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1 ( SISTEMA DE CAPTACIN SOLAR )( SISTEMA DE GENERACIN ELCTRICA )

Clula solar fotovoltaica Mdulo ( Panel ) solar fotovoltaico Generador solar fotovoltaico ( GFV )
1.1 CLULA SOLAR FOTOVOLTAICA
1.1.1 DEFINICIN ESTRUCTURA BSICA DE UNA CLULA DE SILICIO
Dispositivo electrnico de estado slido capaz de convertir directamente (sin procesos intermedios)
(sin reacciones qumicas, ciclos termodinmicos, procesos mecnicos que requieran partes mviles)
la Esolar incidente sobre l, en Eelctrica. Principio de funcionamiento basado en el efecto fotovoltaico

Capa con tratamiento anti-reflexivo Grilla metlica conductora Semiconductor tipo N

Unin PN Semiconductor tipo P Lmina posterior conductora Substrato
Sin partes mviles ni fluidos a (p, T). Eficiente. Su estructura base es una unin PN: semiconductor
de Si tipo P en cuya superficie se han difundido tomos donadores formando una capa de Si tipo N
Clula convencional de Si : Fabricada a partir de una barra cristalina de Si dopado con B (impureza
aceptadora )( semiconductor extrnseco tipo P ), cortada en discos ( espesor 0.3mm ). Una de
sus caras se coloca en una atmsfera gaseosa, a T y rica en P (impureza donadora), con lo que,
mediante procesos de difusin, se consigue una concentracin de P en dicho extremo, superior
a la concentracin de B, obtenindose un semiconductor extrnseco tipo N Se forma una unin
PN. A continuacin, se coloca una rejilla conductora metlica sobre esta cara, y una capa metlica
conductora sobre la cara posterior, para que acten de electrodos colectores de las cargas elctricas
generadas y para establecer las conexiones elctricas entre las clulas que formarn el mdulo F.V.
Capas activas de material semiconductor: La parte iluminada (emisor)(capa sobre la que incide la
radiacin solar) es tipo N, la parte no iluminada (base) es tipo P; ( clula )final = f [(tipo, calidad) del
material semiconductor usado; espesor de las capas activas, densidad/concentracin de impurezas]
Al incidir la radiacin solar sobre la clula, aparece una VDC, como la producida entre los polos de
una pila. Colocando en cada cara unos contactos metlicos (resistencia elctrica para no provocar
cadas de V adicionales), que sirvan de conexin entre [semiconductorconductor elctrico (cable)],
puede extraerse la IDC generada, y alimentar una carga externa conectada a la clula Al iluminar
una clula conectada a una carga, se produce una d.d.p en los extremos de la carga, y se origina una
IDC que circula por la carga. Para hacer til la Eelctrica proporcionada por la clula al ser iluminada,
hay que proveerla de unos contactos elctricos, capaces de recolectar los e liberados por accin de
los fotones de la radiacin solar incidente sobre la clula, y canalizarlos hacia el circuito exterior.
Contacto metlico superior ( Malla / Rejilla ) metlica de contacto : Su diseo es crtico ya que
debe garantizar una recoleccin adecuada de los e, sin introducir una resistencia elctrica, y al
mismo tiempo debe dejar pasar la mayor cantidad de radiacin posible al interior de la clula.
En la fig. se representa en forma de peine metlico, pero puede tener otras formas. Suele ser de Ag.
Factor de sombra ( FS ): Mide la cantidad de superficie ocupada por la (malla/rejilla metlica)
de contacto, respecto a la superficie total de la clula sobre la que incide la radiacin solar.
Contacto metlico posterior : Suele hacerse metalizando toda la superficie posterior de la clula,
cuando el requisito de que sta reciba radiacin por su parte posterior. Suele consistir en una
capa/lmina de metal (Al o Mo) conductora que cubre completamente la cara posterior de la clula.
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1.1.2 EFECTO FOTOVOLTAICOCONDICIONES NECESARIAS PARA QUE SE PRODUZCA
Fotovoltaico [palabra griega photos (luz) + volt (unidad de Felectromotriz de la Ielctrica)] Generacin
de electricidad a partir de luz. La conversin directa ( Esolar Eelctrica ) se debe a la interaccin de
la radiacin luminosa con los e en materiales semiconductores Efecto fotovoltaico: Se consigue

por la separacin, mediante un campo elctrico ( E ) interno creado por una estructura heterognea
del material semiconductor, de los portadores de carga ( e, h+ ), generados por ionizacin de los
tomos al ser absorbidos los fotones de la radiacin luminosa por los e de su capa ms externa.
Efecto fotovoltaico desde un punto de vista cuntico : Capacidad de transmitir la E de los fotones
de la radiacin solar incidente, a los e de valencia de materiales semiconductores, de manera que
estos e rompen su enlace covalente que los tena ligados al tomo. Por cada enlace roto se forma
un par ( e, h+ ) que circula dentro del material. El movimiento de los portadores de carga ( e, h+ )

en sentidos opuestos [ por la existencia de un campo elctrico ( E ) interno ] genera en el material
una Ielctrica que puede circular por un circuito externo. La ESF se basa en aprovechar este efecto
La absorcin de radiacin solar es un proceso de generacin de pares (e, h+)(portadores de carga)
en el seno/fronteras de un semiconductor, que lleva asociado un proceso inverso de recombinacin.
Es necesario extraer los e, sino un semiconductor no es capaz de producir por s mismo una Ielctrica
En ausencia de otras perturbaciones, la densidad de portadores al iluminar el semiconductor y
rpidamente (mediante recombinacin) a su valor de equilibrio cuando cesa la iluminacin.

Un mtodo para extraer e del semiconductor es crear un campo elctrico E interno, de carcter
superficial y permanente, en la estructura del semiconductor ( Dopado del semiconductor )

Bajo la accin del E , cualquier elemento de carga sufre una Farrastre ( q E ) , de forma que las

partculas son llevadas en la direccin del E y las son empujadas en sentido contrario.
La recombinacin puede producirse al encontrarse 1elibre y 1h+ o por defectos en la estructura del
material. Garantizar que n recombinaciones sea el menor posible y aprovechar la mayora de cargas
libres producidas, el n trampas debe ser el menor posible Cristales de Si puro/Si mono-cristalino
1) Para obtener Ielctrica se ha de crear una d.d.p entre cargas ( , ) aadiendo a un semiconductor
puro dosis de tomos contaminantes, capaces de ceder/aceptar e: Para evitar recombinacin hay

que crear un E en el interior del semiconductor, mediante una unin PN. Este E de la unin separa
los 2 tipos de portadores de carga (cargas libres mviles) para evitar su recombinacin, lleva los

ea N y los h+ a P, apareciendo as una Ineta que atraviesa el semiconductor en el sentido del E (de N

a P). Se puede crear un E en el interior de un cristal de Si, contaminando ligeramente una zona con
tomos donadores [zona N (exceso de e )], y otra con tomos aceptadores [zona P ( exceso de h+ )]
2) La iluminacin de un cristal as contaminado lleva a una acumulacin de cargas en P y en N,
y se manifiesta como Vo (potencial termodinmico). Un cristal iluminado tiene cargas elctricas
libres ( ,) que se mueven aleatoriamente por el interior de la estructura cristalina, hasta que
vuelven a encontrarse y a restablecer su enlace La EG que fue necesario absorber para romperlo,

se libera en forma de calor. Si hay un E establecido en el interior del cristal, las cargas se mueven
ordenadamente, se separan y tienden a acumularse en zonas del cristal, originando un V entre sus
extremos. La acumulacin de cargas tiene un lmite, relacionado con la dificultad que puedan tener
para reencontrarse de nuevo dentro del cristal: ( mayor dificultad mayor acumulacin Vo )
3) La unin de N y P mediante un hilo conductor externo, representa un camino adicional de encuentro
de cargas ( ,) ( Iluminacin del cristal = Circulacin de Ielctrica por el hilo conductor externo)
4) La iluminacin hace que el cristal se convierta en un generador elctrico:
A mayor cantidad de radiacin absorbida por el cristal (mayor irradiancia o rea) mayor Ielctrica
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Condiciones para que se produzca efecto fotovoltaico
en un material semiconductor y pueda aprovecharse eficientemente
La radiacin luminosa debe ser capaz de generar cargas libres al ser absorbida por el material:
Creacin de pares (e, h+) en el semiconductor cuando ste absorbe radiacin solar incidente, de
forma que se produzca un sensible de portadores respecto a su condicin de no iluminacin.
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Condicin: [ E necesaria ( EG )( gap )(ancho de la BP del semiconductor) para romper un enlace
covalente entre tomos y liberar 1 e ] [ E de los fotones de la radiacin luminosa incidente ]
La Efotones incidentes sobre el semiconductor es absorbida por los e de valencia, que pueden
romper el enlace con sus tomos y quedar libres para desplazarse en el seno del material.
E fotn [ eV ] [ ( h c ) / ] ( h ) E G [ eV ] E fotn [ eV ] [ 1242 / ( nm ) ] EG [ eV ]

( , ): [longitud de onda (nm), frecuencia (Hz)] de la radiacin solar incidente ( del fotn )
Cte de Planck: h 4.14 1015 [ eV s ] ; Velocidad de la luz en el vaco : c 3 108[ m / s ]


Existencia de un campo elctrico ( E ) interno [caracterizado por su correspondiente (Vo )(barrera
de potencial )] en la estructura del semiconductor, capaz de separar/desplazar los portadores de
2 carga (e, h+) en sentidos opuestos, hacia los extremos del semiconductor, para su recoleccin en

unos terminales (contactos) Existencia de una estructura heterognea que produzca ese E
[Estructura heterognea: agrupacin de materiales que permita extraer eficientemente, mediante

la accin de un campo elctrico E generado en su interior, la Ielctrica para su aprovechamiento.
[ unin PN en semiconductores + contactos (metalsemiconductor) ], semiconductoraislante
semiconductor, (metalaislantesemiconductor), [ semiconductorelectrolito (cido/alcalino) ]

Haber portadores minoritarios que alcancen la zona de la unin antes de recombinarse y producir
Ielctrica al conectar el material a una carga externa. Portadores de carga foto-generados deben
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poder alcanzar los contactos antes de recombinarse; los portadores generados en el entorno del

E interno y propulsados por ste hacia los contactos, tienen probabilidad de ser recolectados.

La clula solar F.V cumple todos los requisitos necesarios para que se produzca efecto fotovoltaico
Cantidad de Eelctrica entregada por un dispositivo F.V = f [ (tipo, rea) del material semiconductor;
(intensidad, ) de la radiacin solar incidente sobre el dispositivo F.V]. La intensidad de la radiacin
incidente influye en la cantidad de e generados, no determina su E, sta es f (frecuencia fotnica)

Para un
tomo de un
cristal de Si:
EG = 1.12eV.

Cuando un fotn llega al material semiconductor pueden pasar 2 cosas:

1) Efotn < Eg El fotn no es absorbido ya que no tiene suficiente E para forzar el salto de 1 e
de la BV a la BC no contribuye a la Ielctrica
2) Efotn = Eg El fotn puede ser absorbido produciendo el salto de 1 e de BV a BC, dejando un
h+ en BV y generando un par (e, h+). Si Efotn > Eg la E sobrante se disipa en forma de calor
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1.1.3 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE LA CLULA SOLAR FOTOVOLTAICA
A CLULA SOLAR ILUMINADA (BAJO CIERTAS CONDICIONES DE ILUMINACIN)
Para que ocurra efecto fotovoltaico [conversin directa (Eelectromagntica Eelctrica)]: Efotones de la
radiacin solar incidente sobre la clula >EG (gap)(ancho de BP del semiconductor)[salto energtico
entre (BCBV)] Si Efotones > EG los fotones incidentes son absorbidos y rompen enlaces covalentes
en las zonas (P, N), generando pares (e, h+)( portadores de carga ). La rotura de enlaces covalentes,
y por tanto la generacin de pares (e, h+), se puede producir tambin debido a la agitacin trmica.
Por difusin, muchos de los pares ( e, h+ ) generados alcanzan la zona de carga espacial (zce)[aqu
tambin se generan pares debido a la radiacin incidente] de la unin PN, donde el campo elctrico

( E ) existente los separa (h+ a P, ea N) antes de recombinarse El E conduce los portadores foto-
generados y dificulta su recombinacin Se origina una Ielctrica ( fotocorriente )( corriente de
iluminacin )( corriente foto-generada )( IL )( Iph ) que circula por ( interior de la clula, carga )

Para separar (e, h+) se necesita un campo elctrico E Si conectamos 2 cables a un semiconductor
sin estructura PN y lo exponemos al Sol, lo que conseguimos es que el semiconductor se caliente,
ya que los pares generados desapareceran. Para conseguir la extraccin es necesario una unin PN.
La conexin en polarizacin directa permite la conduccin de la Ielctrica, pero produce prdidas
por recombinacin: Un V aplicado en los terminales de la unin (d.d.p en una R conectada a la clula)
barrera de potencial de la unin, favoreciendo la recombinacin de pares (e, h+) y originando (
corriente de diodo)(corriente de oscuridad)( ID )[supone una prdida de I en la clula, que es f (V)]
( Eabsorbida para la generacin, Ecedida en la recombinacin) = EG ( gap )( ancho de la BP )
En una clula solar F.V. iluminada coexisten 2 tipos de Ielctrica de (sentidos opuestos, origen):
1) IL : Debida a la generacin de portadores de carga ( e, h+ ) producida por la incidencia de
fotones (con suficiente E para poder romper enlaces) sobre la clula. Circula de zona N a zona P
2) ID : Debida a la recombinacin de portadores de carga ( e, h+ ) originada por el V externo
necesario para poder entregar Eelctrica a la carga. Circula de zona P a zona N. Es f ( V aplicado )
Ineta entregada por la clula a la carga suponiendo que la clula responde linealmente a excitaciones
de iluminacin y V: ( Ifotovoltaica ) I = IL ID (V) Ecuacin caracterstica de una clula solar F.V.
La I generada sale de la clula por la zona P, atraviesa la carga y entra en la clula por la zona N
La diferencia entre (clula solardiodo) est en el sentido de circulacin de la I, son opuestos:
La clula acta como generador de corriente, internamente la I circula de N a P. El diodo acta
como fuente de tensin; cuando est polarizado directamente, internamente la I circula de P a N
Si ( generacin = recombinacin )[ ( I = 0 )( situacin de equilibrio ) ]
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B (FACTORES QUE AFECTAN AL DE LA CLULA)( PRDIDAS EN LA CLULA )
En el diseo de una clula solar se busca: Maximizar la absorcin de fotones, minimizar la reflexin
de fotones y la recombinacin de pares ( e, h+ ), y por tanto maximizar la conduccin ( clula )
Clula solar F.V de Si cristalino (c-Si):
: Separacin de cargas. Generacin de pares (e, h+)
: Recombinacin de una parte de las cargas generadas.
: Transmisin: Una parte de Eluminosa no se aprovecha,
atraviesa la clula sin producir separacin de cargas.
: Reflexin y efecto de sombra debido a los contactos
elctricos metlicos de la cara visible de la clula.
Las prdidas clula, de ah la diferencia entre clulas obtenidos en laboratorio y clulas comerciales
resultantes de procesos de fabricacin. Importante (conocer, controlar) los mecanismos de prdidas.
Generacin de portadores de carga debida al efecto fotovoltaico = f ( Efotones incidentes ) : Para Si son
aprovechables los fotones en el [VIS ( 400nm < < 700nm ), UV cercano (300nm < < 400nm)]. Los
del IR ( > 1100nm ) no consiguen romper enlaces y los del UV lejano son demasiado energticos.
Los fotones ms energticos (, ) rompen enlaces covalentes en la superficie del semiconductor.
Algunos de los fotones incidentes sobre la clula pueden no ser aprovechados para obtener Eelctrica
y no todos los portadores foto-generados por fotones que s son aprovechados, pueden incorporarse
a la Ielctrica externa ( Ineta )(incluso en cortocircuito) y ser aprovechados en la generacin de Eelctrica
1) Fotones con ( Efotn < EG ) no son absorbidos : Poco energticos ( , ), no interactan con el
semiconductor y lo atraviesan como si fuese transparente, sin ser absorbidos, y por tanto sin ceder
su E para crear pares ( e, h+ ) Prdidas de noabsorcin : Inevitables, slo son f ( EG )( gap )

2) Parte de los fotones incidentes con E suficiente ( Efotn EG ) no son absorbidos :

La clula no tiene capacidad para absorber todos los fotones incidentes, debido a (anchura finita
del semiconductor, valor finito de su coeficiente de absorcin) Prdidas de transmisin
Clulas gruesas, pero no demasiado porque la recombinacin de pares ( e, h+ ) = f ( Vclula )
Algunos fotones pueden reflejarse en la superficie de la clula: El Si es un material brillante que
acta de espejo, reflejando ms del 30%radiacin incidente sobre l Prdidas por reflexin
superficial , que hay que para que el semiconductor capture tanta radiacin como sea posible
[(Eabsorbida por la clula)(clula)]. La radiacin no debe reflejarse sobre la rejilla metlica
Capa anti-reflectante: Cubrir superficie superior con 1/varias capas cuyo (espesor, ndice de
refraccin) sean tales que su reflectancia sea mnima a cierta y en un intervalo lo ms amplio
posible del espectro solar [Si3N4, ( ZnS, MgF2 )(capas dobles), transparentes ( SiO2, TiO2,
Ta2O5); ITO (Indium-Tin-Oxide)(xidos de In y Sn)(capa anti-reflexin, transparente, conductora)
Texturizado (obtener superficies rugosas) de la superficie superior: Crear un patrn de (surcos,
conos, micro-pirmides,) que capturan los rayos solares que fueron desviados lejos de la clula
La luz reflejada es redirigida de nuevo hacia la clula, teniendo otra oportunidad de ser absorbida
3) Parte de los fotones con (Efotn EG ) son absorbidos, pero algunos de los pares (e, h+) creados se
recombinan dentro de la clula antes de salir del semiconductor hacia el circuito exterior, generando
calor Prdidas por recombinacin = f (defectos de la estructura cristalina del semiconductor)
Cuanto ms puro el material semiconductor (Si monocristalino) Prdidas por recombinacin

