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UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL BUENOS AIRES

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

SERIE DE PROBLEMAS N2

JUNTURA P-N

DIODOS DE JUNTURA
UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL BUENOS AIRES
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
SERIE DE PROBLEMAS N 2

Problema 2.1
Para una juntura abrupta idealizada de Si a T=300K, en equilibrio trmico, con NA=1014cm-3 y
ND=5.1013cm-3, calcular:
a) El potencial de contacto
b) El ancho de la juntura en la zona desierta (w)
c) Las longitudes wN y wP
d) El campo elctrico mximo EMAX
e) La capacidad de juntura CJo

Problema 2.2
Calcular el campo elctrico mximo EMAX y las longitudes l, lP y lN , en una juntura abrupta P-N de Ge
a T=300K, en la cual: p=10( cm)-1 (conductividad de la zona P), n= 1 ( cm)-1,
(conductividad de la zona N) y A=1mm2 (rea de la juntura), para los siguientes casos:
a) Para equilibrio trmico
b) Con una tensin directa aplicada de 0,1 V

Problema 2.3
Una juntura PN abrupta de Silicio con: NA=1017cm-3, ND=5.1015cm-3, p=0,1.10-6seg, n=0,01.10-6seg,
con kT=0,026eV, A=10-4cm-2, n=801cm2/Vseg, p=438cm2/Vseg,
a) Calcule la corriente de saturacin inversa debida a huecos
b) Calcule la corriente de saturacin inversa debida a electrones
c) Calcule la corriente total de saturacin inversa

Problema 2.4
Una juntura PN tiene los siguientes parmetros: DN=DP=50cm2/s; LN=7.10-3cm; LP=10-4cm;
NA=1014cm-3, ND=6.1014cm-3. Calcular la corriente de saturacin inversa.
.
Problema 2.5
Se tiene una juntura PN de Ge a una temperatura t=25C, en la cual: NA=ND=1015cm-3,
DP=DN=25cm2/s, LP=LN=10-4cm y A=1mm2.
Determinar la variacin de la corriente de saturacin inversa (Is) en porciento, si:
a) Se duplica la temperatura de juntura.
b) Se duplica NA y ND manteniendo la temperatura.

Problema 2.6
Considere una serie de diodos de silicio a T=300K, con ni=1,5.1010cm-3, NA=1019cm-3 y ND=1017cm-3,
y cuyo campo elctrico mximo admisible sea: EMAX=5.105V/cm. Si consideramos a los diodos como
de unin abrupta e ideales, se pide:
a) Cul es el mximo valor de VD admisible?
b) Si se quiere aumentar 10 veces el valor del VD admisible, modificando los valores de las
concentraciones de impurezas Cul cambiara NA o ND? Qu valor le dara?
c) Calcule para ambos casos la capacidad de juntura por unidad de rea que se medira con 0V
aplicados. Extraiga conclusiones.
Problema 2.7
Determinar las capacidades de juntura y de difusin, en una juntura P-N abrupta de Ge a T=300K, con
un rea, A=1mm2, con concentraciones de impurezas: NA= ND=1015cm-3 y con longitudes de difusin:
LN=0,02cm y LP=0,01cm, para las siguientes polarizaciones:
a) VD = 0,1V
b) VD = - 5V
c) Cul de las 2 capacidades domina en cada caso?

Problema 2.8
Los diodos polarizados en inversa se emplean frecuentemente como capacitores variables controlados
elctricamente (comnmente llamados Diodos Varactores o Varicaps). Si la capacidad de juntura
de un diodo de juntura abrupta es CJ=20pF para una polarizacin inversa de 5V, y su potencial de
contacto (built-in) Vbi=250mV, se pide calcular la nueva capacidad si se modifica la tensin de
polarizacin a:
VD = - 8V; VD = - 6V; VD = -2V; VD = 0V; VD = 0,1V; VD = 0,25V; VD = 3V
Graficar los valores obtenidos de CJ en funcin de VD y sacar conclusiones.

Solucin:
Sabiendo el valor de la capacidad de juntura con una polarizacin inversa de 5V (VD = -5V), se puede plantear el
ancho de la zona desrtica con los datos del enunciado y luego reemplazar en la capacidad de juntura:
2. . 1 1
w = o r .(Vbi V ). + = K (Vbi V D )
q N N
a d

o . r . A o . r . A
CJ = =
w K (Vbi V D )

Siendo CJ(VD=-5V)=20pF podemos despejar los valores de CJ para cualquier otro valor de tensin:
o . r . A
C J (V D ) K (Vbi V D ) (Vbi + 5V )
= =
C J (5V ) o . r . A (Vbi V D )
K (Vbi + 5V )

(Vbi + 5V )
C J (V D ) = C J (5V ).
(Vbi V D )

Reemplazando los valores se obtienen los siguientes resultados:


CJ(VD=-8V)=15,95pF CJ(VD=-6V)=18,33pF
CJ(VD=-5V)=20pF(dato del problema) CJ(VD=-2V)=30,55pF
CJ(VD=0V)=91,65pF CJ(VD=0,1V)=118,32pF;

Para los valores de 0,25V y 3V la ecuacin que se obtuvo no es vlida, dado que el flujo de corriente por la
juntura es considerable. Por lo tanto, se dejarn esos 2 valores sin definir.

