Professional Documents
Culture Documents
BIPOLAR
BJT
1. Introduccin
1904
1906
Dispositivo de tres terminales
Aplicaciones:
Amplificacin de seales
Diseo lgico digital (TTL)
Circuitos de memoria
Su principio de operacin: La corriente en la
malla de salida es controlada por la tensin de
entrada
Trabajo en condiciones ambientales extremas,
muy alta frecuencia, lgica digital de alta
velocidad, combinacin con el MOSFET.
Polarizacin Polarizacin
MODO Unin Unin Aplicaciones
Base - emisor Base - colector
Debido al:
Perfil lineal** y no exponencial, por
la delgadez de la base, muchos
electrones estn ms cerca de la
unin BC.
**Bajo dopado de huecos de la base
(construccin) hace que pocos
electrones tomen el camino hacia el
terminal de la base (recombinacin).
El terminal de colector es ms
positivo que el terminal de base, por
lo tanto atrae con mayor fuerza a los
electrones.
Corriente de colector:
n p ( 0)
I n I C A E qDn
W
n p (0) n p 0eVBE / VT
IC I se VBE / VT
2 2
A qD n n
IS E n i n p0 i
N AW NA
N D Lp
Dp Constante de difusin de los huecos en el emisor
AE rea seccin transversal unin base emisor
q Carga del electrn
Lp Longitud de difusin de los huecos en el emisor
ND Concentracin de dopado en el emisor
IB1es
la corriente de huecos que inyecta la fuente de
base hacia el emisor (unin polarizada en directo).
Recordar corriente de difusin de huecos en la regin N
(emisor) para obtener su expresin. (Second class)
IB2
es la corriente de huecos que inyecta la fuente de
base para mantener la cantidad de huecos en la base
que se pierden por la recombinacin.
Recordar tiempo de vida de portadores minoritarios para
obtener su expresin. (Second class)
1 2 VBE
AE q * n p (0)W 1 AE qWni VT
I B2 2 I B2 e
2 bNA
b
Corriente de base TOTAL
I B I B1 I B 2
AE qDp ni 2 1 AE qWni 2 VVBE
IB e T
N D Lp 2 N
b A
Sabiendo que:
N A Dp W 1 W 2 VVBE
A E qDn ni
2
IB IS e T
IS N D L 2 D
N AW D n p b n
IC
I C I s eVBE /VT IB
1
N A Dp W 1 W 2
en transistores comerciales
N D L 2 D
D n p b n entre 50 y 300
Corriente de base TOTAL:
El factor depende del ancho de la base, del dopaje
relativo (NA/ND) entre la base y el emisor.
Dos transistores de la misma referencia pueden
tener diferentes.
Los fabricantes especifican en un rango.
Corriente de emisor:
I E IC I B
1
IE IC
I C I E
I C I B 1 1
Fsicamente IB es << que IC, por lo tanto 1
, llamado ganancia de corriente en base comn.
(Porcentaje de electrones enviados desde el emisor
que alcanzan el colector).
, llamado ganancia de corriente en emisor comn.
Pequeas variaciones de , grandes variaciones de .
En modo activo:
C ICdepende de VBE, en
IC una relacin que es
exponencial e
I C I s eVBE /VT independiente de VCB
(Debe ser >0).
IB
B
El colector es una
FUENTE DE CORRIENTE
CONSTANTE controlada
VBE +
- D1
DIODE
por una tensin.
IE IB es IC/
E IE= IB+ IC
IBes << que IC, por lo
tanto IEIC
Variable Modelo matemtico
IC Is
IB IB eVBE /VT
Corriente de Base
IC I s V /V
IE IE e BE T
Corriente de Emisor
Constantes 1 1
k *T
VT
Voltaje Trmico q
Q2 VEB IE E
NPN
VCB IC B
C
Q1
B PNP
IB
Q3 IB VBC
C
PNP VBE
IE E IC
Relacin de la malla de
entrada del circuito.
Relacin de la malla de
salida del circuito.
La unin BC NO est
polarizada en inverso. Ocurre
ZONA DE cuando VCE=0 debido a
SATURACIN condiciones de diseo del
circuito. Aplicaciones
LGICAS.
ANLISIS:
Su objetivo es alimentar con
voltaje de DC las uniones base- Malla de entrada:
colector (polarizar en inverso) y VBB VBE I E * RE
base-emisor (polarizar en VBB VBE
directo) con el fin de ubicar el IE
RE
punto de trabajo Q. IC
IE
1
VBB VBE
RC IC
1 RE
Malla de salida:
Q1
NPN VCC I C * RC VCE I E * RE
VCC
1
VCC I C RC 1 RE VCE
VBB
RE
1
VCE VCC I C RC 1 RE
Comportamiento:
Exponencial I C I s eVBE / VT
Comportamiento: V V
Plano IC BB BE
1 RE
Si IE es mayor, la IC es
mayor para el mismo valor
de (VCB).
