ITCR. Laboratorio de Circuitos Discretos. Experimento 3. Grupo 7.
POLARIZACION DE TRANSISTORES BJT POR
EMISOR Y POR REALIMENTACION
Josue Evaristo Arce Soto
josuearce77@gmail.com
Luis Andrey Cedeno Sanchez
luancedeno96@gmail.com
ResumenEn este experimento se determinan las condiciones
de operacion en las configuraciones de polarizacion por emisor y
por realimentacion del transistor BJT, sus ventajas y desventajas.
Palabras ClaveTransistor BJT, polarizacion, emisor, reali-
mentacion, condiciones de operacion.
I. MARCO TE ORICO
Un transistor BJT es un dispositivo electronico de estado
solido que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
es decir, funciona como un aplificador de corriente. El tran-
sistor funciona en 3 modos de operacion: corte, saturacion y
region lineal. Cuando el transistor opera en su region de corte,
actua como si fuera un interruptor abierto, en otras palabras,
no conduce corriente.
El modo de saturacion de un transistor BJT implica que
la corriente que circula desde el colector hasta el emisor sea
maxima, permitiendo que el transistor se comporte como un
interruptor cerrado, por lo tanto, hay conduccion.
Cuando se amplifica una senal es necesario que el punto
bajo el que opere el transistor sea lo mas establece posible,
para ello la relacion entre entrada y salida o ganancia debe
ser inmune a cambios, para lograr esta estabilidad existe el
circuito de polarizacion por emisor[1].
VCC = 20V
RC 2.2 k
RB 1 M
VC IC
IB
VB
VE
IE
2.2 k
RE
Figura 1: Circuito para estimar
En la configuracion del circuito de la Figura 1 se estudiara la
polarizacion por emisor, en este a diferencia de la polarizacion
1
directa se puede construir utilizando una segunda fuente de
alimentacion negativa en sustitucion de la conexion a tierra
para dar una mayor estabilidad.
Se busca tener una resistencia de entrada en la terminal
del emisor veces menor que la resistencia de entrada en la
terminal de base, de esta manera la corriente del emisor se
vuelve independiente de . Entonces, al cambiar el modelo
de transistor en el circuito los cambios de IC y de VC son
pequenos.
La polarizacion por realimentacion de colector tambien
otorga estabilidad al cirucito, es semejante a la polarizacion
fija pero la resistencia conectada en la base del transistor se
conecta directamente a la entrada del colector del transistor en
lugar de a la fuente de alimentacion. El voltaje en la resistencia
de base depende del voltaje de colector y a su vez, de la
corriente de colector. Esto produce un efecto de realimentacion
negativa, incrementar la corriente de colector IC causa una
reduccion en el voltaje de colector VC lo que produce una
reduccion en la corriente de entrada en la base IB [2].
VCC = 20V
RC 3 k
IB
VC IC
390 k
VB
RB
VE IE
2.2 k RE
Figura 2: Polarizacion con realimentacion en colector con resistencia de
emisor
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B. POLARIZACION DE EMISOR
VCC = 20V
Se midieron corrientes y tensiones en el circuito de la Figura
RC 1 usando dos transistores con el fin de obtener la ganancia
3 k descrita en la Ecuacion 1 y los parametros relvantes.
IB Tabla IV: Valores experimentales obtenidos de la Figura 1.
VC IC
1 M Transistor 2N3904 2N4401
VB
VB [V] 8,27 7,61
VC [V] 12,16 12,60
RB VE [V] 7,68 7,20
VE IE VBE [V] 0,67 0,63
VCE [V] 4,51 12,20
IB [uA] 11,73 12,39
IC [mA] 3,48 2,36
Figura 3: Polarizacion con realimentacion en colector sin resistencia de emisor 297,00 271,00

La ganancia para un transistor BJT se puede calcular con

la siguiente ecuacion:
IC Tabla V: Porcentajes de error.
= (1)
IB Transistor 2N3904 2N4401
II. RESULTADOS % 1,98 5,25
%IC 1,69 11,32
La presente seccion del documento muestra los resultados %VCE 2,73 15,16
tanto teoricos como experimentales tabulados de acuerdo a los %IB 2,00 17,40
circuitos presentes en la Figura 1, Figura 2 y Figura 3. No se
muestra la representacion grafica de la simulacion debido a
que todos los valores son constantes.
C. POLARIZACION POR REALIMENTACION DE COLEC-
A. DATOS TEORICOS TOR SIN RESISTENCIA EN EMISOR
Tabla I: Valores teoricos calculados para la Figura 1
Tabla VI: Valores experimentales obtenidos de la Figura 3.
Transistor 2N3904 2N4401
Transistor 2N3904 2N4401
VB [V] 8,51 5,34
VC [V] 12,12 15,34 VB [V] 0,67 0,63
VE [V] 7,82 4,69 VC [V] 5,92 6,64
VBE [V] 0,68 0,65 VBE [V] 0,67 0,63
VCE [V] 4,39 10,65 VCE [V] 5,92 6,64
IB [uA] 11,50 15,00 IB [uA] 13,44 15,38
IC [mA] 3,54 2,12 IC [mA] 5,08 4,82
303,00 286,00

Tabla II: Valores teoricos calculados para la Figura 2 Tabla VII: Porcentajes de error.

