Capteurs magntorsistifs

par Bernard DIENY

Ingnieur au CEA
et Jean-Marc FEDELI
Ingnieur au CEA

1. Magntorsistance anisotrope............................................................. R 416 - 2

1.1 Principe......................................................................................................... 2
1.2 Description du phnomne de magntorsistance anisotrope............... 3
1.3 Linarisation du signal de rponse S (H ) .................................................. 4
1.4 Capteurs magntorsistance anisotrope................................................ 5
2. Magntorsistance gante .................................................................... 5
2.1 Principe......................................................................................................... 5
2.2 Description du phnomne de magntorsistance gante ..................... 6
2.3 Les diffrents types de multicouches magntorsistance gante ....... 7
2.4 Capteurs magntorsistance gante ...................................................... 10
3. Autres types de capteurs magntorsistance.............................. 11
3.1 Magntorsistances tunnel......................................................................... 11
3.2 Transistor effet vanne de spin ................................................................. 12
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. R 416

epuis plus de vingt ans, les techniques de couches minces suivent

D lvolution de la microlectronique semi-conducteurs. Lenregistrement
magntique reste le moteur de lvolution des microtechnologies magntiques
et elle se concrtise par des enregistreurs aux capacits toujours plus grandes.
Par ailleurs les magntomtres ont vu leurs performances saccrotre et utili-
sent de nombreuses technologies (voir tableau A). Si la gamme des fortes sen-
sibilits (< 1 nT) fait appel des systmes volume important comme ceux
utiliss en magntomtrie gophysique, en revanche la dtection dinductions
magntiques suprieures au nanotesla fait appel de nombreuses technolo-
gies base de couches minces autorisant la miniaturisation.
Quatre technologies principales se partagent le march des microcapteurs
magntiques :
les capteurs bobine inductive sont trs rpandus dans lindustrie ou
lautomobile, du fait de leur trs grande robustesse, leur tenue en temprature
et leur prix extrmement bas (fin de course, compte-tours sur roue dente, cap-
teur angulaire...) ;
les capteurs effet Hall sont les plus utiliss, en raison notamment de leur
bonne linarit sur une grande plage de mesure ;
les capteurs porte de flux mettent en jeu les dissymtries induites par le
champ magntique mesurer, sur le signal de sortie dun transformateur dont
le circuit magntique est excit au-del de son champ coercitif ;
les capteurs magntorsistifs actuellement sur le march sont bass sur le
changement de rsistance lectrique dun matriau ferromagntique en fonction
du champ magntique appliqu.

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Le march des capteurs magntiques intgrs progresse un rythme rapide

(10 % de croissance par an pour lensemble du march), en particulier dans le
secteur de lautomobile (46 % des ventes), du contrle de fabrication (21 %) et
des produits lectromnagers dits blancs (9 %). Selon Frost et Sullivan
(cabinet dtudes), le march des capteurs magntiques intgrs correspondait
une production de 25 millions dunits en 1997, soit un chiffre daffaires de
75 millions deuros (490 millions de francs). En 2001, 45 millions de capteurs
magntiques intgrs devraient tre vendus, pour un total de 135 millions
deuros (890 millions de francs).
Le tableau A rsume les domaines dapplication typiques des capteurs
magntiques.
Dans le prsent article, nous nous intresserons aux diverses technologies de
magntorsistance des couches minces ferromagntiques.

Tableau A Domaines dapplications et technologie des capteurs magntiques en fonction de leur rsolution
Valeur
minimale Types de mesure Types de sources Exemples dapplications Technologies de capteurs
dtecte
Mesures diffrentielles, Sources locales, Mesures biologiques, dtection Supraconducteurs
< 1 nT mesures absolues, faibles anomalies sous-marine, dminage (SQUIDs),
rjection du champ magntomtres rsonance
terrestre (RMN, pompage optique)...
Mesures dans le champ Champ magntique terrestre, Compas lectroniques, dtonateurs, Bobines, porte de flux
1 nT 1 T terrestre : amplitude anomalies importantes, prospection, dminage, mesure (fluxgate ),
et direction courants de courant, trafic routier magntorsistance
Mtrologie des courants
Mesures de champ Sources artificielles : Dtection de proximit Bobines,
> 1 T suprieur au champ courants, aimants, mmoires (contacteurs), mesure de courant, magntorsistances,
terrestre lecture de mmoire magntique effet Hall

1. Magntorsistance Lamplitude de cette magntorsistance reste faible, la valeur

maximale tant de lordre de 5 6 % 300 K pour certains alliages
anisotrope massifs (Ni90Fe10 , Ni80Co20). Les faibles valeurs des champs
saturation permettent dobtenir des sensibilits assez leves (0,4
1 %/Oe) qui justifient lintrt port ces matriaux pour la ra-
lisation de capteurs de champ.
1.1 Principe Dun point de vue microscopique, le phnomne doit son
existence au couplage spin-orbite et la sparation dchange de
La magntorsistance anisotrope (MRA) dans les mtaux de la bande 3d. Lanisotropie de la diffusion des lectrons 3d pour les
transition ferromagntiques a t dcouverte en 1857 par William deux types de spin est due un mlange anisotrope des
Thomson Glasgow. Cet effet dpend de lorientation respective sous-bandes 3d de spins majoritaire et minoritaire induit par le
de la direction de laimantation par rapport la direction du cou- couplage spin-orbite.
rant lectrique qui traverse le matriau. En partant dun chantillon
multidomaine de rsistivit 0 , un champ de quelques dizaines Le matriau est en gnral dpos en couche mince. Les alliages
drsteds (1 Oe = 80 A/m) suffit aligner laimantation avec le utiliss sont binaires (Ni81Fe19) ou ternaires (Ni65Fe15Co20) et ont
champ, crant // (rsistivit longitudinale) ou (rsistivit trans- des compositions telles quils prsentent une magntorsistance
versale) selon que le courant est parallle ou perpendiculaire la comprise entre 2 et 3 % et une magntostriction quasiment nulle.
direction de laimantation (figure 1). Lanisotropie uniaxiale est obtenue assez facilement au moyen de
recuits sous champ. Lpaisseur des couches est de lordre de 10
La magntorsistance se dfinit par : 50 nm. Si lpaisseur diminue, la diffusion des lectrons sur les
surfaces constitue un obstacle non ngligeable la conduction
= //
lectronique ; la rsistivit augmente en entranant ainsi une baisse
ou par : de la magntorsistance. Il sagit l dune limitation assez forte
// lutilisation de ce matriau pour certaines applications. Dans les
------- = -----------------
-
0 0 couches polycristallines, les joints de grains, la taille des grains et,
plus gnralement, les dfauts de la couche interviennent dans la
2 rsistivit. Un recuit adapt permet de diminuer la rsistivit par
avec 0 = -----//- + ---------- (rsistivit en champ nul, lie une quirpar-
3 3 croissance des cristallites et migration des impurets, ce qui aug-
tition en volume des domaines). mente lgrement la magntorsistance.

