CAPTULO 4 LITOGRAFA SIN MSCARA

El proceso de litografa es una secuencia de pasos muy usados en la

fabricacin de dispositivos electrnicos, el objetivo es trazar un patrn en el
material, que queda cubierto y protegido por una resina. El propsito del proceso
litogrfico es atacar y remover solo algunas reas del material, implantar iones en
lugares especficos, aadir una capa de algn otro material en algunas secciones
de la oblea, o como en nuestro trabajo, definir el rea de los contactos de la fuente
y drenaje en los dispositivos fabricados.

Actualmente, el proceso litogrfico, o fotolitogrfico, como tambin es

conocido, es tan usado en la fabricacin de dispositivos, que consume el 60% del
tiempo y el 40% de costo de fabricacin de los dispositivos electrnicos. Adems,
para la fabricacin de una sola oblea con circuitos CMOS, se puede repetir hasta
50 veces el proceso litogrfico. Es tan importante, que prcticamente, el tamao
de los dispositivos depende de la tecnologa con que se cuente para realizar el
proceso de litografa.

Los pasos que generalmente se siguen en un proceso litogrfico son:

1. Limpieza de la superficie del material.
2. Depsito de la resina fotosensible sobre la superficie, generalmente por
spin coater.
3. Horneado del material para deshidratar la resina fotosensible y que sta
quede como una pelcula slida.
4. Exposicin de la pelcula con el patrn deseado, usando luz ultravioleta.
5. Removido de la pelcula expuesta, si se us una resina fotosensible
positiva, o removido de la resina fotosensible no expuesta, si sta era
negativa; lo que permite descubrir solo algunas reas del sustrato. Para
realizar este paso, se usa una solucin qumica apropiada llamada
revelador.

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 6. Tratamiento de la parte descubierta del sustrato, ya sea ataque del material,
implantacin de iones o aadir un nuevo material que queremos que solo
quede depositado en las reas descubiertas.
7. Por ltimo, se remueve la resina fotosensible que protegi el sustrato con
otra solucin qumica llamada eliminador.

Antes de continuar, explicar la diferencia entre resina fotosensible positiva y

negativa mencionada en el paso 5, para entender esto, diremos que, la resina
fotosensible positiva est formada por cadenas largas de molculas orgnicas; la
luz ultravioleta, rompe estas cadenas, formando cadenas ms cortas, lo que
permite al revelador eliminarlas del sustrato, dejando solo las cadenas largas de
las reas no expuestas. El caso contrario es el de la resina fotosensible negativa,
donde la luz induce que cadenas cortas se unan entre s, formando cadenas de
molculas ms largas, lo que permite que el revelador disuelva solo las cadenas
cortas donde no hubo exposicin a la luz. Para finalizar, un resumen grfico de los
pasos puede verse en la Figura 4.1.

Figura 4.1 Pasos del proceso de litografa con mscara.

4.1 TIPOS DE LITOGRAFA

A pesar de que el proceso de litografa consiste en varios pasos, como se

explic anteriormente, la clasificacin de estos procesos se hace por la manera de
efectuar solo uno de ellos, la exposicin. El proceso de exposicin consiste en

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grabar un patrn con resina fotosensible sobre el sustrato, el cual, posteriormente,
ser el que delimite qu rea del sustrato ser modificada, de aqu su importancia.

Existe una manera sencilla de clasificar el proceso de exposicin, sta

sera, con o sin mscara. En la litografa con mscara, se utiliza una plantilla, o
mscara, con reas opacas y reas tranparentes, dependiendo del patrn que se
quiera grabar con la resina fotosensible, la plantilla es colocada entre la resina
fotosensible y una fuente de luz, la cual protege, solo en las partes deseadas, a la
resina fotosensible de la exposicin de la fuente de luz, un ejemplo de este
mtodo es el que se muestra en la Figura 4.1. Por el contrario, en la litografa sin
mscara, no se utiliza ninguna plantilla entre la resina y la fuente de exposicin, se
utilizan diferentes tcnicas para dirigir la fuente solo a las partes deseadas de la
resina fotosensible.

