UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS

ESCOLA DE ENGENHARIA

CURSO DE GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

Disciplina: DISPOSITIVOS E CIRCUTOS ELETRNICOS BSICOS Cdigo: ELT084

Dpto. Responsvel: Engenharia Eletrnica Unidade: Escola de Engenharia Nvel: Graduao

o
Perodo: 5 Tipo: OB Crditos: 04 Pr-requisitos: Anlise de Circuitos II, Anlise de sistemas lineares

Carga horria: 60 horas/aula (4 horas-aula/semana) Dedicao do aluno fora de sala de aula: 4 horas/semana

Ementa:
Introduo Eletrnica. Circuitos Eletrnicos com Amplificadores Operacionais ideais e reais. Juno PN. Diodos
Retificadores e Zener: caracterstica, circuitos com diodos e aplicaes. Transistores de Efeito de Campo (FET) e
Transistores bipolares (BJT): caractersticas, modelos, polarizao, anlises em pequenos sinais, resposta em frequncia.
Funcionamento dos transistores como chaves. Conversores A/D e D/A: conceitos bsicos.

Objetivo:
1. Proporcionar ao aluno conhecimentos sobre os vrios dispositivos semicondutores e suas propriedades.
2. Analisar circuitos eletrnicos em grandes e pequenos sinais.
3. Projetar e simular circuitos eletrnicos.

Conhecimentos necessrios:
Para cursar esta disciplina recomenda-se clareza e os conhecimentos de Circuitos e Dispositivos Semicondutores: Anlise
de circuitos, lei de Kirchoff, Thvenin e Norton; Circuitos equivalentes e modelagem. Fontes de tenso e de corrente
dependentes e independentes. Soluo de circuitos por superposio e outros mtodos. Amplificadores Operacionais -
Amp. Op.- real. Familiaridade com o programa de simulao Orcad/Pspice.

Metodologia de Ensino:
Aulas Expositivas e Utilizao de equipamentos de multimdia. Estudo Dirigido / Listas de Exerccios. Utilizao de
programas de simulao digital de circuitos eletrnicos

Critrios de Avaliao:
1. TRS (03) provas escritas, individuais e sem consulta. Os valores correspondentes s provas sero de 23 pontos,
totalizando 69 pontos;
2. Nove exerccios ou mini avaliaes rpidas, com valor de trs (03) pontos cada um, totalizando 27 pontos. Podero ser
associados dois exerccios por um trabalho.
3. Um Projeto de um produto eletrnico (amplificador de sinais, fonte de alimentao, outros) individual, realizado em
aula. O valor deste exerccio ser de quatro (04) pontos.
4. Ser realizado um exame especial para os alunos que no obtiveram nota aprobatria, ou seja, nota inferior a
sessenta pontos e maior ou igual que quarenta pontos. O exame abordar toda a disciplina ministrada
OBS. Todas as avaliaes sero sem consulta e sem uso de equipamentos eletrnicos: calculadoras, celulares, etc..

Programa
1 Introduo Eletrnica
1.1 Sinais: Espetro de frequncia de um sinal
1.2 Sinais analgicos e digitais
1.3 Amplificao de sinais: O amplificador: Ganhos: de tenso, de corrente e de potncia; O Decibel; Fontes para
alimentao de um amplificador; Caractersticas no-lineares e polarizao
1.4 Modelagem dos amplificadores: Amplificadores de tenso, de corrente e outros; Amplificadores em cascata;
Relao entre os quatro tipos de amplificadores.
1.5 Resposta em frequncia de um amplificador: Caracterizao do amplificador em frequncia; Frequncia de
corte, largura de banda, frequncia de transio; Classificao de um amplificador segundo a resposta em
frequncia.

