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JOSIANE PEROZA
ARARANGU
2015
JOSIANE PEROZA
Josiane Peroza*
RESUMO
A energia solar fotovoltaica apresenta-se como uma alternativa promissora no que se refere
ao uso de energias renovveis no mundo. O Brasil possui um imenso potencial para a
utilizao de energia solar, pois em todo o territrio brasileiro h disponibilidade de irradiao
solar equivalente ou melhor que nos pases do Sul da Europa, como Itlia e Espanha, que
possuem significativa capacidade instalada de sistemas de gerao fotovoltaica. Entretanto,
essa energia ainda pouco explorada na extenso brasileira. Contudo, esse cenrio tende a
mudar em razo da primeira contratao da energia solar fotovoltaica no Leilo de Energia
de Reversa de 2014 LER/2014. Em vista dessa perspectiva de introduo da energia solar
fotovoltaica na matriz eltrica brasileira, este trabalho possui como objetivo a caracterizao
eltrica de mdulos fotovoltaicos atravs de simulador solar e iluminao natural a fim de
discutir as curvas caractersticas I-V com diferentes tecnologias fotovoltaicas. O simulador
solar utilizado corresponde ao modelo SunSim 3c, com o qual foi possvel a variao de
irradincia. Referente a simulao outdoor, foi utilizado um traador I-V de carga eletrnica
como equipamento padro. Dos dez mdulos fotovoltaicos analisados, todos apresentaram
mesmo comportamento referente a influncia de irradincia, sendo que a eficincia e fator de
forma de mdulos de tecnologia cristalino obtiveram maiores percentuais em relao aos
modelos de tecnologia de filmes finos. Quando em comparao a simulao indoor e a
outdoor, os cinco mdulos fotovoltaicos dispostos apresentaram curvas caractersticas I-V
praticamente sobrepostas nas condies padres de teste, instigando a boa comparao entre
as simulaes aplicadas.
*
Graduanda do Curso de Engenharia de Energia da Universidade Federal de Santa Catarina, Campus
Ararangu, Rodovia Governador Jorge Lacerda, 3201, Jardim das Avenidas Ararangu, Santa Catarina,
Brasil, CEP 88900-000. E-mail:josi_peroza@hotmail.com
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1 INTRODUO
Tabela 2 Demanda de energia mundial de acordo com fonte de energia renovvel, no renovvel e nuclear.
Fontes 2000 Participao 2013 Participao Variao
No renovvel 8.046 86,6% 11.086 86,3% 38%
Renovvel 662 7,1% 1.200 9,3% 81%
Nuclear 584 6,3% 563 4,4% -4%
Fonte: AZEVEDO, 2014 apud BP Energy Statistical Review 2014.
porcentagem j um timo ndice de que se deve apostar mais nessa fonte de energia e que
esta tem uma clara perspectiva de crescimento em todo o mundo.
O Sol a fonte primria de energia, possuindo uma importncia imprescindvel para
todos os processos vitais do planeta. Porm, a energia do sol ainda no utilizada em sua
plenitude. A cultura de utilizao de energia solar poderia suprir uma parcela importante do
consumo de energia em nvel global, principalmente nos pases onde a incidncia de energia
solar abundante (MARTINAZZO, 2004).
A energia solar pode ser aproveitada de diferentes formas, sendo as duas principais as
aplicaes trmicas e as fotovoltaicas. As aplicaes trmicas envolvem fenmenos de
transferncia de calor e variao de temperatura. A energia solar fotovoltaica utilizada para
gerao de energia eltrica nos setores residencial, comercial e industrial. O efeito
fotovoltaico o fenmeno que rege a converso de ftons em eletricidade, promovendo o
fornecimento de energia eltrica para sistemas isolados ou conectados rede eltrica
convencional. O aproveitamento da energia solar para gerar eletricidade conseguido por
meio de mdulos fotovoltaicos (MOCELIN, 2014).
A energia solar fotovoltaica apresenta-se como uma alternativa promissora no que se
refere ao uso de energias renovveis no mundo. Dentre suas vantagens destacam-se a
tecnologia bem difundida e conhecida, que proporciona confiabilidade, alm de possibilidade
de gerao descentralizada, que permite a instalao do gerador junto carga, incluindo o
fato de ser uma fonte de energia limpa e no prejudicial ao meio ambiente, no ocasionando
gases de efeito estufa que tencionam o aquecimento global (VERA, 2009).
O Brasil possui um imenso potencial para a utilizao de energia solar. Em todo o
territrio brasileiro h disponibilidade de irradiao solar equivalente ou melhor que nos
pases do Sul da Europa superando, por exemplo, a Alemanha, pas com capacidade instalada
significativa de sistemas de gerao fotovoltaica (PINHO, GALDINO; 2014). Entretanto essa
energia ainda pouco explorada na extenso brasileira. De acordo com o Balano Energtico
Nacional de 2014, a energia solar fotovoltaica no foi aproveitada na matriz eltrica nacional,
como pode ser observado pela Figura 1. Nos dois anos analisados, 2012 e 2013 essa fonte de
energia no se fez presente, muito devido ao seu custo quando comparado com outras fontes
mais baratas, como a hidreltrica.
Esse cenrio, porm, tende a mudar. Foi realizado no dia 31 de outubro de 2014 o
Leilo de Energia de Reversa de 2014 LER/2014, o primeiro leilo promovido pelo
Ministrio de Minas e Energia - MME em que foi contratada energia proveniente de
empreendimentos fotovoltaicos no mercado regulado. No total foram contratados 202,1
5
Figura 1 Matriz Eltrica Brasileira dos anos de 2013 e 2012. Fonte: BEN, 2014.
Sendo notria a introduo cada vez mais atuante da energia solar fotovoltaica tanto
no contexto mundial e, em etapa inicial no contexto nacional, torna-se evidente a necessidade
de um conhecimento maior sobre essa fonte de energia, ainda pouco conhecida pela
populao, alm de uma caracterizao adequada de mdulos fotovoltaicos. A caracterizao
um processo importante de avaliao do desempenho eltrico do dispositivo que est
diretamente associado potncia mxima, assim como a eficincia que um mdulo pode
fornecer, tornando ou no essa fonte de energia atrativa para investimentos futuros em relao
a uma aplicao especfica.
A partir desse pressuposto, este trabalho possui como objetivo a caracterizao eltrica
de mdulos fotovoltaicos atravs de simulador solar e iluminao natural, a fim de discutir as
curvas I-V com diferentes tecnologias fotovoltaicas, incluindo a variao de parmetros
importantes para caracterizao, como a irradincia, avaliando tambm seu fator de forma e
eficincia.
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2 REFERENCIAL TERICO
Para uma melhor compreenso da prtica desenvolvida durante este trabalho, faz-se
necessrio o conhecimento de alguns aspectos importantes que tangem desde o efeito
fotovoltaico at os sistemas de caracterizao de curva I-V de mdulos fotovoltaicos,
englobando pontos especficos sobre o funcionamento de clulas fotovoltaicas, suas devidas
tecnologias e ensaios de qualidade de dispositivos fotovoltaicos.
para materiais condutores, semicondutores e isolantes, sendo que para materiais condutores
existe uma superposio entre a banda de valncia e banda de conduo.
Figura 2 Nveis de energia gap para materiais condutores, semicondutores e isolantes. Fonte: BHLER, 2011.
