Definicin:

Diodo (valvular): Es una vlvula electrnica que consta de un nodo fro y un ctodo caldeado.
Se emplea como rectificador. Tambin es conocido como una variante ms sencilla del tubo
termoinico. Su ctodo es un filamento de tungsteno cubierto de xido de torio; al aumentar la
temperatura del filamento, el xido de torio emite electrones que son atrados por el nodo o
placa, que tiene carga positiva por hallarse conectado al terminal correspondiente de una
batera.

El diodo fue ideado por Fleming (1905) para utilizarlo como conductor elctrico unidireccional
en la deteccin de seales de telegrafa inalmbricas. En su primera versin, el aparato slo
conduca corriente cuando la placa se cargaba positivamente durante los semiciclos positivos
de las ondas de radio; la conduccin se interrumpa por completo en los semiciclos negativos.
La vlvula de Fleming apenas difera en diseo de los modernos rectificadores de tubo de
vaco que transforman la corriente alterna en continua. Sin embargo, hoy pueden emplearse
montajes especiales, como el de diodos gemelos, que hacen fluir corriente continua durante los
dos semiciclos de la corriente alterna.

La instalacin, denominada rectificador de onda completa, es muy corriente en equipos

electrnicos. Las principales limitaciones del diodo se deben a la carga espacial, o acumulacin
de electrones sin absorber entre el nodo y el ctodo, y la emisin secundaria de electrones en
el nodo, provocada por la incidencia en l de los procedentes del ctodo. Ambos fenmenos
tienden a repeler el haz electrnico y limitan la corriente de calentamiento y el voltaje eficaces.

DIODO DE AVALANCHA-DIODO DE CRISTAL:

Diodo de avalancha: Tambin llamado como diodo de ruptura. Diodo que tiene una alta relacin
de resistencia inversa/directa hasta que se produce la ruptura por avalancha. Despus de la
ruptura, la cada de tensin en el diodo es especialmente constante, e independiente de la
corriente. Se usa para aplicaciones regulacin y limitacin de tensin. Se le llam originalmente
diodo Zner, hasta que el efecto Zner no era significativo en el funcionamiento en los diodos
de este tipo.

Diodo de barrera intrnseca: diodo PIN en el que una regin delgada de material intrnseco
separa las regiones del tipo n y p.

Diodo de barrera Schottky: Diodo de unin donde la unin est formada entre el semiconductor
y un contacto metlico en lugar de entre materiales semiconductores diferentes, como en el
caso del Diodo de unin pn de unin.

Diodo de capacidad variable: Diodo semiconductor en el que la capacidad de unin presente en

todos los diodos semiconductores, ha sido acentuada. Un cambio apreciable en el espesor de
la capa unin-deplexin y un cambio correspondiente en la capacidad se presentan cuando se
modifica la tensin continua aplicada al Diodo.

Diodo de circulacin libre: conectado a travs de una carga inductiva de tal manera que
conduce la corriente proporcionalmente a la energa almacenada en la inductancia. Esta
corriente circula cuando no se administra tensin en la carga y contina hasta que toda la
energa almacenada en el inductor se consume o hasta que se suministre de nuevo energa a
la inductancia desde la fuente de potencia.

Diodo de contacto de punta: Diodo que consiste en un semiconductor contra el que presiona un
cable muy fino. Este Diodo tiene una inductancia muy pequea y puede ser utilizado como
detector o mezclador de seales de toda la regin de las microondas. Tiene una respuesta de
ley en los niveles bajos de potencia.

DIODO DE CRISTAL DE CONTACTO DE PUNTA-DIODO DE RUPTURA BRUSCA:

Diodo de cristal: dispositivo semiconductor de dos electrodos que utiliza las propiedades
rectificadoras de una unin pn (Diodo de unin) o de un punto metlico crtico en contacto con
un material semiconductor (Diodo de puntas de contacto).

Diodo de contacto de punta: Diodo de cristal cuyo funcionamiento rectificador se determina

presionando el cristal con un conductor muy puntiagudo rodeado por un material de tipo
opuesto.

Diodo de cuatro capas: Diodo semiconductor que tiene tres uniones con conexiones hechas
slo en las dos capas exteriores que forman las uniones.

Diodo de doble base: vase transistor uniunin.

Diodo de gas: vlvula con un ctodo caliente y un nodo en una ampolla que contiene una
pequea cantidad de gas. Cuando est lo suficientemente positivo, los electrones que se
dirigen a l chocan con tomos de gas y lo ionizan. Como resultado, la corriente del nodo es
mucho ms fuerte que la que habra en un Diodo equivalente en el vaco.

Diodo de germanio: Diodo semiconductor en el que se usa una placa de cristal de germanio
como elemento rectificador.

Diodo de microondas: dispositivo con dos terminales que responde en la regin de microondas
del espectro magntico, normalmente considerada extendida entre uno y trescientos GHz.

Diodo de portadores de alta energa: Diodo en el que una unin metal semiconductor
controlada muy estrictamente produce la eliminacin virtual de la carga almacenada. El Diodo
tiene unos tiempos de conmutacin rpidos, tiene unas caractersticas directas o inversas
excelentes, muy bajo nivel de ruido, y un amplio rango dinmico.

Diodo de recuperacin abrupta: varactor en el que la tensin directa inyecta portadores a travs
de la unin, pero antes que los portadores puedan combinarse, la tensin se invierte y los
portadores vuelven a su origen en grupo. El resultado es el cese brusco de la corriente inversa
y la generacin de onda rica en armnicos.

Diodo de ruido: fuente estndar de ruido elctrico que tiene una impedancia interna infinita y en
el que la corriente presenta fluctuaciones de ruido de granada pleno.

Diodo de ruptura brusca: Diodo de silicio pasivado en epitaxial planar que se procesa de forma
que se almacena una carga prxima a la unin cuando conduce el Diodo. Con la aplicacin de
tensin inversa, la carga almacenada fuerza el Diodo conmutar rpidamente el estado del
bloqueo.

DIODO DE SEAL-DIODO EMISOR DE INFRARROJOS:

Diodo de seal: Diodo semiconductor utilizado con el propsito de extraer o procesar

informacin contenida en una seal elctrica variable con el tiempo, y que puede ser de
naturaleza analgica o digital.

Diodo de silicio: cristal detector utilizado para rectificar o detectar seales de UHF y SHF.
Consiste en un contacto de metal mantenido sujeto contra un trozo de silicio en el estado
cristalino particular.

Diodo de sintonizacin: Diodo varactor empleado para sintonizacin de radiofrecuencia. Este

incluye funciones tales como control automtico de frecuencia, y ajuste de sintonizacin
automtico.
Diodo de tensin de referencia: Diodo que proporciona en sus terminales una tensin de
referencia de precisin determinada cuando es polarizado para operar dentro de un
determinado rango de corriente.

Diodo de tres capas: elemento con dos terminales controlado por tensin que presenta una
caracterstica bilateral con resistencia negativa. El dispositivo tiene tensiones de conmutacin
simtricas, entre 20 y 40 V y est diseado especficamente para uso como disparador en
circuitos de control de potencia de C.A. como los que usan triacs.

Diodo de unin: Diodo de dos terminales que contiene un slo cristal de material semiconductor
que se extiende desde tipo p hasta tipo n. Conduce la corriente ms fcilmente en una
direccin que en la otra y es un elemento bsico del transistor de unin. Tal Diodo es la parte
bsica de un lser de inyeccin; la zona prxima a la unin acta como una fuente de luz
emitida. Cuando se fabrica en una forma geomtricamente adecuada, el Diodo de unin se
puede usar como clula solar.

Diodo detector: Diodo a menudo asociado con circuitos de microondas, que convierte energa
RF en c.c o salida de vdeo.

Diodo disparador: Diodo de avalancha simtrico de tres capas empleado para controlar triacs y
tiristores. Tiene un modo simtrico de conmutacin, por lo que si para siempre que se excede la
tensin de ruptura con cualquier polaridad.

Diodo de emisor de infrarrojos: aparato semiconductor con una unin semiconductora en el

cual el flujo de radiacin infrarroja se produce, no trmicamente, cuando circula una corriente
como resultado de la tensin aplicada.

DIODO EMISOR DE LUZ-DIODO INVERSO:

Diodo de emisor de luz infrarroja: aparato optoelectrnico que contiene una unin pn
semiconductora que emite energa radiante de longitudes de onda de 0,75-100 micrmetros
cuando est polarizado en sentido directo.

Diodo equivalente: Diodo imaginario que consiste en un ctodo de trodo o en un tubo

multirejilla y un nodo virtual al que se aplica una tensin de control de un valor tal, como la
corriente de ctodo ser la misma que la corriente del trodo o del tubo multirejilla.

Diodo fijador de nivel: Diodo utilizado para fijar la tensin en un determinado valor en un
circuito.

