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AMPLIFICADOR MULTIETAPA
INTEGRANTES:
HUINCHO HUARCAYA, ALBERTO
LEYVA CALDERON, MARCO
MATTA DAVILA, JORGE IVAN
PROFESOR:
FARRO CHIRINOS, LESLIE CHRISTIAN
EXPERIENCIA:
Laboratorio N3
2016-III
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RESUMEN:
En esta practica se observara el funcionamiento de los transistores 2N2222
como amplificador multietapa que es un circuito que recibe una seal y devuelve
una seal idntica pero de otra amplitud (menor o mayor) y que nos sirve en el
control de nuestros circuitos y aplicaciones que les podemos dar a estor
dispositivos, implementando los circuitos en protoboard para observar los
resultudados y contrastarlos con los obtenidos en la simulacion hecha en
proteus.
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NDICE Pg.
Introduccin.4
Marco terico.................5
Parte experimental.......9
- Procedimiento.10
- Medicin experimental..14
- Medicin en Proteus..17
Conclusiones........14
Observaciones......14
Recomendaciones....14
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INTRODUCCIN
Es muy fcil imaginarse q es un amplificador multietapa. A primera impresin
nos damos cuentas q es un circuito que recibe una seal y devuelve una seal
idntica pero de otra amplitud. (Menor o mayor). Y que tiene ms de una etapa
en la que realiza dicha operacin.
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MARCO TEORICO
DISPOSITIVO BJT.
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VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL FET
Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del orden
de 107).Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la
de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un
amplificador multietapa.
Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un
mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener
una densidad de empaque mayor).
Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para
valores pequeos de tensin de drenaje a fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes. Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en
algunas aplicaciones:
Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia
de entrada.
TIPOS DE FET
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Con frecuencia el MOSFET se denomina FET de compuerta aislada (IGFET,
insulated-gate FET).
Como pudimos observar el uso del FET es mejor que con un transistor comn,
ya que el anterior mencionado (FET) se muestra con menor ruido y distorsin en
la seal, y la ganancia de voltaje es mayor que en el transistor
TRANSISTOR FET
La ganancia de La ganancia de
voltaje es voltaje es
mejor mayor
Conexin en Cascada
Av = Av1*Av2
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En la siguiente figura se muestra un amplificador en cascada con acoplamiento
Rc usando BJT:
Av1 = RcRL/Re
Z1 = R1R2re
Z2 Rcro
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PARTE EXPERIMENTAL
a. OBJETIVOS
b. EQUIPOS Y MATERIALES
Juego de cables.
Un multmetro.
Un protoboard.
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PROCEDIMIENTO
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MEDICION EXPERIMENTAL
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SIMULACION EN PROTEUS
Frecuencia = 1 Khz
Amplitud = 10 mv Pico
Periodo = 1 mS
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Frecuencia = 1 Khz
Amplitud = 4V Pico
Periodo = 1 mS
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OBSERVACIONES
CONCLUCIONES
RECOMENDACIONES
- Para un mejor anlisis cuando se armen los circuitos, se deber usar cables
banana de diferentes colores, para diferenciar el positivo y tierra.
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