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ELECTRONICA
I
TRABAJO DE
INVESTIGACION
INTEGRANTES
ALEXIS HERNAN RAMIREZ
JORGE DANIEL FONTEINA
ENRIQUE JAVIER DUARTE DUARTE
AO 2017
Universidad Nacional de Caaguaz
Sede Coronel Oviedo
Creada por Ley N 3198 del 4 de Mayo de 2007
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGAS
http://www.fctunca.edu.py/ Tel: +595 521 201548 info@fctunca.edu.py
MISIN de la FCyT: Formar profesionales excelentes con conocimientos cientficos y tecnolgicos, competentes, con
sentido crtico, tico y responsabilidad social.
VISIN de la FCyT: Ser una facultad lder, con excelencia en la formacin de profesionales que contribuyan al desarrollo
del pas.
TRANSISNTORES BIPOLARES
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y
base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP.
BASE COMN
Vamos a ver la ltima configuracin bsica que es la base comn. A este
tipo de circuitos se les aplica la entrada por el emisor y la salida se toma del
colector. El terminal comn a la entrada y a la salida es la base y est conectada a
tierra.
EMISOR COMN.
La configuracin de emisor comn es la ms usada. En l, el transistor
acta como un amplificador de la corriente y de la tensin. Aparte de los efectos
de amplificacin, tambin invierte la tensin de seal, es decir, si la tensin es
tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector; pero,
como estos efectos se producen con la corriente alterna.
COLECTOR COMN
Otro tipo de configuracin bsica de un transistor es la de colector comn. A
esta configuracin se la suele llamar seguidor de emisor. Con este tipo de circuitos
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no vamos a conseguir una amplificacin de tensin, pero son muy buenos
amplificadores de la corriente y de ah viene su utilidad.
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Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi
FUNDAMENTOS
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CURVAS CARACTERSTICAS
La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este
dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende
de la tensin VGS.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona,
el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas:
Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms
utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en
los transistores bipolares.
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CLASIFICACION
POLARIZACIN
Algunas formas tpicas de polarizacin son las siguientes:
En los JFET la polaridad del potencial de puerta debe ser tal, que mantenga
la unin P-N de entrada polarizada en forma inversa. La corriente de la
compuerta (IG), es despreciable debido a que se trata de una corriente
inversa de fuga, por lo tanto tiene un valor sumamente bajo.
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PARAMETROS Y
GANANCIA DE TENSIN
La tensin de salida vendr determinada por:
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ADMITANCIA DE ENTRADA
Se define como admitancia de entrada, a la relacin entre la intensidad de la
fuente nica, y la diferencia de potencial entre sus terminales
ADMITANCIA DE SALIDA
La admitancia Yt corresponde a la asociacin de las resistencias Rs,Rg y Rl.