Pares generados lejos del E de la zce, pueden recombinarse antes de alcanzarla, ya que E no podr
ejercer sobre ellos la Fatraccin suficiente para evitar su recombinacin La unin PN aprovechar
fotones energticos capaces de romper enlaces, pero la interaccin no debe ocurrir lejos de la unin.
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Prdidas por efecto Joule producidas al circular Ielctrica a travs de un semiconductor, produciendo
un calentamiento. Debidas a la resistencia del propio material semiconductor a la circulacin de e
por su interior (lo ideal son clulas delgadas, pero sin que ello suponga capacidad de absorcin)
Se caracterizan como una resistencia en serie ( RS ) en el circuito equivalente de la clula: RS
presenta un carcter distribuido en la clula, su valor no siempre es cte; (base, emisor) tienen
RS debido a las direcciones en que fluyen los portadores y a las concentraciones de impurezas.
Contactos (metalsemiconductor) introducen cadas resistivas Se tiende a dopar en mayor %
las zonas de contacto. La malla de metalizacin frontal es uno de los principales contribuyentes;
una malla muy fina (seccin ) introduce cadas resistivas, pero permite mejor captacin de
radiacin; el su RS implica usar dedos de metalizacin ms gruesos a costa de ( FS, clula )
Prdidas por fugas de I debidas a [ imperfecciones/defectos en la estructura cristalina de la unin
PN; conduccin elctrica por la superficie de los bordes de la clula; pequeos cortocircuitos locales]
Se caracterizan como una resistencia en paralelo ( RP ) en el circuito equivalente de la clula.
RP suele tener valor apenas influye en el funcionamiento normal de muchos tipos de clulas.
Los contactos metlicos deben permitir extraer, de la forma ms eficiente posible, e por una de sus
caras y devolverlos a la clula por la cara opuesta. Al mismo tiempo, la clula debe ser capaz de
captar la mayor cantidad posible de la radiacin solar incidente sobre ella, para favorecer el efecto
fotovoltaico, sin que la presencia de los contactos suponga una merma en el proceso de absorcin.
El diseo del dibujo sobre la superficie de la clula es importante, cuantos ms contactos, ms e
capturados pero menor iluminacin llegar a la superficie activa de la clula, ya que estos contactos
no son transparentes Permitir que la mayor parte de superficie de la clula quede libre para recibir
radiacin, y a la vez, cubrirla adecuadamente para recolectar la mayor cantidad posible de portadores
Compromiso entre (superficie de recoleccin de portadoressuperficie libre para recibir radiacin)
Contacto delantero (donde inciden los rayos solares): Cuando la radiacin solar incide sobre la
clula, una I de e fluye sobre toda su superficie; si se ponen contactos solamente en sus bordes,
no trabajar bien debido a la resistencia elctrica de la capa superior del semiconductor, slo
un n de e hara contacto Para recolectar ms e, se deben poner contactos a travs de la
superficie entera de la clula rejilla de tiras (dedos metlicos). Poner una rejilla, la cual es
opaca, en la tapa de la clula, dara sombra a las partes activas de sta, y clula; para , se
debe al mnimo estos efectos que ensombrecen la superficie de incidencia de los rayos solares.
Esta rejilla de contactos elctricos superficie til de la clula que puede absorber Eluminosa, al
no ser transparente bloquea la luz incidente, tapa parte de la superficie de captacin de la clula.
Prdidas por contactos metlicos El diseo de la rejilla ser un enrejado metlico formado
por muchos dedos finos, que deben tener resistencia elctrica para conducir bien, y a la vez no
deben bloquear mucha luz incidente (no debe ensombrecer demasiado la superficie de la clula)
La fabricacin de la rejilla puede ser (laboriosa, costosa) Una alternativa es una capa de xido
conductor transparente ( TCO )[como xido de estao ( SnO2 )][ ventajas: casi invisibles a la
luz incidente, forman un buen puente entre (material semiconductorcircuito elctrico externo) ]
La resistencia de hoja del semiconductor es un factor importante. Si cristalino conduce bien los
e hasta los dedos de la rejilla, ya que el metal conduce mejor la Ielctrica que un TCO. Si amorfo
conduce pobremente en direccin horizontal ms beneficioso un TCO sobre toda su superficie.
84% (hasta 90% con Si amorfo) de Esolar incidente sobre un mdulo se pierde en forma de calor
( 16%Esolar ) se transforma en Eelctrica necesarias (superficies)mdulos para conseguir PDC
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1.1.4 RESPUESTA ESPECTRAL DE LA CLULA PROPIEDADES OPTO-ELECTRNICAS
Si [Efotn EG ( gap de E del semiconductor)] Semiconductor capaz de absorber eficientemente
los fotones incidentes sobre su superficie. Cada semiconductor se caracteriza por un valor de la E de
su BP, que indica la Emnima ( o max ) de la radiacin solar incidente que es capaz de absorber. El
EG tambin determina el lmite superior terico para la VOC de una clula basada en dicho material.
( Efotn< EG ) Fotones no absorbidos, atraviesan la clula como si sta fuese transparente.
( Efotn > EG ) Fotones absorbidos. Cada semiconductor tiene una capacidad de absorcin
para fotones con E, medida mediante el parmetro coeficiente de absorcin () : [cantidad
de fotones absorbidos por unidad de longitud de material semiconductor atravesado por la
radiacin solar incidente, para cada longitud de onda ( )] = f ( Efotn, material semiconductor )
Semiconductor de gap directo: vara fuertemente con la Efotones incidentes. Buen absorbente
de luz, capta todos los fotones con E > EG, en una capa de material de pocos m. (Si amorfo)
Semiconductor de gap indirecto: vara suavemente con la Efotones incidentes. Necesita varios
cientos de m de grosor de material para alcanzar absorciones al tener () (Si cristalino)
Los fotones incidentes se absorben ms cerca de la superficie para valores mayores de
gap directo necesita menor espesor de material para absorber fotones, que gap indirecto.
No slo es necesario que el material sea capaz de absorber fotones y producir pares ( e, h+ ), estos
portadores de carga deben extraerse de la clula para proporcionar Eelctrica a un circuito externo.
Eficiencia de coleccin C : Fraccin de portadores que finalmente es extrada de la clula.
Es f (propiedades electropticas del material, estructura de la clula). No se consiguen (C 1)
para todas las , ya que una parte de los portadores foto-generados ( e, h+ ) se recombina antes

de alcanzar los contactos metlicos, o la zce de la unin PN donde acta el campo elctrico ( E )
Una forma de diagnosticar si la clula est recolectando adecuadamente fotones de , es mediante:
Eficiencia energtica cuntica QE ( ) = [ N e extrados de la clula (en cortocircuito) / N
fotones incidentes sobre la clula ] para cada longitud de onda ( ): QE ( ) ( ) c ( )
Eficiencia energtica cuntica interna : Como QE ( ) pero descontando prdidas (prdidas por
factor de sombra, prdidas por reflexin en la superficie externa de captacin de la clula)
Respuesta espectral SR( ) [ A / W nm ] = [( I producida por vatio de radiacin incidente )
( I extrada de la clula por unidad de Pluminosa incidente )] por cada longitud de onda ( )
q (carga del e ) 1.602110 19 C
q Flujo electrnico q
SR ( ) Q E ( ) 34


fotn
E Flujo de fotones h c h ( Cte de Planck ) 6.626 10 J s
Q E ( ) ( Flujo electrnico / Flujo de fotones ) 5
c ( vluz )( vonda incidente ) 3 10 km/s
[SR(), QE()] permiten identificar (problemas, defectos) en la clula y saber dnde se producen.
Importantes en la calibracin y medida de las propiedades de la clula trabajando bajo espectros:
q Ac
ISC I L (Corriente fotogenera da) A c [ SR () G( ) ] d [ Q E () G( ) ] d
0 h c 0
G( )[ Distribucin espectral de la radiacin solar incidente]; Ac (rea de la superficie de la clula)
[(Rendimiento energtico)clula ( clula )] es f (contenido espectral de la radiacin solar incidente);
es decir, con radiaciones de determinadas , una clula proporciona ms Eelctrica que con otras .
Un dispositivo F.V es tanto mejor cuanto mejor sea su respuesta espectral, es decir, cuanto mejor
adapte su curva de respuesta espectral al espectro de la radiacin solar incidente sobre l.
Sensibilidad espectral: Indica el rango de en el que la clula trabaja de forma ms eficiente.
La radiacin global ms energtica est entre (400 800)nm ( correspondiente al espectro VIS )
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() para materiales F.V en f (Efotones incidentes): La lnea
punteada es la distribucin espectral AM1.5 de referencia
[Fraccin absorbida de la radiacin solar incidente, con
energa superior al gap][%fotones absorbidos con (Efotn > Eg)]

Si cristalino (cSi) se comportan mejor con largas; las de pelcula delgada lo hacen mejor en el rango
VIS [Si amorfo ( aSi ) absorbe mejor radiacin de corta; ( CdTe, CIS ) absorben mejor las de media ]

( AM 1.5 direct )( Spectrum Energy Distribution )( SED ) Silicon solar cells with a bandgap
[nm] 300 350 400 450 500 550 600 650 700 of 1.13eV can maximally absorb 77%
SED 77 77 74 70 63 56 49 42 35 of the terrestral solar energy
[nm] 750 800 850 900 950 1000 1050 1100 Para Energy Gap for some candidate
SED 29 24 19 13 11 7.2 3.2 0 el Si materials for photovoltaic cells
Material Si Ge Se CdTe CdS GaAs InP Cu2S CuInTe2 CuInSe2 Cu2Se CuInS2
Gap [eV] 1.11 0.67 1.6 1.44 2.42 1.4 1.27 1.8 0.9 1.01 1.4 1.5
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1.1.5 MODELO IDEAL CURVA CARCTERSTICA ( I-V ) PARMETROS BSICOS
Principio de superposicin Ineta de una clula iluminada y sometida a una V = [ I que pasara por
la clula en circuito abierto e iluminada + I que pasara por la clula sometida a V pero sin iluminar]
Ielctrica ( Ineta )( I ) suministrada por una clula es un balance entre [fotocorriente ( IL )( Iph ), corriente
de oscuridad ( Idiodo )( ID )( depende de la tensin ( V ) aplicada en los terminales de la clula )]
Circuito
equivalente
de dispositivo
intrnseco

I ( I L I D ) I L I 0 [ e[ V / ( mVT ) ] 1 ] V m VT Ln ( 1 [ ( I L I ) / I0 ] ) VT ( k Tc ) / q

k Tc 1.381 10 23 (273.5 25)

Voltaje trmico: VT 0.0257V VT ( 25 C ) 25.7mV
q 1.6021 1019

ID (corriente del diodo) representa la recombinacin inducida en la clula, depende exponencialmente
de la tensin de operacin (V) Si V Recombinacin (prdidas por recombinacin, I )
I0 ( corriente inversa de saturacin del diodo ); ( q )( carga elctrica del e ) = 1.6021 10 19 C
( m )[(Factor de idealidad del diodo)(parmetro constructivo), (m = 1) diodo ideal]; Tc ( Tclula )[K]
( k )( Constante de Stefan Boltzman ) 5.6697 108 ( W m2 K 4 ) 1.38 1023 ( J / K)
[ Caracterstica de iluminacin ][ Curva caracterstica ( c.c )( IV ) de una clula solar F.V ]:
Representa pares de valores ( V, I )DC en los que puede encontrarse funcionando la clula bajo
determinadas condiciones de operacin [ Tambiente ( Ta ) o Tclula ( Tc ); Irradiancia ( G ) ]
( clula cortocircuitada )( V aplicada a la
clula = 0 ) la I que circula por la clula se
debe a la ( IL ): Si ( V = 0 ) ( I = IL = ISC )
I permanece casi cte hasta cerca del valor
de tensin (V) en el que el diodo se polariza
directamente y empieza a conducir corriente.
A partir de este punto, la I abruptamente
hasta anularse (clula en circuito abierto) en
el punto donde IL e ID quedan compensadas:
Si ( I = 0 ) ( IL = ID ) ( V = VOC )
Imax = ISC = I ( V = 0 ) = IL
ISC Corriente de
cortocircuito Imax que circula por la clula cuando est en cortocircuito. ( ISC al Eg )
Para un Eg dado, est determinada por (reflexin, absorcin, recombinacin)
Tensin Vmax VOC V ( I 0 ) m VT Ln [ 1 ( IL / I0 ) ] m VT Ln ( I L / I0 )
VOC en circuito Vmax en bornes de la clula cuando no est conectada a ninguna carga.
abierto Vmax alcanzado cuando toda la IL se transforma en ID (circula por el diodo)
Corresponde a la situacin: n procesos de recombinacin = n procesos de generacin
( VOC al Eg ), para un Eg dado, est determinada por los procesos de recombinacin.
En la c.c ( PV ) hay un mximo [ Punto de Mxima Potencia ( PMP )( MPP )( Maximum Power
Point ) ]( Vmpp, Impp ). Su localizacin viene definida por la condicin: [ ( dP / dV ) = 0 ]
Potencia de la clula : P ( V I ) ( V I ) ( V I ) [ e[ V / ( mVT ) ] 1 ] se sustituye V
mpp
L 0



[ ( dP / dV ) 0 ] [1 ( I / I ) ] e[Vmpp / ( mVT )] ( 1 [ V / ( m V ) ] ) en I I mpp
L 0 mpp T
 10
La PDC (clula funciona en CC) entregada por la clula en el MPP ser la considerada como Pnominal:

Pmpp (Vmpp Impp) Producto (Vmax Imax) de los valores de ( V, I ) mximos para los que
la P entregada por la clula a una carga conectada a ella es mxima.
Potencia pico ( Pp ): Pmax producida en condiciones estndar ( STC )[ Tclula = ( 25C 2C ),
irradiancia incidente = 1000 ( W / m2 )(da soleado al medioda)]. Unidad: Vatios pico [ Wp ]
Potencia mxima ( Pmpp )( Ppmp ): Pmax en condiciones a las STC. Unidad: Vatios [ W ]
[ rea encerrada por el rectngulo definido por ( Vmpp Impp ) < rea encerrada por el rectngulo
definido por ( VOC ISC ) ] La relacin entre ambas reas se cuantifica mediante el parmetro:
Factor de forma (Factor de relleno) Pmax (Pmpp)(Vmpp Impp) que la clula puede entregar
Vmpp I mpp Pmpp a una carga conectada a ella / Pmax terica ( VOC ISC )
FF



VOC ISC VOC ISC [ 0 < ( FF )( Fill Factor ) < 1 ]
Es una medida de la calidad de la unin PN y de la resistencia serie ( RS ) de la clula.
[ ( FF) existencia de prdidas en la clula ] [ ( FF )( > 0.70 ) clula de buena calidad ]
Cuanto ms cercano a 1 (cuanto ms prominente/agudo sea el codo de la c.c localizado en MPP), la
c.c ( IV ) con iluminacin se aproxima ms al rectngulo de Pmax terica Clula de mayor calidad
( Rendimiento )( Eficiencia de conversin energtica de radiacin solar en electricidad ) = Pelctrica(max)
( Pmpp ) que la clula puede entregar a la carga / Pradiante ( PL ) incidente sobre la clula [ irradiancia
incidente ( G ) rea ( Ac ) de la clula ] max = ( Pout (max) / Pin ); cuantifica la calidad de una clula.
Pmpp Vmpp I mpp FF ( VOC ISC ) Al (ISC y/o VOC )( siempre que no se perjudiquen

A G



PL c Ac G otros parmetros de funcionamiento )( clula )
1.1.5 MODELO REAL (CIRCUITO EQUIVALENTE REAL DE UNA CLULA SOLAR F.V)
Circuito equivalente real de una clula solar F.V iluminada = ( Fuente de corriente en | | con un
diodo ) + [ 2 resistencias que representan las prdidas intrnsecas al diseo (calidad de la unin PN)
y al comportamiento de los materiales semiconductores de la clula ] Ineta ( I ) = ( IL ID IRp )
La corriente foto-generada ( IL )( Iph ) se modela como un generador
de corriente y la corriente de oscuridad ( ID ) como un diodo.
Se incluye [resistencia serie ( RS ), resistencia paralelo ( Rp )] para
representar los efectos no incluidos en la ecuacin de I del modelo
equivalente ideal, pero apreciables en las clulas solares F.V reales.
H : ( ex >> 1 ) en todas las condiciones de operacin, ( ISC IL ), contribucin de Rp despreciable
[ en clulas solares de calidad ( FF, ) ( Rp ) comparada con el valor del numerador ]
V ( IR s ) Hiptesis: ( m 1 ) ( e x 1 ) V ( IR s )
( R p ) ( I L ISC )
mVT VT
I I L I0 [ e 1 ] [ ( V ( I R s) ) / Rp ] I ISC I0 e

En circuito abierto : VOC VT Ln ( ISC / I0 ) [ V ( IR s ) VOC ] / VT

( VOC / VT ) I ISC [ 1 e ]
( I 0 ) ( V VOC ) I0 ISC e
I (V=0) ISC; pero en clulas VOC ( I R s ) I (V 0) ISC [1 (I 0 / ISC )] (ISC I0 ) ISC
 11
CLULA SOLAR F.V EN AUSENCIA DE ILUMINACIN (EN LA OSCURIDAD)
El funcionamiento de la clula solar en ausencia de iluminacin (en la oscuridad) es similar al de la
unin PN; c.c ( IV ) similar a la del diodo de unin. En oscuridad (considerando el modelo ideal):
I I D I0 [ e[ V / ( mVT ) ] 1 ] [ ( I0 ): Corriente inversa de saturacin del diodo, es f ( T ) ]
I va de P a N y se produce por la recombinacin inducida en la clula por efecto de la V
Clula bsica polarizada directamente y sin iluminar: Potencial trmico
V ( IR s )

