Manual de prácticas de Física de Semiconductores

TECNOLGICO NACIONAL DE MXICO
Manual de prcticas
MATERIA: FSICA DE SEMICONDUCTORES

CLAVE DE MATERIA: ETF-1017
CARRERA: INGENIERA ELECTRNICA
Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211

NDICE
PRCTICA No. 1 ................................................................................................... 3
PRCTICA No. 2 ................................................................................................... 7
PRCTICA No. 3 ................................................................................................. 12
PRCTICA No. 4 ................................................................................................. 17
PRCTICA No. 5 ................................................................................................. 23
PRACTICA No. 6 ................................................................................................. 27
PRACTICA No. 7 ................................................................................................. 31
PRCTICA No. 8 ................................................................................................. 35
Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 2

PRCTICA No. 1
El diodo

Objetivos
Identificar las regiones de operacin de un diodo observando su curva caracterstica

en el trazador de curvas (Component tester) del laboratorio.
Mostrar la operacin del diodo en un circuito y graficar el voltaje contra la corriente

del circuito.
Material Utilizado
Trazador de Curvas ( Component Tester )

Fuente de Energa Variable ( 0 V a 15 V)
Multimetro Digital
Diodo 1N4001
Resistencia 1k
Tablilla para Experimentos
Introduccin
Algunos dispositivos electrnicos son lineales, es decir, su corriente es directamente

proporcional a su tensin. El ejemplo mas sencillo de un dispositivo lineal es una
resistencia. Si se dibuja su corriente en funcin de la tensin obtenemos una lnea recta.
Un diodo es diferente debido a la barrera de potencial existente, no se comporta como lo

hace una resistencia, la figura 1.1 muestra la curva caracterstica (voltaje contra corriente),
de un diodo, con algunas escalas expandidas y otras comprimidas para dejar ver detalles.
Como se indica, la curva caracterstica, consta de tres regiones distintas:
La regin de polarizacin directa:
El diodo est en esta regin, como puede observarse en la figura 1.1, cuando v > 0
,Ntese en la grfica que la corriente es muy pequea en las primeras dcimas de volts,
a medida que nos acercamos a la tensin de umbral ( 0.7 Volts ), los electrones libres
comienzan a cruzar la unin, llega un momento en que la tensin rebasa los 0.7 V
produciendo un gran aumento de corriente, como se ve en la figura 1, en estas
condiciones el diodo tiene una bajsima resistencia (idealmente resistencia cero), por lo
que se comporta (idealmente) como un interruptor cerrado, es decir, el diodo en estas
condiciones es un conductor casi perfecto y permite un flujo grande de corriente.
Para un diodo de silicio la tensin de umbral es de 0.7 V como se menciona arriba. Un

diodo de germanio por otra parte tiene una tensin de umbral de 0.3 V.

Figura 1. Curva caracterstica del diodo
Idealmente el diodo tiene una resistencia de cero, pero la realidad es que existe una
pequea resistencia que se opone a la gran cantidad de corriente en el diodo, esta es
debida a las resistencias de las zonas p y n, la suma de estas resistencias es conocida
como resistencia interna del diodo, este valor depende del nivel de dopado y del
tamao de las zonas p y n. Normalmente este valor es de menos de 1 .
Si la corriente en el diodo es demasiado grande el calor excesivo lo destruir. Por esta

razn la hoja de caractersticas que proporcionan los fabricantes especifica la corriente
mxima que un diodo puede soportar, sin peligro de acortar su vida o degradar sus
propiedades, esta corriente es llamada corriente mxima en polarizacin directa,
esta corriente aparece como I F(mx) , I 0 .
La disipacin mxima de potencia indica cuanta corriente puede disipar el diodo sin
peligro de acortar su vida ni degradar sus propiedades.
La regin de polarizacin inversa
Ocurre cuando el voltaje aplicado al diodo es menor que cero ( v < 0 ). En este caso el
diodo tiene una resistencia muy alta (idealmente resistencia infinita) por lo que se
comporta como un interruptor abierto, es decir, como un aislante casi perfecto, en este
caso no existe ningn flujo de corriente. En la practica existe un pequeo flujo de
corriente de fuga llamado comnmente corriente inversa ( o corriente de fuga ), el
fabricante expresa en la hoja de datos la corriente mxima de fuga en el diodo a una
tensin de voltaje indicado.

