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Pomilio

6. Variaes transitrias de tenso de curta durao1

As Variaes Transitrias de Curta Durao (VTCD) so eventos de afundamento e

elevao de tenso com durao de 0,5 ciclo a alguns minutos, dependendo da norma a ser
considerada.
H uma dificuldade de classificao para os transitrios com durao menor que 1 ciclo da
tenso fundamental da rede eltrica, os surtos e transitrios rpidos de tenso. Esses distrbios so
de difcil identificao e classificao principalmente os distrbios oscilatrios, que no podem ser
definidos nem como afundamento e nem como elevao de tenso.
Esta parte de classificao, que todas as normas de alguma maneira fazem, em termos
prticos, no tem valor alm do que concerne denominao dos eventos em faixas, colocando-lhes
uma nomenclatura.

6.1 Metodologia da Magnitude e Durao do Evento (M&D)

A metodologia da Magnitude e Durao do Evento (M&D) caracteriza um evento de VTCD

por dois parmetros como prprio nome da metodologia j explicita: a magnitude e a durao.
Todas as normas utilizam-se do valor eficaz da tenso (Vef) para verificar o desvio mais
significativo da tenso, esse desvio define a magnitude do evento.

6.1.1 Norma Brasileira [1,2]

A Magnitude (VMag) do evento, desvio mais significativo da tenso, definido segundo a

norma americana e a recomendao brasileira como sendo: Nvel extremo do valor eficaz da
tenso, tenso residual ou remanescente (Vres,) em relao tenso nominal2 (Vn) no ponto de
observao, expresso em porcentagem (%) ou valor por unidade (pu).
Vres Vres
VMag = ( pu ) ou VMag % = 100 (%) (6.1)
Vn Vn

A Durao (t) do evento definida como: O intervalo de tempo decorrido entre o instante
(ti) em que o valor eficaz da tenso ultrapassa determinado limite de referncia (Vref) e o instante
(tf) em que a mesma varivel volta a cruzar esse limite, expresso em segundos ou ciclos da
fundamental.
t = tf ti ( segundos ou ciclos) (6.2)

Na figura 6.1 apresentado um exemplo da caracterizao de um afundamento de tenso,

em que a magnitude do evento de V 32,0 % ou V 0,32 pu e durao de t 92,0 ms (5,52
ciclos).
A recomendao brasileira, submdulo 2.2, dos procedimentos de rede aplicvel rede
bsica do Operador Nacional do Sistema Eltrico (ONS).
Para a rede de distribuio tem-se [2] a regulamentao da ANEEL, estabelecida no mdulo
8, Qualidade da Energia Eltrica, do Prodist.
As definies ali apresentadas so as seguintes:
1
Trechos e figuras deste captulo foram obtidas na dissertao de mestrado de Ernesto Kenji Luna, com orientao do
prof. Sigmar M. Deckamann. Uma Contribuio ao Estudo de VTCDs Aplicado a Equipamentos Eletrnicos
Alimentados por Conversor CA-CC, aprovada em 29/05/2005.
2
O Prodist indica que a tenso de comparao a tenso de referncia, a qual pode ser a tenso nominal ou a
contratada.

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2
Comportamento da Tenso na Fase (ex: Va)
1.5 Comportamento do Valor Eficaz da Tenso (Vef)

1 Vn
Vref

0.5 Vn
TENSAO (PU) Vres
0

-0.5

-1

-1.5
t (Durao)
ti tf
-2
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
TEMPO (s)

Figura 6.1 Caracterizao de um Afundamento de Tenso (Normas Brasileira e Americana).

