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MEMORIAS MAGNETICAS
Cassette :
Caracterstica principal:
Hard disk:
Dentro de la unidad de disco duro hay uno o varios discos (de aluminio o cristal)
concntricos llamados platos (normalmente entre 2 y 4, aunque pueden ser hasta
6 o 7 segn el modelo), y que giran todos a la vez sobre el mismo eje, al que estn
unidos. El cabezal (dispositivo de lectura y escritura) est formado por un conjunto
de brazos paralelos a los platos, alineados verticalmente y que tambin se
desplazan de forma simultnea, en cuya punta estn las cabezas de
lectura/escritura. Por norma general hay una cabeza de lectura/escritura para cada
superficie de cada plato. Los cabezales pueden moverse hacia el interior o el
exterior de los platos, lo cual combinado con la rotacin de los mismos permite
que los cabezales puedan alcanzar cualquier posicin de la superficie de los
platos.
Caracterstica principal:
Floppy disk:
CD y DVD:
Se les denomina memorias pticas porque necesitan de un lser rojo tanto como para leer y
grabar datos en ellos. Los datos que se almacenan, quedan grabados en unos hoyos
microscpicos. En los DVD, los surcos estn mucho ms juntos y son mucho ms pequeos
que en los CD, permitiendo que estos puedan almacenar ms memoria que un CD.
Caracterstica principal:
Los CD y DVDs tienen como ventaja frente a los disquetes que tienen ms capacidad de
almacenamiento, y frente a los discos duros que son ms fciles de transportar.
Blu Ray:
Caracterstica principal:
El disco Blu-ray hace uso de un rayo lser de color azul con una longitud de onda
de 405 nanmetros, a diferencia del lser rojo utilizado en lectores de DVD, que
tiene una longitud de onda de 650 nanmetros. Esto, junto con otros avances
tecnolgicos, permite almacenar sustancialmente ms informacin que el DVD en
un disco de las mismas dimensiones y aspecto externo.
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
ROM:
Similar a una RAM, un chip de ROM contiene un arreglo de filas y columnas
direccionable. Cada celda puede contener un 1 o un 0. En el momento de la
fabricacin el fabricante pude necesitar programar una serie de ROMs fijando el
valor de las celdas, bien sea a 1 o a 0. Usualmente ese 1 o 0 es formado por la
presencia o ausencia de una lnea de aluminio. Esa plantilla de aluminio, es
definida por una mscara litogrfica usada en uno de los ltimos pasos de
fabricacin. Es por esta razn que a stas memorias tambin se les conoce con el
nombre de ROMs de Mscara. La ventaja de este tipo de memorias es que stas
pueden ser fabricadas a bajo precio en grandes cantidades. Otra ventaja en
cuanto a sus aplicaciones se refiere es como lo dijimos anteriormente, que su
contenido no pude ser alterado una vez el chip se ha fabricado, adems de no
necesitar pruebas ni programaciones posteriores. De este modo tambin, si el
cdigo esta equivocado o necesita ser actualizado, la nica solucin posible es
tirar la memoria y comenzar de nuevo. El proceso de elaboracin de la plantilla
final de programa, es un proceso laborioso de ensayo y error que se ve
compensado por el costo de unos cuantos cntimos por unidad. Este tipo de
memorias consume muy poca potencia y son muy confiables, y dentro del mundo
de los electrodomsticos modernos juegan un papel fundamental, ya que estas
pueden contener todo el programa necesario para controlar un dispositivo.
PROM:
Crear chips de ROM con aplicaciones particulares en pequeas cantidades
resultaba bastante costoso, y por esta razn, se creo un tipo especial de ROM
conocido como memoria de solo lectura programable (Programmable Read Only
Memory <PROM>). Los circuitos integrados de PROM son econmicos y pueden
ser codificados por cualquiera con una herramienta especial llamada programador.
Un chip de estos esta conformado por una red de columnas y filas como en una
ROM ordinaria; la diferencia radica que en cada interseccin entre filas y columnas,
existe un fusible que las conecta. Como cada celda tiene un fusible, el estado
inicial (Blank) de la PROM es todos en 1. Para cambiar una de estas celdas a 0, el
programador envia una cierta cantidad de corriente a la celda; el alto voltaje
rompe la conexin entre fila y columna, quemando el fusible. Este proceso se
conoce como quemar la PROM Las PROMs pueden ser programadas solo una
vez. Estas son mucho mas frgiles que las ROMs, ya que solo una pequea
cantidad de electricidad esttica puede quemar los fusibles, cambiando bits
fundamentales de 1 a 0.
EPROM:
Es una PROM que pude ser borrada. Las EPROM estn basadas en una curiosa
tecnologa radicalmente diferente a la tecnologa de las PROM. Descubierto por
accidente por Intel a mediados de los 70s cuando hacan trabajos de
investigacin de debilidad en las compuertas de los Mosfet.