La regin de ruptura, determinada por v < -Vzk.
Ocurre cuando el voltaje inverso aplicado al diodo llega al limite establecido por el
fabricante (Vzk) denominado voltaje de ruptura inverso. En este punto, como se ve en
la grafica 1.1, la corriente inversa ene el diodo aumenta rpidamente, mientras que la
cada de voltaje a travs del diodo se mantiene casi constante. Generalmente el
fabricante de diodos especifica en la hoja de caractersticas el voltaje de ruptura.
Procedimiento
a) Leer el manual de instruccin del Trazador de curvas.

b) Siguiendo las instrucciones del manual, conectar el diodo al trazador de curvas y
dibujar la grafica mostrada en el trazador de curvas.
c) Montar en la plantilla de experimentos el siguiente circuito mostrado a
continuacin:
d) Medir y registrar en la tabla siguiente, el voltaje en el diodo, el voltaje de la

fuente y la corriente en el circuito. Debes realizar las mediciones con el voltaje de
fuente 0 v y repetirlas para los valores de 1, 2, 3, ...12 v.
V diodo
E
I
e) invierte la posicin del diodo y repite el proceso anterior.
V diodo
E
I
f) Representa los resultados obtenidos en una grfica I del diodo en el eje y, V diodo
eje x
g) Que conclusin sacas al ver la forma y los valores de la grfica.
h) Busca el diodo en los manuales, e indica aqu las caractersticas que ves ms
importantes.

PRCTICA No. 2
Rectificadores

Objetivos
Mostrar el funcionamiento de un rectificador de media onda y de un rectificador de

onda completa, medir sus voltajes promedio y el voltaje de pico mximo de la seal
de salida.
Conocer la principal diferencia entre un rectificador de media onda y un rectificador

de onda completa.
Material Utilizado
Generador de Funciones
Osciloscopio
4 Diodos 1N4001
Resistencia 1k
Introduccin
Un circuito rectificador convierte corriente alterna (CA) en corriente directa (CD). El

diodo con sus caractersticas ideales como interruptor cerrado cuando esta polarizado
directamente y como interruptor abierto cuando se polariza inversamente, es muy adecuado
en circuitos rectificadores.
Considere el circuito de la figura 2.1 que muestra un circuito rectificador.
Figura 2.1 Circuito rectificador de media onda
Durante el primer semiciclo de la seal de CA, el diodo es polarizado en sentido directo,

por lo tanto se comporta como un interruptor cerrado (considerando el modelo ideal del
diodo) por lo que se genera una cada de voltaje en la carga, este voltaje sigue la variacin
del voltaje de entrada, como lo muestra la figura 2.2.

Figura 2.2 Semiciclo positivo en un rectificador de media onda
En el semiciclo negativo como era de imaginarse, el diodo se polariza inversamente, por lo

que se comporta como un interruptor cerrado y no existe obviamente cada de potencial en
la resistencia de carga. La figura 2.3 muestra lo anterior.
Figura 2.3 Semiciclo negativo en un circuito rectificador de media onda
El rectificador de la figura 2.1 se conoce como rectificador de media onda, ya que

suprime la mitad de la seal de entrada. El Vi y el Vo aparecen juntos en la figura 2.4,
para fines de comparacin
Figura 2.4 Formas de onda de la seal de entrada y de la salida del rectificador

Ntese que el voltaje promedio de CD en la seal de entrada es igual a cero, y el voltaje

promedio de la onda de salida es igual a 0.318 Vm.
Una desventaja del rectificador visto arriba es que prcticamente solo se usa un semiciclo
de la seal, es posible usar ambos semiciclos usando un rectificador de onda completa
cuyo circuito se muestra en la figura 2.5. Ntese que para este circuito se usa un
transformador con derivacin central.
Figura 2.5 Rectificador de onda completa
Haciendo un anlisis podemos observar que el diodo D1 se polariza directamente en el

semiciclo positivo por lo que genera un voltaje (Vo) idntico en la carga, mientras que D2
esta polarizado inversamente, por lo que no afecta en el Vo. En el semiciclo negativo
sucede lo contrario D1 esta polarizado inversamente y D2 esta polarizado directamente, por
lo que se produce un cada de voltaje en la resistencia idntica al semiciclo negativo. La
figura 2.6 muestra las formas de onda de entrada y de salida del rectificador de onda
completa.
Figura 2.6 Seal de entrada y salida del rectificador de onda completa
Se puede observar en la grafica que el voltaje promedio es igual a dos veces el obtenido con
un sistema de media onda, es decir Vcd= 0.636 Vm
Desarrollo de la practica
a) Alambrar el circuito mostrado en la figura siguiente. La seal senoidal de entrada

se proporcionara con un generador de funcin. Ajustar el generador antes de
conectar al circuito para que proporcione 12 Vp-p a la frecuencia de 1kHz.