Otra clasificacin de los procesos de litografa es mediante la naturaleza de

la fuente de exposicin, entre las cuales se encuentran, desde fuentes de luz que
van del visible a los rayos X, hasta exposicin de electrones o de iones. Una breve
descripcin de cada tipo de litografa sera la siguiente:

Fotolitografa (ptica, UV o EUV): Su nombre proviene de que se usan

fuentes de luz para exponer la resina fotosensible. La fotolitografa ptica,
UV y EUV, utilizan fuentes de luz visible, de luz ultravioleta y de luz
ultravioleta extrema, respectivamente. Es de los procesos de litografa ms
econmicos, se usa principalmente con mscaras, pero tambin es posible
usarlo sin mscaras, usando interferencia de haces, exponiendo punto por
punto usando un lser, o pantallas difractoras para generar distintos
patrones. Entre las desventajas de este tipo es la difraccin de la luz, y
mientras mayor es la longitud de onda de la fuente, el proceso resulta ms
afectado, es por eso que se busca realizar la fotolitografa con las
longitudes de onda ms pequeas que se encuentren.
Litografa por rayos X: Este tipo de litografa tiene prcticamente las mismas
ventajas que la fotolitografa, en lo que no tiene parecido, es en las
desventajas, principalmente porque en este tipo de litografa la difraccin es

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 casi nula, ya que la longitud de onda de los rayos X es muy corta. Adems,
en el proceso se utilizan materiales y componentes muy diferentes a los
utilizados en la fotolitografa, es por eso que se clasifican aparte. Del mismo
modo se puede usar con mscara o sin mscara, usando interferencia de
rayos X.
Litografa por haz de electrones: ste es un proceso de litografa sin
mscara, debido a que se realiza incidiendo un haz de electrones sobre la
resina fotosensible. Se puede decir que el patrn es trazado en la resina
fotosensible punto por punto, es por eso que tiene una resolucin muy alta,
pero el proceso es demasiado lento como para usarse en una produccin
de volumen muy alto. La gran ventaja de este proceso es que la difraccin
de los electrones es despreciable, y que se puede enfocar fcilmente el haz
de electrones en cualquier punto de la resina con un campo magntico o
electrosttico.
Litografa por haz de iones: Es un proceso muy parecido al anterior,
solamente que en ste, se utiliza un haz de iones que impacta directamente
sobre el material; generalmente se usan iones de Hidrgeno H+, por ser los
iones de menor peso y pueden penetrar una gran distancia en el material,
pero tambin son muy usados los iones de Galio Ga+, ya que se han
desarrollado fuentes de estos iones que tienen una densidad de flujo muy
alta. Los iones, al ser partculas como los electrones, tienen difraccin
despreciable, pero a diferencia de los electrones, poseen mucha mayor
masa, por lo tanto tienen mucha mayor energa y provocan cambios tanto
fsicos, como qumicos en la regin del material donde impactan, y estos
cambios son los que son aprovechados para modificar el material solo en
las reas deseadas, as es como se realiza este tipo de litografa.

Por ltimo, cabe sealar que en nuestro trabajo, usaremos un proceso de

fotolitografa ptica sin mscaras, y los patrones que sern expuestos, se
obtendrn usando un montaje ptico que combina una pantalla difractora e
interferencia de haces [10] [13] [14] [15].

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4.2 INTERFERENCIA DE HACES A PARTIR DE UNA
PANTALLA DIFRACTORA

Uno de los objetivos de este trabajo, es disear e implementar un sistema

para realizar el proceso de litografa sin mscara. Para lograr nuestro objetivo se
implement un sistema ptico 4f, que con el uso de un modulador espacial de luz,
genera dos o ms haces de luz con perfil Bessel, y se hacen interferir para obtener
un patrn peridico, el cual se expone en la resina fotosensible.

La definicin de un haz Bessel puede encontrarse a travs de la ecuacin de

Helmholtz. La ecuacin de Helmholtz en el espacio libre tiene un conjunto de
soluciones que poseen propagacin invariante. Estas soluciones tienen amplitudes
del campo elctrico proporcionales a funciones Bessel. El haz Bessel consiste en
una cantidad de rdenes infinita; el haz de orden cero tiene un brillo mximo
central, mientras que los haces de rdenes ms altos tienen un ncleo central
oscuro los cuales se propagan en el espacio libre sin ningn tipo de difusin
debido a la difraccin, por eso son llamados adifraccionales.

El comportamiento adifraccional de los

haces Bessel es la razn principal de su
eleccin, debido a que permite tener un sistema
ms robusto, ya que en un sistema
interferomtrico convencional, la distancia donde
se genera el patrn de interferencia es crtica, en
cambio, en la interferencia de haces
adifraccionales, existe un rango amplio donde se
puede obtener este patrn. Un ejemplo de un
Figura 4.2 Perfil de un haz
haz de perfil Bessel es el que se muestra en la Bessel.
Figura 4.2.