Bsicamente una EPROM es un arreglo de filas y columnas. En un EPROM, en
cada interseccin de celda hay dos transistores, los dos transistores estn
separados uno del otro por una delgada capa de xido. Uno de esos transistores
es conocido como de compuerta flotante y el otro como compuerta de control. La
compuerta flotante, solo se puede conectar a las filas y esto lo hace atravs de la
compuerta de control, asi cuando esta conexin se hace, la celda tiene un valor de
1. Para cambiar este valor de 1 a 0, se requiere de un proceso llamado Fowler-
Nordheim tunneling. El tunneling es usado para alterar la posicin de los
electrones en la compuerta flotante. Una carga elctrica usualmente de entre 10 y
13 voltios es aplicada a la compuerta flotante. La carga proviene desde la columna,
entra en la compuerta flotante y drena finalmente hacia tierra. Esta carga causa
que el transistor de compuerta flotante se comporte como un pequeo acelerador
de electrones. Los electrones excitados son disparados y atrapados al otro lado de
la delgada capa de xido, dndole una carga negativa. Esos electrones cargados
negativamente, actan como una barrera entre la compuerta de control y la
compuerta flotante. Un dispositivo especial, llamado sensor de celda, observa el
nivel de carga atravs de la compuerta flotante, asi si el valorque por all pasa es
mayor al 50% del valor total de carga, este se considera como un 1, y de igual
manera, si este valor se encuentra por debajo del 50%, se considera como un 0.
Una vez programado, esta carga puede ser mantenida por un periodo de 100 aos,
tiempo de vida mas que suficiente para la mayora de los equipos electrnicos.
Para reescribir una EPROM, primero debemos borrarla; para hacer esto, debemos
proporcionarle al chip una cantidad de energa suficiente para eliminar la energa
de bloqueo. Esto se consigue mediante una luz ultravioleta (UV) con una longitud
de onda de entre 300 y 400 nm. Para permitir el borrado, las EPROM tiene en su
parte superior una ventana de vidrio para que este tipo de luz logre penetrar. Para
un efectivo borrado de la memoria, esta deber encontrarse a no mas de 6 cm de
la fuente de luz. Cuando se ha programado una EPROM, es costumbre proteger la
ventana con una cinta oscura, de modo que se bloquee el paso de cualquier tipo
de luz, ya que eventualmente la luz solar podra causar la prdida de datos.
Una EPORM puede ser borrada alrededor de 100 veces. Debido al dao creado
en el xido de la compuerta en el proceso de grabacin, sta no puede ser
reprogramada por siempre. El nmero de ciclos de borrado y escritura, tambin
depender de la tecnologa utilizada en el proceso de fabricacin de la memoria.
EEPROM:
Es una memoria ROM borrable y programable elctricamente, es decir que no
necesita una fuente de luz ultravioleta para borrar su contenido antes de ser
programada nuevamente. Es as como el funcionamiento de este tipo de
memorias se asemeja ms al de una SRAM, excepto que el tiempo necesario para
grabar los datos es mucho ms prolongado en las EEPROM. Tambin cabe
mencionar, que debido al dao que se produce en el xido durante la fase de
programacin, hace que este tipo de memorias no se pueda reprogramar
indefinidamente, as la vida de estos dispositivos de acuerdo al tipo de tecnologa
usada, puede estar entre 10.000 y 1 milln de ciclos. Para cambiar el contenido de
una EEPORM (Borrarla), basta con aplicar un campo magntico localizado sobre
la celda; esto borrara el contenido de la celda en cuestin, dejndola lista para ser
utilizada en un proceso de programacin posterior. En las EEPROM, solo un byte
es cambiado a la vez, con lo cual estas son ms verstiles pero obviamente ms
lentas, razn por la cual no se utilizan en dispositivos electrnicos en los cuales se
necesita que la informacin cambie rpidamente en el chip de almacenamiento.
Las EEPROMS vienen en formato de direccionamiento paralelo (como las
SRAMs o EPROMs) o serial, formato en el cual generalmente se utilizan dos
terminales de entrada salida, lo cual las hacen muy tiles para su uso con
microcontroladores.
FLASH ROM:
Las memorias FLASH son utilizadas para un almacenamiento rpido y seguro de
la informacin en dispositivos tales como cmaras digitales y consolas de video
juegos. He aqu algunos otros ejemplo, donde es habitual encontrar una memoria
FLASH:
El chip BIOS de nuestro ordenador
Compact Flash
SmartMedia
MemoryStick
Tarjetas PCMCIA tipo I y II
Tarjetas de memoria para video juegos
Las memorias FLASH son un tipo de EEPORM, la cual est conformada por un
arreglo de filas y columnas con una clula que tiene un par de transistores en cada
interseccin, as que su funcionamiento en la fase de programacin es el mismo
que para este tipo de memorias. Para borrarlas se aplica un campo magntico por
alto voltaje. Las memorias FLASH utilizan un cableado en el propio chip para
borrar por completo la memoria o solo predeterminadas partes de esta, conocidos
como bloques. Este tipo de memorias trabajan mucho ms rpido que las
memorias EEPROM convencionales, puesto que no borran un byte a la vez, si no
un bloque o el chip por completo.