Figura 3 Nveis de energia em materiais dos tipos p e n em silcio Ea a energia dos eltrons faltantes; Ed
o nvel de energia nos eltrons no emparelhados. Fonte: PINHO; GALDINO, 2014 adaptado de
OLDENBURG, 1994.
a corrente relacionada a difuso compensa a corrente causada pelo campo eltrico e a estrutura
cristalina chega a um estado de equilbrio eltrico. No entanto, se os terminais da clula
fotovoltaica fossem conectados por um fio, nenhuma corrente circularia atravs deste,
necessitando de um fator a mais para a formao de corrente (PRIEB, 2002).
Entretanto, se a juno pn for exposta luz, identificada como ftons com energia
maior que o gap, ocorrer a gerao de pares eltron-lacuna. Se estes pares eltron-lacuna
forem gerados em uma regio onde o campo eltrico no nulo, eles sero acelerados, dando
origem a uma corrente atravs da juno e por sua vez a uma diferena de potencial entre as
superfcies das regies p e n. Este fenmeno chamado de efeito fotovoltaico. Se forem
conectados terminais entre as regies p e n, uma corrente eltrica circular, persistindo a
circulao enquanto a juno permanecer iluminada (BHLER, 2011).
Figura 4 Disposio de uma clula fotovoltaica tpica de silcio. Fonte: BHLER, 2011.
11
As clulas fotovoltaicas podem ser fabricadas com alguns materiais distintos. Cada
material que compe a clula fotovoltaica caracteriza uma tecnologia que possui eficincia e
possibilidade de integrao diferenciadas. Existem trs geraes da tecnologia e cada uma
delas apresenta caractersticas diferentes (SANTOS, 2013).
A primeira gerao dividida em duas cadeias produtivas: silcio monocristalino (m-
Si) e silcio multicristalino (p-Si), que representam 85% do mercado, por ser considerada uma
tecnologia consolidada e confivel, e por possuir a melhor eficincia comercialmente
disponvel (PINHO; GALDINO, 2014).
A segunda gerao de clulas surgiu de uma necessidade de reduo do consumo de
silcio, caracterizado por ser um material muito oneroso que requer elevadas temperaturas em
sua produo, carecendo de um grau de pureza muito alto. A segunda gerao fotovoltaica,
denominada de filmes finos possui a vantagem de ser muito menos pesada, com fabricao
em camadas muito finas, permitindo aplicaes integradas em fachadas de edifcios. A
principal tecnologia dos filmes finos a do silcio amorfo, muito utilizada na eletrnica
profissional e em relgios ou calculadoras. Apesar da desvantagem em relao as menores
eficincias em comparao com a primeira gerao, a sua fabricao mais barata, e funciona
com uma gama mais distribuda de luminosidade, podendo ser aplicada em calculadoras
solares com o uso de iluminao difusa, em locais externos. As clulas de Disseleneto de
Cobre e ndio (CIS) so mais eficientes e igualmente baratas, mas contm Cdmio, que um
material perigoso. H ainda a tecnologia de telureto de cdmio (CdTe) (PROENA, 2007).
A terceira gerao, que ainda se encontra em fase de Pesquisa e Desenvolvimento
(P&D), testes e produo em pequena escala, dividida em trs cadeias produtivas, sendo
estas a clula fotovoltaica multijuno e clula fotovoltaica para concentrao (CPV
Concentrated Photovoltaics), clulas sensibilizadas por corante (DSSC Dye-Sensitized
Solar Cell) e clulas orgnicas ou polimricas (OPV- Organic Photovoltaics). A tecnologia
de clula fotovoltaica por concentrao demonstrou em estudos altas eficincias, porm seu
custo ainda no competitivo frente a outras tecnologias dominantes do mercado atual, como
modelos da primeira gerao fotovoltaica (PINHO; GALDINO, 2014).
mdulos em um arranjo, o sistema compe um painel, que pode ser instalado em uma
edificao ou sobre o solo (RTHER, 2004).
A ABNT (NBR10899/TB-328) denomina mdulo fotovoltaico como menor conjunto
ambientalmente protegido de clulas solares interligadas, com o objetivo de gerar energia
eltrica em corrente contnua. Este conjunto de clulas conectadas encapsulado, com o
intuito de proteger o material contra as intempries, incluindo com prioridade a umidade,
sendo que ao mesmo tempo possibilita um caminho prtica para a penetrao da radiao solar
sobre o mdulo fotovoltaico (PRIEB, 2011).
Como citado, o mdulo fotovoltaico composto pela juno eletrnica de clulas
fotovoltaicas unitrias. Estas clulas solares podem ser fabricadas tanto com dispositivos
monofaciais, que so os mais frequentes, ou tambm por dispositivos bifaciais. Alm das
clulas solares e suas conexes metlicas, o mdulo tambm faz uso de materiais polimricos
de encapsulamento, vidro temperado e estrutura para dar rigidez e assim, proteger as clulas
solares (FEBRAS, 2012).
De acordo com Gasparin (2009), para conferir caractersticas de rigidez e durabilidade,
um mdulo fotovoltaico possui basicamente as seguintes partes, que podem ser visualizadas a
partir da Figura 5:
- Cobertura: diversos materiais que podem ser utilizados para a cobertura, incluindo
materiais acrlicos, polmeros e vidro. O vidro temperado com baixo teor de ferro o material
mais utilizado devido s suas caractersticas de custo, robustez, estabilidade, alta
transparncia, impermeabilidade gua e gases, e facilidade de limpeza.
Figura 5 Representao das principais partes de um mdulo fotovoltaico. Fonte: BHLER, 2011.
De um modo geral aconselha-se que um mdulo fotovoltaico deve ser composto pela
conexo de clulas fotovoltaicas que possuam caractersticas eltricas semelhantes. Desta
maneira, aps a fabricao das clulas fotovoltaicas, h a necessidade de uma classificao
levando em considerao estas caractersticas. Esta classificao indispensvel porque as
clulas com diferentes correntes associadas em srie limitam a corrente eltrica de toda
associao. Sendo assim, caso haja diferenas significativas entre os dispositivos, a clula
fotovoltaica com as piores caractersticas pode ficar reversamente polarizada. Quando ocorre a
efetivao desse efeito, as piores clulas, ou seja, com as menores correntes, iro dissipar a
energia gerada por toda o mdulo, o que diminui a eficincia deste material (ANDRADE,
2008).
O tempo de durabilidade de um mdulo fotovoltaico de silcio cristalino depende das
condies de operao s quais ele for submetido ao longo dos anos. Em geral os fabricantes
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oferecem uma garantia superior a 20 anos para os mdulos fotovoltaicos, sendo que alguns
oferecem garantia de at 30 anos (BHLER, 2011).
Em relao as tecnologias de filmes finos, o silcio amorfo foi visto por algum tempo
como a nica soluo comercialmente competitiva em comparao ao silcio cristalino. A
silcio amorfo um material utilizado pela maioria dos produtos eletroeletrnicos de baixo
consumo energtico, tais como relgios, calculadoras, sendo tambm utilizado na indstria de
edificao, com os vidros, cristais e na produo de sistemas e mdulos fotovoltaicos
(GHENSEV, 2006).
O silcio amorfo possui uma absortividade para a radiao solar 40 vezes mais eficiente
do que o silcio monocristalino, o que permite que uma lmina de apenas 1 micrometro seja
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capaz de absorver 90% da energia solar til, o que apresenta um benefcio em termos de
quantidade de material para a fabricao de uma clula fotovoltaica. (BHLER, 2011).
