ELECTRNICA

ANALOGICA.
polarizacin y ganancia del amplificador en emisor comn
REPORTEDEPRCTICA

PRCTICAN:2

Revisin del manejo y uso del equipo utilizado en el curso

ESTUDIANTE: jovani Hernndez Uriostegui

N DE CONTROL: 13570281

FECHA DE REALIZACIN:13 de julio del 2017.

FECHA DE ENTREGA: 14de julio del 2017.

OBSERVACIONES:

() Nocumple con lasespecificaciones,oel resultadonoescorrecto

() La redaccin nocumple los parmetrosacordados
() Reporte entregadoenformaextempornea
() Otro: _

CALIFICACION:
NA 70 80 90 100
Prctica # 2 fecha: 13 de julio del 2017

Ttulo: Polarizacin Y GANANCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN

1.-Objetivos:

General:

Examinar, clasificar, e interpretar las caractersticas y

aplicaciones bsicas del BJT y FET, en aplicaciones bsicas.

Analizar, Identificar, disear y aplicar el uso del transistor BJT

como amplificador.

Armar un amplificadorde ca con un transistorcon configuracin

enemisor comn mediantela polarizacin de divisorde voltaje.

2.-Introduccion:
El BJT (transistor de unin bipolar) se construye con tres regiones
semiconductoras separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura
plana epitaxial de la figura 4-1(a). Las tres regiones se llaman emisor, base y
colector. En las figuras 4-1(b) y (c) se muestran representaciones fsicas de los
dos tipos de BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una regin
p (npn) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una regin n (pnp).
El trmino bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como
portadores de corriente en la estructura de transistor.

La unin pnque une la regin de la base y la regin del emisor se llama unin
base-emisor.
La unin pnque une la regin de la base y la regin del colector se llama unin
base-colector, como la figura 4-1 (b) lo muestra: un conductor conecta a cada una
de estas tres regiones. Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y
colector, respectivamente. La regin de la base
est ligeramente dopada y es muy delgada en comparacin con las regiones del
emisor, excesivamentedopada, y la del colector, moderadamente dopada (la
siguiente seccin explica la razn de esto). La figura 4-2 muestra los smbolos
esquemticos para los transistores npny pnp.

Anlisis del circuito de un BJT

Considere la configuracin del circuito de polarizacin de transistor bsico que
aparece en la figura 4-8. Es posible identificar tres corrientes de cd y tres voltajes
de cd.

IB: corriente de cd de base

IE: corriente de cd de emisor
IC: corriente de cd de colector
VBE: voltaje de cd en la base con respecto al emisor
VCB: voltaje de cd en el colector con respecto a la base
VCE: voltaje de cd en el colector con respecto al emisor

La fuente de voltaje, VBB, polariza en directa la unin base-emisor y la fuente de

voltaje, VCC polariza en inversa la unin base-colector. Cuando la unin base-
emisor se polariza en directa,opera como un diodo polarizado en directa y la cada
de voltaje con polarizacin en directa nominales

Aunque en un transistor VBE puede ser tan alto como 0.9 V y ste depende de la
corriente, se utilizar
0.7 V en todo este texto para simplificar el anlisis de los conceptos bsicos.
Tenga en cuenta que la caracterstica de la unin base-emisor es la misma que la
curva de diodo normal (como la de la figura 1-28).
Como el emisor est conectado a tierra (0 V), de acuerdo con la ley del voltaje de
Kirchhoff, el voltaje a travs de RB es
VRB = VBB - VBE
3.-Desarrollo:
1.-Curva amplificada con un transistor 2n3904 con tres capacitores cuatro
resistencias y otros elementos, al cual se puede observar en el osciloscopio como
amplifica en el canal 2 el canal 1 es la entrada.

2.-La segunda parte consiste en el

mismo circuito solo desconectar un capacitor
del emisor y observar que ocurre.

3.-Ahora prosigue a desconectar la resistencia y

llevar a tierra el emisor.
 En cada una de las partes que se hicieron con el circuito se tuvieron que
hacer varias mediciones tanto para medir tensin como corriente y anotar
los datos en una tabla.
 4.-Resultados esperados:
1.-curva con la resistencia y el capacitor2.-curva con la resistencia pero sin capacitor

3.-curva sin resistencia ni capacitor

 5.-Implementacin de circuito y presentacin del funcionamiento
al instructor

1.-curva con la resistencia y el capacitor 2.-curva con la resistencia pero sin capacitor

3.-curva sin resistencia ni capacitor

6.-Material y equipo utilizado
-multmetro - osciloscopio -entrenador -tabla protoboard

-resistencia - generador de funciones -transistor -capacitores

7.-Conclusiones
ESTA PRACTICA SE ASE CON EL PROPOSITO DE ANPLIAR NUESTRO
CONOSIMIENTO DELAS FUNSIONES DE CADA UNOS DELOS
CONPONENTES I OCSERVAR SUS REACSIONES DENTRO DELOS RANGOS
PERMITIDOS QUENOS PERMITER DESARRLLAR BARIOS ASPECTOS DE LAS
PRACTICAS DESENPEADAS CON LOS CONPONENTES DE APLICADOS EN
LAS MISMAS CON MATERIALES PARA DESARROLLARLA COMO SON LOS
DIODOS TRANSISTORES RESISTENSIAS DE BARIOS BALORES PARA QUE
NOS MUESTRE LAS ONDAS ESPERADAS Y LOS BALORES DENTRO DEL
RANGO ESPERADOS.

8.-Referencias bibliogrficas

Dispositivos electrnico-floyd-8ta edicin.

Electrnica teora de circuitos-6ta edicinboylestad.