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1.6 Inversor como base na lgica digital: Principio de operao; Caractersticas da transferncia de tenso; Margem de
rudo; Propagao de atraso.
1.7 Amplificadores operacionais parte 1:
a) Reviso sobre o amp. Op. ideal: Funo e caractersticas; Sinais em modo comum e diferenciais
b) Configurao inversora: Ganho de malha fechada; Efeito do ganho finito sobre o ganho de malha aberta;
Impedncias de entrada e de sada; Aplicaes desta configurao.
c) Configurao no inversora: Ganho de malha fechada; Caractersticas da configurao no inversora; Efeito do
ganho finito sobre o ganho de malha aberta; Seguidor de tenso ou buffer de tenso;
d) Amplificador diferena: Formao de um amplificador de instrumentao: caractersticas, ganho, escolha do
amp.op;

2 Diodos
2.1 O diodo Ideal: Caractersticas V-I; Aplicaes do diodo
2.2 Caractersticas da juno P-N: Polarizao direta; Polarizao reversa; regio de quebra (breakdown region);
Modelagem do diodo em conduo direta
2.3 Operao do diodo na regio reversa O diodo Zener: Caractersticas e modelagem de um diodo Zener; Regulador
de tenso utilizando diodo zener; Efeito da temperatura
2.4 Circuitos retificadores: Retificador de meia onda; Retificador de onda completa: com transformador com tap
central e em ponte; Retificador com filtro capacitivo; Fonte de alimentao bsica.
2.5 Circuitos ceifadores e os limitadores
Circuitos limitadores: caractersticas; Dobrador de tenso e os multiplicadores de tenso.
2.6 Breve reviso sobre a fsica de semicondutores juno PN
2.7 Diodos especiais: Schottky, varactor, LEDs, diodos rpidos.
2.8 Amplificadores operacionais parte 2:
a) Efeito do ganho em malha aberta e da banda passante sobre o desempenho do amplificador: Efeito da
frequncia sobre o ganho e na resposta de frequncia de um Amp. Op.
b) Operao do amplificador operacional em grande sinal: Tenso de saturao, limitao de corrente de sada,
slew rate, banda passante do amp. Op.
c) Imperfeies do Amp. Op. Em CC: Tenso de Off Set; Correntes de Off Set e de polarizao
d) Circuitos integradores e diferenciadores com Amp. Op.: Circuito inversor-integrador (integrador de Miller);
Circuito diferenciador.
e) Retificador de preciso O super diodo

3 Transistores de Efeito de Campo MOSFET

3.1 Breve reviso sobre a fsica e operao de um transistor MOSFET
3.2 Caractersticas V-I: Caractersticas: iD - vDS; Resistncia de sada finita em saturao; Caractersticas do MOSFET ch-p
3.3 Circuitos com MOSFET em corrente continua
3.4 O MOSFET em amplificao e como chave: Operao em grande sinal caractersticas; Operao como chave;
Operao como amplificador linear; Expresses analticas para as caractersticas de transferncia
3.5 Polarizao do MOSFET para amplificao: Polarizao por tenso VGS fixa e com conexo de resistncia na fonte;
Polarizao utilizando resistncia de realimentao dreno-gate; Polarizao por fonte de corrente constante
3.6 Operao em pequenos sinais e Modelos do MOSFET: Ponto de polarizao em CC; Sinal de corrente do dreno (iD);
Ganho de tenso; Separao das analises em CC e em pequeno sinal, Modelo de circuito-equivalente para
pequenos sinais; A transcondutncia Gm; Modelo de circuito-equivalente T
3.7 Amplificador MOS de um estgio: Configurao bsica: Caracterizao do amplificador; Configurao fonte-comum
(common-source CS) e fonte-comum com resistncia de fonte; Configurao porta-comum (common-gate CG);
Configurao dreno-comum (common-drain CD) ou amplificador seguidor da fonte
3.8 Capacitncias internas de um MOSFET e modelo para altas frequncias: Efeito da capacitncia da porta;
Capacitncias das junes; Modelo do MOSFET para altas frequncias; Frequncia de transio (ft) para ganho
unitrio;
3.9 Resposta em frequncia de um amp. na configurao fonte comum: As trs bandas de respostas: resposta em
altas frequncias e resposta em baixas frequncias