Tabela 6.1 - Classificao das VTCD [1,2]

Amplitude da Tenso
Classificao Denominao Durao do Evento (valor eficaz) em relao
tenso de referncia
Interrupo Inferior ou igual a 3
Inferior a 0,1 pu
Momentnea de Tenso segundos
Superior ou igual a 1
Variao Afundamento Superior ou igual a 0,1 pu e
ciclo e inferior ou igual
Momentnea de Momentneo de Tenso inferior a 0,9 pu
a 3 segundos
Tenso
Superior ou igual a 1
Elevao Momentnea
ciclo e inferior ou igual Superior a 1,1 pu
de Tenso
a 3 segundos
Superior a 3 segundos e
Interrupo Temporria
inferior ou igual a 1 Inferior a 0,1 pu
de Tenso
minuto
Variao Superior a 3 segundos e
Afundamento Superior ou igual a 0,1 pu e
Temporria de inferior a igual a 1
Temporrio de Tenso inferior a 0,9 pu
Tenso minuto
Superior a 3 segundos e
Elevao Temporria de
inferior ou igual a 1 Superior a 1,1 pu
Tenso
minuto

Metodologia de medio [2]

Alm dos parmetros durao e amplitude j definidos, a severidade da VTCD, medida entre
fase e neutro, de determinado barramento do sistema de distribuio tambm caracterizada
pela freqncia de ocorrncia. Esta corresponde quantidade de vezes que cada combinao
dos parmetros durao e amplitude ocorrem em determinado perodo de tempo ao longo do
qual o barramento tenha sido monitorado.
O indicador a ser utilizado para conhecimento do desempenho de um determinado barramento
do sistema de distribuio com relao s VTCD corresponde ao nmero de eventos agrupados
por faixas de amplitude e de durao, discretizados conforme critrio estabelecido a partir de
levantamento de medies.

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Num determinado ponto de monitorao, uma VTCD caracterizada a partir da agregao dos
parmetros amplitude e durao de cada evento fase-neutro. Assim sendo, eventos fase-neutro
simultneos so primeiramente agregados compondo um mesmo evento no ponto de
monitorao (agregao de fases).
Os eventos consecutivos, em um perodo de trs minutos, no mesmo ponto, so agregados
compondo um nico evento (agregao temporal).
O afundamento ou a elevao de tenso que representa o intervalo de trs minutos o de menor
ou de maior amplitude da tenso, respectivamente.
A agregao de fases deve ser feita pelo critrio de unio das fases, ou seja, a durao do
evento definida como o intervalo de tempo decorrido entre o instante em que o primeiro dos
eventos fase-neutro transpe determinado limite e o instante em que o ltimo dos eventos fase-
neutro retorna para determinado limite.

As seguintes formas alternativas de agregao de fases podem ser utilizadas:

a) agregao por parmetros crticos - a durao do evento definida como a mxima durao
entre os trs eventos fase-neutro e o valor de magnitude que mais se distanciou da tenso de
referncia;
b) agregao pela fase crtica - a durao do evento definida como a durao do evento fase-
neutro de amplitude crtica, ou seja, amplitude mnima para afundamento e mxima para
elevao.

6.1.2 IEEE Std. 1159 [3]

Na norma americana no existe um equivalente para VTCD, os afundamentos e elevaes
de tenso so denominados respectivamente de voltage sag e voltage swell. A Tabela 6.2
apresenta as denominaes de VTCD segundo a norma americana e suas faixas de magnitude e
durao.
Tabela 6.2 Classificao das VTCD segundo IEEE - Std 1159 [3].
Classificao Denominao Durao do Evento Amplitude do Evento
Afundamento Instantneo
0,5 30 ciclos 0,1 0,9 pu
(Instantaneous sag)
Elevao Instantnea
0,5 30 ciclos 1.1 1.8 pu
(Instantaneous swell)
Interrupo Momentneo
0,5 ciclo 3 segundos < 0,1 pu
(Momentary Interruption)
Variaes de Afundamento Momentneo 30 ciclos 3
0,1 0,9 pu
Curta Durao (Momentary sag) segundos
(Short duration Elevao Momentnea 30 ciclos 3
1.1 1.4 pu
variations) (Momentary swell) segundos
Interrupo Temporria 3 segundos 1
< 0,1 pu
(Temporary Interruption) minuto
Afundamento Temporrio 3 segundos 1
0,1 0,9 pu
(Temporary sag) minuto
Elevao Temporria 3 segundos 1
1.1 1.2 pu
(Temporary swell) minuto
Variaes de Interrupo Sustentada
> 1 minuto 0,0 pu
Longa Durao (Interruption, sustained)
(Long duration Subtenso (Undervoltage) > 1 minuto 0,1 0,9 pu
variations) Sobretenso (Overvoltage) > 1 minuto 1.1 1.2 pu

