Introdução À Electrónica

1
Guias de Apoio Componente Laboratorial da Disciplina
Intr oduo Electr nica

Fsica e Qumica, 3 Ano, 1 Semestre
No se deve substituir um fusvel queimado at se perceber porque que ele queimou.
Jos Longras Figueiredo

Departamento de Fsica
Faculdade de Cincias e Tecnologia
Universidade do Algarve
2006-07
JF 17 de Setembro de 2006
Guias de Apoio Componente Laboratorial da Disciplina Introduo Electrnica, 2004-05 2
Electr nica, s. f. parte da Fsica que estuda o comportamento do electres sob a aco de campos elctricos,
magnticos, ou uma combinao de campos elctricos e magnticos, bem como as suas aplicaes; que trata dos
aspectos fsicos fundamentais da emisso electrnica, dinmica electrnica e fenmenos correlacionados; que trata
das aplicaes das vlvulas electrnicas engenharia (rdio, radar, etc.); cincia e tecnologia que tm por objecto o
desenvolvimento, o comportamento e as aplicaes de circuitos e dispositivos electrnicos;
Tenso elctr ica: diferena de potencial.
Voltagem: diferena de potencial ou a fora electromotriz expressa em volts; nmero de volts para o qual uma
instalao ou aparelho elctrico foi fabricado e com o qual deve funcionar.
For a electr omotr iz: trabalho necessrio para transferir a unidade de carga do plo positivo para o negativo
dentro de um gerador.
Polar izao: estabelecimento de uma diferena de potencial elctrico entre dois elctrodos;
Voltmetr o: electrmetro com que se mede a fora electromotriz de um gerador ou a diferena de potencial.
Multmetr o: aparelho de medio elctrica que permite determinar diferentes grandezas, como a intensidade da
corrente, a resistncia e a diferena de potencial.
Osciloscpio: aparelho que permite a visualizao dos sinais elctricos num ecr fluorescente.
Condutibilidade: s. f. propriedade que os corpos tm de ser bons ou maus condutores de calor, de electricidade,
etc..
Condutividade electr nica: condutividade associada com o movimento de electres.
Cor r ente contnua: corrente elctrica cujo sentido sempre o mesmo; aquela cujo sentido de propagao no varia
e cuja intensidade constante;
Cor r ente alter nada: corrente elctrica de intensidade varivel e cujo sentido se inverte periodicamente. O termo
corrente alterna, muitas vezes usado, desadequado.
Impedncia: valor da resistncia total passagem do fluxo elctrico numa corrente alternada ou contnua,
grandeza complexa cuja parte real corresponde resistncia hmica e a parte imaginria corresponde reactncia.
Reactncia: num circuito de corrente alternada, a componente da impedncia causada pela indutncia e pela
capacidade do circuito.
Indutncia: constante prpria de um circuito elctrico, que depende exclusivamente da sua disposio geomtrica
e do meio em que est mergulhado; razo entre o fluxo magntico que atravessa esse meio e a intensidade da
corrente que o percorre.
Dodo (do grego, duas vias): vlvula terminica muito usada como rectificador de corrente, constituda por dois
elctrodos (ctodo e nodo) em gs nobre muito rarefeito; dispositivo semicondutor substituto da vlvula
terminica; vlvula terminica constituda por um tubo de vcuo de vidro com dois elctrodos (ctodo e nodo),
utilizada sobretudo para rectificar corrente alternada.
Tr ansstor (do ingls, que transmite sinais elctricos por meio de uma resistncia): trodo de semicondutor
capaz de amplificar, detectar, modular, etc., i.e., de efectuar funes semelhantes s das vlvulas terminicas, muito
utilizado em electrnica; receptor porttil de rdio, equipado com estes dispositivos e alimentado a pilhas.
Guia: ttulo de vrias publicaes de ensino prtico;

in Dicionrio da Lngua Portuguesa, 5 Edio, Porto Editora 1983.
in Dicionrio Universal da Lngua Portuguesa, Texto Editora, http://www.priberam.pt/DLPO/
Guias de Apoio Componente Laboratorial da Disciplina Introduo Electrnica, 2004-05 3
Nota Pr via
Este conjunto de textos poder (e tem com certeza) erros involuntrios. Agradece-se a comunicao dos mesmos,
bem como o envio de comentrios para jlongras@ualg.pt. Estas notas no dispensam (e alis aconselham) a
consulta de outras fontes, nomeadamente, as citadas na bibliografia.
Bom trabalho!
Agr adecimentos
Os guias resultam da adaptao das notas dos trabalhos da disciplina de Electrnica do curso de Fsica da
Faculdade de Cincias da Universidade do Porto (1998-99) e das cadeiras Bases Fsicas de Electrnica, Electrnica
I e Tcnicas de Electrnica do Departamento de Engenharia Electrnica e Informtica da Universidade Lusada
(1991-92). O autor agradece a todos os que participaram, de alguma forma, na sua elaborao, em particular,
reconhece as contribuies do Dr. Jos Mariano para este manuscrito no decurso do ano lectivo de 2000-01.
Guias de Apoio Componente Laboratorial da Disciplina Introduo Electrnica, 2004-05
ndice 4
ndice
Regras de Funcionamento do Laboratrio de Introduo Electrnica: 5

Equipamento de Base nas Bancadas do Laboratrio de Instrumentao e Electrnica 7
Guia para a resoluo de problemas de electrnica 11
Tr abalhos:
1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas 15
2. Circuitos de Corrente Alternada: Filtros, Circuitos RC e RLC 23
3. Amplificador Operacional: montagens inversora e no-inversora 41
4. Amplificador Operacional: Circuitos Operativos 59
5. Caracterstica Corrente-tenso do Dodo 65
6. Circuitos de Rectificao e de Deteco de Pico 79
7. Traado das Curvas Caractersticas de um Transstor Bipolar. 89
8. Circuito Amplificador com um Transstor Bipolar 99
9. Circuito de Comutao com um Transstor Bipolar 109
Apndices:
Folha de especificao de dodos 1N400x 123
Folha de especificao de transstores BC107-108-109-4 125
Folha de especificao do amplificador operacional 741 135
LAB. DE INTRODUO ELECTRNICA, 2004-05
Regras de Funcionamento do Laboratrio de Introduo Electrnica 5
Regras de Funcionamento do Laboratrio de

Introduo Electrnica
(As aulas prticas tero lugar no laboratrio C2-3.47.)
O objectivo da disciplina ajudar a formar uma atitude experimentalista na rea da Electrnica nos
estudantes do curso de Fsica e Qumica. A formao em Electrnica de fundamental importncia, quer
para quem pretende seguir uma profisso de ndole cientfica, quer para os alunos que pretendam seguir a via
de ensino, uma vez que as reas da Microelectrnica e Optoelectrnica so dois dos grandes motores do
desenvolvimento tecnolgico actual.
Nas aulas de Laboratrios sero realizados trabalhos que tero por finalidade a experimentao prtica de
conceitos aprendidos nas aulas tericas. Para a realizao desses trabalhos, os alunos formaro grupos de
dois elementos. Cada aluno deve possuir um caderno de apontamentos, no qual far o registo dos aspectos
relevantes execuo dos trabalhos. Nos guies dos trabalhos so dadas as informaes necessrias
realizao dos mesmos, e dos resultados a recolher e a analisar.
Os trabalhos de Introduo Electrnica sero efectuados pelos alunos da disciplina segundo a ordem
listada. Todas as bancadas de trabalho disporo do mesmo material base.
Dever es do aluno
O aluno deve comportar-se no laboratrio tendo em ateno os cuidados necessrios para evitar danos
fsicos, em si ou nas outras pessoas ou estragar o material. os alunos tm de preparar os trabalhos antes da
aula, i.e., estudado o trabalho e os instrumentos a utilizar, bem como a teoria relacionada com ele constante
nestas notas. Supe-se como atitude normal, pelo menos duas horas de preparao antes de cada trabalho.
Dever es do pr ofessor
O professor deve diligenciar pelo bom funcionamento do laboratrio, dentro dos condicionalismos de
material existentes. Durante as aulas o professor dever esclarecer dvidas pontuais sobre equipamentos e
tcnicas laboratoriais, ficando o esclarecimento de outras dvidas ou conversas mais demoradas, para os
tempos de atendimento aos alunos. O docente tem um horrio de atendimento de alunos, no gabinete ou no
laboratrio (sala C2-3.47), correspondente a hora e meia por cada turma prtica. Este horrio, a afixar no
inicio do semestre, possibilitar aos alunos a repetio de trabalhos, se necessrio, bem como o
esclarecimento de dvidas relacionadas com a disciplina. O atendimento no ser restrito aos alunos da
turma, mas a todos os alunos inscritos na disciplina.
Acesso ao labor atr io for a dos tempos lectivos

O docente desta disciplina pensa que, para cumprir os objectivos propostos, necessrio prever o acesso
dos alunos ao laboratrio fora dos tempos lectivos. O acesso ao laboratrio sem superviso, por motivos de
segurana, no aconselhvel. Recomenda-se que aos alunos o uso do laboratrio no perodo de
atendimento.
Regras de Funcionamento do Laboratrio de Introduo Electrnica 6
Avaliao
Fr equncia (Eliminatr ia)

Para obteno de frequncia disciplina de Introduo Electrnica, necessrio satisfazer os seguintes
critrios:
- Faltas: (nico item no aplicvel aos estudantes trabalhadores) os alunos no podero faltar a um
nmero de aulas superior ao regulamentado (2/3 das aulas efectivamente dadas).
- Pr epar ao antecipada dos tr abalhos: a um aluno que manifestamente no tenha preparado o
trabalho, no ser permitido continuar o trabalho sem se documentar satisfatoriamente (a probabilidade de
causar um acidente ou danificar equipamento torna-se elevada).
- Tr abalhos: os alunos devero realizar todos os trabalhos.
- Relatr ios: os alunos devero entregar ao professor, na ltima semana de aulas do semestre, dois
relatrio detalhados sobre dois dos trabalhos realizados, com excepo dos dois primeiros trabalhos. Na
penltima semana de aulas sero sorteados os trabalhos sobre os quais versaro os relatrios detalhados.
- Exame pr tico: na ltima semana de aulas cada aluno repartir um trabalho prtico, a sortear, no
sendo considerados os dois primeiros trabalhos para este fim.
A nota final da prtica, NP, ser determinada tendo em conta os seguintes aspectos:
- avaliao continua correspondente observao da participao/desempenho do aluno na realizao
do trabalho. A falta a uma aula far com que o aluno faltoso tenha, relativamente a essa aula, nota zer o;
- avaliao dos relatrios detalhados;
- exame prtico.
Se a nota final de labor atr io, NP, for infer ior a 10 valor es, o aluno no tem fr equncia, no sendo
admitido a exame final.
O docente,
Jos Figueiredo
Equipamento de Base nas Bancadas do Laboratrio de

Instrumentao e Electrnica
Sobre cada bancada existir um osciloscpio, um gerador de sinal, uma fonte de alimentao (sadas de
+5, +15 e -15 V), um multmetro, uma placa de montagem e fios de ligao.
As montagens so efectuadas com auxlio de componentes existentes nas caixas de armazenamento,
colocadas no laboratrio. Aps a realizao do trabalho, o material ser obrigatoriamente arrumado nos
respectivos locais de armazenamento. Componentes danificados no devero, obviamente, ser misturados
com os restantes; antes, devero ser entregues ao docente no fim da aula.
Um dossier existente no laboratrio contm as instrues de operao dos instrumentos. As referncias
[1, 2, 3] contm informao muito til sobre a instrumentao a utilizar e so de consulta recomendada.
Placas de Teste
As placas de montagem ou teste permitem aparelhar e ligar entre si e com relativa facilidade os
componentes electrnicos de um circuito prottipo. A Fig. 1 mostra o esquema de organizao de uma placa
de montagem tpica.
Fig. 1. Placa de teste: faces superior e inferior.
Todos os buracos tm internamente um sistema de mola que permite um bom contacto elctrico com o fio
de ligao. Os buracos encontram-se ligados internamente de acordo com o esquema da figura (as placas
usadas permitem ver as ligaes internas pela face inferior). A separao entre buracos de 1/10 de polegada
(dimenso caracterstica de base dos componentes electrnicos).
A zona central permite montar directamente circuitos integrados. As linhas laterais so particularmente
indicadas para ligao das alimentaes e/ou sinais a ser ligados a diferentes pontos na montagem (ver Fig.
2).
Fig. 2. Exemplos de montagens na placa de teste: resistncias em serie e em paralelo, respectivamente.
Devido s ligaes internas, estas placas apresentam indutncias e capacidades que no aconselham a sua
utilizao a frequncias superiores a algumas dezenas de megahertz (a ttulo de exemplo, a capacidade entre
linhas adjacentes da ordem de 10 pF).
Os fios de ligao mais indicados so de espessura pequena, adequada aos furos, e monofilares.
IMPORTANTE: As pontas de prova dos equipamentos devero ser mantidas nas bancadas junto dos
aparelhos.
Multmetr os
O guio do primeiro trabalho contm indicaes fundamentais sobre multmetros (a sua leitura atenta
muito importante). Sugere-se, ainda, a consulta de [2, 3]. Ressalta-se, aqui, a absoluta necessidade de
conhecimento bsico sobre:
escolha de terminais;
seleco de grandezas a medir (tenso, intensidade de corrente, resistncia, ...)
escalas, factores de escala;
funcionamento em DC e AC.
As Fig. 3 mostra exemplos de montagens usando a placa de teste, assim como o emprego do multmetros
na medio de tenses, correntes, e de resistncias.
Fig. 3. Medio de tenso, corrente, e resistncia, respectivamente, usando o multmetro.
Osciloscpios
Ver as notas sobre osciloscpios no guia do segundo trabalho prtico. Sugere-se, ainda, a consulta de [2, 3].
Atentar que as leituras das escalas (vertical, tenso; horizontal, tempo ou tenso) s sero vlidas no modo
calibrado (CAL).
Fontes de alimentao
As fontes de alimentao disponveis so fontes de tenso que apresentam vrios terminais de sada. Os
valores indicados referem-se tenso entre esses terminais e o terminal comum. Este s estar ao potencial
da terra se for montada a ligao externa respectiva.
Ger ador es de sinal
Os Geradores de sinal utilizados so geradores de sinais programveis que produzem uma variedade de
formas de onda (ver notas sobre formas de onda no guio do 2 trabalho). Possuem vrios comandos e
terminais, a saber: amplitude, atenuador; frequncia; formas de onda; offset; modulao interna/externa.
Componentes
A informao sobre componentes electrnicos (dodos, transstores, Amp-Ops ...) encontra-se nos
respectivos data sheets, em dossier prprio no laboratrio.
Regr as/Compor tamentos de Segur ana

- Evitar contacto com os terminais das fontes;
- Desligar as fontes antes de trabalhar no circuito;
- Descarregar os condensadores antes de tocar no circuito;
- No trabalhar em equipamentos sem conhecer os procedimentos e os cuidados a ter;
- No manusear instrumentos com as mos molhadas; no trabalhar em piso molhado;
- Conhecer os locais onde se encontram os interruptores de segurana e as sadas de emergncia;
- No usar valores de corrente superiores s necessidades do circuito;
- Fazer em ltimo lugar a conexo ao ponto de maior tenso do circuito;
- os componentes electrnicos operam, em geral, a elevada temper atur a, o que pode
originar queimaduras e aumentar o risco de incndio.
Efeitos da Cor r ente Elctr ica no Cor po Humano
Choque elctrico: a corrente e no a tenso que causa o choque. A severidade do choque depende,
claro, do valor da diferena de potencial e do caminho percorrido pela corrente no corpo. Resistncia tpica
do corpo humano: 10 k a 50 k; 220 V/10 k=22 mA.
Efeitos no corpo humano da corrente elctrica:
- 2 mA, comeo da percepo
- 10 mA, choque sem dor e sem perda de controlo muscular
- 20 mA, choque com dor
- 30 mA, choque com dor severa, contraco muscular, dificuldades de respirao
- 75 mA, fibrilao1 ventricular
- 250 mA, fibrilao ventricular, usualmente fatal aps 5 s
- 4000 mA, paragem cardaca
- 5000 mA, queimadura dos tecidos
Refer ncias
[1] Electrnica Analgica, Antnio J. G. Padilla, Editora McGraw-Hill de Portugal, 1993.
[2] The Art of Electronics, P. Horowitz, W. Hill, 2 edio, Cambridge Press, 1989.
[3] Fsica Experimental, Uma Introduo, M. C. Abreu, L. Matias, L. F. Peralta, Editorial Presena, 1994.
[4] Trabalhos prticos de laboratrio de Fsica III, Departamento de Fsica, Faculdade de Cincias da Universidade do
Porto, 1998.
1
Fibrilao s. f. (medic.) sucesso irregular, desordenada, de contraces e relaxaes das fibras de um msculo, como
o corao, o diafragma e outros. (Do fr. fibrillation, id.)
Guia para a Resoluo de Problemas de Electrnica 11
Guia para a Resoluo de Problemas de Electrnica

Numa situao real, a um cientista/engenheiro no ser pedido para resolver problemas que j foram
anteriormente solucionados. Quer seja na tentativa de melhorar o desempenho de um sistema existente ou na
implementao de um novo sistema, o cientista/engenheiro trabalhar na resoluo de problemas nunca antes
tratados. Contudo, como estudante voc ir dedicar grande parte da sua ateno discusso de problemas
cuja soluo conhecida. Conhecendo e discutindo a forma como esses problemas foram resolvidos, e da
resoluo de exerccios relacionados, comear a desenvolver capacidades que lhe permitiro atacar
problemas nunca antes tratados que encontrar na sua vida profissional.
Apresenta-se de seguida procedimentos gerais a ser tidos em conta na resoluo de problemas de
electrnica. Alguns deles tm a ver com a forma de pensar e organizar a estratgia a seguir antes de iniciar
quaisquer clculos.
1.- Identificar quais os dados do problema e o que se pretende conhecer.
Na resoluo de um problema, deve conhecer o destino antes de seleccionar a rota a seguir para l
chegar. O que que o problema pede para ser determinado ou encontrado? s vezes o objectivo do problema
obvio; outras vezes isto no claro e pode ser mesmo necessrio elaborar tabelas de grandezas
caractersticas desconhecidas e informao ainda no conhecida, de forma a permitir visualizar o objectivo
do problema. s vezes, existente mesmo informao enganadora que ser necessrio identificar antes de
prosseguir. Outras vezes, a informao dada incompleta, insuficiente ou demasiado complexa para poder
usar os mtodos de resoluo mais comuns. Nestes casos, ser necessrio formular hipteses e suposies de
forma a completar a informao ou simplificar o contexto do problema. Deve estar preparado para voltar
atrs ou reconsiderar informao extrnseca e/ou as suas suposies se os clculos se tornarem pantanosos ou
produz respostas que no parecem fazer sentido.
2.- Desenhe o diagrama do circuito ou outros modelos visuais.
Representar um problema com descrio verbal num modelo visual muitas vezes uma etapa muito
til no processo de resoluo. Se o diagrama do circuito j fornecido, pode ter que adicionar informao,
por exemplo, classificaes, valores, ou sentidos de referncia. Pode tambm simplificar o circuito
mantendo, contudo, a equivalncia formal.
3.- Pense em vrios mtodos de resoluo e decida qual deles lhe parece o mais favorvel.
Alguns mtodos produzem menos equaes a serem resolvidas do que outros, ou podem requerer
apenas lgebra em vez de clculo para atingir a soluo. Os mtodos mais eficientes para um dado problema
podem reduzir os clculos de forma considervel. Ter um mtodo alternativo em mente permite continuar a
resoluo se a primeira tentativa se tornar pantanosa.
4.- Calcule uma soluo.
Nesta fase j dever ter identificado um bom mtodo analtico e as equaes correctas para o
problema. Agora tempo de determinar a(s) soluo(es) dessas equaes. Papel e lpis, calculadora, ou
mtodos computacionais, so opes possveis para a resoluo das equaes. A eficincia e os mtodos
estudados nas aulas devero ditar as ferramentas que deve usar.
Guia para a Resoluo de Problemas de Electrnica 12
5.- Use a sua criatividade.

Se suspeitar que a sua resposta no tem base ou os seus clculos parecem no ter fim sem ocorrerem
simplificaes significativas na direco da soluo, deve fazer uma pausa e considerar alternativas. Pode ter
que revisitar as suas suposies/aproximaes ou seleccionar um mtodo de soluo diferente. Ou, pode ter
que usar um mtodo de anlise menos convencional, por exemplo, andando para trs a partir da soluo,
quando conhecida. Em geral, no mundo real as respostas no so conhecidas, mas s vezes pode ter uma
soluo em mente para um dado problema a partir da qual poder andar para trs. Outras aproximaes
criativas incluem a possibilidade de visualizar paralelismos com outros tipos de problemas que resolveu
anteriormente com sucesso, seguindo a sua intuio ou dicas como prosseguir, e simplesmente por o
problema de lado temporariamente e regressar a sua resoluo mais tarde.
6.- Teste a sua soluo.
Pergunte-se se a soluo faz sentido. Ser que o valor obtido razovel? a soluo fisicamente
aceitvel? Pode querer ir mais longe e resolver o problema via outro mtodo alternativo. Isto no s
permitir verificar a validade da soluo obtida, como permitir desenvolver a sua intuio acerca dos
mtodos de soluo mais eficientes para os vrios tipos de problemas. No mundo real, esquemas que
envolvem aspectos de segurana crticos so sempre verificados por mtodos independentes. Habituar-se a
testar as suas respostas ser benfico quer como estudante, quer como cientista ou engenheiro.
IMPORTANTE
Estes passos de resoluo de problemas no devem ser usados como um receita para resolver todos
os problemas. Pode ter que omitir, alterar a ordem, ou aprofundar certos passos para resolver um problema
particular. Use estas indicaes com um guia para desenvolver um estilo de resoluo de problemas que
funcione no seu caso.
LAB. DE INTRODUO ELECTRNICA, 2004-05 13
Relatrio tipo
LAB. DE INTRODUO ELECTRNICA, 2004-05 14
Relatrio tipo
1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 15
Circuitos de Corrente Contnua:

Medio de Grandezas Elctricas
S se conhece verdadeiramente um fenmeno quando possvel exprimi-lo sob a forma numrica.
sir William Thomson, Lord Kelvin, 1824-1907
A Electricidade e a Electrnica so reas da Fsica intimamente ligadas s actividades humanas, sendo as

tecnologias da informao o seu expoente mximo. As duas primeiras aulas laboratoriais de IE tm como
objectivo familiarizar o aluno com os componentes, os circuitos elctricos, a medio de grandezas
elctricas, bem como com os aparelhos normalmente utilizados neste tipo de medies: o multmetro e o
osciloscpio (aparelhos essenciais em qualquer laboratrio); o aluno ter ainda oportunidade de trabalhar
com fontes de tenso contnua e com o gerador de funes.
I Intr oduo
As actividades nos domnios da Electricidade e Electrnica exigem, constantemente, a realizao de
medies de grandezas elctricas, para o que se utilizam aparelhos adequados. Tambm noutros domnios
cientficos e tecnolgicos, as medies se reduzem, as mais das vezes, a medies de grandezas elctricas,
porquanto a utilizao, cada vez mais generalizada, de tr ansdutor es adequados remete a tarefa da medio
de grandezas no-elctricas para um problema de medio de uma ou mais grandezas elctricas, mais
geralmente tenses ou correntes.
A grandeza elctrica mais frequentemente medida a tenso.2 Com efeito, a tenso elctrica a grandeza
de mais fcil medio, sendo igualmente fcil reduzir a ela a maioria das outras grandezas (elctricas ou
no). Outra grandeza cuja medio imediata a intensidade de corrente elctrica.
Fontes de Tenso e de Cor r ente Elctr ica

habitual na linguagem electrotcnica corrente designar-se por fonte de tenso uma fonte cuja ddp
constante no tempo, e por ger ador de funes/fonte de sinais uma fonte cuja ddp varivel no tempo.
Assim:
- uma fonte de tenso um aparelho capaz de estabelecer e manter uma diferena de potencial entre
dois pontos (terminais da fonte de tenso) constante no tempo entre os terminais da fonte;
- uma fonte de cor r ente um dispositivo capaz de fornecer e manter uma corrente elctrica constante
no tempo.
II Cor r ente Contnua (cc)

Em corrente contnua (cc) os componentes so caracterizados unicamente pela respectiva r esistncia
elctr ica, e o carcter capacitivo e/ou indutivo dos componentes electrnicos s se revela durante o
estabelecimento do regime estacionrio, i.e., no perodo transitrio. No regime estacionrio, em cc, a
2
Como habitual na linguagem electrotcnica, designa-se por tenso uma diferena de potencial (ddp) elctrico.
corrente elctrica num circuito funo, apenas, das caractersticas das tenses das fontes de tenso, das
intensidades de corrente das fontes de corrente, das resistncias internas das vrias fontes, das resistncias e
das cargas (load), resistncias ou outros componentes, no circuito. Contudo, como veremos mais tarde, em
corrente alternada (ca) os componentes so caracterizados pela respectiva impedncia Z (o equivalente
resistncia em corrente cc).
Resistncia Elctr ica

Quando se aplica a mesma diferena de potencial s extremidades de vrios condutores, as intensidades
de corrente resultantes so, em geral, diferentes umas das outras, mostrando que uns condutores oferecem
maior oposio ou resistncia passagem de corrente elctrica do que outros.
Se, num condutor, existir uma diferena de potencial (ou tenso) entre os seus terminais A e B, tal que o
potencial em A maior do que o potencial em B, i.e., VA > VB , o sentido convencional da intensidade de
VA VB
corrente I ser de A para B. A r esistncia elctr ica R do condutor dada pelo cociente R = , i.e.,
I
numa resistncia a intensidade de corrente elctrica I directamente proporcional tenso V (= VA VB ) aos
seus terminais. A relao V = R I designada lei de Ohm.3 A unidade SI de resistncia elctrica o ohm,
smbolo ; no esquema de um circuito elctrico uma resistncia representada por ou .O
inverso da resistncia elctrica designa-se por condutncia elctr ica, G: G=1/R; a unidade SI de
condutncia o siemens, smbolo S. A Fig. 1 mostra resistncias de diferentes potncias e o cdigo de
leitura do valor da resistncia elctrica de uma resistncia.
Fig. 1: Resistncias de diferentes potncias; cdigo de leitura do valor da resistncia elctrica de uma resistncia.
Uma resistncia no armazena energia elctrica. Pelo contrrio dissipa energia por efeito de J oule,
P d=RI2, onde P d representa a potncia dissipada na resistncia.
Leis de Kir chhoff

As leis dos circuitos elctricos resultam de dois princpios de conservao: o princpio de conservao de
energia e o princpio de conservao de carga elctrica.
- Lei dos nodos: a soma algbrica das intensidades de corrente que concorrem num nodo nula,
considerando-se positivas as que se aproximam e negativas as que se afastam do nodo.
3
Nos guias laboratoriais de IE, I representa uma corrente elctrica constante, i(t) indica uma corrente elctrica varivel
no tempo, e i o valor instantneo da intensidade de corrente elctrica. A mesma conveno adoptada para a tenso (V,
v(t) e v).
- Lei das malhas: numa malha fechada qualquer, a soma algbrica das foras electromotrizes das fontes
igual soma algbrica das quedas de tenso nos vrios ramos que constituem a malha.4
III Placas de Montagem

As placas de montagem permitem montar circuitos elctricos e electrnicos prottipos, assegurando a
estabilidade mecnica e a realizao de ligaes entre os diversos componentes electrnicos do circuito,
discretos ou no, com relativa facilidade. Na Fig. 2 mostra-se o esquema de organizao de uma placa de
montagem tpica. Todos os buracos das placas de teste tm internamente um sistema de mola que permite um
bom contacto elctrico com o fio de ligao. Grupos de buracos encontram-se ligados internamente entre si
(no caso da placa da Fig. 2, todos os buracos nas linhas verticais dos dois grupos centrais correspondem a um
mesmo nodo; as placas usadas permitem ver as diversas ligaes internas na face inferior). A separao entre
buracos de 1/10 de polegada (dimenso caracterstica de base dos componentes electrnicos integrados). A
zona central permite montar directamente circuitos integrados. As linhas laterais so particularmente
indicadas para ligao das alimentaes e/ou sinais a ser ligados a diferentes pontos na montagem.
Fig. 2: Placa de teste.
Devido s ligaes internas, estas placas apresentam indutncias e capacidades que no aconselham a sua
utilizao a frequncias superiores a algumas dezenas de MHz (a ttulo de exemplo, a capacidade entre linhas
adjacentes da ordem de 10 pF). Os fios de ligao mais indicados so de espessura pequena, adequada aos
furos, e monofilares.
IV Medio de Tenso e de Intensidade de Cor r ente Elctr ica

Utilizam-se habitualmente duas filosofias distintas para realizar a medio de tenso ou de correntes:
medio no local e medio distncia (telemedio). Para as medies no local utilizam-se aparelhos
de medio integrados, isto , aparelhos que integram numa mesma unidade a entrada - normalmente dois
ou mais terminais, que sero ligados por condutores elctricos aos pontos onde se pretende medir a grandeza
- e a sada, isto , uma apresentao do resultado numa forma facilmente interpretvel para o utilizador.
Actualmente, a sada assume, essencialmente, uma de duas formas: a apresentao analgica ou a digital.
A apresentao analgica , habitualmente, constituda por um quadrante com escala graduada (uma ou
vrias), sobre o qual se desloca uma agulha em movimento angular, de tal forma que o desvio sofrido pela
agulha proporcional ao valor da grandeza em medio na generalidade dos aparelhos deste tipo, a agulha
4
A fora electromotriz, f.e.m., de uma fonte/gerador , numericamente, igual energia (qumica, mecnica, etc.)
convertida em energia elctrica pela fonte/gerador, por unidade de carga que a atravessa; a unidade SI o joule
/coulomb ou volt.
desloca-se no sentido retrgrado (o dos ponteiros do relgio) e, em geral, tem um desvio mximo de /2 rad
em relao sua posio de repouso. Dentro desta categoria h, tambm, aparelhos de medio em que o
deslocamento da agulha (aparentemente, para o observador) rectilneo, horizontal ou vertical; estes so
mais usados em instalaes fixas (tais como em quadros, armrios ou painis elctricos).
A apresentao digital numrica: num apresentador (ecr), realizado em qualquer das tecnologias
actuais - cristais lquidos (LCDs), filamentos luminosos, dodos electroluminescentes (LEDs), plasma, etc.
apresentado o valor numrico da grandeza em medio, geralmente, acompanhado de alguma informao
alfabtica adicional: smbolo (SI) da unidade de medio, valor relativo, etc.
A telemedio tem lugar sempre que a medio local indesejada: ambientes inacessveis (por exemplo,
na tecnologia aeroespacial) e hostis (por exemplo, reactores nucleares, instalaes de alta tenso, reas
txicas, etc.), so apenas alguns exemplos. Neste tipo de situaes, as medies das grandezas so,
geralmente, feitas colocando uma sonda (adequada medio da grandeza em apreo) junto ao local onde se
pretende fazer a medio, a que se segue todo um sistema mais ou menos extenso e/ou complexo:
amplificador, transmissor, linha de transmisso, receptor, condicionador da informao recebida e,
finalmente, apresentao. Em situaes deste tipo, o extremo da cadeia de medio , habitualmente,
constitudo por um sistema informtico (mais concretamente, um sistema de aquisio de dados).
V Apar elhos de Medio

