INSA Responsable de stage

Strasbourg Christian Andrieux

lve ingnieur Tuteur de stage

5me anne Alexandre Dubois
Gnie lectrique
Valentin Poirault

ETUDE ET OPTIMISATION
DALIMENTATION A DECOUPAGE

Professeur responsable Ralis du 16/02/2015

Jean-Michel Hube au 14/08/2015
 Institut National des Sciences Appliques de Strasbourg

Rsum

PROJET DE FIN DETUDES

Auteur : Valentin POIRAULT Promotion : 2015

Titre : tude et optimisation dalimentation dcoupage Soutenance : 24/09/2015

Structure daccueil : LEROY SOMER 16000 ANGOULEME

Nb de volume(s) : Nb de pages :
Nb de rfrences bibliographiques :

Rsum : Etude dune alimentation dcoupage 80W alimentant les principaux organes ncessaires au
contrle et fonctionnement dun variateur complet (100kW 2800kW). Loptimisation de lalimentation doit
avoir pour rsultat la rduction du cot en matires, du temps de montage, rsoudre lobsolescence de
certains composants ainsi quun gain de place et lajout de fonctionnalits. Dimensionnement dun circuit de
dmarrage autonome supportant des tensions comprises entre 300V et 1200V continu. Lutilisation de
MOSFET SiC permet la rduction des pertes, de la taille du dissipateur et du temps de montage. La
ralisation dun transformateur dimpulsion planar rsout lobsolescence du composant prcdent. Un
circuit dcoupage intgr augmente les performances de la rgulation de sortie et permet un montage
uniquement CMS.

Mots cls : Alimentation dcoupage, MOSFET SiC, transformateur planar, Leroy Somer

Traduction : Study of 80W Isolated DC/DC converter supplying control and switching boards of
motor driver up to 2,8MW. Improving the power supply results in reducing components costs and
board size, saving assembly duration, adding new options and the replacement of obsolete
component. Starter circuit is designed to work from 300V to 1200V. SiC MOSFET reduces losses,
heater size and assembly time. The obsolete component is replaced by planar pulse transformer.
DC/DC Converter is used for output regulation with Integrated Circuit to improve efficiency and
reduce the size with only Surface Mounted Device.

2
Contents
Rsum ................................................................................................................................................................................... 2
1. Remerciements................................................................................................................................................................ 5
2. Introduction..................................................................................................................................................................... 6
3. Prsentation de lentreprise ............................................................................................................................................. 7
1. Lhistoire de LEROY SOMER ................................................................................................................................... 7
2. Groupe Emerson ......................................................................................................................................................... 8
3. Structure LEROY SOMER ......................................................................................................................................... 8
4. Lusine des Agriers ................................................................................................................................................... 10
5. Le service RDE ......................................................................................................................................................... 10
4. Prsentation du sujet ..................................................................................................................................................... 11
1. Dfinition des lments ............................................................................................................................................ 11
1) Positionnement du produit .................................................................................................................................... 11
2) Fonctions principales ............................................................................................................................................ 12
3) Contraintes Leroy Somer ...................................................................................................................................... 13
4) Versions de produits ............................................................................................................................................. 13
2. tude de la premire version .................................................................................................................................... 14
3. tude de la seconde version ...................................................................................................................................... 15
4. Objectifs .................................................................................................................................................................... 16
5. Orientation des solutions .......................................................................................................................................... 16
5. Solutions tudies ......................................................................................................................................................... 17
1. Transformateur dimpulsion planar .......................................................................................................................... 17
1) Spcifications techniques ...................................................................................................................................... 17
2) Commande simple secondaire .............................................................................................................................. 17
3) Dimensionnement du transformateur dimpulsion ............................................................................................... 24
1. Spcifications ........................................................................................................................................................ 24
2. lments variables et contraintes .......................................................................................................................... 25
3. lments parasites................................................................................................................................................. 28
4. Ralisation ............................................................................................................................................................ 32
5. Mesures ................................................................................................................................................................. 33
6. Essais .................................................................................................................................................................... 33
7. Conclusion ............................................................................................................................................................ 35
2. lments de commutation et thermique .................................................................................................................... 35
1) Structure Flyback 1 interrupteur ............................................................................................................................... 35
1. Calculs .................................................................................................................................................................. 35

3
 2. Carte existante et simulation ................................................................................................................................. 37
3. Slection dinterrupteur ........................................................................................................................................ 38
4. Dimensionnement thermique ................................................................................................................................ 39
5. Carte existante....................................................................................................................................................... 41
6. Modifications ........................................................................................................................................................ 41
7. Tests ...................................................................................................................................................................... 41
8. Conclusion ............................................................................................................................................................ 44
2) Structure Flyback 2 interrupteurs.............................................................................................................................. 44
1. Dimensionnement ................................................................................................................................................. 44
2. Simulation ............................................................................................................................................................. 45
3. Slection de composants ....................................................................................................................................... 46
4. Dimensionnement thermique ................................................................................................................................ 49
5. Essais .................................................................................................................................................................... 50
6. Conclusion ............................................................................................................................................................ 54
3. Dmarrage de lalimentation .................................................................................................................................... 54
1) Objectifs et contraintes ......................................................................................................................................... 54
2) Circuit de dmarrage actuel .................................................................................................................................. 54
3) Schma envisag ................................................................................................................................................... 55
4) Simulation ............................................................................................................................................................. 56
5) Essais .................................................................................................................................................................... 57
4. Rgulation des tensions de sortie .............................................................................................................................. 58
1) Objectifs et contraintes ......................................................................................................................................... 58
2) tudes et solutions possibles................................................................................................................................. 58
3) Ralisation ............................................................................................................................................................ 59
4) Conclusion ............................................................................................................................................................ 61
6. Carte complte .............................................................................................................................................................. 62
1. Intgrations ............................................................................................................................................................... 62
2. Ralisation ................................................................................................................................................................ 64
3. Fonctionnement ........................................................................................................................................................ 65
4. Conclusion ................................................................................................................................................................ 65
7. Conclusion gnrale...................................................................................................................................................... 65
8. Table des figures ........................................................................................................................................................... 66

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1. Remerciements

Je tiens remercier tous dabord lensemble des personnes qui ont contribu au bon droulement de
mon stage pour leur accueil ainsi que leur disponibilit qui mont permis de mintgrer dans leur quipe et
de travailler dans dexcellentes conditions.

Je voudrais ensuite remercier plus particulirement les personnes suivantes :

M. Christian Andrieux, mon responsable de stage, pour mavoir propos un sujet intressant, ainsi
que pour son coute, sa disponibilit et son encadrement lors de la ralisation de ce projet.

M. Alexandre DUBOIS, mon tuteur de stage, pour sa disponibilit et son aide, afin dintgrer le
fonctionnement du service RDE et la prsentation des produits tudis.

M. Jean-Marie ANDREJAK, responsable du service Recherche et Dveloppement Electronique

(RDE), pour mavoir permis deffectuer mon stage au sein du bureau dtudes

Messieurs : Guillaume BOSSANT, Ivan KRATZKOV, Charles LACAUX, Patrick BITEAU et

lquipe GT8, pour mavoir apport leur aide et rpondu mes questions tout au long de mon
projet.

M. Jean-Michel HUBE, mon professeur responsable lINSA de Strasbourg.

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 2. Introduction

Dans le cadre de ma dernire anne de formation ingnieur lINSA de Strasbourg, la ralisation dun
stage de 6 mois ma permis dacqurir une nouvelle exprience en entreprise. LEROY SOMER est une
entreprise de conception et production de moteurs lectriques et alternateurs, cest donc au service Recherche et
Dveloppement lectronique, Division lectronique Industrielle (RDE DEI), que jai pu effectuer un projet de
fin dtude en lien direct avec formation.

Le sujet du stage tant ltude et loptimisation dune alimentation dcoupage, il sest droul lusine
des Agriers Angoulme o la carte est produite. La carte tudie permet dalimenter llectronique de
commande des variateurs de puissance de 50kW 2MW. Lalimentation ayant t ralise quelques annes
plus tt, plusieurs versions existent dont certaines ncessitent des composants obsoltes. Les objectifs ont donc
t de remplacer les composants obsoltes mais aussi de prvoir un systme dalimentation qui pourrait intgrer
les diffrentes fonctions des prcdentes versions dans le cadre dun nouveau projet en cours de
dveloppement.

Ce rapport vous prsentera le projet global et les tapes ncessaires au droulement du projet. Aprs la
prsentation de lentreprise, une description plus prcise des diffrentes versions de carte dalimentation
permettra de cerner les fonctions et les objectifs ainsi que les solutions envisages. Ltude et limplantation de
ces diffrentes solutions seront ensuite dtailles avec les rsultats dessais. La conclusion rpertoriera la
faisabilit et lintgration des diffrentes solutions tudies.

6
 3. Prsentation de lentreprise
1. Lhistoire de LEROY SOMER
Implante Angoulme, la socit Leroy-SOMER est la plus grande entreprise de la Charente ou elle
emploie plus de 2500 personnes. Il sagit dune vieille entreprise qui a su rester le leader mondial des machines
tournantes et de llectronique associe, en conservant un niveau de
recherche trs lev.

Le groupe Leroy-Somer en quelques chiffres :

Nom : Leroy-Somer, groupe Emerson
Sige Social : Usine de Sillac avenue Marcellin Leroy 16000
Angoulme
Statut Juridique : Socit Anonyme
Date de cration : Fonde en 1919 par Marcellin Leroy sous le nom Moteurs Leroy
Effectif franais : 7900 personnes, dont 6000 ouvriers, 600 employs en recherche et
dveloppement, 600 employs au service aprs-vente, 700 commerciaux
Chiffre daffaires : 1.3 milliard dEuros.
Son histoire est la suivante travers quelques dates importantes:
1919 : Cration des moteurs Leroy a Sillac (Angoulme, Charente)
1958 : Marcellin Leroy laisse son entreprise
Il dsigne George Chavannes pour lui succder. Apres 1960, lre de lindustrialisation
permet la construction de nouvelles usines :
1961 : Construction de lusine de Rabion (Angoulme) Figure 1 : Marcellin Leroy
1966 : Construction de lusine du Gond Pontouvre (Charente)
1972 : Construction de lusine des Agriers (Angoulme)
1973 : Construction des usines de Mansle et Champniers (Charente)
1985 : Construction de lusine de Barillon

Afin daccroitre sa prsence sur le march des moteurs industriels et dans le monde, Leroy-Somer
dploie une vaste campagne de rachats dentreprises et de fusions dont la plus importante est en 1967 : Fusion
entre Moteurs Leroy et Somer (Socit Mcanique et Electricit du Rhne) a Lyon qui donnera Moteurs Leroy
Somer.

Ds 1961, Leroy-Somer installe ses entreprises dans toute lEurope en commenant par lItalie, puis trs
vite lAllemagne, la Suisse, la Grande Bretagne, la Belgique, les Pays-Bas et lEspagne possdent leurs filiales
.
Peu aprs en 1975, des premiers rsultats encourageants amnent Leroy ouvrir des filiales dans
plusieurs villes du monde entier, on trouve des usines au Canada, des bureaux New-York, des filiales dans le
sud-est asiatique, en Afrique ou encore en Amrique du Sud.

Le dsir datteindre une stature mondiale sest fait ressentir lorsque Leroy Somer rachte KinG Bearing
en 1984 et plus rcemment, entre 1989 et 1990, lorsquEmerson rachte la totalit du capital de Leroy Somer
pour devenir le n1 mondial du moteur lectrique et de llectronique associe.

7
 2. Groupe Emerson
Emerson est un groupe dinvestissement amricain regroupant plusieurs dizaines dentreprises
spcialises dans lautomatisme industriel, les composants de chauffage, les appareils lectroniques, le contrle
de processus.

Sige social : Saint Louis, U.S.A

Chiffre daffaires : 28,4 milliards de dollars
Effectifs : 140 000 employs
Structure : plusieurs divisions bases autour de llectronique, dont la
division automatisme industriel, regroupant :
Leroy-Somer
US Motor (CA: 260 million d' Euros)
Control Technique (CA : 170 millions d'euros ; spcialis dans les variateurs de vitesse)

3. Structure LEROY SOMER

Lentreprise Leroy-Somer est structure en 5 grandes divisions :

Une division entrainements fractionnaires pour les puissances infrieures 1kW.

Deux divisions entrainements industriels pour les puissances suprieures 1 kW : division moteurs
industriels et division lectromcanique.
Une division lectronique pour la commande des machines.
Une division pour les machines de production dnergie (alternateurs).

Les activits

Lactivit de lentreprise comporte deux grands groupes savoir les Alternateurs et les Moteurs, la part
est de 45 % pour les alternateurs contre 55% pour les moteurs.

Figure 2 : Gamme de produits

Leroy-Somer matrise ses produits, de la conception jusqu la maintenance, grce un savoir-faire

authentique dvelopp dans chacune de ses techniques fondamentales de base :

8
 La conception doutillage
Le dcoupage des tles magntiques suite
Le bobinage automatis
La fonderie sous pression aluminium
La fonderie fonte
Linjection de matriaux composites
Lusinage
Les techniques de montage et qualification
Limplantation de composants lectroniques sur cartes.

Et grce la recherche et au dveloppement de nouveaux outils sont ns, comme la modlisation

informatise dans les bureaux dtudes, la mise au point de nouveaux principes de commandes de moteurs, les
rgles de fabrication dengrenages plus capacitifs.

Ventes et Service Aprs-Vente

Leroy-Somer est un constructeur mondial de moteurs lectriques, ses ventes se dploient sur lensemble
des territoires mais surtout dans les pays industrialiss. 70% de ses clients sont des constructeurs, ceci est d
principalement la nature industrielle de ses produits. Depuis quelques annes Leroy-Somer est Certifi ISO
9000. Cest une norme de qualit qui englobe toutes les tapes de fabrication, de conditionnement et de
conception des produits. En France, on trouve 22 succursales constructrices et
15 industries de service. 470 points de vente et de service concrtisent la forte
prsence de Leroy-Somer dans le monde. Les implantations sont totalement
intgres au pays et sont constitues de nationaux qui connaissent les besoins
industriels, les pratiques commerciales, les normes en vigueur.

Les usines LEROY SOMER en France

Lyon : Fabrique 4000 moteurs/jour (moteurs fractionnaires) dont la puissance

est infrieure
1kW avec 400 personnes.
Gond Pontouvre (Charente) : Fabrique 2000 moteurs/jour dont la puissance Figure 3 : Rpartition des ventes dans
est comprise le monde

entre 1 et 15 kW avec 600 personnes.