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6.1.3 EN 50160 Norma Europia (CENELEC) [4]

A norma europia com relao a VTCDs, apresenta abordagem para afundamentos de

tenso, sendo estes denominados de voltage dips. As elevaes de tenso no so abrangidas por
tal norma, que se limita a definir tais eventos como: transitrios de sobretenso (transient
overvoltage) e sobretenso temporria (temporary overvoltage), no especificando faixas de
magnitude e durao.
A caracterizao de uma VTCD pela M&D do evento diferente das normas americana e
brasileira. A Magnitude de uma VTCD definida como a diferena entre o valor nominal da tenso
(Vn) e o extremo do valor da tenso eficaz da tenso residual (Vres), normalmente expressa em
porcentagem (%) ou valor por unidade (pu).
Vn Vres Vn Vres
VMag = ( pu ) ou VMag % = 100 (%) (6.3)
Vn Vn
A diferena entre o valor nominal e o valor residual da tenso, tambm definida como
tenso de afundamento Voltage Dip (VDip).
V Dip = Vn Vres (V ) (6.4)
A Durao do evento definida da mesma maneira que a norma americana e recomendao
brasileira.
Tabela 6.3- Classificao das VTCDs segundo CENELEC - EN 50160 [4]
Denominao Durao do Evento Amplitude do Evento
Afundamento de Tenso
0,5 ciclo 1 minuto 0,01 0,9 pu
(Voltage Dips)
Interrupo de Curta Durao
0,5 ciclo 3 minutos < 0,01 pu
(Short Interruption)
Interrupo de Longa Durao
> 3 minutos < 0,01 pu
(Long Interruption)
Transitrio de Sobretenso
No definido > 1,1 pu
(Transient overvoltage)
Sobretenso Temporria
No definido > 1,1 pu
(Temporary overvoltage)

Na figura 6.2 apresentado o mesmo evento da figura 6.1. A magnitude determinada pela
equao(6.4), assim V 68,0 % ou V 0,68 pu e durao de t 92,0 ms (5,52 ciclos).
A norma europia no faz a caracterizao e classificao de eventos de elevao de tenso.
2
Comportamento da Tenso na Fase (ex: Va)
1.5 Comportamento do Valor Eficaz da Tenso (Vrms)

1 Vn
Vref
VDip
0.5 Vn
TENSAO (PU)

Vres
0

-0.5

-1

-1.5
t (Durao)
ti tf
-2
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
TEMPO (s)

Figura 6.2 - Caracterizao de Afundamento de Tenso pela Norma Europia.

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6.2 Tolerncia de equipamentos a VTCDs

Uma prtica indevida a aplicao da metodologia da M&D comparando os resultados com

os limites de tolerncia de equipamentos, como o caso da curva CBEMA/ITIC [5,6] e da curva
SEMI F47 [7]. A tcnica de M&D foi definida para caracterizao do evento no contexto de QEE,
enquanto os limites de tolerncias so de utilizao especfica de fabricantes de equipamentos que
definem tais limites como critrios de projeto para condies mnimas de suportabilidade dos
equipamentos por eles fabricados.

6.2.1 Limites CBEMA/ITIC

Com a expanso do uso de equipamentos de informtica e eletrnicos domsticos, que so