V ( IR s )

k Tc
n d VT n V
VT
I I D I0 d [ e 1 ] I [ e r T 1 ] q
0r

Ineta entregada a una CLULA SOLAR F.V ILUMINADA

carga por una clula V ( IR s ) V ( IR s )

iluminada y polarizada n V n r VT
directamente I I L I0 d [ e d T 1 ] I0 r [ e 1 ] [( V ( I R s ) ) / R p ]
Corriente foto-generada (Corriente de iluminacin) debida a la generacin de portadores que
IL
produce la iluminacin [fotones que inciden sobre la clula con E Eg (ancho de la BP)(gap)]
I0d Corriente inversa de saturacin debida a fenmenos de difusin.
Corriente inversa de saturacin debida a fenmenos de recombinacin de portadores de carga
I0r
que produce el V externo aplicado. ( I0r >> I0d )
nd nr Factores de idealidad del diodo para [ difusin ( 1 ), recombinacin ( > 1 ) ]
Modelo de rectas:
Para ( V Vmpp ) :

I ISC ( V / R p ) I mpp
Para ( V Vmpp ) :

I [ ( VOC V ) / R s ]
Smbolo de una
clula solar F.V
[ vlido para un
mdulo solar F.V ]
Componente de recombinacin
domina a V, donde no suelen
trabajar las clulas; componente
de difusin domina en el rango
de V (corresponde al rango
prctico de uso de las clulas F.V)
Al iluminar una clula, mientras est conectada a una carga externa, funciona como generador de E
( como fuente de I ) y proporciona unos valores de (I, V) variables en f ( condiciones de operacin )
[ temperatura ( T ), irradiancia ( G ), punto de trabajo ( I, V )carga que impone la carga ]
Una clula es como una pila elctrica inagotable, que a [ VDC = (0.46 0.48)V 0.5V ] proporciona:
[ IDC = ( 2.2 4 )A; PDC 1Wp ][ clula estndar de dimensiones ( 1010 cm )( 100 cm2 )]
La clula suministra Ielctrica de forma proporcional a la intensidad de radiacin solar que reciba (I
vara linealmente con la radiacin recibida). En das nubosos cuando radiacin solar , la clula no
deja de trabajar; mientras haya luz, la clula seguir generando Ielctrica, aunque en menor cantidad.
 12
Diodo : Dispositivo electrnico de estado slido basado en una unin PN, que permite el paso de
Ielctrica en un sentido (sin apenas cada de V), y tiene resistencia a la conduccin elctrica en
sentido contrario. Con polarizacin directa, I que circula por l exponencialmente, el flujo de I
al V externa aplicada; con polarizacin inversa, I se mantiene en un valor ( I0 ) (cercano a 0)
Ley del diodo ideal VD Factor de idealidad VD
ECUACIN DE SHOCKLEY : para un diodo ideal
mVT ( m 1 ) VT
I D I 0 [ e 1 ]
I D I0 [ e 1 ]

Potencial k T 1.38 10 23 298 Para ( Si ) a T 25 C (298 K) :

T
V
0.02566 V
trmico q 1.60211019 VT 25.67 mV
I0 IS Corriente inversa de saturacin del diodo; f ( T )
VD V externa aplicada al diodo. cuando el valor en el ( A ) es superior al del ( K ): ( VA > VK )
Factor de idealidad del diodo: Ajusta la ecuacin de ID al funcionamiento real del diodo.
m
Es f (material, estructura fsica del diodo). Valores entre 1 ( para Ge ) y 2 ( para Si )
q (carga del e) = 1.6021 10 19 C ; T (Tabsoluta del diodo [K]); k (Cte de Boltzmann) = 1.38 1023 ( J / K )

La estructura de una clula es la misma que la de un diodo. En ausencia de iluminacin, la Ielctrica (

I ) que circula a travs de una clula coincide con la que circula a travs de un diodo, ( ID ), y es
debida a la recombinacin inducida dentro de la clula por efecto de la tensin V aplicada.
La c.c ( IV )( O ) de la clula en oscuridad es igual a la c.c de un diodo ordinario; la c.c ( IV )( E )
corresponde a la clula iluminada, cuanto sobre ella incide una determinada iluminacin/radiacin,
y resulta de la traslacin de la c.c ( O ), proporcional a la Eluminosa recibida.
Cuadrante: La c.c (E), correspondiente al diodo con polarizacin directa (forward bias), no sale
del origen, pues para ( I = 0 ) la V en bornes de la clula es 0 ( es VOC )
Cuadrante: Diodo con polarizacin inversa (reverse bias), I independiente de V Fuente de I
Cuadrante: La c.c ( O ) indica la Iinversa de fuga en la oscuridad en funcin de la Vinversa; la c.c ( E )
da la variacin de esa I con la iluminacin. La clula funciona como fotodiodo.
Cuadrante: Clula funciona como generador de E. Es la regin de trabajo normal de una clula.
La PDC que entrega la clula pasa por un mximo ( Pmpp ) para ciertos valores de ( Vmpp, Impp )
En la prctica, una clula trabaja con dificultad fuera de . La Vinversa que puede soportar es muy
pequea, lo que obliga a la colocacin de un diodo de proteccin en serie para prevenir daos.
 13
EFECTO DE LAS RESISTENCIAS(RS,RP) Y DE LOS FACTORES AMBIENTALES EN
1.1.6
LA C.C(I-V) Y EN LOS PARMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE LA CLULA

RS : Debida a [contactos (metalsemiconductor), malla de metalizacin, interconexiones elctricas,

capas semiconductoras, vol. de material semiconductor]. Al circular I por ella, disipa E en forma de
calor debido al efecto Joule; se debe a que los e generados en el semiconductor que alcanzan la
zona N superficial, deben correr por la superficie hasta alcanzar una tira metlica de la rejilla metlica.
Menor cuanto mayor superficie metlica de rejilla, pero entonces menor rea del semiconductor
sobre la que incide la radiacin solar y el valor de VOC es tambin ms pequeo compromiso
Al RS [ Pmpp ( P en el MPP ) ][ FF ( clula ) ][ ISC ( muy poco, es casi cte ) ]

No afecta a la VOC, afecta significativamente al Voperacin

Rp : Relacionada con las imperfecciones y calidad de la unin PN. Debida a la no idealidad de la

unin PN e impurezas cerca de la unin. Modela las fugas de I ( V ) en los bordes de la clula, los
posibles cortocircuitos metlicos y la recombinacin favorecida en las fronteras de grano del cristal
Al Rp [ Pmpp ( P en el MPP ) ][ FF ( clula ) ][ VOC ( muy poco, es casi cte) ]

No afecta a la ISC, afecta significativamente a la Ioperacin

Valor influencia en el funcionamiento global de la clula Despreciable su contribucin

En aplicaciones terrestres, influyen 2 factores externos: Temperatura [ ( Tambiente )( Ta )( Tclula )(

Tc ) ] Intensidad de la radiacin solar incidente ( G )(Irradiancia incidente)(Nivel de iluminacin)
(Variaciones climticas, dispositivos concentradores) varan la G sobre las clulas y su Toperacin
Tc ( Tclula ) = f [ Ta ( Tambiente ), G ) ]
1) INFLUENCIA DE T SOBRE IL : El Tclula estrecha el salto entre BVBC de forma que, con iluminacin
cte, IL ligeramente, debido al estrechamiento de la BP, que desplaza el umbral de absorcin hacia
fotones de menor E. La mejora es ms acusada en clulas de GaAs que en las de Si, pero la variacin
es muy pequea [ IL ( ISC ) ligeramente al T ] ( puede considerarse independiente de T )

2) INFLUENCIA DE T SOBRE ( VOC, ISC, Pmpp, FF, ):

[ q / ( k Tc ) ][ V ( I R s ) ]
Suponemos una clula con ( m = 1 ): I I L I 0 [ e 1 ]

I0 ( T ) ( K Tc3 ) e[ E G 0 / ( kTc ) ] [ K, EG0 (ancho de BP a 0K) ]: Ctes independientes de T

[( q VOC ) /(k Tc )]
De ( 1 ) y ( 2 ) 0 I L I0 e E G 0 k Tc K Tc3

I 0 V V V ( T )
q q Ln
OC I 0 K Tc e
3 [ E / ( k T ) ]
OC
I
G0 c L
Al ( T ) ( VOC, Pmpp, FF, ) ISC ( IL ) puede considerarse independiente de T

3) INFLUENCIA DE G SOBRE ( VOC, ISC, Pmpp, FF, ): Al ( G ) ( VOC ligeramente, ISC , Pmpp )
El efecto de G en VOC es menos importante que en ISC, puede despreciarse en muchos casos.
El FF de la clula intrnseca ( R s 0, R p ) ligeramente con G: Si G FF ligeramente
logartmicamente al G, hasta alcanzar cierto nivel mximo determinado por las limitaciones
fsicas de la clula, y a continuacin rpidamente al G
 14
4) INFLUENCIA DE G SOBRE IL : IL directamente proporcional a G en un margen de funcionamiento
( La cantidad de e liberados depende de la cantidad de fotones incidentes aprovechables )
Clula de buena calidad ( ISC IL ) ISC ( G ) ( X ISC1 ) [ ( G / G0 ) ISC ( G0 ) ]
Dependencia lineal ISC al G [ ISC( G0 ) ISC(1) ISC1 : IL ( ISC) generada con 1Sol ]
( G ) Irradiancia en las condiciones de trabajo dadas; ( G0 ) Irradiancia en condiciones (STC)
1Sol = 1000[W/m2 ](AM =1.5, Tclula=25C)(STC)(da claro con el Sol en el cenit, al medioda)
 15
1.1.7 CLCULO DE PARMETROS DE UNA CLULA SOLAR F.V
A EN CONDICIONES ESTNDAR DE MEDIDA ( STC )( STD )
*
Los fabricantes suelen dar ( VOC , I*SC )( Vmpp
*
, I*mpp ) ( * indica parmetros medidos en STD ):
*
Pmpp V* I* * V* I* FF* V* I*
* * I*
Vmpp * mpp mpp * Pmpp mpp mpp OC SC
Pmpp mpp FF * *
* * * A G* A G*
VOC I SC VOC ISC PL
Si las condiciones a las que se ve sometido el mdulo son a las STD, sus caractersticas cambiarn.
B EN CUALQUIER CONDICIN DE ( ILUMINACIN )( IRRADIANCIA )( G ) Y T
El mtodo de clculo es aplicable a un mdulo solar F.V, sustituyendo adecuadamente los valores de
(I, V) correspondientes a las clulas que componen el mdulo y cambiando Tc por Tm
HIPTESIS : ISC f ( G ) e ISC f ( Tc ); VOC f ( Tc ) y VOC f ( G )
( Nula influencia espectral )( RS = cte )( Efectos despreciables de la vviento sobre Tc )( En la
disipacin de calor al ambiente a travs del encapsulado, predominan los efectos de conduccin )

1) Toperacin ( Tc ) es f [ irradiancia ( G ), Tambiente ( Ta )]: Tc = Ta + [ ( TONC20C ) / 800(W/m2) ] G

2) ISC depende fundamentalmente de G, linealmente al G, proporcional a G : La hiptesis supone

despreciar los efectos, sobre ISC, de la Tclula y de la distribucin espectral de la radiacin solar
incidente sobre la clula. Todo ello supone un ( error < 0.5% ) en condiciones reales de operacin.

ISC ( G 2 ) ISC ( G1 ) ( G 2 / G1 ) Vlida para variaciones de G a ( T = cte ), y resulta una

aproximacin cuando T vara, ya que supone despreciar los efectos que T tiene sobre ISC
ISC ( G 2 ) G 2 ( ISC ( G1) / G1 ) I*SC ISC [ 1000 ( W / m2 ) ]

1 *

*
C
SC *


2
I ( G ) ( G C 1 ) G ( I SC / G ) G 1000 ( W / m )
ISC ( X ) ( X ISC, STC ) G ( W / m2 )
G SC, STD
I

ISC ( G ) ISC, STD 2 G
X ( G / G STC ) GSTD ( W / m ) STD

ISC en f (T): ISC ( Tc ) ISC,STD( TSTD ) ISC ( Tc TSTD ) [TSTD = ( Toperacin )clula en STC]

3) VOC solo depende de la Toperacin ( Tc ) de la clula, y linealmente al T : Esta hiptesis supone

despreciar los efectos de la iluminacin sobre VOC, lo que en la prctica supone un ( error < 1% )
VOC ( Tc ) VOC,STD( TSTD ) VOC ( Tc TSTD ) [ V 2.3 mV / C ][ clulas de (c-Si) ]
OC

4)
*
Pmpp ( Tc ) Pmpp ( Tc* ) ( G / G* ) [ 1 Pmpp ( Tc Tc* ) ] ( Osterwald )[ P ( x% / C ) ]
mpp

C ( COEFICIENTES DE T )( COEFICIENTES DE VARIACIN CON LA T )

Expresan la variacin con la T de ( VOC, ISC, Pmpp ) de la c.c ( IV )mdulo. Permiten representar el
comportamiento del mdulo ante variaciones de T, tomando como referencia la GSTD [1000(W/m2)]
Coeficiente de temperatura de VOC VOC ( VOC / Tc ) [mV / C]: Coeficiente corrector
para la ( Vmax )mdulo a circuito abierto y sin carga conectada. Muestra cmo vara V al variar T.
Coeficiente de temperatura de ISC ISC ( ISC / Tc ) [ mA / C ]: Coeficiente corrector para
la ( Imax )mdulo cuando hay ninguna carga conectada y cortocircuitamos los bornes del mdulo.
 16
1.2 MDULO/PANEL/PLACA SOLAR FOTOVOLTAICO
1.2.1 INTRODUCCIN DEFINICIN Y CARACTERSTICAS
Clula solar F.V: Frgil [vulnerable a (lluvia, granizo, nieve, viento, polvo, humedad, corrosin)],
elctricamente no aislada, propensa a sufrir daos mecnicos (sin soporte mecnico) Genera
muy poca E [da valores de ( V, I )DC limitados, menores a los requeridos por las cargas (receptores)
(aparatos de consumo) convencionales conectadas a ella] Necesario una estructura mecnica
(hermtica, rgida, resistente) que pueda contener un nclulas Mdulo solar F.V cumple ambos
requisitos, adems de facilitar ( transporte, conexionado externo, montaje a un soporte estructural );
es el elemento constructivo usado para la implementacin de los sistemas solares F.V ( SFCR, SFA )
Necesidad de agrupar clulas en serie y/o paralelo para proporcionar robustez y obtener suficiente
E [para entregar a la carga valores de ( V, I )DC adecuados] hasta generar la PDC deseada, que ser f
(tipo de ISF, cargas para alimentar, si dispone o no de sistemas de acumulacin y adaptacin de I)
Dispositivo comercial acabado, formado por un grupo de clulas solares F.V (realizan la conversin
EsolarEelctrica) iguales conectadas elctricamente entre s [en serie y/o paralelo, de forma que la
( V, I ) suministradas por el mdulo se hasta ajustarse al valor deseado para la aplicacin F.V] y
encapsuladas en un nico bloque [forman una estructura (robusta, manejable)] para proporcionar
aislamiento elctrico del exterior, protegerse fsicamente de la intemperie (humedad, corrosin), y
preparado para su instalacin exterior. Elemento bsico del que se componen los generadores F.V.
El mdulo, adems de clulas, tiene otros componentes para conseguir mayor ( , vida til ), deben:
Proteger todo el conjunto frente a los agentes atmosfricos externos. Debe aguantar condiciones
meteorolgicas duras [hielo, lluvia, impacto por granizo, viento, abrasin, cambios bruscos de T]
Asegurar una rigidez mecnica suficiente y proporcionar aislamiento elctrico del exterior.
Posibilitar su sujecin a las estructuras que lo soportan; permitir la conexin elctrica exterior.
Sin partes mviles, no contamina, silencioso, no consume combustible, inalterable al paso del tiempo,
mantenimiento nulo/escaso [por su propia configuracin, la lluvia elimina la necesidad de limpieza;
de ser necesario, por ej. si la ISF est en un ambiente con mucho (polvo, tierra), podra apreciarse
una ligera produccin del mdulo limpiar con (agua + detergente no abrasivo)]; capta [ radiacin
directa, radiacin difusa (filtrada a travs de nubes)( genera Eelctrica incluso en das nublados, pero
con menor ); en noches de luna llena puede dar VDC, pero apenas habr IDC() para poder usar]
(Amplia gama de aplicaciones F.V, Integracin en edificios) muchos tipos de mdulos, tanto por
su configuracin elctrica como por sus caractersticas estructurales y estticas. Deben construirse
bajo certificaciones de calidad, vida til > 20 aos [(20 30) aos de uso, con degradacin mnima];
un sistema F.V debe ser (fiable, estable) incluso operando en condiciones climatolgicas adversas
Los mdulos son sometidos a ensayos de cualificacin de sus caractersticas (elctricas, fsicas)
Construccin de mdulos : [ asociando clulas en serie hasta obtener el nivel de VDC deseado +
asociando en | | varias asociaciones serie de clulas hasta alcanzar el nivel de IDC deseado]
Vtotal del mdulo = f ( n clulas asociadas en serie ) VDC (salida) de una clula estndar 0.5V

Itotal que suministra el mdulo = f [ n clulas conectadas en | |, (tipo, tamao) de clulas ]

[ ( P, V, I )DC ]mdulo son f [ n clulas asociadas en serie y/o paralelo, condiciones de trabajo
(nivel de radiacin, viento, inclinacin)]. La [ radiacin solar incidente ( irradiancia )( G ), (
Ttrabajo )clulas ] determinan mayoritariamente los parmetros elctricos de operacin del mdulo.
Los mdulos comerciales (n clulas 36)(36, 54, 60, 72, 96) estn diseados para trabajar con
bateras (en SFA) de VDC mltiplo de 12V (12, 24, 48)V. El rea del mdulo no est cubierta del
todo por clulas, prdidas elctricas debidas a la asociacin en serie [mdulo (10 18)%]
 17
Modularidad: Pueden acoplarse en forma modular Permite pasar de un sistema F.V domstico
(consumo) a otro sistema F.V mayor (industrial)(grandes parques F.V, huertas F.V)(consumo)
Las ISF suelen necesitar ms de un mdulo para satisfacer la demanda energtica Se asocian en
serie y/o paralelo, para obtener la PDC (IDC VDC) necesaria String (asociacin serie de 2 o ms
mdulos); Array ( Generador F.V )(GFV)(asociacin de 2 o ms strings); varios GFV interconectados
entre s forman un campo solar F.V, cuyos parmetros elctricos se determinan a partir de los del
mdulo usado, teniendo en cuenta cmo se han efectuado las conexiones elctricas entre mdulos.
Un factor clave en el desempeo de un mdulo es su comportamiento cuando est expuesto a un
sombreado parcial/total en cualquier parte de su superficie de captacin de radiacin solar incidente.
Los mdulos no deben ser afectados por sombras, ya que ocasionara drstica de la IDC generada.
Las caractersticas elctricas del campo F.V deben ajustarse a las de la entrada de IDC del convertidor
electrnico que controla el punto de trabajo del campo F.V. En el caso de un sistema de conexin a
la red de suministro elctrico de IAC, el convertidor usado se denomina inversor (convertidor DC/AC)
De todos los posibles puntos de trabajo del campo F.V, el punto de mxima potencia ( PMP ) es el
que genera la Eelctrica(max) para unas condiciones de operacin determinadas de (radiacin solar, T,
viento, lluvia...) para optimizar la generacin de Eelctrica del campo F.V es necesario la inclusin
de un sistema de seguimiento del punto de mxima potencia ( MPPT )(maximum power point
tracker) en los convertidores electrnicos que controlan el punto de trabajo elctrico del campo F.V.