En nuestro caso, la generacin de estos haces Bessel es realizada a partir

de hologramas generados por computadora, o CGHs (Computer-Generated

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Holographic), por sus siglas en ingls, que emplean un cdigo hologrfico con la
capacidad de sintetizar campos escalares complejos.

Los CGHs son implementados en moduladores espaciales de luz, o SLM

(Spatial Light Modulator) por sus siglas en ingls, en modo de fase. Estos
moduladores de fase estn compuestos por una matriz de pxeles, los cuales
despliegan el holograma y modifican la fase del campo escalar complejo de luz.
Sin embargo, los moduladores no son completamente ideales y siempre tiene
asociada una modulacin de amplitud respecto a la fase, la cual no puede
eliminarse, por eso en ocasiones son llamados moduladores mayormente de fase;
por otro lado, los pxeles no son continuos entre s, lo que altera el campo de luz
deseado; todo esto y otros factores perjudican el campo complejo que se requiere,
este conjunto de errores es llamado error de modulacin.

Para generar nuestros hologramas, nos basamos en el cdigo hologrfico

propuesto por Davis [16] para sintetizar campos complejos arbitrarios usando un
modulador de luz solo de fase. Para entenderlo, definimos primero la transmitancia
compleja que queremos obtener como

donde el mdulo de la funcin c(x,y) tiene la restriccin de .

Del mismo modo, la transmitancia de fase del CGH que codificar la funcin
compleja c(x,y) est dada por

en esta funcin, M(x,y) es el factor de atenuacin de fase y tiene su dominio en

0M(x,y)1. Se puede ver que hay una relacin implcita en la funcin de fase del
CGH, est sera h(x,y)=c(x,y)+e(x,y), donde e(x,y) representa el error de
modulacin del CGH.

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 A partir de aqu, por simplicidad, omitiremos mencionar las variables (x,y). Se
derivan los trminos M(x,y) y e(x,y), y podemos expresar la funcin h como una
serie de Fourier infinita

donde la fase est limitada en el dominio [-,]. Entonces, los coeficientes de

Fourier se obtienen por

donde se usa la definicin de sinc(w)sen(w)/w. Ahora, calculando M como la

solucin de la ecuacin transcendental obtenemos

Por lo tanto, la modulacin de fase del CGH puede ser expresado como

donde c es la modulacin compleja codificada y e es el error de modulacin, y est

definido por

Dicho de otra manera, para este cdigo se requiere un aislamiento de la

seal deseada c de la seal de ruido e.

Para nuestro sistema, no tenemos un modulador solo de fase, por lo tanto, el

cdigo fue generalizado, por V. Arrizn y L. A. Gonzlez [17], para un modulador
mayormente de fase, es decir, donde la amplitud no es constante y vara en
funcin de la modulacin de fase, con el fin de implementar el CGH en un SLM
comercial. Para este caso, la relacin entre la modulacin de fase y la modulacin

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de amplitud est definida por la curva de modulacin SLM. Para este nuevo
cdigo, la transmitancia del CGH que codificar la funcin c, estar dada por

donde puede verse que a(M) es la amplitud de la funcin, y en este caso, no es

constante y depende de M, al igual que la fase de la funcin. El conjunto de
valores complejos posibles para h se encuentran en la curva de modulacin SLM.
Adems, la amplitud de h debe estar normalizada, por lo tanto estar sujeta a
|h|min|h|1. Tambin, el nuevo dominio para M est dado por [0,Mmax], donde
Mmax1, mientras que mantiene el dominio original. Por lo tanto, el dominio de la
fase de h, est dado por [-Mmax,Mmax].

Siguiendo un desarrollo parecido al anterior, podemos expresar h por medio

de una serie de Fourier, y quedara

Si definimos la condicin que a1a(M)=|c|, entonces el trmino de orden 1 de

la serie corresponde a la seal compleja c=|c|ei. Sin embargo, como a(M)1 y
a1sinc(1-Mmax)1, entonces para valores de c cercanos a 1, esta condicin no
puede cumplirse, para resolver esto, se adopta una nueva restriccin para M

donde obtenemos una constante c0 ms pequea que 1. Por lo tanto, se obtiene la

nueva relacin h=c0c+e, donde el error de modulacin e, estar dado por la suma
de todos los rdenes, excepto el orden 1. Si se obtiene el valor mximo de c0 que
satisfaga la restriccin de M, se alcanza la mxima eficiencia del CGH. En este
caso el valor de c0 debe ser el valor mnimo de dos constantes definidas por
b1=min{a(M)} y b2=sinc(1-Mmax).

