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Guido Masera, Carlo Naldi, Gianluca Piccinini (1995). Introduzione allanalisi dei dispositivi a
semiconduttore. Hoepli Editore, Milano, pp. 1-566. ISBN 882032119X
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Hoepli Editore
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In questo primo capitolo, partendo dalla natura discreta dellenergia e dal concetto
di fotone, si arriva a descrivere la natura quantistica dellelettrone, chiarendo in tal
modo alcuni fenomeni che si riettono sul comportamento macroscopico dei dispositivi
elettronici.
Lequazione di Schrodinger viene utilizzata come strumento di analisi per la determi-
nazione di soluzioni a energia denita (stazionarie) per lelettrone in varie condizioni
di energia potenziale. In particolare si esaminano le funzioni donda associate a un
elettrone vincolato a una buca di potenziale di altezza nita al ne di determinare i
livelli energetici ammissibili per lelettrone legato. Ne risulta che gli stati occupabili
allinterno di una buca di potenziale sono niti e caratterizzati da livelli energetici dis-
creti.
Se da una parte lo studio dellelettrone legato a una buca di potenziale permette di in-
tuire come lenergia di un elettrone allinterno di un atomo o di un reticolo cristallino
sia vincolata a ben precisi stati, dallaltra la situazione di maggior interesse e sicu-
ramente quella relativa al comportamento di un elettrone che incontra una barriera di
potenziale avendo una energia totale inferiore allaltezza della barriera. Sebbene la sica
classica indichi come nulla la probabilita di attraversamento, la soluzione dellequazione
di Schrodinger mostra una probabilita di attraversamento relativamente alta quando la
larghezza della barriera e dellordine delle decine di A (eetto tunnel). Il coeciente
di trasmissione tunnel rappresenta la probabilita di ritrovare lelettrone dallaltra parte
della barriera e giustica molti fenomeni di conduzione altrimenti inspiegabili quali
il comportamento non raddrizzante delle giunzioni metallo-semiconduttore fortemente
drogato e il passaggio di elettroni nellossido nei dispositivi a gate ottante solo per
accennare alle conseguenze di maggiore rilevanza nei circuiti integrati.
In tutti i casi esaminati lenergia potenziale si puo suddividere in campi in cui e
costante, quindi lequazione di Schrodinger si puo ricondurre a equazioni dierenziali
a coecienti costanti risolvibili in forma analitica. Per lanalisi di barriere triangolari
o comunque a variazione non brusca si usa un metodo approssimato, il metodo WKB,
che viene applicato allo studio della emissione termoelettronica.
1
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
8 2 m
2 + [E U (P)] = 0
h2
Con questo strumento si esaminano situazioni tipiche di energia potenziale quali la
buca, il gradino e la barriera di energia potenziale. Rilevante in questo ultimo caso e il
cosiddetto eetto tunnel per cui una particella di energia E e in grado di attraversare
una barriera di altezza U0 > E e larga L, nel senso che la probabilita T che essa venga
trasmessa3 non e nulla.
Coeciente di trasmissione per eetto tunnel attraverso una barriera costante
di altezza U0 e larghezza L
1
U02 sinh2 L
T = 1+
4E (U0 E)
dove
p
2 m (U0 E)
=
~
Nel caso frequente in cui T e piccolo, cioe L 1, lespressione si semplica:
16E (U0 E) 2L
T e
U02
1
In alcuni esperimenti, quali la dirazione da una fenditura, la riessione Bragg da un cristallo ecc.,
una particella di impulso p si comporta come unonda di lunghezza donda = h/p.
2
Il punto P puo essere individuato mediante il vettore r = (P-O), dove O e lorigine del sistema di
riferimento.
3
Il coeciente di trasmissione per eetto tunnel e denito come
probabilita che la particella si trovi dopo la barriera
T =
probabilita che la particella si trovi prima della barriera
.
2
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Soluzioni a energia
denita 1.2.1 Funzioni donda Strutture di energia potenziale
Elettrone libero
1.2.2
Elettrone legato
(buca simmetrica)
1.3.1, 1.3.2, 1.3.3, 1.3.4
Elettrone legato
(buca asimmetrica)
1.3.5
Trasmissione per
eetto tunnel
Barriera rettangolare
Correnti per eetto tunnel 1.4.1, 1.4.2, 1.4.3
1.4.4, 1.4.5, 1.4.6
Barriera triangolare
WKB 1.4.7
3
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
U(x)
x
x1 x2
Figura 1.2: Passaggio per eetto tunnel di un elettrone di energia E attraverso una
barriera di energia potenziale U (x) a variazione non brusca.
lapprossimazione consiste nel trascurare lesponenziale con segno positivo legato alla
riessione al termine della barriera.
Coeciente di trasmissione per eetto tunnel attraverso una barriera di
altezza U (x) lentamente variabile
d2 2m
g 2 (x) = 0 dove g 2 (x) = [U (x) E]
dx2 ~2
Si trova una soluzione approssimata (approssimazione WKB4 ) del tipo
(
S(x) = x g(x) dx
= h(x) eS(x) p
h(x) = A / g(x)
trascurando la piccola riessione sulla parete piu distante, entro la barriera si ha una
sola soluzione esponenziale (x1 e x2 ascisse per cui U (x1 ) = E = U (x2 ), x1 sul fronte
della barriera)
x
A
g(x) dx
(x) = p e x1
g(x)
h 6, 6256 1034
a) = = = 6, 6256 1033 m = 6, 6256 1023 A
mv 0, 1 1
4
Wentzel - Brillouin - Kramers.
4
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
h 6, 6256 1034
b) = = = 7, 27 nm
meln v 9, 109 1031 102 107
c) Lenergia acquisita dallelettrone e solo energia cinetica: Ecin = p2 /2meln = 10 eV
da cui
p p
p = 2meln Ecin = 2 9, 109 1031 10 1, 60 1019 =
= 1, 707 1024 kg m/s
h 6, 6256 1034
= = = 3, 88 1010 nm = 3, 88 A
p 1, 707 1024
1.1.2
Si consideri un trasmettitore radio che irradia 900 W alla frequenza di 12 MHz.
J
a) E = h f = 6, 626 1034 12 106
quanto
7, 951 1027 eV eV
= = 4, 9695
1, 6 1019 quanto quanto
b) Si indica con N il numero di quanti emessi nellunita di tempo
1
c) 1 periodo = = 8, 333 108 s
f
1
fotoni emessi in un periodo = N = 1, 132 1029 8, 333 108
f
fotoni
= 9, 433 1021
periodo
E 6, 626 1027 J
d) E = p c p = = = 2, 209 1035 kg m/s
c 3 108 m/s
Verica dimensionale
J kg sm m
= = kg
2
m
m/s s s
5
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1.1.3
Lenergia di ionizzazione di un atomo di neon e 21, 5 eV. a) Qual e la velocita minima
con cui deve spostarsi un elettrone, perche la collisione con un atomo non eccitato di
neon provochi la ionizzazione dellatomo? b) Qual e la frequenza minima che deve avere
un fotone per essere in grado di provocare la fotoionizzazione dellatomo di neon?
a) Lenergia di ionizzazione dellatomo di neon, eVi = 21, 5 eV, deve essere ottenuta
tramite lenergia cinetica dellelettrone
r
1 2 2e p
mv = e Vi v = Vi
2 m
s
2 1, 6 1019 p
v= 21, 5 = 5, 93 105 4, 637 = 2, 75 106 m/s
9, 11 1031
1.1.4
Una lampada a vapori di mercurio con potenza di 40 W emette una riga dellultravio-
letto, 2537 A, a cui fornisce lo 0,1% della sua potenza. Si calcoli il numero di fotoni
emessi al secondo dalla sorgente con questa lunghezza donda.
La potenza totale emessa alla lunghezza donda = 2537 A, cioe lenergia irradiata al
secondo e pari a 0,04 W:
0, 04 J/s
0, 04 J/s = = 2, 50 eV/s
1, 60 1019 J/eV
Il numero di fotoni al secondo e
2, 5 1017 eV/s
= 5, 123 1016 fotoni/s
4, 88 eV
6
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
h h2 2
+j (r, t) = 2 + U (r, t) (r, t)
2 t 8 m
si ricavi la forma dellequazione di Schrodinger che regola le variazioni spaziali per
soluzioni a energia denita:
8 2 m
2 + [E U (P)] = 0
h2
per lo meno nel caso unidimensionale.
h h2 2
+j (r, t) = 2 + U (r, t) (r, t)
2 t 8 m
si passa alla forma unidimensionale
h h2 2
+j (x, t) = 2 + U (x, t) (x, t)
2 t 8 m x2
Si applica per la soluzione il metodo della separazione delle variabili
sostituendo
h h2 2
+j f (t) (x) = 2 (x) + U (x) (x) f (t)
2 t 8 m
separando le variabili
h df (t) 1 h2 2
+j = 2 (x) + U (x) (x) = E
f (t) 2 dt (x) 8 m
dove, essendo il 1 membro dipendente solo da t ed il 2 solo da x, entrambi sono
costanti; si indica con E la costante di separazione che ha le dimensioni di unenergia.
Questo metodo porta alla determinazione di soluzioni stazionarie6 : cioe a soluzioni di
cui e completamente denita lenergia totale E della particella, ma della quale si conosce
nulla sullevoluzione temporale (per il principio di indeterminazione E t h).
Si ottiene 7
h df (t)
j
= E f (t)
2 dt
2
h 2 (x) + U (x) (x) = E (x)
8 2 m
6
Tale denominazione deriva dal fatto che la densita di probabilita di trovare la particella, che si
ottiene a meno di una costante facendo il modulo quadrato della soluzione, e costante al variare del
tempo.
7
Principio di sovrapposizione degli stati.
7
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
h df (t)
j
= E f (t)
2 dt
h2 2
2 + U (x) = E (x)
8 m
Si ottengono le soluzioni stazionarie:
Et
+j
f (t) = Ce ~
H (x) = E (x)
Nelle soluzioni stazionarie i valori E dellenergia denita, sono gli autovalori delloper-
atore H e le funzioni (x) sono le autofunzioni.
1.2.2
Si scriva la soluzione dellequazione di Schrodinger per un elettrone libero che si propaga
lungo la direzione x caratterizzata da unenergia potenziale costante U = U0 = 0. Si
determini il legame esistente tra lenergia totale E e la costante di propagazione k.
h2 d2 (x)
= E (x)
8 2 m dx2
e unequazione dierenziale a coecienti costanti con equazione caratteristica:
r
h2 2mE
2 2 = E = j = j k
8 m ~2
che accetta soluzioni esponenziali del tipo
(x) = A ej k x + B e+j k x
r
2mE ~2 k 2
k = ; E =
~2 2m
Si suole dire che la relazione di dispersione E(k) per lelettrone libero ha una forma
quadratica.
8
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
U0
L 0 +L x
8 2 m
2 + [E U (P)] = 0
h2
le cui soluzioni dipendono dalla struttura dellenergia potenziale U (P). Spesso si hanno
soluzioni (autofunzioni) solo per un insieme discreto di valori E dellenergia totale
(autovalori).
Lequazione e del tipo a energia denita e non ha dipendenza dal tempo t. Pertanto per
conoscere le soluzioni stazionarie, si applica lequazione di Schrodinger alla particolare
struttura di energia potenziale e si calcolano i valori di E possibili. Nel caso di problemi
monodimensionali lequazione di Schrodinger per soluzioni stazionarie 8 e:
d2 (x) 2 m
+ 2 [E U (x)] (x) = 0
dx2 ~
Sia d = 2L la larghezza della buca. Se si suddivide lintero campo in tre regioni
(gura 1.3) a energia potenziale costante
regione I x < L U (x) = U0
regione II L < x < +L U (x) = 0
regione III x > +L U (x) = U0
in ciascuna regione lequazione dierenziale diventa a coecienti costanti ed e facil-
mente solubile.
Nelle regioni I - III
d2 2 m
2
= 2 [U0 E] (x)
dx ~
p
2 2 m 2 m (U0 E)
= 2 (U0 E) =
~ ~
Nella regione II
8
m massa ecace dellelettrone nel reticolo cristallino; nello spazio libero m = m0 .
9
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
d2 2 m
2
= 2 E (x)
dx ~
2 2m 2m E
= 2 E = j
~ ~
3 (x) = D1 ex + D2 ex
Si impongono le condizioni ai limiti, in particolare che non deve divergere, in quanto
si stanno cercando soluzioni legate:
1 () = 0 A2 = 0
3 (+) = 0 D1 = 0
Si hanno per le soluzioni
1 (x) = A ex x < L
2 (x) = B sin x + C cos x L < x < L
(x) = D ex x>L
3
10
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
- Variabili A + D e C
(1.2) + (1.3) : (A + D) e L = 2C cos L
(1.4) (1.5) : (A + D) e L = 2C sin L
(1.4) (1.5)
= tan L tan L = (1.6)
(1.2) + (1.3)
- Variabili A D e B
(1.2) (1.3) : (A D) e L = 2B sin L
(1.4) + (1.5) : (A D) e L = 2 B cos L
(1.4) + (1.5)
= cot L cot L = (1.7)
(1.2) (1.3)
(1.6)
tan2 L = 1
(1.7)
Si vede che non esistono soluzioni reali, mentre le due relazioni (1.6) (1.7) pre-
sentano soluzioni reali per ; cio signica che vi sono due famiglie di soluzioni (di
curve = f ()), che non hanno intersezioni tra di loro.
e L sin L cos L 0
0 sin L cos L e L
=0
e L cos L sin L 0
0 cos L sin L e L
Con entrambi i metodi seguiti si individuano due famiglie di soluzioni per la funzione
allinterno della buca.
Soluzioni simmetriche
2 (x) = C cos x
B=0, A D = 0, tan L =
Soluzioni antisimmetriche
11
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1 2
-L
x x
-L 0 L L
2 (x) = B sin x
C=0, A + D = 0, cot L =
In entrambi i casi il sistema di equazioni risulta soddisfatto e il determinante dei
coecienti e nullo.
Gracamente si puo ottenere una soluzione, come intersezione di curve nel piano [L
L]. Una famiglia di curve, tra le grandezze e , e rappresentata dalle (1.6) (1.7),
laltra si ottiene osservando che:
p
2 m (U0 E)
=
~ = 2 + 2 = 2 m U0 = 2
2 m E ~2
=
~
non dipende da E e varia monotonicamente con U0 : la relazione che lega , e
rappresenta una circonferenza il cui raggio cresce con laltezza della buca di poten-
ziale. Sono da considerarsi solo soluzioni positive per e per , pertanto interessano
unicamente intersezioni nel primo quadrante. E utile individuare le intersezioni delle
tangentoidi con lasse delle ascisse, cioe gli zeri delle due relazioni (1.6) (1.7): si ha
tan L = 0 L = n (n = 0, 1, 2, . . .)
cot L = 0 L = (2n + 1) (n = 0, 1, 2, . . .)
2
Il primo zero della curva vale 1 = /2 1/L, pertanto se < /2 1/L, cioe L < /2 ,
esiste una sola soluzione simmetrica.
I dati del problema portano eettivamente a una situazione di questo tipo, infatti
arontando numericamente la soluzione si ha
L = d = 5, 43 A = 5, 43 1010 m
U0 = 0, 1 eV = 0, 16 1019 J
m = m = m0 = 9, 11 1031 kg
r
2 m 1 1
= 2
U0 = 1, 62 109 kg 2 J 2 s1
~
L = 1, 62 109 5, 43 1010 = 0, 88 <
2
12
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
/2 L 3/2 L
Figura 1.5: Determinazione graca dei livelli energetici entro una buca.
1.3.2
Una buca di potenziale e lunga 2 volte la costante reticolare del silicio ed e profonda
U0 = 0, 1 eV. Calcolare il valore del livello energetico permesso entro la buca, usando
il risultato del problema 1.3.1.
Suggerimento: (a) Osservando che le due famiglie di curve ottenute nel proble-
ma 1.3.1 sono in realta ununica famiglia con periodicita meta, si ricavi ununica re-
lazione che rappresenti entrambe le curve. (b) Si usi un metodo di ricerca di zeri di
tipo iterativo.
Le due equazioni
tan L =
cot L =
sono rappresentate gracamente da due famiglie di curve periodiche, simili a tangen-
toidi. Si osserva che in realta si tratta di elementi di ununica famiglia con periodicita
meta, infatti se si scrive la relazione relativa alla cotangente con angolo doppio
1
cot 2 L = [cot L tan L]
2
e si usa la prima delle due relazioni oppure la seconda, si ottiene in entrambi i casi
1 1
cot 2 L = [cot L tan L] =
2 2
Le soluzioni del problema sono pertanto soluzioni del sistema di equazioni non lineari
1
cot 2 L = 2
2 + 2 = 2m U0 = 2
~2
13
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Ponendo L = x si scrive lequazione nella forma adatta per una ricerca di zero, cioe
nella forma f (x) = 0 r
x x 2
f (x) = tan x 2
L L
Si puo usare il metodo di Newton per trovare iterativamente la soluzione. Il processo
iterativo si individua con una linearizzazione della funzione f (x), mediante uno sviluppo
in serie di Taylor arrestato al primo termine
si ottiene una relazione lineare che rappresenta la tangente alla curva reale in un punto
x0 scelto come valore approssimato di partenza. Annullare la funzione linearizzata
signica trovare il valore x1 in cui la tangente alla curva in x0 incontra lasse x. Il
nuovo valore
f (x0 )
x1 = x0
f (x0 )
puo essere piu prossimo alla radice cercata. Il processo si puo ripetere iterativamente
0 x2 x1 x0 x
f (xn )
xn+1 = xn = xn + E(xn )
f (xn )
dove E(xn ) = f (xn )/f (xn ) rappresenta la variazione da uniterazione allaltra e puo
essere usato come parametro derrore.
14
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1.3.3
Con riferimento alla soluzione del problema 1.3.1, discutere la forma delle soluzioni
quando U0 .
Lenergia potenziale e
15
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G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0 per L < x < +L
U (x) =
per | x |> L
n 2 m E 2 m
= ; = = 2 = 2 E
2L ~ ~
2
~ n 2 2 2
n h 2
En = = (n = 1, 2, . . .)
2 m 4 L2 32 m
1.3.4
Si determinino le soluzioni dellequazione di Schrodinger in tre dimensioni per un elet-
trone vincolato a una buca di potenziale lungo la direzione x ma libero nelle altre due
direzioni.
Si determini il legame esistente tra lenergia totale E e il vettore di propagazione k.
8 2 m
2 + [E U (P)] = 0
h2
Si trova, per esempio nel caso antisimmetrico,
16
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
U0 U0 U0
x x
0
d/2 -d/2 d/2
1.3.5
Ricordando i procedimenti usati per lo studio delle buche di potenziale di altezza nita
e innita,
1. studiare il caso della struttura di potenziale asimmetrica di sinistra, ricavando
lequazione che consente di determinare gli stati legati dellelettrone;
2. descrivere le relazioni esistenti tra le soluzioni ottenibili per le due buche della
gura.
a)
Sulla base di quanto esaminato nel problema 1.3.1 le soluzioni nei tratti 0 < x < d/2 e
x > d/2 sono rispettivamente:
jx jx 2m E
1 (x) = K1 e + K2 e ; =
~
p
2m (U0 E)
2 (x) = A1 ex + A2 ex ; =
~
Dato che si cercano soluzioni per lelettrone legato, e U0 > E, quindi e reale, inoltre
A1 = 0. Nella zona x < 0 si puo pensare a una soluzione dello stesso tipo che per
x > d/2, ma con U0 , per cui e (x < 0) = 0.
Le condizioni al contorno impongono lannullamento della funzione in x = 0 e la
continuita della funzione e della derivata prima per x = d/2:
K1 + K2 = 0
jd/2
K1 e + K2 ejd/2 = A2 ed/2
jd/2
jK1 e jK2 ejd/2 = A2 ed/2
Si tratta di un sistema omogeneo che accetta soluzioni non nulle solo se il determinante
dei coecienti e nullo
1 1 0
ejd/2 ejd/2 ed/2 =0
j ejd/2 j ejd/2 + ed/2
Risolvendo si ottiene la condizione
cot d/2 =
b)
Per confronto con i risultati del problema 1.3.1 si osserva che le soluzioni della buca a
sinistra sono la meta di quelle della buca di destra, cioe le soluzioni antisimmetriche
del problema 1.3.1 che presentano un valore nullo nel centro.
17
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1.3.6
Si abbia la buca di energia potenziale della gura 1.7 con pareti di altezza innita di
larghezza d = 2L + b e al cui centro si trova una barriera di altezza U0 e larghezza b. Si
vuole esaminare come si modicano i livelli di energia permessi per gli elettroni rispetto
al caso della buca senza barriera (problema 1.3.3). Per la soluzione si segua lo schema
seguente.
U0
b b b
L 2 0 2 L+ 2
18
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove
2m E
=
p ~
2m (E U0 )
k =
~
1. Caso simmetrico
Per simmetria [(x) = (x)] deve essere
D = A
B = C
Si impone la continuita della funzione e della sua derivata in x = b/2
tan (L) = cot k b/2 (1.11)
k
Per gli elettroni con energia E < U0 , e jk = , quindi
tan (L) = coth b/2 (1.12)
2. Caso antisimmetrico
Per antisimmetria [(x) = (x)] deve essere
D = A
B = C
La continuita della funzione e della sua derivata in x = b/2 (1.10) portano alle
equazioni
A sin (L) = 2jB sin k b/2
A cos (L) = 2jBk cos k b/2
Dividendo membro a membro si ottiene
tan (L) = tan k b/2 (1.13)
k
Per gli elettroni con energia E < U0 , e jk = , quindi
tan (L) = th b/2 (1.14)
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Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
20
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.4
0.35
0.3
0.25
E [eV]
0.2
0.15
0.1
0.05
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
b [m] x10 -9
Figura 1.8: Valori piu bassi di energia per la buca di potenziale della gura 1.7 al
variare dello spessore della barriera.
1.3.7
Si ripeta il problema 1.3.6 nel caso il cui le pareti della buca non siano innite ma di
valore pari a U0 .
U0
Valgono le considerazioni del problema 1.3.6 relative alla simmetria, pertanto anche
in questo caso si avranno soluzioni simmetriche e antisimmetriche. Con lattuale con-
gurazione di energia potenziale pero sulle pareti lenergia non assume valore innito,
quindi (x) non e nulla per x = (L + b/2), ma avra un andamento esponenziale
decrescente.
Limitandosi al caso E < U0 si ha (cfr. problema 1.3.1)
21
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
L + b/2 1 (x) = E ex
b b
2 <x<L+ 2 2 (x) = A ejx + F ejx
2b < x < b
2 3 (x) = B ex + C e+x
2m E
=
p ~
2m (U0 E)
=
~
Le soluzioni per x < 0 saranno simmetriche o antisimmetriche9 rispetto a quelle per
x > 0.
Si impone la continuita della funzione e della sua derivata in x = L + b/2 e in x = b/2
(1.12)
1. Caso simmetrico: [(x) = (x)] B=C
2. Caso antisimmetrico: [(x) = (x)] B = C
Pertanto le ultime due equazioni delle (1.16) diventano nel caso simmetrico
E 1 e(L+b/2) = 2A ej(L+b/2)
j
E 1+ e(L+b/2) = 2F ej(L+b/2)
j
2B ch(b/2) = A ejb/2 + F ejb/2
2 B sh(b/2) = A ejb/2 F ejb/2
j
Il sistema e nella forma
9
Questo non contrasta con quanto aermato nel problema 1.3.6, infatti il dominio ora si estende da
a + dove c1 = c2 = 0.
22
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
aE aA 0 0 E 0
bE 0 aF 0 A 0
=
0 bA bF aB F 0
0 bA bF bB B 0
aE (aF aB bA aF bA bB ) bE (aA bF bB + aA bF aB ) = 0
aE bA aF (aB bB ) bE aA bF (bB + aB ) = 0
(L+ 2b ) j 2b j (L+ 2b ) b
1 e (1)e (2)e 2 ch( ) 2 sh(b/2) +
j 2 j
(L+ 2b ) j (L+ 2b ) jb/2
1+ e (2)e (1)e 2 ch(b/2) + 2 sh(b/2) = 0
j j
1 ejL ch(b/2) sh(b/2) +
j j
jL
1+ e ch(b/2) + sh(b/2) = 0
j j
sin L cos L
cos L + sin L = 0
cioe si ritrovano le soluzioni della buca larga 2L. Per b risulta sh(b/2)
ch(b/2) 12 exp(b/2) , pertanto le due famiglie di autovalori coincidono in una
sin L cos L cos L + sin L = 0
2
tan L = 2 2
2
Si tratta delle soluzioni trovate per una buca larga L. Al diminuire di b i livelli di
energia si sdoppiano allontanandosi tra di loro sino ad assumere per b 0 i valori dei
livelli pari e dispari della buca larga 2L.
23
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1.3.8
Si consideri una buca di potenziale di larghezza 2L e di altezza nita U0
1. ponendo lorigine degli assi di riferimento al centro della buca, si usino le proprita
di simmetria per trovare le condizioni per lenergia delle soluzioni pari e dispari.
2. si dica quale e la forma della soluzione a energia piu bassa E0 (simmetrica o
antisimmetrica);
3. si ricavi, in quel caso soltanto, la relazione che deve essere soddisfatta dallenergia
e da L al ne di avere una soluzione.
4. Si determini il valore di U0 nel caso E0 = 45 meV e L = 0, 8 nm.
5. Come variano al diminuire di L le energie dei livelli permessi? Cambia il loro
numero? Si calcoli, con i dati del precedente punto, il nuovo valore di E0 nel caso
in cui la larghezza della buca si riduca di 1/10.
D e L = C cos k L
D e L = k C sin k L
tan k L =
D e L = B sin k L
D e L = k B cos k L
cot k L =
24
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Ax = b
dove
1 0 1 1 B/A 1
+jk 0 +
C/A jk
A = x = b =
0 ejkL +e L +e L
F/A 0
0 jk ejkL e L +e L G/A 0
25
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
coecienti sostituendo la seconda colonna con la colonna dei termini noti (b), per il
determinante dei coecienti.
Si calcola il determinante dei coecienti sviluppando lungo la prima colonna:
0 +
0 1 1
1 ejkL +e L +e L jk ejkL
+e L +e L =
jk ejkL e L +e L jk ejkL e L +e L
= ejkL eL jkeL eL jkeL +
jk 1 eL jkeL 1 eL jkeL =
= ejkL ( + jk) ( + jk) eL ( jk) ( jk) eL =
= ejkL ( 2 k 2 ) eL eL + 2jk eL + eL =
= 2 ejkL ( 2 k 2 ) sinh L + 2jk cosh L
1
=
( 2+ k 2 )2
sinh2 L + 1
4k 2 2
r
8 2 mE
k = 2
( 2 + k 2 )2 U02
r h 2 2
=
8 2 m(U0 E)
4k 4E(U0 E)
=
h2
1
U02 sinh2 L
T = 1+
4E (U0 E)
1.4.2
Quanto vale la massima probabilita p = p(E) che ha un elettrone di energia cinetica E
di attraversare una barriera di potenziale U0 = E + 0, 1 eV spessa d = 3 A?
26
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.8
0.7
Coefficiente di trasmissione per tunnel
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
1
(E + 0, 1)2 sinh2 (1, 618 109 3 1010 )
T (E) = 1+
0, 1 4 E
0, 4 E
=
(E 2 + 0, 2 E + 0, 01) sinh2 (0, 48552) +0, 4 E
| {z }
0,2548
0, 4 E
=
0, 2548 E 2 + 0, 451 E + 2, 548 103
27
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1, 56 E
T (E) =
E2 + 1, 77 E + 0, 01
1.4.3
Si determini la massima larghezza dmax di una barriera di potenziale che consente un
passaggio per eetto tunnel non trascurabile. La barriera di potenziale U0 = E + 1, 2
eV e dellordine di grandezza di quelle che si hanno nelle giunzioni al silicio.
Suggerimento: (a) Dato che si esamina un caso in cui d e grande, si approssimi il
coeciente di trasmissione per eetto tunnel T ; (b) si disegni landamento asintotico di
T in funzione della larghezza d, indipendentemente dai valori di E e di U0 , e si individui
il valore d = dmax per cui la curva arriva approssimativamente a zero10 ; (c) si verichi
la validita dellapprossimazione fatta in (a).
2p
(U0 E) E 2m(U0 E) d
T = 2 e ~
U0
~ 1, 05 1034 J s
dmax 10 p = p 8A
2 2m(U0 E) 2 2 9, 1 1031 kg 1, 2 1, 6 1019 J
Come verica si osserva che la stessa condizione usata per determinare dmax rende lo
stesso lesponenziale molto grande ove si muti segno allesponente, pertanto lapprossi-
mazione iniziale e giusticata.
10
Puo essere una scelta ragionevole porre d pari a 10 volte la costante caratteristica dellesponenziale.
28
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.9
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2
Figura 1.11: Coeciente di trasmissione per tunnel in funzione dello spessore della
barriera.
1.4.4
Si supponga di avere una barriera costante con altezza U0 = 0, 8 eV. Si confrontino
lespressione esatta di T e quella approssimata che trascura londa riessa entro la
barriera. Allo scopo si disegnino i corrispondenti graci T = T (L), tra i valori di
larghezza L = 5 A e L = 100 A, per un elettrone con energia totale E = 0, 6 eV. Si
indichi un valore minimo di L, e quindi di L per cui lapprossimazione si puo ritenere
accettabile. Si ripeta con E = 0, 8 eV.
1.4.5
Determinare il coeciente di trasmissione per eetto tunnel attraverso la barriera di
potenziale della gura 1.12.
U2
E
U1
U3
L
1.4.6
Si calcoli la corrente che per eetto tunnel riesce a superare la barriera di potenziale
riportata 11 nella gura sottostante.
11
La situazione qui schematizzata potrebbe approssimare quella relativa a un diodo tunnel realizzato
in GaSb (antimoniuro di gallio) in cui Eg = 0,72 eV, il livello di Fermi del semiconduttore molto drogato
29
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
50 A
La massa ecace degli elettroni che,
trascinati dal campo elettrico arrivano
alla barriera, e di m = 0, 042 m0 . Eh
Supponendo che la concentrazione degli
elettroni nel materiale sia n = 1 eV
1021 eln cm3 e che questi giungano al-
la barriera con una velocita di trasci- Eg
namento saturata vsat = 107 cm s1 , si
calcoli la corrente che uisce attraver-
so una sezione trasversale con area di x
105 cm2 .
La corrente che uisce attraverso una sezione trasversale con area di 105 cm2 vale
I = JA = q densita di elettroni oltre la barriera velocita A =
I = qnT vsat A
= 107 1021 5, 3 107 1, 6 1019 105 = 8, 5 mA
1.4.7
Si abbia una barriera di potenziale U (x) di tipo triangolare che scende dal valore mas-
simo EB in x = 0 sino a zero per x = d sul catodo. Si valuti la probabilita di attraver-
samento T di un elettrone con energia EF < EB . Si indichi con qM la dierenza
EB EF e con l lo spessore della barriera per E = EF .
penetra nella banda di conduzione di Eh = 0, 28 eV (Eg + Eh = 1 eV).
30
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Per calcolare probabilita di attraversamento per eetto tunnel T (EF ) si usa il metodo
approssimato detto WKB (1.1)
Z
2 d 1
T (E) = exp {2 m (U (x) E)} 2 dx
~ 0
Per calcolare T (EF ) e necessario esprimere lenergia potenziale usando come riferimento
il livello E = EF , dove la barriera e larga l
q M x
U (x) EF = qM x = qM 1
l l
Si ha allora
Z r
2 l x
T (EF ) = exp 2 m q M 1 dx
~ 0 l
Z l r
2p x
= exp 2 m q M 1 dx
~ 0 l
" l #
2p 2 x 32
= exp 2 m q M l 1
~ 3 l 0
2 p 2 4 p
= exp 2m q M l = exp 2m q M l
~ 3 3~
1.4.8
Si supponga di avere una barriera triangolare con altezza UM = 0, 8 eV e larghezza
L = 10 A. a) Si calcoli (approssimazione 1.1) il coeciente di trasmissione per eetto
tunnel di un elettrone con E = 0, 6 eV. b) Si calcoli per quale valore U0 di altezza di
una barriera costante si avrebbe lo stesso valore di T . Commentare il risultato.
31
Capitolo 2
32
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Concentrazioni Distribuzione
elettroniche nei metalli
di Fermi
2.1.1, 2.1.2
Distribuzione degli
elettroni nei metalli
2.1.4, 2.1.7, 2.1.8
Livello di Fermi
nei metalli 2.1.3
Barriera di potenziale
nei metalli 2.1.5, 2.1.6
Termoemissione 2.2.2
Fotoemissione 2.2.3
Emissione da catodo
freddo 2.2.4, 2.2.5, 2.2.6
33
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n = NC F 1 (F ) (2.6)
2
4 23
NC = (2kT m ) (2.7)
h3 2
Z 1
2 2
F1/2 (F ) = d (2.8)
0 eF + 1
1
F1/2 (F ) e la funzione integrale di Fermi di ordine 2 e di argomento F , denita con
Z 1
2 y2
F 1 (x) = yx dy (2.9)
2 0 e +1
La funzione di Fermi puo essere approssimata
1
Se si ha unenergia potenziale E0 , nelle formule al posto di E deve porsi E E0 . In questo caso
ovviamente il limite inferiore dellintegrale diventerebbe E0 .
34
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 2
10 1 ex F1/2 (x)
3/4
2
4
x2 + 6
3
ex
1 + 0, 27ex
10 0
10 -1
10 -2 x
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
4 3
x 0 F1 x2 ( Sommerfeld)
2 3
x 0 F 1 ex ( Boltzmann)
2
1
x
x 1 e 1 + 0, 27 ex
F1
2 3/4
2
x1 4 2
x + 6
3
Usando lapprossimazione x 0, allo zero assoluto si ha
3
4 3 3 2 EF2
n = (2m e ) 2 (kT ) 2
h3 3 (kT ) 32
4 3 2 3
n = (2m e ) 2 EF
2
h3 3
risultato identico a quello ottenibile integrando
Z EF 1 2 3
n = E 2 dE = EF2
0 3
2
Blakemore - Solid State Electronics - Novembre 1982.
35
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
In modo alternativo
chilogrammo mole
A MH =
NAV M
chilogrammo mole
peso atomico in kg =
M
peso atomico in kg A
A MH = =
NAV NAV
d
n = NAV
A
dove d/A e il numero di moli al m3 .
2.1.2
Si calcoli la mobilita degli elettroni liberi nellalluminio sapendo che la densita del
metallo e 2,7 g cm3 e la resistivita e 3, 44 106 cm.
36
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
La banda di conduzione e linsieme dei livelli di energia degli elettroni liberi di muoversi.
In un metallo gli elettroni liberi occupano una banda delimitata da un livello inferiore
che si assume come riferimento per le energie EC E0 = 0. Le energie riferite a tale
livello sono pure energie cinetiche. Il numero totale degli elettroni liberi per unita di
volume e
Z
4 23 E
n = 3
(2m ) EEF dE
h 0 e kT + 1
Usando lapprossimazione della funzione integrale di Fermi x 0, allo zero assoluto si
ha
4 3 2 3 2 3
n = (2m e ) 2 E 2
= E 2
h3 3 F 3 F
EF (T = 0K) = 8, 9 1019 J = 5, 59 eV
rispetto a EF : landamento risultante del livello di Fermi con T e dato nella gu-
ra 2.3: si osserva che sino a temperature molto alte (dellordine di 10000 K) EF resta
praticamente costante al variare di T .
La temperatura per la quale EF = EC , ovvero, con il riferimento scelto, EF = 0, si puo
ottenere usando lapprossimazione della funzione integrale di fermi per x = EF /k T < 1.
3
In realta non esiste dierenza teorica tra metalli e semiconduttori.
37
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
4
Livello di Fermi, eV
-1
-2
10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5
Temperatura, K
x10 56
2.5
300K
1000K
10000K
1.5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
38
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Si ha
EF eEF /k T
1
F/
EF /k T
=
k T EF =0 1 + 0, 27e 1, 27
E =0
F
4 3/2
n = 3 (2m k) T 3/2
h 2 1, 27
La temperatura cercata e quindi
E E E
Figura 2.5: Densita degli stati, distribuzione di Fermi e densita degli elettroni in un
metallo a 0 K.
1 1 4 3
N (E) = E 2 ; f (E) = EEF ; = 3
(2 m ) 2
1+e kT
h
0 | {z } 3 2
=1
39
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
18, 8 103
n = 6, 02 1023 2
184 103
= 12, 3 1022 eln cm3 = 12, 3 1028 eln m3
Si calcola di
4 3 4 3
= 3
(2 m ) 2 = 3
(2 9, 1 1031 ) 2
h (6, 625 10 )
34
h 3 i
= 1, 0651 1056 J 2 m3
e se ne fa unanalisi dimensionale
h 3
i 3
J3 s3 kg 2 = kg3 m6 s6 s3 kg 2 =
3 3 h 3 3 i
2 2 2
= kg m s m = J 2m
h 3
i 3
Per ottenere in eV 2 m3 si deve dividere per 1, 6 1019 2
3 h 3
i
= 1, 0651 1056 1, 6 1019 2 = 6, 83 1027 eV 2 m3
40
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12 10
10 9.5
.....................................................................................................
8 9
...........................................
6 8.5 ...........................................
4 8
2 7.5
0 7
0 1 2 3 1.6 1.8 2 2.2
x10 16 x10 16
12 10
10 9.5
...............................
8 9
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6 8.5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4 8
2 7.5
0 7
0 1 2 3 1.6 1.8 2 2.2
x10 16 x10 16
41
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E1 + E2
EF = 9, 01 eV; kT = 8, 62 105 2500 = 0, 2155 eV; = 8, 55 eV
2
1 1
n
= 8, 55 2 0, 1 = 6, 83 1027 (2, 92 0, 894) 0, 1
0,46
1+e kT
n 1, 785
= = 0, 893
n 1, 997
2.1.5
Si calcoli per un catodo di tungsteno (densita = 18,8 g cm3 , lavoro di estrazione
= 4,24 eV) alla temperatura di 2000 K:
Laltezza della barriera di potenziale localizzata alla supercie del metallo e data da
EB = EF + EW = 13, 3 eV
42
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Esterno
E
qM
EF
EB
43
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
nuova variabile e = E EB , si ha
Z p Z
r
E E
BkT F e
kT e + EB e
ne e + EB e de = (EB ) e kT de
0 0 EB
e = E EB E n/(EB ) n
eV eV m3
0, 05747 13, 35747 4, 93661E 02 2, 54581E + 16
0, 11493 13, 41493 3, 54485E 02 4, 37389E + 16
0, 17240 13, 47240 2, 54545E 02 5, 68658E + 16
0, 22987 13, 52987 1, 82779E 02 6, 62917E + 16
0, 28733 13, 58733 1, 31245E 02 7, 30600E + 16
0, 34480 13, 64480 9, 42405E 03 7, 79200E + 16
0, 40227 13, 70227 6, 76687E 03 8, 14097E + 16
0, 45973 13, 75973 4, 85885E 03 8, 39154E + 16
0, 51720 13, 81720 3, 48880E 03 8, 57146E + 16
0, 57467 13, 87467 2, 50504E 03 8, 70064E + 16
0, 63213 13, 93213 1, 79866E 03 8, 79340E + 16
0, 68960 13, 98960 1, 29146E 03 8, 86000E + 16
0, 74707 14, 04707 9, 27275E 04 8, 90782E + 16
0, 80453 14, 10453 6, 65782E 04 8, 94215E + 16
0, 86200 14, 16200 4, 78027E 04 8, 96680E + 16
0, 91947 14, 21947 3, 43217E 04 8, 98450E + 16
0, 97693 14, 27693 2, 46423E 04 8, 99721E + 16
1, 03440 14, 33440 1, 76926E 04 9, 00634E + 16
1, 09187 14, 39187 1, 27027E 04 9, 01289E + 16
1, 14933 14, 44933 9, 12011E 05 9, 01759E + 16
1, 20680 14, 50680 6, 54786E 05 9, 02097E + 16
1, 26427 14, 56427 4, 70105E 05 9, 02339E + 16
1, 32173 14, 62173 3, 37510E 05 9, 02513E + 16
1, 37920 14, 67920 2, 42313E 05 9, 02638E + 16
1, 43667 14, 73667 1, 73965E 05 9, 02728E + 16
1, 49413 14, 79413 1, 24895E 05 9, 02792E + 16
1, 55160 14, 85160 8, 96650E 06 9, 02838E + 16
1, 60907 14, 90907 6, 43723E 06 9, 02872E + 16
1, 66653 14, 96653 4, 62138E 06 9, 02895E + 16
1, 72400 15, 02400 3, 31773E 06 9, 02913E + 16
1, 78147 15, 08147 2, 38181E 06 9, 02925E + 16
1, 83893 15, 13893 1, 70990E 06 9, 02934E + 16
1, 89640 15, 19640 1, 22752E 06 9, 02940E + 16
1, 95390 15, 25387 8, 81224E 07 9, 02945E + 16
2, 01133 15, 31133 6, 32616E 07 9, 02948E + 16
2, 06880 15, 36880 4, 54141E 07 9, 02950E + 16
2.1.6
Nel platino metallico (d = 21, 45 g/cm3 , molecole monoatomiche) calcolare la per-
centuale degli elettroni che a 2000 K superano di 1 eV la barriera di potenziale (ovvero
gli elettroni con energia compresa tra EB e EB + 1 eV).
44
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
12.8
10
...................................................
12.6
8
12.4
6
12.2
4
12
2
11.8
...................................................
0 11.6
0 0.5 1 1.5 2 0 50 100
x10 16
d 21, 45 103
n = NAV = 6, 02 1023 1
A 195, 09 103
= 6, 62 1028 eln m3 = 6, 62 1022 eln cm3
2
3n 3
EF = = 5, 95 eV ; EB = EF + qM = 5, 95 + 5, 75 = 11, 7 eV
2
Z 12,7eV 1 1
n |2000K = E2 EEF dE
11,7eV 1+e kT
Nonostante che la funzione di Fermi possa essere ovviamente sostituita con la piu
semplice funzione di Boltzmann, non e possibile calcolare in forma chiusa lintegrale.
Tuttavia, considerando che lintervallo di integrazione e piuttosto piccolo, in analogia
con quanto descritto nel problema 2.1.4, si puo considerare costante lintegranda, al
valore calcolato nel punto medio Em = 12, 2 eV 4 :
1
n = Em
2
f (Em ) E = 4, 51 1012 m3
n 4, 51 1012
= = 6, 81 1017
n0 6, 62 1028
4
In questo caso la funzione integranda E >> EF varia molto rapidamente, quindi lapprossimazione
sara certamente peggiore (g. 2.11).Risultati migliori si possono ottenere mediante il metodo dei trapezi.
45
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12.8
. . . . ...
...
..
...
12.6 ..
..
..
..
..
...
..
..
..
..
12.4 ..
..
..
...
Energia in eV
..
..
..
..
.
12.2 . . . . ....
..
...
..
..
..
..
..
..
..
12 ...
..
..
..
..
..
..
..
...
11.8 ..
..
..
..
. . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11.6
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Figura 2.11: Integrale esatto (area del triangolo curvilineo) e approssimato (area del
rettangolo).
2.1.7
3
Si dimostri che lenergia media degli elettroni in un metallo a 0 K e pari a 5 EF .
2.1.8
Sapendo che in un determinato materiale metallico lenergia media per elettrone a 0 K
e 4,48 eV, si determini:
46
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Si cerca un legame tra E e EF ; a 0 K e
Z EF Z EF
1
E (E) E dE E 2 1 E dE
E = Z0 EF = 0Z E
F 1
E (E) dE E 2 dE
0 0
5
2
EF2
5 3
E = 3 = EF
2 5
EF2
3
5 5
EF = E = 4, 48 = 7, 47eV
3 3
3 2 3
= 6, 83 1027 eV 2 m3 ; n = EF2 9, 25 1028 eln m3
3
b)
Alla temperatura T = 50 K
Z 3
E2
EEF dE
E |50K = Z
0 1 + e kT
1
E2
EEF dE
0 1+e kT
c)
Derivando la la funzione f (E) si ottiene
df (E) 1 1 EEF
= h i2 e kT
dE EEF kT
1+e kT
df (E) 1 1 20 1
= 2 = 4kT 3, 62 10 J
dE E=EF kT (1 + 1)
1
d) f (EF ) = 57, 92 eV1 = ; f (EF ) =
2
47
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Z EF +EB Z EF +EB
2 5 1 h 5 iEF +EB 5 3
(EF EB ) 2 + E2 + E 2 dE EF E 2 dE
5 5 EF EB EF EB EF EB
E
n
Numericamente si ha
4, 16 1029
E = 4, 5 eV
9, 25 1028
2.2.1
Si ricavi lequazione di Richardson della densita di corrente emessa per eetto ter-
moelettronico (g. 2.12) da un metallo alla temperatura T .
vz
E
v
vx
EB
EF
vy
48
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Z Z Z
2 m3 q EF 2
m vx
2
m vy 2
m vz
Jx = e kT vx e 2kT e 2kT e 2kT dvx dvy dvz
h3 v1
Z Z Z
2 m3 q EF
2
m vx
2
m vy 2
m vz
Jx = e kT vx e 2kT dvx e 2kT dvy e 2kT dvz
h3 v1
5
vx , vy , vz rappresentano le componenti della velocita degli elettroni nel metallo e sono funzioni
dellenergia E. Lasse x e quello con direzione anodo - catodo, quindi lasse della corrente.
49
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
kT m v12 kT EB
= e 2kT = e kT
m m
p
dato che v1 = 2EB /m.
2m3 q EF 2 kT kT EF +q M 4m q q M
Jx = 3
e kT e kT = 3
(kT )2 e kT
h m m h
q M
= A0 T 2 e kT
4m qk 2 4 3, 1415 9, 1 1031 1, 6 1019 1, 382 1046
A0 = =
h3 6, 623 10102
= 120 104 A m2 K2
2.2.2
Si abbia un catodo di tungsteno con area emittente 10 mm2 . a) Si calcoli la corrente
emessa nel vuoto per eetto termoelettronico alla temperatura di 2000 K. b) Di quanto
aumenta percentualmente la corrente per unaumento di 300 K? c) Di quanto deve
aumentare la temperatura perche raddoppi la corrente ?
2.2.3
Si utilizza il fenomeno della fotoemissione per la determinazione sperimentale del lavoro
di estrazione di un metallo.
Il metallo di cui si vuole determinare il lavoro di estrazione viene posto come cato-
do in un tubo a vuoto e sottoposto a una radiazione monocromatica. Applicata una
dierenza di potenziale tra anodo e catodo si misura la corrente emessa dal metallo
al variare della frequenza della radiazione luminosa con la quale si colpisce il catodo.
La corrente emessa in funzione della frequenza del fotone incidente, presenta unanda-
mento a gradino, dovuto al fatto che non appena lenergia dei fotoni diventa inferiore
allenergia necessaria a un elettrone (dotato di energia pari a EF ) per abbandonare il
metallo, la popolazione che contribuisce allemissione diminuisce in modo molto brusco
(alla temperatura ambiente).
Per vericare tali asserzioni si calcolino, nel caso del platino metallico, le densita
elettroniche n1 e n2 (che sono eccitate dalla radiazione luminosa) per due frequenze la
prima corrispondente ad unenergia pari al lavoro di estrazione qM e la seconda di 0,2
eV piu piccola.
Per i dati relativi al platino metallico si usano i risultati del problema 2.1.6.
Energia frequenza lung. donda
E f = E/h = c/f
50
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
qM
8 hf
6
0
0 0.5 1 1.5
x10 16
Z EB Z EB E2 Z EB
1 1
n1 = dnE = E 2 f (E) dE + E 2 f (E) dE
EB E1 EB E1 EB E2
Z EF +0,2eV Z EB
1 1
n1 = E 2 f (E) dE + E 2 f (E) dE
EF EF +0,2eV
Z EB Z EB
1 1
n2 = E 2 f (E) dE = E 2 f (E) dE
EB E2 EF +0,2eV
Z 6,15 Z 11,7
1 1
n1 = E f (E) dE + n2 ; n2 =
2 E 2 f (E) dE
5,95 6,15
51
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n1
= 2, 48 103
n2
2.2.4
Si vuole stimare il valore del lavoro di estrazione in un metallo usando il metodo di
emissione a catodo freddo. In questo metodo, il metallo di cui si vuole misurare qM ,
e il catodo di un diodo a vuoto. Tra il catodo, mantenuto a temperatura ambiente, e
lanodo viene applicata unelevata dierenza di potenziale Va . Dai valori della tensione
applicata, e della corrente emessa per eetto tunnel, valutata in modo approssimato per
E = EF , e possibile calcolare il valore del lavoro di estrazione
Suggerimento: Si individui la forma della barriera di potenziale sul catodo. Si usi il
risultato (??) del capitolo 1 per calcolare la probabilita di attraversamento della barriera
per eetto tunnel. Si leghi, a meno di un fattore di proporzionalita, tale probabilita
alla densita di corrente.
Lenergia potenziale alla supercie del metallo viene modicata dalla presenza della
tensione Va tra catodo e anodo, separati da una distanza d Nasce un campo elettrico,
E = Va /d); lenergia potenziale U (x) ha pertanto un andamento lineare decrescente,
con valore massimo EB (in x = 0), a unenergia qM sopra il livello di Fermi EF
Si desidera calcolare la corrente di emissione per eetto tunnel attraverso la barriera
che si forma sulla supercie del metallo del catodo. Per ogni valore di energia si ha un
contributo alla corrente.
Se si considera pero la distribuzione degli elettroni e la si aanca allandamento del-
lenergia potenziale (g. 2.14), appare evidente che per energie superiori a EF il numero
degli elettroni risulta trascurabile. Daltra parte per energie inferiori allallargarsi della
barriera il coeciente di trasmissione per eetto tunnel si riduce molto rapidamente.
E pertanto giusticabile lapprossimazione di considerare la sola emissione per E = EF .
Per calcolare la corrente di emissione per eetto tunnel: J N (EF ) F (EF ) T (EF ), si
usa il metodo approssimato detto WKB (si veda il capitolo 1)
Z
2 d 1
T (E) = exp {2 m (U (x) E)} 2 dx
~ 0
52
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12 12
10 10
8 8
Energie in eV
6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4 4
2 2
0 0
0 0.5 1 1.5 2 0 0.5 1 1.5
x10 16 x10 -8
Z r
2 l x
T (EF ) = exp 2 m q M 1 dx
~ 0 l
Z l r
2p x
= exp 2 m q M 1 dx
~ 0 l
" l #
2p 2 x 32
= exp 2 m q M l 1
~ 3 l 0
2 p 2 4 p
= exp 2m q M l = exp 2m q M l
~ 3 3~
4 p M 4 p M
= exp 2m q M = exp 2m q M d
3~ E 3~ Va
Poiche la densita di corrente emessa e proporzionale a T (EF ), nota J si puo dare una
stima di T (E) e quindi di q M .
2.2.5
Si usi il risultato del problema ?? per calcolare, nel caso di un catodo di platino distante
1 mm dallanodo, cui e applicata la tensione Va , il coeciente di trasmissione per eetto
tunnel e il numero medio di elettroni emessi ( Jemiss. ). a) Va = 10 kV; b) Va =
1000 kV.
53
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
6.6 6.6
6.4 6.4
6.2 6.2
Energia in eV
6 6
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8 5.8
5.6 5.6
5.4 5.4
0 0.5 1 1.5 2 0 0.5 1 1.5
a) d = 1mm e Va = 10 kV
T (EF ) 0
b) d = 1mm e Va = 1000 kV
T (EF ) = 9, 3 1042
Gli elettroni (per unita di volume) che possono essere emessi entro un intervallo E =
0, 1 eV sono
4 3 1
n = N (EF ) f (EF ) T (EF ) E = 3
(2m ) 2 EF2 T (EF ) E =
~
4 23
1
= (2 m ) EF
2
T (EF ) E =
h3 p
= 1, 065 1056 5, 98 1, 6 1019 9, 3 1042 0, 1 1, 6 1019 =
= 1, 5 1014 cm3
2.2.6
Si usi il metodo WKB per comprendere la validita del metodo dellemissione a catodo
freddo per la determinazione della funzione di lavoro. Si trovi lespressione di T (E)
e si calcoli la funzione dn/ dE = N (E) f (E) T (E) nel caso dei problemi 2.2.4, 2.2.5,
disegnandone landamento in funzione dellenergia.
La barriera ha lespressione
x
U (x) = qM 1
l
54
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
qM + EF E
w = l
qM
EF E
H = +1
qM
si ottiene
Z
2 w 1
T (E) = exp {2m (U (x) E)} 2 dx
~ 0
Z w r
2p x
= exp 2m q M H dx
~ 0 l
w
2p 2 x 32
= exp 2m q M l H
~ 3 l 0
3/2
4l p 3/2 w
= exp 2m q M H H
3~ l
Landamento della distribuzione degli elettroni emessi e riportato nella gura 2.15:
come si osserva la crescita esponenziale di T (E) e il crollo della distribuzione degli
elettroni oltre il livello di Fermi generano una curva assai aguzza per gli elettroni che
fuoriescono dal metallo, con massimo per E EF .
55
Capitolo 3
Semiconduttori in condizioni di
equilibrio
In questo capitolo vengono chiariti gli strumenti di analisi dei semiconduttori, puri
e drogati con quantita controllate di impurita. Per motivi di semplicita, si trattano
soltanto semiconduttori con drogaggio uniforme e in condizioni di equilibrio termodi-
namico.
Poiche la conoscenza della densita dei portatori in un semiconduttore (elettroni
e lacune) costituisce la base per la caratterizzazione del suo comportamento elettrico,
particolare spazio e riservato ai metodi che ne consentono la valutazione.
I concetti di diagramma a bande, distribuzione degli stati, livello di Fermi sono
illustrati in esempi numerici approfonditi, prima per i semiconduttori intrinseci, poi
per quelli drogati.
Inne viene analizzata linuenza della concentrazione delle impurita droganti sulla
densita dei portatori tenendo conto della temperatura e dei fenomeni di ionizzazione.