Mansle (Charente) : Fabrique des moteurs de puissance comprise entre 15 et 300 kW en
ouvert et 200 kW en ferm, lusine est constitue de 300 personnes.
Beaucourt : Fabrique des moteurs de puissance comprise entre 300 et 900 kW avec 350
personnes.
Rabion (Angoulme) : Fabrication de rducteurs de vitesse (plantaire, ortho bloc, pompa
bloc, roue et vis), lusine est constitue de 430 personnes.
Sillac (Angoulme) : Sige social ; 350 personnes pour la fabrication des alternateurs et 350
personnes pour les services centraux (comptabilit, ressources humaines, expdition,
publicit, division internationale).
Les Agriers (Angoulme) : Fabrication de machines tournantes courant continu et de
systmes dentranement, et d'lectronique associe, avec 410 personnes.
Champniers : Lusine fabrique loutillage spcial, accueille le centre de formation et la salle dexposition.

9
 4. Lusine des Agriers
Lusine des Agriers, situe Angoulme, est construite en 1972. Au dbut, il comprend deux entits de
production indpendantes, la Division Machines Tournantes (DMT) et la Division Electronique Industrielle
(DEI). Chaque division fonctionne indpendamment lune de lautre, elles ont chacune un service commercial,
et un service technique autonome. Depuis 1 an, DMT a t rparti sur plusieurs sites. Maintenant, il ny a que
DEI dans lusine des Agriers. Leffectif de lusine des Agriers est
denviron 200 personnes.

DEI est spcialise dans la fabrication des systmes lectroniques

associes aux moteurs. On y trouve la conception de cartes, darmoires
lectriques et de systmes didactiques.

Dans lusine des Agriers, on peut trouver des bureaux dtude, de

recherche et dveloppement et aussi des bureaux de marketing et
commercial.

Figure 4 : Usine des Agriers

5. Le service RDE
Le dpartement RDE (Recherche et Dveloppement en Electronique) dirige par M. Andrejak, est
constitu de plus de 30 personnes. Il regroupe plusieurs services spcialiss dans linformatique industrielle, la
conception assiste par ordinateur (CAO), llectrotechnique, llectronique et la conception de prototypes.
Les liens autour du dpartement RDE sont nombreux et de toutes natures. Il est en collaboration directe
avec la production, le service commercial, le service qualit, le service marketing et le service aprs-vente.
Le dpartement RDE poursuit plusieurs axes dtudes avec diffrentes quipes. Ces quipes travaillent
principalement sur trois produits diffrents :

Variateur VARMECA (Variateur lectronique intgr pour moteurs et motorducteurs de 0,25

kW 11 kW)
Variateur POWERDRIVE (variateur lectronique modulaire industrialis dans une armoire
lectrique destin lalimentation de moteurs triphass, asynchrones ou synchrones).
Variateur FX (variateur de vitesse qui possde la particularit dtre rversible)

10
 4. Prsentation du sujet
Ce projet de fin dtude consiste tudier et optimiser une alimentation dcoupage. Cette partie va donc
situer le problme dans son ensemble et analyser les diffrents lments qui ont permis dtablir le cahier des
charges et fixer les objectifs du stage.

1. Dfinition des lments

1) Positionnement du produit
La carte actuellement tudie est situe dans les variateurs de puissance de 50kW 2MW. Elle permet
de fournir une alimentation isole aux organes de commandes et de contrle du variateur. Les signaux de
commande et de mesure sont aussi isols du circuit de puissance principal et transfrer via la carte
dalimentation au microcontrleur. Selon la puissance ncessaire, les organes de puissance peuvent tre
parallliss. Les options et la gamme de tension ont donc donn diffrentes versions du produit, mais le
principe reste le mme.

Figure 5 : Schma blocs variateur

Sur le schma blocs ci-dessus on peut voir que la carte interface est le centre des appareils de contrle
du variateur. Elle alimente et transfre les signaux de carte carte. En plus de lalimentation, de nombreuses
fonctions sont implmentes afin de garantir lintgrit des signaux de commandes et de mesure. Les fonctions
de transfert de signaux peuvent donc varier selon la configuration des cartes annexes et du variateur.

11
 2) Fonctions principales
Le rle de la carte interface est donc essentielle au fonctionnement du variateur, certaines fonctions sont
donc indispensables dans le dimensionnement de lalimentation :

Dmarrage par le rseau

Dmarrage par le bus continu entre 200V et 1200V
Tensions dalimentation fournir 15V/-15V/24V/8V

Le schma suivant reprsente les connections entre les diffrentes cartes dans le cas dun variateur
standard. Cela montre aussi la ncessit de rduction de taille de lalimentation d la densit de signaux.

Figure 6 : Diagramme des fonctions

12
Le tableau suivant montre la consommation des diffrentes cartes selon le niveau de tension demand :
Tableau 1 : Bilan de puissance

3) Contraintes Leroy Somer

Les caractristiques techniques de lalimentation et la slection de composants sont aussi limites par
certaines contraintes imposes par les normes, le service achat, la production et le fonctionnement et la
politique de lentreprise.

Les produits tant vendus en Amrique du Nord, ils doivent

respecter la norme Underwriters Laboratories UL afin de garantir le
fonctionnement et la scurit du produit. Cette norme mondialement
reconnue assure grce aux tests le respect des normes face aux risques Figure 7 : Logo UL
mcaniques, dincendie et de chocs lectriques.

Le service achat soccupe de lapprovisionnement et la ngociation des composants ncessaires la

production. Les prix peuvent fluctuer selon les fabricants grce au groupe Emerson ou les fournisseurs annexes
de Leroy Somer. Mais il est prfrable de les utiliser car cela permet dassurer la scurit et un retour qualit en
cas de dfaillance du composant.

Afin de ne pas augmenter la diversit des composants utiliss sur les cartes, il est prfrable dutiliser un
maximum de composants dj prsents dans le stock de lentreprise. Sil est possible de rduire le
rapprovisionnement et le stockage de nouveaux composants, cela conduit aussi la rduction des cots.

Lors de la conception de nouveaux produits, chaque composant doit pouvoir tre remplac par celui
dun fabricant diffrent afin de pallier aux problmes de production et approvisionnement.

4) Versions de produits
La carte interface comprend lalimentation et le transfert des signaux. La variation en termes de gammes
de puissance et tension ncessite diffrentes versions de ces cartes. Le montage ou non de certains composants
lors de la ralisation de la carte permet dobtenir ou de supprimer certaines options, ce qui donne de nouvelles
versions de cartes. La suite dtaillera seulement les deux diffrents principes dalimentation que lon peut
trouver sur les versions cartes.

13
 2. tude de la premire version
La premire version traite est une structure Flyback avec un transistor bipolaire 1500V contrl par un
MOSFET lui-mme contrl par le circuit intgr UC2844 qui permet de limiter le pic de courant dans le
primaire du transformateur et de rguler la tension du secondaire. Le transformateur est constitu de 5
enroulements secondaires permettant dobtenir des tensions abaisses. Le +15V est rgul par un retour de
tension isol jusqu lUC2844, tandis que le 24V et -15V sont rguls par des rgulateurs de tension linaire.
Le 8V est distribu et rgul sur la carte microcontrleur et un dernier secondaire rgul par des diodes Zener
sert lauto-alimentation de lUC2844.

Figure 8 : Schma Flyback un interrupteur

Ici la carte dalimentation a t dimensionne pour tre capable de fournir 60W. La configuration
permet un dmarrage par le bus de 200V 800V et par le rseau 230V mais la tension dentre est limite
800V. Elle est dfinie pour un rseau alternatif 400V, la surtension est calcule

Dans cette version le transistor bipolaire 1500V est obsolte, le dimensionnement thermique des
rgulateurs linaires nest pas vraiment optimal.

14
 3. tude de la seconde version
La seconde version est aussi une structure Flyback mais avec deux MOSFETs sur le primaire contrl
par le circuit intgr UC2844 qui permet de limiter le pic de courant dans le primaire du transformateur et de
rguler la tension du secondaire. Le primaire du transformateur dispose dun point milieu qui permet de rpartir
la tension dentre sur les deux MOSFET. Le signal de commande des MOSFETs est transfr via un
transformateur dimpulsion qui permet dassurer la synchronisation du signal car les deux MOSFETs sont
commands simultanment. Le transformateur est constitu de 5 enroulements secondaires permettant dobtenir
des tensions abaisses. Le +15V est rgul par un retour de tension isol jusqu lUC2844, tandis que le 24V et
-15V sont rguls par des rgulateurs de tension linaire. Le 8V est distribu et rgul sur la carte
microcontrleur et un dernier secondaire rgul par des diodes Zener sert lauto-alimentation de lUC2844.

Figure 9 : Schma Flyback 2 interrupteurs

La carte dalimentation est ici capable de fournir 80W et supporter le rseau alternatif 690V. Soit une
surtension. D cette tension dentre leve, le dmarrage par le bus na pas t implment et il
faut utiliser le dmarrage par le rseau 230V ou une alimentation annexe entre 15V et 30V.

Cette version utilise deux MOSFETs au rendement moyen et sont fixs sur un dissipateur volumineux.
Le transformateur dimpulsion est obsolte dont la traabilit est peu fiable. Les rgulateurs linaires sont les
mmes que la premire version avec un faible rendement.

15
 4. Objectifs
Plusieurs objectifs ont t fixs afin de rsoudre les problmes sur les deux versions prcdentes mais
aussi anticiper le dveloppement dun futur projet. Dans cet optique, une liste commune des objectifs et pour
chaque version permettra danalyser plus clairement les problmes et ensuite orienter les solutions.

Version Flyback 1 interrupteur :

Rsoudre lobsolescence du transistor bipolaire

Optimiser la rgulation des secondaires
Rduire la taille et liminer les circuits et composants auxiliaires

Version Flyback 2 interrupteurs :

Rsoudre lobsolescence du transformateur dimpulsion

Rduire la taille du dissipateur thermique
Optimiser la rgulation des secondaires
Rduire la taille et liminer les circuits et composants auxiliaires

Nouvelle version Flyback :

Dmarrage par le bus

Dmarrage par le rseau
Tension dentre maximale 1400V
Rgulation des tensions secondaires
Optimisation de la taille de lalimentation

Tous ces objectifs doivent tre raliss et tests en accord avec les contraintes Leroy Somer, conformit
pour les normes UL, slection de composants double-sources en utilisant des fournisseurs homologus.

5. Orientation des solutions

Mme si les contraintes imposes par lentreprise sont nombreuses, il faut tout de mme prendre en
compte lvolution des technologies qui pourrait donner un avantage certain au produit et viterait une
obsolescence trop rapide. Les technologies suivantes ont donc t tudies afin rsoudre les problmes cits
prcdemment, mais il faut tout de mme que ces solutions respectent les contraintes et naugmentent pas
significativement le cot en matire de la carte :

Technologie planar pour le transformateur dimpulsion

Technologie Carbure de Silicium pour les MOSFETs
Technologie polymre pour les condensateurs aluminiums
Composants monts en surface pour la rgulation linaire

16
 5. Solutions tudies
1. Transformateur dimpulsion planar

Cette partie traitera de la rsolution de lobsolescence du transformateur dimpulsion en utilisant la

technologie planaire. Une premire partie dcrira les spcifications techniques indispensables au
dveloppement du futur composant. La partie suivante dmontrera lutilisation dun transformateur simple
secondaire avec les diffrentes tapes qui ont permis de justifier ce choix. La suite traitera de la ralisation du
transformateur planar avec les phases de dveloppement ncessaires la validation du produit. Enfin une
conclusion mettra en vidence les avantages et inconvnients ainsi que les problmes rencontrs.

1) Spcifications techniques

Le transformateur dimpulsion doit tre capable de transmettre les signaux de commande aux
MOSFETs. Il doit donc fournir suffisamment dnergie pour la commutation mais aussi garantir lintgrit du
signal pour des rapports cycliques aussi faibles que possible une frquence de 40kHz. La commande des
MOSFETs est 15V, cependant le seuil de dclenchement varie entre 2V et 5V selon les fabricants et la
technologie. Une des composantes essentielles est aussi la tenue en tension et lisolation entre les enroulements
qui doit respecter les normes actuelles.

Le but est de raliser un transformateur planar ou planaire, le principe est de clipper une ferrite autour
des enroulements dessins sur le circuit imprim. La taille et les caractristiques du matriau ferromagntique
sont imposes par le fabricant. Lisolation entre pistes, la taille des pistes et le nombre de couches du circuit
imprim imposent des contraintes physiques supplmentaires, mais sont malgr tout limits par la faisabilit et
le cot de ralisation du circuit imprim. Certaines ferrites plus grandes permettent lempilement de plusieurs
circuits imprims, dfaut dune augmentation de taille, on peut doubler le nombre denroulements. Cependant
mme si le fonctionnement est valid, un des paramtres les plus contraignants est lisolation entre
enroulements qui doit respecter les normes UL.

2) Commande simple secondaire

Le transformateur dimpulsion prcdent possde 2 secondaires identiques qui transfrent le signal isol
chaque MOSFET avec un rapport de transformation de 1. Afin dobtenir un transformateur planar efficace et
de taille rduite, une tude a t faite afin dutiliser un seul secondaire sur le transformateur. Cette partie traite
de la commande du MOSFET ct haut situ sur le premier primaire du transformateur qui est reli un
potentiel pouvant atteindre 1200V. Les tapes ayant permis darriver la suppression dun secondaire vont tre
dcris par la suite.

17
 1. tude

La modification de la commande des 2 MOSFETs ncessite ltude du schma prcdent afin de ne pas
altrer le fonctionnement actuel. Lanalyse des modifications ncessaires sera ensuite effectue pour tre
vrifie par la simulation et enfin valide grce aux tests.