Un mdulo F.V puede tener forma cuadrada o rectangular. En su fabricacin, cada fabricante usa su
propia empaquetadura, pero ciertas caractersticas son comunes a todos ellos, como es el uso de una
estructura en sndwich, en la que ambos lados del conjunto de clulas asociadas entre s quedan
mecnicamente protegidos evita entrada de [tierra, nieve, agua ( humedad )(principal causa de
degradacin del mdulo a largo plazo)...]; proporciona proteccin frente a agentes atmosfricos y
cambios bruscos de T [pueden ser importantes por ej. en ISF ubicadas en lugares desrticos con unos
niveles de irradiacin, donde Tmdulo puede oscilar entre (10C durante la noche, cerca de 80C
en horas centrales del da)]; proporciona rigidez mecnica al conjunto y aislamiento elctrico.
Los mdulos de Si cristalino [( mSi )( mcSi )] se encapsulan en cristal (delante) y tedlar (detrs),
con marco de Al. Los mdulos con tecnologa de lmina delgada (thin-film) no se suelen enmarcar;
la placa trasera (posterior) acta de substrato sobre el que se depositan varias capas de material F.V
Todo material expuesto a la radiacin solar debe resistir a la accin deterioradora de los rayos UV
En climas del Norte, los inviernos nevados no solo afectan al sistema F.V (por blanquear los mdulos
con nieve), tambin pueden crear una carga de nieve que sera un peso extra sobre la superficie del
mdulo, y que podra comprometer su integridad estructural El mdulo debe poder soportar esta
p extra. Vientos fuertes pueden ocasionar p sobre la superficie del mdulo que pueden causar
daos Mejor un mdulo con capacidad de carga de viento, capaz de soportar vientos fuertes.

1.2.2 ESTRUCTURA
18
 19
Marco de [ Al anodizado (evita oxidacin), acero inoxidable ], adherido con silicona: Enmarca todo
el conjunto. Proporciona la p necesaria para mantener juntas las partes que integran el sandwich.
Da al mdulo rigidez estructural, su resistencia mecnica; con perforaciones a lo largo de su
permetro para anclarlo con elementos de sujecin (tornillos, anclajes) a la estructura soporte.
A veces se le aplica un tratamiento especial para hacerlo ms resistente a ambientes marinos.
No taladrarlo bajo ningn concepto, las vibraciones producidas pueden hacer estallar al cristal.
Estructura del bastidor sin salientes, para no provocar el embalsado de agua o acumular polvo.
Junta selladora ( perfil de goma )(material esponjoso): sirve de cierre hermtico a lo largo de todo
el permetro del mdulo, evitando la entrada de agua (humedad), y que las conexiones elctricas
internas se oxiden (lo que resistencia hmica); protege los bordes del vidrio (evita la exfoliacin)
Cubierta frontal [ Cubierta exterior expuesta al Sol (a la accin de los rayos solares)]:
Transmisividad en la banda espectral en la que van a trabajar (conversin Esolar Elctrica) las
clulas. Transmisin en todo el rango de de la radiacin solar incidente aprovechadas por la
clula [debe ser transparente al ( espectro VIS, IR cercano )( 350 1200 )nm ( clulas de Si )]
Buen comportamiento antireflexivo [reflexividad para as aprovechar al mximo la radiacin
solar incidente, y que se puede aplicando capas anti-reflectantes (pero habitualmente no son lo
suficientemente robustas para aguantar las condiciones de trabajo de los mdulos) o tratamientos
anti-reflexivos]; con superficie externa lisa para no retener suciedad, sin bordes/desniveles que
faciliten la acumulacin de suciedad/polvo (provocara prdidas en el mdulo) o dificulten su
limpieza mediante la accin natural del (viento + lluvia); superficie interna, en contacto con el
encapsulante, rugosa para mejorar la penetracin de la radiacin solar y la adherencia con ste.
Al formar parte de la estructura global del mdulo, tambin debe proporcionar al mdulo gran
rigidez mecnica de cara a acomodar adecuadamente las clulas solares y el cableado entre ellas.
Material: Impermeable al agua [ si entrara agua de lluvia o vapor ambiente dentro del mdulo,
corroera (contactos metlicos, interconexiones elctricas), degradando su funcionamiento
vida til ]; estable ante una exposicin prolongada a rayos UV (muy energticos); resistividad
trmica; resistencia mecnica [a (impactos, abrasin)(granizadas, vientos que portan arena)]
Material ms usado: vidrio templado con contenido en Fe (para evitar la absorcin)[ coste,
transparencia, estable, impermeable al agua/gases, con buenas propiedades de autolimpiado
( la suciedad tiende a adherirse menos a su superficie), rgido] con tratamiento antireflexivo.
Mdulos con lminas plsticas pierden 20%valor inicial de transmisividad tras varios aos de
uso. Los de vidrio templado pierden 5%, resisten mejor la accin deterioradora de los rayos UV.
Encapsulante : Proporciona adhesin entre [clulascubiertas (frontal, posterior)] Protege
las clulas y sus contactos elctricos de interconexin (evitando su corrosin) Previene el dao
mecnico [amortigua posibles (vibraciones, impactos) que puedan producirse] ( vida til )mdulo
Las clulas conectadas entre s se encapsulan entre 2 capas/hojas/lminas muy delgadas (0.5mm)
de acetato de etilvinilo ( EVA )( EtilVinilAcetato )(resina polimrica), una frontal insertada
entre (contacto frontal de las clulassuperficie inferior de la cubierta frontal) y otra insertada
entre (contacto trasero de las clulascubierta posterior). Todo el conjunto se calienta (a 150C)
para polimerizar (endurecer) el EVA y pegar entre s los diversos componentes. Caractersticas:
Transparencia (sin verse afectada por la continua exposicin al Sol)[ transmisividad a la
radiacin solar incidente, nula degradacin frente a radiacin UV ], ndice de refraccin similar
al del vidrio de la cubierta frontal, para no alterar las condiciones de la radiacin solar incidente;
impermeable al agua, resistente a (fatiga trmica, abrasin), estable a T, resistencia trmica
Ofrece gran aislamiento elctrico; junto con las cubiertas (frontal, posterior), proporciona rigidez
mecnica y proteccin frente a agentes atmosfricos y con condiciones ambientales muy duras.
 20
Cubierta posterior de proteccin : Impermeable al agua, resistencia trmica
Material: Normalmente se usa una pelcula de polmero termoplstico (Tedlar) adosado a toda
la superficie trasera del mdulo. Hay modelos que usan una nueva capa de Tedlar y un 2do vidrio
cuando se quieren mdulos con mayor grado de transparencia. En algunos modelos es metlica
(Al)(mejora la disipacin de calor al exterior, factor muy importante en la PDC(salida) del mdulo)
Varias capas protectoras (vidrio o plsticos): Opacas o de color claro para reflejar la luz que
traspas las clulas, volviendo a la parte interior de la cubierta frontal para volver aprovecharse;
al reflejar la radiacin solar incidente entre los intersticios que dejan las clulas, sta se refracta
en las rugosidades del vidrio en su parte interior, haciendo que incida de nuevo sobre las clulas.
Toma de tierra : Deber usarse si el n unidades que van a instalarse es grande.
Caja de conexiones elctricas externa : 2 bornes ( ,) de salida, a los que llegan los terminales
( , ) de la serie de clulas, y donde se conectan los cables para el conexionado del mdulo.
Debe estar bien adherida a la parte posterior (backsheet) del mdulo, mediante silicona u otro
adhesivo, aunque es mejor pegarla al mdulo con cinta especial. Su superficie de contacto con
el mdulo ha de ser la mnima posible para transferencia de calor. No debe haber ninguna
parte interna del mdulo expuesta. Si el mdulo tiene cables, deben de salir de la caja de manera
que no comprometan su hermeticidad y ser de tipo F.V y al menos de calibre 12 AWG ( 4 mm2 )
Conexiones soldadas ( no atornilladas, ni fijadas a presin )( resistencia elctrica )
De cierre hermtico, resistente a la intemperie para proteger las conexiones, de material ignfugo
Toma intermedia para diodos de proteccin (contra sobrecargas o cambios de las condiciones de
funcionamiento del mdulo)(diodos de paso, protegen el mdulo del fenmeno punto caliente)
Un problema tpico en cajas de conexiones es el peligro de incendio (fallo del sistema) debido
a: arcos elctricos que pueden fundir la caja, un sellado deficiente, la no disipacin de calor.

Marco plano: Mdulo (izq.) tiene un canto especial aplanado para favorecer la evacuacin de (agua,
suciedad)(puede cubrir parte del mdulo provocando prdidas); mdulo (dcha.) con marco redondeado.
Fijacin de la lmina al marco: Muchos mdulos usan silicona, pero hay componentes mejores.
( izq.), mediante un adhesivo especial resistente a la intemperie; ( dcha.), mediante silicona.
(Izq.) Marco sin oquedades para evitar riesgo de dao por heladas, el agua desliza por encima del
marco. (Dcha.) marco con oquedades para evacuar el agua (penetra en el marco y sale por los agujeros)
 21
1.2.3 CURVA CARACTERSTICA ( C.C ) DE SALIDA ( I-V ) DE UN MDULO
Caracterstica ( IV ) de un
mdulo solar F.V: Representa
posibles pares de valores ( V, I )
en los que puede funcionar el
mdulo bajo unas condiciones
ambientales determinadas.
Conexin serie permite adicionar tensiones ( V ): Vm ( Ns Vc )
Vnominal del mdulo = [ ( N clulas en serie por rama ) ( Vnominal de una clula ) ] (clulas iguales)

Conexin paralelo permite adicionar intensidades de corriente ( I ): I m ( Np Ic )

Inominal del mdulo = [ ( N ramas en paralelo (| |) ) ( Inominal de una clula ) ] (clulas iguales)

P mxima N total de clulas P mxima

Pmaxm ( Ns Np ) Pmaxc
del mdulo que componen el mdulo de cada clula
( Pmax Ppmp ) Ppmpm ( Ns Np ) Ppmpc Nc ( Vpmp I pmp)c

1 Efectos de Rp despreciables: ( Rp )
2 RS independiente de las condiciones de operacin. R s m R s ( Ns / N p )
3 [ Corriente foto-generada ( IL ) Corriente de cortocircuito ( ISC ) ] ( IL ISC )
4 En cualquier condicin de operacin: e[ ( V ( IR s ) ) / VT ] 1 [VT 25mV, para (m = 1)(ideal)]
5 Todas las clulas son iguales y trabajan en las mismas condiciones de [ iluminacin ( G ), T ]
6 Cadas de V despreciables en los conductores que interconectan las clulas del mdulo.
7 Corriente de cortocircuito ISCm ( Np ISC ) Tensin de circuito abierto VOCm ( Ns VOC )
Corriente neta entregada ( Vm / N s ) [ ( I m / N p )R s ]
por el mdulo solar F.V
(V / N s ) [( I m / N p ) R s ] k Tc
mVT 1) m ] VT
I m N p [ I L I 0 ( e q
R
p
Vm ( I m R s m ) VOCm Vc ( I c R s ) VOC
Ecuacin de la
Ns VT
[ 1 e ] ( N I ]
c.c del mdulo VT
Im ISC m p SC ) [ 1 e

Punto ( V, I )trabajo determinado por la carga a la que est conectado. La c.c tienen una zona donde
Isalida permanece casi cte para valores crecientes del Vsalida Mdulo como fuente de I cte, hasta
que alcanza una zona de transicin, a partir de la cual, pequeos Vsalida dan lugar a bruscas Isalida
 22
Influencia de la conexin de las clulas
en serie y/o paralelo sobre la c.c del mdulo

P ( V I ) : Si ( I = ISC ) ( V = 0 ) ( P = 0 ) Si ( V = VOC ) ( I = 0 ) ( P = 0 )
PDC generada por el mdulo en unas condiciones determinadas de trabajo: Pm ( Im Vm )
Grficamente corresponde al rea del rectngulo definido por los ejes de la grfica y el punto
de la c.c ( PV ) de coordenadas ( Vm, Im ) donde est trabajando el mdulo.
( PDC(max) )( Ppmp ) corresponder con el mayor rectngulo que pueda inscribirse bajo la c.c ( PV )
Grficamente corresponde al rea del rectngulo definido por los ejes de la grfica y el punto
de coordenadas ( Vpmp, Ipmp ). Para extraer la Ppmp del mdulo, debe trabajar con ( Vpmp, Ipmp )

1.2.4 PARMETROS BSICOS

Tensin Vmax que puede entregar el mdulo bajo condiciones determinadas de [ radiacin
VOC en circuito (iluminacin)(irradiancia)( G ) incidente, temperatura (T)], correspondientes a una
abierto circulacin de corriente ( I ) nula [ y consecuentemente a una potencia ( P ) nula ]

Terminales del mdulo en circuito abierto

( Vtotal a la salida del mdulo = VDC(max), I= 0 )
No hay carga ( receptor ) conectada al mdulo
( VOC ) ligeramente al ( G ) ( VOC ) sensiblemente al ( Toperacin )mdulo

( Vnominal )mdulo > ( Vnominal )bateras de una ISF , para paliar la que puede producirse debido al T
[ ( VOC )mdulo > (siempre) ( VDC(max) )batera ], para poder cargar la batera adecuadamente.
( VGFV al Toperacin ) en los clculos se usa la VOC a la Toperacin ms baja posible en el lugar
donde est la ISF, que suele coincidir con G Obtener el ( VOC )mdulo en condiciones [( G, Tamb )]
Establece una limitacin en el n mdulos que pueden conectarse en serie para un inversor dado.
[ VDC(salida)(max) en el instante de conexin entre ( GFVinversor ) ] = ( VOC )GFV
( VDC(salida)(max) )GFV en las condiciones extremas < (siempre) Ventrada (max) admisible al inversor

Imax que puede entregar el mdulo bajo unas condiciones determinadas de

ISC Intensidad de
[radiacin solar ( iluminacin )( irradiancia )( G ) incidente, temperatura ( T )],
cortocircuito
correspondientes a una tensin ( V ) nula ( y consecuentemente a una P nula )

Terminales del mdulo conectados directamen te

( Itotal a la salida del mdulo = IDC(max), V= 0 )
No hay carga ( receptor ) conectada al mdulo
( ISC ) sensiblemente al ( G ) ( ISC ) ligeramente al ( Toperacin )mdulo

Establece una limitacin al n mx. de ramas que pueden conectarse en | | para formar el GFV, para
un (GFV, inversor) dados: ( IDC(salida)(max) )GFV < (siempre) IDC(entrada)(max) admisible en el inversor
Como IDC fundamentalmente con G, y la IDC(salida)(max) para unas condiciones dadas de ( G, T ) es
ISC Ser necesario obtener el valor de la ISC del mdulo en condiciones de mxima G.
Parmetro importante en el diseo del sistema de proteccin de la ISF.
 23
Ppmp Potencia mxima Pmax que puede entregar el mdulo en unas condiciones determinadas
Potencia pico de [( radiacin/iluminacin/irradiacin )( G ) incidente, temperatura ( T )],
Pp
correspondientes al punto de la c.c ( IV ) en el que ( V I ) DC es mximo.
[ Wp ]( en STC )

Ipmp, Vpmp ( Punto de mxima potencia )( PMP )( MPP ): ( Punto de trabajo )mdulo para una ( G, T )
dadas, en el que la P entregada es mxima ( = Ppmp ): Ppmp ( Vpmp Ipmp ) Ppmp = f ( G, T )
Ipmp Ip : Imax que entrega el mdulo a Pmax, bajo determinadas condiciones de ( G, T )
Su valor se usa como Inominal. Vara fundamentalmente con la G: Ipmp = f ( G )
Vpmp Vp : Vmax que entrega el mdulo a Pmax, bajo determinadas condiciones de ( G, T )
Su valor se usa como Vnominal. Vara fundamentalmente con la Toperacin: Vpmp = f ( T )
Un mdulo se disea para trabajar a una determinada Vnominal, procurando que los valores de
Vpmp en las condiciones de (G, T) ms frecuentes coincidan con dicho valor. Suele ser 80%VOC
Si el mdulo opera a un VDC < o > Vpmp PDC(salida) del mdulo
El valor de Ppmp debe ser superior al de consumo mximo para el que ha sido diseado la ISF.
Normalmente un mdulo no trabaja en condiciones de Pmax, ya que depende de las caractersticas
propias del circuito de carga. En la prctica, para obtener Pmax, se encargar el regulador de carga,
o el inversor de corriente, segn el tipo de ISF de que se trate. Si en una ISF hay algn dispositivo
que se encarga de mantener al mdulo en su Pmax Se dice que (seguimiento del MPP)(MPPT)

( Rendimiento )( Eficiencia de conversin energtica ):

[ Eelctrica(max) entregada por el mdulo / Eradiante incidente sobre el mdulo ]
[ Pelctrica(max) ( Pmpp ) que puede entregarse a la carga / Pradiante ( PL ) incidente sobre el
mdulo, que es el producto de la irradiancia incidente ( G ) por el rea del mdulo ( Am ) ]

Ppmp I V En condicione s estndar ( STC ) : G 1000( W / m2 )

( % ) 100 pmp pmp 100
PL G Am ( ) al ( T )
mdulo operacin mdulo

Segn el rea del mdulo que se tenga en cuenta, hay varias formas de definir mdulo:
1) respecto al rea total del mdulo : Relacin entre Pmax generada por el mdulo y cantidad
de radiacin solar incidente sobre el mdulo completo [rea total del mdulo (Am), incluyendo
(clulas, espacio intercelular y entre (clulasmarco), contactos, marco]
2) respecto al rea de la clula : Considera el rea cubierta por las clulas dentro del mdulo,
ignorando el espacio entre (clulasmarco). Misma expresin que el anterior, pero sustituyendo
el rea total ( Am ) del mdulo por el rea ( Ac ) de las clulas que componen el mdulo.
3) respecto al rea activa de la clula : Considera el rea del mdulo expuesta a la radiacin
solar incidente. Las reas sombreadas por contactos o rejillas de las clulas no se incluyen. El
de mayor valor, slo para clulas individuales y en laboratorio, no para dispositivos comerciales.