Diodo fotoparamtrico: dispositivo del tamao de una pldora para deteccin y amplificacin
simultnea de energa ptima modulada en frecuencias de microondas.

Diodo Gunn: oblea muy pequea de tipo n de arseniuro de galio que consiste en una fina capa
activa de arseniuro de galio tipo n crecida en sustrato de baja resistividad del mismo material.
El sustrato est ligado con el terminal de nodo del encapsulado y la otra cara de la oblea tiene
un contacto de ctodo evaporado conectado por medio de un hilo de oro unido.

Diodo inverso: unin aleada de germanio fuertemente dopada que funciona segn el principio
del tnel mecnico cuntico. El Diodo est a la inversa porque el camino fcil para la corriente
est en la zona de tensin negativa de la caracterstica de tensin -intensidad.

DIODO LAMBDA-DIODO MAGNTICO.

Diodo lambda: Diodo de dos terminales consistentes en un par de JFET (transistores de efecto
de unin campo de unin) en un modo de agotamiento que se puede fabricar ms fcilmente
que los dispositivos convencionales de resistencia negativa. Pueden integrarse slo en una
pastilla o con dispositivos bipolares y MOS en la misma pastilla.

Diodo lser: Diodo de unin consistente en regiones de portadores positivos y negativos con
una regin de transicin (unin) pn, que emite radiacin electromagntica cuando los
electrones inyectados con polarizacin directa se recombinan con huecos en las proximidades
de la unin.

Diodo lser de inyeccin: fuente LED radiante encerrada en un rea de unin extremadamente
plana y con semiconductores huecos de banda directa, y que tiene una cavidad ptima de fabri-
perot.

Diodo limitador: Diodo conectado para actuar como cortocircuito cuando su nodo se haga ms
positivo que su ctodo; el Diodo tiende entonces a evitar que la tensin en los terminales de un
circuito suba por encima de la tensin del ctodo.

Diodo LSA: Diodo de acumulacin de carga espacial limitada. Es un Diodo para microondas,
similar al Diodo Gunn, excepto que impide la formacin de dominio o agrupamientos de cargas;
por lo que se consigue una potencia de salida ms alta a una frecuencia determinada con una
cavidad de microondas que es varias veces ms grandes que las frecuencias del tiempo de
propagacin.

Diodo magntico: dispositivo semiconductor sensible al magnetismo que tiene una resistencia
interna que vara en funcin del campo externo. Se puede obtener una seal elctrica
alternando el campo magntico; as una magnitud no elctrica puede ser convertida en otra
elctrica.

DIODO MEZCLADOR-DIODO PNPN (4 CAPAS).

Diodo mezclador: Diodo a menudo asociado a los circuitos de microondas, que combinan
seales de RF de dos frecuencias para generar una seal de RF a una tercera frecuencia.

Diodo NR: dispositivo semiconductor de unin en el que se pone de manifiesto una resistencia
negativa por la combinacin de una ruptura por avalancha y una modulacin de la conduccin
debida a la corriente que atraviesa la unin.

Diodo pelcula de xido de nquel: Diodo de estado slido elaborado con una pelcula de xido
de nquel. Puede pasar de inactivo a activo por aplicacin de un impulso de 30 V y baja
corriente durante 10 ms, y pasar de activo a inactivo por una aplicacin de un impulso de 20 V
y alta corriente durante 10 ms.

Diodo PIN: formado por un semiconductor en el que se ha difundido un dopante p en una lado,
y dopante n en el lado opuesto, controlando el proceso de tal manera que una pequea regin
pelcula separa los regiones pn. El tiempo de almacenamiento del Diodo PIN es lo
suficientemente grande para que no pueda rectificar ondas de frecuencia mayor o igual que en
las microondas.

Diodo plasmtico: mquina termodinmica que utiliza los electrones como fluido de trabajo,
cuya energa potencial se convierte en una forma de energa til (normalmente elctrica).

Diodo PNP (4 capas): dispositivo semiconductor que se puede considerar como una estructura
de dos transistores con dos emisores separados que alimentan a un colector comn. Esta
combinacin constituye un lazo de realimentacin que es inestable cuando la ganancia de
bucle es mayor que la unidad. La inestabilidad da lugar a una corriente que aumenta hasta
alcanzar un valor mximo limitado por las resistencias hmicas.

DIODO RECTIFICADOR -DIODO TNEL:

Diodo rectificador: Diodo que presenta una caracterstica tensin-corriente asimtrica y que se
utiliza para rectificacin de corriente y de tensin.

Diodo semiconductor rectificador: diseado para la rectificacin y que en su forma integral

incluye sus montajes asociados y accesorios de refrigeracin.

Diodo separador: pasa seales en una direccin a travs de un circuito, pero que bloquea
seales y tensiones en la direccin opuesta.

Diodo Schockley: controlado de cuatro capas sin conexin de base utilizado como Diodo
conmutador o disparador.

Diodo tnel: Diodo pn al que se le ha aadido una gran cantidad de impurezas. El Diodo tnel
tiene gran capacidad de movimiento de carga y una regin de resistencia negativa por encima
de un nivel mnimo de tensin aplicada.

Diodo Zner: elemento de dos capas que, cuando se aplica una tensin superior a determinado
valor , experimenta un brusco incremento de intensidad. Si se polariza directamente, el
elemento se comporta como un simple rectificador. Pero cuando se le polariza inversamente, el
Diodo presenta un codo en su caracterstica tensin-intensidad.

Definicin:

Diodo (valvular): Es una vlvula electrnica que consta de un nodo fro y un ctodo caldeado.
Se emplea como rectificador. Tambin es conocido como una variante ms sencilla del tubo
termoinico. Su ctodo es un filamento de tungsteno cubierto de xido de torio; al aumentar la
temperatura del filamento, el xido de torio emite electrones que son atrados por el nodo o
placa, que tiene carga positiva por hallarse conectado al terminal correspondiente de una
batera.

El diodo fue ideado por Fleming (1905) para utilizarlo como conductor elctrico unidireccional
en la deteccin de seales de telegrafa inalmbricas. En su primera versin, el aparato slo
conduca corriente cuando la placa se cargaba positivamente durante los semiciclos positivos
de las ondas de radio; la conduccin se interrumpa por completo en los semiciclos negativos.
La vlvula de Fleming apenas difera en diseo de los modernos rectificadores de tubo de
vaco que transforman la corriente alterna en continua. Sin embargo, hoy pueden emplearse
montajes especiales, como el de diodos gemelos, que hacen fluir corriente continua durante los
dos semiciclos de la corriente alterna.

La instalacin, denominada rectificador de onda completa, es muy corriente en equipos

electrnicos. Las principales limitaciones del diodo se deben a la carga espacial, o acumulacin
de electrones sin absorber entre el nodo y el ctodo, y la emisin secundaria de electrones en
el nodo, provocada por la incidencia en l de los procedentes del ctodo. Ambos fenmenos
tienden a repeler el haz electrnico y limitan la corriente de calentamiento y el voltaje eficaces.

DIODO DE AVALANCHA-DIODO DE CRISTAL:

Diodo de avalancha: Tambin llamado como diodo de ruptura. Diodo que tiene una alta relacin
de resistencia inversa/directa hasta que se produce la ruptura por avalancha. Despus de la
ruptura, la cada de tensin en el diodo es especialmente constante, e independiente de la
corriente. Se usa para aplicaciones regulacin y limitacin de tensin. Se le llam originalmente
diodo Zner, hasta que el efecto Zner no era significativo en el funcionamiento en los diodos
de este tipo.

Diodo de barrera intrnseca: diodo PIN en el que una regin delgada de material intrnseco
separa las regiones del tipo n y p.
Diodo de barrera Schottky: Diodo de unin donde la unin est formada entre el semiconductor
y un contacto metlico en lugar de entre materiales semiconductores diferentes, como en el
caso del Diodo de unin pn de unin.

Diodo de capacidad variable: Diodo semiconductor en el que la capacidad de unin presente en

todos los diodos semiconductores, ha sido acentuada. Un cambio apreciable en el espesor de
la capa unin-deplexin y un cambio correspondiente en la capacidad se presentan cuando se
modifica la tensin continua aplicada al Diodo.

Diodo de circulacin libre: conectado a travs de una carga inductiva de tal manera que
conduce la corriente proporcionalmente a la energa almacenada en la inductancia. Esta
corriente circula cuando no se administra tensin en la carga y contina hasta que toda la
energa almacenada en el inductor se consume o hasta que se suministre de nuevo energa a
la inductancia desde la fuente de potencia.

Diodo de contacto de punta: Diodo que consiste en un semiconductor contra el que presiona un
cable muy fino. Este Diodo tiene una inductancia muy pequea y puede ser utilizado como
detector o mezclador de seales de toda la regin de las microondas. Tiene una respuesta de
ley en los niveles bajos de potencia.