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 Como puede verse, la funcin del cdigo hologrfico utilizado es concentrar
el campo complejo a reconstruir en un solo orden de la serie de Fourier, mientras
que el error de modulacin se concentra en el resto de los rdenes. Para aislar el
campo complejo deseado del error de modulacin, se le incluye una funcin
portadora al CGH; esto nos ayuda a separar los rdenes en el espacio de Fourier,
los cuales se pueden filtrar para obtener solo el campo complejo que queremos.
Pero adems, la seleccin apropiada de la funcin portadora nos ayuda a generar
mltiples haces que son interferidos en el plano de reconstruccin de salida para
producir patrones luminosos peridicos, sin la necesidad de montar un sistema de
interferencia, tal como se muestra en la Figura 4.3.

Figura 4.3 Sistema 4f empleado para obtener patrn de interferencia.

Por otra parte, se requiere de una serie de elementos pticos para obtener
un funcionamiento adecuado en el sistema ptico. El montaje ptico completo que
se dise para generar los patrones de exposicin, se muestra en la Figura 4.4,
as como una fotografa del sistema que se arm en el laboratorio.

En el diagrama, se tiene como fuente de luz un lser, en nuestro caso se us

un lser sintonizable de iones de Argn, y fue sintonizado a una longitud de onda
de 454nm; el primer componente en el camino del haz es un objetivo de
microscopio, que se utiliza para limpiar el haz; posteriormente una lente
colimadora, y despus dos polarizadores, uno antes y otro despus del SLM,

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actuando como polarizador y como analizador, respectivamente; el modelo de
SLM que usamos es el LC2002, un modulador configurado como de fase.

Figura 4.4 Diagrama de montaje ptico completo con fotografa tomada en el laboratorio.

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 En la ltima
parte del diseo se
tiene una lente para
mover el campo al
espacio de
frecuencia, un filtro
para dejar pasar solo
el primer orden del
patrn de difraccin
de Fourier, y
posteriormente otra
lente, para recuperar
el campo complejo
con los haces Bessel
y hacerlos interferir,
los resultados de
esta interferencia
fueron tomados por
una cmara CCD
acoplada a un
objetivo de
microscopio para
amplificar el patrn y
confirmar que exista
dicha interferencia.

Con el cdigo
hologrfico definido y
la implementacin del
sistema ptico, se Figura 4.5 Hologramas generados por computadora con
diferentes funciones portadoras: a) portadora horizontal, b)
generaron en portadora vertical y c) portadora cuadrada.

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MATLAB los CGHs que se muestran en las Figura 4.5. Cada uno de los tres CGHs
tiene como base el mismo holograma, la diferencia entre ellos es la funcin
portadora que se le agreg a cada uno; el CGH en el inciso a) tiene una funcin
portadora binaria horizontal; el holograma del inciso b) tiene una funcin portadora
binaria vertical; y por ltimo, al CGH del inciso c) se le agreg una funcin
portadora binaria cuadrada. Adems, en el programa MATLAB, tambin
escribimos un cdigo para generar las simulaciones de los patrones de
interferencia que esperamos obtener en el montaje del sistema en el laboratorio.

Despus de obtener los hologramas, el siguiente paso es desplegarlos en el

SLM y observar los resultados en la cmara CCD. Las imgenes obtenidas por la
cmara fueron comparadas con las simulaciones obtenidas en MATLAB y en las
siguientes figuras se muestran ambos resultados:

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1. Simulacin de MATLAB y resultado experimental de un haz Bessel sin
interferir, obtenido de filtrar un solo haz.

42
2. Simulacin en MATLAB y resultado experimental de la interferencia de dos
haces Bessel, usando una funcin portadora binaria horizontal.

43
3. Simulacin en MATLAB y resultado experimental de la interferencia de dos
haces Bessel, usando una funcin portadora binaria vertical.

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 4. Simulacin en MATLAB y resultado experimental de la interferencia de
cuatro haces Bessel, usando una funcin portadora binaria cuadrada.

Como puede verse en las imgenes, el sistema ptico que diseamos,

genera el patrn de interferencia que se esperaba. Usando uno o la combinacin
de los patrones generados, se puede delimitar el tamao y la forma que tendrn
los contactos metlicos en los FETs fabricados.

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