Semicondutores:

Conceitos Bsicos e
Propriedades
 Densidade de Estados nas
Bandas
m
2m (E EC )

g C (E ) = n
3
n
2
h

mp 2mp (EV E )
gV ( E ) =
2 h3
OBS: m* = massa eficaz
h = constante reduzida de Planck (h/2)
MATERIAIS EXTRINSECOS
+4 +5 +4
Semicondutor
Impureza tipo-n
dadora Eletron
Impurezas com 5
+4 +4 livre
+4
eletrons de valncia

+4 +3 +4 Semicondutor
tipo-p
Impureza
lacuna aceitadora Impurezas com 3
+4 eletrons de
+4 +4
valncia
MATERIAL DOPADO
TIPO N
Um mtodo de dopagem consiste na utilizao de
elementos contendo 5 eltrons na camada de
valncia (penta-valente), como o antimnio,
arsnio e fsforo.
O quinto eltron, porm, fica desassociado de
qualquer ligao. Esse eltron pode tornar-se
livre mais facilmente que qualquer outro,
podendo nessas condies vagar pelo cristal.
O material tipo N resultante, e eletricamente
neutro.
MATERIAL DOPADO
TIPO P
O material tipo P formado pela dopagem do
semicondutor intrnseco por tomos trivalentes
como o boro, glio e ndio.
H agora um nmero insuficiente de eltrons
para completar as ligaes covalentes. A falta
dessa ligao chamada de lacuna ou (buraco).
Como uma lacuna pode ser preenchida por um
eltron, as impurezas trivalentes acrescentadas
ao silcio ou germnio intrnseco, so chamados
de tomos aceitadores ou receptores.
O material tipo P resultante eletricamente
neutro.
Semicondutores Dopados
Introduo de impurezas nos semicondutores altera
as suas caractersticas eltricas de forma a que um
dos portadores se torna maioritrio.

Tipo n
minoritrio: lacunas/ majoritrios: eletrons

Tipo p
minoritrio: eletrons/ majoritrios: lacunas
Nvel de Fermi
A Energia de Fermi a energia do nvel ocupado mais
energtico em um sistema quntico ferminico
temperatura de zero absoluto. A definio estende-se
tambm a sistemas acima do zero absoluto

uma medida estatstica

Nvel de Fermi

A energia de Fermi a energia do estado mais alto ocupado.

T=0K

Energia de Fermi

Apenas eltrons com energias maiores que a energia de Fermi

participam do processo de conduo.
T>0K
Eltrons

Lacunas
Nvel de Fermi
Estatstica de Distribuio

Eltrons em Estados Qunticos: Distribuio de

Fermi-Dirac = probabilidade de um eletron/lacuna
estar em um determinado intervalo de energia, ou
seja, a densidade de portadores em funo da
energia.

Onde:

1 k -> cnte de Boltzmann

T -> temperatura em
f (E) = ( EEF ) kT
kelvin (absoluta)
E ->nvel de energia da
1+e partcula
EF -> nvel (ou energia)
de Fermi
 Nvel de Fermi
Estatstica de Distribuio

Caractersticas:

Sendo T > 0 Para E= EF

f(E)=1 para E < EF f(EF) = se T <> 0

f(E)=0 para E > EF f(EF) = para T = 0

Se E- EF > 3KT f(EF-E) = 1 f(EF +E)

f(E) = e (-(E-EF)/KT)

OBS: no pode haver mais de um

eltron por cada estado quntico
Nvel de Fermi
Estatstica de Distribuio

Distribuio de Boltzmann

( E E F ) kT
f (E) = e
Nvel de Fermi
Estatstica de Distribuio
Distribuio de Fermi-Dirac em diferentes
tipos de semicondutores
Obs:
Nv e Nc densidade
efetivas de estados
Concentrao de Portadores em Equilbrio e
No Degenerado:

( E F EC ) ( E F Ei )
n = N C .e kT
n = ni .e kT

( EV E F ) ( Ei E F )
p = NV .e kT
p = ni .e kT

2
n. p = n i
EG
ni = N C NV .e 2 kT
Concentrao de Portadores
em Equilbrio e Neutro:

Intrnseco tipo n tipo p

n = p = ni n ND p NA
2 2
n i n
p n i
ND NA
 Posio do Nvel de Fermi
Material tipo n
ND
N D n = ni .e ( EF Ei ) kT E F = Ei + kT . ln
ni Material tipo p
( Ei E F ) kT NA
N A p = ni .e E F = Ei kT . ln
ni
Eletrnica dos semicondutores
Metais
Os metais possuem uma estrutura qumica
tal que os eltrons de valncia no esto
associados a um determinado tomo. Pelo
contrrio estes circulam por todo o metal.