ROM (Read Only Memory): Son memorias de slo lectura. El estado de cada
celda queda determinado en el momento de la fabricacin del chip. Nunca pierden
la informacin.
PROM (Programmable Read Only Memory): Son iguales a las anteriores pero el
fabricante las entrega sin grabar. Se pueden grabar de forma elctrica, solo una
vez.
FLASH: Est basada en las EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque, es
ms barata y permite mayor densidad.
MEMORIAS LECTURA-ESCRITURA
RAM :
Siglas de Random Access Memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder
de forma aleatoria; esto es, se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin
pasar por los bytes precedentes. RAM es el tipo ms comn de memoria en
las computadoras y en otros dispositivos, tales como las impresoras.
Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La
RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras
que la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace
ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son
voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta
la alimentacin.
En el lenguaje comn, el trmino RAM es sinnimo de memoria principal, la
memoria disponible para programas. En contraste, ROM (Read Only Memory) se
refiere a la memoria especial generalmente usada para almacenar programas que
realizan tareas de arranque de la mquina y de diagnsticos. La mayora de los
computadores personales tienen una pequea cantidad de ROM (algunos Kbytes).
De hecho, ambos tipos de memoria ( ROM y RAM )permiten acceso aleatorio. Sin
embargo, para ser precisos, hay que referirse a la memoria RAM como memoria
de lectura y escritura, y a la memoria ROM como memoria de solo lectura.
Se habla de RAM como memoria voltil, mientras que ROM es memoria no-voltil.
VRAM:
Memoria grfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo
de memoria RAM que utiliza el controlador grfico para poder manejar toda la
informacin visual que le manda la CPU del sistema.
En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba as a la memoria slo
accesible directamente por el procesador grfico, debiendo la CPU cargar los
datos a travs de l. Poda darse el caso de equipos con ms memoria VRAM que
RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2, que contaban con 64 KB de
RAM y 128 KB de VRAM).
Caracterstica principal:
La principal caracterstica de esta clase de memoria es que es accesible de forma
simultnea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe
informacin en ella, mientras se leen los datos que sern visualizados en
el monitor en cada momento. Por esta razn tambin se clasifica como Dual-
Ported.
El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero
en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal.
Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido (as como los
sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando
el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la
cach del disco para ver si los datos ya estan ah. La cach de disco puede
mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un
byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un
byte del disco duro.
Flash:
Caracterstica principal:
Las tarjetas de memoria flash que son usadas para almacenar fotos y videos en
las cmaras digitales. Tambin son comunes en los telfonos mviles y tabletas
para ampliar la capacidad de almacenamiento.
Bios:
Carecteristica principal:
DDR SDRAM:
Comparadas con las memorias SDR SDRAM (single data rate), las DDR SDRAM
ofrecen tasas de transferencia superior gracias a un control ms estricto del
tiempo de los datos electrnicos y las seales de reloj.
Caracterstica principal:
Las memorias DDR trabajan transfiriendo datos a travs de dos canales diferentes, de
manera simultnea y en un mismo ciclo de reloj con una transferencia de un volumen de
informacin de 8 bytes en cada ciclo de reloj
MEMORIAS DE REGISTRO
Memorias FIFO:
Memorias LIFO:
Este tipo de memorias (Last In First Out) tienen gran utilidad en los sistemas de
computacin. Permite almacenar datos para despus recuperarlos en orden
inverso. Las memorias LIFO, se implementan para formar una pila. Una pila puede
estar formada por cualquier nmero de registros. En este caso la cabecera o tope
de la pila seria el registro superior.
El funcionamiento bsico de estas memorias es muy simple. Se carga un byte de
datos en la cabecera de la pila y cada byte sucesivo empuja a este al registro
siguiente. Los bytes de datos se recuperan en orden inverso, de modo que el
ltimo byte introducido siempre se encuentra en el registro superior de la pila. De
esta manera, cada vez que sale un dato el resto pasa a ocupar las posiciones
inferiores.
BIBLIOGRAFIA:
https://es.wikipedia.org/wiki/Cinta_magn%C3%A9tica_de_almacenamiento_de_datos
https://es.wikipedia.org/wiki/Unidad_de_disco_duro
https://es.wikipedia.org/wiki/Disquete
http://www.electronicasi.com/ensenanzas/electronica-avanzada/memorias-y-dispositivos-de-
almacenamiento/
http://www.academia.edu/19602032/Memorias_Opticas
https://es.wikipedia.org/wiki/Disco_Blu-ray
https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_flash
http://www.alegsa.com.ar/Dic/ddr_sdram.php
https://es.wikipedia.org/wiki/DDR_SDRAM
http://robotikaii.blogspot.com/2010/09/memorias-fifo-y-lifo.html
http://www.fic.udc.es/files/asignaturas/5TC/tema8.pdf