CONDUZIONE ELETTRICA NEI

SOLIDI
Elettroni di conduzione dei metalli
Riempimento degli stati permessi : la distribuzione di Fermi-Dirac
Bande permesse e bande proibite
Conduttori, isolanti e semiconduttori
Semiconduttori drogati
La giunzione p-n
Il diodo
Optoelettronica : LED, diodo laser e fotodiodo
Transistor a giunzione ed a effetto di campo
I materiali superconduttori e la teoria BCS
HTSC : High Temperature SuperConductors
( in rosso gli argomenti facoltativi )
 Principi statistici e meccanicistici
Teoria quantistica dei solidi : differenze rispetto alla teoria quantistica degli atomi
Gli elettroni di conduzione non appartengono ad un particolare atomo e sono in un grande
numero. Non ha senso occuparsi del singolo elettrone, quanto piuttosto dellelettrone medio
Gli atomi sono cos vicini da influenzare i livelli di energia : i livelli energetici si ampliano in
bande
Continua a valere il principio di esclusione di Pauli : anzi, questo viene esteso a tutto il solido.
Gli elettroni legati allatomo non possono avere la stessa serie di numeri quantici. Quando
appartengono a due atomi che vengono in contatto tra di loro, il principio di esclusione si
applica a quelli pi esterni, che si trovano in pratica nello stesso punto : nasce quindi un forza di
respulsione che impedisce la compenetrazione tra gli atomi. Per gli elettroni liberi che
partecipano alla conduzione elettrica, il principio di esclusione si applica su base statistica.
 Elettroni di conduzione nei metalli
Prendiamo in considerazione il rame, buon conduttore elettrico :
Dei 29 elettroni, 28 sono legati allatomo ed 1 libero
Se immaginiamo un gas di elettroni liberi, facile calcolare la resistivit elettrica tenendo presente che per
leffetto Joule lelettrone non pu acquisire energia dal campo elettrico, ma deve cedere tutta la sua energia
acquisita in un libero cammino medio allatomo con cui urta ( vibrazioni reticolari o fononi ). Quindi si pu
parlare solo di velocit media tra un urto ed il successivo. Questa velocit in un certo istante data da at,
dato che la velocit iniziale nulla. Il tempo medio tra un urto e laltro dato da , tempo di rilassamento
elettronico, quindi

eE ne 2
j = nev = nea = ne = E
m m
da cui si ottiene la resistivit =E/j=m/(ne2). In effetti gli elettroni non sono liberi, ma sono confinati in una
scatola che ha le stesse pareti del conduttore in esame, dato che gli elettroni non escono dalla scatola
spontaneamente. Possiamo immaginare questa scatola come una buca di potenziale a tre dimensioni con
energia potenziale interna nulla ed esterna molto grande, per semplicit infinita. Allora siamo in grado di
calcolare gli stati energetici degli elettroni nella scatola, ma, dato che questa molto grande, questi stati
avranno una distribuzione praticamente continua: in un cm3 di rame gli stati tra 5 eV e 5.01 eV sono 1020, due
ordini di grandezza in meno del numero di elettroni. Ma il problema : quanti sono gli elettroni effettivamente
in grado di muoversi ? Infatti bisogna tener conto del principio di Pauli.
Riempimento degli stati permessi
Il numero o meglio la densit di stati si pu calcolare immaginando
una scatola di volume L3 : i valori permessi di k avranno una
separazione pari a 2/L, ossia abbiamo uno stato in L/(2). In tre
dimensioni avremo un stato in L3/(2)3, quindi in un volumetto d3k

V 4p 2 dp 4 2m 3
dn = d k =V
3
=V E dE
(2 )3
(2 ) h
3 3
h3
Avendo considerato gli elettroni con energia compresa fra E e E+dE.
Dobbiamo ancora moltiplicare per un fattore 2 per tenere conto dello
spin. Se siamo allo zero assoluto, tutti gli stati sono pieni fino al livello di
Fermi, quindi

