Un diodo emisor de luz (LED por sus siglas en ingls, light-emitting diode, o led, de acuerdo

con la Real Academia Espaola)5 es una fuente de luz constituida por un

material semiconductor dotado de dos terminales. Se trata de un diodo de unin p-n, que
emite luz cuando est activado.6 Si se aplica una tensin adecuada a los terminales,
los electrones se recombinan con los huecos en la regin de la unin p-n del dispositivo,
liberando energa en forma de fotones. Este efecto se denomina electroluminiscencia, y el
color de la luz generada (que depende de la energa de los fotones emitidos) viene
determinado por la anchura de la bandaprohibida del semiconductor. Los ledes son

normalmente pequeos (menos de 1 mm ) y se les asocian algunas componentes pticas

para configurar un patrn de radiacin.7
Los primeros ledes fueron fabricados como componentes electrnicos para su uso prctico en
1962 y emitan luz infrarroja de baja intensidad. Estos ledes infrarrojos se siguen empleando
como elementos transmisores en circuitos de control remoto, como son los mandos a distancia
utilizados dentro de una amplia variedad de productos de electrnica de consumo. Los
primeros ledes de luz visible tambin eran de baja intensidad y se limitaban al espectro rojo.
Los ledes modernos pueden abarcar longitudes de onda dentro de los
espectros visible, ultravioleta e infrarrojo, y alcanzar luminosidades muy elevadas.
Los primeros ledes se emplearon en los equipos electrnicos como lmparas indicadoras en
sustitucin de las bombillas incandescentes. Pronto se asociaron para las presentaciones
numricas en forma de indicadores alfanumricos de siete segmentos, al mismo tiempo que
se incorporaron en los relojes digitales. Los recientes desarrollos ya permiten emplear los
ledes para la iluminacin ambiental en sus diferentes aplicaciones. Los ledes han permitido el
desarrollo de nuevas pantallas de visualizacin y sensores, y sus altas velocidades de
conmutacin permiten utilizarlos tambin para tecnologas avanzadas de comunicaciones.
Hoy en da, los ledes ofrecen muchas ventajas sobre las fuentes convencionales de luces
incandescentes o fluorescentes, destacando un menor consumo de energa, una vida til ms
larga, una robustez fsica mejorada, un tamao ms pequeo as como la posibilidad de
fabricarlos en muy diversos colores del espectro visible de manera mucho ms definida y
controlada; en el caso de ledes multicolores, con una frecuencia de conmutacin rpida.
Estos diodos se utilizan ahora en aplicaciones tan variadas que abarcan todas las reas
tecnolgicas actuales, desde la Bioingeniera, la Medicina y la Sanidad,8 pasando por
la nanotecnologa y la computacin cuntica,9 los dispositivos electrnicos o la iluminacin en
la ingeniera de Minas; entre los ms populares estn las pantallas QLed de los televisores y
dispositivos mviles,1011 la luz de navegacin de los aviones, los faros delanteros de los
vehculos, los anuncios publicitarios, la iluminacin en general, los semforos, las lmparas de
destellos y los papeles luminosos de pared. Desde el comienzo de 2017, las lmparas led
para la iluminacin de las viviendas son tan baratas o ms que las lmparas
fluorescentes compacta de comportamiento similar al de los ledes.12 Tambin son ms
eficientes energticamente y, posiblemente, su eliminacin como desecho provoque menos
problemas ambientales.1314

Los ledes azules fueron desarrollados por primera vez por Henry Paul Maruska de RCA en
1972 utilizando nitruro de Galio (GaN) sobre un substrato de zafiro.3233 Se empezaron a
comercializar los de tipo SiC (fabricados con carburo de silicio) por la casa Cree, Inc., Estados
Unidos en 1989.34 Sin embargo, ninguno de estos ledes azules era muy brillante.
El primer led azul de alto brillo fue presentado por Shuji Nakamura de la Nichia Corp. en 1994
partiendo del material Nitruro de Galio-Indio (InGaN).35 36 Isamu Akasaki y Hiroshi Amano en
Nagoya trabajaban en paralelo, en la nucleacin cristalina del Nitruro de Galio sobre
substratos de zafiro, obteniendo as el dopaje tipo-p con dicho material. Como consecuencia
de sus investigaciones, Nakamura, Akasaki y Amano fueron galardonados con el Premio
Nobel de Fsica.3738 En 1995, Alberto Barbieri del laboratorio de la Universidad de Cardiff (RU)
investigaba la eficiencia y fiabilidad de los ledes de alto brillo y como consecuencia de la
investigacin obtuvo un led con el electrodo de contacto transparente utilizando xido de indio
y estao (ITO) sobre fosfuro de aluminio-galio-indio y arseniuro de galio.
En 200139 y 200240 se llevaron a cabo procesos para hacer crecer ledes de nitruro de galio en
silicio. Como consecuencia de estas investigaciones, en enero de 2012 Osramlanz al
mercado ledes de alta potencia de nitruro de galio-indio crecidos sobre sustrato de silicio.41

Un led comienza a emitir cuando se le aplica una tensin de 2-3 voltios. En polarizacin
inversa se utiliza un eje vertical diferente al de la polarizacin directa para mostrar que la
corriente absorbida es prcticamente constante con la tensin hasta que se produce la
ruptura.
El led es un diodo formado por un chip semiconductor dopado con impurezas que crean
una unin PN. Como en otros diodos, la corriente fluye fcilmente del lado p, o nodo, al n,
o ctodo, pero no en el sentido opuesto. Los portadores de carga (electrones y huecos) fluyen
a la unin desde dos electrodos puestos a distintos voltajes. Cuando un electrn se recombina
con un hueco, desciende su nivel de energa y el exceso de energa se desprende en forma
de un fotn. Lalongitud de onda de la luz emitida, y por tanto el color del led, depende de la
anchura en energa de la banda prohibida correspondiente a los materiales que constituyen la
unin pn.
En los diodos de silicio o de germanio los electrones y los huecos se recombinan generando
una transicin no radiativa, la cual no produce ninguna emisin luminosa ya que son
materiales semiconductores con unabanda prohibida indirecta. Los materiales empleados en
los ledes presentan una banda prohibida directa con una anchura en energa que corresponde
al espectro luminoso del infrarrojo-cercano (800 nm - 2500 nm), el visible y el ultravioleta-
cercano (200-400 nm). El desarrollo de los ledes dio comienzo con dispositivos de luz roja e
infrarroja, fabricados con arseniuro de galio (GaAs). Los avances en la ciencia de materiales
han permitido construir dispositivos con longitudes de onda cada vez ms pequeas,
emitiendo luz dentro de una amplia gama de colores.
Los ledes se suelen fabricar a partir de un sustrato de tipo n, con uno de los electrodos unido a
la capa de tipo p depositada sobre su superficie. Los sustratos de tipo p tambin se utilizan,
aunque son menos comunes. Muchos ledes comerciales, en especial los de GaN/InGaN,
utilizan tambin el zafiro (xido de aluminio) como sustrato.
La mayora de los materiales semiconductores usados en la fabricacin de los ledes presentan
un ndice de refraccin muy alto. Esto implica que la mayora de la luz emitida en el interior del
semiconductor se refleja al llegar a la superficie exterior que se encuentra en contacto con el
aire por un fenmeno de reflexin total interna. La extraccin de la luz constituye, por tanto, un
aspecto muy importante y en constante investigacin y desarrollo a tomar en consideracin en
la produccin de ledes.