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Rsistivit
H//
//
M
J J
e

0 Effet maximal
J /0 = 2 4 %

M '
J J
e
H'
Hsat Champ appliqu

La courbe en tiret est la courbe classique que l'on obtient lorsque, partant d'un tat monodomaine
parallle au courant, puis appliquant un champ perpendiculairement au courant, on aboutit un tat
monodomaine perpendiculaire au courant.
Figure 1 Effet magntorsistif anisotrope

Cette expression, qui est celle de la loi dOhm, permet de

Aimantation dfinir :
2
( ) = + cos (2)
qui est lexpression phnomnologique de la magntorsistance
J u Direction anisotrope.
du courant
La rsistivit est donc proportionnelle cos2 .
Direction daxe facile
La direction de laimantation dpend du champ appliqu H a et
de lanisotropie du matriau magntique. Le modle de Stoner-
Wohlfarth, bas sur des considrations nergtiques, dcrit la
Figure 2 Barreau magntorsistif travers par un courant
relation entre la direction daimantation et la direction du champ
de densit J appliqu. On fait ainsi apparatre le champ danisotropie H k qui
est le champ ncessaire pour faire passer laimantation de laxe
facile laxe difficile de manire rversible. La minimisation des
termes dnergies Zeeman et danisotropie permet dcrire, dans
Dans ce qui suit, nous dveloppons la phnomnologie de cette le cas o le champ est appliqu suivant laxe difficile de
magntorsistance, puis nous faisons tat des contraintes lies lchantillon :
son utilisation sous forme de capteur de champ ainsi que des solu-
tions mises en uvre. H
sin = ------a- (3)
Hk

1.2 Description du phnomne Lorsque le champ appliqu atteint la valeur H k , le barreau est
de magntorsistance anisotrope satur dans sa direction daxe difficile. H k reprsente donc le
champ saturation.
Considrons un lment monodomaine magntorsistif travers Supposant que la direction du courant est parallle laxe facile,
par un courant parallle la direction de facile aimantation des expressions (2) et (3), il vient :
(figure 2). Le champ lectrique d aux effets galvanomagntiques
extraordinaires est donn par la relation [1] :
Ha 2
------ = 1 + ------- 1 -------
H k
E = J + ( // ) u (J u ) + H J u (1)
avec J vecteur densit de courant, La rponse idale en champ de llment est une parabole. Les
u vecteur unitaire dans la direction de laimantation, effets du champ dmagntisant perturbent cette rponse idale et
pratiquement on obtient la rponse reprsente sur la figure 3
H rsistivit relative leffet Hall extraordinaire. avec la prsence dun point dinflexion.
La projection de cette relation sur la direction du courant de La relation (1) projete dans le plan de la couche et perpendi-
mesure nous donne : culairement la direction du courant montre quil est possible
2 de recueillir une tension perpendiculairement au courant de
E = ( + cos ) J
mesure. Cet effet, que nous citons pour mmoire, est appel
o est langle form entre la direction de laimantation et la effet Hall planaire et permet galement dobtenir un signal
direction du courant. magntorsistif.

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S (H ) = R /R0 Rponse magntorsistive

(unit arbitraire)
Dfauts datteinte Inflexion 55 - 65
la saturation

= 45
Hy 0 + Hy
Parabole idale Champ appliqu H

Figure 3 Rponse en champ S (H ) dun lment magntorsistif

MRA

= 0

Rsistance 0 Champ appliqu (unit arbitraire)

Figure 5 Rponse en champ du capteur non linaris (trait plein)

et du capteur linaris (Barber Pole ) (pointills)

polarisation par une couche adjacente douce, isole lectri-

quement. Un couplage magntostatique entre les deux couches
impose une certaine distribution de laimantation. Le courant circu-
lant dans le barreau magntorsistif polarise la couche adjacente
Rponse du capteur qui, du fait du couplage magntostatique, polarise son tour le
barreau. Celui-ci est donc polaris par son propre courant ;
polarisation par couplage dchange avec une couche adja-
cente antiferromagntique de composition Fe50Mn50 , elle-mme
insensible au champ mesurer puisque son aimantation sponta-
ne est nulle et dont leffet est de permettre dorienter la position
dquilibre de la couche sensible environ 45o de la direction du
courant (phnomne danisotropie dchange) ;
Signal dentre Champ appliqu polarisation par un aimant permanent.

Figure 4 Point de polarisation optimal dun capteur Modification de la direction du courant

de champ magntorsistif
1.3 Linarisation du signal
de rponse S (H )
Les caractristiques des barreaux magntorsistifs que nous
avons calcules ne peuvent tre utilises telles quelles en tant que
capteur de champ. En effet la magntorsistance tant un phno-
mne pair en fonction du champ appliqu, on ne peut dtecter le
sens du champ. De plus, la sensibilit, dfinie comme la pente du
signal S (H ), est nulle en H = 0 et la rponse nest pas linaire en
ce point. Il est donc ncessaire de transformer la rponse et, si pos-
sible, de la linariser.
On recense plusieurs mthodes de linarisation, soit par applica-
tion dun champ de polarisation, soit par modification de la direc-
tion du courant.
Polarisation par champ induit
Par une polarisation adapte, nous pouvons nous placer dans la
partie la plus linaire de la rponse S (H ) et dfinir ainsi un point
de fonctionnement optimal (figure 4).
La polarisation peut seffectuer de plusieurs manires :
polarisation par un conducteur isol travers par un courant,
ou par un conducteur dpos directement sur le barreau magnto-
rsistif, donc travers par le mme courant que le barreau ;
structure symtrique de deux lments constitus chacun
dun barreau magntorsistif shunt. La rponse est la somme de
deux rponses linarises et de sens diffrents. Nous avons ainsi
un signal linaire plus important ;
La magntorsistance dpend, nous lavons vu, de langle
entre la direction daimantation et la direction du courant. En modi-
fiant dun angle la direction du courant par rapport laxe de
facile aimantation, nous perturbons la rponse parabolique. Pour
= /4, nous obtenons, daprs lquation (2) :
2
= + cos ---
4
soit, en dveloppant :
1 Ha Ha 2
------ = 1 + ------- --- + ------- 1 -------
2 Hk H k
Une telle rponse est nettement plus intressante que celle de la
figure 3, en particulier grce sa caractristique linaire autour du
champ nul (figure 5).
Pour forcer le courant circuler selon la direction indique, une
solution consistant recouvrir le barreau de bandes conductrices
(shunts) inclines 45o a t propose (figure 6). Cette structure
est connue sous le nom de Barber Pole et est trs utilise pour
les capteurs magntorsistifs usage gnral [4].
En fonction du sens de laimantation dans la couche
magntorsistive, la structure Barber Pole prsente deux rponses
inverses en champ magntique. La prsence dun champ parasite
peut amener des sauts de laimantation dune direction lautre
(flip ) ce qui produit une bistabilit nfaste. Afin dassurer un fonc-
tionnement stable, on privilgie un sens daimantation en appli-
quant un champ magntique additionnel dans le sens du barreau.
Ce champ stabilise lorientation des domaines magntiques mais
au dtriment de la sensibilit.

