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Gua de ejercicios #2
Tema: Transistores BJT
Importante:
En la resolucin los circuitos 1, 2, 3 y 4 realice el planteamiento de LVK y
desarrollando las mallas de entrada y salida para obtener cada formula utiliza en la
configuracin dada.
Parte I
1. Configuracin de polarizacin fija.
Para el circuito 1 determine:
a)IBQ b)ICQ c)VCEQ d)VB e)VC f)VE.
Si HFE = 85
V1
18V
+V
R2
3k
VC
R1
520k Q1
NPN
VE
Circuito 1
2. Dada la informacin que aparece en el circuito 2, determine:
a) b) Ic c) Vcc d)RB
R2
3k
VCE
8V
Rb
Q1
NPN
VE
Circuito 2
3. Dadas las caractersticas del transistor BJT del grafico 1:
a) Trace una recta de carga en las caractersticas determinadas por Vcc= 25 V y Rc=
2.5k para una configuracin de polarizacin fija.
b) Seleccione un punto de operacin entre el corte y saturacin. Determine el valor de
RBQ para establecer el punto de operacin resultante.
Grafico 1
II PARTE
12.2V
Ic= 3mA
Rc hFE =90
8.4v
Rb
Q1
NPN
2.7V
Re
Circuito 3
III PARTE
Vcc
R1
3k
11v
Q1
NPN VE
9k
1.5k
Circuito 4
RUBRICA DE EVALUACIN
Integrantes:
Apellido: _______________ Nombre: ______________Carn:_______ Firma: ________
Apellido: _______________ Nombre: ______________Carn:_______ Firma: ________
Apellido: _______________ Nombre: ______________Carn:_______ Firma: ________
Apellido: _______________ Nombre: ______________Carn:_______ Firma: ________