DIODO DE CRISTAL DE CONTACTO DE PUNTA-DIODO DE RUPTURA BRUSCA:

Diodo de cristal: dispositivo semiconductor de dos electrodos que utiliza las propiedades
rectificadoras de una unin pn (Diodo de unin) o de un punto metlico crtico en contacto con
un material semiconductor (Diodo de puntas de contacto).

Diodo de contacto de punta: Diodo de cristal cuyo funcionamiento rectificador se determina

presionando el cristal con un conductor muy puntiagudo rodeado por un material de tipo
opuesto.

Diodo de cuatro capas: Diodo semiconductor que tiene tres uniones con conexiones hechas
slo en las dos capas exteriores que forman las uniones.

Diodo de doble base: vase transistor uniunin.

Diodo de gas: vlvula con un ctodo caliente y un nodo en una ampolla que contiene una
pequea cantidad de gas. Cuando est lo suficientemente positivo, los electrones que se
dirigen a l chocan con tomos de gas y lo ionizan. Como resultado, la corriente del nodo es
mucho ms fuerte que la que habra en un Diodo equivalente en el vaco.

Diodo de germanio: Diodo semiconductor en el que se usa una placa de cristal de germanio
como elemento rectificador.

Diodo de microondas: dispositivo con dos terminales que responde en la regin de microondas
del espectro magntico, normalmente considerada extendida entre uno y trescientos GHz.

Diodo de portadores de alta energa: Diodo en el que una unin metal semiconductor
controlada muy estrictamente produce la eliminacin virtual de la carga almacenada. El Diodo
tiene unos tiempos de conmutacin rpidos, tiene unas caractersticas directas o inversas
excelentes, muy bajo nivel de ruido, y un amplio rango dinmico.

Diodo de recuperacin abrupta: varactor en el que la tensin directa inyecta portadores a travs
de la unin, pero antes que los portadores puedan combinarse, la tensin se invierte y los
portadores vuelven a su origen en grupo. El resultado es el cese brusco de la corriente inversa
y la generacin de onda rica en armnicos.
Diodo de ruido: fuente estndar de ruido elctrico que tiene una impedancia interna infinita y en
el que la corriente presenta fluctuaciones de ruido de granada pleno.

Diodo de ruptura brusca: Diodo de silicio pasivado en epitaxial planar que se procesa de forma
que se almacena una carga prxima a la unin cuando conduce el Diodo. Con la aplicacin de
tensin inversa, la carga almacenada fuerza el Diodo conmutar rpidamente el estado del
bloqueo.

DIODO DE SEAL-DIODO EMISOR DE INFRARROJOS:

Diodo de seal: Diodo semiconductor utilizado con el propsito de extraer o procesar

informacin contenida en una seal elctrica variable con el tiempo, y que puede ser de
naturaleza analgica o digital.

Diodo de silicio: cristal detector utilizado para rectificar o detectar seales de UHF y SHF.
Consiste en un contacto de metal mantenido sujeto contra un trozo de silicio en el estado
cristalino particular.

Diodo de sintonizacin: Diodo varactor empleado para sintonizacin de radiofrecuencia. Este

incluye funciones tales como control automtico de frecuencia, y ajuste de sintonizacin
automtico.

Diodo de tensin de referencia: Diodo que proporciona en sus terminales una tensin de
referencia de precisin determinada cuando es polarizado para operar dentro de un
determinado rango de corriente.

Diodo de tres capas: elemento con dos terminales controlado por tensin que presenta una
caracterstica bilateral con resistencia negativa. El dispositivo tiene tensiones de conmutacin
simtricas, entre 20 y 40 V y est diseado especficamente para uso como disparador en
circuitos de control de potencia de C.A. como los que usan triacs.

Diodo de unin: Diodo de dos terminales que contiene un slo cristal de material semiconductor
que se extiende desde tipo p hasta tipo n. Conduce la corriente ms fcilmente en una
direccin que en la otra y es un elemento bsico del transistor de unin. Tal Diodo es la parte
bsica de un lser de inyeccin; la zona prxima a la unin acta como una fuente de luz
emitida. Cuando se fabrica en una forma geomtricamente adecuada, el Diodo de unin se
puede usar como clula solar.

Diodo detector: Diodo a menudo asociado con circuitos de microondas, que convierte energa
RF en c.c o salida de vdeo.

Diodo disparador: Diodo de avalancha simtrico de tres capas empleado para controlar triacs y
tiristores. Tiene un modo simtrico de conmutacin, por lo que si para siempre que se excede la
tensin de ruptura con cualquier polaridad.

Diodo de emisor de infrarrojos: aparato semiconductor con una unin semiconductora en el

cual el flujo de radiacin infrarroja se produce, no trmicamente, cuando circula una corriente
como resultado de la tensin aplicada.

DIODO EMISOR DE LUZ-DIODO INVERSO:

Diodo de emisor de luz infrarroja: aparato optoelectrnico que contiene una unin pn
semiconductora que emite energa radiante de longitudes de onda de 0,75-100 micrmetros
cuando est polarizado en sentido directo.
Diodo equivalente: Diodo imaginario que consiste en un ctodo de trodo o en un tubo
multirejilla y un nodo virtual al que se aplica una tensin de control de un valor tal, como la
corriente de ctodo ser la misma que la corriente del trodo o del tubo multirejilla.

Diodo fijador de nivel: Diodo utilizado para fijar la tensin en un determinado valor en un
circuito.

Diodo fotoparamtrico: dispositivo del tamao de una pldora para deteccin y amplificacin
simultnea de energa ptima modulada en frecuencias de microondas.

Diodo Gunn: oblea muy pequea de tipo n de arseniuro de galio que consiste en una fina capa
activa de arseniuro de galio tipo n crecida en sustrato de baja resistividad del mismo material.
El sustrato est ligado con el terminal de nodo del encapsulado y la otra cara de la oblea tiene
un contacto de ctodo evaporado conectado por medio de un hilo de oro unido.

Diodo inverso: unin aleada de germanio fuertemente dopada que funciona segn el principio
del tnel mecnico cuntico. El Diodo est a la inversa porque el camino fcil para la corriente
est en la zona de tensin negativa de la caracterstica de tensin -intensidad.

DIODO LAMBDA-DIODO MAGNTICO.

Diodo lambda: Diodo de dos terminales consistentes en un par de JFET (transistores de efecto
de unin campo de unin) en un modo de agotamiento que se puede fabricar ms fcilmente
que los dispositivos convencionales de resistencia negativa. Pueden integrarse slo en una
pastilla o con dispositivos bipolares y MOS en la misma pastilla.

Diodo lser: Diodo de unin consistente en regiones de portadores positivos y negativos con
una regin de transicin (unin) pn, que emite radiacin electromagntica cuando los
electrones inyectados con polarizacin directa se recombinan con huecos en las proximidades
de la unin.

Diodo lser de inyeccin: fuente LED radiante encerrada en un rea de unin extremadamente
plana y con semiconductores huecos de banda directa, y que tiene una cavidad ptima de fabri-
perot.

Diodo limitador: Diodo conectado para actuar como cortocircuito cuando su nodo se haga ms
positivo que su ctodo; el Diodo tiende entonces a evitar que la tensin en los terminales de un
circuito suba por encima de la tensin del ctodo.

Diodo LSA: Diodo de acumulacin de carga espacial limitada. Es un Diodo para microondas,
similar al Diodo Gunn, excepto que impide la formacin de dominio o agrupamientos de cargas;
por lo que se consigue una potencia de salida ms alta a una frecuencia determinada con una
cavidad de microondas que es varias veces ms grandes que las frecuencias del tiempo de
propagacin.

Diodo magntico: dispositivo semiconductor sensible al magnetismo que tiene una resistencia
interna que vara en funcin del campo externo. Se puede obtener una seal elctrica
alternando el campo magntico; as una magnitud no elctrica puede ser convertida en otra
elctrica.

DIODO MEZCLADOR-DIODO PNPN (4 CAPAS).

Diodo mezclador: Diodo a menudo asociado a los circuitos de microondas, que combinan
seales de RF de dos frecuencias para generar una seal de RF a una tercera frecuencia.
Diodo NR: dispositivo semiconductor de unin en el que se pone de manifiesto una resistencia
negativa por la combinacin de una ruptura por avalancha y una modulacin de la conduccin
debida a la corriente que atraviesa la unin.

Diodo pelcula de xido de nquel: Diodo de estado slido elaborado con una pelcula de xido
de nquel. Puede pasar de inactivo a activo por aplicacin de un impulso de 30 V y baja
corriente durante 10 ms, y pasar de activo a inactivo por una aplicacin de un impulso de 20 V
y alta corriente durante 10 ms.

Diodo PIN: formado por un semiconductor en el que se ha difundido un dopante p en una lado,
y dopante n en el lado opuesto, controlando el proceso de tal manera que una pequea regin
pelcula separa los regiones pn. El tiempo de almacenamiento del Diodo PIN es lo
suficientemente grande para que no pueda rectificar ondas de frecuencia mayor o igual que en
las microondas.

