico 2N2222A en el punto Q: ICQ = 10mA y VCEQ=10V.
De la hoja de datos encontramos que un valor tpico para hfe = es 200. (El rango dado en la hoja
de datos para hfe en este punto de polarizacin es desde 75 a 375.) De la ec. (3.23), tenemos
r= VT/ICQ =20026mV/10mA=520
(La hoja de datos da valores para hie = r en el rango 250 a 1250, lo cual es bastante consistente
con el rango dado para hfe =.)
La hoja de datos da un valor mximo para hre de 4104. Utilizando este valor mximo para
calcular r. De la ecuacin 3.39 da
r r/ hre =520/4104=1.3 M
La hoja de datos da un rango para hoe desde 15 a 200s. Por esto, ro vara desde 5 a 66.7k.
Para VCBQ=10V e IEQ=0, la hoja de datos un valor mximo de que Cobo=C de 8pF. Esta es la
capacitancia de deplexin de la unin de colector y es casi independiente de la corriente de emisor.
La capacitancia depende de VCBQ, pero del punto Q dado en el problema se tiene
VCBQ= VCEQVBEQ 100.6=9.4V
98
el cual es muy cercano a la especificacin de la hoja de datos. Luego tomando el valor mximo
tenemos
C = 8pF
De esta forma se han utilizado los valores de la hoja de datos para encontrar los parmetros del
circuito equivalente hbrido.
Ejercicio 3.11 Suponga que un transistor tiene ft=500MHz =100, y C=4pF. Suponga que ft, ,
y C son independientes de ICQ. (Realmente, esto no es verdadero; en la prctica dependen de ICQ.
Sin embargo, la dependencia no es pronunciada. Considerando constante y ft es una primera
aproximacin razonable, al menos para un rango restringido de corriente. Dibuje rx, C y gm a escala
con relacin a ICQ. Utilice escalas logartmicas para todos los ejes. Grafique para una variacin en
ICQ desde 1 a 100mA.
99
3.12 Amplificador en configuracin Emisor Comn.
Los condensadores de acoplamiento (C1 y C2) son usados para conectar la carga y la fuente de
seal sin afectar el punto de polarizacin. Estos condensadores y el de desacoplamiento (CE) son
elegidos lo suficientemente grandes para que tengan una impedancia muy baja a la frecuencia de
la seal (en anlisis de alterna.) Luego, en un anlisis de pequea seal a frecuencias medias,
estos condensadores son efectivamente cortocircuitos. Sin embargo, a bajas frecuencias estos
condensadores limitan la ganancia del amplificador, y por esto determinan la frecuencia de corte
inferior del amplificador. En alta frecuencia, estos condensadores son cortocircuitos y el modelo
del transistor a utilizar debe ser vlido para alta frecuencia (como el hbrido).
100
3.12.2 Anlisis en Alterna (Con RE1=0.)
Fig. 3.28b Equivalente de pequea seal para el amplificador a frecuencias medias, ntese que todos
los condensadores son coci y que RE1=0.
Luego, sean
RB=R1||R2 =R1R2/(R1 + R2) RL=RL||RC =RCRL/(RL + RC)
Tambin,
vo= RL ic= RL ib (3.47)
101
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida es la impedancia "vista" por los terminales de carga con las entradas
anuladas (equivalente Thevenin.) Esta situacin es mostrada en la fig.3.28c. Con VS=0 no hay
corriente en la base, luego ib=0 y entonces ib=0, y por esto la impedancia "vista" por Vv es slo
RC. Ntese que la fuente de medicin Vv es slo "virtual", es decir, fsicamente no existe ni es
necesaria, entonces
Zo= Vv /iv |con Vs=0 : impedancia de salida.
Z o = RC (3.53)
Solucin:
Reemplazando
ICQ=4.12mA
VCEQ =6.72V
r=VT/ICQ = 631
Resp.:
AV=109, AV0=164 (RL ), Zin=1185, AI=64.5
AP=7030, Z0=1k v0(t)= 76.7sen(t) [mV]
102
3.13 Seguidor de Emisor (configuracin colector comn).
y en la entrada
vin= rib + RL(+1)ib (3.54)
103
Ntese que en esta configuracin la ganancia de voltaje AV es menor a la unidad. Algunas veces
un amplificador con una ganancia menor a la unidad puede ser til debido a que tiene una ganancia
de corriente elevada.
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida es la impedancia "vista" por los terminales de carga con las entradas
anuladas (equivalente Thevenin.) Esta situacin es mostrada en la fig.3.29c. En este caso al anular
la fuente de entrada VS=0, no implica que la corriente de entrada sea nula, esto se puede ver al
plantear las ecuaciones en la fig. 3.29c.
Zo= Vv /iv |con Vs=0 : impedancia de salida. (3.57)
Se necesita relacionar Vv con iv. Para esto se puede plantear una LCK en el nodo de emisor, luego:
ib + ib + iv =Vv/RE (3.58)
Fig. 3.29 c) Circuito equivalente a frecuencias medias, para obtener la Zo. Ntese que en este caso
el colector est conectado a tierra.
Si denotamos por
RS= RS||R1||R2 (3.59)
Luego, relacionando ib con vv se tiene
Vv + rib + RSib =0 (3.60)
104
Ejercicio 3.13 El circuito de la fig. 3.30 se conoce como un amplificador de base comn (la
entrada es por emisor, la salida es por colector). Determine expresiones para la ganancia de voltaje,
resistencia de entrada y resistencia de salida en trminos de , r , y las resistencias.
Ejercicio 3.14 Varios transistores, del tipo npn o pnp son medidos y se determinan los siguientes
voltajes entre sus terminales denominados E, B, C. Identifique el tipo de transistor y su modo de
operacin (corte, saturacin, regin activa directa, inversa):
105
Ejercicio 3.15 Para los dispositivos y situaciones descritos en la siguiente tabla, complete la tabla.
La lnea "a" se da completa a manera de ejemplo.
Dispositivo IC IB IE
# mA mA mA
a 10 0.1 10.1 0.99 100
b 1 50
c 2.0 0.98
d 0.01 0.995
e 110.0 10
f 0.001 1000
Para completar la tabla, es necesario suponer que los transistores estn en la regin activa directa?
Justifique.
Ntese que los transistores como el f) estn construidos con bases muy delgadas en orden de
obtener un alto , pero tienen un voltaje de ruptura inversa reducida.
Resp.: b: 0.02, 1.02, 0.98; c: 1.96, 0.04, 49; d: 1.99, 2.00, 199; e: 100, 10, 0.909; f:
1, 1.001, 0.999.
Figura 3.31
Figura 3.32
106
Ejercicio 3.18 Para el amplificador de 3 etapas mostrado en la figura encuentre la expresin para
la ganancia de voltaje AV y de corrriente AI en trminos de los componentes del circuito. Suponga
que cada transistor puede ser modelado por el equivalente simple mostrado.
RS= R1= R2= RL=1k, gm=0.4 [S] y Ri=1.25k
Figura 3.33
107
3.14 Concepto de recta de carga en continua y alterna.
Para el desarrollo de este problema se har uso de Mathcad como una forma de automatizar las
respuestas y utilizar un software de ingeniera.
Vth VBE 5
IBq := IBq = 1.447 10 ICq := IBq
Rth + ( + 1) RE
3
ICq = 1.447 10
108
Figura 3.35 Recta de carga en continua para la entrada.
109
Anlisis en Alterna:
0.026 3
hie := hie = 1.797 10
ICq
1 3
RCL := RCL = 4.123 10
1 1
+
RC RL
RCL Rth hie 3
Av := Av = 229.373 Zin := Zin = 1.45 10
hie Rth + hie
Zin Av
AI := AI = 3.326
RL
Ap := AI Av Ap = 762.827
v0 v0max 3.54
Dado que vin = vin max = = = 15mV dado que
Av Av 229
vin R + Zin R + Zin v0
vS = iin RS + vin = ( ) RS + vin = ( S )vin = ( S )
Zin Zin Zin Av
vSmax=26.1mV (terico, naturalmente, que pueden haber discrepancias con lo prctico,
especialmente porque en la teora se asume que la caractersticas estticas son homogneas
independientemente del punto de operacin)
Se puede observar que al aumentar, sobre un lmite, el voltaje de entrada el circuito se satura
provocando distorsin en la seal de salida. Por esto existe un voltaje mximo de entrada que
provoca la mxima excursin simtrica a la salida, es decir, mantiene al amplificador operando en
su zona lineal.
111
4 CAPTULO 4 Transistores de Efecto de Campo (FET)
4.1 Introduccin.
Los Transistores de Efecto de Campo (FET) son dispositivos importantes que, al igual que
los BJT, son tiles en amplificadores y circuitos lgicos. En este captulo se describen las
caractersticas externas de varios tipos de FETs, el desarrollo de modelos para circuitos de
polarizacin, y los modelos de pequea seal. Finalmente, se estudian varias aplicaciones de los
FETs en circuitos amplificadores.
Figura 4.1 JFET canaln (JFETn) (a) Estructura fsica simplificada. (b) Smbolo circuital.
112
El voltaje de estrangulamiento VP de un dispositivo dado es el valor de la polarizacin gate a canal
necesario para extender la regin de deplexin completamente a travs del canal. Tpicamente, es
de unos pocos volts en magnitud y es negativo para dispositivos de canal n.
Figura 4.2 La regin de deplexin (no conductiva) se hace ms gruesa mientras se aumenta la
polarizacin inversa entre gate y source.
Figura 4.3 Circuito utilizado para determinar las caractersticas de drain de un JFETn.
113
Sin embargo, para valores ms grandes de vDS , la corriente de drain se incrementa ms y
ms lentamente. Esto se debe a que el terminal del canal ms cercano al drain est polarizado
inverso por el voltaje vDS. A medida que vDS aumenta, la capa de deplexin se hace ms ancha,
haciendo que el canal tenga una resistencia ms alta, como se ilustra en la fig. 4.5. Despus que se
alcanza el voltaje de estrangulamiento, la corriente de drain se mantiene aproximadamente
constante para aumentos adicionales en vDS.
El flujo de corriente produce una cada de voltaje a lo largo del canal (particularmente en
el terminal de drain, donde el canal es muy angosto). As el voltaje entre el canal y el gate vara a
lo largo del canal. En el terminal de drain del canal, la polarizacin de la unin gate a canal es
vGD=vGS vDS. En el terminal del source del canal, la polarizacin gate a canal es vGS. Esta es la
razn para el adelgazamiento del espesor de la regin de deplexin mostrado en la fig. 4.5.
Figura 4.4 Corriente de drain (iD) versus voltaje drain-source (vDS) cuando el voltaje entre gate-source
(vGS) es cero.
Figura 4.5 JFETn para vGS=0. (a) El canal se hace ms angosto a medida que vDS aumenta. (b) La
corriente (iD) est restringida a una banda muy angosta, para vDS >|VP|.
114
Una familia completa de caractersticas de drain de un JFET a pequea seal es mostrada
en la fig. 4.6. Para valores negativos de vGS , la unin gate-canal est polarizada inversa an con
vDS = 0. As la resistencia inicial del canal es ms alta. Esto es evidente en la fig. 4.6 debido a que
la pendiente inicial de las curvas es ms pequea para valores de vGS ms cercanos al voltaje de
estrangulamiento (VP). Por esto, para pequeos valores vDS , el FET se comporta como una
resistencia entre drain y source. Adems, el valor de la resistencia la controla vGS. Si vGS es menor
que el voltaje de estrangulamiento, la resistencia llega a ser un circuito abierto, y en este caso se
dice que est en corte.
Como en el caso con vGS=0, la corriente de drain para otros valores de vGS eventualmente
llega a ser constante cuando vDS es elevado, debido al estrangulamiento en el terminal drain del
canal. La regin donde la corriente de drain es constante es llamada la regin de saturacin o regin
de estrangulamiento. (Esta es una seleccin desafortunada de terminologa debido a que la regin
de saturacin en un BJT es cercana al eje de corriente. La regin de saturacin del FET corresponde
a la regin activa del BJT). La regin para la cual iD depende de vGS es llamada la regin Lineal o
la regin Triodo del FET. Estas regiones son indicadas en la fig. 4.6.
115
4.3.2 Regin Triodo.
La constante K tiene unidades de corriente por volt2 [A/V2]. El estudio de esta ecuacin para un
valor fijo de vGS muestra que esta describe una parbola que pasa por el origen del plano iD vGS.
Ms an, el pice de la parbola est en el lmite entre la regin de Triodo y Saturacin.
116
4.3.4 Lmite entre las regiones de Triodo y Saturacin.
La ecuacin que determina los lmites entre la regin de Triodo y de saturacin en el plano
iD vDS se puede derivar considerando que como vGD=VP define los lmites entre las regiones, se
necesita encontrar iD en trminos de vDS bajo la condicin que vGD=VP. Ya que vGD= vGS vDS, la
condicin de los lmites es dada por
vGS vDS= vGD= VP (4.9)
Resolviendo esta ecuacin para vGS , sustituyendo en la ec. (4.8), y reduciendo, tenemos que la
ecuacin para el lmite es
iD= KvDS2 (4.10)
Resolviendo la ecuacin (4.9) para vDS y sustituyendo en la ec. (4.5) tambin se encuentra la ec.
(4.10). Note que los lmites entre la regin de Triodo y la de Saturacin es una parbola, la cual es
mostrada en lnea segmentada en la fig. 4.6.
Luego, si se conocen los valores de IDSS y VP, entonces se pueden determinar las
caractersticas estticas del JFET.
Ejemplo 4.1 Un JFETn tiene IDSS =18mA y VP=3V. Dibuje las caractersticas iDvDS y de iDvGS.
Solucin:
De la ecuacin 4.12 encontramos el valor de K,
K=2 [mA/V2]
Luego la ecuacin (4.10) da el lmite entre la regin de Triodo y la de saturacin. De esta manera
se tiene,
iD= 2vDS2
donde iD est en mA y vDS en V. El dibujo de est ecuacin est con lnea segmentada en la fig.
4.8.
117
Tabulando los resultados se tiene:
vGS [V] iD [mA]
0 18
1 8
2 2
3 0
Estos valores son vlidos en la regin de saturacin como se muestra en la fig. 4.8.
Figura 4.8 Caractersticas iDvDS del JFETn con IDSS =18mA y VP=3V.
118
Figura 4.9 Caractersticas iDvGS del JFETn con IDSS =18mA y VP=3V.
4.3.6 Ruptura.
Las ecuaciones estudiadas no modelan algunos efectos del dispositivo. Un ejemplo de estos
efectos ocurre si la polarizacin inversa entre gate y canal llega a ser demasiado grande entonces
la unin experimenta ruptura inversa y la corriente de drain aumenta muy rpidamente.
Generalmente, la mayor polarizacin inversa est en el terminal de drain del canal, as la ruptura
ocurre cuando vDG excede la magnitud del voltaje de ruptura VB. Como vDG= vDS - vGS , la ruptura
ocurre a valores ms pequeos de vDS cuando vGS toma valores cercanos al estrangulamiento. Esto
se ilustra en la fig. 4.10. Naturalmente se debe evitar operar el JFET en la regin de ruptura.