b)
c) Colocar el canal A del Osciloscopio en el punto A del circuito y el canal B en el

punto B, dibujar la forma de onda mostrada en el osciloscopio por ambos canales.
d) Anotar las medidas siguientes: el voltaje promedio de la seal de salida, as como su
frecuencia y su voltaje de pico.
e) Usando el EWB o cualquier otro software de simulacin, alambrar el circuito
anterior, y simularlo. Imprimir las formas de onda de salida.
f) Alambrar el circuito mostrado en la figura 2.5.
g) Colocar el canal A del osciloscopio en el punto B dibujar la forma de onda

mostrada, adems anotar el valor de la frecuencia, el voltaje promedio, el voltaje
rms y el voltaje pico-pico de la seal.
h) Colocar el canal A del osciloscopio en el punto C, dibujar la forma de onda
mostrada.
i) Colocar el canal A del osciloscopio en el punto A dibujar la forma de onda
mostrada. Realizar las mismas medidas que en el inciso f)
j) Usando el EWB o cualquier otro software de simulacin, alambrar el circuito
anterior, y simularlo. Imprimir las formas de onda de la seal de salida.

PRCTICA No. 3
El diodo zener

Objetivos
Mostrar las caractersticas de un diodo zener.

Mostrar las propiedades de un regulador de voltaje con diodo Zener.
Material Utilizado
Fuente de Energa Variable ( 0 V a 15 V)

Multimetro Digital
Diodo Zener 12 V
Resistencia 1k
Resistencia Variable (Preset) 1 K
Introduccin
Un diodo Zener es un diodo que fue diseado para trabajar en la regin de ruptura. Cuando
el diodo es polarizado directamente las caractersticas de voltaje-corriente del diodo Zener
son idnticas a las de un diodo convencional, de igual manera cuando se polariza el diodo
en sentido inverso el comportamiento es el mismo hasta alcanzar el voltaje de ruptura, en
ese punto la corriente inversa aumente rpidamente, mientras que la cada de voltaje en el
diodo permanece prcticamente constante, esta caracterstica de mantener una cada de
voltaje relativamente constante en variaciones muy amplias de voltaje, hacen del diodo
Zener un dispositivo muy til en la regulacin de voltaje. La figura 3.1 muestra el smbolo
del diodo Zener. Tomar en cuenta que Vz es el voltaje de ruptura del diodo.
Figura 3.1 Smbolo del diodo Zener
Un regulador de voltaje se usa en las fuentes de voltaje de CD, para ayudar a mantener el
voltaje a travs de la carga constante o casi constante bajo condiciones variables de
corriente de carga o voltaje de entrada. La figura 3.2 muestra el circuito de un regulador de
voltaje.
Figura 3.2 Circuito regulador de voltaje con Zener

Ahora analicemos el circuito, partiendo de que E < 10 V, en estas condiciones el diodo

Zener esta polarizado en sentido inverso, debido a que el nodo esta conectado a la
terminal negativa y el ctodo a la terminal positiva. El hecho de estar en polarizacin
inversa implica que el diodo se comporte como un circuito abierto y podemos sustituir el
diodo por su respectivo circuito equivalente como lo muestra la figura 3.3
Figura 3.3 Circuito equivalente del Zener cuando E < Vz
En este caso se dice que el diodo esta inactivo, es decir, no funciona como regulador,
recurdese que el diodo debe estar en la regin de ruptura.
Ahora veamos que pasa si E > Vz, en nuestro caso, E > 10 V, en este caso el diodo estar
ya en la regin de ruptura, en este caso, el circuito equivalente del diodo es una fuente
constante de voltaje, recurdese que nos estamos en la regin de ruptura del diodo. El
circuito equivalente para este caso se muestra en la figura 3.4
Figura 3.3 Circuito equivalente del Zener cuando E > Vz
Ntese que el voltaje en la carga es igual al voltaje en el Zener, este voltaje regulado que
en nuestro caso es de 10 V se mantendr siempre constante, aun cambiando el valor de la
carga. Lo que si es interesante conocer es la corriente que circula por el Zener, para evitar
que se dae. Calcular la corriente es simple, aplicando leyes de kirchhoff al nodo que se
encuentra en el ctodo del diodo, encontramos que:
IZ = IS + IL
Donde Is es la corriente que circula por Rs e I L es la corriente de la carga. Con la corriente

podemos encontrar la potencia del Zener fcilmente, sobra decir que esta potencia no debe
ser menor que la potencia nominal dada por el fabricante.
Desarrollo de la Prctica
a) Montar el siguiente circuito regulador en la plantilla de experimentos.