A grandeza elctrica mais frequentemente medida a tenso, para o que se usam aparelhos correntemente
designados por voltmetr os (eventualmente, milivoltmetros, microvoltmetros, nanovoltmetros,
picovoltmetros, etc., de acordo com a ordem da grandeza da tenso a medir). Com efeito, a tenso elctrica
a grandeza de mais fcil medio, sendo igualmente fcil reduzir a ela a maioria das outras grandezas
(elctricas ou no). Na medio de intensidade de corrente elctrica, usam-se ampermetros (tambm aqui, de
acordo com a ordem de grandeza, se utilizam miliampermetros, microampermetros, etc.). Em laboratrio e
na tcnica de manuteno industrial utilizam-se correntemente aparelhos combinados, que permitem a
medio de qualquer uma daquelas grandezas, e ainda de outras, como a resistncia (designam-se por
ohmmetr os os aparelhos para medir resistncia). Estes aparelhos combinados so, habitualmente,
designados por multmetr os.
Para alm destas grandezas mais frequentes - tenso, corrente, resistncia - h uma multiplicidade de
outras grandezas que, correntemente, se medem directamente em Electricidade e Electrnica, utilizando os
aparelhos correspondentes: potncia, wattmetro; frequncia, frequencmetro; desfasamento, fasmetro;
potncia reactiva, varmetro; fluxo magntico, fluxmetro, etc.5 Tradicionalmente, os aparelhos de medio
apresentavam-se como aparelhos analgicos, no sentido atrs referido, sendo de constituio
electromecnica. O rpido desenvolvimento tecnolgico e comercial experimentado pela Electrnica Digital
nas ltimas trs dcadas tem levado proliferao universal dos aparelhos digitais, com acentuada
recesso dos analgicos (electromecnicos). Mais recentemente, os aparelhos digitais (que so,
invariavelmente, electrnicos) incluem, tambm, uma representao pseudo analgica.
5
Utilizam-se os termos normalizados na nomenclatura portuguesa [1] com as definies que lhes correspondem a nvel
internacional [2].
Especialmente em Electrnica (mas tambm na Electricidade) h, frequentemente, necessidade de avaliar

a evoluo temporal das grandezas, particularmente as tenses e/ou correntes. nestas situaes em que so
usados os osciloscpios (muitas vezes - impropriamente - designados por oscilgrafos). Os osciloscpios
permitem a representao grfica de tenses em funo do tempo, sobre um ecr de um tubo de raios
catdicos, a que est associado uma grelha que constitui as escalas das ordenadas (tenso) e das abcissas
(tempo).
O osciloscpio ser tratado com detalhe no prximo trabalho laboratorial.
Multmetr o
Face sua grande versatilidade, o multmetro tornou-se o aparelho de medida elctrico universal no
laboratrio, na oficina, etc. Os multmetros renem num s aparelho a possibilidade de medir pelo menos
tenso, corrente [alternada (ca) ou contnua (cc)], e resistncia.
Idealmente, um voltmetro deve ter resistncia interna infinita, e um ampermetro resistncia interna nula.
Os multmetros reais apresentam valores diferentes dos ideais; antes de usar um multmetro deve sempre
controlar-se com um outro, o valor da resistncia interna de cada escala e anotar os seus valores, para
eventuais correces s medies realizadas. O erro que se comete numa medio, devido a no se
considerar a resistncia interna da escala seleccionada, do tipo sistemtico e pode ser eliminado se medido.
Quando se faz uma medio de tenso, corrente ou resistncia, deve usar-se primeiro a escala de maior
alcance, para de seguida comutar, sucessivamente, para escalas de menor alcance, at se atingir a escala com
maior nmero de algarismos significativos. O erro de leitura no multmetro metade da menor unidade que
se pode ler no visor. Para minimizar este erro deve seleccionar-se a escala que proporciona o maior nmero
de algarismos significativos.6 Os modos de funcionamento cc e ca, relativos medio de tenso e de
corrente, so seleccionveis por intermdio de um selector; se a grandeza alternada, o valor lido
corresponde ao valor eficaz (RMS) do sinal a medir.
Os multmetros, no modo voltmetro V, Fig. 3.a), permitem medir, em geral, tenso no intervalo 10-4 a 103
V, para um intervalo de frequncias de 50 Hz a algumas centenas de Hz. No modo ampermetro A, Fig. 3.b),
a corrente a medir passa atravs de uma resistncia interna conhecida. Tipicamente estes multmetros medem
correntes entre 10-4 A e 1 A. Dois fusveis, um para correntes baixas (<200 mA) e outro para correntes mais
elevadas (>200 mA), protegem estes aparelhos de correntes excessivas. Para medir resistncia, os
multmetros possuem uma fonte de corrente. Quando se quer medir uma resistncia, liga-se uma das
extremidades da resistncia entrada assinalada com e a outra ao terminal comum (COM), Fig. 3.c); mais
uma vez o que se mede a tenso criada pela passagem de uma corrente, de determinado valor, na
resistncia a medir. Os multmetros podem medir resistncia desde de fraco de ohm at dezenas de M.
6
Ter em ateno que o processo de medio num multmetro no instantneo e, por isso, se observa, por vezes, uma
flutuao descontnua de valores, quando a grandeza varivel.
Fig. 3: a) Medio de tenso; b) Medio de intensidade de corrente; c) Medio de resistncia.
VI Cdigo de Boa Utilizao dos Apar elhos de Medio

O xito de uma medio est parcialmente ligado a uma correcta utilizao do aparelho de medio. Um
aparelho mal utilizado pode ter consequncias negativas muito diversas, desde um resultado pouco preciso,
at danificao ou destruio irreversvel do aparelho de medio ou mesmo do circuito em que o aparelho
foi inserido.
Eis alguns aspectos importantes a atender sequencialmente no manuseamento de aparelhos de medio
(como, por exemplo, o multmetro):
- Escolha correcta da funo: o utilizador dever estar plenamente consciente da grandeza que pretende
medir - tenso cc (dc), tenso ca (ac), corrente cc, corrente ca, etc. - e seleccionar a correspondente funo no
multmetro. A funo ohmmetro dever ser utilizada exclusivamente para medio do valor da resistncia de
uma resistncia, que no tenha ligado em derivao quaisquer outros elementos que deixem passar corrente e
que no estejam a ser atravessadas por qualquer outra corrente elctrica, alm da que introduzida pelo
ohmmetro, i.e., as resistncias devero ser medidas individualmente (desinseridas de qualquer circuito).
- Escolha da gama de medio adequada: pressupe-se que o aparelho de medio escolhido inclui uma
gama apropriada medio pretendida. Se o aparelho tiver seleco automtica de gama, esta verificao
suficiente, j que o prprio aparelho se encarrega por si de fazer a seleco da gama mais adequada; no caso
de aparelhos mais antigos, para conseguir uma leitura com a maior preciso possvel, o utilizador dever
escolher a menor gama imediatamente superior (ou, no limite, igual) ao valor previsto para a grandeza em
medio: se no fizer a menor ideia do valor que vai medir, ser uma situao ver dadeir amente
excepcional, comear por seleccionar no aparelho a gama mais elevada da funo, que depois vai
diminuindo, sucessivamente, at obter a maior leitura possvel sem exceder o limite da gama. Como directiva
geral, so de evitar medies que conduzam a valores inferiores a meia escala. Quando se mede uma
resistncia com um ohmmetro, h que verificar previamente o ponto zero ohms, curto-circuitando os
terminais do aparelho.
- Ligao correcta do aparelho de medio ao circuito. Enquanto no h experincia suficiente na
realizao de medies elctricas, boa prtica ligar o aparelho de medio ao circuito em anlise antes de
energizar este; isto particularmente importante na utilizao como ampermetro. Inversamente e, em geral,
dever desenergizar-se o circuito antes de se desligar dele o aparelho de medio.
- essencial prestar a devida ateno escala seleccionada, isto , s suas unidades e valor mximo. Nos
multmetros analgicos, para alm da utilizao de diferentes cores na marcao das escalas correspondentes
s vrias funes, habitual uma mesma escala - entenda-se, neste contexto, arco de circunferncia, dividido
em intervalos parcelares por pequenos traos - ter associada vrias graduaes, correspondentes s vrias
gamas. Nos aparelhos digitais, especialmente nos mais modernos, a leitura correcta est mais facilitada, j
que o ecr indica, alm do valor numrico, a unidade e o eventual multiplicador.
- Os aparelhos digitais so activos, isto , contm circuitos electrnicos que tm de ser alimentados, para
o que os aparelhos esto equipados com pilhas, acumuladores ou fontes de alimentao interna ou externa.
Em qualquer caso, para operar o aparelho, necessrio ligar a alimentao no respectivo interruptor.
Qualquer aparelho de medio, por mais simples e barato que seja, sempre fornecido com um manual
em que devem estar resumidas as especificaes elctricas e operacionais, assim como dados sobre a
preciso e instrues de operao. Em caso de dvida, encoraja-se, vivamente, o utilizador a consultar esses
elementos. Nalguns aparelhos, h um resumo dos aspectos mais importantes na base/costas dos mesmos.
VII Pr ocedimento Exper imental

IMPORTANTE: Registe no seu caderno todos os valores medidos.
Tr eino com o Multmetr o e Placa de Teste

Objectivo
Medio de diferenas de potencial, de intensidades de corrente elctrica e de resistncia, usando o
multmetro. Verificao da lei de Ohm. Estudo dos divisores de tenso e de corrente. (Consultar notas das
aulas tericas sobre divisores de tenso e de corrente.)
Material Utilizado
Fonte de alimentao, multmetro, resistncias, e cabos de ligao.
Divisor de Tenso
Monte o circuito representado na Fig. 4.a), com VS = 5 V, R1 100 e R2 0.2 k , na placa de teste.
Fig. 4: a) Circuito resistivo srie com duas resistncias. b) Divisor de tenso: exemplo numrico.
a) Mea o valor da resistncia das resistncias.

b) Verifique o valor da tenso aos terminais da fonte, em aberto e aps a conexo ao circuito.
c) Mea a tenso aos terminais de cada resistncia (considere o erro de leitura).
d) Mea a intensidade de corrente elctrica que percorre o circuito.
e) Compare os resultados obtidos com os valores previstos.
Divisor de Cor r ente

Monte o circuito da Fig. 5, onde VS = 5 V, R1 0.1 k e R2 0.2 k .
Fig. 5: Circuito resistivo paralelo: divisor de corrente.
a) Mea o valor de cada resistncia.

b) Verifique o valor da tenso aos terminais da fonte, em aberto e aps a conexo ao circuito.
c) Mea a tenso aos terminais de cada resistncia.
d) Mea a corrente fornecida pela fonte ao circuito I T , e as correntes I 1 e I 2 .
e) Determine a potncia fornecida pela fonte ao circuito e a potncia dissipada nas resistncias.
f) Compare os resultados com os valores esperados. Justifique eventuais diferenas.
Bibliografia
[1] Vocabulrio Electrotcnico Internacional, Captulo 301: Termos gerais relativos a medies em electricidade,
Norma Portuguesa NP 2626-301 (1993); Vocabulrio Electrotcnico Internacional, Captulo 302: Instrumentos de
medio elctricos}, Norma Portuguesa NP 2626-302 (1993).
[2] International Electrotechnical Vocabulary, IEC, Publication 50 (301, 302, 303), (1983).
[3] Fsica Experimental, M. C. Abreu, L. Matias e L. F. Peralta, Editorial Presena, 1994.
[4] Aparelhos de Medio Elctricos, Dietmar Appelt, Departamento de Fsica, Universidade do Porto, 1996.
[5] Electronics Fundamentals: circuits, devices, and applications, 4th ed., T. L. Floyd, Prentice-Hall, 1998.
[6] Dicionrio da Lngua Portuguesa, 8 edio, Dicionrios Editora, Porto Editora, 1999.
Circuitos de Corrente Alternada:

Circuitos RC e RLC, Filtros
Em corrente contnua (cc), os componentes elctricos/electrnicos so caracterizados unicamente pela
respectiva r esistncia elctr ica, e o carcter capacitivo e/ou indutivo dos componentes s se revela durante
o estabelecimento do regime estacionrio. Em corrente alternada (ca) os componentes so caracterizados
pela respectiva impedncia Z (o equivalente resistncia em corrente contnua).
O objectivo deste trabalho familiarizar o aluno com a medio de grandezas elctricas caractersticas da
corrente alternada usando o multmetro e o osciloscpio; o aluno ter ainda oportunidade de estudar circuitos
bsicos contendo resistncias, condensadores e bobines.
I Intr oduo
A energia elctrica -nos fornecida, em geral, na forma de sinais de tenso e corrente variveis no tempo
e cujo sentido se inverte periodicamente, percorrendo o seu ciclo de valores uma vez em cada perodo. A
tenso/corrente alternada tem valor mdio, durante um perodo, nulo. A forma mais comum de corrente
alternada a sinusoidal. Contudo, no incio do sculo XIX a energia elctrica era fornecida quase
exclusivamente na forma de corrente contnua.
O uso primrio da electricidade era a iluminao. (Mais tarde, a demonstrao de pequenos motores
elctricos, por parte de Faraday e de Henry, generalizou o uso da energia elctrica.) A corrente contnua (cc)
apresenta algumas vantagens:7 as baterias podem ser usadas como sistemas de alimentao de reserva
quando os dnamos falham ou em regimes de baixo consumo; os dnamos podem ser operados em paralelo
de forma a aumentar a potncia (o uso de alternadores em paralelo difcil, devidos aos problemas de
sincronizao).
A principal vantagem da corrente alternada a eficincia com que pode ser transmitida. A tenso
alternada pode ser facilmente transformada em alta tenso, reduzindo deste modo as perdas associadas s
linhas de transmisso: se a resistncia da linha R e a potncia transmitida V I , a perda na linha ser
R I 2 . Assim, se a tenso transmitida for elevada e a corrente for baixa, as perdas na linha sero
minimizadas.
O final do sculo XIX caracterizado pela competio entre estas duas modalidades de fornecimento de
energia elctrica. Vrios cientistas (Thomas Edison, por exemplo) eram defensores dos sistemas de cc, mas o
advento do tr ansfor mador e a necessidade de transmitir energia elctrica da central at aos consumidores
tornou os sistemas alternados dominantes. Nas primeiras redes de distribuio, a frequncia dos sinais de ca
era superior a 100 Hz (tipicamente 133 Hz). No incio do sculo XX, Nikola Tesla, o inventor do motor de
induo, demonstrou que este no funcionaria de forma eficiente a frequncias superiores a 100 Hz: nos
Estados Unidos a frequncia da ca 60 Hz, enquanto que na Europa a distribuio realizada a 50 Hz.
7
A corrente contnua gerada por dnamos, enquanto a corrente alternada obtida a partir de alternador es.
II Cor r ente Alter nada (ca)

A corrente alternada corresponde a sinais de tenso e corrente variveis no tempo e cujo sentido se inverte
periodicamente, percorrendo o seu ciclo de valores uma vez em cada perodo. A forma mais comum de
corrente alternada a sinusoidal. Uma tenso/corrente puramente alternada tem valor mdio, durante um
perodo, nulo.
Ger ador de Sinais

habitual na linguagem electrnica corrente designar-se por ger ador de funes/sinais uma fonte de
tenso varivel no tempo. A Fig. 1 mostra a vista frontal de um gerador de sinais tpico.
Fig. 1: Gerador de funes/sinais.
For mas de onda

A funo que representa a variao temporal da tenso/corrente identifica a forma de onda de
tenso/corrente alternada gerada pela fonte de sinais. Em Electrnica consideram-se, tipicamente, trs formas
de onda de tenso (ver canto superior direito do painel frontal do gerador, Fig. 1): tenso quadrada, tenso
triangular, e tenso sinusoidal.
Uma tenso/corrente que varie no tempo de modo peridico e com componente contnua nula
caracterizada pelos seguintes parmetros:
- valor da tenso/corrente em cada instante: v(t), i(t) [unidades SI: volt (V) e ampere (A)]
- amplitude da tenso/corrente: V0, I0 [unidades SI: volt (V) e ampere (A)]
- perodo: T [unidade SI: segundo (s)]
- frequncia fundamental f=1/T [unidade SI: hertz (Hz)]
- frequncia angular fundamental: =2f [unidade SI: radiano/segundo (rad/s)]
- tenso/corrente pico a pico: Vpp=2V0, Ipp=2I0 [unidades SI: volt (V) e ampere (A)]
T T
v2 (t )dt , I ef =
2
- valor eficaz: Vef = 1
T 0
1
T 0 i (t ) dt , o equivalente contnuo da tenso/corrente que
provocaria a mesma dissipao de energia numa resistncia.8
Condensador es e Bobines
Em corrente contnua (cc) os componentes so caracterizados unicamente pela respectiva r esistncia
8
Para sinais de tenso sinusoidais, v(t ) = V0 sin(t + ) , onde representa a fase inicial do sinal (fase em t = 0 s)
[unidade SI: radiano (rad)], a tenso eficaz dada por Vef = V0 / 2 .
elctr ica, e o carcter capacitivo e/ou indutivo dos componentes electrnicos s se revela durante o
estabelecimento do regime permanente. Em corrente alternada qualquer condutor ou elemento pode
apresentar, ao mesmo tempo, comportamento resistivo, capacitivo e indutivo.
Condensador
Em Electricidade e Electrnica, um sistema formado por dois condutores extensos separados um do outro
por um material dielctrico designado por condensador . Se um condutor tem uma carga Q e o outro uma
carga Q , e se a diferena de potencial entre eles VC , a capacidade elctr ica do condensador , por
definio, : C = Q / VC .
A capacidade de um condensador depende da forma dos condutores e do meio existente entre eles, e
uma propriedade do condensador. A unidade SI de capacidade elctrica o far ad,9 smbolo F; no esquema
de um circuito elctrico, um condensador representada por . Na Fig. 3 indicam-se alguns tipos de

condensador.
Fig. 3: Condensadores.
Um condensador em corrente contnua actua como um aberto. Num circuito com um condensador a
tenso aos seus terminais est relacionada com a corrente que o percorre do seguinte modo:
1
VC =
C
i (t )dt
Para carregar um condensador necessrio fornecer energia, que armazenada no condensador sob a
forma de ener gia electr osttica: se entre os terminais de um condensador de capacidade C , existir uma
diferena de potencial VC , a energia electrosttica armazenada no campo elctrico existente entre as
armaduras do condensador ser WC = 12 C VC2 . Esta energia poder ser mais tarde restituda ao circuito
contendo o condensador, quando este se descarrega. Um condensador perfeito no dissipa energia. a

possibilidade de armazenar energia que responsvel pela grande diferena de comportamento elctrico do
condensador em relao resistncia.
Existem vrios tipos de condensadores. Condensadores de capacidade fixa: condensadores de mica (de 1
pF a 100 nF e tenses entre 100 V e 2500 V cc), de cermica (de 1 pF a 3 F, e tenses at vrios kV), de
filmes de plstico (capacidade at 100 F), e electrolticos. Os condensadores electrolticos so polarizados,
e, portanto, devem ser inseridos nos circuitos tendo em conta os sinais de polaridade. Estes condensadores
podem apresentar valores de capacidade de centenas de mF, com tenses de ruptura relativamente baixas
(valor tpico at 350 V). A corrente de fuga nestes condensadores elevada. Os condensadores de
capacidade varivel so usados em circuitos onde h necessidade de ajustar o valor da capacidade, manual ou
automaticamente, como por exemplo, em sintonizadores de rdio e de TV. (O var actor um condensador
semicondutor cuja capacidade funo da tenso aos seus terminais).
9
No confundir com o faraday. (Ver definio de faraday.)
Os condensadores so usados para armazenar energia elctrica, como filtros em fontes de tenso e em
circuitos de filtragem de sinais alternados. So tambm usados para bloquear sinais contnuos e para acoplar
sinais alternados entre diferentes seces de um circuito. Os condensadores so componentes fundamentais
em circuitos temporizadores e memrias.
Bobina e Indutncia
A bobina um componente elctrico formado por um enrolamento (geralmente cilndrico) de um
condutor num meio material (ncleo) de permeabilidade magntica . Na Fig. 4 mostram-se vrios tipos de
bobines.
Fig. 4: Vrios tipos de bobines.
Uma bobine ideal caracterizada electricamente pela respectiva indutncia. Uma indutncia tende a
apor-se a variaes de corrente elctrica; no esquema de um circuito elctrico, a indutncia representada
por .
A fora electromotriz (f.e.m.) induzida entre os terminais de uma bobine, E L (t ) , proporcional
di di
derivada da corrente que a atravessa : E L (t ) = L . A queda de tenso aos terminais da bobine v L (t )
dt dt
di
dada por: vL (t ) = L . A constante de proporcionalidade L representa a indutncia do componente. A
dt
unidade SI de indutncia elctrica o henr y, smbolo H.
Em corrente contnua uma bobine ideal (indutncia pura) comporta-se como um condutor perfeito (curto-
circuito). Uma bobine ideal no dissipa energia, armazenando energia no campo magntico existente no
enrolamento WL = 12 L I L2 . Esta energia poder ser mais tarde restituda ao circuito contendo a indutncia.
As bobines podem apresentar indutncia fixa ou varivel. Tanto umas como as outras podem ser
classificadas de acordo com o tipo de material usado no ncleo (ar, ferro ou ferrite).
As indutncias so aplicadas em fontes de tenso contnua como filtros, em circuitos de telecomunicaes
para sintonizao, em circuitos de rdio frequncia (rf) para impedir que o sinal de rf chega a determinadas
partes do circuito como, por exemplo, fontes de tenso.
III Leis dos Cir cuitos em Cor r ente Alter nada

Na representao exponencial uma tenso sinusoidal, v(t ) = V0 sin(t + ) , escreve-se:
V(t ) =
2j
e(
V0 j (t + )
)
e j (t + ) Ve jt ;
10
uma corrente sinusoidal, i (t ) = I 0 sin(t + ) , representa-se por:
10
j = 1.
I( t ) =
2j
e(
I 0 j (t + )
)
e j (t + ) Ie jt .
As formas complexas da corrente e da tenso sinusoidais, V e I , designam-se por fasores de tenso e de

corrente. Graas notao complexa podemos abordar qualquer circuito com resistncias, condensadores,
bobines, e alimentado a corrente alternada sinusoidal, como se fosse um circuito resistivo alimentado com
corrente contnua.
Lei de Ohm Gener alizada

Em corrente alternada sinusoidal, a relao V = R I toma a forma V = Z I : lei de Ohm gener alizada
(V, Z, e I so, em geral, grandezas complexas). Ter em ateno que, quer a tenso quer a corrente devem ser
expressas de forma consistente, i.e., ambas referidas aos valores de pico, aos valores eficazes, ou aos valores
mdios. A grandeza Z = R + jX designa-se por impedncia, e , em geral, uma funo complexa, em que a
parte real corresponde componente resistiva do elemento, Z R = R , e a parte imaginria o resultado das
componentes capacitiva (reactncia capacitiva), X C = 1 /(C ) , e indutiva (reactncia indutiva), X L = L ,
do elemento, i.e., X = X L XC .
A forma geral da impedncia : Z = R + j (L 1 / C ) , donde resulta, claramente, que a impedncia de um
circuito , em geral, funo da frequncia do sinal alternado, , Z = Z() , mesmo que a resistncia, R , no
dependa de (desprezam-se aqui os comportamentos no-lineares).
A impedncia de uma resistncia ideal igual a Z R = R ; a impedncia de um condensador ideal dada
por Z C = j / C ; a impedncia de uma indutncia pura Z L = jL .
Para determinados circuitos alimentados a ca sinusoidal, existe uma frequncia particular, a fr equncia
de r essonncia, 0 = 1 / LC , qual a componente imaginria da impedncia do circuito nula, i.e., a
impedncia do circuito real e igual a Z R = R .
Associao de Impedncias
A impedncia equivalente Z eq da associao sr ie de impedncias dada pela soma das impedncias
individuais: Z eq = Z1 + ... + Z n .
O inverso da impedncia equivalente, 1/Z eq , da associao par alelo de impedncias obtida pela soma
dos inversos das impedncias individuais: 1/Z eq = 1 / Z1 + ... + 1 / Z n .
Notar o paralelo com a associao de resistncias em corrente contnua.
Anlise de Cir cuitos de Cor r ente Alter nada

As leis dos circuitos elctricos de corrente contnua aplicam-se da mesma forma aos circuitos em corrente
alternada (ca), com a ressalva de que a tenso e a corrente devem ser expressas de forma consistente, i.e.,
ambas referidas aos valores de pico, aos valores eficazes, aos valores mdios, e por ai adiante. As
resistncias dos elementos so substitudas pelas respectivas impedncias.
IV Filtr os
Nos circuitos elctricos com resistncias, capacidades e indutncias, a relao entre a intensidade de
corrente e a tenso aos terminais dos diversos componentes linear. Estes circuitos/elementos designam-se
por linear es. Aplicando a um circuito linear um sinal sinusoidal, a resposta, em regime estacionrio,
tambm um sinal sinusoidal, i.e., o sinal de sada tem a mesma forma que o sinal de entrada, podendo, no
entanto, a amplitude do sinal ser diferente. Esta caracterstica exclusiva dos sinais sinusoidais. Para
nenhuma outra forma de onda, peridica ou no, isto se verifica (em geral, o sinal de sada pode nem ter
qualquer semelhana com o sinal de entrada).
Um filtro um dispositivo/circuito electrnico que permite a passagem de determinada banda de
frequncias impedindo a passagem de outras que esto fora dessa banda, eliminando sinais indesejveis e
melhorando, por exemplo, a resoluo de imagem e/ou fidelidade de som;
Em geral, os filtros so constitudos por componentes passivos, em particular por condensadores e
bobines, que seleccionam a passagem de sinais sinusoidais em funo do valor da sua frequncia, permitindo
a passagem exclusiva de sinais em determinada banda espectral. Quanto ao comportamento em frequncia,
existem quatro tipos bsicos de filtros: passa-baixo, passa-alto, passa-banda e r ejeita-banda.
Funo de Tr ansfer ncia

Os filtros lineares, em geral, so circuitos com dois pares de terminais (um dos quais se considera como
entrada do circuito e o outro como a sada), Fig. 5, e cuja resposta, isto , a relao entre as variveis de
entrada Vin e I in e as de sada Vout e I out dependente da frequncia.
Fig. 5: Filtro linear constitudo por dois componentes de espcies diferentes.
A razo Vout / Vin , com I out = 0 , designada por ganho (atenuao) do circuito, por funo de transmisso do
circuito, ou por funo de tr ansfer ncia do circuito, T () = Vout / Vin , e , em geral, uma quantidade
complexa.11
Neste trabalho estudaremos a resposta em frequncia de circuitos contendo condensadores e bobines.
Decibel (dB)
Para exprimir razes de potncias, tenses, etc., frequente usar-se o decibel (dB). Se a potncia, a
corrente e a tenso de entrada de um circuito so dadas por Pin , I in e Vin , respectivamente, e a potncia, a
corrente e a tenso de sada por Pout , I out e Vout , ento a atenuao (ou ganho) do circuito em dB :
= 10 log[T ()] = 20 log[Vout / Vin ] .
11
As grandezas e as funes complexas, como a impedncia Z, os fasores de tenso e de corrente (V e I), a funo
resposta em frequncia H, representa-se em estilo romano. No entanto, o mdulo e a fase das grandezas complexas,
como, por exemplo, da impedncia, so representados em itlico (Z, ).
Se positivo, o circuito apresenta ganho (amplificador); se negativo, o circuito atenua o sinal de sada
(atenuador).12
Usando o decibel, grandezas muito grandes ou muito pequenas so expressas usando nmeros com poucos
dgitos. Outra vantagem que as atenuaes (ou ganhos) em dBs, de circuitos ligados em sucesso se
somam, uma vez que o logaritmo do produto igual soma do logaritmo dos factores.
Lar gur a de Banda de um Cir cuito

Em corrente alternada (ca), a impedncia de um filtro/circuito varia com a frequncia. Define-se lar gur a
de banda de um circuito, como o espectro de frequncias no qual o modulo da funo de transferncia (em
tenso ou corrente), Vout / Vin ou ( I out / I in ), maior ou igual a ( 2)1

0.707 (ou -3 dB), ou o intervalo de
frequncias no qual a potncia de sada maior ou igual a metade (ou -3 dB) da potncia mxima do sinal de
sada, Fig. 6. Tambm se costuma designar a largura de banda como a banda passante do circuito.
Fig. 6: Resposta espectral de um circuito. Largura de banda. Pontos -3 dB.
Na Fig.6, ci e cs , representam as frequncias de corte inferior e superior, respectivamente. H circuitos

em que a frequncia de corte inferior zero (cir cuitos passa-baixo), e circuitos em que a frequncia de corte
superior infinita (cir cuitos passa-alto). Num circuito r ejeita-banda, os sinais com frequncias
compreendidas entre ci e cs so atenuados.
Filtr os RC
Os filtros RC so, normalmente, formados por uma resistncia (condensador) em srie e um condensador
(resistncia) em paralelo, tal como se mostra na Fig. 7. Recorde-se que a reactncia capacitiva, i.e., a
resistncia que uma capacidade oferece corrente alternada depende da frequncia do sinal: grande a
frequncias baixas e pequena a frequncias altas.
Fig. 7: a) Circuito RC passa-baixo. b) Circuito RC passa-alto.
A frequncia de corte de um filtro RC corresponde frequncia para a qual o valor da reactncia do

12
Note que nas medies dos pares I out e I in e Vout e Vin , se deve usar o mesmo valor de impedncia, i.e., I out e
Z in = Z out .
condensador iguala o valor da resistncia (c C )1 = R , c = (RC )1 .

O comportamento da funo de transferncia para frequncias acima (passa-baixo) ou abaixo (passa-alto)
da frequncia de corte apresenta um declive de 20 dB/dcada (ou 6 dB/oitava).
Filtr os LC
Os filtros LC so usados principalmente, mas no exclusivamente, em aplicaes de alta frequncia. Os
dois tipos principais de filtros LC so o filtro srie e o filtro paralelo (Fig. 8), filtros passa-banda e rejeita-
banda, respectivamente. A aco destes circuitos consequncia do comportamento das reactncias do
condensador e da bobine, com a frequncia.
Fig. 8: Filtros LC (a) srie e (b) paralelo.
No caso do circuito srie (o caso paralelo anlogo), a impedncia de entrada do circuito igual
diferena entre estas duas reactncias, mais a resistncia R (R representa a resistncia da bobine). A aco do
circuito tal que a reactncia do condensador diminui e a da bobine aumenta, com o aumento da frequncia,
e vice-versa. A uma frequncia particular, fr equncia de r essonncia f R = 2 LC ( )

1
, as reactncias do
condensador e da bobine so iguais, e a impedncia de entrada efectiva igual a R . A impedncia da bobine
Z L (ou do condensador ZC ) frequncia f R designada a impedncia car acter stica do circuito
Z 0 = L / C . Supondo que tal ocorre quando as reactncias do condensador e a da bobine so iguais a 1 k e
a resistncia R igual a 10 , a impedncia de entrada cair para 10 , e a tenso aos terminais de R ,

Vout , ser igual tenso de entrada Vin . A corrente atravs de R , contudo, percorre L e C, que apresentam
individualmente reactncias 100 vezes superiores a R; consequentemente, o sinal de tenso aos terminais de
C ou de L, VC ou VL , ser 100 vezes superior tenso aos terminais de R, VR ; este ganho em tenso
conhecido como o Q do circuito, dado por Q = Z 0 / R . (Note que as tenses atravs de L e C esto em
oposio de fase e por isso a tenso gerada atravs da srie L-C nula, portanto.) Os circuitos da Fig. 8
podem actuar como filtros passa-banda (a) e rejeita-banda (b), respectivamente.
Tal como os filtros RC, os filtros LC podem ser desenhados para actuarem como filtros passa-baixo ou
passa-alto. O filtro LC passa-baixo (passa-alto) normalmente formado por uma indutncia (condensador)
em srie e um condensador (indutncia) em paralelo, tal como se mostra na Fig. 9.
Fig. 9: Filtros LC (a) passa-baixo e (b) passa-alto.
Estes filtros s actuam como verdadeiros filtros passa-baixo ou passa-alto se a impedncia do gerador de
sinal ou do seu equivalente de Thvenin, for igual a Z 0 .13 Por exemplo, o circuito passa-baixo (passa-alto),
de facto um filtro ressonante srie com a sada tirada aos terminais do condensador (bobine). Se o circuito for
alimentado por uma fonte de baixa impedncia, a sada ir produzir um pico frequncia f R . A magnitude
desse pico proporcional ao valor do Q do circuito. Contudo, o circuito pode ser modificado de forma a
funcionar como um verdadeiro filtro passa baixo (passa-alto). Basta adicionar ao circuito, em srie com a
bobine (condensador), uma resistncia tal que a sua soma com a resistncia do gerador iguala a impedncia
caracterstica do circuito Z 0 . A adio desta resistncia reduz o valor de Q unidade, e o filtro passa-baixo
(passa-alto) produz uma sada sem pico.
Regime Tr ansitr io
Os fenmenos transitrios que se observam nos circuitos RC, RL e RLC, so fundamentalmente idnticos
na medida em que, em todos os casos, haver uma dependncia exponencial no tempo da propriedade a
medir (corrente, tenso ou carga).
O fenmeno transitrio, ou seja, o estabelecimento do regime estacionrio da grandeza em questo,
ocorre num intervalo de tempo significativamente prximo da chamada constante de tempo do circuito, ,
segundo as equaes:
t
g (t ) = g 0 e
t
f (t ) = f0 1 e
Dada esta identidade formal, analisaremos apenas um desses fenmenos transitrios: variao da tenso
de carga e de descarga de um condensador, Fig. 10.
Fig. 10: Circuito RC. E: fora electromotriz do gerador; A: ampermetro; V: voltmetro.
Quando se fecha o interruptor, o condensador vai carregar-se atravs do paralelo das resistncias R1 e R2 ,
R// = R1 R2 / (R1 + R1 ) , e quando se abre, o condensador descarrega-se atravs da resistncia R2 . As

expresses que traduzem a variao da tenso aos terminais do condensador so as seguintes:
R2 t
v(t ) = E 1 e
, cg = R// C , carga
R1 + R2
R2 t
v(t ) = E e , dcg = R2 C , descarga
R1 + R2
A constante de tempo muitas vezes usada como a unidade de tempo para os fenmenos em causa. Na
13
Os filtros LC possuem a vantagem de o comportamento da funo de transferncia em frequncia apresentar um
declive de ~12 dB/oitava, em comparao com 6 dB/oitava dos filtros RC.
fase de carga, a tenso aos terminais do condensador atinge aproximadamente 63% da tenso mxima,
segundos aps o seu incio, e mais de 99% da carga mxima para t = 5 s. Na descarga de um condensador,
a tenso aos seus terminais para t = s cerca de 37% do valor de tenso inicial, e pode considerar-se
descarregado ao fim de t = 5 s.
V Osciloscpio
Em Electrnica (mas tambm na Electricidade) h frequentemente necessidade de avaliar a evoluo
temporal das grandezas, particularmente as tenses e/ou correntes. Os osciloscpios, Fig. 11, muitas vezes
tambm - impropriamente - designados por oscilgrafos, permitem a representao grfica de tenses em
funes do tempo, sobre um ecr de um tubo de raios catdicos, a que est associada uma grelha que
constitui as escalas das ordenadas (tenso) e das abcissas (tempo). So essencialmente aparelhos
analgicos (a representao grfica de uma grandeza constitui um modo de representao analgico), muito
embora o processamento do resultado da medio at sua apresentao possa envolver tecnologias digitais
em maior ou menor extenso (utilizam-se cada vez mais osciloscpios digitais). corrente estar associada
representao grfica da grandeza medida alguma informao alfanumrica (por exemplo, os factores de
escala).
Fig. 11: Painel frontal de um osciloscpio.
O osciloscpio um aparelho de medida/caracterizao essencial num laboratrio de Electricidade e