Figura 4.10 Si vGD excede el voltaje de ruptura VB la corriente de drain se incrementa rpidamente.
119
4.4 MOSFETs (Metal oxide Semiconductor FET).
El MOSFET de deplexin tiene caractersticas de salida casi idnticas a las del JFET, pero
su construccin es algo diferente Fig. 4.11a. Un delgado canal de semiconductor tipon,
generalmente silicio, conecta el source y drain. Sobre el canal hay una capa de material aislante tal
como dixido de silicio. Sobre el aislante hay una capa de metal (Aluminio o silicio policristalino)
que forma el gate. La regin p es llamada el sustrato o el cuerpo.
(a) (b)
120
4.4.2 MOSFET de Mejoramiento (Enhancement MOSFET).
No hay flujo de corriente en el canal n del dispositivo de mejoramiento para vGS menor que
un cierto valor positivo conocido como el voltaje umbral, el cual es denotado como Vth. La
ecuacin que se obtuvo para la corriente de drain del JFET se aplica al MOSFET de mejoramiento
si el voltaje de estrangulamiento VP (negativo) es reemplazado por el voltaje umbral Vth (positivo).
(a) (b)
La fig. 4.13 muestra la corriente de drain versus vGS para los tres tipos de FETs de canal n.
Note que el parmetro IDSS, el cual es til para caracterizar los JFETs y MOSFETs de deplexin,
no se aplican para MOSFET de mejoramiento. Para un MOSFET de mejoramiento, los valores de
K y Vth son necesarios para su caracterizacin.
121
(a) (b) (c)
Figura 4.13 Corriente de drain versus vGS en la regin de saturacin para dispositivos de canal n.
En la regin de saturacin, la corriente de drain es dada por la ecuacin (4.8) (con VP reemplazada
por Vth).
iD = K(vGS Vth)2= 0.2(vGS 2)2
Evaluando se tiene:
vGS [V] iD [mA]
2 0
4 0.8
8 7.2
12 20
122
Figura 4.14 Caracterstica iD versus vGS del MOSFETn de mejoramiento del ejemplo.
Para dibujar las caractersticas de drain, primero se obtiene los lmites entre las regiones de
Triodo y saturacin usando la ec. (4.10), es decir
123
Figura 4.15 Caracterstica de drain del MOSFETn de mejoramiento del ejemplo.
124
4.5 Los circuitos de Polarizacin.
125
Figura 4.17 Caracterstica iDvGS de dispositivos de la misma denominacin con variaciones extremas
entre sus parmetros. La polarizacin con un VGSQ fijo resulta en grandes variaciones de IDQ.
Ejemplo 4.3: el transistor 2N4221 tiene IDSS=5mA y VP=3.5V, para el circuito de polarizacin
fija de la fig. 4.16 determine el valor de Vgg para que el transistor tenga una IDQ=1mA. Si Vdd=12V
y Rd=5k, calcule VDSQ.
Solucin:
Luego,
VDSQ=12 1mA5k=7V
Con estos resultados se puede decir que los puntos de operacin en las caractersticas del JFET
son:
126
4.5.2 Circuito de Autopolarizacin (self bias).
En este circuito generalmente la resistencia Rg es de un
valor elevado (varios megaohms) de tal manera que el
voltaje de polarizacin en el terminal de gate es el de
tierra (nulo). Adems, la corriente que circula en el gate
es muy pequea (1 nA menos) luego, la cada de
voltaje a travs de Rg es despreciable.
Las curvas del dispositivo mostradas en la fig. 4.19 son vlidas slo si el dispositivo opera
en la regin de saturacin. Generalmente, en circuitos amplificadores con JFET es deseable la
operacin en la regin de saturacin. Sin embargo, se debe comprobar que VDSQ es lo
suficientemente grande para que opere en esta regin, antes de aceptar los resultados basados en
este anlisis.
127
Figura 4.19 Anlisis grfico del circuito de auto-polarizacin. Las variaciones de parmetros entre
dispositivo y dispositivo son mucho menores que para el caso de polarizacin fija.
Ejemplo 4.4 Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene IDSS=5mA y VP=
3.5V (JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA. Utilice
valores estndares de resistencias con 10% de tolerancia.
Solucin:
Se deben especificar los valores de Rg y Rs. El valor de Rg no es crtico en lo referido a la
polarizacin, sin embargo un valor desde cero hasta 10M es razonable. Generalmente, no se
disea un circuito de polarizacin sin alguna idea acerca de las especificaciones de alterna, las
cuales daran una indicacin para elegir valores adecuados de Rg. Sin esta informacin,
arbitrariamente podemos elegir Rg=1M.
Considerando que el dispositivo opera en la regin de saturacin, los valores del punto Q
deben satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K(vGS VP)2
Ejemplo 4.5. Analizar el circuito anterior utilizando la resistencia estndar. Repetir el anlisis
utilizando un dispositivo con alta corriente que tiene IDSS=10mA y VP= 7V.
Solucin:
Primero, del ejemplo anterior tenemos IDSS=5mA, VP= 3.5V (K=0.4082mA/V2), Rd=2.2k,
Vdd=20V y el valor de la resistencia estndar encontrado es Rs=390. Como
VGSQ = IDQRs
y como el JFET opera en la regin de saturacin, entonces el punto Q est relacionado con la
ecuacin 4.8.
IDQ = K(VGSQ VP)2
Reordenando se obtiene,
VGSQ2+ [(1/ RsK) 2VP]VGSQ + VP2=0
Antes de aceptar estos resultados, se deberan revisar para asegurarse que el transistor est
en la regin de saturacin como se asumi.
En efecto, con vGS=VGSQ=0.997V, el transistor est en saturacin mientras vDS
(VDSQ=13.38V) es mayor que vGS VP=2.503V. Por esto el transistor est efectivamente en la
regin de saturacin.
129
Repitiendo los clculos para el transistor de alta corriente,
K=IDSS/VP2=10mA/(7)2=0.2041 mA/V2 , luego se llega a la siguiente ecuacin,
VGSQ2+ 26.563VGSQ + 49=0
Se puede observar que la variacin de corriente al utilizar dos dispositivos con variaciones
extremas entre sus parmetros es IDQ=5.1132.556=2.557mA. Ahora, como el circuito fue
diseado para un IDQ=2.5mA se puede afirmar que al utilizar el resistor estndar ms cercano a
nuestro valor de diseo hay un error de (2.5562.5)/2.5=+2.24% del IDQ. Y al utilizar un transistor
con variacin extrema de parmetros el error en la corriente de polarizacin es de
(5.1132.5)/2.5=+104.52% de IDQ, es decir, la variacin en IDQ es de ms del doble.
Ejercicio 4.3: Un circuito de autopolarizacin es utilizado por un JFETn que tiene IDSS=16mA,
VP= 4V. Si Rg=100k, Rd=1k, Vdd=20V, y la polarizacin de corriente debe ser IDQ 5mA.
Determinar los valores estndar con tolerancia de 5% para el Rs con el que se consiguen mejor las
especificaciones dadas.
Resp.: Rs=353 y el valor ms cercano con tolerancia del 5% es 360.
Ejercicio 4.5: Encuentre el valor ms grande de Rd que puede ser usado en el circuito anterior si
el transistor permanece en la regin de saturacin.
Resp.: Rdmax 20.1k
130
4.5.3 Circuito de Polarizacin fija y Autopolarizacin ( por divisor de voltaje)
Ahora, como el voltaje a travs de Rg es cero (Ig0) y considerando que el transistor est en la
zona de saturacin, tenemos
iD = K(vGSQ VP)2 (4.19)
Combinando las ecuaciones 4.18 y 4.19, y resolviendo se obtiene el punto de operacin (siempre
que este dentro de la regin de saturacin). La tensin vDS se encuentra planteando LVK a travs
del circuito de drain.
vDS =Vdd (Rd+Rs)iD
La fig. 4.21 muestra la solucin grfica de las ec. 4.18 y 4.19. Ntese que valores altos de Vgg
resulta en pequeas variaciones de IDQ para dispositivos con variaciones extremas de sus
parmetros. Ya que valores altos de Vgg hacen que la recta de polarizacin (ec. 4.18) sea ms
horizontal. (Tambin se puede observar que Vgg=0 corresponde al circuito de autopolarizacin).
Sin embargo, Vgg no se debe elegir demasiado alto ya que esto eleva la cada de voltaje en Rs, y
voltaje suficiente debe repartirse en vDS y Rd.
131
Figura 4.21 Solucin grfica para el circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin. Ntese que para
dispositivos con variaciones extremas de sus parmetros, las variaciones en IDQ son ms independientes
del dispositivo si Vgg es grande.
Ejemplo 4.6: Disee un circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin para el JFET del
ejemplo 4.4, el cual tiene: IDSS=5mA y VP= 3.5V (JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El
circuito debe tener IDQ=2.5mA. Disee para Vgg5V.
Solucin:
Se deben especificar R1, R2, y Rs. Como Vgg5V es especificado y Vdd=20V, entonces
Vgg=20R2/(R1+R2)=5V
Luego, escogiendo un valor estndar para R2, por ejemplo R2=1M R1=3M
Esta eleccin es algo arbitraria. En algunos casos las especificaciones de alterna pueden forzar una
eleccin particular. A menos que exista algn motivo para elegir resistencias pequeas, se prefiere
seleccionar resistencias de valores elevados debido a que consumen menos.
Como K=IDSS/VP2=0.4082mA/V2
VGSQ= 1.0252V
Para este punto Q se debe satisfacer la ec. 4.18, de tal manera que
Vgg=VGSQ + RsIDQ
5= 1.0252 +Rs2.5m
Rs=2410 , cuyo valor estndar de 10% de tolerancia es Rs=2.2k.
Ejemplo 4.7 Analizar el circuito diseado en el ejemplo anterior (utilizando la resistencia estndar
ms cercana a nuestro valor de diseo). Repetir el anlisis para un dispositivo de alta corriente que
tiene IDSS=10mA y VP= 7V.
Solucin:
Del ejemplo anterior
132
K=0.4082mA/V2 , VP=3.5V, Vdd=20V, Rd=2.2k, Rs=2.2k (resistencia estndar ms
cercana a nuestro valor de diseo)
El punto Q debe satisfacer las ecuaciones 4.18 y 4.19. Resolviendo ambas ecuaciones:
Vgg=VGSQ + RsID
ID = K(VGSQ VP)2
Reemplazando y ordenando,
VGSQ2 + [ 1/(RsK) 2VP]VGSQ + VP2 Vgg/(RsK)=0
Sustituyendo los valores y utilizando la resistencia estndar (Caso a), tenemos
VGSQa2 + 8.113VGSQa + 6.683=0
Resolviendo,
VGSQ1a=0.930V y VGSQ2a=7.183V. La segunda raz se descarta. Luego
IDQa = K(VGSQ1a VP)2 = 2.696mA
Si se repiten los clculos para otro transistor (Caso b) (con variacin extrema de
parmetros), se encuentra
K=0.2041mA/V2, IDSS=10mA y VP= 7V; Rd=2.2k, Rs=2.2k, Vdd=20V
VGSQb2 + 16.227VGSQb + 37.865=0
Resolviendo,
VGSQ1b=2.825V y VGSQ2b=13.400V. La segunda raz se descarta. Luego
IDQb = K(VGSQ1b VP)2 = 3.558mA
VDSQb =Vdd (Rd+Rs)IDQb=4.345V (VDSQb > VGSQb VP=4.175) por lo que efectivamente est en
saturacin).
Se puede observar que la variacin de corriente al utilizar dos dispositivos con variaciones
extremas entre sus parmetros es IDQ= IDQb IDQa=3.5582.696=0.862mA.
Ahora, como el circuito fue diseado para un IDQ=2.5mA se puede afirmar que al utilizar el
resistor estndar ms cercano a nuestro valor de diseo (Caso a) hay un error de
(2.6962.5)/2.5=+7.84% del IDQ. Y al utilizar un transistor con variacin extrema de parmetros
(Caso b) la variacin % en la corriente de polarizacin aumenta a (3.5582.5)/2.5=+42.32% de
IDQ, es decir, la variacin en IDQ es menos de la mitad.
133
Tabla 4.2 Tabulacin de los resultados del ejemplo 4.6 y 4.7.
Como se puede observar, la variacin ms grande en IDQ es del orden del 42% en la
polarizacin por divisor de tensin. Sin embargo, en la autopolarizacin la variacin ms grande
en IDQ es del orden de 104%. Con este ejemplo se puede visualizar que el circuito de polarizacin
por divisor de voltaje mantiene una corriente de drain aproximadamente constante.
Ejercicio 4.6: Disee un circuito de polarizacin para un MOSFET de mejoramiento que tiene
Vth=4V y K=103 A/V2. La fuente de alimentacin es Vdd=15V. Se desea el punto Q en VDSQ5V e
IDQ5mA. El circuito a utilizar debe ser uno en que la salida se obtiene en el terminal de drain.
Resp.: Circuito por divisor de tensin, s se elige R1+R2=1.5M, R1=380k y R2=1.12M.
Rd no puede ser cero, porque la salida es por drain, se elige Rd=Rs=1k.
Ejercicio 4.7: En el ejercicio anterior, a) determine IDQ y VDSQ. b) Repita para un MOSFET de
mejoramiento que tiene Vth=5V y K=2 mA/V2.
Resp.: a) IDQ =4.87mA, VDSQ =5.27V; b) IDQ =4.56mA, VDSQ =5.87V.
Ejercicio 4.9: Determine el mayor valor de Rd que puede ser utilizado en el ejercicio anterior para
que el MOSFET permanezca en saturacin. Considere que R1 y R2 permanecen fijos.
Resp.: Rdmax=3.91k.
134
4.6 Circuito equivalente de pequea seal del FET.
En las secciones anteriores, se han considerado los circuitos de polarizacin para FET. Ahora se
consideraran las relaciones entre las seales de corrientes y voltajes para pequeos cambios en
torno al punto Q.
Las ecuaciones 4.25 y 4.26 pueden ser representadas por el circuito equivalente de pequea seal
mostrado en la fig. 4.22. De esta manera el FET es modelado mediante una fuente controlada de
corriente conectada entre los terminales de drain y source.
135
Figura 4.22 Circuito equivalente de pequea seal del FET.
Resolviendo la ec. (4.22) para la cantidad (VGSQ VP) y sustituyendo en la ec. 4.24,
gm = 2 K IDQ (4.27)
Algunas veces, se requiere un modelo ms completo para el FET. Por ejemplo, para
considerar la respuesta en alta frecuencia se incluye pequeas capacitancias entre los terminales
del dispositivo. Las ecuaciones del dispositivo y el circuito equivalente que se derivan slo
describen el comportamiento esttico del dispositivo. Para corrientes y voltajes de alta frecuencia,
se requieren capacitancias adicionales para un modelo preciso.