56
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Calcolo della densita dei
portatori nelle bande
3.1.1, 3.1.2, 3.1.3,
3.1.4, 3.1.5, 3.1.6
Concentrazione dei portatori
nei semiconduttori intrinseci
3.2.1 Concentrazione dei portatori
nei semiconduttori drogati
e ionizzazione delle impurita
al variare della temperatura
3.3.1, 3.3.2, 3.3.3, 3.3.4
Variazione con la temperatura 3.3.5, 3.3.6, 3.3.7, 3.3.8, 3.3.9
3.2.2, 3.2.3, 3.2.4
per le lacune, si ha
Z E2
p = N (E) (1 f (E)) dE (3.2)
E1
57
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
58
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Tale integrale non e valutabile che numericamente; tuttavia, nellipotesi che il semi-
conduttore drogato non sia degenere e che quindi il livello inferiore della banda di
conduzione EC sia separato dal livello di Fermi di una quantita pari almeno ad alcune
volte il valore kT , una semplice approssimazione permette di ottenere unespressione
analitica. Sotto questa ipotesi, infatti, si ha, per tutto lintervallo di integrazione,
E EC
1
kT
dunque la distribuzione di Fermi puo essere approssimata con quella di Boltzmann
EEF
f (E) e kT
59
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Indicando con E EC la concentrazione degli stati in banda di conduzione, si ha
Z
1 EEF 4 3
n= (E EC ) 2 e kT dE ; = 3 (2mn ) 2
EC h
Z
4 3 1 EEF
n = 3 (2 mn ) 2 (E EC ) 2 e kT dE
h EC
Z
4 3 1
n = 3 (2 mn ) 2 eEF /kT (E EC ) 2 eE/kT dE
h EC
Il cambio di variabile
E = EC W =0
W = E EC
E= W =
Z
4 3 1 W
n = 3 (2 mn ) 2 eEF /kT eEC /kT W 2 e kT dW
h 0
3
2 mn k T 2 EC EF EC EF
n=2 e kT = NC e kT
h2
| {z }
NC
Con procedura analoga, la concentrazione delle lacune (3.7) si ottiene integrando, al-
linterno della banda di valenza, il prodotto della concentrazione degli stati per la
probabilita che gli stati non siano occupati da elettroni. In questo caso, la densita di
probabilita e esprimibile come (1 f (E)), si ha
Z EV EF EV
p= N (E) (1 f (E)) dE = NV e kT
60
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.9
0.8
f (E) N (E)
0.7
0.6
0.5
0.4 N (E)
0.3
0.2
0.1
0
-3 -2 -1 0 1 2 3 4
energia [eV]
Figura 3.2: Andamento delle funzioni N (E) e f (E) N (E) normalizzate al loro valore
massimo nellintervallo in esame.
3.1.2
Si desidera vericare lentita dellapprossimazione introdotta con limpiego della dis-
tribuzione di Boltzmann per determinare la concentrazione dei portatori.
Si disegni landamento della concentrazione degli elettroni n in funzione della dif-
ferenza di energia EF EC , ponendo a confronto le varie formule che si possono
usare.
61
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 21 .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
10 20 .
(a) .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
10 19 .
.
n, [cm^-3]
.
.
.
. (b)
++++++++++++++++++
.
.
++ ++++++
. +++
.
. ++ ++
.
10 18 . ++ (c)
. ++
.
. ++
. +
. +
+
.
. +
. +
. +
. +
+
.
10 17 . +
. +
. +
+
.
. +
. +
. +
. +
+
+.
+.
+.
10 16
-0.15 -0.1 -0.05 0 0.05 0.1 0.15
EF - EC, [eV]
Le curve sono disegnate nel caso T = 300 K. Risulta evidente che le approssimazioni a)
e b) valgono solo per semiconduttori non degeneri e che sono entrambe approssimazioni
per eccesso, con errore inferiore per lapprossimazione b). Lerrore aumenta man mano
che il livello di Fermi cresce.
3.1.3
E dato un campione di semiconduttore per il quale EC EF = 0, 149 eV: si chiede di
determinare la percentuale di concentrazione di elettroni che alla temperatura di 300 K
hanno energia compresa tra EC , bordo inferiore della banda di conduzione, e EC + E,
con E = 0, 01 eV. Inoltre, calcolare a quale temperatura tale percentuale e pari al
10%.
dove f (E) e N (E) sono date rispettivamente dalle (3.4) e (3.3). Per temperature non
troppo elevate, la funzione probabilita di Fermi si puo approssimare con quella di
Boltzmann. Il cambio di variabile E EC = W consente di mettere lintegrale nella
62
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
forma
Z EC +0,01 Z 0,01
1 EEF EC EF 1 W
n1 (E EC ) e 2 kT dE = e kT W 2 e kT dW
EC 0
Il valore stimato risulta n1 = 1, 44 1016 cm3 , con un errore relativo pari al 15%. Si
calcola la densita totale degli elettroni in banda di conduzione n mediante la (3.6) e si
trova n = 1 1017 cm3 e la percentuale di concentrazione cercata vale
n1 1, 44 1016
= = 0, 144 14, 4%
n 1 1017
Landamento della distribuzione degli elettroni in banda di conduzione, per 300, 500 e
1000 gradi Kelvin, e riportato nella gura 3.4. Leetto della temperatura e inizialmente
soltanto quello di modicare la distribuzione degli elettroni, senza alterare il numero
totale di portatori; tuttavia, al crescere di T , gli elettroni generati termicamente non
sono piu trascurabili e larea sottesa alla curva di distribuzione tende ad aumentare
in modo esponenziale. Lespressione che permette di calcolare la frazione di elettroni
x10 18
1.8
T = 300 K
1.6
1.4
+++++++++++++++++++++++
++++++ ++++++
++++ +++++
++++ +++++
+++++
1.2 ++ ++++
++ ++++
++ ++++
+ ++++
+ ++++
+ ++++
+ ++++
1 + ++++
++++
+ ++++
+ ++++
++++
+
+
++++
++++
+++++
T = 1000 K
0.8 + +++++
+++++
+ +++++
+++++
+ +++++
+++++
0.6 +
+++++
++++++
++++++
++++++
++++++
+ +++++++
+++++++
0.4 +++++++
++++++++
+ T = 500 K ++++++++
+++++++++
++++++++++
+++++++++++
++++++++++
0.2
0 +
1.1 1.15 1.2 1.25 1.3 1.35 1.4
energia [eV]
Figura 3.4: Distribuzione degli elettroni in banda di conduzione, per 300, 500 e 1000
Kelvin.
63
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
da cui
2
1 p 0, 02 3 0,01
T = 0, 005 e 3k T
k
3.1.4
Si calcoli lenergia media degli elettroni in banda di conduzione a 300 K, per un semi-
conduttore tale che EC EF = 0, 11 eV. Si dimostri che, per un semiconduttore non
degenere, lenergia media non dipende dal livello di drogaggio e si confronti il valore
trovato con lenergia corrispondente al massimo della funzione N (E) f (E).
3
Anche qui la funzione distribuzione di Fermi e stata approssimata con quella di Boltzmann: la valid-
ita di tale approssimazione puo essere provata al termine dellesercizio, vericando che alla temperatura
trovata sia EC EF k T .
64
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
14
12
10
percentuale [%]
0
300 400 500 600 700 800 900 1000
temperatura [K]
Em =
1 3
2 (k T )
2
2 1 3 3
Em = 3 (k T ) 2 k T + E C
( k T ) 2 2 2
3
Em = k T + EC = 1, 16 eV
2
Per trovare il valore massimo della funzione distribuzione degli elettroni in funzione
dellenergia si pone
1
x= (E EC ) ; = e(EC EF )/k T
kT
4
R R
0
x1/2 ea x dx = 1
2
, 0
x3/2 ea x dx = 3
4
a3/2 a5/2
65
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 28
2
1.8
1.6
1.4
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.1 1.15 1.2 1.25 1.3 1.35 1.4
energia [eV]
3.1.5
Valutare, per un campione di silicio, la percentuale di elettroni liberi che a 300 K hanno
energia entro una fascia di 0, 02 eV sopra il minimo della banda di conduzione. A quale
temperatura tale percentuale raddoppia?
3.1.6
Lenergia media degli elettroni in un campione di silicio e pari a 1, 5 eV: calcolare il val-
ore di temperatura corrispondente. E lecito in questo caso approssimare la distribuzione
di Fermi con quella di Boltzmann?
66
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
3.1.7
Si confrontino al variare della temperatura le distribuzioni di Fermi e Boltzmann.
Entro quali condizioni di energia e temperatura la distribuzione di Fermi puo essere
approssimata con quella di Boltzmann commettendo un errore inferiore al 10%?
n p = n2i (3.10)
p = p exp EF i EF
i kT
3.2.1
Ricavare le equazioni di Schockley, a partire dalle (3.6) e (3.7).
67
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
per un semiconduttore di tipo p. Facendo ricorso alla legge di azione di massa (3.10),
la posizione del livello di Fermi si puo esprimere in funzione della concentrazione dei
portatori intrinseci ni e del livello di Fermi intrinseco Ei :
EC EF EF EV EC EV
n2i = n p = NC e kT N V e kT = NC NV e kT
Eg p Eg
n2i = NC NV e kT ; ni = NC NV e 2kT
EF Ei
n = ni exp (3.15)
kT
Ei EF
p = ni exp (3.16)
kT
3.2.2
Si ricavi unespressione che consenta di determinare il valore dellenergia di Fermi in un
semiconduttore intrinseco; si valuti inoltre lerrore percentuale che si compie assumendo
per tale energia il valore 12 (EC + EV ) a 300 K e a 600 K nel silicio.
68
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
(EC Ei ) NV (Ei EV )
= ln +
kT NC kT
NV
2 Ei = kT ln + EC + EV
NC
1 NV EC + EV
Ei = kT ln +
2 NC 2
Sostituendo NC e NV con le espressioni date nelle (3.6) e (3.7), si ottiene
EC + EV 3 mp
Ei = + Ei ; Ei = kT ln
2 4 mn
3.2.3
Confrontare i livelli di concentrazione dei portatori intrinseci di silicio, di germanio e
di arseniuro di gallio, a 300, 500 e 1000 gradi Kelvin.
3.2.4
Usando la (3.11), tracciare landamento della concentrazione dei portatori intrinseci nel
silicio da 0 C a 1000 C.
69
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
- Condizione di neutralita:
Nd+ + p = Na + n (3.20)
3.3.1
Si scriva lespressione dei donatori Nd+ e accettatori Na ionizzati in un semiconduttore
e si stabilisca la condizione per una completa ionizzazione.
e il numero degli elettroni che si sono liberati per andare in banda di conduzione e
Nd
Nd nd = Nd+ = EF Ed
1+2e kT
Anche sia Nd Nd+ occorre che lesponenziale al denominatore sia trascurabile, cioe
lesponente deve essere negativo
Ed > EF
e abbastanza grande (Ed EF kT ).
Analogamente per le lacune risulta
Na
Na = Ea EF
1+2e kT
70
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
3.3.2
Si consideri un campione di silicio drogato di tipo n in cui i donatori hanno concen-
trazione Nd ed Ed e il loro livello energetico.
1. Ricavare lespressione della concentrazione degli atomi donatori ionizzati.
2. Scrivere unequazione che consenta di calcolare il livello di Fermi. Entro quale
intervallo si trova EF per T 0 K?
3. Calcolare il livello di Fermi per T = 300 K, per un drogaggio Nd = 1 1016 cm3
con donatori il cui livello e situato 0, 14 eV sotto la banda di conduzione.
4. Si disegni in scala la curva EF = f (T ).
a)
La concentrazione degli atomi droganti ionizzati si ottiene dalla densita degli stati
nellintorno di E = Ed ,
gd (E) = Nd (E Ed )
b)
Sostituendo nella condizione di neutralita per un semiconduttore di tipo n,
n = Nd+ + p
1 + 2e kT
Supponendo che il semiconduttore non sia degenere, deve essere EC > EF : dunque,
per temperature prossime a zero, lesponente a primo membro tende a valori negativi
molto grandi e lesponenziale e trascurabile. Analogamente, risulta EV < EF e la con-
centrazione delle lacune a secondo membro si annulla quando T tende a 0. Anche
anche la concentrazione degli atomi ionizzati Nd+ si annulli, per T 0 K deve essere
Ed < EF < EC .
71
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
c)
Il valore cercato del livello di Fermi si puo ottenere scrivendo lequazione nella forma
di un processo iterativo a punto sso:
" !#
1 Nd EV EF
EF = EC + kT ln Ed + NV e
kT
NC 1 + 2 e EFkT
d)
Landamento del livello di Fermi al variare della temperatura, ottenuto risolvendo
lequazione precedente per dierenti valori di T , e riportato nella gura 3.7.
1.2
.
Ec
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1
Ed
Ef
0.8
0.6
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.4
0.2
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
72
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.6
Ec
0.4
Ed
0.2 Ef
0. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.2
-0.4
Ev
-0.6
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
3.3.3
Si consideri un campione di silicio di tipo n, drogato con Nd = 5 1016 cm3 atomi di
fosforo.
a)
Nel semiconduttore a 300 K le impurita droganti si possono considerare completamente
ionizzate e la concentrazione dei portatori intrinseci ni e trascurabile rispetto a Nd
(regione estrinseca). Ne consegue che la concentrazione degli elettroni vale n Nd =
5 1016 cm3 mentre quella delle lacune e
n2i n2 (1, 45 1010 )2
p= i = = 4, 2 103 cm3
n Nd 5 1016
La posizione del livello di Fermi, a 300 K e nellipotesi di completa ionizzazione, si
ottiene dalla (3.15)
Nd
EF Ei = kT ln = 0, 39 eV
ni
73
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
EF EV = (0, 35 + 0, 56) eV = 0, 95 eV
b)
Al crescere di T , il semiconduttore esce dalla zona estrinseca, in cui n Nd indipenden-
temente dalla temperatura, e tende a comportarsi come un semiconduttore intrinseco.
Sostituendo le (3.6) e (3.7) nella (3.10), si ha
EC EF EF EV Eg
n p = NC e kT NV e kT = NC NV e kT = n2i
n = Nd+ + p
dove Nd+ e la concentrazione degli atomi droganti ionizzati; poiche gia a temperatura
ambiente le impurita droganti si possono considerare completamente ionizzate, tale
assunzione resta valida anche per temperature superiori e Nd+ Nd . Usando la legge
dellazione di massa p = n2i /n, si puo scrivere lequazione di secondo grado
n2 Nd n n2i = 0
A 300 K, ni Nd e quindi
n Nd = 5 1016 cm3
da cui si ha
ni (T ) = 2 Nd
74
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Esplicitando T si ottiene
p !1
Eg NC (T ) NV (T )
T = ln
2k 2 Nd
che fornisce in cinque iterazioni la soluzione T = 829, 6 K.
c)
Per temperature sensibilmente inferiori a quella ambiente invece, le impurita droganti
non si possono considerare tutte ionizzate: il calcolo della concentrazione degli elettroni
non puo quindi prescindere dalla valutazione di Nd+ al variare di T . In generale si ha
" s #
1 + 2ni (T ) 2
n(T ) = Nd (T ) 1 + 1 +
2 Nd+ (T )
e dato nella gura 3.9. La temperatura alla quale meta delle impurita sono ionizzate
si puo determinare imponendo
1 EC EF
n(T ) = Nd = NC e k T
2
e risolvendo rispetto a T . A tale scopo e pero necessario conoscere come lenergia di
Fermi EF dipenda dalla temperatura. Si ha
Nd Nd
Nd+ = EF Ed =
1 + 2e kT
2
da cui
1
EF = Ed + k T ln
2
Sostituendo ora EF nellespressione di n si ha
3
Nd 1 EC Ed 1 T 2 EC Ed
n= = NC e k T = NC e kT
2 2 2 300
dove NC = 2, 8 1019 cm3 e il valore di NC a 300 K. Esplicitando rispetto a T , si
ottiene
EC Ed 1
T = N
k T
ln NCd + 23 ln 300
6
Dalle espressioni di ni (T ) e Nd+ (T ) si verica facilmente che limT 0 ni /Nd+ = 0.
75
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 16
5
4.5
concentrazione degli atomi ionizzati [cm-3]
4
3.5
2.5
1.5
0.5
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
temperatura [K]
nella quale Nd+ dipende dal livello di Fermi EF valutato con lespressione
n(T )
EF = Ei + k T ln
Ni (T )
La variazione di Eg con la temperatura non e stata considerata. Si nota che per valori
elevati di T risulta ni Nd , e dunque n(T ) p(T ) ni (T ). Per valori molto bassi di
T , landamento di n(T ) riproduce quello di Nd+ nella gura 3.9.
3.3.4
Si scriva unespressione che consenta di determinare la temperatura T alla quale, in
un semiconduttore drogato con Nd atomi donatori per unita di volume, la percentuale
76
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 17
2 +
+
+
++
+
+
+
+
++
1.8 +
+
+
+
++
+
+
+
+
++
1.6 +
+
+
+
++
+
+
+
+
+
++
+
+
1.4 +
+
+
+
+
+
+
+
++
+
+
+
++
1.2 +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
1 ++
++
++
++
++
0.8 +
+
++
++
p(T )
+++
+
0.6 ++
+++
+
++++
+++
++
0.4 ++
+
+
++
n(T ) +++
++
+++
+
0.2 +
++++
+
+
n (T ) +++++
i ++++++++++++++++++
+
+++++++
+
0 +++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
temperatura [K]
di atomi droganti ionizzati sia (si assuma che tutti i portatori mobili derivino da
impurita ionizzate). Nel caso particolare in cui Nd = 5 1016 cm3 e EC Ed =
0, 049 eV, si tracci landamento della concentrazione degli elettroni liberi al variare
della temperatura da 0 a 300 K.
n2i
n Nd+ + +
+ Nd
Nd
si trova per il rapporto delle due grandezze un legame con la temperatura T del tipo
ni K1 3 0, 5Eg (EF Ed )
= T exp
2
Nd+ K2 kT
77
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Poiche 0, 5Eg > EF Ed , risulta che ni e trascurabile rispetto a Nd+ anche per valori
di T molto piccoli. Si usa quindi lapprossimazione n Nd+ e si ha
Nd
n = Nd+ = Nd = EF Ed
1 + 2e kT
da cui
1
EF = Ed + k T ln
2
x10 16
5
4.5
3.5
portatori [cm-3]
2.5
1.5
0.5
0
0 50 100 150 200 250 300
temperatura [T]
78
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
3.3.5
Si determini, nel caso del silicio, del germanio e dellarseniuro di gallio lintervallo di
valori di temperatura entro il quale un campione di semiconduttore drogato con Nd =
5 1017 cm3 atomi donatori mostra un comportamento estrinseco (per tutti e tre i
materiali, assumere che le impurita droganti siano del tipo donatore e abbiano energia
di attivazione pari a Ed = 3 meV).
3.3.6
Si usino le equazioni di Shockley per calcolare la posizione del livello di Fermi, rispetto
a Ei in un semiconduttore di tipo p, drogato con Na = 5 1016 cm3 atomi di boro.
3.3.7
Calcolare la posizione del livello di Fermi rispetto al centro dellintervallo di energia
proibita in un semiconduttore di tipo n e uno di tipo p, entrambi con un livello di
drogaggio pari a N = 7, 3 1017 cm3 . A quali dierenze tra le due situazioni deve
essere attribuita lasimmetria riscontrata?
3.3.8
Un campione di silicio di tipo n e drogato con Nd = 9, 5 1019 cm3 atomi di fosforo.
Calcolare la concentrazione degli elettroni e delle lacune liberi, a 50 K, 300 K e 1000 K.
3.3.9
Calcolare il valore del lavoro di estrazione per un campione di silicio drogato con Na =
9 1016 cm3 atomi di boro a 300 K.
3.3.10
Si disegni un graco che fornisca la posizione del livello di Fermi in un campione di
silicio in funzione del livello di drogaggio, di tipo p e n, variabile tra 0 e 1019 cm3 . Si
assuma la completa ionizzazione e una temperatura di 300 K.
79
Capitolo 4
80
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Mobilita, impurita
Mobilita, campo elettrico
Resistivita
4.2.1, 4.2.2, 4.2.3, 4.2.6, 4.2.7
Correnti di Correnti di diusione
trascinamento 4.1.2 4.3.1, 4.3.2
Misure
sperimentali Equazioni di trasporto
resistivita 4.4.1, 4.4.2
4.2.4, 4.2.5
81
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Supponendo la completa ionizzazione delle impurita droganti, le concentrazioni dei
portatori nel semiconduttore valgono
n2i (1, 45 1010 )2
n Nd = 4, 5 1016 cm3 ; p = = 4672 cm3
Nd 4, 5 1016
1
N.D.Arora, J.R.Hauser, D.J.Roulston, Electron and hole mobilities in silicon as a function of
concentration and temperature IEEE Trans. on Electron Devices, vol.ED-29, pag.292, febbraio 1982.
82
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Usando le (4.1) e (4.2), si calcolano i valori di mobilita per gli elettroni e le lacune 2
vn = n E = 1, 04 106 cm s1 ; vp = p E = 4, 02 105 cm s1
b)
Nel caso dellalluminio, il valore di mobilita degli elettroni, piu basso di quello nel silicio,
e compensato dalla maggiore concentrazione di portatori, ricavata nel problema 2.1.2:
NAV M d
nAl = = 1, 8 1023 cm3
A
dove NAV e il numero di Avogadro, M e il numero di atomi per molecola, d e la densita,
e il numero di elettroni liberi per atomo, A e il peso atomico. Si ha quindi
vAl = 1 104 cm s1
c)
Il confronto tra i due materiali sotto laspetto delle proprieta di trasporto si puo
eettuare sulle densita di corrente
Jn = q n n E = q n vn = 7488 A cm2
Jp = q p p E = q n vp = 1, 88 1010 A cm2
JAl = q nAl Al E = q nAl vAl = 2, 9 108 A cm2
n = 0, 133 cm
p = 5, 319 M cm
Al = 3, 44 106 cm
Si riprendono ora le relazioni (4.1) e (4.2), per ottenere le mobilita di elettroni e lacune
a 1000 K:
83
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
La concentrazione dei portatori non varia per lalluminio, mentre deve essere ricalcolata
per il silicio, come indicato nel problema ??
s
2
Nd 2ni
n= 1+ 1+
2 Nd
n2i
n = 4, 3 1017 cm3 ; p= = 3, 85 1017 cm3
n
Ne consegue che le densita di corrente a 1000 K sono
Jn = q n n E = q n vn = 8187 A cm2
Jp = q p p E = q n vp = 3388 A cm2
JAl = q nAl Al E = q nAl vAl = 4, 72 107 A cm2
e le resistivita
n = 0, 121 cm
p = 0, 295 cm
Al = 2, 11 105 cm
Si noti come, passando da 300 K a 1000 K, la resistivita del metallo sia aumentata
di circa un ordine di grandezza, a causa della diminuzione della mobilita, mentre nel
silicio laumento della concentrazione dei portatori (soprattutto minoritari) abbia come
conseguenza la riduzione sia della mobilita che della resistivita.
4.1.2
Si calcoli la densita di corrente di trascinamento in un campione di semiconduttore
lungo 50 m a cui siano applicati 5 V di potenziale nei seguenti casi:
a) Si intrinseco a 300K;
b) GaAs intrinseco a 300K;
c) Si di tipo n (Nd = 1014 cm3 ) a 300K;
d) Si intrinseco a 500 K;
e) GaAs intrinseco a 500 K;
f ) Si di tipo n (Nd = 1014 cm3 ) a 500 K;
g) GaAs di tipo n (Nd = 1014 cm3 ) a 500 K;
Per quanto riguarda il GaAs, si usino i seguenti valori di mobilita:
84
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
T n p
[K] [cm2 V1 s1 ] [cm2 V1 s1 ]
Intrinseco 300 8800 400
Intrinseco 500 4400 210
(Nd = 1014 ) 500 3800 180
Nella situazione indicata il valore del campo elettrico (supposto uniforme) nel semicon-
duttore e pari a
V 5
E= = = 1 103 Vcm1
L 50 104
La densita della corrente di trascinamento in un semiconduttore e data dalla relazione 3
J = (qn n + qp p)E
Mobilita del Si
T n p
[K] [cm2 V1 s1 ] [cm2 V1 s1 ]
intrinseco 300 1339 284
Nd = 1014 300 1339 284
intrinseco 500 446 110
Nd = 1014 500 446 110
mentre i valori di concentrazione sono riportati in tabella 4.1.
I valori risultanti di velocita e densita di corrente sono nelle tabelle 4.2 e 4.3.
Per quanto riguarda la variazione della concentrazione dei portatori intrinseci con la
temperatura, si e fatto uso della relazione
3 3
2 m0 k mn mp 2 Eg
n2i =4 T 3 e k T
h2 m20
85
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
caso ni pi n p
T = 300 K
Siin 1, 45 1010 1, 45 1010 1, 45 1010 1, 45 1010
GaAsin 9, 0 106 9, 0 106 9, 0 106 9, 0 106
Si (Nd = 1014 ) 1, 45 1010 1, 45 1010 1 1014 2, 1 106
T = 500 K
Siin 1, 77 1014 1, 77 1014 1, 77 1014 1, 77 1014
GaAsin 4, 84 1011 4, 84 1011 4, 84 1011 4, 84 1011
Si (Nd = 1014 ) 1, 77 1014 1, 77 1014 2, 34 1014 1, 34 1014
GaAs (Nd = 1014 ) 4, 84 1011 4, 84 1011 1 1014 2, 34 109
86
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
4.1.3
Si vuole in questo problema comprendere meglio alcuni meccanismi di comportamento
statistico che contribuiscono alla formulazione dellespressione della mobilita.
a)
Usando la rappresentazione in cui il comportamento eettivo viene approssimato con
valori medi, un elettrone caratterizzato da una mobilita soggetto a un campo elettrico
E si muove con velocita di trascinamento
vd = E
Indicando con m la massa ecace e con il tempo medio fra due collisioni, il teorema
dellimpulso permette di scrivere
q E = m vd = m E
4
Dal punto di vista cinematico si tratta perlomeno di un moto uniformemente accelerato e la velocita
cresce linearmente con il tempo.
87
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Allora f (t) e la distribuzione dei tempi intercorrenti tra due urti per uno stesso elettrone
e vale
t
f (t) = e
Il tempo medio tra due collisioni puo essere calcolato integrando la variabile t tra 0 e
, pesata con la probabilita che si verichi un urto 5
Z Z
= t f (t) dt = t e t dt =
0 0
Z
1 t 1 t
= e t + e dt =
0 0
1 t 1
= 0 2
e =
0
5
Integrazione per parti:
Z Z
f g = f g f g
88
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
c)
In presenza di due meccanismi di urto distinti e statisticamente indipendenti, la proba-
bilita che si verichi un urto qualsiasi, nellintervallo dt, e data dalla somma delle due
probabilita 1 dt e 2 dt:
dt = 1 dt + 2 dt
1 m m m 1 1
= (1 + 2 ) = 1 + 2 = +
tot q q q 1 2
Numericamente
1 1
tot = 1 + = 123, 52 cm2 v1 s1
700 150
4.1.4
Si consideri un tratto di semiconduttore di tipo n, per esempio il canale di un transistore
a eetto di campo, lungo lg = 1 m, cui sia applicata una dierenza di potenziale.
Nellipotesi che si abbia un solo meccanismo di urto per le particelle in moto, si calcoli
il numero di urti che queste subiscono durante il percorso. Si mettano a confronto alla
temperatura ambiente a) silicio e b) arseniuro di gallio.
89
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
4.1.5
Usando le relazioni empiriche (4.1) e (4.2)per la determinazione della mobilita dei porta-
tori in un semiconduttore in funzione della concentrazione totale delle impurita droganti
N e della temperatura T , si vuole valutare approssimativamente la validita di alcune
formule teoriche che esplicitano particolari legami funzionali.
a)
Gli andamenti di n e p al variare della temperatura, tra 250 e 500 K, per concen-
trazioni pari a 1014 , 1015 , 1016 , 1017 e 1018 cm3 , calcolati usando le relazioni (4.1)
e (4.2), sono riportati con linee continue nella gura 4.2 per gli elettroni e 4.3 per le
lacune.
n [cm2 V1 s1 ]
10 4
1014
1015
1016 ..................
............................
..........................
.. ..............
..............
10 3 .............................
......................... ..............
..................... .......................................................................
..................... ................................................
............... .................. ..........................................
......... ............ .............................................
......
1017
.................. ............
............
............
............
............
............
............
............
............
............
............
............
............
............
......
.....................................................................................................................................................................
....................................
1018
10 2
.................
........................................
............................................................
................
........................
.......................
.....................
10 1 T [K] 500
250 300 350 400 450
90
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
p [cm2 V1 s1 ]
10 3
1014
1015 .............
..............
................
1016 ............
..................
......
............ ..................................
............ ..
............ ..................................
............ ....................
............ ....................
............ ......................
............ ......................
............ ....................
....................................
1017 ................................
....................................
......................................
........................................
........................................
...............................
...... ........ ........... ............................................... ......... ....... ....... .
10 2 1018 ........... .....................................
............................
........................
......
...
........................................
...............................
...........................................
...
.....................
..................
..............................
............
10 1 T [K] 500
250 300 350 400 450
Il fenomeno di collisione con le impurita presenti nel silicio produce una mobilita 6
direttamente proporzionale a T 3/2 e inversamente a N ; un modello di tale mobilita puo
essere
3
I (N, T ) = k1 N 1 T 2 = k1 f1 (N, T )
Analogamente per la mobilita dovuta allinterazione con i fononi si ha lespressione
5
P h (T ) = k2 T 2 = k2 f2 (T )
Come risulta dal problema 4.1.3, leetto combinato dei due meccanismi di collisione
porta a una mobilita complessiva
1
=
1/I (N, T ) + 1/P h (T )
I coecienti k1 e k2 , dierenti per lacune e elettroni, si potrebbero determinare impo-
nendo che la curva della mobilita cos ottenuta si sovrapponga al meglio allandamento
delle curve riportate nelle gure 4.2 e 4.3. Se le curve, le ipotesi e i modelli di mo-
bilita fossero esatti, sarebbe suciente imporre il passaggio per una coppia di punti
qualsiasi scelti sui graci delle gure 4.2 e 4.3. Poiche invece le curve sono desunte da
relazioni empiriche (4.1) e (4.2) e i modelli di mobilita sono solo in parte adeguati, i
valori trovati per k1 e k2 dipendono dalla scelta della coppia di punti. Per una approssi-
mazione delle (4.1) e (4.2), negli intervalli di T e N assegnati, si ricorre al metodo dei
minimi quadrati.
6
Si veda: Simon M. Sze, Dispositivi a semiconduttore, Hoepli, Milano, 1991
91
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Si sceglie sul graco della gura 4.2, per gli elettroni, e sul graco della gura 4.3,
per le lacune, (linee continue) un insieme di n punti. Siano (Ni , Ti ) i valori di N e T
corrispondenti alli-esimo punto, in cui la mobilita vale yi . Posto
Ii = I (Ni , Ti ) = k1 f1 (Ni , Ti ) = k1 f1i
P hi = P h (Ti ) = k2 f2 (Ti ) = k2 f2i
lerrore commesso nellapprossimazione alli-esimo punto vale
1 1 1
ei = +
yi Ii P hi
Il metodo dei minimi quadrati, consente di determinare i valori dei coecienti k1 e k2
tali da rendere minima la somma S dei quadrati degli errori
n
X
S= e2i
i=1
Deniti i coecienti A1 , B1 , C1 e A2 , B2 , C2 ,
Pn 1 Pn 1 Pn 1
A1 = i=1 ; B1 = i=1 2 ; C1 = i=1
yi f1i f1i f1i f2i
Pn 1 Pn 1 Pn 1
A2 = i=1 ; B2 = i=1 ; C2 = i=1 2
yi f2i f1i f2i f2i
il sistema assume la forma
1 1
A1 B1 C1 = 0
k1 k2
1 1
A2 B2 C2 = 0
k1 k2
Si risolve il sistema nelle incognite 1/k1 e 1/k2 e si trova
C1 B2
1
B1 C2
k1 =
A1 C1 A2
B1 B1 C2
A2 B2 1 1
k2 =
C2 C2 k1
92
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Nella soluzione qui proposta, sono stati scelti 16 punti, individuati da quattro valori di
temperatura (0, 25 C, 100 C e 200 C) e quattro di concentrazione di impurita (1015 ,
1016 , 1017 , 1018 cm3 ). Con il metodo indicato, si trova per gli elettroni
k1 = 7, 06 107 ; k2 = 2, 84 1016
e per le lacune
k1 = 1, 67 108 ; k2 = 1, 71 1016
La verica della bonta dellapprossimazione ottenuta si ha nelle gure 4.2 e 4.3, dove
la mobilita complessiva che si basa sulle relazioni ora trovate (linee tratteggiate)
3 5
I,n (N, T ) = 7, 06 107 N 1 T 2 ; P h,n (T ) = 2, 84 1016 T 2 = k2 f2 (T )
3 5
I,p (N, T ) = 1, 67 108 N 1 T 2 ; P h,p (T ) = 1, 71 1016 T 2 = k2 f2 (T )
viene confrontata con le relazioni empiriche del punto (a) (linee continue).
4.1.6
Si studi linuenza del fenomeno della saturazione della velocita dei portatori in un
resistore realizzato con un campione di silicio drogato di tipo n (si assume che la mobilita
in presenza di campi elettrici di piccola intensita sia n 1000 cm2 V1 s1 ).
1. Si disegni la curva della relazione velocita-campo (equazione 4.3) supponendo
vsat = 107 cm s1 . Si calcoli il campo di soglia Eth nellapprossimazione lineare
v = n E valida per campi di bassa intensita.
2. Si calcoli per confronto la velocita che corrisponde al campo elettrico di soglia
valutato nel punto a), usando la relazione (4.3).
3. Si scriva lespressione della conduttanza del resistore e il suo legame con la ten-
sione applicata V . Si descriva landamento della corrente I al variare della
tensione applicata.
4. Si valuti la massima tensione che si puo applicare al resistore prima di avere
saturazione, nel caso in cui la lunghezza del semiconduttore sia pari a 1 cm o a
1 m.
a)
La curva della velocita degli elettroni nel semiconduttore in funzione del campo elet-
trico applicato e riportata nella gura 4.4: per campi elettrici E di piccola intensita,
landamento e lineare e la mobilita si puo considerare costante; per valori elevati del
campo, la velocita risulta costante e la mobilita si annulla.
I valori di mobilita forniti per i semiconduttori si riferiscono di solito alla situazione di
piccoli campi elettrici e si possono usare approssimativamente no a un valore di soglia
Eth , scelto convenzionalmente in base alla relazione
n Eth = vsat
dove n e il valore di mobilita per E = 0 e vsat e la velocita di saturazione degli elettroni
nel semiconduttore. Con una mobilita a basso campo pari a n = 1000 cm2 V1 s1 , si
ottiene il valore del campo di soglia
vsat 107 V kV
Eth = = = 104 = 10
n 1000 cm cm
93
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
v [m/s]
x10 6
10 ........................................................................................................................................................................................................
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
E [V/cm] x10 5
J qn n E qn Nd E
94
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
. L .
.
.
. .
. .
. .
. .
. .
.
.
n = ND S
Supponendo che il resistore sia come quello idealizzato nella gura 4.5, il campo elettrico
che si instaura in presenza di una tensione applicata pari a V e le corrispondenti densita
e intensita di corrente sono
V V S
E= ; J q n Nd ; I S J = q n Nd V
L L L
La conduttanza del resistore puo essere espressa come
S
G= q n Nd
| {z } L
conducibilita
Risulta evidente che la conducibilita resta pressoche costante sino a che i valori di
tensione sono tali da mantenere il campo elettrico interno al semiconduttore inferiore
al campo di soglia Eth . Per valori di potenziale superiori e necessario esprimere la
dipendenza della mobilita dal campo elettrico
V
n = n (E) = n
L
Usando la relazione velocita-campo elettrico del punto b), la conduttanza del resistore
puo essere scritta nella forma
n (0) S
G(V ) = q N
n (0) V /L L d
1+
vsat
La conduttanza e funzione della tensione V , quindi la corrente e una funzione non
lineare della tensione applicata, I(V ) = G(V ) V , che asintoticamente assume il valore
costante
n (0) S
lim I(V ) = lim q N V = q vsat Nd S
V V n (0) V /L L d
1+
vsat
che rappresenta la corrente di saturazione di un semiconduttore. La corrente e
sostanzialmente indipendente dalla tensione V quando questa superi il valore Eth L =
vth .
d)
Nei due casi Eth = 104 V cm1 si ha
L = 1 cm ; E = Eth V = 10 KV
L = 1 m ; E = Eth V = 1 V
95
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Il fatto che nei circuiti integrati le dimensioni lineari siano dellordine del m in-
dica quanto facilmente i dispositivi integrati possano incorrere nel fenomeno della
saturazione di corrente per saturazione della velocita.
4.2.1
Sia dato un campione di silicio drogato con Nd = 5 1016 cm3 atomi di fosforo. a) Si
esprima la resistivita del campione in funzione della temperatura e se ne calcoli il valore
a 300 K, 500 K e 900 K. b) Si valuti inoltre la frazione in peso di atomi droganti rispetto
agli atomi di silicio, considerando costante la concentrazione delle impurita ionizzate.
a)
In generale in un semiconduttore la conducibilita e data da
= n n q + p p q
dove n e p sono legati alla temperatura attraverso la concentrazione dei portatori
intrinseci ni , come risulta dal problema ??:
s
Nd 2ni (T ) 2 n2 (T )
n(T ) = 1+ 1+ ; p(T ) = i
2 Nd n(T )
dove
p 1
ni (T ) = NC NV eEg /2kT = [NC (T ) NV (T )] 2 eEg /2kT
La dipendenza dalla temperatura delle mobilita n e p e invece fornite nelle (4.1) e
(4.2). Landamento risultante della resistivita in funzione della temperatura
1
=
n (T ) n(T ) q + p (T ) p(T ) q
e riportato nella gura 4.6, dalla quale risulta per T = 300 K = 0, 122 cm.
Poiche a 300 K risulta ni Nd /2, le concentrazioni dei portatori maggioritari e
minoritari si possono approssimare come
n2i (T ) ni (T )2 ni (T )2
n(T ) = + + Nd+ (T ) Nd ; p(T ) =
Nd (T ) n Nd
96
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
[ cm]
0.6
0.5
0.4
resistivita [ohm cm]
0.3
0.2
0.1
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
= 0, 123 cm
97
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
b)
La densita del silicio vale 5 1022 cm3 , quindi nel campione di semiconduttore dato si
ha 1 atomo di fosforo ogni
5 1022
= 1 106 atomi di silicio.
5 1016
Il rapporto in peso fra la concentrazione aggiunta di fosforo e quella di atomi di silicio
vale
numero di atomi di P peso atomico del P 5 1016 31
= = 1, 107 106
numero di atomi di Si peso atomico del Si 5 1022 28
4.2.2
Un campione di semiconduttore di tipo p, drogato con Na = 21016 cm3 atomi di boro,
subisce un ulteriore processo di diusione, in cui sono aggiunti Nd = 31017 cm3 atomi
di fosforo. Calcolare il tipo di conduttivita (p o n) risultante e il valore di resistivita
prima e dopo la diusione di fosforo.
n Nd Na = 2, 8 1017 cm3
Dopo la diusione di fosforo la mobilita degli elettroni nel semiconduttore dipende dalla
concentrazione totale di atomi droganti, N = Na +Nd = 3, 21017 cm3 . Si hanno quindi
i valori di mobilita n = 475 cm2 V1 s1 , di conducibilita = n n q = 22, 8 1 cm1
e di resistivita = 0, 044 cm
4.2.3
Un campione di silicio puro presenta, alla temperatura di 300 K, una resistivita =
2, 39105 cm. Determinare il tipo e la concentrazione di drogaggio per i quali si ottiene
il massimo valore possibile di resistivita.
98
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
p n = Na ; pn = n2i
da cui si ha
n2i
Na = p = 1, 62 1010 cm3
p
Dalle (4.1) e (4.2), e possibile vericare che, per la concentrazione di drogante trovata,
le mobilita di elettroni e lacune non mostrano variazioni signicative. Il valore massimo
assunto dalla resistivita e
1 1
max = = = 2, 74 105 cm
n + p 1, 825 10 + 1, 1822 106
6
Si noti che, in realta, il valore ideale trovato per Na non ha signicato pratico, in quanto
concentrazioni cos basse di impurita non sono controllabili. Nel silicio le concentrazioni
di drogaggio accidentali o di sottofondo possono essere dellordine di 1012 cm3 .
4.2.4
Le misure di resistivita su una fetta di silicio sono normalmente eettuate usando il
metodo delle quattro sonde allineate illustrato nella gura 4.7: quattro sonde equispazi-
ate sono poste a contatto con la supercie di silicio, che si suppone uniforme e con
buone caratteristiche di isotropia. Le dimensioni del campione in supercie sono da
considerarsi di molto superiori rispetto alla separazione s tra le sonde e lo spessore e
trascurabile rispetto a s. Si suppone inoltre che il contatto delle sonde sulla supercie
del silicio sia puntiforme e abbia un comportamento ohmico. Le sonde si considerano
lontane dai conni laterali del campione di silicio.
1. Dimostrare che, indicando con I la corrente che scorre tra le sonde 1 e 4, e con V
la tensione misurata tra i contatti 2 e 3, la resistivita del materiale si puo valutare
con la relazione
V
=
ln(2) I
99
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
I
I
V
s
s
s
4
2
3
1
a)
Poiche s e la distanza tra le sonde e molto piu piccola delle dimensioni planari
della fetta, questa puo essere considerata come un foglio di estensione innita e spessore
innitesimo, ovvero come un campione bidimensionale. Inoltre, essendo il mezzo omo-
geneo e isotropo, la corrente avra una simmetria radiale intorno ai punti di contatto
delle sonde 1 e 4, come indicato nella gura 4.8.
La densita di corrente tra le sonde, a una distanza r1 dalla sonda 1, puo allora essere
espressa come 7
I I
J(r1 ) = +
2r1 2r4
dove r4 = 3s r1 .
La dierenza di potenziale V tra le sonde 2 e 3 si puo allora calcolare con
Z 2s
I I
V = J(r) dr = (ln(2s) ln(s) ln(s) ln(2s)) = 2 ln(2)
s 2 2
Nota la tensione V misurata tra le due sonde, si puo valutare la resistivita del silicio
V
=
I ln(2)
7
Si considerino separatamente le due situazioni seguenti: 1) la corrente I e immessa tramite la sonda
1 nel mezzo semiconduttore e raccolta a distanza innita; 2) la corrente I e prelevata dalla sonda 4 e
immessa nel semiconduttore a distanza innita. Lespressione della densita di corrente misurata tra le
due sonde si ottiene per sovrapposizione degli eetti dalle densita relative alle due situazioni indicate.
100
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
I
I
4
1
b)
La resistenza per quadro (/) di un campione di silicio di spessore e la resistenza
oerta da una porzione quadrata di lato arbitrario e si calcola come rapporto tra la
resistivita del materiale e lo spessore. Nel caso presente si ha
3, 5 200 104
= = 10, 6 cm
30103 ln(2)
Rs = = 529
4.2.5
Nella gura 4.9 e indicata la disposizione sperimentale mediante la quale puo essere
misurata la resistivita di un campione di semiconduttore, sfruttando leetto Hall. Si
ricavi unespressione che permetta di stimare il valore della resistivita a partire dal cam-
po magnetico di induzione magnetica B e dalla corrente I. Calcolare inoltre resistivita
e resistenza superciale nel caso B = 1 T, I = 3 A, VH = 5 V e t = 8m.
F = q vd B
Jx
q Ey = q vd B = q B
qp
101
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
z
y B
x
t
w
VH
l
I
Jx B IB
Ey = = RH Jx B = RH
qp wt
Nel caso numerico in esame e p = 4, 69 1017 cm3 e = 6, 6 102 cm, con una
mobilita pari a p = 202 cm2 V1 s1 .
4.2.6
Su di un substrato intrinseco, e realizzato mediante diusione un resistore integrato.
Si idealizzi il componente come una striscia a concentrazione Nd di drogante uniforme,
lunga 1 mm, larga 2 m e profonda 1 m. Se Nd = 5 1016 cm3 , si calcoli il valore di
resistenza a 300 K, nel caso che il semiconduttore sia silicio, germanio e arseniuro di
gallio.
4.2.7
Si vuole realizzare un resistore integrato in silicio, del valore di 1 k. Supponendo
costante la concentrazione di drogante entro la zona diusa e sapendo che la tecnologia
a disposizione consente dimensioni minime delle maschere pari a 2 m e profondita di
diusione di 1 m, si progetti e disegni un resistore di ingombro minimo.
102
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
In = qn A Dn n = q A Dn n
Ip = qp A Dp p = q A Dp p
4.3.1
Si consideri un campione di silicio con drogaggio Nd , di lunghezza 50 m, al quale a 300
K siano applicati 5 V. Si assuma che vi sia una concentrazione di lacune, dierente
da quella allequilibrio termodinamico, con distribuzione lineare p(x) = pn0 (1 + ax).
Si determini per le concentrazioni di drogante: a) 1014 cm3 ; b) 1016 cm3 e c) 1018
cm , il valore della pendenza a per cui la corrente di diusione dei portatori minoritari
3
n(x)
Jn,di = qDn
x
p(x)
Jp,di = qDp
x
Il valore di a per cui la corrente di trascinamento dei portatori maggioritari eguaglia
(in modulo) la corrente di diusione di lacune deve soddisfare la relazione
p(x)
q Dp = qn(x)n E
x
q Dp pn0 a = qNd n E
Numericamente si ha:
103
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Nd n p |a|
cm3 2
cm V1 s1 2
cm V s1 cm1
1 cm1
Come si vede dalla tabella, per compensare concentrazioni crescenti di impurita dro-
ganti occorrono gradienti di portatori minoritari che crescono in modo proporzionale al
quadrato di Nd : infatti la corrente di trascinamento e circa proporzionale a Nd , mentre
pn0 e quindi la corrente di diusione sono inversamente proporzionali a Nd .
4.3.2
In un semiconduttore di tipo n (livello di drogaggio Nd = 5 1017 cm3 , lunghezza
L = 10 m), le concentrazioni dei portatori mantengono i seguenti andamenti
Nd n2i Nd
n(x) = Nd + x ; p(x) = + x
L Nd L
Si calcolino le densita di corrente di diusione dei portatori maggioritari e minoritari.
Supponendo inoltre la presenza di un campo elettrico costante pari a E = 12 V cm1 ,
si calcolino le densita delle correnti di trascinamento e si confrontino tra di loro le 4
componenti di corrente.
104
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
4.4.2
Nella gura 4.10 viene idealizzato il canale di tipo n di un transistore MOSFET (capito-
lo 11) al silicio avente lunghezza L=3 m). Tra gli estremi del canale, 1 e 2, e applicata
una dierenza di potenziale pari a V21 = 5 V. Si calcoli il valore di concentrazione di n1
per il quale la corrente di trascinamento 9 eguaglia la componente di diusione, sapendo
che n2 n1 = 4 1013 cm3 , n = 600 cm2 V1 s1 , Dn = 30 cm2 s1 . Si calcoli inoltre
la corrispondente densita di corrente.
Nota: la situazione in esame descrive la condizione reale per la quale in un MOSFET
la corrente, che e prevalentemente di trascinamento, diventa per basse tensioni di gate
corrente di diusione (fenomeno della conduzione sottosoglia).
105
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1 2
canale
n1
n2
concentrazione
di elettroni
Figura 4.10: Struttura idealizzata relativa alla distribuzione di elettroni nel canale di
un MOSFET.
Dn (n2 n1 )
n1 = = 4 1011 cm3
n V21
La densita di corrente vale quindi
dn V12
Jt = Jd = q Dn = q n1 n 0, 064 A cm2
dx L
106
Capitolo 5
107
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Modello Matematico Generazione e
Ricombinazione
dei semiconduttori 5.1.1,2,3,4,5
Ipotesi di
Applicazioni del
quasi neutralita
modello matematico 5.2.1
Misure di mobilita
5.2.4
Semiconduttore Neutralita nei
illuminato semiconduttori
5.2.2,3,6,7 lunghezza di Debye
rilassamento diel.
5.3.1, 5.3.2, 5.3.3, 5.3.4
5.3.5, 5.3.6, 5.3.6
Esperimento di
Haynes Schokley
5.2.3,5.2.5
Generazione e ricombinazione
Il numero degli elettroni e delle lacune in un semiconduttore e il risultato dellequi-
librio dei due fenomeni opposti di generazione e di ricombinazione. Tali fenomeni sono
deniti mediante le grandezze seguenti:
- velocita di generazione G = numero dei portatori generati a coppie nellunita di
tempo e di volume;
- velocita di ricombinazione R = numero dei portatori che si ricombinano a coppie
nellunita di tempo e di volume;
- velocita netta di ricombinazione U = R G.
La generazione di coppie elettrone-lacuna e conseguenza dellassorbimento di energia
suciente a rompere legami covalenti. Lenergia puo essere termica (dipendente da T ),
oppure acquisita da fotoni oppure da portatori ad alta energia (generazione per urto).
La ricombinazione e il fenomeno casuale di ricomposizione di legami covalenti per
lincontro elettrone-lacuna; R e proporzionale alle densita dei portatori.
Il tempo di vita media degli elettroni (n ) o delle lacune (p ) e il tempo che trascorre
in media prima che un portatore scompaia per ricombinazione.
Transizione diretta banda-banda. Lassorbimento di energia E > Eg da parte di
un semiconduttore provoca il passaggio di un elettrone dalla banda di valenza a quella
di conduzione. Nascono in coppia un elettrone libero e una lacuna libera. Avvenuta
108
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
p n n2i
Ut = h i h i (5.3)
n0 p + ni exp Ei kT
Et
+ p0 n + ni exp Et kT
Ei
dove n e p sono le aree che i centri di cattura presentano agli elettroni e alle lacune
rispettivamente.
Generazione per urto. Per quanto concerne la generazione in cui lenergia viene for-
nita da altri portatori a grande energia, di notevole interesse e il caso della generazione
per urto in cui i portatori cedono lenergia acquisita dal campo elettrico. La velocita
di generazione di coppie dovuta a ionizzazione per urto e
1
Gurto = n nvn + p pvp = (n |Jn | + p |Jp |) (5.5)
q
109
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Silicio GaAs
elettrone lacuna elettr. e lacune
Per il silicio a 300 K, ottima aderenza con i risultati sperimentali si ha con lespressione
h i
= A E exp (b/E)2
dove
Per maggiore semplicita di calcolo si usano anche approssimazioni meno corrette del
tipo (per il GaAs)
6
E
= 0, 1465 104 cm1
4 105
Generazione per opera di fotoni. Nel caso di fotoni con energia superiore alla banda
proibita la densita dei fotoni (numero di fotoni al secondo e al cm2 ) nel semicondut-
tore varia con la penetrazione x come = 0 exp (x), dove e il coeciente di
assorbimento (funzione della lunghezza donda). La velocita di generazione di coppie
elettrone-lacuna dovuta a fotoni e
Gott = 0 ex (5.7)
n = n = n n0 (5.8)
p = p = p p0 (5.9)
110
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Jn (x) A Jn (x+dx)
dx
x x+dx
Figura 5.2: Elemento innitesimo di semiconduttore di volume A dx.
EF n EF p = qVa
111
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
allinterno del volume. Se si considera per esempio il caso degli elettroni e si indicano
con Gn e Rn il numero di elettroni che nellunita di tempo e di volume vengono generati
e si ricombinano, si ha
n Jn (x) Jn (x + dx)
dx A = A + (Gn Rn ) Adx
t q q
n 1 Jn
Adx =A dx + (Gn Rn ) Adx
t q x
da cui, eliminando A dx da entrambi i membri, si ottiene lequazione di continuita per
gli elettroni:
n 1 Jn
= + (Gn Rn )
t q x
p 1 Jp
= + (Gp Rp )
t q x
112
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
p 1 Jp p
= + (Gp Rp ) Jp = q p p E q Dp
t q x x
Equazione di Poisson
q
= (Nd+ Na + p n)
x 2 E =
x
= p n + Nd+ Na
113
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n 2n n n0
= Dn 2
(5.12)
t x n
p 2p p p0
= Dp 2
(5.13)
t x p
R = rnp
5.1.2
Si abbia un pezzo di silicio con drogaggio uniforme di tipo n illuminato da una radiazione
di frequenza opportuna, in grado di produrre a coppie lacune ed elettroni in eccesso p
e n . Allistante t = 0 si elimina la radiazione; si vuole determinare
114
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Siano nn0 e pn0 le concentrazioni di elettroni e lacune allequilibrio termodinamico. Il
tasso netto di ricombinazione, che in questo caso e fornito dalla legge ottenuta nel prob-
lema 5.1.1, rappresenta per denizione la variazione nellunita di tempo (diminuzione)
della concentrazione di portatori, pertanto
Se vale lipotesi di quasi neutralita le due concentrazioni in eccesso sono eguali: pn (t)
pn0 = nn (t) nn0 , quindi la variazione temporale della concentrazione degli elettroni
e identica a quella delle lacune
b)
Il numero di lacune in eccesso che si ricombinano tra t e t + dt e
1 t/p
dpn (t) = pn (0) e dt
p
poiche ogni lacuna ha vissuto un tempo t, la durata totale del tempo vissuto da queste
lacune e t dpn (t). La durata totale della vita di tutte le lacune in eccesso, divisa per
il numero totale delle lacune iniettate fornisce il tempo di vita medio delle lacune in
eccesso
Z Z
1
1
t = t dpn (t) = t et/p dt
pn (0) 0 p 0
Il tempo di vita medio dei portatori in eccesso, siano essi minoritari o maggioritari 6 , e
eguale alla costante di tempo del decadimento esponenziale con cui le cariche iniettate
tornano ai propri valori di equilibrio.
6
Nei limiti di validita dellipotesi di quasi neutralita.
115
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
5.1.3
Si consideri un campione di GaAs (Eg = 1, 42 eV a 300 K) illuminato con luce di
lunghezza donda = 0, 6135 m e di intensita 0, 3 W m2 . Supponendo che la luce
venga assorbita in uno strato di spessore s = 0, 3 m, si determinino le concentrazioni n
e p nello strato in funzione della profondita x. Si calcolino i valori delle concentrazioni
in eccesso di elettroni e lacune alla supercie e il loro valore medio nello strato. Si
ripeta questultimo calcolo nel caso di lunghezza donda = 0, 85 m. Si assuma
r = 1, 48 1016 m3 s1 (coeciente di ricombinazione)
ni = 1 107 cm3
Nd = 5 1015 cm3
( = 0, 6135 m) = 1 105 cm1 (coeciente di assorbimento)
( = 0, 85 m) = 1 104 cm1
116
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n = Gott p
p = Gott p
c 3 108
f == = 4, 812 1014 Hz
0, 6235 106
E = hf = 1, 866 1019 J = 2, 99 eV
Dato che Eg = 1, 43 eV, si conclude che ogni fotone puo generare una coppia elettrone-
lacuna 8 .
Per trovare il legame cercato, si considera uno strato di semiconduttore compreso tra
le sezioni x e x + dx. Il numero di coppie generate nellunita di tempo in questo strato
e pari al numero di fotoni assorbiti nellunita di tempo. La densita dei fotoni (numero
di fotoni al secondo e al cm2 ) nel semiconduttore varia con la penetrazione x come
= 0 exp (x), dove e il coeciente di assorbimento (funzione della lunghezza
donda) e 0 e la densita in supercie (x = 0).