Diodo plasmtico: mquina termodinmica que utiliza los electrones como fluido de trabajo,
cuya energa potencial se convierte en una forma de energa til (normalmente elctrica).

Diodo PNP (4 capas): dispositivo semiconductor que se puede considerar como una estructura
de dos transistores con dos emisores separados que alimentan a un colector comn. Esta
combinacin constituye un lazo de realimentacin que es inestable cuando la ganancia de
bucle es mayor que la unidad. La inestabilidad da lugar a una corriente que aumenta hasta
alcanzar un valor mximo limitado por las resistencias hmicas.

DIODO RECTIFICADOR -DIODO TNEL:

Diodo rectificador: Diodo que presenta una caracterstica tensin-corriente asimtrica y que se
utiliza para rectificacin de corriente y de tensin.

Diodo semiconductor rectificador: diseado para la rectificacin y que en su forma integral

incluye sus montajes asociados y accesorios de refrigeracin.

Diodo separador: pasa seales en una direccin a travs de un circuito, pero que bloquea
seales y tensiones en la direccin opuesta.

Diodo Schockley: controlado de cuatro capas sin conexin de base utilizado como Diodo
conmutador o disparador.

Diodo tnel: Diodo pn al que se le ha aadido una gran cantidad de impurezas. El Diodo tnel
tiene gran capacidad de movimiento de carga y una regin de resistencia negativa por encima
de un nivel mnimo de tensin aplicada.

Diodo Zner: elemento de dos capas que, cuando se aplica una tensin superior a determinado
valor , experimenta un brusco incremento de intensidad. Si se polariza directamente, el
elemento se comporta como un simple rectificador. Pero cuando se le polariza inversamente, el
Diodo presenta un codo en su caracterstica tensin-intensidad.
Definicin:

Diodo (valvular): Es una vlvula electrnica que consta de un nodo fro y un ctodo caldeado.
Se emplea como rectificador. Tambin es conocido como una variante ms sencilla del tubo
termoinico. Su ctodo es un filamento de tungsteno cubierto de xido de torio; al aumentar la
temperatura del filamento, el xido de torio emite electrones que son atrados por el nodo o
placa, que tiene carga positiva por hallarse conectado al terminal correspondiente de una
batera.

El diodo fue ideado por Fleming (1905) para utilizarlo como conductor elctrico unidireccional
en la deteccin de seales de telegrafa inalmbricas. En su primera versin, el aparato slo
conduca corriente cuando la placa se cargaba positivamente durante los semiciclos positivos
de las ondas de radio; la conduccin se interrumpa por completo en los semiciclos negativos.
La vlvula de Fleming apenas difera en diseo de los modernos rectificadores de tubo de
vaco que transforman la corriente alterna en continua. Sin embargo, hoy pueden emplearse
montajes especiales, como el de diodos gemelos, que hacen fluir corriente continua durante los
dos semiciclos de la corriente alterna.

La instalacin, denominada rectificador de onda completa, es muy corriente en equipos

electrnicos. Las principales limitaciones del diodo se deben a la carga espacial, o acumulacin
de electrones sin absorber entre el nodo y el ctodo, y la emisin secundaria de electrones en
el nodo, provocada por la incidencia en l de los procedentes del ctodo. Ambos fenmenos
tienden a repeler el haz electrnico y limitan la corriente de calentamiento y el voltaje eficaces.

DIODO DE AVALANCHA-DIODO DE CRISTAL:

Diodo de avalancha: Tambin llamado como diodo de ruptura. Diodo que tiene una alta relacin
de resistencia inversa/directa hasta que se produce la ruptura por avalancha. Despus de la
ruptura, la cada de tensin en el diodo es especialmente constante, e independiente de la
corriente. Se usa para aplicaciones regulacin y limitacin de tensin. Se le llam originalmente
diodo Zner, hasta que el efecto Zner no era significativo en el funcionamiento en los diodos
de este tipo.

Diodo de barrera intrnseca: diodo PIN en el que una regin delgada de material intrnseco
separa las regiones del tipo n y p.

Diodo de barrera Schottky: Diodo de unin donde la unin est formada entre el semiconductor
y un contacto metlico en lugar de entre materiales semiconductores diferentes, como en el
caso del Diodo de unin pn de unin.

Diodo de capacidad variable: Diodo semiconductor en el que la capacidad de unin presente en

todos los diodos semiconductores, ha sido acentuada. Un cambio apreciable en el espesor de
la capa unin-deplexin y un cambio correspondiente en la capacidad se presentan cuando se
modifica la tensin continua aplicada al Diodo.

Diodo de circulacin libre: conectado a travs de una carga inductiva de tal manera que
conduce la corriente proporcionalmente a la energa almacenada en la inductancia. Esta
corriente circula cuando no se administra tensin en la carga y contina hasta que toda la
energa almacenada en el inductor se consume o hasta que se suministre de nuevo energa a
la inductancia desde la fuente de potencia.

Diodo de contacto de punta: Diodo que consiste en un semiconductor contra el que presiona un
cable muy fino. Este Diodo tiene una inductancia muy pequea y puede ser utilizado como
detector o mezclador de seales de toda la regin de las microondas. Tiene una respuesta de
ley en los niveles bajos de potencia.

DIODO DE CRISTAL DE CONTACTO DE PUNTA-DIODO DE RUPTURA BRUSCA:

Diodo de cristal: dispositivo semiconductor de dos electrodos que utiliza las propiedades
rectificadoras de una unin pn (Diodo de unin) o de un punto metlico crtico en contacto con
un material semiconductor (Diodo de puntas de contacto).

Diodo de contacto de punta: Diodo de cristal cuyo funcionamiento rectificador se determina

presionando el cristal con un conductor muy puntiagudo rodeado por un material de tipo
opuesto.

Diodo de cuatro capas: Diodo semiconductor que tiene tres uniones con conexiones hechas
slo en las dos capas exteriores que forman las uniones.

Diodo de doble base: vase transistor uniunin.

Diodo de gas: vlvula con un ctodo caliente y un nodo en una ampolla que contiene una
pequea cantidad de gas. Cuando est lo suficientemente positivo, los electrones que se
dirigen a l chocan con tomos de gas y lo ionizan. Como resultado, la corriente del nodo es
mucho ms fuerte que la que habra en un Diodo equivalente en el vaco.

Diodo de germanio: Diodo semiconductor en el que se usa una placa de cristal de germanio
como elemento rectificador.

Diodo de microondas: dispositivo con dos terminales que responde en la regin de microondas
del espectro magntico, normalmente considerada extendida entre uno y trescientos GHz.

Diodo de portadores de alta energa: Diodo en el que una unin metal semiconductor
controlada muy estrictamente produce la eliminacin virtual de la carga almacenada. El Diodo
tiene unos tiempos de conmutacin rpidos, tiene unas caractersticas directas o inversas
excelentes, muy bajo nivel de ruido, y un amplio rango dinmico.

Diodo de recuperacin abrupta: varactor en el que la tensin directa inyecta portadores a travs
de la unin, pero antes que los portadores puedan combinarse, la tensin se invierte y los
portadores vuelven a su origen en grupo. El resultado es el cese brusco de la corriente inversa
y la generacin de onda rica en armnicos.

Diodo de ruido: fuente estndar de ruido elctrico que tiene una impedancia interna infinita y en
el que la corriente presenta fluctuaciones de ruido de granada pleno.

Diodo de ruptura brusca: Diodo de silicio pasivado en epitaxial planar que se procesa de forma
que se almacena una carga prxima a la unin cuando conduce el Diodo. Con la aplicacin de
tensin inversa, la carga almacenada fuerza el Diodo conmutar rpidamente el estado del
bloqueo.

DIODO DE SEAL-DIODO EMISOR DE INFRARROJOS:

Diodo de seal: Diodo semiconductor utilizado con el propsito de extraer o procesar

informacin contenida en una seal elctrica variable con el tiempo, y que puede ser de
naturaleza analgica o digital.

Diodo de silicio: cristal detector utilizado para rectificar o detectar seales de UHF y SHF.
Consiste en un contacto de metal mantenido sujeto contra un trozo de silicio en el estado
cristalino particular.

Diodo de sintonizacin: Diodo varactor empleado para sintonizacin de radiofrecuencia. Este

incluye funciones tales como control automtico de frecuencia, y ajuste de sintonizacin
automtico.
Diodo de tensin de referencia: Diodo que proporciona en sus terminales una tensin de
referencia de precisin determinada cuando es polarizado para operar dentro de un
determinado rango de corriente.

Diodo de tres capas: elemento con dos terminales controlado por tensin que presenta una
caracterstica bilateral con resistencia negativa. El dispositivo tiene tensiones de conmutacin
simtricas, entre 20 y 40 V y est diseado especficamente para uso como disparador en
circuitos de control de potencia de C.A. como los que usan triacs.