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Tableau 1 Caractristiques typiques de capteurs magntorsistance anisotrope

San Diego
Fabricant Philips Honeywell Zetex HL-Planar
Magnetics
Modle KMZ10A HMC1001 ZMY20 KMY20S MS531
Excursion ...............................................(Oe) 6,3 6,3 50 50 10 10 50 50
Sensibilit ................................... (mV/V/Oe) 12 2,5 1 0,4 30
Tension alimentation .............................. (V) 9 12 12
Rsistance.............................................. (k) 0,8 1,6 1 100 1,5 1,9
Offset max .........................................(mV/V) 1 1 1 1
Puissance .............................................(mW) 0,1 25 120 25
Gamme de temprature ....................... (oC) 40 150 55 200 40 150 40 150
Gamme de frquence ........................ (MHz) 01 0 10 01 0 100
Bruit............................................... (nT/ Hz ) 0,5 0,2
Guides non non non non oui
Nous rappelons que 1 Oe = 80 A/m.

Les applications sont les suivantes :

mesure de vitesse angulaire ;
Lignes de courant dtecteur de position (insensibilit la pollution, sans
45 contact) ;
dtecteur de proximit ;
mesure directionnelle du champ magntique (boussole,
dtecteur dattitude...) ;
magntomtre ;
Conducteurs Barreau capteurs de courant ;
magntorsistif lecture dencres magntiques (cartes, billets, codes-barres
magntiques...) ;
contrle de moteurs lectriques.
Figure 6 Modification de la direction du courant
par une structure Barber Pole

On peut aussi se servir de cette instabilit pour liminer la ten-
sion continue et accrotre la sensibilit en champ faible [voir
KMZ51 (dispositif driv du KMZ10A) de Philips].
La ralisation de micromagntomtres fonctionnant dans la
gamme 1 nT 1 T a t dmontre en utilisant des guides de flux
ferromagntiques amplifiant le champ magntique capt par la
magntorsistance [2]. Cependant les performances en rsolution
magntique sont limites par le bruit thermique et un nouveau
concept utilisant leffet MRA dans sa forme effet Hall
planaire [1] sest traduit par la ralisation de capteurs faible
bruit thermique avec une rsolution infrieure 10 nT 1 Hz [3]
[12].
1.4 Capteurs magntorsistance
anisotrope
Les contraintes de lenregistrement magntique ont impos des
lments sensibles utilisant la polarisation par champ induit, le
plus souvent par ladjonction dune couche douce adjacente.
Dans le domaine industriel o la contrainte en rsolution spatiale
nest pas aussi forte, la polarisation par modification de la direction
du courant a t choisie en raison de sa simplicit de mise en
uvre. Plusieurs constructeurs proposent des composants : Philips
(NL), Honeywell (USA), HL-Planar (D), IMO (D), Zetex (GB) ...
Des caractristiques typiques sont listes dans le tableau 1.
2. Magntorsistance gante
2.1 Principe
Les progrs technologiques raliss ces dernires dcennies
dans le domaine des procds de dpts et de caractrisations des
films minces et ultraminces ont contribu aux rcentes dcouver-
tes de nouveaux phnomnes, intressant la fois les sciences
fondamentales et les applications. En particulier, Grnberg et al. en
1986 et Carbone et al. en 1987 ont mis en vidence lexistence dun
couplage dchange indirect entre deux couches ferromagntiques
spares par un mtal non magntique. La magntorsistance
gante (MRG), qui se traduit par une diminution importante de la
rsistivit lors de lapplication dun champ magntique, a t
dcouverte en 1989 luniversit dOrsay dans des multicouches
constitues dun empilement altern de couches de Fe de 2 nm
dpaisseur et de Cr de 0,9 nm dpaisseur [5]. Ainsi que dtaill
dans le paragraphe 2.2, dans ces multicouches, il existe un cou-
plage antiferromagntique entre couches de Fe travers le Cr, qui
rsulte en un alignement antiparallle des aimantations des cou-
ches de Fe en champ nul. Lorsquun champ magntique est appli-
qu la structure, les aimantations tournent progressivement vers
la direction du champ appliqu et salignent toutes paralllement
celui-ci lorsquil devient suprieur au champ de saturation. Ce
changement dorientation relative des aimantations dans les cou-
ches magntiques successives saccompagne dune diminution
trs importante de la rsistance lectrique de la multicouche. La
rsistance est plus faible lorsque les aimantations sont parallles

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Magntorsistance (%)
30
20
10
0 La diffusion dpendante du spin, qui relve des
0 1 2 3
paisseur de chrome (nm)
a magntorsistance
Champ saturation (kOe)
20
15
10
5 Ni80Fe20 , les libres parcours moyens temprature ambiante pour
0
0 1 2 3
paisseur de chrome (nm)
b champ saturation
Nous rappelons que 1 Oe = 80 A/m
Figure 7 Oscillations de couplage dans le cas du systme Fe/Cr [6]
que lorsquelles sont antiparallles. Il a par ailleurs t observ que
le couplage entre couches de Fe travers les couches sparatrices
de Cr oscille entre couplage antiferromagntique et couplage fer-
romagntique en fonction de lpaisseur de Cr [6]. La magnto-
rsistance gante ne sobserve que lorsque le couplage est
antiferromagntique car ce nest que dans cette situation quun
changement dans lorientation relative des aimantations des cou-
ches de Fe se produit en fonction du champ appliqu. Il en rsulte
des oscillations de lamplitude de magntorsistance (et de champ
saturation) en fonction de lpaisseur des couches de Cr comme
illustr sur la figure 7. Les champs saturation levs sur le pre-
mier maximum, plus faibles sur les deuxime puis troisime
maxima, traduisent la variation de lintensit du couplage avec
lpaisseur de chrome.
Depuis cette premire observation, de nombreux autres
systmes ont t dcouverts qui prsentent des effets similaires de
magntorsistance gante.
La MRG sobserve dans des structures particulires
[multicouches ( 2.3), vannes de spin ( 2.3) ou grains disperss
dans une matrice] dans lesquelles deux conditions sont remplies :
dune part, les dimensions caractristiques des lments sont de
lordre des libres parcours moyens lectroniques ( 10 nm),
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R 416 6
dautre part, on observe un changement des orientations relatives
des aimantations des couches ou des particules magntiques sous
linfluence dun champ magntique extrieur. Lorsque ce change-
ment dorientation est possible, la MRG sexplique par lexistence
de phnomnes de diffusion des lectrons de conduction qui
dpendent de lorientation de leur spin relativement laimanta-
tion locale.
2.2 Description du phnomne
de magntorsistance gante
Leffet de magntorsistance gante est la consquence de deux
phnomnes indpendants que nous dcrivons ci-aprs.
4 5 mcanismes de diffusion lectronique
Dans les mtaux de transition ferromagntiques (Ni, Fe, Co et
leurs alliages), la conduction est assure par les lectrons des cou-
ches s, d ou hybrids sd. Ces lectrons ont un moment magntique
propre appel spin qui, rappelons-le, peut tre parallle laiman-
tation locale (spin haut ) ou antiparallle (spin bas ). En premire
approximation, ces deux catgories dlectrons conduisent le cou-
rant indpendamment lune de lautre. Nous avons donc deux cat-
gories dlectrons indpendantes, ce qui nous permet de parler de
modle deux courants, le courant total tant la somme des cou-
rants dus aux lectrons de spin et ceux de spin .
Dautre part, les mtaux de transition ferromagntiques prsen-
tent une diffrence de densit dtats et de la bande 3 d au
niveau de Fermi. La diffusion des lectrons est diffrente selon les
deux directions de spin. En particulier, dans le cas de lalliage
chacun des deux types dlectrons sont trs diffrents : . 7 nm,
. 0,7 nm. Pour un lectron de spin donn se propageant
dans une couche magntique monodomaine, la conduction
dpend donc des orientations relatives de avec laimantation
4 5
locale porte par la couche magntique. Cest ce que lon appelle
la diffusion dpendante du spin, note par la suite DDS. La rsis-
tance rsultante de la DDS est faible lorsque laimantation de la
couche est parallle au spin de llectron, forte si elle est anti-
parallle.
Le couplage entre couches magntiques
travers les couches non magntiques sparatrices
Le couplage indirect entre couches magntiques travers une
couche mtallique non magntique a pour consquence dorienter
les aimantations de chacune des couches magntiques dans des
directions privilgies les unes par rapport aux autres. Le couplage
est dit antiferromagntique lorsquil tend orienter les aimanta-
tions 180o les unes par rapport aux autres (alignement antiparal-
lle en champ nul), ferromagntique lorsquil tend les orienter
dans le mme sens (alignement parallle). Pour certaines pais-
seurs du matriau conducteur non magntique, les aimantations
des couches du matriau magntique sont orientes alternative-
ment dans un sens puis dans lautre travers les couches du mat-
riau conducteur (configuration magntique antiparallle). En
appliquant un champ suffisant, on peut saturer la multicouche,
cest--dire orienter les aimantations des couches magntiques
dans le mme sens.
Compte tenu de ces deux phnomnes, et dans la mesure o les
libres parcours moyens lectroniques sont plus grands que la
priode chimique de la multicouche, on distingue deux rgimes de
conduction, suivant que la multicouche est sature ou non. La
magntorsistance sexplique qualitativement, pour une priode
lmentaire, de la manire suivante.
En labsence dun champ appliqu (alignement antiparallle),
les lectrons, quils soient de spin ou de spin , sont alternative-
ment faiblement et fortement diffuss lorsquils traversent les cou-
Techniques de lIngnieur, trait Mesures et Contrle
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NiFe Ag NiFe Rsistance