4 Transistores Bipolares BJTs

4.1 Breve reviso sobre a fsica e operao de um transistor bipolar
4.2 Caractersticas V-I: O Efeito Early , caractersticas do emissor comum: ganho de corrente, VCesat ,Tenso de
avalanche;
4.3 O BJT como um amplificador e como chave esttica: Operao em grande sinal Caractersticas de transferncia ;
Ganho do amplificador; Anlise grfica, Operao como chave;
4.4 Circuitos com BJT em tenso continua;
4.5 Polarizao de um BJT no circuito amplificador: Arranjo clssico de polarizao de um transistor; polarizao de

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 um transistor com fontes de alimentao simtricas; polarizao com realimentao coletor-base ; polarizao
utilizando fonte de corrente constante;
4.6 Modelo e operao em pequenos sinais: Corrente de coletor e a transcondutncia; Corrente de base e a
resistncia de entrada vista pela base; Corrente do emissor e a resistncia de entrada vista pelo emissor; Ganho de
tenso; Termos de corrente ou tenso em CC e em pequeno sinais; Modelos do Transistor: O modelo hbrido - e
o modelo T; Aplicaes de pequenos sinais em circuitos equivalentes; Considerando o efeito de Early no modelo de
pequenos sinais;
4.7 Amplificadores com BJT de um nico estgio; Topologia bsica e geral: Caracterizao dos amplificadores;
Amplificador emissor comum e emissor comum com resistncia de emissor; Amplificador base comum;
Amplificador coletor comum ou seguidor de emissor;
4.8 Capacitncias de juno de um BJT e o modelo em altas frequncias: Capacitncia de difuso Cde ou carga da
capacitncia da base; Capacitncia da juno: base-emissor Cje base-coletor ; Modelo para alta frequncia
Modelo ; Frequncia de Corte;
4.9 Resposta em frequncia de um amplificador emissor comum: As trs faixas de frequncia; Resposta em alta
frequncia de um amplificador: Teorema de Miller; Resposta em baixa frequncia de um amplificador;

5. Fontes de alimentao: integrao e utilizao de diodos, transistores e Amp. Op.: Aplicaes

a. Comparadores
b. Retificador
c. Fonte de corrente
d. Fonte de tenso
e. Sensor de corrente

6. Conversores A/D e D/A: conceitos bsicos.

6.1 Caractersticas e princpios de operao.

Bibliografia:
1. Adel S. Sedra; Kenneth C. Smith. "Microelectronic Circuits" Editora: Oxford University Press, 5a. Ed., 2007;
2. Behzad Razavi. Fundamentos de Microeletrnica. Editora: LTC Livros Tcnicos e Cientficos, 1 Ed., 2010;
3. Boylestad, R.; Nashelsky, L. Dispositivos Eletrnicos e teoria de circuitos Editora Prentice Hall, 8. Ed.
4. Linear Applications Handbook, National Semiconductor.(www.nationalsemiconductors.com).

Datas das Provas da ELT084

Turma B Feriados e recessos escolares
a
1 Prova: 07/04
2a Prova: 19/05 03/03 Incio do 1 perodo letivo 2016;
25/03 Paixo de Cristo;
3a Prova: 30/06
21/04 Tiradentes;
Exerccio: Projeto 05/07 26/05 - Corpus Christi
08/07 - Encerramento do 1 perodo letivo 2016.
Exame especial: 12/07
Obs. Os alunos podero solicitar reviso de suas provas at 48 horas aps de publicada a nota correspondente. Fora
deste prazo no sero aceitas estas solicitaes.

Professor Responsvel: Data:

Pedro Donoso Belo Horizonte, 1 Maro de 2016

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