Professional Documents
Culture Documents
Caractersticas Fsicas
Descripcin del fenmeno
La capacitancia depende de las
Un capacitor es un dispositivo capaz de
caractersticas fsicas del capacitor:
almacenar carga elctrica, y consiste en dos
objetos conductores (generalmente placas u - Si el rea de las placas que estn frente a
hojas) colocados uno cerca del otro, pero sin frente es grande la capacitancia aumenta
que estn en contacto, estn separadas por
un aislante llamado dielctrico. Un - Si la separacin entre placas aumenta,
dielctrico o aislante es un material que evita disminuye la capacitancia
el paso de la corriente. - Si se aumenta la tensin aplicada, se
aumenta la carga almacenada.
Caractersticas Qumicas
CATALIZADORES HETEROGNEOS
BIBLIOGRAFA
GONZO E. E. CONCEPTOS BASICOS SOBRE LOS FENOMENOS DE TRANSPORTE Y
TRANSFORMACIN EN CATALISIS HETEROGENEA. Editorial Eunsa, 1 ed., Argentina.,
2010. Pp.: 15-23
CARBALLO-SUAREZ L. M. INTRODUCCIN A LA CATLISIS HETEROGNEA.
Universidad Nacional de Colombia, 1 ed., Colombia., 2002. Pp.: 21-25
HOUSECROFT C. E., SHARPE A. G. QUMICA INORGNICA. Pearson- Pretince Hall. 2
ed. 2006. Pp.: 786-789/799-802
SUPERFICIES SLIDAS: ADSORSIN Y CATLISIS HETEROGNEA Apuntes de
Qumica-Fsica Avanzada., Departamento de Qumica-Fsica., Univrsitat de Valencia.
Documento disponible en: http://www.uv.es/tunon/pdf_doc/Superficies_Solidas_A.pdf
15/11/2015
Espinosa Rocha Jorge Antonio
CELDAS DE COMBUSTIBLE
INTRODUCCIN
Una celda de combustible es un dispositivo electroqumico que convierte la energa qumica en energa elctrica y esta a
su vez la suministra a una corriente directa. Su eficiencia, su baja produccin de contaminantes, y su forma de simplificar
varios procesos para generar energa las ubica como una de las tecnologas ms prometedoras para reemplazar las
formas tradicionales de cubrir la demanda energtica del mundo.
La composicin bsica de una celda de combustible consta de una capa de electrolito que se encuentra en medio de
unas membranas porosas que cumplen la funcin de nodo y ctodo, similar a una batera. La capa de electrolito
mantiene contacto directo con ambas membranas.
Gracias a la porosidad de las membranas, el combustible (hidrgeno, metanol, biogs, propano o etanol) es inyectado
con oxgeno, el cual cumple la funcin de oxidante. Una diferencia con las bateras es que el combustible y el oxidante
deben ser suministrados continuamente. Las membranas contienen un material conductor (generalmente un metal) para
recoger la energa elctrica creada por una reaccin qumica bsica.
22 + 2 2 +
El hidrogeno al ser ionizado pierde un electrn que es trasladado por el material conductor mientras que el hidrogeno
viaja a travs del electrolito hacia el ctodo donde se dar una reaccin que produce agua, calor y energa elctrica.
TIPOS DE CELDA
Celda de combustible alcalina (AFC) Bsicamente, esta celda consiste en 2 electrodos porosos (por lo general de nquel
chapado en oro) separados por una disolucin acuosa de hidrxido de potasio (KOH).
Por un lado, en el nodo se inyecta gas hidrgeno, el cul fluye a travs de los poros del nodo, en donde se encuentra
en contacto directo con iones hidroxilo (presentes en las porosidades del electrodo). El hidrgeno se oxida en presencia
de iones hidroxilo, produciendo agua y electrones: 2H2 + 4OH-4H2O + 4 e-
Los electrones producidos en la reaccin viajan del nodo al ctodo, en donde reducen al oxgeno en presencia de agua
(esto, dentro de las porosidades del electrodo): O2 + 2H2O + 4e-4OH- .La reaccin global consume 2 molculas de
hidrgeno y una molcula de agua para producir 2 molculas de agua.
La principal desventaja de este tipo de celdas de combustible, es que el KOH es susceptible a contaminarse de CO 2
produciendo carbonato de potasio (K2CO3), el cual se deposita en los poros de los electrodos y bloquea su funcionamiento:
2CO2 + 2KOHK2CO3 + H2CO3. Por esta racin se debe usar oxgeno o aire purificado de CO 2, el cul suele ser costoso.
An con lo mencionado, las AFC son las pilas de combustible ms baratas de fabricar y su eficiencia puede ser de hasta
el 70%. Este tipo de celdas opera a temperaturas entre 105C y 245C
Celda de combustible de cido fosfrico (PAFC) Esta celda consiste de 2 electrodos porosos hechos de papel carbn
recubierto con platino (como catalizador), separados por una disolucin de cido fosfrico. Al igual que en la celda alcalina,
las reacciones se llevan a cabo en las porosidades de los electrodos.
En el nodo, el gas hidrgeno se oxida segn la reaccin 2H 24H+ + 4e-. Los electrones producidos viajan del nodo al
ctodo, en donde reducen al oxgeno en presencia de protones: O 2 + 4H+ + 4e-2H2O.La reaccin global consume 2
molculas de hidrgeno y una molcula de agua para producir 2 molculas de agua.
A diferencia de AFC, PAFC es ms tolerante a las impurezas, por lo que no se necesita que los reactivos estn
completamente puros. Sin embargo, en contraste con AFC, esta celda de combustible puede alcanzar eficiencias de
produccin de energa de apenas 42% y el hecho de que se necesite un catalizador de platino (que se recarga
peridicamente) eleva su costo significativamente. Este tipo de celdas opera a temperaturas entre 180C y 205C.
Celda de combustible de Membrana Intercambiadora de Protones (PEMFC)
Este tipo de celdas usa como electrolito una capa delgada (50 m) de una membrana de intercambio protnico (como el
polmero del cido perfluorosulfonado) que se encuentra en fase slida. Los electrodos (nodo y ctodo) cuentan con un
catalizador de platino dispersado en carbono. Las reacciones en el nodo y el ctodo son las mismas que las que se
describen en la PAFC. La temperatura de operacin de estas celdas es alrededor de 80 C y son grandes candidatas a
aplicaciones de vehculos y tecnologa porttil. Sus principales ventajas radican en su alta potencia, su electrolito solido
que evita la corrosin y sus bajas temperaturas de operacin. Sus desventajas son el costo de los catalizadores y la
sensibilidad a las impurezas del combustible.