( Factor de forma ) [ Pmax que puede entregar el mdulo / Pmax (terica) definida por el
FF ( Factor de llenado ) punto ( ISC, VOC ) de la c.c ( IV ) ]
( Siempre < 1 ): [ Cuanto ms se aproxime a 1 mdulo de mayor calidad ]
Ipmp Vpmp ( FF 1 ) [ Ppmp ( Ipmp Vpmp) ] ( ISC VOC )
FF
ISC VOC ( FF ) al ( Toperacin )mdulo [ = ( 0.7 0.8 ) para clulas de ( Si, GaAs ) ]
 24
1.2.5 FACTORES QUE AFECTAN A LA CURVA CARACTERSTICA DE SALIDA (I-V)
c.c ( IV )mdulo vara con las condiciones ambientales (T, radiacin incidente) Habr una familia

de c.c ( IV )mdulo que mostrar el comportamiento del mdulo durante el da y una poca del ao.
Punto de trabajo ( V, I ) en el que opera el mdulo est determinado por [radiacin solar incidente

( irradiancia )( G ), Tamb ( T ), caractersticas de la carga conectada al mdulo]. Al conectar una

carga, el punto de trabajo vendr determinado por la (I, V)DC en el circuito, deben ser < (ISC, VOC)

A. G IDC(salida) en forma directamente proporcional ; V casi cte ( ISC , VOC vara muy poco )
B. Si Tmdulo VDC(salida) en forma directamente proporcional En lugares con Tamb son aptos
mdulos con mayor n clulas en serie para que den la suficiente VDC(salida) para cargar las bateras.
Si ( T ) [ VOC , ISC muy ligeramente (permanece casi cte), Ppmp [ Ipmp (poco), Vpmp ] ]
A menor Tmdulo, mejor trabajar y ms PDC entregar Cuanto menor sea (TONC)clula, mejor.
La exposicin al Sol provoca calentamiento, y al Tclula, su produccin de E vara.
INTERACCIN DEL MDULO
C.1 CON UNA CARGA RESISTIVA
La carga determina el punto de trabajo en la
c.c (IV) Hay que conocer su c.c operativa.
Si se conecta un dispositivo F.V a una carga
que se comporte como resistencia elctrica
(por ej. una lmpara incandescente), el punto
de operacin del dispositivo ser el punto de
interseccin de su c.c con la recta de carga
I ( V / R ) [ R: Resistencia de la carga ]
C.2 INTERACCIN DEL MDULO CON UNA BATERA
El valor de Vbatera es impuesto a todos los elementos conectados a la batera, incluyendo el mdulo
La batera determina el punto de operacin del mdulo. La salida del mdulo est influenciada por
las variaciones de (G, T) a lo largo del da, esto se traduce en una I variable que ingresa a la batera.
[Module12V Battery operation]Power
produced by a PV module as a function of
irradiance and cell or ambient temperature
Rango de V de la batera entre (12 14)V
 25
Eelctrica producida por un SFA: La Emax que puede producir un GFV es la que producira un sistema
capaz de funcionar siguiendo el PMP del GFV. Varias son las causas que impiden a un SFA producir
esta Eelctrica. En 1er lugar, esta cantidad de Eelctrica viene fijada por el punto de trabajo del SFA.
Determinar este punto de trabajo no es fcil, depende de las c.c de [GFV, batera, consumo (cargas)]
El caso ms sencillo es si el consumo es una carga resistiva pura de valor cte : El punto de trabajo (
PT ) viene fijado por el punto de corte entre [ c.c ( IV )GFV c.c ( IV )batera ]. A la Vtrabajo ( VT ) la
carga est demandando una IR < IT, lo que significa que de toda la Eelctrica producida por el GFV,
EG ( IT VT t ) , una parte, ER ( IR VR t ) , ser consumida por la resistencia de carga, y la
diferencia ser entregada a la batera. [ ( t ) indica el intervalo temporal considerado ]
La c.c ( IV )batera tiene pendiente por ser un proceso de carga.
El valor de la pendiente de la recta depende del SoC (estado de carga) de la batera, al ste.
El PT del sistema variar en cuanto vare alguna de las 3 c.c ( IV ), lo que ocurre constantemente.
Si suponemos que es la c.c ( IV )GFV la que vara al radiacin solar incidente, vemos que el
sistema trabaja segn la figura . La Eelctrica generada es menor que la Eelctrica demandada por el
consumo, lo que significa que parte de esta Eelctrica debe ser suministrada por la batera.
La c.c ( IV )batera tiene pendiente por ser un proceso de descarga.
Figura : Podemos acotar una zona en voltios que se corresponde con el rango de trabajo normal
(11 15)V para una batera de Vnominal = 12V. Esta zona nos da una idea de la zona de trabajo de un
SFA. Podemos comprobar cmo esta zona est siempre a la izquierda del PMP y supone que el
sistema produce menos Eelctrica de la que producira en condiciones nominales de trabajo.

Si definimos un coeficiente de prdidas global ( KG ), producto de todas las prdidas que afectaran
al GFV, estara entre (0.65 0.8), la ecuacin que da la Eelctrica proporcionada por el GFV se puede
escribir como: E GFV GFV ( G dm ( , ) rea ) K G [ kWh / da ]

Figura 1: Punto de trabajo de un SFA Figura 2: Punto de trabajo de un SFA

en un proceso de carga de la batera en un proceso de descarga de la batera

Figura 3: Zona de trabajo de un SFA

 26
1.2.7 CONDICIONES DE ENSAYO CONDICIONES DE REFERENCIA
El comportamiento elctrico [c.c ( IV )] del mdulo, que es necesario conocer para usar el mdulo
y disear el GFV, est determinado por unos parmetros, medidos bajo condiciones determinadas de
[irradiancia solar ( G ), temperatura ( T )], obtenidos a partir de la informacin del fabricante, y no
ctes, ya que los fabricantes toman como referencia unas determinadas condiciones para su medida.
La c.c ( IV )mdulo cambia con las condiciones ambientales Se definen unas condiciones de
operacin para contrastar valores de fabricantes y extrapolar a partir de ellas a otras condiciones.
CENCondiciones Irradiancia ( G ) = 1000 ( W / m2 ) con la distribucin espectral de la radiacin
de ensayo solar de referencia; con incidencia normal ( ); Tclula = ( 25C 2C )
normalizadas Distribucin espectral de la radiacin solar incidente: AM1.5 ( masa de aire )
En f (T, radiacin incidente) se definen unas condiciones de funcionamiento estndar: (Condiciones
Estndar de Medida )( CEM )( Condiciones de Ensayo Estndar)( STC )( Standard Test Conditions )
( definidas por la Comisin Electrotcnica Internacional en su norma 609041 y recogidas en la
UNEEN 61215 )( las CEN ), vlidas para caracterizar una clula solar en un entorno de laboratorio.
Los parmetros caractersticos de mdulos/clulas que aparecen en las hojas tcnicas de fabricantes,
suelen venir definidos en condiciones STC, las cuales permiten comparar clulas entre s, pero no
son tiles para el diseo, ya que difcilmente suelen darse en la prctica: G = 1000 ( W / m2 ) slo se
alcanza en nuestras latitudes al medioda y muy pocos das; T=25C es baja ya que la clula alcanza
mayores T en condiciones normales de funcionamiento Condiciones de ensayo ms realistas:
Condiciones de TONC [ ( NOCT )( Nominal Operating Cell Temperature )]: T que alcanza
Operacin Estndar una clula cuando se somete a las siguientes condiciones de operacin:
( SOC )( Standard Irradiancia solar ( G ) = 800 ( W / m2 ) con la distribucin espectral de
Operating Conditions ) radiacin solar dada como referencia en la norma UNEEN 609043
Condiciones Nominales Distribucin espectral de la radiacin solar incidente [AM1.5 (masa
de Operacin ( CNO ) de aire) con incidencia normal], Tambiente ( Ta ) = 20C, vviento = 1(m/s)
Condiciones de Valor de TONC indicado en la hoja de caractersticas tcnicas del mdulo
ensayo a TONC que proporciona el fabricante. Para mdulo ( m-Si ), est en torno a 47C.
( Temperatura de CNO hacen referencia a Ta (Tambiente), no a Tm (Tmdulo) Expresin que
Operacin Nominal 2
de la Clula ) las relaciona: Tm [ C] Ta [ C] [ ( TONC 20 C ) / 800 ( W / m ) ] G
Condiciones de ensayo Irradiancia solar ( G ) = 200 ( W / m2 ) con la distribucin espectral dada
a baja irradiancia solar como referencia en la norma UNEEN 609043 , AM1.5, Tclula = 25C
1.2.8 COMPORTAMIENTO TRMICO DEL MDULO
Balance trmico de A c rea de la clula. Si la clula funciona de
manera correcta, el criterio
una clula solar F.V G ef Irradiancia efectiva sobre la clula.
de signos supone un valor
( A c G ef ) ( Pc PQ ) Pc Pelctrica entregada por la clula. para Pc; en caso contrario
PQ Pcalorfica disipada al entorno. supone un valor
La conveccin el principal mecanismo de disipacin de calor en mdulos planos terrestres.
[ ( CT / A c ) ]( CT Cte )
[( Tclula )( Tc ) ( Tambiente )( Ta ) ( PQ )] Tc Ta ( CT / A c ) PQ
: Coef. trmico del laminado
Simplificacin: Suponer que el Tc respecto a Ta, depende linealmente de G incidente. El coeficiente
de proporcionalidad depende de (modo de instalacin del mdulo solar, vviento, humedad ambiente,
caractersticas constructivas del laminado); factores recogidos en un valor representado por TONC:
Tc Ta G ef [ ( TONC 20 C ) / 800 ( W / m 2 ) ] Buena aproximacin del comportamiento trmico
 27
AGRUPACIN SERIE DE CLULAS CON UNA CLULA DIFERENTE AL RESTO
Diferencia mxima de T entre (clula afectadaresto de clulas):
ND (n clulas conectadas en serie asociadas a un diodo de paso); GS (radiacin que recibe la
clula diferente); (eficiencia de las clulas que funcionan correctamente)
Balance de P aplicado a la clula diferente: ( A c G s ) ( N D 1 ) ( A c G ef ) PQs
Aplicado a las clulas que funcionan correctamente: ( A c G ef ) ( A c G ef ) PQ
Diferencia de T entre la clula diferente y el resto de clulas:
T Ta ( PQ ) ( Tc Ta ) (C T / A c ) PQ
( Tcs Tc ) ( CT / A c ) ( PQs PQ )
( C T / A c ) (Tcs Ta ) (C T / A c ) PQ s
Sustituyendo (, ) en : ( Tcs Tc ) CT [ ( G s G ef ) ( N D G ef ) ]
El valor mximo ocurre cuando la radiacin que recibe la clula diferente es igual a la que
recibe el resto: Si ( G s G ef ) ( Tcs Tc ) max CT ( N D G ef )

Si el mdulo no incluyese diodos de paso: ( Tcs Tc ) max CT ( Ns G ef )

1.2.9 [DEGRADACIN,(TEMPERATURA, POTENCIA) DE TRABAJO] DEL MDULO

Para la mayora de mdulos, cuando la Ttrabajo, la Psalida . En la prctica, debido a la disipacin de
calor dentro de las clulas del mdulo, salvo en climas fros, la Ttrabajo > 25C. Cuando esto ocurre,
la Psalida nunca alcanza el valor pico especificado por el fabricante. El diseo de un sistema F.V
debe tener en cuenta esta degradacin del mdulo, para asegurar que los requisitos elctricos del
sistema puedan ser satisfechos durante los das ms calurosos del verano. La degradacin se calcula
usando un factor de degradacin (coeficiente de potencia) dado en % respecto a la Pmpp ( Ppico ).
Si se desconoce informacin del fabricante o asumir un para la Psalida de (0.4 0.6)( % / C ):
1) Si en la regin no hay brisas diurnas sostenidas durante el verano, que ayudan a disipar el calor,
y Tambiente = ( 35 40 )C = 0.8 ( % / C ) para esa estacin.
2) Para Tambiente de verano de hasta 30C = 0.6 ( % / C )
3) Si Tambiente < 25C (durante el verano) o cercana o < 0C (durante el invierno) Ppico para el
diseo. Si Tambiente promedio < 25C (para el periodo invernal ) No se considera degradacin.

( Tt )( Ttrabajo ) que alcanza un mdulo: Tt Ta ( K G ) ; ( K G ) ( representa el T que sufre el

mdulo sobre la mxima ); G [ ( irradiancia solar )( 80 100 )( mW / cm2 ) ]; Ta ( Tambiente (max) )
K: Coeficiente variable entre ( 0.2 0.4 ) [ ( C cm2 ) / mW ] dependiendo de la vviento promedio:
a) vviento o inexistente Enfriamiento pobre o nulo del mdulo ( K = 0.4 )
b) vviento produce un enfriamiento efectivo del panel ( K = 0.2 )

( Pt )( Psalida a la Ttrabajo ) que alcanza un mdulo: Pt Pp ( Pp T ) Pp [ 1 ( T ) ]

Pp [ ( Ppico )( Pmpp ) del mdulo ( a T = 25C ) ]; [ coeficiente de degradacin = 0.6 ( % / C ) ]
calcular Ttrabajo ( Tt ); [ T = ( Tt 25C ) ] [ T respecto a la Tprueba ( 25C ) ]

EJEMPLO DE
Baja v promedio del
Tmax de verano: Irradiancia solar: Ppico del mdulo:
CLCULO viento durante esa
Ta = 30C estacin: K = 0.3 G = 80( mW / cm2 ) Pp = 60W

Tt Ta ( K G ) 30 (0.3 80) 54 C T ( Tt 25 C ) (54 25) 29 C Tt 54 C

T 29 C
Pt Pp [ 1 ( T ) ] 60 [ 1 ( 0.006 29 ) ] 49.56 W Pt 49.56 W
 28
1.3 GENERADOR SOLAR FOTOVOLTAICO GFV
GFV: Asociacin de mdulos en serie y/o paralelo para adaptarse a las condiciones de operacin
de una aplicacin determinada. Conexin en paralelo de ramas de mdulos conectados en serie.
N total de Resistencia serie del GFV:
mdulos del GFV: N total de clulas del GFV: Ns Ns Ns
NmG ( Ns m Np m ) N c G ( Ns m N p m ) ( N s N p ) R sG R sm m R s m
Np Np Np
m m
Npm ( N ramas en | | de mdulos en serie ) define la N s m (N mdulos en serie en cada rama)
( Itotal )GFV: IG ( Np m Im ) ( Np m Np ) Ic define la ( Vtotal )GFV:
VG ( N s m Vm ) ( N s m N s ) Vc
( Np ): N ramas en | | de clulas en serie que forman
cada mdulo del GFV. ( NS ): N clulas en serie en cada mdulo
A partir de ( Impp, Vmpp )MPP, calculados para cada clula, pueden obtenerse ( ImppG , VmppG ) del
MPP para el GFV: VmppG Vmpp ( Ns m Ns ) I mppG I mpp ( Np m N p )

Potencia nominal del GFV = ( Pmax de los mdulos que lo forman )

PmppG ( VmppG ImppG ) ( Vmpp I mpp ) ( Ns m Ns ) ( Np m Np ) ( Vmpp I mpp ) NcG

Corriente de cortocircuito del GFV: Tensin de circuito abierto del GFV:

ISCG ( ISCm Np m ) ( ISC Np m Np ) VOCG ( VOCm Ns m ) ( VOCNs m Ns )
Ecuacin VG ( IG R s ) VOC Vc ( I c R s ) VOC
G G

de la c.c (IV) N N V
IG ISC G [ 1 e s m s T ] ( N p m N p ISC ) [ 1 e VT ]
del GFV
GFV compuesto por 2 ramas de 3 mdulos en serie cada una,
Incluyendo proteccin mediante fusibles en cada rama
y diodos de paso incluidos en cada mdulo
 29
1.4 AGRUPACIN DE ( MDULOS/CLULAS ) EN ( SERIE/PARALELO )
1.4.1 INTRODUCCIN
Al hablar de la c.c ( IV ), se ha supuesto que el mdulo estaba formado por clulas idnticas :
V multiplicado por NS ( n clulas en serie ), I por Np ( n ramas en | | de grupos de clulas en serie )
Debido a la dispersin de parmetros de las clulas en el proceso de fabricacin, y la posibilidad
de que no todas ellas trabajen en iguales condiciones de (G, T), es frecuente que las clulas (o
mdulos) que forman el GFV no operen en las mismas condiciones [ej.: que en un mdulo parte
de las clulas estuviesen en sombra y el resto al Sol (iluminadas)]. Algunos de estos efectos son
evitables con un buen diseo de la ISF, otros son impredecibles e inevitables protecciones.
Clulas idnticas iluminadas con intensidad luminosa producen I de diferente magnitud.
Las caractersticas elctricas de una celda sombreada difieren de las de una celda iluminada.
Al agrupar (clulas / mdulos) en (serie / paralelo) consideramos que: Todos son idnticos en sus
parmetros fsicos Reciben exactamente la misma irradiancia Todos operan a la misma T
Estas condiciones ideales de trabajo no son habituales ya que se puede producir lo siguiente:
1) (Prdidas por dispersin de parmetros)( Prdidas por desacoplo )(Mismatch losses): Se originan
porque las (clulas/mdulos) agrupados para formar un GFV, no son exactamente idnticos. Los
parmetros elctricos de (clulas/mdulos) de un GFV nunca son exactamente iguales. Para :
a) Los fabricantes clasifican las clulas por categoras, agrupando dentro de un mismo mdulo las
clulas con valores prximos de ISC, que no tengan una dispersin grande en sus valores de ISC
b) Clasificar los mdulos que componen el campo F.V por categoras en funcin de su I en el PMP,
para luego asociar en serie slo mdulos que estaran dentro de la misma categora.
Si conectamos mdulos en serie con I el mdulo de menor I limitar la I del montaje serie
Si conectamos mdulos en | | con V el mdulo de menor V limitar la V del montaje | |
2) Algunas (clulas/mdulos) pueden estar expuestos a menor irradiancia si estn sombreados.
Sombreado parcial : Inevitable en muchos casos, puede hacer que una clula sombreada invierta
su polaridad convirtindose en una carga que disipar toda la E generada por el resto de clulas
que tenga asociadas a ella en serie. Si Pdisipada Tclula bastante, provocado su destruccin
Fenmeno del Punto Caliente ( Hot Spot ) Sol.: Insertar diodos de paso para proteger al mdulo.
En ambos casos (dispersin de parmetros, sombreado parcial), se producen 2 efectos:
( Pmax del GFV ) PGFV, max Pmax (mdulos que forman el GFV)
Algunas clulas pueden convertirse en cargas, debiendo disipar la E generada por el resto.

1.4.2 ASOCIACIN DE CLULAS NO IDNTICAS EN SERIE

 30
En el punto de VOC de la ( c.c )G : ( Itotal )( IG ) = 0 Vtotal VOC G VOC ( VOC A VOC B )
En cualquier punto entre ( VG P , VOCG ), las clulas (A, B) operan como generadores de corriente.
En : ( I total )( IG1 ) IA1 IB1 ( Vtotal )( VG1 ) ( VA1 VB1 )
P corresponde al lmite de la corriente de cortocircuito ISCB IG P IAP de la clula de menor
(sombreada). (Vtotal en P de la asociacin en serie = V de la clula A en P): VG P VA P VBP 0
corresponde al punto de operacin en cortocircuito de la asociacin en serie (A + B):
ISCG IA 2 I B2 VG 2 ( VA 2 VB2 ) 0 ( VB2 VA 2 ) Para que ( VG 0 ), B se deber
2
polarizar inversamente hasta que ( VB2 VA 2 ) actuando consiguientemente como un receptor.
I ha de ser la misma para todas las clulas el Vtotal del sistema completo podra llegar a aplicarse
sobre el elemento de menor si las condiciones de operacin son prximas a las de cortocircuito,
haciendo que el elemento tuviera que disipar P, calentndose y producindose en l el llamado
fenmeno del punto caliente Para evitar una disipacin de P que T hasta el punto de deteriorar
la clula, se insertan diodos de paso ( diodos bypass ) en | | con una rama de clulas en serie.
1.4.3 ASOCIACIN DE CLULAS NO IDNTICAS EN PARALELO ( | | )
Se suman las I de las
clulas individuales a
V iguales para obtener
la c.c resultante (c.c)G
de la asociacin en | |
Para una asociacin de
clulas ms grande, en
| |, con una de menor
, obtendramos la c.c
resultante de la drcha.
En este caso, la clula
en malas condiciones
(la clula de menor )
absorbera la I de las
otras, aumentando su T
Insercin de diodos
de bloqueo en serie en
cada una de las ramas
en | | de clulas en serie.
En el punto de ISC de la ( c.c )G : ( Vtotal )( VG ) = 0 I total ISC G ISC ( ISC A ISC B )
En cualquier punto entre ( IG P , ISCG ), las clulas ( A, B ) operan como generadores de corriente.
En : ( Vtotal )( VG1 ) VA1 VB1 ( I total )( IG1 ) ( I A1 IB1 )
P, punto crtico, corresponde al voltaje en circuito abierto VOCB VG P VAP de la clula ( B )
con menor ( sombreada ). ( Itotal en P de la asociacin en | | = I de la clula A en P ), ya que en P la
clula B no genera ni disipa E: IG P I A P IBP 0
corresponde al punto de operacin en circuito abierto de la asociacin en | | (A + B):
VOCG VA2 VB2 [ IG 2 ( IA 2 IB2 ) 0 ] ( IA2 IB2 )
En este caso, el problema del punto caliente es ms difcil que se produzca ya que la dispersin de
parmetros y la intensidad de la radiacin solar afectan poco a VOC
 31
1.4.4 PROTECCIN DE UN GFV PARA CONTROLAR LOS FLUJOS DE CORRIENTE(I)
A ELEMENTOS DIFERENTES CONECTADOS EN PARALELO DIODOS DE BLOQUEO
Bloquean los flujos de I en sentido inverso, hacia ramas en || de mdulos en serie, deterioradas
o sombreadas durante el da: Al conectar en || ramas de mdulos en serie, puede ocurrir que una
rama est sombreada/deteriorada, y el resto descargue sobre ella (que la I de otra rama se derive
hacia sta)(que un grupo de mdulos en serie absorba el flujo de I de otro grupo conectado a l en
||) diodo de bloqueo en serie con cada rama, impide que la I circule hacia la rama sombreada /
deteriorada, evitando que sta pueda comportarse como una carga; asla las ramas defectuosas.
Suelen colocarse en una caja de conexiones externa, donde llegan los cables procedentes de cada
grupo del campo F.V separadamente, y un cable ms grueso en el que se agrupan los terminales
Previenen descargas nocturnas de la batera sobre el GFV. No es peligroso para el GFV, pero
ocasiona prdida de E almacenada en la batera Diodos de bloqueo en serie entre (GFVbatera),
evitan descarga de la batera sobre el GFV por la noche o en horas de insolacin (iluminacin)
Permiten el flujo de I desde GFV a batera durante el da, bloquean el paso inverso de I desde batera
a GFV por la noche [(irradiancia = 0) VGFV, (Vbatera > VGFV) y la batera se descargara a travs
del GFV, ya que la batera mantiene su Voperacin, que impone al GFV La I que atraviesa el GFV va
en sentido opuesto]. El paso de I a travs del diodo durante el da, produce cada de V = (0.4 1)V,
que para Vbatera (12V) puede ser importante (6%) Valorar prdidas de E nocturnas y prdidas
diurnas en diodos, para decidir si se usan. Pueden o no estar incorporados en el regulador de carga.
Diodos de bloqueo en un campo F.V con ramas en paralelo de mdulos en serie
Los diodos tienen una cada de V = (0.6 0.7)V y deben poder soportar (ISC, VOC)
del campo F.V completo. NORMA Seleccionar diodos que puedan soportar:
VD ( 2 VOC ) I D ( 2 ISC ) [ ( ISC, VOC ) del campo F.V ]
B ELEMENTOS DIFERENTES CONECTADOS EN SERIE DIODOS DE PASO (BYPASS)
Algunas clulas de un mdulo o algunos mdulos de un GFV, pueden funcionar en algn momento
como cargas/receptores, con 2 consecuencias: En condiciones de operacin prximas a las de
cortocircuito, estas (clulas/mdulos) deben disipar toda la PDC generada por el resto de elementos
conectados en serie con ellas/os se calientan, pudiendo alcanzar T Fenmeno del punto
caliente (hot spot) destruccin de (clulas/mdulos)[los materiales (EVA, backsheet) se daarn];
puede manifestarse, afectando a 1 clula o varias, o debido a la configuracin del mdulo, una clula
defectuosa puede influir en las circundantes o en toda la serie] Ptotal de la agrupacin en serie
Para evitar problemas debidos a iluminacin no uniforme (iluminacin parcial de clulas), presencia
de sombras (clulas parcialmente sombreadas), otros factores (clulas defectuosas) que pueden hacer
que una parte del mdulo trabaje en condiciones que el resto, se colocan diodos de paso (bypass)
en | | con las ramas de clulas conectadas en serie, para impedir que sobre la clula/s sombreada/s se
descarguen el resto de clulas de la misma rama. Deben poder soportar valores de IDC que pudieran
circular por ellos y de VDC a los que pudieran estar sometidos, sin demasiado su T ni deteriorarse.
NORMA: I D ( 2 ISC ) (ISC de la rama) VD ( 2 VOC ) (VOC de todo el mdulo/campo F.V)
Clulas conectadas en serie, y todo el conjunto cortocircuitado: Si una clula trabaja en condiciones
del resto, por ejemplo, por sombreado parcial, puede tener que disipar la P generada por el resto
de clulas conectadas en serie con ella. Si en anti-paralelo con cada clula se conecta un diodo, de
forma que cuando las clulas trabajan como generadores, la polaridad de la V en bornes mantenga
al diodo cortado y slo conduzca cuando la clula funciona como carga con V de signo contrario y
por tanto polarizando directamente el diodo La IDC que atraviesa las clulas que trabajan como
generadores no es la misma que la que atraviesa la clula que trabaja como carga, siendo por tanto
independientes. Vpolarizacin es casi 0 (diodo ideal) e invariable con la I la clula apenas disipa P.
 32
Los fabricantes suelen
incorporar diodos de
paso en las tomas
intermedias en las
cajas de conexiones
de sus mdulos

Si una clula falla o est en sombra, no genera I y se convierte en una resistencia Disipa toda la
E ( I 2 R ) generada por las dems, calentndose Diodos en | | con cada clula o grupo de clulas.
Cuando una clula no trabaja, la I no circula por ella sino por el diodo. Conectar un diodo por clula
no es real, se dispone un diodo por grupo de clulas conectadas en serie, as es posible limitar la Imax
que debe poder disipar una clula, a la que puedan generar las que estn conectadas a ella en serie.
Los fabricantes incorporan diodos de paso ( by-pass ) al mdulo para riesgo de calentamiento de
clulas sombreadas, limitando la I que pueda circular por ellas y evitando as daos irreversibles
en ellas. Los fabricantes aaden esta proteccin siempre que ( n clulas en serie )mdulo > 33, y su
objetivo es preservar la integridad del mdulo ante esta situacin de funcionamiento indeseada.

Cada diodo est conectado con polaridad opuesta a la de las clulas

conectadas a l en | |, de forma que si stas trabajan correctamente no
pasa I por l. Si una rama en serie est sombreada de manera que
invierta su polaridad, la polaridad del diodo cambiar, ofreciendo un
camino al paso de la I generada por el resto de grupos de clulas.
Si se sombrease una clula, slo se descargaran sobre ella el resto de clulas de la misma rama
dependiendo del n clulas por diodo, se puede limitar la P a disipar por una clula, y por tanto su T.
C DIODOS DE PASO EN CAMPOS DE MDULOS
Para un campo de mdulos F.V, hay 2 maneras de hacer la conexin entre los mdulos:
Conectar 1 los mdulos en | |, y luego asociar en serie los grupos de mdulos en | |
Conectar 1 los mdulos en serie, y luego conectar en | | los grupos de mdulos en serie
Se recomienda la , ya que si se conectan 1 los mdulos en | |, ser necesario insertar diodos de
paso de gran P que soporten toda la I que podra pasar sobre ellos en caso de producirse sombreado.
Grupos de mdulos conectados en serie : Si un mdulo de uno de los grupos conectados en serie
es sombreado ese grupo no generar la misma cantidad de I que los otros grupos en serie con l.
Los mdulos no sombreados en el grupo intentarn compensar esto produciendo ms I operarn
a menor V, desplazando el punto de operacin en la c.c (IV) hacia V cada vez ms pequeos.
Si el sombreado es severo, puede que el grupo pase por 0V y opere en la regin de V < 0 para tratar
de alcanzar el nivel de I de los otros grupos no sombreados en serie con l. Si esto ocurre, todos los
diodos de paso de los mdulos individuales empezarn a conducir I, pero esta I no es la de un nico
mdulo, podra ser la del sistema entero; los diodos individuales de cada mdulo se sobrecargaran
y fallaran. Para evitar esto, la solucin es instalar un diodo de paso externo, suficientemente grande
para soportar la I de todo el campo F.V. Si un grupo sombreado necesita compensar la I alcanzando
V < 0, entonces la I de los otros grupos puentear el grupo defectuoso completo a travs del diodo
externo. Esto puede implicar un (cableado, coste) extra, por lo que no es la prctica habitual.
Grupos conectados en paralelo : Si los mdulos se conectan 1 en serie, los diodos de paso de los
mdulos individuales son suficientes y no hacen falta diodos de proteccin extra.
Figura 1: La I que puede pasar a travs del diodo es slo la de un mdulo, ya que la I que pasa
por cada rama es la de un mdulo. Si un mdulo es sombreado, ste es puenteado, pasando la I
a travs del diodo de paso y luego hacia el resto de mdulos conectados en serie con l.
Figura 2: La I que puede pasar a travs del diodo es la suma de las I de cada mdulo en serie.
 33
Los diodos de bypass protegen individualmente a cada mdulo de posibles daos ocasionados por
sombras parciales; impiden que cada mdulo individualmente absorba IDC de otro de los mdulos
del grupo en serie, si uno o ms mdulos del mismo grupo estn sombreados; generalmente no son
necesarios en sistemas F.V que funcionan a 24V o menos. Los diodos de bloqueo evitan que un
grupo de mdulos en serie absorba el flujo de IDC de otro grupo en serie conectado a l en paralelo.
Fig.1: Diodos de paso Fig.2: Diodos de paso
en grupos de mdulos en grupos de mdulos
conectados en paralelo conectados en serie

Efecto del problema del punto caliente sobre

determinadas clulas de un mdulo

Modo adyacente: Se anulan 18 clulas en caso de

sombreado ( mdulo )(mdulo de 36 clulas)

Modo Overlapping: Se bypasean 24clulas (2/3 mdulo)

34
 35
1.5 TECNOLOGAS DE FABRICACIN DE CLULAS/MDULOS SOLARES F.V
1.5.1 TIPOS
Cristalino ( c-Si ): Amorfo
Silicio ( Si ): Monocristalino ( m-Si ) Multicristalino ( mc-Si ) [ Policristalino ( pc-Si ) ] ( a-Si )
Microcristalino ( c-Si ) Nanocristalino ( nc-Si ) ( a-Si:H )
Arseniuro de Galio ( GaAs ) Teluro de Cadmio ( CdTe ) Diseleniuro de CobreIndio (CuInSe2)(CIS)
Clulas solares de Si cristalino Clulas solares de pelcula delgada
( Crystalline Silicon )( c-Si ) [ Thin-Film Solar/Photovoltaic Cells ][ TFSC / TFPV ] Clula solar
hbrida ( HIT )
Monocristalino Multicristalino Material amorfo
Materiales multicristalinos ( a-Si / m-Si )
( m-Si ) ( mc-Si ) Si amorfo
Microcristalino Nanocristalino ( a-Si ) ( a-Si:H ) (CIS/CIGS)[Cu(In, Ga)Se2] CdTe
( c-Si ) ( nc-Si ) Material orgnico: Clulas solares orgnicas (OPC)
Diferencias entre ( mSi )( mcSi )( aSi ):
Proceso de fabricacin (estructura cristalina,
forma en que los tomos de Si estn colocados)
[para (mSi)(mcSi) apenas hay diferencia
de entre ellas, siendo mayor cuanto mayores
sean los cristales, pero (grosor, peso, coste)]
( mSi ) > HIT > ( mcSi ) > CIS > CdTe > ( aSi )