e e R0
Trajectoire R r
des
e Sensibilit
e
lectrons R
r R
Rsat

Hsat Champ appliqu

Figure 8 Transport lectronique en alignement antiparallle

Figure 10 Schma de la variation de rsistance

en fonction du champ appliqu

NiFe Ag NiFe
e e
Trajectoire
des
e lectrons
e
Figure 9 Transport lectronique en alignement parallle
ches magntiques (figure 8). La diffusion globale est donc la mme
pour les lectrons de spin ou de spin . La rsistance quivalente
Rap (relative la configuration antiparallle) obtenue en adoptant le
modle deux courants et en faisant abstraction de leffet de la cou-
che non magntique est donc gale :
r+R
R ap = ------------
2 La figure 10 nous montre la variation schmatise de la rsis-
o r (respectivement R ) est la rsistance correspondant un lec-
tron dont le spin est parallle (respectivement antiparallle)
laimantation locale de la couche considre.
Lorsque la couche est sature (alignement parallle), les lec-
trons de spin , parallle aux aimantations locales des couches, sont
peu diffuss par rapport aux lectrons de spin . Il y a donc
court-circuit par les lectrons de spin (figure 9). La rsistance Rp
(correspondant la configuration parallle) scrit :
dun capteur ou dune tte magntique. Les conditions dlabora-
R r tion du motif ainsi que sa gomtrie influent directement sur ses
caractristiques finales et chaque application donne lieu un ajus-
R r
tement spcifique des paramtres de fabrication.
Le dpt seffectue prfrentiellement sur une sous-couche iso-
lante, de silice par exemple. Afin dintgrer cette multicouche dans
un cycle de fabrication plus complexe comme celui dune tte pour
disques durs, sa tenue aux diffrents cycles thermiques doit tre
leve. Gnralement, il doit supporter sans dgradation une
temprature de 250 oC pendant quelques heures et doit tre pro-
tg de toute corrosion.
Bien que diffrents systmes aient t tudis, deux systmes
sont lheure actuelle utiliss en production. La diffrenciation de
ces deux types de multicouches MRG se fait selon la mthode
utilise pour faire varier lorientation relative des aimantations des
couches magntiques.
Multicouches couples antiferromagntiquement
tance en fonction du champ appliqu. Les paramtres utiliss pour
caractriser la MRG sont les suivants :
le champ saturation (Hsat) : cest le champ extrieur nces-
saire pour saturer le phnomne de diminution de rsistivit. On
atteint alors la rsistance saturation ;
lamplitude de magntorsistance : cest lcart maximal de
rsistance rapport la rsistance champ nul. Elle se mesure en
pourcentage et est dfinie comme suit :

R R 0 R sat
R p = 2 ------------
rR -------- = ----------------------
-
r+R R0 R0

La variation normalise de rsistance scrit alors :
R R ap R p ( 1) 2
--------- = ---------------------- = --------------------2-
R ap R ap ( + 1)
R Lexemple type est la multicouche Fe/Cr dans laquelle leffet de
avec = ----
r
Une forte amplitude de magntorsistance suppose donc un fort
contraste de diffusion entre lectrons de spin et de spin , cette
diffusion pouvant se produire dans le volume des couches magn-
tiques ou aux interfaces avec le mtal non magntique.
2.3 Les diffrents types de multicouches
magntorsistance gante
Les multicouches magntorsistives sont dposes gnrale-
ment par pulvrisation cathodique. Lamplitude de magntorsis-
tance du dpt peut tre mesure par une mthode 4 pointes. Une
phase de lithographie et une phase de gravure par usinage ionique
permettent de dfinir un motif qui va devenir llment sensible
la sensibilit au champ magntique : cest le rapport de
lamplitude de magntorsistance au champ saturation qui lui est
associ. Elle sexprime en pour-cent par rsted (%/Oe). (Il est rap-
pel que 1 Oe = 80 A/m).
MRG a t mis en vidence pour la premire fois. Les champs de
saturation de ce type de systmes sont souvent levs pour les
applications, sauf dans certains cas particuliers tels que les multi-
couches NiFe/Ag ou NiFe/Au.
Parmi ces diffrentes multicouches, les NiFe/Ag (figures 11, 12)
semblent les plus prometteuses pour des applications en
microlectronique magntique [7] [16]. En effet, elles prsentent de
fortes amplitudes de MRG associes des champs de saturation
suffisamment faibles. temprature ambiante, lamplitude de
MRG de multicouches (NiFe 2 nm/Ag 1,1 nm)50 (50 tant le nombre
de bicouches) est de 15 % pour un champ de saturation de lordre
de 10 kA/m. De plus, ces multicouches sont trs stables du point de
vue structural contrairement aux multicouches NiFe/Cu par exem-
ple dans lesquelles la miscibilit de NiFe et de Cu conduit une
interdiffusion importante des deux matriaux au niveau des inter-
faces. Les proprits magntorsistives des multicouches NiFe/Ag