EF 8 2m3 EF 8 2m 3 2 32
n= n( E )dE = E dE = E F
3
0 h3 0 h3
2
2
h 3n 3
EF =
da cui
8m
 Qualche considerazione
Lenergia di Fermi messa in relazione con la concentrazione di elettroni. Dato che lenergia di Fermi
unenergia cinetica, la possiamo scrivere come

p 2 F h 2k 2 F
E= =
2m 2m
Dove pF e kF si indicano come impulso di Fermi( attenzione alle diverse unit di misura!) e kF ha una
semplice espressione
1
k = (3 n)
F
2 3

e dipende semplicemente dalla concentrazione di elettroni ( e quindi degli atomi : per il rame con densit
circa 8 g/cm3 abbiamo una densit atomica di 8.5 1022 cm-3 da cui si ottiene kF=1.5 108 cm-1, dello stesso
ordine di grandezza del reciproco della distanza interatomica. E facile vedere che secondo questi dati
lenergia di Fermi di diversi eV e cio 7.06 eV. Quindi, allo zero assoluto, non abbiamo energie nulle
degli elettroni, ma energie che vanno fino a temperature equivalenti di circa 90000 K! Questa una
diretta conseguenza della statistica di Fermi-Dirac ( e del principio di esclusione ).
La distribuzione di Fermi-Dirac
Ad una temperatura diversa da zero le cose non cambiano molto : Per
ottenere la distribuzione energetica degli elettroni no(E) devo moltiplicare
la densit di stati n(E) per la probabilit che questi siano occupati p(E)
ossia no(E)=n(E)p(E) dove p(E) viene dato dalla statistica di Fermi-Dirac
3
8 2m 2
E
no ( E ) = n( E ) p ( E ) =
h3 E EF
exp +1
kT
A temperatura ambiente non abbiamo una grande variazione rispetto
alla situazione a 0 K : la larghezza della variazione attorno a EF
dellordine di kT=0.0259 eV, da paragonarsi con EF=7.06 eV (ad
esempio per il rame).Una piccola porzione degli elettroni che prima
erano ad energie inferiori ad EF si sono portati ad energie superiori
lasciando al di sotto di EF degli stati liberi.In questa situazione gli
elettroni possono acquistare energia a spese di un campo elettrico
perch trovano degli stati non ancora occupati ma per i quali la
probabilit di occupazione diversa da zero. Gli elettroni si muovono
con velocit molto grandi, ma in genere si scambiano unicamente la
loro posizione energetica, lasciando inalterata la situazione complessiva
 Conduzione elettrica nei metalli
Dimentichiamo per un attimo la distribuzione della densit di
stati, che non varia molto attorno ad EF : possiamo
rappresentare la distribuzione di Fermi-Dirac in termini di
velocit, che potranno essere sia positive che negative ( in
realt sono dirette secondo tutte le direzioni ).Per ogni valore
di velocit abbiamo quindi anche il valore opposto, con la
stessa energia cinetica e la stessa probabilit di occupazione,
quindi la velocit media complessiva sar nulla. La situazione
pu cambiare solo se si applica un campo elettrico E, che fa
aumentare la velocit media del valore

eE
v =
m

dove il tempo di rilassamento elettronico, ossia lintervallo di tempo medio tra un urto e quello
successivo. In pratica una fetta di elettroni allestrema sinistra della distribuzione viene traslata
sullestremit destra, la distribuzioine non pi simmetrica e la velocit media nella direzione del campo
elettrico, detta velocit di deriva o di drift risulta diversa da zero ( viene data dalla relazione precedente
).Nella realt dovremmo calcolare un valore medio della velocit pesato sugli stati occupati, ossia pesato
con Ep(E): il calcolo viene effettuato utilizzando i cosiddetti integrali di Fermi, che sono tabulati.
Bande permesse e bande proibite
Abbiamo visto che gli elettroni possono essere estratti dal metallo
attraverso leffetto fotoelettrico : quindi il modello fin qui adottato
devessere modificato nel senso che alla superficie del metallo compare
una barriera di potenziale pari al lavoro di estrazione del metallo
stesso. Possiamo adesso aggiungere le energie potenziali degli elettroni
nei singoli atomi ( immaginiamo atomi idrogenoidi con lelettrone
esterno molto debolmente legato ed il nocciolo ionico interno con
ununica carica positiva ) ed i livelli energetici quantizzati degli stessi
elettroni : se risolviamo lequazione di Schroedinger in questa nuova
situazione, tenendo conto delle differenze tra le energie potenziali degli
elettroni negli atomi isolati e la nuova energia potenziale complessiva
o potenziale cristallino ( che si pu immaginare derivi dalla
sovrapposizione delle energie potenziali dei singoli atomi ), vediamo che
i singoli livelli atomici si allargano in un continuo o banda di livelli.
Dato che la differenza tra il potenziale atomico e quello cristallino
aumenta andando verso il punto di mezzo della distanza fra due atomi,
avremo che lallargamento sar molto minore per gli elettroni pi
interni, che vedono solo il loro poteziale atomico, mentre sar molto
maggiore per quelli pi esterni, che incominciano a vedere anche i
potenziali degli atomi vicini. In pratica, la funzione donda di questi
elettroni si estende in una regione in cui sono presenti i potenziali di
atomi vicini.
 Formazione delle bande