Diodo de unin: Diodo de dos terminales que contiene un slo cristal de material semiconductor
que se extiende desde tipo p hasta tipo n. Conduce la corriente ms fcilmente en una
direccin que en la otra y es un elemento bsico del transistor de unin. Tal Diodo es la parte
bsica de un lser de inyeccin; la zona prxima a la unin acta como una fuente de luz
emitida. Cuando se fabrica en una forma geomtricamente adecuada, el Diodo de unin se
puede usar como clula solar.

Diodo detector: Diodo a menudo asociado con circuitos de microondas, que convierte energa
RF en c.c o salida de vdeo.

Diodo disparador: Diodo de avalancha simtrico de tres capas empleado para controlar triacs y
tiristores. Tiene un modo simtrico de conmutacin, por lo que si para siempre que se excede la
tensin de ruptura con cualquier polaridad.

Diodo de emisor de infrarrojos: aparato semiconductor con una unin semiconductora en el

cual el flujo de radiacin infrarroja se produce, no trmicamente, cuando circula una corriente
como resultado de la tensin aplicada.

DIODO EMISOR DE LUZ-DIODO INVERSO:

Diodo de emisor de luz infrarroja: aparato optoelectrnico que contiene una unin pn
semiconductora que emite energa radiante de longitudes de onda de 0,75-100 micrmetros
cuando est polarizado en sentido directo.

Diodo equivalente: Diodo imaginario que consiste en un ctodo de trodo o en un tubo

multirejilla y un nodo virtual al que se aplica una tensin de control de un valor tal, como la
corriente de ctodo ser la misma que la corriente del trodo o del tubo multirejilla.

Diodo fijador de nivel: Diodo utilizado para fijar la tensin en un determinado valor en un
circuito.

Diodo fotoparamtrico: dispositivo del tamao de una pldora para deteccin y amplificacin
simultnea de energa ptima modulada en frecuencias de microondas.

Diodo Gunn: oblea muy pequea de tipo n de arseniuro de galio que consiste en una fina capa
activa de arseniuro de galio tipo n crecida en sustrato de baja resistividad del mismo material.
El sustrato est ligado con el terminal de nodo del encapsulado y la otra cara de la oblea tiene
un contacto de ctodo evaporado conectado por medio de un hilo de oro unido.

Diodo inverso: unin aleada de germanio fuertemente dopada que funciona segn el principio
del tnel mecnico cuntico. El Diodo est a la inversa porque el camino fcil para la corriente
est en la zona de tensin negativa de la caracterstica de tensin -intensidad.

DIODO LAMBDA-DIODO MAGNTICO.

Diodo lambda: Diodo de dos terminales consistentes en un par de JFET (transistores de efecto
de unin campo de unin) en un modo de agotamiento que se puede fabricar ms fcilmente
que los dispositivos convencionales de resistencia negativa. Pueden integrarse slo en una
pastilla o con dispositivos bipolares y MOS en la misma pastilla.

Diodo lser: Diodo de unin consistente en regiones de portadores positivos y negativos con
una regin de transicin (unin) pn, que emite radiacin electromagntica cuando los
electrones inyectados con polarizacin directa se recombinan con huecos en las proximidades
de la unin.

Diodo lser de inyeccin: fuente LED radiante encerrada en un rea de unin extremadamente
plana y con semiconductores huecos de banda directa, y que tiene una cavidad ptima de fabri-
perot.

Diodo limitador: Diodo conectado para actuar como cortocircuito cuando su nodo se haga ms
positivo que su ctodo; el Diodo tiende entonces a evitar que la tensin en los terminales de un
circuito suba por encima de la tensin del ctodo.

Diodo LSA: Diodo de acumulacin de carga espacial limitada. Es un Diodo para microondas,
similar al Diodo Gunn, excepto que impide la formacin de dominio o agrupamientos de cargas;
por lo que se consigue una potencia de salida ms alta a una frecuencia determinada con una
cavidad de microondas que es varias veces ms grandes que las frecuencias del tiempo de
propagacin.

Diodo magntico: dispositivo semiconductor sensible al magnetismo que tiene una resistencia
interna que vara en funcin del campo externo. Se puede obtener una seal elctrica
alternando el campo magntico; as una magnitud no elctrica puede ser convertida en otra
elctrica.

DIODO MEZCLADOR-DIODO PNPN (4 CAPAS).

Diodo mezclador: Diodo a menudo asociado a los circuitos de microondas, que combinan
seales de RF de dos frecuencias para generar una seal de RF a una tercera frecuencia.

Diodo NR: dispositivo semiconductor de unin en el que se pone de manifiesto una resistencia
negativa por la combinacin de una ruptura por avalancha y una modulacin de la conduccin
debida a la corriente que atraviesa la unin.

Diodo pelcula de xido de nquel: Diodo de estado slido elaborado con una pelcula de xido
de nquel. Puede pasar de inactivo a activo por aplicacin de un impulso de 30 V y baja
corriente durante 10 ms, y pasar de activo a inactivo por una aplicacin de un impulso de 20 V
y alta corriente durante 10 ms.

Diodo PIN: formado por un semiconductor en el que se ha difundido un dopante p en una lado,
y dopante n en el lado opuesto, controlando el proceso de tal manera que una pequea regin
pelcula separa los regiones pn. El tiempo de almacenamiento del Diodo PIN es lo
suficientemente grande para que no pueda rectificar ondas de frecuencia mayor o igual que en
las microondas.

Diodo plasmtico: mquina termodinmica que utiliza los electrones como fluido de trabajo,
cuya energa potencial se convierte en una forma de energa til (normalmente elctrica).

Diodo PNP (4 capas): dispositivo semiconductor que se puede considerar como una estructura
de dos transistores con dos emisores separados que alimentan a un colector comn. Esta
combinacin constituye un lazo de realimentacin que es inestable cuando la ganancia de
bucle es mayor que la unidad. La inestabilidad da lugar a una corriente que aumenta hasta
alcanzar un valor mximo limitado por las resistencias hmicas.

DIODO RECTIFICADOR -DIODO TNEL:

Diodo rectificador: Diodo que presenta una caracterstica tensin-corriente asimtrica y que se
utiliza para rectificacin de corriente y de tensin.

Diodo semiconductor rectificador: diseado para la rectificacin y que en su forma integral

incluye sus montajes asociados y accesorios de refrigeracin.

Diodo separador: pasa seales en una direccin a travs de un circuito, pero que bloquea
seales y tensiones en la direccin opuesta.

Diodo Schockley: controlado de cuatro capas sin conexin de base utilizado como Diodo
conmutador o disparador.

Diodo tnel: Diodo pn al que se le ha aadido una gran cantidad de impurezas. El Diodo tnel
tiene gran capacidad de movimiento de carga y una regin de resistencia negativa por encima
de un nivel mnimo de tensin aplicada.

Diodo Zner: elemento de dos capas que, cuando se aplica una tensin superior a determinado
valor , experimenta un brusco incremento de intensidad. Si se polariza directamente, el
elemento se comporta como un simple rectificador. Pero cuando se le polariza inversamente, el
Diodo presenta un codo en su caracterstica tensin-intensidad.

Definicin:

Diodo (valvular): Es una vlvula electrnica que consta de un nodo fro y un ctodo caldeado.
Se emplea como rectificador. Tambin es conocido como una variante ms sencilla del tubo
termoinico. Su ctodo es un filamento de tungsteno cubierto de xido de torio; al aumentar la
temperatura del filamento, el xido de torio emite electrones que son atrados por el nodo o
placa, que tiene carga positiva por hallarse conectado al terminal correspondiente de una
batera.

El diodo fue ideado por Fleming (1905) para utilizarlo como conductor elctrico unidireccional
en la deteccin de seales de telegrafa inalmbricas. En su primera versin, el aparato slo
conduca corriente cuando la placa se cargaba positivamente durante los semiciclos positivos
de las ondas de radio; la conduccin se interrumpa por completo en los semiciclos negativos.
La vlvula de Fleming apenas difera en diseo de los modernos rectificadores de tubo de
vaco que transforman la corriente alterna en continua. Sin embargo, hoy pueden emplearse
montajes especiales, como el de diodos gemelos, que hacen fluir corriente continua durante los
dos semiciclos de la corriente alterna.

La instalacin, denominada rectificador de onda completa, es muy corriente en equipos

electrnicos. Las principales limitaciones del diodo se deben a la carga espacial, o acumulacin
de electrones sin absorber entre el nodo y el ctodo, y la emisin secundaria de electrones en
el nodo, provocada por la incidencia en l de los procedentes del ctodo. Ambos fenmenos
tienden a repeler el haz electrnico y limitan la corriente de calentamiento y el voltaje eficaces.
DIODO DE AVALANCHA-DIODO DE CRISTAL:

Diodo de avalancha: Tambin llamado como diodo de ruptura. Diodo que tiene una alta relacin
de resistencia inversa/directa hasta que se produce la ruptura por avalancha. Despus de la
ruptura, la cada de tensin en el diodo es especialmente constante, e independiente de la
corriente. Se usa para aplicaciones regulacin y limitacin de tensin. Se le llam originalmente
diodo Zner, hasta que el efecto Zner no era significativo en el funcionamiento en los diodos
de este tipo.