Transistor 2N3904 2N4401 Transistor 2N3904 2N4401

VB [V] 0,69 50,66 %IC 11,64 36,54

VC [V] 6,34 19,40 %VCE 6,62 8,08
VBE [V] 0,69 0,66 %IB 7,11 13,10
VCE [V] 6,34 9,40
IB [uA] 14,47 20,00
IC [mA] 4,55 3,53
D. POLARIZACION POR REALIMENTACION DE COLEC-
TOR CON RESISTENCIA EN EMISOR
Tabla III: Valores teoricos calculados para la Figura 3
Tabla VIII: Valores experimentales obtenidos de la Figura 2.
Transistor 2N3904 2N4401
Transistor 2N3904 2N4401
VB [V] 7,26 6,05
VC [V] 11,03 12,64 VB [V] 7,03 6,80
VE [V] 6,58 5,39 VC [V] 10,65 11,03
VBE [V] 0,68 0,65 VBE [V] 0,66 0,63
VCE [V] 4,34 7,20 VCE [V] 4,19 6,75
IB [uA] 9,47 16,90 IB [uA] 9,26 10,82
IE [mA] 3,00 2,95 IE [mA] 3,37 2,23
IC [mA] 2,99 2,45 IC [mA] 3,09 2,50

2
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Tabla IX: Porcentajes de error.

Transistor 2N3904 2N4401

%IC 12,70 31,80
%VCE 5,63 36,77
%IB 4,04 2,50

III. AN ALISIS DE RESULTADOS

Al comparar los resultados de la Tabla 1 con los de la tabla
4, se puede observar el primer punto importante: la estabilidad
al entregar energa. Se observa un aumento en el porcentaje
de error al cambiar el transistor 2N3904 por el 2N4401, el
cambio en el al disminuir produce un cambio en la corriente
de colector, esto conlleva a un cambio en la tension de emisor
y por tanto, un cambio en la tenision de la resistencia de
base, la corriente de base disminuye compensando el cambio
en el produciendo estabilidad. El circuito puede funcionar
ante una tension variable de emisor pero si aumenta mucho la
tension o la resistencia de emisor se produce el efecto contrario
en la tension de colector-emisor y podra llegar a entrar en
saturacion.
En la polarizacion por realimentacion de colector la resisten-
cia de base no se conecta a un potencial fijo, como se observa
en la tabla 6, al disminuir al cambiar del transistor 2N3904
al 2N4401 disminuye la corriente de colector y la tension en
la resistencia de colector produciendo que la tension colector-
emisor aumente, tambien aumenta la corriente de base para
estabilizar el cambio de . En este caso la resistenica de base
no influye en la tension de colector-emisor as el transistor no
llegara a saturarse.
Segun las tablas 7 y 9 sobre los circuitos de polarizacion por
realimentacion por colector con y sin resistencia de emisor,
el circuito con resistencia de emisor presenta una menor
variacion en la corriente de colector y base, el error elevado en
la tension colector-emisor se debe a que esta tension cambia
para estabilizar el cambio de .
Gracias al poco uso del equipo y el cuidado con el que se
hizo el experimento, los porcentajes de error son aceptables.

IV. CONCLUSIONES
Se logro determinar que la topologa mas estable para la
polarizacion del transistor BJT y su aplicacion es la que se
utiliza por medio de la polarizacion por realimentacion de
colector con resistencia. Se comprobo experimentalmente que
el efecto de la resistencia de base en la tension colector-emisor
puede producir saturacion en la polarizarion de emisor pero no
en la polarizacion por realimentacion de colector. El parametro
del transistor BJT no influye en la corriente de salida, pues
se necesita que sea lo mas variable para reforzar la estabilidad
del circuito y las dos conclusiones anteriores. .

V. BIBLIOGRAF IA
[1] Kohkemper, D. Experimento 3 Polarizacion de transistores
BJT por emisor y por realimentacion de colector Recuperado de:
correo electronico.
[2] Boylestad, R. & Naschelsky, L. Electronica: Teora de
Circuitos