Portiamo a contatto due atomi di rame : gli elettroni pi

esterni 4s sovrapporranno le loro funzioni donda: ossia
ognuno dei due elettroni ha una probabilit diversa da zero
( uguale se siamo a met delle distanza interatomica) di
stare su un atomo o sullaltro. I due sistemi elettronici che
hanno la stessa energia la possono scambiare, esattamente
come due pendoli o due oscillatori accoppiati. In questo
caso sappiamo che abbiamo il fenomeno dei battimenti, che Se abbiamo N atomi accoppiati, avremo una
possono essere spiegati con due frequenze diverse, separazione in N livelli, molto vicini tra di loro,
dipendentemente dallintensit o dalla forza che in pratica formano una banda.
dellaccoppiamento.
 Il punto di vista della meccanica
quantistica
Prendiamo due funzioni donda 1s ( per semplicit ) centrate su due atomi 1 e 2 vicini ed indichiamole con
1 e 2 : se lelettrone pu stare su entrambi gli atomi, dovr prendere come funzione donda una
combinazione delle due funzioni, ma dato che non posso fare preferenze le combinazioni saranno con
coefficienti unitari. Dato che la probabilit non dipende dal segno della funzione, i coefficienti saranno solo
+1 e 1 ( a parte la normalizzazione della funzione ): quindi avr una combinazione simmetrica

S = 1 + 2 ed una combinazione antisimmetrica S = 1 2

In termini di meccanica quantistica possiamo dire di aver eliminato la degenerazione dei due stati.Nella
combinazione simmetrica avremo una buona sovrapposizione a met della distanza interatomica, dove il
potenziale di perturbazione ossia la differenza tra quello atomico e quello cristallino massimo, mentre
nella combinazione antisimmetrica la sovrapposizione in pratica nulla per stati 1s. Nel primo caso, il
valore dellenergia del livello viene corretto dal valore medio dellenergia di perturbazione pesato sulla
densit di probabilit della nuova funzione donda ( e quindi si abbassa, dato che il potenziale di
perturbazione negativo ), mentre nel secondo caso la variazione pi piccola ( la funzione donda zero
dove in potenziale massimo ed aumenta verso i due atomi sui quali questo potenziale nullo ).
Questo metodo perturbativo detto del legame forte e parte dalle funzioni donda atomiche. Nel caso
di sovrapposizione di N funzioni, si andr da una funzione donda totalmente simmetrica ad unaltra
totalmente antisimmetrica ( ossia ogni nviene moltiplicata per (-1)n :la separazione dei livelli
corrispondenti uguale alla precedente, ma adesso ad ogni combinazione di funzioni donda corrisponde
un livello energetico allinterno di questa separazione, che dipende unicamente dai due atomi vicini.
 Conduttori, isolanti e semiconduttori
Gli allargamenti delle bande possono essere piccoli o comunque
tali da restringere ma non annullare le bande proibite ossia gli
intervalli di energia tra un livello e laltro, ma in molti casi possono
essere tali da ridurre a zero questi intervalli. Questi effetti
riguardano quasi unicamente il livello energetico pi esterno, che
va a formare la banda di valenza, mentre il primo livello eccitato (
vuoto ) va a formare la banda di conduzione. Il caso di riduzione a
zero della gap proibita dato dalla metallizzazione che
mediamente avviene per atomi pesanti, con una forte interazione
tra atomi vicini a causa della grande frazione di impaccamento.
Nel caso dei metalli leggeri ( Na, Li, ecc. ) del gruppo 1 si ha un
altro fenomeno : la banda di valenza ha un numero di livelli pari al
numero di atomi, ma ogni livello pu essere occupato da due
elettroni con spin opposto, quindi potr essere piena solo per met. In entrambi i casi il livello di Fermi si
trova allinterno di una banda, ci sono livelli ad energia pi elevata entro kT al di sopra e quindi la
conduzione elettrica possibile. Quando invece, per qualunque motivo ( ad esempio gli atomi del gruppo 2
hanno due elettroni per atomo e quindi possono occupare lintera banda di valenza ) abbiamo la banda di
valenza completamente piena, la conduzione elettrica non possibile, in quanto gli stati vuoti disponibili si
trovano ad unenergia in genere molto maggiore di kT e quindi la loro probabilit di occupazione molto
bassa( a distanze da EF pari a diversi kT il decadimento della probabilit esponenziale). In questi casi gli
stati in banda di conduzione possono essere occupati mediante transizioni ottiche o drogaggio.
I semiconduttori
Gli isolanti possono avere bande proibite o energy gap fino a diversi
eV. Il diamante arriva a 5.5 eV, ossia circa 200 volte il kT a
temperatura ambiente (300 K). I materiali con gap superiore a 2 eV in
genere non si possono drogare e restano isolanti. I materiali con
gap minore si possono drogare con elementi che hanno una valenza
in pi o in meno. Un esempio dato dal silicio, che con una gap di
1.1 eV sarebbe isolante ma, drogato ad esempio con fosforo, che ha
un elettrone in pi, diventa conduttore, con una concentrazione di
elettroni pari alla concentrazione di atomi di fosforo.