Electrnica e no s. Se bem que as ddp possam ser medidas recorrendo a multmetros, o osciloscpio
apresenta a vantagem suplementar de permitir observar ddp variveis no tempo.
O elemento essencial de um osciloscpio o tubo de raios catdicos, Fig. 12, tubo no qual se fez o vazio
e que contm:
- um canho de electres, que gera um feixe de electres de velocidade elevada
- um par de elctrodos (placas horizontais), para desvio vertical do feixe (Y1, Y2)
- um par de elctrodos (placas verticais), para desvio horizontal do feixe (X1, X2)
- um ecr fluorescente, que brilha sob o impacto dos electres (Alvo)
Fig. 12: Representao esquemtica de um tubo de raios catdicos.
Os electres so emitidos pela superfcie quente do ctodo C (aquecido por um filamento) - efeito
terminico. Em frente do ctodo existe um outro elctrodo W, com um pequeno orifcio, que, aplicando-lhe
uma diferena de potencial (ddp) VW negativa relativamente ao ctodo, serve para controlar o nmero de
electres que por ele passam. No caso em que VW muito negativa, praticamente todos os electres so
repelidos e o feixe incidente no ecr tem uma intensidade muito fraca podendo deixar de ser visvel, no caso
oposto passam muitos electres e o ponto no ecr aparece muito luminoso. (ATENO: No deve deixar
esta situao durante um tempo longo, j que pode deteriorar o ecr). Esta tenso regulada no boto
INTENSITY no painel frontal.
O feixe de electres originado no ctodo em seguida acelerado num campo elctrico, criado pela
imposio de uma tenso elevada entre o ctodo e um elctrodo oco que funciona como nodo. O nodo
desenhado para funcionar como lente convergente para o feixe de electres. Complementa esta lente
electrosttica um elctrodo cilndrico intermdio, que por ajuste da tenso relativa ao nodo, V foc , permite
variar a distncia focal do sistema e consequentemente a focagem do feixe. Esta tenso controlada no boto
FOCUS no painel.
O osciloscpio em modo X-Y

O modo de funcionamento X-Y activado usando o interruptor X-Y no conto superior direito do
osciloscpio. Considere-se que entre as duas placas horizontais, Y1 e Y2, se estabelece uma ddp V , ou seja
cria-se no espao intermdio um campo elctrico de magnitude E = V / d de direco vertical ( d a
distncia entre as placas). Quando um electro passa entre as placas actuado pela fora elctrica E = eF .
Sofre assim um desvio, embatendo no ecr num ponto que se encontra desviado de y , em relao ao ponto
em que embateria na ausncia de campo ( V = 0 ). O ponto de impacto dos electres no ecr segue a tenso
aplicada, deslocando-se para cima ou para baixo conforme a tenso for positiva ou negativa. Tal como nos
voltmetros com ponteiro, existe um ajuste de zero: boto POS/POSITION (ao rod-lo estamos a somar uma
tenso contnua tenso das placas, correspondendo-lhe um desvio adicional do feixe). O desvio y segundo
a vertical, do feixe de electres proporcional a V pelo que a posio y no ecr uma medida de V , desde
que conhecida a constante de proporcionalidade k , V = ky .
Aplica-se uma ddp s placas horizontais (ou placas de deflexo vertical) usando a entrada Y. Esta est
ligada atravs do interruptor AC-GND-DC a um amplificador cujo factor de amplificao, ou ganho, pode
ser controlado pelo comutador VOLT/DIV. Com o interruptor referido na posio DC, a tenso de entrada
amplificada aplicada s placas. O factor de proporcionalidade entre o desvio correspondente tenso
amplificada, y , e a ddp introduzida, Vin , y , pode ser medido directamente em VOLT/DIV ou mV/DIV na
escala do comutador. O interruptor na posio GND (terra, ground) liga a entrada do amplificador massa.
O ajuste de zero no desvio horizontal obtm-se somando uma tenso constante ajustada por regulador POS
na rea correspondente aos comandos do canal Y.
Tal como para as placas de deflexo vertical, possvel aplicar s duas placas verticais, X1 e X2, de
deflexo horizontal, uma tenso, depois de amplificada num amplificador com ganho regulado por X. O
factor de proporcionalidade entre o desvio correspondente tenso amplificada, x , e a ddp introduzida,
Vin, x , pode ser medido directamente em VOLT/DIV ou mV/DIV na escala do comutador do canal X. O
ajuste de zero no desvio horizontal obtm-se somando uma tenso constante ajustada no regulador POS no
canto superior direito do osciloscpio.
O osciloscpio com base de tempo

Quando os sinais de tenso no so constantes no tempo, importante, e muito til, visualizar a forma de
variao v(t ) , ou seja, obter no ecr um grfico v(t ) . Com a base de tempo activa, i.e., o modo X-Y
desactivado, podemos visualizar a variao temporal de dois sinais de tenso, um aplicado ao canal CH1 e
outro ao canal CH2.
Uma forma de o conseguir ser deslocar com velocidade constante o ponto luminoso na horizontal, de
modo a poder associar um intervalo de tempo a uma distncia, x , medida na horizontal. O osciloscpio tem
a possibilidade de poder fazer este varrimento do ecr com velocidade constante de forma automtica. Para
tal utiliza um sinal de tenso gerado internamente pelo circuito da Base de Tempo do osciloscpio.
A capacidade de transformar o eixo XX (horizontal) num eixo graduado em tempos uma das grandes
vantagens do osciloscpio. Para funcionar neste modo, base de tempo (TIME BASE), deixamos de ter acesso
s placas de deflexo horizontal - neste modo de funcionamento, as placas verticais so ligadas internamente
tenso gerada pelo circuito interno da Base de Tempo (que produz um sinal em dente de serra, Fig. 13).
Fig. 13: Sinal em dente de serra, gerador da base de tempo.
Com esta tenso aplicada s placas verticais, o ponto luminoso no ecr deslocar-se desde a extremidade
esquerda do ecr at direita, para reaparecer de novo, esquerda e repetir o ciclo. Note que em cada
varrimento do ecr, vBT (t ) proporcional ao tempo (ver Fig. 13); como a posio x do ponto segundo a
horizontal proporcional a vBT (t ) , o eixo XX convertido no eixo dos tempos. O comutador da base de
tempo TIME/DIV define a constante de proporcionalidade e, portanto, determina a escala de tempos.
Como os electres do tubo de raios catdicos se deslocam a grande velocidade, o desvio do feixe em
resposta a uma tenso aplicada s placas muito rpido incomparavelmente mais rpido que o de qualquer
sistema mecnico, ou multmetro - o que permite a observao e medio no osciloscpio de sinais v(t ) de
alta frequncia (neste osciloscpio, sinais com frequncias at 1 MHz).
Com o modo de funcionamento Y-T (base de tempo activada), a entrada CH1 (X) deixa de estar ligada s
placas verticais, X1 e X2, de deflexo horizontal, ligada s placas de deflexo vertical, permitindo a
visualizao de outro sinal, independentemente do sinal aplicado ao canal CH2-Y (Y). Ambos os canais so
ligados s placas de deflexo vertical, embora no se encontrem ligadas simultaneamente: para podermos
visualizar os dois sinais CH1 e CH2 ao mesmo tempo no ecr, o osciloscpio dispe de um processo de
comutao automtico: modo de funcionamento DUAL.
Os comandos TRIG LEVEL, COUPLING e SOURCE servem para assegurar a visualizao de um
padro estacionrio no ecr dos sinais aplicados aos canais do osciloscpio.
VI Pr ocedimento Exper imental

Registe no seu caderno todos os valores medidos e as formas de onda dos sinais observados no osciloscpio.
Tr eino com o Osciloscpio e o Ger ador de Sinais

Objectivo
Observao e medio de diferenas de potencial constantes e variveis no tempo, usando o
multmetro e o osciloscpio.
Material Utilizado
Osciloscpio, fontes de tenso contnua, gerador de sinais, multmetro, pontas de prova e cabos de
ligao.
a) Comece por identificar no painel frontal do osciloscpio os comandos: INTENSITY, FOCUS, X-Y,
POS (h trs), POWER, VOLT/DIV (h dois, um para o canal CH1-X e outro para o canal CH2-Y),
TIME/DIV (TIME BASE), VAR (h dois com posies AC-GND-DC), VAR SWEEP, VERTICAL MODE,
TRIGGER LEVEL, COUPLING, SOURCE, e HOLD OFF.
b) Certifique-se que no existe nenhum sinal aplicado s entradas e que a base de tempo est activada
(boto X-Y para fora).
Ligue o aparelho (POWER ON) e obtenha no ecr um trao contnuo com boa qualidade ptica (se no
encontrar o trao procure-o com os potencimetros POS nos painis de controlo dos canais CH1 e CH2 -
assegure que os comutadores VAR esto no estado GND - e centr e o tr ao com o auxlio dos controlos
POS). A qualidade regulada com o potencimetro de INTENSITY e FOCUS.
Se usar um tempo de varrimento grande (por exemplo, TIME/DIV em 50 ms/DIV) observa uma mancha
luminosa em vez de um trao. Se desligar a base de tempo (boto X-Y para dentro), observa um ponto ou
uma mancha luminosa, fixos no ecr.
c) Verifique que todas as escalas esto na posio de calibr adas (CAL). Conecte uma ponta de prova
entrada do canal CH1-X. Coloque o comutador VERTICAL MODE em CH1-X.
Assegurando que o osciloscpio (OSC) est no MODO Y-T, i.e., a base de tempo activada, mea a tenso
aos terminais de uma fonte de tenso contnua, usando os terminais da ponta de prova. Observe o efeito do
comutador VAR da entrada CH1-X (posio em GND, DC e AC). Faa medies nas escalas de 2 V/DIV e 5
V/DIV.
d) Mea a mesma ddp com o multmetro. Confronte ambos os resultados. Indique em ambos os casos o
erro de leitura.
e) Mea a resistncia de entrada nos canais do OSC com os comutadores VAR em AC, DC e GND.
Conecte a sada do gerador de sinais entrada CH2-Y do osciloscpio.

f) Com VAR em AC, observe no OSC sinais sinusoidais de frequncia da ordem de 150 Hz, regulvel no
gerador de sinais, e com amplitudes 100 mV e 1 V, aproximadamente.
g) Verifique os efeitos do boto TRIGGER e dos comutadores COUPLING e SOURCE, e do comutador
VAR da entrada CH2-Y em GND, DC e AC. Com COUPLING em AUTO, verifique o efeito do boto
TRIGGER LEVEL.
h) Determine a amplitude, o valor pico a pico, e o perodo do sinal; a partir do perodo, calcule a
frequncia do sinal. Com o boto de ganho em CAL, verifique o efeito do comutador 10 da ponta de prova.
i) Mea a tenso eficaz dos sinais sinusoidais usando o multmetro. Compare os valores medidos com as
medidas da amplitude obtidas com o osciloscpio.
j) Observe no OSC um sinal triangular de frequncia da ordem de 150 Hz, regulvel no gerador de sinais,
e com amplitude 1 V. Determine a amplitude, o valor pico a pico, e o perodo do sinal; a partir do perodo,
calcule a frequncia do sinal. Repita para sinais quadrados.
k) Aplique s duas entradas do OSC dois sinais sinusoidais de 2 V de amplitude com, aproximadamente,
a mesma frequncia (100 Hz). Active o modo X-Y do osciloscpio (boto XY, comandos SOURCE e VERT
MODE). Varie a frequncia de um dos sinais, observando no ecr do osciloscpio a evoluo do respectivo
padro.
Estudo de Cir cuitos RC

Objectivo
Observao e medio de tenses variveis no tempo usando o osciloscpio. Estudo de circuitos RC
em regime estacionrio e transitrio.
Material Utilizado
Osciloscpio, gerador de sinais, resistncia, condensador, pontas de prova e cabos de ligao.
Circuito RC Passa-Baixo
a) Calcule a funo de transferncia do circuito da Fig. 14: circuito RC passa-baixo.
b) Monte o circuito representado na Fig. 14, com C =1.0 F e R =100 . Observe no canal CH1-X do
osciloscpio o sinal de entrada, e no canal CH2-Y do osciloscpio o sinal de sada.
Fig. 14: Circuito RC passa-baixo.
Estudo do Regime Estacionrio

c) Aplique ao circuito tenses sinusoidais de amplitude 1 V e frequncia 50 Hz, 100 Hz, 250 Hz, 500 Hz,
750 Hz, 1 kHz, 1.5 kHz, 2 kHz, 2.5 kHz, 3 kHz, 3,5 kHz, 4 kHz, 5 kHz, 7.5 kHz, e 10 kHz. Registe (em
forma de tabela) para cada frequncia: a amplitude da tenso de entrada Vin , a amplitude da tenso de sada,
vout , e a diferena de fase entre os sinais de entrada e de sada.
Estudo do Regime Transitrio

d) Aplique ondas tr iangular es de frequncia 100 Hz, 500 Hz, 1 kHz, 3 kHz, 5 kHz, 10 kHz e 20 kHz ao
circuito. Registe no caderno em forma de tabela, para cada frequncia, as formas dos sinais de entrada e de
sada (VERT MODE em DUAL).
e) Aplique ondas quadr adas de frequncia 100 Hz, 500 Hz, 1 kHz, 3 kHz, 5 kHz, 10 kHz e 20 kHz ao
circuito. Registe no caderno em forma de tabela, para cada frequncia, as formas dos sinais de entrada e de
sada (VERT MODE em DUAL).
f) A partir de algumas formas de onda observadas no ecr dos OSC, pode estimar a constante de tempo do
circuito (rever definio). Mea a constante de tempo do circuito .
g) Em corrente alternada, os circuitos RC permitem realizar determinadas operaes matemticas. Tendo em

conta as formas de onda registadas em d) e e), capaz de identificar a operao matemtica que este circuito
executa?
Anlise de Resultados
g) Represente graficamente:
- o modulo da funo de transferncia do circuito em funo da frequncia do sinal de entrada.
- o modulo da funo de transferncia do circuito, em funo do logaritmo da frequncia do sinal.
- o modulo da funo de transferncia do circuito em dB, em funo do logaritmo da frequncia do
sinal de entrada.
- a fase da funo de transferncia em radianos, em funo da frequncia do sinal.
h) A partir dos grficos obtidos em g), estime a constante de tempo do circuito, .
Actividades Extr a-Aula

Circuito RC Passa-Alto
Usando o software Microcap ou CircuitMaker, estude o circuito RC passa-alto (use, por exemplo,
C =0.47 F e R =200 ). Com as devidas adaptaes, repita os pontos de a) a h) da subseco anterior.
Circuitos RCL
Usando o software Microcap ou CircuitMaker, estude os circuitos representados na Fig. 9 (tome, por
exemplo, C =0.47 F e L =0.5 mH):
a) Para cada um dos circuitos e trs valores de R , represente graficamente:
- o modulo da funo de transferncia dos circuitos em funo da frequncia do sinal de entrada.
- o modulo da funo de transferncia dos circuitos em funo do logaritmo da frequncia do sinal.
- o modulo da funo de transferncia do circuito em dB, em funo do logaritmo da frequncia.
b) Para cada um dos circuitos, determine as frequncias de ressonncia, as impedncias caractersticas, o

valor de R para que Q seja igual a 1.
Bibliografia
[1] Vocabulrio Electrotcnico Internacional, Captulo 301: Termos gerais relativos a medies em electricidade,
Norma Portuguesa NP 2626-301 (1993); Vocabulrio Electrotcnico Internacional, Captulo 302: Instrumentos de
medio elctricos, Norma Portuguesa NP 2626-302 (1993).
[2] International Electrotechnical Vocabulary, IEC, Publication 50 (301, 302, 303), (1983).
[3] Fsica Experimental, M. C. Abreu, L. Matias e L. F. Peralta, Editorial Presena, 1994.
[4] Aparelhos de Medio Elctricos, Dietmar Appelt, Departamento de Fsica, Universidade do Porto, 1996.
[5] Dicionrio da Lngua Portuguesa, 8 edio, Dicionrios Editora, Porto Editora, 1999.
[6] Electronics Fundamentals: circuits, devices, and applications, 4th ed., T. L. Floyd, Prentice-Hall, 1998.
Circuitos de Corrente Alternada: Circuitos RC e RLC, Filtros
Estudo do Regime Tr ansitr io: ondas quadr adas
Canal 1: _______ V/DIV Canal 2: _______ B. de Tempo: _______ s/DIV

V/DIV

V/DIV

V/DIV

V/DIV
3. Amplificador Operacional: montagens inversora e no-inversora. 41
Amplificador Operacional:
montagens inversora e no-inversora.
O estudo de componentes electrnicos, como o dodo e o transstor, permite fazer a anlise detalhada do
circuito electrnico, de importncia universal, conhecido como amplificador oper acional (abreviadamente
amp-op).14 O amplificador operacional comeou por ser fabricado usando componentes discretos
(inicialmente vlvulas, e depois transstores) e o seu custo era, proibitivamente, alto (dezenas de dlares/
euros).
O primeiro circuito-integrado amplificador operacional, o A 709, surgiu em meados dos anos 60 e
compreendia um nmero considervel de transstores e resistncias (todos implementados na mesma bolacha
de silcio). Embora, a sua qualidade fosse baixa (para os padres actuais) e o seu preo ainda fosse elevado, o
seu aparecimento significou o nascimento de uma nova era no projecto de circuitos electrnicos analgicos.
Em poucos anos, o uso do amp-op generalizou-se, e o seu preo caiu em flecha. De ento para c, os
fabricantes de semicondutores, respondendo demanda, quer em quantidade quer em qualidade, fornecem
circuitos de elevada qualidade e a preos baixssimos (alguns cntimos).
A principal razo da popularidade dos amp-ops a sua versatilidade: em electrnica, pode-se fazer quase
tudo usando amp-ops. Outros aspectos, no menos importantes, so as caractersticas do amp-op que se
aproximam das de um amp-op ideal. O que torna bastante fcil projectar circuitos usando amp-ops.
Neste trabalho estuda-se o amplificador operacional e analisam-se as topologias mais comuns.
I Amplificador operacional
Um amplificador operacional (op-amp) um circuito integrado constitudo por um conjunto de
transstores, com os respectivos circuitos de polarizao e compensao (resistncias e condensadores),
sendo especialmente desenhado para ser utilizado como um bloco funcional em montagens electrnicas.
O amplificador um dispositivo de dois portos, i.e., possui dois terminais de entrada e dois terminais de
sada, e como o nome indica, serve para amplificar um sinal elctrico (uma tenso ou uma corrente). Existem
quatro tipos bsicos de amplificadores:
Amplificador de cor r ente: entrada em corrente e sada em corrente;
Amplificador de tr ansimpedncia: entrada em corrente e sada em tenso;
Amplificador de tr anscondutncia: entrada em tenso e sada em corrente;
Amplificador de tenso: entrada em tenso e sada em tenso.
Neste guia considera-se, apenas, o amplificador de tenso. As consideraes desenvolvidas so
aplicveis, com as devidas adaptaes, aos outros amplificadores. Na Fig. 1 representa-se,
esquematicamente, um amplificador de tenso.
14
A designao amplificador operacional resulta das funes executadas pelos primeiros circuitos, em computadores
analgicos e em instrumentao. Os primeiros amp-ops eram usados para implementar operaes matemticas como a
integrao, a diferenciao, a adio, subtraco, inverso.
Fig. 1. Representao esquemtica de um amplificador de tenso.
entrada do amplificador aplicado o sinal Vin. A tenso aos terminais de sada dependente dos
parmetros de entrada. O equivalente de Thvenin da sada compreende uma fonte de tenso dependente
Eout em srie com uma resistncia Rout. Em geral, Vout > Vin. Define-se ganho do amplificador (em malha
aberta) como a razo (algbrica):
Vout
A=
Vin
.
O amplificador operacional , basicamente, um amplificador de tenso caracterizado por apresentar
elevado ganho em tenso, impedncia de entrada elevada, baixa impedncia de sada e elevada largura de
banda. costume representar um amplificador operacional pelo smbolo da Fig 2(a). O tringulo aponta no
sentido do terminal de sada. O nmero de terminais indicado (alm do comum, no representado) o
mnimo indispensvel e apenas existiria num amplificador operacional ideal. O smbolo da Fig. 2(b), para
alm dos terminais de entrada e sada, representa os terminais de alimentao, V+ e V- (alguns
amplificadores operacionais possuem apenas um terminal de alimentao; o seu funcionamento est includo
neste estudo, se considerarmos V-=0 V). A Fig. 2(c) representa o circuito equivalente de um amplificador
operacional ideal.
Fig. 2. Smbolos genricos de um amp-op (a) e (b). Circuito equivalente de um amplificador operacional (c).
Antes de continuar, convm referir as funes dos terminais indicados nos smbolos. Os terminais 1 e 2
so os terminais de entradas, e so, geralmente, identificados com os sinais + e -. importante referir que os
sinais + e no esto associados polaridades dos sinais a aplicar aos terminais. De facto, tanto a um como
ao outro, podem ser aplicadas tenses negativas ou positivas. O terminal 3 representa o terminal de sada; o
sinal de sada, em geral, referenciado massa do circuito, dado por:
vout = A(v2 v1 ),
onde v2 representa a tenso aplicada entre o terminal + e o comum, e v1 a tenso aplicada entre o terminal
e o comum. Se v2=0, o sinal de sada amplificado est em oposio de fase relativamente ao sinal de
entrada. Porque o terminal introduz uma diferena de fase, o terminal designa-se entr ada inver sor a
(inverting input terminal ). Fazendo v1=0, o sinal amplificado est em fase com sinal de entrada. O
terminal + referido como entr ada no- inver sor a (non-inverting input terminal).
Um amplificador ideal de tenso apresenta ganho infinito, impedncia de entrada infinita, impedncia de
sada nula e largura de banda infinita. Em amplificadores operacionais reais, em geral, existem terminais
adicionais que permitem, mediante a ligao de elementos convenientes, corrigir afastamentos do
comportamento ideal (ver adiante). Aos amplificadores operacionais , normalmente, adicionada uma malha
de re-alimentao para controlo do ganho, das impedncia de entra e sada e da largura de banda, e so
muitas vezes interligados em estruturas de mltiplos andares e com funes que transcendem a simples
amplificao.
Em face do nmero de terminais, vantajoso estabelecer, desde j, uma conveno quanto medio de
tenses e correntes num amplificador operacional. habitual considerar um nodo de referncia, usualmente,
representado por um dos smbolos indicados na figura, que so os
habituais de "terra"/comum/massa. de notar, porm, que o sinal grfico usado
mesmo que o "comum" ou "referncia" no esteja directamente ligado terra.
Considerando este elctrodo de referncia, a ddp entre dois pontos aparece como
a diferena entre as tenses de cada um deles e o comum [ex: V+ V = (V+ Vcom ) (V Vcom ) ].
A Fig. 3 representa o circuito equivalente de um amplificador operacional real e respectiva polarizao.

Em geral, as tenses de alimentao, V+ e V-, so simtricas relativamente ao comum, i.e., tm o mesmo
valor absoluto VCC. Embora seja esta a situao mais comum, no de modo nenhum essencial que assim
seja. A folha de dados do amplificador identifica as possveis condies de polarizao.
Fig. 3. Circuito equivalente de um amplificador operacional real, incluindo a polarizao.
No esquema de um circuito contendo amp-ops, em geral, so omitidas as fontes de alimentao e os

terminais de alimentao dos amp-ops, sendo representados apenas os terminais inversor, no-inversor, e o
terminal de sada, Fig. 2(a). Os nodos de referncia so tambm omitidos. Convm, no entanto, ter em
ateno que o esquema amp-op simplificado pode induzir um analista, menos atento, num erro grave.
Considerando o circuito completo indicado na Fig. 3, da lei dos nodos de Kirchhoff, assumindo o
amplificador como um nodo, obtm-se:
i1 + i2 + Ic+ + Ic- + iout = 0.
Em geral, i1 e i2 so muito menores que qualquer das outras correntes (devido elevada impedncia de
entrada nos terminais + e -). Em primeira aproximao, resulta que:

Ic+ + Ic- - iout.
Considerando apenas o esquema simplificado, Fig. 2, o risco de esquecer Ic+ e Ic- elevado, o que
poderia levar concluso geral de que iout0, porque as correntes i1 e i2 so muito pequenas.
O amplificador operacional um amplificador difer encial, i.e., amplifica a diferena entre as tenses
aos terminais de entrada, Fig. 3. Se v2 e v1 forem as tenses aplicadas s entradas no inversora e inversora,
respectivamente, e v0 for a tenso de sada, ento:
v0 = A(v2 v1 ),
onde A representa o ganho do amplificador, dito em malha aberta.15 Mesmo em amplificadores reais, o ganho
, normalmente, muito elevado, sendo da ordem de 105 ou superior. A tenso mxima de sada igual, ou
ligeiramente inferior, tenso de alimentao, por exemplo, VCC=15 V, o que significa que em malha
aberta, uma diferena de tenso da ordem de 100 V, entre as duas entradas, suficiente para elevar a sada a
15 V, saturando o amplificador. Na Fig. 4 representa-se a car acter stica de tr ansfer ncia de um
amplificador operacional, isto , o traado da tenso de sada em funo da tenso de entrada.
Fig. 4. Funo de transferncia de um amplificador operacional em malha aberta (sem realimentao).
Um amplificador com ganho muito elevado, normalmente, tem pouca utilidade, uma vez que sinais de to
baixa amplitude so extremamente difceis de tratar devido presena de rudo, e porque, normalmente, no
so necessrios ganhos to elevados. No entanto, estes factores podem ser controlados inserindo uma malha
de re-alimentao no circuito do amplificador.
II Amplificador oper acional 741 versus amplificador oper acional ideal

A estrutura interna de um amplificador operacional, em geral, muito complexa, sendo constitudo por
dezenas de transstores e resistncias, e condensadores, fabricados em pastilhas de silcio (chip). Os
amplificadores fabricados numa mesma pastilha so depois separados por clivagem do cristal de silcio, e
montados em caixas de suporte (metlicas, de cermica ou de plstico) contendo contactos metlicos
ligados a pistas condutoras s quais se conectam os diferentes terminais do amp-op (individualmente com
15
Por oposio ao ganho em malha fechada ou em re-alimentao.
uma rea com cerca de 1 mm2). As caixas de suporte so depois devidamente seladas, ficando acessveis
apenas os contactos metlicos. A Fig. 5 mostra algumas das caixas de suporte/encapsulamento existentes.
Olhando para as caixas de cima, as marcas/pontos identificam o pino 1 e os restantes so numerados no
sentido contrrio ao dos ponteiros do relgio. Quanto s caixas metlicas, a pequena salincia identifica o
pino 8, sendo os restantes pinos numerados da mesma maneira. Cada modelo de amplificador operacional,
tal como outro componente, referenciado, de forma inequvoca, por um cdigo alfanumrico (part
identification number , PIN), colocado no interior do smbolo e na caixa do componente, que identifica o
fabricante e o modelo particular.
Fig. 5. Tipos de encapsulamento: (a) TO-5 metlica; (b) e (c) DIP16 de 14 e 8 pinos; (d) flatpack.
A Fig. 6 apresenta o diagrama do amplificador, genericamente, designado por 741, com encapsulamento
DIL-8. O amp-op 741 um dos mais populares e profcuos modelos jamais fabricados17 e ser utilizado neste
trabalho. No diagrama da Fig. 6 esto tambm representadas as ligaes internas (que dependem do
fabricante, do modelo e da caixa; so sempre indicadas nas respectivas folhas de caractersticas do
componente data sheets).
Fig. 6: Ligaes internas do amp-op 741 com encapsulamento DIL-8.18

O amplificador 741 , normalmente, alimentado com tenses simtricas, tipicamente +12 V e 12 V ou
+15 V e 15 V, que so aplicadas aos respectivos terminais de alimentao +V e -V, respectivamente. Como
foi referido, nos esquemas elctricos estes terminais so, frequentemente, omitidos, representando-se apenas
as entradas e a sada do amp-op, Fig. 2(a).
Antes de apresentar as caractersticas do amplificador operacional 741, conveniente fazer o sumrio das
caractersticas de um amplificador operacional ideal. A anlise e a sntese de circuitos com amp-ops so
efectuadas, habitualmente, pelo menos em primeira aproximao, considerando o amplificador operacional
como ideal. As caractersticas de um amplificador operacional ideal so:
- Impedncia de entrada Rin: ;
- Impedncia de sada Rout: 0;
16
Dual in-line package.
17
Introduzido em 1968 pela Fairchild Semicondutor, E.U.A..
18
As iniciais NC indicam terminal no ligado (not connected).
- Ganho de tenso Av: ;

- Largura de banda LB: ;
- Tempo de resposta tR: 0 segundos;
- Tenso de sada nula quando v+=v-, independentemente do valor de Vi;
- Caractersticas independentes da temperatura.
Resistncia de entrada do 741

Como se pode ver na Fig. 6, o amplificador operacional 741 tem dois terminais de entrada, o inversor e o
no-inversor. Trata-se de um amplificador diferencial, e, portanto, se fosse ideal apenas amplificaria a
diferena de potencial entre as duas entradas.
Define-se a resistncia de entrada , usualmente representada por Rin, como a resistncia vista dos dois
terminais de entrada (com um deles, qualquer, ligado ao comum).
No caso ideal, a resistncia de entrada infinita, mas na prtica , evidentemente, finita, variando entre 5
k e + de 20 M, para amp-ops baseados em transstores bipolares (o valor tpico no 741 2 M), ou da
ordem de T em amplificadores operacionais com FETs. Como se ver, oportunamente, possvel obter,
mediante a introduo de uma malha passiva no circuito, uma impedncia de entrada efectiva muito superior
ao valor caracterstico do dispositivo.
Resistncia de Sada
Quando em funcionamento, o amplificador operacional comporta-se como uma fonte de tenso (ou
gerador de sinal), caracterizada por uma determinada tenso em circuito aberto e uma resistncia de sada
(equivalente de Thvenin). esta resistncia equivalente que, num amplificador operacional ideal, nula.
Num amplificador operacional real, Rout vai de alguns ohm a algumas centenas de ohm (o valor tpico no
741 75 ). Tal como para Rin, possvel controlar o seu valor efectivo, actuando sobre o circuito.
Ganho em tenso
O ganho do amp-op, tambm chamado ganho em malha aber ta, isto , o ganho intrnseco do
amplificador, A., definido no projecto e fabricao do circuito. Contudo, o valor efectivo do ganho pode ser
modificado, tal como as grandezas anteriores, por incluso de uma malha exterior conveniente, referindo-se,
nesse caso, como ganho em malha fechada. bvio que um ganho infinito no possvel. Contudo, em
geral, muito elevado, digamos entre 5 000 e algumas centenas de milhar (o valor tpico do ganho no 741
200 000). De qualquer modo, importante registar que se trata de um valor muitssimo elevado. Quais sero
as consequncias de um ganho to elevado? Note-se que um ganho de 200 000, no implica uma tenso de
sada de 200 000 V, quando a entrada tem o valor de 1 V. A excurso da tenso de sada est limitada ao
valor das tenses das fontes de alimentao do op-amp. Quando a tenso de sada igual tenso de
alimentao, diz-se que o amplificador est em saturao. Seja um amplificador com ganho de 200 000, i.e.
2105, e com tenso de alimentao 15V. A mxima variao permitida entrada, em regime linear (no
saturado), ser, portanto:
15
Vin = = 0.75 10 4 = 0.075 mV
2 10 5
Para operar no regime de funcionamento linear, a tenso de entrada diferencial de um amplificador
operacional tem que ser da ordem dos V (ver Fig. 4, onde se representa a "caracterstica de transferncia"
de um amplificador operacional, isto , o traado da tenso de sada em funo da tenso de entrada,

mostrando a saturao em Vcc ).
Largura de Banda
razovel esperar que o funcionamento de um amplificador operacional dependa da frequncia. No caso
dum amplificador operacional ideal, a largura de banda (intervalo de frequncias no qual o amplificador
funciona com as suas caractersticas nominais, ou pouco se afasta delas) infinita; isto , estende-se de zero
(cc/dc) at ao infinito. A largura de banda (tambm designada banda passante) finita para qualquer
amplificador real.
Seja um amplificador cujo ganho A. Se a amplitude do sinal de entrada for constante, existir uma
frequncia para a qual a amplitude do sinal de sada ser mxima (Voutmax). Define-se largura de banda
como o intervalo de frequncias em que a amplitude do sinal de sada superior a um valor pr-determinado,
normalmente 1 / 2 da tenso mxima (em termos de potncia, quando a potncia se reduz a metade do seu
valor mximo; numa escala logartmica, -3dB).
Fig. 7: Definio de largura de banda. Pontos 3 dB.
No caso do 741, o valor mximo ocorre para fCi=0 Hz, e o valor a -3dB ocorre para fCs=10 Hz, em malha
aberta. Usando re-alimentao negativa (ver adiante), consegue-se obter uma curva de resposta em
frequncia com largura de banda bastante superior (Ganho Largura de Banda=1 MHz).
Tenso de sada nula, quando V+ = V-
Como j foi referido, um amplificador operacional ideal s amplifica a diferena de potencial entre as
duas entradas, a inversora e a no-inversora, i.e.:
Vout = A(V+ - V-) = Ad(V+ - V-),
em que Ad representa o valor de amplificao do sinal diferena.
Se existisse uma componente comum aos dois sinais, ela no apareceria na sada. Como exemplo,
considere o circuito da Fig. 8: neste caso, a sada seria nula, qualquer que fosse Vs.
Fig. 8: Amplificao em modo comum.
Na realidade, as coisas no se passam assim. O sinal de sada depende no s da diferena dos sinais de
entrada, mas tambm do nvel mdio, tambm designado sinal em modo-comum VC = (V+ + V- ) / 2 . Isto , a
sada no circuito da Fig. 8 apresenta, efectivamente, um sinal de sada que depende do valor de Vs. Neste
caso, Vc = Vs, tem-se:
Vout = AcVc
onde Ac representa o ganho em modo-comum. Um amplificador ser tanto melhor quanto maior for Ad
(ganho diferencial) e quanto menor for Ac. corrente designar a razo entre os dois como um factor de
qualidade (figure of merit) do amplificador diferencial:
Ad
Factor de Rejeio do Modo Comum = CMRR= .
Ac
Num amplificador operacional de qualidade mdia, CMRR da ordem de 80 dB (como no 741).