bastante sensveis s variaes da tenso de alimentao, tornou-se necessrio padronizar as
condies de teste para verificar a suportabilidade dos equipamentos aos distrbios provenientes da
rede. Como guia para os fabricantes de equipamentos na rea de informtica, os EUA
estabeleceram a norma ANSI/IEEE Std. 446 [5], conhecida como curva CBEMA propondo metas a
serem satisfeitas pelas fontes e dispositivos que alimentam computadores com relao s variaes
de tenso e respectivas duraes suportveis. O objetivo uniformizar os limites de suportabilidade
de variaes da tenso de alimentao a dispositivos eletrnicos, particularmente os destinados ao
processamento de dados. Foram estabelecidas curvas magnitude x durao para variaes de
tenses abaixo e acima da nominal como mostra a figura abaixo. Como de se esperar, eventos de
menor durao podem ter maiores excurses. Essa norma trata os eventos isoladamente, e por isso
no avalia o efeito das flutuaes de tenso com relao ao efeito flicker.
Como mostra a figura 6.3.a, a norma prescreve que os equipamentos de informtica devem
suportar interrupes completas da tenso da rede durante intervalos de at meio ciclo. Para isso os
fabricantes das fontes devem prever suficiente capacidade de armazenamento de energia em
capacitores e/ou baterias para suprir a carga eletrnica durante a falta da rede. De at 30 ciclos
(meio segundo) as cargas devem suportar subtenses que variam inversamente com a durao e, no
caso de subtenses sustentadas, as cargas devem suportar at 13% de reduo da tenso nominal.
Para o caso de sobretenses, est previsto que as cargas devem suportar em regime
aumentos de 6% do valor nominal e no caso de surtos muito rpidos (durao < 0.01 ciclo), at
quase 300% de sobretenso. Para eventos com durao de 1 ciclo, os valores suportveis so 70%
para subtenso e 15% para sobretenso.
Em geral as sobretenses tem a ver com a ruptura do dieltrico ou o breakdown de
semicondutores, enquanto que as subtenses se relacionam com a deficincia de energia
armazenada.
Aps algumas modificaes, foi apresentada em 1997 uma nova verso para os limites de
tolerncia conhecida como CBEMA/ITIC ou simplesmente ITIC [6] (Information Tecnology
Industry Council) e mostrada na figura 6.3.b, sendo devidamente aprovada no ano de 2000, com os
limites definidos para serem aplicados a equipamentos eletrnicos e computadores relacionados
tecnologia da informao (TI).

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Figura 6.3.a.Curva CBEMA: Limites de durao de sub e sobretenses.

Figura 6.3.b. Curva ITIC para durao de sub e sobretenses. Envelope de tolerncia de tenso
tpico para sistema computacional (adaptado da norma IEEE 466).

Essa curva passou a ser uma referncia para verificao do nvel de vulnerabilidade de
equipamentos comparando-se a curva de sensibilidade do equipamento com a curva das variaes
permitidas ou observadas durante um determinado intervalo de tempo (por ex. 1 ano).
Nota-se na figura 6.3.b que, em regime, a tenso deve estar limitada a uma sobretenso de
10% e uma subtenso de 10%. Quanto menor a durao da perturbao, maior a alterao admitida,
uma vez que os elementos armazenadores de energia internos ao equipamento devem ser capazes de

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absorve-la. Assim, por exemplo, a tenso pode ir a zero por um ciclo, ou ainda haver um surto de
tenso com 2 vezes o valor nominal (eficaz), desde que com durao inferior a 1ms.
Uma outra definio em termos da tenso suprida a Distoro Harmnica Total (THD) que
tem um limite de 5%. Alm disso, para alimentao trifsica, tolera-se um desbalanceamento entre
as fases de 3 a 6%. No que se refere freqncia, tem-se um desvio mximo admissvel de +0,5Hz
(em torno de 60Hz), com uma mxima taxa de variao de 1Hz/s.

6.2.2 Limites SEMI

O limite de tolerncia da SEMI F47 [7], desenvolvido e apresentado pelo Semiconductor

Equipment and Materials Institute SEMI, abrange apenas os distrbios de afundamento de
tenso, no contemplando as elevaes de tenso. Esta norma aplicada a equipamentos e
processos ligados a fabricantes de semicondutores para verificar a imunidade contra afundamentos
de tenso. Um ponto peculiar nesta norma que os processos dos fabricantes devem atender os
limites estabelecidos pela SEMI F47 sem a utilizao de suprimento auxiliar de energia, como por
exemplo, UPS (Uninterruptable Power Supply ou No-Breaks).

120
% DA TENSAO NOMINAL (EFICAZ OU EQUIV. DE PICO)

100

Regio de Operao Normal

80

Limite para Afundamentos de Tenso

60

40 Regio de Desligamento

20

0 -1 0 1 2 3 4
10 10 10 10 10 10
DURAAO EM CICLOS DE 60Hz

Figura 6.4 Limites de Tolerncia SEMI F47 [7].