Infatti lelettrone i pi risuta poco

legato e con poca energia diventa
libero, ossia passa nella banda di
conduzione, mentre gli altri
elettroni partecipano al legame.
Analogamente un atomo di boro,
con un elettrone in meno, pu
ricevere un elettrone dalla banda di
valenza : gli elettroni allora hanno
un livello o posto vuoto ad energia
pi alta e si possono muovere.
 I semiconduttori drogati

In pratica il posto vuoto che si muove in senso opposto agli elettroni, come una carica positiva : si chiama
lacuna. In ogni caso il drogaggio non pu arrivare a concentrazioni molto superiori a 1019cm-3, cio tre ordini di
grandezza in meno dei metalli. Gli atomi che forniscono elettroni si chiamano donori mentre quelli che danno
luogo a lacune si chiamano accettori, dato che ricevono un elettrone dalla banda di valenza. Latomo donore si
comporta in pratica come un atomo di idrogeno, ma con lelettrone molto meno legato, tale cio da renderlo
libero a temperatura ambiente. La stessa cosa avviene per latomo accettore, che ha una lacuna invece
dellelettrone. A bassa temperatura i legami non si rompono e si pu imaginare che elettroni e lacune descrivano
orbite molto ampie ( alcuni nm di raggio ) attorno al loro nocciolo ionico. Elettroni e lacune costituiscono i
portatori di carica : in genere difficile non avere anche portatori di carica di segno opposto.
 I semiconduttori drogati - 2
Un semiconduttore come il silicio drogato con atomi donori si dice di tipo n e gli elettroni saranno i portatori
maggioritari. Se invece drogato con atomi accettori si dice di tipo p e i portatori maggioritari saranno le
lacune. Non si pu escludere che vi siano portatori minoritari : lacune nel primo caso, ed elettroni nel
secondo, a livelli evidentemente molto bassi ( 1013 cm-3 ad esempio, ossia una parte per miliardo, mentre i
portatori maggioritari potranno essere 1016 1017 cm-3 per drogaggi normali ).
La resistivit dei semiconduttori molto pi elevata di quella dei metalli : il silicio drogato pu avere resistivit
da 1 cm con drogaggi di 1016 cm-3 fino a 106 cm nel caso che sia praticamente puro ossia non
intenzionalmente drogato, o fino a 10-3 cm nel caso di drogaggi n+ di 1019 cm-3, mentre il rame ad esempio
ha una resistivit di 2 10-6 cm. ( 1 m = 102 cm )
Il coefficiente di temperatura della resistivit ( =1/( d/dT, ossia la variazione percentuale di resistivit per
grado Kelvin ) nei metalli positivo, mentre nei semconduttori negativo. Infatti nel primo caso allaumentare
della temperatura aumenta lintensit degli urti con gli atomi o meglio con le vibrazioni atomiche ( fononi ),
mentre la concentrazione dei portatori resta costante. Nel caso dei semconduttori, invece, leffetto pi
importante laumento della concentrazione di portatori con la temperatura, che in pratica varia in modo
esponenziale n exp((EC- ED)/2kT), dove EC lenergia della banda di conduzione e ED lenergia del donore,
mentre la variazione della mobilit dei portatori molto pi bassa ( ad esempio con T-2 ). Nel caso delle lacune
entra in gioco la differenza tra lenergia dellaccettore e quella della banda di valenza EA-EV . La resistivit viene
data dalla relazione