b) Medir y registrar en la tabla siguiente, el voltaje en la carga, la corriente en la carga

y la corriente en el Zener. Debes realizar las mediciones con el voltaje de fuente (E)
0 v y repetirlas para los valores de 1, 2, 3, ...15 v.
E
Iz
VL
IL
c) Una vez ocurrida la ruptura del Zener qu sucede a la corriente del Zener al
aumentar E.
d) Que sucede con la corriente I L al ir aumentando gradualmente el voltaje de la fuente
(E).Obtenga una grafica de Es contra V L con los puntos obtenidos en el b), la curva
resultante se conoce como curva de regulacin de voltaje.
e) Desconecte la resistencia de carga del circuito anterior y aplique un voltaje de 25 V
a la fuente E. (recurdese que para quitar o agregar dispositivos a un circuito en
funcionamiento este se debe apagar o bien desconectar las fuentes de voltaje, para
evitar daos personales o al dispositivo).
f) Mida y registre en la siguiente tabla la corriente Iz resultante para una corriente de
carga de 0 mA, y el voltaje E = 25 V.
g) Agregue un preset de 1 K como resistencia de carga, al variar la resistencia del
preset varia la Iz. Variar la resistencia del preset para obtener una corriente de carga
de 10 mA, en estas condiciones mida y registre en la misma tabla la corriente del
Zener y el voltaje en la carga. Repetir lo anterior para los valores de corriente
mostrados en la tabla.
E 25 V 25V 25V 25V 25V 25V 25V 25 V

Iz
VL
IL 0 mA 10 mA 15 mA 20 mA 25 mA 30 mA 35 mA 40 mA
h) Realizar con los valores obtenidos una grafica de V L (en el eje Y) con respecto a I L
(eje X). Ala curva resultante se le conoce como curva de regulacin de carga.
i) Determinar el porcentaje de regulacin del circuito usando la siguiente formula. El
Voltaje sin carga ocurre cuando I L =0 y el voltaje de carga total ocurre cuando I L
=40 mA.

Vsin c arg a Vc arg aTotal

regulacion = 100%
Vc arg aTotal
El porcentaje de regulacin deber ser menor o igual al 5 %.

PRCTICA No. 4
El transistor bipolar

Objetivos
Observar la curva caracterstica de un transistor en el trazador de curvas del

laboratorio.
Disear circuitos de polarizacin en CD usando el transistor.
Material Utilizado
Fuente de Energa Variable (0 V a 15 V)

Multimetro Digital
Transistor BC548
Resistencia 1k
Introduccin
Los transistores de unin bipolar son usados en una gran variedad de aplicaciones que seria
impractico y de hecho casi imposible describir cada una de ellas con suficiente detalle,
primero empezaremos por definir lo que es el transistor y sus configuraciones tpicas.
El transistor es un dispositivo de tres capas de semiconductor, consiste en dos capas de

material tipo n y una de material tipo p (llamado transistor npn), o bien dos capas de
material tipo p y una capa de material tipo n (llamado transistor tipo pnp. La figura 4.1
muestra la estructura de un transistor pnp y LA 4.2 muestra la estructura de un transistor
pnp, adems se muestra el smbolo del transistor as como sus terminales.
Figura 4.1 Estructura de un transistor npn
Figura 4.2 Estructura de un transistor npn

La operacin normal de un transistor requiere que una unin pn se polarice directamente y

la otra inversamente, como se muestra en la figura 4.3.
Figura 4.3 Polarizacin del Transistor Bipolar
Al aplicar las leyes de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 4.3 como si fuera un
solo nodo se obtiene:
I E = IC + I B
Con la polarizacin anterior el transistor esta listo para amplificar, es decir, cuando se
aplica una pequea seal de CA a las terminales de entrada de un transistor, aparece una
reproduccin amplificada de la misma seal.
La ganancia de corriente cc de un transistor se define como la corriente de colector

dividida entre la corriente de base. Esta relacin se expresa as:
Ic
cc =
IB
Para transistores de baja potencia la ganancia generalmente oscila entre 100 y 300.
Existen tres configuraciones tiles para la amplificacin de voltaje o de corriente con

circuitos con transistores: base comn, emisor comn y colector comn.
Configuracin de Emisor Comn
La figura 4.4 muestra la configuracin de emisor comn para los transistores tipo npn.
Figura 4.4 Configuracin de emisor comn.

Ntese que el circuito tiene dos mallas, la malla de la izquierda que es el circuito de base y
la malla de la derecha que es el circuito de colector. Por lo general V BB esta comprendido
entre 5 y 15 V. Usando diferentes valores de V BB y de R B se puede controlar la corriente de
base. Generalmente la corriente de base controla la corriente de colector. As cualquier
cambio en la corriente de base produce un cambio en la corriente de colector.
Se requieren dos conjuntos de caractersticas para describir por completo un dispositivo de

tres terminales, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el
lado de la salida. Como se ve en la figura 4.5 el conjunto de entrada para el amplificador de
emisor comn, relacionara la corriente de entrada (IB ) con un voltaje de entrada (V BE ) para
varios niveles de voltaje de salida (V CB ).
Figura 4.5 Caractersticas del punto de entrada
Como era de esperarse la curva de entrada se parece a la del diodo por que la malla de la
derecha es una unin pn.
El conjunto de salida relaciona la corriente de salida ( IC ) con un voltaje de salida (V CE )

para varios niveles de voltajes de entrada (IB ), segn lo muestra la figura 4.6.
Figura 4.6 Caractersticas de salida

Segn se muestra en la figura 4.6, el conjunto de caractersticas de salida tiene tres regiones
bsicas de inters: activa, de corte y de saturacin.
La regin activa es la zona que no esta sombreada en la figura y generalmente ah es donde

el transistor trabaja en forma normal como amplificador de seales.
En la regin activa la unin base-colector se polariza inversamente, mientras que la unin

emisor-base se polariza directamente.
Como lo dice su propio nombre la regin de corte se define como la regin en la que la
corriente de colector es 0 A, es decir, no circula corriente por el colector.
En la regin de corte, tanto la unin base-colector como la unin emisor-base de un

transistor tienen polarizacin inversa.
La ltima regin es la regin de saturacin y es muy usada en los circuitos digitales.
La regin de saturacin se obtiene polarizando la unin base-colector directamente

mientras que la unin esta polarizada directamente.
Como se vio anteriormente para que funcione el transistor como amplificador es necesario
trabajar en la regin activa como lo muestra la figura 4.4, para fines prcticos se usa una
sola fuente de voltaje, y por medio de un divisor de resistencias se pueden obtener las
condiciones deseadas, es decir, polarizar la unin base-emisor directamente y polarizar la
unin emisor-colector inversamente. La figura 4.7 muestra un amplificador en la
configuracin de emisor comn.
Figura 4.7 Amplificador practico
La fuente de voltaje suministra el voltaje de polarizacin directa para la unin base-emisor

a travs del divisor de voltaje R1 y R2 y la unin colector-base esta polarizada
inversamente, debido a que el positivo de la fuente se conecta al colector (material tipo n).

El capacitor C1 permite que la seal de entrada de CA se aplique directamente a la base del

transistor y el capacitor C2 es usado para tomar la seal de salida amplificada del colector.
Desarrollo de la prctica
a) Montar en la plantilla el siguiente circuito Vcc=24:
b) Calcule el voltaje en la base del transistor, el voltaje en el colector, el voltaje en

el emisor, el voltaje base emisor, el voltaje colectoremisor, el voltaje base-
colector, examine los resultados y diga si el transistor esta polarizado en la
regin activa, si es as explique por que llego a esa conclusin.
c) Calcule las corrientes de base, emisor y colector.
d) Energizar el circuito y medir los voltajes pedidos en el inciso b)
e) Mida la corriente de colector, la corriente de base y la corriente de colector. son
parecidos los valores calculados en el c) con los valores medidos? es la
corriente de colector igual a la corriente de emisor? obtenga el valor de beta
(ganancia) del transistor con los valores medidos.
f) Con el generador de seal aplicar al amplificador una onda senoidal de 1 Khz de
frecuencia y 100 mV de voltaje pico a pico.
g) Conecte el canal A del osciloscopio en la base del transistor, observe la seal,
mida el voltaje de pico-pico.
h) Conecte la punta del canal B del osciloscopio a la salida del amplificador (en el
capacitor de salida).
i) Dibuj las seales mostradas en el osciloscopio. Es la onda de salida una
versin amplificada de la seal de entrada?
j) Mida el voltaje de salida pico-pico.
k) Con las mediciones de voltaje realizadas de cuanto es la ganancia del
amplificador?

PRCTICA No. 5
Configuracin de base comn

Objetivos
Conocer la configuracin base comn de un transistor.

Observar el comportamiento de un transistor en la configuracin de base comn.
Material Utilizado

Multimetro Digital
Transistor BC548
Resistencias 150 k, 10 k, 50 k, 1k
Capacitores 50 F, 150 F
Osciloscopio
Generador de funcin
Introduccin
Para usar un transistor en la configuracin de base comn en la regin activa es necesario

que las uniones se polaricen de la siguiente forma:
La unin base-emisor se polariza directamente mientras que la unin base-colector se

polariza inversamente.
La figura 5.1 muestra un circuito con la configuracin de base comn.

PNP
S1 Rc
24 V
Vee Bcc
Ntese que la seal senoidal que se muestra se aplica al emisor del transistor la salida se
obtiene en el colector y la base como era de esperarse es comn tanto a la entrada como a
la salida del circuito amplificador, las bateras son usadas para polarizar el transistor en la
regin activa.