Ms an, las ecuaciones de primer orden encontradas para el FET no incluyen un trmino
para considerar el pequeo efecto de vDS en la corriente de drain. Anteriormente, se ha considerado
que las caractersticas de drain son horizontales en la regin de saturacin, pero esto no es exacto,
la caracterstica de drain tiene una ligera pendiente con el incremento en vDS. Si se quiere considerar
el efecto de vDS en el circuito equivalente de pequea seal se puede considerar el siguiente
desarrollo: Dado que la corriente de Drain es una funcin del voltaje gatesource, vGS, y del voltaje
drainsource, vDS, utilizando una aproximacin de primer orden se tiene:
iD=f(vGS, vDS)
iD iD
iD = vGS + vDS (4.29)
vGS VDS
vDS VGS
luego
= gmrd (4.34)
La ec. (4.30) aplicada a un dispositivo de tres terminales como el FET define el equivalente
circuital mostrado en la fig. 4.23.
Figura 4.23 Circuito equivalente de pequea seal que considera la dependencia de la corriente
id del voltaje vDS.
Sin embargo, id , vgs , y vds representan pequeos cambios en torno al punto Q. Por esto, la
condicin vds=0 es equivalente a que vDS sea constante en el punto Q, VDSQ. Luego
137
iD
gm (4.36)
vGS v =V
DS DSQ
Dadas las caractersticas de drain, se pueden aproximar valores de las derivadas parciales.
Luego se puede modelar el FET por un circuito equivalente de pequea seal en el anlisis de un
circuito amplificador.
Ejemplo 4.8: Dadas las caractersticas de drain del transistor 2N4222A determine los valores
aproximados de gm y rd en el punto Q definido por VGSQ= 0.5 y VDSQ=10V.
Solucin:
Localizando el punto Q en la fig. 4.24, evaluamos gm.
iD
gm
vGS v =V
DS DSQ
Es decir, se debe hacer un cambio en el punto Q mientras se mantiene vDS constante. Por esto, el
cambio incremental se hace a lo largo de una lnea vertical a travs del punto Q.
138
Figura 4.24 Determinacin de gm y rd para el transistor 2N42222A en el punto Q dado por VGSQ=0.5V
y VDSQ=10V.
Como el cambio incremental se debe efectuar mientras vGS se mantiene constante, los
cambios son hechos a lo largo de la curva caracterstica a travs del punto Q. Luego 1/rd es la
pendiente de la curva a travs del punto Q. Para vGS=VGSQ=0.5V, se obtiene iD 6mA cuando
vDS=12.08V, e iD 5.85mA a vDS =7V . Luego
1 iD 6 5.85 015
. mA
= = =0.02953mS
rd v DS v = V 12.08 7 5.08V
GS GSQ
Es decir, rd=33.87k
139
4.9 Anlisis del Circuito equivalente de pequea seal.
4.9.1 Amplificador de Source-comn ( fuente comn).
El circuito equivalente de pequea seal se muestra en la fig. 4.26. Los condensadores han
sido reemplazados por cortocircuitos. El FET ha sido reemplazado por su equivalente de pequea
seal.
Figura 4.26 Equivalente de pequea seal para el amplificador sourcecomn a frecuencias medias.
Ganancia de voltaje:
1
Sea RL= rd ||RD ||RL =
1 / rd + 1 / RD + 1 / RL
140
Del circuito se observa que
Resistencia de Entrada.
Resistencia de Salida.
Debido a que no hay fuente conectada al lado de la entrada del circuito, se tiene que vgs=0,
luego id= gm vgs=0, por lo tanto
Zo= vv /iv = rd||RD (4.44)
Ejemplo 4.9 Determine el gm para un circuito source-comn como el de la fig. 4.25, donde RD
=2.7k, RG =1M, R=100k, RL=10k, y vf(t)=0.1sen(2000t) [V]. IDSS= 8mA, VP= 2V,
rd=, e IDQ=2mA. Considere VDD=15V.
Solucin:
I DSS I DQ
gm = 2 = 4mA/V
VP
141
Ejercicio 4.11: Determine la ganancia de voltaje del amplificador de la fig. 4.25 s RL es
reemplazada por un circuito abierto.
Resp.: AV0=10.8
El circuito amplificador con FET seguidor de source source comn se muestra en la fig.
4.28. La seal a ser amplificada la suministra la fuente Vf, que tiene una resistencia interna R.
Mediante el condensador de acoplamiento C1 se acopla la seal al gate del FET. El condensador
C2 conecta la carga al terminal source del FET. (En el anlisis a frecuencias medias se considera
que los condensadores de acoplamiento se comportan como cortocircuitos.) La resistencia RS
provee una trayectoria para la corriente continua que fluye del terminal source del FET.
La resistencia RG provee una trayectoria para la corriente de fuga del gate. Una razn para utilizar
un seguidor de source es para obtener una alta impedancia de entrada, y debera elegirse un alto
valor para RG. Las resistencias ms grande disponibles estn en el orden de los 10 M. An con
estos valores de resistencia, la cada de voltaje continuo generalmente es despreciable, de manera
que se considera que el voltaje gatesource es nulo. Como un resultado, el valor de la corriente de
polarizacin es IDQ=IDSS. Debido a que IDSS tiene considerables variaciones entre dispositivos, la
corriente de polarizacin de este circuito no est bien controlada. (Esta situacin puede ser
corregida conectando RG a tierra, pero esto produce un reduccin significativa de la resistencia de
entrada.)
142
Circuito equivalente de Pequea seal.
Ganancia de voltaje.
Del circuito de la fig. 4.29 se observa que rd, RS y RL estn en paralelo. Luego s,
RL= rd||RS||RL (4.45)
La corriente de entrada iin debe fluir a travs de RG. Por esto, la corriente que fluye a travs de
RL es iin + gmvgs. Por esto,
De esta expresin, se tiene que la ganancia de voltaje es positiva y menor que 1. Sin embargo, en
la mayora de los circuitos es slo ligeramente menor a la unidad.
143
Resistencia de entrada.
De aqu se observa que la resistencia de entrada puede ser muy grande comparada a RG.
Resistencia de salida.
Este valor es muy bajo, y esta es otra razn para utilizar un seguidor de source.
Ejercicicio 4.14: Dados los FETs que se indican, complete la siguiente tabla:
144
Ejercicicio 4.15: Un MOSFET de deplexin canaln con K=1mA/V2, y Vt=4V es operado bajo
diversas condiciones de operacin como se establece parcialmente en la tabla. Complete la tabla.
Resp.: a: -4V, 5V, corte, 0 mA; b: -2V, 3V, 4mA; c: 0V, 5V, saturacin, 16mA; d: 0V, 2V, triodo,
12mA, e: -1V, 4V, lmite de saturacin; f: 2V, 5V, 35mA; g: 2V, 0V, triodo, 20mA; h:
-2V, 2V, 20mA.
Figura 4.31
145
Ejercicicio 4.18 Dados dos JFET-n con parmetros IDSS=6mA,
VP= 2.5V. Determine VDS1, VDS2, e ID2 para el circuito indicado.
Figura 4.33
Ejercicicio 4.19 Usando el modelo del FET de baja frecuencia mostrado en la fig. 4.34a. Derive y
compare la ganancia de voltaje y la resistencia de salida para las configuraciones de amplificadores
mostradas en las fig. 4.34 b y c.
Figura 4.34
146
Ejercicicio 4.20 Disee un amplificador Mosfet de una etapa como el mostrado que tenga una
ganancia de voltaje de 8, y las condiciones del punto Q son IDQ=5mA, VDSQ=5V. Los parmteros
del transistor son IDSS=8mA, VP= 3V y rd=12k. Considere que todos los condensadores son muy
grandes.
Figura 4.35
Figura 4.36
Ejercicicio 4.22 Determine la ganancia de voltaje para el circuito que se indica. Los transistores
son descritos por los siguientes parmetros:
BJT: hfe= = 150, hie=2.6k, hoe1=132k y en el punto Q se obtuvo:
ICQ=1.515mA, VCEQ=6.21V
MOSFET: : IDSS=2mA, VP= 2V, gm=2mA/V, rd=50k y en el punto Q
IDQ=2mA, VDSQ=14V
147
Resp: AV= (hfeRC/RX)( gmR1||RX||rd)=( 25.78)( 0.985)=25.4
donde RX=hie+(hfe+1)RC
Desarrollo:
Primero se reemplazan los equivalentes de cada dispositivo en el circuito, y el circuito queda de
la siguiente manera:
Reordenando el circuito:
148
V0 = ib ( RC )
rd R1
VRd1 = ( ib gmVi ) Rd1 donde Rd1 =
rd + R1
Despejando Vi de la ecuacin:
1 VRd1
Vi = ib R
gm d1
1 ib ( + 1) RE + hie ib ( + 1) RE + hie
Vi = ib + = 1 +
gm Rd 1 g m Rd 1
rd R1
Donde : Rd1 = = 500
rd + R1
Nota: en los ejercicios resueltos de pruebas anteriores se da una solucin un poco diferente.
149
5 CAPTULO 5 Amplificadores Operacionales y Comparadores
a. Introduccin.
El amplificador operacional es uno de los dispositivos electrnicos integrados ms verstiles que
se utilizan en la rama de la electrnica. Se puede considerar una clula fundamental de los sistemas
electrnicos. Es robusto, barato, accesible y muy poderoso.
R0
ii
i0
+ + +
Ri Avovi RL v0
vS vi _ _
Amplificador de Voltaje
Ejem: Una fuente de voltaje de 1mV rms con una resistencia interna de 1M, es conectada a un
amplificador de voltaje que tiene una ganancia de circuito abierto de 104, una resistencia de entrada
de 2M, y una resistencia de salida de 2. La resistencia de carga es de 8. Encuentre la ganancia
del amplificador, total del sistema, de corriente y de potencia.
Desarrollo:
Avo=104
R0 =2, Ri =1M
RL=8 y RS=1M
v Av 0
Av = 0 = = 8000
vi (1 + R0 RL )
v0 Av 0 1
AvT = = =5333
vS (1 + R0 RL ) ( RS Ri + 1)
i0 Av 0
Ai = = Ri =2109
ii ( RL + R0 )
AP=161012
Amplificador
v0=Ad(vi1-vi2)
Diferencial
vi1
vi2
151
En un Amplificador diferencial se tiene que :
v0(t)=Ad [vi1(t)-vi2(t)]
= Ad vi1(t)- Ad vi2(t)
Ntese que la ganancia es positiva para el voltaje aplicado al terminal 1 y negativa para el voltaje
aplicado al terminal 2. Por esto, el terminal 2 se llama entrada inversora, y el terminal 1 es llamado
entrada no-inversora.
La diferencia entre los voltaje de entrada es conocido como la entrada diferencial vid.
vid= vi1 -vi2
Luego se puede describir la salida del amplificador diferencial como
v0(t)=Ad vid
1
vid /2
vi1 2
vicm
vid /2
vi2
2
Figura 5.3 Equivalente del amplificador diferencial considerando la ganancia de modo diferencial y de
modo comn.
Entonces el voltaje
Se define la razn de rechazo de modo comn, CMRR (common-mode rejection ratio) como:
= !
, en decibeles, $ = 20'() !
"# "#
,/0 -/0 1 -/0
*+ = ,$ -$ .1 + 1 = ,$ -$ .1 + 1
,$ -$ -$
El CMRR de un amplificador es funcin de la frecuencia, siendo ms bajo a medida que la
frecuencia es elevada. A 50Hz, un CMRR de 120dB es considerado bueno.
152
Figura 5.4 Caso tpico de existencia de voltaje de modo comn. [Hambley, 94]
Figura 5.5 Smbolo electrnico o esquemtico para el AO, tambin se detalla que estos AO deben estar
polarizados por fuentes externas.
153
Figura 5.6 Esquemtico y detalle conexiones del integrado en la hoja de datos del fabricante (datasheet).
154
Para obtener la ganancia de voltaje ms alta posible para el amplificador diferencial se usa una
carga espejo de corriente (Q3, Q4). (Ya que la ganancia de voltaje es A=Rc/(hfehie))
Puesto que Q3 acta como un diodo, tiene una impedancia baja, luego la carga de Q1 aparece como
un corto de ca. Q2, por otro lado, acta como una fuente de corriente pnp. Por lo tanto, en Q4
aparece una Rc equivalente alta.
La salida del amplificador diferencial (colector de Q2) excita a un seguidor de emisor (Q5). Esta
etapa eleva el nivel de la impedancia para evitar sobrecargar el amplificador diferencial. La seal
que sale de Q5 va hacia Q6, el cual es un excitador de clase B.
La ltima etapa es un emisor seguridad en contratase (push-pull) de clase B (Q9 , Q10). Puesto que
la alimentacin bipolar (+Vcc, -Vee son iguales) entonces la salida sin seal idealmente es cero.
(en la realidad es distinta de cero ya que existe un voltaje de offset).
Q11 y Q12 son cargas de espejo de corriente para el excitador de clase B (carga activa).
Ntese que se usa acoplamiento directo (en continua) entre todas las etapas. Por esto no existe la
frecuencia inferior de corte. En otras palabras un AO es un amplificador de continua porque opera
desde la frecuencia cero, equivalente a continua.
Cargas activas
Existen dos ejemplos de cargas activas (transistores (hoe) en vez de resistores como carga). Hay
una carga dada por Q3 y Q4. Y otra en la etapa de excitacin (Q11, Q12). Puesto que las fuentes
tienen impedancias altas, las cargas activas producen una ganancia de voltaje mucho ms alta que
la que se puede producir con resistores. Estas cargas activas producen una ganancia de voltaje tpica
de 100,000 para el 741.
Condensador de Compensacin
Debido al efecto Millar este condensador (30pF tpicamente) tiene un fuerte efecto en la respuesta
en frecuencia. Cc es parte de una red de atraso en la base que atena la ganancia de voltaje a razn
de 20dB/dec. Esto es necesario para evitar las oscilaciones (una seal indeseada producida por el
amplificador).
Av(V2-V1)
155
5.5 Modelo del AO Ideal
Si bien el modelo de primer orden es una aproximacin bastante efectiva, pero dado que la ganancia
es extremadamente alta, la impedancia de salida es pequea y la de entrada es extremadamente
grande. Por esto generalmente se utiliza el modelo ideal del AO. El cual tiene las siguientes
caractersticas:
1. Resistencia de entrada infinita, Ri
2. Resistencia de salida nula, R0=0
3. Ganancia de tensin, Av
4. Ancho de banda BW infinito, BW
5. Equilibrio perfecto V0=0 cuando v2=v1
6. No existe desviacin de las caractersticas con la temperatura.
tierra virtual!
Como la impedancia de salida es muy Figura 5.9 Modelo ideal del AO.
pequea,
R0=0 v0 =A0(v2v1)
Ntese que v0 es finito y est comprendido entre los valores de la fuente de polarizacin VEE
< v0 < VCC
Tambin que i0 puede tener cualquier valor y sentido. Adems, la energa extra obtenida en
la salida, proviene de las fuentes de alimentacin externas (como en las mayoras de las
notaciones VEE y VCC ).
156
v0
que Av vi=(V+V)= 0, es decir, dado que la ganancia es muy grande, para
Av
que la salida sea acotada implica que la entrada es muy pequea.
-VEE/A
-VEE
157
5.6 Circuitos con AO ideales
El anlisis de circuitos con AO es bastante eficaz al utilizar el modelo del AO ideal. Por los motivos
que se expusieron en el punto anterior. Por ejemplo, en el circuito de la fig. 5.11 se muestra un
circuito tpico de una AO realimentado negativamente.