Celda de combustible de metanol directo (DMFC) Al igual que la PEMFC, esta celda utiliza como electrlito una
membrana de polmero slido. La principal caracterstica de esta celda, es que utiliza metanol lquido como fuente de
hidrgeno. Este metanol llega a la membrana polimrica por medio de los electrodos porosos, y con la ayuda de un
catalizador de platino presente en la membrana produce CO2, protones y electrones:
Los electrones producidos viajan del nodo al ctodo, mientras que los protones atraviesan la membrana polimrica. En el
ctodo se introduce Oxgeno, el cul reacciona en la interfase membrana-ctodo con los protones y electrones producidos
en la oxidacin del metanol: 6H++6e- + 3/2 O2 3H2O.
La DMFC puede alcanzar eficiencias de hasta 40% y opera a temperaturas de entre 50C y 120C, lo que hace a este tipo
de celdas atractivas para su uso en celulares u objetos de uso cotidiano. Las desventajas de este tipo de celdas son
principalmente el permeado del metanol del nodo al ctodo sin generar electricidad (problema conocido como crossover)
y la generacin de grandes cantidades de CO2,, las cuales dificultan el transporte del metanol haca el catalizador de platino
en la membrana.. Actualmente se trabaja para encontrar solucin a los problemas mencionados y tambin para encontrar
catalizadores ms eficientes para oxidar al metanol, ya que dicha oxidacin es de cintica ms lenta que la oxidacin del
hidrgeno.
El electrolito de este tipo de celdas es una combinacin de los carbonatos de Li, K y Na retenido en una matriz cermica
de 2 . La temperatura de operacin se encuentra entre los 600 y 700 C debido a que se debe alcanzar la
temperatura adecuada para la conductividad del electrolito de carbonatos. Una ventaja de estas altas temperaturas es
que no se necesitan metales nobles como catalizadores y permite la cogeneracin.
Tambin la caracteriza su alta efectividad al usar combustibles a base de carbn. Su deficiencia radica en que debido a
las altas temperaturas de funcionamiento se promueve el desgaste y la corrosin.
La particularidad de este tipo de celdas radica en que su electrolito consiste en un slido no poroso de un oxido metlico,
usualmente 2 3 2 (YSZ). La celda opera entre 500 a 1000 C donde la conduccin de los iones de
oxigeno toma lugar. Es una de las celdas ms prometedoras en cuanto aplicaciones de alta potencia debido a su
eficiencia, sus bajos problemas de corrosin y sus diseos de celdas tubulares y planas. Su inconveniente es la alta
temperatura de operacin.
Bibliografa
PEM Fuell cells: theory and practice; Frano Barbir .- Segunda edicin pag: 1-10
http://www.ptolomeo.unam.mx:8080/xmlui/bitstream/handle/132.248.52.100/605/A5.pdf?sequence=5
Maribel C. Frnandez Valecillos, Tesis Celdas de combustible, Universidad de los andes, Facultad de ingerniera,
2009
Ricardo Escudero-Cid, Enrique Fats, Juan Carlos Prez-Flores y Pilar Ocn Pilas de combustible: una alternativa
limpia de produccin de energa,2013
http://worldwide.fuelcells.org/sp_base.cgim?template=sp_fctypes#dmfc, consultado el da 14 de noviembre de
2015 a las 18:00 horas.
Celdas solares
Alumnas: Cordero Fernndez Tonantzin y Hernndez Acevedo Alejandra
Prof.: Jos Francisco Gmez Garca Trabajo de Qumica del Estado Slido
RESUMEN: Una celda solar o fotovoltaica es la conversin directa de luz en electricidad a nivel atmico.
Algunos materiales presentan una propiedad conocida como efecto fotoelctrico que hace que absorban
fotones de luz y emitan electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una
corriente elctrica que puede ser utilizada como electricidad.
Caractersticas qumicas: Sean resistentes y que brinden
excelentes propiedades mecnicas.
Existen celdas solares fabricadas con Que ofrezcan valores grandes en cuanto
materiales muy especficos que han sido a caractersticas elctricas.
estudiados precisamente para conocer las
propiedades que pueden ofrecer dichos Caractersticas estructurales:
materiales; hoy en da los materiales ms
atractivos para la fabricacin de estos Las celdas solares de silicio pueden ser de tipo
dispositivos son el Si, GaAs y CdS debido a monocristalinas, policristalinas o amorfas. La
que permiten una amplia flexibilidad, resistencia diferencia entre ellas radica en la estructura
y ofrecen aceptables valores de eficiencia cristalina y tiene pequeas variaciones en
elctrica. Precisamente son de estos materiales cuanto a eficiencia.
con los que estn fabricadas casi todas las La estructura bsica de una celda fotovoltaica
celdas solares del mundo. puede verse en la figura 1a. El Silicio tipo n
La mayora de las celdas solares son est dopado con Fsforo, que tiene un electrn
fabricadas con silicio, esto es debido a que es adicional de valencia respecto a Silicio, lo que
un material semiconductor, es decir, tiene genera un exceso de electrones, disponibles
propiedades entre aislante y un conductor. La para conducir electricidad. El Silicio tipo P est
conduccin de corriente se produce cuando dopado con Boro, que tiene un electrn menos
electrones pasan de la banda de valencia a la que Silicio, de manera que se generan
banda de conduccin. En un semiconductor vacancias (huecos) o centros positivos.
como el Si conduce electricidad en ciertas
condiciones, si se le entrega la energa
necesaria para que los electrones salten de la
banda de valencia a la de conduccin, por
ejemplo entregando energa luminosa.
Conductores inicos.
Son materiales que presentan conductividad, debida al movimiento de tomos o
iones en el slido, la cual es producida en presencia de un campo elctrico
externo.
Estos sistemas conductores de iones incluyen aquellos materiales en los cuales la
existencia de la red o de estructuras de canales permite que los iones fluyan
rpidamente a travs de ellos.