I C I E
cambia debido a que el
incremento de VCB hace
cambiar W, pero en este
circuito se compensa.
es denominada ganancia
de corriente en base comn.
Ejercicio:
Para el siguiente circuito determine el punto de trabajo
=100 RC
1k
Q1 VCC
NPN
15V
VBB
RE
5.0V 2.2k
5V
B=100
NPN
B=50
NPN
R1
100
Su objetivo es alimentar con ANLISIS:
voltaje de DC las uniones base-
colector (polarizar en inverso) y Malla de entrada:
base-emisor (polarizar en VBB I B * RB VBE
directo) con el fin de ubicar el
punto de trabajo Q. VBB VBE
IB
Diagrama circuital RB
Malla de salida:
I C I B
RC
VBB VBE
IC
RB Q1 VCC
RB
VCC I C * RC VCE
NPN
VCE VCC I C * RC
VBB
Comportamiento: IC
Exponencial IC I seVBE / VT I
B
VCC VCE I C * RC
VCC
I C MAX
RC
Punto de corte:
VCE MX I C 0
VCE MAX VCC
Punto de trabajo:
Q VCE , I C
Ejercicio:
Para el siguiente circuito determine el punto de trabajo y
la recta de carga.
=100
RC
3k
RB Q1 VCC
NPN
500k 15V
VBB
15V
RC
3k
RB Q1 VCC
NPN
500k 15V
VBB
15V
Ejercicio:
1. El siguiente transistor en el circuito se encuentra
saturado ? Por qu?
=50
RC
10k
RB Q1 VCC
NPN
100k 20V
VBB
10V
Solucin: forced=21.5
Aplicacin especial del
transistor en la configuracin
de emisor comn.
Su caracterstica es que el
punto de trabajo Q, en un
instante se encuentra en la
zona de saturacin, y en otro
instante en la zona de corte.
Su objetivo es generar 1 y
0, a partir de una seal de
entrada 0 y 1,
respectivamente.
Anlisis:
VIN VBE IC
VIN VBE
IB
RB RB
RC
VOUT VCC I C * RC
Vout
Diseo RB Q1
NPN
VCC
Saturacin:
VIN
VCC VCE SAT I C SAT
I C SAT I B SAT
RC
VIN I B SAT * RB VBE
Corte:
VIN 0V
Combinaciones o arreglos especiales de los anteriores
dos casos analizados (polarizacin de base comn y
de emisor comn).
Se analizarn rpidamente:
Polarizacin por divisor de tensin (base comn)
Polarizacin con realimentacin de emisor
Polarizacin con realimentacin de colector
VBB I B * RB VBE I E * RE
Q1 VCC
NPN
VBB VBE
IE RB2
RB RE
RE
1
Malla de salida:
VCC I C * RC VCE I E * RE
1
VCE VCC I C RC 1 RE
Ejercicio:
Determine el punto de trabajo para el siguiente
circuito con BJT.
RC
RB1 3.6k
10k
Vout
Q1 VCC
NPN
10V
RB2
2.2k RE
1k
Anlisis
Malla de entrada: (Realimentacin
NEGATIVA debida a RE) Vcc
VCC I B RB VBE I E RE
VCC VBE RC
IB
RB ( 1) RE RB
Vout
Malla de salida:
VCC VBE Q
IC
( 1)
NPN
1
RB RE
VCC I C RC VCE I E RE RE
1
VCE VCC I C RC RE
Anlisis
Malla de entrada: (Realimentacin
Grfica circuital
NEGATIVA debida a RC)
Vcc
VCC I E RC I B RB VBE
VCC VBE RC
IB
( 1) RC RB
Malla de salida:
VCC VBE RB
IC
1 R Q
RC B NPN
VCC I E RC VCE
VCE VCC I E RC
Anlisis Grfica circuital
Malla de entrada: (Realimentacin
NEGATIVA debida a RE y RC) Vcc
VCC I E RC I B RB VBE I E RE
RC
VCC VBE
IB
( 1)( RC RE ) RB
Malla de salida: RB
VCC VBE
IC
Q
( 1)
NPN
RB
( RC RE )
VCC I E RC VCE I E RE RE
VCE VCC I E RC RE