Tambin se pueden realizar varias mejoras al circuito anterior, por ejemplo, polarizar con
una sola fuente de voltaje como se ve en la figura 5.2.
Q1
R2
R3
R1
Entrada Salida
R4 Vcc
Figura 5.2 Configuracin base comn
El divisor de voltaje R3 y R4 proporciona la polarizacin de la unin base-emisor, la unin

colector-base esta polarizada inversamente debido a que el colector es negativo con
respecto a la base.
1. Montar en la plantilla el siguiente circuito:
2. Calcule el voltaje en la base del transistor, el voltaje en el colector, el voltaje en

el emisor, el voltaje base emisor, el voltaje colectoremisor, el voltaje base-
colector, examine los resultados y diga si el transistor esta polarizado en la
regin activa, si es as explique por que llego a esa conclusin.
3. Calcule las corrientes de base, emisor y colector.
4. Energizar el circuito y medir los voltajes pedidos en el inciso 2)
5. Mida la corriente de colector, la corriente de base y la corriente de colector. son
parecidos los valores calculados en el 3) con los valores medidos? es la
corriente de colector igual a la corriente de emisor? obtenga el valor de beta
(ganancia) del transistor con los valores medidos.
6. Con el generador de seal aplicar al amplificador una onda senoidal de 1 kHz de
frecuencia y 100 mV de voltaje pico a pico.

7. Conecte el canal A del osciloscopio en la base del transistor, observe la seal,

mida el voltaje de pico-pico.
8. Conecte la punta del canal B del osciloscopio a la salida del amplificador (en el
Capacitor de salida).
9. Dibuje las seales mostradas en el osciloscopio. Es la onda de salida una
10. Mida el voltaje de salida pico-pico.
11. Con las mediciones de voltaje realizadas de cuanto es la ganancia del
amplificador?

PRACTICA No. 6
Configuracin colector comn

Objetivos
Conocer como opera la configuracin de colector comn.

Observar el comportamiento de un transistor en la configuracin de colector comn
Material Utilizado

Multimetro Digital
Transistor BC548
Resistencias 150 k, 10 k, 1k
Osciloscopio
Generador de funcin
Introduccin
La figura 6.1 muestra un transistor en la configuracin de colector comn:
Q1 VEE
VBB
Figura 6.1 Circuito de colector comn.
Este tipo de configuracin se usa utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de
impedancias, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, contrariamente a las configuraciones de base comn y de emisor comn.
En la figura 6.2 se muestra un circuito simplificado de colector comn, una sola batera
suministra el voltaje de polarizacin para la unin base-emisor a travs de la red de divisor
de voltaje R1 y R2. La unin colector-base esta polarizada inversamente debido a que el
colector es negativo con respecto de la fuente de energa.

220 K
10 uF
Q1 50 uF
24 V
1 KHz
220 K
10
Figura 6.2 Circuito de colector comn con una sola fuente de energa.
A pesar de que en esta figura no se ve tan claro que el colector sea comn tanto a la entrada
como a la salida, haciendo un anlisis de CA (el anlisis de CA se vera mas adelante en la
materia de electrnica I ) se puede demostrar que el colector es comn tanto a la entrada
como a la salida.
1. Montar en la plantilla el circuito de la figura 6.2

2. Calcule el voltaje en la base del transistor, el voltaje en el colector, el voltaje
en el emisor, el voltaje base emisor, el voltaje colectoremisor, el voltaje
base-colector, examine los resultados y diga si el transistor esta polarizado
en la regin activa, si es as explique por que llego a esa conclusin.
3. Calcule las corrientes de base, emisor y colector.
4. Energizar el circuito y medir los voltajes pedidos en el inciso 2)
5. Mida la corriente de colector, la corriente de base y la corriente de colector.
son parecidos los valores calculados en el 3) con los valores medidos? es
la corriente de colector igual a la corriente de emisor? obtenga el valor de
beta (ganancia) del transistor con los valores medidos.
6. Con el generador de seal aplicar al amplificador una onda senoidal de 1
kHz de frecuencia y 100 mV de voltaje pico a pico.
7. Conecte el canal A del osciloscopio en la base del transistor, observe la
seal, mida el voltaje de pico-pico.
8. Conecte la punta del canal B del osciloscopio a la salida del amplificador (en
el capacitor de salida).
9. Dibuje las seales mostradas en el osciloscopio. Es la onda de salida una
10. Mida el voltaje de salida pico-pico.

11. con las mediciones de voltaje realizadas de cuanto es la ganancia del

amplificador?

PRACTICA No. 7
El transistor de efecto de campo

Objetivos
Identificar y describir las curvas de salida y las curvas de entrada de un FET.