Ejemplo 5.2:
V + = v0
V + = v S = v0
Por esto se le llama seguidor (follower)
o Buffer a este circuito.
Tambin, adaptador de impedancia.
Este circuito es muy importante porque permite acoplar circuitos sin stress para la fuente
de seal vS.
Ejemplo 5.3:
vS
iS = v0 = i0 RL
RS
RL
v0 = vS
RS
159
Ejemplo 5.4:
ii = 0 v f = vS
R2
vf = v0 ( iR = iR )
R1 + R2 1 2
R1 + R2
v0 = vS
R2
independiente de RL!
Ejemplo 5.5
ii = 0 v f = vS
vf = if Rf ( i R = i0 = i R )
L f
v0 = i0 RL
RL
v0 = vS
Rf
Ejemplo 5.6
ii = 0 i f = iS
v f + v0 = 0 (LVK)
v0 = R f iS
Independiente de RL!
(Fuente de voltaje
controlada por corriente)
160
Ejemplo 5.7
6 6 6
*+ = 5( *3 + *4 + + * )
3 4 8 8
Si 3 = 4 = 9 =. . = 8
Entonces,
6
*+ = 5 (*3 + *4 + + *8 )
3
Sumador
Ejemplo 5.8.
vO 2 v2
V = R1 = V+ = R4
R1 + R2 R3 + R4
R4 ( R1 + R2 )
vO2 = v2
R1 (R3 + R4 )
S R1 = R3 R2 = R4
R2
vO 2 = v2
R1
Figura 5.19 Amplificador no-inversor.
Ejemplo 5.9.
(vO v1 ) v2
V = R1 + v1 = V+ = R4
R1 + R2 R3 + R4
S R1 = R3 R2 = R4
R2
vO = (v2 v1 )
R1
Ejer. : Analice lo que ocurre al considerar el efecto del voltaje de modo comn.
3
*3 = *;< + 4 *$
3
*4 = *;< 5 4 *$
161
Ejemplo 5.10.
(*-4 5 *-3 )
43 =
23
Luego el voltaje *+4 5 *+3 = 43 (4 + 23 + 4 )
(=>? @=>A )
Entonces *+4 5 *+3 = 4BA
(23 + 24 )
162
Ejercicio 1: determinar v0.
4
*+ = 5E ( + 1)2F
3
*+ = 53 2F
E
*+ = 2 *
F
163
Ejercicio 4: determinar v0.
*+ = 12*F
Ejemplo 5.11.
V _ =V +
v0
R = vS
R + ZL
v0 R + Z L
=
vS R
Ejemplo 5.12.
V _ =V +
(v0 vS ) R2 || Z L
vS + R1 = v0
R1 + R f R3 + R2 || Z L
R3 R f vS
Si = iL =
R2 R1 R2
164
Ejemplo 5.13
dv S v
iC = C = iR = 0
dt R
dv S
v0 = R C
dt
Ejemplo 5.14
vS
iR = = iC
R
1 t 1 vS ( )
t
v0 =
C
iC ( ) d =
C
R
d
v0 1
= Ganancia en continua !!
vS sR C
v0 1
= (ganancia de
vS ( sR C + R Rbig )
continua controlada, pero ya no es exactamente
un integrador)
165
Derivador
Integrador
Ejemplo de Aplicacin.
Dado que se prefiere utilizar slo integradores debido a que los derivadores amplifican los errores
o ruidos entonces en el siguiente ejemplo se sintetiza una ecuacin integro-diferencial usando slo
integradores.
Los integradores se pueden utilizar en el concepto de computador anlogo, por ejemplo para
d 2v dv
resolver la siguiente ecuacin diferencial: 2
+ k1 + k2 v v1 = 0
dt dt
166
5.7 Respuesta en frecuencia.
Ningn sistema responde de la misma forma para diferentes frecuencias, cada sistema tiene una
respuesta en frecuencia que lo caracteriza. En el caso de los AO la respuesta en frecuencia es tal
que la ganancia en continua es mxima y despus, al ir aumentando la frecuencia, la ganancia
disminuye a causa de las capacidades parasitas que tienen los elementos constructivos del
amplificador, fig. 5.34.
Condensador de
compensacin
V0
vid
167
5.7.1 Esquema tpico de compensacin de un AO.
Un AO se puede modelar como un amplificador de voltaje (como se estudi en el punto 5.4). Para
modelar la respuesta en frecuencia se pone un condensador que domina la respuesta en frecuencia,
como se indica en la fig. 5.36.
Utilizando el teorema de Miller podemos reducir el circuito anterior (ntese que es la ganancia
de voltaje) tambin que R=R01||Ri1
El polo dado por C(1+) domina la respuesta del AO. En efecto la frecuencia de corte quedar
fijada en C=R C(1+)
168
Ejercicio de simulacin. En el caso del 741 Gm=0.19mA/V =529 Ri2=4M
R01=6.7M C=30pF
Al simular este circuito en Orcad pspice se muestran los resultados en la fig.5.38.
200
100
-100
Vdb(out) Vdb(out2)
0d
-100d
SEL>>
-200d
10mHz 100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
Vp(out) Vp(out2)
Frequency
169
5.8 No idealidades del AO.
o La ganancia en lazo abierto es tan grande que podemos despreciar su impacto en la
ganancia de lazo cerrado del circuito.
o Pero una no-idealidad significativa que no podemos ignorar es la finita ganancia en lazo
abierto como una funcin de la frecuencia.
o La capacitancia parsita produce que la ganancia caiga a alta frecuencia (no se puede hacer
H infinita para ningn amplificador)
o la ganancia puede ser diseada para cambiar con la frecuencia para asegurar estabilidad
COMPENSACIN [8].
170
5.8.2 Respuesta en frecuencia en lazo cerrado (AO 741)
Se observa que al estar en lazo cerrado su ganancia disminuy desde aproximadamente 120 dB a
20dB, sin embargo, tambin se observa que el ancho de banda aumento considerablemente [9].
171
5.8.3 Razn de Rechazo de modo comn (CMRR)
IJ
,$ =
(IK @IL )
(
,/0 =
/0
A
Figura 5.43 Amplificadores en modo CMRR =
diferencial y comn. Acm
vid = v2 v1
v icm = ( v 2 + v1 ) 2
v0 = A vid + Acm vicm
Un CMRR tpico est entre 80-100dB a bajas frecuencias, esto est considerado como un buen
valor. Significa que la seal de modo comn afecta muy poco a la salida.
-hay tambin una componente de la corriente de entrada que cambia con el voltaje de entrada (modo
comn y diferencial) resistencias de entrada
172
5.8.5 Resistencia de Entrada
En el primer circuito se observa que + = F por esto se le llama seguidor o buffer (ya que le
ofrece una impedancia infinita a la seal de entrada).
En el segundo circuito + = |F |0O es decir el circuito queda en la salida con el mximo valor
positivo de la seal de entrada.
173
Ejercicio. Mostrar que la caracterstica V0-VS es la indicada [11].
V0
-R2/R1
VS
V0
Vref<0
2Vref VS
174
Ejercicio. Mostrar que la caracterstica V0-VS es la indicada (ntese que es el mismo circuito de la
fig. 5.46 slo que los diodos estn en el otro sentido).
V0
VS
-R2/R1
V0
VS
Ntese que este rectificador de onda completa est conformado por dos de media onda (uno
positivo y el otro negativo) y con un restador.
175
Rectificador Onda Completa (con uno de media onda)
Se usa el principio que 2vS (t ) vS (t ) = vS (t ) (sumador de una salida no-lineal) si ahora la entrada
es negativa la rectificacin es cero y la diferencia es 2 0 vS (t ) = vS (t )
v1 v01
R2Rf/R1RA1
VS VS
-R2/R1
Rf R f R2
v0 v = 0 = v01 = v1 = vS , vS>0
2
RA1 RA1 R1
v02 V0=v01+ v02
R2Rf/R1RA1 Rf/RA2
-Rf/RA2 -Rf/RA2
VS VS
Rf Rf
v0 v =0 = v02 = v2 = vS
1
RA 2 RA 2
176
Rf
Ejemplo: para un rectificador de pendientes 1 se puede hacer = 1 y la otra pendiente
RA 2
R2 R f Rf Rf R2
=1 entonces si =1 =2
R1 R A1 RA 2 RA1 R1
V0
-1 VS
Vref
V0 =
(1 + R f Ra ) RxVS
=
(1 + R f Ra ) VS
R1 + Rx (1 + R1 Rx )
Resumiendo,
0 , VS > 0
V0 = (1 + R f Ra )VS rectificador
,VS < 0
(1 + R1 Rx )
177
5.10 Comparadores
A VOH
VOL
VS VS
-A
Comparadores con Salidas de colector abierto: permiten versatilidad en la aplicacin. El nivel del
voltaje de salida el diseador lo puede manejar a voluntad.
178
5.10.1 Comparador con Histresis.
Son muy tiles cuando la seal a comparar viene con ruido.
V0
VH
VL VS
R1
Cuando v0 = +Vsat VR1 = VH = Vsat = Vsat ( vin < V H )
R1 + R2
Ntese que en este caso la salida del comparador es de colector abierto por lo que el rango del
voltaje de salida no necesariamente es el mismo rango al de polarizacin.
179
5.10.2 Multivibrador Astable.
t
vC (t ) = VCC (VCC + VEE )e RC
T1
VCC = VCC (VCC + VEE )e RC
t'
vC (t ) = VEE + (VEE + VCC )e
' RC
1 + (VCC VEE )
Luego T2 = R C ln
1
Para un caso comn VCC = VEE y la salida representa una onda cuadrada de periodo
1+
T = T1 + T2 = 2R C ln
1
T1 T2
VCC
VCC
- VEE
-VEE
180
5.10.3 Generador triangular.
1 t I
v0 (t ) = vC (t0 )
C
t0
I ( ) d =vC (t0 )
C
(t t 0 )
E
v0 (t ) = vC (t0 ) (t t0 ) (*)
R C
Cuando v P pasa por cero y se transforma en negativa, la salida del comparador cambia al estado
de salida negativa y VA = VEE = E . En este momento, t=t1, vP (t1 ) = 0 , y por la ecuacin (**)
encontramos
R1
v0 (t1 ) = E
Rf
E
La corriente de alimentacin del integrador para t1 < t < t 2 , ser: y la salida del I =
R
integrador es una rampa positiva con la misma pendiente anterior. Al cabo de un tiempo t2,
R1
v0 (t2 ) = + E
Rf
Si evaluamos en
181
E T
v0 (t1 ) = vC (t0 ) (t1 t0 ) (t1 t 0 ) =
R C 2
Reemplazando:
R R E T
1 E= 1 E
Rf Rf R C 2
R1
T =4 R C
Rf
20V
0V
-20V
200us 250us 300us 350us 400us 450us 500us 550us
V(p) V(outC) V(out)
Time
182
5.10.4 Circuito Monoestable.
En estado estable:
vid = v + v = E VD1 T
VCC
VCC
VD1
- VEE
-VEE
t
1 t
vC (t ) = i( )d + vC (0) = (VD1 + E)(e 1) VD1
RC
C 0
VD1 RCt
= E[1 (1 + )e ]
E
T
VD1 RC
vC (T ) = E = E[1 (1 + )e ]
E
VD1
1 + E
T = R C ln
1
183
6 CAPTULO 6 Realimentacin
6.1 Introduccin.
La realimentacin o retroalimentacin consiste en devolver una parte de la salida de un
sistema a la entrada. En un amplificador con realimentacin negativa, una parte de la seal de
salida es devuelta y restada a la seal de entrada original. En la realimentacin positiva, la seal
de realimentacin es devuelta y sumada a la seal de entrada original.
En el diseo del amplificador y la red de realimentacin se debe ser cuidadoso para evitar
oscilaciones, las cuales son un problema delicado cuando se aplica realimentacin.
xf= xo Red de
Realimentacin
Figura 6.1 Diagrama de bloques de un amplificador realimentado (Ntese que las variables x
pueden ser de voltaje o corriente).
Las ganancias A y pueden ser funciones complejas de la frecuencia, pero en este apunte
se consideran que ellas son constantes y reales. Si A y son valores positivos, el denominador de
la ec. (6.1) es mayor que la unidad, y por esto la ganancia con realimentacin Af es menor que la
ganancia A del amplificador original. Esta es la condicin para realimentacin negativa.
AI (de corriente)
AG (de transconductancia)
AR (de transresistencia)
S A es grande de tal modo que A>>1 entonces la ec. (6.1) se acerca al lmite
1
Af (6.2)
V V Voltaje AV
V I Transconductancia AG
I I Corriente AI
I V Transresistencia AR
186
De este resultado se puede observar que la ganancia en lazo cerrado, cuando se cumplen
ciertas condiciones, es independiente de la ganancia en lazo abierto. Esto implica que Af es
independiente a las variaciones de algunos parmetros del amplificador A0.
Cada uno de los cuatro tipos bsicos de amplificadores, tiene su propia topologa de
realimentacin, determinada por los tipos de seales de entrada y salida [4].
Un amplificador de voltaje para el cual las seales de entrada y salida son voltajes, requiere
de mezclado de voltaje, es decir, en serie en la entrada. En la salida requiere de un muestreo de
voltaje, es decir, una muestra de tensin tomada en paralelo. Esta topologa denominada mezclado
en seriemuestra en paralelo, realimentacin de voltaje/error de tensin se indica en la fig. 6.3
187
6.2.2 Topologas de realimentacin de corriente/error de corriente.
188
Similarmente, en este caso
Error Corriente (se "toma" en paralelo en la entrada)
Muestra Tensin (se "toma" en paralelo en la salida)
Topologa paralelo/paralelo.
Similarmente,
Error Voltaje (se "toma" en serie en la entrada)
Muestra Corriente (se "toma" en serie en la salida)
Topologa serie/serie.
Ntese que se debe cumplir que A debe ser adimensional de modo que xS y xf tengan las mismas
unidades. Por ejemplo, si el amplificador (A) es de transconductancia, la red de realimentacin
debe ser de transresistencia de modo que se tiene xS =VS y xf=Vf.
189
6.3 Efecto de las conexiones de la realimentacin en las resistencias de puerta del
Amplificador.
190
6.3.2 Resistencia de entrada de la conexin de mezclado de entrada en paralelo.
v 1 + A 1 rin rin
luego Rin = S = + = ||rout (6.4)
iS rin rout 1+ A 1+ A
191
6.3.3 Resistencia de salida de la conexin con muestreo de salida en serie.
192
6.3.4 Resistencia de salida de la conexin con muestreo de salida en paralelo.
v v ( v v A x in ) v v ( v v A ( v v ))
iv = + = +
rin rout rin rout
1
v 1 + A 1 rout rout
Rout = v = + = ||rin (6.6)
iv rout rin 1+ A 1+ A
Es decir, la impedancia de salida con realimentacin se ve disminuida en el factor (1+A).
193
Ejemplo 6.2 Un amplificador A de voltaje tiene los siguientes parmetros:
rin =1M rout =100 AV=105
Determine los parmetros del amplificador al realimentar con R1=10k y R2=50k.