Figure 10 : Commande actuelle MOSFETs

Ici on peut voir plus prcisment que le MOSFET Q7 ct haut est command par S2 entre la grille et la source
tandis que le MOSFET Q6 ct bas est command par S1 entre la grille et la source. Cependant la source du MOSFET
ct bas est connecte aux rsistances en parallles R7 R11 qui permettent de retranscrire une tension image du courant
circulant dans le primaire du transformateur. Ce courant mesur est exploit par le circuit intgr de contrle qui va
limiter son pic grce au contrle du rapport du cyclique. Le seuil de tension limitant le pic de courant est de 1.25V, on
estime donc que cest la tension maximale aux bornes des rsistances, car si elle est atteinte les MOSFETs souvrent, le
courant ne circule plus et la tension chute. Afin de supprimer le secondaire S1, il faudrait que le circuit daide la
commutation (CALC) soit connect au U BUS plutt qu la source du MOSFET ct bas. Cette modification
entrainerait une chute de tension sur la tension Grille-Source, mais celle-ci ne serait pas pnalisante au moment de la
fermeture du MOSFET car aucun courant ne traverse les rsistances. A louverture dans le cas o le courant pic est
proche du seuil, la chute de tension serait maximale, mais le risque engendr nest quun lger retard par rapport au
MOSFET ct haut.

18
 2. Simulation

De nombreuses versions de schmas de simulation ont t ralises afin doptimiser le temps et la taille
de stockage de donnes de simulation selon la ncessit.

Figure 11 : Schma de simulation 1

Voici un schma de simulation complet o un des secondaires du transformateur dimpulsion nest pas
utilis. De plus le circuit daide la commutation situ entre le MOSFET la sortie de lUC2844 est rfrenc au
GND et non la source du MOSFET. Les caractristiques du transformateur sont celles du transformateur
dimpulsion actuel. Afin de prvoir son fonctionnement dans son ensemble, les cas extrmes sont tudis :
rapport cyclique proche de 50% une tension dentre 300V et une charge maximale et rapport cyclique proche
de 1% une tension dentre de 1200V et une charge minimale.

Figure 13 : Simulation 400V en charge VGS Figure 12 : Simulation 1200V vide VGS

19
 Lorsque le rapport cyclique est proche de 50%, la tension de commande en sortie du transformateur
varie entre -7.5V et 7.5V alors que celle relie lUC2844 varie entre 0V et 15V. Cela induit un retard sur le
MOSFET ct haut et donc une surtension plus leve, mais ceci est ngligeable du fait que la tension est trs
infrieure la tension maximale Drain Source (VDSmax) des MOSFETs.

Lorsque le rapport cyclique est proche de 1%, les temps de commutation sont faibles et on peut voir
linfluence de linductance magntisante du transformateur dimpulsion sur les transitoires. Mme si les
tensions VDS restent quilibres, la diffrence entre les deux tensions commandes pourraient engendrer une
surtension supplmentaire qui serait destructrice une tension dentre 1200V.

Les essais vont donc pouvoir vrifier si les simulations savrent correctes.

3. Modifications de la carte actuelle.

La majorit des essais ont t effectus sur les cartes existantes afin de rduire les cots assurer un
fonctionnement de la carte de base. Dans tous les cas, les modifications ont pu tre ralises sur la couche
suprieure ou infrieure.

Le premier essai a t celui permettant de relier le CALC au GND en conservant le secondaire du

transformateur dimpulsion. Enfin le secondaire a t dconnect et le CALC directement reli lUC2844 afin
dobtenir la configuration du schma de simulation.

Modifications de la carte

Figure 14 : couche suprieure modifie

20
 Figure 15 : couche infrieure modifie

4. Essais

Les diffrents quipements disponibles pour les essais sont une alimentation continue stabilise 2x30V,
une alimentation continu 0-1200V, un Gnrateur Basse Frquence (GBF), un pont de mesure RLC, un
oscilloscope voies isoles avec sondes de tension 1000V et sondes de courant 30A et une carte de charge
rsistive 60W.

Les essais raliss sont fait dans plusieurs configurations et plusieurs points de tests ont t mesurs,
mais seulement les plages de fonctionnements critiques seront rpertories. Les diffrentes configurations sont
vide et en charge 60W pour des tensions dentre de 300V, 700V et 1200V. Il y a cependant deux types de
configurations vide , dans le cas du fonctionnement vide du variateur, la carte dalimentation doit au
moins alimenter la carte microcontrleur, ce qui correspond au fonctionnement standard minimal de la carte
dalimentation. Le cas o il ny a aucune charge sur la carte dalimentation a aussi t test mais celui-ci nest
thoriquement pas possible lors du fonctionnement du produit.

Le tableau suivant montre les rsultats des tensions Drain Source du MOSFET ct haut (VDS haut),
Drain Source du MOSFET ct bas (VDS bas), la sortie +15V (+15V), Grille Source du MOSFET ct haut
(VGS haut), Grille Source du MOSFET ct bas (VGS bas). Lchelle de temps est diffrente selon le cas afin
de pouvoir observer le fonctionnement densemble ou les retards la fermeture et/ou ouverture. Une
comparaison avec les signaux de la carte standard permet dobserver les diffrences et problmes corriger.

21
 Commande simple secondaire Commande double secondaire standard

VDS haut, VDS bas, 15V, I15micro, Vbus=300V VDS haut, VDS bas, 15V, I15micro, Vbus=300V

VDS haut, VDS bas, 15V, I15micro, Vbus=300V VDS haut, VDS bas, 15V, I15micro, Vbus=300V

VGS haut, VGS bas, 15V, I15micro, Vbus=300V VGS haut, VGS bas, I15micro, 15V, Vbus=300V

22
 Commande simple secondaire Commande double secondaires standard

VDS haut, VDS bas, 15V, Vbus=1200V VDS haut, VDS bas, 15V, Vbus=1200V

VDS haut, VDS bas, 15V, Vbus=1200V VDS haut, VDS bas, 15V, Vbus=1200V

VGS haut, VGS bas, 15V, Vbus=1200V VGS haut, VGS bas, 15V, Vbus=1200V

23
 5. Conclusion

Les courbes reprsentaient ci-dessus sont aussi le rsultat dune autre modification. Les signaux
originaux avaient un retard suprieur celui reprsent mais une rduction des rsistances de grille 10 a
permis dexploiter plus efficacement lUC2844 et donc rduire ce retard. 300V en charge, 108ns de retard en
VDS haut et VDS bas avec une rsistance de grille 47, rduit 40ns avec une rsistance de grille de 10.

La commande directe du MOSFET ct bas permet une nette amlioration du signal. Le fait de
supprimer le passage par le transformateur dimpulsion limine les parasites mais induit un retard par rapport
la commande du MOSFET ct haut. Cependant la bibliographie nous indique que la technologie planar
pourrait amliorer la qualit du transformateur dimpulsion en rduisant les lments parasites et linductance
magntisante pour augmenter sa rapidit. La suite va donc traiter de la ralisation du transformateur planar afin
de voir sil peut amliorer le fonctionnement dans cette configuration.

3) Dimensionnement du transformateur dimpulsion

Le transformateur dimpulsion planar a t ralis en suivant les tapes suivantes qui sont dtailles en
sous-parties. Le majeur problme lors de la ralisation du transformateur est d aux nombreux paramtres et
contraintes quil faut ajuster afin dobtenir le transformateur le plus adapt et performant pour le montage. Dans
une premire sous-partie, les paramtres variables seront lists, puis les distances disolation concernant les
normes UL et le calcul permettant de dimensionner le transformateur. Ensuite les diffrentes mthodes de
calcul des lments de fuites et capacitifs seront analyss pour ensuite voir la ralisation. La mesure des
lments du transformateur permettra de vrifier les rsultats des calculs et finalement les tests sur carte
dtermineront le transformateur le plus adapt.

1. Spcifications
Le transformateur dimpulsion est utilis pour la commande des thyristors, triacs et transistors. Il permet de
transmettre le signal de commande entre llectronique de commande et le circuit de puissance. La sparation
galvanique protge contre les destructions. Il est de plus capable de fournir le courant ncessaire aux
interrupteurs et peut tenir des tensions leves.

Le montage actuel utilise un transformateur dimpulsion non pas pour isoler la commande et la puissance
mais pour commander deux MOSFETs simultanment dont leur source est un potentiel diffrent. Le
transformateur utilis est du groupe PREMO et est devenu obsolte. Les caractristiques essentielles ce
transformateur sont les suivantes :

- Un rapport de transformation unitaire

- Une puissance denviron 3VA=15Vx0.1Ax2mos
- Frquence de 40kHz
- Faible rapport cyclique = faible inductance de fuite et magntisante.

24
 Caractristiques du pt22b3 de chez PREMO
Rsistance primaire et secondaire 600m
Inductance magntisante 3mH
Inductance de fuite 4.5uH
Capacit de fuite 45pF
Courant max 800mA

Afin de saffranchir du fournisseur et de rduire les cots de fabrication, il a t envisag dutiliser un

transformateur planar afin de remplacer le composant prcdent. En thorie, les enroulements seraient raliss
sur le circuit imprim et un E ferromagntique planar y serait clipp. Diffrentes tudes ont pu conclure que la
technologie planar permet de rduire linductance magntisante (soit le temps de monte) et
proportionnellement les inductances de fuites, malgr une augmentation des capacits parasites.

2. lments variables et contraintes

Slection du ferrite

Le noyau ferromagntique planar est le premier imposer des contraintes qui

peuvent tre mcaniques et magntiques. Le fabricant principal tant Ferroxcube, le
choix sera fait dans sa gamme suffisamment varie afin dviter de nouvelles
rfrences. Tout dabord la forme du noyau qui pourra sadapter au circuit imprim est
de forme E avec une plaque pour refermer le circuit magntique maintenu par un clip.
(E+PLT). Le type de matriau pour des frquences infrieures 1MHz est un ferrite
doux Manganse Zinc. Le grade choisi est standard et dispose des meilleures
caractristiques pour une frquence de 40kHz. 3C90 chez Ferroxcube. Les dimensions Figure 16 : Ferrite E + PLT
varient ensuite de E18 E64. La taille du ferrite est slectionne, de faon obtenir le
nombre de spires suffisant sans saturation du matriau et en respectant les distances disolation.

Routage et contraintes mcaniques

La taille minimale des pistes est limite par le courant, la technologie de fabrication et le prix. Afin de
rester dans les standards, lpaisseur de piste restera 35m en couche interne et externe. La fabrication limite
de la largeur de piste et lespacement entre pistes 0,2mm. Cependant la largeur de piste peut varier si le
nombre de tours nest pas entier afin de rduire la rsistance. Grce aux dimensions minimales, il est possible
de dterminer le courant maximal admissible en couche interne et externe qui dpend aussi des tempratures
maximales respecter. La formule de la norme IPC-2221 permet de calculer en utilisant un coefficient de
scurit.

Hauteur de piste 35m

Largeur de piste 0,2mm
Temprature maximale 120C I : intensit maximum
Temprature ambiante 40C
Courant maximal en couche interne 930mA A : section de piste
Courant maximal en couche externe 1,85A T : augmentation de temprature maximum
Temprature en couche interne 76,9C
Temprature en couche externe 45,6C k : 0.048 en piste externe 0.024 en interne

25
 Au niveau mcanique, la ferrite E18 ne peut se clipper que sur un circuit imprim standard (3.5mm)
tandis que la ferrite E22 permet dempiler 2 circuits imprims standard afin de doubler le nombre
denroulements si ncessaire.

Normes UL

UL sont les initiales de Underwriters Laboratories, une organisation qui depuis 1894, a valu et prouv
des produits pour la scurit du grand public. Les tests sont dsormais effectus sur plus de 18 750 catgories
de produits lectriques, mcaniques et chimiques. Pour continuer d'assurer la scurit des produits qu'ils
approuvent, les laboratoires continuent de tester les produits. De temps en temps, les fabricants reoivent des
visites inattendues des reprsentants UL, qui vrifient si les normes de scurit sont toujours maintenues. Si le
produit ne satisfait plus les exigences UL, la certification lui est immdiatement retire.

Cette norme diffrencie les distances disolement dans lair (clearance) et les lignes de fuite (creepage), cest
donc grce la nouvelle version que ces distances ont pu tre rduite grce aux tableaux concernant les signaux
suprieurs 30kHz. Afin dtablir les distances respecter, il faut connatre le niveau de surtension du circuit,
savoir si elle est maitrise ou non et pour finir le degr de protection ncessaire. Ici le cas est une isolation
fonctionnelle basique avec un degr de pollution de 1. Normes UL 61800-5-1

Figure 17 : Tableau lignes de fuite

Pour le cas de la surtension 1.2kV, on prendra 1.2mm et pour 1.4kV on prendra 1.65mm.

Le tableau suivant nous indique dans quelle catgorie lon se trouve afin de dterminer les distances
disolation dans lair respecter

26
 Figure 18 : Tableau des distances dans l'air

Figure 19 : Slection des distances dans l'air

Les distances disolement dans lair sont 125% du tableau 9. Dans le cas dune isolation fonctionnelle
1.6kV ->1.5mmx1.25=1.875mm. Si lon prend le cas dune isolation gnrale on prendra 3mm. Sachant que
ces distances navaient pas t valid lors de lchange avec le technicien des normes UL et une certaine marge
a t prise, plusieurs configurations de distances disolation ont t ralises afin dtudier leurs influences sur
les caractristiques du transformateur. A noter que des coefficients de degr de pollution peuvent aussi tre
ajouter.

Dimensionnement

Un tableau de donnes permet dtudier les diffrentes solutions possibles avec la variation de
paramtres. Le transformateur est dimensionn pour le cas le plus dfavorable, un rapport cyclique de 50%. Les
donnes suivantes sont fixes par le constructeur et le cahier des charges, aire utile=Ae, longueur utile=le,
permance=Al, permittivit= i, tension=Vp , priode=T. Plusieurs calculs sont effectus pour le mme ferrite
mais un nombre de tours diffrents qui varie selon lisolement et lagencement des vias. On dtermine alors la
variation de courant qui va limiter la largeur des pistes et vrifier quil ny ait pas de saturation du matriau
ferromagntique.

Figure 20 : Dimensionnement de transformateur

27
Conditions sur les rsultats :

B<300mT ; Lp<3mH ;

Une fois lagencement, la forme et le nombre de spires fixs, il est possible destimer la valeur des
composants parasites. Afin de pouvoir fonctionner 40kHz, il ne faut pas que linductance magntisante soit
trop leve. Dautant plus pour des rapports cycliques trs faibles, linductance de fuite devra aussi tre trs
infrieure linductance magntisante (0.03%). La capacit parasite entre enroulement ninfluence pas
manifestement le systme.

3. lments parasites
Calcul de capacit parasite

Des capacits sont cres dans le transformateur selon lagencement des spires. Cela dpend des
distances entre conducteurs et du type de matriaux les sparant. Sur un circuit imprim, ces capacits peuvent
se calculer comme une capacit plan.