Las caractersticas que debe llenar un material susceptible de utilizarse son:
elevada conductividad inica, muy baja conductividad electrnica y estabilidad
hacia los electrodos a la temperatura de uso, conducen a una temperatura mucho
menor a su temperatura de fusin.
Los iones portadores de carga son H, Ag, Cu, Li, F, Na, K, Al entre otros. Estos en
un conductor inico podrn viajar a travs del solido si satisfacen algunas de las
siguientes condiciones: a) pueden ganar suficiente energa para salvar barreras de
potencial que les impidan moverse b) que dispongan de conjuntos de sitios
energticamente equivalentes interconectados formando canales de transporte a
travs de un slido.
Donde lo que explica el movimiento de iones en el slido son los modelos
desarrollados por Frenkel y Schottky conocidos como; el modelo por vacancias y
por intersticiales que consisten en el salto de los iones entre sitios vacantes o
sitios intersticiales dando como resultado la migracin inica.
Ms especficamente podemos decir que los defectos por vacancias propuesto por
Shottky dice que un cristal inico, no puede tener un defecto por formacin de una
vacante catdica si no va acompaado de un nmero equivalente de defectos por
formacin de una vacante anionica, para que el cristal sea elctricamente neutro,
esto involucra el movimiento de una vacancia, a travs de la red, por saltos
sucesivos del ion en direccin opuesta al movimiento de las vacancias, fenmeno
conocido como difusin en estado slido, mientras que los defectos de sitios
intersticiales o de Frenkel, un ion se mueve a travs de una serie de sitios
intersticiales.
Como se ha mencionado la difusin inica es consecuencia de los defectos
puntuales, que originan un movimiento desordenado y aleatorio de los iones en la
red cristalina que aumentan al aumentar la temperatura. Este movimiento se
orienta cuando se aplica una diferencia de potencial dando como resultado una
corriente elctrica.
Los cristales de NaCl tienen ms defectos de Schottky mientras que los de AgCl
ms de tipo Frenkel.
Figura 2 . Cristal hipotetico mostrando la formacion de
Figura 1 Cristal hipotetico mostrandola defectos por formacion de vacantes.
existencia de defectos intersticiales
Caractersticas qumicas
Los cristales lquidos son materiales moleculares en los que incluso en estado lquido, sus
molculas constituyentes presentan cierto grado de ordenamiento. Debido a ello, ocupan
una posicin intermedia entre los slidos monocristalinos (anistropos) y los lquidos
comunes (istropos). Los cristales lquidos son fluidos como los lquidos, pero, por otro
lado, exhiben propiedades anistropas como los cristales.
Podemos distinguir dos tipos de cristales lquidos. Por una parte, los cristales lquidos
termtropos, cuyo diagrama de fases depende nicamente de la temperatura. Por el otro,
los cristales lquidos litropos, donde adems de la temperatura, la concentracin del
compuesto en un disolvente (normalmente agua) hace variar el diagrama de fases.
Un cristal lquido fluye, se escurre y toma la forma del recipiente que lo contiene, de la
misma manera que lo hace un lquido ordinario como, por ejemplo, el agua. Pero a
diferencia de sta, cuyas molculas son relativamente simples y prcticamente esfricas, las
molculas de un cristal lquido son, por lo general, o muy alargadas en forma de barra o
aplanadas en forma de disco.
Caractersticas estructurales
De acuerdo con el tipo de arreglos moleculares que pueden formar, Friedel (1922) clasific
los cristales lquidos en tres grandes clases: nemticos, esmcticos y colestricos. La fase
nemtica exhibe orden en la orientacin de sus molculas y al mismo tiempo desorden en
la posicin de sus centros de masa. Las molculas pueden moverse lateralmente, girar
alrededor del eje comn o deslizarse paralelamente a l; un nemtico se comporta como un
lquido ordinario y sus molculas se mueven caticamente. En cambio difiere totalmente de
un lquido ordinario en que sus molculas se orientan y al moverse mantienen sus ejes
paralelos a una direccin comn.
Los cristales lquidos fueron descubiertos hace ms de cien aos (1888) por el botnico
austriaco F. Reinitzer, quien encontr que algunos compuestos orgnicos derivados del
colesterol parecan tener dos puntos de fusin. Ms especficamente, observ que al calentar
los cristales de estas sustancias a 145 C, el slido se transformaba en un lquido turbio; pero
ste a su vez, se converta en un lquido totalmente claro y transparente precisamente a 179
C. Reinitzer tambin realiz el proceso inverso y enfri el lquido transparente observando
que exactamente a las mismas temperaturas anteriores ocurran las transformaciones
opuestas. Como adems los cambios observados iban acompaados de absorcin o emisin
de calor, dependiendo de si la temperatura aumentaba o disminua y, asimismo, como el
volumen del sistema cambiaba en forma abrupta, Reinitzer concluy que la sustancia en
realidad exhiba dos cambios o transiciones de fase sucesivas. Al poco tiempo de estas
primeras observaciones (1889), el cristalgrafo alemn F. Lehmann descubri que el lquido
turbio intermedio entre los cristales y el lquido transparente posea propiedades pticas y
una estructura molecular muy parecida a la de un cristal slido, y acu el nombre de cristal
lquido. Aun sin darse plena cuenta, lo que en realidad haban descubierto era un nuevo
estado de la materia: las fases intermedias o mesofases.
Bibliografa
http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx/sites/ciencia/volumen2/ciencia3/104/htm/s
ec_6.htm
http://www.mim-us.es/estructuras_cristalinas/cristales_liquidos.html
Nez Ortega Itzel Xhadani
Snchez Castell Jos Alberto
Piezoelctricos
Descripcin del fenmeno:
La piezoelectricidad es un fenmeno que ocurre en determinados cristales con ciertas condiciones de
simetra, que al ser sometidos a fuerzas mecnicas (presin, deformacin, etc.), se adquiere una polarizacin
elctrica que genera una diferencia de potencial y cargas elctricas en la superficie del cristal.
Se puede definir al efecto piezoelctrico como el cambio de la polarizacin elctrica proporcional a la
deformacin. Se dice que un material es piezoelctrico si la aplicacin de una fuerza mecnica exterior da lugar
a un desplazamiento dielctrico dentro del material. Este desplazamiento se manifiesta como una polarizacin
elctrica interna.
