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INSTITUTO TECNOLOGICO DE OAXACA

Tecnologa propia e independencia econmica

Carrera: Ingeniera Electrnica.


Alumno:

Catedrtico:
Cristal semiconductor

Estructuras bsicas de cristales

Los tomos estn arreglados de manera peridica tridimensional. Los arreglos peridicos de los
tomos en un cristal se conocen como enrejado .Dentro de un cristal, un tomo nunca se aleja
mucho de uno solo, posicin arreglada. Las vibraciones trmicas asociadas con el tomo estn
centradas respecto a su posicin .Para un semiconductor dado, existe una celda unidad la cual
es la que representa un enrejado entero; repitiendo la celda unidad a travs del cristal, uno
puede generar el enrejado entero.

Celda unidad.

En esta figura se puede observar el concepto de una celda unidad tridimensional:

La relacin entre esta celda y el enrejado est caracterizada por 3 vectores a, b y c quienes no son
necesariamente perpendiculares entre si y pueden o no ser iguales en longitud. Cada punto
enrejado equivalentemente en un cristal tridimensional puede ser encontrado.

R=ma+nb+pc.
Donde m, n and p son enteros

Materiales extrnsecos n y p

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de


impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser alternadas significativamente


por la adiccin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro.
Aunque solo haya sido aadido 1 parte en 10 millones pueden alternar de forma suficiente la
estructura de la bomba.
Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos
semiconductores el tipo N y el tipo P.

Material tipo N:

Tanto el material tipo N como el tipo P se forma mediante la adiccin mediante un numero
predeterminado de tomos e impurezas al germanio o al silicio. El tipo n se crea a travs de la
introduccin de elementos de impurezas que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes).

A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencias les llama tomos donadores.

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto


tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres
(en este caso negativas o electrones).

Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a
los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante ya que da algunos de sus electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el


material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio
(Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de
valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese
tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como
resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y
los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada
electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el
material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por ejemplo;
introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100
veces mayor que la del silicio puro.

Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto


tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres
(en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de
los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y
los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo
tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une
completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est
asociado con un Ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red,
un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva.
Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la
excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo
IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.

Qu es un semiconductor tipo n?

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto


tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres
(en este caso negativas o electrones).

Qu es un semiconductor tipo p?

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto


tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres
(en este caso positivos o huecos).

Qu son los materiales extrnsecos?

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de


impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

2.- Estructuras cristalinas de los semiconductores

La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque puede visualizarse


mediante superposicin de estructuras ms sencillas. La estructura ms comn es la del diamante,
comn a los semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. En
estas redes cristalinas cada tomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes
con simetra tetradrica. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas nicas, es decir, que
sea monocristal.

El diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de carbono. El
silicio y el germanio forman redes similares. Asi generalmente a estos se les introducen tomos de
otros elementos para modificar algunas propiedades especficas, denominados impurezas, que
modifican por ejemplo la capacidad de conducir corriente haciendo que se deba primordialmente
a huecos o a electrones, dependiendo de la impureza introducida.

La estructura cristalina mas comn en los semiconductores es la red de diamante. Cada tomo en
esta red tiene un enlace covalente con cuatro tomos adyacentes, los cuales todos juntos, forman
un tetraedro.

Semiconductores compuestos como el Arsenurio de Galio (GaAs) y el Fosfuro de Indio (InP) tienen
una estructura cristalina similar a la del diamante. La red en estos casos, tiene dos tipos diferentes
de tomos. Cada tomo tiene cuatro enlaces covalentes, que son enlaces a tomos de otro tipo.
Esta estructura se conoce como de zinc-blenda. La red de diamante y la de zinc-blenda son redes
cbicas. Otra estructura usual para los semiconductores es la estructura hexagonal.

SILICIO

El tomo de silicio posee catorce electrones. De estos, los cuatro ms alejados del ncleo son los
electrones de valencia que participan en los enlaces con otros tomos. El silicio es, por tanto, un
tomo tetravalente.

El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrnicos es un monocristal cuya estructura
cristalina se denomina de diamante. Cada tomo de silicio est unido a otros cuatro mediante
enlaces covalentes. Un enlace covalente se forma entre dos tomos que comparten dos
electrones. Cada uno de los electrones del enlace es aportado por un tomo diferente. La celda
bsica del cristal es un cubo de 5,43 angstroms de arista (1 Angstrom = 1 =10-10cm). Esta
estructura conlleva una densidad de 5x1022tomos de silicio por centmetro cbico.

Arseniuro de galio

Compuesto que posee una estructura cbica (Zinc Blenda) con potenciales aplicaciones en
dispositivos como: Clulas fotovoltaicas, diodos Lser, circuitos integrados a frecuencias de
microondas, satlites de comunicaciones, radares, etc.

Tiene propiedades electrnicas que lo hacen superior al Silicio como lo es la alta movilidad
electrnica, lo que permite fabricar transistores capaces de operar a 250 GHz produciendo mucho
menos ruido que el Silicio.
Su Band Gap es directa, lo que hace factible su utilizacin para emitir luz eficientemente. Por lo
que se populariz a partir de 1970 como el componente ideal para la construccin de
Heteroestructuras solares que fueron implementadas en las fuentes de poder de sondas
espaciales Opportunity y Rovers Spirit para la exploracin de Marte.

Estudio de propiedades y aplicaciones de semiconductores.

