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Un cristal perfecto puede definirse como una agrupacin estable y ordenada de tomos (iones o
molculas) enlazados entre s, cuyas propiedades fsicas en el interior, representadas por f (por
ejemplo f puede ser la densidad electrnica), pueden ser correlacionadas por la expresin
r r r
f (r ) = f (r + l )
r r
donde r sita un punto genrico en el cristal y l es un vector caracterstico,
denominado vector reticular, que localiza posiciones fsicamente equivalentes a
r
las del punto definido en r .
E l c o n ju n to d e p u n to s e q u iv a le n te s q u e c a ra c te riz a la e c u a c i n 2 .1 f o rm a u n a re d
e n e l e s p a c io trid im e n s io n a l q u e s e d e n o m in a re d c r is ta lin a .
r
E l v e c to r l s e p u e d e e s c rib ir e n la f o rm a :
r r r r
l = l1 a 1 + l 2 a 2 + l 3 a 3 (2 .2 )
r r r
d o n d e l 1 , l 2 y l 3 s o n n m e ro s e n te ro s y a 1 , a 2 y a 3 s o n tre s v e c to re s f u n d a m e n ta -
le s , n o c o p la n a rio s , a lo s q u e s e le s c o n o c e c o m o v e c to re s p r im itiv o s o v e c to re s
base.
a a a l1
[ ]=
r 1x 2 x 3 x
l [ A ][ l i ] = a 1y a 2 y a 3 y
l
2
a 1z a 2 z a 3 z l 3
a 0 0 1 0 0
[ A ] = 0 a 0 = a
0
1 0
y
0 0 a 0 0 1
O
Un ejemplo de elemento que cristaliza en este tipo de red es el Polonio en su fase cristalina a
[Po(a)].
Fsica de Materiales
z
a
r a a a r a a a r a a a
a1 = , , a 2 = , , a 3 = , ,
2 2 2 2 2 2 2 2 2
a a a
2
a 1 1
2 2 1
y
[ A ]=
a
a a
= 1 1 1
2 2 2 2
a a a 1 1 1
2 2 2
Este tipo de estructura es la que presentan diversos metales como el Li, Na, K, Cr, Fe(a), Cs, Rb, etc
Fsica de Materiales
z a r a a r a a r a a
a1 = 0, , a 2 = ,0, a 3 = , ,0
2 2 2 2 2 2
a a
0
a 0 1
2 2 1
O
[ A ]=
a
0
a
= 1 0 1
2 2 2
y a a 1 1 0
0
2 2
Elementos que cristalizan con este tipo de red son el Cu, As, Au, La(b), Al, Fe(g), etc.
Fsica de Materiales
r
a1
r
a2
Estructura tipo Cloruro de Cesio: CsBr, TlCl, TlI, AgMg, LiHg, AlNi, BeCu, etc.
Red c
cbica simple
Cs+
+ -
Base estructural (Cs ; (0,0,0), Cl ; (1/2,1/2,1/2))
Cl-
Estructura muy sencilla que se obtiene tomando una red cbica simple y
asociando a cada punto reticular una base formada por los iones Cs+ y Cl-,
situados en posiciones genricas (0, 0, 0) y (,,), respectivamente
Fsica de Materiales
En esta estructura cristalizan elementos y compuestos tan importantes como el C (diamante), Si, Ge, GaAs, etc
Fsica de Materiales
a
Se forma a partir de una red de Bravais f.c.c. y una base
estructural formada por un par de iones (Cl- y Na+) separados
una distancia a/2 y alineados en las aristas del cubo
Cl -
Ag+
Descripciones alternativas
Descripci
Descripcin 1:
z Red: bcc
a
Base estructural: 1 tomo en (0,0,0)
Descripci
Descripcin 2:
y Red: cs
Base estructural: 1 tomo en (0,0,0), 1 tmomo
en (1/2, 1/2, 1/2)
x SON
EQUIVALENTES?