Diodo de barrera intrnseca: diodo PIN en el que una regin delgada de material intrnseco
separa las regiones del tipo n y p.

Diodo de barrera Schottky: Diodo de unin donde la unin est formada entre el semiconductor
y un contacto metlico en lugar de entre materiales semiconductores diferentes, como en el
caso del Diodo de unin pn de unin.

Diodo de capacidad variable: Diodo semiconductor en el que la capacidad de unin presente en

todos los diodos semiconductores, ha sido acentuada. Un cambio apreciable en el espesor de
la capa unin-deplexin y un cambio correspondiente en la capacidad se presentan cuando se
modifica la tensin continua aplicada al Diodo.

Diodo de circulacin libre: conectado a travs de una carga inductiva de tal manera que
conduce la corriente proporcionalmente a la energa almacenada en la inductancia. Esta
corriente circula cuando no se administra tensin en la carga y contina hasta que toda la
energa almacenada en el inductor se consume o hasta que se suministre de nuevo energa a
la inductancia desde la fuente de potencia.

Diodo de contacto de punta: Diodo que consiste en un semiconductor contra el que presiona un
cable muy fino. Este Diodo tiene una inductancia muy pequea y puede ser utilizado como
detector o mezclador de seales de toda la regin de las microondas. Tiene una respuesta de
ley en los niveles bajos de potencia.

DIODO DE CRISTAL DE CONTACTO DE PUNTA-DIODO DE RUPTURA BRUSCA:

Diodo de cristal: dispositivo semiconductor de dos electrodos que utiliza las propiedades
rectificadoras de una unin pn (Diodo de unin) o de un punto metlico crtico en contacto con
un material semiconductor (Diodo de puntas de contacto).

Diodo de contacto de punta: Diodo de cristal cuyo funcionamiento rectificador se determina

presionando el cristal con un conductor muy puntiagudo rodeado por un material de tipo
opuesto.

Diodo de cuatro capas: Diodo semiconductor que tiene tres uniones con conexiones hechas
slo en las dos capas exteriores que forman las uniones.

Diodo de doble base: vase transistor uniunin.

Diodo de gas: vlvula con un ctodo caliente y un nodo en una ampolla que contiene una
pequea cantidad de gas. Cuando est lo suficientemente positivo, los electrones que se
dirigen a l chocan con tomos de gas y lo ionizan. Como resultado, la corriente del nodo es
mucho ms fuerte que la que habra en un Diodo equivalente en el vaco.

Diodo de germanio: Diodo semiconductor en el que se usa una placa de cristal de germanio
como elemento rectificador.

Diodo de microondas: dispositivo con dos terminales que responde en la regin de microondas
del espectro magntico, normalmente considerada extendida entre uno y trescientos GHz.
Diodo de portadores de alta energa: Diodo en el que una unin metal semiconductor
controlada muy estrictamente produce la eliminacin virtual de la carga almacenada. El Diodo
tiene unos tiempos de conmutacin rpidos, tiene unas caractersticas directas o inversas
excelentes, muy bajo nivel de ruido, y un amplio rango dinmico.

Diodo de recuperacin abrupta: varactor en el que la tensin directa inyecta portadores a travs
de la unin, pero antes que los portadores puedan combinarse, la tensin se invierte y los
portadores vuelven a su origen en grupo. El resultado es el cese brusco de la corriente inversa
y la generacin de onda rica en armnicos.

Diodo de ruido: fuente estndar de ruido elctrico que tiene una impedancia interna infinita y en
el que la corriente presenta fluctuaciones de ruido de granada pleno.

Diodo de ruptura brusca: Diodo de silicio pasivado en epitaxial planar que se procesa de forma
que se almacena una carga prxima a la unin cuando conduce el Diodo. Con la aplicacin de
tensin inversa, la carga almacenada fuerza el Diodo conmutar rpidamente el estado del
bloqueo.

DIODO DE SEAL-DIODO EMISOR DE INFRARROJOS:

Diodo de seal: Diodo semiconductor utilizado con el propsito de extraer o procesar

informacin contenida en una seal elctrica variable con el tiempo, y que puede ser de
naturaleza analgica o digital.

Diodo de silicio: cristal detector utilizado para rectificar o detectar seales de UHF y SHF.
Consiste en un contacto de metal mantenido sujeto contra un trozo de silicio en el estado
cristalino particular.

Diodo de sintonizacin: Diodo varactor empleado para sintonizacin de radiofrecuencia. Este

incluye funciones tales como control automtico de frecuencia, y ajuste de sintonizacin
automtico.

Diodo de tensin de referencia: Diodo que proporciona en sus terminales una tensin de
referencia de precisin determinada cuando es polarizado para operar dentro de un
determinado rango de corriente.

Diodo de tres capas: elemento con dos terminales controlado por tensin que presenta una
caracterstica bilateral con resistencia negativa. El dispositivo tiene tensiones de conmutacin
simtricas, entre 20 y 40 V y est diseado especficamente para uso como disparador en
circuitos de control de potencia de C.A. como los que usan triacs.

Diodo de unin: Diodo de dos terminales que contiene un slo cristal de material semiconductor
que se extiende desde tipo p hasta tipo n. Conduce la corriente ms fcilmente en una
direccin que en la otra y es un elemento bsico del transistor de unin. Tal Diodo es la parte
bsica de un lser de inyeccin; la zona prxima a la unin acta como una fuente de luz
emitida. Cuando se fabrica en una forma geomtricamente adecuada, el Diodo de unin se
puede usar como clula solar.

Diodo detector: Diodo a menudo asociado con circuitos de microondas, que convierte energa
RF en c.c o salida de vdeo.

Diodo disparador: Diodo de avalancha simtrico de tres capas empleado para controlar triacs y
tiristores. Tiene un modo simtrico de conmutacin, por lo que si para siempre que se excede la
tensin de ruptura con cualquier polaridad.

Diodo de emisor de infrarrojos: aparato semiconductor con una unin semiconductora en el

cual el flujo de radiacin infrarroja se produce, no trmicamente, cuando circula una corriente
como resultado de la tensin aplicada.
DIODO EMISOR DE LUZ-DIODO INVERSO:

Diodo de emisor de luz infrarroja: aparato optoelectrnico que contiene una unin pn
semiconductora que emite energa radiante de longitudes de onda de 0,75-100 micrmetros
cuando est polarizado en sentido directo.

Diodo equivalente: Diodo imaginario que consiste en un ctodo de trodo o en un tubo

multirejilla y un nodo virtual al que se aplica una tensin de control de un valor tal, como la
corriente de ctodo ser la misma que la corriente del trodo o del tubo multirejilla.

Diodo fijador de nivel: Diodo utilizado para fijar la tensin en un determinado valor en un
circuito.

Diodo fotoparamtrico: dispositivo del tamao de una pldora para deteccin y amplificacin
simultnea de energa ptima modulada en frecuencias de microondas.

Diodo Gunn: oblea muy pequea de tipo n de arseniuro de galio que consiste en una fina capa
activa de arseniuro de galio tipo n crecida en sustrato de baja resistividad del mismo material.
El sustrato est ligado con el terminal de nodo del encapsulado y la otra cara de la oblea tiene
un contacto de ctodo evaporado conectado por medio de un hilo de oro unido.

Diodo inverso: unin aleada de germanio fuertemente dopada que funciona segn el principio
del tnel mecnico cuntico. El Diodo est a la inversa porque el camino fcil para la corriente
est en la zona de tensin negativa de la caracterstica de tensin -intensidad.

DIODO LAMBDA-DIODO MAGNTICO.

Diodo lambda: Diodo de dos terminales consistentes en un par de JFET (transistores de efecto
de unin campo de unin) en un modo de agotamiento que se puede fabricar ms fcilmente
que los dispositivos convencionales de resistencia negativa. Pueden integrarse slo en una
pastilla o con dispositivos bipolares y MOS en la misma pastilla.

Diodo lser: Diodo de unin consistente en regiones de portadores positivos y negativos con
una regin de transicin (unin) pn, que emite radiacin electromagntica cuando los
electrones inyectados con polarizacin directa se recombinan con huecos en las proximidades
de la unin.

Diodo lser de inyeccin: fuente LED radiante encerrada en un rea de unin extremadamente
plana y con semiconductores huecos de banda directa, y que tiene una cavidad ptima de fabri-
perot.

Diodo limitador: Diodo conectado para actuar como cortocircuito cuando su nodo se haga ms
positivo que su ctodo; el Diodo tiende entonces a evitar que la tensin en los terminales de un
circuito suba por encima de la tensin del ctodo.