Observar las regiones de operacin de un FET
Material Utilizado

Multimetro Digital
Transistor BC548
Osciloscopio
Generador de funcin
Introduccin
El transistor de efecto de campo FET (por sus siglas en ingles de Field effect Transistor) es
un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan,
en una gran proporcin, a las del transistor BJT.
La diferencia bsica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT
es un dispositivo controlado por corriente mientras que el transistor JFET (Junction FET,
FET de unin) es un dispositivo controlado por voltaje.
De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de efecto
de campo de canal n y de canal p. Es importante considerar que el transistor BJT es un
dispositivo bipolar, el prefijo bi indica que el nivel de conduccin es una funcin de dos
portadores: los electrones y los huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende
nicamente de la conduccin o bien de electrones (FET canal n) o bien de huecos (canal p).
La construccin de un JFET de canal n y de canal p se muestra en la figura 7.1. El drenaje y

la fuente se hallan conectados al extremo del canal de tipo n y la compuerta a las dos capas
de material tipo p, para un JFET canal n.
El trmino efecto de campo se relaciona con las zonas de deplexin que rodean a cada
zona p. Las uniones entre cada zona p y las zonas n tienen capas de deplexin debido a que
los electrones libres se difunden desde las zonas n en las zonas p. Cuando los electrones
fluyen desde el drenaje (drain) a la terminal fuente, deben pasar a travs del estrecho canal
situados entre las dos zonas de deplexin. En otras palabras la tensin de la compuerta
puede controlar la corriente a travs del canal. Cuanta ms negativa sea la tensin de
puerta, menor ser la corriente entre la fuente y drenaje

Figura 7.1 JFET canal n y canal p
La figura 7.2 muestra la manera normal de polarizar un JFET.
El JFET tiene una impedancia de entrada casi infinita, pero el precio que se paga con ello es
una perdida de control sobre la corriente de salida. En otras palabras un amplificador con
JFETs tiene mucha menor ganancia de voltaje que un amplificador con transistores
bipolares. La figura 7.3 muestra el smbolo de los JFET.
JFET n JFET p
Figura 7.3 Smbolo de los JFET
La figura 7.4 muestra el conjunto de curvas caractersticas de salida para un JFET con una
Idss (corriente desde drenaje hasta la fuente que un JFET puede conducir). La tensin de

estrangulamiento es de 4 V y la tensin de ruptura es de 30 V. Ntese que cuanto mas

negativa es Vgs menor ser la corriente de drenaje.

100
D
G 0 - 20 V
2. Medir la cada de voltaje entre drenaje y fuente (Vds) as como la corriente que
circula por la terminal de drenaje (Id), iniciar con un valor en la batera de 0.5, 1,
1.5, ..., 20 Volts, registrar cada una de las medidas realizadas y llenar la siguiente
tabla:
V ds (volts)
Id (mA)
3. Marque los datos registrados en una grfica de Id contra Vds y dibuje una curva
sobre los puntos marcados.
4. En la curva anterior marque el punto de estrangulamiento, es decir el punto
donde termina el aumento rpido de Id y comienza el flujo de corriente
constante, un valor tpico para este voltaje es de 3.5 V

PRCTICA No. 8
Amplificador con JFET

Objetivos
Medir los voltajes de polarizacin de un amplificador con JFET.

Demostrar como funciona un amplificador de voltaje con JFET y determinar su
ganancia.
Material Utilizado

Multimetro Digital
Transistor BC548
Osciloscopio
Generador de funcin
Introduccin
Un JFET para que funcione como amplificador se debe primero polarizar al igual que un
transistor BJT, para ello existen diferentes procedimientos, lo importante es recordar que el
diodo formado por la terminal de compuerta y por la terminal de fuente tiene que estar
polarizado en forma inversa.
Tambin a la hora de disear un amplificador hay que tomar en cuenta que al igual que los
transistores bipolares existen varias configuraciones para el FET: fuente comn, compuerta
comn y drenaje comn. Para fines de esta prctica usaremos la configuracin de fuente
comn.
La figura 8.1 muestra un mtodo tpico para polarizar el JFET, usando la configuracin de
fuente comn, a este tipo de polarizacin se le conoce como polarizacin fija.
Una de las desventajas del circuito de polarizacin fija es que usa dos fuentes de
alimentacin, esta desventaja se puede separar con la configuracin de auto polarizacin
mostrada en la figura 8.2, como puede verse esta configuracin usa slo una fuente de
alimentacin

RD
C2
C1
Vo
Vi
RG VDD
VGG
Figura 8.1 Polarizacin fija de un JFET
RD
C1
C2 VDD
RG
RS
Figura 8.2 Configuracin de auto polarizacin

2. Haga un anlisis matemtico del circuito para encontrar los voltajes en la fuente,
drenaje y compuerta, adems de los valores de voltaje entre drenaje-fuente y
compuerta-fuente.
3. Ahora mida los voltajes mencionados en el ejercicio anterior, el resultado debe
ser idntico.
4. Coloque el canal A del osciloscopio en la terminal de compuerta del JFET, y la
terminal B del osciloscopio en la salida del amplificador.
5. Registre los valores p-p de las seales de entrada y de salida, adems de dibujar
las formas de onda de ambos canales.