EQUIVALENTES
z a
Descripci
Descripcin 1:
Red: fcc
Base estructural: 1 tomo en (0,0,0)
O
y Descripci
Descripcin 2:
Red: cs
x Base estructural: tomos en (0,0,0), (1/2, , 0),
(1/2, 0, ), (0, , )
Fsica de Materiales
Direccin cristalogrficas
3 r
Sean x1, x2 y x3 las componentes de un vector direccin d , es decir, proyecciones de este
vector en los tres ejes (figura ). Por conveniencia, estas componentes se miden tomando
direccin [u v w]
como unidad de longitud la arista del cubo, de valor a. Siempre existe un nmero r para el
cual los cocientes x1/r, x2/r, x3/r resultan ser un grupo de nmeros enteros (los menores).
Estos cocientes se denominan ndices de direccin, y se representan por las letras u, v y w.
x3 La notacin completa que se emplea para describir la direccin es [u v w].
2
Ejemplo:
Sean x1 = 3a, x2 = 4a, x3 = 2.5a .
Obtenemos en este caso los menores enteros si tomamos r = 0.5a:
x1/r = 6, x2/r = 8, x3/r = 5.
La direccin es [6 8 5].
Fsica de Materiales
Planos cristalogrficos
x1
Ejemplo:
Sean x1 = 0.5a, x2 = 1.25a, x3 = 1.5a.
El menor nmero S que multiplicado por 1/0.5a, 1/1.25a, 1/1.5a, conduce a
tres valores enteros es S = 7.5a, de donde:
h = 15, k = 6, l=5
Este plano se denomina (15 6 5).
Fsica de Materiales
f ( x ) = f ( x + l)
2 2
1 i nx
f ( x) = n An e An =
i nx
a f ( x) e a dx
aa
f (x) = gn
A gn eignx
2
gn = n
a
donde:
1 r rr r
f(r ) e
ig.r
A gr = dr
V
cel
r
siendo V el volumen de la celdilla y g un vector de componentes (g1, g2, g3) tal
que:
2
gi = ni (i = 1, 2, 3) (2.18)
ai
1 r r
A gr = 0 =
V
cel
f (r ) d r
r
Red recproca; corresponde con el valor medio de la propiedad f ( r ) en el cristal, la cual ser
justamente la propiedad macroscpica medida en el laboratorio.
conjunto de
puntos
descritos por g Importancia: Las propiedades fsicas se miden en la
red recproca
Fsica de Materiales
Procedimiento 1
r r 0 si i j
bi .a j = 2ij ij =
1 si i = j
Procedimiento 2
r r r r
g = g1b1 + g2b 2 + g3b 3
r r r
(a 2 ^ a 3 )
b1 = 2 r r r
(a1, a 2 , a 3 )
r r r
(a 3 ^ a 1 )
b 2 = 2 r r r
(a1, a 2 , a 3 )
r r r
(a 1 ^ a 2 )
b 3 = 2 r r r
(a1, a 2 , a 3 )
Fsica de Materiales
b1x b 2 x b3 x g 1
[ r
g ] = [ B ][ g i ] = b 1 y b 2 y b3 y
g
2
b 1 z b 2 z b3 z
g 3
t
[B] [A]= 2[E]
VRed Recproca =
(2 )3
Consecuencia de lo previo
VRed Real
Fsica de Materiales
2 N1
g1 =
l1
1 r
Caracterizacin del vector g en trminos de los Indices de Miller N2 N
y en forma anloga obtendramos que: g 2 = y g3 = 3 .
l2 l3
Ahora bien, de acuerdo con la figura, las componentes l1, l2 y l3, que
caracterizan el plano dibujado en el espacio real, definen un vector en el espacio
recproco cuyas componentes (g1, g2 y g3) cumplen la misma propiedad que
defini los ndices de Miller. Es decir: "el plano (h k l) corta a los ejes a distancias
inversamente proporcionales a los valores h, k y l", lo que evidencia la
equivalencia entre las componentes g1, g2, g3 y h, k, l.