Se I e lintensita della radiazione incidente , cioe la quantita di energia che arriva per
unita di superce e di tempo, e se la radiazione e monocromatica, e suciente dividere
per lenergia di un fotone per ottenere il usso di fotoni in supercie 9
I
0 =
hf
Il numero di coppie generate per unita di volume e nellunita di tempo in x: Gott (x),
e pari alla variazione del usso di fotoni d, cambiata di segno e divisa per lo spessore
dx nellunita di tempo
d
Gott (x) = = 0 ex
dx
I
Gott (x) = ex
hf
Ne segue che le concentrazioni in eccesso sono
I
n (x) = p (x) = p ex
hf
Usando i valori numerici
1
p = = 1350 ns
1, 48 1016 m3 s
5 1021 m3
I 0, 3W m2
p = 1350 109 s = 2, 17 1012 m2
hf 1, 866 1019 J
8
Lenergia e molto superiore a Eg . Gli elettroni e le lacune generati hanno energia piu elevata del
minimo della rispettiva banda. Lenergia in piu viene in breve tempo ceduta al reticolo sotto forma di
fononi (calore) e i portatori si portano al minimo della banda.
9
Si trascura il fenomeno della riessione di fotoni alla supercie.
117
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Da cui
Per calcolare il valore medio del numero di portatori in eccesso generati dalla pioggia
di fotoni si integra sullintero spessore del semiconduttore e si divide per lo spessore
Z s Z s
1 1 I
n = p = n (x) dx = p ex dx
s 0 s 0 hf
1 I 1 x s 1 I
= p e = p 1 es
s hf 0 s hf
Nella gura 5.4, sono riportati gli andamenti di (x) e n (x) per i due valori di
considerati. Si vede che i fotoni di piu corta lunghezza donda sono assorbiti in misura
maggiore degli altri. Dato che 1/ e la lunghezza caratteristica con cui i fotoni vengono
assorbiti risulta logico che, quando = 107 m1 (cioe 1/ = 107 m = 0, 1 m), in uno
spessore pari a tre volte la costante dellesponenziale quasi tutti i fotoni ( 95%) siano
assorbiti.
5.1.4
Ricavare lespressione della velocita netta di ricombinazione nel caso di transizione
attraverso trappole nel caso semplicato in cui n p .
Si determini in questo caso il valore che deve avere il livello della trappola per la
massima velocita di ricombinazione.
p n n2i
U = h i (5.14)
0 p + n + 2ni cosh Et kT
Ei
118
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 8 x10 13
2.5 2.5
. .
. .
. .
. .
2 . . 2
. .
. .
. . .
. . .
. .
1.5 1.5
1 1
0.5 0.5
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . .
0 0
0 0.1 0.2 0.3 0 0.1 0.2 0.3
profondita, um profondita, um
Figura 5.4: Flusso dei fotoni e delleccesso di portatori allinterno del campione di
semiconduttore: fotoni con = 0, 6135 m e = 105 cm1 , fotoni con =
0, 85 m e = 104 cm1 .
5.1.5
Si scriva lespressione della velocita netta di ricombinazione nel caso di un semicondut-
tore di tipo n in cui siano presenti trappole con livello profondo Et e con concentrazione
Nt . Si facciano le semplicazioni tipiche di un semiconduttore drogato in condizioni di
basso livello di iniezione. Si valutino i tempi di vita media dei portatori.
dove n2i = nn0 pn0 . Nellipotesi di basso livello di iniezione e nn nn0 inoltre nel
denominatore, dato che verosimilmente n0 e p0 sono dello stesso ordine di grandezza,
e trascurabile laddendo relativo alle lacune. Si ha
nn (pn pn0 )
Ut h i
p0 nn + ni exp Et kT Ei
119
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Et Ei EF Ei
Dato che si tratta di livelli profondi, e ni exp kT < ni exp kT = nn , per
cui
pn pn0
Ut
p0
dove
p0 = (Nt vth p )1
assume il signicato di tempo di vita media dei portatori minoritari (lacune) ed e in-
versamente proporzionale alla densita dei livelli trappola.
Nota
Si ha idea del valore anche dei portatori maggioritari scrivendo le due concentrazioni
fuori equilibrio nella forma nn = nn0 + n e pn = pn0 + p. In condizioni di basso
livello di iniezione, per le concentrazioni in eccesso si ha n , p nn , inoltre il loro
quadrato e trascurabile rispetto alle altre concentrazioni.
Si trova, seguendo il precedente schema di approssimazioni,
pn pn0 nn nn0
Ut + nn0
p0 pn0 p0
da cui si vede che il tempo di vita medio dei portatori di maggioranza e pari a quello
dei portatori di minoranza moltiplicato per il rapporto nn0 /pn0 , che varia, secondo il
drogaggio, approssimativamente da 108 a 1018 .
La legge di Gauss per un mezzo in cui la permittivita sia uniforme fornisce una
equazione per il campo elettrico
E =
dove e la carica volumica
= p n + Nd+ Na
120
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Figura 5.5: Tempo di vita dei portatori minoritari p in funzione del livello di drogaggio
del semiconduttore.
5.2.2
Si abbia un campione di silicio lungo L, drogato di tipo n (Nd = 1017 cm3 ), illumina-
to costantemente e uniformemente a una estremita. Si suppone che il usso luminoso
generi sulla faccia illuminata una concentrazione di coppie elettrone-lacuna pari a circa
1012 cm3 .
Si determinino in funzione della distanza x dalla faccia illuminata le densita dei por-
tatori e le correnti di diversa natura.
Si usi la curva della gura 5.5 10 , che riporta i valori misurati sperimentalmente
del tempo di vita dei portatori minoritari. Si faccia lipotesi di quasi neutralita, ovvero
che la costante di tempo di decadimento esponenziale della concentrazione iniettata
dei portatori maggioritari coincida con quella dei minoritari. Si considerino per la
lunghezza del campione i casi seguenti:
1) L = 10 m
2) L = 1 mm
3) L = 1 m
Si mettano in evidenza dettagliatamente le ipotesi o le approssimazioni che si devono
introdurre. In particolare si verichi, al termine dellesercizio, la validita dellipotesi
E 0 controllando lequilibrio delle correnti nel caso di circuito aperto.
Nelluso del modello matematico per lo studio dei semiconduttori e necessario fare
alcune ipotesi semplicative.
- 1a ipotesi Si suppone che il semiconduttore si trovi in condizioni di quasi neu-
tralita con E 0 e che le cariche di segno opposto si compensino localmente
(problema 5.2.1). Questipotesi, che sicuramente sarebbe vericata in un semicon-
duttore omogeneo allequilibrio, potrebbe non esserlo nel caso di semiconduttore
illuminato. Al termine si procedera a vericare la validita dellipotesi.
- 2a ipotesi Si considerano solo fenomeni di generazione-ricombinazione diretta di
natura termica. I termini di generazione e ricombinazione assumono un aspetto
semplice (problema 5.1.1) e, in condizioni di neutralita punto per punto, si ha 11
p p0 n n0
Gp Rp = Gn Rn =
p p
121
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
e quindi
n n n
= n n E + Dn
t x x p
p p p
= p p E Dp
t x x p
n (0) = A + B
122
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
cioe
eL/Ln
B = n (0)
e"L/Ln e+L/Ln #
eL/Ln
A = n (0) 1 L/L
e n e+L/Ln
( )
e(Lx)/Ln e(x+L)/Ln e(Lx)/Ln + e(L+x)/Ln
= n (0) (5.15)
eL/Ln e+L/Ln
"
# Lx
e (Lx)/L n e (Lx)/L n /2 sinh Ln
= n (0)
L/L L/L
= n (0) (5.16)
e n e n /2 sinh L
Ln
Le due espressioni trovate sono valide in generale, anche quando le lunghezze di diu-
sione sono confrontabili con la lunghezza del campione; in alcuni casi particolari possono
essere semplicate.
Passando dal caso generale al caso particolare in esame si hanno per le grandezze
caratteristiche i valori seguenti.
a) Mobilita: in base alla concentrazione di impurita presente nel semiconduttore si
ha dai graci
n = 800 cm2 V1 s1
p = 245 cm2 V1 s1 .
b) Diusivita: applicando la relazione di Einstein, si ottengono a partire dalle mo-
bilita
Dn = 800 0, 026 = 20, 8 cm2 s1
Dp = 245 0, 026 = 6, 37 cm2 s1 .
c) Tempo di vita della concentrazione in eccesso: dalla curva del tempo di vita
dei portatori minoritari in funzione della concentrazione delle impurita si ottiene
p = 3, 4 108 s.
d) Lunghezze di diusione: dalle due grandezze precedenti si ha
123
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
p p
Ln = Dn p = 20, 8 3, 4 108 = 8, 41 m
p p
Lp = Dp p = 6, 37 3, 4 108 = 4, 65 m.
Le lunghezze di diusione degli elettroni e delle lacune sono i parametri caratter-
istici dellandamento esponenziale delle concentrazioni in eccesso: il semiconduttore
sara lungo o corto rispetto a tali lunghezze di confronto. Dato che Ln = 8, 41 m e
Lp = 4, 65 m, il campione di lunghezza L = 10 m ha lunghezza confrontabile con
le lunghezze di diusione e valgono le espressioni generali; il campione lungo 1 mm e
invece sicuramente lungo, mentre quello lungo 1 m e corto, quindi in questi casi si
possono operare semplicazioni.
- L Ln,p , campione lungo
se il campione risulta molto piu corto delle lunghezze di diusione, si hanno fun-
zioni seno iperbolico, con argomento assai piccolo, che possono essere approssi-
mate con largomento (sinhy0 (y) y), pertanto
sinh LxLn
Lx
Lx
n (x) = n (0) n (0) LLn = n (0) (5.20)
sinh LLn Ln
L
L x Lp Lx
p (x) p (0) = p (0) (5.21)
Lp L L
Sotto lipotesi di quasi neutralita il campo elettrico e nullo e il calcolo delle correnti si
riduce allesame delle correnti di diusione
n
Jn Jn,diff = qDn
x
p
Jp Jp,diff = qDp
x
E necessario analizzare separatamente i casi delle tre diverse lunghezze del campione
di silicio, in quanto dierenti sono le espressioni che si devono usare per le correnti di
diusione.
124
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1 L = 10 m Ln,p
2 L = 1 mm Ln,p
3 L = 1 m Ln,p
q n n E = Jn,diff Jp,diff
125
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
s
Lx
1 Dn cosh Ln
E(x) = q n (0) +
q n n p sinh LLn
s
Lx
Dp cosh Lp
q p (0)
p sinh LLp
"s
1 Dn L
E(0) = q n (0) coth +
q n n p Ln
s #
Dp L
q p (0) coth = 1, 965 104 Vcm1
p Lp
3 L = 1 m Ln,p
126
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 -4
3.2
3.15
Campo elettrico [V/cm]
3.1
3.05
2.95
2.9
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Profondita[cm] x10 -4
Figura 5.6: Andamento del campo elettrico nel semiconduttore lungo 10 m, calcolato
nellipotesi di quasi neutralita.
Risulta evidente dalle tre espressioni trovate che il valore del campo elettrico nel semi-
conduttore tende a crescere allallontanarsi del rapporto Dn /Dp dallunita, pertanto
quanto piu le costanti di diusione sono dierenti tanto meno e valida lipotesi di quasi
neutralita.
Lipotesi di considerare E = 0 ha permesso il calcolo delle concentrazioni n (x), p (x)
e delle correnti di diusione, in realta essa e in accordo con lequazione di Poisson
solo se Dn = Dp . Se ci si allontana dalla situazione Dn = Dp non si ha piu con-
sistenza tra lequazione di continuita e lequazione di Poisson. Queste considerazioni
mettono in evidenza come sia scorretto limpiego di un modello matematico in cui le
soluzioni delle equazioni di continuita, di Poisson e di trasporto non vengano soddisfatte
simultaneamente.
5.2.3
Si valuti landamento delle concen-
trazioni dei portatori in un semi- hf
conduttore drogato di tipo n con
Nd = 5 1016 cm3 , lungo 2 mm,
che venga costantemente illumina-
to nella sua regione centrale (gu-
ra 5.8). Si assuma che la concen-
trazione di coppie elettrone-lacuna
generate dalla radiazione sia pari a
1013 cm3 . 0 x
Si valuti inoltre lapplicabilita del- Fig. 5.8 Struttura del semiconduttore illuminato
lipotesi di quasi neutralita. nella sua parte centrale.
127
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
hf
A
+
E 0
x
x
5.2.4
Si studi lesperimento di Haynes-Schockley.
E possibile valutare levoluzione tem-
porale di un pacchetto di portatori
generati in un semiconduttore da un
lampo luminoso, utilizzando il model-
lo matematico per lo studio dei semi- G t
conduttori. Si supponga di colpire al-
listante t = 0 una striscia larga x
di un campione di semiconduttore con
un lampo luminoso, come indicato nel- A
la gura 5.9, e si valuti landamento
nel tempo delle concentrazioni di car-
ica prodotte per generazione ottica.
Se G e il numero di coppie generate per
unita di tempo e di volume, si puo as-
sumere che il numero totale di elettroni x
e di lacune iniettate: N e P , generati
dallimpulso luminoso in t = 0, sia
valutabile con Fig. 5.10 Distribuzione idealizzata del-
leccesso di carica generata dal campo
N = P = G x A t luminoso.
Partendo dal modello matematico dei semiconduttori e facendo lipotesi che per t > 0 la
generazione-ricombinazione sia solo di natura termica e diretta, si ottiene, sostituendo
128
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
" #
2
H (x v t) t
n = exp
Bt C t E
129
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove
(x v t)2 t
=
C t E
Sostituendo nellequazione di continuita
H 1 1 2 (x v t) (x v t)2 1
exp() B + v + C +
Bt Bt 2 C t (C t)2 E
2 (x v t) 4 (x v t)2 2 n
+n E + Dn + =
C t (C t)2 C t n
e raccogliendo si ha
H 1
1 2 Dn (x v t)
exp() + + (2 v + 2 n E) +
Bt
2 t E C t | C t {z }
v=n E
2
(x v t) n
+ (C 4 D n ) =
(C t)2 | {z } n
C=4 Dn
Anche si attui leguaglianza tra i due membri dellequazione, deve scomparire lad-
dendo che contiene il campo elettrico: v = n E; di conseguenza anche laltro termine
che contiene v deve annullarsi: C = 4Dn . Resta
H 1 1 2 Dn H 1 n
exp() + = exp() =
Bt 2 t E 4 Dn t Bt E n
H
n E
exp() =
Bt n
Per confronto con lespressione della soluzione cercata si ottiene E = n . Le ultime due
costanti si determinano esaminando la distribuzione
H (x + n E t)2 t
n = exp
Bt 4 Dn t n
13
Si usa lintegrale
Z +
2
x2
er dx =
r
130
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 17
7
0
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
x10 -5
Figura 5.11: Eccesso di elettroni (cm3 )in assenza di campo elettrico esterno nel caso:
G=4 1019 cm3 s1 , t=1ms, Dn =20,8 cm2 s1 , n =800 cm2 V1 s1 , n = 3, 4 108 s.
Le curve sono relative a t = 0, 10, 50, 100 ps e in ascissa si ha la distanza in cm dalla
sezione centrale del semiconduttore.
Interpretazione sica
1) Nel caso in cui non si applichi campo elettrico (E = 0)
N /A x2 t
n = exp
4 Dn t 4 Dn t n
Anche in questo caso la concentrazione tende a essere riassorbita, infatti larea diminuisce
come et/n (allargandosi), ma contemporaneamente la distribuzione degli elettroni in
eccesso trasla verso destra per gli elettroni con velocita pari a n E.
Per le lacune (g. 5.13) valgono considerazioni analoghe, ma la gaussiana, che rappre-
senta la distribuzione in eccesso di lacune, trasla verso sinistra con velocita p E mentre
larea diminuisce con legge esponenziale.
131
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 17
7
0
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
x10 -4
5.2.5
Lesperimento di Haynes e Shockley puo essere usato per misurare sperimentalmente
la mobilita dei portatori nei semiconduttori. Nello schema sperimentale illustrato nella
gura 5.14, si ha x = 10 m, V0 = 10 V e VC = 5 V. Limpulso di cariche viene
generato applicando un impulso di tensione di polarizzazione diretta su un diodo p-n.
Il ritardo tra limpulso generato in AA e quello rilevato in BB e t = 0, 21 ns. Si
valuti la mobilita delle lacune.
Le due regioni 14 n+ poste nella parte inferiore operano come contatti metallici (ohmici)
tra il semiconduttore e i connettori esterni. Applicata tra di esse una dierenza di
potenziale, nella barretta, ove si vuole misurare la mobilita delle lacune, nasce un campo
elettrico (longitudinale) uniforme. Le due regioni p poste superiormente formano con il
semiconduttore di tipo n due giunzioni. Alla seconda giunzione e applicata una tensione
di polarizzazione inversa pari a VC .
Se si applica un impulso di tensione tra A e A la prima giunzione p n iniettera un
impulso di lacune nel semiconduttore di tipo n ove il campo elettrico le trascinera verso
la seconda giunzione che le raccogliera. E possibile rilevare il tempo di propagazione
lungo il tratto x.
Nel problema 5.2.4 si trova la forma della distribuzione di lacune dovute a una iniezione
di cariche di tipo impulsivo
p/A (x p E t)2 t
p =p exp
4 Dp t 4 Dp t p
il massimo della curva gaussiana trasla con velocita pari a p E. Quindi nel caso in
14
Regioni molto drogate di tipo n.
132
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 17
12
10
0
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
x10 -4
Figura 5.13: Andamento nel tempo delleccesso di lacune (cm3 ) in presenza di cam-
po elettrico esterno pari a E = 800 Vcm1 nelle stesse condizioni supposte nella
gura 5.11.
5.2.6
Si consideri una giunzione n+ p in cui il lato p, con drogaggio Na = 5 1016 cm3
(n = 50 ns), sia lungo Wp = 300 m. Supponendo che nella regione p il campo E sia
nullo, si determinino:
a) landamento delleccesso di portatori np (x) nel lato p e il suo valore al bordo della
regione di carica spaziale con una polarizzazione diretta pari a 0, 65 V.
Rimuovendo lipotesi di campo elettrico nullo e supponendo che nel lato p sia presente
un campo elettrico costante e pari a 3 V cm1 si determinino:
b) lespressione di np al bordo delle regione di carica spaziale in funzione del campo
elettrico e il corrispondente valore per una tensione applicata di 0, 65 V;
c) landamento di np (x) assumendo come parametro il valore del campo elettrico. Si
discuta il senso sico del risultato.
a)
Le grandezze che determinano il comportamento degli elettroni nel lato p sono 15
15
La mobilita e ottenuta dal graco riportato in appendice per la concentrazione Na = 5 1016 cm3 .
133
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
s B s
0,6 A p p
n
n+ n+ R
s B s
A
V0 VC t
n = 975 cm2 s1 V1
Dn = kT /q n = 25, 35 cm2 s1
n = 50 ns
Ln = Dn n = 11, 2 m
np (x) = np (0)ex/Ln
b)
Se si rimuove lipotesi di campo elettrico nullo nella regione quasi-neutra e supponendo
che questo sia costante e pari a 3 Vcm1 , si hanno conseguenze sullentita della iniezione
degli elettroni e quindi sullandamento della concentrazione degli elettroni nel lato p.
16
Tale espressione, che in questo caso permette solamente di valutare il livello di iniezione, sara
studiata a fondo nei capitoli 9 e 10.
134
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 14
3.5
2.5
Eccesso di eln [V/cm]
1.5
0.5
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03
Profondita[cm]
Figura 5.15: Andamento degli elettroni iniettati nel lato p con una polarizzazione
diretta di 0,65 V.
La presenza di un campo elettrico costante indica che esiste una caduta resistiva nel
lato p che riduce la tensione eettiva sulla giunzione al valore
VJ = V Vp = V EWp
Si nota come la presenza di un campo relativamente debole porta a una riduzione del-
leccesso di elettroni di quasi due ordini di grandezza.
c)
Per quanto riguarda leetto sullandamento della concentrazione, la presenza di un
campo elettrico modica la forma dellequazione di continuita. Infatti sostituendo
nellequazione
n 1 Jn n
=
t q x n
la corrente di elettroni
dn
Jn = qn nE + qDn
dx
si trova per lequazione di continuita, dato che il campo e costante, la seguente espres-
sione
dn d2 n n
n E + Dn 2 =0
dx dx n
135
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Dn 2 + n E 1/n = 0
n (x) = A e1 x + B e2 x
e presenta landamento tracciato nella gura 5.16; le diverse curve sono caratterizzate da
diversi valori del campo elettrico esterno: al crescere del campo le curve degli elettroni
iniettati presentano valori inferiori.
x10 14
3.5
2.5
Eccesso di elettroni[cm^-3]
1.5
0.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Profondita[cm] x10 -5
Figura 5.16: Andamento di np (x) per valori di campo elettrico (curve a partire dallalto)
rispettivamente di 0, 1, 2, 3, 4, 5 V cm1 .
136
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
5.2.7
Si consideri un campione di silicio di lunghezza L = 50 m e di sezione S = 100 m2 ,
drogato con una concentrazione di impurita variabile lungo il semiconduttore, Nd (x) =
Nd0 (1 + x/L). Supponendo la completa ionizzazione delle impurita, si ricavi unespres-
sione dierenziale per il calcolo della corrente di diusione e del campo elettrico nel
materiale. Supponendo di poter approssimare la distribuzione dei portatori con quella
del drogante (quasi neutralita), si calcoli il valore numerico della corrente di diusione
e si ricavi landamento del campo elettrico.
La corrente totale attraverso il materiale deve essere nulla ed e somma di una compo-
nente di diusione, proporzionale al gradiente della concentrazione di elettroni n, e di
una di trascinamento, proporzionale al campo elettrico e alla densita di carica ; poiche
ogni elettrone che si allontana per diusione lascia scoperta una carica positiva, si ha
(trascurando le lacune)
k T d2 n dn dE
= E n
q dx2 dx dx
Si applica ora lequazione di Poisson per scrivere
dE q
= = (Nd n)
dx
e dunque, sostituendo
k T d2 n k T dn 2 q
( ) + (Nd n) n = 0
q dx2 n q dx
Risolvendo lequazione dierenziale, si ottiene la concentrazione dei portatori n(x), dal-
la quale si determinano la corrente di diusione e il campo elettrico.
137
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
N (x) = b ax
In ogni volume del semiconduttore gli atomi donatori, ionizzandosi, producono in egual
numero elettroni liberi nella banda di conduzione e ioni positivi (Nd+ ) immobili nel
reticolo cristallino; gli atomi accettatori, ionizzandosi, forniscono in egual numero la-
cune libere nella banda di valenza e ioni negativi (Na ) nel reticolo. Inoltre elettroni
e lacune generati termicamente nascono e scompaiono a coppie, pertanto in condizioni
di equilibrio termodinamico il fenomeno e intrinsecamente bilanciato.
Il numero totale delle cariche positive e pari a quello delle cariche negative
Nd+ + p Na n = 0
Pertanto
(P ) = e (Nd+ + p Na n) = 0
Se il drogaggio e omogeneo la concentrazione delle cariche libere n e p e costante allin-
terno del semiconduttore e non si vericano fenomeni di diusione che provocherebbero
spostamenti di portatori mobili e quindi genererebbero zone di non neutralita.
5.3.2
Si consideri un semiconduttore drogato di tipo n con prolo di drogaggio a variazione
lineare come indicato nella gura 5.17.
a)
Se la temperatura e sucientemente alta perche tutte le impurita siano ionizzate, si
ha nel semiconduttore una variazione graduale di cariche immobili (ioni positivi) di
densita volumica qN , che si riduce linearmente da sinistra verso destra. Allequilibrio
138
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
termodinamico e una nube di elettroni, che punto per punto neutralizza le cariche
positive
n(x) = N (x) = b ax
b)
In assenza di corrente totale (il campione di semiconduttore e in condizioni di circuito
aperto) la somma totale delle correnti deve essere nulla.
Come si e visto gli elettroni si muovono per opera della diusione (Jn,diff ) e del cam-
po elettrico (Jn,trasc ), ma anche le lacune presentano un gradiente di concentrazione
[pn (x) n2i /N (x)] e subiscono un processo di diusione (Jp,diff ). Il campo elettrico
inoltre muove le lacune in verso opposto (Jp,trasc ).
La relazione di equilibrio tra le varie componenti delle correnti e
c)
La situazione di equilibrio tra le correnti vale singolarmente per lacune ed elettroni,
cioe devono essere separatamente nulle la corrente totale di elettroni e quella di lacune.
Se cos non fosse vorrebbe dire che, in condizioni di circuito aperto, la corrente totale
di elettroni che uisce in un verso dovrebbe essere bilanciata dalla corrente totale di
lacune in direzione opposta. Elettroni e lacune sono cariche di segno opposto, quindi
per dare luogo a correnti di segno opposto devono muoversi nello stesso verso. La
compensazione delle due correnti comporta il moto sia di elettroni sia di lacune verso lo
stesso estremo del pezzo di semiconduttore. A un estremo dovrebbero crearsi coppie di
portatori (fenomeno che assorbe energia) che trasmigrano allaltro estremo. Si avrebbe
un trasferimento di energia da un estremita allaltra e cio in condizioni di equilibrio
termodinamico e in contrasto con la seconda legge della termodinamica.
In conclusione le correnti totali di elettroni e di lacune devono annullarsi separatamente
(principio dellequilibrio dettagliato).
5.3.3
Si supponga che in un pezzo di silicio a T = 300 K si abbia una distribuzione di elettroni
liberi, come illustrato nella gura 5.17, con n1 = 5 1017 cm3 , n = 1417 cm2 V1 s1
e w = 1 m, e che non vi sia alcuna carica che li neutralizza.
1. Al ne di valutare se la congurazione di carica illustrata e accettabile, si calcolino
il campo elettrico, nellipotesi che sia nullo in x = w, e la corrente per x = 0
necessari per sostenere la distribuzione di carica libera.
Si tenga presente che la densita di corrente massima, prima che la dissipazione
di potenza possa causare un danno irreversibile, vale 105 A cm2 .
139
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2. Si assume ora che siano presenti cariche positive di compensazione, la cui concen-
trazione abbia lo stesso andamento di quella degli elettroni liberi, ma con valore
massimo Nd0 . Si calcoli il valore di Nd0 corrispondente al massimo della densita
di corrente (punto a).
Si esprima lo scostamento tra cariche di segno opposto come frazione della con-
centrazione degli elettroni liberi, per vericare, anche in questa condizione limite,
il grado di neutralita elettrica del pezzo di silicio.
n1 = 5 1017 cm3 Nd0
x x
n(x) = n1 1 N (x) = nd0 1
w w
0 w x 0 w x
Fig. 5.17 Andamento spaziale della Fig. 5.18 Andamento spaziale della
distribuzione dei portatori. carica neutralizzante.
a)
Il campo elettrico si trova integrando la legge di Gauss
E qn(x) qn1 x
= = = 1
x s w
s 2
s
q n1 x
E(x) = x +C
s 2w
140
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
b)
La distribuzione di carica libera assegnata risulta realizzabile in presenza di una dis-
tribuzione di cariche positive (sse) che tendano a compensare la carica degli elettroni
liberi; tale distribuzione ha lo stesso andamento degli elettroni, ma con valore massimo
Nd0 . Nellequazione di Poisson la densita di carica e
x
(x) = q (n1 Nd0 ) 1
w
Di conseguenza valgono le formule dei punti precedenti, pur di sostituire n1 con n1 Nd0 ;
pertanto si ha 18
q(n1 Nd0 ) x2 w q(n1 Nd0 )
E(x) = x+ E(0) =
s w 2 2s
5.3.4
In un semiconduttore di tipo p, drogato uniformemente con una concentrazione di atomi
accettatori Na = 5 1016 cm3 , viene eettuata una impiantazione ionica. Si produce il
prolo di drogaggio
N (x Rp )2
Na Nd = exp
2Rp 2Rp2
18
Si faccia attenzione a un uso corretto di unita di misura coerenti.
141
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove
N = 2, 5 1016 cm2
Rp = 70 nm
Rp = 290 nm
5.3.5
Si consideri un pezzo di semiconduttore drogato di tipo n in modo sostanzialmente
uniforme:
n Nd nn0 = n0
Supponendo che per piccole disomogeneita di drogaggio si abbia un leggero scosta-
mento dalla neutralita elettrica, per cui
(x) = q (n n0 ) 6= 0
si chiede quale sia levoluzione nel tempo della carica volumica, cioe se il semiconduttore
tenda a esaltarla o ad annullarla.
Dato che si desidera determinare unevoluzione nel tempo, occorre usare lequazione di
continuita, in cui si possono introdurre le seguenti approssimazioni:
- il drogaggio e sostanzialmente omogeneo,
n 0 Jdiff 0
J Jtrasc = E = qnv
142
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E
=
x s
Sostituendo si ottiene lequazione che regola levoluzione nel tempo della carica spaziale
nel semiconduttore (n n0 )
d
= (qn0 )
dt s
dove
s s
d = =
qn0
e il tempo di rilassamento dielettrico.
Levoluzione nel tempo della carica spaziale 6= 0 dipende dal segno dellesponente. Se
lesponente e negativo ( > 0) la carica spaziale si spegne esponenzialmente nel tempo
con costante di tempo d . Nel semiconduttore si ripristina la condizione di neutralita
( = 0) tanto piu rapidamente quanto piu piccolo e il tempo di rilassamento, cioe
quanto piu elevata e la conducibilita (il drogaggio). Se pero lesponente e positivo, cioe
se la mobilita dierenziale e negativa (come si verica nel GaAs), la carica spaziale
cresce esponenzialmente nel tempo.
5.3.6
Si consideri un campione di semiconduttore di tipo n, con un drogaggio pari a Nd .
Supponendo che esista uno scostamento, rispetto al valore che garantisce la neutralita,
della concentrazione dei portatori
1. nello spazio
n(x) = Nd + n(x)
2. nel tempo
n(t) = Nd + n(t)
19 dy
Rx
Lequazione dierenziale dx
= a(x) y ha soluzione generale del tipo y(x) = y(0) exp( 0
a(x) dx).
143
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
q d2 n(x)
n Nd n(x) + Dn = 0
s dx2
e usando la relazione di Einstein
d2 n(x) n Nd q Nd q 2
= n(x) = n(x)
dx2 s Dn T s
La quantita
r
T s
LD
Nd q 2
144
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
L2D
d
Dn
n(t) = A et/d
145
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Imponendo ora che per t = 0 leccesso di portatori sia pari a n(0), si ottiene
5.3.7
Si studi lo scostamento dalla neutralita che si verica allequilibrio termodinamico in un
semiconduttore drogato in modo non omogeneo, con impurita completamente ionizzate.
Si scriva lequazione dierenziale che, noto il prolo di drogaggio N (x), consente di
trovare landamento del potenziale (x).
5.3.8
Si esamini che cosa succede in un semiconduttore ai margini di una regione in cui il
drogaggio non e uniforme e il potenziale 6= 0 (problema 5.3.7). Nella regione adia-
cente, a drogaggio uniforme, il potenziale tende a ritornare al valore 0 caratteristico di
una regione neutra. Si esamini una zona in cui lo scostamento sia piccolo, cioe in cui
sia gia | 0 | 1 e si determini con quale legge si ristabilisce spazialmente la situ-
azione = 0 . Si consideri per esempio un semiconduttore di tipo n sucientemente
drogato (N > 0 e N ni ). Il problema puo essere studiato lungo ununica dimensione.
146
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Nota
In situazioni in cui lo scostamento dalla neutralita non sia piccolo, il secondo membro
della (5.22), per opera del fattore sinh ([u u0 ]/2), varia con [u u0 ] quasi esponen-
zialmente. Pertanto il termine 2 u, che misura la rapidita spaziale con cui varia la
pendenza del potenziale, diventa molto elevato. Per questa ragione ogni scostamento
dalla neutralita (di u rispetto a u0 ) inizialmente elevato si smorza entro una distanza in-
feriore a LD . Dato che lo smorzamento e superiore, la lunghezza di Debye, ottenuta nel
caso di piccoli scostamenti, rappresenta un limite superiore. In un semiconduttore uni-
formemente drogato, allequilibrio termodinamico non si possono trovare scostamenti
signicativi dalla neutralita elettrica per distanze superiori a circa (4 5) LD .
20
Si e usata la relazione di Eistein (kT /q) = D tra la mobilita e la diusivita D.
147
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
5.3.9
Si calcoli il valore del tempo di rilassamento dielettrico nel caso di un metallo tipico e
di semiconduttori (Ge, Si e GaAs) in condizioni di drogaggio solite o limite (inferiore
e superiore). Nel caso dei semiconduttori si calcolino anche le lunghezze di Debye.
148
Capitolo 6
In questo capitolo sono arontati i principali aspetti della tecnologia planare per la
realizzazione di dispositivi integrati.
Si parte dalle tecniche di crescita dei monocristalli e si prosegue con lesame del-
lossidazione termica del silicio. In particolare viene considerata la crescita di ossidi
di campo e di ossidi sottili, sia mantenendo costanti le condizioni di ossidazione, sia
variandole in piu fasi.
Sullossidazione termica, come su tutti gli altri processi tecnologici studiati in questo
capitolo, vengono risolti numerosi esercizi utilizzando il simulatore di processo SUPREM
(di cui viene data in appendice una breve sintesi dei comandi), sopratutto per vericare
di volta in volta laccuratezza dei modelli analitici mediante il confronto con i risultati
della simulazione.
Il processo dellintroduzione controllata di impurita rappresenta la fase piu delicata nella
realizzazione dei dispositivi elettronici integrati, percio viene dedicata particolare atten-
zione allo studio della diusione da fase gassosa e dellimpiantazione ionica. Vengono
poi arontati anche i fenomeni della ridiusione termica e del rinvenimento (anneal-
ing), che sono conseguenze dei successivi cicli termici subiti dal semiconduttore. Tra i
problemi particolari trattati si esamina limpiego di uno strato di ossido come maschera
per lintroduzione di impurita, data la notevole importanza che tale situazione riveste
nelle tecnologie di fabbricazione dei circuiti integrati monolitici.
Il capitolo si chiude con lo studio delle tecniche di realizzazione dei resistori integrati
diusi e con alcuni esercizi sui circuiti ibridi che completano lo scenario delle principali
tecnologie elettroniche.
149
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Si GaAs
As 0,3 Se 0,1
P 0,35 Te 0,064
B 0,8 Si 2
Sb 0,023 Sn 0,08
C 0,07 C 1
O 0,5 S 0,5
Au 2, 5 105 Cr 5, 7 104
1. Quanto e la concentrazione iniziale del drogante nel solido allinizio della crescita
del cristallo?
2. Quanto e la concentrazione del drogante alla supercie del cristallo di silicio dopo
che si sono solidicati 5 kg di materiale fuso?
a)
Si usano i dati
150
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Ossidazione termica Crescita dellossido
sottile 6.2.7
6.2.1, 2,3,4,5,6
Segregazione
Crescita dell ossido di
campo
6.2.8, 9, 10 Variazione B/A
Introduzione
controllata di impurita
Diusione Impiantazione
(a conc. superf. cost.) ionica
6.3.1,3,13 6.3.2, 6, 8, 9, 14
Ridiusione e
Mascheratura tramite rinvenimento
ossido6.3.4, 6.3.5 6.3.7 6.3.10, 11,12
Realizzazione di Realizzazione di resistori
resistori diusi per circuiti ibridi
6.4.1 6.4.2 6.5.1 6.5.2
151
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
b)
Per valutare la concentrazione del drogante alla supercie del cristallo di silicio dopo
che si sono solidicati 5 kg di materiale fuso, si osserva che, nel solidicarsi di un volume
dV di Si, il numero di atomi di fosforo nel silicio fuso varia. Dato che il coeciente di
segregazione Cs /Cl = 0, 35 e minore dellunita, il drogante tende ad essere riutato dal
silicio solido e la concentrazione nel fuso, Cl (t) = PP /V , cresce.
Usando le concentrazioni in peso, se si solidica un peso dPSi = ds dV di fuso, si ha
una perdita peso di drogante nel silicio fuso
1 1
dPP = Cs (t) dV = Cs (t) dPSi = ks Cl (t) dPSi
ds ds
Allistante t se P0 e il peso iniziale del silicio nel crogiolo, il volume complessivo di
silicio fuso e dato da
P0 PSi (t)
V (t) =
dl
152
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Si ottiene che il peso del fosforo nel fuso PP e la concentrazione Cs di fosforo alla
supercie del monocristallo sono
dl
PSi ks ds
P0
PP = C0 1
dl P0
PP
Cs = ks Cl = ks
(P0 PSi )/dl
dl
PSi ks ds
P0
C0 1 dl
PSi ks ds 1
dl P0
= ks = ks C0 1
(P0 PSi )/dl P0
Nel caso in esame PSi = 5 kg, P0 = 10 kg, ks = 0, 35, C0 = 2, 53 106 g cm3 ,
dl /ds = 1, 0868
0.351,08681
5 103
6
Cs = 0, 35 2, 53 10 1 3 g cm3 = 1, 3607 103 mg cm3
10 10
corrispondente a 2, 6461016 atomi/cm3 mentre allistante iniziale era 1, 721016 atomi/cm3 ,
cioe 0, 886 mg cm3 .
6.1.2
Si desidera far crescere un lingotto di silicio con drogaggio di tipo p mediante atomi di
boro con una data concentrazione. Supponendo che la concentrazione nel monocristallo
resti costante al valore che si instaura inizialmente, quale concentrazione di atomi di
boro si deve introdurre nella fusione per avere una concentrazione di 5 1016 cm3 ? Il
peso iniziale del silicio e 70 kg.
153
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
6.2 Ossidazione
La cinetica della crescita dellossido durante un processo di ossidazione termica denisce
lo spessore xox dellossido mediante lequazione:
x2 + A x = B (t + )
dove
2 D C
1 1
A=2D + ; B=
k h Nox
Nox densita molecole ossidanti per unita di volume
D diusivita
C concentrazione di equilibrio con lossidante in fase gassosa
k velocita di reazione allinterfaccia
h velocita di trasferimento di massa in fase gassosa alla super-
cie dellossido (h 1)
Pertanto
"s # "r #
A t+ A Bt+
xox = 1+ 2 1 = 1+4 1
2 A /4 B 2 A A
con le approssimazioni
B (t + ) t piccolo (ossidi sottili)
(
A
Bt t grande (ossidi spessi)
154
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove xox,old indica lo spessore dellossido allinizio del processo, e rthin e il coeciente
di ionizzazione nel caso di ossidi sottili e dipende dalla pressione parziale delle specie
ossidanti.
6.2.1
Si calcoli la percentuale di silicio consumato durante unossidazione termica che genera
uno strato di biossido di silicio. Quale spessore di silicio viene consumato per ottenere
700 A di ossido?
Una mole di silicio si converte in una mole di biossido, pertanto si devono calcolare i
volumi delle due moli. Dal loro rapporto si ha la percentuale desiderata.
6.2.2
Durante la costruzione di un circuito integrato una fetta di silicio subisce varie os-
sidazioni. Si determinino gli spessori totali del biossido di silicio dopo ciascuno dei
seguenti passi in sequenza.
a) Dal graco della gura ?? in appendice D si ha in ossigeno secco per 50 min a 1100 C
uno spessore d1 0, 12 m.
b) Dalla gura ?? in appendice D si ha che d1 nelle nuove condizioni di ossidazione
corrisponde a 0, 34 h, da cui t + = 2, 34 h e d2 0, 35 m.
c) d2 nelle nuove condizioni di ossidazione (ossigeno secco) corrisponde a 12 h, da
cui t + = 20 h e d3 0, 48 m.
155
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
6.2.3
Una fetta di silicio e ricoperta con uno strato di biossido di silicio spesso 200 nm.
Quanto tempo occorre per far crescere uno strato addizionale di biossido di silicio di
spessore 100 nm in ossigeno secco a 1200 C?
6.2.4
In un substrato di silicio si ottiene
per attacco chimico una profonda
scanalatura verticale larga 1 m e pro-
fonda alcuni micron. La supercie del-
la scanalatura e silicio, ma il piano
superciale del silicio e ricoperto con
un sottile strato di nitruro di silicio
che serve come maschera per lossi-
dazione. La fetta viene ossidata in
ambiente di vapore acqueo a 1 atm e
a 1100 C per riempire la scanalatura
con ossido. Si chiede
1. quanto e larga la striscia di bios-
sido di silicio che si ha quando
la scanalatura e completamente
riempita?
2. Quanto tempo e necessario per 1m
riempire la scanalatura con bios-
sido di silicio? Fig. 6.2 Trincea nel silicio.
Il nitruro Si3 N4 ossida molto piu lentamente del Si e viene impiegato per discriminare
regioni di ossido spesso da regioni di ossido sottile e per isolare i dispositivi.
a)
Il rapporto tra il volume del Si consumato dallossido e il volume dellossido formatosi
e (problema 6.2.1) il 44%. Pertanto
1
(d l)
2 = 0, 44; d l = 0, 44 d
1
d
2
l
0, 56 d = l; d = = 1, 78 m
0, 56
b)
" 2 #
A2 A2 4 x2ox 4 xox
2 xox
t = +1 1 = +
4B A 4B A2 A
156
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x2ox xox
t = +
B B/A
dalle gure ?? e ?? in appendice D con P = 1 atm, T = 1100 C si trova
m2 B m
B = 0, 5 =3
h A h
da cui t = 6, 93 h
a) Crescita lineare
La semplicazione della formula generale, valida per ossidi sottili (frazioni di m), e
xox = B/A (t + )
dove t e la durata del processo, e il tempo impiegato a far crescere lossido gia presente
sul substrato, immaginando che la crescita sia avvenuta nelle condizioni di ossidazione
attuali. Nel caso 0 si determina lo spessore dellossido in funzione del tempo
impiegato a far crescere lossido e da questi si calcola il coeciente B/A
B/A = xox /t
157
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 1 10 1
B/A
10 0 10 0
B
10 -1 10 -1
10 -2 10 -2
0.9 1 1.1 1.2 1.3 0.9 1 1.1 1.2 1.3
158
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
B = x2ox /t
159
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1.4
1.375
B/A
1.2
1
Coeff. B e B/A
0.761
0.8
0.6
0.4
B
0.2
0
10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1
EXTRACT VALUE=@B
+ PREFIX=COEFF. PARABOLICO B =
L.END
EXTRACT CLOSE
Il graco ottenuto interpolando i dati ottenuti e nella gura 6.4.
Commento dei risultati: esiste un campo di valori degli spessori dellossido per cui
nessuno dei modelli semplicati va bene e occorre usare la formula completa.
ossidi con spessore < 0, 1 m = modello lineare
ossidi con spessore >2 m = modello parabolico
160
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
161
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
162
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
+ STEAM PRESSURE=1
EXTRACT VALUE=@DROG PREFIX=...DROGAGGIO=
EXTRACT VALUE=@BA PREFIX=...... B/A =
L.END
EXTRACT CLOSE
Il programma valuta il coeciente B/A al variare del drogaggio del substrato (N =
1016 1022 cm3 ). Con i dati ottenuti dalla simulazione si ottiene il graco della
gura ??.
Commento dei risultati. I risultati rispecchiano con buona approssimazione i valori
del coeciente di variazione lineare che si trovano nei graci o tabelle riportate sui testi
scientici.
163
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
80
70
60
50
segregazione m
40
30
20
10
0
10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1
spessore dellossido no a spessori dellordine del decimo di micron, per poi decrescere
con spessori superiori. Contemporaneamente nel silicio, in prossimita dellinterfaccia
con lossido, si accumula drogante e quindi il coeciente di segregazione
CSi
m=
CSiO2
e una funzione crescente dello spessore dellossido. Si esamini con SUPREM3 il fenomeno.
164
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Diffusione.
Se C(x) e la concentrazione di drogante e F (x) il usso di drogante
F = D grad C diusione
2C
C C
C = D = D
= div F continuita t x x x2
t
Legge di Fick. Il coeciente di diusione o diusivita D puo essere considerato
indipendente dalla concentrazione del drogante se questa e bassa, cioe inferiore alla
concentrazione dei portatori intrinseci (diusione intrinseca).
165
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
6.3.1
Si eettua una diusione di fosforo della durata di 4 ore alla temperatura di 1000 C en-
tro un substrato di tipo p, drogato con boro con densita 2 1015 cm3 . La concentrazione
superciale e mantenuta al valore di 3 1018 cm3 . Determinare la forma del prolo
di drogaggio ottenuto e la profondita della giunzione. Inoltre, approssimando il prolo
del drogaggio con una gaussiana, calcolare il corrispondente valore della profondita di
giunzione e lerrore percentuale commesso.
166
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2 N (xj /L)2
2 1015 = e
L
L Nd 2
2 1015 = = e(xj /L)
2N 2CS
s
2CS
xj = L ln = 2, 536 m
Nd
6.3.2
Entro una fetta di silicio di tipo n con resistivita di 5 cm viene impiantata una
dose di boro di 1012 cm2 con unenergia di 100 keV, quindi si provoca un processo di
ridiusione per 2 ore a 1000 C (D = 2 1014 cm2 s1 ). a) Quanto vale la concen-
trazione di picco del boro e quanto ampia e la regione di tipo p immediatamente dopo
limpiantazione? b) Quanto vale la concentrazione di picco del boro dopo la successiva
diusione e a quale profondita si sposta la giunzione?
a) Impiantazione
La dose impiantata di boro e N = 1012 cm2 .
N
L= 2 Rp = 9, 9 106 cm ; Cp = = 5, 7 1016 cm3
L
Nd = 9, 2 1014 cm3
167
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 16 10 16
densita drogaggio cm^-3
10 14 10 14
10 13 10 13
0 200 400 600 0 500 1000
(xj Rp )2
C(xj ) = Cp e 2 Rp2 = N
d
(xj Rp )2 Cp
= ln
2 Rp2 Nd
s
Cp 491 nm
xj = Rp 2 Rp ln =
Nd 88, 9 nm
N (xRp )2
C(x) |t=t0 = e L2 ; con L = 2 Rp
L
Dopo un tempo t di diusione, la distribuzione e ancora gaussiana con lo stesso valore
medio e con deviazione standard
q
L = 2 Rp2 + 4 D t = 2, 6 105 cm
168
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 -11
10 -12
B
Diffusivita
10 -13 As
Sb
10 -14
10 -15
6.7 6.8 6.9 7 7.1 7.2 7.3 7.4 7.5
1/T x10 -4
Figura 6.7: Diusivita (cm2 /s) in funzione dellinverso della temperatura assoluta
(K1 ).
N
Cp = = 2, 17 1016 cm3
L
La seconda giunzione si sposta alla profondita xj = 752 nm, mentre la prima scompare,
come indicato nella gura 6.6.
6.3.3
Si esaminino le curve di diusivita in silicio in funzione della temperatura della gu-
ra 6.7 e si scriva una relazione funzionale che le rappresenti. Si determinino i valori
dei parametri di tali modelli matematici per boro, fosforo arsenico e antimonio.
169
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 -14
10 -15 As
10 -16
Diffusivita
10 -17
P
Sb
10 -18
10 -19
6.6 6.8 7 7.2 7.4 7.6 7.8 8 8.2 8.4 8.6
1/T x10 -4
Figura 6.8: Diusivita (cm2 /s) nel biossido di silicio in funzione dellinverso della
temperatura assoluta (K1 ).
Nel caso dellarsenico si considerano i due punti estremi sul graco della gura 6.7:
D1 = 1011 ; 1/T1 = 6 104 e D2 = 1014 ; 1/T2 = 7, 46 104 ,
ln 10(11 + 14)
Ea = 8, 62 105 = 4, 08 eV
104 (6 7, 46)
4, 08
6 104
11 8, 62 105
D0 = 10 e = 22 cm2 s1
6.3.4
Le diusivita dei droganti nel biossido di silicio variano con la temperatura secondo
la legge D = D0 eEa /kT . I parametri sono riportati nella tabella. Determinare lo
spessore minimo del biossido necessario per mascherare in modo adeguato a 1100 C
una diusione di t min.
170
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1.2
0.8 As
spessore
0.6
P
0.4
B
0.2
0
10 1 10 2 10 3
tempo [min]
Figura 6.9: Spessore minimo dellossido per mascherare diusioni di boro, fosforo e
arsenico a 900 C.
6.3.5
Si vuole usare uno strato di biossido di silicio per proteggere regioni di una fetta di
silicio dallintroduzione di ioni durante unimpiantazione. a) Trovare una relazione
approssimata per lo spessore d dellossido che blocca il 99, 99% degli ioni impiantati.
b) Determinare lo spessore dellossido che consente una adeguata mascheratura per
impiantazione di ioni di boro accelerati a unenergia di 80 keV.
Suggerimento: si usi lapprossimazione della funzione complementare errore
2
1 ex
erfc(x) per x 1
x
a)
Il biossido di silicio si presenta quasi amorfo agli ioni incidenti, non si hanno fenomeni
di cammini preferenziali e la distribuzione del drogante in profondita e gaussiana:
(x Rp )2
N 2Rp2
C(x) = e
2 Rp
171
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Rp
profondita media di penetrazione nel SiO2
Rp varianza della distribuzione nel SiO2
dose impiantata (atomi/cm2 )
N
la frazione della dose impiantata che riesce ad attraversare lo strato di ossido spesso d
e espresso dal coeciente di attraversamento T (d)
Nd 1 d Rp
T (d) = erfc() =
N 2 2Rp
b)
Per impiantazione di boro nel silicio a 80 keV si ha Rp = 2300 A e Rp = 620 A, per
cui
6.3.6
Si ha un substrato di tipo n con Nd = 1015 cm3 e si vuole realizzare una giunzione
p-n con una impiantazione ionica di boro attraverso una nestra praticata nellossido.
Lenergia di impiantazione e 80 keV e la dose 2 1015 cm2 .
1. A quale profondita si verica la giunzione metallurgica?
2. Supponendo che dai graci si possa commettere un errore dello stesso segno sia
su Rp che su Rp di 5 %, quale errore percentuale si avra su xj ?
3. Se limpiantazione e uniforme su tutta la fetta di diametro 12, 5 cm quanto vale il
numero totale di ioni impiantati e la corrente del fascio di ioni se limpiantazione
dura 1 ora?
172
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Dalla gura ?? si trova: Rp = 0, 2400 m, Rp = 0, 064 m,
La concentrazione di picco vale (lunghezze in cm)
N 2 1015
Cp = = = 1, 242 1020 cm3
2Rp 20, 064 104
La giunzione si forma nella sezione x = xj in cui i drogaggi di tipo opposto sono eguali
(x Rp )2 (xj 0, 24)2
20
Cp exp = Nd 1, 242 10 exp = 1015
2Rp2 2 (0, 064)2
1015
(xj 0, 24)2 = 2 (0, 064)2 ln
1, 242 1020
r
1, 242 1020
xj = 0, 24 + 2 (0, 064)2 ln
1015
p p
xj = 0, 24 + 2 (0, 064)2 11, 7296 = 0, 24 + 0, 0961 = 0, 55m
b)
Lerrore percentuale su xj viene valutato in base alla relazione:
C
xj 2 ln Npd 1 Rp Rp Rp Rp
= q +
xj 2 ln Npd xj Rp
C xj Rp
ottenendo 4, 9 %.
c)
Il numero totale degli ioni di boro impiantati e
ioni
nboro = N area impiantata = 2 1015 6, 252 cm2 = 2, 45 1017 ioni
cm 2
La corrente del fascio di ioni e il rapporto tra la carica totale degli ioni di boro Qboro =
q nboro e il tempo di impiantazione:
173
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
22
21
20
log(Concentrazione (#/cm**3))
19
18
17
16
15
14
0.000 0.100 0.200 0.300 0.400 0.500 0.600 0.700
Distanza (micron)
Figura 6.10: Variazione del prolo di impiantazione (curva continua) per ridiusione a
1000 C di durata t = n t, con t = 15 min e n = 1 5 (le curve da sinistra a destra
si riferiscono a n crescenti.
174
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
175
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
21
20
19
log(Concentration (#/cm**3))
18
17
16
15
14
0.000 0.100 0.200 0.300 0.400
Distance (Microns)
176
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
21
20
19
log(Concentration (#/cm**3))
18
17
16
15
14
0.000 0.100 0.200 0.300 0.400
Distance (Microns)
177
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
v1
v1
1
m1 m2 v2
(b) Si trovino i valori delle veloc-
ita e dellangolo 2 per unur-
Fig. 6.16 Urto di uno ione con atomi del
to di atomi di arsenico in una
reticolo cristallino.
fetta di silicio. Se 1 = 15
e limpiantazione avviene con
unenergia di 50 keV quanta en-
ergia viene trasferita al nucleo di
silicio?
(c) Si ripeta il punto b) nel caso di
urto frontale. Si trovi in questo
caso anche la relazione che for-
nisce lenergia trasferita al nucleo
del cristallo in funzione di E0 e
delle masse delle due particelle.
a)
Le conservazioni dellenergia e della quantita di moto sono relazioni vettoriali che si
possono scrivere mediante tre equazioni scalari tra le componenti:
1
m v 2 = 12 m1 v12 + 21 m2 v22
2 1 1
m1 v1 = m1 v1 cos(1 ) + m2 v2 cos(2 )
0 = m1 v1 sin(1 ) m2 v2 sin(2 )
b)
La particella incidente e uno ione arsenico (m1 = 74, 9216 m0 = 1, 244 1025 kg) con
energia di 50 keV che, dopo lurto, viene deviato di 1 = 15 . La particella urtata e un
nucleo di silicio (m2 = 28, 086 m0 = 4, 663 1026 kg). Quindi m21 = m2 /m1 = 0, 3749.
Operando come descritto in appendice A per la soluzione di sistemi non lineari si ha per
1 = 15 in 5 iterazioni la soluzione: x = 0, 5053, y = 1, 40941 ep z = 14, 33 . Se lenergia
dello ione arsenico e E0 = 50 keV la velocita allurto vale v1 = 2E0 /m = 358633 m/s,
allora v1 = 198 324 m/s, v2 = 505 460 m/s; allatomo di silicio viene trasferita unenergia
E2 = 12 m2 v2 2 = 37, 23 keV.
c)
Con 1 = 0 , cioe urto frontale, in 4 iterazioni si trova: x = 0, 4547, y = 1, 4547
e z = 0 . Quindi v1 = 163 070 m/s, v2 = 521 703 m/s e allatomo di silicio viene
trasferita unenergia 21 m2 v2 2 = 39, 66 keV.
Nel caso 1 = 0 2 = 0, restano due sole equazioni e si ottiene
1 4m1 m2
E2 = m2 v2 2 = E0 = 0, 793E0 = 39, 66 keV
2 (m1 + m2 )2
178
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
179
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
22
21
20
log(Concentration (#/cm**3))
19
18
17
16
15
14
0.000 0.100 0.200 0.300 0.400 0.500 0.600 0.700
Distance (Microns)
Figura 6.17: Prolo di drogaggio dopo limpiantazione a 150 keV e prolo delle cariche
elettricamente attive.
180
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
22
21
20
log(Concentration (#/cm**3))
19
18
17
16
15
14
0.000 0.100 0.200 0.300 0.400 0.500 0.600 0.700
Distance (Microns)
Figura 6.18: Prolo di drogaggio dopo limpiantazione a 150 keV e prolo delle cariche
elettricamente attive, dopo un processo di rinvenimento a 800 C che dura 15 min.
