SERGIO SACHT DE ALMEIDA

Faculdade Estcio de S - Estcio

Campos dos Goytacazes

2017

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 Eletrnica de Potncia: IGBTs

IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Trabalho desenvolvido na Faculdade Estcio de S

Campos dos Goytacazes-RJ da disciplina de
eletrnica de potncia, ministrada pelo professor
Marcelo da penha Rodrigues, 8 semestre do curso
de Engenheira Eltrica Noturno.

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

Semicondutores de Potncia

Introduo:
Para serem aplicados em sistemas de elevada potncia e substiturem as rudimentares
vlvulas, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes
e elevadas tenses inversas, em comutao. Alm disso, h necessidade de uma
operao em elevadas frequncias de comutao dos dispositivos semicondutores, como,
por exemplo, os inversores de tenso, necessrios para a construo de filtros ativos de
potncia. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas de
potncia durante a sua comutao.
IGBT: O nome IGBT, uma sigla de origem na Lngua Inglesa e significa Insulated Gate
Bipolar Transistor ou, em Portugus Transistor Bipolar de Porta Isolada.

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs
Introduo:
Reunindo as caractersticas de comutao dos transistores bipolares de potncia e a
elevada impedncia de entrada dos MOSFETs, os IGBTs tornam-se cada vez mais
populares nos circuitos de controlo de potncia de uso industrial e at mesmo em
eletrnica de consumo e embarcada.

O equilbrio na combinao entre velocidade de comutao, perdas de conduo, e

robustez, que est sendo sempre afinado para que os IGBTs estejam invadindo o domnio
de alta eficincia, e alta frequncia, dos MOSFETs de potncia

Na verdade, a tendncia da indstria para que os IGBTs, substituam os MOSFETs de

potncia, excepto em aplicaes de muito baixa corrente. Para ajudar a entender as
vantagens e desvantagens e para ajudar os projetistas de circuitos com a seleo do
dispositivo IGBT e sua aplicao, existe uma aplicao que fornece uma viso
relativamente clara da tecnologia IGBT e um passo a passo do Advanced Power
Technology IGBT datasheet information.

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Estrutura NPT(*) (*)Non Punch-Through

O IGBT tem alta impedncia de entrada e a alta velocidade caractersticas de um MOSFET

com a condutividade caracterstica de um transistor bipolar (baixa tenso de saturao).
O IGBT ligado ON, atravs da aplicao de uma tenso positiva entre a Gate e o
emissor e, como no MOSFET, desligado OFF, fazendo o sinal de Gate zero, ou
ligeiramente negativo.

Estrutura Interna Smbolo Circuito Equivalente

Gate
C
Emissor
C
n+ n+
p+ p+
G
G
N-
Epitaxial drift
region E E
p+

coletor
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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Estruturas PT (*) e funcionamento (*)Punch-Through

Os PT IGBTs tm uma camada n+ adicional, por conseguinte, a operao de um PT IGBT

muito semelhante de um MOSFET.
VGE
Emissor Gate A tenso positiva aplicada a
partir do Emissor para os
terminais de Gate, faz com
n+ n+ que os eletrons sejam atrados
p body region Estrutura em direo ao terminal Gate
MOSFET
na regio do corpo (body
n- Drift region canal- n
region).
n+ Buffer layer

p+ Substrate (Injecting layer)

VCE
coletor
Se a tenso de Gate-Emissor (VGE) igual ou acima da tenso limiar (VT), eletrons suficientes so
atrados para a Gate, e so capazes de formar um canal condutor atravs da regio do corpo,
permitindo que a corrente flua a partir do Emissor para o coletor.
Este fluxo de eletrons atrai ons positivos, ou lacunas, a partir do substrato do tipo p+ pela regio de
desvio (drift region) at ao Emissor. Isto conduz a um par de circuitos equivalentes simplificados para
um IGBT, como mostrado na Figura da pagina seguinte .
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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Estrutura PT
O IGBT tem alta impedncia de entrada e a alta velocidade caractersticas de um MOSFET com a
condutividade caracterstica de um transistor bipolar (baixa tenso de saturao). O IGBT ligado
ON, atravs da aplicao de uma tenso positiva entre a Gate e o emissor e, como no MOSFET,
desligado OFF, fazendo o sinal de Gate zero, ou ligeiramente negativo.
Metal
coletor
Smbolo Circuito Equivalente
C

p+Substrato G C

n+ Camada buffer
SiO2 E
C
N- epi
G
G
p+

p p E
E
n+ P- n+

Gate
Gate
Emissor
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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Estruturas e funcionamento (PT) (*)Punch-Through