Diodo LSA: Diodo de acumulacin de carga espacial limitada. Es un Diodo para microondas,
similar al Diodo Gunn, excepto que impide la formacin de dominio o agrupamientos de cargas;
por lo que se consigue una potencia de salida ms alta a una frecuencia determinada con una
cavidad de microondas que es varias veces ms grandes que las frecuencias del tiempo de
propagacin.

Diodo magntico: dispositivo semiconductor sensible al magnetismo que tiene una resistencia
interna que vara en funcin del campo externo. Se puede obtener una seal elctrica
alternando el campo magntico; as una magnitud no elctrica puede ser convertida en otra
elctrica.

DIODO MEZCLADOR-DIODO PNPN (4 CAPAS).

Diodo mezclador: Diodo a menudo asociado a los circuitos de microondas, que combinan
seales de RF de dos frecuencias para generar una seal de RF a una tercera frecuencia.

Diodo NR: dispositivo semiconductor de unin en el que se pone de manifiesto una resistencia
negativa por la combinacin de una ruptura por avalancha y una modulacin de la conduccin
debida a la corriente que atraviesa la unin.

Diodo pelcula de xido de nquel: Diodo de estado slido elaborado con una pelcula de xido
de nquel. Puede pasar de inactivo a activo por aplicacin de un impulso de 30 V y baja
corriente durante 10 ms, y pasar de activo a inactivo por una aplicacin de un impulso de 20 V
y alta corriente durante 10 ms.

Diodo PIN: formado por un semiconductor en el que se ha difundido un dopante p en una lado,
y dopante n en el lado opuesto, controlando el proceso de tal manera que una pequea regin
pelcula separa los regiones pn. El tiempo de almacenamiento del Diodo PIN es lo
suficientemente grande para que no pueda rectificar ondas de frecuencia mayor o igual que en
las microondas.

Diodo plasmtico: mquina termodinmica que utiliza los electrones como fluido de trabajo,
cuya energa potencial se convierte en una forma de energa til (normalmente elctrica).

Diodo PNP (4 capas): dispositivo semiconductor que se puede considerar como una estructura
de dos transistores con dos emisores separados que alimentan a un colector comn. Esta
combinacin constituye un lazo de realimentacin que es inestable cuando la ganancia de
bucle es mayor que la unidad. La inestabilidad da lugar a una corriente que aumenta hasta
alcanzar un valor mximo limitado por las resistencias hmicas.

DIODO RECTIFICADOR -DIODO TNEL:

Diodo rectificador: Diodo que presenta una caracterstica tensin-corriente asimtrica y que se
utiliza para rectificacin de corriente y de tensin.

Diodo semiconductor rectificador: diseado para la rectificacin y que en su forma integral

incluye sus montajes asociados y accesorios de refrigeracin.

Diodo separador: pasa seales en una direccin a travs de un circuito, pero que bloquea
seales y tensiones en la direccin opuesta.

Diodo Schockley: controlado de cuatro capas sin conexin de base utilizado como Diodo
conmutador o disparador.

Diodo tnel: Diodo pn al que se le ha aadido una gran cantidad de impurezas. El Diodo tnel
tiene gran capacidad de movimiento de carga y una regin de resistencia negativa por encima
de un nivel mnimo de tensin aplicada.

Diodo Zner: elemento de dos capas que, cuando se aplica una tensin superior a determinado
valor , experimenta un brusco incremento de intensidad. Si se polariza directamente, el
elemento se comporta como un simple rectificador. Pero cuando se le polariza inversamente, el
Diodo presenta un codo en su caracterstica tensin-intensidad.

Definicin:
Diodo (valvular): Es una vlvula electrnica que consta de un nodo fro y un ctodo caldeado.
Se emplea como rectificador. Tambin es conocido como una variante ms sencilla del tubo
termoinico. Su ctodo es un filamento de tungsteno cubierto de xido de torio; al aumentar la
temperatura del filamento, el xido de torio emite electrones que son atrados por el nodo o
placa, que tiene carga positiva por hallarse conectado al terminal correspondiente de una
batera.

El diodo fue ideado por Fleming (1905) para utilizarlo como conductor elctrico unidireccional
en la deteccin de seales de telegrafa inalmbricas. En su primera versin, el aparato slo
conduca corriente cuando la placa se cargaba positivamente durante los semiciclos positivos
de las ondas de radio; la conduccin se interrumpa por completo en los semiciclos negativos.
La vlvula de Fleming apenas difera en diseo de los modernos rectificadores de tubo de
vaco que transforman la corriente alterna en continua. Sin embargo, hoy pueden emplearse
montajes especiales, como el de diodos gemelos, que hacen fluir corriente continua durante los
dos semiciclos de la corriente alterna.

La instalacin, denominada rectificador de onda completa, es muy corriente en equipos

electrnicos. Las principales limitaciones del diodo se deben a la carga espacial, o acumulacin
de electrones sin absorber entre el nodo y el ctodo, y la emisin secundaria de electrones en
el nodo, provocada por la incidencia en l de los procedentes del ctodo. Ambos fenmenos
tienden a repeler el haz electrnico y limitan la corriente de calentamiento y el voltaje eficaces.

DIODO DE AVALANCHA-DIODO DE CRISTAL:

Diodo de avalancha: Tambin llamado como diodo de ruptura. Diodo que tiene una alta relacin
de resistencia inversa/directa hasta que se produce la ruptura por avalancha. Despus de la
ruptura, la cada de tensin en el diodo es especialmente constante, e independiente de la
corriente. Se usa para aplicaciones regulacin y limitacin de tensin. Se le llam originalmente
diodo Zner, hasta que el efecto Zner no era significativo en el funcionamiento en los diodos
de este tipo.

Diodo de barrera intrnseca: diodo PIN en el que una regin delgada de material intrnseco
separa las regiones del tipo n y p.

Diodo de barrera Schottky: Diodo de unin donde la unin est formada entre el semiconductor
y un contacto metlico en lugar de entre materiales semiconductores diferentes, como en el
caso del Diodo de unin pn de unin.

Diodo de capacidad variable: Diodo semiconductor en el que la capacidad de unin presente en

todos los diodos semiconductores, ha sido acentuada. Un cambio apreciable en el espesor de
la capa unin-deplexin y un cambio correspondiente en la capacidad se presentan cuando se
modifica la tensin continua aplicada al Diodo.

Diodo de circulacin libre: conectado a travs de una carga inductiva de tal manera que
conduce la corriente proporcionalmente a la energa almacenada en la inductancia. Esta
corriente circula cuando no se administra tensin en la carga y contina hasta que toda la
energa almacenada en el inductor se consume o hasta que se suministre de nuevo energa a
la inductancia desde la fuente de potencia.

Diodo de contacto de punta: Diodo que consiste en un semiconductor contra el que presiona un
cable muy fino. Este Diodo tiene una inductancia muy pequea y puede ser utilizado como
detector o mezclador de seales de toda la regin de las microondas. Tiene una respuesta de
ley en los niveles bajos de potencia.

DIODO DE CRISTAL DE CONTACTO DE PUNTA-DIODO DE RUPTURA BRUSCA:

Diodo de cristal: dispositivo semiconductor de dos electrodos que utiliza las propiedades
rectificadoras de una unin pn (Diodo de unin) o de un punto metlico crtico en contacto con
un material semiconductor (Diodo de puntas de contacto).

Diodo de contacto de punta: Diodo de cristal cuyo funcionamiento rectificador se determina

presionando el cristal con un conductor muy puntiagudo rodeado por un material de tipo
opuesto.

Diodo de cuatro capas: Diodo semiconductor que tiene tres uniones con conexiones hechas
slo en las dos capas exteriores que forman las uniones.

Diodo de doble base: vase transistor uniunin.

Diodo de gas: vlvula con un ctodo caliente y un nodo en una ampolla que contiene una
pequea cantidad de gas. Cuando est lo suficientemente positivo, los electrones que se
dirigen a l chocan con tomos de gas y lo ionizan. Como resultado, la corriente del nodo es
mucho ms fuerte que la que habra en un Diodo equivalente en el vaco.

Diodo de germanio: Diodo semiconductor en el que se usa una placa de cristal de germanio
como elemento rectificador.

Diodo de microondas: dispositivo con dos terminales que responde en la regin de microondas
del espectro magntico, normalmente considerada extendida entre uno y trescientos GHz.

Diodo de portadores de alta energa: Diodo en el que una unin metal semiconductor
controlada muy estrictamente produce la eliminacin virtual de la carga almacenada. El Diodo
tiene unos tiempos de conmutacin rpidos, tiene unas caractersticas directas o inversas
excelentes, muy bajo nivel de ruido, y un amplio rango dinmico.

Diodo de recuperacin abrupta: varactor en el que la tensin directa inyecta portadores a travs
de la unin, pero antes que los portadores puedan combinarse, la tensin se invierte y los
portadores vuelven a su origen en grupo. El resultado es el cese brusco de la corriente inversa
y la generacin de onda rica en armnicos.