Solucin:
Como rin es grande en comparacin a R1 y R2, tenemos ia << I12, luego
R1
Vf = Vout = Vout
R1 + R2
Es decir, =10k/(10k+50k)=1/6=0.167
Luego, A= 1051/6=1667>>1
Entonces,
AV 1
Af =
1 + AV
Como la realimentacin es de tensin con error de tensin (serie/paralelo), de la ec. (6.3)
Rin=rout + (1+A)rin
=R1|| R2 + (1+1051/6)1M=16.7G
Tambin de la ec. 6.6
rout
Rout= ||rin=0.006
1+ A
Se puede hacer una comparacin entre el circuito sin realimentar y el realimentado, observndose
que en esta configuracin aumento la impedancia de entrada y disminuyo la de salida. Muchas
veces una ventaja en una aplicacin puede ser una desventaja en otra, por esto, el tipo de
realimentacin a utilizar depende del tipo de amplificador y de la aplicacin.
194
En el circuito de la fig. 6.12, se muestra un equivalente del circuito realimentado original, en este
caso se considera el efecto de la realimentacin. En efecto, para el circuito de entrada se ha
determinado un equivalente de Thevenin, y en la salida se ha considerado el efecto de carga de la
red de realimentacin. Ntese que en el anlisis de los circuitos realimentados se considera, en
general, que los amplificadores son unidireccionales. Es decir, el amplificador A amplifica desde
izquierda a derecha, y la red de realimentacin desde derecha a izquierda.
195
Este procedimiento asegura que la realimentacin se reduce a cero sin alterar la carga del
amplificador bsico.
El anlisis completo del amplificador realimentado se obtiene aplicando la siguiente
secuencia:
1.- Identificar la topologa.
Realimentacin (xf) de tensin o corriente.
Realimentacin (xf) en serie o paralelo.
Seal de salida (x0) realimentada de tensin o corriente.
2.- Dibujar el circuito del amplificador bsico sin realimentacin, siguiendo las reglas indicadas
anteriormente.
3.- Emplear un equivalente Thevenin s la seal de realimentacin es una tensin uno Norton s
la seal de realimentacin es una corriente.
4.- Reemplazar cada uno de los dispositivos activos por su modelo apropiado.
5.- Indicar xf y x0 en el circuito obtenido y evaluar =xf/xo.
6.- Hallar A aplicando las leyes de Kirchhoff al circuito equivalente.
7.- Con A y , hallar Af , Rif y Rof.
Este procedimiento entrega el circuito del amplificador bsico sin realimentacin, pero
considerando su efecto, es decir, teniendo en cuenta la carga que producen la red de
realimentacin , la resistencia de carga RL y la resistencia de la fuente RS.
196
Ejemplo 6.3 Considerando que la fuente Vs no tiene componente continua, determine el voltaje
de todos los nodos y las corrientes de polarizacin de los emisores de Q1 y Q2. =100
Plantee el equivalente en alterna de este circuito y del amplificador bsico sin realimentacin.
VE2 = IE2RE=1.41V
VB2 = VBE2 + VE2 =2.11V
VB1 = VBE1=0.7V
VC2 IE2RL=5.04V
197
Figura 6.14 Circuito equivalente en alterna del circuito de la fig. 5.26.
Continuar el desarrollo!
Ejemplo 6.4 Considere que el circuito de polarizacin (que no est mostrado completamente)
produce IC1=0.6mA IC2=1mA e IC3=4mA. Con hfe= = 100 hre=
Determine A, , Af=I0/VS, V0/VS , Rinf y Rof.
I0
Vf
198
Desarrollo:
De los datos de polarizacin (continua) tenemos que
hie1= hfe VT/ IC1=10025mV/0.6mA=4.17k
hie2= hfe VT/ IC2= 2.5k
hie3= hfe VT/ IC3= 625
Anlisis en alterna:
Del circuito y de la ganancia que hay que calcular se desprende que:
Seal de error : voltaje (VBE= VS Vf)
Seal muestreada : corriente (I0)
Luego de acuerdo al procedimiento sealado en la Tabla 5.2 el circuito equivalente bsico sin
realimentacin se obtiene haciendo:
Circuito de entrada > I0 = 0
Circuito de salida > Ii = 0
If I0
Vf
Figura 6.16 Circuito equivalente bsico sin realimentacin.
199
Completando el circuito anterior con los modelos de los transistores, se tiene:
I0 A
Dado que se necesita determinar Af= =
VS 1 + A
La ganancia A se obtiene del circuito equivalente de la fig. 5.30. En este circuito se pueden plantear
las siguientes ecuaciones en el circuito de entrada.
VS = ib1 [hie1 + ( +1)RXE1] = ib1 13.07k es decir, ib1=76.51SVS
donde RXE1 = RE1||(Rf +RE2)
Por otro lado se puede plantear
ib1 (RC1||hie2)= ib2 hie2 es decir, ib2= 78.25 ib1
( ib3 + ib2)RC2= ib3 [hie3 + ( +1)RXE2]
donde RXE2 = RE2||(Rf +RE1)
200
Para obtener la impedancia de salida (impedancia Thevenin "vista" por la "variable" de salida) a
partir del circuito de la fig. 5.30 y anulando el voltaje de entrada (ntese que si no hay tensin de
entrada, entonces ib1 =0 luego ib2 =0 e ib3 =0) se obtiene:
Ejemplo 6.5 En el circuito realimentado que se indica hfe=100, compruebe que hie1=1.2k y
hie2=708. Identifique las funciones de Rf1 y Rf2, el tipo de realimentacin, realice el anlisis y
obtenga A, , Af, Rinf y Rof.
201
Figura 6.19 Circuito realimentado en continua y alterna.
La resistencia de 22k provee una realimentacin que acta en c.c. y muy baja frecuencia debido a
la accin de C3. Su funcin es estabilizar el punto de trabajo de los transistores ya que introduce
una realimentacin negativa, por ejemplo, supngase que IC1 aumenta (debido a un aumento de la
temperatura) |VC1| disminuye |VE2| disminuye |IB1| disminuye (a travs de la resistencia de
22k) tiende a compensar el aumento de IC1.
Al obtener el circuito equivalente para pequea seal, es decir, al cortocircuitar los
condensadores. Se observa que la realimentacin se produce a travs de las resistencias Re1 y Rf1,
y es una tensin proporcional a la tensin de salida.
Amp. con realimentacin de tensin en serie
(En efecto, de la figura se puede observar que la entrada alterna es entre base y emisor de Q1. Si
suponemos que vbe1 aumenta (por ejemplo, por efecto de la temperatura) ib1 aumenta ib2
aumenta v0 aumenta vf aumenta. Como vbe1 = vi vf, luego, ya que vf aumenta y vi se
mantiene, entonces vbe1 disminuye; compensando de esta forma el aumento inicial realimentacin
negativa!
Y la ganancia de voltaje es
AV= v0 /vi = v0 /ib2 ib2 /ib1 ib1 /vi
se tiene,
v0 = ib2 RC2||RX2||RL= 14442ib2
202
ib2 = ib1RC1/(RC1 + hie2)= 94.43 ib1
203
6.5 Realimentacin negativa, otros aspectos.
xS +
x
A
x0
xf
A A f A f 1
SA f = = : Sensibilidad de la ganancia
A A 1+ A
Cuando A >> 1, que es el caso en general, la sensibilidad de Af con respecto a A se hace muy
pequea. Es decir, un cambio significativo en A causar slo uno pequeo en Af.
Tipo de realimentacin
Para ver si existe realimentacin de corriente, ponga la carga en circuito abierto, de tal modo
que la corriente de salida sea cero. Si la seal devuelta a la entrada del amplificador por la
red de realimentacin (xf) tambin resulta ser cero, el amplificador tiene realimentacin de
corriente.
Para ver si existe realimentacin de tensin, cortocircuite la carga, de tal modo que la
tensin de salida sea cero. Si la seal devuelta a la entrada del amplificador por la red de
realimentacin (xf) es tambin igual a cero, el amplificador tiene realimentacin de tensin.
204
6.5.2 Ampliacin del ancho de Banda con la realimentacin negativa
Anlogamente para un sistema simple cuya frecuencia inferior de corte es L , (recuerde que un
modelo bsico de un pasa-alto, que sirve para modelar la frecuencia inferior de corte de un sistema
A s (A )s
simple es A( s ) = M = M L )
s + L s L + 1
Lf = L / (1 + AM )
Ej a2.: Un amplificador tiene una ganancia en lazo abierto nominal de A=104 con una variacin de
3% debido a la variacin de temperatura ambiente. Para estabilizar este amplificador se propone
una realimentacin negativa. qu valor de debe utilizarse de manera que las variaciones de Af
con la temperatura no sean mayores de 0.1%? cul es el valor nominal de Af para este valor de
? Suponga que es constante con las variaciones de temperatura.
Resp.: 2910-4 Af=333
Ej a3: Suponga que la ganancia en lazo abierto de un amplificador vara en 10%. Se desea disear
un amplificador realimentado con una ganancia en lazo cerrado de 10 0.1%. Determine los valores
requeridos para la ganancia en lazo abierto A y para el factor de realimentacin .
Resp.: A990 (s A=990 =0.098989)
205
Ej a4: Determine Af en las configuraciones que se indican
xs A1 A2 x0
1
Figura 6.21 Sistema multi-realimentado. A1 A2
Af =
1 + 1 A2 + 2 A1 A2
xs A1 A2 A3 x0
2
Figura 6.22 Otro sistema multi-realimentado.
A1 A2 A3
Af =
1 + 2 A2 + 1 A1 A2 A3
AV=5000
Lazo abierto
206
Se realimenta negativamente con una red indicada.
S consideramos que
la corriente que pasa
por R2 pasa
mayoritariamente por
R1 (dado que
R1>>Rinr), es decir vf
lo obtenemos del
divisor de tensin
solamente +
v R1 1
= f =
v0 R1 + R2 101
vf
D = 1 + AV = 50.5
Anlisis esttico.
2.0KV
(85.955m,419.293)
En lazo abierto:
0V
419.293
AV = = 4878
85.955m
(la recta pasa por el
origen por eso su -2.0KV
pendiente se mide -300mV -200mV 0V 200mV
V(out)
fcilmente) V_Vs
207
En lazo cerrado: 40V
(85.484m,8.4570)
8.457
AVf = = 98.93
85.484 m
0V
-40V
-300mV -200mV 0V 200mV
V(outr)
V_Vs
en lazo abierto 75
AV 73.65 dB (4814) (66.795,70.682)
10.486,73.654)
H 67 Hz
50
La frecuencia de corte se
mide cuando la potencia de
salida ha disminuido a la 25
mitad tiene una
disminucin de 3dB. (como
se indica) 0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz
DB(V(out)/ V(in))
Frequency
En lazo cerrado
AVf 39.9 dB (98.85) 40
La ganancia diminuy en (10.508,39.907)
A 30 (3.0470K,37.086)
V
D
Hf 3047 Hz 20
En efecto,
Hf H D = 67 50.5 = 3383 10
Hz
Es decir, el ancho de banda, 0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz
BW aumento en DB(V(outr)/ V(in))
aproximadamente la Frequency
Desensibilidad D. Figura 6.27 Respuestas en frecuencia en lazo abierto y cerrado.
208
BIBLIOGRAFA
[1] Al-Hashimi, Bashir; Art Of Simulation Using Spice: Analog & Digital, CRC press, 1995.
[3] Goody, R.; OrCAD PSpice para windows, Pearson, 2004. (Tres volmenes, Vol.I y II)
[4] Hambley, A.; Electronics: A Top-Down Approach to Computer-Aided Circuit Design - 1994
[7] Malik, N. R., "Circuitos Electrnicos: Anlisis, simulacin y diseo", Prentice Hall, 1998.
209
ANEXOS
Se plantean una serie de ejercicios con resultados, de tal manera, que el alumno que ingresa a
Electrnica I debiera ser capaz de resolverlos en forma satisfactoria (auto-evaluacin). Si no es
capaz de realizarlos satisfactoriamente debe repasar anlisis de circuitos utilizando la bibliografa
citada en el programa, particularmente el libro de Alexander-Sadiku.
Linealidad
2. calcule i0 y v0, a) cuando vS=1V
1. Determine i0, cunto vale para un
valor de 10V en la fuente de voltaje? b) cuando vS=10V c) cuando todas las R=1 son
Resp.:0.1A, 1A reemplazadas por 10 y vS=10V.
Superposicin
4. determine i:
3. Determine ix y la potencia disipada por la
R=10.
Resp.: 8V 0.1111A
210
-0.1176A ix= 8 + 16/3 = 40/3
0.555A vx=48V
v0=3V 1.6A
THEVENIN: (a) terminales a-b: 3.857, 4 V, NORTON (a) terminales a-b: 2, 7A,
211
18. El circuito indicado corresponde al modelo de un
amplificador diferencial. Encuentre una expresin para
v0 en trminos de v1 y v2.
Norton: 3, 1A
Caractersticas No-lineales
19. Algunos dispositivos tienen una caracterstica corriente voltaje no lineal para todo v e i, es decir R no
es constante para todos los valores de corriente y voltaje. Sin embargo, para muchos dispositivos se puede
aproximar su caracterstica mediante una aproximacin lineal por tramos. Para una porcin de la curva
caracterstica alrededor del punto de operacin, la pendiente de la curva es relativamente constante.
A un circuito cuyo equivalente de Thevenin es Vth=15V y Rth=200 se le conecta una carga no-lineal cuya
caracterstica es I = 0.0025V 2 . Determine y grafique:
a) el punto de operacin. b) la resistencia incremental en este punto de operacin. c) si Vth se aumenta
a 20V, determine el nuevo punto de operacin y la nueva resistencia incremental.
Rth a x
+ vxyb
vab vxy
212
21.- Ahora se conecta una carga que tiene la caracterstica i-
v indicada, determine el voltaje y corriente entre a y b. ix
-8
vxy
vxy
23.- Finalmente, se conecta otra carga que tiene la
8
caracterstica v-i indicada, determine el voltaje y corriente
entre a y b.
R [] v [V] i [A]
25.- En una caja negra de dos terminales se conectan dos
resistencias y se obtienen los datos tabulados. 1 8/5 8/5
26-27.-
Rab=125 Rab=275
214
30. Cunto debe valer
R de manera que la
fuente entregue
800mW.
Resp.: 889
12.21 1.64A
375, 257.1
215
Anexo 2: Tabla peridica de los elementos.
216
Anexo 3 RESUMEN Qu es un Semiconductor?
Los materiales son clasificados por su habilidad de conducir la electricidad. Los materiales que
conducen fcilmente la corriente elctrica, tales como la plata y el cobre, son referidos como
conductores. Los que presentan una resistencia elctrica muy elevada, tales como la goma, el vidrio
y el tefln, son llamados aisladores. Existe una tercera categora de materiales cuya conductividad
se encuentra entre los conductores y aisladores. Esta tercera categora de materiales se conocen
como semiconductores. Los semiconductores se definen como aquellos materiales que tienen una
conductividad en el rango entre 107 y 103 [S/cm]. Algunos semiconductores son estructuras
puras (por ejemplo, Silicio, Germanio) y otros son aleaciones.
