TEMA 3

TEORIA DE SEMICONDUCTORES
(Gua de clases)

Asignatura: Dispositivos Electrnicos I

Dpto. Tecnologa Electrnica
 CONTENIDO

PARTCULAS CARGADAS
tomo
Electrn
In
Hueco

TEORA DE LAS BANDAS DE ENERGA

AISLANTES, SEMICONDUCTORES Y METALES

MOVILIDAD
Modelo de cargas de un metal

DENSIDAD DE CORRIENTE

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Mecanismo de desplazamiento de un hueco

IMPUREZAS DONADORAS Y ACEPTADORAS

Semiconductor extrnseco tipo n
Semiconductor extrnseco tipo p
Ley de accin de masas

DENSIDAD DE CARGA EN SEMICONDUCTORES

EFECTO HALL

MODULACIN DE LA CONDUCTIVIDAD

GENERACIN Y RECOMBINACIN DE CARGAS

Tiempo de vida medio de un portador

DIFUSIN

VARIACIN DE POTENCIAL EN UN SEMICONDUCTOR

Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 1

PARTCULAS CARGADAS
tomo: Menor partcula de un elemento qumico que posee sus propiedades.

Electrn: Partcula elemental del tomo cargada negativamente.

Masa: m = 9,11 . 10-31 Kg.
Carga: q = 1,6 . 10-19 culombios

In: Partcula cargada que se origina cuando un tomo pierde o gana electrones. Su carga es igual al nmero
de electrones perdidos (in positivo) o ganados (in negativo).

Hueco: Ausencia de un electrn en un enlace covalente. Su carga asociada es la del electrn con signo +.

TEORA DE LAS BANDAS DE ENERGA

Slido: Cuerpo que tiene forma y volumen constantes.

Cristal: Slido cuyas partculas estn dispuestas regular y peridicamente.

El potencial caracterstico de la estructura cristalina es una funcin peridica en el espacio. Debido al

acoplamiento entre las capas ms exteriores de electrones de los tomos, la mecnica cuntica determina que
sus niveles de energa estn prximos entre s y forman una banda de energa.

Banda prohibida
Banda conduccin
4N estados 2N e-
0 electrones subcapa p
6N estados

EG

Banda 2N e-
valencia subcapa s
4N estados 2N estados
4N electrones

Niveles de energa del tomo no afectados

Espacio
d1 d2 d3 interatmico

ANOTACIONES
Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 2

AISLANTES, SEMICONDUCTORES Y METALES

Banda de Electrones Banda de

conduccin Banda de
libres conduccin conduccin

Banda
EG 6eV prohibida 1eV

Huecos
Banda de Banda de Banda de
valencia valencia valencia

AISLANTE SEMICONDUCTOR METAL

Semiconductores prcticos: Silicio (EG = 1,21 eV a 0 K), Germanio (EG = 0,785 eV a 0 K).

EG (Si) = 1,21 3,60 . 10-4 T

EG (Ge) = 0,785 2,23 . 10-4 T

A temperatura ambiente T = 300 K: EG (Si) = 11 eV y EG (Ge) = 072 eV

MOVILIDAD
Modelo de cargas de un metal:
Regin que contiene una red peridica tridimensional de iones pesados fuertemente enlazados
rodeados de una nube de gas electrnico.
Al aplicar un campo elctrico se cumple la 1 ley de Newton: a = F/m = q . E/m
Hasta que se llega a un equilibrio con la energa perdida en las colisiones y se llega a una velocidad media
constante (similar a lo que ocurre con el rozamiento): vmedia = . E
=> movilidad de los electrones [m2/V . s]

ANOTACIONES
Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 3

+ + + + +
+ + + + +
+ + + + +

Velocidad

Velocidad
media (v)

tiempo

El desplazamiento debido a E se superpone al debido a la agitacin trmica.