Normalmente el efecto piezoelctrico es reversible: al dejar de someter el cristal a una diferencia de
potencial o campo elctrico, ste recupera su forma y viceversa. En la literatura se encuentra al efecto
piezoelctrico directo como la conversin de energa mecnica en energa elctrica y al efecto inverso o
recproco como la generacin de energa mecnica a partir de energa elctrica.
El principio de funcionamiento del que se saca provecho en los materiales piezoelctricos se basa en lo
mencionado, y de los numerosos materiales piezoelctricos existentes, el cuarzo es el ms utilizado debido a su
estabilidad.
Donde:
S11 es el componente del tensor de tensin
E1 es el componente del vector campo elctrico
d111 es el coeficiente de piezoelectricidad
Bibliografa:
Tich, Jan, et. al. Fundamentals of piezoelectric sensorics. Springer. Berln, 2010.
Semiconductores transparentes
Acosta Rodrguez Salvador y Rodrguez Virto Irvin
Bibliografa
http://blogs.creamoselfuturo.com/nano-tecnologia/2006/10/27/oxidos-
semiconductores-nanoestructurados/
http://www.tandar.cnea.gov.ar/doctorado/Tesis/Rodriguez.pdf
Housecroft Catherine E., Sharpe Alan G; Qumica Inorgnica; Segunda
Edicin. Editorial Pearson. 2006. Mxico. Pp. 142-144.
Huheey James E., Keiter Ellen A.; Qumica Inorgnica: Principios y
reactividad; Cuarta edicin; Editorial Oxford University Press; 1997; Mxico
p. 280.
http://depa.fquim.unam.mx/amyd/archivero/condsemicondais2_27505.pdf
Gonzlez Moreno Daniel Qumica del Estado Slido
Marino Tinajero Giancarlo 16/11/15
SENSORES DE GAS
Los sensores de gas funcionan mediante la medicin del cambio de una propiedad fsica debido a
interacciones reversibles entre la superficie de un material en estado slido y el gas de inters. Estas
interacciones pueden ser procesos de adsorcin/desorcin y/o reacciones qumicas.
Tabla 1. Tipos de sensores de gas de estado slido con el cambio fsico correspondiente utilizado como
principio de deteccin de gas.
Por supuesto, debido a la gran variedad de sensores de gas, es imposible tratar con todos los tipos; por lo
tanto nos hemos centrado solo en dos de los principales.
Los sensores de gas semiconductor (SGS, por sus siglas en ingls Semiconductor Gas Sensors) estn
tpicamente basados en xidos metlicos (por ejemplo, SnO2, TiO2, In2O3, WO3, NiO, etc.).
Las interacciones superficiales gas/semiconductor en los que se basa el mecanismo de deteccin de gas
SGS se producen en los lmites de grano de la capa del xido policristalino. Por lo general, incluyen
procesos de reduccin/oxidacin de los semiconductores, adsorcin de especies qumicas directamente en
el semiconductor y / o adsorcin por reaccin con estados superficiales asociados a oxgeno ambiental
adsorbido previamente, transferencia electrnica de los electrones deslocalizados de la banda de
conduccin a los estados superficiales y viceversa, efectos catalticos y en general reacciones qumicas
superficiales complejas entre las diferentes especies qumicas adsorbidas. El efecto de estos fenmenos
de superficie es un cambio significativo y reversible en la resistencia elctrica (es decir, un aumento o
disminucin de la resistencia bajo la exposicin de gases oxidantes). Esta variacin de la resistencia puede
ser fcilmente observada y utilizada para detectar especies qumicas en el ambiente. El cambio en la
resistencia elctrica ocurre debido a que se forman regiones aislantes en el material semiconductor como
consecuencia de la difusin de electrones causada por los procesos mencionados anteriormente.
Las interacciones gas/slido en SGS pueden implicar cambios en la conductancia de la superficie o del
volumen; con lo cual se pueden distinguir dos principales tipos de sensores de gas. La existencia del
primer tipo de SGS se debe a que en un xido semiconductor, los principales defectos en su estructura son
vacancias de oxgeno; los cambios en la conductividad volumtrica ocurren por a cambios en la presin
parcial de oxgeno a temperaturas tan altas (600 a 1000C) que las vacancias de oxgeno pueden
difundirse fcilmente del interior a la superficie y viceversa.
El segundo tipo principal de sensores SGS se basa slo en los cambios en la conductividad superficial, lo
cual ocurre temperaturas ms bajas (<600 C) y a presiones parciales de oxgeno prcticamente
constantes. As, el sensor es capaz de detectar pequeas concentraciones de gases reactivos en el aire
como consecuencia de un desplazamiento del estado de equilibrio por un ligero cambio en la presin
parcial de oxgeno. La temperatura de trabajo de estos dispositivos depende del gas que se quiera detectar
y del material sensor que se utilice. Como esta temperatura de trabajo oscila generalmente de 200 a 400
C, es necesario implementar un elemento calefactor en el dispositivo sensor. Dicho esto, un simple SGS
est compuesto de un sustrato de almina o slice (en el que se deposita la capa de deteccin), electrodos
(para medir los cambios de resistencia) y un calentador (comnmente resistencias de Pt para llegar a la
temperatura de deteccin ptima).
Los sensores de gas pticos (OGS, por sus siglas en ingls Optical Gas Sensors) se basan en el principio
de las fibras pticas y aprovechan sus diversas ventajas y versatilidades (inmunidad ante campos
magnticos y elctricos). El fundamento de los OGS consiste en cambiar las caractersticas del haz de luz
transmitido a travs de la fibra ptica y, a su vez, usar estos cambios para modificar una seal elctrica en
un receptor. Una fibra ptica est compuesta por un ncleo, generalmente SiO 2 dopado, y un
revestimiento. Para que el haz de luz pueda ser transmitido satisfactoriamente debe de presentarse el
fenmeno de reflexin total interna, lo cual solo es posible cuando los ndices de refraccin del ncleo (n 1)
y del revestimiento (n2) siguen la siguiente relacin: n1 > n2. En los OGS, el revestimiento se fabrica de un
material sensible al gas de inters, as, cuando entra en contacto con dicho gas, las molculas son
absorbidas en ste, lo cual cambia el ndice de refraccin del revestimiento con lo que se ve afectado el
fenmeno de reflexin total interna y la fase de la onda cambia. Para poder analizar este cambio, se utiliza
el principio de interferometra. Se emite un pulso de luz a travs de una fibra ptica, sta es dividida en
dos, una con cubierta protectora que se utilizar como referencia, y otra vulnerable a la influencia externa.