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Retournement de laimantation de la couche pige de Co

Retournement de laimantation
de la couche douce de Ni80 Fe20
12

Magntorsistance (%)
10

4
NiFe 2 nm (blanc)/Ag 1 nm (noir)

Cette vue met en vidence la remarquable priodicit de l'empilement 2

malgr la trs faible paisseur des couches individuelles.
0
40 30 20 10 0 10 20 30 40
Figure 11 Vue en coupe par microscopie lectronique
en transmission dune multicouche de composition (Ni80Fe20 /Ag)100 Champ magntique (kA/m)
(photo : J. Thibault, CEA/Grenoble, DRFMC) a courbe de magntorsistance complte obtenue en balayant le
champ sur une gamme suffisamment large (de -- 40 + 40 kA/m)
pour provoquer les retournements des aimantations
de la couche magntiquement douce (NiFe 7 nm/Co 0,2 nm)
et de la couche pige (Co 3 nm)
100
12

Magntorsistance (%)
R (H ) / R0 (%)

95
10

90 8

85 6
16 8 0 8 16
20 12 4 4 12 20
4
H (kA/m)

Figure 12 Magntorsistance gante dune multicouche de priode
(NiFe 2 nm/Ag 1,1 nm) obtenue au LETI
samliorent aprs des recuits allant jusqu 250 oC (diminution du
champ de saturation donc augmentation de la sensibilit
magntorsistive) [7]. De plus, les caractristiques R (H ) prsentent
une bonne linarit sur une grande gamme de champs (figure 12).
De par le couplage antiferromagntique, ces multicouches ra-
gissent au module et non au sens du champ appliqu. Pour dtec-
ter celui-ci, il est ncessaire de crer un champ additionnel dit de
polarisation quil faudra ajuster pour obtenir une sensibilit
maximale au champ magntique.
2
0
10 5 0 5 10
Champ magntique (kA/m)
b cycle mineur obtenu en rduisant lexcursion en champ de sorte
que seule laimantation de la couche douce se retourne.
Les flches indiquent le sens de lvolution du champ
magntique (rsultat obtenu au CEA / Grenoble, DRFMC).
Lhystrsis observe sur le cycle mineur peut tre supprime
en appliquant un faible champ transverse statique en plus
du champ excitateur ou en positionnant laxe de facile
daimantation de la couche douce 90 de la direction
daimantation de la couche pige.

Vannes de spin Figure 13 Magntorsistance dune structure vanne de spin

Il sagit de multicouches comprenant seulement deux couches
magntiques spares par une couche conductrice non magn-
tique dpaisseur suffisante pour que le couplage entre les deux
couches magntiques soit faible. Ainsi, les aimantations des deux
couches magntiques sont quasiment indpendantes lune de
lautre. Par un choix appropri de matriaux magntiques, on
pige laimantation dune des couches qui donc reste fixe sur une
large gamme de champs magntiques appliqus [8]. Une faon
trs efficace de raliser ce pigeage est de coupler la couche
magntique une couche antiferromagntique telle que NiO,
FeMn, NiMn, PtMn ou TbCo. Ce couplage conduit soit un dca-
lage du cycle dhystrsis de la couche pige soit un largisse-
ment considrable de ce cycle. La deuxime couche magntique
est choisie par contre magntiquement douce pour quelle puisse
suivre facilement les variations du champ appliqu. Il sagit sou-
de composition NiO 27,5 nm/Co 3 nm/Cu 2 nm/Co 0,2 nm/NiFe 7 nm
vent de Permalloy, alliage de composition proche de Ni80 Fe20 . Un
exemple de courbe de magntorsistance dune structure vanne de
spin base de NiO est donn sur la figure 13.
Lintrt des capteurs de type vanne de spin pour lenregistre-
ment magntique est illustr sur la figure 14 o lon compare un
lment vanne de spin avec un lment monocouche de NiFe
magntorsistance anisotrope. Dans llment vanne de spin, le
pigeage par une couche de FeMn permet de bloquer la couche de
NiFe de 6 nm jusqu 12 kA/m. On observe trois rgimes :
en champ ngatif, les deux aimantations sont dans le mme
sens et il ny a pas de variation de rsistance ;

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Rsistance
23,5

R/H = 2,5 / (kA/m)

R ()

R /R = 4 %
23
R = 0,9 1%
22,5

1,5
22kA/m
Oe
22
0,03 0 0,03
B (T)

a lment vanne de spin NiFe/Cu/NiFe/FeMn

9
R/H = 0,57 / (kA/m) Champ appliqu
R ()
R = 0,18
R/R = 2 %

8,5 Figure 15 Courbe donnant lvolution de la rsistance

en fonction du champ dune couche non grave vanne de spin

7,5
Couche Couche
0,03 0 0,03
dchange pige
B (T)

b lment monocouche NiFe Mp

Ml

Figure 14 Variation compare de la rsistance en fonction

de linduction magntique entre un dispositif vanne de spin
et un dispositif magntorsistance anisotrope (rsultats Philips) Espaceur Couche
libre

lorsque lon augmente le champ, laimantation de la couche Figure 16 Barreau vanne de spin dans lequel laimantation
libre bascule brusquement autour de son champ coercitif. Les de la couche pige est oriente 90o de celle de la couche libre
aimantations sont alors inverses et on observe le saut de rsis- en labsence de champ extrieur
tance typique de leffet magntorsistif gant ;
quand le champ est plus lev, le pigeage de la couche anti-
ferromagntique devient insuffisant et laimantation de la
deuxime couche se renverse. Son aimantation saligne alors avec
Rsistance

celle de lautre couche et on observe la diminution de rsistance.

Lorsque lexcursion de champ est rduite en dessous du champ
de retournement de laimantation de la couche pige, on obtient
alors la rponse en marche descalier des figures 13b ou 15. La
rsistance de la structure varie trs rapidement au moment du
retournement de laimantation de la couche douce. Le cycle dhys-
trsis de la couche douce est lgrement dcentr par rapport au
champ nul. Cela est d lexistence dun faible couplage ferroma-
gntique entre les deux couches magntiques travers la couche
non magntique de Cu. Des sensibilits magntorsistives dpas-
sant 25 %/(kA/m) ont t obtenues dans ces vannes de spin.
Afin dobtenir un capteur de champ, il faut obtenir une caract-
ristique symtrique et impaire par rapport au champ nul. Cet effet
est obtenu en bloquant laimantation 90o de la couche pige par
rapport la couche libre (figure 16).
Champ appliqu
En labsence de champ, laimantation de la couche libre soriente
90o de la couche pige et le capteur qui a la forme dun barreau
prsente une rsistance moyenne. Avec un champ magntique Figure 17 Courbe linarise rsistance en fonction du champ
appliqu transversalement et dans le plan du barreau, laimanta- dun capteur vanne de spin
tion de la couche libre va sorienter jusqu la configuration paral-
lle ou antiparallle (figure 17).
La sensibilit magntorsistive du barreau est rgle pendant la recherche le maximum de sensibilit afin de dtecter des aimanta-
phase de conception en fonction des sources de champs dtecter tions de plus en plus faibles et datteindre ainsi des densits
et dpend de la largeur. Ainsi, pour une tte disque dur, on denregistrement leves.