O silcio amorfo, tal como sua denominao sugere, no possui uma estrutura cristalin
em funo de um grande nmero de defeitos, devido seus tomos no realizarem ligaes
covalentes. Porm, a modificao de sua estrutura pela dopagem de tomos nas ligaes
falhas, tais como no processo cristalino, permite a circulao de portadores de carga, pares
eltrons/lacunas, atravs do material, tornando-o aplicvel utilizao em dispositivos
eletroeletrnicos (GHENSEV, 2006).
Uma das caractersticas que auxiliam na introduo de materiais menos custosos na
fabricao de clulas de silcio amorfo diz respeito as temperaturas de operao. As
temperaturas necessrias para os processos de fabricao deste material apresentam valores
baixos, inferiores a 300C, o que possibilita que estes filmes finos sejam depositados sobre
camadas plsticas, que so sensveis a altas temperaturas. Essa propriedade, alm de
possibilitar introduo de material de menor custo, tambm possibilitou que fossem
desenvolvidos mdulos flexveis, semitransparentes e com superfcies curvas podendo servir
como opo na rea da arquitetura (BHLER, 2011).
O silcio amorfo hidrogenado possui como uma desvantagem, em comparao com a
tecnologia cristalina, uma maior rea para atingir uma mesma potncia final, visto que sua
eficincia de converso da radiao solar para energia eltrica inferior ao silcio cristalino.
Por outro lado, ao contrrio de todas as outras tecnologias fotovoltaicas, o silcio
amorfo possui como aspecto positivo a sua relao com a temperatura ambiente, pois enquanto
o aumento da temperatura provoca perdas na performance dos mdulos fotovoltaicos, o a-Si
apresenta uma maior produo na potncia com o aumento da temperatura de operao, sendo,
portanto, uma vantagem nas aplicaes em pases de climas quentes como o Brasil. Essa
caracterstica pode ser aplicada principalmente quando os mdulos desta tecnologia
fotovoltaica forem integrados na edificao, onde estes dispositivos atingem temperaturas
elevadas pela falta de ventilao em sua superfcie posterior. Nesses casos, a performance do
a-Si em termos de energia gerada (kWh) por potncia instalada (kWp) tem se mostrado
superior das demais tecnologias em operao no Brasil (RTHER, 2004). A Figura 8
apresenta um mdulo de silcio amorfo hidrogenado.
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silcio amorfo, uma maior eficincia de converso da energia solar em energia eltrica
(RTHER, 2004).
Em funo do seu nvel de absortividade ptica, clulas de CdTe podem ser fabricadas
com eficincias de converso prximas as das tecnologias tradicionais, como o silcio
cristalino, contudo utilizando apenas de 1% a 2% do material requerido para essas tecnologias.
Por outro lado, o CdTe possui uma largura de banda estreita, similar ao silcio amorfo e, desta
forma, tem sua eficincia de converso fotovoltaica muito mais sensvel a mudanas do
espectro solar. Desta forma, a eficincia da converso da radiao solar para eletricidade em
clulas de CdTe, assim como a-Si, varia muito mais do que em relao ao silcio cristalino, em
um mesmo peroco, seja ou longo de um dia ou ano (BHLER, 2011).
Assim como mdulos cristalinos, os filmes finos de CdTe tambm so sensveis
umidade, necessitando de proteo contra intempries, sendo encapsulados e selados nas
bordas, a fim de evitar maior degradao. Este encapsulamento pode ser realizado com vidro
e filmes polimricos ou com duplo vidro. Os mdulos fotovoltaicos de filmes finos de telureto
de cdmio correspondem a 5,5% do mercado mundial, com domnio da empresa norte-
americana First Solar. As clulas fotovoltaicas podem atingir a eficincia de 16,7%, sendo que
os melhores mdulos de CdTe comercializados alcanam 14,4% de eficincia (PINHO;
GALDINO, 2014). Um exemplo de conjunto de mdulos fotovoltaicos pode ser observado na
Figura 9.
Figura 9 Mdulos de CdTe da empresa First Solar, modelo FR-272. Fonte: BHLER, 2011.
21
Por apresentar maior eficincia entre os modelos de filmes finos (a-Si, CdTe, CIS e
CIGS), o CIGS a alternativa mais adequada para segmentos de mercado onde a rea
disponvel seja limitada, ou a esttica seja mais relevante. Em relao a viabilidade econmica,
um uso das melhores prticas nas fbricas associado a um aproveitamento do potencial de
melhoria na eficincia do processo podero levar os custos das clulas de filmes finos abaixo
dos custos envolvidos no silcio multicristalino (PROENA, 2007).
(concluso)
Material da clula Laboratrio Produo Produo em srie
Semicondutor 35,8% 27,4% 27%
III-V
Clula com corante 12% 7% 5%
Fonte: PROENA, 2007 apud Fraunhofer IDE, Universidade de Stuttgart, 26th IEEE PVSC, NREL, UNSW,
folhas de clculo de fabricantes.
clula causa o deslocamento da curva I-V. (ANDRADE, 2008 apud GREEN, 1992). Esse
efeito pode ser observado na Figura 11.
Figura 11 Curva caracterstica de uma clula fotovoltaica no escuro e sob iluminao. Fonte: adaptado de
IBALDO, 2010.
Figura 12 Curva caracterstica I-V com destaque aos principais pontos. Fonte: GASPARIN, 2009.
Valores tpicos de fator de forma dependem da tecnologia usada, e de acordo com Pinho
e Galdino (2014) devem seguir parmetros como por exemplo: silcio cristalino (80,9% -
82,8%), telureto de cdmio (77%), silcio amorfo (67,8%), DSSC (71,2%),
InGaP/GaAs/InGaAs (86%).
= (1)
Eficincia (): Apenas parte da irradincia incidente nas clulas solares convertida
em eletricidade (BRAUN-GRABOLLE, 2010). Um dos maiores interesses em dispositivos
fotovoltaicos a eficincia de converso de potncia () que relaciona a potncia eltrica
mxima (Pmp) gerada pela clula pela potncia de radiao solar incidente (Pin)
(CANESTRARO, 2010), que pode ser definida pela Equao 2.
= (2)
= (3)
Figura 13 Curva caracterstica I-V de um mdulo fotovoltaico sob diferentes irradincias mantendo a
temperatura de clula constante. Fonte: GASPARIN, 2009.
= 1000 (4)
28
Figura 14 Influncia da temperatura da clula fotovoltaica na curva I-V com irradincia constante em 1.000
W/m e AM= 1,5. Fonte: PINHO; GALDINO, 2014.
= (5)
A tenso de circuito aberto sofre uma reduo com o aumento da temperatura da clula
devido ao aumento da corrente de saturao. A corrente de saturao uma corrente de
portadores de carga minoritrios criada por excitao trmica. A critrio, Voc ter uma
reduo da ordem de 2 mV 1 para cada clula de silcio na faixa de 20 a 100C. A reduo
de Voc com o aumento da temperatura modifica totalmente a curva caracterstica,
ocasionando uma ntida reduo de potncia do mdulo fotovoltaico com o aumento da
temperatura (GASPARIN, 2009).
A Equao 6 demonstra o coeficiente de variao da tenso de circuito aberto com a
temperatura, sendo denominada de .
