Emissor Base Coletor

p
Eltrons

Ie 3 Ic
1 1
2
6 4
n 7 n
Buracos Ib 5

1 Eltrons em movimento de deriva no emissor

2 - Eltrons que atingem o coletor em movimento de difuso
3 Eltrons que desaparecem na base por recombinao
4-5 Eltrons e Buracos gerados termicamente e que formam a corrente de saturao reversa na
juno do coletor.
6 Buracos que recombinam com os eltrons da 3
7 Buracos injetados da base para o emissor formando a corrente I Ep
 ZONA ATIVA

Ic
Ib
VCE

VBE Ie
SATURAO

VB(sat)
0,5 V

VCE(sat) = 0,2V

VBE(on)
0,7V

(sat) = 10
(n-sat)50
iC = iB 1
=
Dp N A W 1 W 2
v EB / vT +
iC = I S e Dn N D LP 2 Dn B

iC = iE IS =
AE q Dn n 2
i

NAW
= /( + 1)
Dp coeficiente de difuso de buracos no material
Dn coeficiente de difuso de eltrons no material
NA concentrao de tomos aceitadores na base (npn)
ND concentrao de tomos doadores no emissor
W largura da base ( 1m W 2,5m)
B tempo de vida dos portadores minoritrios ( 1 s B 0,25 s)
Lp largura de difuso de buracos no emissor (ou no coletor)
AE rea da seo reta do emissor
Como produzir um transistor assim?

OVD = 5
Achar NA

Icmax = 0,2 A

VEB = 0,7 V
AE q Dn ni2
IS = VT =0,025 A
NAW
ni (do Si) = 9.65X10+9 tomos/cm3
v EB / vT
iC = I S e C

AE = 10-3 cm2
 VT 0,025 A

OVD Taxa de Saturao

sat = atv/OVD

ou

1 + ( forced + 1) / R
VCESat = VT ln
1 forced / F

Achar (atv)
Onde R da ordem de 10-4

1,6 *10-4 para (atv) =100

1,4 * 10-4 para (atv) =200
 Achando (atv)

Considerar W= 1,5 m
B = 0,65 s
LP=SQRT (Dp* B )

Dn(si) = 35 cm2/s
Dp(si) = 12,5 cm2/s

1
=
Dp N A W 1 W 2
+
Dn N D LP 2 Dn B

Achar ND
FAZER OS CLCULOS PARA QUE O CIRCUITO INVERSOR FUNCIONE A CONTENTO