Cuanto mayor sea la eficiencia de mdulo/clula

menor superficie necesaria de tejado/suelo
Tipos principales de clulas F.V en f ( pureza del Si usado en su fabricacin ): (mSi) (mcSi) (aSi)
(m-Si): en laboratorio = 24%; directo = (15 20)%; (12 17)%
( mc-Si ): en laboratorio = (19 20)%; directo = (14 16) (12 14) (10 13)%
( a-Si ): directo = (8 10)%; ( en laboratorio = 16%, directo < 10% )
A TECNOLOGA ( c-Si )(SILICIO CRISTALINO)
y f ( Toperacin ); tecnologa fiable y consolidada en el mercado. Garanta > 20 aos ( 80% Ppmp )
mSi : Se obtiene de Si de pureza. Misma red cristalina en todo el material (en el proceso de
cristalizacin se produce un nico cristal, pocas imperfecciones, estructura ordenada). Proceso de
fabricacin lento y con un [ gasto/coste energtico (en trminos de E consumida en su fabricacin)
desperdicio de Si ); superior al del resto de tecnologas [los tomos de Si estn perfectamente
alineados, facilitando la conductividad elctrica; al ser ms eficiente se puede ocupar menos espacio
para conseguir la misma captacin que con un mdulo (mcSi), caracterstica importante cuando el
espacio disponible para ubicar los mdulos es reducido ]; peor coeficiente trmico ( ms al T );
peor comportamiento con sombras parciales; funciona mejor en condiciones de radiacin solar;
mayor vida til, mayor coste econmico [variable en f (pas, primas/incentivos recibidas por su uso)]
Clulas color azul oscuro/negro totalmente homogneo, forma cuadrada con las esquinas biseladas;
viendo la superficie externa del mdulo pueden verse conexiones de las clulas individuales entre s.
Este tipo de tecnologa constructiva es la que habitualmente se usa en mdulos de (12, 24)V
mcSi : Se obtiene de Si de menor pureza. La red cristalina no es la misma en todo el material [en
el proceso de cristalizacin, la pasta de Si elaborada se deja solidificar lentamente sobre un molde,
y se forma un slido compuesto por una cantidad de cristales (granos) de Si muy pequeos, cada
uno con orientacin; superficie estructurada en cristales]. Proceso de fabricacin ms (econmico,
sencillo)(se desperdicia menos Si )(esto hace que su precio sea menor); menor (debido a fronteras
de grano irregulares)( mdulos de mayor tamao, necesidad de disponer de mayor superficie de
mdulos para obtener una misma PDC); mejor coeficiente trmico (mejor comportamiento ante T);
 36
funciona peor en condiciones de radiacin solar. Usados habitualmente en ISF de conexin a red.
Superficie de aspecto granulado, compuesta por cristales (azulados, gris metlico) de (brillos,
tonalidades), que muestran la orientacin de cristalizacin en las clulas [cuadradas; la pasta de
Si se vierte en unos moldes cuadrados no es necesario biselarlos como en el (m-Si)]. Los ms
vendidos, abarcan hasta el 90%total del mercado F.V, aptos para la mayora de aplicaciones F.V

B TECNOLOGA DE CAPA/LMINA/PELCULA DELGADA (THIN FILM SOLAR CELLS)

Deposicin de varias capas muy finas de material F.V sobre una base (substrato de apoyo)( cristal,
vidrio, cermica, plstico), dando como resultado una (coste energtico, material, peso) apreciable
[ms (ligeras, baratas), proceso de fabricacin ms (sencillo, econmico), mayor aprovechamiento
de Si, se requiere mucha menos cantidad de Si, con un grado de pureza menos exigente] que (cSi)
Pueden fabricarse en lminas flexibles, lo que les permite adaptarse fcil a todo tipo de superficie
(rgida, flexible) Pueden generarse superficies, ISF con integracin arquitectnica. Estructura
homognea (buena apariencia), atractivo esttico para su integracin arquitectnica en edificios.
Comparado con el (c-Si): Mayor coeficiente de absorcin en el espectro VIS clulas de muy finas
(poco espesor)( para un espesor de capa dado, absorbe mucha ms Eradiante )Menor [ necesario
ms superficie de mdulos y material auxiliar (estructura, cableado) para tener igual PDC, lo que
encarece la ISF ] Mejor comportamiento frente a (T, condiciones de radiacin, sombreado
parcial) Degradacin ms rpida Menor vida til no es f (Toperacin)[menores prdidas por T,
aprovecha la radiacin difusa (funciona incluso en das nublados)] elctrico [kWh / kWp] > ( cSi )
Color homogneo oscuro (marrn, gris, negro), conexin visible entre las clulas individuales.

B.1 TECNOLOGA ( a-Si )

( aSi ) < ( cSi ) . Al inicio de su operacin sufre una degradacin por exposicin a la radiacin,
( a pleno Sol, PDC con el tiempo) sobre todo los 1os meses; una vez estabilizado, se mantiene
estable a lo largo de su vida til. Absorbe solo el espectro VIS de la radiacin solar incidente.
Eficiente bajo iluminacin artificial (lmparas fluorescentes)
Usos: Dispositivos electrnicos [(calculadora, reloj) solar], panel porttil de consumo elctrico

B.2 TECNOLOGA CdTe

Ms cara que (aSi). Los mdulos usados deben reciclarse debido a la toxicidad del Cd.
Usos: Calculadoras solares.

B.3 TECNOLOGA CIS/CIGS

Ms cara que [ ( aSi ), CdTe ]. La de mayor en esta tecnologa de capa fina, pero no competitiva
con (cSi). Amplio espectro de captacin de radiacin solar. Degradacin con el paso del tiempo.
Toxicidad de sus componentes.

C TECNOLOGA HIT ( Heterojunction with Intrinsic Thinlayer )

Si heterounin con capa fina intrnseca. Formada por una oblea de (mSi) situada entre (estructura
sndwich) capas ultra-delgadas de (aSi)
 37

La radiacin solar penetra la capa intrnseca ( i ) y genera e libres; las capas (n, p) crean un campo
elctrico a travs de la capa i, el cual conduce los e libres en la capa n, mientras que las cargas
se junta en la capa p. El H puede incorporarse/aadirse a la estructura del (a-Si) para n de enlaces
libres y mejorar las propiedades electrnicas del material ( Silicio amorfo hidrogenado )(a-Si:H)
38
 39
1.2.3 CLASIFICACIN DE MDULOS DE Si CRISTALINO POR SU N DE CLULAS
La ESF tuvo mala fama en sus inicios porque se pensaba que no se cargaban bien las bateras, y es
que hay que tener en cuenta que las cadas de V en cables son mucho mayores con IDC que con IAC.
Acostumbrados a usar cables de seccin 2.5mm2 en la construccin de viviendas, la gente no se dio
cuenta que 5m de cable de 2.5mm2 de seccin producen una cada de V del 1% con un paso de 10A.
Los mdulos antiguos trabajaban a (12-13)V, teniendo dificultades para cargar una batera hasta los
14.4V necesarios (segn el tipo de batera), y si adems se producan cadas de (1, 2)V, el resultado
era que las bateras solo se cargaban hasta los 12V, lo que supone menos del 50%(capacidad )batera
Importante saber el n clulas del mdulo: en el mercado an hay mdulos antiguos o chinos con
n clulas no estndar (20, 25, 30, 32) que se venden como mdulos de 12V pero no son capaces de
cargar las bateras de 12V; para usarlos es necesario configurar varios en serieparalelo y/o usar un
MPPT (caro) muchos vendedores nombran a los mdulos de 60 clulas como mdulos de 24V
( 36 clulas, 12V )(9x4): Clulas conectadas en serie para trabajar a VDC = 18V (0.5 36) en su PMP
Aptos para cargar bateras de 12V que necesitan llegar hasta 14.4V para cargarse al 100%. No se
recomienda la carga directa mediante estos mdulos pequeos, ya que no sabramos cundo estara
cargada y podramos sobrecargarla, dandola y vida til, lo recomendable es usar un regulador
solar de carga, que cargar correctamente la batera y detendr la carga cuando est cargada del todo.
PDC =(5 160)Wp (mdulos nuevos); [longitud (688 1510); ancho (545 680); alto (28 35)][mm]
( 72 clulas, 24V )( 12x6 ): Clulas conectadas en serie para trabajar a VDC = 36V ( 0.5 72 ) en su
PMP Aptos para cargar bateras de 24V hasta los 28.8V necesarios para ser cargadas al 100%, o
cargar bancos de bateras de 24V (por ej. 2 bateras monoblock de 12V o 12 elementos OPzS de 2V)
P=(180 240)Wp (mdulos nuevos); [longitud (1500 1600); ancho (800 810); alto (35 40)][mm]
La ventaja de usar mdulos de 24V es que, al ser mayores, el precio por Wp es menor, al igual que
el resto de componentes de la ISF, ya que al trabajar a 24V la IDC es la mitad que en ISF de 12V y por
tanto el cableado y contactos elctricos pueden ser de menor seccin, lo que abarata el precio total.
60 clulas ( 10x6 ): Trabajan a VDC = 30V en su PMP; por efecto de la T que hace Vtrabajo, no son
capaces de cargar bateras de 24V hasta 28.8V necesarios para cargarlas al 100% Es necesario un
regulador solar de carga MPPT, que modifique el PMP ( punto de trabajo de Pmax )mdulo; aunque los
reguladores solares MPPT son ms caros que los PWM, los mdulos de 60 clulas son ms baratos.
P=(200 260)Wp (mdulos nuevos); [longitud (1400 1700); ancho (900 990); alto (40 50)][mm]
Mdulos de conexin a red (tambin llamados mdulos para interconexin o de alto voltaje): Para
sistemas F.V destinados a producir Eelctrica para su venta a la red de distribucin elctrica, o bien,
para ISF de autoconsumo con conexin a red. De (60 o 72) clulas en serie, que proporcionan VDC
en torno a 40V, IDC = (7 9)A PDC desde los 220W a > 300W (en algunos mdulos de 72 clulas)
Normalmente se usan con inversores de conexin a red, diseados para trabajar con VDC(entrada),
para disponer de pocos strings (mdulos conectados en serie). A pesar de estar diseados para ISF
de conexin a red, se pueden usar en ISF aisladas, con la nica precaucin de usar un regulador
solar de carga MPPT o un inversor hbrido MPPT; esto permite abaratar los costes en ISF aisladas de
cierto tamao, ya que el n mdulos para igual PDC ser menor que si usamos mdulos de aislada.
Mdulo auto-regulado : No necesita regulador solar de carga ( coste, fiabilidad )ISF, ya que
tan slo trabajan los 2 elementos robustos (mdulo + batera). En un SFA auto-regulado, la Cb de la
batera debe estar proporcionada al n mdulos usados. No idneo para [ SFA; lugares con T y
mantenidas, o T e intensidad de radiacin solar; aplicaciones con Cb de batera...] para
[SFA remotos con mantenimiento caro; SFA domsticos en los que el n mdulos no es excesivo]
ACmodule : Incorpora un inversor en la caja de conexiones, generando por tanto en IAC )
 40
1.2.4 PARMETROS A TENER EN CUENTA AL COMPRAR UN MDULO SOLAR F.V
1) Nivel de calidad de un fabricante de mdulos : La garanta ofrecida actualmente por un fabricante
de mdulos puede ser hasta por 30 aos. Sin embargo, cuntas compaas estarn all al final de
ese plazo si se requiere reclamar una garanta? Es importante conocer al fabricante del mdulo
que estemos evaluando; una forma de clasificar a los fabricantes es mediante su nivel/escala ( tier )
Recomendable adquirir productos de fabricantes (tier-1), son los que nos darn mayor confianza en
el desempeo/durabilidad de sus productos. Los (tier-2) ofrecen productos de buena calidad a buen
precio, pero hay que evaluar si esta ventaja en precio compensa la incertidumbre de si el fabricante
estar all para reclamar una posible garanta. Los (tier-3) pueden ofrecer precios atractivos debido
a sus costos de operacin, pero, vale la pena ahorrar unos c por un producto de calidad dudosa?
a) Fabricante de primer nivel ( Tier-1 ) Grandes fabricantes/empresas/compaas
Empresa financieramente estable: Probabilidad de permanecer a largo plazo en el mercado.
Ha realizado proyectos con dinero de instituciones financieras bancabilidad demostrada.
Integracin vertical (control de calidad desde el momento de la fabricacin de las obleas de Si
hasta la manufactura del mdulo): Le permite un control firme de la calidad del producto final.
Produccin automatizada: Permite que el producto final tenga una calidad uniforme.
Fuerte inversin en investigacin/desarrollo (adquisicin de tecnologa punta para permanecer
a la delantera y competir fuertemente en el mercado F.V) Certificada por ISO 9001 [asegura
que (infraestructura, procesos del fabricante) tengan la calidad del producto como prioridad.
b) Fabricante de segundo nivel (Tier-2)(pequeos, medianos) fabricantes/empresas/compaas
Produccin semi-automatizada (una parte o todo el proceso de fabricacin est basado en mano
de obra humana; control de calidad limitado Menor inversin en investigacin/desarrollo
Menor posibilidad de estar a la delantera del mercado F.V y/o competir con empresas grandes.
c) Fabricante de tercer nivel ( Tier-3 ) Pequeos ensambladores de mdulos solares
Produccin manual: Gran parte de la produccin es manual, lo que dificulta controlar la calidad.
Nula investigacin/desarrollo: Necesitan tecnologa de otras compaas para mejorar productos.
Compaa tpicamente joven (< 3 aos en el mercado)sus garantas no tienen respaldo slido.
2) Certificaciones : Una certificacin es una actividad mediante la cual una entidad, independiente
al fabricante, testifica que el producto/s cumple con las normas de calidad y seguridad aplicables.
Normas internacionales para mdulos emitidas por la Comisin Electrotcnica Internacional (IEC):
IEC 61215 ( Crystalline Silicon Terrestrial Photovoltaic Modules Design Qualification and Type Approval )
(Mdulos F.V terrestres de Si cristalino Aprobacin del tipo y calificacin de diseo): Evala sus
caractersticas (mecnicas, elctricas). Define requisitos de diseo/construccin para su operacin
en perodos prolongados de tiempo y bajo efectos climticos adversos. Procedimiento de pruebas de
resistencia a las que debe someterse el mdulo para tener esta certificacin, y que simulan dcadas
de desgaste al aire libre y desgaste que el mdulo probablemente enfrente durante toda su vida til.
IEC 61730 ( requerimientos de seguridad ) IEC 62716 [prueba la resistencia a la corrosin por
amoniaco. Recomendable para ISF donde haya concentraciones de animales (granjas ganaderas)]
IEC 61701 [prueba la resistencia a la corrosin por niebla salina (salitre). ISF cercanas a la costa]
Normas locales: CE Mark (Comunidad Europea) (sello/marcado que indica que el mdulo cumple
con las directivas de seguridad mnimas de la Comunidad Europea) NRTL Mark ( EEUU, Canad )
[sello/marcado emitido por un Laboratorio de Pruebas Reconocido Nacionalmente (NRTL), que
indica que el mdulo cumple con las directivas de seguridad adecuadas. La marca emitida por cada
laboratorio es diferente, las ms importantes ( UL, CSA, TV, ETL, SGS, MET ) UL 1703 ( EEUU )
[certifica que el mdulo cumple con las normas de seguridad requeridas por el cdigo elctrico de
Estados unidos (NEC). Mdulo sometido a pruebas de fuego para determinar su clase de proteccin]
 41
3) Garantas : Las garantas descritas a continuacin son actualmente un estndar en la industria F.V,
encontrar una garanta menor es seal de que el fabricante no ofrecer respaldo a su producto. Hay
fabricantes que ofrecen un seguro sin costo adicional, en caso de que el fabricante original deje de
operar en el mercado, una aseguradora independiente se har cargo de hacer vlida la garanta; esto
da confianza al usuario, su inversin est asegurada, aunque el fabricante no siga en el mercado F.V
Evaluar y comparar la cobertura de la garanta de cada fabricante puede ayudarnos a asegurar que
nuestras necesidades de servicio/soporte sern cubiertas en el caso de que ocurra un problema con
el mdulo despus de instalarlo. Las garantas son un complemento de la (calidad, durabilidad)mdulo
Cuanto mayor sea el periodo que dure la garanta mucho mejor (ms ventajoso) para el consumidor.
a) Contra defectos de fabricacin: Cubre cualquier desperfecto/defecto causado por problemas
originados durante los procesos de fabricacin o por el uso de insumos (materiales F.V) de mala
calidad. Es una garanta de mano de obra, que protege al consumidor de partes defectuosas del
mdulo, generalmente durante los primeros ( 5 10 ) aos (algunos hasta 12aos) de operacin.
b) De potencia de salida: Vara segn fabricante, quien provee este tipo de garanta para asegurar
que el del mdulo no caer por debajo de un nivel especificado sobre el trmino de la garanta,
usualmente (25 30) aos. Cubre que la (PDC)mdulo no ser menor a un lmite preestablecido, al
trmino del periodo de cobertura. Una garanta tpica es que el mdulo no tendr PDC < 80/85%
al ao 25 de que fue comprado, es decir, la PDC(salida) ms alta no bajar del 80/85% por 25aos.
Ej., un mdulo de 100W comprado con esta garanta en el 2010, no deber generar menos de
80W en condiciones estndares de prueba hasta el 2035. Adems, algunas garantas de este
tipo tambin cubren el 1er ao de funcionamiento del mdulo a un % > 95%PDC original.
Algunos fabricantes, adems de la garanta principal, incluyen otra garanta que asegura un
mayor nivel de PDC(salida) en un periodo de tiempo ms corto, ej., 90% los primeros 10 aos.
La cantidad de Eelctrica que produce un mdulo, ligeramente cada ao degradacin del
mdulo. El grado de degradacin se cuantifica en fracciones de un % / ao, con las reducciones
ms grandes ocurriendo durante el 1er o 2do ao. Una prctica habitual en la industria F.V es la
de garantizar que los mdulos no van a perder ms del (10-20)%capacidad de produccin en los
primeros 25 aos; es decir, los fabricantes garantizan que sus mdulos producirn un (80-90)%
PDC(salida) indicada en la hoja de caractersticas tcnicas del mdulo durante al menos 25 aos
una garanta con un % es preferible a una con %. Muchos fabricantes aaden una 2 garanta
para cuantificar la degradacin anual de sus mdulos despus de un periodo de prueba de 1 ao;
suelen garantizar una degradacin anual < 0.7% ( en este caso, un % es mejor que un % )
4) Tolerancia en potencia : Debido al proceso de fabricacin y a los componentes que forman el
mdulo, la PDC(salida) puede variar sensiblemente respecto a la indicada en la hoja de caractersticas
tcnicas del mdulo. Esta variacin de P se denomina tolerancia, puede venir indicada en W o en %
Hace algunos aos, al comprar un mdulo/s, el fabricante especificaba una tolerancia en potencia
tpica de (+/5%) Al comprar un mdulo de 100W, ste poda entregar PDC = ( 95 105 )W (bajo
condiciones ideales); si el mdulo cost 100, en el 1er caso sale a 1.05/Wp, en el 2do a 0.95/Wp
Hay una diferencia de 10 (c / Wp) muy a tener en cuenta, sobre todo en ISF con PDC instalada.
El sistema anterior evolucion, y al ser cada vez ms grandes los mdulos, los fabricantes usaron
tolerancias en W. Si adquirimos un mdulo de 200W con tolerancia en potencia (+/5W), podemos
recibir un mdulo de 195 a 205W. Actualmente se sigue usando la tolerancia en W, sin embargo, ya
es un estndar ofrecer tolerancias positivas, que nos asegura que vamos a obtener, como mnimo,
la PDC que hemos pagado; por ej., si compramos un mdulo de 250W con una tolerancia 0/+5Wp ,
deberemos recibir un mdulo de al menos 250W y hasta 255W. Fabricantes con bajos estndares de
calidad ofrecen tolerancias negativas; recomendable evitarlos, salvo que sean de PDC ( < 30W )
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5) Eficiencia : PDC que es capaz de producir 1m2 de mdulo al recibir una irradiacin de 1000W/m2
Si en la hoja de caractersticas tcnicas de un mdulo de 245W vemos una eficiencia ( ) = 15%
por cada 1000W/m2 de irradiacin que recibe 1m2 de mdulo, producir 150W. Es comn exaltar la
calidad de los mdulos de mayor (mayor Eelctrica producida), y casi siempre, stos son ms caros.
Sin problemas de espacio, no tiene sentido pagar un precio por un mdulo de ; pero si tenemos
una cubierta/techo con limitacin de espacio, hay que instalar mdulos con para optimizar la ISF
Si bien, su valor en s no refleja la calidad del mdulo, cuando este valor se acompaa con el tipo de
material usado (comnmente Si), puede darnos una idea del avance tecnolgico del fabricante. Un
mdulo mono-cristalino deber tener = (15.5 21.5)%, un mdulo poli-cristalino ( 14.5 16.6 )%.
NOTA: estas estn calculadas para el mdulo como unidad, ya que algunos fabricantes expresan la
celdas de manera individual y su valor es > (siempre) mdulo completo. Si la mdulo que estamos
adquiriendo est muy por debajo de las actuales, nos indica que el proveedor nos est vendiendo
un mdulo que ha sido fabricado con anterioridad o est formado con celdas de tecnologa obsoleta.
6) Inspeccin visual : Muchas de las fallas comunes de calidad pueden detectarse mediante inspeccin
visual. Puntos recomendados para una buena inspeccin (ordenados de mayor a menor gravedad):
Clulas rotas o con pequeas fracturas: Un problema muy comn en mdulos de mala calidad,
es cuando una clula est fracturada o le falta una pequea parte. Afecta gravemente a la generacin
elctrica del mdulo. Encontrar ms de una falla de este tipo indica una seria falta de control de
calidad. Adems, podra ser indicio de que el fabricante usa clulas de 2da calidad para sus mdulos.
Burbujas en el laminado: Indican fallo en el proceso de fabricacin. Pueden provocar corrosin
en los elementos conductores de las celdas y originar puntos calientes y/o fallas mayores. Al igual
que con celdas rotas, evitar un fabricante si se encuentra ms de un mdulo con este tipo de falla.
Laminado posterior daado: Los mdulos convencionales tienen una capa protectora en la parte
trasera (backsheet), para proteger a las celdas de (golpes, punciones). Cuando el fabricante maneja
de manera negligente el mdulo, puede ocasionar daos al backsheet y eventualmente dejar a las
celdas expuestas al medio ambiente. Se recomienda verificar si se ha producido algn fallo con el
empaque del mdulo, el trasportista o se trata de una mala manipulacin por parte del fabricante.
Defectos en el sellado exterior: Los mdulos tienen un marco de Al, y usualmente ste se une
al laminado de vidrio/celdas/backsheet mediante un gel de silicn especial. Verificar que el silicn
est aplicado de manera continua y uniforme; encontrar discontinuidades o sobrantes de silicn que
sobresalen del marco, indica que el gel se aplic de forma manual; una mala aplicacin puede dejar
expuestos al medio ambiente los bordes del laminado, lo que podra causar eventualmente fallas.
Cuerpos extraos en el laminado: [pedazos de (silicn, soldadura), basura, insectos] atrapados
en el laminado, pueden causar puntos calientes y son indicativo de un deficiente control de calidad.
Marco de Al con defectos: El marco no deber estar (doblado, golpeado, rayado). Este tipo de
falla no suele afecta al mdulo a menos de que la rigidez estructural del conjunto se vea afectada.
Vidrio rayado: El vidrio no deber presentar ralladuras de ningn tipo. Este tipo de dao puede
afectar la capa anti-reflejante del vidrio, lo que puede afectar a la produccin elctrica del mdulo.
Celdas desalineadas: No representa un problema salvo que las celdas estn muy juntas entre s
(menos de 2mm de separacin). OJO, una falla de este tipo viene acompaada por otras ms graves.
Etiquetas/Cdigo de barras de mala calidad: Los mdulos certificados deben incluir, por norma,
un cdigo de barras laminado debajo del vidrio. Si no est, las certificaciones pueden estar en duda.
(etiquetas, cdigo de barras) deben soportar (intemperie, solventes suaves) sin decolorarse y/o
borrarse. Etiquetas de calidadfabricante que por costos, compromete la calidad de su producto.
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Tensin de trabajo ( Vtrabajo ), N clulas: Para ( ISF aisladas con bateras )(SFA), los mdulos son de
36 clulas (12V) o 72 clulas (24V). Si el mdulo lo queremos usar en un SFA pequeo con una batera
(monoblock por ejemplo) de 12V necesitaremos mdulos de 12V, si nuestro SFA es un poco ms
grande y tiene un sistema de acumulacin mayor (2 bateras monoblock de 12V o 12 vasos
estacionarios de 2V cada uno) necesitaremos mdulos de 24V. Las ISF de conexin a red y los kits
solares de autoconsumo funcionan habitualmente con mdulos de 60 clulas que no son vlidos para
SFA a menos que los conectemos a un regulador de carga MPPT.