= (6)
A norma brasileira NBR-12136 (ABNT, 1991a), a norma internacional IEC 891 (1987)
e a norma americana E 1036-08 (ASTM, 2008) estabelecem a mesma condio padro para a
31
determinao da curva I-V (BHLER, 2011). Tal condio padro tambm denominada de
Standart Test Conditions STD. A Tabela 6 apresenta esses parmetros.
Grandeza Valor
Temperatura 25C
Irradincia 1000 W/m
Espectro Solar AM = 1,5
Fonte: (BHLER, 2011).
O valor de AM (do ingls air mass) massa de ar pode ser definido como a relao entre
o comprimento da trajetria percorrida pela radiao solar direta at a superfcie terrestre e o
comprimento da trajetria da radiao solar direta at o nvel do mar caso o sol estivesse no
znite, podendo ser calculada de maneira simplificada para ngulos de at 70 com a Equao
7 (GASPARIN, 2009).
1
= (7)
cos
Onde o ngulo entre o znite e a radiao solar direta como pode ser observado na
Figura 15.
Figura 15 Definio de massa de ar (AM, air mass). Fonte: GASPARIN, 2009 apud NEWPORT, 2008.
32
(concluso)
Cdigo Ttulo da Norma Objetivo
NBR 16149:2013 Sistemas fotovoltaicos (FV) Estabelece as recomendaes
Caractersticas da interface de especficas para a interface de
conexo com a rede eltrica de conexo entre os sistemas
distribuio fotovoltaicos e a rede de
distribuio de energia eltrica e
estabelece seus requisitos.
Fonte: ABNT.
Figura 16 Fluxograma referente s etapas de ensaio de mdulos fotovoltaicos. Fonte: INMETRO, 2011.
35
Baseado na norma IEC 61215, Ramos (2006) apresenta alguns requisitos gerais de
medio:
- A superfcie ativa da amostra dever ser coplanar dentro de 5 com a superfcie ativa
do dispositivo padro.
- Tenses e correntes devem ser medidas com uma preciso de 0,5%, usando pontas
de prova independentes para os terminais da amostra.
- Correntes de curto-circuito devem ser medidas em tenso zero, usando uma carga
varivel (preferencialmente eletrnica), balanceando a tenso e drenando-a atravs de
uma resistncia srie externa. Alternativamente, elas podem ser determinadas
pela medio de tenso atravs de um resistor fixo de preciso de 4 terminais,
permitindo que a medida seja realizada a menos que 3% da tenso de circuito aberto
do dispositivo, dentro de uma faixa onde h uma relao linear entre tenso e corrente,
e a curva extrapolada para tenso zero.
- Voltmetros devem ter uma resistncia interna de pelo menos 20 k/V.
- A calibrao de todos os instrumentos dever ser certificada dentro da preciso
requerida no momento da medida.
- A preciso dos procedimentos de correo da irradincia e da temperatura dever ser
verificada periodicamente pela medio do desempenho da amostra em nveis
selecionados, e os resultados comparados com os valores extrapolados.
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Sobre medies em luz solar natural, Ramos (2009) salienta que estas devero ser
realizadas somente quando a irradincia total no flutuar mais que 1% durante a medida.
Quando as medidas forem tomadas por referncia como condies padro de teste, a
irradincia dever ser de pelo menos 800 W/m. O procedimento do teste o seguinte:
energtica obtida a partir dos testes aplicados, independente da forma utilizada, seja com o uso
de simulador solar ou com medio com luz solar natural. A Tabela 8 mostra os padres para
mdulos de silcio cristalino e a Tabela 9 relaciona a classe de eficincia energtica de acordo
com mdulos de tecnologia de filmes finos, seguindo as normativas do INMETRO.
3 METODOLOGIA
Para melhor caracterizao dos mdulos fotovoltaicos, dois mtodos foram utilizados:
um diz respeito ao uso de simulador solar (indoor) e outro mtodo detalha a caracterizao
atravs da iluminao natural (outdoor). O intuito desse trabalho consiste em verificar curvas
I-V de diferentes tecnologias fotovoltaicas com ambos os mtodos propostos, incluindo a
variao de irradincia que foi realizada somente pelo simulador solar, a fim de facilitar o
experimento.
Os testes foram realizados no ms de fevereiro de 2015 na cidade de Porto Alegre,
nos domnios do LABSOL da Universidade Federal do Rio Grande do Sul, com equipamentos
39
O simulador solar consiste em um aparelho digital que contm lmpadas especiais para
se igualar as propriedades da radiao solar durante o ensaio da determinao da curva
caracterstica de dispositivos fotovoltaicos. A corrente e tenso do mdulo sob teste, alm da
irradincia e da temperatura da clula so medidos e registrados atravs de um aparelho
eletrnico especfico (DALMAGRO, KRENZINGER, 2013).
Existem trs tipos bsicos de simuladores solares que so diferenciados de acordo com
a tecnologia utilizada para a gerao de luz. Estas tecnologias podem ser observadas atravs
da Figura 17.
Figura 17 Exemplos de simuladores solares. Fonte: DALMAGRO, KRENZINGER, 2013 apud PHOTON,
2008.
40
A norma ASTM E927-10 (Standart Specification for Solar Simulation for Photovoltaic
Testing) apresenta formas e concepes de como classificar os simuladores solares utilizados
em testes de equipamentos fotovoltaicos, tanto clulas quanto mdulos solares, considerando
o casamento espectral com relao a uma irradincia espectral de referncia, a no
uniformidade espectral da irradincia espacial e a instabilidade temporal de irradincia. Esta
classificao dividida em trs classes (A, B ou C) e um simulador pode ser classificado em
mltiplas classes dependendo de suas caractersticas (GUIMARES et al., 2011). A Tabela
10 identifica as classes de simuladores solares segundo a norma ASTM.
Geralmente quanto mais prximo do espectro solar for o espectro do equipamento, mais
caro ser o simulador solar. Quanto caracterstica de no uniformidade, uma das mais fceis
de atender, pois a radiao solar muito uniforme (DALMAGRO, KRENZINGER, 2013).
Em vista das atribuies mencionadas sobre cada tipo e classe de simuladores solares
coube ao LABSOL UFRGS a escolha do modelo SunSim 3c, fabricado pela empresa sua
Pasan. Foram levados em conta aspectos como o custo, a rea iluminada de 2,0 x 2,0 m,
suficiente para a maioria dos mdulos comerciais existentes, a durao do pulso de luz (10
ms) e, principalmente as caractersticas espectrais, espaciais e temporais, excedendo a
classificao AAA da norma IEC 60904-9. Sua carga eletrnica de trs quadrantes capaz de
polarizar mdulos com correntes de at 30 A e tenses de at 300 V. A lmpada de xennio
tem garantia de um mnimo de 10000 pulsos e uma vida tpica entre 15000 e 20000 pulsos. O
sistema de aquisio capaz de coletar at 4000 pontos da curva I-V, a uma resoluo de 12
bits (DALMAGRO, KRENZINGER, 2013).
Em um simulador solar, usualmente o sistema de medio composto por uma carga
eletrnica e um conjunto de conversores analgico/digital de 12 bits que realizam a aquisio
de variveis. Os conversores recebem os sinais analgicos dos canais de entrada e transferem
41
para o computador, que est conectado ao sistema, os respectivos valores digitais desses
canais. Durante o flash, a carga eletrnica mede simultaneamente os valores de corrente,
tenso, irradincia e temperaturas, podendo-se assim, determinar a curva I-V de mdulos
fotovoltaicos assim como seu ponto de mxima potncia (MOCELIN, 2014).