Diodo de ruido: fuente estndar de ruido elctrico que tiene una impedancia interna infinita y en
el que la corriente presenta fluctuaciones de ruido de granada pleno.

Diodo de ruptura brusca: Diodo de silicio pasivado en epitaxial planar que se procesa de forma
que se almacena una carga prxima a la unin cuando conduce el Diodo. Con la aplicacin de
tensin inversa, la carga almacenada fuerza el Diodo conmutar rpidamente el estado del
bloqueo.

DIODO DE SEAL-DIODO EMISOR DE INFRARROJOS:

Diodo de seal: Diodo semiconductor utilizado con el propsito de extraer o procesar

informacin contenida en una seal elctrica variable con el tiempo, y que puede ser de
naturaleza analgica o digital.

Diodo de silicio: cristal detector utilizado para rectificar o detectar seales de UHF y SHF.
Consiste en un contacto de metal mantenido sujeto contra un trozo de silicio en el estado
cristalino particular.

Diodo de sintonizacin: Diodo varactor empleado para sintonizacin de radiofrecuencia. Este

incluye funciones tales como control automtico de frecuencia, y ajuste de sintonizacin
automtico.
Diodo de tensin de referencia: Diodo que proporciona en sus terminales una tensin de
referencia de precisin determinada cuando es polarizado para operar dentro de un
determinado rango de corriente.

Diodo de tres capas: elemento con dos terminales controlado por tensin que presenta una
caracterstica bilateral con resistencia negativa. El dispositivo tiene tensiones de conmutacin
simtricas, entre 20 y 40 V y est diseado especficamente para uso como disparador en
circuitos de control de potencia de C.A. como los que usan triacs.

Diodo de unin: Diodo de dos terminales que contiene un slo cristal de material semiconductor
que se extiende desde tipo p hasta tipo n. Conduce la corriente ms fcilmente en una
direccin que en la otra y es un elemento bsico del transistor de unin. Tal Diodo es la parte
bsica de un lser de inyeccin; la zona prxima a la unin acta como una fuente de luz
emitida. Cuando se fabrica en una forma geomtricamente adecuada, el Diodo de unin se
puede usar como clula solar.

Diodo detector: Diodo a menudo asociado con circuitos de microondas, que convierte energa
RF en c.c o salida de vdeo.

Diodo disparador: Diodo de avalancha simtrico de tres capas empleado para controlar triacs y
tiristores. Tiene un modo simtrico de conmutacin, por lo que si para siempre que se excede la
tensin de ruptura con cualquier polaridad.

Diodo de emisor de infrarrojos: aparato semiconductor con una unin semiconductora en el

cual el flujo de radiacin infrarroja se produce, no trmicamente, cuando circula una corriente
como resultado de la tensin aplicada.

DIODO EMISOR DE LUZ-DIODO INVERSO:

Diodo de emisor de luz infrarroja: aparato optoelectrnico que contiene una unin pn
semiconductora que emite energa radiante de longitudes de onda de 0,75-100 micrmetros
cuando est polarizado en sentido directo.

Diodo equivalente: Diodo imaginario que consiste en un ctodo de trodo o en un tubo

multirejilla y un nodo virtual al que se aplica una tensin de control de un valor tal, como la
corriente de ctodo ser la misma que la corriente del trodo o del tubo multirejilla.

Diodo fijador de nivel: Diodo utilizado para fijar la tensin en un determinado valor en un
circuito.

Diodo fotoparamtrico: dispositivo del tamao de una pldora para deteccin y amplificacin
simultnea de energa ptima modulada en frecuencias de microondas.

Diodo Gunn: oblea muy pequea de tipo n de arseniuro de galio que consiste en una fina capa
activa de arseniuro de galio tipo n crecida en sustrato de baja resistividad del mismo material.
El sustrato est ligado con el terminal de nodo del encapsulado y la otra cara de la oblea tiene
un contacto de ctodo evaporado conectado por medio de un hilo de oro unido.

Diodo inverso: unin aleada de germanio fuertemente dopada que funciona segn el principio
del tnel mecnico cuntico. El Diodo est a la inversa porque el camino fcil para la corriente
est en la zona de tensin negativa de la caracterstica de tensin -intensidad.

DIODO LAMBDA-DIODO MAGNTICO.

Diodo lambda: Diodo de dos terminales consistentes en un par de JFET (transistores de efecto
de unin campo de unin) en un modo de agotamiento que se puede fabricar ms fcilmente
que los dispositivos convencionales de resistencia negativa. Pueden integrarse slo en una
pastilla o con dispositivos bipolares y MOS en la misma pastilla.

Diodo lser: Diodo de unin consistente en regiones de portadores positivos y negativos con
una regin de transicin (unin) pn, que emite radiacin electromagntica cuando los
electrones inyectados con polarizacin directa se recombinan con huecos en las proximidades
de la unin.

Diodo lser de inyeccin: fuente LED radiante encerrada en un rea de unin extremadamente
plana y con semiconductores huecos de banda directa, y que tiene una cavidad ptima de fabri-
perot.

Diodo limitador: Diodo conectado para actuar como cortocircuito cuando su nodo se haga ms
positivo que su ctodo; el Diodo tiende entonces a evitar que la tensin en los terminales de un
circuito suba por encima de la tensin del ctodo.

Diodo LSA: Diodo de acumulacin de carga espacial limitada. Es un Diodo para microondas,
similar al Diodo Gunn, excepto que impide la formacin de dominio o agrupamientos de cargas;
por lo que se consigue una potencia de salida ms alta a una frecuencia determinada con una
cavidad de microondas que es varias veces ms grandes que las frecuencias del tiempo de
propagacin.

Diodo magntico: dispositivo semiconductor sensible al magnetismo que tiene una resistencia
interna que vara en funcin del campo externo. Se puede obtener una seal elctrica
alternando el campo magntico; as una magnitud no elctrica puede ser convertida en otra
elctrica.

DIODO MEZCLADOR-DIODO PNPN (4 CAPAS).

Diodo mezclador: Diodo a menudo asociado a los circuitos de microondas, que combinan
seales de RF de dos frecuencias para generar una seal de RF a una tercera frecuencia.

Diodo NR: dispositivo semiconductor de unin en el que se pone de manifiesto una resistencia
negativa por la combinacin de una ruptura por avalancha y una modulacin de la conduccin
debida a la corriente que atraviesa la unin.

Diodo pelcula de xido de nquel: Diodo de estado slido elaborado con una pelcula de xido
de nquel. Puede pasar de inactivo a activo por aplicacin de un impulso de 30 V y baja
corriente durante 10 ms, y pasar de activo a inactivo por una aplicacin de un impulso de 20 V
y alta corriente durante 10 ms.

Diodo PIN: formado por un semiconductor en el que se ha difundido un dopante p en una lado,
y dopante n en el lado opuesto, controlando el proceso de tal manera que una pequea regin
pelcula separa los regiones pn. El tiempo de almacenamiento del Diodo PIN es lo
suficientemente grande para que no pueda rectificar ondas de frecuencia mayor o igual que en
las microondas.

Diodo plasmtico: mquina termodinmica que utiliza los electrones como fluido de trabajo,
cuya energa potencial se convierte en una forma de energa til (normalmente elctrica).

Diodo PNP (4 capas): dispositivo semiconductor que se puede considerar como una estructura
de dos transistores con dos emisores separados que alimentan a un colector comn. Esta
combinacin constituye un lazo de realimentacin que es inestable cuando la ganancia de
bucle es mayor que la unidad. La inestabilidad da lugar a una corriente que aumenta hasta
alcanzar un valor mximo limitado por las resistencias hmicas.

DIODO RECTIFICADOR -DIODO TNEL:

Diodo rectificador: Diodo que presenta una caracterstica tensin-corriente asimtrica y que se
utiliza para rectificacin de corriente y de tensin.

Diodo semiconductor rectificador: diseado para la rectificacin y que en su forma integral

incluye sus montajes asociados y accesorios de refrigeracin.

Diodo separador: pasa seales en una direccin a travs de un circuito, pero que bloquea
seales y tensiones en la direccin opuesta.

Diodo Schockley: controlado de cuatro capas sin conexin de base utilizado como Diodo
conmutador o disparador.

Diodo tnel: Diodo pn al que se le ha aadido una gran cantidad de impurezas. El Diodo tnel
tiene gran capacidad de movimiento de carga y una regin de resistencia negativa por encima
de un nivel mnimo de tensin aplicada.

Diodo Zner: elemento de dos capas que, cuando se aplica una tensin superior a determinado
valor , experimenta un brusco incremento de intensidad. Si se polariza directamente, el
elemento se comporta como un simple rectificador. Pero cuando se le polariza inversamente, el
Diodo presenta un codo en su caracterstica tensin-intensidad.