You are on page 1of 8

FACULTAD DE CIENCIAS Y TEGNOLOGIAS

ELECTRONICA
I
TRABAJO DE
INVESTIGACION

INTEGRANTES
ALEXIS HERNAN RAMIREZ
JORGE DANIEL FONTEINA
ENRIQUE JAVIER DUARTE DUARTE

AO 2017
Universidad Nacional de Caaguaz
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley N 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py

MISIN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos cientficos y tecnolgicos, competentes, con
sentido crtico, tico y responsabilidad social.
VISIN de la FCyT: Ser una facultad lder, con excelencia en la formacin de profesionales que contribuyan al desarrollo
del pas.

TRANSISNTORES BIPOLARES
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y
base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP.

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden


impurezas 1, de forma que se obtengan las tres regiones.

MODELO HIBRIDO SIMPLIFICADO


En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de
corrientes y tensiones: contina y alterna. La componente en continua o DC
polariza al transistor en un punto de trabajo localizado en la regin lineal.

Es un modelo circuito que combina impedancia y admitancias para


describir al dispositivo, de all el nombre de hibrido.

La obtencin de los parmetros hbridos involucrados dentro del modelos se


hacen en base a la teora de cuatripolos o redes de dos puertos.

CONFIGURACION EN BASES COMUN, COLECTOR COMUN Y EMISOR COMUN

BASE COMN
Vamos a ver la ltima configuracin bsica que es la base comn. A este
tipo de circuitos se les aplica la entrada por el emisor y la salida se toma del
colector. El terminal comn a la entrada y a la salida es la base y est conectada a
tierra.

EMISOR COMN.
La configuracin de emisor comn es la ms usada. En l, el transistor
acta como un amplificador de la corriente y de la tensin. Aparte de los efectos
de amplificacin, tambin invierte la tensin de seal, es decir, si la tensin es
tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector; pero,
como estos efectos se producen con la corriente alterna.

COLECTOR COMN
Otro tipo de configuracin bsica de un transistor es la de colector comn. A
esta configuracin se la suele llamar seguidor de emisor. Con este tipo de circuitos
Universidad Nacional de Caaguaz
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley N 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py

MISIN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos cientficos y tecnolgicos, competentes, con
sentido crtico, tico y responsabilidad social.
VISIN de la FCyT: Ser una facultad lder, con excelencia en la formacin de profesionales que contribuyan al desarrollo
del pas.
no vamos a conseguir una amplificacin de tensin, pero son muy buenos
amplificadores de la corriente y de ah viene su utilidad.

La entrada de seal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez


de por el colector como en el resto de los circuitos. El terminal comn para la
entrada y la salida es el colector, como su nombre indica. Si la unin base emisor
est polarizada directamente, el transistor va a conducir, mientras que si est
inversamente polarizada no lo har.

IMPEDANCIA DE ENTRADA Y SALIDA


El termino impedancia se toma para denotar la oposicin total que presenta
el circuito cualquiera que sea. En las configuraciones de los transistores se utiliza
impedancia, es como la resistencia del circuito o configuracin de la que se trate.
Por ejemplo la configuracin base comn presenta alta impedancia de salida por
tanto presenta alta ganancia en tensin, pero como ofrece mucha oposicin al
paso de la corriente pues no tiene ganancia en corriente. Contrario al colector
comn con baja impedancia de salida por tanto presenta alta ganancia en
corriente, pero no gana en tensin.

El funcionamiento del transistor es que este tiene una terminal llamada


base que es por donde se controla el dispositivo, para cualquier uso.
Por ejemplo en la configuracin emisor comn, se requiere que las unin base
emisor se polarice en directa y la colecto base en inversa, bajo este esquema
funciona.
Cuando ingresa una seal entre base y emisor, puedes obtener otra de
igual caracterstica pero ms potente entre colector emisor....
se dice que este est amplificando.

GANACIA DE CORRIENTE, TENSION Y POTENCIA


La ganancia de corriente de un transistor es la relacin que existe entre la
variacin o incremento de la corriente de colector y la variacin de la corriente
base.

Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi

Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii

Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)

Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii


Universidad Nacional de Caaguaz
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley N 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py

MISIN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos cientficos y tecnolgicos, competentes, con
sentido crtico, tico y responsabilidad social.
VISIN de la FCyT: Ser una facultad lder, con excelencia en la formacin de profesionales que contribuyan al desarrollo
del pas.
Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi

TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

Es un transistor que usa el campo elctrico para controlar la forma y, por lo


tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de
carga, por lo que tambin suele ser conocido como transistor unipolar. Es un
semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (gate), drenaje
(drain) y fuente (source).

FUNDAMENTOS

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas


alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.

Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en


inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la
unin PN.

La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de


deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de
deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).
Universidad Nacional de Caaguaz
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley N 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py

MISIN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos cientficos y tecnolgicos, competentes, con
sentido crtico, tico y responsabilidad social.
VISIN de la FCyT: Ser una facultad lder, con excelencia en la formacin de profesionales que contribuyan al desarrollo
del pas.

CURVAS CARACTERSTICAS

Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la


siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este
dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende
de la tensin VGS.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona,
el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas:
Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms
utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en
los transistores bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la


amplificacin de seales dbiles.
Universidad Nacional de Caaguaz
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley N 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py

MISIN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos cientficos y tecnolgicos, competentes, con
sentido crtico, tico y responsabilidad social.
VISIN de la FCyT: Ser una facultad lder, con excelencia en la formacin de profesionales que contribuyan al desarrollo
del pas.

CLASIFICACION

POLARIZACIN
Algunas formas tpicas de polarizacin son las siguientes:

Polarizacin fija o de compuerta


Auto polarizacin
Polarizacin por divisin de voltaje
Polarizacin por fuente de corriente

En los JFET la polaridad del potencial de puerta debe ser tal, que mantenga
la unin P-N de entrada polarizada en forma inversa. La corriente de la
compuerta (IG), es despreciable debido a que se trata de una corriente
inversa de fuga, por lo tanto tiene un valor sumamente bajo.
Universidad Nacional de Caaguaz
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley N 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py

MISIN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos cientficos y tecnolgicos, competentes, con
sentido crtico, tico y responsabilidad social.
VISIN de la FCyT: Ser una facultad lder, con excelencia en la formacin de profesionales que contribuyan al desarrollo
del pas.
PARAMETROS Y

La admitancia (Y) de un circuito es la facilidad que este ofrece al paso de la


corriente. Fue Oliver Heaviside quien comenz a emplear este trmino en
diciembre de 1887.
De acuerdo con su definicin, la admitancia es la inversa de la impedancia,

En el SI, la unidad de la admitancia es el Siemens, que antiguamente


era llamada mho, proveniente de la unidad de resistencia, Ohm, escrita a la
inversa.

GANANCIA DE TENSIN
La tensin de salida vendr determinada por:

donde el signo menos representa la inversin de fase de la salida respecto a la


entrada. Ntese que la ganancia de tensin es realmente pobre frente a la
configuracin anloga para transistores bipolares; ello es debido a que vi es del
orden de algn voltio, mientras que ld es de mA y, por tanto, vo representa
solamente algunos voltios. A la misma conclusin se llega analizando las unidades
de gm y RD.
Universidad Nacional de Caaguaz
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley N 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py

MISIN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos cientficos y tecnolgicos, competentes, con
sentido crtico, tico y responsabilidad social.
VISIN de la FCyT: Ser una facultad lder, con excelencia en la formacin de profesionales que contribuyan al desarrollo
del pas.

ADMITANCIA DE ENTRADA
Se define como admitancia de entrada, a la relacin entre la intensidad de la
fuente nica, y la diferencia de potencial entre sus terminales

En un circuito activo, se define la admitancia de entrada respecto de unos


terminales dados (1 y tierra), como la admitancia que presenta, cuando se anulan
todas las fuentes, conservando sus admitancias, excepto la del nudo en cuestin,
por lo que la expresin obtenida, es vlida para cualquier tipo de circuito.

ADMITANCIA DE SALIDA
La admitancia Yt corresponde a la asociacin de las resistencias Rs,Rg y Rl.

You might also like