Fsica de Materiales
3
ii) Cada vector de la red recproca es perpendicular a una orientacin de
planos de la red real
r r
a3 Para mostrar esta propiedad es suficiente probar que g es perpendicular
l g a dos vectores cualesquiera contenidos en el plano (h k l), por ejemplo a los
r r r r r
a2 a1 a 2 a 1 a 3
2 vectores y .
k
h k h l
r
iii) El mdulo del vector g es igual a 2 veces el inverso de la distancia dhkl
entre planos reticulares (h k l).
En efecto, en la figura 2.17 se tiene que:
r r r r r r r
a1 a1 g a1 hb1 + kb 2 + lb3 2
dhkl = .g = . r = . r = r (2.28)
h h |g| h | g| |g|
2
dhkl
r 1
a1
h
Adhesivo Silicona
Verificado por FTIR
y DRX
Fsica de Materiales
paredes
arista
Conocido
Conocido
Desconocido
Radiacin
difundida
Radiacin SLIDO
Incidente CRISTALINO
k0
k
Cada slido tiene un patrn de difraccin caracterstico: Conocido el
patrn de difraccin podemos obtener informacin de la estructura del
slido
i (k o .r t )
r r
r
( r ) e o.e.m. plana monocromtica, que se propaga en el vaco, puede ser representada por una funcin de onda
r 2
| ko | =
r f i (kr rr t ) r r 2
d ( r ) e | k | =| k o | =
r
r r
( )
r r r r
Es necesario introducir un factor de desfase ik o . j fj i k o . j +|k|. |rj |
e dj (rj ) e
rj
f=factor de difusin atmica que depende de la naturaleza del tomo
Veamos el efecto de la dispersin por todos los tomos del cristal, en un punto D donde se sita un detector de radiaciones. Debido a las
condiciones geomtricas existentes en las experiencias de difraccin, en las que la distancia entre la muestra y el detector es del orden de
10 20 cm,
fj rr r r
i ( k R k . j )
r r r
dj e ( k = k k o )
R
Fsica de Materiales
r 1 r 2 r 2
I ( k ) 2 G ( k ) . F ( k )
R
DEPENDE DE LA
DEPENDE DE LA BASE
RED ESTRUCTURAL
Fsica de Materiales
r N1 r r N 2 r r N 3 r i r
. e ik.l 3 .a 3
1 .a 1
i
G(k ) = e i k.l . e i k.l i 2 .a 2 (2.41)
i i i
r r r r r r r r
e ik.N1a1 1 e ik.N1a1 1 e 0 e ik.N1a1 e ik.N1a1 + 1
rr . rr = rr rr =
e ik.a1 1 e ik.a1 1 e 0 e ik.a1 e ik.a1 + 1
N rr
4.sen2 1 k.a1
= 2
1 rr
4.sen2 k.a1
2
Fsica de Materiales
N1 r r 2 N2
rr 2 N3
rr
r 2 sen 2 k.a 1 sen k.a 2 sen k.a 3
G(k ) = 2 2 2
2 1
rr . 2 1
rr . 1 rr
sen k.a1 sen k.a 2 sen 2 k.a 3
2 2 2
( )
sen N / 2 k.a
Representacin grfica de 1
rr
1
2
rr
r r versus k.a1
sen(1/2) k.a1
Fsica de Materiales
Es decir:
r
i) los vectores k estn contenidos en el espacio recproco.
ii) para que exista difraccin originada por la familia de planos (hkl),
r
en una direccin definida por el vector deflexin k , es condicin
r r
necesaria que k coincida con el vector de la red recproca g(h, k, l)
asociado a estos planos.
Fsica de Materiales
Ley de Bragg
r r r
2 | k | sen =| k || ng |
2
d hkl = r
|g|
r 2
| ko | =
2d hkl sen = n
Condiciones de Bragg de la difraccin
Construccin de Ewald
r
1) Se dibuja en el espacio recproco el vector k 0 correspondiente al haz
incidente, con la condicin de que debe situarse de manera que acabe
en un punto reticular (O'). Con este vector como radio y tomando
como origen el extremo inicial del vector, O, se construye una esfera
(una circunferencia en la representacin bidimensional de esta figura).
r
2) Los posibles vectores k que definirn los haces emergentes
Construccin de Ewald en el espacio recproco para una situacin bidimensional difractados, deben partir del origen O y acabar en la superficie de la
r r
esfera, ya que como recordaremos | k 0 |=| k |= 2 / .