4.7 K
Vo
.022 uF 20 V
Q1
1000 kH 0.022 uF
1M
1K
300 mV
Figura 8.3
6. Calcule la ganancia de voltaje del amplificador

100
D
G 0 - 20 V
7. Medir la cada de voltaje entre drenaje y fuente (Vds) as como la corriente que
circula por la terminal de drenaje (Id), iniciar con un valor en la batera de 0.5, 1,
1.5, ..., 20 Volts, registrar cada una de las medidas realizadas y llenar la siguiente
tabla:
V ds (volts)
Id (mA)
8. Marque los datos registrados en una grfica de Id contra Vds y dibuje una curva
sobre los puntos marcados.
9. En la curva anterior marque el punto de estrangulamiento, es decir el punto
donde termina el aumento rpido de Id y comienza el flujo de corriente
constante, un valor tpico para este voltaje es de 3.5 V.

Manual de prácticas de Física de Semiconductores

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TECNOLGICO NACIONAL DE MXICO

MATERIA: FSICA DE SEMICONDUCTORES

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211

PRCTICA No. 2 ................................................................................................... 7

PRCTICA No. 3 ................................................................................................. 12

PRCTICA No. 4 ................................................................................................. 17

PRCTICA No. 5 ................................................................................................. 23

PRACTICA No. 6 ................................................................................................. 27

PRACTICA No. 7 ................................................................................................. 31

PRCTICA No. 8 ................................................................................................. 35

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 2

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 3

Identificar las regiones de operacin de un diodo observando su curva caracterstica

Mostrar la operacin del diodo en un circuito y graficar el voltaje contra la corriente

Trazador de Curvas ( Component Tester )

Algunos dispositivos electrnicos son lineales, es decir, su corriente es directamente

Un diodo es diferente debido a la barrera de potencial existente, no se comporta como lo

Como se indica, la curva caracterstica, consta de tres regiones distintas:

La regin de polarizacin directa:

Para un diodo de silicio la tensin de umbral es de 0.7 V como se menciona arriba. Un

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 4

Figura 1. Curva caracterstica del diodo

Si la corriente en el diodo es demasiado grande el calor excesivo lo destruir. Por esta

La regin de polarizacin inversa

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 5

La regin de ruptura, determinada por v < -Vzk.

a) Leer el manual de instruccin del Trazador de curvas.

d) Medir y registrar en la tabla siguiente, el voltaje en el diodo, el voltaje de la

e) invierte la posicin del diodo y repite el proceso anterior.

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 6

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 7

Mostrar el funcionamiento de un rectificador de media onda y de un rectificador de

Conocer la principal diferencia entre un rectificador de media onda y un rectificador

Un circuito rectificador convierte corriente alterna (CA) en corriente directa (CD). El

Considere el circuito de la figura 2.1 que muestra un circuito rectificador.

Figura 2.1 Circuito rectificador de media onda

Durante el primer semiciclo de la seal de CA, el diodo es polarizado en sentido directo,

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 8

Figura 2.2 Semiciclo positivo en un rectificador de media onda

En el semiciclo negativo como era de imaginarse, el diodo se polariza inversamente, por lo

Figura 2.3 Semiciclo negativo en un circuito rectificador de media onda

El rectificador de la figura 2.1 se conoce como rectificador de media onda, ya que

Figura 2.4 Formas de onda de la seal de entrada y de la salida del rectificador

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 9

Ntese que el voltaje promedio de CD en la seal de entrada es igual a cero, y el voltaje

Figura 2.5 Rectificador de onda completa

Haciendo un anlisis podemos observar que el diodo D1 se polariza directamente en el

Figura 2.6 Seal de entrada y salida del rectificador de onda completa

a) Alambrar el circuito mostrado en la figura siguiente. La seal senoidal de entrada

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 10

c) Colocar el canal A del Osciloscopio en el punto A del circuito y el canal B en el

g) Colocar el canal A del osciloscopio en el punto B dibujar la forma de onda

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 11

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 12

Mostrar las caractersticas de un diodo zener.

Fuente de Energa Variable ( 0 V a 15 V)

Figura 3.1 Smbolo del diodo Zener

Figura 3.2 Circuito regulador de voltaje con Zener

Coordinacin de Ingeniera Electrnica, IELC-2010-211 13

Ahora analicemos el circuito, partiendo de que E < 10 V, en estas condiciones el diodo

Figura 3.3 Circuito equivalente del Zener cuando E < Vz

Figura 3.3 Circuito equivalente del Zener cuando E > Vz

Donde Is es la corriente que circula por Rs e I L es la corriente de la carga. Con la corriente