El Silicio
217
El Silicio es segundo en cantidad en la corteza terrestre, un 27% se encuentra en rocas gneas. Es
extremadamente raro encontrar Silicio en su forma cristalina pura en la naturaleza, y antes de ser
utilizado en dispositivos electrnicos, debe ser separado de sus elementos aliados. Despus de
realizado el proceso de purificacin se obtiene una oblea (wafer) de Silicio. Luego para que tenga
alguna utilidad desde el punto de vista electrnico se hace un proceso de dopado (doping).
218
El principio anterior sugiere, por ejemplo, que los tomos que tienen aproximadamente cuatro
electrones de valencia estn entre los gases inertes (que no se combinan con nada) y los elementos
altamente voltiles (que estn dispuestos a combinarse para formar una estructura con ocho
electrones de valencia).
Doping (Dopado).
El dopado es el proceso de mezcla con algn elemento de tal manera que resulte un material de
propiedades elctricas tiles. Se utilizan algunos elementos en el proceso de dopado, tales como
Antimonio, Fsforo, Boro, Arsnico, Aluminio y Galio. Estos elementos proveen caractersticas
especializadas tales como respuesta en frecuencia a voltajes aplicados, fuerzas, integridad trmica,
etc. Sin embargo, los elementos que producen los mejores resultados desde el punto de vista
electrnico son el Fsforo y el Boro.
Cuando una oblea de Silicio es dopada con Boro o Fsforo, su conductividad elctrica es
alterada radicalmente. Normalmente, una oblea pura de Silicio no contiene electrones libres; los
cuatro electrones de valencia son enlazados en enlaces covalentes con sus tomos vecinos. Sin
electrones libres, un voltaje aplicado no tiene efecto para producir un flujo de electrones a travs
de la oblea.
Sin embargo, si se agrega Fsforo a la oblea, ocurre algo muy interesante. El Fsforo tiene
5 electrones de valencia mientras que el Silicio tiene 4 electrones de valencia. Cuatro electrones de
valencia del Fsforo con los cuatro del Silicio forman un enlace covalente, pero el quinto electrn
de valencia del Fsforo queda libre. Por lo que por cada enlace cristalino hay un electrn libre.
Si se aplica un voltaje a travs de la mezcla Silicio-Fsforo, el electrn libre se mover hacia el
terminal positivo de voltaje. Suministrando ms Fsforo a la mezcla, resultar un mayor flujo de
electrones. El Silicio dopado con Fsforo se conoce como Silicio tipo-n, o Silicio tipo portador de
carga negativo.
El Diodo de Unin
El diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales,
construido como se indic anteriormente, y que conduce corriente en
un solo sentido.
Los diodos son utilizados en circuitos: que convierten voltajes
alternos en continuos (rectificacin), que elevan el voltaje
(multiplicadores), desplazadores de voltajes, limitadores de voltaje,
reguladores, etc.
Polarizacin directa:
Cuando un diodo se polariza directamente, los
electrones (e-) del lado N son forzados hacia la
izquierda y los huecos (h) del lado P son forzados
hacia la derecha por el campo elctrico suministrado
por la batera. Los electrones y huecos se combinan,
y corriente fluye a travs del diodo.
220
Polarizacin Inversa:
Cuando un diodo es conectado a la batera, como
se indica, los huecos del lado N son forzados hacia
la izquierda, mientras que los electrones en el lado
P son forzados hacia la derecha. Esto resulta en
una zona vaca de portadores de carga (e- y h)
que se conoce como zona de Deplexin. Esta gran
zona de Deplexin evita que los portadores de
carga puedan atravesarla, por lo que la corriente
es prcticamente cero.
Los diodos de Silicio tienen un voltaje umbral cercano a los 0.7V y los de Germanio a los 0.3V.
Otra diferencia fundamental entre los diodos de Silicio y los de Germanio, es su habilidad para
disipar calor. Los diodos de Silicio disipan mejor el calor que los de Germanio. Cuando los
diodos de Germanio alcanzan temperaturas sobre los 85C su operacin es no fiable.
Otras disposiciones de los materiales tipo-P y tipo N basados en el Silicio dan lugar a otros
dispositivos electrnicos de carcter controlado, que se analizarn ms adelante.
221
Anexo 4: Obtencin del parmetro coeficiente de emisin (n) a partir de
dos mediciones de i y v.
20m
10m
0
0V 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV 800mV
10E-12*( EXP(V_V1/1.35/0.026)-1)
V_V1
v
i D = I s exp D 1
nVT
Cuando vD=VD1
IA
3 = P Q 8I 5 1R
Y cuando vD=VD2
I?
4 = P Q 8I 5 1R
Luego si el voltaje del diodo es mucho mayor que el voltaje termal (VT=25.9mV a 27C)
222
I
> 0.1 P 8I
Se puede despejar n
223
Anexo 5: Modelacin diodo ideal en Spice.
(0.64V, 5mA)
5mA
(-5V,-10.uA)
0A
-5mA
-6.0V -4.0V -2.0V 0V
I(D1)
V(a1)
Se puede modelar el diodo ideal utilizando el editor de modelos del Orcad (Edit model) y cambiando
los parmetros. De esta forma queda de la siguiente forma su caracterstica:
(69.6uV, 5mA)
5mA
(-5V,-5.01pA)
0A
-5mA
-6.0V -4.0V -2.0V 0V
I(D2)
V(a2)
224
Tabla: Parmetros de modelos en Orcad para diodo real e ideal [3].
Para ver los parmetros del dispositivo hacer click en el dispositivo, luego edit model
Edit instante model (Text)
Manteniendo seleccionado el diodo, clickear Edit Model Edit Instante Model (Text)
225
En vez de (parmetros por defecto en el Diodo break, usado como plantilla para crear modelos de
diodos propios) :
Is=1e-14
Cjo=.1pF
Rs=.1
Poner N=0.001
226
Anexo 6: Anlisis de pequea Seal
El anlisis de pequea seal es fundamental para analizar los sistemas no lineales utilizando
tcnicas lineales. Esto es posible porque al linealizar en torno al punto de operacin el problema se
linealiza pero los resultados son vlidos en torno al punto de linealizacin, por esto se deben
aplicar pequeas seales. Esto se aplica, en Electrnica I en anlisis de diodos y de amplificadores
con transistores, pero en general es utilizado en gran parte de las ingenieras.
Los amplificadores son los bloques esenciales de los sistemas analgicos y digitales.
Los amplificadores son necesarios por varias razones que incluyen:
- Amplificar una seal anloga dbil para mayor procesamiento.
- Reducir los efectos de ruido de la etapa siguiente.
- Proveer niveles lgicos adecuados (en circuitos digitales)
Los amplificadores tambin juegan un papel fundamental en sistemas realimentados.
Caractersticas de los Amplificadores [5].
227
Q
Una funcin no lineal en la vecindad (cercana) de un punto dado (Q) se puede aproximar por su
correspondiente serie de Taylor:
Y (X+ ) Y 8 (X+ )
V Y(X+ ) + Y (X+ ) (X 5 X+ ) + (X )
5 X+ + +
4
(X 5 X+ )8
2! !
6 (O\ )
Sea W8 = Entonces
8!
V W+ + W3 (X 5 X+ ) + W4 (X 5 X+ )4 + + W8 (X 5 X+ )8
Si X = X 5 X+ es pequeo, se pueden despreciar los trminos de mayor orden (por esto se llama
anlisis de pequea seal) y resulta:
V W+ + W3 (X 5 X+ )
V = V 5 Y(X+ ) = V 5 W+ W3 X
Ejemplo:
Sea V = Y(X) en un punto, X = ^ donde la funcin f es derivable, pasa por el punto ((a), f(a))
con pendiente Y _ (^), tiene por ecuacin V = Y(^) + Y _ (^) (X 5 ^) = `(X)
228
Es decir, la recta tangente es la grfica de la funcin lineal `(X) = Y(^) + Y _ (^) (X 5 ^)
L(x)
229
LABORATORIOS PROPUESTOS
UNIVERSIDAD DE TARAPAC
ESCUELA UNIVERSITARIA DE
INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
Componentes e Instrumentacin
o 1N914 (diodo pequea seal)
o 1N4007 (diodo rectificador de baja potencia)
o Osciloscopio, generador de funciones, multimetro digital, y una fuente de alimentacin
dual.
o Condensador electroltico de 100uF, >20V; Resistencias, 120, (2x) 1k, 10k.
PREPARACIN
P.1 Rectificacin Ideal
a) para un circuito rectificador consistente en un diodo ideal cuyo ctodo est conectado a tierra
y con 1k de carga (en serie), alimentados por una seal triangular de 6 V Peak a 100Hz, dibuje
las formas de onda de entrada y la salida.
b) Ahora, repita considerando que la cada es constante de 0.7V, para todas las corrientes.
P2.1 Mediciones bsicas. Diodo en Conduccin la cada directa.
a) un diodo particular con el ctodo a tierra, alimentado va un resistor de 1k, tiene una cada
de voltaje de 0.62V. cul es la corriente del diodo?
b) Cuando al diodo, que esta operando en el caso anterior, se le conecta en paralelo una resistencia
de 1k, la cada de voltaje cambia en 30mV. cul es el nuevo punto de operacin del diodo?
Estime n (coeficiente de emisin).
EXPERIENCIAS
E1. Arme el circuito indicado usando el diodo 1N4007,
una resistencia de 1k y con la fuente de alimentacin
en 10V.
a) mida vD (=VB) y encuentre iD.
b) conecte en paralelo a R otra del mismo valor.
mida vD (=VB) y encuentre iD. Estime n.
c) al circuito anterior conctele un segundo diodo
en paralelo. Cunto es vD? que se puede decir al
respecto.
230
E2. Obtenga la caracterstica iD-vD. (use la tabla slo como referencia)
v
(*) calculada, R .
R
E(V) vD iD(*)
-5
-1
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
2
4
6
231
Mediciones:
Despliegue las formas de onda de los nodos A y B. mida la cada en conduccin del diodo. Dibuje
cuidadosamente las formas de ondas. Estime los intervalos de tiempo para los cuales el diodo est
conduciendo directo. (dibuje el voltaje del diodo, vak).
RL=1k, C=220F/50V
Mediciones:
Despliegue las formas de onda de los nodos A y B. mida la cada en conduccin del diodo. Dibuje
cuidadosamente las formas de ondas. Estime los intervalos de tiempo para los cuales el diodo est
conduciendo directo. (dibuje el voltaje del diodo, vak).
232
Rectificacin de onda Completa. Puente de Graetz.
Mediciones:
Despliegue las formas de onda del voltaje de secundario y el voltaje de salida con y sin filtro. Mida
la cada en conduccin del diodo. Dibuje cuidadosamente las formas de ondas. Estime los
intervalos de tiempo para los cuales el diodo est conduciendo directo. (dibuje el voltaje del diodo,
vak). Y sugiera mediciones que sean de inters.
1k
233
.
.
ANEXO:
IA
Dadas dos mediciones vD1, ID1 3 P 8I
=
y vD1, ID1 si hacemos la relacin 4 I?
entre ellas P 8I
234
UNIVERSIDAD DE TARAPAC
ESCUELA UNIVERSITARIA DE
INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
Electrnica I Prof.: Ramn Guirriman C.
Laboratorio: Amplificacin con BJT
Objetivos
o Analizar el funcionamiento de un amplificador de emisor-comn
o La relacin entre linealidad y ganancia (excursin simtrica mxima)
o Contrastar lo terico, simulado y prctico.
Componentes e Instrumentacin
o BC548 (BJT)
o Osciloscopio, generador de funciones, multmetro digital, y una fuente de alimentacin
dual.
o Resistencias: 150, 1k, 3.3k(x2), 5.6k, 10k, 20k, 33k, 82k, 390k
o Condensadores 10uF, 100uF.
Anlisis en continua
Determine los puntos de operacin, dado que el hFE (= ) de este transistor vara entre =110 y
=8006. el circuito est diseado para ser independiente de las variaciones de ?
Analticamente, obtenga las Recta de cargas de continua. (Considere el punto de operacin medio
entre los valores anteriores).
Anlisis en Alterna7
Obtenga la Recta de carga de alterna. Obtenga Av, AI la expresin de v0(t) y de vce(t) si
Vin(t)=Amsin(t).
De la recta de carga de alterna obtenga el valor del vcemx posible sin distorsin. Con este valor
estime el mximo valor posible del voltaje de entrada.
Laboratorio
Mida los valores del punto de operacin ICQ, VCEQ se puede medir indirectamente IBQ? Puede
estimar el en que est trabajando su circuito?
Estime r (=hie) ( hie = VT )
IC Q
Visualice las seales completas y sus componentes vCE(t)=VCE (t) + vce(t) etc
6
Ver datasheet
7
Notacin: ejemplo, vCE(t)=VCE (t) + vce(t) .. (variableCOMPLETA)=(VARIABLECONTINUA)
+ (variablealterna)
235
5.6k
20k
f Av Am(mV) Amplitud
Amplitud salida V0
Entrada
236
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ESCUELA UNIVERSITARIA DE
INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
Objetivos
o Analizar el funcionamiento de un amplificador Operacional en aplicaciones lineales y no-
lineales
o Observar los efectos de la realimentacin negativa.
o Contrastar lo terico, simulado y prctico.
Componentes e Instrumentacin
o Amplificadores Operacionales LM 358 / LM532
o Comparadores LM311 / LM393
o Osciloscopio, generador de funciones, multimetro digital, y una fuente de alimentacin
dual.
o Resistencias: 100,(2x)1k, 10k, 100k, (2x) 1Meg.
o Condensadores 1nF, 80nF, 0.1uF, 100uF.
1. Restador
Implemente el circuito restador y observe la
respuesta a diferentes voltajes de entrada:
a) continuos.
b) Alternos. Realice medidas a diferentes
niveles de amplitud y frecuencia.
237
2. Amplificador de ganancia finita y controlable.
Repita la operacin anterior para distintos niveles de alimentacin
3. Rectificador
Compruebe la funcin de Rectificacin
y comente sobre los voltajes umbrales
de ella.
238
Otras experiencias para simular y/o experimentar (obtenidas de la hoja de datos, datasheet, de los
fabricantes.
5. INFORME FINAL
5.1 Analizar las mediciones realizadas de voltaje AC, para seales senoidales.
239
ANEXO LABORATORIOS
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ESCUELA UNIVERSITARIA DE INGENIERA
ELCTRICA Y ELECTRNICA
CARACTERSTICAS GENERALES.
Los laboratorios son evaluados usualmente por medio de informes. Las personas que lo
leern no necesariamente deben saber la materia tratada por lo tanto, el informe debe ser claro y
conciso respecto a mtodo e interpretacin del resultado.
El informe deber ser escrito en pasado, tercera persona y completamente impersonal. Debe
ser completo, ordenado, limpio y gramaticalmente correcto.