6.3 Comportamento de cargas eletrnicas frente a VTCDs

Os efeitos de uma VTCD sobre uma carga dependem fortemente do tipo de evento e do tipo de
carga.
Cargas cuja operao depende do valor eficaz da tenso so bem caracterizadas pelos valores
M&D. J as cargas eletrnicas que possuem no estgio de entrada um retificador a diodos com
filtro capacitivo (o que engloba a maior parte das cargas eletrnicas de baixa e mdia potncia), o
comportamento muito distinto.
A figura 6.5 mostra o circuito e o decorrente comportamento da tenso de sada de um
retificador monofsico com filtro capacitivo. Note-se que a tenso CC a que interessa para o
circuito alimentado por este retificador. A figura indica um hipottico ponto de desligamento (PD)
no qual o equipamento deixaria de operar. Observe-se tambm que a resposta a uma elevao de

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tenso imediata, pois o circuito sensvel ao valor de pico da tenso de entrada e no ao seu valor
eficaz.
tr

iT
e (t)
iC iR
C + R
vret (t) vc (t) vR(t)

TENSAO CA (V)
200

100

0 (a)

-100

-200

0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35

TEMPO (s)
TENSAO CC (V)
250

200
Vlim
150
(b)
PD PD
100 o o Vmn

50

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
TEMPO (s)

Figura 6.5 Circuito de retificador monofsico com filtro capacitivo e formas de onda de entrada e
sada na ocorrncia de distrbios na tenso CA.
A figura 6.6 mostra possveis distrbios em uma alimentao trifsica, supondo um
retificador com filtro capacitivo. Note-se que no caso de afundamento de tenso em uma das fases
no h efeito muito pronunciado na sada CC, alm de um aumento na ondulao da tenso, pois o
retificador passa a operar como um retificador bifsico. Quando ocorre a interrupo, a queda da
tenso depender da potncia consumida pela carga. No restabelecimento da tenso o retorno
muito rpido, assim como a sobretenso que se observa quando ocorre uma elevao de tenso em
uma das fases.
A figura 6.7 mostra duas formas de onda de tenso, ambas contm a 5 harmnica, porm
uma com fase invertida da outra. Em (a) a fase de 0 e em (b) a fase de 180. Os valores eficazes
das duas formas de onda so iguais, ou seja, qualquer afundamento de tenso que fosse igual tanto
em (a) quanto em (b) teriam o mesmo valor de magnitude, porque a evoluo do valor eficaz se d
da mesma maneira.
Porm, supondo-se que tais tenses (a) e (b) sejam aplicadas a uma carga eletrnica com um
retificador com filtro capacitivo, possvel notar que a dinmica de vC(t) do grfico (a) diferente
de vC(t) do grfico (b). Assim uma VTCD afetaria de modo diferente o equipamento eletrnico
somente pelo motivo de as componentes harmnicas terem diferena de fase.

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TENSAO (V)
300
Elevao FC
200 (A)(B)(C)

100

0 (a
-100

-200 Interrupo FA, FB e

Afundamento
-300
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
TEMPO (s)

400
vc(t)
300

200
o o Vmn
PD PD
100

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25

Figura 6.6 Formas de onda CA e CC em retificador trifsico com filtro capacitivo frente a distrbios
na alimentao.

1.5 1.5
vc(t) COM HARMONICA vc(t) COM HARMONICA
vc(t) SEM HARMONICA vc(t) SEM HARMONICA
EVOLUO DO VALOR EFICAZ (Vef) EVOLUAO DO VALOR EFICAZ (Vef)
1 1

0.72 0.72

0.5 0.5
0.36 0.36
TENSAO (PU)

TENSAO (PU)

0 0

-0.5 -0.5

-1 -1
COM HARMONICA COM HARMONICA
SEM HARMONICA SEM HARMONICA

-1.5 -1.5
0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1 0.11 0.12 0.13 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1 0.11 0.12 0.13
TEMPO (S) TEMPO (S)
tafund tafund

(a) Harmnico fase 0 (b) Harmnico fase 180

Figura 6.7 Cargas que No Respondem ao Valor Eficaz e Influncia de Harmnicos.