= (ne ) 1 dove n la concentrazione dei portatori e m la loro mobilit, data dalla velocit di
deriva per unit di campo elettrico.
La giunzione p-n
Unendo idealmente due semiconduttori uguali ma
diversamente drogati ( p e n ) si forma una giunzione: gli
elettroni della parte n diffondono nella parte p andando a
riempire gli accettori. Si formano due zone cariche ( donori
ionizzati positivi da una parte ed accettori con un elettrone in
pi e quindi negativi dallaltra ): tra queste due zone si crea
un campo elettrico che ad un certo punto blocca lulteriore
diffusione degli elettroni. In condizioni di equilibrio il livello di
Fermi sar uniforme : quindi la banda di conduzione ( ed
anche quella di valenza, dato che la gap la stessa ) sar pi
alta in energia nella parte p che ha la carica negativa ( per
portare gli elettroni dovr fare un lavoro ). Il salto di energia
potenziale degli elettroni si indica con eVo, dove vo il
potenziale di diffusione. Gli elettroni maggioritari nella parte n
nella coda ad energia pi elevata potranno essere in grado di
diffondere nella parte p, diventando minoritari e
ricombinandosi con le lacune. Nello stesso tempo gli elettroni
minoritari nella parte p potranno scendere lungo la caduta di
energia potenziale verso la parte n : per mantenere le
condizioni di equilibrio le due correnti ( di diffusione e di
deriva ) dovranno essere uguali : la corrente netta attraverso
la giunzione quindi nulla.
 Capacit di giunzione
Nella zona di carica spaziale il campo elettrico sar tale
daspazzare via qualunque tipo di portatore : si tratta quinidi
di una zona di svuotamento, con una campo elettrico che nel
caso che le due parti siano uniformemente drogate crescer
linearmente verso il centro della giunzione. La giunzione si
comporta come un condensatore con capacit C data da

A dove la costante dielettrica del

C = semiconduttore e d lo spessore della zona :
d per d non costante, ma dipende dalla
tensione applicata alla giunzione