As medies e a visualizao dos resultados de ensaios realizados no simulador solar
so controladas por um microcomputador conectado a uma carga eletrnica. Com a utilizao
de um software de operao do simulador possvel adequar a curva caracterstica medida
para as condies padro de teste (MOCELIN, 2014).
Com a possibilidade de realizao de ensaios no LABSOL UFRGS pode-se utilizar o
simulador solar SunSim 3c. O simulador utilizado com um tnel ptico de 6,5 m x 2,5 m x
2,5 m. O conjunto est abrigado em uma edificao com 75 m construda especialmente para
este fim (LABSOL). Neste compartimento, encontra-se o simulador em uma rea escura para
no ser refletida nenhuma iluminao, e nesta cmara fica o suporte dos mdulos, onde sero
dispostos a clula de referncia e o mdulo de amostra, a uma distncia especfica do flash da
lmpada de xennio. As Figuras 18 e 19 apresentam os equipamentos que compem o
simulador solar, incluindo a estrutura de suporte dos mdulos, como tambm a disposio da
lmpada de xennio que utilizado no LABSOL.
Figura 18 Estrutura de suporte com a clula de referncia e o mdulo de amostra. Fonte: do autor.
42
A caracterizao com iluminao natural transpe uma medio outdoor, realizada com
condies que o dia esteja possibilitando, dificultando a obteno de uma curva caracterstica
I-V nas condies padres de teste.
43
Figura 20 Diagrama do traador de curva caracterstica I-V utilizado no LABSOL. Fonte: GASPARIN, 2011.
44
Figura 21 Equipamentos utilizados para realizao da curva I-V de mdulos fotovoltaicos. Fonte: GASPARIN,
2011.
4 RESULTADOS E DISCUSSO
Com a definio da metodologia e com essa sendo aplicvel possvel dar incio
aplicao dos experimentos, obtendo-se resultados que aqui foram listados de acordo com a
medio indoor incluindo a variao de irradincia propiciada com o uso de simulador solar,
alm dos resultados obtidos com a comparao da simulao indoor e simulao outdoor.
3c, da empresa sua Pasan, variando-se tambm o parmetro de irradincia. Dez mdulos
foram adotados de diferentes marcas e diferentes tecnologias como mostra a Tabela 11.
Conforme a Tabela 11, observa-se a introduo de testes em mdulos de primeira
gerao e segunda gerao, silcio cristalino e filmes finos. Cada mdulo foi avaliado de forma
individual, comparando-se caractersticas eltricas com diferentes irradincias atuantes e
tambm em relao aos valores informados no catlogo do fornecedor. Em alguns modelos de
mdulos fotovoltaicos, nem a etiqueta do mdulo nem o catlogo da fabricante fornecem certas
informaes, principalmente no que se refere eficincia do mdulo. Nesses casos, os valores
apresentados foram obtidos pela Tabela do INMETRO de mdulos fotovoltaicos para o
consumidor (INMETRO, 2013).
Tabela 11 Mdulos fotovoltaicos adotados para medio indoor com variao de irradincia.
Fabricante Tecnologia
Fabricante 1 CIS
Fabricante 2 Monocristalino
Fabricante 3 Multicristalino
Fabricante 4 Amorfo e microcristalino
Fabricante 5 Multicristalino
Fabricante 6 CIGS
Fabricante 7 Monocristalino
Fabricante 8 Multicristalino
Fabricante 9 Monocristalino
Fabricante 10 CIGS
Fonte: do autor.
valor no exato momento da medio da curva I-V. Caso essa temperatura no seja de 25C, o
prprio software do simulador ajusta esse valor. Contudo prefervel que a temperatura no
tenha uma discordncia muito grande, para assim diminuir a possibilidade de erro de
adequao. Em relao massa de ar, a fonte de radiao para a realizao dos ensaios
constituda por uma lmpada de xennio espectralmente filtrada para o espectro AM 1,5 global
(MOCELIN, ZILLES, 2008).
4.1.1 Fabricante 1
3.5
Fabricante 1
100 W/m
200 W/m
300 W/m
3 400 W/m
500 W/m
700 W/m
1000 W/m
2.5
Corrente [A]
1.5
0.5
0 10 20 30 40 50 60
Tenso [V]
Figura 22 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 1. Fonte: do autor.
Pela Figura 22 e comparando com o que foi proposto no referencial terico, perceptvel
o mesmo padro de comportamento da curva caracterstica I-V. Ocorre o aumento linear da
corrente de curto circuito com o aumento gradual de irradincia, sendo que o valor de tenso
aumenta de forma logartmica em menor proporo com essa variao. Nota-se valores entre
0,35 A e 3,35 A para corrente de curto circuito e 48,5 V e 58,15 V para tenso de circuito aberto.
Para confirmar essa variao linear da corrente com a irradincia e a variao logartmica da
tenso com a influncia da irradincia as Figuras 23 e 24 so apresentadas.
49
3
Corrente [A]
Fabricante 1
Corrente de curto circuito(Isc)
Corrente de mxima potncia (Imp)
0
60
50
Tenso [V]
40
Fabricante 1
Tenso de circuito aberto (Voc)
Tenso de mxima potncia (Vmp)
Ajuste de curva logartmica
30
Pela Figura 23 ntido a variao linear tanto para a corrente de curto circuito quanto
para a corrente de mxima potncia com a variao da irradincia. Em relao a variao da
tenso, a Figura 24 apresenta a influncia da irradincia, onde a tenso de circuito aberto mostra
uma variao logartmica perfeita, enquanto para a tenso de mxima potncia ocorre alguns
desvios da curva, como podem ser observados na Tabela 13. Vale ressaltar que o
comportamento para todos os mdulos fotovoltaicos analisados segue o mesmo padro quando
se refere a corrente de curto circuito e tenso de circuito aberto, podendo sofrer algumas
alteraes quanto aos parmetros de corrente e tenso de mxima potncia, o que pode
distinguir parmetros de desempenho ensaiados com os informados via catlogo do fornecedor.
O valor de potncia mxima obtido foi de 115,715 Wp, na condio padro de teste,
com um erro de 10,99% em relao ao informado na etiqueta do fornecedor deste mdulo
fotovoltaico. O correto seria adequar o valor referenciado no protocolo, pois conforme indicado
a potncia seria de 130 Wp 4%, o que na realidade no ocorre.
4.1.2 Fabricante 2
10
Fabricante 2
100 W/m
200 W/m
9 300 W/m
400 W/m
500 W/m
8 700 W/m
1000 W/m
6
Corrente [A]
0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 25 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 2. Fonte: do autor.
Conforme pode ser observado na Figura 25, a corrente de curto circuito varia
linearmente com o aumento da irradincia. Por outro lado, a tenso aumenta do modo logaritmo,
sofrendo uma alterao menor do que em comparao com a corrente. Em que ambos
parmetros apresentam comportamento semelhante ao observado nas Figuras 23 e 24 para o
mdulo da Fabricante 1. Informaes eltricas e de qualidade com a influncia da irradiao
so descritas na Tabela 15.