181
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
6.3.13
A una fetta di silicio viene aggiunto fosforo a partire da una sorgente gassosa a 975 C
per 45 minuti. Si calcoli la profondita della giunzione nel caso che il substrato di tipo
p abbia una resistivita a) di 0, 2 cm, b) di 30 cm.
Si assuma che a 975 C il coeciente di diusione del fosforo sia D = 1013 cm2 s1
e che la sua solubilita solida sia 1021 cm3 .
182
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
90
80
70
Resistenza [Ohm]
60 900
50
950
40
1000
1050
30
1100
20
0 50 100 150 200 250 300
tempi, [sec]
a)
La supercie e esposta durante la deposizione a una concentrazione di atomi droganti
costante e pari alla solubilita solida di quellelemento nel silicio. Si usa la soluzione
dellequazione di Fick nel caso in cui la concentrazione superciale di drogante e ssa,
con una funzione complementare derrore:
x 2
C(x, t) = Cs erfc = Cs x e 2 d
2 Dt 2 Dt
2 x
2
= Cs 1 2 Dt
e
d
0
C(0, t) = Cs = 1021 cm3
= 0, 2 cm Na = 3 1016 cm3
Dal graco o dalle tabelle della funzione erfc si ha tale valore per largomento 2, 95, da
cui xj
= 2, 95 xj = 2, 95 3, 286 105 cm = 0, 871 106 m
2 Dt
183
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Magneti
Va
Accelerazione
Deessione
Bersaglio
b)
In modo analogo (estrapolando linearmente la curva della funzione erfc) si ha
= 30 cm Na = 1, 5 1014 cm3
Cj /Cs = Na /Cs = 1, 7 107
xj
= 3, 70 xj = 3, 70 3, 286 105 cm = 1, 22 106 m
2 Dt
6.3.14
Un dispositivo MOSFET e realizzato su un substrato di silicio di orientazione < 100 >,
drogato con Na = 5 1016 atomi di boro al cm3 attraverso i seguenti passi tecnologici:
- unossidazione in ossigeno secco a 900 C e 1atm, per 30 minuti;
- impiantazione di As, per la formazione di source e drain (EV = 100 keV);
- un rinvenimento a 1200 C per 50 minuti.
Calcolare lo spessore dellossido cresciuto, la profondita della giunzione p-n, formata
dalle regioni di source e drain e la loro estensione laterale al di sotto del gate.
6.3.15
Si consideri la seguente struttura relativa a un impiantatore ionico. Supponendo che
nella sorgente di ioni questi siano accelerati da un potenziale pari a Va (nella camera
di estrazione) prima di entrare nel separatore, si determini:
184
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
risulta
W
G=g
L
3
McKelvey - Solid State and Semiconductor Physics - Dover.
185
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
6.4.1
Durante la fase di metallizzazione di un circuito integrato si realizza una pista di al-
luminio larga 2 m e lunga 1, 2 mm. Lo spessore e 1 m, ma in corrispondenza dei
gradini, che la pista attraversa per il 15% della sua lunghezza, scende a 0, 4 m. La re-
sistivita dellalluminio e 2, 7 mm. a) Si calcoli la resistenza della pista. b) Sapendo
che la massima densita di corrente per evitare la elettromigrazione e 5 105 A cm2 , si
determini la massima tensione che puo essere applicata ai capi della pista.
a)
La pista si puo ritenere formata da due tratti uniformi di spessore diverso, luno spesso
d1 = 0, 4 m e lungo l1 = 15% 1, 2 mm = 0, 018 cm, laltro spesso d2 = 1 m e lungo
l2 = 85% 1, 2 mm = 0, 102 cm; la resistenza totale 4 vale:
l1 l2 6 0, 018
R = + = 2, 7 10
w d1 w d2 2 10 0, 4 104
4
0, 12
+ = 22, 3
2 104 1 104
b)
La massima intensita di corrente entro la pista e data dal prodotto della massima
densita di corrente permessa, Jmax = 5 105 A cm2 per larea della piu piccola sezione
trasversale del conduttore:
I = Jmax (w d1 ) = 5 105 2 104 0, 4 104 = 4 mA
La caduta di tensione massima e dunque
V = RI = 22, 3 4 mV = 89, 2 mV
6.4.2
Si assume che il prolo a gradino illustrato nella gura sia realizzato alla supercie di
una fetta di silicio.
a) Calcolare la resistenza di strato.
b) Si assuma che il prolo di
drogaggio lungo x, a segui- ND
8 10 17
to di ulteriori passi di proces-
so, diventi costante al valore
2, 5 1017 cm3 sino alla pro-
fondita x = 4, 5 m. Se fos-
se possibile introdurre in mo-
do uniforme altri atomi dro-
ganti tra x = 0 e x = 4, 5 m,
quale tipo di impurita (dona- 8 1016
tori o accettatori) e quale con- x
centrazione renderebbero la re-
sistenza di strato di un drogag- 1.2m 3.2m
gio a prolo costante eguale al-
la resistenza di strato trovata Fig. 6.20 Prolo di drogaggio resistore diuso.
nella parte a)?
c) Quale dose di atomi consente
di ottenere per impiantazione
il risultato del punto b)?
4
Si usano come unita di misura per le lunghezze i centimetri.
186
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Si fa lipotesi che il drogante sia arsenico e si usa lespressione approssimata per
determinare i valori di mobilita
ND1 = 8 1017 cm3 n1 = 314, 4 cm2 V 1 s1
ND2 = 8 1016 cm3 n2 = 799, 4 cm2 V 1 s1
La resistenza di strato si ottiene con una semplice operazione di integrazione
Z 3,2m
g = q n (x) n(x) dx
0
Z 1,2m Z 3,2m
g = q n1 n1 dx + q n2 n2 dx
0 1,2m
4
= q n1 ND1 1, 2 10 + q n2 ND2 2 104
= 6, 884 103 1
1
R = = 145, 2 /
g
b)
Nella situazione modicata di drogaggio, si ha:
Se si vuole aumentare la resistenza di strato, per arrivare a 145, 2/, occorre diminuire
il numero di portatori e quindi aggiungere accettatori
1
g = = 6, 884 103 1 = q n 4, 5 104 (Nd Na )
145, 2
6, 884 103 19
(Nd Na ) n = 19 4 = 9, 55 10 cm1 V1 s1
1, 602 10 4, 5 10
Determinare Na e complicato dal fatto che anche n dipende dal drogaggio; in parti-
colare mentre la concentrazione dei portatori dipende da (Nd Na ), la mobilita n e
legata a N = (Nd + Na ). Una tecnica approssimata consiste nel ritenere n costante,
trovare un valore per Na , calcolare la corrispondente mobilita per ottenere inne un
valore piu corretto del drogaggio, e cos via:
7, 4 108 3002,33
n (N ) = 88 +
1 + 0, 88N (1, 26 1017 )1
187
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
ovvero, posto x = Na ,
1251, 8
(2, 5 1017 x) 88 + = 9, 55 1019
2, 75 + 6, 98 1018 x
6.5.2
Un resistore di un circuito ibrido a lm spesso ha le caratteristiche seguenti: lunghezza
220 m, larghezza 20 m, spessore 2 m, resistivita dello strato resistivo di 2104 m1 .
1. Supponendo che il resistore sia percorso da una corrente di polarizzazione di
15 mA, si calcoli la potenza dissipata.
2. Supponendo inoltre, che la temperatura esterna sia di 25 C, che il substrato sia al-
lumina con una resistenza termica di 2 C W1 , che il tutto sia incapsulato in uno
strato di resina epossidica uniforme avente una resistenza termica di 40 C W1 ,
si disegni lequivalente elettrico del sistema termico e si calcoli la temperatu-
ra, in condizioni stazionarie, della supercie del lm resistivo (si veda anche
il paragrafo ?? del capitolo 9).
188
Capitolo 7
La giunzione metallo
semiconduttore e i MESFET
189
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Contatti
Teoria di Schottky
ideale tunnel
7.2.1 7.4.1, 7.4.2, 7.4.3
Capacita
di
giunzione
Limiti della teoria ideale Diagrammi a bande
7.5.4
di Schottky MESFET
7.3.1 7.8.1, 7.8.2
Metodo C(V )
di caratterizzaz.
7.6.1, 7.6.2
Caratteristiche statiche Caratteristiche statiche
diodi Schottky MESFET
7.5.1, 7.5.2 7.8.3
Caratteristiche dinamiche
diodi Schottky
7.7.1
Si considerino due materiali (1) e (2) caratterizzati dalle funzioni di Fermi-Dirac f1 (E)
e f2 (E), dalle densita degli stati g1 (E) e g2 (E), dalle concentrazioni di elettroni n1 (E)
e n2 (E) e dalle concentrazioni di posti vuoti v1 (E) e v2 (E).
In condizione di equilibrio termodinamico, situazione allinterfaccia tra i materiali (1)
e (2) si deve avere, per ogni energia E , un bilanciamento del usso di elettroni tra i
due materiali: il numero di elettroni che mediamente vanno verso (2) (proporzionale al
numero di elettroni in grado di eettuare il passaggio, n1 , per il numero di posti vuoti
in grado di accoglierli, v2 ) deve essere pari a quelli che mediamente fanno il cammino
opposto
n1 (E )v2 (E ) = n2 (E )v1 (E )
Per i singoli fattori valgono le espressioni
190
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n (E ) = g1 (E ) f1 (E )
1
g1 (E ) (1 f1 (E ))
v1 (E ) =
g2 (E ) f2 (E )
n2 (E )
=
v2 (E ) = g2 (E ) (1 f2 (E ))
Sostituendo si ha
In denitiva, per qualunque coppia di materiali, cioe per qualunque distribuzione degli
stati g1 (E) e g2 (E), si ha
7.1.2
Si costruisca il diagramma a bande di una giunzione metallo-semiconduttore di tipo n in
condizioni di equilibrio termodinamico, sapendo che il lavoro di estrazione del metallo
e maggiore di quello del semiconduttore.
191
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
lavoro di estrazione, dipendente dal tipo di semiconduttore e dal drogaggio. Nel lato
del semiconduttore si forma una barriera per gli elettroni
qi = qM qS = qM q (EC EF )
qB = qM q
E [eV]
qi = (qM qS )
qM E0
q
qB
x
Eg
Va
Nel semiconduttore, in prossimita del contatto, la carica positiva degli ioni donatori non
compensati da elettroni provoca una deformazione delle bande3 che attua il raccordo
tra le bande di energia dei due materiali diversi.
7.1.3
Si disegni landamento dellenergia potenziale degli elettroni nel lato semiconduttore di
una giunzione metallo-semiconduttore allequilibrio a 300 K. Il metallo e oro con lavoro
di estrazione qM = 4, 75 eV, il semiconduttore e silicio (q = 4, 15 eV) di tipo n con
concentrazione di drogaggio uniforme Nd = 8 1014 cm3 . Si calcoli il campo elettrico
massimo.
Quando si attua il contatto gli elettroni passano dal materiale a lavoro di estrazione
minore (il semiconduttore, in questo caso) verso laltro. Si forma nel semiconduttore
una zona svuotata di elettroni. Si assume che il passaggio tra questa zona e la regione
del semiconduttore in cui questo fenomeno non si sente piu sia brusco: questo signica
che nella zona svuotata tutti gli atomi droganti hanno perso il proprio portatore e che
la transizione tra questa regione e quella in cui si ha neutralita si eettua in uno spazio
nullo (ipotesi di svuotamento completo4 ).
3
Se la carica e positiva, integrando lequazione di Poisson, si trova una deformazione dellenergia
con curvatura verso lalto, infatti se > 0 allora la derivata seconda del potenziale e negativa e quindi
la derivata seconda (curvatura) dellenergia e positiva.
4
In realta tale zona di transizione ha uno spessore dellordine della lunghezza di Debye.
192
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Se il drogaggio e uniforme la carica spaziale positiva che si estende per una profondita
xd dalla supercie di contatto con il metallo entro il semiconduttore e
QS = qANd xd
da cui
1, 6 1019 8 1020 0.7 106
Emax = = 865 kV/m
11, 7 8, 8544 1012
Integrando il campo elettrico5 si ottiene
x2
U (x) = Emax x +C
2xd
x2
x
U (x) = Emax x
2xd 2
5
Con un doppio cambiamento di segno, uno per il passaggio campo - potenziale laltro per il passaggio
potenziale - energia potenziale.
193
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 18
2
1.8
1.6
1.4
Energia potenziale, eV
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
profondita, um
Figura 7.3: Energia potenziale degli elettroni (EC ) in prossimita di un contatto con
Au.
7.1.4
Si costruisca il diagramma a bande di una giunzione metallo-semiconduttore di tipo n
in presenza di polarizzazione esterna
194
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
di tensione nel metallo e nel corpo del semiconduttore (rs I) possono essere consider-
ate trascurabili; la tensione applicata Va si localizza tutta sulla giunzione. Dato che
E [eV]
q(i Va )
E0
qM
qB q
q Va
EF M
EF n
Eg
Si potrebbe pensare di applicare una tensione diretta che annulli la barriera (Va = i ),
cioe raggiungere una situazione di banda piatta come succede nei dispositivi MOS
(capitolo 11) e come e illustrato nella gura 7.5. Cio non e possibile, infatti al crescere
della tensione diretta la barriera i Va diminuisce, ma aumenta la corrente e la
caduta rs I diventa non piu trascurabile. Sul contatto metallo-semiconduttore non
viene applicata lintera tensione esterna, ma la tensione Va rs I. La barriera nel
semiconduttore vale i (Va rs I) = i Va + rs I e non si annulla mai. Nella
gura 7.6 risultano evidenti la caduta di tensione nel corpo del semiconduttore, tipica di
un comportamento resistivo (zona lineare del diagramma a bande), e la zona svuotata,
che rappresenta un comportamento capacitivo (zona parabolica). Si noti invece come
in ogni caso la barriera di potenziale dal metallo al semiconduttore non vari al variare
del potenziale esterno, in quanto e data dalla dierenza qM q, tra due quantita
che dipendono solo dai materiali in gioco.
7.1.5
Si abbia un contatto metallo-semiconduttore tra alluminio e silicio di tipo n, in cui il
prolo di drogaggio sia gaussiano con il massimo sulla supercie. Il valore misurato
della barriera e qB = qM (Al) q(Si) = 0, 69 eV.
1. Si disegni qualitativamente il diagramma a bande.
2. Si indichi come sia possibile valutare il potenziale di contatto i , inteso come
dierenza dei lavori di estrazione dei due materiali.
195
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E [eV]
E0
q
qS
qM
qB
EF n
a)
Il diagramma a bande del metallo e del semiconduttore drogato, considerati separata-
mente, sono illustrati nella gura 7.7; si noti come nel semiconduttore il drogaggio
diminuisca con la profondita a partire dalla supercie. Allequilibrio termodinamico
i livelli di Fermi devono allinearsi per cui le bande del semiconduttore si deformano
approssimativamente come indicato nella gura 7.8.
b)
Nel caso di una giunzione metallo-semiconduttore il potenziale di contatto e calcolabile
come dierenza tra il lavoro di estrazione nel metallo e il lavoro di estrazione nel silicio
nel punto in cui il semiconduttore torna neutro, ovvero al bordo della regione svuotata
Ec (xd ) EF
i = M S (xd ) = M (Al) (Si)
q
kT NC
= M ln
q Nd (xd )
196
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E0
E [eV]
qM
qB
Eg
c)
Ponendo alla supercie lorigine dellasse x che rappresenta la profondita, la gaussiana
ha la forma
2 2
Nd (x) = C(x) = Cp ex /2
Nellespressione che approssima la gaussiana laddendo a ha unicamente lo scopo di
consentire lo scorrimento verticale della curva approssimante. La forma e invece ssata
dai valori e dai segni degli altri due coecienti.
Dalle gure 7.9 risulta ovvia la scelta
Nd (x) = a b ecx
Cp 1 e1/2 = b (ec 1)
(a) (b) (d)
(b) (c) Cp e1/2 e2 = bec (ec 1) (e)
1 e1/2
(d) : (e) = ec
e1/2 e2
c = ln(1, 1975) = 0, 1803
197
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E0
qM
0, 086 eV
E [eV]
E0
qM qB = 0, 164 eV
0, 715 eV
x
In conclusione si ha
c = 4507, 5 cm1
1 e1/2
b = Cp c = Cp 1, 992 = 1, 992 1018 cm3
e 1
a = Cp + b = (1 + 1, 992) Cp = 2, 992 1018 cm3
d)
Con la nuova distribuzione e nellipotesi di completo svuotamento
Nd+ = Nd (x) C(x) = a b ecx
si integra lequazione di Poisson ottenendo
x
q x q b cx
E(x) =
dx = N (x ) dx = ax (e 1) + K
o s s o s c
Se xd e la profondita a cui la regione completamente svuotata ha ne, allora E(xd ) = 0
q b cxd
K = axd (e 1)
s c
198
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
b e+cx b ecx
b b
x x
a b e+cx a a b ecx
ab ab
x x
q a 2 b cxd b b
Vj = V (xd ) = x e + xd + 2 + Kxd
s 2 d c2 c c
q a 2 b 1 b
= xd xd (ecxd 1) + xd
s 2 c c c
199
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1.4
1.2
1
potenziale di contatto, eV
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
xd (nm)
Figura 7.10: Andamento del potenziale nel semiconduttore con Nd (x) = a b ecx ,
espresso mediante le due relazioni. Lintersezione corrisponde al potenziale di contatto
e permette di determinare lampiezza della regione svuotata.
q n
E(xd ) = 0 K = mxd x2d
s 2
da cui
x
x
q hm
2 n 3
i
V (x) = E(x ) dx = x x + Kx
0 s 2 6 0
q h m 2 n 3i
= x x + Kx
s 2 6
inne
q m n n
Vj = V (xd ) = x2d + xd + m xd
s 2 6 2
q 2 m n
= xd xd
s 2 3
200
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Procedendo gracamente nel modo descritto sopra si trova che allequilibrio vale ancora
xd 27, 93 nm.
Nota: il risultato non deve sorprendere dato che si e assunta una gaussiana con un
valore elevato di e che xd e cos piccolo da interessare un microscopico intervallo in
prossimita del massimo della gaussiana.
Anche senza conoscere il valore di xd si deve comunque osservare che, per ben rap-
presentare la gaussiana nellintorno dellorigine, i termini polinomiali piu importan-
ti sono quelli pari. Quindi, se non basta lapprossimazione 0 (drogaggio costante),
per migliorare in modo apprezzabile il risultato, occorre passare a unapprossimazione
quadratica.
Per un contatto ideale, la teoria di Schottky permette di decidere sulla natura del con-
tatto semplicemente confrontando i valori dei lavori di estrazione del semiconduttore e
del metallo. Infatti la condizione essenziale per cui il contatto non abbia un compor-
tamento bloccante e che la struttura a bande non presenti ostacoli per il trasferimento
dei portatori di maggioranza. Di conseguenza i contatti con materiali di tipo n devono
presentare bande incurvate verso il basso (zona arricchita di elettroni in supercie)
e quelli con semiconduttori di tipo p bande incurvate verso lalto (zona arricchita di
lacune in supercie). Riassumendo
tipo n tipo p
qM > qS raddrizzante qM < qS raddrizzante
qM < qS non raddrizzante qM > qS non raddrizzante
Nella gura 7.11 e illustrato il caso limite per il quale i lavori di estrazione coincidono
qS = qM
e quindi
(EC EF ) + q = qM EC EF = qM q = 4, 5 4, 05 = 0, 45 eV
Dato che 0, 45 < Eg /2 il livello di Fermi si trova sopra al centro della banda proibita,
quindi lassenza della barriera si verica con un semiconduttore di tipo n.
a)
201
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E [eV]
E0
q
qS
qM
qB
EF
E [eV]
E0
qM
q qS
qB
Eg EF
202
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
ovvero
E da notare che un tale livello non risulta realistico per un drogaggio intenzionale, in
quanto il drogaggio di fondo non intenzionale puo avere concentrazione superiore.
b)
Nel caso di silicio di tipo p, dato che qS e sempre maggiore di qM , il contatto e di
tipo raddrizzante qualsiasi sia la concentrazione di drogante (problema 7.5.2).
E0
E [eV]
q
qS
qM
qB
Eg
EF
q qS
qM
qB
Eg
EF
203
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E0
E [eV]
E0 E [eV]
q
qS q
qM qM qS
qB
Eg EF
EF
Figura 7.15: Diagramma a bande della Figura 7.16: Diagramma a bande della giun-
giunzione metallo semiconduttore con zione metallo semiconduttore con il metal-
il metallo avente qM = 4, 5 eV in lo avente qM = 4, 05 eV in condizioni di
condizioni di equilibrio termodinamico. equilibrio termodinamico.
o meno una regione di carica spaziale. In realta cio e vero solo in parte, infatti per
chiarire la natura di un contatto metallo-semiconduttore e necessario anche fare delle
ipotesi sui ussi di portatori in condizione di non equilibrio termodinamico.
Si considerino quattro contatti non raddrizanti (secondo la teoria ideale di Schottky)
tra silicio di tipo n con drogaggio7 pari a Nd = 8, 5 1011 cm3 con spessore di 5 m, e
i metalli con lavori di estrazione rispettivamente 4, 05 eV, 4, 15 eV, 4, 5 eV e 5, 05 eV.
1. Si determinino le densita di corrente inversa, usando la formula di Richardson
per lemissione da un metallo (limite di emissione).
Secondo la teoria di Schottky entrambi i contatti non sono raddrizzanti, come si nota dai
rispettivi diagrammi a bande allequilibrio (g. 7.15 e 7.16). In realta in un processo di
fabbricazione di circuiti integrati un contatto puo essere considerato non raddrizzante
quando presenta una resistenza bassa e costante per ampie variazioni (in modulo e
segno) della tensione.
a)
In condizioni di polarizzazione inversa la corrente di elettroni dal metallo verso il semi-
conduttore e legata a un fenomeno di emissione dal metallo nel semiconduttore. Per
7
Questo valore di drogaggio non e realizzabile, ma viene usato solo allo scopo di chiarire i punti
esaminati nellesercizio.
204
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
valutare tale corrente si applicano i concetti esaminati nel capitolo 2 a proposito delle-
missione di un metallo nel vuoto8 . Si impiega lequazione di Richardson alla barriera
metallo semiconduttore di valore pari al lavoro di estrazione del metallo diminuito
dellanita elettronica nel silicio: qB = qM q,
qM q
J = A0 T 2 exp
kT
Si valutano le correnti a 300 K relative ai contatti realizzati tra il silicio e i vari metalli.
Si ha9
4mq 2
A0 = k = 120 104 Am2 K2
h3
e quindi
A0 T 2 @ 300 = 10, 8 106 Am2
Lanita elettronica del silicio vale 4,05 V, quindi qB nei quattro casi vale 0, 0,1 eV,
0,45 eV e 1,0 eV; si hanno le densita di corrente
qB = 0, 0 eV J = 10, 8 106 Acm2
qB = 0, 1 eV J = 230, 1 103 Acm2
qB = 0, 45 eV J = 0, 327 Acm2
qB = 1 eV J = 21, 3 10 Acm2
11
8
Si trascura il fenomeno dellabbassamento della barriera di potenziale per eetto Schottky, quando
si applica una tensione esterna.
9
In realta per unanalisi piu precisa bisognerebbe correggere il valore teorico utilizzando per barriere
Schottky con silicio di tipo n il valore 250 Acm2 K2 .
10
Oltre questo limite la corrente tende a saturare e quindi varia poco al crescere della tensione; la
resistenza del contatto cresce sensibilmente.
205
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E [eV]
E0
qM
q
x
Eg
qB
Rs
qB = 0 eV
50
Va [V]
0,54 Acm2
206
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Rs
qB = 0, 45 eV
0, 808
Va [V]
Il fenomeno di saturazione della velocita dei portatori pone unaltro vincolo. Con una
velocita dei portatori di 4 106 cm/s (al limite della saturazione) si ottiene
Jt = q n v = 1, 6 1019 8, 5 1011 4 106 = 0, 54 A cm2
Questo valore puo essere indicato come limite di trasporto e si incontra per un campo
di 105 V cm1 che corrisponde, per il semiconduttore in esame, a tensioni di circa 50 V
corrispondenti a un campo di 105 V cm1 . Nei primi due casi (qB = 0 e qB = 0, 1 eV)
il limite di emissione e molto alto e prevale dunque quello di trasporto, ma dato che nei
circuiti integrati si devono garantire escursioni tipiche di tensione tra +10 V e 10 V,
non si hanno in pratica limiti e i contatti si possono considerare non raddrizzanti.
Nel terzo e quarto caso il limite di emissione riduce il campo di funzionamento non
raddrizzante del contatto a una frazione di volt.
c)
In polarizzazione diretta (tensione positiva applicata al metallo) la corrente di elettroni
e diretta dal semiconduttore al metallo ed e legata alla densita dei portatori allinter-
faccia. Le equazioni di Shockley mostrano che la dipendenza con la tensione applicata
e esponenziale, quindi sono garantite correnti tali da non creare limiti alla natura non
raddrizzante del contatto. Il comportamento in polarizzazione diretta, tranne che per
tensioni dirette molto piccole, e completamente dominato dai fenomeni resistivi nel
semiconduttore.
d)
Complessivamente landamento della corrente in funzione della tensione per i due
contatti metallo semiconduttore e rappresentato nelle gure 7.18 e 7.19.
207
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E E
E0
qM
q qS
qB
x
n(E) Eg n(E)
7.4.1
Si determini la corrente in un contatto di area A = 4 m2 tra alluminio e silicio drogato
di tipo n con Nd = 2, 8 1019 cm3 , in condizioni di polarizzazione diretta e inversa
assumendo una velocita di trascinamento di 106 cm s1 . Si confrontino i risultati
con quelli che si otterrebbero con un semiconduttore drogato Nd = 5 1016 cm3 . Si
approssimi la forma della barriera in modo lineare e si usi il metodo WKB esaminato
nel capitolo 1.
Dato lalto livello di drogaggio nel semiconduttore il livello di Fermi viene ad allinearsi
con il bordo inferiore della banda di conduzione; il diagramma a bande risultante al-
lequilibrio termodinamico e quello illustrato nella gura 7.20. La possibilita di avere
conduzione tra metallo e semiconduttore e viceversa, e legata allattraversamento del-
la barriera di potenziale di altezza qB qi per eetto tunnel. Secondo la teoria
di Schottky questo contatto sarebbe sicuramente raddrizzante in quanto qM > qS .
Lelevato drogaggio pero riduce la larghezza della barriera di potenziale consentendo un
usso di elettroni per eetto tunnel. Il problema dellattraversamento di una barriera
di potenziale e stata arontato nel capitolo 1; se ne usano qui i risultati fondamentali.
- Laltezza della barriera e qB = qM q = 0, 25 eV;
- la larghezza della barriera puo essere calcolata allequilibrio integrando lequazione
di Poisson
r
qNa 2 2S
xd = i xd = i
2S qNd
208
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
qB
xd x
Figura 7.21: Andamento del potenziale relativo alla barriera e sua approssimazione
triangolare per lapplicazione del metodo WKB.
xd = 469 A
- La distribuzione degli elettroni a 300 K sia nel metallo sia nella banda di con-
duzione del semiconduttore (come si e visto nel calcolo del lavoro di estrazione
per emissione da catodo freddo) consente di assumere che la quasi totalita della
corrente e prodotta dagli elettroni con energia prossima al livello di Fermi. Per
tale ragione si calcola con il metodo WKB la probabilita di trasmissione per un
elettrone con energia pari ad EF .
La probabilita di trasmissione si puo valutare come
2 d
Z
1
T (E) = exp {2 m (U (x) E)} dx
2
~ 0
Per E = EF e d = xd e
q B x
U (x) EF = qB x = qB 1
xd xd
209
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
JM S
JSM
Figura 7.22: Andamento delle densita elettroniche nel metallo e nel semiconduttore in
prossimita della giunzione.
allora
" Z s #
2 xd
x
T (EF ) = exp 2m q B 1 dx
~ 0 xd
" Z l s #
2p x
= exp 2 m q B 1 dx
~ 0 xd
" " 3 #xd #
2p 2 x 2
= exp 2 m q B xd 1
~ 3 xd
0
2p 2 4 p
= exp 2m q B xd = exp 2m q B xd
~ 3 3~
210
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
7.4.2
Utilizzando la formula di Fowler-Nordheim13
3/2
" #
q3E 2 4 (2m )1/2 qB
Jtunnel = exp
8hqB 3~qE
dove Vj e la tensione ai capi del contatto. Dato che parte della tensione esterna cade
sulla resistenza serie rs /Z, si ha
I = Js LZ e(Va Irs /Z)/VT 1
Esplicitando la tensione si ha
Irs I
Va = + VT ln
Z Js LZ
211
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.95
0.9
0.85
Tensione applicata
0.8
0.75
0.7
0.65
..
...
....
.....
......
0.6 ........
..........
.............
................
.....................
.......
0.55
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Larghezza contatto, um
Figura 7.23: Andamento della tensione applicata che, al variare della larghezza Z del
contatto, consente un usso di corrente di 2 mA. La curva punteggiata rappresenta la
tensione Vj ai capi della giunzione.
f (T ) = J A0 T 2 eD/T
f (x) = A0 (2T + D) eD/T
PROGRAMMA FORTRAN
212
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n =1
A0 = 120e4
D = -6244.8276
cur = 1e2
T = 700
1 f = cur - A0*T**2*exp(b/T)
fp = A0*(- 2*T+D)*exp(b/T)
dT = - f/fp
T = T + dT
write (59,*)n, T, f, dT
n = n+ 1
if(abs(dT/T).lt.1.E-6) stop
if(n.ge.100) stop
go to 1
end
Landamento e tracciato nella gura 7.24 Il lavoro di estrazione del metallo puo essere
calcolato, pensando che il semiconduttore sia silicio, ricordando che
qM q = 0, 77 eV M = 4, 05 + 0, 77 = 4, 83 V
7.5.2
Si consideri il sistema illustrato nella gura 7.25 nel quale
- il contatto in A e realizzato con un metallo con funzione di lavoro qM = 4, 5 eV;
213
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
8000
7000
6000
Densita di corrente [A/m^2]
5000
4000
3000
2000
1000
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Tensione[V]
14
Nella tecnologia del silicio i contatti tra silicio drogato p e alluminio realizzano naturalmente un
contatto non raddrizzante. Infatti lalluminio e un drogante di tipo p per il silicio e la sua deposizione
sul silicio genera un sottile strato p+ che trasforma il contatto, raddrizzante per la teoria di Schottky, in
un contatto tunnel. Di cio non si terra conto nella soluzione del problema e si costruira un diagramma
a bande che garantisce un comportamento non raddrizzante nellipotesi che valga la teoria ideale di
Schottky.
214
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
4m 2m
3m 2m
2m 1m
1
A
B
ossido n+ 2,5m
n
Substrato p 500m
1 C
a)
Per la valutazione delle grandezze che determinano il diagramma a bande allequilibrio
termodinamico a 300 K si ha
5 1015
Nd
(EF Ei )n = kT ln = 0, 026 ln = 0, 331 eV
ni 1, 45 1010
1, 4 1016
kT Na
(Ei EF )p = ln = 0, 026 ln = 0, 36 eV
q ni 1, 45 1010
qB (J1 ) = qM q = 4, 5 4, 05 = 0, 45 eV
e quindi
r r
2s 2 11, 7 8, 854 1014
xdJ1 = i1 = 0, 221
qNd 16 1019 5 1015
= 0, 756 105 cm = 0, 0756 m
215
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
q = 4, 05
qM = 4, 5 qi1 = 0, 221 qi2 = 0, 689 Ei EF
EF Ei
Eg
EF
Eg
,362 ,130
0,075 n p
0,492
Figura 7.26: Diagramma a bande nella sezione 1 1 . Le lunghezze sono in m, le
energie in eV.
il potenziale di contatto
1, 4 1016 5 1015
kT Na Nd
i2 = ln = 0, 026 ln = 0, 689 eV
q n2i (1, 45 1010 )2
lestensione della regione svuotata
s s
2s 2 11, 7 8, 854 1014
xdJ2 = i2 = 0, 689 = 0, 492 m
qNeq 16 1019 3, 68 1015
216
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Rsub + RC
A J1 J2 C
Repi
dove AJ e larea della giunzione che, assumendo una emissione completamente focaliz-
zata, vale 6 m2 ,
I = 6 108 120 e(4,54,05)/0,026 eVa /0,026 1
= 2, 185 1010 eVa /0,026 1 mA
Nel circuito equivalente devono essere rappresentati anche i fenomeni resistivi. Mentre
le resistenze di contatto dei due contatti non raddrizzanti in B e in C possono essere
considerate nulle, al contrario non si possono trascurare le resistenze del corpo della
regione n epitassiale (Repi ) e della regione p di substrato (Rsub ), incontrate dai ussi
di corrente per giungere nella sezione 1 1 . In particolare per la resistenza epitassiale
217
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
J1 J2 Rsub
VC
Nella situazione in cui al contatto C viene applicata una tensione variabile VC tra 5 V
e +5 V e il contatto B viene lasciato aperto mentre A e a massa, il circuito equivalente
diventa quello della gura 7.28
Il diagramma tensione corrente puo essere costruito notando che, se VC > 0, la giunzione
J2 tende a essere in conduzione diretta; in realta la tensione Va ai suoi capi non puo
crescere oltre il valore corrispondente alla corrente inversa di J1 , quindi:
Va /VT
I0(J1 ) = I0(J2 ) e 1
I0(J1 ) + I0(J2 )
Va = VT ln = 0, 288 V
I0(J2 )
Oltre a questo valore la tensione in eccesso si localizza, come tensione inversa, sulla giun-
zione J1 mantenendo la corrente costante pari a I0(J1 ) no a quando lestensione della
regione svuotata non diventi tale da svuotare completamente la regione n . Per questo
valore di tensione la corrente, che era limitata alla corrente inversa della giunzione
metallo semiconduttore, aumenta rapidamente, in quanto le due barriere di potenziale
entrando in contatto tendono ad annullarsi tra di loro17 . Sinnesca cioe il meccanismo
di perforazione diretta, cui corrisponde un intenso usso di portatori (elettroni dal
metallo al semiconduttore di tipo p). Il valore della tensione VC che porta al completo
svuotamento puo essere calcolato assumendo che sia trascurabile la regione svuotata
xdn (J2 ) della giunzione18 n p e quindi considerando solo lestensione della regione
svuotata della barriera Schottky.
Dalle relazioni
r
2s qNd 1
xd = (i Va ) ; Emax = xd ; i Va = + Emax xd (Va )
qNd s 2
Lo svuotamento completo si ha quando xdJ1 2, 5 m, per cui risulta immediato
valutare il campo massimo e la tensione inversa sulla giunzione nella condizione limite
1, 6 1019 5 1015
Emax = 2, 5 104 = 1, 93 105 V cm1
11, 7 8, 85 1014
1 1
i Va = + Emax xd Va = i Emax xd
2 2
Va (J1 ) = 0, 221 V 24, 14 V = 23, 919 V
16
Sarebbe piu corretto considerare il diodo corto e quindi sostituire alle lunghezze di diusione le
lunghezze siche dei due lati della giunzione.
17
Si faccia riferimento alla gura 7.26 pensando che la zona neutra n scompaia.
18
Allequilibrio termodinamico la larghezza della regione di svuotamento nella giunzione e 0,362 m.
Quando si polarizza inversamente il contatto J1 , la giunzione J2 e polarizzata direttamente (se pur di
poco dato che la corrente resta limitata) e quindi la regione di svuotamento nel lato n di J2 si riduce
ulteriormente.
218
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
J0(J1 )
-32 24,2 VC
J0(J2 )
219
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
J1 Repi
VB
oscillazione e data da
1
f0 =
2 LC
si determinino, nel caso in cui L = 100 H e T = 300K,
a) lespressione della capacita dierenziale del contatto;
b) la frequenza di oscillazione per una barriera Schottky ideale tra platino (qM =
5, 3 eV) e silicio drogato uniformemente con Nd = 1016 cm3 con polarizzazione
nulla (larea del diodo e 105 cm2 );
c) il valore di polarizzazione per cui la frequenza di oscillazione risulta accresciuta
del 50 % rispetto al suo valore a polarizzazione nulla.
a)
La capacita dierenziale in una giunzione metallo semiconduttore e legata alla vari-
azione della carica di svuotamento in funzione della tensione applicata.
dQS (Va )
C=
dVa
Per determinare la dipendenza funzionale di QS dalla tensione
QS = qANd xd
La tensione totale che cade nella regione svuotata nel lato semiconduttore del contatto
(xd ), allequilibrio termodinamico, e il potenziale di contatto i
qNd x2d 1q
(xd ) = ; i = Nd x2d (7.2)
qs 2 s
220
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
(x)
qNd
xd x
metallo semiconduttore
con una tensione applicata Va , la caduta di potenziale sulla regione svuotata vale invece
(i Va ), pertanto il legame xd (Va ) diventa
r
2s
xd = (i Va ) (7.3)
qNd
e la carica
p
QS (Va ) = A 2qNd s (i Va )
Si ottiene allora lespressione della capacita dierenziale
s
dQS 1 2qN d s qNd s
C = = Ap =A (7.4)
dVa 2 2qNd s (i Va ) 2(i Va )
b)
Dato che qi = qM qS e qM = 5, 3eV, occorre determinare qS = q+(EC EF )
2, 8 1019
NC
EC EF = kT ln = 0, 026 ln = 0, 206 eV
Nd 1016
qS = 4, 05 + 0, 205 = 4, 255 eV
qi = 5, 3 4, 255 = 1, 045 eV
La capacita viene scritta nella forma
K
C =
Va
ri
qs Nd
K = A = 0, 88 1013 F
2
2, 88 1013
C(Va = 0) = = 0, 282 pF
1, 045
a questa capacita corrisponde una frequenza di risonanza
1
f0 = = 29, 66 MHz
2 LC0
c)
221
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2 2 1018 F2
1/C
JM1
1
JM2
V 0
-2 -1 0 1 2
Figura 7.32: Andamento delle curve 1/C 2 per due giunzioni metallo semiconduttore.
C(Va )
= 0, 44
C(0)
per cui
1
Va = i 1 = 4, 25 V
0, 442
e quindi
1 2(i Va )
=
C2 qA2 Nd S
222
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1 cm
5 cm
I valori delle concentrazioni di drogaggio si desumono dalle pendenze delle rette della
gura 7.32, in quanto il coeciente angolare delle curve 1/C 2 vale
2
a=
qA2 Nd S
Ricapitolando si ha che il contatto JM1 e tra il metallo con lavoro di estrazione qM1
minore e il semiconduttore con resistivita 5 cm, mentre JM2 ha qM2 maggiore e il
semiconduttore con 1 cm.
Per valutare i lavori di estrazione dei due metalli si usano le espressioni
NC
qM1 = q + kT ln + qi1
ND5
NC
qM2 = q + kT ln + qi2
5ND5
Nel caso di drogaggio non uniforme Nd = N (x) si fanno misure di capacita dierenziale
al variare della tensione applicata. Nelle gure 7.33 e 7.34 sono riportate in funzione
di V le capacita per unita di area C/A. Per ogni valore di tensione la regione di carica
spaziale si estende sino alla profondita xd fornita dalla relazione
s
C/A = (7.5)
xd
223
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2.5
2
C, F/cm^2
1.5
0.5
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0
tensione, V
0.018
0.016
0.014
0.012
C, F/cm^2
0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
0
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0
tensione, V
224
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2
N (xd ) = (7.6)
d 1/(C/A)2
qs
dV
225
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 20
2.5 200
1/C^2, F^-2 cm^4
profondita, um
150
1.5
100
1
50
0.5
0 0
-20 -15 -10 -5 0 -20 -15 -10 -5 0
tensione, V tensione, V
x10 19 x10 12
d(1/C^2)/dV, F^-2 cm^4 V^-1
2.413 2
N, cm^-3
1.207 1
0 0
-20 -15 -10 -5 0 0 50 100 150 200
tensione, V profondita, um
profondita, um
1.5
0.1
1
0.05
0.5
0 0
-20 -15 -10 -5 0 -20 -15 -10 -5 0
tensione, V tensione, V
x10 13 x10 19
d(1/C^2)/dV, F^-2 cm^4 V^-1
2 2.5
2
1.5
N, cm^-3
1.5
1
1
0.5
0.5
0 0
-20 -15 -10 -5 0 0 0.05 0.1 0.15
tensione, V profondita, um
226
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
B E C
C
J1 J2
n n
p B
n
B
J1 C
J2
227
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
800mV
600mV
400mV
200mV
0V
0 50ns 100ns 150ns 200ns
Figura 7.39: Commutazione di una giunzione p-n: tensione ai capi del diodo in funzione
del tempo.
500mV
400mV
300mV
200mV
100mV
-0mV
0 50ns 100ns 150ns 200ns
Figura 7.40: Commutazione di una giunzione p-n con in parallelo un diodo Schottky:
tensione ai capi dei diodi in funzione del tempo.
228
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
S G D
a GaAs epitassiale
GaAs
I MESFET orono numerose caratteristiche attraenti per limpiego nei circuiti in-
tegrati ad alta velocita, dato che possono essere realizzati con semiconduttori (semi-
conduttori composti dei gruppi III-V, quali larseniuro di gallio e il fosfuro di indio) nei
quali sono elevate sia la mobilita degli elettroni, fatto che consente di minimizzare le
resistenze serie, sia la velocita di saturazione, che permette di aumentare la frequenza di
taglio. I MESFET reali sono costruiti usando strati epitassiali su substrati semiisolanti
(per esempio GaAs intrinseco) per minimizzare le capacita parassite.
Le dimensioni fondamentali del dispositivo sono quelle del canale: la lunghezza L,
la larghezza Z e laltezza a. Nelle rappresentazioni la sorgente e usualmente a massa e
le tensioni VG del gate e VD del collettore sono misurate rispetto alla sorgente.
MESFET a canale normalmente aperto (ON)
Il dispositivo a canale normalmente aperto (o a svuotamento), e un dispositivo che
a riposo (VGS = 0) presenta un canale conduttore. Per tensioni inverse sul gate20 , in
ogni sezione longitudinale x del dispositivo larea della sezione trasversale aperta al
usso della corrente e pari a A = Z[a w(x)], dove w(x) e la larghezza della regione
di svuotamento del lato semiconduttore del contatto. Lestensione w della regione
svuotata dipende dalle tensioni ai suoi capi: dal lato del metallo la tensione VGS , da
quello del semiconduttore la tensione nel punto x che e parte della tensione applicata ai
capi dellintero canale, VDS . Al crescere della polarizzazione inversa sul gate il canale
tende a chiudersi. In conclusione w(x) e una funzione di VDS e di VGS , parimenti lo
sara la resistenza del canale e quindi la corrente.
Per correnti ID di piccola intensita, la larghezza della regione di svuotamento e
approssimativamente costante, w(x) w, quindi
A qn Nd Z(a w)
ID = G VDS dove =
G=
L L
La corrente varia linearmente con la tensione di collettore. Il legame tra w e la tensione
dipende dal prolo di drogaggio; nel caso di un prolo di drogaggio costante di donatori
nel semiconduttore
r
2s
w = (i VGS )
qNd
allora
r
2s
ID = G0 1 (i VGS ) VDS (7.7)
qNd a2
20
Si usano quasi esclusivamente canali di tipo n, pertanto la polarizzazione inversa comporta VGS < 0.
229
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
qNd a2
VP = i (7.10)
2s
Il dispositivo descritto presenta una saturazione per strozzamento, cioe per chiusura del
canale mediante la regione di carica spaziale. Nei MESFET normalmente succede che,
prima che il canale si chiuda completamente, il campo longitudinale superi il valore per
cui la velocita satura al valore vsl , cioe Ey >> 105 V/cm. In questo caso 1/Ey , la
corrente
ID = q xw Z Nd Ey (7.11)
qNd a2
VP =
2s
230
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
canale22 . Occorre applicare alla porta una tensione di polarizzazione positiva anche
incominci a uire corrente nel canale. La tensione necessaria, detta tensione di soglia
qNd a2
VT = i
2s
e la tensione totale alla quale la regione svuotata occupa tutto il canale. In questi
dispositivi, detti ad arricchimento (enhancement), VT e positiva.
Parametri differenziali.
Quando alle tensioni costanti di polarizzazione (VG e VD ) si sovrappongono tensioni
di segnali sul gate (vG ) e sul collettore (vD ), la corrente di collettore si modica, ar-
ricchendosi di una componente di segnale: iD . La corrente totale diventa iD + ID ed
e funzione delle tensioni sul drain e sul gate. Nel caso di piccoli segnali, cioe piccoli
scostamenti dai valori del punto di polarizzazione (punto di riposo), la corrente si puo
espandere in serie di Taylor intorno a tale punto (VD , VG ) arrestando lo sviluppo ai
termini lineari. Si ottiene il legame lineare
id = gd vD + gm vg (7.12)
dove gd e la conduttanza del canale, detta anche conduttanza di collettore, e gm e la
transconduttanza
ID
gd =
VD VG =cost
ID
gm =
VG VD =cost
Circuito equivalente.
La (7.12) descrive il comportamento del dispositivo in presenza di piccole variazioni
delle grandezze elettriche rispetto al punto di riposo, cioe in presenza di un segnale. La
(7.12) consente una semplice interpretazione circuitale, come parallelo di una condut-
tanza e di un generatore di corrente dipendente da una tensione. Esso rappresenta la
parte delluscita del circuito equivalente per piccoli segnali di un MESFET, illustrato
entro il riquadro nella gura 7.42.
Il circuito equivalente e completato allingresso dalla serie di un resistore dingres-
so Ri e di un condensatore23 Cgs . Anche alluscita il comportamento capacitivo del
contatto e rappresentato da una capacita, Cds .
22
Ad esempio, MESFET a GaAs con uno strato epitassiale n molto sottile e poco drogato su di un
substrato semiisolante.
23
Tiene conto della capacita di svuotamento del contatto metallo-semiconduttore.
231
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Rs
Cgs vgs Rds
gm vgs RL vu
vs Cds
Ri
RG RD
G S Transistore D D
intrinseco
G
VG S VD S
VGS RS VDS
Figura 7.43: Circuito equivalente del MESFET reale: al modello del transistore
intrinseco sono state aggiunte le resistenze serie RS ,RD e RG .
Al circuito equivalente del dispositivo intrinseco (cioe della parte che e utile per
controllare il segnale) occorre aggiungere le resistenze serie (RS , RD , RG ), dovute es-
senzialmente al volume di semiconduttore attraversato dalla corrente prima di arrivare
ai morsetti esterni (g. 7.8).
Frequenza di taglio.
Per caratterizzare il comportamento con la frequenza, si denisce la massima fre-
quenza di lavoro quella oltre cui il FET non puo piu amplicare un segnale dingresso24
e la si denomina frequenza di taglio fT . Si ha in prima approssimazione
gm
fT = (7.14)
2 CG
dove CG e la somma della capacita tra il gate e la sorgente Cgs e la capacita tra il gate
e il drain Cgd .
7.8.1
In un MESFET si trascurino le resistenze serie parassite.
24
E la frequenza per cui, con luscita in corto circuito, lamplicazione di corrente e unitaria.
232
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1. Mediante luso del circuito equivalente della gura (7.42) si determini lespres-
sione della frequenza di taglio fT , denita come frequenza per cui, con luscita in
corto circuito, lamplicazione di corrente e unitaria.
2. Partendo dalla relazione trovata si trovi una relazione approssimata (per eccesso)
della frequenza di taglio in cui siano espliciti i legami con la geometria del canale
e la concentrazione di drogaggio.
a)
Ponendo in corto circuito i morsetti duscita del circuito equivalente della gura 7.42
si determina la frequenza f = fT per la corrente che attraversa la capacita dingresso
2f Cgs vgs
233
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
7.8.2
Sia un MESFET a canale n in GaAs con barriera per il usso di elettroni dal metallo
al semiconduttore B = 0, 9 V. Il canale ha un drogaggio Nd = 1 1017 cm3 , e spesso
a = 0, 1 m, lungo L = 1 m e largo Z = 10 m.
1. Si determini se si tratta di un dispositivo ad arricchimento o a svuotamento.
2. Si calcoli il valore della tensione di soglia.
3. Si valuti lintensita della corrente di saturazione per VG = 0 V.
4. Si calcoli la frequenza di taglio.
c)
La mobilita degli elettroni con lintensita di drogaggio Nd e n = 5000 cm2 V1 s1 ,
quindi la conduttanza a vuoto vale
Za 10 104 0, 1 104
G0 = qn Nd = 1, 6 1019 5000 1017 = 0, 008 1
L 1 104
e la corrente di saturazione per VG = 0
" ( 1 )#
1 2 i 2
ID,sat = G0 (i VP ) i 1
3 3 i VP
" ( 1 )#
1 2 0, 86 2
= 0, 008 0, 09 0, 86 1 = 7, 5 mA
3 3 0, 09
d)
Si usa la (7.14)
G0 0, 016
fT = = 2, 46 1011 Hz
Zs L/a 10 1, 16 1012 /(2 0, 2 104 )
3
fT 246 GHz
234
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
7.8.3
Si consideri una sezione sotto il gate di un MESFET formato da un contatto Ti/Pt/Au
con i = 0, 8 V su di uno strato attivo di tipo n+ sopra il substrato semiisolante. Sia
applicata una tensione gate-canale VGC .
7.8.4
Si consideri un MESFET il cui canale sia ottenuto per impiantazione con una dose di
N = 2, 51 1012 cm2 . Il prolo di drogaggio e approssimativamente gaussiano con
un massimo alla profondita di 50 nm. La deviazione standard e Rp = 50 nm. Se il
235
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Figura 7.45: Prolo di drogaggio in un MESFET con canale ottenuto per impiantazione
ionica.
x10 17
2.5
1.5
ND, cm^-3
0.5
0
0 50 100 150 200 250
Profondita, nm
(x Rp )2
Nd (x) = Cp exp
2Rp2
N
Cp = = 2 1017 cm3
Rp 2
Dato che il drogaggio non e costante con la profondita, per determinare la tensione
di giunzione in funzione dello spessore della regione svuotata xd occorre integrare le-
quazione di Poisson con una carica funzione di x. Nellipotesi di completo svuotamento,
la carica e non nulla solo per x xd si ha
q xd
x
V (x = 0) = Nd (x) dx dx
0 0
236
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
con il substrato p, cioe lo spessore a del canale e la profondita a cui il drogaggio dei
donatori impiantati e pari a quello degli accettatori del substrato.
s s
2 1017
2
Cp 2 2
a = Rp + 2Rp ln = 50 nm + 2 50 nm ln
Na 1 1016
a = 172 nm
Si ha allora
a
(x Rp )2
qCp
VT = i x exp dx
2R2
p
0
Lintegrale puo essere risolto in forma chiusa usando la funzione errore, ma si possono
anche usare i metodi integrazione numerica riassunti in appendice. Si trova VT =
1, 06 V.
237
Capitolo 8
La giunzione p-n
238
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n = ni e(EF EF i )/kT
La non omogeneita del drogaggio comporta una situazione di non neutralita della
carica elettrica, dovuta al moto per diusione dei portatori dalle regioni in cui a parita
di energia sono in maggior numero verso quelle meno popolate.
Il potenziale puo essere espresso mediante il livello di Fermi del semiconduttore in-
trinseco Ei , che ha lo stesso andamento dei livelli che delimitano le bande di conduzione
e di valenza (Erif e un energia di riferimento costante e di valore arbitrario)
1
= (EF i Erif )
q
Si puo quindi esprimere il campo elettrico in funzione dallandamento delle bande di
energia
1 EF i
E = =+
x q x
Allequilibrio Jtot = Jn + Jp = 0, e in particolare, per il principio dellequilibrio
dettagliato (capitolo 5), e Jn = 0 e Jp = 0. Si scrive la relazione per gli elettroni
n
q n n E + q D n =0
x
Lequazione di Shockley consente di esprimere il gradiente dei portatori mediante il
livello di Fermi riferito al livello di Fermi del semiconduttore intrinseco E(x) = EF (x)
EF i (x)
n n E
=
x E x
n EF (x) EF i (x) 1 EF EF i
= ni exp
x kT kT x x
Pertanto la condizione Jn = 0 diventa
EF (x) EF i (x) 1 EF i
0 = q n ni exp +
kT q x
EF (x) EF i (x) 1 EF EF i
+ q Dn ni exp
kT kT x x
EF (x) EF i (x) 1 EF i
0 = ni exp q n +
kT q x
kT 1 EF EF i
+ q n
q kT x x
EF (x) EF i (x) EF
0 = ni exp n
kT x
Quindi allequilibrio deve essere EF (x) = costante 1 .
1
Anche il questo caso la condizione di equilibrio non e strettamente necessaria, essendo suciente
la condizione Jtot = 0.
239
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Semiconduttori
con prolo di drogaggio
variabile 8.1.1
Generazione e Ricomb.
prolo brusco 8.4.1, 8.4.2
8.1.3, 8.1.4
La giunzione p-n
prolo graduale La giunzione p-n
fuori equilibrio
8.1.5,8.1.6,8.1.7 allequilibrio 8.1.2
8.3.1, 8.3.2, 8.3.3
prolo gaussiano
8.1.8 Distribuzione di carica
Campo Fenomeni di
rottura
8.5.1, 8.5.2, 8.5.3
Potenziale
Capacita
8.2.1, 8.2.2, 8.2.3, 8.2.4
La giunzione n-i
8.6.1
La giunzione p-i-n
8.6.2, 8.6.3, 8.6.4
240
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Ev
Ei
Ec
Figura 8.2: Andamento delle bande di energia per un prolo di drogaggio generico.
E0
qi
q
Ec
qSn
qSp
Ei
(Ei EF )p
Ev
(EF Ei )n
q i = q Sp q Sn = (Ei EF )p + (EF Ei )n
dove le grandezze con i pedici p e n si riferiscono alle sezioni in cui, nei due lati, ha ne
la regione di carica spaziale. Introducendo le equazioni di Shockley, si ha
kT Na kT Nd kT Na Nd
i = ln + ln = ln
q ni q ni q n2i
241
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
qND
qNA
E0
x
VJ = V0 V
formule si semplicano.
Eg kT Nd
[p+ n] i = + ln
2q q ni
Eg kT Na
[p n+ ] i = + ln
2q q ni
2 (x)
2
=
x
Se la giunzione e brusca e se A e larea della sezione trasversale, integrando il legame
242
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
campo-carica, si ha in sequenza
x qNa
E(x) =
s dx + E(x p)
| {z }
xp
0
qNa qNa qNa
= x xp = (x + xp )
Lato p s s s
x qNa
(x) = x E(x) dx + p =
s (x + xp ) dx + p
xp
xp
qNa
= 2
(x + xp ) + p
2s
qN qN
Lato n (x) = 2 d (xn x)2 + n = n 2 d (xn x)2
s s
Intensita massima del campo elettrico. Il campo elettrico e negativo e, nel caso
di drogaggio costante nelle due regioni p e n, ha andamento triangolare con lati tanto
piu pendenti quanto maggiore e il drogaggio. Il valore massimo e
1 2(i Va )
Emax xd = (i Va ) Emax =
2 xd
La tensione ai capi della regione in cui il campo e nullo e larea sotto la curva del campo,
mutata di segno.