Cuando no hay perturbacin las ondas producen un patrn de interferencia conocido, sin embargo,
cualquier perturbacin en la fase de cualquiera de los dos haces, provocar un cambio en el patrn
resultante lo cual podr asociarse a una cierta concentracin del gas de inters.
Tan solo la dcada pasada, la demanda por estos tipos dispositivos fue enorme, simplemente se
encuentran aplicaciones en numerosos campos. Los dos importantes grupos de aplicaciones son la
deteccin de gases simples y la discriminacin de olores o en general el monitoreo de cambios en el
ambiente. Otros ejemplos de aplicaciones para sensores de gas son los siguientes: Automviles,
Seguridad, Calidad del aire, Control Ambiental, Alimentos, Produccin Industrial y Medicina.
Es imposible pronosticar el futuro de esta tecnologa ya que depende del desarrollo de otras disciplinas, sin
embargo, es fcil asegurar que seguirn evolucionando y beneficindonos como primera opcin en la
deteccin de gases.
BIBLIOGRAFA
2. A. Mandelis, C. Christofides, Physics, Chemistry and Technology of Solid State Gas Sensor
Devices, First edition, John Wiley & Sons, Inc., USA, 1993. Pages 1-2, 5-11, 163-170.
SUPERCONDUCTORES TIPO 1
Los metales son materiales que conducen bien el calor y la electricidad, y que cuando
una corriente elctrica circula por un hilo conductor, ste se calienta, como ocurre
con las estufas y calentadores elctricos. El fenmeno descrito, conocido como efecto
Joule, se debe a que los metales presentan cierta resistencia al paso de la corriente
elctrica por su interior, ya que cuando se mueven, chocan con los tomos del
material que estn vibrando. En un material superconductor esto no ocurre, estos
materiales no ofrecen ninguna resistencia al paso de la corriente elctrica continua por
debajo de una cierta temperatura. Los electrones se agrupan en parejas
interaccionando con los tomos del material de manera que logran sintonizar su
movimiento con el de los tomos, desplazndose sin chocar con ellos.
Esto significa que no se calientan, por lo que no hay prdida de energa al transportar
la corriente elctrica debido al efecto Joule.
Un material superconductor no solamente no presenta resistencia al paso de corriente,
sino que tambin tiene otra propiedad importante que es su capacidad para apantallar
un campo magntico. Si enfriamos el superconductor por debajo de su temperatura
crtica y lo colocamos en presencia de un campo magntico, ste crea corrientes de
apantallamiento capaces de generar un campo magntico opuesto al aplicado. Esto
ocurre hasta que el campo magntico alcanza un valor, llamado campo crtico, lo cual
hace que se vuelvan diamagnticos, cancelando todo el flujo en su interior, momento
en el que el superconductor deja de apantallar el campo magntico y el material
transita a su estado normal, este fenmeno es llamado efecto Meissner-Ochsenfeld.
Los superconductores tipo I siempre intentan expulsar el campo magntico de su
interior, lamentablemente el campo crtico de estos materiales es tan pequeo que no
se pueden desarrollar aplicaciones tecnolgicas con ellos.
La temperatura crtica de los superconductores es la temperatura a la cual la
resistividad elctrica del metal cae a cero. La transicin es tan repentina y completa
que parece que es una transicin hacia una fase diferente de materia; esta fase
superconductora est descrita por la teora BCS, la cual se basa en pares de electrones
acoplados por interacciones vibracionales de red. Sorprendentemente, los mejores
conductores a temperatura ambiente (oro, plata y cobre) no se convierten para nada
en superconductores. Tienen las ms pequeas vibraciones de red por lo que su
comportamiento se correlaciona bien con la Teora BCS.
La mayora de los superconductores que son Ejemplos de superconductores:
elementos puros son de tipo I, con la excepcin del
niobio, el tecnecio, el vanadio y las estructuras de
carbono como diamante y grafito.
Referencias:
http://www.unizar.es/icma/divulgacion/pdf/pdflevitsupercon.pdf
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/scond.html
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/bcs.html#c1
http://www.tdx.cat/bitstream/handle/10803/6288/07CAPITOL3.pdf?sequence=7
Superconductores de Tipo II
Caractersticas estructurales:
La diversidad de aplicaciones de las perovsquitas se extiende hasta la superconductividad porque
algunos de los superconductores a alta temperatura citados por primera vez en 1986 se pueden
considerar como variantes de la estructura de la perovsquita (cristaliza en el sistema rmbico, pero
por su aspecto, parece cristalizar en el sistema cbico puesto que se presenta como formas simples
cbicas u octaedricas. En realidad, se trata de prismas rmbicos con una altura similar a la anchura
y profundidad de la base). Los superconductores de este tipo son un grupo heterogneo: pueden ser
aleaciones, cermicas o elementos puros; entre estos ltimos encontramos tan slo cuatro: el
carbono (pero slo los fulerenos y los nanotubos, pues cuando se encuentra en forma de diamante o
grafito nunca alcanza el estado superconductor), el niobio, el tecnecio y el vanadio.
Los superconductores hechos con aleaciones se llaman superconductores de Tipo II. Adems de que
son mecnicamente ms duros que los superconductores de Tipo I, exhiben mayores campos
magnticos. Los superconductores de Tipo II tales como el niobio-titanio (NbTi) se usan en la
construccin de imanes superconductores para grandes campos.
Caractersticas qumicas:
Los superconductores presentan dos caractersticas notables, por debajo de la temperatura critica a
la que se forma el estado superconductor, su resistencia elctrica es nula. Si no aplicamos ningn
campo magntico vemos que hay un intervalo de temperaturas, entre Tc1 y Tc2, en el que el
material est en un estado mixto (tambin conocido como fase de Shubnikov, por Lev Shubnikov)
en el que conviven el estado superconductor y el normal (mientras que en los superconductores de
tipo I el paso de un estado a otro es discontinuo). Si vamos aumentando el campo magntico, estas
dos temperaturas van siendo cada vez ms bajas, y si es el campo es lo suficientemente grande, el
material no es conductor ni siquiera en el cero absoluto. Los superconductores de Tipo II, existen
normalmente en un estado mixto de regiones normales y superconductoras. Este se llama a
veces estado vrtice, porque vrtices de corrientes superconductoras, rodean filamentos o ncleos
de material normal.