FORMATO
1. Ttulo del trabajo
2. Gua de laboratorio
3. Informe previo.
4. Informe final.
CONTENIDO:
1.0.- TITULO DE TRABAJO
En esta pgina debe aparecer el nombre de la Universidad, el nombre de la asignatura, fecha
y ttulo de la experiencia, fecha de entrega del informe, nombre del estudiante y/o de sus
compaeros participantes en la experiencia, nombre del profesor.
3.7.- BIBLIOGRAFA
241
Se incluye la presentacin en el disco y est disponible en intranet.
Fundamentos_de_osciloscopios_para_est_EE.pdf
ELaboratorioElectro-exp.pdf
242
PRUEBAS ANTERIORES
Los problemas presentados en esta seccin son algunos seleccionados, en general, en las pruebas
y/o examenes se preguntan problemas que fueron desarrollados en clases y/o en el apunte de clases.
Se ha tratado de no repetir los problemas que ya fueron desarrollados exhaustivamente en el apunte.
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Escuela Universitaria de Ingeniera
Elctrica-Electrnica EIEE
3.- En el amplificador que se indica. Explique: a) la funcin de cada condensador. b) por qu es necesario
polarizar el transistor. Determine: c) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V d) grafique las
rectas de carga de entrada y salida e) la ganancia de voltaje, AV y de corriente AI f) Zin y Z0. g) si el voltaje
de entrada, VS es de 1mV de amplitud senoidal, grafique el voltaje de salida (en estado estacionario y a
frecuencias medias).
243
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DESARROLLO:
Como este valor es muy cercano a 1mA, el voltaje continuo del diodo es muy cercano al valor supuesto.
En este punto de operacin, la resistencia dinmica del diodo rd es:
n VT
rd = =53.8
IDQ
rd
vd = 2 =10.7mV (la amplitud de la componente ac de Vin es 1V, luego su
R + rd
valor peak-to-peak es 2)
De esta manera, la amplitud de la seal sinusoidal a travs del diodo es 5.35mV. Por esto, la expresin del
voltaje del diodo es:
244
2. Determine la caracterstica de transferencia
Vin-V0, considere diodos ideales. Identifique las
distintas regiones de operacin e indique los
diodos que conducen en cada regin.
DESARROLLO:
1, F > 1
+ = bF , 2 < F < 1
2, F < 2
4 Vin
2
3.- En el amplificador que se indica. Explique: a) la funcin de cada condensador. b) por qu es necesario
polarizar el transistor. Determine: c) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V d) grafique las
rectas de carga de entrada y salida e) la ganancia de voltaje, AV y de corriente AI f) Zin y Z0. g) si el voltaje
de entrada, VS es de 1mV de amplitud senoidal, grafique el voltaje de salida (en estado estacionario y a
frecuencias medias).
245
DESARROLLO:
a) C1 y C2 son condensadores de acoplamiento, permiten acoplar las seales alternas con la continua
de polarizacin. CE es de desacoplamiento en alterna permite eliminar RE2 (en este caso)
consiguiendo, con esto, elevar la ganancia.
b) Se polariza para llevar el transistor a su punto de operacin y luego acoplarle la seal alterna a la
polarizacin, de esta manera logara un amplificador efectivo de seales. Aprovechando la gran
ganancia que tiene el transistor.
J J 2e
,I = =
-8 2e -8
+ = 2e (3 ||E )
-8
= -g + ( + 1)3
2e
La impedancia de entrada:
-8
h-8 = = ij ||[-g + ( + 1)3 ]
2-8
Similarmente, h+ 3 (comprobar)
J J 2e -8 -8
,IF = = = ,I
F 2e -8 F F
Donde,
h-8
-8 =
F + h-8 F
1.- Explique: a) la caracterstica i-v del diodo de unin. b) la ecuacin de Schockley y c/u de sus parmetros,
limitaciones. c) que es un material tipo n y tipo p d) como se logra un diodo de unin en una juntura n-
p.
2.- determine el diodo que conduce y la corriente que pasa por R3.
247
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ESCUELA UNIVERSITARIA DE
1.- Explique: a) la caracterstica i-v del diodo de unin. b) la ecuacin de Schockley y c/u de sus parmetros,
limitaciones. c) que es un material tipo n y tipo p d) como se logra un diodo de unin en una juntura n-
p.
Desarrollo:
2.- determine el diodo que conduce y la corriente que pasa por R3.
Desarrollo:
VAK1=1-3=-2 OFF
VAK2=1-2=-1 OFF
248
3.- Si E=6V Obtenga iD, vD si:
a) el diodo es ideal
b) diodo ideal + V=0.6V
c) el diodo est descrito con la ec. de Schockley con
n=1.98, Is=14.10n.
d) suponga que la corriente continua en el diodo,
para el modelo del caso b) es de 100mA, obtenga su
modelo en alterna y obtenga iD cuando la excitacin
es E=6+0.01sen(t) [V]
Desarrollo:
Este ejercicio se realiza detalladamente en clases y est descrito con pleno detalle en el punto 2.5 del
apunte.
DESARROLLO:
5, F > 5
+ = p
F , F < 5
V0
5 VS
249
b)
5, F > 5
+ = p
7.5 mno, F < 5
250
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Electrnica EIEE
a) Cul es el objetivo de la polarizacin? b) Cmo se puede evaluar si una polarizacin es mejor que
otra?
3.- En el amplificador que se indica. a) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V b) el punto de
operacin es independiente de las variaciones de ? c) grafique las rectas de carga de entrada y salida.
251
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Desarrollo:
Tal como se analiz en clases y se muestra en el anexo 4 usando la ecuacin de Schockley y haciendo la
relacin de los dos punto de operacin:
IA
3 P 8I
=
4 I?
P 8I
n= 1.72 (ntese que este valor est entre 1 y 2 para los diodos de unin)
a) Cul es el objetivo de la polarizacin? b) Cmo se puede evaluar si una polarizacin es mejor que
otra?
Desarrollo:
a) Se polariza para llevar el transistor a su punto de operacin y luego acoplarle la seal alterna a
la polarizacin, de esta manera logara un amplificador efectivo de seales. Aprovechando la gran
ganancia que tiene el transistor.
b) Uno de los objetivos de la polarizacin es que su punto de equilibrio no vari al variar parmetro,
por ejemplo, la ganancia del transistor, . Una forma de evaluar es midiendo por ejemplo ICQ/.
ICQ/VCC, ICQ/RC, etc.
252
3.- En el amplificador que se indica. a) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V b) el punto de
operacin es independiente de las variaciones de ? c) grafique las rectas de carga de entrada y salida.
Desarrollo:
Este tipo de problemas han sido ampliamente desarrollados en clases y en el apunte, tal vez lo nico
diferente est en el tem b)
Esto tambin se puede realizar si consideramos =100 y =200 tenemos el y con los ICQ resultantes
obtenemos ICQ.
En general la variacin debera estar dentro de un 5% para que sea independiente de las .
253
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(VT=26mV)
RLL
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene IDSS=5mA y VP= 3.5V
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA.
254
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Elctrica-Electrnica EIEE
(VT=26mV)
Desarrollo:
R2
Vth = VCC = 3.21V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 9.64 k
VT 26m
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =1.92mA hie = r = = 100 = 1.35k
I CQ 1.92m
VCC I C RC + VCE + I C ( RE1 + RE 2 ) 9 = 3.4k IC +VCE (IC = 2.65m VCE 0.294m) Recta
de carga de CONTINUA
255
vCE VCEQ (iC I CQ ) ( R E 2 + RC R L ) ( iC I CQ ) 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref. origen)
R1 R2 RC RL
R12=R1||R2 = RL=RL||RC = =1.05k
R1 + R2 RC + RL
Ganancia de voltaje, AV
vin= ib ( h ie +( +1) R E2 )
256
v0 R 'L
AV = = = 4.87
vin h ie +( +1) R E2
vin
Alternativamente, vS = iS RS + vin iS = ib +
R12
vin 1 1
vS = (ib + ) RS + vin = + RS + 1 vin = AT vin
R12 h ie +( +1) R E2 R12
v0 R ' 1 1
Luego AVT = = AV AT = L
+ RS + 1
vS h ie +( +1) R E2 hie +( +1) R E2 R12
i0 ( v0 / RL ) Z 6.66k
AI = = = AV in = 4.87 = 16.2
iin ( vin / Z in ) RL 2k
Z 0 RC
257
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene I =5mA y V = 3.5V
DSS P
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener I =2.5mA.
DQ
DESARROLLO:
K=IDSS/VP2=0.4082mA/V2
Considerando que el dispositivo opera en la regin de saturacin, los valores del punto Q deben
satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K(vGS VP)2
Es decir,
VGSQ1= 2.4748 3.5= 5.9748, este valor se descarta, ya que es menor que VP.
VGSQ2= +2.4748 3.5= 1.0252, este valor es la solucin ya que est dentro del rango [ VP , 0 ].
VGSQ = IDQRs
Rs = VGSQ/IDQ= 1.0252/2.5m=410.08
258
3.- Obtenga las expresiones de
DESARROLLO:
v0 = RL ( iin + gmvgs)
vin = vgs + v0
vgs = RGiin
v0 = RL ( iin + gmRGiin)
De aqu se observa que la resistencia de entrada puede ser muy grande comparada a RG.
Resistencia de salida.
260
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Elctrica-Electrnica EIEE
1.- Explique a) cul es el objetivo de polarizar un transistor? b) Cmo se puede evaluar si una
polarizacin es mejor que otra? c) los condensadores en el amplificador: cul es su nombre y su
funcin? d) describa los diferentes estados en que puede estar un transistor bipolar y su modelo
circuital asociado.
2.- a) el punto de
operacin del BJT y
del FET. b) la
ganancia de voltaje, 1.5k
AV , de corriente, Ai 56k
y de potencia AP
c) la recta de carga
de continua y alterna
de la etapa de Q1 e)
Zin y Z0.
Los transistores son 1 Meg 15k
siguientes
parmetros:
BJT: hfe= = 250,
hoe1
FET: IDSS=11.7mA,
VP= 3V, rd=95k
d 2v dv
k0 2 + k1 + k2 v V1 = 0 k0, k1, k2, y V1 son constantes
dt dt
261
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1.- Explique a) cul es el objetivo de polarizar un transistor? b) Cmo se puede evaluar si una
polarizacin es mejor que otra? c) los condensadores en el amplificador: cul es su nombre y su
funcin? d) describa los diferentes estados en que puede estar un transistor bipolar y su modelo
circuital asociado.
Desarrollo:
a) El objetivo es poner el transistor en un punto de operacin de tal manera que al agregar una
seal senoidal se pueda amplificar sin distorsionar. Es el principio de la linealizacin en el
punto de operacin, para pequea seal, se puede aplicar tcnicas lineales de anlisis.
b) Una polarizacin es mejor cuando el punto de operacin no cambia al cambiar el valor de
un parmetro. Generalmente, el parmetro que tiene los cambios ms pronunciados es la
ganancia . Entonces se evala IC/ o cualquier otra variacin IC/RC, IC/VCC, etc.
El circuito que presente las menores variaciones es el mejor.
c) Los que conectan la fuente de seal al amplificador y el que conecta el amplificador a la
carga son los llamados condensadores de acoplamiento. Los condensadores que se
colocan en paralelo a las resistencias (generalmente en el emisor) son los condensadores de
desacoplamiento. Su funcin es anular dicha resistencia para el anlisis en alterna, con
esto se logra, en la prctica, aumentar la ganancia por un lado, y establecer un punto de
operacin en continua con esta resistencia, por otro.
d) El transistor bipolar puede estar en: a) Corte b) Activa c) Saturacin. Los modelos
circuitales son los del apartado 3.5 de este apunte.
2.- a) el punto de
operacin del BJT y
del FET. b) la
ganancia de voltaje,
AV , de corriente, Ai 1.5k
y de potencia AP 56k
c) la recta de carga
de continua y alterna
de la etapa de Q1 e)
Zin y Z0.
Los transistores son
descritos por los 1 Meg 15k
2.2k
siguientes
parmetros:
BJT: hfe= = 250,
hoe1
FET: IDSS=11.7mA,
VP= 3V, rd=95k
262
Desarrollo:
J J 2e t
,I = =
-8 2e t -8
Donde
*+ = 5 2e j
B3
2e + )0 t + =0
1||uv
B3 = 2e -g
Luego
1||uv
2e = 5)0 t
1||uv + -g
-8 = t
Por lo tanto
J 1||uv
,I = = )0 j
-8 1||uv + -g
h-8 = 9
J
2J E ,I
,- = = = h
2-8 - E -8
h-8
h+ =
Por inspeccin (y obviamente, prctica),
263
2. Para los circuitos indicados y
considerando que la alimentacin
es simtrica (VCC=|VEE|) obtenga:
a) la expresin del voltaje de salida
v0
b) caracterstica de transferencia y x
explquela. c) indique una
aplicacin prctica del circuito.
Desarrollo:
*@ = *w = *F
*F
2B = = 29B
29B = 2iB
Por inspeccin
*F
*O =
3 + 2B =
3 + = 4*F
2iB = 29B + 2iB = 22B
*J = *O + 4 2iB = *O + 4
2 2B = 12*F
Desarrollo:
Utilizando los bloques sumadores, restadores e integradores se puede construir el siguiente
circuito.
Sugerencia es partir por despegar la segunda derivada e ir agregando los bloques.
Una solucin es la propuesta a continuacin:
264
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Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica-Electrnica
EIEE
1.- Explique: a) qu son los parmetros h y su significado fsico. (Describa y use grficos para mejor
interpretacin). b) la caracterstica de entrada y salida de un JFET (apyese en grficos) 15p
2.- En el amplificador Jfet IDSS=8mA, VP= 4V. RS=1.5k, RD=2.4k RG1=2.1M, RG2=270k. a) Determine el punto
de operacin, grafique las correspondientes rectas de cargas. b) Calcule AV, AI, Zin, Zo.
3.- En el amplificador que se indica. a) completar los puntos de operacin (Q) de los tres transistores b)
Las rectas de cargas de continua de los transistores c) las rectas de carga de alterna de la salida c) la
ganancia de voltaje, AV , de corriente, Ai y de potencia AP d) Zin y Z0.
VCC=+15
IDQ=3.29mA
IE2Q=1.84mA
IE3Q=3.25mA
2=150
RL +
3=80
250 Vo
VBE=0.7V
265
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EIEE
1.- Explique: a) qu son los parmetros h y su significado fsico. (Describa y use grficos para mejor
interpretacin). b) la caracterstica de entrada y salida de un JFET (apyese en grficos) 15p
Desarrollo:
2.- En el amplificador Jfet IDSS=8mA, VP= 4V. RS=1.5k, RD=2.4k RG1=2.1M, RG2=270k. a) Determine el punto
de operacin, grafique las correspondientes rectas de cargas. b) Calcule AV, AI, Zin, Zo.
Desarrollo:
= z
tF { 4 ec.2
z=
I|?