243
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Lintensita di campo elettrico per denizione e
dV
E
dx
e passando allenergia potenziale
1 dE
E =+
q dx
Il campo elettrico e dunque proporzionale al gradiente dellenergia potenziale degli
elettroni
1 dEC
E =+
q dx
Ovviamente si puo usare per il calcolo del gradiente ogni curva del diagramma a bande
che sia ottenibile da EC (x) mediante una semplice traslazione; in particolare si puo
usare EV (x) = EC (x) Eg oppure Ei (x) = EC (x) Eg /2
1 dEi
E =+
q dx
b)
In una giunzione allequilibrio il usso della corrente di diusione degli elettroni va
dal lato n al lato p, mentre la corrente di trascinamento legata al campo elettrico
uisce nella direzione opposta. Allequilibrio termodinamico, cioe a una data temper-
atura e in assenza di qualunque sollecitazione esterna, il usso netto della corrente
attraverso la giunzione deve essere nullo, pertanto la corrente dovuta al campo elettri-
co viene compensata esattamente dalla corrente di diusione dovuta al gradiente della
concentrazione2 . Per la densita di corrente totale degli elettroni si ha
1 dEi dn
Jn = Jn,trasc. + Jn,diff = qn n + qDn =0
q dx dx
dalle equazioni di Schockley si ha
(EF Ei )/kT dn n dEF dEi
n = ni e =
dx kT dx dx
2
Cio deve valere, separatamente, per ciascuno dei due tipi di portatori: principio dellequilibrio
dettagliato (problema ??).
244
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
8.1.2
Calcolare il campo elettrico allequilibrio in un campione di silicio con una distribuzione
delle impurita del tipo:
N (x) = N0 ex/
Con N0 = 5 1018 cm3 e = 0, 5 m. Si giustichino tutte le ipotesi necessarie per
arrivare al risultato numerico.
La distribuzione dei portatori n(x) inizialmente coincide in ogni sezione con la con-
centrazione degli atomi di drogaggio ionizzati, in armonia con lipotesi di quasi neu-
tralita. Assumendo la completa ionizzazione degli atomi droganti, tale concentrazione
si identica con il prolo di drogaggio N (x).
Allequilibrio termodinamico la densita di corrente totale e nulla
n(x) p
qn n(x) E(x) + qDn + qp p E(x) qDp =0
x x
2
ni
2
n(x) n n(x)
qn n(x) E(x) + qDn + qp i E(x) qDp =0
x n(x) x
p n2i Dp n2i n(x)
qn n(x) 1 + 2
E(x) + qDn 1 + 2
=0
n n (x) Dn n (x) x
Dato che Dp /Dn = p /n , si ha
n(x)
qn n(x) E(x) + qDn = Jn = 0
x
cioe allequilibrio J = 0 comporta separatamente Jn = 0 e Jp = 0 (principio delle-
quilibrio dettagliato, problema ??). La condizione di equilibrio consente il calcolo del
campo
Dn 1 dn(x) kT 1 dn(x)
E(x) = =
n n(x) dx q n(x) dx
dn(x) 1
= n(x)
dx
kT 1 1 kT 0, 026
E(x) = n(x) = = = 520 V cm1
q n(x) q 0, 5 104
245
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Il campo non dipende da N0 , ma assume valori non trascurabili tali da porre in dis-
cussione lipotesi iniziale di quasi neutralita; del resto, come si e osservato nel capitolo
5, un semiconduttore con drogaggio non uniforme presenta una carica spaziale dovuta
allo spostamento di portatori per diusione.
8.1.3
Una giunzione p-n brusca presenta dai due lati drogaggi Na = 1 1015 cm3 e Nd =
2 1017 cm3 .
1. Si determini il potenziale di contatto i a temperatura ambiente.
2. Utilizzando lapprossimazione di completo svuotamento, si calcoli la larghezza del-
la zona di carica spaziale e il campo Emax per tensioni applicate Va di 0 V e di
10 V.
a)
kT Na Nd 2 1032
i = ln = 0, 026 ln = 0, 72 V
q n2i (1, 45 1010 )2
b) Con Va = 0 V si ha
s
2s 1 1
xd = xn + xp = + (i Va )
q Na Nd
s
2 11, 7 8, 854 1014 1 1
xd = 15
+ 0, 72
1, 6 1019 10 2 1017
s
1, 294 107
= 0, 72 = 9, 6 105 cm = 0, 96 m
9, 95 1014
2(i Va ) 2 0, 72
Emax = = = 1, 5 104 V cm1
xd 9, 6 105
Con Va = 10 V si ha
p
xd = 1, 301 108 10, 72 = 3, 73 104 cm = 3, 73 m
2 10, 72
Emax = = 5, 74 104 V cm1
3, 73 104
8.1.4
Una giunzione p-n brusca di silicio, ha concentrazioni di drogante Na = 2 1015 cm3
e Nd = 0, 5 1018 cm3 .
1. Calcolare il potenziale interno i a temperatura ambiente.
2. Nellambito dellapprossimazione di completo svuotamento, calcolare la larghez-
za dello strato di carica spaziale e il campo elettrico massimo per tensioni di
giunzione Va = 0 e Va = 10 V.
3. Disegnare le due curve del campo elettrico, controllando sul disegno che esse
corrispondano eettivamente al valore di tensione previsto.
246
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
14 3
Na Nd (10 cm )
10
p n
5
xn = 1, 17m
xp
3
8.1.5
Si studi una giunzione p-n su silicio con un drogaggio a prolo lineare nel lato p con
Na = ax (a = 1019 cm4 ) e un drogaggio uniforme nel lato n con Nd = 3 1014 cm3 .
Sapendo che in assenza di polarizzazione la larghezza dello strato di svuotamento nel
lato n e xn = 1, 07 m, si determinino a) lampiezza complessiva dello strato di
svuotamento, b) il campo massimo a polarizzazione nulla e c) la tensione di contatto
Vbi .
b)
Nel lato p (xp x 0), dalla legge di Gauss, con la condizione al contorno E(xp ) =
0, si ha
x
1 1
E(x) =
qax dx = qa(x2 x2p )
xp 2
1
E(0) = Emax = qax2p = 4, 949 105 V/m = 4, 949 kV/cm
2
Nel lato n, (0 x xn )
x
1 1
qNd dx = E(0) + qNd x
E(x) = E(0) +
0
c)
Per calcolare il potenziale di contatto si integra il campo elettrico
247
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x
1
qa (x2 x2p ) dx =
(x) =
xp 2
1 1
xp x 0 = qa (x3 + x3p ) + qa x2p (x + xp )
6 2
1
(0) = p = qa x3 = 264 mV
3x p
1
(x) = (0) E(0) + qNd dx =
0
1 1
0 x xn = (0) + qa x2p x qNd x2
2 2
1 1
i = p + qa x2p xn qNd x2n
2 2
= 264 + 263, 9 = 527, 9 mV
Il potenziale nel lato n si puo calcolare piu semplicemente come 1/2 Emax xn .
8.1.6
Nel problema 8.1.5 la ricerca della soluzione e stata agevolata dalla conoscenza a pri-
ori dellampiezza della regione di svuotamento nel lato n allequilibrio termodinamico.
Rimuovendo tale informazione si determini lampiezza della regione svuotata nei due
lati e il valore del potenziale di contatto che si instaura allequilibrio termodinamico ai
capi delle regioni svuotate.
248
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Si applicano tali condizioni nel caso della giunzione p-n con prolo di drogaggio lineare
nel lato p e uniforme nel lato n.
Neutralita:
1 a 2
qNd xn = qax2p ; xn = x
2 2Nd p
Distribuzione di carica:
2
qax
2
=
x s !
2 2
qa qa x x p
E(x) = E(xp ) + x x dx = 0 +
xp s 2 2
s
lato p qa x
(x) = (xp )
x2 x2p dx
2 s xp
qa 2 1 3 3
= 0+ x (x + xp ) x + xp
2s p
3
1
(0) =
qax3p
2 3 s
qNd
2
=
x s
qNd xp dx = 0 + qNd (x xn )
E(x) = E(xn ) +
lato n s x s
qN
d 0 qNd x2
(x) = (0) (x xn ) dx = (0) xn x
s x s 2
qa 3 qNd 2
(xn ) = i = x + x
3s p 2s n
Sostituendo lespressione per xn ricavata dalla condizione di neutralita, si ottiene
qa 3 qa2 4
i = xp + x
3s 8s Nd p
8.1.7
Si consideri una giunzione p-n a prolo di drogaggio lineare con gradiente a. Si traccino
il potenziale di contatto e lampiezza della regione svuotata in funzione del gradiente a,
variabile tra 1019 cm4 e 1023 cm4 .
249
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Neutralita:
w
qaxp = qaxn ; xn = xp =
2
Distribuzione di carica:
2 qax
=
x2 s
x
qax qa w2 2
E(x) = E(w/2) + dx = 0 x
w/2 s
2s 4
x 2
qa w 2
(x) = (w/2) + x dx
2
w/2 s
4
qa w2 x3 w3
= 0+ x +
2s 4 3 12
(+w/2) = i = qa12s w3
Dierenza dei lavori di estrazione:
kT (aw/2)(aw/2)
i = ln
q n2i
Combinando le ultime due equazioni si ottiene
qaw3 2kT aw
= ln
12s q 2ni
che risolta in funzione di w per i valori di a nel campo prescelto, permette di ottenere
landamento dellampiezza della regione svuotata e del potenziale di contatto, come
riportato nelle gure 8.7 e 8.8.
8.1.8
Si consideri una giunzione p-n ottenuta introducendo su di un substrato di tipo p
drogato uniformemente
(Na = d) impurita donatrici con prolo gaussiano: C(x) =
Cp exp (x/ 2)2 , con massimo alla supercie.
Si approssimi la gaussiana con la funzione Nd (x) = a becx , imponendo che la
nuova funzione coincida con quella originaria in x = 0, , 2.
Mantenendo costanti d = 1 1016 cm3 e Cp = 1 1019 cm3 , si traccino gli andamenti
di Nd Na , del campo elettrico e del potenziale allinterno della giunzione (con lipotesi
di completo svuotamento) facendo variare la varianza nel campo 0, 1 m 0, 5 m.
La giunzione puo essere approssimata con una giunzione a prolo lineare?
Dai risultati del problema ?? si ha per lapprossimazione del prolo gaussiano che a, b, c
possono essere calcolate come
c = 0, 1803/
1 e1/2
b = Cp
ec 1
a = Cp + b
250
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 -3
ampiezza regione svuotata [cm]
10 -4
10 -5
10 -6
10 18 10 19 10 20 10 21 10 22 10 23 10 24
0.95
0.9
0.85
potenziale di contatto [V]
0.8
0.75
0.7
0.65
0.6
0.55
0.5
10 18 10 19 10 20 10 21 10 22 10 23 10 24
251
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 18
10 17
Nd-Na [cm^-3]
10 16
10 15
10 14
10 13
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
Profondita[cm] x10 -4
Nd Na = (a d) becx
Neutralita:
xj q(a d) qb ecx dx
xj +xp
= x q(a d) qb ecx dx
xj xn j
b cxj b c(xj xn ) b c(xj +xp ) b cxj
q(a d)xn q e + q e = q(a d)xp q e +q e
c c c c
b cxj cxn b cxj cxp
q(a d)xn + q e e 1 = q(a d)xp q e ( e 1)
c c
Sostituendo per xj lespressione sopra scritta, si ha
1 cxn 1 cxp
xn + e 1 = xp (e 1)
c c
Distribuzione di carica:
252
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x
q
[(a d) b ecx ] dx + E(xj xn )
E(x) =
xjxn s
q b cx b c(xj xn )
= (a d) (x xj + xn ) e + e +0
s c c
q b c(xj xn ) b cx
= (a d) (xn xj ) + e + (a d) x e
s c c
x
lato n q b
(a d) (xn xj ) + ec(xj xn ) + (a d) x
(x) =
xj xn
s c
b cx
c e dx + (xj xn )
q b c(xj xn )
= (a d) (xn xj ) + e (x xj + xn )
s c
h i
1 2 2 b cx c(x x )
2 (a d) x (xj xn ) 2 e e
j n
c
Si calcola il potenziale alla giunzione (x = xj ) e si sostituisce lespressione di xj :
q x2n b cxj cxn 1 1
(xj ) = (a d) + e e xn +
s 2 c c c
2
q xn 1 cxn 1 1
= (a d) + e xn +
s 2 c c c
x
q
[(a d) b ecx ] dx + E(xj + xp )
E(x) =
xj+xp s
q b cx b c(xj +xp )
= (a d) (x xj xp ) e + e +0
s c c
q b c(xj +xp ) b cx
= (a d) (xj + xp ) + e + (a d) x e
s c c
x
q (a d) (xj + xp ) + b ec(xj +xp ) +
lato p
(x) =
xj
s c
b cx
+ (a d) x c e dx + (xj )
q b c(xj +xp )
= (a d) (xj + xp ) + e (x xj ) +
s c
h i
2 x2 b (ecx ecxj ) + (x )
1
2 (a d) x j j
c2
Si calcola il potenziale per x = xj + xp : di xj ,
( )
q x2p b cxj cxp 1 1
(xj + xp ) = (xj ) (a d) + e e xp +
s 2 c c c
( )
q x2p 1 cxp 1 1
= (xj ) (a d) + e xp +
s 2 c c c
253
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1 1
xn + ecxn + xp ecxp = 0
c c
(
)
q
x2n x2p 1 cxn 1 cxp 1
(a d) + e xn + +e xp + i = 0
s 2 c c c
h i
(a d)2 (1 ecxn ) (1 ecxp )
VT ln + i = 0
n2i
1 ecxn
1 ecxp 0
q(a d) cxn 1 q(a d) cxp 1
A =
xn + e xn xp + e + xp +1
s c s c
cxn c ecxn
+V c e
T V T +1
(1 ecxn ) (1 ecxn )
254
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
PROGRAMMA C
#dene q 1.6e-19
#dene es 1.0359e-12
#dene ni 1.45e10
main(argc, argv)
int argc;
Char *argv[];
{
......
c = 0.1803 / sigma;
b = cp * ((1 - exp(-1.0 / 2)) / (exp(c * sigma) - 1));
a = cp + b;
xj = 1 / c * log((a - d) / b);
XE1 = xn;
XE2 = xp;
XE3 = phi;
xnn = xn;
xpn = xp;
phin = phi;
N = 0;
while (XE1 + XE2 + XE3 > 1e-8) {
xn = xnn;
xp = xpn;
phi = phin;
N++;
j11 = 1 - exp(-c * xn);
j12 = 1 - exp(c * xp);
j13 = 0.0;
j21 = q * (a - d) / es * (xn + exp(-c * xn) * (1 / c - xn));
j22 = q * (a - d) / es * (exp(c * xp) * (1 / c + xp) - xp);
j23 = 1.0;
j31 = 0.026 * c * exp(-c * xn) / (1 - exp(-c * xn));
j32 = -0.026 * c * exp(c * xp) / (1 - exp(c * xp));
j33 = 1.0;
f1 = xn + 1 / c * exp(-c * xn) + xp - 1 / c * exp(c * xp);
f21 = exp(-c * xn) * (xn + 1 / c);
f22 = exp(c * xp) * (xp - 1 / c);
f23 = (xn * xn - xp * xp) / 2;
f2 = q * (a - d) / es * (f23 + 1 / c * (f21 + f22)) + phi;
f3 = 0.026 * log((d - a) / ni * ((a - d) / ni) * (1 - exp(-c * xn)) *
(1 - exp(c * xp))) + phi;
n1 = j11 * xn + j12 * xp + j13 * phi - f1;
n2 = j21 * xn + j22 * xp + j23 * phi - f2;
n3 = j31 * xn + j32 * xp + j33 * phi - f3;
det = j11 * j22 * j33 - j11 * j23 * j32 - j12 * j21 * j33 +
j12 * j23 * j31 + j13 * j21 * j32 - j13 * j22 * j31;
detxn = n1 * j22 * j33 - n1 * j23 * j32 - j12 * n2 * j33 +
j12 * j23 * n3 + j13 * n2 * j32 - j13 * j22 * n3;
detxp = j11 * n2 * j33 - j11 * j23 * n3 - n1 * j21 * j33 +
n1 * j23 * j31 + j13 * j21 * n3 - j13 * n2 * j31;
detphi = j11 * j22 * n3 - j11 * n2 * j32 - j12 * j21 * n3 +
j12 * n2 * j31 + n1 * j21 * j32 - n1 * j22 * j31;
xnn = detxn / det;
xpn = detxp / det;
phin = detphi / det;
if (xnn - xn > 0) XE1 = xnn - xn; else XE1 = xn - xnn;
if (xpn - xp > 0) XE2 = xpn - xp; else XE2 = xp - xpn;
255
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
if (phin - phi > 0) XE3 = phin - phi; else XE3 = phi - phin;
}
printf(xn=% .5Exp=% .5Ephi=% .5EN= exit(0);
}
Risolvendo con il metodo di Cramer il sistema lineare ottenuto e iterando si ottengono,
al variare di , i seguenti risultati4
xj xn xp w = xn + xp
0.1 0,216 0,0551 0,0534 0,1085 -0,873
0.2 0,432 0,0684 0,0670 0,1354 -0,848
0.3 0,648 0,0777 0,0765 0,1542 -0,834
0.4 0,865 0,0850 0,0840 0,1690 -0,824
0.5 1,081 0,0912 0,0902 0,1814 -0,816
8.2.2
E dato un substrato di silicio drogato di tipo p con Na = 9 1016 cm3 . Si eettua una
diusione di fosforo con Nd = 3 1017 cm3 per realizzare una giunzione p-n con prolo
di drogaggio lineare, N (x) = Nd Na = ax con a = 0, 8 cm4 .
Si calcolino e si riportino su di un graco a) il prolo di drogaggio, b) lintensita del cam-
po elettrico, c) il potenziale e d) la capacita di svuotamento in funzione della tensione
applicata esternamente alla giunzione.
8.2.3
Si calcoli la capacita per piccolo segnale di un diodo al silicio, ideale, a base lunga, in
cui Nd = 1018 cm3 , Na = 3 1016 cm3 , n = p = 5 108 s. Larea della sezione
trasversale e A = 104 cm2 .
Si considerino due polarizzazioni dirette di 0, 1 V e 0, 6 V e due polarizzazioni inverse
di 0, 5 V e 15 V alla temperatura T = 300 K.
4
Le lunghezze sono espresse in micron, i potenziali in volt.
256
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 4
7
5
Campo Elettrico [V/cm]
0
0.98 1 1.02 1.04 1.06 1.08 1.1 1.12 1.14 1.16 1.18
Profondita[cm] x10 -4
Figura 8.10: Intensita del campo elettrico per = 0, 5 m nel caso gaussiano (curva
continua) e del campo ottenuto approssimando la distribuzione in modo lineare (curva
tratteggiata).
-0.1
-0.2
-0.3
Potenziale [V]
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
0.98 1 1.02 1.04 1.06 1.08 1.1 1.12 1.14 1.16 1.18
Profondita[cm] x10 -4
Figura 8.11: Andamento del potenziale per = 0, 5 m nel caso gaussiano (curva
continua) e del campo ottenuto approssimando la distribuzione in modo lineare (curva
tratteggiata).
257
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
8.2.4
Si progetti un varactor, usato come dispositivo a capacita variabile accordabile in ten-
sione per la sintonia in circuiti a microonde, usando un diodo p+ -n al silicio con dro-
gaggio uniforme. Il circuito richiede una variazione di capacita tra 1 pF e 3 pF. Il
campo massimo che si puo applicare e Emax = 300 kV/cm e la tensione inversa deve
essere al massimo Va max = 5 V.
Se il potenziale di contatto e i = 0, 8 V, si determini la concentrazione di drogaggio
e larea della giunzione.
La capacita dierenziale in una giunzione p-n e legata alla variazione della carica di
svuotamento in funzione della tensione applicata.
s
dQS 1 2qN
D S qND S
C = = Ap =A
dVa 2 2qND S (i Va ) 2(i Va )
258
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
259
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
8.3.2
Si abbia una giunzione p-n brusca con i parametri
lato p: livello di drogaggio Na = 5 1016 cm3 , lunghezza wp = 10 m;
Dalla conoscenza del drogaggio si ottengono i livelli energetici che delimitano della
banda di valenza nel lato p e della banda di conduzione nel lato n
NV 1, 04 1019
EF EV p = kT ln = 0, 026 ln = 0, 138 eV
Na 5 1016
NC 2, 8 1019
ECn EF = kT ln = 0, 026 ln = 0, 1179 eV
Nd 3 1017
e i potenziali
Na Nd 5 1016 3 1017
q i = kT ln = 0, 026 ln = 0, 829 eV
n2i (1, 45 1010 )2
NC
q sn = q + kT ln = 4, 05 + 0, 1179 = 4, 168 eV
Nd
q sp = q i + q sn = 4, 997 eV
260
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
da cui si hanno le estensioni della regione svuotata nei due lati della giunzione
1 1
Neq = = = 4, 28 1016 cm3
1 1 1 1
+ +
Na Nd 5 1016 3 1017
s s
2s 1 2 11, 7 8, 854 1014
xd |Va =0 = i = 0, 829
q Neq 1, 6 1019 4, 28 1016
= 1, 58 105 = 0, 158 m
s s
2s Na + Nd Na2 2s 1 Na
xn = 2
i = i
q Na Nd (Na + Nd ) q Na + Nd (Nd )
s
2 11, 7 8, 854 1014 1 5 1016
= 0, 829
1, 6 1019 (5 1016 + 3 1017 ) 3 1017
= 0, 0224 m
s
2 11, 7 8, 854 1014 3 1017 /5 1016
xp = 0, 829 = 0, 135 m
1, 6 1019 (5 1016 + 3 1017 )
Per la valutazione delle correnti, si mettono in tabella le proprieta dei due lati semi-
conduttori, partendo dai valori della mobilita, che si ottiene dal drogaggio, e della
diusivita, ottenuta tramite la relazione di Einstein:
Lato n Lato p
p = 471 cm2 V1 s1 n = 1417 cm2 V1 s1
Dp = kT /q p = 12, 24 cm2 s1 Dn = kT /q n = 36, 84 cm2 s1
p 2, 5 106 s n 2, 5 106 s
p p p
Lp = Dp p = 12, 24 2, 5 106 Ln = Dn n = 36, 84 2, 5 106
= 55, 31 m = 95, 96 m
wn = 1000 m wn Lp wp = 10 m wp Ln
h i
x+x
p (x) = p (xn ) exp xx
Lp
n
n (x) = n (xp ) 1 + wp xpp
p (xn ) = pn0 exp (Va /VT 1) n (xp ) = np0 exp (Va /VT 1)
Jp,diff = qDp dp / dx Jn,diff = qDn dn / dx
La corrente totale nella giunzione si puo approssimare come somma delle correnti di dif-
fusione ai capi della giunzione (si trascurano le correnti di generazione e ricombinazione
nella regione svuotata)
Dn 1
Jn (xp ) = q n2i eVa /VT 1
Na wp xp
D
p 1
Jp (xn ) = q n2i eVa /VT 1
Nd Lp
2 Dn 1 Dp 1 Va /VT
Jtot = Jp (xn ) + Jn (xp ) = qni + e 1
Na wp xp Nd Lp
261
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Itot (x)
Inn (x)
Inp (x) Inp (xp )
Ipp (x)
Ipn (xn )
Ipn (x)
xp xn
lato p lato n
saturazione inversa)
1 Dn 1 Dp 2, 47 1014 1, 372 1015
I0 = q n2i + = +
Na wp xp Nd Lp 9, 92 104 55, 31 104
= 2, 5 1011 A/cm2 = 25 pA/cm2
e la corrente totale
2 36, 84
Jn (xp ) = 1, 6 1019 1, 45 1010 16
5 10
1 0, 6
exp 1 = 285 mA/cm2
(10 0, 071) 104 0, 026
2 12, 24
Jp (xn ) = 1, 6 1019 1, 45 1010 17
3 10
1 0, 6
4
exp 1 = 2, 85 mA/cm2
55, 31 10 0, 026
262
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Il diagramma delle correnti e riportato nella gura 8.12. Imponendo che la corrente di
ricombinazione sia pari al 30% della corrente di elettroni nel lato p, si ha
Jn (xp ) = 0, 3 0, 287 = 0, 0855 A/cm2
Jtot = 0, 287 + 0, 0855 + 0, 00285 = 0, 3753 A/cm2
8.3.3
Si abbia un diodo a giunzione brusca e asimmetrica p+ -n, larea della sezione trasversale
e A = 2 104 cm2 e le due regioni sono lunghe in modo eguale wn = wp = 6 m. La
regione p ha drogaggio uniforme, con Na = 1019 cm3 , mentre nella regione di tipo n
si ha un prolo di drogaggio di tipo esponenziale
a)
Secondo lipotesi di quasi neutralita, in ogni sezione x il numero degli elettroni e pari
al numero di donatori ionizzati: nn (x) = Nd+ (x) Nd (x). Se esiste un campo elettrico
questo e espresso da
1 dEC
E(x) =
q dx
263
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Il prolo di impurita esponenziale induce nella regione quasi neutra n un campo elettrico
costante diretto dalla giunzione verso la regione n. Si noti che questo campo facilita lo
spostamento delle lacune di minoranza verso il lato n.
VT
E = = 298, 3 V/cm
wn
b)
La densita di corrente dei portatori maggioritari e
Si noti come si siano trascurate le correnti dei portatori maggioritari in eccesso che
danno comunque luogo a correnti che si compensano. In conclusione, la corrente nel-
la regione neutra n si riduce alla sola componente dei portatori minoritari, che sara
costante.
5
Si mantiene, anche in presenza di una polarizzazione, la situazione di equilibrio.
264
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
265
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Dato che
wn wn wn
wn Nd (x) dx =
Nd (x) = [Nd (0) Nd (wn )]
0 0
= 8, 67 1012 cm2
si ottiene
da cui
1 1 wn Nd (x) dx
p (x) = Jp
qDp Nd (x) x
Si puo vericare come sia p (0) = 3, 51 1012 cm3 in perfetto accordo con la legge
della giunzione p (0) = n2i /Nd (0) (exp(Va /VT ) 1) n2i /Nd (0) exp(Va /VT ) = 3, 51
1012 cm3 . Conoscendo la concentrazione in eccesso delle lacune, si possono conoscere
i singoli contributi di corrente, di trascinamento e di diusione:
Jp,diff. (0) = qDp dp dx x=0 = 1, 69 10
n 5 A/cm2
266
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
c)
Il campo elettrico nella regione svuotata si trova ricorrendo alla legge di Gauss
dE q
= Nd (x)
dx s
Integrando
qwn Nd (0) x/wn
E(x) = e +K
s
Se la regione svuotata si estende per tutta la regione n, allora per x = wn dove si trova
il contatto ohmico il campo elettrico e nullo, e cio consente di determinare la costante
qwn Nd (0)
E(wn ) = 0 = e +K
s
qwn Nd (0)
K = e
s
In denitiva
qwn Nd (0) x/wn
E(x) = e e
s
Il valore massimo si ha per x = 0
qwn Nd (0) qwn Nd (0)
Emax = E(0) = 1 e = 1, 34 106 V/cm
s s
Si puo scrivere
qwn Nd (0)
E(x) = Emax + 1 ex/wn
s
La massima tensione applicabile si ottiene integrando il campo elettrico tra x = 0 e
x = wn
qwn Nd (0) qwn2 Nd (0)
V (wn ) V (0) = Emax + wn 2
1 e
s s
267
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Nella condizione di polarizzazione inversa le concentrazioni dei portatori nella regione
svuotata sono molto piu basse delle corrispondenti concentrazioni allequilibrio, quindi
tra i processi di generazione-ricombinazione, ora dominano quelli di generazione, con
emissione nella banda di conduzione di elettroni da parte dei centri trappola nella banda
proibita e con passaggio di elettroni dalla banda di valenza verso le trappole. Il processo
di ricombinazione non e molto importante, dato che la sua velocita e proporzionale alle
densita dei portatori liberi, molto piccole nella regione svuotata di un diodo polarizzato
inversamente.
La velocita netta di ricombinazione e
p n n2i
Ut = h i h i
n0 p + ni exp Ei kT
Et
+ p0 n + ni exp Et kT
Ei
268
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n e p sono le aree che i centri di cattura presentano agli elettroni e alle lacune
rispettivamente.
Nel caso in esame e p < ni e n < ni e n = p = 0 , inoltre il fenomeno e di generazione,
pertanto
Nt vth p n ni
G = U =
Ei Et
p exp kT + n exp Et kT
Ei
Nt vth 0 ni n
= = i
2 cosh Et kT Ei g
Dal confonto si vede che il termine di diusione e proporzionale a n2i , mentre quello di
generazione tramite centri intermedi nella banda proibita e proporzionale a ni . Per i
semiconduttori con valori elevati di ni , quali il germanio, a temperatura ambiente la
corrente di diusione domina e la corrente inversa segue lequazione ideale del diodo.
Per i semiconduttori con banda proibita piu grande (silicio, arseniuro di gallio, fosfuro di
indio) il valore di ni e piccolo e la corrente di generazione nella regione di svuotamento
puo essere dominante.
8.4.2
Per una giunzione p+ -n brusca ideale al silicio con NA = 5 1017 cm3 , ND = 5
1015 cm3 e con un area della sezione trasversale A = 104 cm2 ,
1. si calcoli alla temperatura di 300 K la tensione sulla giunzione e la larghezza della
regione svuotata per VR = 0, 5 V;
2. se il semiconduttore contiene 1015 cm3 centri di generazione-ricombinazione
con un livello situato a 0, 02 eV sopra il livello intrinseco del silicio con n =
p = 0 = 1015 cm2 , si calcoli lintensita della corrente di generazione e di
ricombinazione a 0, 5 V;
3. si determinino la corrente inversa di saturazione della giunzione ideale e linten-
sita totale di quella inversa.
269
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Si calcola il potenziale interno
kT NA ND 1, 38 1023 300 5 1017 5 1015
V0 = ln = ln
q n2i 1, 6 1019 3, 34 1020
25 1032
= 0, 0259 ln = 0, 0259 ln 7, 485 1012 = 0, 765 V
3, 34 1020
La tensione ai capi della giunzione con polarizzazione inversa di 0,5 V vale
Vj = V0 (0, 5V) = 1, 265 V
e la regione di carica spaziale si estende praticamente nel solo lato n, per un tratto
s
2s
w wn = Vj
qNeq
dove
1 Na + Nd 5 1017 + 5 1015 1 1
= = 17 15
= 15 3
Neq Na Nd 5 10 5 10 4, 95 10 cm Nd
In conclusione
s
2 11, 7 8, 8544 1012
w = 1, 265 = 5, 75 107 m = 0, 575 m
1, 6 1019 4, 95 1021
b)
Dato che la regione svuotata occupa prevalentemente il lato n,
p = p0 = (Nt vth 0 )1 = (1015 vth 1015 )1
dove la velocita termica si determina dalla relazione: 1/2 m vth2 = 3/2 kT . A 300 K
r s
3kT 3 0, 0258 1, 6 1019
vth = = = 118, 4 km/s = 1, 184 107 cm/s
m 0, 97 9, 1091031
da cui
p = r = (Nt vth 0 )1 = 8, 45 108 s
Il tempo di vita di generazione e
2 cosh Et kT Ei
0, 02
g = = 2 cosh 8, 45 108 = 2, 2 107 s
Nt vth 0 0, 0258
La densita di corrente di generazione entro la regione svuotata vale
qni w 1, 6 1019 1, 45 1010 5, 75 105
Jgen = = 6, 06 107 A/cm2
g 2, 2 107
Nota larea della sezione trasversale, si ottiene la corrente
Igen = Jgen A = 6, 06 107 104 = 6, 06 1011 A
270
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
c)
La corrente di diusione della giunzione ideale e
s r
Dp n2i 19 0, 0258 437, 5 (1, 45 1010 )2
Is = q A = 1, 6 10 104
p ND 8, 45 108 5 1015
= 8, 75 109 104 = 8, 75 1013 A
8.5.1
Lattraversamento per eetto tunnel di una banda proibita da parte di un elettrone
in una giunzione p-n e formalmente identico allattraversamento di una barriera di
potenziale studiato nei capitoli 1 e 2.
1. Nellipotesi che la barriera di potenziale da attraversare per eetto tunnel sia
di tipo triangolare e considerando solo elettroni diretti verso la giunzione7 , si
determini la probabilita di attraversamento.
2. Si ottenga unespressione della corrente per eetto tunnel, basata sul fenomeno
sico dellattraversamento della barriera.
3. Si fornisca unespressione della corrente per eetto tunnel che descriva fenomeno-
logicamente landamento al variare della tensione applicata.
7
Per elettroni con componente di velocita parallela alla giunzione occorrerebbe imporre la
conservazione della quantita di moto.
271
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
U (x)
Eg
x
EF
x1 x2
a)
Si usa il metodo WKB illustrato nel capitolo 1. Si consideri un elettrone di energia E e
si indichino con x2 e x1 i punti in cui entra e esce dalla barriera, il cui valore massimo
di altezza e Eg . Lelettrone incontra una barriera di tipo triangolare8 U (x) E, dove
U (x) e lenergia potenziale, che scende dal valore massimo Eg per x = x1 a zero per
x = x2 ; La pendenza dellenergia potenziale e il campo elettrico E, si ha pertanto
[U (x) E]x=x1 = Eg
U (x) E = a qEx
[U (x) E]x=x2 = 0
2 x2
T (E) exp [2 m (U (x) E)] 12 dx =
~ x1
( )
4 2 m h i
3 x2
= exp (a qEx) 2
3 q~E x1
!
4 2 m 23
T (E) exp Eg
3 q~E
b)
La corrente di elettroni dalla banda di conduzione verso quella di valenza allenergia
E e proporzionale al numero degli elettroni nella banda di conduzione in grado di
compiere il passaggio, alla probabilita di attraversamento e al numero di posti liberi
nella banda di valenza in grado di accoglierli. Si continua a usare anche fuori equilibrio
la probabilita di occupazione di Fermi-Dirac, f (E), ma si sostituisce al livello di Fermi
gli pseudolivelli di Fermi. Nel lato n si usano lo pseudolivello di Fermi degli elettroni e
la probabilita di occupazione fC (E), nel lato p lo pseudolivello di Fermi delle lacune e
la probabilita di occupazione fV (E). Pertanto, se si indica con N (E) la densita degli
stati, si ha
8
Si incontra ora una situazione assai simile a quella esaminata nel capitolo 1 a proposito della
emissione termoelettronica.
272
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
La corrente totale e la somma dei contributi di tutte le energie per cui le bande sono
aacciate (EC(lato n) E EV (lato p) . Assumendo che T (E) sia eguale nelle due
direzioni
EV p
IBCBV = K E NC (E)fC (E) T (E) [1 fV (E)]NV (E) dE
Cn
EV p
IBVBC = K E NV (E)fV (E) T (E) [1 fC (E)]NC (E) dE
Cn
8.5.2
1. Si determini la tensione di rottura per moltiplicazione a valanga di una giunzione
p+ -n in arseniuro di gallio con uno strato con un drogaggio di 2 1016 cm3 nel
lato meno drogato (si veda anche il problema 8.6.3).
Per la velocita di moltiplicazione per urto si usi per maggiore semplicita di calcolo
lapprossimazione
6
E
= 0, 1465 104 cm1 (8.2)
4 105
273
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 8.14: Corrente per eetto tunnel di una giunzione p-n in funzione della tensione,
come espresso nel modello (8.2).
elettroni lacune
A= 7, 76 104 A= 6, 31 106
b= 4, 45 105 b= 2, 31 106
m= 6, 91 m= 1
a)
In una giunzione p+ -n il campo elettrico ha andamento lineare e si svolge quasi es-
clusivamente nella zona n. Se la larghezza della zona svuotata si estende da x = 0 a
x = wn w e se Ec e il campo elettrico massimo, si ha
x qND w
E = Ec 1 dove Ec =
w s
la condizione di rottura per moltiplicazione a valanga diventa
w 6
w
4 E 0.1465 104 wEc6
1 (1 )6 d
1 = 0 dx = 0.1465 10
dx = 5 6
4 105 (4 10 ) 0
0
0.1465 104 wEc6 1 0.1465 104 s 7
1 = = E
(4 105 )6 7 7(4 105 )6 qND c
274
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 6
.
......
10 5 ..... o
. . . . .....
..
.....
....
. . . ....
.
....
10 4 . o. . .
. . ....
.
...
...
10 3 o
alpha, cm^-1
10 2 o
10 1
10 0 o
10 -1
10 -2
2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
Figura 8.15: Coeciente di ionizzazione per gli elettroni con tre diverse ap-
prossimazioni: eq. (8.4) linea continua, eq. (8.3) linea tratto-punto, eq. (8.2) linea
tratteggiata. I punti sono valori sperimentali.
b)
Nella gura 8.15 e dato landamento del coeciente di moltiplicazione per gli elettroni
n in funzione di E, secondo le approssimazioni (8.2), (8.3) e la seguente
con A = 3, 2432, b = 1, 781 106 e m = 1. Si vede che nel campo di tensioni considerato
le approssimazioni sono accettabili.
8.5.3
Si consideri una giunzione p-n+ brusca e asimmetrica in silicio con il lato n fortemente
drogato. Si faccia variare il drogaggio del lato p (drogaggio di base NB = Neq ) a passi
di decade da Na = 1015 cm3 a Nd = 1018 cm3 .
275
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 3
10 2
Tensione di rottura, V
10 1
10 0
10 15 10 16 10 17 10 18
b) Commentare lentita delle variazioni del campo elettrico massimo a confronto con
quelle della tensione.
a)
Si traggono dalla gura 8.16 i valori della tensione di rottura della giunzione, Va = VB ,
e si calcolano xd e il campo massimo9 con le espressioni
s
kT Na Eg 2s
i = ln + ; xd = (i Va )
q ni 2q qNeq
1 2 (i Va )
i Va = Emax xd Emax =
2 xd
Si svolge il calcolo per Na = 1015 cm3 e si riportano gli altri risultati nella tabella.
1015
i = 0, 56 + 0, 026 ln = 0, 85 V
1, 45 1010
s s s
2 11, 7 1012 (i Va ) 4 (i Va )
xd = = 3, 596 10
1, 602 1019 Neq Neq
= 19, 89 m
2 305, 85
Emax = = 3, 076 107 V/m = 3, 076 105 V/cm
19, 89 106
9
Neq = Na = NB
276
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10 7 10 2
10 1
Campo elettrico massimo, V/cm
o
10 6 10 0
o o
o 10 -1
o
10 5 10 -2
10 15 10 16 10 17 10 18 10 15 10 16 10 17 10 18
Na Va i xd Emax eetto
cm3 V V m V/cm
1015 305, 0 0, 85 19, 890 3, 078 105 valanga
1016 58, 0 0, 91 2, 760 4, 270 105 valanga
1017 12, 0 0, 97 0, 410 6, 330 105 valanga
1018 3, 8 1, 03 0, 079 12, 22 105 zener
b)
Si osserva che, per una variazione della densita di drogaggio di 3 decadi, la tensione
di rottura varia di 2 decadi, mentre lintensita di campo massimo varia solo di circa
2 ottave. La scarsa inuenza del drogaggio, che determina la pendenza del campo
elettrico, indica che il fenomeno sente quasi esclusivamente il valore massimo del campo
e assai poco il resto della curva del campo. Inoltre il fenomeno del breakdown e molto
sensibile allintensita di campo massimo, infatti piccole variazioni possono provocare
ampie variazioni della tensione di rottura.
8.5.4
Si consideri una giunzione p+ -n brusca asimmetrica con concentrazione del lato n pari
a 5 1017 cm3 . Si calcoli:
1. la massima tensione applicabile prima di avere breakdown (si usi il graco della
gura 8.17 del problema 8.5.3);
2. supponendo di introdurre uno strato epitassiale intrinseco di 1m tra il lato p e
il lato n, si determini la tensione di breakdown.
277
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
In una struttura di tipo n-i il potenziale di contatto, dovuto alla dierenza tra i lavori
di estrazione del silicio drogato e del silicio intrinseco, non puo essere legato alla sola
carica spaziale della regione svuotata nel lato n, in quanto cio violerebbe la neutralita
totale del sistema. La carica positiva dovuta allo svuotamento del lato n deve essere
compensata da uneguale carica negativa nel silicio intrinseco, carica che non puo che
essere libera. Laccumulo di elettroni alla giunzione rappresenta per il semiconduttore
una non neutralita, che viene riassorbita esponenzialmente con una lunghezza carat-
teristica pari alla lunghezza di Debye. Si applica il metodo utilizzato nello studio delle
giunzioni e si impongono sia la neutralita totale sia che il potenziale determinato dalla
distribuzione di carica eguagli la dierenza dei lavori di estrazione.
Neutralita totale
qNd xn = qN0 0 ex/LD dx
qNd xn = qN0 LD
da cui si ottiene
Nd xn
N0 =
LD
Campo elettrico e potenziale
x
qNd qNd
E(x) = E(xn ) +
dx = 0 + (x + xn )
xn s
s
E(0) = qN s xn
d
x
qNd
lato di tipo n (x) = (xn )
(x + xn ) dx
xn
s
qNd 2
= 0 (x + x n)
2s
qNd 2
(0) =
x
2s n x
qN0 x/LD
E(x) = E(0)
e dx
lato intrinseco 0
s
qNd qN0 LD x/Ld
= xn + e 1
s s
278
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
qND 2 qNd
(x) = xn xn Ld 1 ex/LD
2s s
qNd xn
() = i = xn LD 1 +
s 2LD
Cio porta a unampiezza della regione svuotata pari a xn = 0, 11034 nm. Il valore
della lunghezza di Debye indica che un semiconduttore intrinseco torna in condizioni di
neutralita entro alcune decine di micron qualora sia in contatto con un semiconduttore
drogato10 .
8.6.2
Si abbia una giunzione p-i-n di silicio in cui il lato p (x < x2 ), con drogaggio Nd =
11016 cm3 , e separato dal lato n (x > x3 ), con drogaggio Na = 11015 cm3 , mediante
una zona di silicio intrinseco lunga 1, 5 m.
1. Si calcoli il campo interno e lestensione di ciascuna regione di svuotamento;
si rappresentino gracamente il campo elettrico, il potenziale e il diagramma a
bande.
2. Si confrontino i valori del campo elettrico massimo e delle estensioni delle regioni
di carica spaziale con quelli di una giunzione p-n con le stesse concentrazioni di
drogante.
3. Si determini la legge con cui la capacita di svuotamento varia con la tensione,
confrontandola con quella relativa a una struttura priva di regione intrinseca; si
riportino in graco i risultati.
4. Si indichino quali limiti di validita lanalisi eettuata avrebbe nel caso in cui si
aumentasse lampiezza della regione intrinseca.
10
Unanalisi del tutto simile puo essere eettuata tra un metallo e un semiconduttore intrinseco.
279
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
ND
x3 = 0, 5
x2 = 1, 0
NA
4,612 eV
4,255 eV 4,05 eV 4,935 eV
Ec
Ei
Ev
a)
Per disegnare il diagramma a bande si calcolano i vari livelli energetici rispetto allen-
ergia E0 dellelettrone libero
16 EC EF NC
Nd = 10 n = NC exp EC EF kT ln = 0, 205 eV
kT Nd
EF EV NV
Na = 1015 p = NV exp EF EV kT ln = 0, 239 eV
kT Na
qsn = q + EC EF = 4, 05 + 0, 205 = 4, 255 eV
qsp = q + Eg (EF EV ) = 4, 05 + 1, 124 0, 293 = 4, 935 eV
Eg
qsi = q + = 4, 05 + 0, 562 = 4, 612 eV
2
Per determinare campo elettrico e potenziale, si usano lequazione di Gauss dE/ dx =
/ e la denizione E = d/ dx. Integrando si ottiene nelle tre regioni (x1 e x4 sono
280
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E0 qSp
qSn
Ec
EF
Ei
Ev Si intrinseco
qND
x3 x4
x1 x2 x
qNA
281
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
qNd
n = (x2 ) = (x2 x1 )2
2
qNd
0 = (x3 ) n = (x2 x1 )(x3 x2 )
qNa
p = (x4 x3 )2
2
Il potenziale intrinseco e
kT Na Nd
i = (x1 ) (x4 ) = n + 0 + p = ln = 0, 637 V
q n2i
Si nota che la tensione intrinseca e la stessa che in una giunzione p-n. Imponendo la
neutralita di carica si ha
282
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E(x)
qND (x2 x1 ) qNA (x2 x1 )
S S
x
x1 x2 x3 x4
x1 x2 (x) x3 x4
n
x
U (x)
283
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
la tensione intrinseca, quindi dato che nel caso della giunzione p-i-n lestensione e
maggiore, il campo massimo dovra essere inferiore.
c)
Per determinare la capacita dierenziale occorre determinare il legame tra la carica e
la tensione applicata Va
dQ d(x2 x1 )
C= = qNd
dVa dVa
Il legame tra lestensione della regione di carica spaziale e la tensione sulla giunzione
i Va e stato trovato nel punto a)
a (x2 x1 )2 + b (x2 x1 ) (i Va ) = 0
qNd Nd qNd
a = 1+ ; b= (x3 x2 )
2 Na
p
b + b2 + 4a (i Va )
(x2 x1 ) =
2a
d 1 4a 1
(x2 x1 ) = p =p
dVa 4a b + 4a (i Va )
2 2
b + 4a(i Va )
In denitiva si ha
1
C = s 2
x3 x2 2 1 1
+ + (i Va )
q Na Nd
La dipendenza funzionale della capacita con la tensione e la stessa che per una giunzione
p-n, anche se di valore piu piccolo perche la regione di svuotamento e piu ampia. Dei
due termini sotto radice uno si riferisce allo svuotamento della regione intrinseca ed
e costante, laltro allestensione delle regioni di carica spaziale nelle regioni drogate e
dipende dalla tensione applicata. Nel caso della giunzione p-n la capacita vale
v
u q
C=u
t 1 1
2 + (i Va )
Na Nd
d) Alla luce dei risultati ottenuti nel caso della giunzione n-i, qualora la larghezza
dello strato intrinseco fosse superiore ad alcune lunghezze di Debye, ciascuno delle
due interfaccie raggiunge la condizione di neutralita separatamente, con un accumulo
di elettroni dal lato n e con un accumulo di lacune dal lato p. Si hanno quindi due
giunzioni n-i e i-p separate da uno strato intrinseco, dove ovviamente le bande tornano
ad essere piatte.
284
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 -8 x10 17
1.6 4.5
1.4 4
3.5
1.2
3
1
C, F/cm^-2
2.5
1/C^2
0.8
2
0.6
1.5
0.4
1
0.2 0.5
0 0
-20 -10 0 10 -20 -10 0 10
Tensione Va Tensione Va
8.6.3
Si determini la tensione di rottura per moltiplicazione a valanga di un diodo p-i-n in ar-
seniuro di gallio con uno strato intrinseco lungo 8 m. Si usino per le approssimazioni
del problema 8.5.2, cioe
6
4 E
= 0, 1465 10 cm1
4 105
In un diodo p-i-n, essendo il campo elettrico nella regione intrinseca costante, anche le
velocita di ionizzazione degli elettroni e delle lacune lo sono in tutta la zona intrinseca
che in polarizzazione inversa e svuotata. Pertanto la condizione di valanga diventa
w dx = (Ec ) w = 1
0
8.6.4
Si abbia una struttura di tipo p-i-n in silicio con drogaggi uniformi pari a NA = 2
1016 cm3 e ND = 3 1015 cm3 .
285
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
286
Capitolo 9
In questo capitolo si trattano due dispositivi che impiegano le proprieta siche della
giunzione p-n: il diodo a giunzione e il transistore a eetto di campo a giunzione
(JFET). Il diodo e un dispositivo a due morsetti, di tipo bipolare, in cui la conduzione
e adata a portatori di entrambe le polarita, mentre il JFET e un dispositivo a tre
morsetti, di tipo unipolare, in cui solo i portatori di un tipo (quelli maggioritari nel
canale) contribuiscono alla corrente utile. Malgrado queste dierenze, i due dispositivi
sono trattati nel medesimo capitolo, in quanto il loro studio richiede gli stessi strumenti,
ovvero quelli introdotti nella descrizione delle proprieta della giunzione p-n, trattata nel
capitolo precedente.
Nei primi esercizi proposti sono ripresi i processi tecnologici di impiantazione e
diusione e sono applicati alla realizzazione di un diodo integrato. Analiticamente
e mediante simulazione di processo con SUPREM si determinano la profondita delle
giunzioni e il prolo di drogaggio per due tipici diodi integrati.
Successivamente si esamina il comportamento statico del diodo a giunzione: la carat-
teristica tensione corrente, la dipendenza dalla temperatura della corrente inversa di
saturazione e della tensione di soglia, leetto della resistenza di volume del dispositivo
e la resistenza dierenziale sono i principali punti trattati.
Lo studio del dispositivo e completato con il modello dinamico; si valutano analiti-
camente i valori delle capacita di transizione e di diusione e si esamina il loro eetto
sul comportamento dinamico del diodo. Allo scopo si fa ricorso al simulatore di circuiti
elettrici PSPICE.
In conclusione si propongono alcuni esercizi sul transistore a eetto di campo (FET)
a giunzione usato di solito come resistenza variabile, amplicatore o interruttore. In
particolare si ricavano la caratteristica tensione corrente e la transcaratteristica met-
tendo in evidenza le dierenti regioni di funzionamento.
287
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Diodo a
giunzione pn
Struttura fisica:
simulazione Modello statico Modello dinamico
di processo
9.1.1, 2, 3
Caratteristica V-I Modello a controllo Capacita e resistenza
9.2.1, 2, 3, 5, 6 di carica differenziale
9.3.1 9.3.4, 5
FET a
giunzione Effetto della temperatura Diodo in Simulazione Pspice
commutazione 9.3.6
9.2.4, 9.4.1, 2, 3, 4
9.3.2, 3
Caratteristica V-I
9.4.1, 3, 5, 6, 7
Simulazione Pspice
9.2.7
Resistenza del
canale
9.4.2, 4
temperatura, T1 = 1100 C,
pressione, P = 1 atm,
durata del processo, t1 = 120 min,
diusivita, D1 = 1, 5 1013 cm2 s1 ,
concentrazione alla supercie, CS = 7 1019 cm3 .
Ridiusione:
temperatura, T2 = 1200 C,
288
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
pressione, P = 1 atm,
durata del processo, t2 = 200 min,
diusivita, D2 = 1, 35 1012 cm2 s1 .
Si calcoli per via analitica la profondita della giunzione ottenuta; si scriva poi il codice
per simulare con SUPREM il processo tecnologico e si confrontino i risultati.
x2
N
C(x, t = t1 ) C1 (x) = e 4D1 t1
D1 t1
tale da garantire che, allistante t = t1 la concentrazione per unita di area sia identica a
quella fornita dalla funzione erfc. Tuttavia con tale approssimazione si altera il valore
della concentrazione di picco, che risulta pari a
max {C1 } = C1 (x = 0) = 1, 099 Cs = 6, 37 1019 atomi/cm3
La concentrazione di drogante nel substrato dopo la ridiusione puo essere espresso
come
x2
N 2
C(x, t = t1 + t2 ) = C2 (x) = e 4L (9.1)
L
dove la lunghezza di diusione vale
p p
L = D1 t1 + D2 t2 = 1, 5 1013 120 60 + 1, 35 1012 200 60 = 1, 31 104 cm
La profondita xj della giunzione si determina come il valore di x per il quale la
concentrazione del drogante espressa da C2 (x) eguaglia quella del substrato
x2j
N
Nsub = e 4L2
L
s
N
xj = 4L ln = 6, 79 m
Nsub L
289
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
TITLE DIODO 1
INITIALIZE <111> SILICON THICKNES=12
+ DX=0.015 PHOSPHOR=1E16
EXTRACT PREFIX=DIFFUSIONE DI BORO:
+ FILE=pn diff.out
LOOP STEPS=1
ASSIGN NAME=TEMPB N.VALUE=(1200)
EXTRACT VALUE=@TEMPB
+ PREFIX=TEMPERATURA DI RIDIFFUSIONE =
INITIALIZE <111> SILICON THICKNES=12
+ DX=0.015 PHOSPHOR=1E16
ASSIGN NAME=TIMEB N.VALUE=(120)
DIFFUSION BORON=1E20 TIME=@TIMEB
+ TEMPERAT=@TEMPB PRESSURE=1
EXTRACT CHEMICAL BORON INTEGRAL NAME=N2
ASSIGN NAME=D2
+ N.VALUE=((@N2/1E20)*(@N2/1E20)/(@TIMEB*60*3.1416))
EXTRACT VALUE=@D2
+ PREFIX=DIFFUSIVITA DEL PROCESSO DUE=
INITIALIZE <111> SILICON THICKNES=12
+ DX=0.015 PHOSPHOR=1E16
ASSIGN NAME=TEMP N.VALUE=(1100)
ASSIGN NAME=TIME N.VALUE=(120)
ASSIGN NAME=P N.VALUE=(1)
DIFFUSION BORON=1E20 TIME=@TIME
+ TEMPERAT=@TEMP PRESSURE=@P
EXTRACT CHEMICAL BORON INTEGRAL NAME=N1
EXTRACT VALUE=@N1 PREFIX=DOSE IMPIANTATA =
PLOT CHEMICAL NET LINE.TYP=1 LEFT=0 RIGHT=9
+ DEVICE=POSTSCRIPT PLOT.OUT=plot1
TITLE DISTRIBUZIONE DI BORO DOPO DIFFUSIONE
PRINT CHEMICAL BORON X.MIN=2 X.MAX=2.5 TERMINAL
ASSIGN NAME=D1
+ N.VALUE=((@N1/1E20)*(@N1/1E20)/(@TIME*60*3.1416))
EXTRACT VALUE=@D1
+ PREFIX=DIFFUSIVITA DEL PROCESSO UNO=
DIFFUSION TIME=200 TEMPERAT=@TEMPB
+ PRESSURE=@P INERT
TITLE DISTRIBUZIONE DI BORO DOPO RIDIFFUSIONE
PRINT CHEMICAL BORON X.MIN=7 X.MAX=7.5 TERMINAL
PLOT CHEMICAL NET LINE.TYP=2 LEFT=0 RIGHT=9 ADD
+ DEVICE=POSTSCRIPT PLOT.OUT=plot2
ASSIGN NAME=TIMEQ N.VALUE=(@D1/@D2*@TIME)
EXTRACT VALUE=@TIMEQ PREFIX=TEMPO EQUIVALENTE =
ASSIGN NAME=L1
+ N.VALUE=(sqrt(@D2*60*(@TIMEQ+200)))
EXTRACT VALUE=@L1
+ PREFIX=LUNGHEZZA DI DIFFUSIONE =
ASSIGN NAME=TG1
+ N.VALUE=(sqrt(log(@N1/@L1/1.772E16)))
ASSIGN NAME=TG2 N.VALUE=(sqrt(log(2.7182)))
ASSIGN NAME=TG N.VALUE=(@TG1/@TG2)
EXTRACT VALUE=(@TG*@L1/50)
+ PREFIX=PROFONDITA DI GIUNZIONE
EXTRACT PREFIX=
L.END
EXTRACT CLOSE
290
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
profondita concentrazione
m atomi/cm3
7,335 1,05E16
7,350 1,01E16
7,365 9,76E15
7,380 9,35E15
9.1.2
Entro una fetta di silicio di tipo n con resistivita 5 cm viene impiantata una dose di
boro di 1 1012 cm2 con unenergia di 100 keV, successivamente si eettua un processo
di rinvenimento della durata di due ore.
1. Quanto vale la concentrazione di picco del boro e quanto ampia e la regione di
tipo p dopo limpiantazione?
2. Quanto vale la concentrazione di picco del boro dopo il successivo fenomeno di
diusione?
Si usi SUPREM per simulare il processo tecnologico e si confrontino i risultati con
quelli ottenuti analiticamente.
Nota la resistivita del substrato e assumendo per la mobilita il valore = 1200 cm2 V1 s1 ,
si ricava la concentrazione di drogante del substrato
1
Nsub = = 1, 04 1015 cm3
q
291
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
C(x) [cm3 ] 21
20
19
18
17
16
15
14 x [m]
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00
292
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
TITLE DIODO 2
INITIALIZE <111> SILICON THICKNES=3
+ DX=0.005 RESISTIV PHOSPHOR=5
IMPLANT DOSE=1E12 ENERGY=100 BORON
PLOT CHEMICAL NET RIGHT=1
+ BOTTOM=1E13 TOP=1E18 COLOR=1
TITLE MAX DOPO IMPIANTAZIONE
PRINT CHEMICAL BORON
+ X.MIN=0.28 X.MAX=0.33 TERMINAL
TITLE GIUNZIONE DOPO IMPIANTAZIONE -BORON-
PRINT CHEMICAL BORON
+ X.MIN=0.5 X.MAX=0.6 TERMINAL
TITLE GIUNZIONE DOPO IMPIANTAZIONE -PHOSPHOR-
PRINT CHEMICAL PHOSPHOR
+ X.MIN=0.5 X.MAX=0.55 TERMINAL
DIFFUSION TIME=120 TEMPERAT=1000 INERT
TITLE MAX DOPO DIFFUSIONE
PRINT CHEMICAL BORON
+ X.MIN=0.28 X.MAX=0.32 TERMINAL
TITLE GIUNZIONE DOPO DIFFUSIONE -BORON-
PRINT CHEMICAL BORON
+ X.MIN=0.7 X.MAX=0.75 TERMINAL
PLOT CHEMICAL NET RIGHT=1
+ BOTTOM=1E13 TOP=1E18 COLOR=2 ADD
Risultati della simulazione
293
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
9.1.3
Si ha un substrato di tipo n, con Nd = 1 1015 cm3 e si vuole realizzare una giunzione
p n eettuando una impiantazione di ioni di boro attraverso una nestra praticata
nellossido. Lenergia di impiantazione e 80 keV e la dose 2 1015 cm2 . A quale
profondita si verica la giunzione metallurgica? Supponendo che dai graci si possa
commettere un errore dello stesso segno di 5% sia su Rp che su Rp , quale errore
percentuale si avra sulla profondita della giunzione?
nei casi rispettivamente di diodo a base lunga e diodo a base corta; A e larea della
giunzione, Wn e Wp sono le lunghezze dei lati n e p della giunzione. Nel silicio, a
temperature di funzionamento usuali, la corrente dovuta al fenomeno di generazione
nella regione di svuotamento e di piu ordini di grandezza superiore alla corrente ideale
data dalla (9.3). Una buona stima (problema ??) della corrente inversa di generazione
e data dalla
q ni wd
I0 = A (9.4)
20
dove wd e lampiezza della regione di svuotamento e 0 e il tempo di vita associa-
to alla ricombinazione delleccesso di portatori, dipendente dalla densita dei centri di
ricombinazione.
Leetto della resistenza di volume, Rs , e di ridurre la tensione presente sulla giun-
zione di una quantita Rs I; lequazione caratteristica che tiene conto di tale eetto
e
I = I0 e(V Rs I)/ VT 1 (9.5)
9.2.1
Un diodo a giunzione brusca e asimmetrica presenta le seguenti caratteristiche:
concentrazione di atomi di boro Na = 2 1016 cm3 ;
lunghezza del lato p, Wp = 10 m;
lato n, molto drogato, con contributo trascurabile alla resistenza serie;
area della giunzione, A = 1 104 cm2 ;
tempo di vita medio degli elettroni, = 1 1010 s.
294
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Per valori elevati della corrente che attraversa la giunzione, la tensione applicata dal-
lesterno e in gran parte persa come caduta resistiva sulla resistenza di volume del
semiconduttore. In questo caso, la tensione presente ai capi della giunzione e
Vj = V I Rs
1 Wp 1 10 104
Rs = = = 8, 68
q p Na A 1, 6 1019 360 2 1016 1 104
Nella gura 9.3 sono tracciate le caratteristiche tensione-corrente del diodo, con e senza
leetto della resistenza Rs .
Assumendo che il lato n della giunzione, molto piu drogato, sia degenere, la barriera di
energia che si trova sulla giunzione vale
NV
Eg (EF EV ) = Eg k T ln = 0, 961 eV
Na
295
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 -4
1
0.9
0.8
0.7
0.6
I [A]
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
V [V]
Figura 9.3: Inuenza della resistenza di volume del semiconduttore sulla caratteristica
tensione-corrente del diodo: la curva a tratto pieno si riferisce al caso di resistenza
nulla, quella tratteggiata corrisponde a Rs = 8, 68 .
9.2.2
Un diodo di area della sezione trasversale A = 2, 5 107 cm2 ha una corrente inversa
di saturazione pari a I0 = 1 109 A e una resistenza serie Rs = 8 ; si calcoli il valore
di tensione diretta per il quale il dispositivo brucia, sapendo che la massima densita
di corrente sostenibile e Jmax = 105 Acm2 .
296
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E0
6
4
Livelli energetici
3
EC
2
EF
1 ...............................................................................................................
EV
0
-1
-2 0 2 4 6 8 10
profondita [um]
9.2.3
Si consideri alla temperatura ambiente la situazione in cui un diodo Schottky viene
posto in serie a un diodo a giunzione p+ n. Si considerino entrambi i diodi ideali
e con area della sezione trasversale S = 1 102 cm2 . Il diodo Schottky ha una
barriera di altezza qM = 0, 8 eV ed e caratterizzato da una costante di Richardson1
A0 = 7, 6104 A m2 K2 . Il diodo a giunzione e al silicio e nel lato n, lungo xn = 3 m,
il drogaggio costante e Nd = 5 1015 cm3 . La vita media delle lacune nel lato n sia di
1 s.
Se si applica una tensione di 0, 8 V determinare lintensita della corrente e le ten-
sioni ai capi dei due diodi, a) se sono disposti nello senso e con polarizzazione di-
retta, b) se sono messi luno opposto allaltro e con il diodo Schottky nel verso della
polarizzazione diretta.
a)
Si indica con Vg la tensione ai capi della giunzione e con Vc quella ai capi del contatto
metallo semiconduttore, sia V la tensione totale
V = Vg + Vc
La corrente nel diodo Schottky vale2
I = Is,c eVc /VT 1 Is,c eVc /VT
dove
Is,c = A0 S T 2 eM /VT A = 7, 6 104 1 102 3002 e0,8/0,0259 = 2, 6 106 A
1
Ovviamente non si tratta di un diodo al silicio. Quale potrebbe essere il semiconduttore? Si ricordi
che che (problema ??) A0 = 4m qk 2 /h3 .
2
In polarizzazione diretta prevale lesponenziale sullunita.
297
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E0
6 .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.
.
.
.
5
4
Livelli energetici
2 .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.
.
EC
.
1 .
.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.
.
.
0 . EV
-1
-2 0 2 4 6 8 10
Profondita [um]
298
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
9.2.4
Si consideri un diodo a giunzione brusca e simmetrica, con Na = Nd = 5 1017 cm3 ,
tempo di vita medio dei portatori nelle regioni neutra e di svuotamento = 5 ns, area
della sezione trasversale A = 300 m2 , lunghezza Wp = Wn = 30 m.
1. Calcolare la corrente inversa di saturazione a 300 K, tenendo conto della gener-
azione nella regione svuotata.
2. Tracciare la caratteristica tensione-corrente per tensioni dirette comprese tra 0 e
5 V.
3. Determinare la dipendenza dalla temperatura della corrente inversa di saturazione
I0 e della tensione di soglia Vs e riportarla in due graci.
a)
La corrente inversa di saturazione, nellipotesi di diodo a lato lungo e trascurando la
generazione nella regione di svuotamento, e
Dn n2i Dp n2i
I0 = A q +
Ln Na Lp Nd
Si determinano i valori di mobilita, diusivita e lunghezze di diusione:
n = 367 cm2 V1 s1 ; p = 196 cm2 V1 s1
Dn = 9, 542 cm2 s1 ; Dp = 5, 096 cm2 s1
Ln = 3, 09 m ; Lp = 2, 26 m
si ottiene
I0 = 9, 5 1018 A
Tenendo conto della generazione nella regione di svuotamento ??, la corrente inversa
di saturazione, data da
q ni wd
I0 = A
2
risulta decisamente piu elevata:
s
2s
wd = i = 6, 8 106 cm
q Neq
Na Nd
i = VT ln = 0, 9 V
n2i
I0 = 2, 37 pA
299
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
b)
La caratteristica tensione-corrente del diodo e data nella gura 9.6 per i tre valori
di temperatura 250, 300 e 350 K; la linea tratteggiata orizzontale corrisponde a una
corrente di 1 A e permette di apprezzare lo spostamento della tensione di soglia con
la temperatura.
x10 -4
1
0.9
350 K
0.8
300 K
0.7
0.6
250 K
I [A]
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I = 1 A
0 .........................................................................................................................................................................................................
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
V [V]
c)
La dipendenza dalla temperatura della corrente inversa di saturazione e principalmente
dovuta alla concentrazione dei portatori intrinseci, ni
v
u 3
2mo k 3 mn mp 2 3 Eg /kT
u
ni = 4 T e
t
h2 m20
Poiche in un diodo p-n in silicio il legame tra I0 e ni e lineare (9.4), si puo scrivere
300
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
5
corrente inversa [A]
0
250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350
T [K]
301
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.76
0.74
0.72
tensione di soglia [V]
0.7
0.68
0.66
0.64
0.62
0.6
0.58
250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350
T [K]
9.2.5
Si consideri il diodo a giunzione con isolamento a ossido riportato nella gura 9.9 e
caratterizzato dai seguenti valori di drogaggio
p n+
SiO2 SiO2 SiO2
n-epi n-epi
strato sepolto n+
substrato p
302
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
lunghezza zona p, xp = 5 m,
lunghezza zona n+ in supercie, xn = 5 m,
separazione tra zona p e zona n+ , xs = 5 m,
profondita della diusione di tipo p, hp = 0, 8 m,
spessore dello strato epitassiale, he = 3 m (no allo strato sepolto),
profondita della zona n+ , hn = 0, 8 m,
spessore dello strato sepolto, hb = 4 m,
lunghezza della struttura w = 12 m,
Calcolare
1. una stima della resistenza serie;
2. il valore del campo elettrico massimo alla giunzione, con una tensione inversa di
6 V.
Confrontare i valori ottenuti con quelli di un diodo identico ma privo dello strato
sepolto.
VZ0
IZK
rZ
Vbatt
IZM
Figura 9.10: Caratteristica del diodo in polarizzazione inversa con zona di breakdown.
Circuito equivalente della zona lineare di funzionamento Zener.
303
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Una retta nel piano I V e rappresentabile circuitalmente con una resistenza (rZ ) in
serie con un generatore di tensione costante
V = rZ I + Vbatt
Dato che quando uisce la corrente IZK la tensione e VZ0
VZ0 = rZ IZK + Vbatt
e
Vbatt = VZ0 rZ IZK
b)
La tensione del generatore equivalente e
Vbatt = 6, 7 4 1 103 = 6, 696 V
La tensione per I = 10 mA e
V = rZ I + Vbatt = 4 10 103 + 6, 696 = 6, 736 V
La tensione per I = 30 mA e
V = rZ I + Vbatt = 4 30 103 + 6, 696 = 6, 816 V
Come si vede a unescursione di 20 mA corrisponde una variazione di tensione di 0,08 V.
c)
Nel circuito della gura 9.11, quando la corrente nel diodo e la corrente minima, la
tensione di uscita vale
Vusc = rZ IZK + Vbatt = 6, 7 V
e ovvio che la corrente minima nel diodo si ha quando il generatore di ingresso presenta
il suo valore minimo; a vuoto la stessa corrente uisce in R e nel diodo
Vin,min = RIZK + Vusc = 560 1 103 + 6, 7 = 7, 26 V
Quando la corrente e massima, si ha
Vusc = rZ IZM + Vbatt = 6, 896 V
e la corrente massima nel diodo si ha quando il generatore di ingresso presenta il suo
valore massimo
Vin,max = RIZM + Vusc = 560 50 103 + 6, 896 = 34, 90 V
Quindi, mentre la tensione di ingresso presenta uttuazioni pari a 27,6 V, luscita ha
oscillazioni di soli 0,196 V.
304
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Nella gura 9.12 e riportato il circuito usato per ottenere la caratteristica del diodo: la
tensione sul generatore VGEN varia da 10 V a 10 V, e alimenta piu rami in parallelo,
costituiti ciascuno da una resistenza in serie con un diodo. Le resistenze servono per
polarizzare correttamente i diodi e hanno tutte il medesimo valore, mentre ogni diodo
fa riferimento a un modello diverso, descritto nel comando .MODEL delle istruzioni
dingresso di PSPICE. Tale allestimento circuitale consente di ottenere in una sola
simulazione i risultati relativi a piu diodi diversi.
+ R1
R3
R4
R5
R6
VGEN
D1
D3
D4
D5
D6
Lanalisi eettuata, in continua, e ripetuta per ciascuno dei valori di tensione specicati
nel comando .DC. Linsieme delle istruzioni di ingresso per la simulazione e:
MODELLO STATICO DEL DIODO
* modelli *
.MODEL D01 D (IS=1E-14)
.MODEL D03 D (IS=1E-14 RS=10)
.MODEL D04 D (IS=1E-14 RS=100)
.MODEL D05 D (IS=1E-14 RS=10 BV=5 IBV=1E-5)
.MODEL D06 D (IS=1E-14 RS=10 BV=4 IBV=1E-3)
* descrizione del circuito *
VGEN 10 0 10
R1 10 1 100
R3 10 3 100
305
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
R4 10 4 100
R5 10 5 100
R6 10 6 100
D1 1 0 D01
D3 3 0 D03
D4 4 0 D04
D5 5 0 D05
D6 6 0 D06
* analisi *
.DC VGEN -10 10 .01
.PROBE
.END
1.0uA
0.5uA
0A
I(D1)
100mA
50mA
-0mA
-1.0V -0.5V 0V 0.5V 1.0V 1.5V
I(D1)
V(1)
I risultati delle simulazioni sono dati nelle gure 9.13, 9.14 e 9.15. Nella prima, la stessa
caratteristica, ottenuta mediante il modello D1, e ripetuta con due scale dierenti: e
evidente che la posizione della tensione di soglia dipende dalla scala sullasse delle
ordinate. In particolare, su di una scala che permetta di apprezzare correnti dellordine
del mA, il valore della soglia risulta prossimo a 0,6 V.
Nella gura 9.14 e descritto leetto della resistenza serie Rs : le due curve si riferiscono
ai modelli D3 e D4, con Rs =10 e Rs =100 rispettivamente. Si noti che in questa
gura, per poter confrontare curve relative a diodi diversi, la variabile sullasse della
ascisse e la tensione del generatore VGEN.
Inne leetto dei parametri BV e IBV sulla tensione di breakdown e evidenziato nella
gura 9.15.
9.4.2
Un semplice modello del diodo in polarizzazione diretta prevede una caratteristica del
tipo dato nella gura 9.16, dove V e la tensione di soglia ( 0, 6 V) e la pendenza della
306
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12mA
10mA
8mA RS=10
6mA RS=100
4mA
2mA
-0mA
0V 0.5V 1.0V 1.5V 2.0V
I(D3) I(D4)
VGEN
Il modello del diodo reale si attua von la serie di un diodo ideale, di equazione
I = I0 eVj /VT 1
e della resistenza di volume Rs . Lequazione tensione-corrente risultante e
h i
I = I0 e(V Rs I)/VT 1
La resistenza dierenziale del diodo reale si ottiene derivando la tensione V rispetto
alla corrente I
I + I0
V = Rs I + VT log
I0
dV 1
Rf = = Rs + VT Rs + rd
dI I + I0
Al crescere della corrente, rd = VT /I diventa trascurabile e si ha Rf Rs .
307
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
20mA
0A
BV=5 IBV=1E-5
-20mA
-60mA
-10V -8V -6V -4V -2V 0V 2V
I(D5) I(D6)
VGEN
V
V
mentre per una giunzione graduale lineare con concentrazione volumica di carica (x) =
a x si ha
1/3
12s
w= (i V )
qa
308
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
approssimazione un modello del fenomeno si puo ottenere mediante una capacita che,
in una giunzione asimmetrica, si valuta come
dI I
CD = =
dV VT
dove e il tempo di vita media dei portatori minoritari nel lato meno drogato della
giunzione.
Dallequazione di continuita, integrando lungo il semiconduttore le concentrazioni
di portatori, si ottiene il modello a controllo di carica. Per una giunzione si ha
dQp Qp dQn Qn
I= + + + (9.7)
dt p dt n
dove p e n sono i tempi di vita medii di lacune e elettroni.
Per una giunzione asimmetrica (p+ n) il modello si semplica essendo trascurabile
la carica di portatori minoritari accumali nel lato piu drogato
dQp Qp
I= + (9.8)
dt p
dove p e il tempo di vita medio delle lacune.
9.5.1
Ricavare lespressione (9.7) del modello a controllo di carica di un diodo a giunzione
brusca e simmetrica con lati lunghi.
Itot (x)
Ipp (x) Inn (x)
Inp (xp )
Ipn (xn )
Inp (x) Ipn (x)
lato n lato p
309
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove Ipn e la corrente di diusione degli elettroni nel lato p e Inp e la corrente di
diusione delle lacune nel lato n:
q Dp
Inp (xn ) = A pn0 eV /VT 1
Lp
q Dn
Ipn (xp ) = A np0 eV /VT 1
Ln
con A sezione della giunzione.
Si indica con pn = pn pn0 la concentrazione in eccesso di lacune dal lato p; lequazione
di continuita, scritta per il lato n della giunzione con E = 0,
d2 pn dpn pn
Dp 2
= +
dx dt p
da cui si ottiene
dQp Qp
Ipn (xn ) Ipn (x) = +
dt p
Per valori elevati di x, ovvero abbastanza lontano dalla giunzione, la corrente dei
portatori minoritari Ipn (x) e trascurabile e si ha
dQp Qp
Ipn (xn ) = +
dt p
d2 np dnp np
Dn = +
dx2 dt n
dnp (x) dnp (xp ) x
Z xp
d 1
Z p
A q Dn = np dx + np dx A q
dx dx dt x n x
dQn Qn
Inp (x) Inp (xp ) =
dt n
Anche in questo caso, la corrente di diusione lontano dalla giunzione e trascurabile e
quindi si puo scrivere
dQn Qn
Inp (xp ) = +
dt n
Sommando le espressioni ottenute per le due componenti di correnti, si ottiene il modello
a controllo di carica (9.7)
dQp Qp dQn Qn
Itot = + + +
dt p dt n
310
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Lequazione di continuita per le lacune, nellipotesi di quasi neutralita, e
d2 pn dpn pn
Dp = +
dx2 dt
Integrando tale equazione a partire dal bordo della zona di svuotamento xn , si ottiene
lequazione del diodo a controllo di carica:
dQp Qp
Ig Ip (xn ) = +
dt
dove Qp e la carica immagazzinata nella zona quasi neutra. Lequazione puo essere
risolta con la condizione iniziale Qp (0) = 0, ottenendo:
Qp (t) = Ig 1 et/
c)
La tensione ai capi del diodo, a regime, vale
Ig
V = VT ln +1
I0
Dp n2i
I0 = A q = 3, 76 1014 A
Lp Nd
Si ha quindi V = 0, 62 V.
311
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 -12
8
5
Qp(t) [C]
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
t [s] x10 -7
9.5.3
Si consideri il diodo a giunzione dellesercizio precedente, inserito nel circuito della
gura 9.19 e sottoposto a un transitorio in cui, allistante t = 0, linterruttore commuta
dalla posizione 1 alla 2, invertendo il verso della corrente. Sapendo che Vf = 8 V, Vr =
10 V e R = 10 k, calcolare il tempo di immagazzinamento, denito come lintervallo
di tempo che intercorre tra t = 0 e listante in cui la carica immagazzinata nella regione
quasi neutra si annulla.
9.5.4
E data una giunzione p n, di area A = 106 cm2 , avente le seguenti caratteristiche:
- nel lato p, concentrazione uniforme di atomi di boro, Na = 5 1016 cm3 ,
R
1 .
..
...
..
..
2
..... .....
..... .....
Vf .....
Vr
312
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Nd xn = Na xp
Na
xn = w = 7 nm
Na + Nd
Nd
xp = xn = 0, 146 m
Na
Con i valori di drogaggio indicati, le mobilita di elettroni e lacune valgono n =
284 cm2 V1 s1 e p = 362 cm2 V1 s1 . Le resistenze serie dei due tratti di semi-
conduttore risultano quindi
1 Wp
rp = = 1, 725 k
q Na p A
1 Wn
rn = = 11
q Nd n A
313
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
314
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
CD (V )
rp rn
CT (V )
I(V )
9.5.5
Si consideri una giunzione p-n brusca simmetrica a 300 K con Na = Nd = 1 1015 cm3
e le lunghezze dei lati n e p eguali, Wn = Wp = 20 m. Sapendo che n = p = 4 ns
e che larea della giunzione e A = 1 mm2 , tracciare la caratteristica tensione cor-
rente e landamento della capacita di transizione al variare della tensione applicata.
Supponendo inltre di usare il diodo come capacita variabile in parallelo con unindut-
tanza L = 7, 9 mH, determinare la polarizzazione del diodo necessaria per ottenere una
frequenza di risonanza di 10 MHz.
9.5.6
Dato il seguente modello PSPICE,
A partire dal modello dato, si deniscono 4 diversi diodi, simulati mediante lallesti-
mento circuitale riportato nella gura 9.22.
I quattro generatori sono identici e producono unonda quadra di periodo pari a 50 ns
e ampiezza 5 V, in grado di polarizzare i diodi alternativamente in modo diretto e
inverso. Si noti che lallestimento indicato corrisponde in realta a quattro circuiti dis-
tinti, per evitare linterazione tra i quattro modelli. Linsieme dei comandi usato per
la simulazione e il seguente:
315
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 -12
2
1.8
1.6
1.4
CD
1.2
CD, CT [F]
0.8
0.6
0.4
0.2 CT
0
-0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
V [V]
......
......
......
......
. . . .
R1
R2
R3
R4
V1 ....... V2 ....... V3 ....... V4 .......
316
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
9, 8 16 158 mV
Tale salto di tensione non e piu presente negli altri tre graci della gura 9.23 , perche
Rs e stato rimosso dai modelli.
La seconda zona e un esponenziale dovuto a Tt, ovvero alla capacita di diusione,
che prevale su quella di svuotamento nella prima parte del transitorio, quando i por-
tatori minoritari sono ancora numerosi. Questa zona scompare nel terzo graco della
gura 9.23, ottenuto dalla simulazione di un diodo con Tt=0.
Inne la terza zona e un esponenziale dovuto alla capacita di svuotamento, che a
corrente ormai piccola prevale su quella di diusione. Nel quarto graco, sono stati
azzerati tutti e tre i parametri del modello e il transitorio e un fronte verticale, senza
alcun ritardo.
317
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
V v(a1)
2.0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
0.0 20.0 40.0 60.0
ns
V v(a2)
2.0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
0.0 20.0 40.0 60.0
ns
4
Si ricorda che la posizione della tensione di soglia sulla caratteristica di un diodo dipende dalla
scelta della scala con la quale si osservano le correnti: la convenzione piu diffusa e quella di scegliere
una scala che consenta la lettura dei mA e in questo modo la soglia, per dispositivi reali al silicio e
intorno a 0, 6 0, 7 V.
318
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
V v(a3)
2.0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
0.0 20.0 40.0 60.0
ns
V v(a4)
2.0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
0.0 20.0 40.0 60.0
ns
a)
Si puo scrivere
I
= eV /VT 1 = 0, 95
Is
con = 2 e VT = 0, 0259 V si ha
V = VT ln (0, 95 + 1) = 0, 16 V
b)
319
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
9.6.2
Un diodo a giunzione alla temperatura di 100 C ha una corrente inversa di 10 nA con
V = 4 V. Calcolare la resistenza dinamica del diodo polarizzato con V = 0, 5 V e la
corrente per V = 4 V alla temperatura di 70 C.
a)
La trasmissione di calore tra due punti tra cui si trova una dierenza di temperatura
= T Ta e retta dalla legge
Pt = K (T Ta ) = K
320
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
b)
Quando il dispositivo e percorso da corrente si dissipa nel semiconduttore una potenza
Pd che fa aumentare la temperatura del diodo rispetto alla temperatura ambiente.
Di conseguenza la potenza trasmessa verso lesterno, che inizialmente era nulla per
leguaglianza delle due temperature, tende ad aumentare. Il transitorio termico si
estingue ovviamente quando la potenza sviluppata alla giunzione entro il dispositivo e
eguale alla potenza trasmessa verso lesterno; a questo equilibrio termico corrisponde
una temperatura T , o meglio un salto di temperatura = T Ta , espresse dalla
condizione
Pt = K (T Ta ) = K
Pd = Pt
Pd = V I = Pd ()
Tale relazione e in realta la condizione di regime di unequazione di equilibrio termico
che descrive anche i fenomeni funzione del tempo
d
C + K = Pd ()
dt
dove C, secondo la citata analogia elettrica, prende il nome di capacita termica e si
misura in mW s/ C.
c)
Si usa la relazione allequilibrio termico
Tj = Rja Pd () + Ta
Dato che la resistenza serie, cui in polarizzazione diretta si riduce il modello del diodo,
non dipende sensibilmente dalla temperatura, e che si trascura la variazione di V con
la temperatura, la potenza termica generata nel diodo
Pd () = I V = I(Rf I + V ) = Pd
Pd = 60 mA 0, 95 V = 57 mW
Tj = 0, 8 57 + 25 = 70, 6 C
Lapprossimazione fatta per V non e molto corretta infatti la sua variazione con la
temperatura e circa 2, 5 mV/ C e, con una variazione di 45, 6 C, si ha V + V =
0, 65 0, 114 = 0, 536 V. Quindi
Tj = 0, 8 50, 16 + 25 = 65, 1 C
321
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
In polarizzazione inversa la potenza dissipata Pd = VR Is presenta come fattore la
corrente inversa Is formata da portatori minoritari, quindi dipende fortemente dalla
temperatura della giunzione o, meglio, dalla dierenza tra questa e la temperatura
dellambiente esterno.
Per determinare tale legame funzionale si ricorda il dato empirico e approssimato,
valido per giunzioni sia al germanio sia al silicio, che il tasso di variazione di Is con
la temperatura e approssimativamente +0, 7% / C. Pertanto, se Isa = Is (T = Ta ) e
= Tj Ta
4.5
3.5
Potenza [mW]
2.5
Pt Pd
2
1.5
1 Isa
0.5
0
0 5 10 15 20 25
Aumento di temperatura
Gracamente (g. 9.27) la soluzione e il punto di intersezione di una retta Pt (), che
dipende solo dalle caratteristiche termiche del montaggio e del contenitore con una curva
Pd () che descrive il comportamento termico del diodo. Numericamente si possono
impiegare le tecniche iterative descritte in appendice.
a)
Applicando un metodo iterativo si ottiene = 8, 57 C, Tj = 33.5 C, la potenza
dissipata vale 1, 07mW e la corrente di saturazione e Is = 8, 93 A.
322
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
b)
Si ottiene = 7, 7 104 C quindi resta Tj = 25 C, la potenza dissipata e trascurabile,
96 nW e la corrente di saturazione inversa non muta.
VGS 2
IDS = IDSS 1
VP
323
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
9.7.1
Si consideri il JFET dato nella gura 9.28, dove la lunghezza del canale vale L = 10 m,
la larghezza W = 50 m e laltezza 2 h = 2, 5 m. Nelle zone p del transistore, il livello
di drogaggio e Na = 1 1018 cm3 , mentre il tempo di vita media dei portatori vale
= 1 106 s; nel canale n si ha Nd = 1 1015 cm3 . Determinare:
1. il valore massimo della conduttanza;
2. lespressione e il valore della tensione di strozzamento VP ;
3. la caratteristica tensione-corrente e il valore massimo di IDS per VGS = 0, 2 V
e 4 V;
4. la caratteristica di trasferimento ID (VGS ).
S p D
2h n
a)
Il massimo della conduttanza si ha quando il canale del dispositivo e tutto aperto,
la sezione trasversale attraversata dalla corrente quindi e costante e vale 2H W ; la
conduttanza allora vale
W 2h W 2h
G0 = = q Nd n
L L
assumendo per la mobilita n = 1330 cm2 V1 s1 , si ha G0 = 5, 32 104 S, ovvero
R0 = 1/G0 = 1, 880 k.
b)
La tensione di strozzamento VP e la tensione che, applicata tra ingresso di controllo
e canale, induce una zona di svuotamento tale da chiudere completamente il canale.
Lampiezza della regione di svuotamento per una giunzione p-n di tipo brusco si calcola
come
s
2s Nd Na
w= (i V ) ; Neq =
q Neq Nd + Na
324
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
c)
Nel JFET, la corrente ha andamento lineare per valori piccoli di VDS :
r
2s
IDS = G0 1 (i VGS ) VDS
q N d h2
dove VDSS = VGS VP . Landamento della corrente al variare di VDS e dato nella
gura 9.29. I valori di tensione e corrente di saturazione (VDSS , IDSS ) ottenuti per
VGS = 0, 2 V, 4 V sono
9.7.2
Con riferimento al dispositivo descritto nel problema 9.7.1, tracciare landamento della
conduttanza del canale, gD (al variare di VDS ), e della transconduttanza, gm (al variare
di VGS ). Calcolare inoltre il valore della conduttanza di canale per VGS = 0, 1, 5 V e
4 V.
Nel caso in cui la tensione VDS sia molto piccola rispetto alla tensione applicata tra
gate e canale, questultimo si puo considerare equipotenziale, e quindi lestensione della
5
Trascurando i .
325
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
IDS
x10 -4
7 VGS = 0 V
3
VGS = 2 V
2
1 VGS = 4 V
-1 VDS
0 1 2 3 4 5 6 7 8
2W (H xd ) xd
G= = G0 1
L H
dove G0 e il valore massimo di conduttanza, corrispondente alla situazione di canale
completamente aperto, e lampiezza della zona di svuotamento xd e legata a VGS e alla
tensione di strozzamento VP
r
2s
xd = (i VP )
q Nd
r
2s
H = (i VGS )
q Nd
s
xd i VGS
=
H i VP
Si ha quindi
s !
i VGS
G = G0 1
i VP
Per tensioni VDS crescenti il canale non si puo piu considerare equipotenziale e la
conduttanza gD si ottiene facendo la derivata della corrente nella regione VDS < VGS
326
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
IDS
x10 -3
3
2.5
1.5
0.5
0 VGS
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
VP i
r i
2 2 h
3/2 3/2
ID = G0 VDS (VDS + i VGS ) (i VGS )
3 q Nd H 2
s !
dID VDS + i VGS
gD = = G0 1
dVDS i VP
In zona di saturazione inne, la corrente non dipende (se non molto debolmente) dalla
tensione di drain e quindi la conduttanza e idealmente nulla. Landamento complessivo
di gD e dato nella gura 9.31.
La transconduttanza nella regione lineare si ottiene derivando la
r
2s
IDS = G0 1 (i VGS ) VDS
q N d t2
rispetto a VGS , si ha
dID VDS
gm = = G0 p
dVGS 2 VP (i VGS )
327
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
gD
x10 -4
3.5
2.5
VGS = 0
1.5
VGS = 1, 5 V
1
0.5
VGS = 4 V
0 VDS
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
VGS = 0 V G = 3, 2 104 1
VGS = 1, 5 V G = 1, 7 104 1
VGS = 4 V G = 5, 5 106 1
9.7.3
E dato un JFET a canale n, caratterizzato da livelli di drogaggio uniformi sia nella
zona di canale che in quella di gate e sottoposto a tensioni di drain moderate, tali da
mantenere il comportamento del dispositivo in linearita. Ricavare unespressione della
tensione di strozzamento valida al variare delle concentrazioni del drogante e calcolarne
il valore per Nd = 5 1015 cm3 e per 1 1015 cm3 < Na < 1 1018 cm3 . Si assuma
lo spessore del canale a = 2 H = 3 m.
dove x e la generica posizione lungo il canale, VGx e la tensione applicata tra il gate e
il punto x del canale, e i e il potenziale di contatto della giunzione, calcolabile come
kT Na Nd
i = ln
q n2i
328
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
gm
x10 -4
3.5
2.5
1.5
0.5
0 VGS
-4.5 -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
Dal lato n della giunzione, ovvero nel canale, la zona di svuotamento ha una lunghezza
data da
Na
wn (x) = w(x)
Nd + Na
La tensione di strozzamento VP si ottiene quindi come
s
2 Na
H= (i VP )
q Nd Na + Nd
q Nd H 2 Na + Nd
VP = i
2 Na
Sostituendo i valori numerici, si ottiene
9.7.4
Con riferimento al JFET descritto nel problema 9.7.3 (con Nd = 5 1015 cm3 e Na =
1 1018 cm3 ), calcolare limpedenza di ingresso vista dal morsetto di gate, nellipotesi
che la tensione VDS sia molto piccola e VGS = 1 V. Per la lunghezza e larghezza del
dispositivo, si assumano rispettivamente i valori A = 10 m e B = 50 m.
329
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Per quanto riguarda la resistenza di ingresso, occorre stimare la corrente di gate, che
e la corrente inversa della giunzione gate-canale; nel silicio e a temperatura ambiente,
tale corrente e dovuta essenzialmente alla generazione nella zona di svuotamento della
giunzione e si calcola con buona approssimazione come (9.4):
A B q ni w
Ig =
20
dove 0 e il tempo di vita associato alla ricombinazione delleccesso di portatori e w e
lampiezza della zona di svuotamento, dipendente dalla tensione inversa, ovvero dalla
tensione gate-canale. Derivando si ottiene la resistenza di ingresso
s
dVGS 20 2 Nd
rg = = (i VGS )
dIg A B ni q
rg = 4 1012
9.7.5
Dato il JFET del problema 9.7.3, con Nd = 71015 cm3 e Na = 11019 cm3 , calcolare
il potenziale di contatto alla giunzione gate-canale e determinare i valori di spessore 2 H
del canale per i quali risulta VP = 0, 5 V e VP = +0, 2 V.
9.7.6
E dato il circuito della gura 9.33, nel quale i transistori a canale n, T1 e T2 , hanno le
dimensioni
L [m] W [m] H [m]
T1 1 0, 4 1, 5
T2 1 0, 54 ?
330
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
331
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
9.7.7
Un JFET e realizzato diondendo una regione di tipo p dello spessore di 0, 5 m in
uno strato epitassiale n di 1, 5 m; il gate di tipo p e drogato con una concentrazione di
drogante Na = 11019 cm3 , mentre per lo strato epitassiale si ha Nd = 41015 cm3 . Le
dimensioni del canale sono L = 4 m e W = 12 m, inoltre i contatti di source e drain
sono realizzati come diusioni n+ separate dal canale di 5 m. Calcolare la resistenza
del canale con VG = 0 V, e confrontarlo con quello delle resistenze serie localizzate tra
canale e contatti di source e drain. Ripetere il confronto con VG = 2 V (si assuma che
la giunzione gate-canale sia di tipo brusco e si trascuri la zona di svuotamento dovuta
alla giunzione tra canale e substrato p.)
9.7.8
Date le caratteristiche di drain di un JFET a canale n (g. 9.34 a destra), si ricavi in
modo graco la caratteristica di trasferimento del dispositivo. Dare inoltre unespres-
sione analitica per la caratteristica ottenuta e valutarne i parametri. Ottenere inne la
transconduttanza.
IDS IDS
0.012 0.012
0.008 0.008
0.006 0.006
0.004 0.004
VGS = 3 V
0
-5 -4 -3 -2 -1 0
0
0 2 4 6 VGS =8 5 V10
VGS VDS
332
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
ID = (a b VGS )2
dove i parametri a e b si calcolano a partire dal valore di VGS per ID = 0 e dal valore
di ID per VGS = 0
a
VGS |ID =0 = VP = = 5 V ID |VGS =0 = IDSS = a2 = 12 mA
b
si ottiene a = 0, 109 mA0,5 e b = 21, 9 103 mA0,5 V1 .
In forma analitica
2
VGS 2
2 2 b
ID = (a b VGS ) = a 1 VGS = IDSS 1 = IDSS
a VP
333
Capitolo 10
Il transistore bipolare
334
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Struttura sica
10.1.1, 10.1.2
Ecienza di emettitore Fattore di trasporto Amplicazione di corrente
Diagramma a bande Eetto Early
10.2.4 10.2.5
Modello di Ebers Moll Modello per piccolo segnale
10.3.1, 10.3.2, 10.3.3, 10.4.1, 10.4.2, 10.4.3
10.3.4, 10.3.5, 10.3.6
Simulazione con PSPICE
10.5.1, 10.5.2, 10.5.3, 10.5.4, 10.5.5,
10.5.6, 10.5.7, 10.5.8, 10.5.9, 10.5.10
335
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n+ n+
n-maxepi
n+
a)
Strato epitassiale.
Se si assume che tutti gli atomi di drogaggio siano ionizzati, si ha n Nd e si puo
calcolare la densita del drogaggio usando la formula della conducibilita = qnn .
Assumendo per il silicio n = 1417 cm2 V1 s1 ed esprimendo tutte le distanze in
centimetri, si ha
1
Nd n = = = 1, 8 1015 cm3
qn 2, 45 1, 6 1019 1417
Diusione della base.
Il coeciente di diusione del boro nel silicio a 1160 C vale
Db = 1, 5 1012 cm2 s1
Db = 3, 3 1013 cm2 s1
336
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
e si esprime come
x2
Nb
Cb2 (x) = p e 4 Db t2 + Db t1 =
(Db t2 + Db t1 )
x2
= 1, 12 1019 e 1, 37 10
8
Nella gura 10.3 sono tracciati i proli di drogaggio della base dopo la prima fase di
diusione e dopo la ridiusione termica.
a) Prediffusione di base b) Diffusione di base
10 20 10 20
10 19 10 19
10 18 10 18
Drogaggio, cm^-3
10 17 10 17
10 16 10 16
............................................................. .............................................................
10 15 10 15
10 14 10 14
0 2 4 6 0 2 4 6
Profondita in um Profondita in um
Figura 10.3: a) Diusione iniziale nello strato epitassiale a T = 1160 C di boro con
drogaggio in supercie 2, 21019 cm3 b) diusione durante la formazione dellemettitore
(a T = 1100 C).
337
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Profondita dellemettitore
La regione di emettitore termina alla profondita xe a cui la densita dei donatori fosforo
e eguale alla concentrazione degli accettatori della base
Ce (xe ) = Cb2 (xe )
x2e
xe
= 1, 12 1019 e 1, 37 10
8
1021 erfc
0, 77 104
wB = xb xe = 3, 46 1, 78 = 1, 68 m
Landamento della diusione di emettitore e la profondita della giunzione base-emettitore
sono dati nella gura 10.4
b)
Strato sepolto
Il prolo e gaussiano, ma il valore massimo non e a x = 0
!2
x Rp
N
L
Cs (x) = e
L
q
L = 2Rp2 + 4D1 t1 + 4D2 t2
dove D1 e D2 sono i coecienti di diusione dellarsenico dello strato sepolto alle
temperature dei processi per la formazione della base e dellemettitore
a) Diffusione di emettitore b) Strato sepolto
10 21 10 21
10 20 10 20
10 19 10 19
Drogaggio, cm^-3
Drogaggio, cm^-3
10 18 10 18
10 17 10 17
10 16 10 16
10 15 10 15
10 14 10 14
0 1 2 3 4 5 10 15
Profondita in um Profondita in um
Figura 10.4: a) Diusione di emettitore (atomi di fosforo) nella base, b) strato sepolto
alla ne del processo.
338
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Drogaggio transistore
10 25
10 22
Drogaggio di tipo n, cm^-3
10 19
10 16
10 13
10 10
0 2 4 6 8 10 12 14
Profondita in um
339
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
20
19
Log(Concentrazione (#/cm^3))
18
17
16
15
14
0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00
Profondita (Micron)
Figura 10.6: Proli delle impurita nella regione di emettitore: viene indicato |Nd -Na |.
340
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
341
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10.2.1
Si determini lespressioni di (ecienza di emettitore) per un transistore n-p-n che
presenta drogaggi con concentrazioni costanti nelle tre regioni.
Ecienza di emettitore
In un transistore n-p-n la corrente utile e quella degli elettroni iniettati dallemettitore
nella base. Se si trascura la ricombinazione nella zona di carica spaziale della giunzione
E-B1 , la frazione utile di corrente che attraversa tale giunzione e
Per valutare si ricavano le correnti. Per la corrente di diusione degli elettroni nella
base si applica lequazione di continuita, con le ipotesi di quasi neutralita (E = 0) nella
1
Con questa approssimazione, valida per il calcolo delle correnti, la larghezza della regione spaziale
si puo ritenere nulla. La sezione x = 0 che indica la regione di carica spaziale e anche quella di inizio
della regione di base. Considerazioni analoghe sono valide per la giunzione base-collettore; la sezione
x = wB e quella di inizio della regione di base.
342
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2 n n p
Dn = ; Ln = Dn n
x2 n
n (x) = A ex/Ln + B ex/Ln
n (0) = A + B
n (wB ) = A ewB /Ln + B ewB /Ln = n (0) ewB /Ln + B ewB /Ln ewB /Ln
e consentono di ottenere
343
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove S e larea della giunzione BE. La corrente di lacune iniettate dalla base nellemet-
titore, nellipotesi di diodo lungo, e
V
dp q S Dp BE
IpE (xE ) = IpE (0) = q S Dp = pE0 e VT
1 (10.1)
dx Lp
Dato che la base e corta, wB Ln , si approssima lespressione di InB (0) sostituendo
la coth con linverso del suo argomento
q S Dn npB0 VBE /VT qSD n
n pB0
InB (0) e 1 + eVBC /VT 1 (10.2)
wB wB
q S Dn ni2
= eVBE /VT eVBC /VT (10.3)
wB NA
Regione attiva: in regione attiva di funzionamento la giunzione base collettore e
polarizzata inversamente pertanto VBC < 0 quindi eVBC /VT 0
q S Dn n2i VBE /VT
InB (0) e
wB NA
q S Dp n2i VBE /VT
IpE (0) e
Lp ND
Se lemettitore e molto corto (come avviene nei circuiti integrati reali) Lp xE , la
corrente di lacune iniettate dalla base nellemettitore si puo esprimere come
q S Dp n2i VBE /VT
IpE (0) e
xE ND
Ecienza di emettitore: si ottiene quindi per lespressione
|InB (0)| 1
= =
|InB (0)| + |IpE (0)| IpE (0)
1 + InB
(0)
q Dp n2i wB NA
IpE (0) Dp wB NA
InB (0) = =
xE ND q Dn ni 2 Dn xE ND
1
= Dp wB NA
1+ Dn xE ND
10.2.2
Si determini lespressione della corrente di ricombinazione nella base e si valuti il fattore
di trasporto, per un transistore con lunghezza di base wB = 1 m, se Dn = 36, 8 cm2 s1
e n = 2, 5 103 s.
344
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
quindi il valore di IrB e legato allarea sottesa dalla curva di nB (x); assumendo per
nB (x) un andamento lineare, si ha
n (wB ) nB (0)
nB (x) = B x + nB (0)
wB
V /V
; nB (wB ) = nB0 eVBC /VT 1
nB (0) = nB0 e BE T 1
q A wB nB (wB ) nB (0)
Z
IrB = x + nB (0) dx
n 0 wB
2q A
IrB = wB nB (0) + nB (wB )
n
In polarizzazione diretta, si ha
10.2.3
Si valutino , T e F del transistore realizzato nel problema 10.1.1, supponendo di
poter approssimare le concentrazioni di drogante nelle zone di base e di emettitore con
andamenti costanti e pari al valor medio e assumendo per il tempo di vita medio dei
portatori minoritari il valore = 100 ns.
345
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2
wB
|InB | |IrB |
T = =1
|InB | 2Dn n
Nella base la lunghezza di diusione vale Ln = Dn n = 12 m
2
wB 1, 682
T = 1 = 1 = 0, 9902
2L2n 2 (12)2
poiche nella base poco drogata, diusivita e vita media sono elevate, si ha wB Ln e
T 1.
Lamplicazione di corrente di ampio segnale F in funzionamento diretto rap-
presenta il fenomeno del trasporto di cariche tra lingresso e luscita. Trascurando la
corrente di lacune dal collettore verso la base si ha 2
IC IC |InC | |InB | |IrB |
F = = =
IE IE |InB | + |IpE | |InB | + |IpE |
|InB | |IrB | |InB |
F = = T = 0, 9901
|InB | |InB | + |IpE |
1 F
= 1 = 100
F 1
1 F
Nei transistori reali, F assume valori tipici compresi tra alcune decine e il migliaio.
10.2.4
Si disegni uno spaccato in scala del diagramma a bande di energia del transistore del
problema 10.1.1.
Per disegnare il diagramma a bande si usa la relazione che esprime il livello inferiore
della banda di conduzione EC rispetto allenergia di Fermi; EV ha lo stesso andamento
2
Nel transistore, le correnti IC e IE hanno verso opposto.
346
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
NC
EF = EC T ln
Nd
NV
EF = EV + T ln
Na
NC
EC = EF + T ln
Nd
NV
EC = EG + EV = Eg + EF T ln
Na
1.5
EC
0.5
Livelli energetici
0
EF
-0.5
EV
-1
-1.5
0 2 4 6 8 10 12 14
profondita, [um]
Figura 10.7: Diagramma a bande lungo una sezione passante per lemettitore.
10.2.5
Calcolare il valore della tensione di Early Va , per VCB = 0 in un transistore prototipo
in cui la base, larga 2, 5 m (per VCB = 0), sia drogata con 1017 cm3 atomi di boro,
e il collettore con 1016 cm3 atomi di fosforo. La giunzione base collettore si puo
considerare brusca a gradino.
Quanto vale la pendenza di IC dovuta alleetto Early?
dpB
JpB = qp pB E qDp =0
dx
Dp dpB kT dpB
E = =
p pB dx q pB dx
347
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove le quantita a secondo membro sono valutabili tramite la legge della giunzione;
nellipotesi di basso livello di iniezione, si ha
pB (0) pB (wB ) NA
n2i VBE /VT
n(0) = n0 eVBE /VT = e
NA
n2
n(wB ) = n0 eVBC /VT = i eVBC /VT
NA
Sostituendo si ottiene
qn2i eVBC /VT eVBE /VT qn2i Dn eVBC /VT eVBE /VT
JnB = R wB 1 R wB
0 Dn pB dx 0 pB dx
dove Dn e il valor medio della costante di diusione nella regione di base. In regione
di funzionamento attiva diretta, la giunzione BC e polarizzata inversamente, VBC < 0,
e pertanto
IC IC I
C
VCE VCB VA
348
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
IC
|VA | 0 VCE
Uninterpretazione geometrica della tensione di Early VA e data nella gura 10.8. Dato
che wB /VCB < 0, la tensione VA per un transistore n-p-n e positiva; la derivata
viene di solito calcolata per VCB = 0. Al ne di determinare il legame tra wB e VCB ,
si scrive lampiezza della regione di svuotamento di una giunzione brusca in funzione
della tensione applicata
s
2 s 1 1
xd = xn + xp = + (i VBC )
q NA ND
ND
xp = xd
NA + ND
kT NA ND
i = ln = 0, 75 V
q n2i
La variazione della larghezza della regione di base e pari alla variazione della larghezza
della regione svuotata della giunzione BC nel lato della base
s
dxp dwB 1 2 s ND 1 1
= =
dVCB dVCB 2 q NA NA + ND i + VCB
dxp
|V =0 = 1, 97 106 cm/V
dVCB CB
inoltre se il drogaggio della base e uniforme
Z wB
pB dx = pB (wB ) wB
0
Pertanto si ottiene
pB wB
VA = dxp
= 126, 5 V
pB dVCB
349
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10.3.1
Ricavare le equazioni di Ebers-Moll (10.5) e costruire il modello circuitale non lineare
detto di Ebers-Moll (g. 10.9).
R
IR
F IF
IE IC
IF IR
IB
I coecienti a11 , a12 , a21 e a22 delle equazioni di Ebers-Moll si possono ottenere
dalle equazioni delle correnti nel bipolare ricavate nel problema 10.2.1. La corrente
di emettitore e somma di due contributi
IE = InB (0) + IpE (0)
dove InB (0) e la corrente di diusione di elettroni dallemettitore nella base (10.2)
q S DnB nB0 VBE /VT qSD n
nB B0
InB (0) e 1 + eVBC /VT 1
wB wB
350
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
mentre IpE (0) e la corrente di lacune iniettate dalla base verso lemettitore (10.1)
V
q S DpE BE
IpE (0) = pE0 e VT
1
LpE
q S DnB n2i
a21 =
wB NB
q S DnB n2i q S DpC n2i
a22 =
wB NB LpC NC
Si nota che a12 = a21 , perche questi coecienti dipendono soltanto dai parametri del-
la base. Per un transistore pnp, le espressioni dei quattro coecienti del modello di
Ebers-Moll sono analoghe, ma cambiano tutti i segni.
Analogamente
IE = R IC IE0 eVBE /VT 1
10.3.2
Usare il modello di Ebers-Moll per trovare, nel caso di un transistore pnp, il rapporto
ICEO /ICBO , dove ICEO e la corrente che scorre nel collettore polarizzato inversamente
con la base aperta e ICBO e la stessa corrente con lemettitore aperto. Spiegare il motivo
della dierenza tra le due correnti ricorrendo al comportamento sico del transistore
nei due casi.
351
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
ICB0 ICE0
(a) (b)
IF = R IR
quindi
IF = R ICS
IB = IE IC = (1 F ) IF + (1 R ) IR = 0
1 R
IF = IR
1 F
La corrente di collettore si indica in questo caso con ICEO
1 R
IC ICEO = IR + F IF = IR F IR
1 F
1 F + F F R 1 F R
= IR = IR
1 F 1 F
Dato che IR ICS si ha
1 F R
ICEO = ICS
1 F
352
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
ICEO 1 F R 1 1
= ICS =
ICBO 1 F ICS (1 F R ) 1 F
10.3.3
Si usino le equazioni del modello di Ebers-Moll per calcolare i parametri F , F , ICS ,
IES nel caso di un transistore n-p-n, sapendo che la corrente che uisce nel collettore
vale:
1. 1 nA quando lemettitore e aperto,
2. 10 nA quando lemettitore e in cortocircuito con la base,
3. 100 nA quando la base e aperta.
Si assuma che in tutti e tre i casi indicati la giunzione base collettore sia polarizzata
inversamente.
10.3.4
Usando il modello di Ebers-Moll, si ricavi lespressione della caduta di tensione ai capi
di un transistore in saturazione. Si calcoli inoltre VCE sat per IC /IB = 10 , F = 0, 985
e R = 0, 72.
IB = IE IC = (1 F ) IF + (1 R ) IR
IR = F IF IC
IB = (1 F ) IF + (1 R ) F IF (1 R ) IC
1
IF = [IB + (1 R ) IC ]
(1 F R )
353
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
IR = F IF IC
1
= F [IB + (1 R ) IC ] IC
1 F R
F 1 R
= IB + F 1 IC
1 F R 1 F R
F F F R 1 + F R
= IB + IC
1 F R 1 F R
F 1 F
= IB IC
1 F R 1 F R
Sostituendo si ottiene
IF 1 1 F R
= [IB + (1 R ) IC ] =
IR 1 F R F IB (1 F ) IC
IC
IB + (1 R ) IC 1 1 + (1 R ) IB
= = =
F IB (1 F ) IC F 1 1 F IC
F IB
1 1 IC
R R + R IB
=
F 1 1 IIC
F B
ICS R ICS F IES F
= = =
IES R IES R IES R
1 1 IC
" #
+
ICS IF R R IB
VCEsat = VT ln = VT ln 1 IC
IES IR 1 F IB
VCEsat = 0, 048 V
Il valore della tensione VCEsat in transistori reali dipende in generale dalle condizioni
di polarizzazione, dalla tecnologia di realizzazione del dispositivo e dalla temperatura.
Sperimentalmente si trovano valori tipici tra 0, 1 e 0, 2 V: la dierenza rispetto alla
VCEsat calcolata e principalmente dovuta alle cadute di potenziale sulle regioni quasi
neutre.
10.3.5
Con riferimento al circuito della gura 10.11, dove RB = 330 k, RC = 1 k e
VCC = 10 V, si usi il modello di Ebers-Moll per identicare la regione di funzionamento
nella quale opera il transistore e se ne calcoli il punto di funzionamento, ovvero i valori
di VBE e VCE . Si assuma per il transistore: F = 150, R = 5, IES = 1, 44 1014 A e
ICS = 1, 72 1014 A.
354
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
RB
RC
2
VCC
1 Q1
355
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
......
......
RC
.........
..
.
......
......
RB
VCC . ......
..
...
IR F IF
IF R IR
k + k I (eVBE /VT 1) + k I (eVBC /VT 1) V
0 1 ES 2 CS BE
Fk (VBE , VBC ) =
k3 IES (eVBE /VT 1) + k4 ICS (eVBC /VT 1) VBC
Posto
VBE
X=
VBC
Jk Xk+1 = Fk + Jk Xk
VBE = 0, 6867 V
VBC = 5, 08 V
356
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10.3.6
Per il circuito del problema 10.3.5, determinare il punto di funzionamento a riposo
(calcolare IB , IC e VCE ), adottando il modello semplicato del transistore n-p-n rapp-
resentato nella gura 10.13 4 .