Nos grficos da figura 6.7 pode-se perceber dois efeitos que no so caracterizados pelo
valor eficaz da tenso: o primeiro que o equipamento responde pelo valor vc(t) e o segundo que
a composio harmnica e suas fases podem afetar o equipamento de modo distinto. Este ltimo
torna-se relevante principalmente porque muitos afundamentos de tenso perdem a caracterstica
senoidal da tenso.
A figura 6.8 mostra a inadequao da medio por M&D para bem caracterizar os
distrbios. Ambos eventos possuem os mesmos valores definidos para magnitude e durao, como
se v na figura 6.9. No entanto, a depender da carga alimentada, o impacto da perturbao pode ser

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muito distinto, uma vez que a medio do valor eficaz pode no representar adequadamente o
resultado do fenmeno sobre a carga, especialmente se for uma carga eletrnica.

EVENTO 01 - AFUNDAMENTO RETANGULAR EVENTO 02 AFUNDAMENTO COM PERFIL IRREGULAR

200 200
Vnominal=127V Vnominal=127V

150 150 Vreferncia=90% Vnominal

Vref.=90% de Vnominal
100 100
Vresidual=50,8V

50
TENSAO (V)

50

TENSAO (V)
0 0

-50 -50

-100
-100
Vresidual=50,8V
-150
-150

-200
-200 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22
0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22 TEMPO (S)
TEMPO (s) tafund
tafund

(a) (b)
Figura 6.8 Eventos de Afundamento de Tenso com mesma Magnitude e Durao
200
% da TENSAO NOMINAL (RMS ou PICO EQUIV.)

180

160

140 LIMITE DE SOBRETENSES

120
110
100
90
80

60 LIMITE DE SUBTENSES
40
EVENTOS 01 E 02
20 "MAGNITUDE E DURAO"

0 -3 -2 -1 0 1 2
10 10 10 10 10 10
DURACAO (S)

Figura 6.9 Eventos 01 e 02 Distintos com mesma Representao de M&D.

6.4 Dinmica Lenta do Clculo do Valor Eficaz Janela de 1 Ciclo

O clculo do valor eficaz da tenso uma mdia quadrtica com perodo T. Em aplicaes de
instrumentao, utilizando-se tcnicas de processamento digital de sinais, o valor eficaz da tenso
pode ser definido conforme equao (6.5) [1,3,12,17].

1 N 1 2
Vef [k ] = v [ k n] (6.5)
N n =0
N nmero de amostras da janela mvel
v[k] k-sima amostra da tenso

A utilizao da equao(6.5) baseia-se em uuma janela mvel de N amostras no perodo de

integrao, equao (6.6) calculados de modo contnuo, atualizando-se a janela mvel amostra a
amostra.

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T = N ta (6.6)
ta taxa de amostragem

A atualizao contnua das amostras no clculo do valor eficaz mostra que existe um
perodo de convergncia de N amostras que normalmente o prprio perodo da fundamental da
rede eltrica. Esse perodo de convergncia insere um erro na avaliao da durao de um evento,
como mostrado na figure 6.10. Na interrupo com durao de 1 ciclo, possvel perceber que o
valor eficaz da tenso levou 1 ciclo para atingir o valor da interrupo e aps o restabelecimento da
tenso de entrada o valor eficaz levou mais 1 ciclo para voltar ao valor da condio normal de
operao.

250
Valor Eficaz da Tenso (Vef)
200 2 CICLOS

150

100

50
TENSAO (V)

-50

-100

-150

-200 1 CICLO

-250
0.3 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.4
TEMPO (s)

Figura 6.10 Resposta do Valor Eficaz para Janela Mvel de 1 Ciclo.