Figure 21 : Schma de capacits parasites

Calcul de capacit plan

C=(0 x r x S)/L
0 : permittivit du vide
r : permittivit du matriaux (air=1 ; epoxy=4,7)
S : surface en commune
L : distance entre surfaces

Les calculs effectus mme sils ne correspondent pas au prototype dfinitif, montrent que la capacit
entre enroulements est la plus influente. Elle nest cependant pas suffisamment grande pour dgrader le
fonctionnement du circuit.

28
 Figure 22 : Tableau de calcul de capacits parasites

Les rsultats du calcul ont t appliqus lors de la simulation, mais lordre de grandeur de ces valeurs
na eu aucune influence sur le fonctionnement du montage. Une vrification par la mesure permettra dtablir la
prcision du calcul, mme si celui-ci ne prsente gure dintrt pour le fonctionnement.

Calcul de linductance de fuite

Linductance de fuite correspond au flux qui ne traverse pas le circuit ferromagntique. Ce phnomne
augmente les pertes et ralentit les transitoires, ce qui est indsirable avec lutilisation dun signal carr. Il faut
donc minimiser linductance de fuite par rapport linductance magntisante. Dans notre cas, le primaire est le
secondaire sont superposs, le calcul de linductance est donc adapt. Plusieurs mthodes de calcul ont t
utilises et compares afin dobtenir une valeur qui sapprochera de celle du prototype pour les conceptions
futures. Les rsultats ne correspondent pas idalement au produit final, mais une comparaison peut dj tre
faite.

Lnergie emmagasine dans les inductances primaire et secondaires correspond au flux de fuite. Ici les espaces
entre spires ne sont pas pris en compte. La ferrite emprisonne totalement les spires et la longueur des spires est
moyenne.

29
 Figure 23 : Mthode de calcul d'inductance de fuite

http://www.isplc.org/docsearch/Proceedings/2004/pdf/ISPLC04.pdf

30
largeur piste m 2,00E-04 2,00E-04 2,00E-04 5,00E-04
isol 10th entre piste m 2,00E-04 2,00E-04 2,00E-04 2,00E-04
-2 -2
constante mag u0 u0 m kg s A 1,25664E-06 1,25664E-06 1,2566E-06 1,25664E-06
cart entre couche iso m 5,30E-04 5,30E-04 5,30E-04 5,30E-04

E18/4/10 E18/4/10 E22/6/16 E22/6/16

core factor (I/A) mm-1 0,514 0,514 0,332 0,332
volume utile Ve m3 8,00E-07 8,00E-07 2,04E-06 2,04E-06
long utile le mm 2,03E-02 2,03E-02 2,61E-02 2,61E-02
aire utile Ae mm2 3,95E-05 3,95E-05 7,85E-05 7,85E-05
aire min Aemin mm2 3,95E-05 3,95E-05 7,85E-05 7,85E-05
mass m g 1,7 1,7 4 4

largeur de E milieu mm 4,00E-03 4,00E-03 5,00E-03 5,00E-03

nb tour tour 8,25E+00 1,03E+01 1,25E+01 6,00E+00
N tour 8 10 12 6
Ecart d'isolation 1,50E-03 7,00E-04 7,00E-04 1,50E-03
Diametre inter Di m 4,00E-03 4,00E-03 5,00E-03 5,00E-03
largeur L m 1,00E-02 1,00E-02 1,58E-02 1,58E-02
diametre exter De m 1,40E-02 1,40E-02 1,68E-02 1,68E-02
largeur utile w m 0,005 0,005 0,0059 0,0059
longueur totale E m 1,80E-02 1,80E-02 2,20E-02 2,20E-02
Hauteur patte Hp m 2,00E-03 2,00E-03 3,20E-03 3,20E-03
Hauteur totale Ht m 4,00E-03 4,00E-03 5,70E-03 5,70E-03
Hauteur plaque H m 2,00E-03 2,00E-03 2,50E-03 2,50E-03

Longueur tot Ltot m 0,2508 0,3116 0,55 0,2712

Long tot nb tour tronq Ltoto m 0,2432 0,304 0,528 0,2712
Long moy Lmoy m/tour 0,0304 0,0304 0,044 0,0452
Epaisseur cuivre ep m 3,50E-05 3,50E-05 3,50E-05 3,50E-05
NI A 2,72E+00 2,72E+00 2,62E+00 2,62E+00
WP1=u0*ep*Lmoy*(NI)/6w w 3,29105E-10 3,29105E-10 3,761E-10 3,86361E-10
WS1=u0*ep*Lmoy*(NI)/6w w 3,47119E-10 3,47119E-10 3,9033E-10 3,90327E-10
WS2=u0*ep*Lmoy*(NI)/6w w 3,47119E-10 3,47119E-10 3,9033E-10 3,90327E-10
Wiso=u0*iso*Lmoy*(NI)/w w 2,99015E-08 2,99015E-08 3,4172E-08 3,51037E-08
Courant I A 3,40E-01 2,72E-01 2,19E-01 4,37E-01
Induc fuite 1 Ll H 5,36E-07 8,38E-07 1,48E-06 3,80E-07

Les valeurs obtenues sont seulement significatives, tant quune mesure sur le prototype na pas t effectue.
Une simulation avec ses valeurs a tout de mme vrifi le fonctionnement du montage.

31
 4. Ralisation
Les cas de la ferrite E18 et E22 ont t tudis, ce qui offre 2 configurations diffrentes. Lune avec
seulement un circuit imprim 4 couches et lautres avec lempilement de 2 circuits imprims.

Figure 25 : Transformateur ferrite E22 Figure 24 : Transformateur ferrite E18

Lors de la ralisation plusieurs configurations ont t ralises afin de vrifier les calculs et pouvoir
tester leur fonctionnement sur le montage rel. Les configurations sont les suivantes :

Ferrite Nombre de tours Isolement air (mm) Lignes de fuites (mm) Largeur piste (mm)
E18/4/10 8 3 1.7 0.2
E18/4/10 13 2 1.2 0.2
E22/6/16 10 3 1.7 0.3
E22/6/16 10 2 1.2 0.5
E22/6/16 12 3 1.7 0.2
E22/6/16 18 2 1.2 0.2

Figure 26 : planche transformateurs planars

32
 5. Mesures
La mesure des caractristiques des transformateurs a t effectu laide du pont de mesure RLC
(Hyoki) afin de mesurer les rsistances de lenroulement primaire et secondaire, linductance magntisante ainsi
que linductance de fuite.

Transformateur Rprim () Rsec () Lmag (H) Lfuite (H) Lfuite/Lmag (%)

8T/3/1,7 1 1,48 248 0,8 0,32
13T/2/1,2 1,49 2,3 647 1 0,15
10T/3/1,7 1,42 1,44 574 2,9 0,5
10T/2/1,2 0,83 0,83 586 2,44 0,41
12T/3/1,7 2,45 2,46 725 4,4 0,6
18T/2/1,2 3,77 3,77 2360 7,6 0,32
PT22B3 0,6 0,6 3000 4,5 0,15
On peut dj conclure que laugmentation de la taille des pistes rduit la rsistance. Le nombre de tours
influe sur linductance magntisante. Linductance de fuite dpend en partie des distances disolations internes
et externes. Des pistes plus proches du noyau central ainsi quune faible distance disolation entre piste
rduisent linductance de fuite.

6. Essais
Les essais en fonctionnement ont t raliss sur la carte originale, le transformateur dimpulsion planar
a t soud la place du prcdent afin de transmettre le signal au MOSFET ct haut. Le circuit intgr de
contrle commande directement le MOSFET ct bas. Malgr les fils ajouts ncessaires aux modifications et
mesures, les meilleurs rsultats sont sur le transformateur Ferrite E18, 8 tours. Les comparatifs sont effectus
avec la carte originale sans modification. Les essais ont t raliss en charge et vide 300V, 700V, 1000V et
1200V, seulement les rsultats qui seront montrs sont 300V en charge et vide sans aucune charge 1200V.
Les courbes releves sont la tension Drain-Source des MOSFETs (VDSh et VDSb), les deux tensions
dquilibrage du bus aux bornes des condensateurs (VC32 et VC34), les tensions Grille-Source (VGSh et
VGSb) et les courants de grille (IGh et IGb).

Ferrite E18 8tours Transformateur dorigine (pt22b3)

Vbus = 300V En charge VDSh/VDSb/VC32/VC34 (10us) Vbus = 300V VDSH/VDSB/VC32/VC34 en charge 300V

33
 Vbus = 1200V vide VDSh/VDSb/VC32/VC34 Vbus = 1200V vide VDSh/VDSb/VC32/VC34

Vbus=300V en charge VGSh/VGSb/IGh/IGb Vbus=300V en charge VGSh/VGSb/IGh/IGb

Vbus=1200V vide VGSh/VGSb/IGh/IGb Vbus=1200V vide VGSh/VGSb/IGh/IGb

Mme si cette configuration nest pas cens se produire, les essais sans aucune charge montre un
dsquilibre 1200V pour le montage original d au retard de commutations. Cependant le transformateur
dimpulsion et lajustement des rsistances de grille permettent de rgler ce problme. On peut aussi voir que
les commutations sont plus rapides et plus propres, malgr les modifications de montage plutt prcaires.

34
 7. Conclusion
Le transformateur planar permet tout dabord rgler le problme dobsolescence du transformateur
dimpulsion prcdent, mais aussi de rduire les cots et de sassurer du respect des normes. Le ferrite tant
clipp sur le circuit imprim, sa taille rduite permet aussi de rduire la taille du montage car lon peut
positionner les rsistances de puissance dquilibrage au-dessus de celui-ci. Pour finir, le fonctionnement du
montage a aussi t amlior en augmentant la vitesse de commutation des MOSFETs ce qui rduit les pertes
et permet de conserver lquilibrage de tension vide 1200V sur les deux primaires du transformateur
principal. Les diffrentes configurations de transformateur ont t tests mais ceux avec le ferrite E18
prsentent le plus davantages grce leur faible inductance magntisante pour la vitesse de commutation et
leur taille rduite. Les prochaines tapes montreront que lassociation avec diffrents MOSFETs permet aussi
damliorer les performances du montage.

2. lments de commutation et thermique

Cette partie prsentera le dimensionnement, le calcul et la slection des interrupteurs en tenant des
contraintes de lentreprise, des normes et marges de scurit. Dans un premier temps, la structure Flyback 1
interrupteur sera trait puis la structure 2 interrupteurs srie.

1) Structure Flyback 1 interrupteur

1. Calculs
Le transformateur Flyback est llment principal de lalimentation dcoupage, il participe au transfert
de puissance en incluant une isolation galvanique et ladaptation de tension. Mme si aucune modification du
transformateur principal ntait envisage, une tude de faisabilit a t ralise grce la mthode du
professeur de Suplec. Cette mthode consiste dimensionner le transformateur en fonction de la tension
maximale que peut supporter linterrupteur. Le calcul a t ralis dans loptique dutiliser un seul MOSFET
pour supporter la tension dentre de 1200V.

35
 Symbole Unit
Puissance Pmax W 80 80 80
Tension Drain Source Vdsmax V 1700 1700 1700
Marge de scurit MS % 0,25 0,25 0,25
Tension d'entre max Vemax V 1300 1200 300
Tension de sortie Vs V 15 15 15
Surtension a l'ouverture 20V Vgs V 20 20
Rendement % 0,8 0,8 0,8
rapport de transformation inverse 2,666666667 2,66666667 2,666666667
rapport de transformation m 0,375 0,375 0,375
rapport cyclique alpha 0,029850746 0,03225806 0,117647059
Frquence de dcoupage F 40000 40000 40000
permabilit du vide 2,02802E-08 2,028E-08 2,02802E-08
Pot de Ferrite RM15 RM15 RM14
Section de Ferrite Ae 1,80E-04 1,80E-04 1,80E-04
Induction max autoris Bmax 0,26 0,26 0,26
Nombre de spires primaire Np tour 2,07E+01 20,6782465 20,72968491
Inductance Primaire Lp H 0,000188238 0,0001873 0,000155709
Nombre de spires secondaire Ns tour 7,77E+00 7,75E+00 7,77E+00
AL du transformateur AL H 4,38E-07 4,38E-07 3,62E-07
Entrefer e m 8,33E-06 8,33E-06 1,01E-05
Courant primaire crte Icp A 5,153846154 5,16666667 5,666666667
Courant primaire efficace Iep A 0,514100966 0,53575838 1,122167215

On peut dduire de ces calculs que la tenue en tension de linterrupteur impose une rduction de la
tension rflchie. Celle-ci tant dtermine par le rapport de transformation du transformateur, sa rduction
impose des courants crtes plus importants, mais admissibles et limits par le circuit intgr UC2844. Le
fonctionnement en charge faible rapport cyclique permettrait un dmarrage en charge une tension infrieur
200V car le rapport cyclique serait toujours infrieur 50% (limite de fonctionnement discontinu). Le cas du
fonctionnement vide ncessiterait des sauts de commutations mais qui apparaissent dj sur la carte dorigine
1200V sans perturber le fonctionnement.

Plusieurs simulations ont t effectues afin de voir linfluence du rapport de transformation sur la
surtension de linterrupteur et vrifier les calculs, mais seul les simulations montrant le fonctionnement du
schma actuel seront prsentes. Des calculs et simulations ont aussi t effectue afin de dimensionner
plusieurs types de snubber et modifier le schma original utilisant un transistor bipolaire 1500V.

36
 2. Carte existante et simulation
Une carte a dj t modifie lors dun prcdent projet afin de rsoudre le problme dobsolescence du
transistor bipolaire 1500V. Lutilisation dun MOSFET 1500V en tant quinterrupteur principal a t
implmente. Les fonctions principales sont le dmarrage par le bus et fonctionnement jusqu 800V pour une
puissance de 60W. Seuls les composants permettant le dmarrage par le rseau sont non monts. Un schma
allg montre le principe de fonctionnement.

Figure 27 : Schma de simulation Flyback 1 interrupteur

Figure 28 : Simulation surtension Ubus 800V

37
 La simulation montre une surtension proche de 1500V pour une tension dentre de 800V, ce qui laisse
peu de marge de scurit, cependant un test sur carte permettra dtablir la prcision de cette simulation. Avant
cela une slection et un dimensionnement thermique des MOSFETs disponibles permettra de voir si le
fonctionnement peut tre amlior.