Por otro lado, si fijamos la temperatura cuando la sustancia est en estado superconductor y
aplicamos un campo magntico, encontramos una situacin parecida: a partir de un cierto valor Hc1
el campo comienza a poder penetrar el material, y si lo aumentamos hasta un valor Hc2 el estado
superconductor desaparece por completo. La magnetizacin aumenta segn aumenta el campo
magntico externo para contrarrestarlo y que en el interior dicho campo sea nulo, lo que da lugar al
efecto Meissner(exclusin de un campo magntico),; pero al contrario de lo que pasa en los
superconductores de tipo I (donde la magnetizacin se anula bruscamente cuando se alcanza el
campo magntico crtico) en los de tipo II la magnetizacin alcanza el mximo en Hc1, tras el cual
empieza a disminuir gradualmente (permitiendo as que el campo magntico externo vaya
penetrando en la muestra) y no se anula hasta alcanzar Hc2.
Descripcin del fenmeno:
La superconductividad es un fenmeno observado a bajas temperaturas, donde hay resistencia
elctrica cero, tambin se observa un superdiamagnetismo en el que puede observarse el efecto
Meissner, en el cual un objeto superconductor debajo de su temperatura critica levita sobre un imn,
este se debe a que expulsa el campo magntico, tambin se pueden establecer corrientes en su
interior. Una corriente elctrica que fluye en una espiral de cable superconductor puede persistir
indefinidamente sin fuente de alimentacin. Esto contradice a la ley de Faraday ya que implica que
se establezcan corrientes con campos magnticos estticos, as que es un efecto cuntico. En
realidad un material superconductor de tipo I es perfectamente diamagntico. Esto hace que no
permita que penetre en el campo, lo que se conoce como efecto Meissner. El campo magntico
distingue dos tipos de superconductores: los de tipo I, que no permiten en absoluto que penetre un
campo magntico externo (lo cual conlleva un esfuerzo energtico alto, e implica la ruptura brusca
del estado superconductor si se supera la temperatura crtica), y los de tipo II, que son
superconductores imperfectos, en el sentido en que el campo realmente penetra a travs de
pequeas canalizaciones denominadas vrtices de Abrikosov, o fluxones. En los superconductores
de tipo II, la aparicin de fluxones provoca que, incluso para corrientes inferiores a la crtica, se
detecte una cierta disipacin de energa debida al choque de los vrtices con los tomos de la red.
TEORIA QUE LO FUNDAMENTA:
La superconductividad puede ser explicada en trminos de la teora BCS (Bardeen Cooper y
Schriffer) la cual dice que cmo la conductividad disminuye al aumentar la temperatura , aumenta
el nmero de fonones trmicos(energa cuantiada de vibraciones de la red) estos dispersan los
electrones de conduccin haciendo que se orienten al azar y se disipe energa en forma de calor, as
en un superconductor esto no sucede debido a la periodicidad de la red, cambia el impulso de los
electrones, emitiendo un fonon, mientras tanto otro electrn absorbe se fonon, as de esta manera
cuando un electrn emite un fonon, el otro lo absorbe de modo que se encuentran ligados, formando
lo que se conoce como pates de cooper, estos crean la superconductividad, ya que se intercambian
fonones entre todos los electrones y se disminuyen los fonones trmicos al azar, para que esto
suceda se necesita que:
1) que la interaccin fonon-electron sea fuerte
2) que disminuyan el nmero de fonones trmicos orientados al azar, esto requiere bajas
temperaturas, para lo cual la temperatura critica debajo de la cual un material se vuelve
superconductor es muy baja se denomina Tc
3) que aumente el nmero de electrones debajo de la energa de fermi, ya que estos forman los pares
de Cooper
4) que los electrones que forman el par estn en pareados, es decir con espn anti paralelo para que
disminuyan su repulsin
5) que los electrones del par en ausencia de un campo elctrico tengan igual impulso pero direccin
contraria
Sin embargo esta teora microscpica no logra explicar los superconductores tipo II , los cuales no
necesitan temperaturas tan bajas ya que sean encontrados superconductores tipo II con Tc de
mayores a 77K, que es la temperatura de ebullicin del nitrgeno , Ejemplos de superconductores
de alta temperatura incluyen al La1.85Ba0.15CuO4, y el YBaCuO (Itrio-Bario-Cobre-Oxido), el
cual es famoso por ser el primer material descubierto mostrando la superconductividad por encima
del punto de ebullicin del nitrgeno lquido. Todos los superconductores de alta temperatura son
de tipo II y no convencionales. As en 1987 se descubri el YBa2Cu3O7 con 93 K y en 1988 el
Bi2Sr2Ca2Cu3O10 con 110 K. El record lo tiene desde el 2000 el Hg0,8Tl0,2Ba2Ca2Cu3O8 con
138 K. La teora que los explica es la teora de Ginsburg-landau, en la cual es una versin
macroscpica de la anterior, de forma como lo es la termodinmica clsica trata con energas libres,
etc. Adems esta trata con pseudo funciones de onda, ya que no son funciones de onda en el sentido
estricto de la mecnica cuntica, aunque si debe cumplir con ciertas ecuaciones de la mecnica
cuntica, estas pseudofunciones de onda describen de forma macroscpica el comportamiento de
los portadores de carga que son los pares de Cooper as el cuanto del flujo es hc/2e. Sin embargo
sigue siendo un misterio, ya que no se sabe que material ser superconductor, ya que muchos son
materiales compuestos y no estequiometricos hace que sea difcil el anlisis.
Bibliografa
http://www.granadanatural.com/ficha_minerales.php?cod=251
Qumica Inorgnica volumen 2 D. F Shriver, P. W Atkins, C. H Langford, Reverte
Eisberg, Resnick(2006). Limusa ed. Fisica Cuantica, atomos, molculas, slidos, nucleos y
partculas, primera edicion, pp. 570-575
Tinkham, Michael (1996). McGraw-Hill ed. Introduccion to superconductivity, segunda edicion,
pp. 118-120
TERMOPARES
Otros que contribuyeron a este fundamento son, por ejemplo, Thomas Johann Seebeck (1821),
Jean Charles Althanase Peltier (1834), y William Thomson (Lord Kelvin, 1848-1854). Durante este
mismo periodo Jean Baptiste Joseph Fourier public la ecuacin bsica calor-coduccin (1821),
George Simon Ohm descubri la famosa ecuacin para la conduccin de la electricidad (1826),
James Prescott Joule descubri el principio de la primera ley de la termodinmica y el importante
efecto de calor I2R (1840-1848) y Rudolf Julius Clausius anunci el principio de la segunda ley de
la termodinmica e introdujo el concepto de entropa (1850).