Induo do Canal para VGE VT
coletor
Canal Induzido

p+Substrato

n+ Camada buffer PNP

RMOD

NPN N- epi
eletrons

p+

p
RBE p
n+ P- n+
Gate
Gate

Emissor

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs : Funcionamento PT
Circuito Equivalente para VGE<VT Circuito Equivalente para VGEVT

+VCC +VCC
IEPNP Transistor PNP ON.
IBPNP
RMOD diminui devido injeo
de portadores do emissor PNP.
Corrente de Fuga
ICNPN A juno BE do Transistor NPN
ICPNP fica polarizada diretamente,
IBNPN conduz devido corrente de
base do transistor PNP.
O transistor MOSFET conduz
tambm devido corrente do
IRBE transistor PNP.
IENPN

Ambos os transistors OFF

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IGBTs : Caractersticas - diodo Anti-Paralelo

Algumas aplicaes requerem um diodo anti-paralelo para:

Transportar corrente de carga (free wheeling diode).
Proteger o pack optimizado de comutao dos IGBTs.
Carga de recuperao mais baixa do o diodo de corpo de um MOSFET/FREDFET.
NOTA: Os IGBT em packs projetados para SMPS tem um diodo com corrente nominal
que geralmente inferior corrente nominal do IGBT, porque:
-Um duty factor inferior para o diodo comum em aplicaes de SMPS.
-Menor perdas na comutao do prprio diodo; menos calor gerado no diodo do que
no IGBT.

Carga indutiva

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs : Caractersticas - Circuito Gate Drive

O driver um circuito de interface entre o circuito de controlo e o circuito de potncia,

cujas funes so: amplificar os nveis de corrente e tenso para accionar os transistores
de potncia, que se encontram em diferentes potenciais e realizar a proteo dos
transistores quando detectado um curto-circuito.

Ilustrao de circuitos driver.

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IGBTs : Caractersticas - Circuito Gate Drive

Qual o requisito mais importante para uma Drive de IGBT? Corrente de pico da Gate
AN2123 - Aplicao de alta potncia: Drive negativa da Gate e caminho de descarga
secundria da Gate.

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IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs

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IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - UPS

UPS - Uninterruptible power systems

Definio

Segundo a norma IEC 62040-3 - Uninterruptible Power Systems - UPS - Part 3: Method
of specifying the performance and test requirements). Uma UPS a combinao de
conversores, chaves e dispositivos de armazenamento de energia tais como baterias,
constituindo um sistema de energia para manter continuamente uma carga em caso de
falha na alimentao de entrada.
DIAGRAMA DA UPS

Electronic bypass

Line Load
K20
Input filter Rectifier Inverter Output Manual
filter bypass
Battery

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IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - UPS

UPS - Uninterruptible power systems

INVERSOR

Inversor de 6-pulsos c/ IGBT,( pulse-width modulated - PWM)

PWM O sinal dos impulsos para o PWM so gerados pela

placa de controle.
IGBT drive
A placa driver isola os pulsos eletrnicos dos
C transistores de potncia (integrated-gate bipolar
transistors IGBTs), que geram a tenso de sada
U regulada em amplitude e frequncia atravs de uma
+ tenso DC varivel.
V
CZ W O inversor uma ponte transistorizada, trifsica que
trabalha com o princpio de PWM, com um
chaveamento de 8,0 KHZ
D

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - UPS

INVERSOR

IGBT drive PWM

+ 3-phase U
Tenso
Alternada
Tenso direta U
+ V
V
CZ W

- W

O Inversor faz o chaveamento da tenso DC fornecida pelo retificador em um sinal pulsante, ( 3 fases,
defasadas 1200 entre si ) de alta ferquncia. Este sinal tm sua largura de pulsos varivel em funo da
tenso e frequncia de sada que tm de ser regulados. Este sinal s ser puramente senoidal aps a
passagem pelo filtro de sada.