Tenso de offset
Um caso particular de funcionamento em modo comum aquele em que os terminais de entrada esto em
curto-circuito (entre si). Nessas condies seria de esperar que a tenso de sada fosse nula. Infelizmente, tal
no acontece. A tenso, que aparece sobreposta a qualquer sinal de sada do amplificador, designa-se tenso
de desequilbr io sada (output offset voltage). vantajoso considerar esta tenso de desequilbrio
sada, como proveniente de um gerador colocado entrada de um amplificador ideal. A f.e.m. desse gerador
designa-se tenso de desequilbr io entr ada (input offset voltage). No caso do 741, tenso de
desequilbrio entrada ~15 mV (valor tpico).
Tempo de resposta
Num amplificador ideal, a tenso de sada segue, sem atraso, a tenso de entrada. Num amplificador real,
h sempre atrasos. Considere-se, por exemplo, que o sinal de entrada em degrau (step input), isto , uma
variao brusca de tenso de um nvel para outro, Fig. 9. Num amplificador ideal, a tenso de sada teria
exactamente a mesma forma. No caso real, a variao no instantnea, mas gradual. costume definir a
grandeza taxa de atr aso (slew rate), que caracteriza o crescimento da tenso sada perante um estmulo
em degrau:
V
Taxa de atraso =
t
Fig. 9: Tempo de resposta.
De notar, tambm, que alm de variar de um modo mais lento, a tenso de sada, ao chegar ao valor final,
ultrapassa-o (overshoot), regressando a esse valor pouco depois, nalguns casos aps oscilaes (ringing)
1
em torno dele. A taxa de atraso (Slew rate) no 741 0.5 Vs (tpico).
Caractersticas independentes da temperatura
Ao contrrio do que acontece com um amplificador ideal, as caractersticas de um amplificador real
variam com a temperatura (basta recordar que o amplificador fabricado em material semicondutor e contm
vrios transstores). Os "data-sheets" dos fabricantes fornecem essa informao.
Apresenta-se, em anexo, a folha de caractersticas do amplificador operacional 741. Este o amplificador

operacional de uso genrico mais utilizado, sendo fornecido por quase todos os fabricantes de componentes
semicondutores (Analog Devices - AD741; Texas Instruments - SN72741; Fairchild - A741; Motorola -
MC1741; RCA - CA741; ...) com caractersticas praticamente idnticas.
III Funcionamento do amplificador oper acional 741 em malha aber ta

Um amplificador operacional em malha aberta entra facilmente em saturao, excepto se a tenso
entrada for da ordem de V e o amp-op estiver compensado para a tenso de offset. Dado o elevado ganho,
pode-se utilizar o amp-op como detector de qualquer pequeno sinal da tenso de entrada. Para tal, basta
utilizar um dos circuitos da Fig. 10.
Fig. 10: Montagens em malha aberta.
Para o circuito da esquerda, Vout ser igual a +Vcc se a tenso Vin for positiva, e igual a -Vcc se for
negativa. Para o circuito da direita, o funcionamento ser simtrico (Vout = +Vcc se Vin < 0 e Vout = -Vcc se
Vin > 0). Como foi referido, um amplificador operacional nas montagens da Fig. 10, s utilizvel como
amplificador linear quando a amplitude do sinal de entrada extremamente pequena.
A aplicao do amplificador operacional seria muito maior se o ganho fosse bastante menor. Contudo,
possvel, atravs de uma malha externa, controlar o ganho efectivo do circuito global (amp-op + malha
externa) e, simultaneamente, outras caractersticas do amplificador. Pode-se obter um ganho efectivo,
praticamente, independente do ganho do amp-op, utilizando o conceito de r e-alimentao negativa
(negative feedback). O ganho efectivo final ser tanto mais independente do ganho em malha aberta
quanto maior for este, conforme discutido na seco seguinte.
IV Realimentao
A realimentao num amplificador consiste em re-introduzir uma parte do sinal de sada na entrada.
Dependendo da(s) malha(s) exterior(es), a realimentao pode reforar o sinal de entrada, ou contrari-lo,
Fig. 11. Assim, a r ealimentao positiva correspondente a um reforo do sinal de entrada pela sada, e
r ealimentao negativa, ao caso oposto.
Fig. 11: Realimentao.
A relao entre o sinal de sada Vout e o sinal de entrada Vin (ver figura):
Vout = A(Vin + B Vout )
onde BVout a fraco do sinal de sada re-injectada na entrada. Se BVout tiver o mesmo sinal que Vin, a
equao anterior divergir. Isto corresponde ao ganho em malha fechada tender para (realimentao
positiva). No entanto, se BVout tiver sinal oposto a Vin a equao converge (esta situao corresponde
realimentao negativa). Para este ltimo caso tem-se:
A
Vout = Vin = Af Vin
1 B A
Realimentao Negativa
O conceito de realimentao negativa (negative feedback) foi introduzido em 1927 por Harold S.
Black, um jovem engenheiro dos laboratrios Bell (E.U.A.), para reduzir os nveis de distoro presentes nos
amplificadores de vlvulas da poca, usados nas redes de transmisso de informao.19
Na realimentao negativa, parte do sinal de sada do amplificador re-injectado, em oposio de fase,
na entrada, i.e., a fraco do sinal de sada re-injectada na entrada, reduz o valor efectivo do sinal de entrada.
O princpio de realimentao negativa aplicado, praticamente, em todas as montagens amplificadores.
O ganho de uma montagem com realimentao negativa (ganho em malha fechada) dado por:
A
Af =
1 B A
Se |BA| for muito maior que 1 (o que acontece com amplificadores ideais, e mesmo reais), obtm-se:
A 1
Af = .
1 B A B
Nestas condies, o ganho em malha fechada (amplificador com realimentao negativa) , praticamente,
independente do ganho do amp-op. A realimentao negativa diminui a dependncia do ganho efectivo no
ganho individual do amplificador operacional, permitindo uma maior na facilidade de projecto de circuitos
electrnicos. As vantagens da realimentao negativa no se limitam estabilizao do ganho, respeitam
tambm s resistncias de entrada e de sada (aumento da resistncia de entrada e diminuio da resistncia
de sada) e melhoria da resposta em frequncia.
19
Uma rede de comunicao requer a presena de amplificadores em determinadas localizaes, ao longo da sua
extenso, de forma a compensar as perdas de sinal.
Realimentao Positiva
Na realimentao positiva, parte do sinal de sada do amplificador re-injectado, em fase, na entrada, i.e.,
o sinal re-injectado refora o sinal de entrada, fazendo com que a saturao seja atingida mais rapidamente.
A realimentao positiva tambm til, por exemplo, em circuitos de deteco de zero e osciladores.
V Circuitos lineares com Amp-Ops

Consideram-se circuitos lineares aqueles em que o amplificador no est saturado (ou seja, que recorrem
a realimentao negativa). Nestas condies, devido ao elevado ganho do amp-op a diferena de potencial
entre as entradas + e - nula, caso contrrio o amplificador entraria, rapidamente, em saturao.
Amplificador no-inversor
Na montagem amplificadora no-inversora, Fig. 12, a malha de realimentao constituda pelas
resistncias R1 e R2.
Fig. 12: Montagem no-inversora.
A anlise do amplificador no-inversor directa, atendendo ao estudo da realimentao efectuado na

seco anterior. Considerando o amp-op ideal, a tenso na entrada ser:
Vin= V+= V-=VR1,
onde VR1 a tenso aos terminais da resistncia R1. Como a impedncia de entrada do amp-op (ideal)
infinita, a corrente nas entradas do amplificador nula, donde resulta que:
R1
VR1 = Vout
R1 + R2
Assim, a tenso na entrada do amp-op (V+-V-) ser:

R1
V+ V = Vin Vout
R1 + R2
Por comparao com as equaes de realimentao negativa, tem-se neste caso:

R1
B=
R1 + R2
Assim, o ganho em malha fechada :

A 1 R + R2 R
Af = = 1 =1+ 2
1 B A B R1 R1
Numa anlise equivalente, mais habitual, considerando as tenses de entrada:

V+ = Vin
R1
V = Vout
R1 + R2
e assumindo que o amp-op no est saturado (equivalente a considerar V+=V-), obtm-se:

R1
Vin = Vout
R1 + R2
R2
Vout = 1 + Vin
R1
Amplificador inversor
Na montagem amplificadora inversora, Fig. 13, a malha de realimentao , novamente, constituda pelas
resistncias R1 e R2.
Fig. 13: Montagem inversora.
Usando os mesmos pressupostos do caso anterior, que se traduzem no facto de se considerar a entrada
no-inversora, para efeitos do sinal de entrada, ligada massa. Nesta situao a entrada inversora designa-se
terra/massa virtual.
Aplicando a lei de Ohm malha de realimentao e assumindo o amp-op ideal, obtm-se:
V+ = 0
R1 R2 R1
V = Vin + (Vout Vin ) = Vin + Vout
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2
resultando:
R2 R1
V+ V = Vin Vout
R1 + R2 R1 + R2
R2
Esta equao idntica obtida para o amplificador no-inversor se se considerar Vin como
R1 + R2
Vin. Substituindo, vem:
R1 + R2 R2 R2
Vout = Vin = Vin
R1 R1 + R2 R1
Vin V
Numa outra anlise equivalente, mais simples, a corrente na resistncia R1 R1
; por sua vez, a corrente
V Vout
na resistncia de realimentao R2 R2
. Como V- igual a V+ (amp-op ideal), e V+=0, resulta (dado que
as correntes em R1 e R2 so iguais e as correntes de entrada nos terminais + e - do amp-op so nulas):

Vin 0 0 Vout
=
R1 R2
donde resulta:
R2
Vout = Vin
R1
Outr os Cir cuitos Linear es
Existem outros circuitos lineares utilizando realimentao negativa. Alguns desses circuitos sero objecto do
prximo trabalho.
VI Pr ocedimento exper imental

Objectivo
Implementar um circuito amplificador usando um amplificador operacional.
Mater ial
Fontes de tenso contnua, gerador de sinais, amp-op 741, resistncias, e osciloscpio.
Ateno: Dever registar as figuras observadas no osciloscpio.
A- Amplificador em malha aber ta

1- Monte o amp-op 741 na placa de teste, como mostra a Fig. 14, use VCC++V=+15 V e VCC--V=-15 V.
As montagens a estudar esto indicadas na Fig. 10. (Todas as tenses devem ser referidas a um ponto
comum (terra).
Fig. 14: Instalao do Amp-Op na placa de teste.
2- Aplique entrada no-inversora (montagem esquerda da Fig 10), um sinal sinusoidal de pequena
amplitude (~10 mV) e frequncia 1 kHz. Observe no osciloscpio, simultaneamente, a entrada e a sada,
para diferentes valores de amplitude e de frequncias do sinal de entrada. Registe o que considerar
relevante. Repita este ponto aplicando agora uma tenso sinusoidal com 100 mV de amplitude.
3- Repita o procedimento da alnea anterior para a montagem direita da Fig 10, i.e., aplicando, agora, o
sinal ao terminal inversor.
B- Configur ao no-inver sor a

Dimensione o circuito da Fig. 15, de forma a obter um ganho de 101. Monte o circuito projectado. Todas as
tenses devem ser referidas a um ponto comum (terra).
Fig. 15: Montagem amplificadora no-inversora.
Note que o valor das resistncias R1 e R2 deve ser igual ou superior a 1 k, para limitar a corrente a valores
compatveis com o amplificador. Dever usar a resistncia R3, que, todavia, no necessria para o
dimensionamento do circuito. No entanto, ela deve ser colocada para diminuir a assimetria da montagem. O
seu valor deve ser, aproximadamente, a resistncia vista do terminal inversor, i.e., o paralelo de R1 com R2.
1. Tenha em ateno que se aplicar 500 mV entrada o sinal de sada seria de 50 V, o que
consideravelmente superior tenso de alimentao do amp-op (15 V). Dever aplicar um sinal de
entrada com amplitude significativamente inferior a 15 V/101~0.15 V, por exemplo 50 mV. A
frequncia do sinal deve ser 10 kHz. Observe os sinais de entrada e de sada no osciloscpio. Mea o
ganho do amplificador a essa frequncia.
2. Determine a resposta em frequncia do circuito, i.e., como varia o ganho em funo da frequncia do
sinal de entrada. Primeiro comece por variar a frequncias observando o comportamento do sinal de
sada, aps o que dever ter uma ideia qualitativa da resposta em frequncia do circuito. Faa, agora,
cerca de 15 medidas no intervalo de frequncias 20 Hz - 1 MHz (por exemplo, 20, 50, 100, 200, 500, 1k,
2k, 5k, 10k, 20k, 30k, 50k, 100k, 200k, 500k, e 1 MHz). Para cada valor de frequncia mea sempre as
amplitudes do sinal de entrada e de sada.
3. Com os valores obtidos no ponto 2, trace o grfico da resposta em frequncia (rever notas do trabalho de
amplificadores com transstores). Estime a largura de banda da montagem, LB=fc,s-fc,i.
Bibliografia
Microelectronic Circuits, A. S. Sedra, and K. C. Smith, Saunders College Publishing, London 1991.
Electrnica Analgica, Antnio J. G. Padilla, Editora McGraw-Hill de Portugal, 1993.
Electronics Fundamentals: Circuits, Devices, and Applications, T. L. Floyd, Prentice-Hall, 2000.
The Art of Electronics, 2 edio, P. Horowitz, W. Hill, Cambridge University Press, 1989.
Amplificador Operacional: montagens inversora.
- Dimensionamento do Circuito:
Ganho 10
R1=
R2=
R3=
- Formas de onda de entrada e de sada

V/DIV

V/DIV
- Dimensionamento do circuito divisor de tenso:
VCC= 5 V V-= 2.5 V RA= RB=
Amplificador Operacional: montagens no-inversora.
- Dimensionamento do Cir cuito:

Ganho 101
R1=
R2=
R3=

V/DIV

V/DIV

V/DIV

V/DIV

V/DIV

V/DIV
Amplificador Operacional: Circuitos Operativos
O amplificador operacional o componente principal do computador analgico. Consiste,

essencialmente, num amplificador de alto ganho concebido para ser usado com realimentao negativa
externa. Usando determinadas topologias de realimentao negativa, possvel realizar operaes
matemticas, como seja a adio, a subtrao, a multiplicao, a diferenciao ou a integrao. E, com a
adequada interligao de vrios amp-ops pode-se resolver sistemas de equaes com vrias incgnitas.
Neste trabalho estudam-se circuitos lineares operativos, nomeadamente, o amplificador operacional
subtractor e a montagem diferenciadora.
I Amplificador somador
Muitas vezes, necessrio proceder soma ou subtraco de formas de onda analgicas. Considere o
circuito da Fig. 1, o amplificador somador. No amplificador somador duas ou mais tenses Vin,i so aplicadas
entrada da montagem amplificadora inversora, e a tenso de sada Vout proporcional ao simtrico da soma
(pesada) das tenses de entrada. A demonstrao na Fig. 1, assume que a resistncia de entrada do amp-op
infinita e que o terminal inversor uma terra virtual.
Fig. 1: Montagem somadora.
O pequeno bice associado ao simtrico da soma pode ser eliminado ligando a sada a um amplificador
inversor de ganho 1. Se Rf>R1=Ri=Rn=R, o ganho da montagem superior a 1, i.e., o sinal de sada
corresponde soma dos sinais de entrada multiplicada pela constante Rf/R.
Os coeficientes da soma podem ser seleccionados, escolhendo o valor da resistncia de cada ramo da
entrada. O sinal de sada corresponde mdia dos sinais de entrada, se a razo Rf/R corresponder ao
recproco do nmero de tenses de entrada. Por exemplo, se n=3 e Rf/R=1/3, a tenso de sada
Vout=(Vin1+Vin2+ Vin3)/3. A mdia pesada obtida atribuindo a cada entrada pesos diferentes, simplesmente
ajustando o valor da resistncia de cada ramo de entrada.
II Amplificador difer ena

Usando apenas um amp-op possvel realizar subtraces. A tenso de sada da montagem amplificadora
subtractiva proporcional diferena (pesada) das tenses de entrada, Fig. 2.
Fig. 2: Montagem diferena.
Os coeficientes dependem dos valores das resistncias. Se R1/Rf=R2/RT, os factores de escala aplicados a
cada uma das tenses so iguais, i.e.,
Vout=Rf/R1(Vin2 - Vin1). (1)
A Eq. (1) indica que a tenso de sada, quando R1/Rf=R2/RT, proporcional diferena entre os sinais de
entrada. Como anteriormente, o factor de escala/proporcionalidade controlado pelas resistncias exteriores.
III Integr ao e Difer enciao

A montagem inversora apresentada at aqui continha apenas elementos resistivos. Contudo, a topologia
mantm as suas caractersticas se as resistncias forem substitudas por impedncias, como se indica na Fig.
3. Da mesma forma que na montagem inversora, o terminal inversor corresponde a uma terra virtual, e
If=I1.
Fig. 3: Montagem inversora com impedncias.
A configur ao integr ador a correspondente situao indicada na Fig. 4(a), onde Z1R e ZfC.
Fig. 4: Montagens integradora (a) e diferenciadora (b).
Vin1
A corrente na resistncia R : I 1 = , e como no entra corrente no amplificador pela entrada
R
inversora, tem-se I 1 = I f . Portanto, o condensador vai carregar com uma corrente If, a qual constante
enquanto Vin1 o for. A tenso de sada Vout funo da carga do condensador, e esta da corrente:
Q
Vout = VC = (2)
C
tf
Vin1
A carga Q no condensador dada por: Q = I f dt , onde I f =
ti
R
. Substituindo-se Q na expresso (2),
obtm-se:
tf tf
1
Vout =
RC
Vin1 dt , e se RC=1, Vout = Vin1 dt
ti

ti
(3)
A configur ao difer enciador a correspondente situao em que Z1C e ZfR. Esta situao est
representada na Fig. 4(b). Da anlise da Figura conclui-se que uma tenso de entrada Vin1 constante produz
uma corrente I1, apenas enquanto o condensador estiver a carregar-se. Nesta configurao:
dQ
Vout = I f R = I 1 R . Atendendo a que Q = CVin1 , e que I 1 = , obtm-se
dt
dVin1 dV
Vout = RC e se RC=1, Vout = in1 (4)
dt dt
conhecido do estudo da corrente alternada sinusoidal, que as relaes obtidas em corrente contnua so
vlidas em corrente alternada desde que se substituam as resistncias por impedncias. Da analise da Fig. 3,
e das relaes (3) e (4) resultam as seguintes expresses para tenses de entrada sinusoidais vin1 = Vin1e jt :
1
Vout =
1
jCR
Vin1

Vout =
CR vin1 dt
(5)
dv
Vout = jCRVin1 vout = CR in1
dt
IV Computador analgico
Com foi referido anteriormente, possvel realizar clculos mais ou menos complicados como, por
exemplo, resolver equaes diferenciais. A um circuito deste tipo costume chamar-se computador
analgico ou simulador analgico, uma vez que a(s) equao(es) que rege(m) o circuito (so) a(s)
mesma(s) que governa(m) o fenmeno a simular. A titulo de exemplo, considere-se o circuito amplificador
da Fig. 5 (na prtica, e por questes de estabilidade, os terminais no-inversores devero ser ligados massa
atravs de uma resistncia).
Fig. 5: Simulao da queda de um grave superfcie da Terra.
O circuito da Fig. 5 simula a queda de um grave de massa m, superfcie da Terra. Trata-se de um

movimento com acelerao constante g=9.8 ms-2:
d2y
2
= g dy
dt
= gt + v0 y y = 12 gt 2 + v0 y t + y0 (6)
dt
Em 1, a tenso a da bateria, e , portanto, constante (acelerao da gravidade, -g). A tenso em 2 a
tenso anterior depois de integrada (velocidade do corpo, -gt). O condensador tem em paralelo um
interruptor que permite fixar as condies iniciais do movimento (voy). Como a tenso, alm de integrada,
invertida, junta-se um novo inversor com ganho 1, 2. Em 3, aparece uma tenso que corresponde
primitiva da tenso em 2 (deslocamento, y=-1/2 gt2 + voyt).
VI Pr ocedimento exper imental

Objectivo
Implementar as montagens subtractora e diferenciadora, usando um amplificador operacional.
Mater ial
Gerador de sinais, amp-op 741, resistncias, condensadores, e osciloscpio.
B- Montagem subtr actor a

1- Monte o circuito da Fig. 2, com RT=1 k, Rf=1 k, R1=1 k, e R2=1 k. No esquecer que a alimentao
do amp-op 15 V, e de referenciar todas as tenses massa.
2- Use para Vin1 uma tenso continua de 1 V. Aplique entrada Vin2 uma onda quadrada de frequncia 1 kHz
e amplitude 2 V.
3- Observe os sinais de entrada e de sada no osciloscpio. Registe os sinais obtidos.
4- Compare o resultado com o previsto para a montagem da Fig 2, Eq. (1).
C- Montagem difer enciador a

1- Monte o circuito da Fig. 4(b), com R=1 k e C=100 nF. No esquecer que a alimentao 15 V, e de
referenciar todas as tenses massa.
2- Aplique um sinal sinusoidal de frequncia 10 kHz e amplitude 100 mV. Observe os sinais de entrada e de
sada no osciloscpio. Registe-os e interprete o resultado.
3- Mea o ganho da montagem e compare-o com o valor obtido a partir da expresso (4).
4- Mantendo a amplitude do sinal de entrada em 100 mV, mea as amplitudes dos sinais de entrada e de
sada a diferentes frequncias na gama [0, 100] kHz (cerca de 30 pontos).
5- Represente graficamente o ganho (em dB) em funo do logaritmo da frequncia. O circuito pode ser
considerado um filtro? Em caso afirmativo, de que filtro se trata?
6- Aplique, agora, entrada uma onda quadrada de frequncia 1 kHz e amplitude 100 mV. Visualize os
sinais de entrada e de sada no osciloscpio. Interprete o resultado.

7- Repita 6 para um sinal triangular de 1 kHz e 100 mV. Registe as formas de onda obtidas. Justifique a
forma da tenso de sada luz do funcionamento do circuito.
Bibliogr afia
The Art of Electronics, 2 edio, P. Horowitz, W. Hill, Cambridge University Press, 1989.
Amplificador Operacional: Circuitos Operacionais

V/DIV
JF Canal 1: _______ V/DIV Canal 2: _______ B. de Tempo: _______ s/DIV 17 de Setembro de 2006
V/DIV
Amplificador Operacional: Circuitos Operacionais

A- Amplificador subtr actor

V/DIV
B- Amplificador difer enciador

V/DIV
Caracterstica Corrente-tenso do Dodo

O facto de se poder dopar diversas regies de um mesmo material semicondutor com diferentes
impurezas possibilita a fabricao de uma grande variedade de dispositivos electrnicos/optoelectrnicos a
partir de um mesmo material semicondutor ou de uma liga semicondutora. A transio brusca de uma regio
de tipo p (regio com excesso de cargas livres positivas) para outra de tipo n (regio com excesso de cargas
livres negativas) no mesmo semicondutor, designada de juno p-n. Neste trabalho o aluno ir determinar
as caractersticas terminais de um dos mais simples componentes electrnicos semicondutores: o dodo
rectificador.
I Introduo
A electrnica surgiu com a inveno, por De Forest em 1907, da vlvula trodo,20 um dispositivo que
tornou possvel a amplificao de sinais elctricos. O principal produto da electrnica na primeira metade do
sculo XX foi o rdio, que possibilitou a difuso sonora de informao distncia. Mais tarde surgiu o
sistema de transmisso de sons e imagens em movimento: a televiso. Porm, a electrnica baseada em
vlvulas de vcuo apresentava grande inconveniente. As vlvulas eram grandes, frgeis e aqueciam muito,
tinham vida curta e a sua fabricao era dispendiosa, alm de terem outras desvantagens tcnicas. Por estas
razes, desde logo se comeou a procurar um dispositivo que no apresentasse as desvantagens das vlvulas.
O grande passo foi dado em 1947 por J. Bardeen, W. Brattain e W. Schockley, trs fsicos dos laboratrios
da Bell Telephone que estudavam as propriedades de conduo electrnica em semicondutores: naquele ano
eles desenvolveram o tr ansstor .
O aperfeioamento do transstor e a miniaturizao dos sistemas electrnicos com o desenvolvimento dos
cir cuitos integr ados levaram difuso das aplicaes da electrnica. O advento da electrnica dos
semicondutores e das tecnologias associadas foi uma das alavancas mais importantes das transformaes
econmicas e sociais ocorridas no sculo passado. Os pases que mais investiram no domnio da tecnologia
electrnica e/ou tecnologias afins, tm hoje grande vantagem competitiva em relao aos demais.
Infelizmente, o nosso pas encontra-se no ltimo grupo!
II Semicondutores e Junes p-n

Num material cristalino, por exemplo, no germnio, os electres de valncia de um tomo so repartidos
entre os tomos adjacentes formando ligaes covalentes; as orbitais de valncia dos tomos isolados do
origem a bandas de valncia num material cristalino. Num cristal semicondutor, a zero kelvin, a banda de
valncia est totalmente preenchida, apresentando-se a banda imediatamente superior - banda de conduo,
onde os electres podem comportar como electres quase livres completamente desocupada.21 Contudo,
medida que a temperatura do semicondutor aumenta, parte dos electres de valncia adquirem energia
20
A vlvula de trodo consiste de um tubo de vcuo com trs elctrodos: o ctodo, no qual os electres so emitidos, o
nodo, que recebe os electres e a grelha, que serve para controlar o fluxo de electres e possibilitar a amplificao de
sinais.
21
A menor separao em energia entre dois estados electrnicos destas duas bandas designa-se por hiato do semicondutor e
representa-se por Eg. Nos semicondutores mais usados em electrnica e optoelectrnica, Eg<2 eV.
suficiente para escaparem influncia directa dos tomos, ocupando estados na banda de conduo. Dado
que os tomos eram electricamente neutros, um nmero de tomos, igual ao nmero de electres quase
livres, adquire agora carga positiva. A ausncia de um electro na ligao covalente aparece como uma carga
positiva na banda de valncia no ponto onde o electro se encontrava, o qual poder atrair e aceitar um
electro ligado a um tomo vizinho. A concentrao de electres na banda de conduo de um semicondutor
puro (ou intr nseco) varia exponencialmente com a temperatura, o que faz com que a sua condutividade
dependa fortemente da temperatura. Esta propriedade faz com que os semicondutores intrnsecos sejam
pouco usados em dispositivos electrnicos/optoelectrnicos.
A condutividade dos semicondutores pode, no entanto, ser drasticamente alterada dopando o
semicondutor com tomos diferentes dos que compem o cristal semicondutor puro. A dopagem de um
semicondutor consiste na substituio de uma fraco muito pequena de tomos do semicondutor puro por
um nmero igual de tomos (de tamanho idntico), e com mais/menos um electro de valncia. Quando a
dopagem efectuada com tomos com mais um electro de valncia (impureza dadora) do que o tomo
original, o semicondutor obtido designa-se do tipo n (cria-se um excesso de cargas livres negativas, em
nmero idntico ao das impurezas dadoras); se o tomo dopante possuir menos um electro de valncia o
semicondutor resultante diz-se do tipo p (as ligaes covalentes entre o tomo dopante - impureza aceitadora
- e os seus vizinhos efectuam-se, agora, com menos um electres de valncia, i.e., cria-se uma lacuna/buraco
na ligao). Verifica-se que a carncia de um electro nas ligaes, em nmero igual ao da fraco das
impurezas aceitadoras, se comporta sobe a aco de um campo elctrico como uma carga positiva. A
deficincia de um electro designada de lacuna ou vazio. Os semicondutores dopados so designados por
semicondutores extr nsecos.
O semicondutor mais usado em electrnica o silcio (elemento do quarto grupo da tabela peridica); em
optoelectrnica os mais usados so o arsenieto de glio (material de que so feitos os lasers semicondutores
presentes nos leitores de disco compacto), o fosfato de ndio e ligas sintticas de InGaAsP e InGaAlAs (ligas
semicondutoras usadas para fabricar os lasers empregues em redes de comunicao por fibra ptica).
Em quase todos os componentes semicondutores existe uma ou mais junes p-n. O comportamento dos
electres e dos vazios nas junes p-n de um dispositivo determina a(s) car acter stica(s) cor r ente-tenso
(I-V) do dispositivo. O dodo semicondutor formado por uma juno p-n. (A palavra dodo resulta do grego
di-hods: elemento com dois contactos ou duas vias; no sentido lato uma resistncia, por exemplo, tambm
um dodo. Contudo, a designao dodo aplica-se unicamente a dispositivos semicondutores com dois
terminais, com ou sem junes p-n.).
III Caracterstica Corrente - Tenso (I-V) de uma Juno p-n