La tensione esterna dovr essere applicata in modo da rafforzare il potenziale di diffusione: dovr quindi
aumentare lenergia potenziale della parte p con una tensione negativa ( dato che la carica dellelettrone
negativa ) bloccando quindi ulteriormente gli elettroni . Dato che per lequazione di Poisson abbiamo una
derivata seconda in x del potenziale costante ( la densit di carica costante dalle due parti ), si ha che il
potenziale sar proporzionale al quadrato di x, ossia della distanza, quindi la distanza d sar proporzionale
alla radice quadrata del potenziale ( in questo caso Vo + Vext ). La capacit quindi diminuisce leggermente
con la tensione applicata.
Il diodo raddrizzatore
La funzione normale di una giunzione quella di raddrizzare una
corrente, ossia di lasciare passare la corrente in un solo verso.
Infatti la sua caratteristica I-V ( corrente-tensione ) decisamente
asimmetrica : la corrente molto pi elevata per polarizzazione
diretta ( V>0 ) che per polarizzazione inversa ( V<0). Se facciamo
passare una corrente alternata su una resistenza, passer solo la
corrente nella direzione della freccia, dando luogo ad una caduta di
potenziale sulla resistenza stessa, mentre nel verso contrario la
corrente sar molto bassa ( nulla nella scala scelta ). Compariranno
quindi solo le parti positive delle sinusoidi. Con schemi elettrici
opportuni ( a ponte ) si pu effettivamente raddrizzare la
corrente e renderla praticamente continua .
Funzionamento della giunzione
Con la polarizzazione inversa si accentua la caduta di
energia potenziale, che pi elevata nella parte p
polarizzata negativamente ( la carica negativa degli elettroni
cambia segno allenergia potenziale ) : si ha quindi una
debole corrente dovuta ai portatori minoritari ( elettroni
dalla parte p e lacune dalla parte n ), mentre la corrente di
diffusione scende rapidamente. Con polarizzazione diretta,
la caduta di energia potenziale si attenua e gli elettroni nella
coda esponenziale della loro distribuzione in energia sono
in grado di superare la barriera di potenziale che via via si
attenua. La stessa cosa succede alle lacune, per le quali il
ragionamento in termini di energia opposto a quello degli
elettroni ( le lacune o posti vuoti galleggiano o tendono a
salire in energia ). La zona di svuotamento aumenta nel
primo caso ( il verso della corrente tale da far aumentare
la concentrazione di elettroni nella parte p e delle lacune
nella parte n ) mentre in polarizzazione diretta succede il
contrario. La zona di svuotamento povera di portatori liberi,
molto resistiva e, se diminuisce in larghezza, fa diminuire
la resistenza. Quando le bande sono piatte, la funzione
diodo sparisce e divente semplicemente quella di una
resistenza.
 Optoelettronica
I diodi possono essere utilizzati in optoelettronica come diodi
emettitori di luce ( LED, Light Emitting Diode ) o come diodi
che trasformano un segnale luminoso in uno elettrico ( PD.
PhotoDiodes ). In polarizazzione diretta, elettroni e lacure
attraversano la giunzione in versi opposti e, incontrandosi,
hanno elevate probabilit di ricombinarsi fra di loro. La
ricombinazione in genere radiativa ed il colore della luce
emessa dipende dalla banda proibita o gap del
semiconduttore. Il silicio, essendo a gap indiretta non utile
per queste applicazioni : vengono quindi usati altri materiali (
GaAs, GaAsP, GaInAsP, GaN )

Se investiti dalla luce e polarizzati in inversa, i diodi vengono ad avere una concentrazione pi elevata di
elettroni e di lacune nella zona di giunzione, a causa di una transizione elettronica opposta a quella precedente
: il fotone se cede ad un elettrone in banda di valenza unenergia sufficiente, in grado di farlo passare in
banda di conduzione, lasciando una lacuna nella banda di valenza. La giunzione sta lavorando in condizioni di
drift dei portatori : aumenta quindi la corrente inversa in modo direttamente proporzionale allintensit della
luce assorbita e quindi anche della luce incidente. In questo caso si pu usare il silicio, anche se non molto
efficiente. In altri casi ( GaAs ad esempio ) basta un piccolo spessore ( 1 micron ) per avere un buon
assorbimento. Un caso particolare di fotodiodo a larga area rappresentato dalla cella solare : questa non
viene polarizzata : elettroni e lacune in parte si accumulano dando luogo ad una differenza di potenziale.
 Il diodo laser

