Eletronica Aula V

Conteudo da Aula Nveis de Resistencia Circuito Equivalente do Diodo Capacitancia de Transicao e Difusao Tipos de Diodos
Universidade Federal do Maranhao

Campus Balsas
Bacharelado Interdisciplinar em Ciencia e
Tecnologia
NT - Engenharia Eletrica
Disciplina de Eletronica I
CCTB0072
Prof. Me.Gustavo Andrade
Aula V- 10 de abril de 2017
Eletronica I Prof. Me.Gustavo Andrade Aula V- 10 de abril de 2017 (146)

C ONTE UDO DA A ULA
1 Nveis de Resistencia
2 Circuito Equivalente do Diodo
3 Capacitancia de Transicao e Difusao

Tempo de Recuperacao Reversa trr
Folha de Dados do Diodo (Datasheet)
4 Tipos de Diodos
O Diodo Emissor de Luz - LED

R ESIST ENCIA CC
A aplicacao de uma tensao CC a um circuito que contenha

um diodo semicondutor resultara em um ponto de
operacao na curva caracterstica que nao mudara com o
tempo.
A resistencia do diodo no ponto de operacao pode ser
encontrada simplesmente pela determinacao dos nveis
correspondentes de VD e ID , aplicado pela equacao:
VD
RD =
ID
Os nveis de resistencia CC no joelho e abaixo dele serao
maiores do que os obtidos para o trecho vertical da curva
caracterstica.

R ESIST ENCIA CC
De modo geral, portanto, quanto maior a corrente que

passa atraves de um diodo, menor o nvel de resistencia
CC.

R ESIST ENCIA CA
A resistencia CC de um diodo independe da forma da

curva caracterstica na regiao que circunda o ponto de
interesse;
Se for aplicada uma entrada senoidal, em vez de uma
entrada CC, a situacao mudara completamente;
A entrada variavel movera o ponto de operacao
instantaneo para cima e para baixo em uma regiao da
curva caracterstica e, assim, definira uma alteracao
especfica em corrente e tensao.

R ESIST ENCIA CA
Sem nenhum sinal variavel aplicado, o ponto de operacao
seria o ponto Q que aparece na Figura abaixo, determinado
pelos nveis CC aplicados;
A designacao de ponto Q deriva da palavra quiescente,
que significa estacionario ou invariavel.
Vd
rd =
Id

R ESIST ENCIA CA
Uma linha reta tracada tangente a curva atraves do ponto
Q definira uma mudanca especfica em tensao e corrente
que pode ser usada para determinar a resistencia CA ou
dinamica para essa regiao da curva caracterstica do diodo.

R ESIST ENCIA CA
De modo geral, portanto, quanto menor o ponto Q de

operacao (corrente menor ou tensao inferior), maior a
resistencia CA.

E XEMPLO
1 Para a curva caracterstica da Figura 1.27:
a Determine a resistencia CA em Id = 2 mA.
b Determine a resistencia CA em Id = 25 mA.
c Compare os resultados das partes (a) e (b) para as
resistencias CC em cada nvel de corrente.

R ESIST ENCIA CA
Do Calculo diferencal:
A derivada de uma funcao em um ponto e igual a inclinacao da
linha tangente tracada nesse ponto.
Vd
Logo a Eq. rd = Id se torna:
VD
d d
(ID ) = [Is (e VT 1)]
dVD dVD
e
dID 1
= (ID + Is )
dVD VT

R ESIST ENCIA CA
Como geralmente ID >> IS
d ID
(ID )
=
dVD VT
Invertendo o resultado para definir uma razao de

resistencia (R = V /I), teremos:
dVD VT
= rd =
dID ID
como = 1 e VT
= 26mV
26mV
rd =
ID

R ESIST ENCIA CA
A resistencia dinamica pode ser encontrada com a simples

substituicao do valor quiescente da corrente do diodo na
equacao.

R ESUMINDO

C ONTE UDO DA A ULA

4 Tipos de Diodos

C IRCUITO E QUIVALENTE DO D IODO
Um circuito equivalente e uma combinacao de elementos

adequadamente escolhidos para melhor representar as
caractersticas reais de um dispositivo ou sistema em
determinada regiao de operacao.

Neste caso, o smbolo do dispositivo pode ser removido de

um diagrama esquematico e o circuito equivalente inserido
em seu lugar, sem afetar seriamente o comportamento real
do sistema.
O resultado costuma ser uma rede que pode ser resolvida
com a utilizacao de tecnicas tradicionais de analise de
circuito.


Uma tecnica para obter um circuito equivalente para um
diodo e aproximar a curva caracterstica do dispositivo por
segmentos de reta;
O circuito equivalente resultante e chamado de circuito

equivalente linear por partes.
Se a curva caracterstica ou a folha de dados de um diodo

nao estiver disponvel, a resistencia rav podera ser
aproximada pela resistencia CA rd .


C ONTE UDO DA A ULA

4 Tipos de Diodos

C APACIT ANCIA DE T RANSIC AO E D IFUS AO
Todos os dispositivos eletronicos ou eletricos sao sensveis

a frequencia.

Em um diodo, a regiao de deplecao (sem portadores)

comporta-se basicamente como um isolante entre as
camadas de carga oposta.
Uma vez que a largura da camada de deplecao (d)
aumenta com a elevacao do potencial de polarizacao
reversa, a capacitancia de transicao resultante diminui:


Essa capacitancia, conhecida como capacitancia de

transicao (CT ), de barreira ou de regiao de deplecao, e
determinada por
C(0)
CT =
(1 + |VR /VK |)n
onde C(0) e a capacitancia sob condicoes sem polarizacao

e VR , o potencial de polarizacao reversa aplicada.
A potencia n e 1/2 ou 1/3, dependendo do processo de
fabricacao do diodo.