Uma juno p-n corresponde zona de confluncia de duas regies no semicondutor com densidades de
carga livre de polaridades opostas. Em geral, o material semicondutor usado uma pastilha de silcio dopado
tipo n ou tipo p. A juno p-n obtida dopando uma zona localizada da pastilha semicondutora, por
exemplo, do tipo p, com impurezas dadoras, de forma a obter nessa regio um material do tipo n: a juno p-
n corresponde fronteira entre a regio tipo n e o restante semicondutor tipo p. Uma juno com
caractersticas ligeiramente diferentes obtm-se na ligao de um semicondutor a um metal. A Fig. 1(a)
representa de forma esquemtica uma juno p-n.
Fig. 1. Diagrama de uma juno p-n.
No processo de formao da juno p-n, cargas livres do lado n (electres) e cargas livres do lado p
(lacunas), so transferidas, por difuso, para a regio oposta, criando-se uma deficincia de electres do lado
n e de lacunas do lado p, na vizinhana da juno at se igualarem os nveis de Fermi em ambos os lados da
juno. Esta distribuio de carga origina uma barreira de potencial na juno: os electres para continuarem
a deslocar-se para o lado p tm que se fornecer energia, o mesmo se aplica s lacunas.
Quando se aplica uma ddp positiva entre o nodo (regio p) e o ctodo (regio n) como indicado na Fig.
1(b), a barreira de potencial decresce e estabelece-se uma corrente elctrica de p para n (o sentido
convencional). O estado de franca conduo inicia-se quando a tenso de polarizao directa anula a barreira
de potencial, isto , quando a tenso aplicada igual altura da barreira de potencial V0, que no caso de
junes p-n em silcio da ordem de 0.7 V. Quando em perfeita conduo, a queda de tenso aos terminais
da juno varia muito pouco com a corrente, mantendo-se aproximadamente igual a V0~0.7 V (no caso do
silcio; 0.3 V para junes de germnio). Nestas condies, a juno diz-se polar izado dir ectamente. (A
tenso e a corrente so consideradas positivas quando o dispositivo encontra polarizado directamente, i.e.,
quando o potencial na regio p superior ao potencial na regio n.) A relao corrente-tenso (I-V), i.e., a
car acter stica cor r ente-tenso (I-V) da juno p-n em polarizao directa est representada no 1 quadrante
do grfico da Fig. 2.22
Fig. 2. Caracterstica I-V tpica de uma juno p-n. Note as escalas diferentes no 1 e 3 quadrantes.
A juno est polar izada inver samente, Fig. 1(c), quando o potencial no nodo inferior ao potencial no
ctodo, isto , a ddp entre p e n negativa. Nestas condies, a altura da barreira de potencial fortalecida e
a juno conduz muito fracamente, apresentando elevada resistncia. A caracterstica I-V da juno em
polarizao inversa est representada no 3 quadrante do grfico da Fig. 2. O valor da corrente inversa IS na
22
A caracterstica corrente-tenso (I-V) de um dispositivo corresponde representao grfica da corrente I que percorre o
elemento em funo da tenso V aplicada aos seus terminais.
zona de fraca conduo designa-se por cor r ente de fuga, e depende das propriedades fsicas da juno. A
corrente de fuga IS da ordem de nanoampere para junes de silcio (da ordem do microampere no caso do
germnio). Na prtica considera-se que quando a juno est polarizada inversamente existe um aberto no
ramo do circuito contendo a juno.
Para cada juno, existe um valor de tenso de polarizao inversa a partir do qual a corrente inversa (i.e,
corrente de n para p) aumenta bruscamente, sendo apenas limitada pelos elementos externos juno: zona
de avalanche ou r uptur a.23 Este valor de tenso de polarizao inversa designa-se por tenso de r uptur a
ou de Zener VR (tipicamente VR>>V0). O processo de ruptura numa juno pode ocorrer como consequncia
de dois mecanismos diferentes: o efeito de Zener e o mecanismo de avalanche. (Embora diferentes ambos
resultam da aco do campo elctrico que existe na regio de carga especial da juno p-n, sobre os
portadores livres. O processo de ruptura ocorre quando o campo elctrico na juno atinge um valor critico.)
A caracterstica I-V de uma juno p-n na regio de polarizao directa (1 quadrante do grfico da Fig. 3)
tem uma forma quase exponencial. Em boa aproximao, a corrente directa I dada por:
V
VT
I = IS e 1 , (1)
onde V representa a tenso aos terminais da juno, IS a corrente de fuga . O parmetro VT depende da
temperatura: VT=kBT/q, onde kB a constante de Boltzmann, q a carga elctrica elementar, e T a
temperatura absoluta; temperatura ambiente (T~300 K): VT=25 mV.
No 3 quadrante, a corrente praticamente constante e igual corrente de fuga IS, enquanto a tenso
inversa aplicada for inferior tenso de ruptura: I=-IS.
IV Tipos de Dodos
O dispositivo mais comum baseado numa juno p-n o dodo r ectificador (elemento normalmente
usado em rectificao [transformao de corrente bidireccional (ca) em corrente unidireccional (cc)] e em
processamento de sinal associado rectificao. Na Fig. 3 indicado o smbolo genrico de um dodo
rectificador ou simplesmente dodo. Os terminais A e C designam-se por nodo (juno metal-semicondutor
tipo p) e Ctodo (juno semicondutor tipo n - metal) rever Fig. 1(b).24
Fig. 3. Smbolo do dodo.
A caracterstica I-V de um dodo rectificador (dodo de juno) idntica da Fig. 2. Contudo, em muitos
casos, conveniente usar verses aproximadas, mais simplificadas, da caracterstica real de um dodo. A
caracterstica de um dodo ideal, isto , um dodo com resistncia elctrica em polarizao directa nula e com
tenso de limiar de conduo VD igual a 0 V, est representada na Fig. 4(a). A tenso VD representa a queda
23
Desde que a corrente no dodo seja inferior a um valor que depende das caractersticas da juno, este processo de
ruptura nada tem de destrutivo.
24
As denominaes nodo e ctodo correspondem s designaes dos elctrodos da vlvula terminica muito usada, antes da
inveno do transstor, como rectificador de corrente constituda por dois elctrodos (nodo e ctodo) em um gs nobre muito
rarefeito.
de tenso aos terminais do dodo em conduo. Na Fig. 4(b) indica-se um modelo mais aproximado do dodo
real: um dodo ideal em srie com uma fonte de tenso de fora electromotriz igual tenso limiar de
conduo VD=0.7 V. Contudo, um dodo real quando polarizado directamente apresenta uma pequena
resistncia passagem da corrente, resistncia de conduo directa RD. A Fig. 4(c) representa a caracterstica
de um dodo real linearizada, modelo mais prximo da realidade.
Fig. 4. Curvas caractersticas aproximadas e os correspondentes modelos elctricos do dodo: (a) o dodo ideal; (b) o
dodo ideal mais a tenso do limiar de conduo VD; (c) o dodo com caracterstica linearizada, isto , o dodo ideal mais
a tenso do limiar de conduo VD mais a resistncia de conduo directa RD.
Estes dodos devem apresentar uma tenso de ruptura significativamente superior (em modulo) ao valor
da tenso pico-a-pico da onda a rectificar, para que a zona de avalanche nunca seja atingida e, portanto, que a
corrente inversa seja igual corrente de fuga (que desprezvel).
H, contudo, junes p-n desenhadas especificamente para outros fins. So indicados a seguir outros tipos
de dodos de juno e as respectivas aplicaes.
Dodo de Zener ( ): dodo desenhado especialmente para operar na regio de
avalanche/ruptura, onde a tenso aos terminais do dodo, tenso de Zener VZ, permanece praticamente
constante, ainda que a corrente inversa varie significativamente. O dodo de Zener muito utilizado em
circuitos estabilizadores de tenso como elemento de referncia de tenso.
Dodo de Tnel ( ): este dodo obtido dopando fortemente as regies p e n da juno. Nestas
condies, a barreira de potencial existente entre os lados p e n da ordem de grandeza do comprimento de
onda dos electres no semicondutor, permitindo que os electres de conduo do lado n atravessem a juno
transitando para a banda de valncia do lado p. Este processo uma demonstrao do efeito de tnel em
estruturas semicondutoras (efeito de natureza inteiramente quntica). O contrrio do que acontece no dodo
rectificador, em polarizao directa a corrente comea por aumentar com a tenso at atingir um mximo
local decrescendo em seguida at atingir um mnimo local, aumentando monotonamente a partir deste ponto
(nesta regio, a curva I-V do dodo tnel idntica do dodo rectificador). Uma das caractersticas mais
importantes da curva I-V do dodo tnel a existncia de uma regio na qual dI/dV<0, o que corresponde a
uma resistncia negativa para sinais de ca, cujo valor depende da tenso aplicada ao dodo. Quando operando
nesta regio de resistncia negativa, o dodo tnel fornece potncia ac ao circuito, ao contrrio de uma
resistncia ou dodo rectificador que dissipam sempre energia. Estes dodos so utilizados em circuitos
osciladores e amplificadores de sinal. Como o tempo de transio muito pequeno, o dodo tnel um
dispositivo bastante rpido (a frequncia de corte destes componentes pode atingir dezenas de GHz).25
25
Existem vrios dodos com uma ou mais junes p-n, muito usados em osciladores e geradores de microondas, com a
capacidade de produzir potncias de dezenas de watt.
Var actor (var icap/var istor ) ( ): em geral, a capacidade elctrica da juno de um dodo varia
com a tenso aos seus terminais. Os varactores so dodos de juno especialmente desenhados de forma a
fortalecer a dependncia na tenso da capacidade da juno. So muito usados em osciladores cuja
frequncia controlada por tenso (voltage control oscillators, VCOs).
Dodo de Bar r eir a de Schottky

Quando um metal colocado em contacto directo com um semicondutor, ocorre uma transferncia de
cargas de um lado para o outro de modo a igualar os nveis de Fermi, semelhana do que acontece numa
juno p-n. A diferena entre o contacto de dois semicondutores e o contacto metal-semicondutor resulta de
os vazios no poderem passar do semicondutor para o metal.26 A transferncia de carga origina zonas de
carga de polaridade opostas de ambos os lados da juno, resultando numa barreira de potencial designada de
bar r eir a de Schottky. No de estranhar, portanto, que a caracterstica corrente-tenso de uma juno
metal-semicondutor seja semelhante da juno p-n. Na verdade, o primeiro elemento semicondutor
construdo foi dodo de contacto metal-semicondutor, usado como detector nos primeiros rdios. Foi tambm
com contactos metal-semicondutor que o primeiro tr ansstor foi construdo em 1947. Ao contrrio do que
acontece numa juno p-n, a corrente no dodo Schottky devida aos portadores maioritrios, o que faz com
que a frequncia de corte neste dodo seja muito superior do dodo de juno p-n. Verifica-se tambm, que
a tenso de franca conduo VD significativamente inferior da juno p-n. Estes dodos no suportam
correntes elevadas, no podendo ser usados em circuitos rectificadores. Os dodos Schottky so muito usados
como detectores de sinais de alta-frequncia.
Dodos de J uno Optoelectr nicos
Fotododo ( ): a zona de juno das regies n e p deficitria em cargas livres (regio de

depleo ou regio de carga espacial). A radiao ptica de energia superior largura da banda proibida
entre as bandas de conduo e de valncia (ou hiato do semicondutor) incidente na regio de depleo
fortemente absorvida, gerando pares de portadores de carga (pares electro-vazio) que por aco do campo
elctrico existente na juno so removidos da juno e injectados no circuito, contribuindo para a corrente
total no circuito. Os fotododos so dodos desenhados para maximizar a converso opto-electrnica e em
geral so operados em polarizao inversa. Estes dispositivos so utilizados como detectores de luz nas mais
diversas aplicaes, desde simples detectores pticos at sofisticados sistemas de comunicao ptica.
LED (light emitting diode, ): a injeco de portadores de carga na zona da juno p-n
aumenta a probabilidade de ocorrncia de transies com emisso radiativa. O aumento da concentrao de
electres na regio p e de vazios na regio n estimula as transies da banda de conduo para a banda de
valncia. LEDs so junes especialmente desenhadas para maximizar a probabilidade das tr ansies
r adiativas entre a banda de conduo e a banda de valncia. A emisso radiativa (converso electro-ptica)
26
Os vazios so quase-partculas que existem apenas nos semicondutores.
s relevante em semicondutores de hiato directo.27 A energia da radiao electromagntica emitida depende

do valor do hiato do semicondutor Eg. Para o GaAs Eg=1.424 eV, e, portanto, a radiao emitida infra-
vermelha (~870 nm); os LEDs de AlGaAs podem ser desenhados para emitir no visvel (~400 750 nm).
Dodo laser : LED desenhado de forma a maximizar a converso electro-ptica, com confinamento e
realimentao da radiao gerada. Os lasers so fontes pticas de elevada pureza espectral e a radiao
emitida coerente. So usados, por exemplo, em leitores de disco compacto, em sistemas de comunicao
por fibra ptica e como fontes de energia para outros lasers.
V Deter minao da Car acter stica (I-V) de um Dodo

O dodo um componente no-linear, i.e., a relao corrente-tenso no linear. A no linearidade da
caracterstica do dodo faz com que o clculo das correntes em circuitos contendo dodos seja um pouco mais
complicado que no caso de circuitos lineares. A ttulo de exemplo, vamos determinar a corrente no circuito
da Fig. 5 que contm um dodo com a caracterstica indicada.
Fig. 5. Circuito contendo um dodo e caracterstica I-V do dodo.
Para determinarmos a corrente I, vamos comear por admitir que o dodo est em franca conduo.
Podemos ento tomar a queda de tenso aos terminais do dodo como constante e igual a 0.7 V para dodos
de silcio, i.e., o dodo pode ser substitudo por uma fonte de tenso de fora electromotriz 0,7 V (VD= 0,7 V,
ver Fig.4). O circuito , portanto, transformado num circuito linear. Da lei das malhas resulta que:
5 100 I 0,7 = 0
I = 43 mA
Numa primeira aproximao, o mtodo de resoluo acima apresentado bastante simples e til em
muitas situaes, permitindo estimar o valor da corrente I sem envolver clculo elaborado. Contudo, na
grande maioria dos casos necessrio conhecer o valor de I com mais rigor. E pode mesmo acontecer que,
ao contrrio do que foi assumido, o dodo no esteja em franca conduo. Neste caso, teremos que aplicar as
leis dos circuitos tendo em conta a caracterstica I-V do dodo. Como foi referido atrs a Eq. (1) descreve, em
muito boa aproximao, a caracterstica corrente-tenso do dodo.
A determinao rigorosa de I envolve a resoluo de um sistema de duas equaes, a equao da malha e
a Eq. (1):
27
Um semicondutor diz-se de hiato directo, quando o valor de energia mnima nas bandas de conduo e o valor da
r
energia mxima nas bandas de valncia ocorre no mesmo ponto do espao dos momentos k . O silcio um
semicondutor hiato indirecto; o GaAs um semicondutor directo.
VD ( I ) = E RI
VD
VT
(2)
I = IS e 1 .
Este sistema permite-nos determinar o ponto de funcionamento. A soluo laboriosa em virtude de

envolver uma equao transcendente (pressupe-se o conhecimento dos parmetros da Eq. (1) para o dodo
em considerao). No entanto, a soluo pode achar-se na forma grfica, se dispusermos da curva
caracterstica do dodo; a equao da malha corresponde recta de carga do circuito:
5 V
I= D . (3)
100 100
Podemos traar num mesmo grfico a recta de carga do circuito e a caracterstica do dodo. O valor da
corrente no circuito corresponde ao ponto de interseco da recta de carga do circuito e da caracterstica do
dodo, i.e., I=ID e V=VD. Esta situao est representada na Fig. 6. Do grfico obtm-se ID=42 mA.
Fig. 6. Recta de carga do circuito e caracterstica I-V do dodo.
VI Rectificao de Meia Onda

A capacidade de conduzir num s sentido faz do dodo de juno um elemento extremamente til para
materializar vrias funes. O dodo de juno alimentado por uma tenso alternada conduz numa das
alternncias, passando ao estado de bloqueio na alternncia seguinte. Assim, usando um ou mais dodos,
possvel transformar uma tenso alternada em tenso unidireccional.
Consideremos o circuito da Fig. 1, ao qual aplicada uma tenso sinusoidal vi. Qual ser a forma do sinal
de sada vo.
Fig. 7. Circuito rectificador de meia onda.
Para simplificar, vamos supor que se trata de um dodo ideal, isto , durante as arcadas positivas da
sinuside comporta-se como um interruptor fechado, e como um interruptor aberto para as arcadas negativas,
Fig. 8(a). A forma de onda de sada est representada em Fig. 8(b).
Fig. 8. Fases da rectificao de meia onda.
Conclui-se que o circuito da Fig. 7 elimina as alternncias negativas da tenso de entrada, obtendo-se na
sada apenas metade do sinal de entrada, i.e., h supresso de uma alternncia e aproveitamento da outra. O
circuito funciona como um rectificador de meia onda; o valor mdio do sinal rectificado igual a Vp/. Ter
em ateno que, durante a arcada negativa, a tenso aos terminais do dodo igual ao valor de pico da tenso
de entrada. Portanto, a tenso a rectificar deve ter um valor de pico significativamente inferior tenso de
ruptura do dodo VR.
Bibliogr afia
Fsica de Materiais e Dispositivos Electrnicos, Srgio M. Rezende, Editora da Universidade Federal de Pernambuco,
Brasil, 1996.

Objectivo
Determinar experimentalmente a caracterstica corrente-tenso de um dodo. Rectificador de meia onda.
Mater ial
Fonte de tenso contnua varivel, dodo, resistncias, ampermetro e osciloscpio.
Ateno: Dever registrar todas figuras observadas no osciloscpio.
A. Tr aado da Car acter stica I-V de um Dodo - Mtodo Esttico

a) Monte o circuito da Fig. 8 (formado por uma fonte de tenso varivel 0 a +15 V - em srie com o
dodo em estudo - 1N4001 ou equivalente - e uma resistncia de proteco - dever utilizar uma
resistncia de ~200 , tendo em ateno que a corrente no dodo no deve exceder a corrente mxima
suportada pelo dodo, ~1 A). Assegure que a tenso aos terminais da fonte zero. Deve fazer as
medidas da tenso aos terminais do dodo e da corrente que o atravessa, em simultneo. A tenso deve
ser medida usando o osciloscpio.
Fig. 8. Circuito usado para obter traado da caracterstica I-V de um dodo - mtodo esttico.
b) Comece por aumentar progressivamente a tenso aplicada ao circuito. Mea os pares de valores (I, V).
c) Trace o grfico I(V) com os valores obtidos no ponto anterior.
d) Com base na caracterstica construda estime o valor aproximado de VD e de RD.
B. Funo de Tr ansfer ncia do Dodo Mtodo Dinmico.

B1. Rectificao de Meia Onda
a) Monte o circuito da Fig. 9, onde vi representa uma onda sinusoidal de amplitude 5 V e frequncia 100
Hz, e R =100 . Visualize vi no canal 1 e vo no canal 2. Ligue o circuito e comute os dois canais do
osciloscpio para modo DC, aps sobrepor a linha de zero dos dois canais. Observe e registe as formas
de onda obtidas. Registe os sinais. (Nota: Antes de montar o circuito, mea o valor da resistncia R.)
Fig. 9. Circuito empregue para obter a funo de transferncia do dodo mtodo dinmico.
B2. Funo de Tr ansfer ncia do Dodo Mtodo Dinmico

b) Comute o osciloscpio para o modo X-Y. Com os canais em GND, coloque o ponto visualizado no
centro do ecr e, em seguida, comute ambos os canais para DC. Repare que a forma de onda obtida
corresponde caracterstica de transferncia do circuito. Desenhe-a na folha de registo de dados.
c) Com base na caracterstica determinada anteriormente, determine os valores de VD e de RD.
d) Descreva o funcionamento do circuito e analise as formas de onda registadas em a). Como seriam os
sinais registados em a) se o dodo fosse ideal. Discuta as diferenas.
C. Funo de Tr ansfer ncia do Dodo Mtodo Alter nativo.

A determinao dos elementos do modelo equivalente de um dodo pode ser feita de uma forma mais
directa, sem necessidade de recorrer ao traado da curva do dodo.
a) Monte o circuito da Fig. 9, com R=100 . Aplique entrada do circuito uma tenso alternada sinusoidal
de 5 V de amplitude e frequncia 100 Hz. Visualize o sinal de entrada no canal 1 do osciloscpio e o
sinal de sada no canal 2.
Fig. 9. Circuito aplicado para obter a funo de transferncia do dodo mtodo alternativo.
b) Actuando no comando POS de cada um dos canais sobreponha-os, e, manipulando a base de tempo,
obtenha apenas duas arcadas centradas no ecr do osciloscpio, conforme se mostra na Fig. 10. Registe
as formas de onda assim obtidas. A determinao de VD e de RD feita medindo as cotas A, B, e C. A
cota C est relacionada com VD e as cotas B e A permitem calcular RD. Determine estas relaes.
Fig. 10. Funo de transferncia do dodo mtodo alternativo.
c) Explique o funcionamento do circuito. Compare os parmetros do modelo obtidos com os determinados

em A e B.
Bibliogr afia
Microelectronic Circuits, Sections 3.3 (Analysis of Diode Circuits) e 3.6 (Rectifier Circuits), 3 Edio, A. S. Sedra, and
K. C. Smith, Saunders College Publishing, London 1991.
Tr aado da Cur va I-V de um dodo - mtodo esttico.
Rectificao de Meia Onda

V/DIV

V/DIV
Funo de tr ansfer ncia do dodo mtodo dinmico

V/DIV
Funo de tr ansfer ncia do dodo Mtodo alter nativo

V/DIV
Circuitos de Rectificao e de Deteco de Pico

O dodo de juno um elemento no-linear, i.e., possui uma caracterstica corrente-tenso (I-V) no
linear. Como elemento no-linear apresenta inmeras aplicaes. Uma das mais comuns a r ectificao de
uma tenso alternada, i.e., transformao de corrente bidireccional em corrente unidireccional. Outra
aplicao do dodo, baseada na sua propriedade de rectificao, em circuitos detectores de pico, empregues
na deteco de ondas moduladas em amplitude nos receptores de rdio. Neste trabalho analisam-se,
detalhadamente, circuitos rectificadores e de filtragem.
I Introduo
Em geral, um circuito electrnico com componentes discretos e/ou integrados, necessita de uma tenso de
alimentao contnua para um funcionamento eficiente. Uma vez que o fornecimento de energia elctrica
realizado na forma de tenso alternada, necessrio transformar esta tenso em tenso contnua. A grande
maioria dos equipamentos elctricos/electrnicos tem, em geral, associada uma fonte de alimentao de
tenso contnua ou circuito complementar que realiza a necessria converso. O processo de transformao
de uma tenso alternada em tenso contnua designado por rectificao. Na rectificao uma das
alternncias do sinal alterno eliminada ou ento o seu sentido invertido.
Em associao com condensadores e resistncias, os dodos so usados em cir cuitos detector es de pico,
i.e., circuitos que determinam o valor de pico de um dado sinal. Os circuitos detectores de pico podem ser,
tambm, usados como cir cuitos desmodulador es. O dodo aplicado em cir cuitos limitador es e cir cuitos
fixador es de nvel. Com circuitos contendo dodos e resistncias, possvel alterar, por exemplo, uma onda
triangular, transformando-a, aproximadamente, numa sinuside. Os dodos so, tambm, muito teis em
cir cuitos multiplicador es de tenso. As aplicaes atrs enumeradas podem ser consideradas aplicaes de
potncia. Os dodos so tambm muito usados em aplicaes de sinal. Outra aplicao do dodo em
electrnica digital. Dodos, em associao com resistncias, podem ser usados para implementar as portas
lgicas digitais OU e E.
II Rectificao
A capacidade de conduzir num s sentido faz do dodo de juno um elemento extremamente til para
materializar vrias funes. O dodo de juno alimentado por uma tenso alternada conduz numa das
alternncias, passando ao estado de bloqueio na alternncia seguinte. Assim, usando um ou mais dodos,
possvel transformar uma tenso alternada em tenso unidireccional.
A. Rectificao de Meia Onda

Consideremos o circuito da Fig. 1, ao qual aplicada uma tenso sinusoidal vi. Qual ser a forma do sinal
de sada vo.
Fig. 1. Circuito rectificador de meia onda.
Para simplificar, vamos supor que se trata de um dodo ideal, isto , durante as arcadas positivas da
sinuside comporta-se como um interruptor fechado, e como um interruptor aberto para as arcadas negativas,
Fig. 2(a). A forma de onda de sada est representada em Fig. 2(b).
Fig. 2. Fases da rectificao de meia onda.
Conclui-se que o circuito da Fig. 1 elimina as alternncias negativas da tenso de entrada, obtendo-se na
sada apenas metade do sinal de entrada, i.e., h supresso de uma alternncia e aproveitamento da outra. O
circuito funciona como um r ectificador de meia onda; o valor mdio do sinal rectificado igual a Vp/ . Ter
em ateno que, durante a arcada negativa, a tenso aos terminais do dodo igual ao valor de pico da tenso
de entrada. Portanto, a tenso a rectificar deve ter um valor de pico significativamente inferior tenso de
ruptura do dodo VR.
B. Rectificao de Onda Completa

possvel aproveitar as duas alternncias, e, portanto, duplicar o valor mdio do sinal de sada:
r ectificao de onda completa. O circuito da Fig. 3 executa rectificao de onda completa, i.e., os dois
semi-ciclos de tenso alternada passam a ter a mesma polaridade, aproveitando as duas alternncias da onda.
Os dodos assim ligados constituem uma ponte r ectificador a.
Fig. 3. Rectificao de onda completa.
A anlise cuidada do circuito permite verificar que numa alternncia um par de dodos colocados em
posies opostas no losango conduz, enquanto que o outro par bloqueia. Invertendo-se os papeis na
alternncia seguinte. Desta forma a corrente atravs da resistncia apresenta sempre o mesmo sentido e a
tenso de sada (tenso aos terminais da resistncia) tem a forma indicada na Fig. 3. O valor mdio da tenso
de sada agora igual a 2Vp/. Deve-se ter em ateno que a tenso sada da ponte rectificadora deve ser
substancialmente menor do que a tenso de ruptura dos dodos.
O sinal de entrada na ponte rectificadora pode ser a tenso no secundrio de um transformador ou o sinal
da rede. Est dado o primeiro passo para obter, a partir de uma tenso alternada, uma tenso contnua,
essencial para o funcionamento de muitos dos circuitos electrnicos. Se se pretender um sinal de valor mdio
superior ou com menor ondulao, coloca-se na sada do circuito rectificador um filtro, geralmente, formado
por condensadores e/ou bobines.
No caso do sinal de entrada ser proveniente de um gerador de sinal, alimentado a partir da rede, e a fonte
de tenso alternada ou o seu equivalente tiver um terminal massa, a carga RL dever estar flutuante; se a
fonte de tenso alternada estiver flutuante (no tiver um terminal massa), podemos ligar qualquer dos
terminais de RL ao comum do circuito. Quando se implementa uma ponte rectificadora, sempre necessrio
ter o cuidado de ver em que caso se est, para evitar curto-circuito.
III Cir cuito Detector de Pico - Filtr agem

Na seco anterior, foram apresentados os circuitos capazes de obter tenses unidireccionais, constitudas
por uma tenso contnua qual se sobrepe uma tenso alternada, de frequncia 2f no caso de rectificao
completa e de frequncia f no caso de rectificao de meia onda.
H circuitos/equipamentos que s desempenham a sua aco de forma eficiente se a ondulao do sinal
rectificado for muito pequena ou praticamente nula. A tenso unidireccional produzida pelo circuito
representado na Fig. 3 no constante. Esta ondulao pode ser eliminada incorporando um filtro,
geralmente, formado por condensadores e/ou bobines, sada da ponte rectificadora.
O circuito representado na Fig. 4 utilizado em diversas aplicaes, que vo da rectificao de sinais
alternados descodificao de um sinal AM (amplitude modulada).
Fig. 4. Circuito detector de pico.
Quando se aplica ao circuito a forma de onda indicada na Fig. 5, a tenso aos terminais do condensador vc
ir acompanhar a tenso de entrada porque, sendo a dodo ideal, logo que vi0 o dodo conduz (actua como
curto-circuito) e o condensador carrega com uma constante de tempo muito pequena quando comparada com
o perodo da tenso de entrada. Aps vi atingir Vp inicia-se a fase descendente, comeando o condensador a
descarregar, mas agora, com uma constante de tempo =RC muito maior. Se for consideravelmente
superior ao perodo T do sinal de entrada, a tenso vc vai diminuir muito mais lentamente do que vi e o dodo
ficar em corte at que vi(t) volte a ser maior ou igual a vc(t). Enquanto a tenso vc(t) decresce, a tenso de
entrada vi vai evoluir, at atingir o seu valor mnimo, e comear de novo a aumentar. A partir do instante em
que vi iguala vc (= Vcmin), o dodo passa a conduzir novamente e a tenso aos terminais do condensador
acompanha o crescimento de vi, at a tenso de entrada atingir Vp. O processo agora descrito repete-se
enquanto subsistir vi. Se >>T, o condensador descarrega muito pouco at ao inicio do perodo de carga
seguinte. Se o circuito a montante do condensador for rectificador de onda completa, a situao mais
vantajosa do ponto de vista energtico, uma vez que compete com T/2, i.e., o condensador tem menos
tempo para descarregar.
O sinal de sada apresenta uma oscilao com amplitude Vp-Vcmin, como est esquematicamente
representado na Fig. 5. Ter em ateno que durante a fase de bloqueio o dodo est sujeito a uma tenso
inversa igual a 2Vp.
Fig. 5. Formas de onda de entrada e de sada do circuito da Fig. 4.
A ondulao da tenso de sada devida carga, seguida da descarga do condensador, conhecido como
ripple ou ondulao r esidual, e o valor da amplitude da ondulao designa-se por tenso r esidual ou de
ripple vr. A amplitude da tenso residual Vr depende da relao entre o tempo de descarga do condensador
(a constante de tempo do circuito de descarga RC), e o perodo T do sinal de entrada:
T
Vr VP . (1)
2 RC
Para um dado sinal de entrada, de frequncia constante, quanto maior for a constante de tempo =RC, menor
ser Vr, j que maior ser Vcmin. Para uma dada frequncia do sinal de entrada, a frequncia de sada de
rectificao de onda completa o dobro da frequncia de sada da rectificao de meia onda. Em resultado, a
filtragem em um rectificador de onda completa energeticamente mais favorvel, pois o valor mdio da
tenso de sada superior, uma vez que a ondulao residual menor.
A razo entre o valor de amplitude da ondulao e o valor mdio da tenso de sada, define o grau de
ondulao F r(=Vr/Vm), tambm conhecido como factor de ripple. O grau de ondulao indica a maior ou
menor aproximao da tenso de sada a uma tenso contnua. Define-se o factor de forma F f de uma
grandeza ondulatria como a razo entre o valor eficaz e o valor mdio da ondulao. Na rectificao de
onda completa sem rectificao obtm-se: F r=0.48 e F f=1.11 (F r=1.21 e F f=1.57, no caso de rectificao de
meia onda).28 Idealmente, o factor de ripple seria igual a zero (F r=0), enquanto que o factor de forma seria
igual a 1 (F f=1).
Como veremos, mais tarde, h circuitos/componentes que necessitam de ser alimentados com duas fontes
de alimentao de polaridade oposta, Vcc. Na Fig. 6 representa-se o esquema de um circuito de rectificao
de onda completa bipolar. Qualquer das duas fontes parciais, indicadas na Fig. 6, de rectificao de onda
completa.
28
A tenso que temos vindo a usar corresponde a uma tenso monofsica. Contudo, a eficincia da rectificao aumenta se forem
empregues sinais de entrada polifsicos (por exemplo, sinais trifsicos). A frequncia da tenso monofsica em Portugal igual a 50
Hz; o valor de pico da tenso (amplitude) ~311 V (220 2 V).
Fig. 6. Circuito rectificador bipolar.
Deve ter-se em ateno, ao dimensionar uma fonte deste tipo, necessrio no esquecer que quando um
dodo no conduz fica sujeito a uma tenso inversa igual ao valor da tenso de pico. Convm, tambm,
lembrar que, para alm do valor da capacidade, necessrio conhecer a tenso mxima qual o condensador
pode estar sujeito, assim como o valor da corrente que o vai atravessar.
IV Estabilizao
O valor da tenso de sada no circuito da Fig. 4 acompanha as variaes do valor de pico da tenso de
entrada, isto , se o valor de pico da tenso alternada variar, o valor mdio da tenso de sada segue essa
variao, i.e., a variao da tenso alternada, essa variao transmitida tenso de sada. A tenso de sada
depende, tambm, da carga, i.e., se se pedir corrente, a tenso diminui. Porm, h um sem nmero de
equipamentos que no tolera variaes na tenso contnua de alimentao, sendo necessrio adicionar ao
circuito rectificador com filtragem um bloco estabilizador. corrente definir a r egulao de uma fonte de
tenso, como:
Regulao = (V0vazio-V0carga-mxima)/V0vazio100%. (2)
Pode-se definir, de modo inteiramente anlogo, uma regulao para variaes da tenso de entrada.
costume falar em r egulao de linha e r egulao de car ga.
O dodo de Zener um dispositivo capaz de manter uma diferena de potencial praticamente constante
entre os seus terminais, ainda que varie sensivelmente a corrente que o atravessa, e , muitas vezes,
empregue na estabilizao da tenso de sada do circuito rectificador. Um dodo Zener polarizado
inversamente, de tenso de ruptura igual ao valor da tenso pretendida para a sada, colocado, em srie com
uma resistncia, entre aos terminais de sada do circuito rectificador com filtragem. A tenso no regulada
deve ser superior tenso de ruptura do dodo. essencial que a corrente que percorre o dodo seja
suficiente para o manter em regime de ruptura (ou avalanche).29 Para tenses pequenas (poucos volts),
comum usar dodos rectificadores polarizados directamente, em srie, at perfazer a tenso pretendida.
Contudo, existem circuitos integrados, contendo a ponte rectificadora, o circuito de filtragem e o
elemento/bloco de estabilizao, capazes de proporcionar uma tenso contnua regulvel.
Antes de terminar este guia, convm fazer referncia a um aspecto de ordem prtica: quando desligamos
uma fonte, se aos seus terminais no se encontrar ligada qualquer carga, os condensadores de filtragem
permanecem carregados, o que pode ser perigoso para pessoas e equipamentos. , por isso, conveniente
29
O conhecimento da potncia a dissipar no dodo Zener fundamental para a escolha do dodo a utilizar.
colocar em paralelo com eles uma r esistncia de sangr ia de valor muito superior ao da carga habitual, a
qual assegura a descarga do condensador ao fim de alguns segundos.
V Pr ocedimento Exper imental

Objectivo
Estudar detalhadamente alguns circuitos de aplicao de dodos.
Mater ial
Gerador de sinais, dodos, resistncias, condensadores e osciloscpio.
A. Rectificao de Onda Completa.

a) Monte o circuito da Fig. 3, usando uma resistncia da ordem de 1 k e aplique entrada uma tenso
alternada sinusoidal de 5 V de amplitude e frequncia 1 kHz. Observe o sinal aplicado no canal 1 do
osciloscpio e a tenso aos terminais da resistncia no canal dois do osciloscpio.
b) Ligue o circuito. Comute os dois canais para modo DC. Registe na folha de registo as formas de onda
obtidas.
c) Observe, agora, apenas a tenso aos terminais da resistncia no canal dois do osciloscpio.
Para poder visualizar correctamente no osciloscpio o sinal aos terminais da resistncia, deve isolar o
contacto de terra da ficha de alimentao do osciloscpio (ver painel traseiro), de forma a tornar as terras do
aparelho flutuantes em relao terra da fonte.
e) Explique, por palavras suas porque que se deve isolar a terra do osciloscpio. Justifique, tambm, porque
que no se pode visualizar, simultaneamente, a entrada e a sada.
d) Descreva o funcionamento do circuito e justifique as formas de onda obtidas, tendo em conta que o dodo
no ideal, comparado-as com o que obteria se o dodo fosse ideal. Discuta as diferenas.
B. Deteco de Pico e Filtr agem

a) Monte o circuito da Fig. 4 utilizando um potencimetro de 100 k (ajustar inicialmente para o seu valor
mximo) e um condensador de 22 nF (cdigo 223). Aplique entrada uma tenso alternada sinusoidal de
4 V de amplitude e 4 V de valor mdio (offset) e frequncia 1 kHz. Antes de ligar o circuito mea e
registe o valor da resistncia do potencimetro.
b) Ligue o circuito. Comute os dois canais para modo DC. Observe no osciloscpio e registe as formas de
onda da entrada e da sada. Para medir bem o valor da tenso de ondulao de sada, coloque o canal em
que est a observar a sada em acoplamento AC e altere a escala de tempo de modo a ter maior preciso.
c) Explique as diferenas entre o grfico obtido experimentalmente e o grfico da Fig. 5.
d) Mea durante quanto tempo (t') em cada perodo o condensador est em descarga.
e) Indique a expresso matemtica que descreve a tenso de descarga do condensador vc(t). Tenha em
ateno o valor de tenso com que o condensador inicia a descarga. Qual seria a diferena na expresso se
considerssemos o dodo ideal?
f) Verifique que vc(t' ) igual tenso em que a descarga se interrompe e vc volta a acompanhar vi. Procure
justificar as pequenas diferenas, eventualmente existentes, entre o valor terico vc(t' ) e o valor obtido na
prtica.
g) Reduza o valor da resistncia de modo a obter uma variao visvel da tenso de ondulao. Mea o valor
da resistncia (desligando-a do circuito).
h) Repita os procedimentos b) a f), usando agora o potencimetro com o valor da resistncia medida na
alnea a).
Bibliogr afia
Microelectronic Circuits, Section 3.6 (Rectifier Circuits), 3 Edio, A. S. Sedra, and K. C. Smith, Saunders College
Publishing, London 1991.
Cir cuitos de Rectificao e de Deteco de Pico.