Se observa en la grfica que para valores negativos deVD puede controlarse el valor de la capacidad.
Problema 2.9
Un diodo de juntura PN ideal de Si tiene una corriente de saturacin inversa IS=30pA. Calcular la
resistencia dinmica del diodo a temperatura ambiente, para los siguientes valores de polarizacin:
a) VD = - 10V d) VD = -VT
b) VD = -5V e) VD = VT
c) VD = - 0,2V f) VD = 0,2V
Levantar una grfica con dichos valores y comparar con la grfica de la corriente del diodo en funcin
de la tensin (Id=f(Vd))

Problema 2.10
Cuando a un diodo se le aplica una tensin inversa VD=-1V, circula por l una corriente
ID=-1. Se pide calcular:
a) La corriente que circulara por el diodo con una polarizacin directa VD=256mV en la
juntura.
b) La tensin directa que deber aplicarse entre los terminales del diodo, para que la tensin el
la juntura sea VJ=0,1V, sabiendo que el diodo tiene una resistencia en sus zonas neutras
RZN=10 .

Problema 2.11
Encontrar, usando el mtodo de resolucin grfica, la corriente I y las tensiones VD, sobre el diodo, y
VR sobre la resistencia, en el circuito de la figura.
Datos:
V = 1V
R=3
Is = 10 nA

Solucin:
Planteando la malla del circuito se obtiene:
V = I D .R + V D
Despejando ID:
V VD
ID =
R
La ecuacin anterior permite saber los puntos ID-VD posibles del circuito externo al diodo. Por lo tanto,
cualquiera sea la solucin, deber ser alguno de los puntos que resuelvan la ecuacin anterior. Esta ecuacin es
una recta y normalmente se denomina recta de polarizacin.
Para resolverlo grficamente, debemos superponer a la recta de polarizacin, la ecuacin del diodo:
VD

I D = I s .(e Vth 1)

En la grfica siguiente, se observa la curva del diodo y se represent la recta de polarizacin con sus valores al
cruzar los ejes. Se marc el punto (Q) que representa la solucin del problema.

Para diodos de Silicio y de baja potencia suele aproximarse el valor de VDQ a 0,7V, sin cometer errores
apreciables respecto de la solucin exacta.
Problema 2.12
Para el mismo circuito del ejercicio anterior con un diodo de Silicio, se tiene: R=2,7k, y V=5V.
Calcule:
a) La corriente I sobre el diodo
b) La rd (resistencia dinmica del diodo) para ese punto de polarizacin

Problema 2.13
Para el circuito de la figura, se pide calcular la tensin alterna de salida vO, considerando al diodo D
como ideal.
Datos: VA=10V, R=1k, vg=10mV

vg D
vo

Problema 2.14
El circuito de la figura emplea un diodo
como resistencia variable de salida en un
atenuador.
Determinar los valores de las resistencia
R1, R2 y R3, de modo de tener
atenuaciones de: -10, -20 y -30dB, con
la llave selectora S1 en las posiciones 1,
2 y 3 respectivamente.
Considerar que la reactancia del
capacitor C es despreciable frente a R a
la frecuencia de trabajo, y que rd tambin
lo es frente a R1, R2 y R3.
Verificar esta ltima condicin para cada caso.

Problema 2.15
El circuito de la figura es un regulador de tensin que utiliza un diodo de referencia (o diodo Zener)
con los siguientes datos: VZ=50V, PZMAX=2W, Izk=10mA
Siendo la tensin de entrada Vi = 200V, se pide:
a) El valor de R para que el circuito regule desde vaco hasta dicho valor mximo de IL
b) Si el valor de IL se fija en IL=25mA, calcular los valores lmites entre los cuales podr variar la
tensin de entrada Vi, sin que el circuito deje de regular ni se deteriore.

IL
R

Vi DZ RL VO
Problema 2.16
Determinar, para la juntura gradual de la figura, en Ge a T = 300K, en equilibrio trmico, siendo
l=2.10-5cm:
a) El valor de la mxima intensidad de campo elctrico en1a juntura
b) El potencial de juntura

Datos:
(x) = a.x a = 4 (C/cm4)

Solucin:
a) El campo elctrico se obtiene a partir de la ecuacin de Poisson y la Ley de Gauss para una dimensin:

1
E ( x) =
( x)dx

Resolviendo la integral con lmites l/2 y x de forma tal de poder saber el valor del campo en cualquier x:
x x
1 a a x2 l2
E ( x) =
a.x.dx = .x.dx = ( 2
l / 2 l / 2

8
)

a l2
E ( x) = (x 2 )
2. 4

Graficando vemos que el mximo valor de Campo se da en x=0:

V
E max = Eo ( x = 0) = 141,2429
cm

b) Para obtener el potencial de juntura debemos integrar el campo elctrico:

1
V ( x) =
E ( x).dx

Integrando con lmites -l/2 y x para saber la diferencia de potencial a lo largo de la juntura:
x
1 a x3 l 2 l3
V ( x) =
E ( x) = 2 (
l / 2 3
+ .x + )
4 12
La diferencia de potencial entre los extremos de la juntura es igual a integrar el campo con lmites l/2 y l/2:

l/2
1
E ( x) = 1,88.10
3
V ( x) = V
l / 2