3. Slection dinterrupteur
Ici les contraintes principales sont Vdsmax > 1500V et le moins de pertes possibles pour un faible prix. Les
prix sont ngocis par le service achat et dpendent des fabricants et fournisseurs mais aussi du groupe
Emerson et de lentreprise mais les prix Farnell permettront un comparatif plus rapide malgr limprcision. Le
tableau suivant montre les points positifs en vert et ngatifs en jaune.

Ancien
Hitachi Sur FX ST CREE IXYS IXYS
SYMBOLE
2SK225 STW4N150 STW9N150 C2M1000170D IXTH6N150 IXTH12N150
VDS (V) 1500 1500 1500 1700v 1500 1500
VGS (V) (+/-20) (+/-30) (+/-30) 1700v (+/-30) (+/-30)
ID (A) 2 4 8 4,9A 6 12

IDM (A) 5A

7 12 32 24 40
PD (W) 50 160 320 69W 540 890
Tstg (C) 55 150 55 a 150 55 a 150 (-)55C 150C 55 a 150 55 a 150
IDSS 125C
120A max
(uA) 500 500 500 250 250
VGS th. (V) 2a4 3a5 3a5 2,4v 1,8v 3a5 3a5
RDS on (ohm) 9 a 12 5a7 1,8 a 2,5 1ohm, 2 150C 3,5 2
Ciss (pF) 990 1300 3255 191pf typ 2230 3720
Coss (pF) 125 120 294 12pf typ 170 240
Crss (pF) 60 12 22 1,3pf typ 64 80
Td on (ns) 17 35 41 9ns typ
22 26
Tr (ns) 46ns typ
50 30 14 20 16
Td off (ns) 150 45 86 15ns typ 50 53
Tf (ns) 50 45 52 9ns typ 38 14
QG (nC) 30 a 50 90 13nC typ 67 106
Vs diode (V) 0,9 2 1,6 3,8 1,3 1,4
Trr diode (ns) 1750 510 988 20 1500 1200
Qrr (nC) 3000 9500 24 9000 14800
Boitier TO-3 TO-247 TO-247 TO-247-3 TO-247 TO-247
PRIX Farnell 4,68 14,34 9,43 7,44 9,58

38
 Le MOSFET STW4N150 de chez STMicroelectronics est dj prsent sur la carte et les prix ngocis
chez ce fabricant son avantageux. Cependant le MOSFET C2M1000170D de CREE montre de nombreux
avantages, sa faible RDSon permet de rduire les pertes et le VDSmax a 1700V autoriserait une tension
dentre de 1200V. Le dimensionnement thermique montrera si le MOSFET CREE peut tre adapter sur la
carte actuelle.

4. Dimensionnement thermique
Les pertes et rsistances thermiques ont t calcules laide dun tableau afin de dterminer les composants
qui prsentent les meilleures caractristiques que ce soit en conduction ou commutation. La rsistance
thermique maximale nous indiquera le dissipateur slectionner. Le calcul des pertes est effectu laide des
paramtres les plus dfavorables, ce surdimensionnement permet dassurer une certaine marge de scurit mais
aussi de prvoir lincertitude des valeurs donnes par les constructeurs.

Calcul des pertes

Pertes en conduction

RDSon : rsistance Drain-Source la fermeture Ieff : courant efficace

La rsistance varient en fonction du courant, les pertes ont t calcules pour les deux valeurs extrmes de cette
plage.

Pertes par commutation

VDS : tension drain source Ic : courant crte Tdon : retard la fermeture Tdoff : retard louverture

F : frquence V : surtension au blocage

Pertes totales

Calcul de la rsistance thermique

Rthj-b : rsistance thermique jonction/boitier Rthj-a : rsistance thermique jonction/air

Tamb : Temprature ambiante max Tjonc : temprature de jonction max donne par le constructeur

Tjoncsecu : temprature maximale normes UL

Rths-d : rsistance thermique dissipateur

Rths-dsecu : rsistance thermique dissipateur avec marge de scurit

39
 CREE
C2M1000170 STW4N15 STW9N15 IXTH6N15 IXTH12N15
D 2SK225 0 0 0 0

Unit
Circuit Symbole
Courant entre crte A Ic 1,77 1,05 1,05 1,05 1,05 1,05
Courant entre efficace A Ief 0,7 0,43 0,43 0,43 0,43 0,43
Tension drain source V VDS 1200 800 1200 1200 1200 1200
Surtension blocage V DV 250 1200 200 200 200 200
Frquence Hz F 40000 40000 40000 40000 40000 40000
Carac MOSFET
Rs drain source min Rdson min 1 9 5 1,8 3,5 2
Rs drain source max Rdson max 2 12 7 2,5 3,5 2
1,70E-
Retard ouverture s ton 9,00E-09 08 3,50E-08 3,50E-08 2,20E-08 2,60E-08
1,50E-
Retard fermeture s toff 1,50E-08 07 4,50E-08 8,60E-08 5,00E-08 5,30E-08
Rs thermique C/
jonct/boitier W Rthj-case 1,8 0,5 0,78 0,39 0,23 0,14
C/
Rs thermique jonct/air W Rthj-a 50 50 50 50 50 50
Rs thermique C/ Rthcase-
boitier/pad W sink 0,21 0,21
Temp jonction max C Tjmax 150 150 150 150 150 150
Pertes en conduction W Pcondmin 0,49 1,6641 0,9245 0,33282 0,64715 0,3698
RDSon*Ieff Pcondmax 0,98 2,2188 1,2943 0,46225 0,64715 0,3698

Pertes la fermeture W Pon 0,38232 0,2856 0,882 0,882 0,5544 0,6552

Pon=VDS*Ic*ton*F/2

6,30E+0
Pertes l'ouverture W Poff 7,70E-01 0 1,32E+00 2,53E+00 1,47E+00 1,56E+00
Poff=(VDS+DV)*Ic*toff*F
/2

8,25E+0
Pertes totales min W Ptotmin 1,64E+00 0 3,13E+00 3,74E+00 2,67E+00 2,58E+00
8,80E+0
Pertes totales max W Ptotmax 2,13E+00 0 3,50E+00 3,87E+00 2,67E+00 2,58E+00
Temprature ambiente C Tamb 40 40 40 40 40 40
Temprature de jonction C Tjonc 150 150 150 150 150 150
Temprature de jonction C Tjoncsecu 125 125 125 125 125 125
Dissipation 1 seul C/ 1,20E+0
MOSFET W Rths-d 4,98E+01 1 3,07E+01 2,80E+01 4,07E+01 4,22E+01
9,15E+0
Rths-dsecu 3,81E+01 0 2,35E+01 2,16E+01 3,14E+01 3,26E+01

40
Ce tableau rcapitule les diffrents calculs effectus en comparant les MOSFETs disponibles. Ce quon peut
retenir pour la suite des essais est que le dissipateur thermique actuel a une rsistance thermique de 5C/W ce
qui nous donne une marge confortable pour tester les diffrents MOSFETs.

5. Carte existante
A laide de quelques recherche, une carte similaire dont les modifications rpondent au problme du
transistor bipolaire a dj t conue. Les derniers exemplaires de cette carte ont donc t ralis aprs un
certain dlai, cela a permis de raliser rapidement des essais sur dautres interrupteur et tester leur fiabilit et
performance. Le montage cascode dont le principe est de commander un transistor bipolaire 1.5kV laide dun
MOSFET a donc t remplacer. Cette carte lie directement la commande dun MOSFET 1.5kV au circuit de
contrle UC2844. Sur la carte, le circuit permettant le dmarrage par le rseau nest pas mont, mais
lemplacement des composants et le routage le permettant est toujours en place. Cette carte comme la
prcdente autorise une tension dentre maximale de 800V. Les essais lectriques et thermiques ayant t
raliss, cette carte en y ajoutant les composants de dmarrage par le rseau rpond donc au premier problme
dobsolescence du transistor bipolaire. Nous essaierons donc de tester le MOSFET 1.7kV afin de voir si la
tension dentre peut atteindre 1200V sur la structure Flyback 1 interrupteur.

6. Modifications
Afin de tester le MOSFET 1.7kV, certaines modifications sont ncessaires afin de garantir le
fonctionnement et la scurit du montage au-del de 800V et jusqu 1200V. Le dmarrage par le bus tant
limit 800V, il a t dconnect et le circuit de dmarrage par le rseau a t monte. Un pont capacitif
compos de deux condensateurs 450V en srie permet sur la carte originale de limiter londulation de tension
sur le bus. Il a lui aussi t dconnect d sa limite de tension 900V, cependant la rgulation du circuit
intgr devrait occulter ces ondulations sur la tension de sortie.

7. Tests
Dans un premier temps les tests de la carte avec le MOSFET1.5kV permettront de voir la surtension
VDS pour une tension dentre de 800V. Ce test permettra ensuite de voir si lon peut tester le MOSFET1.7kV
1.2kV en entre. Les essais thermiques montreront pour finir la stabilit du montage.

Essais lectriques carte originale

+15V/VDS/VCsnub/VGS vide 10us +15V/VDS/VCsnub/VGS en charge 10us

Ubus=3 Ubus=3
00V 00V

41
 Ubus=70
0V Ubus=700V
Ici le fonctionnement de la carte originale est vrifie, pour une tension dentre Ubus de 700V, la surtension
est 1kV. On peut donc en dduire rapidement la surtension pour une tension dentre 1200V. Sachant que celle-
ci nest pas proportionnelle mais dpend en partie de la tension rflchie, on peut la dfinir en charge laide de
la mesure. VDSmax-Ve=300V pour Ve=1200V on a VDSmax=1500V.

Essais lectriques avec MOSFET1,7kV

Les valeurs des composants passifs du snubber ont t modifi pour tenir la surtension et afin de respecter les
normes UL et limiter la dissipation de chaleur.

En charge C47=Csnub=220pF R220=Rsnub=88K A vide C47=Csnub=220pF R220=Rsnub=88K

VDS/VGS/VCsnub/+15V VDS/VGS/VCsnub/+15V
Vbus=300V Vbus=300V

Vbus=700V Vbus=700V

42
 Vbus=1200V Vbus=1200V

Les rsultats lectriques sont concluants, la surtension en charge est lgrement suprieure 1,5kV et une
marge de scurit de 200V avec la tension maximale donne par le constructeur est respecte.

Essais thermiques

Les essais thermiques sont raliss laide de thermocouples placs sur les boitiers des composants au
point accessibles les plus chauds. Une diffrence de tension de 15V au bout des sondes est destructeur, il faut
donc prendre garde son placement. Lessai thermique est ralis en charge (60W) pour la valeur de tension
maximale 1200V, les diffrents essais montrent que cette configuration a le plus de pertes.

R=88k C=220pF Une fois la temprature stabilise,

on peut relever la temprature
finale et ambiante et en dduire la
temprature quatteindront les
lments dans les cas extrme.

T final : temprature la fin de

lessai

Tamb : temprature ambiante

DeltaT= Tfinal-Tamb

Tmax : temprature maximale

pour les normes UL

Marge=Tmax-(Tamb(45) +
Dissip MOS Boit MOS Rsnub1 Rsnub2 Csnub DeltaT)
Tfinal 70,1 72,9 62,6 72,7 57,7
Tamb 30,8 30,8 30,8 30,8 30,8 Lessai thermique est concluant,
Delta T 39,3 42,1 31,8 41,9 26,9 une temprature ambiante critique
on a une marge de 38C pour le
Dissip MOS Boit MOS Rsnub1 Rsnub2 Csnub MOSFET, seulement 28C pour
T amb 45 45 45 45 45 le condensateur du snubber car sa
Delta T 39,3 42,1 31,8 41,9 26,9 temprature maximale est
T final 84,3 87,1 76,8 86,9 71,9 infrieure celle des normes UL.
T max 125 125 125 125 100
Marge 40,7 37,9 48,2 38,1 28,1

43
 8. Conclusion
Une solution dj existante remplace le transistor bipolaire par un MOSFET, mme si le dmarrage par
le rseau est manquant. Lutilisation dun MOSFET1.7kV permet daugmenter la tension 1200V comme la
structure disposant de 2 interrupteurs, cependant la technologie carbure de silicium nest pas encore dveloppe
chez tous les fabricants et le cot est trs variable. tant donn quaucun composant double source comparable
na t trouv, la solution nest pas envisageable.

2) Structure Flyback 2 interrupteurs

Cette partie traitera la structure Flyback 2 interrupteurs, son dimensionnement suivi de la simulation
puis la slection de composants pour finir un dimensionnement thermique et des essais qui permettront de
vrifier les tapes prcdentes.

1. Dimensionnement
Le dimensionnement de la structure Flyback a t effectue afin de rester en limite de conduction
discontinu, c'est--dire lorsque le rapport cyclique est proche de 50% pour la tension dentre minimum. Un
tableau de calculs ayant t ralis par le pass, la vrification de ce dimensionnement permettra dtablir ala
vracit de ceux-ci avec la simulation.

Puissance de sortie ( P ) W 84 84
Rendement estim ( Rd ) 0,81 0,81
Frquence de dcoupage ( F ) Hz 40000 40000
Tension mini de fct. P. max ( Vdc ) V. 300 450
Rapport cyclique de conduction de l'interrupteur ( Rci ) 0,39 0,26
Type de ferrite RM12 RM12
2
Section de la ferrite : Ae m 1,46E-04 1,46E-04
Induction max autorise : B T 0,26 0,26
Nombre de spires : Np = Vdc*Rci/(B*Ae*F) 77 77
2
Inductance primaire : Lp = 1/2*Rd*(Rci*Vdc) /(P*F) H 1,65E-03 1,65E-03
2 2
AL du transfo. : Al = Lp/Np = Rd*F*(B*Ae) /(2*P) H 2,78E-07 2,78E-07
Entrefer : eps =4E-7*PI*Ae/Al m 6,59E-04 6,59E-04
I crte du primaire transfo : I1m = 2*P/(Rd*Rci*Vdc) A 1,77 1,77
I efficace primaire transfo. = I1m*((Rci/3)**0,5) A 0,64 0,52
Nombre de spires secondaires par volt : NS 0,395 0,395
Toff/T: rapport cyclique de conduction diodes : Rcd = NS/Np*Vdc*Rci
0,600 0,600
! Conduction continue si Rcd < (1-Rci)

Tension secondaire N1 : V1 V 15,2 15,2

Puissance secondaire enroulement N1 : P1 W 55 55
Nombre de spires : NS1 = NS*V1 6,0 6,0
I crte dans diode de redressement : Icd1 = 2*Ps1/Vs1/Rcd A 12,1 12,1
1/2
I efficace dans diode de redressement = Icd*(Rcd/3) A 5,4 5,4
1/2
I efficace dans condensateur de filtrage = Icd1*(Rcd*(1/3-Rcd/4)) A 4,0 4,0

Tension secondaire N2 V 7,5 7,5

Puissance secondaire enroulement N1 W 15 15
Nombre de spires : NS2 3,0 3,0
I crte dans diode de redressement A 6,7 6,7
I efficace dans diode de redressement A 3,0 3,0
I efficace dans condensateur de filtrage A 2,2 2,2

44
 Tension secondaire N3 V 17,8 17,8
Puissance secondaire enroulement N1 W 8 8
Nombre de spires : NS3 7,0 7,0
I crte dans diode de redressement A 1,5 1,5
I efficace dans diode de redressement A 0,7 0,7
I efficace dans condensateur de filtrage A 0,5 0,5

Ce dimensionnement permet dobtenir les valeurs caractristiques qui permettront de dimensionner les
composants ncessaires au fonctionnement du montage. La simulation permettra dobserver plus clairement le
fonctionnement et le respect des valeurs dans les cas critiques.