VBE
B C E C
....
......... ......
VBE ..... F IB VBE VBC
E B
zona attiva diretta saturazione VBC
E C E B
........
....... ......
R IC ..... VBC
B C
Come si vede dai risultati, il modello semplicato fornisce rapidamente valori molto
prossimi a quelli ottenuti mediante il modello di Ebers-Moll nel problema 10.3.5. Il
4
Data la complessita del modello di Ebers-Moll, si usa calcolare il punto di funzionamento a riposo
mediante modelli per largo segnale semplicati, come quello della gura 10.13.
357
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
.. ..
......
......
RB
RC
Vcc
........ ........
VBE
Ib
segno della tensione VBE ottenuta e coerente con lipotesi fatta inizialmente di tran-
sistore polarizzato in zona attiva diretta; se fosse risultato VBC > 0, sarebbe stato
necessario vericare i casi di saturazione e polarizzazione in zona attiva inversa.
5
La somma di tutte le correnti entranti in un nodo e nulla, la somma di tutte le tensioni che cadono
sui rami di una maglia e pari a zero.
358
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Generatore di segnale
Se si applica un segnale allingresso del dispositivo polarizzato la variazione della ten-
sione in ingresso al doppio bipolo si rappresenta sovrapponendo al generatore di tensione
continua un generatore di segnale.
Nel caso in cui le variazioni delle tensioni e delle correnti dovute al generatore di
segnale siano piccole rispetto ai valori del punto di funzionamento, e possibile sempli-
care il legame funzionale espresso dalle f e g: infatti se si sviluppano in serie di Taylor
f e g nellintorno del punto di funzionamento (P0 = [IB = IB0 , VBE = VBE0 ]) e si
arrestano gli sviluppi al termine di primo grado, si hanno due relazioni lineari
f f
IC = IC0 + (IB IB0 ) + (VCE VCE0 )
IB P0 VCE P0
g g
VBE = VBE0 + (IB IB0 ) + (VCE VCE0 )
IB P0 VCE P0
che permettono di studiare adeguatamente il dispositivo dal punto di vista del com-
portamento delle sole variazioni. I modelli ottenuti per questa via prendono il nome di
modelli per piccolo segnale.
A seguito di questa linearizzazione i valori istantanei delle quattro grandezze che
caratterizzano il transistore si possono esprimere, applicando il principio di sovrappo-
sizione, ciascuno come sommma di un termine costante, rilevato dal punto di funzion-
amento, e di un termine di variazione, legato alla presenza del generatore di segnale.
IC = IC0 + iC
IB = IB0 + iB
VBE = VBE0 + vBE
VCE = VCE0 + vCE
Le relazioni precedenti diventano allora
f f
IC IC0 = iC = iB + vCE (10.7)
IB P0 VCE P0
g g
VBE VBE0 = vBE = VBE0 + iB + vCE (10.8)
IB P0 VCE P0
I coecienti delle combinazioni lineari tra le grandezze elettriche relative al segnale
sono i parametri dierenziali del modello di piccolo segnale del dispositivo.
10.4.1
Lo studio dei transistori bipolari polarizzati in zona attiva quali dispositivi in grado di
elaborare un segnale elettrico si avvale solitamente di un modello semplicato del dispos-
itivo, in grado di riprodurne il comportamento in condizioni di piccolo segnale, ovvero
in presenza di piccole variazioni delle tensioni e correnti intorno ai valori di polariz-
zazione. Tale modello, detto modello per piccolo segnale, si puo ottenere linearizzando
le equazioni di Ebers Moll. Nella gura 10.15 e riprodotto il modello a parametri h del
transistore bipolare: denire analiticamente i quattro parametri del modello, fornirne i
legami con le grandezze caratteristiche del transistore e discuterne il signicato sico.
Dallesame del circuito equivalente della gura 10.15 si possono scrivere, applicando le
leggi di Kirchho, le relazioni
iC = hf e iB + hoe vCE
vBE = hie iB + hre vCE
359
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
iB B C i
C
hie
hf e iB
hoe
+
hre vCE
Per confronto con le (10.7) si hanno le denizioni dei parametri h del modello. Per tali
parametri, si cerca di individuare espressioni che ne consentano una semplice determi-
nazione. Si parte dalle equazioni di Ebers-Moll. Le correnti di un transistore n-p-n si
possono scrivere come
IE = a11 eVBE /VT 1 + a12 eVBC /VT 1
IC = a21 eVBE /VT 1 + a22 eVBC /VT 1
dove i coecienti a11 , a12 , a21 e a22 sono stati introdotti nel problema 10.3.1:
DnB nB0 DpE pE0
a11 q A +
wB LpE
DnB nB0 DpC pC0
a22 q A +
wB LpC
DnB nB0
a12 = a21 q A
wB
In zona attiva, le equazioni per IE e IC si riducono a
iC hf e iB
360
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
IC
IC0
VCE0 VCE
361
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
IB
IB0
VBE0 VBE
vBE = hie iB
Il modello completo tiene conto anche delleetto Early sulla caratteristica di ingresso,
ovvero della dipendenza di VBE dalla tensione di collettore; per il modello lineare, si
ha un termine hre vCE . Il parametro hre si puo ottenere imponendo iB = 0, ovvero IB
costante, e studiando la dipendenza di IC da VCE :
VBE VBE IC VT IC VT
hre = = = =
VCE IB0
IC IB0 VCE IB0
IC VA VA
Al crescere della tensione di collettore, la larghezza della base si riduce e quindi diminuisce
la corrente di ricombinazione, che e uno dei contributi alla IB . Poiche la corrente di
base e costante, deve aumentare la tensione di base e questo fenomeno e riprodotto
mediante un generatore di tensione, pilotato da vCE , in serie nel circuito di ingresso.
10.4.2
A partire dal modello di Ebers-Moll in regione attiva, si ricavi il modello per piccolo
segnale a bassa frequenza (detto modello ibrido a ) illustrato nella gura 10.18. Si
tenga conto che valori tipici dei quattro parametri sono: gm = 50 mA/V, r = 20 M,
r0 = 1/g0 = 200 k e r = 1/g = 20 M.
362
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
g
B ..... ...... ...... .....
. C
.. ... ...... ...... ...... .
... ... ... ...
............... ...............
...................... r
gm vBE ...................... g0
..................... .....................
....................
....................
..... .....
scrivere come
IC = IC0 + iC
IB = IB0 + iB
VBE = VBE0 + vBE
VCE = VCE0 + vCE
Dal modello di Ebers-Moll in zona attiva diretta (per un transistore n-p-n) si ha
IE = IF eVBE /VT
IC = F IF eVBE /VT
IB = (1 F ) IF eVBE /VT
dove, indicando con wB la larghezza della base, vale
DE n2i DB n2i
IF = q A +
LE NE wB NB
Si scelgono le correnti di base e collettore come grandezze dipendenti e le tensioni VBE
e VCE come grandezze indipendenti; il funzionamento del transistore e quindi descritto
dalle
IC = f1 (VBE , VCE )
IB = f2 (VBE , VCE )
Se le variazioni delle tensioni base-emettitore e collettore-emettitore sono abbastanza
piccole, le correnti si possono esprimere mediante sviluppo in serie di Taylor delle
funzioni f1 e f2 , troncato al termine di grado uno
f1 f1
IC = f1 (VBE0 , VCE0 ) + vBE + vCE
VBE VCE0 VCE VBE0
f2 f2
IB = f2 (VBE0 , VCE0 ) + vBE + vCE
VBE VCE0 VCE VBE0
Si considera prima il modello semplicato illustrato nella gura 10.19, che, come si
vedra, non tiene conto delleetto Early. La variazione della corrente di collettore si
363
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
B C
..................
................. ..
..................... r
gm vBE
................. .
..................
e quindi
IB 1 VBE0 /VT IE0 IC0
= (1 F ) IF e = (1 F ) =
VBE vCE =0 VT VT VT F
IB
= 0
VCE vBE =0
iC gm vBE
iB g vBE
I due parametri del modello semplicato si ottengono a partire dal punto di funziona-
mento del transistore come
IC0 F
gm = r =
VT gm
364
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Per ottenere il modello completo, occorre tenere in conto leetto Early e quindi con-
siderare la larghezza della base wB come funzione della tensione di collettore. In questo
caso, la derivata di IC rispetto a VCE non e piu nulla
DB n2i wB
IC IC VBE0 /VT IF VBE0 /VT
= = F e = F e q A 2 V
VCE vBE =0 VCB vBE =0 VCB NB wB CB
Dalla (10.4) si ha
wB wB
=
VCB VA
dove VA e la tensione di Early. Sostituendo e considerando che NE NB , si ottiene
DB n2i wB
IC VBE0 /VT IC
= F e q A 2 =
VCE vBE =0
NB wB VA VA
e si completa il modello della gura 10.19 con due componenti: una conduttanza gm
tra collettore e emettitore, un generatore di corrente pilotato tra base ed emettitore
(g. 10.20 a).
365
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
B C
...... ......
...................... ......................
(a) .................... r
g vCE
gm vBE .................... g0
...................
. ...................
.
............... ...............
B C
......
...................... .....
(b) .................... r
g vBE
g vCB
gm vBE ......................
.................... g0
....................
...............
...................
.
...............
g
B . . . .
........................... . C
... ... ... ...
Il generatore pilotato g vCE tra base ed emettitore puo essere sdoppiato in due gen-
eratori paralleli, g vBE e g vCB ; questultimo viene a sua volta rimpiazzato con due
generatori identici, g vCB , posti tra i morsetti B e C il primo, C ed E il secondo
(g. 10.20 b). Inne, il generatore tra base e collettore, pilotato dalla tensione vCB , si
sostituisce con la conduttanza g , ottenendo il modello della gura 10.20 c.
Il modello ottenuto e equivalente al modello ibrido della gura 10.18, se si consider-
ano i valori tipici dei parametri dati: infatti, poiche gm g , il generatore g vCB
puo essere trascurato, mentre la conduttanza g in parallelo alla resistenza r non e
numericamente signicativa7 .
7
In realta, il modello della gura 10.18 dovrebbe essere completato con una resistenza di base, del
valore tipico di 100 , posta in serie con il morsetto B e utile per modellizzare la caduta di tensione
sul contatto di base e sul volume di semiconduttore.
366
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10.4.3
Con riferimento al circuito della gura 10.21, calcolare il punto di funzionamento a
riposo del transistore. Inoltre, usando i risultati del problema 10.4.1, calcolare i valori
dei parametri del modello per piccolo segnale. I valori dei componenti sono: RC = 5k,
2
RB
4 1
RC
3
RE
VBB VCC
0
367
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
- lintroduzione nel modello delleetto Early, non incluso nelle equazioni di Ebers-
Moll,
- lintroduzione delle resistenze di collettore, base e emettitore.
I principali parametri del modello statico sono:
Is Corrente di saturazione
Bf Guadagno di corrente diretto
Br Guadagno di corrente inverso
VAF Tensione di Early (diretta)
Rc Resistenza di collettore
Re Resistenza di emettitore
Rb Resistenza di base a polarizzazione nulla
Il modello dinamico si ottiene includendo leetto delle capacita localizzate alle giun-
zioni base-emettitore e base-collettore; tali capacita comprendono un contributo dovuto
alle impurita ionizzate (capacita di transizione) e uno dovuto alliniezione di portatori
(capacita di diusione) e sono descritte dalle medesime equazioni usate per la capacita
di una giunzione pn. I piu importanti parametri del modello dinamico sono:
Tf Tempo di transito ideale diretto
Tr Tempo di transito ideale inverso
Cje Capacita di giunzione emettitore-base a polarizzazione nulla
Cjc Capacita di giunzione collettore-base a polarizzazione nulla
Cjs Capacita di giunzione di substrato a polarizzazione nulla
10.5.1
Si vuole simulare il comportamento di un transistore bipolare con il programma PSPICE
e in particolare vericare che il modello utilizzato normalmente da PSPICE per la
simulazione sia quello di Ebers-Moll.
Allo scopo si confrontano le caratteristiche di uscita nella congurazione a emettitore
comune di un circuito con la topologia della gura 10.22, dove T1 e costituito da una
rete che riproduce il modello di Ebers-Moll e T2 rappresenta semplicemente il modello
PSPICE del transistore bipolare. I parametri caratteristici del transistore sono: Is =
1014 A, f = 100 e r = 1.
Di seguito e riportato linsieme dei comandi per la simulazione del circuito della gu-
ra 10.22. Le caratteristiche del transistore e dei diodi sono specicate nelle schede
.MODEL; nellanalisi in continua, la tensione V1 varia da 0 a 2 V con passo 0, 1 V,
mentre il campo di variazione di V2 e 0 10 V con passo 0, 5 V. Per le resistenze R si
sceglie il valore R = 1 k.
* MODELLI DEI DISPOSITIVI *
.MODEL D1 D (Is=1.010e-14 )
.MODEL D2 D (Is=2.0e-14)
.MODEL T0 npn (Is=1e-14 )
* INGRESSI *
Vin 1 0 1
Vce C0 0 1
* GENERATORI DI TEST E RESISTENZE DI POLARIZZAZIONE*
Ri1 1 B01 1k
Vtb1 B01 B1 0
Vtc1 C0 C1 0
Vte1 0 E1 0
Ri2 1 B02 1k
368
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
. .
D
.... 1
....... IR
.....
......
C C
F IF
B B
E
R IR
....... E
......
...
......
D2 IF
Blocco T1 Blocco T2
Vtb2 B02 B2 0
Vtc2 C0 C2 0
Vte2 0 E2 0
* MODELLO CIRCUITALE *
Dbc B1 Ci D2
Vtestbc Ci C1 0
Dbe B1 Ei D1
Vtestbe Ei E1 0
F1 C1 B1 Vtestbe .990099
F2 E1 B1 Vtestbc .50
* MODELLO INTERNO *
Q1 C2 B2 E2 T0
* ANALISI *
.DC Vce 0 10 .5 Vin 0 2 .1
.PROBE
Eettuata lanalisi, con il programma PROBE, si ottengono due famiglie di curve sul
piano IC VCE (g. 10.23), una relativa al transistore simulato da PSPICE e laltra
relativa al modello a diodi. Si noti che per polarizzare i due circuiti T1 e T2 sono
richieste due resistenze distinte (ma in valore uguale), in quanto se si utilizzasse una
369
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
150mA
100mA
50mA
0mA
-50mA
0V 2V 4V 6V 8V 10V
I(Vtc1) I(Vtc2)
Vce
10.5.2
Si impieghi PSPICE e le tecniche descritte nel problema 10.5.1 per evidenziare leetto
delle resistenze di base, collettore ed emettitore sul comportamento del transistore.
Estendendo la tecnica esaminata nel problema 10.5.1, si analizza il circuito della gu-
ra 10.24 dove T1 e T2 sono i modelli gia usati nella gura 10.22, mentre T3 e T4
rappresentano gli stessi modelli modicati con linserzione delle resistenze parassite. In
T3, le resistenze sono aggiunte alla topologia della rete, mentre T4 e stato modicato
includendo i parametri Rb, Rc e Re nella scheda .MODEL.
Il confronto da eettuare, sulle caratteristiche di uscita (g. 10.25), consente da un lato
di vericare che lequivalenza tra i due modelli del problema 10.5.1 viene mantenuta
(confrontando T3 e T4), dallaltro di valutare leetto che le resistenze hanno sulle
caratteristiche. Si usano i valori Rb=100 , Rc= 10 , Re= 1 .
Leetto delle tre resistenze e sempre quello di introdurre una caduta di tensione che
si ripercuote sullecacia della polarizzazione esterna, diminuendo lecienza del dis-
positivo sia per quanto riguarda lamplicazione sia per la dinamica di funzionamento
in regione attiva.
370
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
...
... ..
B C
... T1
R
E .
.. B C
..
.....
T2
R E
.
+
+
V1 ... B C V2
.. ...
.. T3
R
. E . .
..
... ...
B C
.. T4
R E
.
Figura 10.24: Circuito per lo studio delleetto delle resistenze intrinseche del
transistore bipolare.
10.5.3
Si impieghino PSPICE e le tecniche descritte nel problema 10.5.1 per simulare il fenomeno
di breakdown della giunzione polarizzata inversamente nel modello di transistore.
Si usa il circuito della gura 10.26 dove T3 e T4 sono i blocchi funzionali deniti nel
problema PSPICE1 con linserimento dei parametri di breakdown dei diodi presenti
nella rete T3. Tale eetto non e previsto nel modello di transistore di PSPICE, ma e
possibile includerlo nel circuito equivalente della gura 10.26, specicando i parametri
BV ed IBV (tensione inversa di rottura e corrente nel punto di rottura) per i diodi. Si
usano i valori: Is= 1014 A, Bf=100, Br=1, Rb= 100 , Rc= 10 , Re=1 , BV=7 V,
IBV=1 mA.
Il valore di BV scelto non e realistico, in quanto la tensione di rottura, per un dispositivo
reale, e di alcune decine di Volt, ma permette di evidenziare il fenomeno della rottura
con un campo di tensioni inverse limitato.
Lelevata rapidita di crescita della corrente in condizioni di breakdown consiglia di
utilizzare per V2 un passo di simulazione minore rispetto al problema 10.5.1 e ridurre il
numero di curve caratteristiche da tracciare, per evitare di aumentare eccessivamente i
tempi di calcolo. Si sceglie per V1 lintervallo 02V con passo 0, 5 V e per V2 lintervallo
371
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
150mA
100mA
50mA
0mA
-50mA
0V 2V 4V 6V 8V 10V
I(Vtc2) I(Vtc4)
Vce
10.5.4
Si vuole simulare con PSPICE leetto della modulazione della larghezza di base, cioe
leetto Early.
Si usa un circuito costituito dal parallelo di tre blocchi: T1, T2 e T3. T1, impiegato
per avere un termine di confronto, e il modello di transistore normale, senza eetto
Early, T2 rappresenta il modello PSPICE dello stesso transistore includendo leetto
Early e T3 (descritto in gura 10.28) e un modello circuitale approssimato. PSPICE
permette di simulare leetto Early specicando il valore della tensione di Early (VAF)
nel .MODEL del transistore, con conseguente modica delle equazioni costitutive del
modello. Nel circuito T3, laumento della corrente di collettore al crescere della VCE e
reso in modo approssimato mediante un generatore di corrente che inietta nel nodo di
collettore una corrente proporzionale alla tensione VBC . Con unopportuna scelta del
coeciente di proporzionalita si riesce a ottenere un discreto accordo con il modello di
Spice. I risultati riportati nella gura 10.29 sono stati ottenuti usando i seguenti valori:
Is= 1014 A, Bf=100, Br=1, VAF=100V, K=1mS, R= 1k, e i campi di variazione per
V1 0 2V con passo 0,1V e per V2 0 10V con passo 0,5V.
10.5.5
Luso del transistore bipolare per lamplicazione di segnali richiede il funzionamento
del dispositivo in zona attiva diretta, o zona lineare, per evitare distorsioni della forma
donda. Il funzionamento in zona lineare si ottiene applicando alle giunzioni del BJT
opportune tensioni continue, mediante reti di polarizzazione costituite da resistori e bat-
terie: i valori risultanti delle tensioni VBE e VCE e delle correnti IC e IB costituiscono
372
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
. .
373
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
300mA
200mA
100mA
0mA
-100mA
0V 2V 4V 6V 8V 10V
I(Vtc1) I(Vtc2)
Vce
RC 2 3 1K
VCC 3 0 10
VBB 4 0 10
Q1 2 1 0 SIMnpn
*
* analisi dc
*
.DC VCC 0 15 0.05 VBB 0 20 5
.PROBE
.END
Per il transistore, e stato adottata una versione semplicata del modello del componente
commerciale 2N2222A, contenuto nella libreria EVAL.LIB e riportato sotto:
D
.... 1
....... IR
.....
......
C
F IF
B
E
K VBC
R IR
.......
......
...
...... .
D2 IF
374
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
150mA
100mA
50mA
0mA
-50mA
0V 2V 4V 6V 8V 10V
I(Vtc1) I(Vtc2)
Vce
ICQ = IBQ
Il valore di non e mai disponibile con precisione, essendo soggetto a forti variazioni
di origine tecnologica; il costruttore fornisce solitamente i valori minimo e massimo di
tale parametro, che nel caso del 2N2222A sono 100 e 300 rispettivamente. Il metodo di
375
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
RB
RC
2
VCC
1 Q1
stima del punto di funzionamento indicato e quindi soggetto a errori rilevanti e questo
problema si supera soltanto con opportune reti di polarizzazione, che stabilizzano il
punto di funzionamento sia rispetto alla dispersione dei valori di , sia rispetto alle
variazioni di temperatura (si vedano i problema 10.5.6, 10.5.7, 10.5.8).
10.5.6
Con riferimento al circuito della gura 10.30, si usi il simulatore PSPICE per studiare
la variazione del punto di funzionamento al variare del valore di e della temperatura.
La dispersione dei valori di per un transistore reale e di entita piuttosto rilevante (tra
100 e 300 per il 2N2222A) e questo ha eetti evidenti sul punto di funzionamento del
circuito della gura 10.30. Tali eetti sono visibili nella gura 10.33, dove le caratter-
istiche di uscita sono tracciate per valori diversi di . La retta di carico sovrapposta
alle caratteristiche permette di evidenziare il signicativo spostamento del punto di
funzionamento. La gura e stata ottenuta mediante il seguente sorgente:
STABILITA DEL PUNTO DI LAVORO DI UN BJT
*
.LIB EVAL.LIB
*
* netlist
*
RB 1 4 330K
RC 2 3 1K
VCC 3 0 10
VBB 4 0 10
Q1 2 1 0 SIMnpn
*
* analisi
*
.DC VCC 0 15 0.05 npn SIMnpn (Bf) 88 200 20
*
.PROBE
.END
376
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
50u
40u
retta di carico
30u
20u
Q: (672.932m,28.264u)
10u
-0u
0V 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV
IB(Q1) (10-V(1))/330000
V(1)
Circuito e modello sono gli stessi del problema 10.5.5, ma lanalisi e parametrica rispetto
a Bf (), il cui valore e variato da 88 a 188, con incrementi di 20 unita.
Le variazioni termiche hanno eetto su tre parametri principali del modello:
- su , il cui valore cresce tipicamente del 0,5%-1% C;
- su VBE , tensione diretta della giunzione base-emettitore, che diminuisce di 2,5 mV/ C;
- su ICBO , corrente inversa della giunzione di collettore, che raddoppia ogni 10 C.
Poiche la corrente di collettore e
VCC VBE
IC = IB + ( + 1) ICBO = + ( + 1) ICBO
RB
le variazioni dei tre parametri indicati si ripercuotono su IC e quindi sul punto di
funzionamento. Leetto di tale dipendenza e rappresentato nella gura 10.34. Le
caratteristiche riportate in gura sono state ottenute mediante i seguenti comandi
STABILITA DEL PUNTO DI LAVORO DI UN BJT
*
.LIB EVAL.LIB
*
* netlist
*
RB 1 4 330K
RC 2 3 1K
VCC 3 0 10
VBB 4 0 10
Q1 2 1 0 Q2N2222A
*
* analisi
*
.DC VCC 0 15 0.05 TEMP -53 100 20
.PROBE
.END
377
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10m
retta di carico
8m
Ib=58u
6m
Ib=43u
4m Q: (6.9583,3.0417m)
Ib=28u
2m Ib=13u
0
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
IC(Q1) (10-V(2))/1000
V(2)
Lanalisi in continua e questa volta parametrica rispetto alla temperatura, il cui valore
e variato tra 53 C e 87 C, a passi di 20 C. Come si vede dalla gura, lo spostamento
del punto di funzionamento e considerevole, anche per piccole variazioni termiche, e
rende di fatto non utilizzabile la congurazione circuitale della gura 10.30; sono quindi
necessarie reti di polarizzazione che rendano stabile il punto di lavoro (una classica
congurazione e riportata a titolo di esempio nel problema 10.5.7).
10.5.7
Con riferimento al circuito della gura 10.35, si usi il simulatore PSPICE per studiare
la variazione del punto di funzionamento al variare del valore di .
La dierenza essenziale del circuito della gura 10.35 rispetto a quello della gura 10.30,
e la resistenza RE sullemettitore del BJT. Tale resistenza rende stabile il punto di
funzionamento del circuito: infatti un aumento della corrente di collettore, dovuto a
variazioni termiche o di , provoca un aumento della caduta di tensione su RE e quindi
una diminuzione di IB , che contrasta laumento iniziale di IC , come si puo vericare
dalla seguente equazione
VCC VBE RE IE VCC VBE RE IC
IB =
RB RB
La presenza di questo meccanismo di controreazione rende automatica la polarizzazione
del transistore. La simulazione con PSPICE fornisce il risultato della gura 10.36. Nella
simulazione e stato assunto come parametro il valore di , che varia tra 100 e 300; risulta
evidente come lo spostamento del punto di funzionamento conseguente alla dispersione
dei valori di sia molto piu limitato rispetto a quanto rilevato dalla gura 10.33 del
problema 10.5.6. I comandi usati per la simulazione sono
STABILITA DEL PUNTO DI LAVORO DI UN BJT
*
378
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
8.0m
6.0m beta=188
beta=168
beta=148
beta=128
4.0m
beta=108
beta=88
2.0m
Q: (6.7158,3.2842m)
0
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
IC(Q1) (10-V(2))/1000
V(2)
.LIB EVAL.LIB
*
* netlist
*
RB 1 4 6K
RC 2 3 5K
VCC 3 0 10
VBB 4 0 1.5
RE 6 0 1K
Q1 2 1 6 SIMnpn
*
* analisi
*
.DC VCC 0 15 0.05 npn SIMnpn (Bf) 100 300 50
.PROBE
.END
10.5.8
Con riferimento al circuito della gura 10.37, si usi il simulatore PSPICE per ottenere
il punto di funzionamento a riposo e valutare lamplicazione del segnale VS .
I valori dei componenti sono gli stessi del problema 10.4.3: RC = 5 k, RB = 6 k,
RE = 1 k; VCC e VBB sono batterie da 10 V e 1, 5 V rispettivamente, vS genera una
sinusoide di 500 mV di ampiezza e 1 kHz di frequenza. Il transistore e il 2N2222A, con
= 160.
Si intende usare il circuito della gura 10.37 per amplicare il segnale sinusoidale vS e
si suppone che tale segnale sia a bassa frequenza, ovvero che possano essere trascurati
379
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10m
8m
T=87
6m
T=27
4m
T=-53
2m
0
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
IC(Q1) (10-V(2))/1000
V(2)
gli eetti capacitivi delle giunzioni del transistore: questo, per componenti commerciali
di fascia medio-bassa e vero no a qualche decina di kHz.
Il calcolo analitico del punto di funzionamento, eettuato nel problema 10.4.3, da:
IB = 4, 8 A, IC = IB = 771 A e VCE = 5, 29 V. Poiche al circuito di ingresso, sul
nodo 4, e applicata una tensione v(4) non piu costante, ma variabile nel tempo come
v(4) VBE
IB =
RB + RE (1 + )
380
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
RC
RB VCC
VBB
RE
*
.LIB EVAL.LIB
*
* netlist
*
RB 1 4 6K
RC 2 3 5K
VCC 3 0 10
VBB 5 0 1.5
RE 6 0 1K
Q1 2 1 6 Q2N2222A
VS 4 5 SIN(0 0.5 1K)
*
* analisi
*
.TRAN 1US 2MS
.PROBE
.END
10.5.9
Per analizzare il comportamento dinamico del transistore bipolare, si simuli la risposta
del circuito invertitore di gura 10.41 quando al suo ingresso sia applicata unonda
quadra tra le tensioni 5 V e 0 V, con periodo pari a 40 ns e duty cycle del 25%.
Inizialmente, si usi il modello del transistore ideale e si verichi lassenza di ritardi e
comportamenti capacitivi. Successivamente, si ripeta lanalisi considerando gli eetti
dei tempi di transito e delle capacita di giunzione del dispositivo, prima singolarmente
e poi complessivamente, cercando di evidenziare i diversi eetti che questi hanno sul
comportamento del transistore.
I parametri del transistore sono: Is = 1014 A, Bf = 100, Br = 1, Tf = 100 pS,
Tr = 1nS, Cje = 2 pF, Cjc = 1 pF, Cjs = 3 pF, mentre i resistori dellinvertitore hanno
resistenze: Rb = 1 k e Rc = 1 k.
381
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2.0m
1.5m
1.0m
0.5m
0
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
IC(Q1) (10-V(2)+V(6))/5000
V(2)-V(6)
La forma donda assegnata puo essere specicata con lopzione PULSE nella dichiarazione
del generatore di ingresso; il risultato e la tensione presente sul collettore. Lanalisi deve
essere eettuata nel dominio del tempo, quindi si utilizza la scheda .TRAN speci-
cando un intervallo di tempo per la simulazione che comprenda tutta la durata dello
stimolo: si sceglie lintervallo 0 50 ns con un passo di simulazione di 0, 1 ns. Si puo
vericare che, aumentando il periodo della forma donda e quindi il tempo dellanalisi,
il comportamento dinamico tende ad avvicinarsi a quello ideale.
Per separare gli eetti sul ritardo alla risposta allonda quadra (g. 10.42) e utile con
PSPICE (cfr. problema 10.5.1) eettuare la simulazione su una struttura costituita dal
parallelo di quattro circuiti che dieriscono unicamente per le caratteristiche (specicate
con la scheda .MODEL) dei transistori. In particolare, per T1 non e specicato alcun
parametro dinamico (curva V (C1)), per T2 si assegnano soltanto i tempi di transito
(curva V (C2)), per T3 soltanto le capacita di giunzione a polarizzazione nulla (curva
VC3 ) e inne, per T4, tutti i parametri dinamici (curva VC4 ). I vantaggi che si ottengono
con questo metodo sono sostanzialmente due: a) e necessario un unico circuito e quindi
un unico passo di analisi, b) i risultati della simulazione di ogni sottocircuito sono
disponibili con PROBE contemporaneamente, quindi sono direttamente confrontabili
sullo schermo. Ovviamente e necessario isolare le varie sezioni del circuito, cioe porre
ogni transistore in maglie indipendenti dagli altri, per evitare accoppiamenti capacitivi.
10.5.10
Con riferimento al circuito della gura 10.43, si usi il simulatore PSPICE per studiarne
il comportamento dinamico, in presenza di unonda quadra allingresso. I valori dei
componenti sono: RC = 470 , RB = 3, 9 k; VCC e una batteria da 5 V e il transistore
e il 2N2222A.
382
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
RB
4 1
RC
Vs
3
5
RE
VBB VCC
0
di 0,2 V) mentre la corrente di collettore puo essere molto elevata; nel secondo caso,
risulta IC 0 e VCE puo salire no al limite della rottura (breakdown). Pertanto, nella
due condizioni indicate, il transistore emula bene il comportamento di un interruttore
ideale:
- interruttore chiuso: capacita di sostenere correnti elevate e caduta di tensione
nulla;
- interruttore aperto: corrente nulla e capacita di sostenere tensioni elevate.
Quando lingresso del circuito e sottoposto a una tensione variabile tra due livelli alto e
basso (onda quadra), la rete di polarizzazione del BJT deve essere in grado di portare
il dispositivo alternativamente in saturazione e in interdizione. Questo puo essere veri-
cato sul circuito della gura 10.43, supponendo in ingresso unonda quadra di periodo
100 s, tra i livelli 0 V e 5 V.
Dal punto di vista del comportamento dinamico, interessano principalmente 4 tempi,
deniti come segue:
- tempo di salita (rise time), tempo impiegato dalla forma donda per salire dal
10% al 90% del valore nale (attraversamento della zona lineare);
- tempo di discesa (fall time), tempo impiegato dalla forma donda per scendere
dal 90% al 10% del valore nale (attraversamento della zona lineare);
- tempo di ritardo (delay time), tempo entro il quale la forma donda di uscita
sale al 10% del valore nale, a partire dalla commutazione dellingresso;
- tempo di immagazzinamento (storage time), tempo entro il quale la forma
donda di uscita scende al 90% del valore nale, a partire dalla commutazione
dellingresso; questo tempo e richiesto per leliminazione dei portatori minoritari.
I valori di queste quattro grandezze rilevate sul circuito in questione tramite PSPICE
sono riportati nelle gure 10.44, 10.45, 10.46 e 10.47.
I comandi usati per la simulazione sono
COMMUTAZIONE DI UN BJT
*
.LIB EVAL.LIB
*
383
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
10u
8u
6u Vs=0,2 V
Vs=0
4u
Vs=-0,2 V
2u
0
0V 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV 800mV
IB(Q1) (1.5+V(4)-V(5)-VB(Q1)+VE(Q1))/(6000+165*1000)
VB(Q1)-VE(Q1)
* netlist
*
RB 1 4 3.9K
RC 2 3 470
VCC 3 0 5
Q1 2 1 0 Q2N2222A
VS 4 0 PULSE(5 0 0 0 0 50u 100u)
*
* analisi
*
*.DC VCC 0 15 0.05 npn npn1 (Bf) 100 300 50
.TRAN 1n 150u
.probe ; *ipsp*
.END
384
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1.2m
Vs=0,2 V
Vs=0
0.8m
Vs=-0,2 V
0.4m
0
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
IC(Q1) (10-VC(Q1)+VE(Q1))/(1000+5000)
VC(Q1)- VE(Q1) C1 = 3.9607, 1.0066m
C2 = 6.1639, 639.344u
dif= -2.2033, 367.213u
500mV
0V
-500mV
V(4)- V(5)
10V
5V
0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms
V(2)
C1 = 1.2513m, 3.5525
C2 = 731.244u, 8.1595
dif= 520.032u, -4.6070
385
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
5V
......
.......................
Rc ....................
....................
....................
................
Rb VCC
... ... ... ... ...
.. ..........................................
... ... ... ... ..
+
VD
. .
6.0V
4.0V
0.0V
-1.0V
V(I1)
6.0V
4.0V
0.0V
-1.0V
0ns 10ns 20ns 30ns 40ns 50ns
V(C1) V(C2) V(C3) V(C4)
386
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
RC
2
Vout
RB VCC
1
5.0V
ingresso
0V
V(4)
6.0V
4.0V
2.0V
0V
49.8us 49.9us 50.0us 50.1us 50.2us 50.3us
V(2)
C1 = 50.001u, 5.0000
C2 = 50.019u, 4.5283
dif= -18.550n, 471.698m
387
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
5.0V
ingresso
0V
V(4)
6.0V
4.0V
2.0V
0V
49.8us 49.9us 50.0us 50.1us 50.2us 50.3us
V(2)
C1 = 50.046u, 503.145m
C2 = 50.019u, 4.5283
dif= 26.703n, -4.0252
5.0V
ingresso
0V
V(4)
10V
uscita
5V
0V
99.8us 100.0us 100.2us 100.4us 100.6us 100.8us 101.0us
V(2)
C1 = 100.000u, 39.305m
C2 = 100.425u, 501.394m
dif= -425.265n, -462.089m
388
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
5.0V
ingresso
0V
V(4)
10V
uscita
5V
0V
99.8us 100.0us 100.2us 100.4us 100.6us 100.8us 101.0us
V(2)
C1 = 100.653u, 4.4941
C2 = 100.425u, 501.394m
dif= 227.366n, 3.9927
389
Capitolo 11
La parte iniziale del capitolo e dedicata allesame delle grandezze elettriche che
caratterizzano un transistore MOSFET e allanalisi della struttura tecnologica dei dis-
positivi metallo-ossido-semiconduttore (MOS) mediante luso del simulatore di processo
SUPREM.
Per la comprensione del comportamento del MOSFET si studia il sistema metallo-
isolante-semiconduttore (MIS): esaminandone grandezze quali le concentrazioni dei por-
tatori, la densita di carica, il campo elettrico e il potenziale, si possono chiarire con-
cetti fondamentali quali laccumulo dei portatori, la tensione di banda piatta e inne
linversione di popolazione, sia debole che forte. Passando poi a un dispositivo meno
idealizzato, si individuano alcuni fenomeni particolari, come leetto sul valore della
tensione di soglia delle cariche intrappolate nellossido e allinterfaccia.
La descrizione del comportamento elettrico di un MOSFET viene fatta introducendo
relazioni tra corrente e tensione che tengono conto di fenomeni quali gli eetti della
saturazione della velocita dei portatori, della degradazione della mobilita superciale
e della conduzione sottosoglia. Questi ultimi fenomeni risultano particolarmente im-
portanti in dispositivi ottenuti tramite unoperazione di scalamento delle dimensioni da
dispositivi piu grandi, per i quali e necessario tener conto delle variazioni della tensione
di soglia legate agli eetti di canale corto e di canale stretto.
Linsieme degli strumenti di analisi e la conoscenza dei parametri inuenti sui di-
versi fenomeni analizzati porta alluso del modello statico del MOSFET con PSPICE.
Come per i dispositivi introdotti nei capitoli precedenti, si impiegano i modelli PSPICE
per ottenere mediante simulazione le caratteristiche dei vari tipi di MOSFET.
Il capitolo si conclude con lesame di un modello dinamico del MOSFET (fonda-
mentale per lo studio dei circuiti digitali), che richiede unanalisi accurata delle capac-
ita del sistema MOS e delle regioni di drain e di source verso il substrato. Tale
modello viene applicato in regime di ampio segnale nella simulazione dei transitori di
commutazione.
390
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Dato che la zona elettricamente utile di un MOSFET (zona attiva) e quella sottostante
il gate e dato che si usa un simulatore monodimensionale (SUPREM3), tutto il pro-
cesso viene considerato in una sezione in corrispondenza del gate. Lapplicazione delle
tecniche LOCOS avviene attraverso le seguenti fasi:
- creazione di uno strato intermedio di SiO2 , con spessore di 0,05 m, tramite
ossidazione in atmosfera secca a 1050 gradi;
- deposizione di uno strato di nitruro di silicio di 0,2 m di spessore, tramite
deposizione chimica da fase vapore (CVD);
- creazione dellossido di campo. Il processo di ossidazione ovviamente interessa
anche le regioni attive protette dallo strato di nitruro.
TITLE SUPREM-3 Simulazione processo MOS
COMMENT Inizializzazione del substrato di silicio
INITIALIZE < 100 > SILICON BORON=1E15
+ THICKNESS=1.5 DX=.002 XDX=.02 SPACES=120
COMMENT Crescita dellossido di protezione
DIFFUSION TEMPERATURE=1050 THICKNESS=.05 DRYO2
COMMENT Deposizione dello strato di nitruro di protezione
DEPOSIT NITRIDE THICKNESS=.2 DX=.02 SPACES=10
COMMENT Crescita dellossido di campo
PRINT LAYER ENABLE
DIFFUSION TEMPERATURE=1000 TIME=30
+ STEAM PRESSURE=5 PRINT
prima dopo
Si 1,500 1,478
SiO2 0,050 0,050
Si3 N4 0,200 0,182
SiO2 0,000 0,010
391
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Struttura
MOSFET
Simulazione
processo
(SUPREM)
11.1.1
Diagrammi a bande
Simulazione 11.2.1 11.2.2 11.2.3
ossidazione
impiantazioni
11.1.2
Tensione di soglia Eetto substrato
Simulazione 11.3.1 11.3.2 11.3.3 body eect
maschere 11.5.1
11.1.3
Non idealita
Caratteristiche ossido e interfaccia
ossido-silicio
I-V 11.4.1 11.4.2
Eetto 11.6.1 11.6.2 11.6.3
modulazione
canale 11.7.3
Eetto saturazione
velocita 11.6.4
Eetto
canale corto Correnti sottosoglia
11.6.5
Eetto
canale stretto Modello statico
MOSFET Modello statico
SPICE 11.7.1 11.7.2
Capacita
MIS
Capacita
drain-source
Modello dinamico
Modello dinamico
11.6.6 SPICE 11.7.5
392
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Le concentrazioni delle impurita nei dierenti strati della regione attiva (dopo la re-
alizzazione del gate in polisilicio) sono riportate in funzione della profondita a partire
della supercie nella gura 11.2. Si noti che limpiantazione di boro necessaria, per
la correzione della tensione di soglia presenta una concentrazione nel substrato pari a
4 5 1015 cm3 in corrispondenza del canale e un valore superiore nellossido, a causa
del coeciente di segregazione del boro nellossido maggiore di uno. Si noti inoltre
come allinterno dellossido si origini una giunzione (Nd = Na ) a 130A dallinterfaccia
polisicio ossido; giunzione che comunque non puo presentare alcuna attivita elettrica.
La struttura no ad ora ottenuta non e ancora quella nale e i proli di drogaggio nella
regione di gate non hanno ancora laspetto nale. Infatti mancano le impiantazioni
delle regioni di drain e di source e i successivi cicli di rinvenimento e ossidazione, che
modicheranno anche i proli di drogaggio nella regione di gate.
COMMENT Impiantazione dellarsenico delle regioni di drain source
IMPLANT ARSENIC DOSE=5E15 ENERGY=50 GAUSSIAN
DIFFUSION TEMPERATURE=1000 TIME=15 DRYO2
DIFFUSION TEMPERATURE=1000 TIME=15 STEAM
DIFFUSION TEMPERATURE=1000 TIME=20
PRINT LAYER
COMMENT Andamento delle impurita
PLOT CHEMICAL NET RIGHT=1.5 LINE=2
Nella gura 11.3 e tracciato il prolo delle concentrazioni di impurita nella regione di
gate al termine della fabbricazione delle regioni di source e drain e della successiva
ossidazione. Si noti come la giunzione nellossido di gate si sia spostata a 320A
dallinterfaccia polisicio ossido e come la concentrazione del boro nel canale sia rimasta
praticamente invariata.
393
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
21
20
19
Log(Concentrazione) (#/cm^3)
18
17
16
15
14
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40
Profondita (micron)
Sezione simulata
Gate
Polisilicio n+
Ossido di gate
Substrato tipo p
Figura 11.2: Proli delle impurita |Nd Na | nella regione di gate prima della realiz-
zazione delle regioni di drain e di source: lo strato di polisilicio si estende da 0 a 500
nm di profondita, lossido di gate da 500 a 540 nm e il substrato da 540 nm in poi.
394
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
21
20
19
Log(Concentrazione) (#/cm^3)
18
17
16
15
14
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40
Profondita (micron)
Sezione simulata
Polisilicio n+
Source Drain
Substrato tipo p
Figura 11.3: Proli delle impurita |Nd Na | nella regione di gate dopo la realizzazione
delle regioni di drain e di source e la successiva ossidazione: lo strato di ossido si estende
da 0 a 332 nm di profondita,il polisilicio da 332 a 688 nm , lossido di gate da 688 a
728 nm e il substrato da 728 nm in poi.
395
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
La simulazione delle regioni di drain e di source puo essere eettuata partendo dalla
struttura memorizzata alla ne della simulazione SUPREM eettuata nel precedente
esercizio con listruzione:
SAVEFILE STRUCTURE FILE=MOSGATE
La struttura presente nel le MOSGATE e quella relativa alla zona attiva dopo la depo-
sizione del silicio policristallino; occorre a questo punto rimuovere tramite attacco nelle
regioni di source e di drain gli strati di polisilicio e di ossido. Si simulano limpiantazione
delle regioni di source e di drain e i successivi processi termici di diusione (drive in) e
di ossidazione in vapore.
INITIALIZE STRUCTURE=MOSGATE
COMMENT Attacco dello strato di polisilicio e di ossido sul D/S
ETCH POLYSILICON
ETCH OXIDE
COMMENT Impiantazione dellarsenico delle regioni di drain source
IMPLANT ARSENIC DOSE=5E15 ENERGY=50 GAUSSIAN
DIFFUSION TEMPERATURE=1000 TIME=15 DRYO2
DIFFUSION TEMPERATURE=1000 TIME=15 STEAM
DIFFUSION TEMPERATURE=1000 TIME=20
PRINT LAYER
COMMENT Valutazione della profondita di giunzione
EXTRACT NAME=XJ CHEMICAL NET X.EXTRACT Y=0
ASSIGN NAME=XJ PRINT
COMMENT Andamento delle impurita
PLOT CHEMICAL NET RIGHT=1.5 LINE=2
La giunzione si situa a 0,27 m di profondita dalla supercie del silicio; landamento
delle concentrazioni di impurita e riportata nella gura 11.4.
396
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
21
20 |Nd-Na|
Boro
Arsenico
19
Log(Concentrazione) (#/cm^3)
18
17
16
15
14
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40
Profondita (micron)
Sezione simulata
Polisilicio n+
Source Drain
Substrato tipo p
Figura 11.4: Concentrazione totale delle impurita nelle regioni di drain e di source: lo
strato di ossido si estende da 0 a 302 nm di profondita e la giunzione di Source a 277
nm dalla supercie del silicio.
397
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
4.00 5.00
Nitride Poly
3.00
2.00
1.00
Z (micron)
0.00 -1.00
Thin Oxide
-2.00
-3.00
-5.00 -4.00
398
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
399
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VF B0 = M S
Il fenomeno per ora tenuto in conto e esclusivamente quello della dierenza delle due
funzioni lavoro, di qui il simbolo VF B0 ; altri fenomeni possono modicare tale valore, per
esempio le cariche superciali allinterfaccia ossido semiconduttore e le cariche allinter-
no dellossido. In generale in un semiconduttore la relazione che lega la concentrazione
dei portatori alla posizione del livello di Fermi e data da:
np = ni e(EF Ei )/kT
pp = ni e(Ei EF )/kT
I vari fenomeni che si vericano nella struttura MIS (metallo isolante semiconduttore) si
determinano osservando il diagramma a bande allinterfaccia isolante-semiconduttore.
In particolate si indicano con:
qp , la dierenza Ef Ei allinterno del semiconduttore (negativo in un materiale p),
q(x), la dierenza tra il valore di EF (costante in tutto il semiconduttore) e il valore
corrente di Ei (x),
qs , valore di q(x) allinterfaccia isolante semiconduttore.
Per un semiconduttore di tipo p si ha quindi
400
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1 p
VT p = VF B + VS 2|n | 2qs Nd (2|n | + VS VB )
Cox
Se si denisce come parametro delleetto di substrato
2s qNa
=
Cox
per la tensione di soglia VT 0 ottenuta con VS = VB = 0 vale la relazione
q
VT 0 = VF B + 2|p | + 2|p |
11.2.1
Si considerino due sistemi Metallo-Ossido-Semiconduttore costituiti da alluminio, bios-
sido di silicio di spessore 300 A e, rispettivamente, silicio di tipo n drogato con Nd =
5 1015 cm3 e silicio di tipo p con Na = 1, 3 1016 cm3 . Si traccino i diagrammi a
bande per questi due sistemi nelle seguenti condizioni:
a) allequilibrio termico;
b) in condizioni di banda piatta.
a)
Nel caso del semiconduttore di tipo n con concentrazione di drogante pari a Nd =
5 1015 cm3 , e possibile calcolare la posizione del livello di Fermi nel semiconduttore
lontano dalla supercie come
NC
EC EF = kT ln = 0, 22 eV
Nd
Per le grandezze necessarie a tracciare il diagramma a bande si ha:
Al : qM = 4, 1 eV
Si : q = 4, 05 eV
qS = q + EC EF = 4, 27 eV
SiO2 : q = 0, 95 eV
Eg = 8 eV
Inoltre il valore della barriera di potenziale tra il metallo e lossido vale
Con i dati disponibili e possibile tracciare il diagramma a bande soltanto in modo qual-
itativo, in quanto per poterlo tracciare in modo accurato sarebbe necessario calcolare
la caduta di tensione sui 300 A di ossido. La tensione di banda piatta vale
VF B = M S = (4, 1 4, 27) V = 0, 17 V
401
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2
Livelli energetici
1
..................................................................
........................................................................
...............................................
0 ......................................
-1
-2
-3
-4
-5
-0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5
Figura 11.6: Diagramma a bande per il sistema MOS costituito da alluminio, SiO2 e
silicio drogato di tipo p con Na = 1, 3 1016 cm3 .
b)
Nel caso di semiconduttore di tipo p con concentrazione Na = 1, 31016 cm3 e possibile
costruire il diagramma a bande qualitativo allequilibrio termodinamico procedendo allo
stesso modo del caso precedente.
NV
EF EV = kT ln = 0, 17 eV
Na
qS = q + Eg (EF EV ) = 5 eV
VF B = M S = 0, 9 V
E quindi necessario applicare una tensione negativa pari a 0,9 V al metallo per portare
il sistema in condizione di banda piatta.
11.2.2
Si consideri la struttura MOS del problema 11.2.1 con silicio drogato di tipo p e si calcoli
la frazione della tensione di contatto (tensione di banda piatta) che cade sullo strato di
ossido. Si traccino i diagrammi a bande allequilibrio termodinamico.
Ipotesi: si suppone che allequilibrio la carica totale nel canale sia solo quella dovuta
alla zona svuotata, ovvero si trascura la carica dello strato di inversione eventualmente
presente allequilibrio termodinamico.
402
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
qNA xd
xd
xox 0
qNA
Eox Es0
S
xd
xox 0
Figura 11.7: Andamento qualitativo della carica spaziale nella struttura MOS e del
corrispondente campo elettrico.
Se la carica totale nel canale e solo quella dovuta alla zona svuotata e se vale lipotesi
di completo svuotamento, la densita di carica (x) e
(x) = qNa x
Il valore del campo elettrico si ottiene applicando lequazione di Poisson alla dis-
tribuzione di carica
E (x)
=
x
Integrando si ottiene landamento riportato nella gura 11.7 dove si puo notare che
il campo elettrico presenta una discontinuita dovuta ai dierenti valori della costante
dielettrica. Si tratta di un andamento qualitativo in quanto lestensione nel semicon-
duttore della distribuzione di carica ssa dipende da come si ripartisce il potenziale di
contatto tra ossido e semiconduttore.
Per calcolare lintensita del campo nellossido Eox , si applica il teorema di Gauss al
cilindro di sezione S che attraversa la supercie di interfaccia tra metallo e ossido in x =
xox . Considerando il caso in cui lossido sia ideale, cioe privo di cariche intrappolate al
suo interno o allinterfaccia, semplici considerazioni di neutralita elettrica complessiva
portano a concludere che tale cilindro contiene (sulla supercie metallica) la carica
SqNa xd . Quindi:
Q qNa Sxd
Z
E dS = = = Eox S
s ox ox
da cui si ottiene
qNa
Eox = xd
ox
403
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
Potenziale
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5
Lespressione avrebbe potuto anche essere ottenuta dalla condizione dalla continuita
del vettore spostamento dielettrico allinterfaccia ossido semiconduttore
s
ox Eox = s Es0 Es0 = Eox
ox
Se Vox e Vs sono le cadute di tensione sullossido e sulla regione di carica spaziale del
semiconduttore, le espressioni per campo elettrico e potenziale sono le seguenti:
Ossido Silicio
qNa qNa
Eox = xd Es0 = xd
ox s
1
Vox = Eox xox Vs = Es0 xd
2
qNa qNa 2
Vox = xd xox Vs = x
ox 2s d
404
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VF B = Vox + Vs
s s qNa
Vox = xox Eox = xox Es0 = xox xd
ox ox s
da cui
ox 1
xd = Vox
xox qNa
Eguagliando le due relazioni per xd ed esprimendo tutto in funzione di Vox si ottiene:
r
1 2s
Vox = qNa (VF B Vox )
Cox qNa
2 2
Cox Vox = 2s qNa (VF B Vox )
2 s qNa 2s qNa VF B
Vox +2 2
Vox + 2
=0
Cox Cox
405
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.8
0.6
0.4 .........................................
..........................
...................
Livelli energetici
.........................
............
..........
0.2 ..........
..................
........
........
........
............
0 ......
........
......
......
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
0 0.5 1 1.5 2 2.5
Figura 11.9: Diagramma a bande del sistema MOS con ossido spesso 300 A
allinterfaccia ossido-semiconduttore.
11.2.3
Si valuti la concentrazione dei portatori liberi nella zona di svuotamento e allinterfaccia
ossido semiconduttore nella struttura MOS considerata nei problema 11.2.1 e 11.2.2.
a)
Cominciando ad analizzare il sistema realizzato con silicio drogato di tipo p si traccia
il diagramma a bande in equilibrio. Particolare rilievo assumono le grandezze
qp = Ef Ei
qS = Ef Ei
406
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
E[eV]
Ec
qS
Ei
qp
q(x)
Ev
qS
Figura 11.10: Diagramma a bande del sistema MOS con silicio di tipo p, in condizione
di inversione.
dei portatori liberi allinterfaccia eguaglia quella di tipo opposto nel corpo del semicon-
duttore (S = p ). Nella determinazione dellespressione della tensione di soglia si
manterra lipotesi che il sistema si trovi in condizione di forte inversione e si cerchera
la tensione per la quale la carica dei portatori della popolazione invertita si annulla: il
raggiungimento di tale valore di tensione identica linnesco del fenomeno.
In realta la carica totale Qt allinterno del semiconduttore e somma di due contributi:
il primo dovuto alla carica ssa il secondo alla carica di inversione
Qt = Qd + Qn
Vs = p s = s
qNa 2
Vs = 2s = 2p = x
2s d
quindi lestensione della regione svuotata di portatori vale
r r
2s 4s
xd = 2(p ) = |p |
qNa qNa
La carica elettrica (per unita di area) degli ioni nella zona svuotata vale
q
Qd = qNa xd = 4s qNa |p |
407
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Vox
VG VF B
Vs
Eox
Es0
S E =0
xd
xox 0
Per ottenere la condizione di inversione, si e applicata una tensione VG sul gate che,
depurata del valore che rende piatta le bande dellossido e del semiconduttore, deve
essere pari alla caduta nellossido e a quella nel semiconduttore (ora in forte inversione)
Vox + 2|p | = VG VF B
408
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Qt
xd
xox 0 Qd
Qn
Figura 11.13: Distribuzioni della carica di svuotamento Qd e della carica della popo-
lazione di inversione Qn , compensate dalla distribuzione alla supercie del metallo
Qt .
La tensione di soglia si calcola come la tensione di gate necessaria per avere una carica di
inversione Qn nulla, pur avendo no a ora supposto che il sistema si trovi in condizione
di forte inversione2 . Quindi imponendo Qn = 0, la soglia VG = VT per la formazione
del canale e calcolabile come:
1
q
VT n = VF B + 2|p | + 4s qNa |p |
Cox
b)
Nel caso in esame, con Na = 1, 3 1016 cm3 , si ha
p = (EF Ei ) = 0, 392V
Qd = 5, 8 108 C/cm2
ox
Cox = = 1, 15 107 F/cm2
xox
1
VF B = M S = M + Eg + |p | = 0, 9 V
2q
e quindi la tensione di soglia vale VT n = 0, 39 V.
Per quanto riguarda il MOSFET a canale n, si ha:
1 p
VT p = VF B 2|n | 4s qNd |n |
Cox
2
Il fatto che in realta esista gia della carica invertita nel canale giustica la presenza di una corrente
di conduzione sottosoglia (problema 11.6.5).