Si se dispone una cadena de diferentes metales en contacto, estando todos ellos en equilibrio
trmico y elctrico, la fuerza electromotriz resultante es la misma que se produce si los metales de
los extremos estuviesen directamente soldados entre si. Si los metales de los dos extremos son
iguales, la fuerza electromotriz que se obtiene es nula.
El efecto Thomson no depende ms que de la naturaleza de los conductores y del valor de las
temperaturas.
Qu es un termopar?
1
Proveniente de transductor, dispositivo capaz de transformar o convertir una determinada manifestacin de energa de
entrada, en otra diferente a la salida pero de valor muy pequeo en trminos de la fuente.
TERMOPARES
Qu pasa en el termopar?
Caractersticas qumicas:
Un termopar es un a sensor para medir temperatura. Consiste en dos metales diferentes unidos
por un extremo. Cuando la unin de los dos metales se calienta o enfra se produce un voltaje
que se puede correlacionar con la temperatura. Las aleaciones de termopar estn disponibles
por lo normal en forma de alambre.
Contiene hilos del termopar fcilmente reproducibles, es decir, no estn formados por metales o
aleaciones sencillas de obtener, lo cual facilita la intercambiabilidad de los termopares de la
misma naturaleza sin necesidad de recalibrar.
Tales caractersticas limitan el nmero de tipos de termopares, siendo los ms extendidos, los
siguientes:
Hierro-constatan (0 a + 900 C)
2
Funcin matemticamente no lineal, puede aproximarse a un polinomio complejo, del cual depende el tipo de termopar
TERMOPARES
Resumen
De forma elemental, el instrumento consta de dos partes el termopar o elemento sensitivo que
son hilos (diferentes materiales) trenzados por un extremo y separados por el otro, y la unin de
referencia que es el extremo no enlazado y al cual en cada punta se conecta el milivoltmetro.
Siendo as un sensor para medir temperatura cuando la unin de los dos metales se calienta o
enfra se produce un voltaje que se puede correlacionar con la temperatura.
Bibliografa:
American Sciety for testing and materials. Manual on the use of thermocouples in temperatura
measurement. Baltimore, 1974. pp: 3-19
W.G., Holzbock, instrumentos para medicin y control,Editorial continental, Mxico, 1980, 3-5,30-
40
Caractersticas estructurales
A un nivel molecular, el cemento es una pasta de hidratos de silicato clcico polimerizado en una matriz
densamente reticulada. Su propiedad ms importante se llama hidraulicidad, la capacidad de establecer y seguir
siendo insolubles en agua.
La composicin del cemento ayuda a determinar la velocidad del fraguado y las propiedades finales del concreto.
Descripcin del fenmeno
Cuando se le agrega agua al cemento, ocurre una reaccin de cementacin: hidratacin de los minerales del cemento que
produce un gel slido que une las partculas de los agregados (combinacin de grava, arena, piedras trituradas).
Las reacciones posibles incluyen
Casi todos los cementos empleados en la construccin deben su accin a sobre todo a la formacin de silicatos, aluminatos o
sulfoaluminatos de calcio hidratados, o a compuestos de dos o ms de estos tipos.
La teora de Donnan explica que las fuerzas de compresin aumentan la solubilidad de las fases solidas en los puntos de
contacto y originan el crecimiento de cristales en las zonas no sometidas a esfuerzos. El tamao desigual de las
partculas cristalinas dan lugar a que la capa de disolucin de la partcula fina no est en equilibrio con la capa de la
partcula de mayor tamao, producindose una recristalizacin que produce el efecto CEMENTANTE.
Glasenapp acepta el paso del estado coloidal al cristalino en algunos tipos de coloides, como los que se producen en la
hidratacin del cemento. Esta transformacin lleva consigo una prdida de elasticidad del sistema fsico y conduce a un
aumento notable de la fragilidad.
Bibliografa
Michael
http://es.slideshare.net/wepc/propiedades-fisicas-del-cemento?next_slideshow=1
https://books.google.com.mx/books?id=XDTMOk4Ggd0C&pg=PA145&lpg=PA145&dq=teoria+sobre+el+fenomen
o+de+los+cementos&source=bl&ots=qJ6WwMzg3Z&sig=v8FH_kyHxP0TEZjzQhCD7zdRJI8&hl=es-
419&sa=X&ved=0CCEQ6AEwAWoVChMIx4eX86aUyQIVx-
YmCh29GAE6#v=onepage&q=teoria%20sobre%20el%20fenomeno%20de%20los%20cementos&f=false
TRANSISTORES
Un transistor es un dispositivo que est constituido por la unin de tres semiconductores de carcter p y n
alternativamente. El semiconductor del centro suele ser muy estrecho y se le denomina base. Los otros dos
semiconductores, de signo opuesto se le denomina, de acuerdo a las funciones que desempean: emisor y colector.
Cada uno de estos semiconductores lleva un contacto metlico con un hilo de salida, por lo que es un dispositivo de tres
terminales. La propiedad ms destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente de corriente:
dentro de ciertos mrgenes, la corriente en el terminal de colector es controlada por la corriente en el terminal de base.
El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p). Cuanto ms dopaje tenga el emisor, mayor cantidad
de portadores podr aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinacin en la misma, y prcticamente
toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. Adems, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabaja como si se tratase de dos diodos en oposicin.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de esta regin tienen que ver con la
recombinacin de los portadores que provienen del emisor.
- Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una pequea seal de mando.
- Funciona como un elemento amplificador de seales.
Fundamento terico.