53
Conforme mostra a Tabela 15, a eficincia deste mdulo aumenta de acordo com a
irradincia at o valor de 400 W/m, a partir deste ponto cria-se uma estabilidade no valor de
16,5%, com pico em 16,6% em 700 W/m. Isto pode ser explicado devido ao fato de que
mdulos fotovoltaicos so projetados para condies padres de teste, e com valores no muito
distantes destes a eficincia pode manter-se numa faixa padronizada. Com valor de eficincia
de 16,5% na condio de irradincia de 1.000 W/m, e sendo um mdulo de silcio cristalino,
este pode ser classificado como Classe A, de acordo com o proposto pelo INMETRO. Em
comparao com o informado pela etiqueta do fabricante (16,16%), possui um erro pequeno de
+2%, o que no interfere na sua classificao.
O fator de forma sofre uma variao diferente a cada irradincia, possuindo o seu pice
com 200 e 300 W/m, baixas irradincias, com percentual de 79.4%. O menor valor de fator de
forma foi encontrado com a condio de teste, sendo 76,6%. Entretanto, a diferena entre os
extremos no passa de 2,8%, o que no conclui que o mdulo menor qualidade significativa em
maiores irradincias. O valor de 76,6% para a irradincia de 1.000 W/m, encontra-se um pouco
abaixo do esperado para mdulos de silcio cristalino, que de acordo com Pinho e Galdino
(2014), deve ficar entre 80,9% e 82,8%.
Em relao potncia mxima, o valor encontrado corresponde a 268,473 W, com um
erro de +3,36%, o que se encontra dentro dos padres de etiquetagem. Esse valor maior obtido
ocorre devido ao valor de corrente no ponto de potncia mxima ser maior do que o informado
pelo fabricante (8,48 A) para 8,777 A, tendo em vista que as tenses nesse ponto so simulares,
30,7 V e 30,588 V, respectivamente.
54
4.1.3 Fabricante 3
10
Fabricante 3
100 W/m
200 W/m
9
300 W/m
400 W/m
500 W/m
8
700 W/m
1000 W/m
6
Corrente [A]
0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 26 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 3. Fonte: do autor.
O valor de pico do fator de forma foi observado em 79,1% com irradincia de 200 W/m.
Em contrapartida, com a maior irradincia, 1.000 W/m obteve-se o menor valor de fator de
forma 74%, com 5,1% de diferena entre esses valores extremos. Isso ocorre, pois, este aspecto
de desempenho, como descreve a Equao 1, relacionado com a corrente e tenso no ponto
de mxima potncia sobre a corrente de curto circuito e tenso de circuito aberto. Com baixas
irradincias tem-se menor valor de potncia mxima, porm a corrente afetada drasticamente
o que aumenta o percentual de fator de forma. Conforme Pinho e Galdino (2014) o percentual
de 74% tambm no se apresenta adequado, pois no integra as faixas propostas de 80,9% e
82,8% para silcio cristalino.
A eficincia do mdulo praticamente mantm uma constante em 15,6%, com exceo
da irradincia de 100 W/m que possui eficincia de 14,7%. Na condio padro, 1.000 W/m
o valor obtido foi de 15,4%, valor muito prximo do estabelecido pelo fabricante, 15,5%,
podendo classificar tal mdulo fotovoltaico de silcio multicristalino como Classe A conforme
a Tabela 8.
Em relao potncia mxima do mdulo, esta foi de 252,503 W com um erro de +1%
em comparao com o creditado na etiqueta, 250W, o que se encontra dentro da margem
aceitvel.
4.1.4 Fabricante 4
(concluso)
Fabricante Fabricante 4
Tenso de circuito aberto (Voc) 148,5 V
Corrente de curto circuito (Isc) 1,23 A
Tenso no ponto de mxima potncia (Vmp) 115,8 V
1.6
Fabricante 4
100 W/m
200 W/m
1.4 300 W/m
400 W/m
500 W/m
700 W/m
1.2 1000 W/m
1
Corrente [A]
0.8
0.6
0.4
0.2
0 40 80 120 160
Tenso [V]
Figura 27 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 4. Fonte: do autor.
58
De acordo com o observado na Figura 25, este mdulo em especfico apresenta uma
falha em uma das suas strings, linha de clula fotovoltaica conectadas em srie. Porm, este
defeito no afeta o efeito da variao da irradincia, em que a corrente de curto circuito cresce
linearmente com o aumento da irradincia e a tenso de circuito aberto aumenta de forma
logartmica. Este modelo representa uma tecnologia de filme fino, deste modo apresenta
menores valores de corrente de curto circuito e maiores tenses de circuito aberto, em
comparao a tecnologia de silcio cristalino. O desempenho do dispositivo tambm no
modificado com a falha observada, conforme mostra a Tabela 19.
de curto circuito, e para baixas irradincias, esses valores so muito pequenos, aumentando tal
percentual.
A potncia mxima obtida corresponde a 129,708 W, com uma variao de +7,19% em
relao ao mencionado na etiqueta, 121 W + 5%. Ou seja, esse valor informado pelo fabricante
deve ser corrigido para melhor informar clientes e interessados no produto. Porm, ainda
encontra-se dentro dos padres de etiquetagem estabelecidos pelo INMETRO, que situa-se em
-5% a +10%.
4.1.5 Fabricante 5
10
Fabricante 5
100 W/m
200 W/m
9 300 W/m
400 W/m
500 W/m
700 W/m
8 1000 W/m
6
Corrente [A]
0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 28 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 5. Fonte: do autor.
Por este modelo da Fabricante 5 ser muito similar ao da Fabricante 3, em que ambos
possuem tecnologia multicristalino e potncia mxima em 250 W, estes apresentam um
comportamento semelhante com a variao de irradincia incidente. Valores de tenso de
circuito aberto, corrente de curto circuito, potncia mxima so muito prximos nestes dois
modelos, como pode ser observado na Tabela 21.
61
Este dispositivo de silcio multicristalino possui uma eficincia numa faixa estvel entre
200 W/m e 1.000 W/m variando apenas 0,4% nessas irradincias. O valor pico de 15,9% em
400 e 500 W/m, possuindo seu menor valor, 15% com a menor irradincia, 100 W/m. Na
irradincia de condio padro, 1.000 W/m, a eficincia de 15,5%, o que quase confere com
o valor indicado na etiqueta do fabricante, 15,37%, estimando uma variao de apenas +0,84%
do valor obtido experimentalmente, sendo que com esse valor, este modelo pode ser
classificado como Classe A de acordo com a Tabela 8.
Com exceo da irradincia de 100 W/m, o fator de forma diminui seu percentual com
o aumento da irradincia, demonstrando seu pice com 200 W/m e 77,8% e ponto mnimo com
1.000 W/m e 72,3%. Com tal valor obtido na condio de referncia possvel verificar que
este no se adequa ao proposto por Pinho, Galdino (2014) para mdulos de silcio cristalino,
80,9% - 82,8%, sendo que este se aproxima mais do valor adequado com a irradincia de 200
W/m.
Em relao a potncia mxima, o valor adquirido foi de 252,537 W o que difere apenas
+1% do exemplificado pelo fabricante, 250 W, sendo deste modo uma boa aproximao,
mesmo com a corrente de curto circuito um pouco acima da condio informada ao cliente.
62
4.1.6 Fabricante 6
Fabricante Fabricante 6
Tecnologia CIGS
Gerao Fotovoltaica Filmes finos
rea 1,228 m
Potncia nominal (Pmx) 150 W
Tenso de circuito aberto (Voc) 110 V
Corrente de curto circuito (Isc) 2,10 A
Tenso no ponto de mxima potncia 79 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 1,9 A
(Imp)
Eficincia do mdulo 12,2%
Fonte: do autor.