I diodi laser, utilizzati nelle letture dati ( CD, dischi ottici, ecc. ) utilizzano liniezione di corrente nella zona di
giunzione per realizzare linversione di popolazione. Infatti in questa zona abbiamo elettroni in banda di
conduzione e posti vuoti in banda di valenza. Ma la concentrazione di portatori non sufficientemente
localizzata o confinata per poter ottenere un effetto laser. Si ricorre allora ad una doppia eterogiunzione,
nella quale il materiale di cui costituita la regione attiva ha una gap inferiore alle due zone laterali, delle quali
una p e laltra n. Si ottengono cos due barriere pi nette per elettroni e lacune. Dato che poi la zona centrale
ha unindice di rifrazione maggiore, si possono ottenere le condizioni di angolo limite e di riflessione totale,
concentrando anche la luce nella zona attiva ( la luce necessaria per lemissione stimolata ).
Fabbricazione di diodi laser
La fabbricazione di un diodo laser si resa possibile
tramite tecniche di deposizione epitassica di un materiale
su un altro : si utilizzano dei gas o dei fasci molecolari che
vengono condensati su un substrato, eventualmente con
reazioni chimiche alla superficie, per ottenere gli strati o
films successivi allo stato cristallino. Il drogaggio viene
effettuato direttamente in fase gassosa. Nel caso del
GaAs, che emette nel vicino infrarosso, si utilizza il buon
match reticolare tra lo stesso GaAs e il GaAlAs : la
struttura ed i passi reticolari devono essere i medesimi per
evitare difetti alle interfacce. Il GaAlAs ha una gap
maggiore del GaAs ed un indice di rifrazione minore. Dopo
il taglio del chip, due facce vengono lucidate a specchio
per realizzare lamplificazione della luce tramite molti
cammini avanti-indietro. Lefficienza di questi lasers (
20%, ossia un quinto della potenza elettrica viene
trasformata in potenza luminosa ) molto pi elevata di
quella dei lasers a gas ( 0.1% per He-Ne ). La
modulazione del segnale luminoso si ottiene facilmente
modulando la corrente elettrica nel diodo.
 Il transistor a giunzione
Se ad una giunzione p/n aggiungiamo unulteriore strato n
otteniamo un transistor ( transfer resistor, trasferimento di
resistenza tra ingresso ed uscita del segnale ). Nelo schema npn
il transistor funziona unicamente con elettroni, con collettore e
base polarizzati positivamente ( la base meno del collettore ). La
giunzione emettitore-base quindi polarizzata in diretta, gli
elettroni iniettati possono quindi raggiungere il collettore
andando ad aumentare la corrente inversa nella giunzione base-
collettore. La prima giunzione, in diretta, ha una resistenza
minore della seconda, in inversa. Nell base p gli elettroni ( qui
minoritari ) si ricombinano con le lacune, che devono quindi
essere continuamente iniettate . La frazione di elettroni che si
ricombinano molto piccola ( 1%) dato che la base sottile :
quindi con una piccola corrente di base si riesce a controllare una
corrente di collettore molto pi elevata.

Il transistor viene realizzatoin tecnologia planare facendo due successive diffusioni in un materiale n, che
funge da collettore. Prima una diffusione p e poi una pi marcata diffusione n ( n+). I contatti vengono
portati tutti sul lato superiore. Le diffusioni vengono effettuate utilizzando delle finestre nel SiO2,
ottenuto dallossidazione del Si. Le finestre sono ottenute con fotoresist e tecniche fotolitografiche.
I transistor ad effetto di campo (FET)
Il transistor, relegato ad applicazioni in cui importante la
velocit, stato sostituito da quello ad effetto di campo, pi
lento, ma pi facile per lintegrazione su vasta scale (VLSI). Nello
schema a giunzione ( non pi utilizzato ) due giunzioni
polarizzate inversamente allargano la propria zona di
svuotamento fino a strozzare il canale tra la sorgente
(Source,S) ed il pozzo ( Drain, D). Una piccola corrente inversa
riesce quindi a controllarne una molto maggiore, restringendo la
resistenza tra S e D.
Una versione pi moderna data dalla struttura MOS ( Metallo-
Isolante-Semiconduttore, MOSFET )nella quale la porta ( Gate, G
) isolata da uno strato di ossido. Dando a G un potenziale
positivo, gli elettroni vengono attratti in superficie, formando un
canale che li porta verso D, anchesso positivo.Variando il
potenziale di G si modula la larghezza del canale. Il guadagno in
corrente enorme, dato che attraverso lossido la corrente
praticamente nulla. La dissipazione di potenza in interdizione ( a
canale nullo ) quindi minima. In termini di elettronica digitale, il
MOSFET ha due stati : on ( canale aperto ), off canale chiuso.
Questi due stati sono controllati dalla tensione di G. Iniettando
delle cariche sotto G si possono ottenere delle memorie ROM (
Read Only Memory ) e derivate ( EPROM, ecc. )
I materiali superconduttori
Nel 1911 Kamerlingh Onnes not che il mercurio al di sotto di 4 K
diventava un conduttore perfetto, privo di resistenza e di
dissipazione per effetto joule : la corrente, una volta stabilita,
continuava a mantenersi indefinitamente anche senza tensione.
Dopo il mercurio, vennero scoperti anche altri metalli che
mostravano un decadimento a zero ( in pratica 10-14 ohm) della
resistenza e, in tempi pi recenti, anche materiali ceramici ( YBCO,
BSCCO ), con la particolarit per questi ultimi chiamati
sueprconduttori ad alta temperatura critica - di temperature di
transizione molto pi elevate (95 K per YBCO, 110 K per BSCCO).
Dal punto di vista della meccanica quantistica, lannullamento della
resistenza o della resistivit impossibile a causa dellenergia di
punto zero delle vibrazioni reticolari, ancora attive a 0 K. La
superconduttivit viene spiegata attraverso un meccanismo di
accoppiamento forte tra elettroni e reticolo. In genere questo
accoppiamento debole : un elettrone in un metallo, muovendosi,
attrae gli ioni ai quali va incontro, lasciando in pratica una scia di
carica positiva dietro di s ( gli ioni si muovono pi lentamente degli
elettroni ). Questa carica positiva pu essere in grado di attrarre
altri elettroni. Il reticolo devessere particolarmente morbido : i
metalli a struttura pi rigida( ad es. Au, Ag, Cu ) a grande
conducibilit elettrica non presentano superconduttivit.
 La teoria BCS
La teoria BCS ( Bardeen-Cooper-Schrieffer ) sostiene che la
supercoduttivit un fenomeno cooperativo, analogo alla
condensazione del vapore acqueo. A basse temperature diventa
molto elevata la probabilit di occupare lo stato pi basso in
energia : in questo stato gli elettroni sono legati adue a due in
coppie dette di Cooper. Le enrgie di legame sono molto piccole (
vedi tabella ) e dello stesso ordine di grandezza di kT : 1 meV o
anche molto meno. Gi elettroni, fermioni, condensano a coppie
diventando bosoni. Il principio di Pauli viene soddisfatto dato
che in queste coppie, che occupano lo stesso punto spaziale, i
due elettroni hanno spin e impulso opposti. La corrente quindi
nulla. Se si applica un campo elettrico, i due elettroni acquistano
lo stesso incremento nella quantit di moto, che si traduce in un
moto del loro baricentro.