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Champ
S

Couche de
dtection

Couches de
Tricouche couplage
rigide antiferromagntique

a schma du capteur Couche de

dcouplage Couche de
dtection

Vout /Vb (mV/V)

50

25 Les couches de dtection sont reprsentes en bleu clair, spares

par une couche paisse de Cu (gris). Le rle des couches de cuivre
est de dcoupler magntiquement les couches de dtection
0 de la tricouche centrale rigide.
La tricouche (AAF) consiste en un empilement de Co/Ru/Co/Ru/Co

25 T = 100 C
Figure 19 Capteur angulaire de Siemens
T = 25 C
50
8 6,4 4,8 3,2 1,6 0 1,6 3,2 4,8 6,4 8
H (kA/m)
Vb tension d'alimentation du pont Tableau 2 Caractristiques compares des capteurs
effet Hall, MRA et MRG
b tension de sortie du capteur
Type de capteur
Caractristiques
Figure 18 Capteur FeNi/Ag dvelopp au LETI Effet Hall MRA MRG
Amplitude du signal faible moyenne leve
Sensibilit faible forte forte
2.4 Capteurs magntorsistance gante
Dynamique 50 T-100 T 100 nT-10 mT 1 T- 50 mT
Loffre en capteurs MRG saccrot actuellement en fonction des Puissance consomme faible forte faible
applications o le dveloppement dun nouveau capteur se justifie.
Surface faible grande faible
terme, le capteur MRG devrait remplacer le capteur AMR et
prendre une part du march du capteur effet Hall. Lanalyse Cot faible lev moyen
comparative entre ces deux technologies permet dapprcier lint-
rt des capteurs MRG (tableau 2).
Capteur de champ base de multicouches FeNi/Ag Cette socit commercialise plusieurs gammes de produits
dvelopp par le LETI [13] partir de cette technologie :
Ce capteur (figure 18) se prsente sous la forme dun pont capteur de champ magntique ;
de magntorsistances polaris par des aimants micro-usins et gradiomtre (mesure les gradients de champs magntiques) ;
colls. commutateur magntique.
Capteur de champ de NVE Capteur angulaire de Siemens
Le capteur est ralis base dune multicouche FeNiCo/Cu de Depuis 1997, Siemens propose sur le march des capteurs
20 nm dpaisseur. magntorsistifs qui rsultent dune collaboration troite entre le
laboratoire de recherches de Siemens Erlangen et lIPCMS (Insti-
La couche prsente un coefficient de magntorsistance de 10 %
tut de physique et chimie des matriaux de Strasbourg). Cest un
avec un champ de saturation de 20 kA/m. Un pont de Wheatstone
capteur angulaire avec une rsolution angulaire de 1o.
est ralis en gravant dans la couche 4 lments de 5 k. La rali-
sation dun guide de flux permet daugmenter la sensibilit de Le principe de ce capteur (figure 19) consiste obtenir une rela-
deux rsistances et de blinder les deux autres afin dobtenir le tion biunivoque reliant la rsistance dune multicouche langle
dsquilibre du pont en prsence dun champ magntique. (de 0o 360o) entre celle-ci et un aimant fix toute pice mca-

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Tableau 3 Caractristiques typiques de capteurs magntorsistance gante

LETI LETI NVE Siemens
Type de mesure Champ Champ Champ Angle
Modle LIN TEMP AA002-02 S4
Excursion 3,2 kA/m 0 0,84 kA/m 5 15 kA/m
Sensibilit ou signal 0,6 mV/V/Oe 0,4mV/V/Oe 4,2 mV/V/Oe 20 mV/V
Linarit 0,4 % 0,7 % <4%
Hystrsis 3,2 A/m 3,2 A/m < 32 A/m < 2o
Offset max 4 mV/V
Drive en temprature 1 400 ppm/K 1 200 ppm/K 1 400 ppm/K
Gamme de temprature 40 150 oC 40 200 oC 50 150 oC 40 150 oC
Gamme de frquence 0 10 MHz 0 10 MHz
Bruit 0,3 nT Hz ( 10 Hz)
Guides non non oui non
Nous rappelons que 1 Oe = 80 A/m.

nique en rotation. Pour ce faire, il faut quune partie de la multicou-
che ait une aimantation fixe quelle que soit la direction du champ
magntique extrieur, et que lautre partie de la multicouche ait
une aimantation qui suive librement ce champ. Pour obtenir une
aimantation difficile renverser, le capteur utilise un empilement
central Co/Ru/Co/Ru/Co dont les trois couches de cobalt sont trs
fortement couples antiparalllement travers les couches de
ruthnium. Les paisseurs de ces trois couches sont ajustes de
sorte que le moment magntique total de cet empilement est nul.
Le champ appliqu na alors pas demprise, lorsquil est faible, sur
laimantation de cet empilement. Un tel empilement sappelle un
antiferromagntique artificiel (AAF, Artificial Antiferromagnet ).
Les domaines dapplications sont similaires ceux des capteurs
MRA. Cependant les caractristiques particulires permettent de
nouveaux dveloppements comme :
capteur angulaire absolu ;
commutateur sans contact ;
potentiomtre sans contact ;
isolateur de signal.
Des caractristiques typiques de capteurs MRG sont donnes
dans le tableau 3.
riseur/analyseur en optique. En appliquant un voltage de part et
dautre de la barrire isolante, des lectrons passent par effet tun-
nel travers lisolant. Lorsque les aimantations de part et dautre
de la barrire sont parallles, les lectrons ont plus de facilit
passer que lorsque les aimantations sont antiparallles. Il en
rsulte une variation de conductance de la barrire qui peut attein-
dre 40 % temprature ambiante.
Les premires expriences deffet tunnel dans des jonctions avec
lectrodes magntiques ont t effectues par Meservey et Tedrow
(Massachusetts Institut of Technology) dans les annes 1970. Il
sagissait deffet tunnel entre une lectrode magntique et un film
supraconducteur daluminium travers une barrire dalumine
amorphe. Ces expriences permettent de mesurer la polarisation P
des lectrons qui tunnellent partir de diffrents matriaux
magntiques. Les taux de polarisation suivants ont t obtenus :
lment Fe Co Ni Gd
Taux de polarisation (%) 44 34 11 4