2.5
Fabricante 6
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
2 500 W/m
700 W/m
1000 W/m
1.5
Corrente [A]
0.5
0 20 40 60 80 100 120
Tenso [V]
Figura 29 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 6. Fonte: do autor.
4.1.7 Fabricante 7
(concluso)
Fabricante Fabricante 7
Tenso no ponto de mxima potncia 37,76 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 8,21 A
(Imp)
Eficincia do modulo 16,0%
Fonte: do autor.
10
Fabricante 7
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
500 W/m
8 700 W/m
1000 W/m
6
Corrente [A]
0 10 20 30 40 50
Tenso [V]
Figura 30 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 7. Fonte: do autor.
aumento linear proporcionalmente a irradincia. Pontos mais especficos das curvas I-V
apresentadas podem ser observados na Tabela 25.
4.1.8 Fabricante 8
Com este mdulo multicristalino sendo testado com diferentes filtros de irradiao,
algumas curvas I-V so formadas com caractersticas proporcionais s diferentes irradincias.
Tais curvas so demonstradas na Figura 31.
Da Figura 31, o efeito da influncia da irradincia o mesmo observado at agora e este
conceito deve prosseguir conforme se espera. A faixa de tenso de curto circuito passa de 32 V
e 38 V, j a corrente de curto circuito possui uma maior faixa estipulada de 0,8 A a 9 A.
Nmeros mais especficos de acordo com cada irradincia so apresentados na Tabela 27.
68
10
Fabricante 8
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
500 W/m
8
700 W/m
1000 W/m
6
Corrente [A]
0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 31 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 8. Fonte: do autor.
4.1.9 Fabricante 9
(concluso)
Marca SunEdison
Corrente de curto circuito (Isc) 9,5 A
Tenso no ponto de mxima potncia 31,7 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 8,95 A
(Imp)
Eficincia do modulo 17,7%
Fonte: do autor.
Com o intuito de anlise da extenso da irradincia sobre tal mdulo filtros de absoro
de radiao foram utilizados como experimento resultando diferentes curvas I-V que so
demonstradas na Figura 32 para cada filtro experimentado.
10
Fabricante 9
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
500 W/m
700 W/m
8
1000 W/m
6
Corrente [A]
0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 32 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 9. Fonte: do autor.
71
4.1.10 Fabricante 10
3
Fabricante 10
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
500 W/m
700 W/m
1000 W/m
2
Corrente [A]
0 20 40 60 80 100
Tenso [V]
Figura 33 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 10. Fonte: do autor.
A fim de melhor comparar a qualidade dos dez mdulos fotovoltaicos analisados com a
influncia da variao de irradincia feita a anlise dos parmetros de desempenho, como a
eficincia do mdulo e seu respectivo fator de forma. A Figura 34 apresenta os valores de
eficincia encontrados para cada modelo testado em todos os filtros de irradincia utilizados.
Cabe lembrar que somente os pontos do Figura 34 foram obtidos experimentalmente. A
curva de ligao serve apenas para auxiliar na visualizao dos dados adquiridos, no sendo,
deste modo, uma curva de ajuste.
75
Eficincia de mdulo
20
16
12
Eficincia [%]
Eficincia do mdulo
Fabricante 1
Fabricante 2
Fabricante 3
Fabricante 4
4 Fabricante 5
Fabricante 6
Fabricante 7
Fabricante 8
Fabricante 9
Fabricante 10
Fator de Forma
80
Fator de Forma [%]
70
Fator de Forma
60 Fabricante 1
Fabricante 2
Fabricante 3
Fabricante 4
Fabricante 5
Fabricante 6
Fabricante 7
Fabricante 8
Fabricante 9
Fabricante 10
50
Como pode ser destacado na Figura 35, existem dois blocos em faixas diferentes de fator
de forma, um corresponde aos mdulos de tecnologia de silcio cristalino (valores mais altos) e
o outro corresponde tecnologia de filmes finos (valores mais baixos).
Em relao ao bloco de tecnologia cristalina, com exceo do mdulo fotovoltaico da
Fabricante 9, que decai o fator de forma de maneira mais acentuada com o aumento de
irradincia, todos possuem comportamento semelhante, em que apresentam um leve pico em
baixas irradincias e decaimento de modo mais ameno com o aumento da irradincia incidente.
Quanto ao bloco de filmes finos, os quatro modelos observados demonstram um padro
mais diversificado, em que os mdulos das Fabricante 1 e 10 elevam seu valor at um ponto
77
Fabricante Tecnologia
Fabricante 1 CIS
Fabricante 4 Amorfo e microcristalino
Fabricante 6 CIGS
Fabricante 8 Multicristalino
Fabricante 9 Monocristalino
Fonte: do autor.
78
Os cinco mdulos adotados para essa medio atravs de iluminao natural foram
escolhidos de forma a abranger todas as diferentes tecnologias dispostas no LABSOL, na poca
da realizao da pesquisa, com diferentes potncias, tecnologias e eficincias.
Seguindo a condio padro de teste imposta pelo INMETRO e padres internacionais,
a temperatura de clula deve estar em 25C, possuindo irradincia de 1.000 W/m. Em vista
disso, e a partir do conhecimento que irradincias desse nvel ocorrem prximo ao meio dia
solar, a simulao outdoor ocorreu em um dia ensolarado entre o final da manh e o incio da
tarde. Porm, como nem sempre essas condies ideais so obtidas mesmo com dias
ensolarados e tentando manter a temperatura de clula mais prxima possvel do estabelecido,
foram utilizados mtodos de ajustes que seguem as equaes apresentadas por Bhler (2011),
a fim de acertar os valores obtidos da simulao outdoor para as condies STD, sem
interferncia na veracidade dos dados obtidos. A Tabela 33 apresenta as verdadeiras condies
de ensaio para cada mdulo amostrado, sendo que posteriormente esses valores foram
transladados para as condies padres, e com isso, ser possvel a comparao indoor e outdoor
possuindo a mesma base de parmetros.
4.2.1 Fabricante 1
3.5
2.5
Corrente [A]
1.5
0.5
Fabricante 1
Medio outdoor
Medio indoor
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Tenso [V]
Figura 36 Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
1. Fonte: do autor.
4.2.2 Fabricante 4
1.6
1.2
Corrente [A]
0.8
0.4
Fabricante 4
Medio outdoor
Medio indoor
0 40 80 120 160
Tenso [V]
Figura 37 Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
4. Fonte: do autor.
4.2.3 Fabricante 6
2.5
1.5
Corrente [A]
0.5
Fabricante 6
Medio outdoor
Medio indoor
0 40 80 120
Tenso [V]
Figura 38 - Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
6. Fonte: do autor.
Atravs da Figura 38 fica visvel que o funcionamento inicial das duas curvas
observadas anlogo, onde as duas curvas caractersticas se sobrepem com correntes de curto
circuitos idnticos, informaes que esto dispostas na Tabela 36. Quando as curvas I-V
atingem patamar de mxima potncia, as curvas passam a apresentar de forma distinta,
finalizando com um valor semelhante de tenso de circuito aberto.