Caractersticas elctricas a Toperacin (nominal): La PDC(salida) es usada habitualmente para referirnos al

tamao o capacidad del mdulo; es una PDC que casi nunca conseguimos en condiciones de operacin
normal porque este valor ha sido medido en condiciones de medicin estndar (STC) que muy
raramente se reproducen en el da a da. Este valor nos sirve para poder comparar 2 mdulos de igual
tamao.
La PDC de los mdulos viene dada en condiciones estndar de medida, pero estas condiciones
normalmente no se dan cuando el mdulo est en funcionamiento. Por ello, tiene mayor relevancia el
valor de PDC en condiciones nominales (ya que suelen ser ms habituales). Un valor habitual de PDC
para un mdulo de 245W en condiciones de operacin es 180W. Un buen mdulo debera reflejar estos
datos en su hoja de caractersticas.

Caractersticas trmicas: Uno de los parmetros tcnicos ms significativos para predecir el futuro
comportamiento de un mdulo. Hay 2 parmetros importantes:
Temperatura de operacin nominal de la clula (NOCT)
Coeficiente de temperatura de Potencia: Indica la prdida porcentual de PDC(salida) del mdulo por cada
C por encima de 25C que la Tclulas del mdulo. Cuanto menor, mucho mejor.
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1.5.2 FASES DEL PROCESO DE FABRICACIN DE UN MDULO DE ( m-Si ) O ( mc-Si )

Obtencin de Si a partir De slice a Si Industria

1 de arenas de cuarzo de grado metalrgico metalrgica
Cristalizacin y De Si de grado metalrgico a Industria
2
laminacin del Si Si de grado solar (polisilicio) qumica
3 Transformacin de las De polisilicio a Industria
lminas en clulas clula solar F.V electrnica
4 Interconexin de clulas De clula solar F.V a Industria
5 Fabricacin del mdulo mdulo solar F.V mecnica
Costes en un sistema F.V con tecnologa de Si:
Coste energtico de fabricacin del mdulo,
desglosado entre sus componentesCostes
econmicos del mduloCostes econmicos
del sistema F.V ya instalado, con sus diversos
integrantes. Fuente: L. L. Kazmerski ( Executive
Director, Science & Technology, NREL )
A pesar de las ventajas del Si [elemento abundante de la corteza terrestre, no txico, semiconductor
elemental (importante en la industria microelectrnica), fcil de dopar], para fabricar clulas solares
es necesario un ambiente muy limpio y una cantidad de Si con suficiente pureza (99.9999%), lo que
resulta caro de conseguir; por ello, la fabricacin de clulas solares de Si cristalino es costosa.
La investigacin y el desarrollo de la industria F.V se dirigen a ( costes energticos )[ obtencin
de la materia prima (Si), proceso de fabricacin]; eficiencia de la clula y por lo tanto del mdulo.
1) OBTENCIN DEL SILICIO : A partir de rocas ricas en cuarzo (slice)(xido de Si)( SiO2 ) y mediante
reduccin con carbn de coque en hornos de arco elctrico, se obtiene Si de grado metalrgico (
MGS ), pureza 98%, no suficiente para usos electrnicos, tiene un coste en trminos energticos
y econmicos La industria semiconductora vuelve a purificar este Si hasta llegar al 99.9999% de
pureza, obteniendo (Si de grado semiconductor / electrnico)(polisilicio)( EGS ), con concentracin
de impurezas < 0.2ppm ( 2 tomos de impureza / 107 tomos Si ), usado para fabricar clulas. Para
uso solar son suficientes concentraciones de impurezas del orden de 1ppm ( 10 tomos de impureza
/ 107 tomos Si ); este Si se llama Si de grado solar No tan puro como el EGS, pero puede
sustituirlo con eficacia reduciendo a la vez el coste energtico de su proceso de obtencin.
2) CRISTALIZACIN DEL SILICIO : Una vez obtenido el Si con pureza adecuada, se introduce el EGS en
un crisol, junto con impurezas tipo P de B, a una T 1400C para formar una masa de Si fundido.
Una vez que todo el material est lquido Crecimiento de cristales de Si: Se dispone de una
varilla en cuyo extremo hay un germen de Si, que al ponerse en contacto con la masa fundida, inicia
la cristalizacin sobre la semilla de Si. Segn se va extrayendo la varilla, el Si se va solidificando en
la interface slidolquido, resultando ( mSi ) si el tiempo es suficiente (crecimiento lento)(se
obtiene una estructura cristalina ordenada ) o ( mcSi ) si el tiempo es rpido (crecimiento rpido)
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La varilla tiene movimiento rotativo ascendente, de forma que se va solidificando un tocho metlico
(se obtiene Si cristalino en forma de lingotes cilndricos) con dimetro en f (vascenso y rotacin) que se
imprimi a la varilla. sta es la razn por la cual la mayora de clulas tiene forma circular. En este
proceso, adems, se tiende a impurezas, ya que stas tienden a segregarse hacia la parte lquida.
Mtodos de crecimiento: ( mSi ): Mtodo CZ ( Czochralsky )(el ms parecido al descrito arriba)
y Mtodo FZ (Floating Zone)[ produce (mSi) ms puro que el CZ debido a que en este mtodo el Si
no se contamina en el crisol como ocurre en el CZ ] ( mcSi ): Mtodo de colada ( Cast )

3) LAMINACIN DEL SILICIO (OBTENCIN DE OBLEAS): Los lingotes cilndricos se cortan en lminas
u obleas [espesor (0.20.3)mm] que posteriormente se convertirn en clulas. El proceso de corte
supone prdida de material. Se usan sierras de dimetro interno [(proceso muy lento)( 30 obleas
/ hora ); productividad] o sierras multihilo/multihoja ( prdidas de material, productividad )
Debido a las dificultades del laminado se desarrollaron mtodos para producir directamente el Si en
lminas (hacer crecer el Si directamente en lmina) a partir de tcnicas basadas en la epitaxia
(crecimiento de una lmina delgada de material cristalino sobre otra de = o naturaleza cristalina)
4) TRANSFORMACIN DE OBLEAS EN CLULAS SOLARES :
Preparacin de la superficie de la oblea: Una vez obtenida la oblea (tipo P) hay que mejorar su
superficie, que presenta (irregularidades, defectos) debidos al corte, adems de retirar de la misma
restos que pueda llevar (polvo, virutas). Tcnicas para restaurar la capa superficial daada (eliminar
daos y limpiarla), preparndola para posteriores pasos: Ataque qumico con cidos (rpido, caro,
peligroso, contaminante) Ataque qumico con bases ( las obleas se introducen en baos qumicos
de KOH o NaOH ) Ataque qumico seco ( con plasma )( lento, caro ) Uso de discos abrasivos.
( Formacin de la unin PN )[ Dopaje con ( material tipo N )( P ) ] Tcnicas:
a) Difusin trmica del P en fase vapor: La oblea se introduce en unos hornos a T=(800 1000)C
durante un tiempo prefijado y en una atmsfera cargada de xido de P, cuyos tomos se van
difundiendo sobre la cara de la oblea que se quiere dopar con material tipo N.
Profundidad de penetracin del P en el material semiconductor = f (Thorno, duracin del proceso)
b) Deposicin de compuestos (xidos de P para zonas tipo N, compuestos de B para zonas tipo P,
aunque normalmente, las obleas ya estn dopadas con B) sobre las obleas antes del tratamiento
trmico. Mtodos de deposicin: ( serigrafa, nebulizacin, centrifugacin, fase de vapor )
Despus de los procesos descritos, la clula tiene una superficie que rechaza 33%radiacin solar
incidente sobre ella, dado su aspecto metlico Aplicar capa/s antireflectante (AR)( material
que adapta el ndice de refraccin del Si al del aire) para absorcin de radiacin solar ( clula)
Evaporacin al vaco: Una calefaccin elctrica evapora el material antireflectante depositado.
Texturizado [para ( mSi ), ( mcSi ) no admite este proceso]: Se aprovechan las propiedades
cristalinas del Si para obtener una superficie que absorba mejor la radiacin solar incidente. Se
crean pirmides en fila sobre la superficie de la clula, para que los rayos solares incidentes
reboten, haciendo que una gran parte penetre en el semiconductor. Se crea mediante reacciones
qumicas en la superficie; puede hacerse antes del dopado o despus. Ventajas [ reflectividad;
confina los rayos en la superficie; absorcin de radiacin cerca de la unin PN]Inconvenientes
[procesamiento de obleas delicado; mayor rea de la unin PN; camino lateral ms largo de la I]
Formacin de los contactos metlicos: Rejilla en la cara iluminada (para permitir el paso de luz
y extraccin de I simultneamente), y continuo en la cara posterior (totalmente recubierta de metal)
El material de los electrodos, frontal como posterior, es una aleacin de metales Ag, Ti, Cu, Al,...),
variando en f (tipo de clula). La tcnica de creacin de los contactos y materiales usados en clulas
de aplicacin espacial, sern a los usados en aplicaciones terrestres, mucho menos comprometidas.
a) Evaporacin al vaco: Usa caones electrnicos crean el contacto aplicando capas de metales
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sucesivamente, sufriendo posteriormente un tratamiento trmico para que el material penetre en
la clula y realice buen contacto elctrico. Muy lento no competitivo, pero de gran calidad.
b) Deposicin cataltica (Mtodo electroqumico): Inmersin de la clula en lquidos controlados
en T. Pueden usarse (Ni, Cu), depositados en capas, pasando posteriormente a un tratamiento
trmico para sintetizar estos materiales. Usado en fabricacin de componentes electrnicos.
c) (Deposicin serigrfica + Recocido): Coste de produccin y facilidad de automatizacin. Usa
una pasta conductora [polvo metlico (Ag), vidrio ( frit ), aglomerantes orgnicos, disolventes]
que se deposita por serigrafa en la clula, la cual posteriormente se introduce en un horno de
infrarrojos ( T = 800C ) que difunde el material conductor sobre la superficie de la clula.
De esta forma y de 2 pasadas (cara frontal y posterior), queda lista la clula para la ltima fase.
Comprobacin de las clulas: Se hacen pruebas elctricas para clasificar sus caractersticas. Se
hacen de forma automtica, analizando su respuesta ( IV ), y su respuesta espectral.
5) ( INTERCONEXIONADO, ENCAPSULADO, MONTAJE ) PARA FORMAR MDULOS SOLARES F.V :
Encintado e interconexin elctrica de las clulas entre s: Se sueldan unas tiras de Cu a los
recubrimientos metlicos de las clulas para su posterior conexin en montajes en serie y/o paralelo.
Cintas de interconexin elctrica entre clulas: (Al, acero inoxidable), soldadas, con 2 conductores
| | de Cu para recoleccin de portadores en ambas caras de la clula.
Encapsulado (Ensamble)(Laminacin + Curado): Las clulas soldadas se colocan entre (capas de
plstico encapsulante, lminas de vidrio/plstico). Laminacin: Se montan todos los materiales de
laminacin (vidrio en la parte superior, EVA en la zona intermedia, Tedlar en la parte inferior).
Curado: el laminado se procesa en horno a T controlada, para perfecta adhesin de componentes.
Despus del curado, el conjunto forma una sola pieza, adquiriendo (rigidez, proteccin) necesarias.
EnmarcadoColocacin de (terminales, diodos de proteccin, cajas de conexiones): Se coloca
1 un sellador elstico en todo el permetro del laminado y luego los perfiles de Al que formarn el
marco; a continuacin, se conectan las tiras de clulas en serie, y diodos de proteccin necesarios.
Los mdulos se montan sobre estructuras soporte que soporten la Fviento sobre los mdulos. Si
se disean sistemas de concentracin hay que dotar a los soportes con sistemas de seguimiento.

Clulas con 3 busbar: Al tener ms barras, se extrae ms Eelctrica, pero se tapa ms

superficie de clula a la que no llega radiacin. Se obtiene mejor relacin (Eelctrica
obtenidasuperficie ocupada). Ventajas sobre el de 2: Menor stress trmico de las
clulas (debido a una mejor distribucin de I); menor resistencia elctrica; mayor
3busbar 2busbar vida til; ms complejidad tecnolgica; menor , pero mayor produccin global.
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