=0.5 [mA/V2]
Resolviendo las ecuaciones 1 y 2 resulta VGS=-1.8V e IDQ=2.4 mA (se descarta la solucin que est fuera
del rango VP<VGS<0 )
266
Con esto se puede calcular la transconductancia, gm
)0 = 2}z ~
J J *
,I = =
- * -
*+ = )0 *
||E
Y por inspeccin
- = *
Por lo tanto
J
,I = = )0
||E
-
J
2J E ,I
,- = = = h
2-8 - E -8
h-8
h+ =
267
3.- En el amplificador que se indica. a) completar los puntos de operacin (Q) de los tres transistores b)
Las rectas de cargas de continua de los transistores c) las rectas de carga de alterna de la salida c) la
ganancia de voltaje, AV , de corriente, Ai y de potencia AP d) Zin y Z0.
VCC=+15
IDQ=3.29mA
IE2Q=1.84mA
IE3Q=3.25mA
2=150
RL +
3=80
250 Vo
VBE=0.7V
Desarrollo:
b) Rectas de continua
VCC = IDRd + VDS + IDRS VCC = ID(Rd + RS )+VDS
*/g9 =
9 + 1 2e9
i ||E 2/9
i ||E
J J 2e9 2e4 *t
,I = =
6 2e9 2e4 *t 6
+ =
9 + 1 2e9
i ||E
J
=
9 + 1
i ||E
2e9
2e9 4
=
2e4 [ +
9 + 1
i ||E ]
1 + -g9 u
2e4 )0
=
*t 1 + -g4
$
6
*t = *
+ 6 6
Por inspeccin:
h-8 t
Similarmente, h+ = i ||
[>D wB ]
D w3
(comprobar)
269
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Elctrica-Electrnica EIEE
|
Examen: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene IDSS=5mA y VP= 3.5V
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA.
270
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Elctrica-Electrnica EIEE
|
PAUTA Examen: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
Desarrollo:
Anlisis en continua
R2
Vth = VCC = 4V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 6.67 k
Vth VBEQ 3.3
I BQ = = = 3.78 A
Rth + ( + 1)( RE1 + RE 2 ) 872.6k
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =0.945mA
VT 26m
hie = r = = 250 = 6.88k
I CQ 0.945m
Anlisis en alterna.
271
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene I =5mA y V = 3.5V
DSS P
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener I =2.5mA.
DQ
Anlisis en continua
K=IDSS/VP2=0.4082mA/V2
Considerando que el dispositivo opera en la regin de saturacin, los valores del punto Q
deben satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K(vGS VP)2
272
3.- Obtenga las expresiones de
Av, Zin y Z0.
Desarrollo:
Cto. equivalente en alterna:
273
Resistencia de salida.
274
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ESCUELA UNIVERSITARIA DE
INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
1.- Explique a) cul es el objetivo de polarizar un transistor? b) Cmo se puede evaluar si una
polarizacin es mejor que otra? c) los condensadores en el amplificador: cul es su nombre y su
funcin? d) describa los diferentes estados en que puede estar un transistor bipolar y su modelo
circuital asociado. 20p
15p
275
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ESCUELA UNIVERSITARIA DE
INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
Pauta Examen: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
1.- Explique a) cul es el objetivo de polarizar un transistor? b) Cmo se puede evaluar si una
polarizacin es mejor que otra? c) los condensadores en el amplificador: cul es su nombre y su
funcin? d) describa los diferentes estados en que puede estar un transistor bipolar y su modelo
circuital asociado. 20p
Desarrollo (R E S P U E S T A POSIBLE):
e) El objetivo es poner el transistor en un punto de operacin de tal manera que al agregar una
seal senoidal se pueda amplificar sin distorsionar. Es el principio de la linealizacin en el
punto de operacin, para pequea seal, se puede aplicar tcnicas lineales de anlisis.
f) Una polarizacin es mejor cuando el punto de operacin no cambia al cambiar el valor de
un parmetro. Generalmente, el parmetro que tiene los cambios ms pronunciados es la
ganancia . Entonces se evala IC/ o cualquier otra variacin IC/RC, IC/VCC, etc.
El circuito que presente las menores variaciones es el mejor.
g) Los que conectan la fuente de seal al amplificador y el que conecta el amplificador a la
carga son los llamados condensadores de acoplamiento. Los condensadores que se
colocan en paralelo a las resistencias (generalmente en el emisor) son los condensadores de
desacoplamiento. Su funcin es anular dicha resistencia para el anlisis en alterna, con
esto se logra, en la prctica, aumentar la ganancia por un lado, y establecer un punto de
operacin en continua con esta resistencia, por otro.
h) El transistor bipolar puede estar en: a) Corte b) Activa c) Saturacin. Los modelos
circuitales son los del apartado 3.5 de este apunte.
Desarrollo:
Dado que IR1=IR2 y que IR3=IR4
Entonces para evaluar la Amplificacin Diferencial
276
+
, =
Tenemos que:
3
VoutDiferencial = Vout (donde VA es distinto de VB) es la siguiente:
+ =
1 +
4
Esta ecuacin surge haciendo el siguiente anlisis del circuito anterior:
4
+3 =
1 +
3
i i
+ = .1 + 1 +3
9 9 i 4 i
+ = .1 + 1 .1 + 1
9 3 9
i i i 4
+ = .1 + 1 . + 1
9 9 9 3
3 3 3
considerando que R1=R4 y R2=R3 la tensin diferencial ser:
+ = .1 + 1 .1 + 1 =
.1 + 1
4 4 4
Es de destacar que de acuerdo con las frmulas obtenidas, con este circuito no se puede tener
ganancia unitaria, y en caso de necesitarse hay que utilizar la configuracin de tres AO's.-
Amplitud de Salida de Modo Comn
i i i 4
Considerando VA=VB =VCM de las ecuaciones anteriores obtenemos:
+ = +
9 9 9 3
i i 4
+ = +
9 9 3
i 4
La tensin de Salida de Modo Comn ser:
+;< = ;< .1 1
9 3
,
= 20 log
1 i 4
9 3
Considerando la frmula para el CMRR vemos que este se incrementa con la amplificacin
diferencial y con el apareamiento de las resistencias, ya que si se logra, el CMRR tiende a
infinito.-
Amplitud de Salida Diferencial
VoutDiferencial = Vout=V0 (donde VA es distinto de VB) es la siguiente:
277
3
+ =
.1 + 1
4
Esta ecuacin surge haciendo el siguiente anlisis del circuito anterior:
3
+3 = .1 + 1 i i
4 + = .1 +
1 +3
9 9
4 2 4
+ = .1 + 1 .1 + 1
3 1 3
15p
Desarrollo:
;; = ; 3 + ; +
+ 1
4 + j
En continua (los condensadores son circuito abierto)
En alterna:
*/g + 2/ 3 ||v + 2g 4 = 0
Del circuito equivalente en ac planteando LVK se obtiene:
2/ = W 2g
Como
*/g = 2/
3 ||v + = 2/ ;E
B?
Entonces recta de alterna ejes ic-vce.
2; = ;~ + 2/
*; ;~
Luego expresando estas ecuaciones en trminos de las variables completas vCE e iC.
2; = ;~
;E
2; = ;~ + B
I
Recta que pasa por los puntos
*; = ;~ + ;E ;~
279
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ib ib(+1)
ib
gmvgs
Recta de alterna ( id vs. vds ): reemplazando en la ec. [1] id + id 1 = ib las ecs. [2] y [3]
280
vds vds
id + =
Rd 1 [ hie + ( + 1) RE ]
1 1
id = vds +
Rd1 [ hie + ( + 1) RE ]
BJT:
Recta de continua ( IC vs. VCE ): VCC ( RE + RC ) I C + VCE
Desarrollo:
VS
-R2/R1
281
La respuesta temporal obtenida por simulacin o por
dibujo a mano alzada considerando la caracterstica de
transferencia.
282
3. Considerando que VCC=|VEE| obtenga: a) las formas de
ondas relevantes y sus expresiones, deduzca la expresin del
periodo del voltaje de salida.
b) proponga modificaciones al circuito para que la tensin de
salida tenga ciclo de trabajo variable (T=T1+T2, T1 y T2
diferentes)
Desarrollo:
a) Multivibrador Astable
t
vC (t ) = VCC (VCC + VEE )e RC
T1
en t=T1 VCC = VCC (VCC + VEE )e RC
1 + (VEE VCC )
Al resolver para T1, se tiene T1 = R C ln Para el intervalo T2, la salida es
1
baja y el condensador se descarga desde el voltaje VCC hacia el voltaje final VEE . En este caso
t'
vC (t ) = VEE + (VEE + VCC )e
' RC
1 + (VCC VEE )
T2
VEE = VEE + (VEE + VCC )e RC
T2 = R C ln
1
Para un caso comn VCC = VEE y la salida representa una onda cuadrada de periodo
1+
T = T1 + T2 = 2R C ln
1
T1 T2
VCC
VCC
- VEE
b)
-VEE
283
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f(t)
y
z x(t)
284
DESARROLLO:
1.- En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:
i.- se polariza inversamente el diodo, la corriente que circula es de 110-9 A (es decir circula sta
corriente desde ctodo a nodo).
ii.- VD1=0.63V ID1=0.4878mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.0907mA
Cuando ID sea 0.5 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo
circuital.
Considere el voltaje termal, VT=26mV @ temperatura ambiente.
Desarrollo:
Evaluando y despejando n= 1.72 (ntese que este valor est entre 1 y 2 para los diodos de unin)
Desarrollo:
R2
Vth = VCC = 3.21V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 9.64 k
Vth VBEQ 2.51
I BQ = = = 19.18 A
Rth + ( + 1)( RE1 + RE 2 ) 130.84k
285
VT 26m
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =1.92mA hie = r = = 100 =
I CQ 1.92m
1.35k
VCC I C RC + VCE + I C ( RE1 + RE 2 ) 9 = 3.4k IC +VCE (IC = 2.65m VCE 0.294m)
Recta de carga de CONTINUA
en particular, en el punto de operacin ( I CQ = 1.92 mA) VCEQ = 2.47 V
Del circuito equivalente de alterna
v ce ic ( R E 2 + RC R L ) ic 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref. punto operacin)
Dado que vCE = VCEQ + vce iC = I CQ + ic entonces
vCE VCEQ (iC I CQ ) ( R E 2 + RC R L ) ( iC I CQ ) 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref.
origen)
iC = 0.8m vCE + 3.9 m
286
R1 R2 RC RL
R12=R1||R2 = RL=RL||RC = =1.05k
R1 + R2 RC + RL
Ganancia de voltaje, AV
vin= ib ( h ie +( +1) R E2 )
v0 R 'L
AV = = = 4.87
vin h ie +( +1) R E2
vin
Alternativamente, vS = iS RS + vin iS = ib +
R12
vin 1 1
vS = (ib + ) RS + vin = + RS + 1 vin = AT vin
R12 h ie +( +1) R E2 R12
v0 R ' 1 1
Luego AVT = = AV AT = L
+ R +
S 1
vS h ie +( +1) R E2 hie +( +1) R E2 R12
i0 ( v0 / RL ) Z 6.66k
AI = = = AV in = 4.87 = 16.2
iin ( vin / Z in ) RL 2k
Z 0 RC
287
3.- Determine la ecuacin diferencial que resuelve el siguiente circuito.
f(t)
y
z x(t)
Desarrollo
R3
VX = VZ
R4
1
R2C2
VZ = VY ( )d
dVZ
VY = R2C2
dt
1 1
VY =
RbC1 VX ( )d
RaC1
V f ( )d
Reemplazando
4
+ 400 = 1000Y
o
o 4
288
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2.- Explique:
a) las caractersticas de entrada y salida de un transistor BJT y su relacin con el modelo en alterna
del dispositivo.
b) Explique las principales caractersticas y diferencia entre el Amplificador operacional y el
Comparador. De ejemplos, cmo se reconocen? Etc.
c) Explique los parmetros h y su significado. (Describa y grafique la interpretacin).
3.- Compruebe que el circuito indicado corresponde a un rectificador onda completa cuando
R2=2R1. Dibuje la respuesta para una entrada sinusoidal de 1V de amplitud y 2kHz.
289
DESARROLLO :
1.- Determine los estados de los diodos del circuito.
Desarrollo :
Por ser un circuito no-lineal con cuatro posibilidades :
-Se descarta la posibilidad que los dos estn apagados, porque hay una fuente de corriente que debe
conducir su corriente en el circuito.
Provando los otros estados posibles se encuentra que la nica solucin es que conduzca el D4 y el
D3 est apagado.
En efecto, en este caso IR1=5mA luego planteando LVK
VD3= IR1 R1 10= 5mA1k - 10= -5 LO que comprueba que efectivamente el diodo
D3 est apagado y slo conduce el D4.
2.- Explique:
a) las caractersticas de entrada y salida de un transistor BJT .
b) Explique las principales caractersticas y diferencia entre el Amplificador operacional y el
Comparador. De ejemplos, cmo se reconocen? Etc.
c) Explique los parmetros h y su significado. (Describa y grafique la interpretacin).
Desarrollo :
a) Esto se desarroll detalladamente en clases y es lo que se explica en el punto 3.4 y detalles
se encuentran en la fig 3.5.
b) La principal diferencia que los caracteriza es que el AO est diseado para realimentacin
negativa en cambio el Comparador para realimentacin positiva.
Los circuitos con operacionales son de gran versatilidad van desde los amplificadores
inversores, no-inversores, sumadores, integradores, rectificadores de presicin, etc. En cambio
los Comparadores son caractersticos de los circuitos que su salida varia entre dos valores, que
generalmente son los valores de polarizacin, as tenemos los generadores de ondas mono, y
astable, etc.
Se reconocen fundamentalmente por el signo de la realimentacin, es decir:
negativa AO; y si la realimentacin es positiva Comparador.
c) En el punto 3.8.4 de este apunte se da una exahustiva descripcin de los parmetros h,
adems, esto fue desarrollado ntegramente en la catedra.
290
3.- Compruebe que el circuito indicado corresponde a un rectificador onda completa cuando
R2=2R1. Dibuje la respuesta para una entrada sinusoidal de 1V de amplitud y 2kHz.
Este problema fue desarrollado ntegramente en clases y se expone en la fig. 5.51 se encuentra el
desarrollo.
291
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1. Determine la caracterstica de
transferencia Vin-V0, considere diodos
ideales. Identifique las distintas
regiones de operacin e indique los
diodos que conducen en cada regin.
3.- Dado que R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4. Determine la razn de rechazo de modo comn
(CMRR).
292
PAUTA EXAMEN:
1. Determine la caracterstica de
transferencia Vin-V0, considere diodos
ideales. Identifique las distintas
regiones de operacin e indique los
diodos que conducen en cada regin.
Resp.:
D2 ON cuando Vin<-3
V1 Vin
V2
Desarrollo:
Este problema est completamente desarrollado en el punto 3.14 del presente apunte. Se ha
evitado rehacer los problemas que estn desarrollados en algn tem del apunte.
293
3.- Dado que R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4. Determine la razn de rechazo de modo comn
(CMRR).
Desarrollo:
En este amplificador tal como se vio en el ejemplo 5.10 al hacer R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4 la
amplificacin diferencial es:
+ 2 4
, = = 1 +
3
+ i 3 + 4 4
=
;< 9 + i 3 3
Y el CMRR ser
,
= 20 log
i 3 + 4 4
9 + i 3 3
294
RESUMEN PRESENTACIONES DE PPT
295