Os eltrons de valncia dos metais so

designados de eletrons livres e so os
responsveis pela corrente elctrica.
Semicondutores
Semicondutores
Os materiais semicondutores tais como o
Germnio e o Silcio so cristais com quatro
eltrons de valncia por tomo.
Estes associam-se a tomos vizinhos atravs de
ligaes covalentes em que existe uma partilha de
eltrons entre os tomos.
Disso resulta uma orbital de oito eltrons, o que
corresponde a um sistema bastante estvel.
Corrente em Semicondutores
Em um semicondutor intrnseco, tanto eltrons quanto lacunas
contribuem para o fluxo de corrente.

Eltrons livres de sua posio fixa no reticulado: movem-se na banda

de conduo.

Eltrons na banda de valncia: movem-se

ocupando posies disponveis no
reticulado, preenchendo os vazios deixados
pelos eltrons livres - Conduo de lacunas
migrando ao longo do material no sentido
oposto ao movimento do eltron livre.
Mecanismos de formao de
corrente
Metais
Deriva
Movimentao de eltrons
Semicondutores
Deriva
Movimentao dos eltrons livres e das lacunas sob a
ao de um campo eltrico
Difuso
Movimentao dos eltrons livres e das lacunas devido a
variao de concentrao destes. Produz um
deslocamento das cargas da zona de maior concentrao
para a zona de menor concentrao.
Correntep de difuso
Concentrao
de lacunas + +
+ + +
x
Corrente de difuso

Pela relao de
Einstein:

Dn Dp
= = VT
n p
Mobilidade Mobilidade
dos eletrons das lacunas
Equaes de Continuidade e de Difuso
de Minoritrios
n 1 r n n
= ..J n + +
t q t R G ,ter t outros

p 1 r p p
= ..J p + +
t q t R G ,ter t outros

n p 2 n p n p
= Dn . 2
+ GL
t x n
pn 2 pn pn
= Dp . 2
+ GL
t x p
Corrente de difuso

Densidade de Carga do q = 1.609 10 19 C

corrente de difuso eletron
de lacunas:
dp Densidade de corrente de
J p = q D p difuso de eletrons livres:
dx
dn
Densidade Constante J n = q Dn
de corrente de difuso dx
Sentido da Corrente de Difuso
 Corrente de deriva
Deslocamento de portadores sobe ao de um campo
eltrico
Lacunas v = E J = q pv = q p E
d P pD d P

Campo eltrico

eletrons vd = n E J nD = q n vd = q n n E
Velocidade de Mobilidade Densidade de
deslocamento (dos eletrons) corrente de deriva
das partculas
1
Daqui resulta: =
q ( p p + n n )
Corrente de deriva
Resistividade/Resistncia

Resistncia temperatura ambiente:

< metais
>> isolantes

Um cubo de Slicio com um centmetro

de lado apresenta uma resistividade de
230k.
Resumo do movimento dos eltrons e das
lacunas nos semicondutores do tipo N

Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de eltrons ser muito

mais intenso (seta larga) que o fluxo de lacunas (seta estreita)
porque o nmero de eltrons livres (portadores maioritrios) muito
maior que o nmero de lacunas (portadores minoritrios).

Eletrons

A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao eltron, porm

com carga eltrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido
a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o
eletron, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga eltrica contrria.
Enquanto os eletrons livres se deslocam em direo ao plo positivo do gerador,
as lacunas deslocam-se em direo ao plo negativo.
Resumo do movimento dos eltrons e das
lacunas nos semicondutores do tipo P
Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas ser muito
mais intenso (seta larga) que o fluxo de eletrons (seta estreita)
porque o nmero de lacunas livres (portadores maioritrios) muito
maior que o nmero de eletrons livres (portadores minoritrios).

Eletrons

A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao eletron, porm

com carga eltrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido
a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o
eletron, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga eltrica contrria.
Enquanto os eletros livres se deslocam em direo ao plo positivo do gerador, as
lacunas deslocam-se em direo ao plo negativo.

electronsnholes.swf
Corrente e portadores
A) Deriva

J der = J p + J n = q( p.vd , p + n.vd ,n ) = q( p. p + n.n )

1V 1
= = =
J l J q ( p. p + n. n )

B) Difuso
dp dn
J dif , p = q.DP . J dif , N = q.DN .
dx dx
DP kT DN kT
= =
P q N q
Densidade total de corrente

dp
J P = q. P . p. q.DP .
dx

dn
J N = q. N .n. + q.DN .
dx

J = JP + JN
Mecanismos de transporte
Deriva resistores, transistores FET
Difuso juno pn, BJT
Emisso terminica barr. Schottky,
Tunelamento diodo tnel, cont. hmico
Recombinao LED, Laser, diodo p-i-n
Gerao clula solar, fotodiodo
Avalanche IMPATT, ZENER, APD
Semiconductors.swf
Modelo de Juno