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IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - UPS

Pulse Width Modulation

Gerando o sinal de PWM para a modulao do IGBT

O sinal de Trigger gerado pelo

microcontrolador da placa de
controle de disparo

Os sinais de pulso so gerados pelo

cruzamento de um sinal senoidal e
de um sinal em triangular
(frequncia bsica do PWM).

A largura de pulso depende do

cruzamento dos valores entre as
2 ondas

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - UPS

FILTRO DE SADA

10-100 kVA

Vm do Inversor Va p/ o
Transformador

Tenso chaveada na
O filtro de sada tm o papel entrada do Filtro
de filtrar os pulsos de alta
frequncia, deixando passar
apenas a frequncia
fundamental.
Tenso senoidal na
sada do Filtro

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs Inversores de Frequncia

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - Inversores de Frequncia

Abaixo mostra um inversor monofsico bsico: 6 pulsos

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - Inversores de Frequncia

O chaveamento trifsico
Nas aplicaes industriais, os motores so trifsicos, com defasagem de120
entre fases, para o sinal de sada seja fiel ao original, ele tambm dever ser
trifsico. Para que a sada seja o mais prximo possvel de um sinal senoidal, a
lgica de controle precisa distribuir os pulsos de disparos pelos 6 IGBTs

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - Inversores de Frequncia

Nesta situao, somente dois transistores podero ser ativados por vez, sendo um
do grupo positivo ( T1, T2 e T3) e um do grupo negativo (T4, T6 e T2).
Como este arranjo temos 6 combinaes possveis que so: VAB, VAC e VCB que
conduziriam do potencial negativo para o positivo. Veja a sequncia:

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - Inversores de Frequncia

Esta alternncia entre as fases da carga recria um sinal alternado com

defasagem de 120, como pode ser observado no diagrama de tempo abaixo

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

IGBTs: Aplicaes tpicas dos IGBTs - Inversores de Frequncia

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IGBTs: Encapsulamentos
Encapsulamentos discretos:

TO-247AC

Encapsulamentos de alta potncia

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

Semicondutores de Potncia: Tendncias dos Sistemas

Tendncias dos Sistemas de Potncia Turbinas
Tendncia de integrao
Elicas
Laminados,
BusBars, PCBs
Sistemas de Inversores
Refrigerao
Condensadores
Motor
Drive
Bobines, Sensores
de Corrente

Resistncias

Traco Carril

IGBT Stack UPS

INVERTER
Mdulos Potncia
Power Connectors

IGBT Drive VE/VEH

Pastilha de Link Tcnico

Semicondutor

Source: Yole Dveloppement Medical.

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 Semicondutores de Potncia: IGBTs

Bibliografias
RASHID, Muhammad Harunur. Power Electronics Circuits, devices and applications. 2 ed. Prentice Hall, New Jersey: 1993;
Apostila de Eletrnica Potncia I;
http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html;
http://www.mathworks.com/access/helpdesk/help/toolbox/powersys/igbt.shtml;
http://www.coltec.ufmg.br/alunos/270/semicondutores/igbt.html;
http://www.mitsubishichips.com/datasheets/power/powermos_index.html;
http://sites.uol.com.br/rick.machado/engenhar.html;
http://orbita.starmedia.com/~tecnofac/eletronica/igbt.htm.
http://www.i-micronews.com/upload/presentation/Yole_-_Fortronic_2013_Public.pdf
http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/14709-igbt-technical-overview
Tiristores - UNIVERSIDAD DE OVIEDO de Manuel Rico Secades
www.calce.umd.edu

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