2. Simulation
Plusieurs schmas de simulation ont t raliss afin dobserver certaines configurations comme lajout
du transformateur planar, mais aussi avoir des schma simplifi dans certains cas. Dans ce cas l, seul la
configuration finale sera tudie avec les signaux qui pourrait tre destructeurs et le fonctionnement (Tension
drain/source, courant primaire, tension de sortie)

Figure 29 : Schma de simulation complet Flyback 2 interrupteurs

Un seul graphe de simulation sera reprsent ici afin dobserver la surtension maximale sur les interrupteurs. La
tension dentre est fixe 1200V en charge 60W. On observera le cycle de dmarrage, car les transitoires sont
souvent le cas o les valeurs critiques peuvent tre atteintes. Signaux observs

Tension drain source des deux MOSFETs VDS et VDS1

Tension de sortie +15V et +8V

Tension grille source des deux MOSFETs VGS et VGS1

45
 Figure 30 : Rsultats de simulation Flyback 2 interrupteurs

Les pics de tensions sur les MOSFETs atteignent presque 1kV 1200V lors des transitoires puis se
stabilisent en dessous 800V. Le pic de tension est proche de la tension maximale drain source du MOSFET,
cependant ce cas de figure nest pas cens intervenir car la tension dentre est celle du bus continu ne
commence jamais directement 1200V, mais augmente progressivement avec une constante de temps
suffisamment grande. Les valeurs caractristiques tant dimensionnes et vrifies, la slection de composants
peut ainsi tre effectue.

3. Slection de composants
Afin de slectionner les composants, un tableau a t mis en place afin de comparer rapidement et
efficacement les diffrentes caractristiques essentielles. La caractristique principale est la tension drain source
des MOSFETs, celle-ci doit tre suprieur 1kV ce qui offre un plus large que le MOSFET1.5kV. Il faut donc
comparer la rsistance drain source lorsque linterrupteur est passant et la rapidit de commutation qui
participent la rduction des pertes. Un facteur important tant donn que le courant de sortie du circuit de
contrle est limit et la capacit dentre qui reprsente lnergie ncessaire aux commutations. Le dernier
facteur important est le cot, le MOSFET tant lun des composants les plus importants et coteux sur le
montage, des devis ont t demands aux services Achat du groupe Emerson et Leroy Emerson afin dobtenir
un comparatif quivalent.

46
 IXYS
Infineon Fairchild
ROHM STW12NK90 IXFH STW13NK100 STW12NK12 SCT20N12
SYMBOLE IPI90R500C FQA8N100
SCT2450KE Z 12N100 Z 0 0
3 C
F
V(BR)DSS 1200 900 900 1000 1000 1000 1200 1200
VDGR 1200 900 900 1000 1000 1000 1200 1200

VGS (-6/22 (-+30 (-+30 (-+30 (-+30 (-+30 30 10 25

VGSM

ID 10 11 11 8 12 13 12 20

IDM 25 44 24 32 48 52 48 45
PD 85 230 156 225 300 350 250 175

Tstg 55 a 175 55 150 55 150 55 150 55 150 55 150 55 150 55 200

TJ max 175
IDSS
2u 1u 1u 10u 50u 1u 1u 1u
Tj=25C
IDSS
10u 50u 10u 100u 1,5m 10u 50u 50u
Tj=125C
VGS th. 1,6 a 4 3 a 4,5 2,5 a 3,5 3a5 3 a 5,5 3 a 4,5 3a5 2 a 3,5
450m a
RDS on 0,72 a 0,88 0,39 a 0,5 1,2 1,05 0,56 a 0,70 0,65 0,24
680m
VDS on
Ciss 463pF 3500pF 1700pF 2475pF 2700pF 6000pF 1370 650

Coss 21pF 280pF 83pF 195pF 305pF 455pF 110 65

Crss 4pF 58pF 50pF 16pF 93pF 100pF 0,6 14
Td on 19ns 31ns 70ns 50ns 12ns 45ns 23 10

Tr 17ns 20ns 20ns 95ns 9,8ns 35ns 11 17

Td off 38ns 88ns 400ns 122ns 31ns 145ns 68 27

Tf 34ns 55ns 25ns 80ns 12ns 45ns 18 16

QG 27nC 113nC 68nC 53nC 77nC 190nC 44nC 75nC

Vs diode 4,3V 1,6V 1,2V 1,4V 1,5V 1,6V 1,5 3,6

Trr diode 19ns 728ns 480ns 620ns 250ns 820ns 630 140

Qrr 13nC 7,8uC 8,5uC 5,2uC 0,8uc 12,7uC 15uC 75nC

Boitier TO-247 TO-247 PG-TO262 TO-3PN TO-247 TO-247 TO247 TO247
PRIX
5,08 3,23 4,10 digikey 4,18 8,47 12,4 8,15 10,6
Farnell

47
La slection des composants tant aussi faite dicte par leur cot et les fournisseurs disponibles un second
tableau a permis de les organiser et dobtenir dans certains cas des chantillons.

Drain Prix
RDS(on) Prix
Current Leroy
Part Number Fabricant Package Technologie VDSS (@VGS=10V) Ciss Emerson
(Dc)(I_D) Somer
max () ($)
max (A) ()

IXFH12N100P IXYS TO-247 Standard 1000 1,05 12 4080 5,21$ 2,45

IXFH15N100P IXYS TO-247 Standard 1000 0,76 15 5140
IXFB40N110P IXYS TO-247 SiC 1100 0,26 40 19000 31,62
IXFH20N100P IXYS TO-247 Standard 1000 0,57 20 7300
STW11NK100Z ST TO-247 Standard 1000 1,38 8,3 3500 1,8$
STW10N95K5 IXYS TO-247 Standard 950 .8 8 630
STW12N120K5 IXYS TO-247 Standard 1200 .69 12 1370 8,15
STW15N95K5 ST TO-247 Standard 950 .5 12 855
TO-247
long Standard
STWA20N95K5 ST leads 950 .33 17.5 1500
TO-247
long Standard
STW6N95K5 ST leads 950 1,25 9 450 1,16$
SCT20N120 ST HiP247 SiC 1200 0,24 20 650 13,47$ 10,6
SCT30N120 ST HiP247 SiC 1200 0,1 45 1700
SCT2450 ROHM TO-247 SiC 1200 0,45 10 463 5,8$ 3,05
SCT2280 ROHM TO-247 SiC 1200 0,28 14 667
SCT2160 ROHM TO-247 SiC 1200 0,16 22 1200
C2M0280120D CREE TO-247 SiC 1200 0,28 10 259 4,1
C2M0160120D CREE TO-247 SiC 1200 0,16 19 525 6,21
C2M0080120D CREE TO-247 SiC 1200 0,08 36 950 14,08
C2M100170D CREE TO-247 SiC 1700 1 5 191 3,74
SCT2450 ROHM TO-247 SiC 1200 0,45 10 463 5,8$ silica 3,6

Diffrents paramtres permettent dobtenir le cot des composants, dans la plupart des cas le cot a t
donn pour une quantit de 2000 pices. Cependant les prix donns par le groupe Emerson ncessitent plus
dinformations qui ne pouvaient pas tre donnes dans le cadre de mon stage tant donn que leurs utilisations
ntaient pas encore clairement dfinies comme remplaant sur la carte actuelle ou composant sur le nouveau
projet. Le service achat du groupe souhaite connaitre le lancement de production du nouveau projet, les
quantits envisages par an et au total ainsi quune estimation de la dure de vie de la carte. Chaque composant
est aussi analys avec une estimation de dure de vie, sa fiabilit, le nombre de distributeurs et bien dautres
paramtres qui permettent de mesurer les risques en slectionnant ce composant.

La slection de composants dans le cadre dun nouveau projet ntant pas seulement le respect des
caractristiques lectriques et thermiques, mais aussi la logistique et lassurance dun service de qualit, un
grand nombre de composants a t slectionn afin de comparer les choix envisageables. Cependant seul les
composants ayant pu tre obtenus par chantillon via diffrents fournisseurs ont t tests.

48
 4. Dimensionnement thermique
Cette partie reprend les mmes quations que prcdemment, cependant 2 configurations ont t
tudies avec 1 dissipateur pour les 2 MOSFETs et 1 dissipateur par MOSFET. Les calculs ont l encore t
rcapituls dans un tableau afin de comparer les diffrents MOSFETs slectionns.

ST ROHM Infineon Fairchild IXYS

STW12NK STW13N
MTW11N SCT2450K IPI90R500 FQA8N1 IXFH
90Z K100Z
Pertes en commutation des MOSFETS K100Z E C3 00C 12N100F
Courant entre crte A Ic 1,77 1,77 1,77 1,77 1,77 1,77 1,77
Courant entre efficace A Ief 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7 0,7
Tension drain source V VDS 600 600 600 600 600 600 600
Surtension blocage V DV 150 150 150 150 150 150 150
Frquence Hz F 40000 40000 40000 40000 40000 40000 40000
Rdson
Rs drain source min min 1,1 0,45 0,72 0,39 1,2 1,05 0,56
Rdson
Rs drain source max max 1,38 0,68 0,88 0,5 1,2 1,05 0,7
Retard ouverture s ton 2,70E-08 1,90E-08 3,10E-08 7,00E-08 5,00E-08 1,20E-08 4,50E-08
Retard fermeture s toff 9,80E-08 3,80E-08 8,80E-08 4,00E-07 1,22E-07 3,10E-08 1,45E-07
Rthj-
Rs thermique jonct/boitier C/W case 0,54 1,77 0,54 0,8 0,56 0,42 0,36
Rs thermique jonct/air C/W Rthj-a 50 50 50 62 40 50 50
Temp jonction max C Tjmax 150 175 150 150 150 150 150
Pcond
Pertes en conduction W min 0,539 0,2205 0,3528 0,1911 0,588 0,5145 0,2744
Pcond
RDSon*Ieff max 0,6762 0,3332 0,4312 0,245 0,588 0,5145 0,343
Pertes la fermeture W Pon 0,57348 0,40356 0,65844 1,4868 1,062 0,25488 0,9558
Pon=VDS*Ic*ton*F/2
Pertes l'ouverture W Poff 2,60E+00 1,01E+00 2,34E+00 1,06E+01 3,24E+00 8,23E-01 3,85E+00
Poff=(VDS+DV)*Ic*toff*F/2
Ptotmi
Pertes totales min W n 3,71E+00 1,63E+00 3,35E+00 1,23E+01 4,89E+00 1,59E+00 5,08E+00
Ptotm
Pertes totales max W ax 3,85E+00 1,75E+00 3,43E+00 1,24E+01 4,89E+00 1,59E+00 5,15E+00
Dissipation MOSFET double
avec pertes totales max
Temprature ambiente C Tamb 40 40 40 40 40 40 40
Temprature de jonction C Tjonc 150 175 150 150 150 150 150
Tjoncs
Temprature de jonction C ecu 125 125 125 125 125 125 125
14,00985 37,78232 15,78351 4,052792 10,84951 34,22340 10,50261
Rs thermique dissipateur C/W Rths-d 398 353 952 306 42 99 94
Rths- 10,76443 23,46109 12,13499 3,040794 8,292806 26,37377 8,074751
Rs therm dissip scu C/W dsecu 262 26 235 054 45 12 34
Dissipation 1 seul MOSFET
Rsistance thermique C/W Rths-d 2,80E+01 7,56E+01 3,16E+01 8,11E+00 2,17E+01 6,84E+01 2,10E+01
Dissipation 1 seul MOSFET Rths-
Rsistance thermique scu C/W dsecu 2,15E+01 4,69E+01 2,43E+01 6,08E+00 1,66E+01 5,27E+01 1,61E+01
Comme prcdemment les valeurs montrant certains avantages sont en vert, mais les caractristiques des
constructeurs sont donnes pour des paramtres dutilisation prcis qui peuvent diffrer des ntres.

49
 En prenant en compte les diffrents paramtres lectriques et
thermiques ainsi que les fournisseurs, les MOSFETs de chez ROHM
SCT2450KE et de IXYS IXFH12N100 ont t slectionns pour les tests.
Les rsultats du dimensionnement thermique permettent aussi dutiliser un
dissipateur moins volumineux que celui actuellement utilis. Les dissipateurs
en stock ntant pas adapts au boitier ou trop volumineux, un dissipateur de
20C/W a t slectionn. Il est de taille rduite et se clipse sur le boitier
TO-247, il faut ajouter une feuille de mica pour isoler lectriquement et Figure 31 : dissipateur dorigine et
conduire thermiquement, cependant le temps de montage et la taille est dissipateur TO-247

rduite par rapport au dissipateur prcdent.

5. Essais
Les essais lectriques et thermiques ont t raliss avec diffrentes configurations de MOSFETs et
transformateurs planars. Seulement les rsultats du choix final sera affich et les dmarches seront expliques.
Aprs plusieurs tests, lassociation avec le transformateur E18 8 tours sest montre la plus efficace
lectriquement. Thermiquement le MOSFET de chez IXYS prsente le moins de marge de scurit et le cot du
MOSFET ROHM avec lassociation dun dissipateur rduit justifie son utilisation.