r r
Las ecuaciones de Laue, segn la relacin 2.45, establecen que k = g , y
por tanto:
r
F(g) =
rr
ig. t j [2.(ht j1 +kt j 2 +lt j3 )]
jf j e = jf j e (2.48)
r
Considerando los valores de tj correspondientes a esta estructura se
obtiene:
Se debe calcular para cada [
Fhkl = fFe() 1 + e i (h + k + l) ] (2.49)
slido: base estructural De esta forma, la intensidad difractada ser I=0 cuando, a pesar de
cumplirse las leyes de Laue, la suma (h + k + l) sea impar:
especfica Fhkl = fFe( ) [1 1] = 0 I(h k l) = 0
lo que significa que planos cristalogrficos como el (100), (300), (111), (221), etc.,
no producen figuras de difraccin. En otras palabras, el difractograma del Fe() no
contendr informacin correspondiente a ese tipo de planos.
Por el contrario, cuando (h+k+l) sea par, se tiene:
Fhkl = 2fFe( )
f A exp[2i(0)] F = 4 fA:
A (0, 0, 0) h + k
h, k, l: todos pares
f A exp 2 i todos impares
2
A (, , 0) enteros.
f.c.c.
h + l
Extinciones
A (, 0, ) f A exp 2i F = 0:
2 sistemticas o
A (0, , ) h, k, l: pares e
l + k
f A exp 2i
impares enteros reglas de extincin
2 mezclados.
F = 2 fA:
f A exp[2i(0)]
A (0, 0, 0) h + k + l= par.
h + k + l
b.c.c. A (, , ) fA exp 2i
F = 0:
2
h + k + l= impar.
F = fA+ fB:
f A exp[2i(0)]
h + k + l= par.
A (0, 0, 0)
h + k + l F = fA- fB:
b.c.c. fB exp2i
B (, , ) 2
h + k + l= impar.
Fsica de Materiales
Ejemplo
En el cuarto apartado de este captulo se presentaba la posibilidad de
representar una estructura cristalina en trminos de los conceptos de red y de
base estructural. Tambin se citaba el hecho de que el criterio de eleccin de la
red y de la base estructural no es nico. En el ejemplo anterior se ha recurrido al
uso de tan slo uno de los criterios para representar la estructura del Fe().
Una duda que puede surgir es si dada una estructura, que es posible
describir de dos maneras distintas, los resultados de la caracterizacin estructural
por mtodos de difraccin conducen a los mismos resultados en ambos casos.
Para comprobarlo, consideremos una estructura cristalina monoatmica de
tipo f.c.c. y demostremos que el clculo terico del difractograma resultado es
idntico cuando se elige:
a) Una red cbica simple y una base estructural formada por cuatro tomos por
celdilla en posiciones genricas (0, 0, 0), (, , 0), (, 0,), (0, , )
b) Una red de tipo f.c.c. con una base estructural formada por un nico tomo por
celdilla primitiva en posicin genrica (0, 0, 0)
Una red cbica simple y una base estructural formada por cuatro tomos por celdilla en posiciones genricas (0, 0,
0), (, , 0), (, 0,), (0, , )
Distancias entre planos Valores de 2a sen / h 2 + k 2 + l 2 obtenidos utilizando la descripcin red cbica
simple y cuatro tomos por celdilla (base estructural)
a
dhkl = Valores de (hkl) 2asen /
h +k +l
2 2 2
(111) 3
(200) 4
(220) 8
Reglas de extinci
extincin:
(311) 11
Una red de tipo f.c.c. con una base estructural formada por un nico tomo por celdilla primitiva en posicin genrica (0, 0, 0)
a
dhkl =
3(h 2 + k 2 + l 2 ) 2(hk + hl + kl) (hkl) 2asen /
(100) 3
(110) 4
(111) 3