A manera de introduccin digamos que entre los materiales conductores, que conducen la
electricidad con un resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no conducen la
electricidad, nos encontramos una gama de materiales con propiedades propias que
denominamos semiconductores. En estos la conduccin se da tanto por el movimiento de cargas
negativas (electrones) como de positivas (huecos). Si echamos un vistazo a la tabla peridica,
veremos que en la columna donde se encuentra el carbono, tambin aparecen el silicio y el
germanio. Todos ellos se caracterizan porque en la ltima capa de electrones de su estructura
atmica poseen cuatro electrones. Se sabe que estos elementos tienen una estructura ms estable
si comparten electrones, formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones
con tomos vecinos todos ellos tengan en la ltima capa ocho electrones, situacin que es muy
estable. Esto hace que se forme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El diamante
es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de carbono. El silicio y el
germanio forman redes similares. Generalmente a estos se les introducen tomos de otros
elementos para modificar algunas propiedades especficas, denominados impurezas, que
modifican por ejemplo la capacidad de conducir corriente haciendo que se deba primordialmente
a huecos o a electrones, dependiendo de la impureza introducida.

3.-Propiedades fsicas, qumicas y elctricas de los semiconductores.

Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder modificar su


resistividad de manera controlada entre mrgenes muy amplios. La razn primera de este
comportamiento diferente reside en su estructura atmica, bsicamente en la distancia
interatmica de sus tomos en la red as como el tipo de enlace entre ellos. As el enlace atmico
depende del nmero de electrones de valencia de los tomos formantes del enlace y de la
electronegatividad de los mismos. Los electrones de la capa externa o electrones de valencia son
los que determinan y forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar el carcter
conductivo o no de l. En un semiconductor formado por dos elementos qumicos diferentes
(Arseniuro de Galio) la asimetra conlleva en general una cierta prdida de carcter covalente
puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la carga hacia uno u otro tomo. El
parmetro que determina este desplazamiento es la electronegatividad de los tomos
constituyentes. Cuanto ms diferente sea, mayor ser el desplazamiento y el enlace ser ms
inico que covalente. La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja
aunque puede visualizarse mediante superposicin de estructuras ms sencillas. La estructura ms
comn es la del diamante, comn a los semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del
Arseniuro de Galio. En estas redes cristalinas cada tomo se encuentra unido a otros cuatro
mediante enlaces covalentes con simetra tetradrica. Se requiere que posean unas estructuras
cristalinas nicas, es decir, que sea monocristal. Dependiendo de cmo se obtengan ste puede
presentarse en forma de monocristal, policristal y amorfo. El comportamiento elctrico de los
materiales semiconductores (resistividad y movilidad) as como su funcionamiento depende de la
estructura cristalina del material de base, siendo imprescindible la forma monocristalina cuando
se requiere la fabricacin de circuitos integrados y dispositivos electropticos (lser, leds).

En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenmeno de las colisiones de los


portadores con otros portadores, ncleos, iones y vibraciones de la red, disminuye la movilidad.
Ello guarda relacin con el parmetro de la resistividad (o conductividad) definido como la
facilidad para la conduccin elctrica, depende intrnsecamente del material en cuestin y no de
su geometra. As pues en los fenmenos de transporte en semiconductores y a diferencia de los
metales, la conduccin se debe a dos tipos de portadores, huecos y electrones.

Conduccin de un semiconductor

Calculemos la densidad de corriente para el semiconductor por exceso (tipo n),cuyos electrones de
conduccin los consideramos como partculas clsicas con determinadas posiciones y velocidades
en cada instante.

La densidad de corriente es la carga transferida en la unidad de tiempo por la unidad de seccin


transversal. Por eso, la densidad de corriente se determina por la concentracin de electrones de
conduccin n (nmero de electrones libres en la unidad de volumen de la sustancia), la velocidad
media de su deriva <u> y la magnitud de la carga e, o sea,

J=en<v>.
La velocidad de deriva se determina teniendo en cuenta que el equilibrio trmico de los electrones
es un concepto esttico y por eso tambin el tiempo de recorrido libre debe tener un carcter
probabilstico.

Supongamos que dt/t es la probabilidad de que un electrn experimente un choque (dispersin)


en el tiempo dt .Adems vamos a considerar que la probabilidad de dispersin del electrn no
depende del tiempo transcurrido desde su ultimo choque .Esto significa que T es una cierta
magnitud constante .En tal caso, la probabilidad de que choquen n partculas en el tiempo dt ser
en consecuencia igual a ndt/t. Por lo tanto, en el tiempo dt el nmero de los portadores que se
mueven en una direccin prefijada disminuye debido a la dispersin en la magnitud


-dn=n
Con la ecuacin anterior con respecto a n obtenemos la cantidad de electrones en el instante t:

1

n(t)=0

donde n=0 cuando t=0


de la correlacin anterior se deduce que la cantidad de electrones que se mueven en una direccin
dada se reduce debido a los choques por una ley exponencial con constante de tiempo t.

Para determinar t suponemos que el instante t=0 todos los electrones han experimentado
choques. Debido a la deriva, hasta el choque siguiente cada portador de carga ha corrido en
direccin x respectivamente durante el recorrido libre siendo as en el tiempo T=1 +2 + 3 +.

Los portadores de carga recorren una distancia total igual a X=1 +2 +3 . En este caso la velocidad
media deriva de los portadores es:

<u> = .