Lenergia di legame apre una gap pari a 2 in corrispondenza del livello di Fermi: la densit di stati sugli
spigoli della gap diventa molto elevata. Come in un semiconduttore, al di sotto di una temperatura
(chiamata critica Tc in questo caso ) le coppie di Cooper si piazzano al di sotto della gap. La larghezza della
gap dipende poi dalla temperatura ed massima quando T scende a Tc. Aumentando T la gap piano piano si
annulla e la conduzione viene affidata agli elettroni. Il concetto di livello di Fermi viene a sparire nello stato
superconduttivo : le coppie di Cooper si trovano una gap 2 e non possono scambiare energia con il reticolo.
Il liquido di Cooper attraversa il supercoduttore senza attrito, come un liquido ideale.
 I superconduttori ad alta
temperatura critica
Come si accennato si tratta di ceramici scoperti a partire dal 1986 : i pi importanti o diffusi contengono piani
di Cu-O compressi da strati atomici vicini contenenti atomi pesanti ( Y, Ba ). La teoria BCS non o non appare
in grado di spiegare un fenomeno che implicherebbe energie di legame troppo elevate ( lenergia di legame in
pratica va come la temperatura critica, che in tempi recenti e con luso del Hg ha raggiunto valori molto
elevati ( 150 K ) per cui pi di un ricercatore pensa che non sia impossibile raggiungere la superconduttivit a
temperatura ambiente. In questi materiali, che nello stato di normale conduzione non sono ovviamente metalli,
la superconduttivit sembra essere legata a variazioni di valenza del Cu, in grado di creare lacune quando la
stechiometria tra Cu e O non perfetta, ed a cammini preferenziali dei portatori lungo i piani o lungo le catene
Cu-O.

Le applicazioni dei superconduttori sono enormi, ma non tutte sono sviluppate a livello di mercato :
Cavi elettrici con resistenza nulla ( si arriva a qualche km )
Magneti superconduttori ( ad esempio per la Risonanza Magnetica Nucleare )
Magnetometri ( misurato di campo magnetico ) in grado di misurare il pT( circa 10-8 volte il campo magnetico
terrestre ) ( SQUID, Superconducting Quantume Interference Device )
Generatori di radiofrequenza ( giunzioni Josephson )
Componenti di vario tipo a livelli di integrazione eccezionali per le memorie dei supercomputer
Nei superconduttori si pu ritrovare la meccanica quantistica su dimensioni macroscopiche.