409
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
410
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Qt = ox Eox = Qd + Qp
Qd = 6, 12 108 C/cm2
VT p = 1, 143 V
a)
La tensione di soglia per un MOSFET a canale n viene descritta dallespressione
1
q
VT n = VF B + VC + 2|p | + 2s qNa (2|p | + VC VB )
Cox
411
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove VC e VB sono le tensioni del canale e del substrato. Si valuta la tensione di banda
piatta
VF B = M S
1
qS = q + Eg (EF Ei )
2
Na
EF Ei = kT ln = 0, 367 eV
ni
qS = 4, 05 + 0, 56 + 0, 367 = 4, 97 eV ; qM = 4, 05 eV
VF B = 0, 927 V
Il lavoro di estrazione del gate in silicio policristallino viene fatto coincidere con lanita
elettronica del silicio, dato che per lelevato drogaggio n+ il livello di Fermi coincide
con Ec . La capacita di gate vale
ox
Cox = = 0, 138 106 F/cm2
xox
ed e p = 0, 367 V; con VC = VB = 0 la tensione di soglia vale
VT n = 0, 098 V
b)
Con lattuale livello di drogaggio del substrato la tensione di soglia risulta ben al di
sotto del valore pressato di 0,7 V. Deve essere eettuata unimpiantazione ionica
per modicare la concentrazione negli strati superciali sotto il gate. Per calcolare la
concentrazione a cui il substrato deve essere portato, bisogna risolvere numericamente
lequazione
r
Na 1 N
0, 7 = Eg /2 + kT ln + 4s qNa kT ln a
ni Cox ni
dove xox e lo spessore dellossido e Cox e la capacita per unita di area dellossido.
412
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Qf
0 xox x
E(x)
0 x
Eox = Qf /ox
(x)
Qf
0 x
Figura 11.14: Distribuzione della carica nellossido, del campo e del potenziale associati.
In un sistema MOS reale non e possibile trascurare il fatto che lossido non e ideale ma
presenta cariche allinterfaccia e in profondita, che modicano il valore della tensione
di banda piatta e quindi la tensione di soglia.
Si puo ragionare qualitativamente. La presenza di carica positiva allinterfaccia au-
menta la quantita di carica dello strato di svuotamento, occorre quindi una tensione
maggiore, in valore assoluto, per raggiungere la condizione di banda piatta; sicamente,
quando si raggiunge la condizione di banda piatta, la carica intrappolata e compensata
dalla carica nel metallo.
Qf
= 5 1011 cm2 Qf = 8 108 C/cm2
q
Per entrambi i MOSFET, sia a canale n che a canale p, la carica allinterfaccia modica
la tensione di banda piatta di un termine pari a
Qf 8 108
= = 0, 695 V
Cox 1, 15 107
Per quanto riguarda il transistore NMOS, la tensione di banda piatta e la corrispondente
413
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Per quanto riguarda il sistema MOS con substrato di tipo n con Nd = 5 1015 cm3 si
ha
Qf
VF B = M S = 0, 17 0, 695 = 0, 865 V
Cox
1 p
VT p = VF B 2|n | 4s qNd |n | = 1, 835 V
Cox
414
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
415
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VSB = 0, 859 V
regione VDS ID
kT W Qn (VS ) qVDS
sottosoglia VG < V T [1 exp( )]
qL kT
s
1 qs Na
= 1+
2Cox |p |
s
kT qs Na q[VG VT (VC (y) VS )]
Qn (y) exp
2q |P | kT
n W V2
quadratica VG > V T Cox [(VG VT )VDS DS ]
L 2
VDS < VG VT
W
linearizzata VG > V T n Cox (VG VT ) VDS
L
VDS VG VT
n W Cox
saturazione VG > V T (VG VT )2
2L
n W Cox
VDS VG VT (VG VT )2 (1 + VDS )
2L
416
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
M1
8m
D S
M2
4m
12m
poly n+
n+ n+
Na = 2 1017 cm3
qNA xd
Eox = ox
qNA xd
ES0 = ox xox
0 xox xd
417
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
Potenziale
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-4 -2 0 2 4 6 8 10
Figura 11.17: Potenziale nella regione di gate:la profondita 0 e linterfaccia tra lossido
e il silicio del substrato.
dove
NV
qS = q + Eg kT ln = 5, 07 eV
Na
qVF B = qM qS = 1, 02 eV
Risolvendo si ha
xd = 5, 66 106 = 0, 056 m
qNa xd
Vox = xox = 0, 52 V ; Vs = 0, 5 V
ox
Landamento del potenziale e il diagramma a bande sono riportati nelle gure 11.17 e
11.18. Per determinare la tensione di soglia, si calcola
e si trova
Na
qp = ln = 0, 427 eV
ni
1
q
VT = VF B + 2|p | + 2s qNa 2|p | = 0, 524 V
Cox
Dato che il canale e lungo 8 m, e possibile utilizzare le relazioni I-V relative allanalisi
a canale lungo con una mobilita a basso campo n = 1417 cm2 V1 s1 e la larghezza
418
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2
Livelli energetici
-2
-4
-6
-4 -2 0 2 4 6 8 10
W = 4 104 cm ; quindi
W
IDSsat = n Cox (VGS VT )2
2L
W 4
n Cox = 1417 3, 45 107 = 4, 88 104
2L 4
IDS |1V = 4, 88 104 (1 0, 524)2 = 110 A
IDS |2V = 4, 88 104 (2 0, 524)2 = 1063 A
IDS |5V = 4, 88 104 (5 0, 524)2 = 9776 A
Le caratteristiche tensione corrente sono tracciate nella gura 11.19: si noti come
la zona di saturazione sia raggiunta per valori di VDS tanto piu piccoli quanto piu e
piccola la VGS .
11.6.2
Sia dato un dispositivo n-MOSFET ad arricchimento con
- mobilita a basso campo 510 cm2 V1 s1 ;
- gate in silicio policristallino con ND = 2, 4 1019 cm3 ;
- substrato di tipo p, con NA = 8, 9 1015 cm3 ;
- lunghezza del canale pari a 5 m;
- larghezza del canale pari a 2 m;
- corrente di saturazione IDS = 30 A per VGS = 4 V.
419
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
0.01
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Figura 11.19: Andamento della corrente IDS per VGS =1,2,5 V (senza modulazione della
lunghezza di canale).
Si ricavino, nellipotesi VS = VB = 0:
a) lo spessore dellossido;
b) la tecnica piu opportuna per accrescere lo strato di ossido richiesto e il tempo neces-
sario, supponendo di operare con T=1000 C, P=1 atm;
c) il valore della tensione di soglia;
d) il diagramma a bande del sistema gate-ossido-canale, allequilibrio termodinamico.
La lunghezza del canale permette di applicare lanalisi a canale lungo, inoltre con-
siderando la corrente di saturazione e trascurando leetto di modulazione della lunghez-
za di canale si ha
n W Cox
IDS = (VGS VT )2
2L
dove la tensione di soglia puo essere espressa come
1
VT = VF B + 2|p | + Qd
Cox
Il gate e in polisilicio fortemente drogato di tipo n e il lavoro di estrazione vale
M = 4, 05 V
Na
Ei Ef = kT ln = q|p | = 0, 346 eV
ni
1 1
S = + Eg (Ef Ei ) = 4, 956 V
2 q
VF B = M S = 0, 906 V
420
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Ponendo
421
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2
Livelli energetici
1
....................................................
.....................................
0
-1
-2
-3
-4
-5
-4 -3 -2 -1 0 1 2
si ottiene
xd = 0, 17 m ; Vs = 0, 196 V
Vox = 0, 71 V
422
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
IDS
VDS
VGS
Eettuando uno scalamento (scaling down) a campo costante e con K=2, variano le
grandezze relative al MOSFET, ma restano ancora applicabili le relazioni del caso di
MOS a canale lungo:
- spessore dellossido:
1
xox = xox = 250 A
K
- drogaggio substrato:
Na = Na K = 1017 cm3
- tensione di soglia:
VF B = 0, 969 V ; P = 0, 409 V
Cox
= KCox = 13, 8 108 F/cm2
VT
VT = 1, 042 V >
K
1
W
IDS = n Cox (VG VT )2 = 138, 6 A
2 L
e la corrispondente dissipazione di potenza
PD = 0, 346 mW
423
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
La mobilita, per valori elevati del campo elettrico, puo essere espressa in funzione del
campo con una relazione approssimata del tipo
1
= 0 0
1+ E
vmax
dove 0 = 510 cm2 V1 s1 e la mobilita per valori bassi del campo elettrico. Con
VDS = 5 V e un canale lungo L = 1, 5 m, il campo longitudinale vale
VDS
E= = 33, 3 kV cm1
L
e la mobilita
= 110, 46 cm2 V1 s1
La corrente attraverso il dispositivo, tenendo conto della dipendenza della velocita dal
campo elettrico, si puo esprimere come
W 1 1 2
IDS = 0 Cox (VG VT ) VDS VDS
L 0 VDS 2
1+
vmax L
La condizione di saturazione del dispositivo si raggiunge quando
dIDS
=0
dVDS
da cui si ottiene unequazione di secondo grado in VDS,max
0 2
VDS,max 2 (VGS VT ) = 0
vmax L
r
L vmax 0
VDS,max = 1+2 (VG VT ) 1
0 L vmax
424
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Al limite per canali molto corti, la corrente diventa sostanzialmente indipendente dal
tipo di transistore (a canale n o p), in quanto la velocita di saturazione e la stessa
per i due tipi di portatori: questo ha rilevanti conseguenze sul dimensionamento di
strutture CMOS submicrometriche. Per lunghezze di gate superiori al micron risulta
piu accurata lapprossimazione
1 W 2
IDS = IDS,max = 0 Cox V
2 L DS,max
Sostituendo i valori numerici, si trovano i risultati riportati nella tabella
Nella gura 11.22 sono confrontate le correnti di saturazione del dispositivo, con e senza
eetto della saturazione di velocita. Senza saturazione di velocita, VDS,max e funzione
lineare della tensione di gate e quindi la corrente di saturazione varia quadraticamente
con la tensione di gate (VG VT ); con saturazione di velocita VDS,max varia con la
radice quadrata di VG VT , e dunque la corrente di saturazione mostra un andamento
lineare. La saturazione della velocita nel canale riduce la VD,max e la IDS,max rispetto
ai valori previsti per mobilita costante.
Un modello adeguato per i MOSFET scalati deve tener conto della saturazione di
velocita dei portatori nel canale dovuta sia al campo longitudinale lungo il canale che
al campo trasversale tra gate e canale. Infatti riducendo lo spessore dellossido, il campo
trasversale puo portare alla saturazione della velocita dei portatori ben prima di quanto
si avrebbe tenendo in conto soltanto il campo longitudinale.
425
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
x10 -3
1.4
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
del nodo D sia superiore a un 1 s e ssando, come condizione peggiore, la tensione sul
gate (zero logico) al valore sottosoglia di = 50 mV. Si consideri che la capacita sul
nodo di uscita sia costituita dalle capacita di drain dei MOSFET connessi in parallelo
e da una capacita di carico aggiuntiva di 100 fF. Per valutare la corrente di scarica
nei MOSFET si analizzi il fenomeno di conduzione sottosoglia; si utilizzino le seguenti
relazioni per la corrente sottosoglia:
n kT W Qn (S) qVDS
IDst = 1 exp
qL kT
s
kT qs Na q[VG VT (VC (y) VS )]
Qn (y) exp
2q |P | kT
s
1 qs Na
= 1+
2Cox |p |
426
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VDD
S
G B MP0
D
CL
..... .....
.........
D D D
G B MN1 G B MN2 G B MNn
S S S
..... .....
.........
..... .....
.........
GND ..... .....
.........
Valutando le capacita sui nodi di drain (area del drain: AD = 9 m2 ) con un potenziale
di 5 V si ottiene:
s
qs Neq
CD (VD ) = AD = 1, 5 fF
2 (i VD )
Come si puo notare le correnti di perdita, a causa della conduzione sottosoglia, possono
creare problemi a strutture (di tipo dinamico) dove linformazione e mantenuta come
carica immagazzinata sulle capacita interne. Il problema della conduzione sottosoglia
diventa particolarmente drammatico per MOSFET ridotti per scalamento mantenendo
inalterate le tensioni di alimentazioni. Infatti in MOSFET a canale lungo, come quelli in
esame, la corrente di conduzione sottosoglia e praticamente indipendente dalla tensione
VDS (anche se dipende in modo esponenziale da VG VT ). In questa situazione e
7
Nello sviluppo analitico per ricavare la corrente sottosoglia, la carica di inversione al drain si
considera praticamente nulla.
427
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
a)
Calcolo della tensione di soglia:
1
q
VT = VF B + 2|p | + 4S Na q|p | = 1, 472 V
C
ox
Eg kT Na
VF B = ln = 0, 951 V
2 q ni
p = 0, 389 V
ox
Cox = = 6, 9 108 F/cm
xox
b)
Calcolo della capacita di gate, considerando trascurabili gli eetti capacitivi delle
sovrapposizioni del gate sulle diusioni di source e di drain:
CGO = Cox W L = 17, 25 fF per VDS = 0
2
CG = Cox W L = 11, 50 fF per VDS > 0
3
Le capacita di source e drain possono essere calcolate facendo le ipotesi VB = VS = 0
V e VD = 5 V; il potenziale intrinseco vale
kT Na Nd
i = ln = 0, 933 V
q n2i
Tenendo conto della capacita dei bordi delle diusioni, possono essere scritte le espres-
sioni che portano al calcolo della capacita di source a potenziale applicato nullo
r
2S
CJ0 = = 66, 6 109 F/cm2
qNa i
CSB0 = CJO W L + CJO 2 xJ (W + L) = 30 fF
8
Ad ogni incremento della tensione sottosoglia |VG VT | di 100 mV la corrente di perdita si riduce
di un ordine di grandezza.
9
Per MOS a canale piu corto invece la corrente diventa estremamente sensibile alla VDS a causa del
fenomeno detto DIBL Drain-Induced Barrier Lowering.
428
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
per il calcolo della capacita sul Drain si deve tener conto della tensione applicata pari
a 5V e si ottiene
" 1#
VBD 2
CDB = CJO 1 [W L + 2xj (W + L)] = 11, 8 fF
i
c)
Come tempo proprio del dispositivo, si indica il tempo necessario al MOSFET in
condizioni di massima corrente per pilotare un secondo MOS (inizialmente scarico) a
0,63 VDD . In un MOSFET si ha la massima corrente per VGS = VDD e per VDS = VDD ,
condizioni per cui il transistore si trova in saturazione. La resistenza di canale in
condizioni di massima corrente vale
VDD 2L
RON = = 12, 9 k
n Cox W (VDD VT )2
avendo usato n = 900 cm2 V1 s1 per una concentrazione Na = 5 1016 cm3 . La
capacita complessiva in uscita del MOSFET e la somma della capacita di drain sul
nodo di uscita del primo MOSFET e della capacita di gate del secondo nelle condizioni
di polarizzazione indicate.
2
Cintr = CG (VGS = VDD ) + CD (VDS = VDD ) = 17, 25 + 11, 8 fF = 23, 30 fF
3
Per cui il tempo proprio del MOSFET diventa
TM OS = RON Cintr = 301 ps
d)
La riduzione delle dimensioni di un MOSFET per scalamento geometrico agisce sul
tempo proprio sotto due aspetti: la capacita intrinseca e la resistenza. In realta, se lo
scalamento avviene a potenziale costante, la crescita del valore del campo allinterno
del canale porta alla progressiva saturazione della velocita dei portatori, riducendo
linuenza sul tempo proprio dello scalamento del dispositivo.
Puo essere interessante valutare per quale valore di K il fenomeno della saturazione
di velocita non possa piu essere trascurato. A tal ne si equagliano le correnti di
saturazione ottenute tenendo conto e no della saturazione di velocita
W
n Cox (VG VT )2 = Cox v W (VG VT )
2L
La lunghezza di canale che si ottiene e quella al di sotto della quale e necessario tener
conto della saturazione della velocita dei portatori
n (VGS VT )
L= = 2, 2 m
v
Ovvero il fattore di scalamento K limite e pari a 2,3.
Per quanto riguarda le capacita, nellipotesi che il MOS ne piloti un secondo inizialmente
scarico, si puo scrivere:
Cintr = CG + CD
= Cox W L + CD (VDS = 0) 2 (W + L) xJ + CD (VDS = 0) W L
Attuando uno scalamento a tensione costante, lespressione della capacita diventa
Cintr = CG + CD
1 K K
= Cox W L + 2 CD (VDS = 0) 2(W + L) xJ + 2 CD (VDS = 0) W L
K K K
429
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
1 W
IDS = n Cox (VG VT )2
2 L
1 W
IDS = Kn Cox (VG VT )2
2 L
ha andamento proporzionale a K; se invece L < 2, 2 m, si ottiene
1
IDS = Cox W v (VG VT )
2
1 1
IDS = KCox W v (VG VT )
2 K
la corrente resta praticamente costante con K. Il tempo proprio, avra quindi un an-
damento proporzionale a 1/K 2 per MOSFET non in saturazione di velocita e pro-
porzionale a 1/K in caso contrario:
" s #
VDD S qNa 1
TM OS = Cox W L + (W L + 2xJ (W + L))
Cox v W (VDD VT ) 2(i VBD ) K
e)
Si usa il MOSFET ridotto con fattore di scalamento K = 5 e si assume di calcolare il
tempo per il quale la tensione sul nodo di uscita scende del 63% cioe raggiunge 1,85
V. Durante questo transistorio, il MOSFET passa dalla regione di saturazione a quella
quadratica per VD = VD,max .
CL = (CD + CG ) = 5, 8 fF
Per valutare in modo accurato il tempo proprio e necessario tenere conto del fatto che
la tensione di soglia varia con lo scalamento: si ha VT = 0, 717 V. Con K = 5 si deve
tener conto della saturazione della velocita dei portatori
"s #
Lv 20
VD,max = 1+ 1 = 1, 86 V
0 Lv (VDD VT )
ID,max
(5 VD,max ) = = 21, 8 ps
CL
Si noti che per K = 5 il tempo proprio calcolato nel punto d) era di 24 ps.
430
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
LEVELS - modello - - -
VT0 VT 0 tensione di soglia 1 1 V
KP - param. transcond. 2 105 3 105 AV2
GAMMA eetto substr. 0 0.35 V1/2
PHI 2|P | pot. superciale 0.6 0.65 V
LAMBDA mod. lung. canale 0 0.02 V1
RD rD resistenza drain 0 10
RS rS resistenza source 0 10
IS I0 corrente inversa 1014 1015 A
UO 0 mobilita a basso campo 600 700 2
cm V1 s1
VMAX vmax velocita di saturazione 0 5 104 ms1
UCRIT - campo critico per mob. 1 104 1 104 Vcm1
UEXP - esponente per mobilita 0 0.1
XJ xd profondita di giunzione 0 1 106 m
CJ C capacita di giunzione 0 2 104 Fm2
CJSW - capacita di perimetro 0 1 109 Fm1
MJ - coe. di giunzione 0.5 0.5 -
MJSW - coe. di giunzione 0.33 0.33 -
CGB0 - capacita verso il bulk 0 2 1010 Fm1
CGD0 - capacita di sovrap. drain 0 4 1011 Fm1
CGS0 - capacita di sovrap. source 0 4 1011 Fm1
Tabella 11.1: Parametri principali per la denizione dei modelli a livello 1 e 2 del
MOSFET in SPICE
VD VS
D S
G B
G B
VG
VG
S
D
VD
431
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Level 2 2
TOX 250e-10 250e-10
NSUB 2e16 5e16
VTO 0.7 -1.1
UO 510 210
Il modo piu conveniente per visualizzare linuenza della tensione di substrato sulla
tensione di soglia e tracciare la transcaratteristica di ingresso al variare della tensione
di substrato con passi di 2 V. I risultati sono in accordo con il valore di gamma calcolato:
q
2s qN a
q
VT = 2|p | + |VSB | 2|p | = 1, 42 V
Cox
infatti avendo posto |VSB | = 10 V si e ottenuto uno spostamento della tensione di soglia
pari a 1,42 V rispetto a 1,40 V valutati nella simulazione.
432
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
mA IDS
1.5
1.0
0.5
-0.0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
VDS
uA IDS
0.0
-100.0
-200.0
-300.0
-400.0
0.0 2.0 4.0 6.0
VDS -5
433
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
mA IDS
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
VGS
uA IDS
0.0
-100.0
-200.0
-300.0
-400.0
0.0 2.0 4.0 6.0
VGS+5
434
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
uA
IDS
600.0
400.0
VBS=0
VSB=10
200.0
0.0
0.0 2.0 4.0 6.0
VGS
435
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Level 2 2
TOX 250e-10 250e-10
NSUB 2e16 5e16
VTO 0.7 -1.1
UO 510 210
Nella gura 11.28 si nota come solamente per lunghezze di canale dellordine del micron
leetto di modulazione della lunghezza di canale diventi evidente.
Per i MOSFET a canale corto, la corrente di drain viene limitata a causa della satu-
razione della velocita dei portatori nel canale (v vmax ). In realta il campo elettrico
che produce la limitazione della velocita dei portatori non e solo quello longitudinale,
dovuto alla VDS , che aumenta con la diminuzione della lunghezza di canale, ma anche
quello trasversale, dovuto alla tensione sul gate che aumenta al diminuire dello spessore
dellossido. Per mettere in evidenza questi due fattori, conviene utilizzare tre modelli
(MN2,MN1,MN0), nei quali siano deniti rispettivamente i parametri per linuenza
dei campi trasversale e longitudinale (VMAX, UCRIT, UEXP), quelli del solo campo
longitudinale (VMAX) e inne nessuno dei due.
Parametro SPICE MN0 MN1 MN2
Level 2 2
TOX 250e-10 250e-10 250e-10
NSUB 2e16 2e16 2e16
VTO 0.7 0.7 0.7
UO 510 510 510
VMAX - 54e3 54e3
UCRIT - - 24.3e3
UEXP - - 0.22
436
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
mA IDS
8.0
L=1e-6 W=10e-6
L=10e-6 W=100e-6
4.0
2.0
0.0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
VDS
437
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
mA IDS
1.5
L=1.5e-6 W=3e-6
Model MN0
1.0
Model MN1
Model MN2
0.5
-0.0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
VDS
mA IDS
1.5
L=15e-6 W=30e-6
Model MN0
1.0
Model MN1
0.5
Model MN2
-0.0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
VDS
Figura 11.29: Caratteristiche di uscita con VGS = 5 V, nei casi in cui si considerino
sia il campo longitudinale che trasversale (MN2), il solo campo longitudinale(MN1) e
nessuno dei due (MN0) per un MOSFET a canale lungo e uno a canale corto.
438
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
D
G
B
VD
S
D
G
B
V
G
S
..... .....
..........
La simulazione avviene su due MOSFET, il primo con L=1,5 W=3 il secondo con L=15
W=30 (dimensioni in micron), in modo da mettere in evidenza come la saturazione di
velocita a causa del campo longitudinale non intervenga minimamente nel MOSFET a
canale lungo, dato che i tre modelli fanno riferimento a uno spessore di ossido costante
di 250 A. Si noti nella gura 11.29 come la mobilta venga degradata vistosamente anche
nel MOSFET a canale lungo quando si tenga conto dellinuenza del campo trasversale
(MN2).
439
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
6.0
4.0
2.0
L=30e-6 W=60e-6
L=15e-6 W=30e-6
-0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
nS
V
6.0
4.0
2.0
L=3e-6 W=6e-6
L=1.5e-6 W=3e-6
-0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
nS
Figura 11.31: Simulazione del tempo proprio di due MOSFET rispettivamente con
L = 3 m e W = 6 m e con L = 1, 5 m e W = 3 m, con e senza leetto di
saturazione di velocita.
440
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
441
Capitolo 12
442
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Invertitori CMOS
Linvertitore NMOS Linvertitore CMOS
Transcaratteristica e Transcaratteristica e
tensione di inversione tensione di inversione
(12.1.1, 12.1.4) (12.2.1, 12.2.2, 12.2.4)
Tempi di salita e discesa Tempi di salita e discesa
(12.1.5, 12.1.6) (12.2.7, 12.2.8)
Dissipazione di potenza Dissipazione di potenza
(12.1.3) (12.2.3, 12.2.5)
Margini di rumore Margini di rumore
(12.1.2) (12.2.6)
Circuiti CMOS
Porte NAND Porte NOR Interruttori Stadi di pilotaggio
(12.3.1, 12.3.2,12.3.4) (12.3.3, 12.3.5) (12.3.6, 12.3.7) (12.3.8)
- per entrambi i MOSFET, spessore dellossido di gate xox = 800 A e gate in silicio
policristallino degenere di tipo n;
- tensione di soglia del transistore a svuotamento, VT pu = 1 V.
- tensione di alimentazione VDD = 5 V.
Calcolare la tensione di soglia del transistore di pull-down, la tensione di inversione
logica e il valore della tensione di uscita quando lingresso e a 5 V.
443
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Si tracci inoltre landamento della tensione di inversione logica al variare delle dimen-
sioni planari dei transistori. Per quali dimensioni dei due transistori il valore della
tensione di inversione risulta pari a VDD /2?
Vout
Vin
VSS
NA
q p = Ef Ei = k T ln = 0, 348 eV
ni
Eg 1
VF B = + + (Ei Ef )
2q q
Eg /2 + Ei Ef
= = 0, 908 V
q
ox
Cox = = 4, 3 108 F/cm2
xox
q
Qd = 2 q s NA 2 |p | = 4, 82 108 C/cm2
Pertanto si ha VTpd = 0, 91 V.
In condizioni statiche non si ha assorbimento di corrente dal nodo di uscita; la ten-
sione di inversione logica, denita come il valore di Vin tale che Vin = Vout , si determina
uguagliando le correnti che transitano nei due MOSFET, per ottenere unequazione nel-
la sola incognita Vin . A tal ne, occorre stabilire se i transistori si trovano in saturazione
oppure in zona triodo.
444
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
con Vout = Vin . Per quanto riguarda il MOSFET a svuotamento (pull-up), questo si
trova in saturazione se
ovvero Vout < 4 V. Ne consegue che, quando Vin = Vout (condizione di inversione
logica), linvertitore attraversa due regioni: nella prima ( Vout < 4 V), i due transistori
si trovano entrambi in saturazione, nella seconda, il pull-up si trova in zona triodo.
Si fa prima lipotesi che il punto di inversione logica si trovi nella prima regione e si
eguagliano le due espressioni delle correnti di saturazione:
IDpu = IDpd
1 Wpu 1 Wpd
n Cox (VGSpu VTpu )2 = n Cox (VGSpd VTpd )2
2 Lpu 2 Lpd
1 Wpu 1 Wpd
n Cox (VTpu )2 = n Cox (Vin VTpd )2
2 Lpu 2 Lpd
Si indichino ora con Spu e Spd i rapporti di aspetto dei due MOSFET, deniti come
Wpu Wpd
Spu = =1 Spd = =1
Lpu Lpd
IDSpd = IDSpu
1 1
n Cox Spd [(Vin VT pd ) Vout ] Vout = n Cox Spu VT2pu
2 2
che si riscrive
2 Spu 2
Vout 2(Vin VT pd )Vout + V =0
Spd T pu
da cui Vout = 0, 12 V.
445
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Landamento della tensione di inversione in funzione del rapporto Spu /Spd si ottiene,
quando Vin < 4 V, usando la (12.1); per valori della tensione di ingresso piu elevati,
occorre sostituire lespressione della corrente nel transistore di pull-up in zona triodo:
IDSpd = IDSpu
1 1
n Cox Spd (Vin VT pd )2 = n Cox Spu [VT pu (VDD Vout )](VDD Vout )
2 2
Ponendo Vin = Vout = Vinv , si ha
Spu 2 Spu
1+ Vinv 2 VT pd + (VDD + VT pu ) Vinv +
Spd Spd
Spu
+VT2pd + 2
(2VT pu VDD + VDD )=0
Spd
I risultati forniti risolvendo la precedente equazione e la (12.1) sono riportati nel graco
della gura 12.3.
4.5
3.5
3
Vinv
2.5
1.5
0.5
0 2 4 6 8 10 12
Spu/Spd
12.1.2
Dato un invertitore logico NMOS avente Spu = Wpu /Lpu = 2, VT pu = 3 V, VT pd =
1 V, se ne disegni la transcaratteristica al variare del rapporto daspetto del pull-down,
per Spd = Wpd /Lpd = 1, 2, 4, 8, 16.
446
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
per ogni possibile livello di Vin . Poiche linvertitore e privo di carico, il legame tra Vout e
Vin si puo ottenere imponendo luguaglianza tra le correnti che percorrono i transistori
di pull-up e pull-down. A tal ne, occorre prima identicare le diverse zone di
funzionamento nelle quali si vengono a trovare i transistori al variare della tensione di
ingresso.
Per quanto riguarda il pull-up, e VGS = 0 > VT pu , indipendentemente da Vin ; quindi
il transistore non e mai interdetto, ma puo funzionare in zona di saturazione o in zona
triodo, a seconda del valore di Vout :
- saturazione se VDD Vout > VT pu , ovvero Vout < VDD + VT pu = 2 V;
- triodo se Vout > VDD + VT pu = 2 V;
Il transistore di pull-down attraversa invece tutte e tre le possibili regioni di funzion-
amento:
- interdizione se Vin < VT pd = 1 V;
- saturazione se Vout > Vin VT pd ;
- triodo se Vout < Vin VT pd ;
Riportando tali diseguaglianze sul piano Vin Vout , si possono identicare le zone di fun-
zionamento dei transistori per tutte le condizioni riconoscono 6 possibili, come mostrato
nella gura 12.4, dove si riconoscono 6 regioni possibili; la curva della transcaratteris-
tica, a seconda del rapporto daspetto del pull-up, attraversa le regioni 1, 2, 5 e 6
(caso A), oppure le 1, 2, 3, 6 (caso B):
Vout 5 *********************************************************************************************
****** *
***** *********************
****
****
********
*******
*** ******
4.5 ***
***
******
*****
*** *****
** *****
** ****
** ****
4 ** ****
****
**
**
***
***
***
*** B
3.5
***
***
**
**
A ***
***
**
**
** **
** **
3 ** **
** ***
* ***
* ***
* **
* **
2.5 * **
* **
**
**
**
***
2 * ***
***
****
* ****
*****
1.5 *****
* ******
*******
**
***
**
1 ***
****
*****
******
********
***********
0.5 **************
********************
*****************************
********************
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 Vin5
447
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
caso A caso B
regione pull-down pull-up regione pull-down pull-up
1 interdizione triodo 1 interdizione triodo
2 saturazione triodo 2 saturazione triodo
5 saturazione saturazione 3 triodo triodo
6 triodo saturazione 6 triodo saturazione
e
(
n Cox Spu (VT pu ) 21 (VDD Vout ) (VDD Vout ) triodo
IDSpu = 1 2
2 n Cox Spu VT pd saturazione
Si eguagliano ora le correnti nelle diverse regioni attraversate dalla curva. Nella re-
gione 1 si ha:
1
0 = n Cox Spu (VT pu ) (VDD Vout ) (VDD Vout )
2
Delle due soluzioni, Vout = VDD e Vout = VDD + 2VT pu , questultima e da scartare,
perche la prima condizione di funzionamento prevede che il pull-up sia in zona triodo
e dunque che Vout > VDD + VT pu . La tensione di uscita dellinvertitore e quindi
Nella regione 2,
1 1
n Cox Spd (Vin VT pd )2 = n Cox Spu [(VT pu ) (VDD Vout )] (VDD Vout )
2 2
Spd
(VDD Vout )2 + 2VT pu (VDD Vout ) + (Vin VT pd )2 = 0
Spu
s
Spd
VDD Vout = VT pu VT2pu (Vin VT pd )2
Spu
Per ragioni di continuita con landamento nella regione precedente per ottenere un
andamento monotono decrescente di Vout in funzione di Vin , deve essere scelto il segno,
percio
s
Spd
Vout = VDD + VT pu + VT2pu (Vin VT pd )2
Spu
, dove
I limiti di validita di tale espressione sono: Vin > VT pd e Vout > Vout
Vout = max ([(VDD + VT pu ), (Vin + VT pd )]) (12.2)
448
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
dove
Vin VT pd Spu /Spd (VT pu + VDD )
V =
1 Spu /Spd
Nella regione 5 si ha
1 1
n Cox Spd (Vin VT pd )2 = n Cox Spu VT2pu
2 s 2 s
Spu Spu
Vin = VT pd |VT pu | = VT pd + |VT pu |
Spd Spd
dove il segno e stato scartato perche deve essere Vin > VT pd . In questa regione, la
tensione di uscita commuta
s
Spu
da Vout = VDD + VT pu a Vout = Vin VT pd = |VT pu |
Spd
r
Spu
quando la tensione di ingresso transita per VT pd + Spd |VT pu |.
Inne, eguagliando le correnti nella regione 6,
1 1
n Cox Spd (Vin VT pd ) Vout Vout = n Cox Spu VT2pd
2 2
Spu 2 2
V 2(Vin VT pd )Vout + Vout =0
Spd T pu
dove il segno + si scarta perche Vout decresce al crescere di Vin ; lequazione e valida per
Vout < VDD + VT pu e Vout < Vin + VT pd .
449
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12.1.3
Dato linvertitore logico NMOS del problema 12.1.2, si calcolino i margini di rumore
del dispositivo nel caso Spu = Wpu /Lpu = 2, Spd = Wpd /Lpd = 8.
450
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
4.5
2
4
1
3.5 0, 5
0, 25
3
0, 125
Vout
2.5
1.5
0.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Vin
Si ottiene quindi
|VT pu |
Vin = VT pd + s = 1, 67 V
Spd 2 Spd
+
Spu Spu
Nella regione 4 si ha analogamente
dVout Vin VT pd
=1 s = 1
dVin S pu 2
(Vin VT pd )2 V
Spd T pu
Spu 2
(Vin VT pd )2 = 4 (Vin VT pd )2 4 V
Spd T pu
da cui si trova
s
Spu
Vin = VT pd + 2 |VT pu | = 2, 73 V
3Spd
12.1.4
Con riferimento allinvertitore logico NMOS del problema 12.1.2, calcolare i margini di
rumore per i seguenti valori del parametro f = Spu /Spd , dove Spu e Spd sono i rapporti
451
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
5 VOH
4
Vout
VOL
1
VIL VIH
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Vin
daspetto dei due MOSFET: 2, 1, 0, 5, 0, 25, 0, 125. Ricavare inoltre il valore della
tensione di uscita, quando lingresso e polarizzato a VDD = 5 V. Alla luce dei risultati
ottenuti, quale dei cinque invertitori si puo considerare il migliore?
12.1.5
Si usi PSPICE per simulare linvertitore logico NMOS, tenendo conto delle capacita
intrinseche del dispositivo: si confronti la transcaratteristica ottenuta in questo caso
con quella di un invertitore ideale.
Parametri per il modello del transistore ad arricchimento
12.1.6
Si consideri un invertitore costituito da due transistori, uno di pull-down e lal-
tro di pull-up, entrambi a canale n, del tipo ad arricchimento e aventi le seguenti
caratteristiche:
452
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
- tensione di soglia VT = VT pd = VT pu = 1, 5 V,
Allinversione logica si ha Vin = Vout e, poiche per entrambi i transistori VGS = VDS , il
pull-up e il pull-down sono in saturazione. Eguagliando le correnti,
1 1
pd (Vin VT )2 = pu (VDD Vout VT )2
2 2
(Vin VT )2 = 4 (VDD Vout VT )2
Ipd = Ipu
1 1
pd Vin VT Vout Vout = pu (VDD Vout VT )2
2 2
1
Vin VT Vout Vout = 2 (VDD Vout VT )2
2
Vout = VDD VT = 3, 5 V
12.1.7
Confrontare il tempo di salita dellinvertitore descritto nel problema 12.1.6 con quello
di un invertitore avente come dispositivo di pull-up un transistore a svuotamento
(VT = 1, 5 V). Si assuma che per entrambi gli invertitori il livello di tensione in uscita
quando Vin = VDD sia Vout = VOL = 0, 51 V, che pd = 35 A V2 , pu = 140 A V2 ,
e che il carico sia una capacita CL = 30 fF.
453
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Per quanto riguarda linvertitore del problema 12.1.6, il transistore di pull-up fun-
ziona in zona di saturazione no a quando entra in interdizione; alla transizione di Vin
da 0 a VDD , il pull-down entra in interdizione e la corrente attraverso il pull-up va
a caricare la capacita CL :
1 1 dVout
Ipu = pu (VGS VT )2 = pu (VDD Vout VT )2 = CL
2 2 dt
Integrando lequazione, si ottiene landamento della tensione di uscita:
Z Vout Z t
dV pu
2 = dt
VOL (VDD VT V ) 0 2CL
454
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
4.5
4 (b)
3.5 (a)
3
Vout [V]
2.5
1.5
0.5
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
t [ns]
Figura 12.7: Commutazione per due invertitori con pull-up ad arricchimento (a) e a
svuotamento (b).
12.1.8
Usare PSPICE per simulare il transitorio di commutazione nel circuito della gura 12.2,
adottando i modelli del problema 12.1.1. Per quale ragione il tempo di salita risulta
dierente da quello di discesa?
455
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VDD
Vin Vout
VSS
dunque, anche Vinv = VDD /2, deve essere n = p , ovvero, supponendo uguali le
lunghezze di canale dei due MOSFET,
Wp n
= = 2, 97 3
Wn p
456
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
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3.2
2.8
2.6
Vinv
2.4
2.2
1.8
1.6
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
beta_n/beta_p
Figura 12.9: Dipendenza della tensione di inversione dal rapporto daspetto dei
transistori.
con quello dato nella gura 12.3, si vede come la tensione di inversione per un inver-
titore CMOS sia meno sensibile al rapporto daspetto dei transistori, rispetto al caso
dellinvertitore NMOS. Derivando la (12.3) si ha
dVinv 1 1
= (VDD + VT p VT n )
dx 2 x (1 + x)2
La tensione di inversione risulta costante al variare di x soltanto se la derivata si annulla,
ovvero se VDD = VT n + |VT p |. Tale condizione, tuttavia, comporta valori molto elevati
delle tensioni di soglia e quindi tempi di commutazione dellinvertitore scadenti (si veda
il problema 12.2.7).
12.2.2
E dato un invertitore CMOS caratterizzato dai seguenti parametri tecnologici:
- tensione di soglia del pull-down, VT n = 0, 8 V,
- tensione di soglia del pull-up, VT p = 1, 1 V,
- n = 1/2 p = 9 105 AV2 .
Si identichino sul piano (Vin ,Vout ) le regioni di funzionamento dei due transistori e si
disegni la transcaratteristica.
457
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Vout = Vin VT n
Vin = VT n
indicate nella gura 12.10 dalle linee tratteggiate. Per il MOSFET di pull-up, si ha
invece
Vout = Vin VT p
Vin = VDD + VT p
regione IDSn
1 0
1
2 2 n (Vin VT n )2
1
3 2 n (Vin VT n )2
4 n [Vin VT n 12 Vout ]Vout
5 n [Vin VT n 12 Vout ]Vout
regione IDSp
1 p [Vin VDD VT p 12 (Vout VDD )](Vout VDD )
2 p [Vin VDD VT p 12 (Vout VDD )](Vout VDD )
3 21 p (Vin VDD VT p )2
4 21 p (Vin VDD VT p )2
5 0
458
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Vout Vout
VDD VDD
-VTp -VTp
Vin Vin
VTn VDD+VTp VTn VDD+VTp
(1) (2)
Vout Vout
VDD VDD
-VTp -VTp
Vin Vin
VTn VDD+VTp VTn VDD+VTp
(3) (4)
Vout
VDD
-VTp
Vin
VTn VDD+VTp
(5)
Poiche, per Vin = VT n , la soluzione deve ridursi a Vout = VDD , il segno corretto e quello
negativo. Al limite tra le regioni 2 e 3, Vout = Vin VT p ; sostituendo nella (12.4) e
ricavando prima Vin e poi Vout , si ha
s s
n n
VDD + VT p + VT n VDD + (VT n VT p )
p p
Vin = s ; Vout = s
n n
1+ 1+
p p
459
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
2 p
Vout 2 (Vin VT n ) Vout + (Vin VDD VT p ) = 0
n
che ammette le soluzioni
s
p
Vout = Vin VT n (Vin VT n )2 (Vin VDD VT p )2
n
4.5
3.5
3
Vout
2.5
1.5
0.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Vin
12.2.3
E dato un invertitore realizzato in tecnologia CMOS p-well, secondo la struttura
schematizzata nella gura 12.12. Usando i seguenti dati tecnologici
1. giunzione p+ substrato:
- NA = 1 1019 cm3 , n = 100 ps
- ND = 5, 3 1015 cm3 , p = 1 s
- Dn = 2 cm2 s1 , Ln = 0, 14 m
460
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
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- Dp = 12 cm2 s1 , Lp = 34 m
- A = 12 m2
2. giunzione pwellsubstrato:
- NA = 5 1016 cm3 , n = 1 s
- ND = 5, 3 1015 cm3 , p = 1 s
- Dn = 24 cm2 s1 , Ln = 49 m
- Dp = 12 cm2 s1 , Lp = 34 m
- A = 500 m2
3. capacita di carico: CL = 20 fF
4. frequenza di funzionamento: f = 20 MHz
n+ n+ n+ p+ p+ p+
I2
pwell
I1
substrato n
Figura 12.12: Struttura sica dellinvertitore CMOS per il calcolo della potenza
dissipata.
461
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well-substrato p+ -substrato
i 0, 724 V 0, 862 V
Neq 4, 79 1015 cm3 5, 3 1015 cm3
xd 1, 24 m 1, 196 m
Ig 7, 19 pA 0, 166 pA
La potenza dissipata staticamente risulta
Psta = 5 (7, 19 + 0, 166) 1012 W = 3, 7 1011 W
La potenza dissipata dinamicamente dallinvertitore si puo calcolare come media della
potenza istantanea, scomponendo il funzionamento del dispositivo in due fasi, una di
carica e una di scarica della capacita CL , come indicato nel modello equivalente della
gura 12.13. Si ha dunque
"Z #
Tp /2 Z Tp
1
Pdin = Ip (t)(VDD Vout ) dt + In (t)Vout dt
T 0 Tp /2
dove Tp e il periodo del segnale di uscita Vout , mentre Ip e In sono le correnti nei canali
del pull-up e pull-down rispettivamente, date da
dVout dVout
In (t) = CL Ip (t) = CL
dt dt
Lintegrale riportato sopra si calcola facilmente
Z o Z 0
1
Pdin = CL (VDD Vout ) d(VDD Vout ) + CL Vout dVout
T VDD VDD
2 2 2
CL (VDD + VDD ) CL VDD 2
Pdin = = = CL VDD f = 1 105 W
2Tp Tp
Benche il valore trovato sia estremamente piccolo, si noti come, nel caso di circuiti
integrati della complessita di 500.000 dispositivi, la potenza dissipata staticamente
possa raggiungere valori di alcuni watt:
500.000 1 105 = 5 W
462
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VDD VDD
Ip (t)
Vout Vout
CL In (t) CL
VSS VSS
Figura 12.13: Modello dellinvertitore CMOS per il calcolo della potenza dissipata.
12.2.4
Si consideri linvertitore logico rappresentato nella gura 12.14 (inverter pseudo NMOS)
e avente le seguenti caratteristiche:
- Lpd = 2 m e Wpd = 6 m
- Lpu = 2 m e Wpu = 4 m
463
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VDD
Vout
Vin
VSS
ovvero se
Vout > VT pu
Si fa lipotesi che il transistore di pull-up sia in zona triodo e si assume che la corrente
sia
1
Ipu = p VDD VT pu (Vout VDD ) (Vout VDD )
2
tale ipotesi dovra essere vericata dopo il calcolo della tensione di inversione. Si
eguagliano le correnti che attraversano i due dispositivi nel caso Vin = Vout = Vinv
Ipd = Ipu
1 2 1
n (Vinv VT pd ) = p VDD VT pu (Vinv VDD ) (Vinv VDD )
2 2
e si ottiene unequazione di secondo grado nellincognita Vinv
2
(n + p )Vinv 2(n VT pd p VT pu )Vinv + (n VT2pd p VDD
2
2p VT pu VDD ) = 0
che ammette le soluzioni
n VT pd p VT pu
Vinv =
n + p
q
(n VT pd p VT pu )2 (n + p )(n VT2pd p VDD
2 2 V
p T pu VDD )
n + p
Sostituendo i valori numerici, si ottiene, scegliendo il segno positivo,
Vinv = 2, 73 V
Dallequaglianza delle due correnti, si ricava il rapporto p /n , proporzionale al rap-
porto daspetto dei transistori
s
p Vinv VT pd
2 = r
n 1
(VDD VT pu )(Vinv V DD) (Vinv VDD )2
2
p 2(VDD VT pu )(Vinv V DD) (Vinv V DD)2
=
n (Vinv VT pd )2
464
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
n Wn /Ln
6 ovvero =3
p Wp /Lp
12.2.5
Usare SPICE per valutare il consumo di potenza degli invertitori del problema 12.2.2
(CMOS) e del problema 12.2.4 (pseudo NMOS).
12.2.6
Un invertitore CMOS e dimensionato in modo che
Wp n
=
Wn p
dove le tensioni VILmax e VIHmin sono valutate a in corrispondenza dei punti a deriva-
ta pari a 1 della transcarratteristica, come indicato nella gura 12.15. Per quanto
riguarda luscita, VOLmax = 0 e VOHmin = VDD . Nel punto (VILmax , VOH ), il pull-up e
6
..........
..........
..........
..........
..........
5 ..........
..........
..........
..........
..........
..........
..........
..........
..........
4 ......
3
Vout
..........
1 ..........
..........
..........
..........
..........
..........
..........
..........
..........
0 ..........
..........
..........
..........
VIL VIH ......
-1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Vin
465
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VT n = VT p N M H = N ML
0, 5 V 2V
1, 5 V 2, 25 V
2, 5 V 2, 5 V
Come risulta dalla tabella, i margini di rumore sono funzione crescente delle tensioni di
soglia; la velocita di commutazione dellinvertitore invece diminuisce al crescere delle
tensioni di soglia e pertanto il dimensionamento del dispositivo e una questione di
compromesso tra velocita e robustezza nei confronti del rumore.
466
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12.2.7
Si consideri un invertitore logico realizzato in tecnologia CMOS e la cui uscita sia col-
legata ad una capacita CL . Supponendo che la tensione di ingresso subisca allistante t0
una transizione brusca da 0 a 5 V e successivamente, allistante t1 , ritorni bruscamente
a 0 V, calcolare in entrambi i casi il ritardo con il quale la tensione di uscita compie la
transizione dal 10% al 90% dellintera escursione (tempi di salita e discesa della porta).
Assumere CL = 10 fF, n Sn = p Sp = 1, 5 104 A V2 e VT n = VT p .
tf 1 +tf 2 0,1VDD
CL 1
Z Z
dt = dVout
tf 1 n Sn VDD VT n
1 2
(VDD VT n ) Vout Vout
2
Z 0,1VDD
CL 1
tf 2 = 2 dVout
n Sn (VDD VT n ) VDD VT n Vout
Vout
2(VDD VT n )
467
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
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12.2.8
Un invertitore CMOS pilota una capacita CL = 100 fF attraverso una linea metallica
( = 3, 44 106 cm) avente le dimensioni: lunghezza Lint = 300 m, larghezza
Wint = 2 m. Sapendo che le resistenze di pull-up e pull-down della porta sono
pari a R = 2 k, calcolare i tempi di salita e discesa.
1
R dx 1 ln | a + b x |
= a x
x(a + b x)
468
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
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VDD
V1 V2 V3
M4 M5 M6
Vout
3
V3
M3
2
V2
M2
1
V1
M1
VSS
469
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
(nodi 1 e 2) corrisponde a una capacita Cn , data dalla somma di una capacita di drain
e una di source:
Ci = Cd + Cs
Al ne di stimare i ritardi delle porte logiche, sono stati sviluppati una varieta di mod-
elli, alcuni dei quali sono usati in simulatori circuitali a livello switch o transistore 2 .
Uno dei piu semplici e diusi e noto come modello di Penield-Rubenstein e permette
di stimare il ritardo di reti RC arbitrarie. Nel caso di una serie di transistori NMOS
riferiti a massa a un estremo, il modello 3 prevede un ritardo
X
T = Ri Ci
i
dove Ri e la resistenza tra il nodo i e massa, mentre Ci e la capacita del nodo i. Per il
circuito della gura 12.16, il tempo di scarica e quindi stimato come
T = T1 + T2 + T3
dove
T1 = (R1 + R2 + R3 ) C3
T2 = (R1 + R2 ) C2
T1 = R1 C1
C1 = C2 = Cs + Cd = 20 fF
C3 = 4Cd + CL = 70 fF
La resistenza di canale dei mosfet non e costante, ma varia al variare delle tensioni
di source e drain. Per applicare il modello di Peneld-Rubenstein, occorre un valore
costante di resistenza, ottenibile come media integrale calcolata su tutta la dinamica
delle tensioni di source e drain dei transistori. Questa strada richiede lo studio in
regime dinamico della commutazione dei tre MOSFET; una soluzione piu semplice,
in grado di fornire un limite superiore del tempo di ritardo, e ottenibile assumendo
per tutti i transistori il valore massimo di resistenza, raggiunto in saturazione, con
VDS = VGS = VDD . In tal caso, poiche i transistori sono uguali, si ha
VDS VDD
R1 = R2 = R3 = =
IDSsat VDS =VGS =VDD 0, 5 n Cox (VDD VT n ) W/L
5
R1 = R2 = R3 = = 7812
0, 5 800 100 109 42
Sostituendo si calcola il ritardo stimato
470
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12.3.2
Con riferimento al circuito descritto nel problema 12.3.1 e nella gura 12.16, ottenere
una stima del massimo ritardo alla commutazione della tensione di uscita della porta
da VSS a VDD .
12.3.3
Si consideri un circuito CMOS costituito da una rete di pull-down con 3 transistori
NMOS in parallelo e una rete di pull-up formata da tre PMOSFET in serie (por-
ta logica NOR a tre ingressi). Supponendo che i transistori siano caratterizzati dai
parametri elencati nel problema 12.3.1, calcolare il massimo ritardo alla commutazione
della tensione di uscita della porta da VSS a VDD e da VDD a VSS .
12.3.4
Si consideri nella gura 12.17 il circuito costituito dalla serie di due transistori NMOS
ad arricchimento e uno a svuotamento: il circuito realizza la funzione logica NAND a
due ingressi. Trovare il rapporto daspetto dei tre transistori necessario per ottenere
una tensione di inversione logica pari a Vinv = VDD /2. Si assuma per M1 e M2 un
valore della tensione di soglia VT pd = 1 V e per M3 VT pu = 3 V.
VDD
M3
V out
V1
M2
V2
M1
VSS
Assumendo che, nella porta NAND, i due transistori di pull-down siano uguali
(Lpd1 = Lpd2 = Lpd , Wpd1 = Wpd2 = Wpd ), il rapporto daspetto della serie dei
due transistori si puo scrivere come
1 Wpd
Spd = =
Lpd Lpd 2Lpd
+
Wpd Wpd
471
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Wpd Wpu
=8
Lpd Lpu
12.3.5
Dato il circuito della gura 12.18, dove M1 e M2 sono transistori NMOS ad arricchi-
mento e M3 e un NMOSFET a svuotamento, trovare il rapporto daspetto necessario
per avere Vinv = VDD /2 (le tensioni di soglia sono le medesime del problema 12.3.4).
VDD
M3
Vout
V1 V2
M1 M2
VSS
12.3.6
E dato il circuito della gura 12.19, costituito da un transistore a canale n, usato come
interruttore (pass transistor) per pilotare un invertitore NMOS. le caratteristiche dei
transistori sono le seguenti:
472
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
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VDD = 5 V
Vout
Vin
VSS = 0 V
Confrontare il valore minimo della tensione di uscita al livello logico basso (VOL ) del
circuito dato con quello del solo invertitore.
La tensione di uscita al livello logico basso si ottiene eguagliando le correnti nei tran-
sistori di pull-up e pull-down; facendo lipotesi che il pull-up sia in saturazione
e il pull-down in zona quadratica, si ha
Ipu = Ipd
1 1 2
pu (VGS VT pu )2 = pd (VGS VT ) VDS VDS
2 2
1 2 1 2
pu (0 + 3) = pd (5 1) VOL VOL
2 2
pu 2
4, 5 = 4VOL 0, 5VOL
pd
da cui si ottiene
s
pu
VOL = 4 16 9 = 0, 29 V
pd
473
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
Ipu = Ipd
1 2 1 2
pu (VGS VT pu ) = pd (VGS VT ) VDS VDS
2 2
1 1 2
pu (0 + 3)2 = pd (3, 5 1) VOL VOL
2 2
pu 2
4, 5 = 2, 5VOL 0, 5VOL
pd
s
pu
VOL = 2, 5 6, 25 9 = 0, 5 V
pd
12.3.7
Si consideri la struttura nella gura 12.20 (transmission gate), costituita da due tran-
sistori a canale n e p connessi in parallelo. Tale dispositivo costituisce un interruttore,
in grado di connettere luscita V2 = Vout con lingresso V1 = Vin sotto controllo dei
segnali V3 e V4 (gate). Sapendo che
V4
V1 V2
V3
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G.Masera C.Naldi G.Piccinini
VDS = V1 V2 VGS VT p = V4 V2 VT p = V2 VT p
e la zona triodo e identicata dalla condizione V1 > VT p .
Nellipotesi V2 < V1 , le due tensioni si scambiano i ruoli e quindi
VDD
VDD VT n
VT p
VDD
V1
VT p VDD VT n
475
Introduzione allanalisi dei dispositivi a semiconduttore
G.Masera C.Naldi G.Piccinini
12.3.8
E dato un invertitore di dimensioni minime per una data tecnologia, che pilota una
capacita CL attraverso una linea di resistenza e capacita trascurabili. Inserire tra lin-
vertitore e il carico stadi di pilotaggio (altri invertitori) in numero e dimensioni tali da
minimizzare il ritardo complessivo. Si usino i seguenti dati
- carico CL = 500 fF,
- capacita di ingresso dellinvertitore Cg = 12 fF,
- resistenza di uscita dellinvertitore, in entrambi gli stati, Rt = 1200 (il transis-
tore di pull-up ha larghezza di canale circa doppia rispetto al pull-down).
0 1 2 N CL
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230
220
210
200
T [ps]
190
180
170
160
150
140
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
di stadi
ln(Y )
N= 1
ln(f )
Nel caso numerico in questione, si ha
500
= 14, 4 ps f = 2, 718 N = ln
1 = 2, 73 3
12
Poiche N deve essere un numero intero, si calcola il ritardo T per alcuni valori di N
intorno a 3:
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N f T [ps]
1 6,45 185,9
2 3,47 149,8
3 2,54 146,3
4 2,11 151,8
T = Rt CL = 600 ps
Nel caso migliore, la riduzione percentuale del ritardo e quindi del 75,6 %.
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