84
De acordo com a Tabela 36, a maior variao entre valores obtidos de medio indoor
e medio outdoor refere-se ao valor obtido de potncia mxima, com uma diferena de 12,039
W entre as duas simulaes. Em comparao ao valor informado no catlogo pelo fabricante,
as duas simulaes apresentam comportamento muito distinto, em que na medio indoor o
valor de potncia mxima obtido foi abaixo do informado com um erro de -5,44%.
Contrariamente, a medio outdoor apresentou maior valor de potncia mxima do que o
proposto no informativo, com uma variao de +2,59%.
O mesmo padro de diferenciao de valores obtidos entre as duas simulaes adotadas
continua em referncia a eficincia do mdulo. Isto consequncia da eficincia do mdulo,
que diretamente proporcional a potncia mxima obtida. Comparando o informativo com a
eficincia adquirida com simulador solar h uma diferena de -0,5%, sendo que para a
simulao outdoor essa diferena percentual positiva, com +0,33%. Como o mdulo analisado
corresponde tecnologia de filmes finos, a classificao deste pertence a Classe A, mesmo com
eficincia distintos, porm com valores maiores que 9,5%, conforme indica a Tabela 9.
Sobre os percentuais de fator de forma encontrados com as simulaes seguidas, ambos
esto abaixo do valor indicado no catlogo do mdulo fotovoltaico, em que a maior variao
corresponde a -8,84% em relao ao informado com o simulador indoor. A diferena percentual
para simulao outdoor menor, cerca de -1,52% em relao ao valor do catlogo.
Como pode ser observado na Figura 38, a Tabela 36 confirma os valores idnticos de
corrente de curto circuito, e valores semelhante de tenso de circuito aberto com uma alterao
de 1,906 V entre a medio indoor e outdoor. A maior variao de valores observados na Tabela
85
36 diz respeito a tenso no ponto de potncia mxima, o que propicia um maior fator de forma
ao maior valor, que foi obtido com a medio outdoor.
4.2.4 Fabricante 8
10
6
Corrente [A]
Fabricante 8
Medio outdoor
Medio indoor
0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 39 - Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
8. Fonte: do autor.
4.2.5 Fabricante 9
O ltimo mdulo fotovoltaico a ser analisado com o simulador solar e com iluminao
natural compreende o modelo da Fabricante 9. Tal mdulo possui potncia mxima de 285 W
e corresponde a tecnologia monocristalina. A influncia das simulaes citadas pode ser
observada na Figura 40, que apresenta as curvas caractersticas I-V de cada medio.
87
10
6
Corrente [A]
Fabricante 9
Medio outdoor
Medio indoor
0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 40 - Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
9. Fonte: do autor.
6 CONCLUSO
irradincia, sendo que em baixas irradincias a corrente possui menores valores o que faz o
fator de forma possuir um maior percentual.
Outro objetivo deste trabalho foi a comparao de medio indoor e outdoor nas
condies padro de teste, irradincia de 1.000 W/m, temperatura de clula de 25C e
distribuio espectral em 1,5. Para comparar os dados adquiridos nessas duas medies, cinco
mdulos foram escolhidos de forma a representar a diferena de tecnologia analisada,
incluindo o fato de que ambos os dados obtidos devem estar na mesma base para ser uma
comparao concreta. Para isso mtodos de translao de dados foram utilizados na
simulao outdoor.
Ambos os meios de simulao da curva caractersticas I-V dos mdulos fotovoltaicos
apresentam suas vantagens e desvantagens. Quanto a simulao indoor, o custo com o
simulador solar elevado, este equipamento possui um alto valor de investimento, porm
fcil manipulao de parmetros como irradincia, em que com os filtros pode-se fazer a
variao desejada, sem contar o controle da temperatura, que pode ser executado de forma
simples com auxlio de resfriadores, como ar-condicionado. Porm, o simulador solar no
possui todos os espectros de iluminao que o Sol apresenta, pois este contm em sua lmpada
apenas uma faixa desse espectro. impossvel negar que o melhor modo de simular a
iluminao solar atravs do Sol, sendo que com a simulao outdoor os custos so mais
atrativos, fazendo uso de equipamentos mais simples e mais baratos. Entretanto, uma medio
outdoor depende de um dia bem ensolarado, sem nuvens, um controle de temperatura mais
rduo, pois com a iluminao solar atuando, os mdulos esquentam rapidamente. Fazer uma
simulao com iluminao natural requer mais tempo e maior controle dos parmetros de
teste, o que induz a um trabalho mais dispendioso.
Em relao aos valores obtidos indoor e outdoor, pode-se observar que o
funcionamento para ambas as simulaes adotadas muito semelhante, sendo que para os
dois mdulos fotovoltaicos de silcio cristalino, as curvas caractersticas I-V praticamente se
sobrepuseram. Em relao aos mdulos fotovoltaicos de tecnologia de filmes finos esse
comportamento tambm se apresenta como similar, porm com maiores desvios dos
parmetros eltricos e de desempenho. O que de fato conclui-se de tal comparao entre uma
simulao realizada atravs de um simulador solar e outra com uma medio com iluminao
natural refere-se ao pequeno desvio dos dados que devem ser obtidos, apresentando um
comportamento similar. Ou seja, o simulador solar corresponde a um bom e prtico
instrumento de experimentao que se compensa a uma simulao com iluminao natural,
91
ABSTRACT
Photovoltaic solar energy presents itself as a promising alternative regarding the use of
renewable energy in the world. Brazil has a huge potential for using solar energy, since the
entire Brazilian territory has the incidence of solar radiation equivalent to or better than that in
countries in southern Europe, such as Italy and Spain, which already have significant installed
capacity of photovoltaic generation systems. However, this power is still little explored in
Brazil. This scenario is likely to change because of the first signing of photovoltaic solar energy
in Reverse Energy Auction 2014 - REA / 2014. Given this introduction of this renewable form
of energy in the Brazilian energy matrix, this paper aims to provide an electrical
characterization of photovoltaic modules through solar simulator and natural lighting in order
to discuss the I-V curves with different photovoltaic technologies. The solar simulator used in
this study corresponds to the SunSim 3c model by Swiss manufacturer Pasan, and it was
possible to vary the irradiance. Regarding outdoor simulation, the used standard was the tracer
equipment described by Gasparin (2009). Out of the ten analized photovoltaic modules, all ten
showed the same behavior regarding the influence of irradiance, and the efficiency and
crystalline form factor technology modules had higher percentage in relation to thin-film
technology models. When comparing, indoor and outdoor simulations, the five photovoltaic
modules gave I-V characteristic curves practically superimposed on the test at standard
conditions, prompting good comparison between the applied simulations.
REFERNCIAS
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Sistemas Fotovoltaicos. Rio de Janeiro: Cepel, 2014.
AGRADECIMENTOS
Agradeo primeiramente Deus e aos meus pais, Claudete e Ivandro Peroza, os quais
sempre me apoiaram em todos os momentos da graduao, incentivando e aconselhando.
Agradeo aos meus amigos, que me ajudaram com pesquisas e com suporte, sendo minha
segunda famlia.
Ao meu orientador Giuliano Arns Rampinelli, o qual sempre me apoiou e me
incentivou a buscar coisas novas e ampliar o conhecimento.
Agradeo disponibilidade de realizao de pesquisa do LABSOL da Universidade
Federal do Rio Grande do Sul, principalmente ao diretor do laboratrio Arno Krenzinger,
incluindo meno ao doutor Fabiano Gasparin pela orientao desenvolvida durante o perodo
de pesquisa no laboratrio citado.