Diodo Schottky

http://unicrom.com/Tut_shottky_tunnel.asp
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin PN, el diodo
schottky tiene una unin Metal-N.

Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de voltaje
cuando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios). El diodo Schottky est
ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor comn pero tiene
algunas caractersticas que hacen imposible su utilizacin en aplicaciones de potencia.
Estas son:

El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en sentido
de la flecha). Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay
procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la cantidad de
corriente que tienen que conducir en sentidodirecto es bastante grande y supera la
capacidad del diodo Schottky.
El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).
El proceso de rectificacin antes mensionado tambin requiere que la tensin inversa que
tiene que soportar el diodo sea grande.

Smbolo del diodo Schottky

Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos de alta
velocidad como encomputadoras. En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de
conmutacin y su poca cada devoltaje en directo causa poco gasto de energa. El diodo
Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama as en honor del fsico alemn Walter H.
Schottky.
 Diodo varicap. El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de
diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada
entre sus extremos.

Contenido
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1 Funcionamiento
o 1.1 Aplicacin
2 Curva caracterstica y simbologa del diodo Varicap.
3 Fuentes

Funcionamiento
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa
su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unin PN vare en funcin de latensin inversa aplicada entre sus
extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensado
variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
La capacidad formada en extremos de la unin PN puede resultar de suma utilidad
cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente
utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual est situado el diodo.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas
constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia
de muy bajo valor hmico, lo que conforma un condensador de elevadas prdidas.
Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que
aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como
un condensador con muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin
inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se
asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico condensador (similar al
efecto producido al distanciar las placas de un condensador estndar).
La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin aplicada al
diodo aumenta la capacitancia disminuye, Si la tensin disminuye la capacitancia
aumenta.

Aplicacin
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Diodos varicap
La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos
sistemas mecnicos de condensador variable en etapas de sintona en todo tipo de
equipos de emisin y recepcin.
Ejemplo, cuando se acta en la sintona de un viejo receptor de radio se est
variando (mecnicamente) el eje del condensador variable que incorpora ste en su
etapa de sintona; pero si, por el contrario, se acta sobre la ruedecilla o, ms
comnmente, sobre el botn (pulsador) de sintona del receptor de TV a color lo que
se est haciendo es variar la tensin de polarizacin inversa de un diodo varicap
contenido en el mdulo sintonizador del equipo.

Curva caracterstica y simbologa del diodo

Varicap.
Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N
cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin
inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la
unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La
capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina
mediante:
CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A
es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de
la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El
pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo
normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de
la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma
aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n
dnde:

K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin.

VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin