Cdigo: Ingeniera

UNIAGRARIA: GUA DE LABORATORIO Mecatrnica

INGENIERIA MECATRONICA Versin: 1
Fecha: 17/Julio /2016

Asignatura: ELECTRNICA DE POTENCIA

Docente: JOSE D. URRUTIA M. Programa : Ingenieras
Semestre: 8 Fecha de Elaboracin: 11 /08/2017 rea MECATRNICA
Ttulo: Transistores Bipolares Conmutadores
Grupo: 2142

1. COMPETENCIAS
Competencia Componentes Contenidos asociados (Temtica)
Revisar y verificar su funcionamiento, Ncleos conceptuales Indicaciones de variables
identificaciones, comprobaciones, polarizaciones y Identifica y deduce variables, polariza elementos y tabula
sus caractersticas. resultados y realiza graficas
Polarizaciones directa e inversa
Procesos cognitivos Fundamentos tecnolgicos
Investiga y prepara montajes, informe y socializacin. Simbolizaciones
Preguntas y evaluaciones
Ambientes de aprendizaje y actuacin Composiciones internas
Laboratorio de Electrnica, saln de clase, biblioteca, aula identificaciones externas
virtual y trabajo autnomo. Socializacin de resultados

2. INDICADORES DE DESEMPEO
Que el estudiante:
Determine los principios de operacin bipolar de potencia
Compare los resultados con la informacin tecnolgica investigada
Argumente los funcionamientos mediante formulaciones y expresiones grficas

3. BASES CONCEPTUALES Y TERICAS

Leyes de Ohm, de Watt o de potencia elctrica, modelo Ebers-Moll
Distintivos de empaques de potencia
Funcionamiento con sus polarizaciones y acoples de conmutacin

4. MATERIALES EQUIPOS Y REACTIVOS

MATERIALES: EQUIPOS MANUALES E INSTRUCTIVOS
Resistores, Bombillos lamparita, potencimetro de Fuente de energa DC ajustable, ECG
potencia, Transistores (NPN y PNP) diferentes potencias y Multmetro digital, Osciloscopio doble canal. Data Sheets
formas, Puente rectificador, pulsadores y tristores.

5. PROCEDIMIENTOS GENERALES
5.1 PREPARACION PARA EL INFORME: Investigar en las bibliotecas fsica y virtual el marco terico del tema asignado, consultar un mnimo de cuatro citas de
referencias para el marco terico. Obtener las especificaciones lmites de las referencias de los transistores de potencia en manuales u hojas de datos (data sheets).
Preparar simulaciones y diagramas con instrumentos para los montajes, establecer las mallas de entrada y de salida. Calcular los valores para operacin en conmutacin.
Elaborar las tabulaciones para los datos resultantes de cada elemento, antes, durante y despus de cada seal de conmutacin.

5.2 RECOMENDACIONES DURANTE LA PRCTICA.

Identificar las formas, sus referencias, enumerar sus terminales, tabular y obtener las indicaciones (juntura) des-energizados y las mediciones (ohmios). Solicitar aprobacin
de los planos preparados para montar y energizar los circuitos sin sobrepasar algn valor lmite o mximo obtenido. Aplicar la variable conmutadora de entrada, Tomar y
registrar los datos de activacin y/o des-activacin. Comparar los resultados obtenidos con transistor de diferente tipo.
5.3 PROCEDIMIENTOS
Resumir la operacin fundamental de los dispositivos bajo prueba, Graficar los datos caractersticos de las conmutaciones con los transistores de potencia. Determinar las
potencias en el transistor y en la carga para cada estado de conmutacin. Comparar resultados con transistor de diferente tipo. Calcular el mximo porcentaje de error
absoluto o variacin entre los mismos estados de activacin y desactivacin. Repetir la toma de datos para una configuracin de operacin en conmutacin con transistores
acoplados. Presentar un informe con el formato IEEE actualizado (2017-II), en el aula virtual de la Universidad Agraria para esta asignatura.

Tabla No 1. Datos recogidos

Variable de entrada Variable de salida

Tabla No. 2 Para comparacin de resultados con datos de activacin.

Variable(s) Datos Obtenidos en su Variable calculada

medio

6 RESULTADOS
a. Explicar los resultados con las deducciones, la operacin completa de este tipo de elementos, y si corresponden o no con el marco terico.
b. Exponer los clculos del porcentaje de error.

7 ANLISIS Y DEBATES DE RESULTADOS

a. Discuta y argumente sus respuestas de los resultados graficados, ante los indicadores del apartado No. 2
b. Justifique aplicaciones para los resultados comunes.
c. Identifique el nivel de potencia requerido en sus terminales de entrada, para garantizar la conduccin.
d. Calcule la potencia mxima en la carga, en la fuente de energa, y la potencia perdida en los terminales de salida del transistor, as como las eficiencias.

8 BIBLIOGRAFA UTILIZADA
Bibliografa textual en biblioteca fsica de la UNIVERSIDAD AGRARIA (mnimo dos referencias):

Recursos existentes en biblioteca virtual de la UNIVERSIDAD AGRARIA (mnimo dos referencias):

9 CRITERIOS DE EVALUACIN
Cuadro de criterios de evaluacin
Cumple satis-factoriamente = Cumple insatis- No cumple =
Aspecto Excelente=5-4,5 Sobresaliente=4,4-3,8
3,7 3,0 factoriamente =2,9-1,0 0,9 -0,0
Realiza informes con normas de IEEE, No realiza el informe segn No asiste a las
Realiza los Informes,
tiene en cuenta las referencias, hace Realiza el informe la norma , sin evidencias no clases, asiste a
Haciendo anlisis incipientes,
Informes de esquemas, coloca Superficialmente, haciendo anlisis realiza anlisis de clase pero no
sus conclusiones no son
Laboratorio y evidencias de consulta, realiza anlisis muy simples, sin conclusiones o sin resultados, y emite entrega
coherentes con los objetivos,
propuestas de explicando resultados a la luz de la correspondencia con los anlisis y los conclusiones que no son actividades, sin
se observa que consulta,
investigacin teora y sus conclusiones son objetivos, adems sin seguir las coherentes con los objetivos referencias
pero no utiliza normas de
concordantes con los objetivos y las normas de IEEE. No presenta evidencias ni con las discusiones
IEEE completamente.
discusiones previas previas