Folha de registo de dados.
A1. Rectificao de meia onda

V/DIV

V/DIV
A2. Rectificao de Onda Completa

V/DIV

V/DIV
B. Deteco de Pico e Filtragem

V/DIV

V/DIV
Traado das Curvas Caractersticas de um

Transstor Bipolar.
Um transstor30 um trodo31 de cristal semicondutor muito utilizado em electrnica, geralmente de
silcio, capaz de amplificar, detectar, modular, etc., isto , de efectuar funes semelhantes s das vlvulas
terminicas (contudo, de forma muito mais eficiente). O princpio bsico de funcionamento de um transstor
reside no facto de uma diferena de potencial (tenso) aplicada entre dois dos seus terminais poder controlar
o fluxo de corrente no terceiro terminal. Por exemplo, o sinal de controlo pode induzir, no terceiro terminal,
um sinal idntico ao sinal aplicado, mas de amplitude significativamente superior, actuando o dispositivo
como amplificador. A potncia do sinal no terceiro terminal , em geral, maior do sinal aplicado, sendo o
acrscimo de potncia fornecido pela(s) fonte(s) de cc. Devido capacidade de converter a energia de uma
fonte de cc em energia na forma de um sinal alternado, o transstor considerado um elemento activo.32
Pode, tambm, fazer variar a corrente no terceiro terminal, de zero a um valor significativamente elevado ou
o inverso, permitindo ao dispositivo actuar como um inter r uptor /comutador . O interruptor/comutador o
elemento bsico dos circuitos digitais.
O transstor resultou dos desenvolvimentos na investigao das propriedades fundamentais dos
semicondutores, nomeadamente das propriedades de superfcies de germnio com contactos metlicos
rectificadores, realizados por J. Bardeen, W. Brattain e W. Schockley, em 1947 nos laboratrios da Bell
Telephone, EUA). Nesses estudos, eles observaram que a corrente na juno semicondutor-metal variava,
quando uma outra corrente percorria uma segunda juno semicondutor-metal, prxima da primeira.
Contudo, este transstor de ponto de contacto era pouco eficiente: era bastante frgil; os contactos
degradavam-se em contacto com o ar; apresentava elevados nveis de rudo interno. O passo fundamental
ocorreu em 1948, quando W. Schockley publicou um trabalho propondo a estrutura do transstor de juno.
A partir de ento muitos laboratrios desenvolveram tcnicas industriais de fabricao e de estudo de
transstores, permitindo a sua comercializao na dcada de cinquenta.
Existem trs tipos bsicos de transstores: os bipolares, os FET (field-effect transstor, transstores de
efeito de campo), e os MOS (metal-oxide-semiconductor). Eles diferem entre si nos processos de
construo e nos fenmenos fsicos envolvidos. O bipolar o mais importante do ponto de vista histrico,
embora continue a ser muito usado nos dias de hoje. Os FETs e os MOS so muito importantes em
electrnica integrada de alta densidade. O adjectivo bipolar resulta da aco conjunta dos portadores
maioritrios e minoritrios no funcionamento do transstor. As caractersticas dos transstores FET e MOS
dependem unicamente do comportamento dos portadores de carga maioritrios, electres ou vazios, sendo
designados de unipolar es. Os microprocessadores e as memrias dos computadores so baseados na
combinao de milhes de transstores MOS, numa nica pastilha de silcio. Neste trabalho analisado o
transstor bipolar de juno (BJT, bipolar junction transstor).
30
Do ingls, reduo de trans[fer]-[res]istor, que transmite sinais elctricos por meio de uma resistncia.
31
Do grego treis, trs +ods, caminho, i.e., dispositivo de trs terminais.
32
Comparar com o dodo.
I Intr oduo
Um transstor bipolar de juno constitudo por duas junes p-n formadas num mesmo cristal
semicondutor (rever guio do 2 trabalho) ligadas em srie. Nestes transstores, ambos os portadores de
carga, electres e lacunas, participam na corrente elctrica (dai o nome bipolar). As duas junes p-n podem
ser implementadas em duas configuraes diferentes, originando dois tipos de transstores bipolares: os
transstores npn e pnp. O transstor npn (pnp) obtido, por exemplo, criando num cristal semicondutor tipo
p+, primeiro uma regio de tipo n (p) e nesta, uma camada relativamente estreita de semicondutor tipo p (n),
designada base, e outra regio do tipo n (p), mas, mais fortemente dopada, n+ (p+), Fig. 1. As camadas
laterais separadas pela base so designadas emissor e colector.33 Tipicamente, os nveis de dopagens do
emissor, da base e do colector so da ordem de 1020, 1018 e 1016 cm-3, respectivamente.
Fig. 1. Representao esquemtica da estrutura dos transstores bipolares npn e pnp. So tambm indicados os
respectivos smbolos. Como no caso do dodo, as setas, no terminal emissor, indicam o sentido convencional da
corrente entre a base e o emissor, e o emissor e a base. Ter em conta que o fluxo de electres no sentido oposto.
No transstor npn, existem junes p-n entre a base e o emissor (juno emissora) e a base e o colector
(juno colectora); no transstor pnp, as junes p-n so formadas entre o colector e a base e entre o emissor
e a base. Na Fig.2, so apresentadas, de forma esquemtica, a estruturas dos dois transstores bipolares.
Fig. 2. Esquemas simplificados dos transstores bipolares npn e pnp.
Os materiais mais usados so o silcio e o germnio. No entanto, e em geral, o silcio prefervel ao

germnio, essencialmente, porque possibilita a operao a temperaturas mais elevadas (at 175 0C; para
transstores de germnio a temperatura mxima de operao inferior a 100 0C), bem como, menores
correntes de fuga. Os transstores npn em silcio so os mais comuns, porque os electres possuem
mobilidade superior das lacunas, sendo, portanto, mais rpidos. Alm de que, estes transstores so mais
adequados produo em massa. H, contudo, situaes em que necessrio utilizar os dois tipos de
transstores bipolares.
33
No transstor encapsulado, em geral, no existe qualquer diferena externa entre os dois tipos. necessrio consultar
a folha de dados do fabricante para saber de que tipo se trata, e fazer a identificao dos terminais.
II Modos de Operao de um Transstores Bipolares

Num circuito, o transstor npn pode ser operar em trs regimes: modo activo ou linear , em satur ao,
em cor te e no modo activo inver so. Cada estado de funcionamento do transstor funo do tipo de da
polarizao, directa ou inversa, em cada uma das junes p-n. Em corte, ambas as junes esto polarizadas
inversamente; na regio linear ou activa, a juno BE est polarizada directamente, enquanto que a juno
BC est polarizada inversamente; em saturao, ambas as junes esto polarizadas directamente; em modo
inverso, a juno BE est polarizada inversamente e a juno BE est polarizada directamente.
Funcionamento em modo activo ou linear

Dada a semelhana entre os dois transstores, analisar-se- apenas o transstor bipolar npn. As
consideraes so vlidas, com as devidas adaptaes, para transstores pnp (as alteraes so, basicamente,
a inverso dos sentidos das correntes e da polaridade das tenses entre as junes).
Os fluxos de carga num transstor npn em regime linear (juno base-emissor polarizada directamente, e a
juno base-colector polarizada inversamente) so ilustrados na Fig. 3. As componentes da corrente devidas
difuso dos portadores minoritrios, gerados termicamente, no so consideradas porque, em geral, so
muito pequenas. Duas fontes externas (representadas como baterias) so usadas para estabelecer as
polarizaes requeridas para funcionamento em modo activo. A tenso VBE faz com que a regio p (base)
esteja a um potencial superior ao da regio n emissora, polarizando directamente a juno BE. A tenso
colector-base VCB, leva a que a regio p (base) apresente um potencial inferior ao da regio n colectora,
polarizando a juno BC inversamente.
Fig. 3. Fluxo de corrente num transstor npn operando em modo activo/linear. (As componentes da corrente devidas
difuso dos portadores minoritrios, gerados termicamente, no so representadas.)
Em geral, num transstor bipolar npn, a regio emissora fortemente dopada com elementos dadores (do
grupo V da tabela peridica), existindo, portanto, um grande nmero de electres fracamente ligados
estrutura cristalina e, da, com grande mobilidade. ( importante ter sempre presente que o material
semicondutor, intrnseco ou dopado com elementos dadores ou aceitadores, electricamente neutro). Sendo
a juno base-emissor polarizada directamente, a barreira de potencial na zona de depleo correspondente
ver notas sobre os dodos reduzida (para um valor que depende da tenso de polarizao directa aplicada
juno), o que permite que, por difuso, parte dos electres do emissor passem para a base (ao mesmo
tempo, parte das lacunas da base tambm se difunde para o emissor, no entanto, como o material
semicondutor da base , normalmente, mais fracamente dopado, cerca de duas ordens de grandeza inferior ao
nvel de dopagem do emissor, a corrente de lacunas pode ser ignorada numa primeira aproximao).
A difuso de electres do emissor para a base torna o emissor, momentaneamente, positivo, o que atrai
electres do circuito exterior (entenda-se, das fontes de alimentao), originando-se assim a corrente de
electres IE (ver Fig. 3; o sentido convencional da corrente elctrica oposto ao do movimento dos
electres). Estando a juno base-colector polarizada inversamente, aumenta a altura da barreira de
potencial, o que diminui a probabilidade de difuso das lacunas da base para o colector e dos electres do
colector para a base. No entanto, para os electres existentes na base provenientes do emissor e que por
difuso se vo aproximando da juno BC, esta barreira tem como efeito promover a passagem dos electres
da base para colector. Uma vez no colector, este torna-se electricamente negativo, o que origina foras
elctricas que transferem o excesso de carga negativa (electres) para o circuito exterior, isto , para a fonte
de alimentao VCB, donde resulta a corrente de colector, IC, sendo mantida a neutralidade elctrica do
material semicondutor que forma o colector (claro est que estes processos fsicos tm as suas escalas
temporais prprias, as quais so, no entanto, extremamente curtas da ordem de ns).
No seu percurso, do emissor para o colector, os electres atravessam o material semicondutor da base, o
qual do tipo p e onde a concentrao de lacunas aprecivel, embora substancialmente inferior
concentrao de electres vindos do emissor. Os tomos aceitadores existentes na base tm tendncia a
captar electres livres, de forma a preencherem as lacunas existentes na ligao covalente este processo
designado de recombinao electro-lacuna/vazio. Os electro capturados pelas impurezas aceitadoras
perdem a sua mobilidade, deixando de contribuir para a corrente elctrica. Em consequncia, a base torna-se,
momentaneamente, negativa. (Convm realar que, devido diferena significativa na concentrao de
lacunas e electres na base, apenas uma reduzidssima fraco dos electres difundidos da base retirada da
circulao, no sendo transferidos para o colector.) As foras elctricas repulsivas induzidas pela quebra de
neutralidade, momentnea, na regio da base, fazem com que por cada vazio perdido por recombinao, um
novo vazio seja criado, levando a que um electro existente na regio da base seja fornecido ao circuito
exterior (i.e., fonte de alimentao VBE), originando a corrente de base IB, sendo assegurada a neutralidade.
Quando comparada com a corrente IE, a corrente IB tem um valor muito inferior, por que:
i) a espessura da base muito pequena quando comparada com a do emissor ou do colector (tipicamente
da ordem de um micrmetro), o que faz com que o tempo necessrio aos electres para atravessar a
base, no seu percurso do emissor para o colector, seja pequeno, e, portanto, a probabilidade de
recombinao do electres com as lacunas reduzida;
ii) em geral, a dopagem do material semicondutor da base substancialmente menor, resultando numa
concentrao de lacunas baixa, o que, tambm, reduz o nmero de recombinaes electro-lacuna.
importante referir, contudo, que quanto maior for o nmero de electres difundidos do emissor para a
base, maior ser o nmero de recombinaes na base, e maior ser o nmero de electres fornecidos ao
circuito exterior pelo terminal da base desta, isto , maior ser IB.
Do circuito da Fig. 3, considerando as correntes e as tenses indicadas na figura, e das leis de Kirchhoff
resulta:
IE = IC + IB (1)
VBE + VCB - VCE = 0. (2)
Tendo em conta as consideraes acima, IB<<IE, resultando, ICIE. Quantitativamente, verifica-se uma
relao, quase, de proporcionalidade entre a corrente do colector IC e a corrente de base IB:
IC=IB. (3)
Das Eqs. (1) e (3), resulta que: IE=(+1)IB ou IC=IE, onde =/(+1). designado ganho em cor r ente
na montagem emissor comum. Notar que a pequenas variaes em correspondem grandes variaes em
, o que se manifesta fisicamente, com o facto de que transstores do mesmo tipo possuem diferentes valores
de . representa o ganho em cor r ente na montagem base comum.
A dependncia linear entre a corrente de base IB e a corrente de colector IC caracteriza o transstor no
modo activo (por isso sendo tambm designado como modo linear), e apenas aproximada. A difuso de
electres do emissor para a base depende da concentrao de electres nesta e da juno base-emissor estar
mais ou menos fortemente polarizada directamente, o que depende da diferena de potencial entre os
terminais da juno BE. Em polarizao directa, a corrente que percorre uma juno p-n BE varia
exponencialmente com a diferena de potencial VBE (ver notas sobre dodos). Num transstor de silcio, a
corrente torna-se significativa quando a tenso aos terminais da juno BE aproximadamente 0.7 V (que
corresponde altura da barreira de potencial VD0 em equilbrio). Na anlise de circuitos com transstores
bipolares de silcio considera-se a diferena de potencial (ou queda de tenso) na juno BE igual a 0.7 V,
quando em conduo. E, como foi referido anteriormente, no modo activo, a corrente de colector IC no
depende directamente da tenso entre os terminais colector e base VCB, e os terminais colector e emissor VCE.
Da anlise da relao (3) conclui-se que o transstor, no modo activo, intrinsecamente um amplificador
de corrente com ganho (o valor de varia de transstor para transstor; temperatura ambiente, 200 um
valor tpico). No entanto, pode tambm ser configurado para actuar como um amplificador de tenso
(convm lembrar que, usando a lei de Ohm, uma variao de corrente pode ser transformada numa variao
de tenso).
Em resumo, o modelo de funcionamento linear de um transstor baseia-se nas seguintes aproximaes:

- a corrente de colector IC proporcional corrente de base IB, quando o transstor se encontra afastado
das zonas de corte (IC=0) e de saturao (IC limitada pelos elementos externos);
- a tenso entre a base e o emissor, VBE, constante quando em conduo (esta juno comporta-se como
um dodo que, nesta aproximao, corresponde a um dodo ideal em srie com uma fonte de tenso
ver guio do primeiro trabalho do dodo).
Funcionamento em Cor te
Neste modo de operao, ambas as junes, base-emissor e base-colector, esto polarizadas inversamente.
Isto , o transstor est em corte quando a tenso entre a base e o emissor inferior tenso de franca
conduo da juno BE. Para transstores de silcio isso significa que VBE<0.7 V e VBC<0.7 V (Fig. 3). Em
consequncia, os fluxos de carga atravs das junes so nulos e o transstor comporta-se como cir cuito
aber to entre a base, o emissor e o colector. Neste caso, todas as correntes (de base, de emissor e de colector)
so nulas.
Funcionamento em Satur ao
Em saturao, as junes base-emissor e base-colector esto polarizadas directamente (e de forma
acentuada), i.e., as barreiras de potencial nas junes BE e BC, que se opem difuso dos portadores de
carga entre as vrias regies, so atenuadas ou mesmo eliminadas. Nesta situao, os portadores de carga
maioritrios em cada uma das camadas (emissor, base, colector) tm tendncia, por difuso, a deslocarem-se
livremente para a(s) camada(s) adjacente(s). Este processo altera, nas camadas do transstor, a condio de
neutralidade elctrica, a qual rapidamente reposta pelas correntes elctricas (IE, IB, IC) provenientes das
seces do circuito exterior ligadas aos terminais do transstores. Como os nveis de dopagem so, em geral,
bastante elevados, as correstes so limitadas pelas resistncias do circuito exterior. E como a concentrao de
portadores livres no emissor (electres) muito superior concentrao de portadores livres na base
(lacunas) e no colector (electres), a corrente de difuso predominante a corrente de electres do emissor
para o colector, i.e., no modo saturado, IB IE.
Como mencionado atrs, em saturao, as barreiras de potencial nas junes so, praticamente
inexistentes, sendo razovel admitir que a tenso entre o colector e o emissor, VCE, aproximadamente nula.
Para transstores de silcio, uma juno em franca conduo, i.e., fortemente polarizada directamente,
apresenta a uma diferena de potencial de, aproximadamente, 0.7 V. Assim, no modo de saturao, o
potencial da base 0.7 V, superior ao do emissor e ao do colector, o que implica uma diferena de potencial,
entre o colector e a base, aproximadamente, nula, i.e., em saturao, o transstor funciona como um cur to-
cir cuito entre o colector e o emissor. Na realidade, devido resistncia hmica do material semicondutor, e
para o silcio, VCE 0.2 V.
Em resumo, no modo de saturao, praticamente inexistente o controle da corrente do emissor por parte
da corrente de base, uma vez que a barreira de potencial entre a juno base-emissor, praticamente, deixa de
existir. O que contrasta com a operao no modo linear, no qual a altura da barreira de potencial e, por
consequncia, o movimento de electres do emissor para a base, controlado pelo potencial aplicado base.
Uma vez na base, e ignorando o efeito do processo de recombinao, os electres deslocam-se por difuso
para a regio fronteira da juno base-colector, atravessando-a para o colector por arrastamento devido ao
maior potencial no colector.
III Curvas Caractersticas do Transstor npn

O transstor bipolar, em geral, usado numa das configuraes seguintes: emissor comum, base comum
ou colector comum. O termo comum indica que o emissor, a base ou o colector, respectivamente, esto
ligados directamente ou via outro componente, normalmente uma resistncia, ao comum do circuito.
Cur vas car acter sticas do tr ansstor
As equaes que descrevem as correntes no transstor, equaes de Ebers-Moll (no apresentadas neste
guio), mostram que o transstor pode ser caracterizado por apenas quatro parmetros. Estes so, em geral,
fornecidos pelo fabricante, podendo, contudo, ser facilmente medidos em laboratrio. As caractersticas
corrente-tenso (que no so mais do que a representao grfica das equaes de Ebers-Moll) so, tambm,
fornecidas pelo fabricante.
A Fig. 4 mostra a curva iC-iBE, que uma relao exponencial:
iC = I S e vBE / VT
(idntica do dodo). Uma vez que a constante na exponencial, 1/VT, grande (40), a curva sobe muito
rapidamente. Para tenses vBE inferior a cerca de 0.5 V, a corrente bastante pequena. Contudo, no intervalo
de uso normal de corrente, a tenso vBE situa-se no intervalo 0.6 a 0.8 V. Em anlises de primeira ordem, em
geral, assume-se vBE=0.7 V. As caractersticas iE-vBE e iB-vBE so tambm exponenciais, embora em
diferentes escalas.
Fig. 4. Curvas caractersticas de um transstor bipolar npn.
Quando o transstor usado na configurao de emissor comum, Fig. 4, importante conhecer a

caracterstica iC(vCE), tendo a corrente de base IB como parmetro. Para se traar a curva caracterstica iC(vCE;
IB) de um transstor, Fig. 4, fixa-se o valor de IB (por escolha de VBB e RB), e o valor de RC, e varia-se VCC,
partindo de zero. Alterando RB ou VBB, obtm-se outros valores de IB, podendo traar-se novas curvas iC(vCE),
se se variar VCC novamente.
O grfico iC(vCE; IB) permite determinar o ponto de funcionamento do tr ansstor , conforme se pode ver
na Fig. 4. Como exemplo, seja VCC igual a 6 V e RC=200 [estes parmetros definem a recta de carga do
circuito ver guio do trabalho de dodos que possui declive -1/RC, e passa pelos pontos (VCE=0,
IC=VCC/RC) e (VCE=VCC, IC=0), ou (0 V, 30 mA) e (6 V, 0 mA) do grfico. Variando VCC, a recta de carga
deslocar-se- paralela a si prpria, e o ponto de funcionamento deslocar-se- na curva iC(vCE; IB) respeitante
ao valor de iB fixado.
Para se obter a corrente de base IB necessria para que VCE seja igual a um valor previamente escolhido
(por exemplo, 3 V), traa-se a recta vertical passando por VCE=3 V, obtendo-se o valor de IB correspondente.
Alternativamente, se conhecido IB (pr-determinado), obtm-se o valor de VCE a partir da abcissa do ponto de
cruzamento da recta de carga com a curva correspondente ao valor de IB (pr-determinado).
Se se variar VBB, a corrente de base IB altera-se, e o ponto de funcionamento desloca-se na recta de carga,
obtendo-se novo valor de IC.
As diversas curvas I-V so caractersticas de cada tipo de transstor e so fornecidas pelo fabricante. Na
verdade, elas representam valores mdios, as caractersticas variam um pouco de componente para
componente, mesmo sendo do mesmo tipo. As caractersticas dos transstores tambm variam com a
temperatura, sendo comum encontrar curvas a diferentes temperaturas.
IV Cir cuito com Tr ansstor Bipolar em Montagem Emissor Comum

Como a resposta de um transstor altamente no-linear, o ponto de oper ao ou de funcionamento,
cujos parmetros so as correntes e as tenses em regime contnuo, , em geral, determinado (de forma
anloga ao do dodo) usando o mtodo grfico.
A Fig. 5 ilustra um transstor npn na configurao emissor comum, que a mais frequentemente utilizada,
com o circuito de polarizao.
Fig. 5. Configurao em emissor comum.
Como a resistncia da juno BE muito pequena, a corrente de base dada por: IB = (VBB - VBE)/RB.
Para determinar a corrente de colector IC, utiliza-se a curva correspondente ao valor da corrente IB nas
caractersticas I-V de emissor comum, como as da Fig. 4.
A equao da malha do colector :
VCC RC IC VCE(IC, IB)= 0 (malha colector-emissor).
Esta equao representada no plano IC VCE por uma recta, a recta de carga, Fig.4. Para obter IC basta obter
os pontos de interseco com os eixos IC e VCE., a IC corrente corresponde interseco da recta de carga
com a curva IC(VCE; IB) do transstor. As outras equaes das malhas so:
VB - RBIB - VBE = 0 (malha base-emissor)
IE = IB + IC (nodo transstor)
Dependendo da regio na caracterstica IC VCE onde o ponto de funcionamento est situado, bem como a
forma e a amplitude de variao do sinal aplicado ao terminal base, o transstor pode desempenhar diferentes
funes: actuar como um amplificador ou como um elemento inver sor . Como veremos no prximo
trabalho, para funcionar como bom amplificador necessrio que o ponto de operao permanea sempre na
regio activa do transstor, Fig. 4.
A soluo tambm pode obter-se, embora de forma aproximada [trabalhando analiticamente estas
equaes, e assumindo IC = IB (ganho em corrente do transstor)], determinando IB, IC, IE e VCE:
VBB VBE
IB =
RB
VBB VBE
I C = I B =
RB
VBB VBE (4)

I E = ( + 1)I B = ( + 1)
RB
VBB VBE
VCE = VCC RC I C = VCC RC
RB
Como referido anteriormente, estas equaes s so vlidas quando o transstor est a funcionar na regio
linear, i.e., o seu ponto de funcionamento est afastado das zonas de corte e de saturao.
Bibliogr afia
Brasil, 1996.
Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze, John-Wiley, London 1981.
VI Procedimento Experimental
Objectivo
Traar as curvas caractersticas de um transstor bipolar.
Mater ial
Fontes de tenso contnuas variveis, gerador de sinais, transstores, resistncias, osciloscpio e multmetros.
A. Tr aado das cur vas car acter sticas I C (VCE ; I B) de um tr ansstor bipolar
1. Monte o circuito da Fig. 6. Use o transstor BC107 (ou BC109), duas fontes de tenso (uma dc de 5 V para
VBB, e uma tenso varivel para VCC, 0-15 V).
Fig. 6. Circuito empregue para traar as curvas caractersticas IC(VCE; IB) de um transstor bipolar.
2. Determine os valores mnimos para resistncias RB e RC (estes correspondem aos valores que, associados
ao valor mximo das tenses das fontes de tenso, garantem que IB e IC so sempre inferiores aos
mximos admissveis para o transstor - IBT,max= 100 mA; ICT,max=100 mA - que nunca devem ser
atingidos). Como sugesto, tome IB igual a 5 A, 10 A, 20 A, 40 A e 80 A. Para cada valor IB use
para RB um valor ligeiramente superior ao calculado. Este cuidado impede que, inadvertidamente, seja
ultrapassado o valor mximo da corrente IB permitido. Calcule Rc tal que, no limite, o valor de Ic mximo
no circuito IC,max(=Ic,sat) no corresponda a mais de 50% de ICT,max permitido para o transstor.
3. Para cada valor de IB, mea, simultaneamente, IC, VCE, e VCC, para, por exemplo, os seguintes valores de
tenso da fonte VCC: 0, 1, 2, 3, ..., 15 V. Use o osciloscpio para medir VCE e VCC.
4. Repita sucessivamente os pontos 2 e 3 para outros valores do parmetro IB.
5. Trace num mesmo grfico as caractersticas IC(VCE; IB).
6. A partir dos valores medidos, determine o ganho em corrente do transstor.

V/DIV

V/DIV
Circuito Amplificador com um Transstor Bipolar.

Os sinais elctricos provenientes de transdutores e sensores, em geral, so de pequena amplitude, e,
portanto, insuficiente, muitas vezes, para excitar directamente a grande maioria dos sistemas electrnicos.
Por exemplo, o sinal gerado pela cabea magntica de leitura de uma aparelhagem de som da ordem de 200
mV, apresentando o sistema de captao uma resistncia de sada da ordem de 50 k. Se este sinal for
aplicado directamente a um altifalante, no produzir qualquer efeito sonoro. Torna-se necessrio, pois,
intercalar entre o transdutor e o elemento de sada, uma ou vrias etapas que amplifiquem o sinal detectado,
sem o deformar. O Objectivo deste trabalho implementar um amplificador de sinal com componente
contnua nula (amplificador de ca) utilizando um transstor bipolar.
I Amplificao
A importncia da electrnica resulta do facto de poder manipular sinais elctricos, em especial, a
capacidade de amplificar sinais, de forma a permitir manipular e/ou enviar de informao a longas distncias.
At ao advento do transstor, as vlvulas de vcuo (trodo, pntodo, etc.) eram os elementos mais usados.34 A
possibilidade de implementar vrios elementos numa pastilha de silcio circuito integrado35 - permitiu o
desenvolvimento de componentes amplificadores de grande fiabilidade.
Em termos fsicos, a amplificao corresponde multiplicao do sinal a amplificar por uma constante
real superior unidade. Se o processo fsico corresponder multiplicao por uma grandeza complexa, o
sinal amplificador distorcido ou deformado. Quando a amplitude do sinal final inferior do sinal inicial,
o sistema actua como um atenuador .
A Fig. 1 representa de forma esquemtica um (circuito) amplificador: um amplificador A com o
correspondente equivalente de Thvenin do transdutor e uma resistncia de carga aos terminais da qual
aplicado o sinal amplificado.
Fig. 1. Representao simblica de um amplificador ou circuito amplificador. Circuito amplificador completo.
O ganho do amplificador (em tenso, em cor r ente, ou em potncia) corresponde razo entre a
amplitude (tenso/corrente/potncia) do sinal final e a amplitude (tenso/corrente/potncia) do sinal inicial.
comum expressar os ganhos em decibel (dB).
Alm dos ganhos, necessrio ter em conta o valor das resistncias de entrada e de sada. A resistncia de
entrada Rin determinada com a carga RL ligada: Rin=vin/iin. A resistncia de sada Rout obtida com a
34
O uso de vlvulas de vcuo est hoje reservado amplificao de sinais de grande potncia ou em amplificadores
udio de grande preciso.
35
Um circuito integrado um elemento electrnico formado numa pequena poro de material semicondutor, que inclui
vrios componentes elementares (resistncia, condensadores, dodos, e transstores; as bobines so de difcil
implementao em materiais semicondutores), bem como as respectivas ligaes.
resistncia de carga desligada e a fonte equivalente de Thvenin vg da entrada substituda por um curto-
circuito: Rout=vout/iout.
Duas grandezas de grande importncia, em determinados tipos de amplificadores e alguns circuitos
realimentados, so a transcondutncia e a transresistncia. A primeira corresponde razo entre a corrente de
sada e a tenso de entrada: Gm=iout/vin (unidade SI, siemens S). A transresistncia define-se como a razo
entre a tenso de sada e a corrente de entrada: Rm=vout/iin (unidade SI ohm, smbolo ). Estas duas grandezas
so muitas vezes tratadas como representando ganhos, ainda que no correspondam a razes entre duas
tenses ou duas correntes. Como j foi referido, a finalidade de um circuito amplificador fornecer sada
um sinal elctrico de maior amplitude que o aplicado entrada, mas proporcional a este. Consoante a
natureza dos sinais de entrada e de sada, um amplificador poder ser de tenso, de corrente, de
transcondutncia ou de transresistncia.
Muitas vezes o sinal amplificado no corresponde uma imagem fiel do sinal de entrada, isto , o sinal
amplificado apresenta-se com distores. As distores resultam, fundamentalmente, da no linearidade das
caractersticas dos elementos que constituem o amplificador. A distoro pode ser de amplitude (no
linearidade da funo de transferncia), de frequncia (sinais de frequncias diferentes so amplificados de
forma distinta, i.e., o ganho do circuito varia com a frequncia) ou de fase (quando o sinal de sada se
encontra desfasado em relao ao de entrada). As distores de frequncia e de fase esto relacionadas entre
si, ambas so devidas aos condensadores existentes nos circuitos ou elementos amplificadores.
Um amplificador bem projectado, apresenta uma largura de banda na qual no se produz distoro ou a
distoro presente admissvel. Os fabricantes de circuitos ou componentes amplificadores costumam
fornecer as curvas de ganho em tenso e do ngulo de mudana de fase, em funo da frequncia, i.e., a
resposta em frequncia do amplificador. O conjunto destas curvas, com o ganho expresso em dB, a mudana
de fase em graus e o eixo das abcissas em Hz (frequncia) numa escala logartmica (base 10) designado de
diagr amas de Bode, Fig. 2. Nestes grficos as zonas lineares so aproximadas por rectas.
Fig. 2. Diagramas de Bode. Distoro de frequncia e distoro de fase.
II Tr ansstor Bipolar como Elemento Amplificador

O transstor um elemento activo, sendo muito usado em amplificao de sinais. A Fig. 3 representa uma
montagem amplificadora com um transstor npn. Este circuito , frequentemente, referido como a
configurao de amplificao universal utilizando transstores (a grande maioria das montagens
amplificadoras baseadas nesta topologia).
Fig. 3. Circuito de amplificao utilizando um transstor bipolar.
O ganho da montagem amplificadora da Fig. 3 dado por:

RC
A= . (1)
RE
O ganho desta montagem no depende do factor do transstor (ganho em corrente), o que constitui a
maior vantagem desta configurao amplificadora. (Lembrar que varia com a temperatura e, tambm, de
transstor para transstor.) A configurao da Fig. 3 tambm designada de montagem emissor comum,
porque quer a entrada quer a sada tm como terminal comum o emissor do transstor.
A funo dos condensadores bloquear as componentes contnuas que existam nos circuitos a montante e
a jusante, e que poderiam perturbar a polarizao do transstor, i.e., permitem o acoplamento de sinais
contnuos e alternados. Para um correcto funcionamento como amplificador, o transstor deve ser polarizado
de forma a funcionar sempre na regio linear, o que requer um dimensionamento adequado dos componentes
(resistncias e fontes de alimentao):
i) os valores das resistncias R1, R2, RC e RE, e da fonte de tenso contnua VCC, determinam o ponto de
funcionamento ou ponto quiescente do transstor;
ii) as capacidades dos condensadores C1 e C2 (que isolam as componentes contnuas dos sinais), devem
apresentar impedncia desprezvel no intervalo de frequncias para o qual o circuito projectado.
Polar izao do Tr ansstor

O termo "polarizao do transstor" refere-se determinao do ponto de funcionamento do transstor,
i.e., ao clculo das correntes e das tenses contnuas nos terminais emissor, colector e base (que so funo
das resistncias R1, R2, RC e RE, e da tenso VCC), Fig. 4. O ponto de funcionamento escolhido para que o
amplificador funcione (em termos de ganho, excurso do sinal de sada, etc.) de acordo com o que foi
planeado, o que, em geral, implica a escolha criteriosa das correntes contnuas, nos terminais do transstor,
quando os circuitos de entrada e de sada no esto ligados, Fig. 4.
Fig. 4: Esquema do circuito de polarizao do transstor npn.
Assegurando a manuteno do ganho pretendido, A=-RC/RE, as resistncias R1, R2, RC e RE podem ser
escolhidas seguindo o critrio de optimizao do funcionamento do amplificador, i.e., deve ser maximizada a
excurso simtrica da corrente do colector IC em torno do ponto de funcionamento, para diminuir a
possibilidade de se obter amplificao com distoro de sinais de entrada com amplitudes prximas do
mximo permitido.
Considerando que a corrente de colector IB mnima zero (o que acontece quando o transstor est em
corte), e que a corrente colector mxima dada por:
Vcc VCEsat
I Cmax = , (3)
RE + RC
onde VCESat representa a diferena de potencial mnima entre o colector e o emissor do transstor, tipicamente
0.2 V para transstores de silcio (ocorre quando o transstor est em saturao), a corrente de polarizao do
colector no ponto de funcionamento deve ser metade da corrente na saturao, i.e.:
1 1 Vcc VCEsat
I C pol = I Cmax = (4)
2 2 RE + RC
Um outro aspecto prtico importante consiste em assegurar que a corrente de base IB no perturbe
significativamente o divisor de tenso constitudo pelas resistncias R1 e R2, o que implica que I1 seja
muito maior do que IB. habitual considerar-se
I1 = 10 I B (4)
Trabalhando as equaes (1), (2), (3) e (4), juntamente com a relao IC=IB (vlida quando o transstor
bipolar est a funcionar no modo linear), obtm-se as relaes seguintes:
1 Vcc VCEsat 1
R1 = Vcc VBEact 1+
10 IC pol 2 A +1
1 Vcc VCEsat 1
R2 = 1+ + VBEact
9 I C pol 2 A +1
(5)
1 Vcc VCEsat A
RC =
2 I C pol A +1
1 Vcc VCEsat
RE =
2 I C pol ( A + 1)
onde VBEact representa a tenso entre a base e o emissor quando o transstor se encontra a funcionar no modo
linear, i.e., na sua zona activa (para um transstor bipolar de silcio essa tenso da ordem de 0,7 V). As
expresses (5) indicam que, para um certo ganho, os valores das resistncias dependem do valor especificado
para a corrente de polarizao no colector, ICpol. Para um transstor de baixa potncia, a utilizar neste
trabalho, um valor razovel de ICpol 10 mA (valor da corrente de colector quando o sinal a amplificar
nulo). Convm referir que este valor, apesar de baseado em consideraes de ordem prtica, arbitrrio. A
condio a satisfazer, obrigatoriamente, que a potncia mdia dissipada no transstor P pol deve ser
significativamente inferior ao valor mximo P max indicado pelo fabricante, ou seja:
Ppol = I C pol VCE pol < Pmax (6)
Aplicando a lei das malhas de Kirchhoff malha do colector (percurso que inclui VCC, RC, VCE, e RE, Fig. 4),
tm-se:
Vcc RC I C pol VCE pol I C pol RE = 0 (7)
onde se considerou IEpol=ICpol. Atendendo s relaes (5) e desprezando VCEsat em face de VCC, obtm-se
Vcc
VCE pol = (8)
2
donde resulta:
2 Pmax
I C pol < (9)
Vcc
Para o transstor que ir utilizar, P max da ordem de 300 mW, e, portanto, ICpol dever ser inferior a 120
mA, quando VCC=5 V.
Da Fig. 4 resulta que a tenso no colector do transstor :
A+2
VC pol = Vcc RC I C pol Vcc (10)
2 A +1
onde, para a segunda igualdade, se utilizaram as relaes (5). A Eq. (10) resulta que:
| A |>> 1 VCpol
VCC
2
(11)
| A |1 VCpol
VCC
2
(12)
A equao (12) corresponde situao em que o amplificador tem um ganho em tenso,

aproximadamente, unitrio, o que poder ser til quando se pretende manter os nveis de tenso dos sinais e
aumentar a potncia do sinal de sada (por via de um ganho efectivo em corrente).
Dimensionamento dos condensador es de acoplamento C1 e C2
A funo dos condensadores de entrada (C1) e de sada (C2) no circuito isolar as tenses contnuas de
polarizao do transstor daquelas que possam existir nos circuitos a montante e a jusante do amplificador,
respectivamente. Naturalmente, a presena dos condensadores no deve prejudicar a passagem do sinal
alternado a amplificar do circuito a montante entrada do amplificador, e do sinal amplificado, para o
circuito a jusante. Isso corresponde a afirmar que o valor da impedncia dos condensadores frequncia
angular , 1/(C), desprezvel quando comparada com a impedncia dos outros elementos da montagem.
No domnio dos tempos, esta condio equivalente a considerar que as constantes de tempo de carga e de
descarga dos condensadores so muito superiores ao perodo T do sinal que se pretende amplificar.
Quantificando, arbitrariamente, este "muito superior" como correspondendo a um factor de 10, e tendo em
conta a constante de tempo de carga e de descarga de condensadores RC, onde R a resistncia do percurso
de carga e de descarga, tem-se:
RC = 10T C=
10
Rf
(13)
onde f a frequncia do sinal a amplificar. necessrio, agora, determinar os valores das resistncias dos
percursos de carga e de descarga dos condensadores entrada e sada do amplificador.
i) Condensador de entrada
Considere-se que o sinal a entrada do amplificador provm de uma fonte de sinal vg com resistncia interno
RS=Rg. Da anlise do esquema do circuito da Fig. 3 conclui-se que, a partir da fonte de sinal at ao comum,
existem trs percursos possveis para a carga e descarga do condensador C1, nomeadamente:
1) atravs da resistncia R2 para o comum, percurso esse com resistncia RS + R2;
2) atravs da resistncia R1 para a fonte de alimentao contnua a qual, normalmente, possibilita percursos
quase directos para a terra. A este percurso est associada uma resistncia de carga e descarga
aproximadamente igual a RS + R1;
3) atravs do percurso fonte de sinal condensador base do transstor emissor do transstor
resistncia RE comum. Considere-se que a resistncia total deste percurso Rint.
Estes trs percursos competem entre si, o que equivalente a afirmar-se que esto em paralelo. A
resistncia equivalente de carga e de descarga do condensador :
( R1 + Rs )( R2 + Rs ) ( R + Rs )( R2 + Rs )
Requiv = ( R1 + Rs ) ( R2 + Rs ) Rint ( R1 + Rs ) ( R2 + Rs ) = = 1
( R1 + Rs ) + ( R2 + Rs ) ( R1 + R2 ) + 2 Rs
pois Rint , normalmente, muito superior a R1 + RS e R2 + RS.
Da relao (13), obtm-se para o condensador C1
10( R1 + R2 + 2 Rs )
C1 = (14)
( R1 + Rs )( R2 + Rs ) f
Naturalmente, adopta-se para C1 o valor normalizado mais prximo do calculado.
O sinal a amplificar pode ter provenincias muito diversas (por exemplo, ser o pequeno sinal de tenso
sada de uma antena de rdio ou ser um sinal proveniente de um andar de amplificao prvio), com a
consequente diversidade de valores possveis para RS. No caso do sinal provir de um gerador de funes, o
valor de RS , tipicamente, 50 .
ii) condensador de sada
A anlise da Fig. 3 mostra que, desde que a sada vout do amplificador no seja ligada a nenhum circuito a
jusante, i.e., a sada em aberto, no existe nenhum percurso para a carga/descarga do condensador C2, e o
sinal amplificado vout aparece na sada, independentemente do valor da capacidade do condensador, isto
porque, no existindo percurso para a separao de carga nas armaduras do condensador, a diferena de
potencial entre elas nula. Naturalmente, esta situao de interesse nulo, j que ou se pretende que o sinal
amplificado seja observado (para o que se ter de ligar um instrumento, por exemplo, um osciloscpio, ao
circuito), ou ento que sirva como sinal de entrada de um circuito a jusante. Em ambas as situaes, e
considerando que a impedncia de entrada do instrumento/circuito inteiramente resistiva e de valor RL
(resistncia de carga, isto , resistncia aos terminais da qual aplicado o sinal amplificado). Neste caso, da
Fig. 3 conclui-se que existem dois percursos para a carga/descarga do condensador C2, nomeadamente:
a) atravs da fonte de alimentao VCC resistncia RC condensador resistncia RL do circuito a
jusante Terra. A resistncia total deste percurso ser aproximadamente RC + RL;
b) atravs da resistncia RL condensador colector do transstor base do transstor emissor do

transstor resistncia RE Terra. Considere-se a resistncia total deste percurso RCE.
Quando o transstor est a funcionar como amplificador encontra-se no regime linear e, portanto, a juno
base-colector est polarizada inversamente, isto , apresenta uma resistncia muito elevada. Por conseguinte,
a resistncia total do percurso b), RCE, muito grande, e este percurso pode ser ignorado. Assim, o percurso
efectivo para a carga/descarga do condensador C2 o percurso a), resultando a partir da expresso (13)
10
C2 = (15)
( RC + RL ) f
Para o valor de C2 aplica-se, igualmente, o argumento considerado para o caso do condensador C1, i.e.,
adopta-se para C2 o valor normalizado mais prximo do calculado.
No caso de se observar o sinal vout num osciloscpio, o valor de RL , tipicamente, 1 M.
Resposta em Fr equncia
A expresso (1) indica que o ganho do amplificador independente da frequncia do sinal que se
pretende amplificar. Na realidade tal no acontece j que, sendo o transstor e o circuito de polarizao
associado um sistema fsico, tem um tempo de resposta finito. Para sinais com variao temporal rpida,
quando comparado com o tempo de resposta do circuito, o amplificador deixa de responder de forma
eficiente. No limite de sinais muito rpidos, o circuito no responde de todo. Na prtica, isso traduz-se numa
reduo do ganho do circuito quando a frequncia do sinal de entrada superior a um determinado valor
(frequncia de corte do circuito, fC). Considerando os mecanismos fsicos de funcionamento do transstor,
possvel obter uma expresso geral para o ganho do amplificador, a qual, para frequncias baixas, coincide
com a relao (1). A apresentao da expresso geral do ganho do amplificador da Fig. 3 est fora do mbito
destas notas. Contudo, a verificao experimental da dependncia do ganho na frequncia simples e
constitui um dos objectivos deste trabalho.
III Procedimento Experimental

Objectivo
Implementar um circuito amplificador com ganho 10 para sinais sinusoidais de frequncia 10 kHz,
usando um transstor bipolar.
Mater ial
Fontes de tenso contnua, gerador de sinais, transstores, resistncias, condensadores, e osciloscpio.
1. Dimensione o circuito da figura, utilizando o transstor BC107B, de forma a obter um ganho de 10 para
sinais com frequncia 10 kHz. Este transstor tm um ganho de corrente (factor ) 340 temperatura de
25 C e corrente de polarizao do colector (ICpol) de 10 mA. Utilize VCC=5 V. A amplitude do sinal
sinusoidal a amplificar no dever exceder 100 mV. Para o dimensionamento dos condensadores C1 e C2,
considere que a resistncia de carga igual resistncia de entrada do osciloscpio (RL1 M), e a
resistncia interna do gerador de sinal RS=50 .
1. Monte o circuito com os valores calculados no ponto anterior. Note que,
dada a variao possvel de relativamente ao valor nominal indicado,
poder ter necessidade de ajustar os valores das resistncias, em
particular R1 e R2.
2. Aplique entrada do circuito um sinal sinusoidal de 100 mV de
amplitude e frequncia 10 kHz. Verifique o funcionamento do circuito
(forma de onda sada, polaridade, ganho), registando os valores
relevantes.
3. Determine a resposta em frequncia do amplificador. Para isso deve
manter a amplitude do sinal de entrada em 100 mV e variar a frequncia
entre 500 Hz e 1 MHz, registando a frequncia e medindo a amplitude
do sinal de sada (registe pelo menos 20 pontos).
1. Construa o grfico do ganho (em dB) em funo do logaritmo (base 10) da frequncia.
2. Determine a largura de banda do amplificador, determinando a(s) frequncia(s) (s) qual(is) o ganho em
tenso diminui 3 dB (frequncia(s) -3dB), relativamente ao valor mximo do ganho.
NOTA: No dimensionamento do circuito deve utilizar as expresses (5) para as resistncias e as expresses
(14) e (15) para os condensadores de entrada e sada, respectivamente. Considere VCEsat = 0, 2 V e
VBEact = 0, 7 V .
Bibliogr afia
Microelectronic Circuits, A. S. Sedra, and K. C. Smith, Saunders College Publishing, London 1991.Electronics
Fundamentals: Circuits, Devices, and Applications, T. L. Floyd, Prentice-Hall, 2000.
Circuito Amplificador com um Transstor Bipolar.

Folha de registo de dados.
- Dimensionamento do Circuito:
VCC=
R1=
R2=
RC=
RE=
C1=
C2=

V/DIV

V/DIV
Circuito de Comutao com um Transstor Bipolar

Nos circuitos analgicos, estudados at aqui, dado significado a toda e qualquer variao/alterao nos
sinais. Nos sistemas digitais os sinais apenas podem assumir uma gama de valores discretos. Nos sistemas
digitais binrios, os sinais assumem apenas um de dois valores possveis (representados por duas gamas de
valores de tenso ou de corrente), designados pelos valores binrios 0 e 1 (valores lgicos 0 e 1). A unidade
de informao digital binria designada por bit (binary digit).
Os circuitos/componentes analisados at aqui incluem-se na designao Electrnica Analgica. Os
circuitos/componentes a estudar pertence ao ramo da Electrnica Digital. A grande diferena reside,
essencialmente, no seguinte aspecto: enquanto na Electrnica Analgica os sinais (quer de entrada quer de
sada) podem variar de um modo contnuo dentro de limites relativamente largos, em Electrnica Digital os
sinais (quer entradas quer sadas) apenas podem pertencer a duas gamas de valores. Em circuitos digitais, as
tenses assumem um nmero limitado de valores. Os sistemas digitais mais comuns empregam dois valores
e so referidos como sistemas binrios. Circuitos digitais operam com sinais de entrada binrios e produzem
sinais de sada tambm binrios. costume designar esses dois intervalos de tenso por um e zer o, smbolos
1 e 0, ou alto (high) e baixo (low), ou ainda por verdadeiro e falso. Os circuitos digitais so aplicados quase
universalmente, em comunicaes, controlo, instrumentao, e, claro, em computao. A complexidade de
um circuito digital vai desde de um nmero pequeno de portas lgicas at computadores completos (um
microprocessador) ou memrias de milhes de bits.
I Intr oduo
Em circuitos binrios, dois valores distintos de tenso podem representar os dois valores das variveis
binrias. Contudo, em virtude das inevitveis tolerncias dos componentes e efeito do rudo, que alteram por
vezes os nveis de tenso, dois intervalos distintos de tenso so usualmente definidos.
Como mostra a figura abaixo, se o valor do sinal de tenso est compreendido no intervalo [VL1, VL2],
o sinal interpretado (pelo circuito digital) como um 0 lgico. Se, por outro lado, o sinal pertence ao
intervalo [VH1, VH2], interpretado como 1 lgico. As duas regies de tenso so separadas por uma regio
qual no suposto os sinais pertencerem. Esta banda proibida representa a zona indefinida ou excluda.
Uma vez que as tenses correspondentes ao 1 lgico so superiores aquelas que representam o 0 lgico, diz
que os sistemas assim implementados usam lgica positiva. Claro que poderamos inverter as definies e
obteramos sistemas de lgica negativa. Aqui ser usada a lgica positiva, e os vocbulos alto e baixo
sero equivalentes a 1 e 0, respectivamente. O intervalo de valores de tenso correspondente ao valor lgico
1 [0, 0.9] V. O valor lgico 1 refere-se a tenses compreendidas entre 2.5 e 5 V. Tenses entre 0.9V e 2V
so proibidas, i.e., os circuitos no "sabem" como interpret-las. Nota: Quando se diz que uma tenso de
entrada zero, est-se a admitir que h uma ligao massa, e no uma entrada flutuante.
A caracterstica essencial de um sinal ou onda analgica a sua variao contnua no tempo. o que
acontece no sinal de sada de um microfone, num oscilador sinusoidal, no sinal de vdeo ou de imagem, na
temperatura ambiente, etc. Em todos estes sistemas se observa a variao mais ou menos rpida da grandeza
em apreo, mas de uma forma contnua, sem transies bruscas.
Ao contrrio os sinais digitais tm como caracterstica fundamental a sua variao brusca, por transies
muito rpidas, quase descontnua. Tal deve-se ao facto de um sinal digital, ao contrrio do sinal analgico,
pertencer a um dos vrios possveis intervalo de valores de tenso. A sua evoluo no tempo consiste
precisamente em tomar valores de tenso pertencentes a diferentes intervalos. Em geral, so utilizados
apenas dois nveis (intervalos) de tenso, bem separ ados e, portanto, para se efectuarem decises lgicas
binrias suficiente reconhecer e manipular apenas os sinais correspondentes a esses nveis que so
vulgarmente designados por um e zer o (smbolos 1 e 0), alto (high) e baixo (low), ou ainda por ver dadeir o
e falso. A separao em tenso entre os dois nveis faz com que os circuitos digitais apresentem, em geral,
uma grande imunidade ao rudo e, consequentemente, quase nula probalidade de erro.
Existem trs funes lgicas bsicas: a porta OU, a porta E, e a porta NO. A operao de circuitos
com portas digitais facilmente descrita usando lgebra de Boole.
A porta OU (OR) tem vrias entradas e apenas uma sada. A sada encontra-se ao nvel lgico 1 quando pelo
menos uma das entradas se encontra ao nvel lgico 1. O smbolo ao lado representa uma porta OU de duas
entradas.
A porta E (AND) semelhante porta OU, mas fornece uma sada 1 apenas quando todas as entradas se
encontram igualmente ao nvel 1. O smbolo ao lado representa uma porta E de duas entradas.
A porta NO (NOT) tem uma nica entr ada e uma nica sada; esta ter um valor 1 quando a entrada
se encontra ao nvel lgico 0 e vice-versa. Esta porta chamada tambm porta inversora ou, simplesmente,
inversor visto que a sada se encontra sempre no estado oposto ao da entrada.
Os valores lgicos 0 e 1 correspondem, por exemplo, a um interruptor estar desligado ou ligado, a um dodo
no conduzir ou conduzir, a um Trigger de Schmitt ou ter sada em +VCC ou em -VCC (embora a entrada
no esteja sujeita a uma condio deste tipo).
Ao contrrio das funes anteriores, de entradas mltiplas, a funo no uma funo de uma s entrada e
uma s sada. S h corrente na resistncia e, portanto, VZ =0 V, com o interruptor fechado. Novamente, se
UM corresponder ao estado fechado (conduz) e ZERO ao estado aberto (no conduz), pode-se elaborar a
tabela de ver dade da funo ou por ta NO (tabela ao lado).
Ter em ateno que qualquer das montagens apr esentadas ser ve apenas de ilustr ao, pois so
bastante lentas.
mais ou menos bvio que, no mundo actual, em que a rapidez um requisito quase sempre presente, a
implementao das funes E ou OU atravs dos esquemas apresentados atrs pouca ou nenhuma utilidade
teria. Aquando do estudo do dodo verificou-se que este tem um comportamento muito semelhante ao do de
um interruptor. Assim, de esperar que seja possvel implementar as funes lgicas E e OU usando apenas
dodos e resistncias.
Consideram-se por comodidade os dodos de silcio, cujo valor da queda de tenso entre os seus
terminais, quando em conduo, 0.7 V. Da anlise dos circuitos propostos para as funes lgicas E e OU,
obtm-se as tabelas de valor es das tenses do cir cuito, das quais se obtm as tabelas de ver dade com os
valores lgicos, que confirmam que se tratam das portas Ou e E. Como j referido, o intervalo de valores de
tenso correspondentes ao valor lgico 0 [0, 0.9] V. Ao valor lgico 1 referem-se as tenses compreendidas
entre 2.5 e 5 V.
Ao contrrio das montagens OU e E, no possvel implementar a funo NO apenas com dodos e
resistncias. Pode ser bastante instrutivo despender algum tempo a tentar faz-lo. O interruptor da montagem
NO pode ser substitudo por um r el. Contudo, o tempo de comutao deste dispositivo da ordem de
milisegundo, o que para a rapidez do mundo moderno no de modo nenhum suficiente, at considerado
muito lento. Relembrar que os microprocessadores apresentam frequncias de relgio superiores a 1 GHz (a
que correspondem tempos de comutao inferiores ao nanosegundo).
Um transstor36 um trodo37 de cristal semicondutor muito utilizado em electrnica, geralmente de
silcio, capaz de amplificar, detectar, modular, etc., isto , de efectuar funes semelhantes s das vlvulas
terminicas (contudo, de forma muito mais eficiente). Pode, tambm, fazer variar a corrente no terceiro
terminal, de zero a um valor significativamente elevado ou o inverso, permitindo ao dispositivo actuar como
um interruptor/comutador. O interruptor/comutador o elemento bsico dos circuitos digitais.
II Tecnologias e topologias disponveis par a a implementao de por tas lgicas digitais

Existem vrias tecnologias e topologias disponveis para a implementao de portas lgicas digitais.
Apesar da tecnologia dominante actualmente ser a tecnologia CMOS, devido ao seu baixo custo e grande
densidade de portas lgicas que permite integrar por unidade de rea, existem tecnologias alternativas que
tambm apresentam algumas vantagens e so usadas correntemente em circuitos comerciais. As tecnologias
comuns so: Bipolar (TBJ), BiCMOS e Arsenieto de Glio (GaAs).
A tecnologia bipolar, percursora dos circuitos digitais (nomeadamente atravs das famlias RTL,
resistor transistor logic, e DTL, diode transistor logic), pode ser vantajosa em termos de velocidade face
s tecnologias baseadas em transstores MOS, mas uma soluo mais cara, mais complexa, pouco
competitiva em termos de consumo de potncia e no permite a implementao de sistemas de larga escala
devido rea por porta lgica. As principais variantes actuais da tecnologia bipolar so as famlias TTL e
ECL, respectivamente vocacionados para circuitos lgicos genricos e de muito alta velocidade. A
tecnologia BiCMOS combina as vantagens dos circuitos bipolares e CMOS mas partilha tambm algumas
das desvantagens da tecnologia bipolar, nomeadamente o custo e rea. A sua utilizao bastante limitada,
sendo por vezes uma boa opo em circuitos mistos (analgicos e digitais).
A tecnologia de GaAs permite a realizao de circuitos de muito alta frequncia (acima de 10 GHz), no
entanto a menor densidade e o seu levado custo de fabricao limitam a sua utilizao a circuitos muito
especficos para os quais seja virtualmente impossvel qualquer das outras tecnologias disponveis.
Finalmente, a famlia CMOS tem algumas variante, nomeadamente as portas lgicas CMOS (lgica
complementar), o Pseudo-NMOS e a lgica dinmica. As portas CMOS so a escolha de eleio para a
grande generalidade dos circuitos digitais (e sempre que possvel para circuitos mistos), sendo a tecnologia
base dos microprocessadores e demais electrnica de consumo. As topologias Pseudo-NMOS so
36
Do ingls, reduo de trans[fer]-[res]istor, que transmite sinais elctricos por meio de uma resistncia.
37
Do grego treis, trs +ods, caminho, i.e., dispositivo de trs terminais.
semelhantes topologia CMOS, dado que a estrutura dos transstores NMOS idntica. No entanto, em vez
de utilizar o circuito dual PMOS usa um nico transstor como carga activa. A lgica dinmica utilizada na
implementao de memrias dinmicas (DRAM) pois permite densidades de integrao muito superiores,
nomeadamente face s memrias estticas implementadas com portas CMOS comuns (SRAM).
II Modos de Oper ao de um Tr ansstor es Bipolar es

Num circuito, o transstor npn pode ser operar em trs regimes: modo activo ou linear , em satur ao,
em cor te e no modo activo inver so. Cada estado de funcionamento do transstor funo do tipo de da
polarizao, directa ou inversa, em cada uma das junes p-n. Em corte, ambas as junes esto polarizadas
inversamente; na regio linear ou activa, a juno BE est polarizada directamente, enquanto que a juno
BC est polarizada inversamente; em saturao, ambas as junes esto polarizadas directamente; em modo
inverso, a juno BE est polarizada inversamente e a juno BE est polarizada directamente.
Funcionamento em modo activo ou linear

O transstor no modo activo intrinsecamente um amplificador de corrente com ganho (o valor de
varia de transstor para transstor; temperatura ambiente, 200 um valor tpico). No entanto, pode tambm
ser configurado para actuar como um amplificador de tenso (convm lembrar que, usando a lei de Ohm,
uma variao de corrente pode ser transformada numa variao de tenso).
Em primeira aproximao, no modo de funcionamento linear verifica-se que:
- a corrente de colector IC proporcional corrente de base IB, quando o transstor se encontra afastado
das zonas de corte (IC=0) e de saturao (IC limitada pelos elementos externos);
- a tenso entre a base e o emissor, VBE, constante quando em conduo (esta juno comporta-se como
um dodo que, nesta aproximao, corresponde a um dodo ideal em srie com uma fonte de tenso
ver guio do primeiro trabalho do dodo).
Funcionamento em Cor te
Neste modo de operao, ambas as junes, base-emissor e base-colector, esto polarizadas inversamente.
Isto , o transstor est em corte quando a tenso entre a base e o emissor inferior tenso de franca
conduo da juno BE. Para transstores de silcio isso significa que VBE<0.7 V e VBC<0.7 V (Fig. 3). Em
consequncia, os fluxos de carga atravs das junes so nulos e o transstor comporta-se como cir cuito
aber to entre a base, o emissor e o colector. Neste caso, todas as correntes (de base, de emissor e de colector)
so nulas.
Funcionamento em Satur ao
Em saturao, as junes base-emissor e base-colector esto polarizadas directamente (e de forma
acentuada), i.e., as barreiras de potencial nas junes BE e BC, que se opem difuso dos portadores de
carga entre as vrias regies, so atenuadas ou mesmo eliminadas. Nesta situao, os portadores de carga
maioritrios em cada uma das camadas (emissor, base, colector) tm tendncia, por difuso, a deslocarem-se
livremente para a(s) camada(s) adjacente(s). Este processo altera, nas camadas do transstor, a condio de
neutralidade elctrica, a qual rapidamente reposta pelas correntes elctricas (IE, IB, IC) provenientes das
seces do circuito exterior ligadas aos terminais do transstores. Como os nveis de dopagem so, em geral,
bastante elevados, as correstes so limitadas pelas resistncias do circuito exterior. E como a concentrao de
portadores livres no emissor (electres) muito superior concentrao de portadores livres na base
(lacunas) e no colector (electres), a corrente de difuso predominante a corrente de electres do emissor
para o colector, i.e., no modo saturado, IB IE.
Como mencionado atrs, em saturao, as barreiras de potencial nas junes so, praticamente
inexistentes, sendo razovel admitir que a tenso entre o colector e o emissor, VCE, aproximadamente nula.
Para transstores de silcio, uma juno em franca conduo, i.e., fortemente polarizada directamente,
apresenta a uma diferena de potencial de, aproximadamente, 0.7 V. Assim, no modo de saturao, o
potencial da base 0.7 V, superior ao do emissor e ao do colector, o que implica uma diferena de potencial,
entre o colector e a base, aproximadamente, nula, i.e., em saturao, o transstor funciona como um cur to-
cir cuito entre o colector e o emissor. Na realidade, devido resistncia hmica do material semicondutor, e
para o silcio, VCE 0.2 V.
Em resumo, no modo de saturao, praticamente inexistente o controle da corrente do emissor por parte
da corrente de base, uma vez que a barreira de potencial entre a juno base-emissor, praticamente, deixa de
existir. O que contrasta com a operao no modo linear, no qual a altura da barreira de potencial e, por
consequncia, o movimento de electres do emissor para a base, controlado pelo potencial aplicado base.
Uma vez na base, e ignorando o efeito do processo de recombinao, os electres deslocam-se por difuso
para a regio fronteira da juno base-colector, atravessando-a para o colector por arrastamento devido ao
maior potencial no colector.
V Cir cuito de Comutao com um Tr ansstor Bipolar

O circuito de comutao, frequentemente designado tambm por circuito inversor, um dos elementos
bsicos em electrnica digital, pois permite implementar a funo lgica "no". A configurao mais usual
encontra-se representada na Fig. 6.
Fig. 6. Circuito inversor (ou de comutao) simples com um transstor bipolar npn, na configurao emissor comum.
No funcionamento como comutador/inversor, o transstor polarizado de forma a operar, alternadamente,

entre dois estados de conduo, correspondentes situao de quase saturao e de quase corte. Em
electrnica digital, estes estados so designados de UM (alto) e ZERO (baixo). No estado zero, o transstor
deve comportar-se, entre o colector e o emissor, como um interruptor fechado com resistncia baixa, e no
estado UM, como um interruptor aberto, no deixando passar corrente.
O valor destes estados depende da corrente do colector, que controlada pela corrente (tenso) da base.
Quando a tenso Vin aplicada ao terminal ligado base nula ou inferior a 0.7 V (ZERO lgico), a corrente
de base IB zero, e o transstor est em corte (IC=0). A tenso no terminal colector Vout igual a VCC (estado
UM lgico). Quando a tenso de entrada Vin sobe para UM lgico, a corrente de base IB ser suficientemente
grande (assumindo Vin >>0.7 V), fazendo o transstor entrar em modo de saturao, VoutVCesat=0.2 V (estado
ZERO lgico). Em resultado da mudana de estado da entrada, de ZERO para UM, o estado da sada passou
de UM para ZERO.
O transstor opera agora de forma semelhante a um rel electromecnico, porm com muitas vantagens.
Ao contrrio do rel, o transstor no tem partes mveis e no usa contactos mecnicos. O transstor
bastante mais rpido e de maior durabilidade. Num circuito comutador ideal, a transio entre estados deve
ser feita instantaneamente. evidente que isto no corresponde a uma situao real. O tempo de transio
entre estados finito, dado que necessrio remover ou introduzir portadores de carga na regio da base, o
que no pode ocorrer instantaneamente, pois corresponderia a uma corrente infinita. Os tempos de
subida/descida da tenso de sada Vout (tempos de decaimento/decrescimento de carga na base) so idnticos
aos do dodo de juno.
O funcionamento de um circuito como comutador, depende da definio prvia dos intervalos de tenso
correspondentes aos nveis lgicos "0" e "1", pr-estabelecidos. As resistncias RB e RC, e a fonte de tenso
VCC devero ser escolhidas para que quando Vin pertencer ao intervalo correspondente ao nvel lgico "0",
Vout pertencer ao intervalo associado ao "1" lgico, e vice-versa, i.e.,
- o nvel lgico ZERO, se a tenso Vin/Vout estiver compreendida entre V0min e V0max.
- o nvel lgico UM, se a tenso Vin/Vout estiver compreendida entre V1min e V1max.
Dimensionamento do Cir cuito
necessrio separar as duas situaes de tenso de entrada, isto , quando entrada se tem um "0" lgico
ou um "1" lgico.
Nvel Lgico "zero" entrada
Neste caso Vin situa-se no intervalo [V0 min , V0 max ] . Atendendo a que
Vout = Vcc I C RC ,
e ao facto de que em modo linear IC=IB, tem-se:

Vout = Vcc I B RC .
Como
Vin VBE
IB = (4)
RB
(VBE da ordem de 0.7 V para transstores de silcio), tem-se:
Vin VBE
Vout = Vcc RC (5)
RB
Esta equao indica que quando Vin aumenta Vout diminui, o que traduz o carcter inversor da montagem da
Fig. 6. Assim, a situao mais desfavorvel quando se tem um "0" lgico entrada, resultando na sada num
"1" lgico, acontece quando Vin = V0 max , sendo necessrio que neste caso Vout seja, no mnimo, igual a V1min.
Admitindo no limite Vout = V1min tem-se:
IC =
Vcc V1min
RC
V
= I B = 0 max
RB
VBE
RB = RC
V0max VBE
Vcc V1min
(6)
A argumentao anterior indica que uma tenso Vin pertencente ao intervalo associado ao "0" lgico
originar uma tenso Vout correspondente ao "1" lgico quando:
V0 max VBE
RB RC (7)
Vcc V1 min
Nvel Lgico "um" entrada

Nesta situao Vin situa-se no intervalo [V1min ,V1max ]. Para que a tenso de sada corresponda ao "0"
lgico, Vout dever ser no mximo igual a V0max. Utilizando os mesmos argumentos que anteriormente, a
situao menos favorvel corresponde a ter-se Vin = V1min , a que dever associar-se uma tenso Vout V0 max .
Considere-se Vout = V0 max quando Vin = V1min .
A anlise do circuito da Fig. 6, indica que
IB =
V1min VBE IC 1 Vcc V0 max
RB
= =
RC
RB = RC
V1 min VBE
Vcc V0 max
(8)
Em face deste resultado, da argumentao apresentada tem-se:

V1min VBE
RB RC (9)
Vcc V0 max
Definio do Intervalo de Valores para RB

Combinando as expresses (6) e (8) obtm-se:
V0 max VBE V VBE
RC RB RC 1min (10)
Vcc V1min Vcc V0 max
Conhecidos os intervalos correspondentes aos nveis lgicos "0" e "1", a tenso de alimentao VCC e o
factor do transstor, necessrio especificar a resistncia de colector para determinar o intervalo de valores
para RB. partida, as duas condicionantes do valor a escolher para RC resultam de:
i) a potncia dissipada no transstor, dada por IBVCE, dever ser inferior a um valor mximo suportado pelo
transstor;
ii) o valor de IC dever ser suficientemente grande por forma a que, quando o circuito inversor ligado a
outro circuito a jusante, a corrente de sinal por este solicitada e que provm de IC, seja uma pequena
fraco desta. No circuito da Fig. 6. o valor mximo para a corrente de colector :
Vcc VCEsat
IC max = (11)
RC
onde VCEsat a tenso entre o colector e o emissor no regime de saturao (aproximadamente 0.2 V nos
transstores de silcio). Um valor razovel para ICmax ser 10 mA.38

Substituindo (11) na relao (10), vem:
Vcc VCEsat V0 max VBE Vcc VCEsat V1min VBE

RB (12)
IC max Vcc V1 min IC max Vcc V0 max
Para se obterem os limites do intervalo de tolerncia dos valores de RB (que se obtm quando em (12) so
consideradas as igualdades) , em geral, necessrio assumir o funcionamento do transstor no modo linear
(regime em que vlida a relao IC = IB ). Em geral, o problema no se pe, j que os intervalos de
tenses entrada, relativos ao "0" lgico ou ao "1" lgico, correspondem a situaes claras de
funcionamento do transstor no modo de corte ou de saturao, respectivamente. Por exemplo, se ao "0"
lgico corresponder o intervalo de tenses [0, 0.7] V, qualquer valor de tenso neste intervalo entrada do
circuito, origina uma situao de corte para o transstor, independentemente do valor do RB, sendo a sada
igual a VCC, isto , no "1" lgico.
Os intervalos de tenso correspondentes aos nveis lgicos, adoptados neste trabalho, so:
- nvel lgico "0": tenses V0 no intervalo [0, 0.9] V;
- nvel lgico "1": tenses V1 no intervalo [2.5, 5] V.
VI Resposta em Fr equncia e Tempos de subida, de descida, de Pr opagao e de Atr aso

A caracterstica essencial de um sinal ou onda analgica a sua variao contnua no tempo, observando-se a
alterao mais ou menos rpida da grandeza em apreo, mas sem transies bruscas. Ao contrrio, os sinais
digitais tm como caracterstica fundamental a sua variao brusca, por transies muito rpidas, quase
descontnuas, entre os valores de tenso correspondentes aos nveis um e zer o e vice-ver sa. As portas
lgicas devem apresentar tempos de comutao mais rpidos que a transio dos sinais digitais, isto , a
largura de banda das portas/circuitos digitais deve ser superior largura de banda dos sinais digitais.
Tempos de subida e de descida

O tempo que uma porta lgica demora a comutar est relacionado com os tempos de subida e
descida, ou seja com os tempos de comutao de baixo para alto e de alto para baixo, respectivamente, do
sinal de sada em resposta ao sinal de entrada. O tempo de subida (tr) rise time definido como o
intervalo de tempo que a tenso na entrada da porta lgica demora a subir entre 10% e 90% do seu valor
mximo. O tempo de descida (tf) fall time - definido de forma anloga.
38
Nesta situao a potncia mxima dissipada no transstor ser ICmaxVCEsat=2 mW, bem inferior ao valor limite de 300
mW, indicado para os transstores BC107 e BC109.
Tempos de tr ansio na subida e na descida

Da mesma forma so definidos os tempos de transio na subida e na descida dos sinais nas sadas,
tTHL e tTLH, respectivamente.
Tempo de Pr opagao e de Atr aso
Os tempos de propagao de baixo para alto (tPLH) e de alto para baixo (tPHL) so definidos como
os intervalos tempo que a tenso de sada demora a atingir o valor mdio entre os valores mximo e mnimo
da tenso de sada, desde o momento em que a entrada comuta. Ou seja, o tempo que decorre entre a
definio do nvel lgico de entrada e a definio do nvel lgico na sada. Naturalmente, desejvel que
tPHL e tPLH sejam iguais, dado que o pior destes tempos define a frequncia mxima a que a porta lgica
pode operar. As figuras acima mostram, esquematicamente, os tempos de propagao e de comutao de
baixo para alto e de alto para baixo.
Bibliogr afia
Brasil, 1996.
Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze, John-Wiley, London 1981.

Objectivo
Anlise do circuito de comutao (ou circuito inversor) com um transstor bipolar.
Mater ial
Fontes de tenso contnuas variveis, gerador de sinais, transstores, resistncias, osciloscpio e multmetros.
A. Montagem de cir cuito de comutao (ou cir cuito inver sor ) com tr ansstor bipolar .
1. Dimensione o circuito da Fig. 8, utilizando o transstor BC107B (ou BC109B), de forma a obter o
funcionamento desejado. Estes transstores tm um ganho de corrente (factor ) de 320, 25 0C. Em corte, a
corrente do colector nula, e na saturao dever ser limitada, por exemplo, em 10 mA (que deve
obviamente ser inferior corrente mxima permitida pelo transstor ICmax), i.e., tome agora IC,max=Ic,sat=10
mA. O valor de RB deve satisfazer as inequaes:
Vcc VCE V0 max VBE Vcc VCE V1min VBE
sat
RB sat
I C max Vcc V1min I C max Vcc V0 max

VCE = 0.2 V
sat
VBE = 0.7 V
Utilize agora para VCC a fonte de tenso de 5 V. Obtenha a tenso a Vin a partir da fonte de tenso contnua
varivel de 0-15 V.
Fig. 8. Circuito de comutao (ou circuito inversor) com transstor bipolar.
2. Monte o circuito e analise o seu funcionamento. Obtenha a tenso a Vin a partir da fonte de tenso contnua
varivel de 0-15 V.
3. Determine a resistncia de entrada do circuito. Utilize para Vin uma tenso contnua de ~2.5 V. Para
determinar a resistncia de entrada deve medir a corrente IB que percorre RB quando Vin~2.5 V e a
diferena de potencial entre o terminal da esquerda da resistncia RB e o comum do circuito (que deve ser
Vin
igual a Vin). Com os valores medidos determine a resistncia de entrada a partir da relao Rentrada = I med .
4. Substitua a tenso contnua Vin por uma onda quadrada cujos valores de tenso correspondam aos valores
lgicos 0 e 1, por forma a que, quando a sada corresponder ao nvel lgico "0" ou ao nvel lgico "1", o
transstor se encontre no modo de saturao (Vout<0.5 V) ou de corte (Vout5 V), respectivamente.
5. Verifique que o circuito executa a funo negao ou inversora.
6. Determine a partir de que frequncia do sinal de entrada, a sada se afasta de uma onda quadrada
(frequncia de corte superior do circuito).
7. Registe os tempos de atraso e de subida/descida.
8. Qual a frequncia de corte inferior do circuito?
Bibliogr afia

V/DIV

V/DIV

V/DIV

V/DIV
Apndices 121
Apndices
A- Folha de especificao de dodos 1N400x 123
B- Folha de especificao de transstores BC107-108-109-4 125
C- Folha de especificao do amplificador operacional 741 135
Apndice 122
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 1N4001/D
This data sheet provides information on subminiature size, axial lead

mounted rectifiers for generalpurpose lowpower applications.
1N4004 and 1N4007 are
Mechanical Characteristics Motorola Preferred Devices
Case: Epoxy, Molded

Weight: 0.4 gram (approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are LEAD MOUNTED
Readily Solderable RECTIFIERS
Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 501000 VOLTS
220C Max. for 10 Seconds, 1/16 from case DIFFUSED JUNCTION
Shipped in plastic bags, 1000 per bag.
Available Tape and Reeled, 5000 per reel, by adding a RL suffix to the
part number
Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band
Marking: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007
CASE 5903
DO41
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Unit
*Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Working Peak Reverse Voltage VRWM
DC Blocking Voltage VR
*NonRepetitive Peak Reverse Voltage VRSM 60 120 240 480 720 1000 1200 Volts
(halfwave, single phase, 60 Hz)
*RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 Volts
*Average Rectified Forward Current IO 1.0 Amp
(single phase, resistive load,
60 Hz, see Figure 8, TA = 75C)
*NonRepetitive Peak Surge Current IFSM 30 (for 1 cycle) Amp
(surge applied at rated load
conditions, see Figure 2)
Operating and Storage Junction TJ 65 to +175 C
Temperature Range Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS*
Rating Symbol Typ Max Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop vF 0.93 1.1 Volts
(iF = 1.0 Amp, TJ = 25C) Figure 1
Maximum FullCycle Average Forward Voltage Drop VF(AV) 0.8 Volts

(IO = 1.0 Amp, TL = 75C, 1 inch leads)
Maximum Reverse Current (rated dc voltage) IR A

(TJ = 25C) 0.05 10
(TJ = 100C) 1.0 50
Maximum FullCycle Average Reverse Current IR(AV) 30 A
(IO = 1.0 Amp, TL = 75C, 1 inch leads)
*Indicates JEDEC Registered Data
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Rev 5
Rectifier Device
Motorola, Inc. 1996 Data 1
PACKAGE DIMENSIONS
B NOTES:
1. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
JEDEC DO41 OUTLINE SHALL APPLY.
2. POLARITY DENOTED BY CATHODE BAND.
3. LEAD DIAMETER NOT CONTROLLED WITHIN F
DIMENSION.
D
K MILLIMETERS INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
F A 4.07 5.20 0.160 0.205
B 2.04 2.71 0.080 0.107
D 0.71 0.86 0.028 0.034
A F 1.27 0.050
K 27.94 1.100
F
K
CASE 5903
(DO41)
ISSUE M
Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding
the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and
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2 1N4001/D
Rectifier Device Data
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D125
BC107; BC108; BC109

NPN general purpose transistors
Product specification 1997 Sep 03
Supersedes data of 1997 Jun 03
File under Discrete Semiconductors, SC04
Philips Semiconductors Product specification
NPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109
FEATURES PINNING
Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION
Low voltage (max. 45 V). 1 emitter
2 base
APPLICATIONS 3 collector, connected to the case
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION handbook, halfpage

1 3
2
NPN transistor in a TO-18; SOT18 metal package.
2
PNP complement: BC177.
3 MAM264
1
Fig.1 Simplified outline (TO-18; SOT18)

and symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT

VCBO collector-base voltage open emitter
BC107 50 V
BC108; BC109 30 V
VCEO collector-emitter voltage open base
BC107 45 V
BC108; BC109 20 V
ICM peak collector current 200 mA
Ptot total power dissipation Tamb 25 C 300 mW
hFE DC current gain IC = 2 mA; VCE = 5 V
BC107 110 450
BC108 110 800
BC109 200 800
fT transition frequency IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz 100 MHz
1997 Sep 03 2
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter
BC107 50 V
BC108; BC109 30 V
VCEO collector-emitter voltage open base
BC107 45 V
BC108; BC109 20 V
VEBO emitter-base voltage open collector
BC107 6 V
BC108; BC109 5 V
IC collector current (DC) 100 mA
ICM peak collector current 200 mA
IBM peak base current 200 mA
Ptot total power dissipation Tamb 25 C 300 mW
Tstg storage temperature 65 +150 C
Tj junction temperature 175 C
Tamb operating ambient temperature 65 +150 C
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 0.5 K/mW
Rth j-c thermal resistance from junction to case 0.2 K/mW
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
1997 Sep 03 3
CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise specified.
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT

ICBO collector cut-off current IE = 0; VCB = 20 V 15 nA
IE = 0; VCB = 20 V; Tj = 150 C 15 A
IEBO emitter cut-off current IC = 0; VEB = 5 V 50 nA
hFE DC current gain IC = 10 A; VCE = 5 V
BC107A; BC108A 90
BC107B; BC108B; BC109B 40 150
BC108C; BC109C 100 270
hFE DC current gain IC = 2 mA; VCE = 5 V
BC107A; BC108A 110 180 220
BC107B; BC108B; BC109B 200 290 450
BC108C; BC109C 420 520 800
VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = 10 mA; IB = 0.5 mA 90 250 mV
IC = 100 mA; IB = 5 mA 200 600 mV
VBEsat base-emitter saturation voltage IC = 10 mA; IB = 0.5 mA; note 1 700 mV
IC = 100 mA; IB = 5 mA; note 1 900 mV
VBE base-emitter voltage IC = 2 mA; VCE = 5 V; note 2 550 620 700 mV
IC = 10 mA; VCE = 5 V; note 2 770 mV
Cc collector capacitance IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz 2.5 6 pF
Ce emitter capacitance IC = ic = 0; VEB = 0.5 V; f = 1 MHz 9 pF
fT transition frequency IC = 10 mA; VCB = 5 V; f = 100 MHz 100 MHz
F noise figure IC = 200 A; VCE = 5 V; RS = 2 k;
BC109B; BC109C f = 30 Hz to 15.7 kHz 4 dB
F noise figure IC = 200 A; VCE = 5 V; RS = 2 k;
BC107A; BC108A f = 1 kHz; B = 200 Hz 10 dB
BC107B; BC108B; BC108C
BC109B; BC109C 4 dB
Notes
1. VBEsat decreases by about 1.7 mV/K with increasing temperature.
2. VBE decreases by about 2 mV/K with increasing temperature.
1997 Sep 03 4
PACKAGE OUTLINE
Metal-can cylindrical single-ended package; 3 leads SOT18/13
j seating plane
B w M A M B M
1
b
k
D1
2
A D A L
0 5 10 mm
scale
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
UNIT A a b D D1 j k L w
5.31 0.47 5.45 4.70 1.03 1.1 15.0

mm 2.54 0.40 45
4.74 0.41 5.30 4.55 0.94 0.9 12.7
OUTLINE REFERENCES EUROPEAN

ISSUE DATE
VERSION IEC JEDEC EIAJ PROJECTION
SOT18/13 B11/C7 type 3 TO-18 97-04-18
1997 Sep 03 5
DEFINITIONS
Data Sheet Status

Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification This data sheet contains final product specifications.
Limiting values
Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
LIFE SUPPORT APPLICATIONS

These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.
1997 Sep 03 6
NOTES
1997 Sep 03 7
Philips Semiconductors a worldwide company
Argentina: see South America Netherlands: Postbus 90050, 5600 PB EINDHOVEN, Bldg. VB,
Australia: 34 Waterloo Road, NORTH RYDE, NSW 2113, Tel. +31 40 27 82785, Fax. +31 40 27 88399
Tel. +61 2 9805 4455, Fax. +61 2 9805 4466 New Zealand: 2 Wagener Place, C.P.O. Box 1041, AUCKLAND,
Austria: Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213, Tel. +43 160 1010, Tel. +64 9 849 4160, Fax. +64 9 849 7811
Fax. +43 160 101 1210 Norway: Box 1, Manglerud 0612, OSLO,
Belarus: Hotel Minsk Business Center, Bld. 3, r. 1211, Volodarski Str. 6, Tel. +47 22 74 8000, Fax. +47 22 74 8341
220050 MINSK, Tel. +375 172 200 733, Fax. +375 172 200 773 Philippines: Philips Semiconductors Philippines Inc.,
Belgium: see The Netherlands 106 Valero St. Salcedo Village, P.O. Box 2108 MCC, MAKATI,
Metro MANILA, Tel. +63 2 816 6380, Fax. +63 2 817 3474
Brazil: see South America
Poland: Ul. Lukiska 10, PL 04-123 WARSZAWA,
Bulgaria: Philips Bulgaria Ltd., Energoproject, 15th floor, Tel. +48 22 612 2831, Fax. +48 22 612 2327
51 James Bourchier Blvd., 1407 SOFIA,
Tel. +359 2 689 211, Fax. +359 2 689 102 Portugal: see Spain
Canada: PHILIPS SEMICONDUCTORS/COMPONENTS, Romania: see Italy
Tel. +1 800 234 7381 Russia: Philips Russia, Ul. Usatcheva 35A, 119048 MOSCOW,
China/Hong Kong: 501 Hong Kong Industrial Technology Centre, Tel. +7 095 755 6918, Fax. +7 095 755 6919
72 Tat Chee Avenue, Kowloon Tong, HONG KONG, Singapore: Lorong 1, Toa Payoh, SINGAPORE 1231,
Tel. +852 2319 7888, Fax. +852 2319 7700 Tel. +65 350 2538, Fax. +65 251 6500
Colombia: see South America Slovakia: see Austria
Czech Republic: see Austria Slovenia: see Italy
Denmark: Prags Boulevard 80, PB 1919, DK-2300 COPENHAGEN S, South Africa: S.A. PHILIPS Pty Ltd., 195-215 Main Road Martindale,
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Finland: Sinikalliontie 3, FIN-02630 ESPOO, Tel. +27 11 470 5911, Fax. +27 11 470 5494
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254-D, Dr. Annie Besant Road, Worli, MUMBAI 400 025, Taiwan: Philips Semiconductors, 6F, No. 96, Chien Kuo N. Rd., Sec. 1,
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Indonesia: see Singapore Thailand: PHILIPS ELECTRONICS (THAILAND) Ltd.,
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Israel: RAPAC Electronics, 7 Kehilat Saloniki St, PO Box 18053, Tel. +90 212 279 2770, Fax. +90 212 282 6707
TEL AVIV 61180, Tel. +972 3 645 0444, Fax. +972 3 649 1007
Ukraine: PHILIPS UKRAINE, 4 Patrice Lumumba str., Building B, Floor 7,
Italy: PHILIPS SEMICONDUCTORS, Piazza IV Novembre 3, 252042 KIEV, Tel. +380 44 264 2776, Fax. +380 44 268 0461
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United Kingdom: Philips Semiconductors Ltd., 276 Bath Road, Hayes,
Japan: Philips Bldg 13-37, Kohnan 2-chome, Minato-ku, TOKYO 108,
MIDDLESEX UB3 5BX, Tel. +44 181 730 5000, Fax. +44 181 754 8421
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United States: 811 East Arques Avenue, SUNNYVALE, CA 94088-3409,
Korea: Philips House, 260-199 Itaewon-dong, Yongsan-ku, SEOUL,
Tel. +1 800 234 7381
Tel. +82 2 709 1412, Fax. +82 2 709 1415
Uruguay: see South America
Malaysia: No. 76 Jalan Universiti, 46200 PETALING JAYA, SELANGOR,
Tel. +60 3 750 5214, Fax. +60 3 757 4880 Vietnam: see Singapore
Mexico: 5900 Gateway East, Suite 200, EL PASO, TEXAS 79905, Yugoslavia: PHILIPS, Trg N. Pasica 5/v, 11000 BEOGRAD,
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For all other countries apply to: Philips Semiconductors, Marketing & Sales Communications, Internet: http://www.semiconductors.philips.com
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Printed in The Netherlands 117047/00/04/pp8 Date of release: 1997 Sep 03 Document order number: 9397 750 02817
LM741 Operational Amplifier
November 1994

General Description
The LM741 series are general purpose operational amplifi- output, no latch-up when the common mode range is ex-
ers which feature improved performance over industry stan- ceeded, as well as freedom from oscillations.
dards like the LM709. They are direct, plug-in replacements The LM741C/ LM741E are identical to the LM741/ LM741A
for the 709C, LM201, MC1439 and 748 in most applications. except that the LM741C/ LM741E have their performance
The amplifiers offer many features which make their appli- guaranteed over a 0C to a 70C temperature range, in-
cation nearly foolproof: overload protection on the input and stead of b 55C to a 125C.
Schematic Diagram
TL/ H/ 93411
Offset Nulling Circuit
TL/ H/ 93417
C 1995 National Semiconductor Corporation TL/ H/ 9341 RRD-B30M115/ Printed in U. S. A.

Absolute Maximum Ratings
If Military/ Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor Sales Office/
Distributors for availability and specifications.
(Note 5)
LM741A LM741E LM741 LM741C
Supply Voltage g 22V g 22V g 22V g 18V
Power Dissipation (Note 1) 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW
Differential Input Voltage g 30V g 30V g 30V g 30V
Input Voltage (Note 2) g 15V g 15V g 15V g 15V
Output Short Circuit Duration Continuous Continuous Continuous Continuous
Operating Temperature Range b 55C to a 125C 0C to a 70C b 55C to a 125C 0C to a 70C
Storage Temperature Range b 65C to a 150C b 65C to a 150C b 65C to a 150C b 65C to a 150C
Junction Temperature 150C 100C 150C 100C
Soldering Information
N-Package (10 seconds) 260C 260C 260C 260C
J- or H-Package (10 seconds) 300C 300C 300C 300C
M-Package
Vapor Phase (60 seconds) 215C 215C 215C 215C
Infrared (15 seconds) 215C 215C 215C 215C
See AN-450 ``Surface Mounting Methods and Their Effect on Product Reliability'' for other methods of soldering
surface mount devices.
ESD Tolerance (Note 6) 400V 400V 400V 400V
Electrical Characteristics (Note 3)

LM741A/ LM741E LM741 LM741C
Parameter Conditions Units
Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max
Input Offset Voltage TA e 25C
RS s 10 kX 1.0 5.0 2.0 6.0 mV
RS s 50X 0.8 3.0 mV
TAMIN s TA s TAMAX
RS s 50X 4.0 mV
RS s 10 kX 6.0 7.5 mV
Average Input Offset
15 mV/ C
Voltage Drift
Input Offset Voltage TA e 25C, VS e g 20V
g 10 g 15 g 15 mV
Adjustment Range
Input Offset Current TA e 25C 3.0 30 20 200 20 200 nA
TAMIN s TA s TAMAX 70 85 500 300 nA
Average Input Offset
0.5 nA/ C
Current Drift
Input Bias Current TA e 25C 30 80 80 500 80 500 nA
TAMIN s TA s TAMAX 0.210 1.5 0.8 mA
Input Resistance TA e 25C, VS e g 20V 1.0 6.0 0.3 2.0 0.3 2.0 MX
TAMIN s TA s TAMAX,
0.5 MX
VS e g 20V
Input Voltage Range TA e 25C g 12 g 13 V
TAMIN s TA s TAMAX g 12 g 13 V
Large Signal Voltage Gain TA e 25C, RL t 2 kX
VS e g 20V, VO e g 15V 50 V/ mV
VS e g 15V, VO e g 10V 50 200 20 200 V/ mV
TAMIN s TA s TAMAX,
RL t 2 kX,
VS e g 15V, VO e g 10V 25 15 V/ mV
2
Electrical Characteristics (Note 3) (Continued)
LM741A/ LM741E LM741 LM741C
Parameter Conditions Units
Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max
Output Voltage Swing VS e g 20V
RL t 10 kX g 16 V
RL t 2 kX g 15 V
VS e g 15V
RL t 10 kX g 12 g 14 g 12 g 14 V
RL t 2 kX g 10 g 13 g 10 g 13 V
Output Short Circuit TA e 25C 10 25 35 25 25 mA
Current TAMIN s TA s TAMAX 10 40 mA
Common-Mode TAMIN s TA s TAMAX
Rejection Ratio RS s 10 kX, VCM e g 12V 70 90 70 90 dB
RS s 50X, VCM e g 12V 80 95 dB
Supply Voltage Rejection TAMIN s TA s TAMAX,
Ratio VS e g 20V to VS e g 5V
RS s 50X 86 96 dB
RS s 10 kX 77 96 77 96 dB
Transient Response TA e 25C, Unity Gain
Rise Time 0.25 0.8 0.3 0.3 ms
Overshoot 6.0 20 5 5 %
Bandwidth (Note 4) TA e 25C 0.437 1.5 MHz
Slew Rate TA e 25C, Unity Gain 0.3 0.7 0.5 0.5 V/ ms
Supply Current TA e 25C 1.7 2.8 1.7 2.8 mA
Power Consumption TA e 25C
VS e g 20V 80 150 mW
VS e g 15V 50 85 50 85 mW
LM741A VS e g 20V
TA e TAMIN 165 mW
TA e TAMAX 135 mW
LM741E VS e g 20V
TA e TAMIN 150 mW
TA e TAMAX 150 mW
LM741 VS e g 15V
TA e TAMIN 60 100 mW
TA e TAMAX 45 75 mW
Note 1: For operation at elevated temperatures, these devices must be derated based on thermal resistance, and Tj max. (listed under ``Absolute Maximum
Ratings''). Tj e TA a (i jA PD).
Thermal Resistance Cerdip (J) DIP (N) HO8 (H) SO-8 (M)
i jA (Junction to Ambient) 100C/ W 100C/ W 170C/ W 195C/ W
i jC (Junction to Case) N/ A N/ A 25C/ W N/ A
Note 2: For supply voltages less than g 15V, the absolute maximum input voltage is equal to the supply voltage.
Note 3: Unless otherwise specified, these specifications apply for VS e g 15V, b 55C s TA s a 125C (LM741/ LM741A). For the LM741C/ LM741E, these
specifications are limited to 0C s TA s a 70C.
Note 4: Calculated value from: BW (MHz) e 0.35/ Rise Time(ms).
Note 5: For military specifications see RETS741X for LM741 and RETS741AX for LM741A.
Note 6: Human body model, 1.5 kX in series with 100 pF.
3
Connection Diagrams
Metal Can Package Ceramic Dual-In-Line Package
TL/ H/ 9341 2
TL/ H/ 93415
Order Number LM741H, LM741H/ 883* , Order Number LM741J-14/ 883* , LM741AJ-14/ 883* *
LM741AH/ 883 or LM741CH See NS Package Number J14A
See NS Package Number H08C
* also available per JM38510/ 10101
* * also available per JM38510/ 10102
Dual-In-Line or S.O. Package
Ceramic Flatpak
TL/ H/ 93416
TL/ H/ 9341 3 Order Number LM741W/ 883

Order Number LM741J, LM741J/ 883, See NS Package Number W10A
LM741CM, LM741CN or LM741EN
See NS Package Number J08A, M08A or N08E
* LM741H is available per JM38510/ 10101
4
Physical Dimensions inches (millimeters)
Metal Can Package (H)

Order Number LM741H, LM741H/ 883, LM741AH/ 883, LM741CH or LM741EH
NS Package Number H08C
5
Physical Dimensions inches (millimeters) (Continued)
Ceramic Dual-In-Line Package (J)

Order Number LM741CJ or LM741J/ 883
NS Package Number J08A
Ceramic Dual-In-Line Package (J)

Order Number LM741J-14/ 883 or LM741AJ-14/ 883
NS Package Number J14A
6
Small Outline Package (M)

Order Number LM741CM
NS Package Number M08A
Dual-In-Line Package (N)

Order Number LM741CN or LM741EN
NS Package Number N08E
7
10-Lead Ceramic Flatpak (W)

Order Number LM741W/ 883
NS Package Number W10A
LIFE SUPPORT POLICY
NATIONAL'S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF NATIONAL
SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:
1. Life support devices or systems are devices or 2. A critical component is any component of a life
systems which, (a) are intended for surgical implant support device or system whose failure to perform can
into the body, or (b) support or sustain life, and whose be reasonably expected to cause the failure of the life
failure to perform, when properly used in accordance support device or system, or to affect its safety or
with instructions for use provided in the labeling, can effectiveness.
be reasonably expected to result in a significant injury
to the user.
National Semiconductor National Semiconductor National Semiconductor National Semiconductor

Corporation Europe Hong Kong Ltd. Japan Ltd.
1111 West Bardin Road Fax: (a 49) 0-180-530 85 86 13th Floor, Straight Block, Tel: 81-043-299-2309
Arlington, TX 76017 Email: cnjwge @ tevm2.nsc.com Ocean Centre, 5 Canton Rd. Fax: 81-043-299-2408
Tel: 1(800) 272-9959 Deutsch Tel: (a 49) 0-180-530 85 85 Tsimshatsui, Kowloon
Fax: 1(800) 737-7018 English Tel: (a 49) 0-180-532 78 32 Hong Kong
Fran3ais Tel: (a 49) 0-180-532 93 58 Tel: (852) 2737-1600
Italiano Tel: (a 49) 0-180-534 16 80 Fax: (852) 2736-9960
National does not assume any responsibility for use of any circuitry described, no circuit patent licenses are implied and National reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.

Introdução À Electrónica

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Introdução À Electrónica

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1

Guias de Apoio Componente Laboratorial da Disciplina

Intr oduo Electr nica

No se deve substituir um fusvel queimado at se perceber porque que ele queimou.

Jos Longras Figueiredo

Tenso elctr ica: diferena de potencial.

Condutividade electr nica: condutividade associada com o movimento de electres.

Guia: ttulo de vrias publicaes de ensino prtico;

Regras de Funcionamento do Laboratrio de Introduo Electrnica: 5

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas 15

2. Circuitos de Corrente Alternada: Filtros, Circuitos RC e RLC 23

3. Amplificador Operacional: montagens inversora e no-inversora 41

4. Amplificador Operacional: Circuitos Operativos 59

5. Caracterstica Corrente-tenso do Dodo 65

6. Circuitos de Rectificao e de Deteco de Pico 79

7. Traado das Curvas Caractersticas de um Transstor Bipolar. 89

8. Circuito Amplificador com um Transstor Bipolar 99

9. Circuito de Comutao com um Transstor Bipolar 109

Regras de Funcionamento do Laboratrio de

Acesso ao labor atr io for a dos tempos lectivos

Fr equncia (Eliminatr ia)

Equipamento de Base nas Bancadas do Laboratrio de

Fig. 1. Placa de teste: faces superior e inferior.

Fig. 2. Exemplos de montagens na placa de teste: resistncias em serie e em paralelo, respectivamente.

Fig. 3. Medio de tenso, corrente, e resistncia, respectivamente, usando o multmetro.

Ger ador es de sinal

Regr as/Compor tamentos de Segur ana

Efeitos da Cor r ente Elctr ica no Cor po Humano

Guia para a Resoluo de Problemas de Electrnica

5.- Use a sua criatividade.

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 15

Circuitos de Corrente Contnua:

A Electricidade e a Electrnica so reas da Fsica intimamente ligadas s actividades humanas, sendo as

Fontes de Tenso e de Cor r ente Elctr ica

II Cor r ente Contnua (cc)

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 16

Resistncia Elctr ica

Leis de Kir chhoff

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 17

III Placas de Montagem

Fig. 2: Placa de teste.

IV Medio de Tenso e de Intensidade de Cor r ente Elctr ica

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 18

V Apar elhos de Medio

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 19

Especialmente em Electrnica (mas tambm na Electricidade) h, frequentemente, necessidade de avaliar

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 20

Fig. 3: a) Medio de tenso; b) Medio de intensidade de corrente; c) Medio de resistncia.

VI Cdigo de Boa Utilizao dos Apar elhos de Medio

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 21

VII Pr ocedimento Exper imental

Tr eino com o Multmetr o e Placa de Teste

a) Mea o valor da resistncia das resistncias.

1. Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas, 22

Divisor de Cor r ente

Fig. 5: Circuito resistivo paralelo: divisor de corrente.

a) Mea o valor de cada resistncia.

2. Circuitos de Corrente Alternada: Filtros, Circuitos RC e RLC 23

Circuitos de Corrente Alternada:

2. Circuitos de Corrente Alternada: Filtros, Circuitos RC e RLC 24

II Cor r ente Alter nada (ca)

Ger ador de Sinais

Fig. 1: Gerador de funes/sinais.

Canal 1: ___ V/DIV Canal 2: _ B. de Tempo: _____ s/DIV

Canal 1: ___ V/DIV Canal 2: _ B. de Tempo: _____ s/DIV

Canal 1: ___ V/DIV Canal 2: _ B. de Tempo: _____ s/DIV

Canal 1: ___ V/DIV Canal 2: _ B. de Tempo: _____ s/DIV