Essais lectriques

Une comparaison avec les rsultats lectriques de la carte dorigine dans les diffrentes configurations
permettra dtablir le bon fonctionnement des modifications effectues. Les essais ayant t raliss vide et en
charge 300V, 700V et 1200V, seul le cas de figure problmatique 1200V vide est illustr, les autres ne
prsentant aucune diffrence significative. Les tensions mesures sont la tension drain source du MOSFET ct
et bas (VDSh et VDSb) et la tension de sortie en charge 1200V pour observer la surtension maximale et
vide pour vrifier si lquilibrage des tensions pu se faire grce laugmentation de la vitesse des
commutations.

VDSh/VDSb/+15V vide MOSFET ROHM+E18/8T VDSh/VDSb/+15V vide carte originale

Vbus 1200V Vbus 1200V

50
 Vbus 1200V Vbus 700V

VDSh/VDSb/+15V en charge MOSFET ROHM+E18/8T VDSh/VDSb/+15V en charge carte originale

Vbus 1200V Vbus 1200V

Le fonctionnement pour des tensions infrieures 1000V vide et en charge est similaire, on peut donc
remplacer le montage du transformateur planar et MOSFET RHOM avec lassociation de composants
prcdents. De plus, on note une nette amlioration des tensions drain source vide 1200V, les signaux sont
quasiment synchroniss et le retard est trs faible, ce qui donne un dsquilibre de 20V pour une tension
dentre de 1200V par rapport au 200V de dsquilibre de la carte originale.

Essai thermique

Dans chaque association transformateur et MOSFET, les essais thermiques ont t raliss en charge
300V et 1200V et vide 1200V. A 300V en charge le rapport cyclique est le plus proche de 50% soit des
pertes par conduction maximale mme si le courant primaire est plutt faible. Cependant cest 1200V que les
commutations sont les plus longues cause de la haute tension, un essai a donc tait ralis cette tension
vide et en charge. La stabilisation en temprature du transformateur Flyback na toujours t atteinte car celle-ci
est plutt longue, respecte toujours les normes UL et na pas une influence importante sur lassociation
MOSFET et transformateur dimpulsion.

51
 Le graphe suivant reprsente lvolution
de la temprature en fonction du temps en
charge 300V.

Les normes UL imposent une temprature

infrieure 125C sur tous les
composants de la carte lorsque la
temprature ambiante est 45C. Cette
norme est une contrainte dans le cas o la
temprature de jonction des MOSFET
SiC peut atteindre 200C selon les fiches
constructeurs. Afin de calculer la
temprature finale et la marge de scurit
pour respecter cette norme, les formules
suivantes sont utilises.

Figure 32 : graphe des tempratures en charge 300V

Dissipateur Dissipateur 8T ferrite

Transfo HF
high side low side E18
T final 45,6 49,8 43,1 65,5
T amb 26,6 26,6 26,6 26,6
Delta T 19 23,2 16,5 38,9
Tamb 45 45 45 45
Tfinal 64 68,2 61,5 83,9
Marge 61 56,8 63,5 41,1

Lessai en charge 300V ne prsente aucun risque thermique et respecte les normes.

Figure 33 : graphe des tempratures en charge 1200V

52
 Dissipateur Dissipateur low
8T ferrite E18 Transfo HF Lessai 1200V en charge donne une
high side side marge de scurit beaucoup plus faible.
T final 79,2 66 38,5 65,7 Les pertes par commutation sont bien
T amb 26,8 26,8 26,8 26,8 plus leves que les pertes par conduction
Delat T 52,4 39,2 11,7 38,9 et malgr le surdimensionnement, le
Tamb 45 45 45 45 calcul ne sest pas montr trs proche de
Tfinal 97,4 84,2 56,7 83,9 la ralit. Mais les normes sont respectes
Marge 27,6 40,8 68,3 41,1
et une temprature finale de 100C nest
pas problmatique pour un composant tant capable datteindre 200C.

Figure 34 : graphe des tempratures 1200V vide

Dissipateur Dissipateur 8T ferrite Lessai en 1200V vide montre la mme

high side low side E18 Transfo HF lvation de temprature qu 1200V en charge.
Tfinal 80,9 65,4 34,1 38,9 Cela vrifie que les pertes en conduction sont
T amb 25,9 25,9 25,9 25,9 minimales, malgr tout le changement de
Delta T 55 39,5 8,2 13 transformateur dimpulsion et laugmentation
Tamb 45 45 45 45 de la vitesse de commutation a permis dutiliser
Tfinal 100 84,5 53,2 58 un dissipateur peu volumineux.
Marge 25 40,5 71,8 67

53
 6. Conclusion
Lutilisation de la technologie planar dans la ralisation du transformateur dimpulsion a permis
dajuster les paramtres de commutations entre vitesse et nergie ncessaire. Cest certainement le paramtre
qui a eu le plus dinfluence dans laugmentation des performances du montage car les pertes en conduction sont
trs rduites. La technologie SiC quant elle, permet dobtenir des MOSFETs dont la tension Drain-Source est
plutt leve avec des temps et une nergie de commutation plus faible que les MOSFETs standard. Cela a t
dterminant sachant que le circuit intgr de contrle UC2844 pilote directement les interrupteurs et son
courant de sortie est limit. Le dissipateur slectionn tant li cette augmentation des performances, un
composant moins volumineux, coteux et avec un montage plus rapide a pu tre utilis. Les cots matires sont
les mmes cependant le temps de montage et le gain de place du dissipateur nayant pu tre chiffr, aucune
comparaison na t effectue.

3. Dmarrage de lalimentation
1) Objectifs et contraintes
Le dmarrage de lalimentation se fait en fonction des diffrentes sources disponibles c'est--dire le
rseau alternatif 230V et le bus continu 1200V. Il doit tre simple : utilisation de composants passifs avec une
faible consommation. Le dmarrage de lalimentation doit se faire en moins 3s et respecter les normes UL
thermiquement et les distances disolement.

2) Circuit de dmarrage actuel

Le montage actuel utilise 2 diodes Zener 15V pour rguler la tension dalimentation 30V avec un
grand nombre de rsistances en srie pour limiter le courant dans les Zener avec une tension dalimentation de
800V. Dans le second cas, cest la tension rseau redresse qui est connecte au circuit de dmarrage avec des
rsistances srie dimensionnes pour tenir 400V au maximum.

Le rsultat des essais sur la carte dorigine montrera lefficacit du circuit actuel.

CH1 : UBus CH2 : Vcc CH3 : +15V CH1 : UBus CH2 : Vcc CH3 : +15V
VBus=220V Tdem=8s VBus=300V Tdem=2.5s

54
 CH1 : UBus CH2 : Vcc CH3 : +15V
VBus=600V Tdem=0.6s Vbus (V) Temps de dmarrage(s)
220 8
300 2,5
600 0,6
On peut voir que le dmarrage 300V respecte le cahier
des charges, cependant laugmentation de la tension
maximale imposerait une chaine de rsistances plus
grande est le temps de dmarrage augmenterait en
consquence.

3) Schma envisag
Afin de respecter le cahier des charges pour une tension dentre maximale de 1200V et conserver la
simplicit du schma actuel, une rduction de la chane de rsistances est ncessaire. Plusieurs schma ont t
raliss et simuls afin de rsoudre ce problme. Il faut prendre en compte quun secondaire du transformateur
permet dautoalimenter le circuit de contrle une fois celui-ci dmarrer. Lutilisation dun interrupteur
command a t envisag pour dclencher lalimentation une fois quune charge minimum est emmagasine.
Ce montage prsentait une consommation excessive, sachant que les charges aurait perdure lors du
fonctionnement du montage. Linterrupteur a donc t placer de faon stopper la charge une fois que le circuit
est aliment et que lautoalimentation a pris le relais.

1.
2.

Figure 35 : Schma de dmarrage

55
 4) Simulation
Le schma complet a t utilis pour la simulation afin dobserver les transitoires qui pourraient savrer
dangereux pour les composants. Dans un premier cas, le secondaire de lautoalimentation nest pas connect.

Figure 36 : Simulation du circuit de dmarrage sans autoalimentation

Ici on peut voir que le circuit de dmarrage nest pas suffisant pour alimenter continuellement lUC2844, la
charge actuel de lalimentation peut fournir une quinzaine de commutations. Lutilisation de lautoalimentation
devrait permettre de prendre le relais, une fois que les premires commutations ont eu lieu.

Figure 37 : Simulation du circuit de dmarrage avec autoalimentation

La simulation est convaincante, le dmarrage est rapide et une fois que lautoalimentation a pris le
relais, le circuit de dmarrage ne consomme que dans un seul pont de rsistances. Les tests vont pouvoir vrifier
la simulation.

56
 5) Essais
Les essais nont pas pu tre raliss en modifiant la carte dorigine, un premier test sur carte adaptable
avec la charge dun condensateur permettra dtablir un lien avec la simulation. Un comparaison avec le temps
de dmarrage de la carte actuel pourra illustrer lamlioration du montage actuel.

Carte original CH1 : UBus CH2 : Vcc CH3 : +15V Test charge de condensateur 10uF CH1 : UBus
CH2 : Vcc CH3 : VZ500 CH4 : V20
VBus=220V Tdem=8s VBus=100V Tdem=100ms

VBus=300V Tdem=2.5s VBus=250V Tdem=50ms

VBus=600V Tdem=0.6s VBus=600V Tdem=25ms

Les rsultats de simulation sont concluants et mme sil manque la consommation de lUC2844, les
premires commutations devraient prendre le relais. Les rsultats sur le montage seront voqus avec la
ralisation de la carte complte.

57
 4. Rgulation des tensions de sortie
1) Objectifs et contraintes
Lalimentation Flyback utilise un transformateur afin dobtenir une tension rgule sur le secondaire.
Plusieurs secondaires avec un nombre de tours diffrents sont utiliss pour obtenir diffrentes tensions,
cependant une seule tension peut tre rgule. Les variations de charge sur la tension rgule sont donc
rpercutes sur les autres tensions. Un tableau rcapitulatif montre la distribution de puissance et le type de
rgulation sur chaque tension.

Consommation sur CI Interface Rgulation

Tension (V) CI Micro (A) 3xLEMS (A) 3x Drivers (A) 3x Redresseurs (A) Puissance (W)

8 1,5 12 Sur CI Micro

15 0,15 0,3 1,2 2,4 60,75 UC2844

-15 0,25 0,3 8,25 Linaire

24 0,2 4,8 Linaire

Total 2,1 0,6 1,2 2,4 85,8

Lalimentation a t initialement dimensionne avec cette distribution de puissance, mais lvolution des
composants a permis de rduire quitablement cette consommation 60W. Les deux rgulations linaires
utilise des composants traversant avec des dissipateurs plutt volumineux et ncessitant des vis ou clips
dassemblage. Ltude suivante montrera les diffrentes solutions envisages afin de rduire les cots et
diminuer les chauffements thermiques qui noffrent pas une grande marge de scurit avec les normes UL.

2) tudes et solutions possibles

Le transformateur Flyback ne pouvant tre modifi, seul le type de rgulation et les composants utiliss
peuvent changer. Plusieurs solutions ont t envisages avec pour premier objectif laugmentation du
rendement qui permettrait de rduire la taille et la dissipation thermique du montage. Il faut cependant analyser
ces solutions afin que les cots restent de lordre du prcdent. Dans un premier temps, le choix sest dirig
vers des composants monts en surface afin de rduire le temps de montage. Un tableau de slection a permis
de choisir des composants rpondant au cahier des charges disponibles dans le stock Leroy Somer que ce soit
pour les composants passifs et intgrs. Deux types de composants intgrs ont t slectionns, un de type
hacheur (L5973D de STM) et lautre rgulateur linaire (MC33063), ils disposent de PAD thermique et le
montage de composants passifs permet dadapter leur montage pour raliser les fonctions abaisseur ou
inverseur.

Une tude des cots matire permet de comparer les types de rgulation, mme si cela ne prend pas en
compte le temps de montage. Les composants monts en surface tant placs et souds par une machine, on
peut estimer que leur cot est quasi-nul alors que les composants traversants et les dissipateurs sont monts,
visss et souds la main. Le tableau dtude des cots montre les diffrents montages REG15 et 24 pour la
tension rgule, LIN, MC33 et L5973 pour le type de rgulation.

58
 Tableau dtude des cots

prix unitaire REG15 REG15 REG15 REG24 REG24 REG24

Composant code Leroy () MC33 LIN L5973 MC33 LIN L5973
diode ESC002DX001 0,036 1 1 1 1
CI ESC008CZ001 0,13 1 1
inductance SEL150SO001 0,26 1 1 1 1
condensate
ur CDS022EM003 0,06 1 1
condensate
ur CDS100EM011 0,06 1 1
CI -15V ESC015CU003 0,09 1
CI 24V ESC024CU000 0,12 1
condensate
ur CDS010EM004 0,042 1 1
dissipateur ALU025RA001 0,35 1
ALU019RAEM0
dissipateur 04 0,2 1
CI L5973 1,16 1 1
TOTAL 0,486 0,482 1,516 0,486 0,362 1,516
Le cot du circuit intgr du hacheur est bien plus lev que le reste des composants, cependant les
composants passifs sont peu coteux compars aux dissipateurs. Il est donc possible de rduire les cots lis au
temps de montage qui sont bien plus levs.

3) Ralisation
Afin de tester les deux circuits de rgulation 24V et -15V, des circuits imprims ont t ralises pour la
rgulation linaire. Une erreur de routage sur le montage inverseur du -15V la rendu inutile. Le montage a tout
de mme pu tre test grce des cartes trous permettant de monter les composants. Le problme li ces
cartes est que la ralisation dune surface de dissipation thermique est impossible, les essais lectriques ont
quand mme pu tre ralis mais les rsultats thermiques ne respectent pas les normes UL. Le cot du circuit
intgr type hacheur tant bien plus lev, les montages ont aussi t tests sur carte trous.

Figure 39 : plan 3D rgulation de tension 24V

Figure 38 : routage cartes rgulation de tension

59

Figure 40 : plan 3D rgulation -15V
La ralisation de plans 3D permet de voir la rduction de taille
possible. Les cots de montage des composants CMS
augmentent sils sont monts des deux cts de la carte car la
technologie est diffrente. On peut voir quun montage des
composants sur les faces suprieure et infrieure permet de
gagner de la place par rapport au rgulateur -15V. La rduction
du temps de montage des composants tant certainement plus
importante, les composants seront certainement monts en
simple face pour la ralisation finale.