Embora o efeito descrito anteriormente tambem esteja
presente na regiao de polarizacao direta, ele e ofuscado por
um efeito da capacitancia diretamente dependente da taxa
em que a carga e injetada nas regioes do lado externo da
regiao de deplecao.
Conclui-se que os altos valores de corrente resultarao em
valores tambem mais altos de capacitancia de difusao
(CD), conforme demonstrado pela seguinte equacao:

t
CD = ID
VK
onde t e o tempo de vida do portador minoritario o
tempo que levaria para um portador minoritario (p.
ex.:uma lacuna) se recombinar com um eletron no material
do tipo n.
A capacitancia de transicao e o efeito capacitivo

predominante na regiao de polarizacao reversa, enquanto
a capacitancia de difusao e o efeito capacitivo
predominante na regiao de polarizacao direta.

T EMPO DE R ECUPERAC AO R EVERSA trr
Tempo de recuperacao reversa e a soma desses dois

intervalos: trr = ts + tt .
Trata-se de um fator importante nas aplicacoes de
chaveamento de alta velocidade.

F OLHA DE D ADOS DO D IODO (D ATASHEET )

N OTAC AO DE D IODOS

F OLHA DE D ADOS DO D IODO (D ATASHEET )

E NCAPSULAMENTO DE D IODOS

C ONTE UDO DA A ULA

4 Tipos de Diodos

O D IODO Z ENER
A ligeira inclinacao da curva na regiao Zener revela que

existe um nvel de resistencia a ser associado ao diodo
Zener no modo de conducao.
Essa regiao de caractersticas singulares e empregada no
projeto dos diodos Zener

O D IODO Z ENER

O D IODO Z ENER
Podemos controlar a localizacao da regiao Zener variando

os nveis de dopagem. Um aumento na dopagem, que
produz um aumento no numero de impurezas
adicionadas, diminuira o potencial Zener.
Diodos Zener estao disponveis com potenciais Zener de
1,8 a 200 V e potencias nominais entre 1/4W e 50 W.

O D IODO Z ENER

O D IODO Z ENER

O D IODO E MISSOR DE L UZ - LED
O diodo emissor de luz (LED) e aquele que emite luz

visvel ou invisvel (infravermelha) quando energizado.
Em qualquer juncao p-n polarizada diretamente, existe,
dentro da estrutura e principalmente proximo da juncao,
uma recombinacao de lacunas e eletrons.
Essa recombinacao exige que a energia do eletron livre nao
ligado seja transferida para outro estado.
Em todas as juncoes p-n semicondutoras, uma parte dessa
energia sera liberada na forma de calor e outra parte, na
forma de fotons.

Em diodos de Si e Ge, a maior porcentagem de energia

convertida durante a recombinacao na juncao e dissipada
na forma de calor no interior da estrutura, e a luz emitida e
insignificante.

Diodos de GaAs emitem luz (invisvel) na zona de

infravermelho durante o processo de recombinacao na
juncao p-n.
Ainda que a luz nao seja visvel, LEDs infravermelhos
possuem inumeras aplicacoes nas quais a luz visvel nao e
um efeito desejavel;
Incluem-se a sistemas de seguranca, processamento
industrial, acoplamento optico, controles de seguranca
como abridores de porta de garagem e entretenimento
domestico, nos quais a luz infravermelha do controle
remoto e o elemento controlador.


O espectro de frequencia para a luz infravermelha

estende-se de cerca de 100 THz a 400 THz, com o espectro
da luz visvel estendendo-se de cerca de 400 a 750 THz.
A resposta do olho humano medio, estende-se de cerca de
350 a 800 nm, com um pico proximo de 550 nm.


A intensidade de luz de um LED aumentara com a

corrente direta ate atingir um ponto de saturacao no qual
qualquer aumento adicional na corrente nao tornara
efetivamente maior o nvel de iluminacao.
Uma das principais preocupacoes quando se utiliza um
LED e a tensao de ruptura reversa, que normalmente fica
entre 3 e 5 V (ocasionalmente, um dispositivo apresenta
um nvel de 10 V).


P ROXIMA A ULA ...
Aplicacoes de Diodo:
Analise por reta de Carga;
Aplicacoes em serie/paralelo;
Retificadores;

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2 Circuito Equivalente do Diodo

3 Capacitancia de Transicao e Difusao

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A aplicacao de uma tensao CC a um circuito que contenha

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De modo geral, portanto, quanto maior a corrente que

Eletronica I Prof. Me.Gustavo Andrade Aula V- 10 de abril de 2017 (446)

A resistencia CC de um diodo independe da forma da

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De modo geral, portanto, quanto menor o ponto Q de

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Invertendo o resultado para definir uma razao de

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A resistencia dinamica pode ser encontrada com a simples

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2 Circuito Equivalente do Diodo

3 Capacitancia de Transicao e Difusao

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Um circuito equivalente e uma combinacao de elementos

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C IRCUITO E QUIVALENTE DO D IODO

Neste caso, o smbolo do dispositivo pode ser removido de

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O circuito equivalente resultante e chamado de circuito

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Se a curva caracterstica ou a folha de dados de um diodo

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3 Capacitancia de Transicao e Difusao

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Todos os dispositivos eletronicos ou eletricos sao sensveis

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Em um diodo, a regiao de deplecao (sem portadores)

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Essa capacitancia, conhecida como capacitancia de

onde C(0) e a capacitancia sob condicoes sem polarizacao

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A capacitancia de transicao e o efeito capacitivo

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