Assim, para qualquer distrbio de VTCD, a durao apresentada pelo valor eficaz da tenso
acrescentar 1 ciclo na durao do evento. Esse erro mais crtico em evento de curta durao pois
o erro de 1 ciclo torna-se significativo, como no caso da figura 6.10. Esse erro pode ser observado
na norma brasileira, j que considera o menor distrbio de VTCD quando seu valor for maior ou
igual a 1ciclo.
Considerando a norma europia e americana, nas quais o menor evento classificado como
VTCD tem durao maior ou igual a ciclo e supondo a utilizao de uma janela mvel de um
ciclo, tem-se um novo problema na avaliao do distrbio, alm do descrito anteriormente, na
durao do evento.
Devido ao tempo de convergncia, eventos menores que 1 ciclo no so avaliados
corretamente quanto sua magnitude, justamente porque a janela mvel, sendo uma mdia
quadrtica de 1 ciclo, nunca ser preenchida por completo, no conseguindo atingir o valor correto
de magnitude, como no caso da figura 6.11 para uma interrupo de ciclo.
Poderia ser sugerida a utilizao da janela mvel de ciclo, diminuindo o erro na avaliao
da durao e o valor da magnitude atingiria o valor correto, mas isso tambm pode no ser
adequado, e o que ser discutido a seguir.

6.4.1 Assimetria de Onda - Clculo do Valor Eficaz Janela de Ciclo

Utilizando-se uma janela de meio ciclo, o problema de convergncia ainda existe, porm o
erro na avaliao de uma VTCD se reduz a ciclo, e este erro ainda seria significativo para VTCD
com valores pequenos de durao, figura 6.12.

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250
Valor Eficaz da Tenso (Vef) Tenso Residual No Vai a Zero
200

150

100

50

TENSAO (V)
0

-50

-100

-150

-200
Interrupo de 1/2 Ciclo

-250
0.3 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.4
TEMPO (s)

Figura 6.11 Janela Mvel de 1 Ciclo e Interrupo de Ciclo.

250
Valor Eficaz da Tenso (Vef)
1 1/2 CICLOS
200

150

100

50
TENSAO (V)

-50

-100

-150

1 CICLO
-200

-250
0.3 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.4
TEMPO (s)

Figura 6.12 Resposta do Valor Eficaz para Janela Mvel de 0,5 Ciclo.
A utilizao da janela mvel de ciclo ainda apresenta outro problema que est relacionado
assimetria de meia onda, ou seja, o semi-ciclo positivo ser diferente do semi-ciclo negativo. Na
figura 6.13 mostrada a tenso de entrada com 2 harmnica em que seu valor 20% da
fundamental. Devido assimetria de meia onda causada pela 2 harmnica, o valor eficaz da tenso
torna-se oscilante o que no ocorreria se a janela mvel aplicada fosse de 1 ciclo do perodo da
fundamental.
250
Valor Eficaz da Tenso (Vef)
200

150

100

50
TENSAO (V)

-50

-100

-150

-200
Fundamental + 2 Harmnico
-250
0.3 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.4
TEMPO (s)

Figura 6.13 Janela de Ciclo e Assimetria de Meia Onda (Fundamental + 2 harmnica).

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Avaliao da Qualidade da Energia Eltrica S.M.Deckmann e J. A. Pomilio

Referncias
[1] Operador Nacional do Sistema Eltrico - ONS, Padres de Desempenho da Rede Bsica
Submdulo 2.2, Procedimentos de Rede, reviso 2, 2002, Brasil.
[2] ANEEL (2010), Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico
Nacional PRODIST. Mdulo 8 Qualidade da Energia Eltrica
[3] IEEE Standard 1159; IEEE Recommended Practice for Monitoring Electric Power
Quality, Institute of Electrical and Electronics Engineers, junho, 1995 e IEEE Task
Force p1159 Monitoring Electric Power Quality, Institute of Electrical and Electronics
Engineers, fevereiro, 2002.
[4] CENELEC EN 50160; Voltage Characteristics of Electricity Supplied by Public
Distribution Systems, European Committee for Electro technical Standardization, 1999.
[5] IEEE Standard 446; IEEE Recommended Practice For Emergency And Standby Power
Systems For Industrial And Commercial Applications, Institute of Electrical and
Electronics Engineers, dezembro, 1995.
[6] ITI (CBEMA) curve Application Note; Technical Committee 3 (TC3) of the Information
Technology Industry Council; Disponvel em: http://www.itic.org/technical/iticurv.pdf.
[7] SEMI F47; Specification for Semiconductor Processing Equipment Voltage Sag
Immunity, SEMI Semiconductor Equipment and Material Institute.

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