Essais lectriques

Les rsultats des essais lectriques tant nombreux et londulation de la tension de sortie nayant pas t
clairement fixe, un tableau avec les rendements pour chaque montage rcapitulera leur efficacit. Les
rgulateurs linaires sur la carte dorigine ont t tests pour une tension dentre fixe donne par leur
secondaire alors que les autres montages ont t valus sur une plage dentre plus large.

Rgulation de tension secondaire 24V

Montage Rgulateur linaire actuel Rgulateur linaire CMS Convertisseur DC/DC
Tension dentre (V) 29,5 24,5 27,5 31,5 28 29 30
Rendement (%) 76,15 84,26 84,7 82,2 92,76 92,71 91,91

Rgulation de tension secondaire -15V

Montage Rgulateur linaire actuel Rgulateur linaire CMS
Tension dentre (V) -14,9 14 17,2 20,2
Rendement (%) 80,4 73,7 73,2 71,8
Le convertisseur DC/DC en montage inverseur de tension Buck/Boost indique un rendement de 80%
selon la documentation technique, son cot ne justifie donc pas son utilisation, il na donc pas t test, de plus
quaucun PAD thermique ne pouvait tre implment.

Essais thermiques

Rgulateur de tension 24V

Seul le convertisseur DC/DC ne dispose pas de PAD thermique. Les courbes seront disposs seront
annexes seul les rsultats de tempratures finales et marges de scurit seront rcapituls dans un tableau.

Montage Rgulateur actuel Rgulateur linaire CMS Convertisseur DC/DC

Composant Cin24 Reg24 Cout24 Cin L Cout MC33 Cin Boitier PAD Induc Cout
T final 55,5 80,6 42,3 40 44,6 36,3 52,9 27,4 27 39 30,3 27,8
Tamb 25,9 25,9 25,9 24,9 24,9 24,9 24,9 24,3 24,3 24,3 24,3 24,3
Delta T 29,6 54,7 16,4 15,1 19,7 11,4 28 3,1 2,7 14,7 6 3,5
T amb 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45 45
T final 74,6 99,7 61,4 60,1 64,7 56,4 73 48,1 47,7 59,7 51 48,5
T max comp 105 125 85 105 125 105 85 105 125 125 125 105
Marge 30,4 25,3 23,6 44,9 60,3 48,6 12 56,9 77,3 65,3 74 56,5
Le rgulateur actuel ne dispose pas dune trs grande marge de scurit compar au convertisseur DC/DC. Le
rgulateur CMS ncessiterait un PAD

60
thermique plus large afin dassurer une marge de scurit confortable.

Rgulateur de tension -15V

Le rgulateur linaire CMS a t test sur un PAD thermique quasi-inexistant cause de la rapidit de
ralisation. Cela na en rien perturb son fonctionnement lectrique, une zone de dissipation thermique
approprie permettrait son utilisation.

Montage Rgulateur actuel Rgulateur linaire CMS

Composant Cin15=C50 Reg15=U8 Cout15=C42 Cin L Cout MC33
T final 47,8 60,7 57,9 32,9 55,5 41,5 111,8
Tamb 25,9 25,9 25,9 27,2 27,2 27,2 27,2
Delta T 21,9 34,8 32 5,7 28,3 14,3 84,6
T amb 45 45 45 45 45 45 45
T final 66,9 79,8 77 50,7 73,3 59,3 129,6
T max
105 125 85 85 125 105 85
comp
Marge 38,1 45,2 8 34,3 51,7 45,7 -44,6
Le rgulateur linaire CMS dpasse la temprature de jonction de fonctionnement, cependant une temprature
de jonction virtuelle est donne 150C. Avec un PAD thermique correctement ralis et dimensionn, lessai
pourrait savrer concluant.

4) Conclusion
Ltude de la rgulation des tensions de sortie nayant t quun objectif secondaire, on peut dj avoir
un aperu des solutions possibles pour amliorer le montage actuel. Lutilisation de rgulateur linaire CMS
nentrane quun surcot matire de 0,004 pour le rgulateur -15V et 0,124 pour le rgulateur 24V.
Cependant le cot de montage qui na pas pu tre chiffr semble tre largement rduit par lutilisation de
composants monts en surface.

Tension rgule Type de rgulation & rendement Boitier et thermique Cot

24V Rgulateur linaire 76% TO-220 + dissipateur clip 10x15 0,362

24V Rgulateur linaire 78% SO-8 + PAD thermique (moyen) 0,486

24V Buck 92% SO-8 + PAD thermique (petit) 1,516

-15V Rgulateur linaire 80% TO-220+ dissipateur (20X35) 0,482

-15V Rgulateur linaire 77% SO-8 + PAD thermique (large) 0,486

-15V Buck Boost 80% SO-8 + PAD thermique (moyen) 1,516

61
 6. Carte complte
1. Intgrations
Afin doptimiser la taille et le placement des composants sur la carte, quelques circuits non essentiels au
fonctionnement ont t supprims. Un circuit de surtension en cas de dfaillance de lopto-coupleur a t
supprim ainsi que le filtre rseau en entre du pont redresseur. Les diodes de redressement ont dans leur cas
t remplaces par un pont intgr dj utilis sur dautres cartes Leroy Somer.

Figure 42 : redressement et filtre rseau

Figure 41 : circuit de surtension

Ici la chaine de rsistances isole la mesure de tension

Figure 43 : chaine de rsistances de protection et de mesure
entre la partie puissance et la partie de contrle. La norme
UL ayant change, il faut maintenant quau moins 2
rsistances srie puissent tenir la surtension de la partie
puissance soit 4kV et respecter les distances disolation.
Un tableau de slection de composants permet de
comparer les diffrents avantages et inconvnients des
produits disponibles.

Valeur Puissance Tension Tolrance Prcision

Nom Package Technologie Prix
(M) (W) (kV) (%) (ppm/K)

RES001ZM002 1,5 0,25W 0,2 1% 100 CMS 1206 couche mtallique

SM102032005FE 20 1 5 1 25 radial 10mm couche paisse 4,57

VRW68-10MJI 10 1 10 5 200 axial 15,5mm couche paisse 0,23

couche mtallique et
VR68000001005JAC00 10 1 10 5 200 axial 19mm 0,59
oxyde mtallique

couche mtallique et
VR37000002005JR500 20 0,5 3,5 5 200 axial 10mm 0,169
oxyde mtallique

HVR3700001005FR500 10 0,5 3,5 1 200 axial 12mm couche mtallique 0,25

62
La carte complte est compose des fonctions dalimentation principale avec la structure Flyback 2
interrupteurs sans les fonctions de transfert de signaux. Les diffrentes solutions y ont t ajoutes tel que le
transformateur planar, les MOSFETs SiC et les dissipateurs. Deux versions de cartes ont t routes, lune dont
le placement des composants imposer les dimensions de la carte. Et lautre avec les dimensions dorigine et le
positionnement dorigine des connecteurs.

Figure 44 : routage carte v1

Sur les deux

routages, on peut
clairement voir la
dmarcation entre la
partie puissance et
contrle, le lien tant
fait par le
transformateur
Flyback et
loptocoupleur. Les
nomenclatures de ces
cartes seront annexes.

Le postionnement du
transformateur
dimpulsion planar
sous les rsistances
dquilibrage du bus
offre un gain de place
notable.

Figure 45 : routage carte v2

63
 2. Ralisation
Le dimensionnement des trous pour certaines diodes est revoir ainsi que le positionnement de certains
points tests trop proches de composants volumineux ou dont llvation de temprature pourrait endommager
les sondes de tensions. La carte v2 nayant pas pu tre assemble temps, un comparatif entre la carte originale
et la carte v1 permet tout de mme de voir le gain de place sur certaines parties du circuit.

Figure 46 : carte v1

Diodes de
redressement

Transformateur
dimpulsion

Dissipateur
MOSFET

Figure 47 : carte originale

64
 3. Fonctionnement
Les essais lectriques et thermiques sont similaires ceux effectus sur la carte originale avec les
modifications. On note une lgre amlioration des signaux de commande d au routage du transformateur
dimpulsion sur la carte. Nanmoins un problme majeur qui nest pas apparu sur les simulations et tests, na
pas pu tre rsolu. Le dmarrage du bus nest fonctionnel qu partir de 500V jusqu 1200V. Lobservation
des signaux montre que malgr plus dune cinquantaine de commutations successives, lautoalimentation ne
prend pas le relais assez rapidement. Le circuit dmarrage des commutations tant progressif, la tension
dautoalimentation ne permet pas dalimenter le circuit de contrle dans un premier temps. Une fois le
dmarrage effectu 500V, la tension de bus peut varier de 200V 1200V, lalimentation fonctionne en
respectant lectriquement et thermiquement les normes UL ainsi que le cahier des charges.

4. Conclusion
Le dmarrage du bus ntant pas rsolu, le fonctionnement a tout de mme t vrifi sur toute la plage de
tension de travail. Les normes UL et le cahier des charges sont respects, de plus lutilisation de MOSFETs
1,2kV pourrait tre utilis pour le nouveau projet o les normes marines imposent une tension de bus de 1,4kV.
Les distances disolations du transformateur dimpulsion sont certifier avec la carte, mais la vrification avec
linterlocuteur des normes UL a dj pu permettre le respect de ses normes. Les solutions de rgulations des
tensions de sortie 24V et -15V ayant t intgres sur la carte v2 nont pas pu tre testes sur la carte complte,
mais aucun paramtres ne laissent penser quelles ne fonctionneront pas.

7. Conclusion gnrale
Ce projet de fin dtude ma apport une nouvelle exprience professionnelle. La gestion des priorits na
pas t optimale mme si la majeure partie des problmes ont t solutionns, le dmarrage de la carte nest
toujours pas fonctionnel alors que certains objectifs secondaires comme la rgulation de tension de sortie ont
t tudie. Cependant le remplacement des composants obsoltes a t effectu avec une amlioration du
fonctionnement de lalimentation tout en respectant les cots matires, les normes UL et autres contraintes de
lentreprise. La gestion du temps avec les dlais dapprovisionnement et de conception de circuits imprims a
t gr plutt efficacement, nanmoins une rduction du temps dtude des lments parasites lis au
transformateur dimpulsion planar aurait pu tre possible au vu de leur faible influence sur le fonctionnement
du circuit. Beaucoup dinteractions ont t ncessaires avec le service achat et le service de stockage de
composants en production, ce qui a pu rduire les dlais et cots dapprovisionnement lors de la ralisation des
cartes. Les principales difficults ont t de convaincre de lutilisation de composants ou nouvelles technologies
dans une entreprise o les contraintes sont nombreuses. Je remercie Leroy Somer davoir pu moffrir cette
exprience professionnelle enrichissante.

65
 8. Table des figures

Figure 1 : Marcellin Leroy ....................................................................................................................................................... 7

Figure 2 : Gamme de produits ................................................................................................................................................ 8

Figure 3 : Rpartition des ventes dans le monde ................................................................................................................... 9

Figure 4 : Usine des Agriers .................................................................................................................................................. 10

Figure 5 : Schma blocs variateur ......................................................................................................................................... 11

Figure 6 : Diagramme des fonctions ..................................................................................................................................... 12

Figure 7 : Logo UL ................................................................................................................................................................. 13

Figure 8 : Schma Flyback un interrupteur........................................................................................................................... 14

Figure 9 : Schma Flyback 2 interrupteurs ........................................................................................................................... 15

Figure 10 : Commande actuelle MOSFETs ............................................................................................................................ 18

Figure 11 : Schma de simulation 1 ...................................................................................................................................... 19

Figure 12 : Simulation 1200V vide VGS .............................................................................................................................. 19

Figure 13 : Simulation 400V en charge VGS.......................................................................................................................... 19

Figure 14 : couche suprieure modifie ............................................................................................................................... 20

Figure 15 : couche infrieure modifie................................................................................................................................. 21

Figure 16 : Ferrite E + PLT ..................................................................................................................................................... 25

Figure 17 : Tableau lignes de fuite ........................................................................................................................................ 26

Figure 18 : Tableau des distances dans l'air ......................................................................................................................... 27

Figure 19 : Slection des distances dans l'air ....................................................................................................................... 27

Figure 20 : Dimensionnement de transformateur ................................................................................................................ 27

Figure 21 : Schma de capacits parasites ........................................................................................................................... 28

Figure 22 : Tableau de calcul de capacits parasites ............................................................................................................ 29

Figure 23 : Mthode de calcul d'inductance de fuite ........................................................................................................... 30

Figure 26 : planche transformateurs planars ....................................................................................................................... 32

Figure 24 : Transformateur ferrite E18 ................................................................................................................................. 32

Figure 25 : Transformateur ferrite E22 ................................................................................................................................. 32

66
Figure 27 : Schma de simulation Flyback 1 interrupteur .................................................................................................... 37

Figure 28 : Simulation surtension Ubus 800V ....................................................................................................................... 37

Figure 29 : Schma de simulation complet Flyback 2 interrupteurs .................................................................................... 45

Figure 30 : Rsultats de simulation Flyback 2 interrupteurs ................................................................................................ 46

Figure 31 : dissipateur dorigine et dissipateur TO-247........................................................................................................ 50

Figure 32 : graphe des tempratures en charge 300V....................................................................................................... 52

Figure 33 : graphe des tempratures en charge 1200V .................................................................................................... 52

Figure 34 : graphe des tempratures 1200V vide.............................................................................................................. 53

Figure 35 : Schma de dmarrage ........................................................................................................................................ 55

Figure 36 : Simulation du circuit de dmarrage sans autoalimentation .............................................................................. 56

Figure 37 : Simulation du circuit de dmarrage avec autoalimentation .............................................................................. 56

Figure 38 : routage cartes rgulation de tension ................................................................................................................. 59

Figure 39 : plan 3D rgulation de tension 24V ..................................................................................................................... 59

Figure 40 : plan 3D rgulation -15V ...................................................................................................................................... 60

Figure 41 : circuit de surtension ........................................................................................................................................... 62

Figure 42 : redressement et filtre rseau ............................................................................................................................. 62

Figure 43 : chaine de rsistances de protection et de mesure ............................................................................................. 62

Figure 44 : routage carte v1 ................................................................................................................................................. 63

Figure 45 : routage carte v2 .................................................................................................................................................. 63

Figure 46 : carte v1 ............................................................................................................................................................... 64

Figure 47 : carte originale ..................................................................................................................................................... 64

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