Cristal de silicio. El silicio tiene en su capa de valencia cuatro electrones por lo que el enlace Si-Si forma enlaces
covalentes con sus tomos vecinos, bajo estas condiciones esta estructura de silicio es mal
conductor, pero si se aade tomos de otros elementos, por ejemplo, As (arsnico) que posee
cinco electrones en su capa de valencia se combina con dicha estructura de Si (silicio) queda
un electrn libre obteniendo as un cristal tipo N, por el contrario, si se aade Bo (Boro), con
solo tres electrones de valencia, a la estructura de Si queda un hueco formando un cristal tipo
P.
Bsicamente el transistor se construye con una estructura no simtrica, de forma que la concentracin de impurezas en
el emisor sea mucho ms alta que en la base y en esta la concentracin de impurezas sea a su vez ms elevada que en el
colector.
El transistor basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo,
mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unin emisor-
base) por el que circula una corriente elevada, un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en principio, no
debera circular corriente, pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por
emisor-base.
Los transistores tienen una caracterstica muy interesante que es la capacidad de entregar una intensidad de corriente
constante a una resistencia, independientemente del valor de sta. Es decir, las variaciones de corriente obtenidas por la
accin de la base, producirn en la resistencia una variacin de la tensin, segn la Ley de Ohm:
V = I x R.
Temperatura en el transistor. Todos los parmetros del transistor se ven afectados por la temperatura y es muy
importante tener todas estas variaciones en cuenta.
El transistor slo puede soportar determinados niveles de tensin por encima de los cuales, se destruye. Los
mecanismos de ruptura ms habituales se producen en la unin inversamente polarizada entre base y colector y son la
ruptura por avalancha y la ruptura por atravesamiento. La ruptura por atravesamiento se produce cuando se tocan las
zonas de agotamiento de la unin base-colector y la unin base-emisor. La ruptura por avalancha se produce cuando la
corriente crece mucho y si no est limitada, el transistor se destruir o en el mejor de los casos dejar de funcionar
correctamente.
Las capacidades parsitas influyen sobre todo en el comportamiento en alta frecuencia del transistor. La capacidad
parsita entre colector y emisor suele ser despreciable y slo se tendr en cuenta en circuitos de muy alta frecuencia. La
capacidad entre colector y base se llama CCB y de la misma manera la capacidad entre base y emisor es CBE. La capacidad
base-emisor corresponde a la capacidad de difusin de dicha unin.
Tipos de transistores.
Transistores bipolares
Transistores efecto de campo
Transistores unipolares
Transistores de potencia
Bibliografa
- http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/6%20Transistores%20bipolares.pdf
- http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
- http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
Para entender las aleaciones se debe explicar que permite la combinacin de uno o
ms metales o no metales en la red metlica. Esto se puede explicar por dos formas
(y de hecho son dos formas diferentes de aleaciones), la primera es por la
intercalacin de los otros elementos en la red y la segunda por la formacin de
diferentes fases en el material. Si las aleaciones tienen una estructuracin como la
primera se les conoce como homogneas; por otro lado si es como la segunda se
les llama mezclas.
Estas diferentes fases tienen caractersticas distintivas. Los metales puros poseen
un punto de solidificacin y fusin fijo (a diferencia de las aleaciones, las cuales
generalmente funden en un cierto rango). Los compuestos qumicos (o aleaciones
intermedias) suelen poseer un punto de solidificacin definido, poseen una
composicin comprendida entre los dos metales y, generalmente, una estructura
cristalina diferente a la de los metales por separado.
El ltimo tipo de estas aleaciones intermedias son los compuestos electrnicos, los
cuales se caracterizan por tener una composicin fija o muy prxima a la
composicin cuyo valor corresponde a una relacin determinada entre el nmero de
electrones de valencia y el de tomos que la constituye.
Por otra parte dentro de las caractersticas afectadas por las aleaciones podemos
mencionar:
Davis J.R., Alloying. Understanding the basics. ASM International, United States of
America, 2001, pages 3-14.
Dado que principalmente los compuestos usados son metales, polmeros y, aunque
en menor proporcin, los cermicos, los primeros tendrn una estructura cristalina, as
como los cermicos y stos pueden tener enlaces covalentes o inicos, y lo polmeros cons-
tan de cadenas largas de molculas orgnicas (monmeros) unidas entre s por enlaces co-
Los elastmeros son polmeros usados para el mismo fin, cuya principal propiedad
es que sus dimensiones pueden cambiar hasta en un 800% al aplicar una fuerza. Esto de-
pender de los puntos de entrecruzamiento de las cadenas, entre mayor sea la cantidad de
puntos, ms rgido ser. La mayora de los materiales polimricos presentan propiedades
anisotpicas.
Otro tipo de materiales usados como biomateriales son los compuestos o composi-
tes, stos son combinaciones tridimensionales de, al menos 2 materiales con diferentes
propiedades fsicas y qumicas con una interfaz diferente.
Bibliografa.
Caractersticas de lser
3. Colimacin direccionalidad: Escasa divergencia del haz de luz ya que todas las
ondas emitidas van hacia una sola direccin.
El medio activo es el material (slido, lquido o gaseoso) que emite la luz. Para que este
emita luz, hay que excitarlo de alguna manera, del mismo modo que el filamento de una
bombilla necesita una corriente elctrica que pase por l; ese es el cometido del sistema
de bombeo. El sistema de bombeo puede consistir en otro lser, una lmpara
convencional, o una corriente o descarga elctrica, dependiendo del tipo de lser.
El medio activo se coloca entre dos espejos que forman una cavidad resonante, esto es,
la luz rebota entre los dos espejos y ayuda a la amplificacin del mismo modo que la caja
de resonancia de una guitarra amplifica las ondas acsticas. Uno de los espejos es semi-
reflectante por lo que parte de la luz amplificada sale de la cavidad resonante en forma de
haz.
El lser est formado por un ncleo, que suele tener forma alargada, donde se generan
los fotones. El ncleo puede ser una estructura cristalina, por ejemplo rub, o un tubo de
vidrio que contiene gases, por lo general dixido de carbono o la mezcla helio-nen. En
cualquier caso, son materiales que poseen electrones fcilmente excitables y que no
emiten inmediatamente de forma espontnea, sino que pueden quedar excitados durante
un tiempo mnim
Principio terico de accin del lser
Bibliografa:
http://www.sld.cu/galerias/pdf/sitios/rehabilitacion-fis/laser_morrillo.pdf
http://historiaybiografias.com/laser/
http://www.clpu.es/divulgacion/bits/como-funciona-un-laser