Arseniuro de galio

De Wikipedia, la enciclopedia libre

Saltar a: navegacin, bsqueda
Arseniuro de galio
General
Nombre Arseniuro de galio
Otros nombres ?
Frmula qumica GaAs
Masa molar 144.645 g/mol
Apariencia Cristales cbicos grises
Nmero CAS Plantilla:CASREF
Propiedades
Densidad y estado 5.3176 g/cm, slido.
Solubilidad en agua < 0.1 g/100 ml (20C)
Punto de fusin 1238C (1511 K)
Punto de ebullicin ?C (? K)
Propiedades electrnicas
Ancho de banda prohibida a 300 K 1.424 eV
Masa efectiva del electrn 0.067 me
Masa efectiva Light hole 0.082 me
Masa efectiva Heavy hole 0.45 me
Movilidad del electrn a 300 K 9200 cm/(Vs)
Movilidad del hueco a 300 K 400 cm/(Vs)
Estructura
Estructura cristalina Cbica (Zinc Blenda)
A no ser que se diga lo contrario, estos datos son para
materiales en condiciones normales (a 25C, 100 kPa)

El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsnico. Es un importante

semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a
frecuencias de microondas, diodos de emisin infrarroja, diodos lser y clulas
fotovoltaicas.

Contenido
[ocultar]

1 GaAs en tecnologas de altas frecuencias

o 1.1 GaAs vs. Si y Ge
2 Vase tambin
o 2.1 Materiales relacionados
[editar] GaAs en tecnologas de altas frecuencias
La masa efectiva de la carga elctrica del GaAs tipo N dopado es menor que en el silicio
del mismo tipo, por lo que los electrones en GaAs se aceleran a mayores velocidades,
tardando menos en cruzar el canal del transistor. Esto es muy til en altas frecuencias,
ya que se alcanzar una frecuencia mxima de operacin mayor.

Esta posibilidad y necesidad de trabajar con circuitos que permitan actuar a mayores
frecuencias tiene su origen en las industrias de defensa y espacial, en el uso de radares,
comunicaciones seguras y sensores. Tras el desarrollo por parte de programas federales,
pronto el GaAs se extendi a los nuevos mercados comerciales, como redes de rea
local inalmbricas (WLAN), sistemas de comunicacin personal (PCS), transmisin en
directo por satlite (DBS), transmisin y recepcin por el consumidor, sistemas de
posicionamiento global (GPS) y comunicaciones mviles. Todos estos mercados
requeran trabajar a frecuencias altas y poco ocupadas que no podan alcanzarse con
silicio ni germanio.

Adems, esto ha afectado a la filosofa de fabricacin de semiconductores, emplendose

ahora mtodos estadsticos para controlar la uniformidad y asegurar la mejor calidad
posible sin afectar gravemente al coste. Todo esto posibilit tambin la creacin de
nuevas tcnicas de transmisin digital a mayor potencia de radiofrecuencia y
amplificadores de baja tensin/bajo voltaje para maximizar el tiempo de operacin y de
espera en dispositivos alimentados por bateras.

[editar] GaAs vs. Si y Ge

Las propiedades fsicas y qumicas del GaAs complican su uso en la fabricacin de

transistores al ser un compuesto binario con una conductividad trmica menor y un
mayor coeficiente de expansin trmica (CET o CTE), mientras que el silicio y el
germanio son semiconductores elementales. Adems, los fallos en dispositivos basados
en GaAs son ms difciles de entender que aquellos en el silicio y pueden resultar ms
caros, al ser su uso mucho ms reciente.

Pero comparando la relacin calidad y precio, el valor aadido del GaAs compensa los
costos de fabricacin, adems de que los mercados indicados estn en continuo
crecimiento, que demandan esta tecnologa que permita mayores frecuencias, lo que
ayudar a abaratar costos.

25.8.11
237. Arseniuro de galio
El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsnico y de peso molcular 144.645
g/mol. Se encuentra a temperatura ambiente como cristales grises de forma cubica y es un
importante semiconductor.

Las propiedades fsicas y qumicas del GaAs complican su uso en la fabricacin de transistores al ser
un compuesto binario con una conductividad trmica menor y un mayor coeficiente de expansin
trmica (CET o CTE). Su competencia es la mezcla de silicio y germanio, que son semiconductores
elementales. Las propiedades electrnicas del GaAs son:

Propiedades electrnicas
Ancho de banda prohibida a 300 K 1.424 eV

Masa efectiva del electrn 0.067 me

Masa efectiva Light hole 0.082 me

Masa efectiva Heavy hole 0.45 me

Movilidad del electrn a 300 K 9200 cm/(Vs)

Movilidad del hueco a 300 K 400 cm/(Vs)

Por su lado, los fallos en dispositivos basados en GaAs son ms difciles de entender que aquellos en
el silicio y pueden resultar ms caros, al ser su uso mucho ms reciente. Pero este semiconductor
presenta mayores frecuencias que la de los clsicos semiconductores de Si y Ge, por lo cual presenta
un auspicioso futuro como material semiconductor. Txicologicamente se considera altamente
txico y cancerigeno.

Se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, vidrios
pticos, diodos de emisin infrarroja, diodos lser desde 1962 y clulas fotovoltaicas.

25.8.11
237. Arseniuro de galio
El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsnico y de peso molcular 144.645
g/mol. Se encuentra a temperatura ambiente como cristales grises de forma cubica y es un
importante semiconductor.

Las propiedades fsicas y qumicas del GaAs complican su uso en la fabricacin de transistores al ser
un compuesto binario con una conductividad trmica menor y un mayor coeficiente de expansin
trmica (CET o CTE). Su competencia es la mezcla de silicio y germanio, que son semiconductores
elementales. Las propiedades electrnicas del GaAs son:

Propiedades electrnicas
Ancho de banda prohibida a 300 K 1.424 eV

Masa efectiva del electrn 0.067 me

Masa efectiva Light hole 0.082 me

Masa efectiva Heavy hole 0.45 me

Movilidad del electrn a 300 K 9200 cm/(Vs)

Movilidad del hueco a 300 K 400 cm/(Vs)

Por su lado, los fallos en dispositivos basados en GaAs son ms difciles de entender que aquellos en
el silicio y pueden resultar ms caros, al ser su uso mucho ms reciente. Pero este semiconductor
presenta mayores frecuencias que la de los clsicos semiconductores de Si y Ge, por lo cual presenta
un auspicioso futuro como material semiconductor. Txicologicamente se considera altamente
txico y cancerigeno.

Se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, vidrios
pticos, diodos de emisin infrarroja, diodos lser desde 1962 y clulas fotovoltaicas.

http://www.galeon.com/tododesdeadentro/semiconductores.htm