Reglas de extinci
extincin:
(200) 12
Todos los hkl son validos
(210) 11
(211) 8
(220) 16
(322) 19
(321) 20
Fsica de Materiales
ESTRUCTURA CRISTALINA
RED RECIPROCA
CAMINO FACTOR DE
POSIBLE
SENCILLO ESTRUCTURA
REALIZAR
LEY DE BRAGG GEOMTRICA
NGULOS PARA
EXTINCIONES
LO QUE PUEDE
SISTEMTICAS
HABER
DIFRACCIN
PATRN DE DIFRACCIN
Fsica de Materiales
2
dh k l
dhkl =
a
dhikili =
a i ii = Nj
h2 + k 2 + l 2 Ni dh k l Ni
j jj
Tabla 2.4. Relaciones Nj/Ni para la red cbica simple. Todos los planos cristalogrficos
estn permitidos
(100) 1 1 2 3 4 5 6 8
(110) 2 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 4,00
(111) 3 0,33 0,67 1,00 1,33 1,67 2,00 2,67
(200) 4 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 2,00
(210) 5 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00 1,20 1,60
(211) 6 0,17 0,33 0,50 0,67 0,83 1,00 1,33
(220) 8 0,13 0,25 0,38 0,50 0,63 0,75 1,00
Fsica de Materiales
Tabla 2.5. Relaciones Nj/Ni para la red bcc. Los planos cristalogrficos que dan lugar a
difraccin cumplen la condicin h+k+l=par
(110) 2 1 2 3 4 5 6 7
(200) 4 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,50
(211) 6 0,33 0,67 1,00 1,33 1,67 2,00 2,33
(220) 8 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75
(310) 10 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00 1,20 1,40
(222) 12 0,17 0,33 0,50 0,67 0,83 1,00 1,17
(321) 14 0,14 0,29 0,43 0,57 0,71 0,86 1,00
Tabla 2.6. Relaciones Nj/Ni para la red fcc. Los planos cristalogrficos que dan lugar a
difraccin son aquellos para los cuales los ndices (hkl) son todos pares o todos impares
Tabla 2.7. Tabla experimental para los cocientes entre las distancias interplanares
2
(di/dj) 3.024 2.138 1.747 1.513 1.354 1.235 1.144
3.024 1,00 2,00 3,00 3,99 4,99 6,00 6,99
2.138 0,50 1,00 1,50 2,00 2,49 3,00 3,49
2
dhikili 1.747 0,33 0,67 1,00 1,33 1,66 2,00 2,33
dh jk jl j
1.513 0,25 0,50 0,75 1,00 1.25 1,50 1,75
1.354
1.235
0,20
0,17
0,40
0,33
0,60
0,50
0,80
0,67
1,00
0,83
1,20
1,00
1,40
1,17
1.144 0,14 0,29 0,43 0,57 0,71 0,86 1,00
Fsica de Materiales
VT
Z
JT
VT
z
(
exp A1 / 2 z )
Donde VT es aplicada entre dos electrodos muy prximos, separados una distancia z, A =
1.025 (eV)-1/2 -1 para el vaco y es la funcin trabajo entre los electrodos.
Fsica de Materiales
Fsica de Materiales
1/ 2
J T (5.0) J T (5.01) (VT / 5.01).e A( 4 ) 5.01
Un incremento de 0.01 producira una = 1 1/ 2
2%
J T (5.0) (VT / 5.0)e A( 4 ) 5.0
disminucin relativa de la corriente tnel
de
Fcilmente medible
Fsica de Materiales
amperimetr
o
barrido VT
corriente
tunel
distancia
Microscop
Microscopa de Fuerza At
Atmica (Atomic
(Atomic Force Microscopy)
Microscopy)
sensor
lser
fuerza
fotodetector
fuerzas
repulsivas
separacin
fuerzas
atractivas
Fullerenos
en cobre
Nanopparticulas
autoensambladas
Fsica de Materiales
Microscop
Microscopa de Fuerza At
Atmica (Atomic
(Atomic Force Microscopy)
Microscopy)
sensor
lser
fuerza
fotodetector
fuerzas
repulsivas
separacin
fuerzas
atractivas
Fullerenos
en cobre
Nanopparticulas
autoensambladas
Fsica de Materiales
Carbon nanotubes