Jullire (1975) tudia ensuite un dispositif nomm vanne

3. Autres types de capteurs
magntorsistance
3.1 Magntorsistances tunnel
Le phnomne de magntorsistance gante trait dans les
paragraphes prcdents concernait des systmes en multicouches
entirement mtalliques. Rcemment, il a t observ que des
effets de magntorsistance encore plus importants temprature
ambiante et en champs faibles peuvent aussi tre obtenus
temprature ambiante dans des jonctions tunnels magntiques.
Ces jonctions sont constitues dune fine couche isolante (le plus
souvent en alumine) dpaisseur de 0,5 2 nm prise en sandwich
entre deux lectrodes mtalliques magntiques dont on peut,
comme dans les vannes de spin, contrler lorientation relative des
aimantations. Ce systme fonctionne comme un couple pola-
magntique constitu de deux couches magntiques (Ni et Co
par exemple) spares par une fine barrire isolante ou semi-
conductrice (Ge dans son cas, dpaisseur de lordre de 5 nm). La
diffrence de coercitivit des deux matriaux magntiques
employs permet de faire varier lorientation relative des aimanta-
tions des deux lectrodes comme dans le cas de vannes de spin.
Jullire a observ que le courant tunnel tait plus important
(denviron 12 % dans ses structures 4 K) lorsque les aimantations
des lectrodes taient parallles que lorsquelles taient antiparal-
lles. Linterprtation physique de cet effet est la suivante : les lec-
trons qui tunnellent travers la barrire isolante proviennent
du niveau de Fermi ou dune bande dnergie de lordre de V en
dessous du niveau de Fermi de llectrode mettrice magntique
o V reprsente le voltage appliqu de part et dautre de la bar-
rire. Du fait du dcalage en nergie des sous-bandes de spin et
qui caractrise le magntisme des matriaux utiliss, ces lec-
trons ont une polarisation non nulle. Comme la transmission tra-
vers la barrire prserve en gnral le spin des lectrons (cest en
tout cas ce que lon souhaite), ces lectrons parviennent dans
llectrode rceptrice avec une polarisation lie laimantation de

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llectrode mettrice. Si les aimantations des deux lectrodes sont
parallles, ces lectrons trouvent beaucoup dtats vides au niveau
de Fermi de llectrode rceptrice quils peuvent occuper. Le cou-
rant tunnel peut donc tre relativement important. Si, par contre,
les aimantations des deux lectrodes sont antiparallles, les lec-
trons tunnels nont que peu dtats disponibles (bande minoritaire
pleine) dans llectrode rceptrice. Le courant tunnel est alors plus
faible. De faon plus quantitative, on peut montrer que la variation
relative de conductance entre les deux configurations magntiques
parallles et antiparallles est donne par :
G
-------- = 2 P 1 P 2
G ralisation de jonctions base de matriaux semi-mtalliques. La
o P1 et P2 reprsentent les polarisations dans les lec-
trodes mettrice et rceptrice.
Depuis ces premires tudes, un effort important a t entrepris
pour amliorer la qualit des barrires tunnels et augmenter
lamplitude de leffet de vanne magntique (changement de cou-
rant tunnel en fonction de lorientation relative des aimantations
des lectrodes). ce jour, les meilleurs rsultats ont t obtenus
pour des barrires dAl2O3 amorphe. La difficult surmonter est
de fabriquer des barrires denviron 2 nm dpaisseur prsentant
de bonnes caractristiques isolantes. La technique utilise consiste
dabord dposer une couche daluminium mtallique denviron
1 2 nm puis loxyder in situ par un plasma doxygne. Des
variations de courant tunnel de 30 % temprature ambiante ont
t obtenues dans ce type de structure. Si la jonction est recuite
250 oC pendant 30 min, lamplitude de magntorsistance aug-
mente encore jusqu 40 %. Il semble que cet effet soit li une
migration de loxygne vers lintrieur de la barrire isolante au
cours du recuit : brutes de dpt, les jonctions prsentent une
lgre oxydation des lectrodes magntiques aux interfaces avec
la barrire dalumine. Comme la chaleur latente de formation de
lalumine est plus leve que celle des oxydes magntiques, le
recuit tend favoriser la migration de loxygne vers loxyde le
plus stable cest--dire vers le cur de la barrire. Une proprit
importante des jonctions tunnels est que lamplitude de magnto-
rsistance dcrot de faon significative avec le voltage appliqu
(voir figure 20). Lamplitude de magntorsistance dcrot typique-
ment dun facteur 2 lorsque le voltage varie de 0 environ 0,3 V.
Cela suscite beaucoup dintrt du point de vue de la recherche
fondamentale mais pose un problme pour les applications car
lamplitude relative de la variation de signal chute lorsque lon aug-
mente la densit de courant travers la jonction. Par ailleurs, ces
jonctions sont relativement fragiles du point de vue lectrique et
subissent un claquage dilectrique si on les expose des voltages
suprieurs environ 1,5 V.
Plusieurs interprtations ont t proposes pour expliquer la
variation de magntorsistance en fonction du voltage de mesure.
Une premire interprtation provient de la variation de la polarisa-
tion des lectrons tunnels en fonction de leur nergie. Les lec-
trons qui tunnellent travers la barrire proviennent dune bande
dnergie V (voltage appliqu) en dessous de lnergie de Fermi.
Or, du fait de la structure lectronique de la plupart des mtaux de
transition ferromagntique, la polarisation des lectrons a ten-
dance diminuer si lon considre des nergies de plus en plus
basses en dessous du niveau de Fermi. Cette diminution de pola-
risation conduit une baisse de magntorsistance puisque
celle-ci est donne par :
G Co/Cu/Co. En utilisant des couches de Co dpaisseur diffrente ou
-------- = 2 P 1 P 2
G
Une autre explication a t propose en termes dexcitations
magntiques apparaissant linterface entre la barrire doxyde et
llectrode rceptrice. Lorsquun voltage est appliqu aux bornes
de la jonction, les lectrons qui tunnellent travers la barrire
sont injects dans llectrode rceptrice avec une nergie sup-
rieure au niveau de Fermi. On qualifie ces lectrons de chauds .
Trs rapidement, ces lectrons sont diffuss de faon inlastique
par cration de phonons (vibration du rseau cristallographique) et
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R 416 12 Techniques de lIngnieur, trait Mesures et Contrle
de magnons (excitations de laimantation) au voisinage de linter-
face oxyde/lectrode magntique. Les magnons, leur tour, inter-
agissent avec le spin des lectrons injects et tendent les
dpolariser. Plus le voltage est important, plus les lectrons sont
chauds, plus ils gnrent de magnons, plus ils se font dpolariss.
Ce mcanisme semble expliquer de faon plus quantitative la
baisse de magntorsistance avec le voltage de mesure. Il rend
compte aussi de certaines asymtries observes dans la dcrois-
sance de la magntorsistance en fonction du voltage de mesure
lorsque lon utilise des matriaux diffrents des deux cts de la
barrire.
Dimportants efforts de recherche portent actuellement sur la
structure de bande de ces matriaux est telle quelle prsente un
gap au niveau de Fermi pour une polarisation dlectrons et un
caractre mtallique pour la polarisation oppose. Autrement dit,
les lectrons au niveau de Fermi sont 100 % polariss ce qui fait de
ces matriaux des candidats idals pour llectronique de spin. Plu-
sieurs familles de matriaux sont connues pour leurs proprits
semi-mtalliques : les alliages dHeussler (type NiMnSb), les
manganites valence mixte de structure perovskite (type
La 0,7 Sr 0,3 MnO 3 ) ou dautres composs comme le dioxyde de
chrome (CrO2 ). Des amplitudes de magntorsistance de plusieurs
centaines de pour-cent basse temprature ont t observes
dans des jonctions pitaxiales de la forme La0,7Sr0,3MnO3/SrTiO3/
La0,7Sr0,3MnO3 [10].
Malgr les limitations des jonctions discutes ci-dessus, celles-ci
suscitent un intrt considrable, principalement parce quelles
constituent de bons candidats pour la ralisation de dispositifs
mmoire non volatile. Du point de vue de la ralisation de capteurs
de champs magntiques, leur limitation en courant impose par le
claquage dilectrique et la perte de sensibilit en fonction du vol-
tage risquent den rduire lintrt comparativement aux systmes
magntorsistance gante.
Une premire ralisation de capteurs pour la dtection de faibles
champs [14] dmontre la possibilit dobtenir une sensibilit le-
ve de 3 %/Oe faible champ avec peu dhystrsis. Lobtention
dun faible bruit impose des rsistances faibles ce qui conduit la
fabrication de couches dalumine infrieures 1 nm. On se trouve
alors confront des problmes de reproductibilit et de claquage
lectrique. Plus rcemment, un lment de base MRT dun capteur
angulaire a t mis au point par lIPCMS et Siemens [15]. La
magntorsistance est de 15 % avec des tensions de 3 mV jusqu
160 mV, le claquage apparaissant vers 1,8 V.
3.2 Transistor effet vanne de spin
Il sagit dun transistor base mtallique dont la base est rem-
place par une multicouche mtallique magntorsistance
gante [11]. Un tel transistor nest pas destin des fonctions
damplification dun signal lectrique mais fournir un courant de
collecteur trs sensible un champ magntique appliqu. Il peut
tre utilis comme capteur de champ magntique ultrasensible ou
comme dispositif mmoire. Un exemple de ralisation de transis-
tor vanne de spin est montr sur la figure 21.
Dans cet exemple, le transistor est constitu de deux substrats
de silicium accols par lintermdiaire dune fine multicouche
en choisissant lpaisseur de Cu de sorte quun couplage antiferro-
magntique existe entre les couches de Co, on peut faire varier
lorientation relative des aimantations dans les deux couches de
Co. Ce sandwich constitue la base mtallique du transistor.
La figure 22 montre le schma de potentiel vu par les lectrons
travers la structure.
Lorsque le transistor est polaris de faon approprie comme
indiqu sur la figure 21, des lectrons chauds sont injects de
lmetteur dans la base travers la barrire de Schottky qui spare
__________________________________________________________________________________________________________ CAPTEURS MAGNTORSISTIFS