DENSIDAD DE CORRIENTE
N e- que atraviesan seccin por unidad de tiempo: N/T
T: tiempo que tarda e- en recorrer L => T = L/v
A N
I = (N/T) . q = (N . q . v)/L [Amperios]
L
J = I/A = (N . q . v)/(A . L) [Amp./m2]

n = N/(A . L) => concentracin de electrones por unidad de volumen [e-/m3]

= n . q => densidad de carga [culomb/m3]

J=n.q.v=.v
J=n.q.v=n.q..E=.E
= n . q . => conductividad [1/( . m)]

Densidad trmica de potencia (efecto Joule) es la potencia disipada por unidad de volumen. La energa se
cede a los iones en los choques: (V . I)/volumen = (E . L . J . A)/ volumen = E . J = . E2 [watt/m3]

ANOTACIONES
Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 4

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

Hueco Electrn libre

+4 Enlace Covalente +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4

Electrones de
+4 +4
Valencia
ESTRUCTURA CRISTALINA ENLACE COVALENTE ROTO
DEL Ge/Si

Hueco: Enlace covalente roto

A 0 K los semiconductores intrnsecos son aislantes.

A temperatura ambiente existen electrones libres y huecos resultantes del aporte de energa trmica.

El mecanismo de desplazamiento de un hueco no implica electrones libres y supone un movimiento de

cargas positivas.

En un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones libres (n) es igual a la de huecos (p) e igual a
su vez a la concentracin intrnseca.
n = p = ni

Recombinacin: Desaparicin de pares de electrn-hueco

ANOTACIONES
Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 5

IMPUREZAS DONADORAS Y ACEPTADORAS

Semiconductor extrnseco: Semiconductor contaminado con tomos de otro material.

Semiconductor extrnseco tipo n: Semiconductor contaminado con impurezas donadoras (elementos

qumicos pentavalentes como por ejemplo el Sb, P, As del grupo VA de la tabla peridica).

Semiconductor extrnseco tipo p: Semiconductor contaminado con impurezas aceptadoras (elementos

qumicos trivalentes como por ejemplo el B, Ga, In del grupo IIIA de la tabla peridica).

Ley de accin de masas

A una temperatura T de equilibrio trmico se cumple que:
n . p = ni2

ni => concentracin intrnseca. Aumenta con la temperatura.

Semiconductor tipo n: e- (n) -> portadores mayoritarios -> nn

Huecos (p) -> portadores minoritarios -> pn
Semiconductor tipo p: e- (n) -> portadores minoritarios -> np
Huecos (p) -> portadores mayoritarios -> pp

Las impurezas aumentan la conductividad.

DENSIDAD DE CARGA EN UN SEMICONDUCTOR

Ley de accin de masas: n . p = ni2
Ley de la neutralidad elctrica (n cargas + = n cargas -): p + ND = n + NA

Semiconductor tipo n:
NA = 0 => n = ND + p ND

nn ND ; como nn . pn = ni2 => pn = ni2 / ND

ANOTACIONES
Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 6

Semiconductor tipo p:
ND = 0 => p = NA + n NA

pp NA ; como np . pp = ni2 => np = ni2 / NA

Concentracin intrnseca
ni2 = A0 . T3 . e-EG0/K.T

EG0: ancho de la banda prohibida a 0 K

K: constante de Boltzman = 1,381 . 10-23 julios/K
A0: constante independiente de T

Conductividad de un semiconductor: = n . n . q + p . p . q

EFECTO HALL

SEMICONDUCTOR TIPO N
y
+
FH
1
I d EH
F VH
2 w x
z _
B

En equilibrio:
q . EH = q . v . B => VH = d . v . B; VH : Tensin de Hall
VH = EH . d

Aplicaciones:
Medida tipo de semiconductor (n o p) segn el signo de la tensin de Hall
Medida de la densidad de carga = (B . I)/(w . VH)
Medida de la movilidad y conductividad
Medida de campo magntico B = . w . (VH/I)
Multiplicador de efecto Hall VH = (1/ . w) . B . I

ANOTACIONES
Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 7

MODULACIN DE LA CONDUCTIVIDAD
La conductividad puede elevarse incrementando n o p por medio de:
a) Elevacin de temperatura
b) Dopaje
c) Iluminacin. Fotoconductores o fotorresistores o LDR (Light Dependent Resistors)
c = 1,24/EG [m]

GENERACIN Y RECOMBINACIN DE CARGAS

Tiempo de vida medio de un portador: (p o n) Es el tiempo de existencia de un hueco (electrn) antes de
recombinarse.