Rj (k)
MRT (%)
3,2
25
3
20
2,8 15

2,6
0 0,2 0,4 0,6
Voltage (V)
12 8 4 0 4 8 12
H ( kA/m ) Barrire dnergie = 2,3 eV
re
a 1 jonction :
paisseur de la couche dAl : 1,1 nm
temps dexposition O2 : 6 s
surface : 2 x 3 mm2
MRT : 27,3 %

Rj (k)
MRT (%)
0,23
14
12
0,22 10
8
6
0,21
0 0,2 0,4
Voltage (V)
12 8 4 0 4 8 12
H ( kA/m ) Barrire dnergie = 1,0 eV
e
b 2 jonction :
paisseur de la couche dAl : 0,9 nm
temps dexposition O2 : 10 s
surface : 3 x 3 mm2
MRT : 14,8 %

MRT : magntorsistance tunnel

La barrire est prpare en dposant une couche mince daluminium mtallique que lon oxyde
ensuite par exposition un plasma doxygne. Les temps dexposition sont respectivement
de 6 et 10 secondes pour les deux jonctions.
La jonction qui prsente la hauteur de barrire effective la plus haute (2,3 eV) montre la
magntorsistance la plus forte. Comme pour les vannes de spin, la magntorsistance
de la jonction a une forme de marche descalier champ faible.
Le saut de rsistance correspond au retournement de laimantation de la couche magntiquement
douce (Ta 10 nm/NiFe 10 nm/CoFe 2 nm), laimantation de la couche pige restant fixe dans cette
gamme de champ. Figure 20 Magntorsistance de deux
Les deux courbes droite montrent la dcroissance de lamplitude de magntorsistance en jonctions de composition
fonction du voltage de mesure. Ta 10 nm/NiFe 10 nm/CoFe 2 nm/Al2O3 /
La barrire la plus haute prsente une dcroissance plus lente.
CoFe 4 nm/ MnRh 17 nm/Ta 3 nm [9]

Ie e
lectrons chauds

Pt
Co
Ie Cu
metteur (Si) Co
e e metteur Collecteur
Base

Vbc
+ Collecteur (Si) Suivant ltat magntique de la multicouche constituant la base du
Ic
A transistor, les lectrons injects dans la base sont soit transmis et
e contribuent au courant de collecteur, soit diffuss dans la base et
contribuent alors au courant de base (voir texte).

Figure 21 Reprsentation schmatique dun transistor vanne Figure 22 Schma de potentiel vu par les lectrons
de spin et du circuit de polarisation travers le transistor de la figure 21

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CAPTEURS MAGNTORSISTIFS __________________________________________________________________________________________________________

lmetteur de la base. Les lectrons injects dans la base ont une
nergie suprieure au niveau de Fermi, on les appelle des lec-
trons chauds. Par ailleurs, il est connu que dans des matriaux
magntiques comme le Co, les lectrons de spin parallle
laimantation locale sont bien moins diffuss que ceux de spin anti-
parallle laimantation locale. De ce fait, la transmission des lec-
trons injects travers la base dpend fortement de lorientation
relative des aimantations des couches magntiques dans la multi-
couche. Si les aimantations sont parallles, les lectrons de spin
parallle laimantation sont faiblement diffuss. Ils gardent alors
leur nergie cintique et arrivent passer la deuxime barrire de
Schottky sparant la base du collecteur. Le courant de collecteur
est alors important. Si, au contraire, les aimantations sont antipa-
rallles, les lectrons sont diffuss dans lune ou lautre des cou-
ches magntiques et perdent leur nergie cintique. Ces lectrons
diffuss ne peuvent pas pntrer dans le collecteur et participent
alors au courant de base. Des variations de courant de collecteur
de 400 % ont t obtenues exprimentalement dans ces structures
la temprature de lazote liquide et 180 % temprature
ambiante. 300 K, les performances sont rduites cause du cou-
rant de fuite qui passe entre la base et le collecteur. Pour rduire
ce courant de fuite, il faut augmenter la hauteur de la barrire de
Schottky base/collecteur (par exemple en utilisant une interface
Si/Pt) et en consquence aussi augmenter la hauteur de barrire
metteur/base qui doit tre plus leve que la prcdente. Ceci est
fait en remplaant cette barrire de Schottky par une barrire tun-
nel en alumine.
Au-del de ce dispositif particulier, dimportants efforts de
recherche sont actuellement fournis pour crer des structures
hybrides associant mtaux magntiques et semi-conducteurs. En
lectronique, on ne considre plus seulement llectron comme un
porteur de charge lectrique mais aussi comme un porteur de spin.
Linjection dlectrons polariss en spin dans des semi-conducteurs
pourrait permettre de raliser une multitude de dispositifs nou-
veaux tels que des transistors MOSFET prsentant des trans-
conductances ngatives, des transistors gain contrlable par un
champ magntique, des capteurs de champs magntiques ultra-
sensibles, des dispositifs mmoires non volatiles, des systmes
dinterconnections optiques utilisant une lumire polarise circulai-
rement, et bien dautres.

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