Supongamos barra de Silicio tipo n con una concentracin en equilibrio n0 y p0, que en t se ilumina
alcanzndose las concentraciones p y n. Lgicamente p p0 = n n0
En un tiempo t=0 se suprime la iluminacin.

p(t)
p
t

p
p = p0 + p(0) p = p0 + p'(0) e
p0

t' 0 t

Silicio tipo n => p/p0 >> n/n0 => La generacin de portadores (en este caso por iluminacin) afecta
principalmente a los portadores minoritarios. Por tanto vamos a realizar el estudio de los portadores
minoritarios, en este caso de los huecos.
p/p : decrecimiento del n de huecos por unidad de tiempo
g : Incremento de huecos (por generacin trmica) por unidad de tiempo
dp/dt = g p/p En equilibrio => dp/dt = 0 y p = p0 => g = p0/p
dp/dt = (p0 p)/p = - p/p
Como p = p p0 => dp/dt = dp/dt => dp/dt = - p/p

ANOTACIONES
Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 8

p(t) = p(0) . e-t/p => p p0 = p(0) . e-t/p => p = p0 + p(0) . e-t/p

Una vez creados los portadores ha de transcurrir un cierto tiempo hasta que se recombinen.

DIFUSIN
Adems de producirse una I (corriente de conduccin) en un semiconductor al aplicar un campo
elctrico E, se puede tener otra corriente I de difusin de portadores entre dos zonas de diferente
concentracin.

Jp = - q . Dp . dp/dx : Densidad de corriente de difusin de huecos

Jn = q . Dn . dn/dx : Densidad de corriente de difusin de electrones
Dp y Dn : Constante de difusin

Relacin de Einstein:
Dp/p = Dn/n = VT = T(K)/11600 ( 26 mV a 300 K)
VT : Potencial equivalente de temperatura

Corriente total: Jp = q . p . p . E q . Dp . dp/dx

Jn = q . n . n . E + q . Dn . dn/dx

VARIACIN DE POTENCIAL EN UN SEMICONDUCTOR

Supongamos una barra impurificada no uniformemente

BARRA IMPURIFICADA NO UNIFORMEMENTE

V1 V2

JD

x1 JE x2
p1 p2

ANOTACIONES
Teora de semiconductores. Gua de clases pg. 9

Si est en circuito abierto: I = 0 => Jp = q . p . p . E q . Dp . dp/dx = 0

E = (Dp/p . p) . dp/dx = (VT/p) . dp/dx
Adems tenemos que E = - dV/dx => dV = - E . dx
Por lo tanto dV = - VT . dp/p

V21 = - VT . I dp/p = VT . ln (p1/p2) => p1 = p2 . eV21/Vt

Anlogamente se tiene:
Jn = q . n . n . E + q . Dn . dn/dx = 0 => n1 = n2 . e-V21/Vt

Lo anterior implica que:

p1 . n1 = p2 . n2 => p . n es independiente de x
n . p = ni2 Demostracin de la ley de accin de masas.

Supongamos una unin abrupta en circuito abierto:

UNIN ABRUPTA EN CIRCUITO ABIERTO

P N

NA ND

x1 V0 x2

V0 = V12 = VT . ln (pp/pn)
pp NA y pn ni2/ND

V0 = VT . ln (NA . ND/ni2) : Diferencia de potencial de contacto

ANOTACIONES